TWI827986B - 金屬基板表面粗糙化方法及封裝導線架的製作方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種金屬基板表面粗糙化方法及封裝導線架的製作方法，此金屬基板表面粗糙化方法，其步驟包括：提供金屬基板；進行圖案轉移處理，使金屬基板上披覆有抗蝕劑圖案；進行蝕刻處理，對金屬基板未被抗蝕劑圖案所覆蓋的部分進行蝕刻，以令金屬基板被蝕刻出複數被蝕刻面；進行表面粗化處理，將複數被蝕刻面粗化形成複數粗化面；以及進行圖案去除處理，將披覆於金屬基板的抗蝕劑圖案去除，金屬基板曾被抗蝕劑圖案所覆蓋的部分形成有複數平整面，各粗化面的表面粗糙度大於各平整面的表面粗糙度。
Description
本發明是有關於一種導線架的製作方法，且特別是有關於一種金屬基板表面粗糙化方法及封裝導線架的製作方法。
目前導線架結構，可利用對金屬基板以全蝕刻方式製作出導線架(Lead frame)上的導腳(Lead)，各導腳再以半蝕刻方式製作出內導腳(Inner lead)，之後各導腳之間的間隙會壓注樹酯(Molding)，內導腳半蝕區會被樹酯所覆蓋，而外導腳(Outer lead)表面則會外露於樹酯。
另外，傳統壓注樹酯作業之前，導腳會先進行全部表面粗化處理，以讓樹酯穩固地結合在導腳上，但溢膠現象(Resin Bleed)使得部分需外露於樹酯的導腳表面也披覆有樹酯則需進行除膠，然而導腳表面粗化會導致除膠困難，進而造成導線架的良率與可靠度降低。因此，如何讓導腳表面除膠順利進行，實已成目前亟欲解決的課題。
有鑑於此，本發明人遂針對上述現有技術，特潛心研究並配合學理的運用，盡力解決上述之問題點，即成為本發明人開發之目標。
本發明提供一種金屬基板表面粗糙化方法及封裝導線架的製作方法，其係利用讓樹酯體沾黏於平整面時容易被去除，進而提高金屬基板的製成品及導線架的良率與可靠度。
於本發明實施例中，本發明係提供一種金屬基板表面粗糙化方法，其步驟包括：a)提供一金屬基板；b)進行一圖案轉移處理，使該金屬基板上披覆有一抗蝕劑圖案；c)進行一蝕刻處理，對該金屬基板未被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分進行蝕刻，以令該金屬基板被蝕刻出複數被蝕刻面；d)進行一表面粗化處理，將該複數被蝕刻面粗化形成複數粗化面，該金屬基板被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分未被表面粗化處理；以及e)進行一圖案去除處理，將披覆於該金屬基板的該抗蝕劑圖案去除，該金屬基板曾被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分形成有複數平整面，各該粗化面的表面粗糙度大於各該平整面的表面粗糙度。
於本發明實施例中，本發明係提供一種封裝導線架的製作方法，其步驟包括：f)提供一金屬基板；g)進行一圖案轉移處理，使該金屬基板上披覆有一抗蝕劑圖案；h)進行一蝕刻處理，對該金屬基板未被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分進行蝕刻，該金屬基板被蝕刻出複數鏤空區及一凹陷區而形成一導線架，該複數鏤空區與該凹陷區的內部形成有複數被蝕刻面；i)進行一表面粗化處理，將該複數被蝕刻面粗化形成複數粗化面；j)進行一圖案去除處理，將披覆於該導線架的該抗蝕劑圖案去除，該導線架曾被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分形成有複數平整面，各該粗化面的表面粗糙度大於各該平整面的表面粗糙度；k)進行一填注樹酯處理，將一樹酯體填充於該複數鏤空區與該凹陷區。
基於上述，因平整面曾被抗蝕劑圖案覆蓋而未被表面粗化處理，使得平整面的表面相較粗化面的表面更平整、光滑，進而讓樹酯體沾黏於平整
面時容易被去除，進而提高金屬基板的製成品及導線架的良率與可靠度。
1:金屬基板
10:導線架
11:晶片座
111:側邊
112:角隅
12:連接框
121:障礙桿
122:聯結桿
123:定位塊
13:導腳
131:引腳墊
132:預去除區
14:頂面
15:底面
16:鏤空區
17:凹陷區
18:被蝕刻面
181:粗化面
19:平整面
20:抗蝕劑圖案
2:光阻層
3:樹酯體
4:開口
a~l:步驟
圖1係本發明金屬基板表面粗糙化方法之步驟流程圖。
圖2係本發明封裝導線架的製作方法之步驟流程圖。
圖3係本發明提供金屬基板之剖面示意圖。
圖4係本發明金屬基板的頂面與底面披覆光阻層之剖面示意圖。
圖5係本發明光阻層予以曝光之剖面示意圖。
圖6係本發明金屬基板上披覆有抗蝕劑圖案之剖面示意圖。
圖7係本發明已對金屬基板進行蝕刻之剖面示意圖。
圖8係本發明已將被蝕刻面粗化形成粗化面之剖面示意圖。
圖9係本發明已將披覆於金屬基板的抗蝕劑圖案去除之剖面示意圖。
圖10係本發明導線架之俯視示意圖。
圖11係本發明導線架之立體示意圖。
圖12係本發明導線架之局部放大立體圖。
圖13係本發明部分的樹酯體發生溢膠之剖面示意圖。
圖14係本發明已將沾黏於平整面的樹酯體去除之剖面示意圖。
圖15係本發明封裝導線架之立體示意圖。
圖16係本發明封裝導線架之另一立體示意圖。
圖17係本發明對複數導腳進行切割處理之剖面示意圖。
圖18係本發明對複數導腳進行切割處理之俯視示意圖。
圖19係本發明對複數導腳進行蝕刻處理之剖面示意圖。
圖20係本發明對複數導腳進行蝕刻處理之立體示意圖。
有關本發明之詳細說明及技術內容，將配合圖式說明如下，然而所附圖式僅作為說明用途，並非用於侷限本發明。
請參考圖1、圖3至圖9所示，本發明係提供一種金屬基板表面粗糙化方法，請參考圖2至圖20所示，本發明係提供一種封裝導線架的製作方法。
如圖1所示，係本發明金屬基板表面粗糙化方法之步驟，如圖2所示，係本發明封裝導線架的製作方法之步驟，進一步說明如下；第一、如圖1之步驟a、圖2之步驟f、圖3所示，提供一金屬基板1，金屬基板1具有一頂面14及一底面15。
第二、如圖1之步驟b、如圖2之步驟g、圖4至圖6所示，進行一圖案轉移處理，使金屬基板1上披覆有一抗蝕劑圖案20，其中圖案轉移處理為先在金屬基板1的頂面14與底面15披覆一光阻層2，再對光阻層2予以曝光、顯影而形成抗蝕劑圖案20。
第三、如圖1之步驟c、圖2之步驟h、圖6至圖7所示，進行一蝕刻處理，對金屬基板1未被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分進行蝕刻，金屬基板1被蝕刻出複數鏤空區16及一凹陷區17而形成一導線架10，複數鏤空區16與凹陷區17的內部形成有複數被蝕刻面18。其中，金屬基板1的頂面14與底面15未被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分被蝕刻出複數鏤空區16與凹陷區17。
詳細說明如下，導線架10具有一晶片座11、圍設於晶片座11周圍的一連接框12及跨接在晶片座11與連接框12之間的複數導腳13。
另外，本實施例之晶片座11具有四側邊111及四角隅112，連接框12包含有圍設在四側邊111外周緣的四障礙桿121及跨接在四角隅112與各相鄰二障礙桿121的交接處之間的四聯結桿122，複數導腳13跨接在四側邊111與四障礙桿121之間，複數鏤空區16形成在複數導腳13與四聯結桿122之間。
再者，本實施例之複數導腳13鄰近四障礙桿121的一端突伸有複數引腳墊131，及另一端設有並列在四側邊111一側的四預去除區132，且各相鄰二障礙桿121的交接處突伸有一定位塊123。
又，複數引腳墊131突伸於複數導腳13的底面，複數定位塊123突伸於連接框12的底面，使得連接框12與複數導腳13的底面相對複數引腳墊131與複數定位塊123形成有凹陷區17，以令凹陷區17形成在連接框12與複數導腳13的底部。
其中，金屬基板1的頂面14未被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分與金屬基板1的底面15未被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分的相對位置，即為金屬基板1被上、下蝕刻穿透形成複數鏤空區16的位置，所以被蝕刻面18形成在各鏤空區16的內周壁上。
此外，金屬基板1的頂面14被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分與金屬基板1的底面15未被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分的相對位置，即為金屬基板1被下蝕刻凹設形成凹陷區17的位置，所以被蝕刻面18形成在凹陷區17的內側壁及內底壁上。
且，金屬基板1的底面15被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分，即為金屬基板的底面15不被蝕刻的部分，此金屬基板的底面15不被蝕刻的部分為複數引腳墊131與複數定位塊123。
第四、如圖1之步驟d、圖2之步驟i、圖7至圖8所示，進行一表面粗化處理，將複數被蝕刻面18粗化形成複數粗化面181。
第五、如圖1之步驟e、圖2之步驟j、圖8至圖12所示，進行一圖案去除處理，將披覆於金屬基板1的抗蝕劑圖案20去除，金屬基板1曾被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分形成有複數平整面19，各粗化面181的表面粗糙度大於各平整面19的表面粗糙度。其中，各粗化面181的表面粗糙度S-ratio為1.1以下，各平整面19的表面粗糙度S-ratio為1.1或1.1以上。
另外，複數平整面19形成在金屬基板1的頂面14與底面15曾被抗蝕劑圖案20所覆蓋的部分，即複數平整面19形成在晶片座11、連接框12及複數導腳13的頂部，與各引腳墊131及各定位塊123的底部。
第六、如圖2之步驟k、圖13、圖15至圖16所示，進行一填注樹酯處理，將一樹酯體3填充於複數鏤空區16與凹陷區17，部分的樹酯體3可能發生溢膠而沾黏於複數平整面19。
其中，因各鏤空區16的內周壁、凹陷區17的內側壁及內底壁具有粗化面181，使得樹酯體3能夠穩固地披覆在粗化面181的表面，進而讓連接框12與複數導腳13被樹酯體3所封裝，僅晶片座11、連接框12與複數導腳13的頂部、複數引腳墊131與複數定位塊123的底部裸露出樹酯體3，但部分的樹酯體3會發生溢膠而沾黏於晶片座11、連接框12與複數導腳13的頂部、複數引腳墊131與複數定位塊123的底部。
第七、如圖2之步驟l、圖14至圖16所示，進行一清除溢膠處理，將沾黏於複數平整面19的樹酯體3去除，以令晶片座11、連接框12與複數導腳13的頂部、複數引腳墊131與複數定位塊123的底部為連續且平整的金屬表面。
其中，因平整面19曾被抗蝕劑圖案20覆蓋而未被表面粗化處理，使得平整面19的表面相較粗化面181的表面更平整、光滑，進而讓樹酯體3沾黏於平整面19時容易被去除，進而提高金屬基板1的製成品及導線架的良率與可靠度。
第八、如圖17至圖18所示，可對複數導腳13的四預去除區132全部切除而形成四開口4，以令晶片座11與複數導腳13之間設有複數開口4而彼此斷開，即完成本發明封裝導線架。其中，部分樹酯體3也會跟預去除區132一起被切除，使得各開口4為一貫通口。
或者，如圖19至圖20所示，可對複數導腳13的四預去除區132全部蝕刻而形成四開口4，以令晶片座11與複數導腳13之間設有複數開口4而彼此斷開，即完成本發明封裝導線架。其中，因樹酯體3不會被蝕刻而形成在各開口4底部，使得各開口4為一凹口。
綜上所述，本發明之金屬基板表面粗糙化方法及封裝導線架的製作方法，亦未曾見於同類產品及公開使用，並具有產業利用性、新穎性與進步性，完全符合專利申請要件，爰依專利法提出申請，敬請詳查並賜准本案專利，以保障發明人之權利。
a~e:步驟
Claims (11)
- 一種金屬基板表面粗糙化方法，其步驟包括：a)提供一金屬基板；b)進行一圖案轉移處理，使該金屬基板上披覆有一抗蝕劑圖案；c)進行一蝕刻處理，對該金屬基板未被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分進行蝕刻，以令該金屬基板被蝕刻出複數被蝕刻面；d)進行一表面粗化處理，將該複數被蝕刻面粗化形成複數粗化面，該金屬基板被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分未被表面粗化處理；以及e)進行一圖案去除處理，將披覆於該金屬基板的該抗蝕劑圖案去除，該金屬基板曾被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分形成有複數平整面，各該粗化面的表面粗糙度大於各該平整面的表面粗糙度。
- 如請求項1所述之金屬基板表面粗糙化方法，其中步驟e)中，各該粗化面的表面粗糙度S-ratio為1.1以下，各該平整面的表面粗糙度S-ratio為1.1或1.1以上。
- 如請求項1所述之金屬基板表面粗糙化方法，其中步驟a)中，該金屬基板具有一頂面及一底面，步驟b)中，該圖案轉移處理為先在該金屬基板的該頂面與該底面披覆一光阻層，再對該光阻層予以曝光、顯影而形成該抗蝕劑圖案。
- 如請求項3所述之金屬基板表面粗糙化方法，其中步驟c)中，該金屬基板的該頂面與該底面未被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分被蝕刻出複數鏤空區與一凹陷區，該複數被蝕刻面形成在該複數鏤空區與一凹陷區的內部，步 驟e)中，該複數平整面形成在該金屬基板的該頂面與該底面曾被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分。
- 一種封裝導線架的製作方法，其步驟包括：f)提供一金屬基板；g)進行一圖案轉移處理，使該金屬基板上披覆有一抗蝕劑圖案；h)進行一蝕刻處理，對該金屬基板未被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分進行蝕刻，該金屬基板被蝕刻出複數鏤空區及一凹陷區而形成一導線架，該複數鏤空區與該凹陷區的內部形成有複數被蝕刻面；i)進行一表面粗化處理，將該複數被蝕刻面粗化形成複數粗化面；j)進行一圖案去除處理，將披覆於該導線架的該抗蝕劑圖案去除，該導線架曾被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分形成有複數平整面，各該粗化面的表面粗糙度大於各該平整面的表面粗糙度；以及k)進行一填注樹酯處理，將一樹酯體填充於該複數鏤空區與該凹陷區。
- 如請求項5所述之封裝導線架的製作方法，其更包括在k)步驟之後的一步驟l)，步驟k)中，部分的該樹酯體發生溢膠而沾黏於該複數平整面，步驟l)中，進行一清除溢膠處理，將沾黏於該複數平整面的該樹酯體去除。
- 如請求項5所述之封裝導線架的製作方法，其中步驟j)中，各該粗化面的表面粗糙度S-ratio為1.1以下，各該平整面的表面粗糙度S-ratio為1.1或1.1以上。
- 如請求項5所述之封裝導線架的製作方法，其中步驟f)中，該金屬基板具有一頂面及一底面，步驟g)中，該圖案轉移處理為先在該金屬基板的 該頂面與該底面披覆一光阻層，再對該光阻層予以曝光、顯影而形成該抗蝕劑圖案。
- 如請求項8所述之封裝導線架的製作方法，其中步驟h)中，該金屬基板的該頂面與該底面未被該抗蝕劑圖案所覆蓋的部分被蝕刻出該複數鏤空區與該凹陷區。
- 如請求項9所述之封裝導線架的製作方法，其中步驟h)中，該導線架具有一晶片座、圍設於該晶片座周圍的一連接框及跨接在該晶片座與該連接框之間的複數導腳，該晶片座具有四側邊及四角隅，該連接框包含有圍設在該四側邊外周緣的四障礙桿及跨接在該四角隅與各相鄰二該障礙桿的交接處之間的四聯結桿，該複數導腳跨接在該四側邊與該四障礙桿之間，該凹陷區形成在該連接框與該複數導腳的底部，該複數鏤空區形成在該複數導腳與該四聯結桿之間。
- 如請求項10所述之封裝導線架的製作方法，其中步驟h)中，該複數導腳鄰近該四障礙桿的一端突伸有複數引腳墊，各相鄰二該障礙桿的交接處突伸有一定位塊，步驟j)中，該複數平整面形成在該晶片座、該連接框及該複數導腳的頂部，與各該引腳墊及各該定位塊的底部。
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