TWI827415B - 加工裝置、及加工品的製造方法 - Google Patents

加工裝置、及加工品的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI827415B
TWI827415B TW111149319A TW111149319A TWI827415B TW I827415 B TWI827415 B TW I827415B TW 111149319 A TW111149319 A TW 111149319A TW 111149319 A TW111149319 A TW 111149319A TW I827415 B TWI827415 B TW I827415B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
cutting
processed
camera
cutting table
Prior art date
Application number
TW111149319A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202328675A (zh
Inventor
岡本純
Original Assignee
日商Ｔｏｗａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 filed Critical 日商Ｔｏｗａ股份有限公司
Publication of TW202328675A publication Critical patent/TW202328675A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI827415B publication Critical patent/TWI827415B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/10—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

本發明藉由於在加工工作台吸附了加工後的加工對象物的狀態下對加工後的加工對象物進行拍攝並檢查，來提高加工裝置的簡單化及生產性，包括：加工工作台2A、加工工作台2B，於其中一個面設置有能夠吸附密封完畢基板W的多個吸附孔2h；加工機構4，對吸附於加工工作台2A、加工工作台2B的密封完畢基板W進行加工；以及第一相機131，對由加工機構4加工的密封完畢基板W進行拍攝，加工工作台2A、加工工作台2B具有自其中一個面2x貫通至另一個面2y的多個貫通開口部2T，加工機構4於貫通開口部2T對密封完畢基板W進行加工，第一相機131對吸附於加工工作台2A、加工工作台2B的加工後的密封完畢基板W進行拍攝。

Description

加工裝置、及加工品的製造方法
本發明是有關於一種加工裝置、及加工品的製造方法。
先前，如專利文獻1所示，於基板的切斷裝置中，考慮藉由第一封裝件卡合機構將自切斷用的工作台切斷的成形完畢基板(封裝件)移送至反轉卡止板，並利用相機對吸附於該反轉卡止板的封裝件進行拍攝來進行檢查。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-130342號公報
然而，於所述切斷裝置中，需要用於檢查封裝件的反轉檢查板、及用於自切斷用的工作台移送至反轉卡止板的搬送機構(第一封裝件卡合機構)，從而切斷裝置的結構複雜化。另外，由於需要自切斷用的工作台向反轉卡止板的搬送時間，因此限制了生產性的提高。
因此，本發明是為解決所述問題點而成，其主要課題在於藉由於在加工工作台吸附了加工後的加工對象物的狀態下對加工後的加工對象物進行拍攝來進行檢查，來提高加工裝置的簡單化及生產性。
即，本發明的加工裝置的特徵在於包括：加工工作台，於其中一個面設置有能夠吸附加工對象物的多個吸附孔；加工機構，對吸附於所述加工工作台的所述加工對象物進行加工；以及第一相機，對由所述加工機構加工的所述加工對象物進行拍攝，所述加工工作台具有自所述其中一個面貫通至另一個面的多個貫通開口部，所述加工機構於所述貫通開口部中對所述加工對象物進行加工，所述第一相機對吸附於所述加工工作台的加工後的所述加工對象物進行拍攝。
根據如此構成的本發明，藉由於在加工工作台吸附了加工後的加工對象物的狀態下對加工後的加工對象物進行拍攝來進行檢查，可提高加工裝置的簡單化及生產性。
2A、2B:切斷用工作台(加工工作台)
2h:吸附孔
2R:抽吸用流路
2T:貫通開口部
2x:其中一個面
2y:另一個面
3:第一保持機構(搬送機構)
4:切斷機構(加工機構)
5:移載工作台
6:第二保持機構
7:搬送用移動機構(搬送機構)
8A、8B:切斷用移動機構
9A、9B:旋轉機構
10:基板供給機構
10a:基板收容部
10b:基板供給部
11:加工頭移動機構
12:移載用移動機構
13:第一檢查部
14:第二檢查部
15a:分類機構
15b:托盤移動機構
15c:托盤收容部
16:工作台反轉機構
17:位置變更機構
18:加工屑收容部
19:加工屑去除機構
20:相機
21:上推構件
40:加工頭
41A、41B:雷射光照射部
71:傳遞軸
100:切斷裝置(加工裝置)
101:筒狀容器
101x:一端開口部
102:搬送收容機構
102a:中間工作台
103:容器設置部
104:黏貼構件
104a:框狀構件
104b:樹脂片
104b1:片狀基材
104b2:接著層(黏接層)
104x:黏接面
105:黏貼用搬送機構
106:載置工作台
107:載置用移動機構
108:黏貼構件搬送機構
109:黏貼構件收容部
131:第一相機
132:相機移動機構
133:表面側照明部(照明部)
134:背面側照明部(照明部)
141:第二相機
161a、161b:旋轉軸部
161R:內部流路
162:基座構件
162a、162b:支撐壁
162c:底壁
163:旋轉驅動部
191:氣體噴射部
201:基底板
201M:槽
202:蓋板
202h:抽吸用貫通孔
203:吸附橡膠
CL1、CL2:切斷線
CTL:控制部
P:製品(加工品)
RP:保持位置
S:加工屑
T:托盤
W:密封完畢基板(加工對象物)
W1、W2:分割構件
W3:連結部
X:方向(第一方向)
X1:移載位置
X2:取出位置
X3:黏貼構件搬送位置
X4:黏貼位置
Y:方向(第二方向)
Z、θ:方向
圖1為表示加工對象物(密封完畢基板)的一例的平面圖。
圖2為示意性地表示本發明的一實施方式的切斷裝置(托盤收容)的結構的圖。
圖3為表示所述實施方式的切斷用工作台及工作台反轉機構的立體圖。
圖4為穿過所述實施方式的切斷用工作台及工作台反轉機構中的吸附孔的剖面圖。
圖5為表示所述實施方式的開口貫通部與吸附孔及抽吸用流路的位置關係的俯視圖。
圖6為將所述實施方式的切斷用工作台的一部分放大後的分解立體圖。
圖7的(a)及圖7的(b)為所述實施方式的切斷用工作台的與雷射光的掃描方向正交的部分放大剖面圖及沿著雷射光的掃描方向的局部放大剖面圖。
圖8的(a)~圖8的(c)為表示所述實施方式的雷射切斷及加工屑去除的流程的示意圖。
圖9為表示所述實施方式的第一相機所進行的拍攝方向的示意圖。
圖10的(a)~圖10的(c)為表示所述實施方式的第一相機所進行的拍攝及加工屑再去除的流程的示意圖。
圖11的(a)~圖11的(c)為表示製品自所述實施方式的切斷用工作台向第二保持機構的交接流程的示意圖。
圖12為示意性地表示變形實施方式的切斷裝置(管收容)的結構的圖。
圖13的(a)及圖13的(b)為示意性地表示筒狀容器的結 構的立體圖、及剖面圖。
圖14為示意性地表示變形實施方式的切斷裝置(環收容)的結構的圖。
圖15的(a)~圖15的(c)為示意性地表示黏貼構件的結構的平面圖、剖面圖、及局部放大剖面圖。
接著，舉例對本發明進行更詳細說明。但是，本發明不由以下的說明限定。
如上所述，本發明的加工裝置的特徵在於包括：加工工作台，於其中一個面設置有能夠吸附加工對象物的多個吸附孔；加工機構，對吸附於所述加工工作台的所述加工對象物進行加工；以及第一相機，對由所述加工機構加工的所述加工對象物進行拍攝，所述加工工作台具有自所述其中一個面貫通至另一個面的多個貫通開口部，所述加工機構於所述貫通開口部中對所述加工對象物進行加工，所述第一相機對吸附於所述加工工作台的加工後的所述加工對象物進行拍攝。
若為該加工裝置，則由於第一相機對吸附於加工工作台的加工後的加工對象物進行拍攝，因此不需要另外移送至檢查用的工作台，可提高具有對加工後的加工對象物進行檢查的功能的加工裝置的簡單化及生產性。另外，藉由一邊使第一相機相對於加工工作台相對移動一邊進行檢查，可削減加工工作台的停止、加減速次數，可縮短檢查時間。進而，藉由可使加工裝置簡單化，可 減小覆蓋區。
理想的是更包括移動機構，所述移動機構為了使所述第一相機對吸附於所述加工工作台的加工後的所述加工對象物進行拍攝，而使所述第一相機及所述加工工作台相對移動。
若為該結構，則能夠於不妨礙加工機構所進行的加工動作的位置對加工後的加工對象物進行檢查。換言之，第一相機不會妨礙加工機構所進行的加工動作。
為了容易對藉由加工機構所進行的加工而被去除的部分(切口)進行拍攝，提高其檢查的精度，理想的是所述移動機構使所述第一相機及所述加工工作台沿著所述加工機構所進行的加工方向相對移動。
理想的是更包括背面側照明部，所述背面側照明部相對於所述加工工作台設置於所述第一相機的相反側，生成透過所述貫通開口部的透過光。
若為該結構，則藉由對透過貫通開口部的透過光進行拍攝，可容易確認加工後的加工對象物之間有無殘留的加工屑。另外，可精度良好地測定加工後的加工對象物之間的切口的最小寬度。
為了精度良好地對加工後的加工對象物的表面側的外觀形狀、例如切口寬度等切口形狀進行檢查，理想的是本發明的加工裝置更包括表面側照明部，所述表面側照明部相對於所述加工工作台設置於與所述第一相機相同之側，對加工後的所述加工對象物進行照明。
於該結構中，為了自表面側及背面側此兩者效率良好地對加工後的加工對象物之間的切口寬度等切口形狀進行檢查，理想的是於交替地點亮所述表面側照明部及所述背面側照明部的同時藉由所述第一相機對加工後的所述加工對象物進行拍攝。
理想的是本發明的加工裝置更包括加工屑去除機構，所述加工屑去除機構將加工後的所述加工對象物所殘留的加工屑去除。
若為該結構，則於藉由第一相機所進行的拍攝檢查檢測到加工屑的情況下，可藉由加工屑去除機構將殘留的加工屑去除。另外，亦可於藉由加工屑去除機構將殘留的加工屑去除之後，作為確認，利用第一相機進行拍攝檢查。
理想的是本發明的加工裝置更包括：搬送機構，利用所述加工工作台吸附與被吸附面為相反側的面來搬送加工後的所述加工對象物；以及第二相機，對藉由所述搬送機構搬送的加工後的所述加工對象物的所述被吸附面進行拍攝。
若為該結構，則於自加工工作台搬送加工後的加工對象物的中途，可對在第一相機中檢查不充分的加工後的加工對象物的被吸附面(背面)進行檢查。另外，由於是於搬送中途進行檢查的結構，因此不會妨礙加工裝置的簡單化及生產性。
作為所述加工機構的具體的實施形態，理想的是對所述加工對象物照射雷射光來進行切斷。
理想的是所述加工工作台能夠表背反轉，使吸附了所述 加工對象物的所述加工工作台表背反轉，對所述加工對象物的兩面照射雷射光來進行切斷。
若為該結構，則由於可使吸附了加工對象物的加工工作台表背反轉，而自兩面切斷加工對象物，因此可縮短加工時間，從而提高生產性。
另外，由於維持保持了加工對象物的狀態而使加工工作台表背反轉(上下反轉)，因此只要事先測定一次使加工工作台表背反轉時的位置的偏移量，便可藉由計算來修正反轉後的位置，而不需要每次反轉時重新進行對準(位置調整)。因此，雷射光照射部相對於加工對象物的對準(位置調整)於加工對象物的吸附後進行一次即可，藉此亦可縮短加工時間，從而提高生產性。
另外，於對加工對象物照射雷射光來進行切斷時，雷射光會通過貫通開口部，從而可使雷射光不會照射至加工工作台。其結果，可抑制雷射光的照射所引起的加工工作台的損傷、伴隨於此的污染物(雜質、異物)向加工對象物的附著，並且降低用於防止加工工作台的損傷的雷射加工條件的制約。藉由可降低雷射加工條件的制約，可使用更高的脈衝能量、平均輸出，因此可縮短加工時間，從而提高生產性。
進而，由於雷射光通過貫通開口部，因此可防止雷射光於加工工作台上進行反射而照射至加工對象物，亦可抑制在加工工作台上進行反射後的雷射光所引起的加工對象物的損傷。
另外，使用所述加工裝置來製造加工品的、加工品的製 造方法亦為本發明的一形態。
作為加工品的製造方法的具體實施形態，理想的是包括：切斷步驟，使保持有所述加工對象物的所述加工工作台表背反轉，對所述加工對象物的兩面照射雷射光來切斷所述加工對象物；以及檢查步驟，利用所述第一相機對吸附於所述加工工作台的加工後的所述加工對象物進行拍攝來進行檢查。
如此使加工工作台表背反轉而對加工對象物的兩面照射雷射光來進行切斷，因此可消除加工對象物的表背反轉時的交接，從而縮短加工時間，可提高生產性。另外，藉由自兩面進行加工，可減小自單面開始的加工深度，因此可減小所需的切口寬度。其結果，可削減雷射掃描行數，提高生產性。另外，可使加工對象物的封裝件間的間距變窄，相應地形成追加了封裝件的佈局，每一幀的封裝件數增加，生產性提高。進而，藉由自兩面進行加工，可減小雷射加工所形成的錐形形狀，品質亦提高。
<本發明的一實施方式>
以下，參照圖式對本發明的加工裝置的一實施方式進行說明。再者，關於以下所示的任一圖，均為了容易理解而適當省略或誇張地示意性地描繪。對相同的構成構件標註相同符號，適當省略說明。
<加工裝置的整體結構>
本實施方式的加工裝置100為切斷裝置，藉由將作為切斷對象物的密封完畢基板W切斷，從而單片化為多個作為切斷品的製 品P。
此處，所謂密封完畢基板W，是針對固定有半導體晶片、電阻元件、電容元件等電子元件的支撐體，以至少將電子元件加以樹脂密封的方式進行樹脂成形而成。作為支撐體，可使用引線框架或印刷配線板等的基板，除了該些以外，亦可使用半導體製基板(包含矽晶圓等半導體晶圓)、金屬製基板、陶瓷製基板、玻璃製基板、樹脂製基板等。另外，對於構成密封完畢基板W的基板，可實施有配線亦可未實施配線。
另外，本實施方式的密封完畢基板W及製品P中，其中一個面成為後安裝的安裝面。本實施方式的說明中，將後安裝的其中一個面記載為「安裝面」，將其相反側的面記載為「標記面」。
此處，如圖1所示，密封完畢基板W中，多個分割構件W1、W2藉由連結部W3而連結、並且相互鄰接的分割構件W1、分割構件W2內的切斷線CL1、切斷線CL2設定於相互不同的直線上。各個分割構件W1、W2是將電子元件藉由樹脂成形進行密封而得的多個封裝件配置成一行而成者。另外，與各個封裝件(電子元件)對應地設置有引線。而且，多個分割構件W1、W2的兩端部藉由連結部W3連結。具體而言，奇數行的分割構件W1與偶數行的分割構件W2構成為該些的引線相互不同。藉此，奇數行的分割構件W1的切斷線CL1位於同一直線上，偶數行的分割構件W2的切斷線CL2位於同一直線上。另外，奇數行的分割構件W1的切斷線CL1與偶數行的分割構件W2的切斷線CL2位於相 互不同的直線上。再者，圖1所示的切斷線CL1、切斷線CL2是預定切斷的假想線，並不顯示於實際的密封完畢基板W上。
具體而言，如圖2所示，切斷裝置100包括：兩個切斷用工作台2A、2B，保持密封完畢基板W；第一保持機構3，為了將密封完畢基板W搬送至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B而保持密封完畢基板W；切斷機構4，將保持於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的密封完畢基板W切斷；移載工作台5，移動多個製品P；第二保持機構6，為了將多個製品P自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B搬送至移載工作台5而保持多個製品P；以及搬送用移動機構7，使第一保持機構3及第二保持機構6移動。再者，由第一保持機構3及搬送用移動機構7構成搬送密封完畢基板W的搬送機構(裝載機)，由第二保持機構6及搬送用移動機構7構成搬送多個製品P的搬送機構(卸載機)。
以下的說明中，將沿著切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的上表面的平面(水平面)內相互正交的方向分別設為X方向及Y方向，將與X方向及Y方向正交的鉛垂方向設為Z方向。具體而言，將圖2的左右方向設為X方向(第一方向)，將上下方向設為Y方向(第二方向)。
<切斷用工作台2A、切斷用工作台2B>
兩個切斷用工作台2A、2B吸附保持密封完畢基板W，並以至少能夠於Y方向上移動的方式設置。切斷用工作台2A藉由切斷用移動機構8A能夠於Y方向上移動，並且藉由旋轉機構9A能 夠於θ方向上轉動。切斷用工作台2B藉由切斷用移動機構8B能夠於Y方向上移動，並且藉由旋轉機構9B能夠於θ方向上轉動。再者，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的具體結構將於下文敘述。
<第一保持機構3>
如圖2所示，第一保持機構3為了將密封完畢基板W自基板供給機構10搬送至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B而保持密封完畢基板W。所述第一保持機構3具有用以吸附保持密封完畢基板W的多個吸附部(未圖示)。而且，第一保持機構3藉由後述的搬送用移動機構7等移動至所期望的位置，藉此將密封完畢基板W自基板供給機構10搬送至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B。
如圖2所示，基板供給機構10具有：基板收容部10a，自外部收容多個密封完畢基板W；以及基板供給部10b，使收容於該基板收容部10a的密封完畢基板W移動至由第一保持機構3吸附保持的保持位置RP。
<切斷機構4>
如圖2所示，切斷機構4對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B上的密封完畢基板W照射雷射光來切斷密封完畢基板W，並且切斷機構4具有兩個雷射光照射部41A、41B。
兩個雷射光照射部41A、41B沿著Y方向而設置，且構成為分別可獨立地照射雷射光。各雷射光照射部41A、41B具有： 雷射振盪器；直線狀地掃描來自該雷射振盪器的雷射的例如檢流描器等雷射光掃描部；以及將雷射光聚光的聚光透鏡。於各雷射光照射部41A、41B中，雷射光藉由聚光透鏡聚光於吸附在切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的密封完畢基板W，並藉由雷射光掃描部對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的密封完畢基板W進行直線狀掃描。
於本實施方式中，兩個雷射光照射部41A、41B設置於單一的加工頭40，該加工頭40能夠藉由加工頭移動機構11沿著X方向於兩個切斷用工作台2A、2B之間移動。另外，加工頭移動機構11可使加工頭40亦於Y方向及Z方向上移動。此外，亦可構成為能夠使兩個雷射光照射部41A、41B相對於加工頭40而至少於X方向或Y方向上移動。再者，兩個雷射光照射部41A、41B亦可構成為能夠分別獨立地於兩個切斷用工作台2A、2B之間移動。
而且，切斷用工作台2A上的切斷是藉由使切斷用工作台2A與兩個雷射光照射部41A、41B相對地移動並且使雷射光進行掃描來對密封完畢基板W進行切斷而加以單片化。另外，切斷用工作台2B上的切斷是藉由使切斷用工作台2B與兩個雷射光照射部41A、41B相對地移動並且使雷射光進行掃描來對密封完畢基板W進行切斷而加以單片化。再者，切斷用工作台2A上的切斷處理與切斷用工作台2B上的切斷處理可交替地進行。
<移載工作台5>
如圖2所示，本實施方式的移載工作台5為移動經第一檢查部13及第二檢查部14進行了檢查的多個製品P的工作台。再者，第一檢查部13及第二檢查部14的具體結構將於下文敘述。
所述移載工作台5被稱為所謂的分度工作台，於將多個製品P分類並收容至各種托盤T之前，暫時載置多個製品P。進而，移載工作台5以能夠沿著Y方向前後移動的方式設置。而且，移載工作台5藉由移載用移動機構12，於藉由第二保持機構6載置多個製品P的移載位置X1與藉由分類機構15a搬送多個製品P的取出位置X2之間移動。
載置於移載工作台5的多個製品P根據由第一檢查部13及第二檢查部14所得的檢查結果(良品、不良品等)而由分類機構15a分類至各種托盤T。各種托盤T由托盤移動機構15b自托盤收容部15c搬送至所期望的取出位置X2，載置由分類機構15a所分類的製品P。經分類後，各種托盤T由托盤移動機構15b收容於托盤收容部15c。於本實施方式中，以於托盤收容部15c收容例如收容製品P之前的托盤T、收容有良好製品P的托盤T、收容有需要返工(rework)的不良製品P的托盤T等三種托盤T的方式構成。
<第二保持機構6>
如圖2所示，第二保持機構6為了將多個製品P自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B搬送至移載工作台5而保持多個製品P。所述第二保持機構6利用切斷用工作台2A、切斷用工作台2B 吸附與被吸附面為相反側的面(安裝面)，具有用以吸附保持多個製品P的多個吸附部(未圖示)。而且，藉由第二保持機構6由後述的搬送用移動機構7等移動至所期望的位置，從而將多個製品P自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B搬送至移載工作台5。
<搬送用移動機構7>
如圖2所示，搬送用移動機構7使第一保持機構3至少於基板供給機構10與切斷用工作台2A、切斷用工作台2B之間移動，並且使第二保持機構6至少於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B與移載工作台5之間移動。
而且，如圖2所示，搬送用移動機構7具有共用的傳遞軸71，所述傳遞軸71沿著兩個切斷用工作台2A、2B及移載工作台5的排列方向(X方向)一直線地延伸，且用以使第一保持機構3及第二保持機構6移動。所述傳遞軸71設置於下述範圍，即：第一保持機構3可移動至基板供給機構10的基板供給部10b的上方，並且第二保持機構6可移動至移載工作台5的上方(參照圖2)。再者，傳遞軸71可針對第一保持機構3及第二保持機構6各自而分別設置。
進而，搬送用移動機構7構成為能夠使第一保持機構3及第二保持機構6相對於傳遞軸71分別於X方向及Z方向上移動。各方向上的移動機構例如可使用齒條與小齒輪機構，亦可使用滾珠螺桿機構，亦可使用氣缸，亦可使用直線馬達。
<切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的具體結構>
接著，參照圖3~圖8的(c)對切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的具體結構進行說明。
<切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的吸附功能>
如圖3及圖4所示，各切斷用工作台2A、2B於其中一個面2x上設置有能夠吸附密封完畢基板W的多個吸附孔2h。多個吸附孔2h與形成於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的內部的抽吸用流路2R連通。再者，抽吸用流路2R與未圖示的真空泵連接。
具體而言，如圖5所示，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B於俯視時呈大致矩形形狀，如圖6、圖7的(a)及圖7的(b)所示，具有：基底板201，於上表面形成有構成抽吸用流路2R的槽201M；蓋板202，於該基底板201的上表面以堵塞槽201M的方式設置並形成有與該槽201M連通的抽吸用貫通孔202h；以及樹脂製的吸附橡膠203，接著於該蓋板202的上表面並形成有與抽吸用貫通孔202h連通的吸附孔2h。藉由所述吸附橡膠203對密封完畢基板W進行吸附時，密封完畢基板W不會破損，且不會洩漏，而可牢固地固定。而且，所述吸附橡膠203的上表面成為切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的其中一個面2x，基底板201的下表面成為切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的另一個面2y。
<切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的反轉功能>
另外，如圖3及圖4所示，各切斷用工作台2A、2B構成為能夠藉由工作台反轉機構16表背反轉。藉此，切斷用工作台2A、 切斷用工作台2B構成為能夠於其中一個面2x朝向上方(雷射光照射部41A、雷射光照射部41B)的狀態(參照圖8的(a))與另一個面2y朝向上方(雷射光照射部41A、雷射光照射部41B)的狀態(參照圖8的(b))之間切換。
如圖3及圖4所示，工作台反轉機構16將切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的相互相向的兩邊部支撐為能夠旋轉，此處，將切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的長邊方向上的兩端部支撐為能夠旋轉。藉此，於使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉時，可減小切斷用工作台2A、切斷用工作台2B通過的區域。另外，以能夠對工作台反轉機構16裝卸切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的方式構成，且可根據密封完畢基板W的形態變更為專用的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B。
具體而言，工作台反轉機構16具有：兩個旋轉軸部161a、161b，設置於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的長邊方向上的兩端部；基座構件162，經由滾動軸承等軸承部將該旋轉軸部161a、旋轉軸部161b支撐為能夠旋轉；以及馬達或旋轉汽缸(rotary cylinder)等旋轉驅動部163，設置於其中一個旋轉軸部161a或161b，且使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉。再者，基座構件162具有：兩個支撐壁162a、162b，將兩個旋轉軸部161a、161b支撐為能夠旋轉；以及底壁162c，設置有兩個支撐壁162a、162b。另外，於本實施方式中，其中一個旋轉軸部161a採用如下結構：經由旋轉驅動部163能夠旋轉地支撐於支撐壁162a 上。
另外，兩個旋轉軸部161a、161b於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的俯視觀察時，設置於其長邊方向上的兩端部各自的中央部。兩個旋轉軸部161a、161b的旋轉中心位於同一直線上，且兩個旋轉軸部161a、161b於水平方向上延伸。所述兩個旋轉軸部161a、161b於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的長邊方向上延伸。此外，如圖4所示，於兩個旋轉軸部161a、161b的至少其中一者形成與形成於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的內部的抽吸用流路2R連通的內部流路161R，所述內部流路161R與未圖示的真空泵連接。
再者，亦可構成為使旋轉軸部161a、旋轉軸部161b的旋轉中心與切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的中心或者吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的密封完畢基板W的中心一致。若如此構成，則於表背反轉的前後，可減小密封完畢基板W的高度位置的變化，從而可不需要或簡單地調整與雷射光照射部41A、雷射光照射部41B的相對位置。
<切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的貫通開口部2T>
而且，於本實施方式中，如圖3~圖8的(c)所示，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B具有雷射光能夠通過的多個貫通開口部2T，所述多個貫通開口部2T自設置有吸附孔2h的其中一個面2x貫通至該其中一個面2x的背側的面即另一個面2y。於所述 貫通開口部2T中，藉由來自切斷機構4的雷射光照射部41A、雷射光照射部41B的雷射光進行密封完畢基板W的切斷。
如圖5所示，於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的俯視觀察時，即，自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的其中一個面2x側觀察時，所述多個貫通開口部2T形成於與多個吸附孔2h及與該多個吸附孔2h連通的抽吸用流路2R(具體而言為基底板201的槽201M)不重合的位置。
另外，多個貫通開口部2T形成於與密封完畢基板W的切斷線CL1、切斷線CL2(參照圖1)對應的位置，且形成為於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的俯視觀察時包括切斷線CL1、切斷線CL2。具體而言，各貫通開口部2T具有較切斷方向(加工方向)上的各切斷線CL1、CL2的長度長、且較封裝件間的被去除的切口寬度大的寬度。另外，貫通開口部2T具有自雷射光照射部41A、雷射光照射部41B照射的雷射光不會照射到的開口尺寸。
於本實施方式中，如圖1所示，密封完畢基板W中，奇數行的分割構件W1的切斷線CL1與偶數行的分割構件W2的切斷線CL2位於相互不同的直線上，因此形成於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個貫通開口部2T亦同樣地，與奇數行的分割構件W1的切斷線CL1對應的貫通開口部2T和與偶數行的分割構件W2的切斷線CL2對應的貫通開口部2T位於相互不同的直線上(參照圖5)。
另外，如圖7的(a)及圖7的(b)至圖8的(a)~ 圖8的(c)所示，貫通開口部2T具有隨著自設置有吸附孔2h的其中一個面2x朝向另一個面2y而逐漸擴展的形狀。具體而言，貫通開口部2T具有於與雷射光的掃描方向正交的剖面中隨著自其中一個面2x朝向另一個面2y而擴展的形狀。再者，貫通開口部2T只要是不會照射到雷射光的形狀即可，可為等剖面形狀，亦可為隨著自其中一個面2x朝向另一個面2y而階段性地擴展的形狀。
進而，於本實施方式中，當使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉時，如圖8的(a)~圖8的(c)所示，密封完畢基板W的高度位置發生變化，因此，更包括位置變更機構17，所述位置變更機構17於使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉的前後，對切斷用工作台2A、切斷用工作台2B與雷射光照射部41A、雷射光照射部41B的相對位置進行變更。所述位置變更機構17對切斷用工作台2A、切斷用工作台2B與雷射光照射部41A、雷射光照射部41B的相對位置進行變更，從而將雷射光的焦點位置調整為密封完畢基板W。
所述位置變更機構17可設置於使加工頭40移動的加工頭移動機構11(參照圖2)，從而可於使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉的前後對加工頭40(雷射光照射部41A、雷射光照射部41B)的高度位置進行變更。另外，亦可由加工頭移動機構11構成位置變更機構17。再者，亦可變更切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的高度位置，從而使表背反轉前後的高度位 置相同。
<加工屑收容部18>
另外，如圖3、圖4及圖8的(c)所示，本實施方式的切斷裝置100更包括加工屑收容部18，所述加工屑收容部18收容因切斷密封完畢基板W而產生的邊角料等加工屑S。所述加工屑收容部18設置於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的下方。具體而言，加工屑收容部18於對切斷用工作台2A、切斷用工作台2B進行支撐的基座構件162上設置於兩個支撐壁162a、162b之間。再者，加工屑收容部18構成為能夠相對於基座構件162進行裝卸，可自基座構件162上拆卸，而將加工屑S廢棄至切斷裝置100的外部。
再者，於加工頭40與加工屑收容部18的距離短的情況下，通過貫通開口部2T的雷射光的能量密度高，因此有可能於加工屑收容部18的底面散射。為了抑制此種情況，亦可對加工屑收容部18的底面實施吸收性良好的表面處理，或者於加工屑收容部18的底面設置吸收材。
<加工屑去除機構19>
進而，如圖8的(c)所示，本實施方式的切斷裝置100更包括加工屑去除機構19，所述加工屑去除機構19將藉由雷射光切斷的密封完畢基板W上所殘留的邊角料等加工屑S去除。
該加工屑去除機構19具有朝向密封完畢基板W吹附壓縮空氣等氣體的氣體噴射部191，利用由該氣體噴射部191噴射的 氣體去除加工屑S。另外，氣體噴射部191設置於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的上方，且採用如下結構：自上方對表背反轉後的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B吹附氣體而去除加工屑S。藉由所述結構，自氣體噴射部191噴射的氣體通過貫通開口部2T而吹附至殘留的加工屑S上。此處，由於氣體被貫通開口部2T節流，因此可於提高氣體流速的同時集中地與加工屑S接觸。去除後的加工屑S被收容於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的下方所設置的加工屑收容部18。再者，亦可採用如下結構：自上方對未進行表背反轉的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B吹附氣體而去除加工屑S。
另外，作為加工屑去除機構19，除了如上所述向所殘留的加工屑S吹附氣體的結構之外，亦可採用與所殘留的加工屑S物理接觸而將其推出的結構。於此情況下，加工屑去除機構19具有將加工屑S推出的銷等推出構件，藉由使該推出構件相對於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B升降移動，將加工屑S朝向加工屑收容部18推出。
<第一檢查部13>
於本實施方式中，如圖2所示，具有第一檢查部13，所述第一檢查部13自表面側對由切斷機構4切斷的多個製品P進行拍攝來進行檢查。
該第一檢查部13自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的上方對多個製品P的表面進行拍攝。再者，於藉由第一檢查部 13對製品P進行檢查的情況下，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B成為未表背反轉的狀態。
具體而言，第一檢查部13具有第一相機131，所述第一相機131具有用於對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個製品P的表面進行拍攝的光學系統。另外，第一相機131以於傳遞軸71與切斷機構4之間能夠藉由相機移動機構132於X方向上移動的方式設置。此處，第一相機131理想的是快門速度快，曝光時間短。
本實施方式的相機移動機構132使第一相機131能夠於兩個切斷用工作台2A、2B之間移動。於對吸附於其中一個切斷用工作台2A的多個製品P進行拍攝的情況下，相機移動機構132使第一相機131移動至切斷用工作台2A的上方。此處，切斷用工作台2A為藉由切斷用移動機構8A於Y方向上移動而移動至規定的檢查位置的狀態。另外，於對吸附於另一個切斷用工作台2B的多個製品P進行拍攝的情況下，相機移動機構132使第一相機131移動至切斷用工作台2B的上方。此處，切斷用工作台2B為藉由切斷用移動機構8B於Y方向上移動而移動至規定的檢查位置的狀態。
而且，相機移動機構132使第一相機131於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B上於X方向上移動，對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的製品P的表面(安裝面)進行拍攝。
具體而言，如圖9所示，相機移動機構132沿著由切斷 機構4切斷的切斷方向(切口的延伸方向)，使第一相機131相對於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B相對移動。此時，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B為藉由旋轉機構9A、旋轉機構9B以由切斷機構4切斷的切斷方向(切口的延伸方向)與X方向平行的方式旋轉的狀態。
另外，於本實施方式中，如圖10的(a)~圖10的(c)所示，更包括：表面側照明部133，相對於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B設置於與第一相機131相同之側，對多個製品P的表面側進行照明；以及背面側照明部134，相對於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B設置於第一相機131的相反側，生成透過貫通開口部2T的透過光，經由貫通開口部2T對多個製品P的背面側進行照明。
表面側照明部133及背面側照明部134分別是頻閃發光的照明器，此處，例如是使用氙燈而構成。表面側照明部133可與第一相機131一體地設置，亦可單獨地設置。另外，背面側照明部134以能夠移動至位於規定的檢查位置的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的下方的方式設置。
而且，如圖9所示，一邊使第一相機131相對於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B相對移動，一邊交替地點亮表面側照明部133及背面側照明部134，每當表面側照明部133及背面側照明部134分別點亮時，第一相機131對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個製品P進行拍攝。藉此，第一相機131連 續地拍攝自表面側對多個製品P進行照明而得的圖像及自背面側對多個製品P進行照明而得的圖像。
由第一相機131獲得的各圖像於包括控制部CTL的圖像處理部中進行圖像處理，進行製品P之間的切口寬度等外觀的測定及檢查，進行製品P的良品或不良品等的判定。此處，自表面側對製品P進行照明而得的圖像例如用於製品P的表面(安裝面)的外觀檢查、或對形成於製品P之間的切口的表面側的邊緣部的尺寸進行測定等。另外，自背面側對製品P進行照明而得的圖像例如用於檢查於製品P之間有無殘留的邊角料等加工屑、或對形成於製品P之間的切口的最小寬度進行測定。
<第二檢查部14>
進而，如圖2所示，本實施方式的切斷裝置100具有第二檢查部14，所述第二檢查部14對由第二保持機構6保持並搬送的多個製品P的背面(標記面)進行檢查。該第二檢查部14具有第二相機141，所述第二相機141具有用於對多個製品P的被吸附面即背面(標記面)進行拍攝的光學系統。由該第二相機141獲得的各圖像於包括控制部CTL的圖像處理部中進行圖像處理，進行製品P的標記面的檢查，進行製品P的良品或不良品等的判定。
<切斷裝置100的動作的一例>
接著，對切斷裝置100的動作的一例進行說明。再者，於本實施方式中，藉由控制部CTL(參照圖2)進行切斷裝置100的動作、例如密封完畢基板W的搬送、密封完畢基板W的雷射切斷、 加工屑S的去除、製品P的檢查、製品P的托盤收容等所有動作或控制。
基板供給機構10的基板供給部10b使收容於基板收容部10a的密封完畢基板W向由第一保持機構3保持的保持位置RP移動。
接著，搬送用移動機構7使第一保持機構3移動至保持位置RP，第一保持機構3吸附保持密封完畢基板W。其後，搬送用移動機構7使保持有密封完畢基板W的第一保持機構3移動至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B，第一保持機構3解除吸附保持，將密封完畢基板W載置於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B。而且，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B吸附保持密封完畢基板W。
於所述狀態下，切斷用移動機構8A、切斷用移動機構8B使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B移動至規定的切斷位置(傳遞軸71的里側)。於此切斷位置，藉由切斷用移動機構8A、切斷用移動機構8B及加工頭移動機構11使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B及兩個雷射光照射部41A、41B於X方向及Y方向上相對地移動，藉此切斷密封完畢基板W並將其加以單片化。再者，視需要藉由旋轉機構9A、旋轉機構9B使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B旋轉。
此處，對具體的切斷方法進行說明。
首先，於將密封完畢基板W吸附保持於切斷用工作台2A、 切斷用工作台2B之後，進行密封完畢基板W與雷射光照射部41A、雷射光照射部41B的對準(位置調整)。此處，藉由對準用的相機20對密封完畢基板W的對準標記進行拍攝，使用其拍攝資料進行對準。
然後，於不藉由工作台反轉機構16使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B反轉的情況下，如圖8的(a)所示，自雷射光照射部41A、雷射光照射部41B對密封完畢基板W的表面照射雷射光，切削其一部分來進行槽加工(半切)。圖8的(a)中示出為了與刀片切斷時的切口寬度一致而於封裝件間進行了兩條槽加工的例子。
於所述槽加工之後，如圖8的(b)所示，藉由工作台反轉機構16使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉。反轉後不進行對準(位置調整)，而是使用以旋轉軸部161a、旋轉軸部161b的旋轉軸為基準將反轉前的拍攝資料反轉後的資料。另外，於藉由使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B反轉而使密封完畢基板W的高度位置發生變化的情況下，藉由位置變更機構17對切斷用工作台2A、切斷用工作台2B與雷射光照射部41A、雷射光照射部41B的相對位置進行變更，將雷射光的焦點位置調整為密封完畢基板W。然後，經由貫通開口部2T而自雷射光照射部41A、雷射光照射部41B向密封完畢基板W的背面照射雷射光，對藉由半切進行了槽加工的部分進行切削而將其完全切斷(全切)。藉由所述全切而產生的邊角料等加工屑S落下並被收容於加 工屑收容部18。
再者，於所述半切及全切中，於使雷射光照射部41A、雷射光照射部41B向不同的切斷線CL1、切斷線CL2移動時，停止雷射光照射部41A、雷射光照射部41B所進行的雷射光的照射。另外，藉由工作台反轉機構16進行的反轉亦可根據密封完畢基板W的種類或切斷製程等而重覆進行多次。
於所述切斷後，如圖8的(c)所示，使加工屑去除機構19的氣體噴射部191向切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的上方移動，自上方對表背反轉後的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B吹附氣體而去除加工屑S。由所述加工屑去除機構19去除的加工屑S落下並被收容於加工屑收容部18。再者，亦可於使加工屑去除機構19移動至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的上方之前，藉由加工頭移動機構11使雷射光照射部41A、雷射光照射部41B退避至不成為障礙的位置。
於去除加工屑S後，切斷用移動機構8A、切斷用移動機構8B使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B移動至規定的檢查位置。此處，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B成為未藉由工作台反轉機構16表背反轉的狀態。而且，藉由利用相機移動機構132而第一檢查部13的第一相機131於X方向上移動，來對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個製品P進行拍攝。此處，如圖9及圖10的(a)~圖10的(c)所示，相機移動機構132於使第一相機於X方向上移動的同時使表面側照明部133 與背面側照明部134交替地點亮，於各照明部133、134點亮時對多個製品P進行拍攝。然後，由第一相機131拍攝的各圖像被發送至控制部CTL的圖像處理部，進行製品P的良品或不良品等的判定。於藉由該第一檢查部13檢測到製品P之間殘留有加工屑S的情況下，可藉由所述加工屑去除機構19的氣體噴射部191將加工屑S再次去除(參照圖10的(c))。
於加工屑S的去除及製品P的表面檢查後，切斷用移動機構8A、切斷用移動機構8B使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B移動至規定的搬送位置(傳遞軸71的近前側)。
接著，搬送用移動機構7使第二保持機構6移動至切斷後的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B，第二保持機構6吸附保持多個製品P。
此處，於自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B向第二保持機構6交接多個製品P時，有時製品P與切斷用工作台2A、切斷用工作台2B密接而無法向第二保持機構6可靠地交接製品P。因此，如圖11的(a)~圖11的(c)所示，亦可使用自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的貫通開口部2T上推製品P的背面的銷等上推構件21。該上推構件21於第二保持機構6與吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個製品P接觸或接近的狀態(參照圖11的(b))下，通過貫通開口部2T朝向第二保持機構6側上推多個製品P。藉此，可靠地進行自切斷用工作台2A、切斷用工作台2B向第二保持機構6的交接(參照圖11的(c))。
其後，搬送用移動機構7使保持有多個製品P的第二保持機構6移動至移載工作台5。於向該移載工作台5的搬送中途，保持於第二保持機構6的多個製品P藉由第二檢查部14的第二相機141進行下表面側(標記面)的檢查。
於該檢查之後，搬送用移動機構7將多個製品P交接至移載工作台5。載置有製品P的移載工作台5藉由移載用移動機構12移動至取出位置X2。而且，載置於移載工作台5的多個製品P根據由第一檢查部13及第二檢查部14所得的檢查結果(良品、不良品等)而由分類機構15a分類至各種托盤T。
<本實施方式的效果>
根據本實施方式的切斷裝置100，由於第一相機131對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個製品P進行拍攝，因此不需要另外移送至檢查用的工作台，可提高切斷裝置100的簡單化及生產性。另外，藉由一邊使第一相機131相對於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B相對移動一邊進行檢查，可削減切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的停止、加減速次數，可縮短檢查時間。進而，藉由可使切斷裝置100簡單化，可減小覆蓋區。
另外，由於可使吸附了密封完畢基板W的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉，而自兩面切斷密封完畢基板W，因此可縮短切斷時間，從而提高生產性。
進而，只要事先測定一次使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉時的位置的偏移量，便可藉由計算來修正反轉 後的位置，而不需要每次反轉時重新進行對準(位置調整)。因此，雷射光照射部41A、雷射光照射部41B相對於密封完畢基板W的對準(位置調整)於密封完畢基板W的吸附後進行一次即可，藉此亦可縮短加工時間，從而提高生產性。
而且，於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B設置有雷射光能夠通過的多個貫通開口部2T，因此於對位於與該貫通開口部2T對應的部分的密封完畢基板W照射雷射光來進行切斷的情況下，藉由使雷射光通過貫通開口部2T，可使雷射光不會照射至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B。其結果，可抑制雷射光的照射所引起的切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的損傷、伴隨於此的污染物(雜質、異物)向密封完畢基板W的附著，並且降低用於防止切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的損傷的雷射加工條件的制約。藉由可降低雷射加工條件的制約，可使用更高的脈衝能量、平均輸出，因此可縮短加工時間，從而提高生產性。
此外，由於雷射光通過貫通開口部2T，因此可防止雷射光在切斷用工作台2A、切斷用工作台2B上進行反射而照射至密封完畢基板W，亦抑制在切斷用工作台2A、切斷用工作台2B上進行反射後的雷射光所引起的密封完畢基板W的損傷。
另外，由於貫通開口部2T隨著朝向另一個面2y而擴展，因此自其中一個面2x照射雷射光、且通過了密封完畢基板W的雷射光不會照射至貫通開口部2T的內表面。另外，即使於使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉而自另一個面2y照射 雷射光的情況下，雷射光亦不會照射至貫通開口部2T的內表面。藉此，不僅可抑制由於雷射光照射至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B而導致的損傷，而且可防止反射後的雷射光照射至密封完畢基板W的不期望的區域而使密封完畢基板W的品質受損。
<其他的變形實施方式>
再者，本發明並不限定於所述實施方式。
所述實施方式為進行托盤收容的切斷裝置，但不限於托盤收容，亦可進行以下的收容。
另外，如圖12所示，切斷裝置100構成為可將多個製品P收容(亦稱為「管收容」)於筒狀容器101。再者，筒狀容器101有時被稱為管、料盒棒(magazine stick)、棒料盒(stick magazine)、棒等。
具體而言，如圖13的(a)及圖13的(b)所示，筒狀容器101以呈行狀排列的狀態收容多個製品P。具體而言，筒狀容器101具有呈直線狀延伸的形狀，於內部具有收容製品P的空間。另外，筒狀容器101的與長邊方向正交的剖面形狀是與製品P的剖面形狀對應的形狀。製品P藉由搬送收容機構102而自筒狀容器101的一端開口部101x插入。再者，圖13的(a)及圖13的(b)所示的筒狀容器101為沿著長邊方向延伸的側周壁的一部分空著的結構，但亦可為所述側周壁閉合的結構。另外，筒狀容器101除了以呈一行排列的狀態收容多個製品P的結構以外，亦可為以呈多行排列的狀態收容多個製品P的結構。進而，筒狀容器101 可為樹脂製，亦可為金屬製。另外，於圖13的(a)及圖13的(b)中示出了作為製品P而有引線的形態，但亦可為方形扁平無引腳(Quad Flat No-leads，QFN)等非引線型。
於該情況下，移載工作台5於將多個製品P收容於筒狀容器101之前，暫時載置多個製品P。而且，移載工作台5藉由移載用移動機構12，於藉由第二保持機構6載置多個製品P的移載位置X1與藉由搬送收容機構102搬送多個製品P的取出位置X2之間移動。
載置於移載工作台5的多個製品P根據由第一檢查部13及第二檢查部14所得的檢查結果(良品、不良品等)，藉由搬送收容機構102收容於筒狀容器101。筒狀容器101載置於容器設置部103。再者，圖12的容器設置部103包括：收容空的筒狀容器101的部分、配置將製品P自一端開口部101x插入的空的筒狀容器101的部分、以及收容製品P滿載或收容了所期望的個數的收容完畢的筒狀容器101的部分。另外，搬送收容機構102將多個製品P自位於取出位置X2的移載工作台5搬送至中間工作台102a，將製品P自該中間工作台102a搬送並收容至筒狀容器101。
例如，如圖14所示，切斷裝置100亦可將多個製品P黏貼並收容於具有黏接面104x的黏貼構件104(亦稱為「環收容」)。
具體而言，如圖15的(a)~圖15的(c)所示，黏貼構件包括例如呈圓環狀或矩形形狀的框狀構件104a、以及具有配 置於該框狀構件104a的內側的黏接面104x的樹脂片104b。框狀構件104a例如為不鏽鋼等金屬製。另外，樹脂片104b包括例如樹脂製的片狀基材104b1、以及包含塗佈於該片狀基材104b1的上表面的接著劑的接著層(黏接層)104b2。再者，接著層(黏接層)104b2的上表面成為黏接面104x。
於此情況下，移載工作台5於將多個製品P黏貼於黏貼構件104之前，暫時載置多個製品P。而且，移載工作台5藉由移載用移動機構12，於藉由第二保持機構6載置多個製品P的移載位置X1與藉由黏貼用搬送機構105搬送多個製品P的取出位置X2之間移動。
載置於移載工作台5的多個製品P根據由第一檢查部13及第二檢查部14所得的檢查結果(良品、不良品等)，藉由黏貼用搬送機構105而黏貼於黏貼構件104。黏貼構件104載置於載置工作台106。如圖14所示，載置工作台106設置成能夠沿著Y方向移動。而且，載置工作台106藉由載置用移動機構107，於藉由黏貼構件搬送機構108搬送黏貼構件104的黏貼構件搬送位置X3與藉由黏貼用搬送機構105搬送多個製品P的黏貼位置X4之間移動。另外，黏貼構件搬送機構108於位於黏貼構件搬送位置X3的載置工作台106與收容黏貼構件104的黏貼構件收容部109之間搬送黏貼構件104。該黏貼構件搬送機構108吸附並保持黏貼構件104的框狀構件104a。
於所述實施方式中，為具有第二檢查部14的結構，但 亦可設為不具有第二檢查部14的結構。於此情況下，藉由第一檢查部13的檢查，判定多個製品P的良品或不良品等，進行托盤收容、管收容或環收容。
於所述實施方式中，藉由相機移動機構132使第一相機131於切斷方向(X方向)上移動來對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個製品P進行拍攝，但亦可藉由切斷用移動機構8A、切斷用移動機構8B使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B於Y方向上移動，於切斷方向上移動，對吸附於切斷用工作台的多個製品P進行拍攝。進而，亦可一邊藉由相機移動機構132使第一相機131移動，一邊藉由切斷用移動機構8A、切斷用移動機構8B使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B移動，同時對吸附於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的多個製品P進行拍攝。
另外，於所述實施方式中，將第一相機131設為兩個切斷用工作台2A、2B所共用，但亦可針對各切斷用工作台2A、2B設置。
另外，於所述實施方式中，構成為使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B自切斷位置移動至檢查位置來進行製品P的檢查，但亦可於切斷位置進行檢查。於此情況下，考慮於切斷機構4的雷射光照射部41A、雷射光照射部41B所進行的切斷結束後，使該雷射光照射部41A、雷射光照射部41B退避，使第一相機131移動至切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的上方。
另外，於所述實施方式中，於藉由第一相機131對製品 P進行拍攝的情況下，使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B成為未表背反轉的狀態，但亦可使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B成為表背反轉的狀態。另外，亦可構成為於使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉的前後對製品P進行拍攝。
所述實施方式的兩個切斷用工作台2A、2B中，多個貫通開口部2T形成於相同的位置，但於多個切斷用工作台2A、2B中，多個貫通開口部2T亦可形成於相互不同的位置。於所述結構中，可採用如下結構：於藉由其中一個切斷用工作台2A進行雷射加工後，更換為另一個切斷用工作台2B，對密封完畢基板W的其他位置進行雷射加工。另外，亦可採用如下結構：藉由兩個切斷用工作台對製品佈局相互不同的兩種密封完畢基板分別進行雷射加工。
為了獲取各步驟所需時間的平衡，所述實施方式的兩個切斷用工作台2A、2B亦可設置三個以上。
另外，亦可構成為去掉切斷用工作台2A、切斷用工作台2B的旋轉機構，於雷射光照射部側使加工位置旋轉。於此情況下，於使第一相機131相對於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B相對移動來進行檢查時，切斷用工作台2A、切斷用工作台2B不旋轉，可保持由切斷機構4切斷的切斷方向(切口的延伸方向)與Y方向平行的狀態。
所述實施方式的切斷裝置100是使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉來切斷密封完畢基板W的裝置，但亦 可根據密封完畢基板W的種類等，不使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉而僅自表面側切斷密封完畢基板W，亦可使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉而僅自背面側切斷密封完畢基板W。
所述實施方式的密封完畢基板W中，相互鄰接的分割構件W1、分割構件W2內的切斷線CL1、切斷線CL2設定於相互不同的直線上，但該些切斷線CL1、CL2亦可設定於同一直線上。於此情況下，設置於切斷用工作台2A、切斷用工作台2B上的多個貫通開口部2T對應於切斷線CL1、切斷線CL2而被設置於同一直線上。此處，亦可將設置於同一直線上的多個貫通開口部2T集中而作為一個貫通開口部。
所述實施方式的切斷機構4為使用雷射光進行切斷的結構，但亦可為使用刀片進行切斷的結構。
於所述實施方式中，對具有兩個切斷用工作台的雙切割工作台方式、且具有兩個雷射光照射部的雙雷射結構的切斷裝置進行了說明，但並不限定於此，亦可為具有一個切斷用工作台的單切割工作台方式且具有一個雷射光照射部的單雷射結構的切斷裝置、或具有一個切斷用工作台的單切割工作台方式且具有兩個雷射光照射部的雙雷射結構的切斷裝置等。
於所述實施方式的圖7的(a)及圖7的(b)及圖8的(a)~圖8的(c)中，示出了於切斷用工作台(加工工作台)2A、切斷用工作台(加工工作台)2B的整體中貫通開口部2T成 為隨著自其中一個面2x朝向另一個面2y而擴展的形狀的結構。但是並不限於此，只要貫通開口部2T的至少一部分是隨著自其中一個面2x朝向另一個面2y而擴展的形狀即可。例如亦可為如下結構：僅於使切斷用工作台2A、切斷用工作台2B表背反轉之前的位於最下方的基底板201，貫通開口部2T成為隨著自其中一個面朝向另一個面而擴展的形狀。
另外，於所述實施方式中，說明了進行半切及全切的加工，但亦可切換加工條件，一併進行雷射標記(laser marking)。
另外，本發明的切斷裝置亦可進行切斷以外的加工，例如亦可進行切削或磨削等其他機械加工。
除此以外，本發明並不限於所述實施方式，當然能夠於不偏離其主旨的範圍進行各種變形。
[產業上的可利用性]
根據本發明，藉由於在加工工作台吸附了加工後的加工對象物的狀態下對加工後的加工對象物進行拍攝來進行檢查，可提高加工裝置的簡單化及生產性。
2A、2B:切斷用工作台(加工工作台)
3:第一保持機構(搬送機構)
4:切斷機構(加工機構)
5:移載工作台
6:第二保持機構
7:搬送用移動機構(搬送機構)
8A、8B:切斷用移動機構
9A、9B:旋轉機構
10:基板供給機構
10a:基板收容部
10b:基板供給部
11:加工頭移動機構
12:移載用移動機構
13:第一檢查部
14:第二檢查部
15a:分類機構
15b:托盤移動機構
15c:托盤收容部
16:工作台反轉機構
17:位置變更機構
19:加工屑去除機構
20:相機
40:加工頭
41A、41B:雷射光照射部
71:傳遞軸
100:切斷裝置(加工裝置)
131:第一相機
132:相機移動機構
141:第二相機
CTL:控制部
RP:保持位置
T:托盤
W:密封完畢基板(加工對象物)
X:方向(第一方向)
X1:移載位置
X2:取出位置
Y:方向(第二方向)
Z、θ:方向

Claims (9)

  1. 一種加工裝置，包括：加工工作台，於其中一個面設置有能夠吸附加工對象物的多個吸附孔；加工機構，對吸附於所述加工工作台的所述加工對象物進行加工；以及第一相機，對由所述加工機構加工的所述加工對象物進行拍攝，所述加工工作台具有自所述其中一個面貫通至另一個面的多個貫通開口部，所述加工機構於所述貫通開口部中對所述加工對象物進行加工，所述第一相機對吸附於所述加工工作台的加工後的所述加工對象物進行拍攝，其中，所述加工機構對所述加工對象物照射雷射光來進行切斷，所述加工工作台能夠表背反轉，使保持有所述加工對象物的所述加工工作台表背反轉，對所述加工對象物的兩面照射雷射光來進行切斷。
  2. 如請求項1所述的加工裝置，更包括移動機構，所述移動機構為了使所述第一相機對吸附於所述加工工作台的加工後的所述加工對象物進行拍攝，而使所述第一相機及所述加工工作台相對移動。
  3. 如請求項2所述的加工裝置，其中，所述移動機構使所述第一相機及所述加工工作台沿著所述加工機構所進行的加工方向相對移動。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的加工裝置，更包括背面側照明部，所述背面側照明部相對於所述加工工作台設置於所述第一相機的相反側，生成透過所述貫通開口部的透過光。
  5. 如請求項4所述的加工裝置，更包括表面側照明部，所述表面側照明部相對於所述加工工作台設置於與所述第一相機相同之側，對加工後的所述加工對象物進行照明，於交替地點亮所述表面側照明部及所述背面側照明部的同時藉由所述第一相機對加工後的所述加工對象物進行拍攝。
  6. 如請求項1至請求項3中任一項所述的加工裝置，更包括加工屑去除機構，所述加工屑去除機構將加工後的所述加工對象物所殘留的加工屑去除。
  7. 如請求項1至請求項3中任一項所述的加工裝置，更包括：搬送機構，利用所述加工工作台吸附與被吸附面為相反側的面來搬送加工後的所述加工對象物；以及第二相機，對藉由所述搬送機構搬送的加工後的所述加工對象物的所述被吸附面進行拍攝。
  8. 一種加工品的製造方法，使用如請求項1至請求項7中任一項所述的加工裝置對加工品進行製造。
  9. 如請求項8所述的加工品的製造方法，包括：切斷步驟，使保持有所述加工對象物的所述加工工作台表背反轉，對所述加工對象物的兩面照射雷射光來切斷所述加工對象物；以及檢查步驟，利用所述第一相機對吸附於所述加工工作台的加工後的所述加工對象物進行拍攝來進行檢查。
TW111149319A 2022-01-11 2022-12-22 加工裝置、及加工品的製造方法 TWI827415B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-002378 2022-01-11
JP2022002378A JP2023102048A (ja) 2022-01-11 2022-01-11 加工装置、及び、加工品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202328675A TW202328675A (zh) 2023-07-16
TWI827415B true TWI827415B (zh) 2023-12-21

Family

ID=87278789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111149319A TWI827415B (zh) 2022-01-11 2022-12-22 加工裝置、及加工品的製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023102048A (zh)
TW (1) TWI827415B (zh)
WO (1) WO2023135897A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130342A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Towa Corp 基板の切断方法及び装置
CN101909806A (zh) * 2007-12-27 2010-12-08 三星钻石工业股份有限公司 激光加工装置
TW201243316A (en) * 2007-05-23 2012-11-01 Lasertec Corp Substrate holding apparatus
TW201300188A (zh) * 2011-06-30 2013-01-01 Uni Via Technology Inc 碎屑清除裝置及清除碎屑之方法
TW201431631A (zh) * 2013-02-04 2014-08-16 Shuz Tung Machinery Ind Co Ltd 雷射切割設備
US11152246B2 (en) * 2019-02-14 2021-10-19 Disco Corporation Chuck table and inspection apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH081367A (ja) * 1994-06-22 1996-01-09 Brother Ind Ltd レーザ加工装置
US6576870B2 (en) * 2000-11-13 2003-06-10 Hannstar Display Corp. Apparatus with double laser beams for cutting two bonded glass substrates and method thereof
JP2004074217A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Ono Sokki Co Ltd マーキング装置
JP4980857B2 (ja) * 2007-11-13 2012-07-18 日立ビアメカニクス株式会社 穴明け加工機における加工不良防止方法
JP5656821B2 (ja) * 2011-12-28 2015-01-21 三菱電機株式会社 保持装置
JP5781186B1 (ja) * 2014-03-26 2015-09-16 株式会社レザック ストリッピング装置の雌型の加工装置
JP6422693B2 (ja) * 2014-07-16 2018-11-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6779582B2 (ja) * 2017-03-03 2020-11-04 株式会社ディスコ 被加工物のレーザ加工方法
JP7382762B2 (ja) * 2019-08-27 2023-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置の加工結果の良否判定方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201243316A (en) * 2007-05-23 2012-11-01 Lasertec Corp Substrate holding apparatus
JP2009130342A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Towa Corp 基板の切断方法及び装置
CN101909806A (zh) * 2007-12-27 2010-12-08 三星钻石工业股份有限公司 激光加工装置
TW201300188A (zh) * 2011-06-30 2013-01-01 Uni Via Technology Inc 碎屑清除裝置及清除碎屑之方法
TW201431631A (zh) * 2013-02-04 2014-08-16 Shuz Tung Machinery Ind Co Ltd 雷射切割設備
US11152246B2 (en) * 2019-02-14 2021-10-19 Disco Corporation Chuck table and inspection apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023135897A1 (ja) 2023-07-20
JP2023102048A (ja) 2023-07-24
TW202328675A (zh) 2023-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101266373B1 (ko) 절삭장치
CN106956370B (zh) 加工装置的搬送机构
JP7282461B2 (ja) 検査装置、及び加工装置
TW201711788A (zh) 被加工物的支持治具
KR101594965B1 (ko) 반도체 패키지 싱귤레이션 장치
JP2012171628A (ja) テーピング装置及びテーピング方法
TWI827415B (zh) 加工裝置、及加工品的製造方法
TWI810856B (zh) 加工裝置及加工品的製造方法
TW202327773A (zh) 加工裝置、及加工品的製造方法
CN112440166B (zh) 法兰盘端面修正装置及方法、切断装置及切断方法
JP4351750B2 (ja) レーザ捺印方法、及び装置
JP2010126242A (ja) テーピング装置
TW202325456A (zh) 加工裝置、及加工品的製造方法
KR100854437B1 (ko) 반도체 패키지 이송장치의 흡착패드
JP5574193B2 (ja) 載置方法及び装置
JP2013000777A (ja) レーザー加工装置
TWI830259B (zh) 加工裝置、及加工品的製造方法
JP7084519B1 (ja) 加工装置
TWI808864B (zh) 校正方法、及電子零件的製造方法
TWI806486B (zh) 加工裝置及加工品的製造方法
JP7068409B2 (ja) 切断装置及び切断品の製造方法
JP2018129372A (ja) ダイシング装置及びダイシング方法
JP2740580B2 (ja) 外観検査装置
JP2022102532A (ja) 加工装置
TW202237326A (zh) 加工裝置及加工品的製造方法