TWI820697B - 電子裝置 - Google Patents

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TWI820697B TW111116638A TW111116638A TWI820697B TW I820697 B TWI820697 B TW I820697B TW 111116638 A TW111116638 A TW 111116638A TW 111116638 A TW111116638 A TW 111116638A TW I820697 B TWI820697 B TW I820697B
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福地覚
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Abstract

改善使用了BGA的電子裝置的訊號品質。  　　實施形態的電子裝置(1)是包含第1基板(10)、第2基板(20)、第1導電體(SB)、第2導電體(SP)及第1電子零件(MC)。  　　第1基板(10)是具有：  　　第1連接器部(CP)；  　　被配置在上面的複數的第1焊墊部(PDa)；及  　　連接第2焊墊部(PDa(1,4))與第1連接器部(CP)的第1傳送線路(TL)。  　　第2基板(20)是在下面具有和複數的第1焊墊部(PDa)分別對向而配置的複數的第3焊墊部(PDb)。  　　第1導電體(SB)是被連接至第4焊墊部(PDb(1,4))與第2焊墊部(PDa(1,4))的各者。第2導電體(SP)是被連接至第5焊墊部(PDb(2,4))。第1電子零件(MC)是一端及另一端分別接觸於第1導電體(SB)及第2導電體(SP)。

Description

電子裝置
實施形態是關於電子裝置。    [關聯申請案]  　　本案是以日本專利申請案第2022-046759號(申請日：2022年3月23日)為基礎主張優先權。本案是藉由參照此基礎申請案而包含其全體內容。
作為被使用在電子裝置的半導體封裝的一種，有BGA(Ball Grid Array)為人所知。
改善使用了BGA的電子裝置的訊號品質。  　　實施形態的電子裝置是包含第1基板、第2基板、第1導電體、第2導電體及第1電子零件。  　　第1基板是具有：  　　第1連接器部；  　　在上面以一定的間隔配置成格子狀的複數的第1焊墊部；及  　　將含在複數的第1焊墊部的第2焊墊部與第1連接器部連接之第1傳送線路。  　　第2基板20是在下面具有和複數的第1焊墊部分別對向於第1方向而配置的複數的第3焊墊部。  　　第1導電體是被連接至含在複數的第3焊墊部的第4焊墊部及第2焊墊部的各者。  　　第2導電體是被連接至含在複數的第3焊墊部的第5焊墊部。  　　第1電子零件是一端及另一端分別接觸於第1導電體及第2導電體。
以下，參照圖面說明有關實施形態。實施形態是舉例表示用以使發明的技術思想具體化的裝置或方法。圖面是模式性或概念性者。各圖面的尺寸或比率等是不限於一定要與現實者相同。構成的圖示是被適當省略。被附加於平面圖的剖面線是未必與構成要素的素材或特性一定關聯。在本說明書中，對於具有大致相同的機能及構成的構成要素附加相同的符號。被附加於參照符號的數字或文字等是依據同參照符號而參照，且為了區別類似的要素彼此間而使用。
[1]實施形態  　　以下，說明有關實施形態的電子裝置1。  [1-1]構成  [1-1-1]電子裝置1的構成  　　圖1是表示實施形態的電子裝置1的構成之一例的方塊圖。電子裝置1是例如具備安裝基板10及半導體封裝20。  　　安裝基板10是例如印刷電路板(PCB：Printed Circuit Board)。安裝基板10是以1層或複數層所構成。安裝基板10是至少可安裝1個的半導體封裝20。安裝基板10是例如含有連接器(connector)部CP及傳送線路TL。安裝基板10是可具有複數的連接器部CP。安裝基板10是可具有複數的傳送線路TL。連接器部CP及傳送線路TL是可以複數組連接外部的裝置與半導體封裝20之間。連接器部CP是外部連接端子。連接器部CP是被構成可電性連接半導體封裝20與外部的裝置之間。連接器部CP的數量是按照被使用在外部的裝置與電子裝置1之間的通訊介面規格。  　　傳送線路TL是配線圖案。傳送線路TL是連接連接器部CP與半導體封裝20之間。傳送線路TL是亦可被稱為“傳送路”或“配線”。  　　半導體封裝20是BGA(Ball Grid Array)。半導體封裝20是被安裝在安裝基板10上。半導體封裝20是例如包含IC晶片21、焊錫球SB、焊錫部SP及安裝零件MC。焊錫球SB及焊錫部SP是在半導體封裝20的底面以一定的間隔配置成格子狀。  　　IC晶片21是含有半導體積體電路的半導體裝置。IC晶片21是可使用各種的半導體裝置。IC晶片21是例如NAND型快閃記憶體等的半導體記憶裝置。焊錫球SB是外部電極端子。焊錫球SB是被使用在半導體封裝20的安裝之導電體的塊。焊錫球SB是亦可被稱為“BGA焊墊”，或亦可被簡稱為“導電體”。半導體封裝20是可在底面具有複數的焊錫球SB。焊錫球SB是在半導體封裝20與安裝零件MC的連接也可使用。  　　焊錫部SP是外部電極端子。焊錫部SP是被使用在電子零件的安裝的導電體的塊。焊錫部SP是亦可被稱為“焊錫膏(Solder paste)”，或亦可簡稱為“導電體”。焊錫部SP是例如被使用在半導體封裝20與安裝零件MC的連接。半導體封裝20是可在底面具有複數的焊錫球SB。  　　安裝零件MC是例如耦合電容器。安裝零件MC是被連接至焊錫球SB與焊錫部SP之間。具體而言，安裝零件MC的一端及另一端是分別接觸於焊錫球SB及焊錫部SP。藉此，連接器部CP是經由傳送線路TL、焊錫球SB、安裝零件MC及焊錫部SP來連接至IC晶片21。當安裝零件MC為耦合電容器時，安裝零件MC是可除去傳播於傳送線路TL的訊號的直流(DC)成分。亦即，安裝零件MC是可被使用於AC耦合。另外，亦可按照被安裝的位置來使用其他的電子零件，作為安裝零件MC。亦可使用二極體或電阻器等，作為安裝零件MC。被配置於半導體封裝20的底面之焊錫部SP的數量是例如對應於被配置於半導體封裝20的底面之安裝零件MC的數量。
[1-1-2]電子裝置1的構造  　　其次，說明有關實施形態的電子裝置1的構造的詳細。  　　在以下參照的圖面是使用3維的正交座標系。X方向是對應於與安裝基板10的上面平行的方向。Y方向是對應於與安裝基板10的上面平行且與X方向交叉的方向。Z方向是對應於對於安裝基板10的上面而言鉛直方向。本說明書的“安裝基板10的上面”是對應於在安裝基板10安裝半導體封裝20的側的面。本說明書的“上下”是根據沿著Z方向的方向而定義，從安裝基板10朝向半導體封裝20的方向為對應於正方向(上方)。
[1：連接部分的構造的概要]  　　圖2是表示實施形態的電子裝置1所具備的安裝基板10及半導體封裝20的連接部分的構造的概要的剖面圖。  　　安裝基板10是在與半導體封裝20重疊於Z方向的部分更具備複數的焊墊部(未圖示)。被配置於與半導體封裝20重疊於Z方向的部分之複數的焊墊部是可與對向於Z方向而配置的焊錫球SB連接。  　　半導體封裝20是更具備基板22及密封構件23。基板22是例如印刷電路板(PCB)。基板22是以1層或複數層所構成。在基板22的下面是配置有複數的焊錫球SB。在基板22的上面是設有複數的焊墊部(未圖示)及IC晶片21。基板22的上面的複數的焊墊部的各者是被連接至基板22的下面的複數的焊錫球的任一者。IC晶片21是例如藉由複數的接合線來分別連接至基板22的上面的複數的焊墊部。密封構件23是絕緣體。密封構件23是將基板22上的IC晶片21密封。密封構件23是例如環氧樹脂。  　　以下，將安裝基板10所具備的至少1個層之中與安裝基板10的上面相鄰的配線層稱為“L10”。又，將基板22所具備的至少1個層之中與基板22的下面相鄰的配線層稱為“L20”。被設在安裝基板10及基板22的各者的焊墊部是亦可按照焊墊部的平面形狀而被稱為“land部”。
[2：安裝基板10的配線層L10的平面佈局]  　　圖3是表示與實施形態的電子裝置1所具備的安裝基板10的上面相鄰的配線層L10的平面佈局之一例的平面圖。安裝基板10的配線層L10是包含導電體層11、複數的焊墊部PDa及複數的絕緣錫墊(anti-pad)部AP。  　　導電體層11是被設在安裝基板10的配線層L10之導電體。包含複數的焊墊部PDa和傳送線路TL之配線層L10的電路圖案是例如藉由使用了轉印電路圖案的遮罩之蝕刻處理來加工導電體層11而形成。因此，導電體層11與配線層L10的電路圖案是以相同的導電體所構成。又，傳送線路TL與被連接至傳送線路TL的焊墊部PDa是被連續性地設置。  　　複數的焊墊部PDa是焊錫球SB或焊錫部SP所接觸的導電體。複數的焊墊部PDa是在安裝基板10的配線層L10以一定的間隔配置成格子狀。圖3所示的沿著X方向排列的數字“1”~“5”是對應於焊墊部PDa的X座標。圖3所示的沿著Y方向排列的數字“1”~“5”是對應於焊墊部PDa的Y座標。在以下的說明中，對於符號“PDa”適當附加有表示配置焊墊部PDa的座標之“(X座標,Y座標)”。在本例中，傳送線路TL會被連接至焊墊部PDa(1,4)。  　　配線層L10的複數的絕緣錫墊部AP是將配線層L10的電路圖案與導電體層11之間離隔及絕緣的區域。絕緣錫墊部AP是亦可與在被配置的層內除去導電體的部分建立對應，或亦可與將導電體層分斷而設的絕緣體建立對應。配線層L10是包含：分別被設為包圍1個的焊墊部PDa之複數的絕緣錫墊部AP、及被設為包圍傳送線路TL與焊墊部PDa的組合之至少1個的絕緣錫墊部AP。
[3：半導體封裝20所具有的基板22的配線層L20的平面佈局]  　　圖4是表示實施形態的電子裝置1所具備的半導體封裝20所具有的基板22的配線層L20的平面佈局之一例的平面圖。半導體封裝20的配線層L20是包含導電體層24、複數的焊墊部PDb及複數的絕緣錫墊部AP。  　　導電體層24是被設在半導體封裝20的配線層L20之導電體。包含複數的焊墊部PDb之配線層L20的電路圖案是例如藉由使用了轉印電路圖案的遮罩之蝕刻處理來加工導電體層24而形成。因此，導電體層24與配線層L20的電路圖案是以相同的導電體所構成。  　　複數的焊墊部PDb是接觸焊錫球SB或焊錫部SP的導電體。複數的焊墊部PDb是在基板22的配線層L20以一定的間隔配置成格子狀。圖4所示的沿著X方向排列的數字“1”~“5”是對應於焊墊部PDb的X座標。圖4所示的沿著Y方向排列的數字“1”~“5”是對應於焊墊部PDb的Y座標。在以下的說明中，對於符號“PDb”適當附加有表示配置焊墊部PDb的座標之“(X座標,Y座標)”。  　　配線層L20的複數的絕緣錫墊部AP是將配線層L20的電路圖案與導電體層24之間離隔及絕緣的區域。配線層L20是包含分別被設為包圍1個焊墊部PDb的複數的絕緣錫墊部AP。  　　半導體封裝20的基板22的複數的焊墊部PDb是可與安裝基板10的複數的焊墊部PDa分別對向於Z方向而配置。在本說明書中，顯示對應於同座標的焊墊部PDa與焊墊部PDb的組為對向於Z方向而配置的情形。在本例中，焊墊部PDb(1,4)會經由焊錫球SB來與被連接至傳送線路TL的焊墊部PDa(1,4)連接。
[4：安裝零件MC的配置]  　　圖5是表示實施形態的電子裝置1的安裝零件MC的配置之一例的立體圖。在電子裝置1中，傳送線路TL的一端是被連接至連接器部CP。在電子裝置1中，傳送線路TL的另一端是被連接至安裝基板10的焊墊部PDa(1,4)。在電子裝置1中，安裝基板10的焊墊部PDa(1,4)是經由焊錫球SB來連接至半導體封裝20的焊墊部PDb(1,4)。在電子裝置1中，安裝零件MC的一端是被連接至接觸於焊墊部PDb(1,4)的焊錫球SB。在電子裝置1中，安裝零件MC的另一端是被連接至接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫部SP。  　　亦即，在電子裝置1中，連接器部CP是經由傳送線路TL、焊墊部PDa(1,4)、焊錫球SB及焊墊部PDb(2,4)來連接至IC晶片21。在電子裝置1中，安裝零件MC是連接至被設在半導體封裝20的下面(亦即基板22的下面)的焊錫球SB與焊錫部SP之間。因此，安裝零件MC是平面視被配置於與半導體封裝20重疊的區域。換言之，在電子裝置1中，安裝零件MC是被配置於安裝基板10與半導體封裝20的基板22之間。  　　另外，在電子裝置1中，安裝零件MC是亦可連接至在X方向相鄰的2個焊墊部PDb之間，或亦可連接至在Y方向相鄰的2個焊墊部PDb之間，或亦可連接至在與XY平面平行且與X方向及Y方向交叉的方向相鄰的2個焊墊部PDb之間。
[5：電子裝置1的詳細的剖面構造]  　　圖6是表示實施形態的電子裝置1的詳細的剖面構造之一例的剖面圖。圖6是表示在電子裝置1中，包含焊墊部PDb(1,4)、PDb(2,4)及PDb(3,4)和安裝零件MC，且沿著XZ平面的剖面。絕緣體層INS是以粗線的剖面線表示。在以下是說明有關安裝基板10及基板22的各者具有2個配線層及2個平面層的情況。  　　安裝基板10是更包含平面層L11及L12、配線層L13、絕緣體層100、110及120、導電體層12、導電體層PWa及GNDa。在配線層L13上是依序層疊絕緣體層100、平面層L12、絕緣體層110、平面層L11、絕緣體層120及配線層L10。絕緣體層110、120及130是例如黏合片(prepreg)。  　　平面層L11是包含導電體層PWa。導電體層PWa是沿著XY平面而擴展的板狀的導電體。在導電體層PWa是例如經由圖示省略的通孔來施加電源電壓。在導電體層PWa是亦可通孔貫通而設。在導電體層PWa與通孔之間是可形成絕緣錫墊部AP(絕緣體層INS)。  　　平面層L12是包含導電體層GNDa。導電體層GND是沿著XY平面而擴展的板狀的導電體。導電體層GNDa是例如經由圖示省略的通孔來接地。在導電體層GNDa是亦可通孔貫通而設。在導電體層GNDa與通孔之間是可形成絕緣錫墊部AP(絕緣體層INS)。  　　配線層L13是包含導電體層12。導電體層12是對應於配線層L13的電路圖案。配線層L13的電路圖案是可經由圖示省略的通孔來與被設於不同的配線層的導電體電性連接。  　　半導體封裝20的基板22是更包含平面層L21及L22、配線層L23、絕緣體層200、210及220、通孔25及26、導電體層PWb及GNDb。在配線層L20上依序層疊絕緣體層200、平面層L21、絕緣體層210、平面層L22、絕緣體層220及配線層L23。絕緣體層210、220及230是例如黏合片。通孔25及26是具有延伸Z方向的部分的配線(導電體)。  　　平面層L21是包含導電體層PWb。導電體層PWb是沿著XY平面而擴展的板狀的導電體。在導電體層PWb是例如經由圖示省略的通孔來施加電源電壓。在導電體層PWb是亦可通孔貫通而設。在導電體層PWa與通孔之間是亦可形成絕緣錫墊部AP(絕緣體層INS)。導電體層PWb是亦可與通孔電性連接。  　　平面層L22是包含導電體層GNDb。導電體層GNDb是沿著XY平面而擴展的板狀的導電體。導電體層GNDb是經由圖示省略的通孔來接地。在導電體層GNDb是亦可通孔貫通而設。在導電體層GNDb與通孔之間是可形成絕緣錫墊部AP(絕緣體層INS)。導電體層GNDb是亦可與通孔電性連接。  　　配線層L23是包含：  　　連接接合線之複數的焊墊部(未圖示)，該接合線是連接基板22與IC晶片21；  　　被設在通孔25的一端之焊墊部；及  　　被設在通孔26的一端之焊墊部。  　　通孔25的另一端是對應於焊墊部PDb(2,4)。通孔26的另一端是對應於焊墊部PDb(3,4)。通孔25及26的各個的另一端是與IC晶片21電性連接。  　　在焊墊部PDb(1,4)是焊錫球SB會接觸。焊墊部PDb(1,4)是經由接觸的焊錫球SB來連接至對向的焊墊部PDa(1,4)(亦即，被連接至傳送線路TL的焊墊部PDa)。接觸於焊墊部PDb(1,4)的焊錫球SB是接觸於安裝零件MC的一端。焊墊部PDb(1,4)是例如不具有與被設在配線層L20以外的層之導電體的連接。焊墊部PDb(1,4)與被設在配線層L20以外的層之電路圖案是被絕緣為理想。  　　在焊墊部PDb(2,4)是焊錫部SP會接觸。亦即，在通孔25的另一端是設有焊錫部SP。接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫部SP是接觸於安裝零件MC的另一端。安裝零件MC是藉由接觸於焊墊部PDb(1,4)的焊錫球SB與接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫部SP來固定。安裝零件MC是亦可經由絕緣體來接觸於基板22。接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫部SP是例如自對向的焊墊部PDa(2,4)分離。亦即，在半導體封裝20被安裝於安裝基板10的狀態中，焊錫部SP是不與安裝基板10接觸。  　　在焊墊部PDb(3,4)是焊錫球SB會接觸。亦即，在通孔26的另一端是設有焊錫球SB。焊墊部PDb(3,4)是經由接觸的焊錫球SB來連接至對向的焊墊部PDa(3,4)。焊墊部PDa(3,4)是可經由圖示省略的通孔來連接至被形成於安裝基板10的配線層L13之電路圖案或導電體層PWa或導電體層GNDa等。
[1-2]實施形態的效果  　　實施形態的電子裝置1的被安裝在安裝基板10的半導體封裝20是經由考慮了阻抗的匹配之傳送線路TL及安裝零件MC來連接至安裝基板10的連接器部CP。  　　在實施形態的電子裝置1中，連接器部CP是經由傳送線路TL、焊墊部PDa(1,4)及PDb(1,4)間的焊錫球SB、安裝零件MC及接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫部SP來連接至IC晶片21。如此，在實施形態的電子裝置1中，被輸入至連接器部CP的訊號會經由1個的傳送線路TL來傳播至半導體封裝20的IC晶片21。亦即，在實施形態的電子裝置1中，在連接器部CP與半導體封裝20之間，阻抗(impedance)形成不連續的部分會被匯集成連接器部CP與傳送線路TL的連接部分、和傳送線路TL連續性地設置的焊墊部PDa(1,4)與焊錫球SB的連接部分、焊錫球SB與安裝零件MC的連接部分、安裝零件MC與焊錫部SP的連接部分的組合。  　　其結果，實施形態的電子裝置1是可簡易地設為能解消阻抗的不連續之電路圖案的設計，亦即將SI(Signal Integrity)特性最適化的設計。因此，實施形態的電子裝置1是可改善使用了BGA的電子裝置1的訊號品質。  　　並且，在實施形態的電子裝置1中，在被輸入至連接器部CP的訊號的路徑被串聯的安裝零件MC會被配置於半導體封裝20的基板22的下面所設的焊錫球SB與焊錫部SP之間。其結果，實施形態的電子裝置1是在安裝基板10中，可削減考慮了阻抗的匹配之配線佈局的面積，且可緩和配線佈局的限制。  　　進一步，實施形態的電子裝置1的安裝基板10是可不使用具有成為在電子裝置1的製造時使作業工程數增加的要因之特殊的形狀的配線佈局，來改善電子裝置1的SI特性。其結果，實施形態的電子裝置1是可削減電子裝置1的製造成本。
[2]變形例  　　實施形態的電子裝置1可為各種的變形。以下，說明有關第1~第6變形例，作為實施形態的電子裝置1的變形例。
[2-1]第1變形例  　　圖7是表示第1變形例的電子裝置1a的構造之一例的剖面圖。圖7是表示在電子裝置1a中，包含焊墊部PDb(1,4)、PDb(2,4)及PDb(3,4)和安裝零件MC，且沿著XZ平面的剖面。第1變形例的電子裝置1a是具備安裝基板10及半導體封裝20a。相對於實施形態的電子裝置1，半導體封裝20a是具有連接安裝零件MC的另一端之焊錫部SP會被置換成焊錫球SB的構成。  　　在第1變形例中，安裝零件MC的一端及另一端是分別連接至接觸於焊墊部PDb(1,4)的焊錫球SB及接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫球SB。在第1變形例中，安裝零件MC是藉由接觸於焊墊部PDb(1,4)的焊錫球SB及接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫球SB所固定。並且，在第1變形例中，接觸於焊墊部PDb(2,4)的焊錫球SB是接觸於焊墊部PDa(2,4)。第1變形例的電子裝置1a的其他的構成是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　第1變形例是連接安裝零件MC的另一端之焊錫部SP會被置換成焊錫球SB。若根據第1變形例的電子裝置1b，則可取得與實施形態同樣的效果。
[2-2]第2變形例  　　圖8是表示第2變形例的電子裝置1b的構造之一例的剖面圖。圖8是在電子裝置1b中，包含焊墊部PDb(1,4)、PDb(2,4)及PDb(3,4)和安裝零件MC1及MC2，且沿著XZ平面的剖面。第2變形例的電子裝置1b是具備安裝基板10a及半導體封裝20b。安裝基板10a是在焊墊部PDa(2,4)設有焊錫部SPa。半導體封裝20b是在焊墊部PDb(2,4)設有焊錫部SPb。而且，電子裝置1c是在焊錫部SPa與被連接至焊墊部PDb(1,4)的焊錫球SB之間連接安裝零件MC1。在焊錫部SPa與焊錫部SPb之間連接安裝零件MC2。  　　第2變形例的安裝零件MC1是例如耦合電容器。第2變形例的安裝零件MC2是例如二極體。連接安裝零件MC2的焊墊部PDa(2,4)是例如經由通孔(via hole)來電性連接至導電體層GNDa。二極體的陽極及陰極是按照二極體的類別來分別連接至焊錫部SPa及SPb的一方及他方。例如，當安裝零件MC2為PN接合二極體時，二極體的陽極會被連接至焊錫部SPb，二極體的陰極會被連接至焊錫部SPa。  　　第2變形例是在安裝基板10與半導體封裝20的連接面之間安裝有二極體等的電子零件。若根據第2變形例的電子裝置1c，則可取得與實施形態同樣的效果。  　　進一步，第2變形例的電子裝置1b是可藉由被連接至焊墊部PDa(2,4)與焊墊部PDb(2,4)之間的二極體來改善ESD(Electrostatic Discharge)耐壓及CDM耐壓。
[2-3]第3變形例  　　圖9是表示第3變形例的電子裝置1c的構造之一例的剖面圖。圖9是表示在電子裝置1c中，包含焊墊部PDb(1,4)、PDb(2,4)及PDb(3,4)和安裝零件MC，且沿著XZ平面的剖面。第3變形例的電子裝置1c是具備安裝基板10b及半導體封裝20c。在安裝基板10b中，平面層L11具有絕緣錫墊部APa。在半導體封裝20c中，平面層L21具有絕緣錫墊部APb。  　　絕緣錫墊部APa是被設在與焊墊部PDa(1,4)對向於Z方向的部分，該焊墊部PDa(1,4)是在平面層L11內接觸於連接傳送線路TL的焊錫球SB。絕緣錫墊部APa的平面形狀是亦可與焊墊部PDa(1,4)相同或亦可相異。絕緣錫墊部APa的平面形狀是可被適當設計為能取得焊墊部PDa(1,4)與PDb(1,4)之間的焊錫球SB的接點的阻抗的匹配。  　　絕緣錫墊部APb是被設在與焊墊部PDb(1,4)對向於Z方向的部分，該焊墊部PDb(1,4)是在平面層L21內接觸於連接傳送線路TL的焊錫球SB。絕緣錫墊部APb的平面形狀是亦可與焊墊部PDb(1,4)相同或亦可相異。絕緣錫墊部APb的平面形狀是可被適當設計為能取得焊墊部PDa(1,4)與PDb(1,4)之間的焊錫球SB的接點的阻抗的匹配。  　　第3變形例是在平面層L11及L21分別設有絕緣錫墊部APa及APb。若根據第3變形例的電子裝置1c，則可取得與實施形態同樣的效果。  　　進一步，第3變形例的電子裝置1c是可藉由被設在平面層L11及L21的絕緣錫墊部APb來減低焊墊部PDa(1,4)與PDb(1,4)之間的焊錫球SB的接點的寄生電容。藉此，第3變形例的電子裝置1c是可按照絕緣錫墊部APa及APb的佈局來使阻抗的不連續減低，可改善電子裝置1c的訊號品質。另外，在第3變形例中，絕緣錫墊部APa及APb是只要設有至少一方即可。
[2-4]第4變形例  　　圖10是表示第4變形例的電子裝置1d的構造之一例的表。圖10的(A)及(B)是分別對應於第4變形例的第1例的電子裝置1d_1及第4變形例的第2例的電子裝置1d_2。圖10的(A)及(B)的各者是表示在基板22的配線層L10中，包含電性連接傳送線路TL的焊墊部PDb之區域的絕緣錫墊部AP的平面佈局。  　　如圖10的(A)所示般，在第4變形例的第1例的電子裝置1d_1中，設有將分別連接了安裝零件MC的焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APc。其他的焊墊部PDb的周圍是與實施形態同樣，藉由1個的絕緣錫墊部AP來包圍。電子裝置1d_1的其他的構造是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　如圖10的(B)所示般，在第4變形例的第2例的電子裝置1d_2中，設有將分別連接了安裝零件MC的焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)的周圍和與焊墊部PDb(2,4)相鄰的焊墊部PDb(3,4)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APd。換言之，絕緣錫墊部APd是被設為將連接了安裝零件MC的焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)和與焊墊部PDb(1,4)或PDb(2,4)相鄰的焊墊部PDb的各個的周圍一起包圍。電子裝置1d_2的其他的構造是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　第4變形例是在配線層L20設有絕緣錫墊部APc或APd。若根據第4變形例的電子裝置1c，則可取得與實施形態同樣的效果。  　　進一步，第4變形例的電子裝置1d是藉由利用絕緣錫墊部APc或APd的佈局，可調整焊墊部PDa(1,4)與PDb(1,4)之間的焊錫球SB的接點的寄生電容的減低量。藉此，第4變形例的電子裝置1d是可使阻抗的不連續減低，可改善電子裝置1d的訊號品質。另外，絕緣錫墊部APc及APd的各者是亦可被設在配線層L10。焊錫球SB的接點的寄生電容是可按照配線層L10的絕緣錫墊部AP的佈局而進一步調整。
[2-5]第5變形例  　　圖11是表示第5變形例的電子裝置1e的構成之一例的方塊圖。電子裝置1e是具備安裝基板10c及半導體封裝20e。安裝基板10c是具有連接器部CP1及CP2、傳送線路TL1及TL2。半導體封裝20e是具有IC晶片21a、焊錫球SB1及SB2、焊錫部SP1及SP2、安裝零件MCa及MCb。傳送線路TL1及TL2是差動訊號配線。  　　在電子裝置1e中，連接器部CP1是經由傳送線路TL1、焊錫球SB1、安裝零件MCa及焊錫部SP1來連接至IC晶片21a。安裝零件MCa的一端及另一端是與實施形態同樣，分別接觸於焊錫球SB1及焊錫部SP1。在電子裝置1e中，連接器部CP2是經由傳送線路TL2、焊錫球SB2、安裝零件MCb及焊錫部SP2來連接至IC晶片21a。安裝零件MCb的一端及另一端是與實施形態同樣，分別接觸於焊錫球SB1及焊錫部SP1。第5變形例的電子裝置1e的其他的構成是與實施形態同樣。  　　就第5變形例而言，在實施形態說明的構造是被適用於差動訊號配線。若根據第5變形例的電子裝置1e，則可取得與實施形態同樣的效果。
[2-6]第6變形例  　　圖12是表示第6變形例的電子裝置1f的構造之一例的表。圖12的(A)、(B)、(C)、(D)、(E)及(F)是分別對應於第6變形例的第1例的電子裝置1f_1、第6變形例的第2例的電子裝置1f_2、第6變形例的第3例的電子裝置1f_3、第6變形例的第4例的電子裝置1f_4、第6變形例的第5例的電子裝置1f_5、及第6變形例的第6例的電子裝置1f_6。圖13的(A)、(B)、(C)、(D)、(E)及(F)的各者是表示在基板22的配線層L10中，包含分別電性連接傳送線路TL1及TL2且相鄰的2個焊墊部PDb之區域的絕緣錫墊部AP的平面佈局。  　　如圖12的(A)所示般，第6變形例的第1例的電子裝置1f_1是在焊墊部PDb的各者設有包圍1個焊墊部PDb的周圍之絕緣錫墊部AP。  　　如圖12的(B)所示般，在第6變形例的第2例的電子裝置1f_2中，設有將分別連接了安裝零件MCa的一端及另一端之焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APc。同樣，在電子裝置1f_2中，設有將分別連接了安裝零件MCb的一端及另一端之焊墊部PDb(1,5)及PDb(2,5)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APc。電子裝置1f_1的其他的構造是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　如圖12的(C)所示般，在第6變形例的第3例的電子裝置1f_3中，設有將分別連接了安裝零件MCa的一端及另一端之焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)的周圍和與焊墊部PDb(2,4)相鄰的焊墊部PDb(3,4)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APd。同樣，在電子裝置1f_3中，設有將分別連接了安裝零件MCb的一端及另一端之焊墊部PDb(1,5)及PDb(2,5)的周圍和與焊墊部PDb(2,5)相鄰的焊墊部PDb(3,5)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APd。電子裝置1f_2的其他的構造是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　如圖12的(D)所示般，在第6變形例的第4例的電子裝置1f_4中，設有將連接了安裝零件MCa的一端之焊墊部PDb(1,4)的周圍及連接了安裝零件MCb的一端之焊墊部PDb(1,5)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APe。同樣，在電子裝置1f_4中，設有將連接了安裝零件MCa的另一端之焊墊部PDb(1,4)的周圍及連接了安裝零件MCb的另一端之焊墊部PDb(1,5)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APe。電子裝置1f_4的其他的構造是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　如圖12的(E)所示般，在第6變形例的第5例的電子裝置1f_5中，設有將分別連接了安裝零件MCa的一端及另一端之焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)的周圍和分別連接了安裝零件MCb的一端及另一端之焊墊部PDb(1,5)及PDb(2,5)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APf。電子裝置1f_5的其他的構造是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　如圖12的(F)所示般，在第6變形例的第6例的電子裝置1f_6中，設有將分別連接了安裝零件MCa的一端及另一端之焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)的周圍、與焊墊部PDb(2,4)相鄰的焊墊部PDb(3,4)的周圍、分別連接了安裝零件MCb的一端及另一端之焊墊部PDb(1,5)及PDb(2,5)的周圍、與焊墊部PDb(2,5)相鄰的焊墊部PDb(3,5)的周圍一起包圍的絕緣錫墊部APg。換言之，絕緣錫墊部APg是被設為將連接了安裝零件MCa的焊墊部PDb(1,4)及PDb(2,4)、與焊墊部PDb(1,4)或PDb(2,4)相鄰的焊墊部PDb、連接了安裝零件MCb的焊墊部PDb(1,5)及PDb(2,5)、與焊墊部PDb(1,5)或PDb(2,5)相鄰的焊墊部PDb的各個的周圍一起包圍。電子裝置1f_6的其他的構造是與實施形態的電子裝置1同樣。  　　第6變形例是絕緣錫墊部AP的形狀可為各種的變形。在配線層L20是設有絕緣錫墊部APc、APd、APe、APf及APg的至少一個。若根據第6變形例的電子裝置1f，則可取得與實施形態同樣的效果。  　　進一步，第6變形例的電子裝置1f是藉由利用絕緣錫墊部APc、APd、APe、APf及APg等的佈局，可調整焊墊部PDa(1,4)與PDb(1,4)之間的焊錫球SB的接點的寄生電容的減低量。藉此，第6變形例的電子裝置1f是可使阻抗的不連續減低，可改善電子裝置1f的訊號品質。另外，絕緣錫墊部APc、APd、APe、APf及APg的各者是亦可被設在配線層L10。焊錫球SB的接點的寄生電容是可按照配線層L10的絕緣錫墊部AP的佈局來進一步調整。
[3]其他  　　在實施形態被使用於說明的焊墊部PD的座標只是一例。在實施形態中，說明了有關焊墊部PDa(1.4)被連接至傳送線路TL的情況，但不被限定於此。被連接至傳送線路TL的焊墊部PDa是可按照安裝基板10的設計來適當變更。連接安裝基板10與半導體封裝20的焊錫球SB的數量及配置是可自由地設計。在電子裝置1中，亦可在焊錫球SB與焊墊部PDb之間設有焊錫部SP。安裝零件MC的一端及另一端藉由焊錫部SP來固定之後，亦可在半導體封裝20的基板22的下部形成有複數的焊錫球SB。  　　實施形態是舉例表示，發明的範圍是不被限定於該等。
[4]比較例  　　其次，說明有關比較例的電子裝置2。圖13是表示比較例的電子裝置1a的安裝零件的配置之一例的立體圖。比較例的電子裝置2是具備安裝基板10d及半導體封裝20f。比較例的電子裝置2是具有傳送線路TLa及TLb。  　　在電子裝置2中，傳送線路TLa的一端是被連接至連接器部CP。在電子裝置2中，傳送線路TLa的另一端是被連接至安裝零件MC的一端。在電子裝置2中，安裝零件MC的另一端是被連接至傳送線路TLb的一端。在電子裝置2中，傳送線路TLb的另一端是被連接至安裝基板10d的焊墊部PDa。在電子裝置2中，安裝基板10d的焊墊部PDa是經由焊錫球SB來連接至半導體封裝20f的焊墊部PDb。電子裝置2的安裝零件MC是平面視被配置於不與半導體封裝20f重疊的區域。
在比較例的電子裝置2中，連接器部CP是經由傳送線路TLa、安裝零件MC、傳送線路TLb、焊墊部PDa(1,4)、焊錫球SB及焊墊部PDb(2,4)來連接至IC晶片21。亦即，在比較例的電子裝置2中，被輸入至連接器部CP的訊號會經由至少2條的傳送線路TLa及TLb來傳播至半導體封裝20f的IC晶片21。
其結果，在比較例的電子裝置2中，例如，在連接器部CP與傳送線路TLa的連接部分、傳送線路TLa與安裝零件MC的連接部分、安裝零件MC與傳送線路TLb的連接部分、傳送線路TLb(焊墊部PDa)與焊錫球SB的連接部分的各者中，阻抗會形成不連續。並且，在比較例的電子裝置2中為了取得阻抗的匹配，會在安裝基板10d上的電路圖案的佈局產生限制。
1:電子裝置
10:安裝基板(第1基板)
11,12:導電體層
100,110,120:絕緣體層
20:半導體封裝(第2基板)
21:IC晶片
22:基板
23:密封構件
24:導電體層
25,26:通孔
200,210,220:絕緣體層
PW,GND:導電體層
INS:絕緣體層
TL:傳送線路
MC:安裝零件(第1電子零件)
CP:連接器部
PD:焊墊部
AP:絕緣錫墊部
SB:焊錫球(第1導電體)
SP:焊錫部(第2導電體)
[圖1]是表示實施形態的電子裝置的構成之一例的方塊圖。  　　[圖2]是表示實施形態的電子裝置所具備的安裝基板及半導體封裝的連接部分的構造的概要的剖面圖。  　　[圖3]是表示與實施形態的電子裝置所具備的安裝基板的上面相鄰的配線層的平面佈局之一例的平面圖。  　　[圖4]是表示與實施形態的電子裝置所具備的半導體封裝所具有的基板的下面相鄰的配線層的平面佈局之一例的平面圖。  　　[圖5]是表示實施形態的電子裝置的安裝零件的配置之一例的立體圖。  　　[圖6]是表示實施形態的電子裝置的詳細的剖面構造之一例的剖面圖。  　　[圖7]是表示第1變形例的電子裝置的構造之一例的剖面圖。  　　[圖8]是表示第2變形例的電子裝置的構造之一例的剖面圖。  　　[圖9]是表示第3變形例的電子裝置的構造之一例的剖面圖。  　　[圖10]是表示第4變形例的電子裝置的構造之一例的表。  　　[圖11]是表示第5變形例的電子裝置的構成之一例的方塊圖。  　　[圖12]是表示第6變形例的電子裝置的構造之一例的表。  　　[圖13]是表示比較例的電子裝置的安裝零件的配置之一例的立體圖。
1:電子裝置 10:安裝基板 20:半導體封裝 SP:焊錫部 MC:安裝零件 SB:焊錫球 CP:連接器部 TL:傳送線路 PDa(1,4),PDb(1,4),PDb(2,4):焊墊部

Claims (20)

  1. 一種電子裝置，其特徵係具備：第1基板，其係具有：第1連接器部、在上面以一定的間隔配置成格子狀的複數的第1焊墊部、及將含在前述複數的第1焊墊部之第2焊墊部與前述第1連接器部連接的第1傳送線路；第2基板，其係在下面具有和前述複數的第1焊墊部分別對向於第1方向而配置的複數的第3焊墊部；第1導電體，其係被連接至含在前述複數的第3焊墊部的第4焊墊部及前述第2焊墊部的各者；第2導電體，其係被連接至含在前述複數的第3焊墊部的第5焊墊部；及第1電子零件，其係一端及另一端分別接觸於前述第1導電體及前述第2導電體。
  2. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第4焊墊部與前述第5焊墊部係相鄰。
  3. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第1導電體係與被設在前述第1導電體的上方的層之導電體隔離及絕緣。
  4. 如請求項1記載的電子裝置，其中，不具有被連接至前述第1連接器部與前述第2焊墊部之間的電子零件。
  5. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第1導電體為焊錫球，前述第2導電體為焊錫膏。
  6. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第2導電體係被連接至第6焊墊部，該第6焊墊部為含在前述複數的第1焊墊部且和前述第5焊墊部對向於前述第1方向而配置，前述第1導電體及前述第2導電體的各者為焊錫球。
  7. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第1電子零件為耦合電容器。
  8. 如請求項7記載的電子裝置，其中，更具備被連接至前述第2導電體與第6焊墊部之間的第2電子零件，該第6焊墊部為含在前述複數的第1焊墊部且和前述第5焊墊部對向於前述第1方向而配置，前述第2電子零件為二極體。
  9. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第1基板係具有：包含前述複數的第1焊墊部之第1層、及經由絕緣體層來與前述第1層相鄰的第2層，前述第2基板係具有：包含前述複數的第3焊墊部的第3層、及經由絕緣體層來與前述第1層相鄰的第4層，在前述第1基板的前述第2層內和前述第2焊墊部對向於前述第1方向的部分及在前述第2基板的前述第4層內和前述第4焊墊部對向於前述第1方向的部分之至少一方設有絕緣錫墊部。
  10. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有分別包圍前述複數的第3焊墊部之複數的絕緣錫墊部。
  11. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有包圍前述第4焊墊部及前述第5焊墊部的各者之絕緣錫墊部。
  12. 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有包圍前述第4焊墊部、前述第5焊墊部及含在前述複數的第3焊墊部且與前述第4焊墊部或前述第5焊墊部相鄰的第7焊墊部的各者之絕緣錫墊部。
  13. 如請求項1記載的電子裝置，其中，更具備：第3導電體、第4導電體及第3電子零件，前述第1基板係更具有：第2連接器部、及連接第8焊墊部與前述第2連接器部的第2傳送線路，該第8焊墊部為含在前述複數的第1焊墊部且與前述第2焊墊部在第2方向相鄰，前述第3導電體係被連接至含在前述複數的第3焊墊部的第9焊墊部及前述第8焊墊部的各者，前述第4導電體係被連接至含在前述複數的第3焊墊部且與前述第9焊墊部在第3方向相鄰的第10焊墊部，前述第1電子零件的一端及另一端係分別接觸於前述第3導電體及前述第4導電體。
  14. 如請求項13記載的電子裝置，其中，不具有：被連接至前述第1連接器部與前述第2焊墊部之間的電子零件、及被連接至前述第2連接器部與前述第8焊墊部之間的電子零件的各者。
  15. 如請求項13記載的電子裝置，其中，前 述第2基板係更具有分別包圍前述複數的第3焊墊部之複數的絕緣錫墊部。
  16. 如請求項13記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有：包圍前述第4焊墊部及前述第5焊墊部的各者之第1絕緣錫墊部；及包圍前述第9焊墊部及前述第10焊墊部的各者且與前述第1絕緣錫墊部不同的第2絕緣錫墊部。
  17. 如請求項13記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有：包圍前述第4焊墊部、前述第5焊墊部、及含在前述複數的第3焊墊部且與前述第4焊墊部或前述第5焊墊部相鄰的第7焊墊部的各者之第1絕緣錫墊部；及包圍前述第9焊墊部、前述第10焊墊部、及含在前述複數的第3焊墊部且與前述第9焊墊部或前述第10焊墊部相鄰的第11焊墊部的各者之第2絕緣錫墊部。
  18. 如請求項13記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有：包圍前述第4焊墊部及前述第9焊墊部的各者之第1絕緣錫墊部；及包圍前述第5焊墊部及前述第10焊墊部的各者且與前述第1絕緣錫墊部不同的第2絕緣錫墊部。
  19. 如請求項13記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有包圍前述第4焊墊部、前述第5焊墊 部、前述第9焊墊部及前述第10焊墊部的各者之絕緣錫墊部。
  20. 如請求項13記載的電子裝置，其中，前述第2基板係更具有包圍前述第4焊墊部、前述第5焊墊部、含在前述複數的第3焊墊部且與前述第4焊墊部或前述第5焊墊部相鄰的第7焊墊部、前述第9焊墊部、前述第10焊墊部、及含在前述複數的第3焊墊部且與前述第9焊墊部或前述第10焊墊部相鄰的第11焊墊部的各者之絕緣錫墊部。
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