TWI818751B - 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 - Google Patents
轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI818751B TWI818751B TW111136867A TW111136867A TWI818751B TW I818751 B TWI818751 B TW I818751B TW 111136867 A TW111136867 A TW 111136867A TW 111136867 A TW111136867 A TW 111136867A TW I818751 B TWI818751 B TW I818751B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mold
- chamber
- substrate
- unit
- release agent
- Prior art date
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 178
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 327
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 174
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 173
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 123
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 118
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 71
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 71
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 45
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 35
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 227
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 description 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 47
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 4
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005276 aerator Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F16/00—Transfer printing apparatus
- B41F16/0006—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band
- B41F16/004—Presses of the reciprocating type
- B41F16/0046—Presses of the reciprocating type with means for applying print under heat and pressure, e.g. using heat activable adhesive
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/167—Coating processes; Apparatus therefor from the gas phase, by plasma deposition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Architecture (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本發明涉及一種轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法。具體而言,根據本發明的一實施例,可以提供一種轉印裝置,其將粘接於膜的模的圖案轉印至基板,所述轉印裝置包括:脫模部,其能夠在所述模的表面進行脫模性塗布;以及轉印部,其能夠將在所述脫模部進行脫模性塗布後的所述模的圖案轉印至基板。
Description
本發明涉及一種轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法。
以往,在半導體製程中,為了在基板(例如,晶片(Wafer))的表面形成圖案(例如,用於蝕刻或蒸鍍的掩膜板圖案)而利用光蝕刻(Photo Lithography)製程。這種光蝕刻製程是能夠在基板表面塗布諸如光蝕刻膠(Photoresist)的感光物質後照射光來形成期望的圖案的製程。
然而,通過光蝕刻製程將奈米尺度的圖案形成於基板表面的製程存在量產性較低的問題,近來,為了改善這種問題,利用奈米壓印光蝕刻(Nano Imprint Lithography)製程。
奈米壓印光蝕刻製程是一種能夠經濟有效地製作奈米結構物(nano-structure)的技術。具體地,奈米壓印光蝕刻製程是利用轉印裝置(Transfer Apparatus)對形成有奈米尺度(nano-scale)的圖案的模(Mold)和形成有樹脂(Resin)的基板相互加壓來將圖案轉印於基板表面的製程。這種奈米壓印光蝕刻製程中使用的轉印裝置通過將模的圖案壓接於基板之後從基板分離模來執行製程。
但是,就以往的轉印裝置而言,由於模的脫模性較低,同一個模使用複數次後,模的轉印效率下降,因而模以一次性地進行使用,為了改善這樣的模的再使用性,曾利用旋塗將脫模劑塗布於模來進行使用。
然而,當利用旋塗將脫模劑塗布於模來進行使用時,雖然模的再使用性增加,但由於脫模劑不均勻地塗布於模,因而存在塗布物成團或塗布時會留有異物的問題。此外,當將模的圖案形成為50nm以下的微細圖案時,塗布進行得較厚的旋塗會覆蓋微細圖案,因而存在難以將微細圖案轉印於基板的問題。
此外,就以往的轉印裝置而言,轉印模的空間與分離模的空間彼此分離著,為此追加模移動的製程,因而存在製程的效率下降的問題。
因此,需要一種將脫模劑均勻地塗布於模,且塗布時不會留有異物的轉印裝置,且需要一種能夠增加模的再使用性的轉印裝置。
此外,需要一種能夠通過省略模移動的製程來提高製程的效率的轉印裝置。
本發明的一些實施例著眼於如上所述的背景而發明,旨在提供一種能夠通過降低形成有圖案的模的更換週期來提高在基板表面形成圖案的製程的效率的轉印裝置。
此外,旨在提供一種去除模表面的異物來防止對模進行脫模性塗布時夾雜異物而成為不良的轉印裝置。
此外,旨在提供一種能夠省略模移動的製程的轉印裝置。
根據本發明的一方面,可以提供一種轉印裝置,其將粘接於膜的模的圖案轉印至基板,所述轉印裝置包括:脫模部,其能夠在所述模的表面進行脫模性塗布;以及轉印部,其能夠將在所述脫模部進行脫模性塗布後的所述模的圖案轉印至基板,所述脫模部包括:等離子體處理模組,其以在對所述模的表面進行脫模性塗布之前利用等離子體處理所述模的表面的方式工作;以及蒸鍍模組,其在進行所述等離子體處理後的模的表面進行脫模性塗布。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,其將粘接於膜的模的圖轉印移至基板,所述轉印裝置包括:脫模部,其能夠在所述模的表面進行脫模性塗布;以及轉印部,其能夠將在所述脫模部進行脫模性塗布後的所述模的圖案轉印至基板,所述脫模部包括能夠在所述模的表面進行脫模性塗布的蒸鍍模組,在所述膜粘接有複數個模,所述蒸鍍模組中模所在的區域的中心點與所述轉印部中模所在的區域的中心點之間的間距與相鄰地配置於所述膜上的模的中心點之間的間距相同。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述蒸鍍模組通過使脫模劑氣相化,並將氣相化後的所述脫模劑提供至所述模的表面來塗布所述模的表面。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述轉印部構成為,當所述等離子體處理模組執行一次利用所述等離子體處理所述模的表面的過程,且所述蒸鍍模組執行一次對所述模的表面進行脫模性塗布的過程時,執行複數次將所述模的圖案壓接於通過所述蒸鍍模組脫模性塗布後的基板的過程和從所述基板分離所述模的過程。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述轉印部包括:壓接模組,其能夠使所述模和所述基板壓接來將所述模的圖案壓接於基板;以及模分離單元,其在由所述壓接模組將所述模的圖案壓接於所述基板時從所述基板分離所述模。
此外,可以提供一種轉印裝置,其還包括:膜供給部,其能夠向所述脫模部供給粘接有所述模的所述膜;以及膜回收部,其能夠回收並卷取所述膜,在被卷取於所述膜回收部的所述膜粘接有脫模性下降至規定範圍以下的所述模。
此外,可以提供一種轉印裝置,其還包括:位置檢測部,其配置於所述蒸鍍模組與所述轉印部之間,由此檢測先行的模位於所述轉印部且後行的模位於所述蒸鍍模。
此外,可以提供一種轉印裝置,其還包括:膜供給部及膜回收部,其為了使所述膜移動而旋轉,所述轉印部構成為,在所述膜供給部及所述膜回收部中的一個以上未旋轉的狀態下,反復執行規定次數以上的將所述模的圖案壓接於所述基板的過程和從所述基板分離所述模的過程,所述轉印裝置還包括:控制部,其從所述位置檢測部接收所述模的位置資訊來控制所述膜供給部及膜回收部中的一個以上的驅動。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括蒸鍍模組,該蒸鍍模組包括:第一腔室部;第二腔室部,其配置於比所述第一腔室部靠下方,並與所述第一腔室部一同形成用於配置粘接有模的膜的塗布空間;以及流體供給部,其向所述塗布空間供給氣相化的脫模劑,以便能夠塗布所述模的表面,所述膜在所述第一腔室部與所述第二腔室部之間通過,所述流體供給
部包括:罐,其能夠容納液體狀態的所述脫模劑;以及起泡器,其能夠向容納於所述罐的液體狀態的所述脫模劑供給規定壓力以上的氣體來使所述脫模劑氣相化。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述起泡器通過在容納於所述罐的所述脫模劑的表面的下方向所述脫模劑排出所述氣體來使所述脫模劑氣相化。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述蒸鍍模組還包括:噴射裝置,其能夠通過在從液體狀態的所述脫模劑的表面向上側隔開規定距離的位置噴射所述氣體來防止氣相化的所述脫模劑成團。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括蒸鍍模組,該蒸鍍模組包括:第一腔室部;第二腔室部,其配置於比所述第一腔室部靠下方,並與所述第一腔室部一同形成用於配置粘接有模的膜的塗布空間;以及流體供給部,其向所述塗布空間供給脫模劑,以便能夠對所述模的表面進行脫模性塗布,所述膜在所述第一腔室部與所述第二腔室部之間通過,在所述第二腔室部形成有流入口,該流入口的一側與所述流體供給部連通,另一側與所述塗布空間連通,所述流入口配置於比所述模靠下方。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,在所述第二腔室部形成有排出口,該排出口用於向外部排出通過所述流入口流入所述塗布空間的所述脫模劑,從所述流入口流入所述塗布空間的所述脫模劑在通過所述排出口被排出至外部的期間與所述模的表面接觸。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括蒸鍍模組,該蒸鍍模組包括:第一腔室部;第二腔室部,其配置於比所述第一腔室部
靠下方,並與所述第一腔室部一同形成用於配置粘接有模的膜的塗布空間;以及流體供給部,其向所述塗布空間供給脫模劑,以便能夠對所述模的表面進行脫模性塗布,所述膜在所述第一腔室部與所述第二腔室部之間通過,所述第二腔室部包括:腔室底座;腔室凸出部,其從所述腔室底座凸出形成;以及腔室側壁,其從所述腔室底座沿所述腔室底座的邊緣延伸形成,且與所述腔室凸出部隔開規定距離而包圍所述腔室凸出部。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述第二腔室部包括:流入口,其形成於所述腔室側壁,且一側與所述流體供給部連通,另一側與所述塗布空間連通;以及排出口,其形成於腔室凸出部,用於向外部排出通過所述流入口流入所述塗布空間的所述脫模劑,從所述流入口流入所述塗布空間的所述脫模劑在通過所述排出口被排出至外部的期間與所述模的表面接觸。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述流入口形成於所述腔室側壁,且配置於比所述腔室凸出部的上面靠下方。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,在所述腔室底座的邊緣,在與所述流入口對應的位置形成有具有從所述腔室凸出部的上面向下側凹陷的形狀的凹部。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,設有複數個所述流入口,所述複數個流入口中的至少一部分配置為彼此相向,所述排出口以配置於彼此相向的所述流入口之間的方式形成於所述第二腔室部的中心部。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括蒸鍍模組,該蒸鍍模組包括:第一腔室部;第二腔室部,其配置於比所述第一腔室部靠下方,並與所述第一腔室部一同形成用於配置粘接有模的膜的塗布空間;以
及流體供給部,其向所述塗布空間供給脫模劑,以便能夠對所述模的表面進行脫模性塗布,所述膜在所述第一腔室部與所述第二腔室部之間通過,所述塗布空間的內部以膜為基準被劃分為上側空間和下側空間,在所述第一腔室部形成有氣體排出口,該氣體排出口用於向外部排出所述塗布空間的內部中以所述膜為基準殘留於上側空間的氣體,在所述第二腔室部形成有排出口,該排出口用於向外部排出所述塗布空間的內部中以所述膜為基準殘留於下側空間的脫模劑。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述蒸鍍模組還包括:加熱器,其通過加熱所述第一腔室部及所述第二腔室部中的一個以上來將塗布空間的溫度維持在30℃至80℃的範圍內。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括蒸鍍模組,該蒸鍍模組包括:第一腔室部;第二腔室部,其配置於比所述第一腔室部靠下方,並與所述第一腔室部一同形成用於配置粘接有模的膜的塗布空間;以及流體供給部,其向所述塗布空間供給脫模劑,以便能夠對所述模的表面進行脫模性塗布,所述膜在所述第一腔室部與所述第二腔室部之間通過,所述蒸鍍模組還包括蒸鍍密封部,該蒸鍍密封部包圍所述塗布空間,以進行所述第一腔室部與所述第二腔室部之間的密封,所述蒸鍍密封部包括設於所述第一腔室部的第一蒸鍍密封部件及設於所述第二腔室部的第二蒸鍍密封部件,所述第一蒸鍍密封部件及所述第二蒸鍍密封部件中的某一個在不與另一個貼緊時具有平面形狀,所述另一個在不與所述某一個貼緊時具有圓弧形狀。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括蒸鍍模組和等離子體處理模組,所述蒸鍍模組包括:第一腔室部;第二腔室部,其配置
於比所述第一腔室部靠下方,並與所述第一腔室部一同形成用於配置粘接有模的膜的塗布空間;流體供給部,其向所述塗布空間供給脫模劑,以便能夠對所述模的表面進行脫模性塗布,所述等離子體處理模組利用等離子體處理所述模的表面,以對所述模的表面進行改質,所述膜在所述第一腔室部與所述第二腔室部之間通過,所述蒸鍍模組對由所述等離子體處理模組對所述表面進行等離子體處理後的模的表面進行脫模性塗布。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括:壓接模組,其包括能夠朝向在一面粘接有形成有圖案的模的膜移動的第一壓接單元和能夠支撐基板的第二壓接單元;以及模分離單元,其包括第一輥部,該第一輥部在作為所述膜的一面的相反側的所述膜的另一面支撐所述膜,所述第一壓接單元與所述第二壓接單元在所述膜的彼此相反的一側朝向所述膜移動而相互貼緊來將形成於所述模的圖案壓接於所述基板,所述第一輥部向所述第一壓接單元與所述第二壓接單元之間的將所述基板壓接於所述模的空間移動來從所述基板分離被壓接於所述基板的所述模。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述模分離單元還包括第二輥部,其以使所述膜向包圍所述第一輥部的一部分的方向彎曲的方式支撐所述膜。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述第二壓接單元包括基板安放部,其能夠在由所述壓接模組將所述模加壓於所述基板並由所述模分離單元從所述基板分離所述模時支撐所述基板,在所述基板安放部形成有能夠吸附所述基板的吸附口,以防止在將所述模加壓於所述基板並從所述基板分離所述模時所述基板從所述第二壓接單元脫離。
此外,可以提供一種轉印裝置,其還包括:框架,其能夠支撐所述壓接模組及所述模分離單元,所述第一壓接單元與所述第二壓接單元以支撐於所述框架的狀態相對於彼此移動,所述模分離單元以支撐於所述框架的狀態相對於所述模移動。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括:壓接模組,其包括能夠朝向在一面粘接有形成有圖案的模的膜移動的第一壓接單元和能夠支撐基板的第二壓接單元;以及框架,其能夠支撐所述壓接模組,所述第一壓接單元與所述第二壓接單元在所述膜的彼此相反的一側朝向所述膜移動而相互貼緊來將形成於所述模的圖案壓接於所述基板,所述框架包括第一框架部及第二框架部,所述第一壓接單元包括:第一壓接體,其能夠對所述模加壓;以及第一導向部件,其固定支撐於所述第一框架部,且能夠對所述第一壓接體的移動進行導向,所述第二壓接單元包括:第二壓接體,其能夠支撐所述基板;以及第二導向部件,其固定支撐於所述第二框架部,且能夠對所述第二壓接體的移動進行導向,所述第一壓接體和所述第二壓接體分別通過所述第一導向部件和所述第二導向部件進行移動導向來相對於所述框架升降。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述第一壓接單元包括:第一壓接體,其能夠對所述模加壓;第一支撐部,其能夠支撐所述第一壓接體;以及推擠防止部,其一端固定支撐於所述第一框架部,另一端支撐於所述第一支撐部,所述推擠防止部能夠通過在所述第二壓接單元為了對所述基板加壓而上升時對所述第一支撐部加壓來防止因所述第二壓接單元上升而導致所述第一壓接體被推擠至上側。
此外,可以提供一種轉印裝置,其還包括:模分離單元,其移動至所述第一壓接單元與所述第二壓接單元之間的將所述基板壓接於所述模的空間來從所述基板分離被壓接於所述基板的所述模,所述框架還包括第三框架部,所述模分離單元包括:輥部,其能夠從所述基板分離被壓接於所述基板的所述模;以及輥導向部件,其固定支撐於所述第三框架部,且能夠對所述輥部的移動進行導向,所述輥部通過所述輥導向部件進行移動導向來相對於所述框架移動。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述第一框架部、所述第二框架部及所述第三框架部相對於彼此被一體地固定支撐。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括:壓接模組,其包括能夠朝向在一面粘接有形成有圖案的模的膜移動的第一壓接單元和能夠支撐基板的第二壓接單元;以及檢測單元,其包括能夠檢測所述第一壓接單元的第一停止位置、第二停止位置及減速位置的第1感測器部、和所述第二壓接單元的第一停止位置、第二停止位置及減速位置的第2感測器部中的一個以上,所述第一壓接單元與所述第二壓接單元在所述膜的彼此相反的一側朝向所述膜移動而相互貼緊來將形成於所述模的圖案壓接於所述基板,所述減速位置位於所述第一停止位置與所述第二停止位置之間,所述壓接模組被驅動為,當在從所述第一停止位置移動至所述第二停止位置的期間到達所述減速位置時減速。
此外,可以提供一種轉印裝置,其還包括:控制部,其從所述檢測單元接收所述壓接模組的位置資訊來控制所述壓接模組的驅動。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括:模分離單元,其能夠將在作為在一面粘接有形成有圖案的模的膜的兩面中的所述一面的相反側的所述膜的另一面支撐所述膜的第一輥部移動至基板側來從所述基板分離被壓接於所述基板的所述模;以及檢測單元,其能夠檢測所述模分離單元的第一停止位置、第二停止位置及減速位置,所述減速位置位於所述第一停止位置與所述第二停止位置之間,所述模分離單元被驅動為,當在從所述第一停止位置移動至所述第二停止位置的期間到達所述減速位置時減速。
此外,可以提供一種轉印裝置,其還包括:控制部,其從所述檢測單元接收所述模分離單元的位置資訊來控制所述模分離單元的驅動。
此外,可以提供一種轉印裝置,其中,所述檢測單元包括:第一停止位置檢測感測器,其用於檢測所述第一停止位置;減速位置檢測感測器,其用於檢測所述減速位置;以及第二停止位置檢測感測器,其用於檢測所述第二停止位置。
根據本發明的另一方面,可以提供一種轉印裝置,包括:第一壓接單元,其能夠朝向在一面粘接有形成有圖案的模的膜移動;第二壓接單元,其能夠支撐基板;壓接密封部,其包括插入於所述第一壓接單元的第一壓接密封部件、以及插入於所述第二壓接單元且具有與所述第一壓接密封部件不同的形狀的第二壓接密封部件,所述第一壓接單元與所述第二壓接單元在介於所述第一壓接單元與所述第二壓接單元之間的所述膜的彼此相反的一側朝向所述膜移動而相互貼緊來將形成於所述模的圖案壓接於所述基板,所述第一壓接密封部件及所述第二壓接密封部件中的某一個在不與另一個貼緊時具有平面形狀,且所述另一個在不與所述某一貼緊時具有圓弧形狀。
根據本發明的另一方面,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其生產轉印有粘接於膜的模的圖案的基板,所述實施了轉印的基板的生產方法包括:利用等離子體處理所述模的表面的等離子體處理步驟;在進行所述等離子體處理後的模的表面進行脫模性塗布的脫模性塗布步驟;以及將通過所述脫模性塗布步驟進行脫模性塗布後的所述模的圖案轉印於基板的轉印步驟。
根據本發明的另一方面,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其生產轉印有粘接於膜的模的圖案的基板,所述實施了轉印的基板的生產方法包括:在所述模的表面進行脫模性塗布的脫模性塗布步驟;以及將通過所述脫模性塗布步驟進行脫模性塗布後的所述模的圖案轉印於基板的轉印步驟,在所述模隔開規定距離而排列有多個模,在位置檢測部檢測到多個模的各個於用於執行所述脫模性塗布步驟的蒸鍍模組和用於執行所述轉印步驟的轉印部之後執行所述脫模性塗布步驟和所述轉印步驟。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其中,所述轉印步驟包括:使所述模和所述基板相互壓接的壓接步驟;以及從所述基板分離所述模的分離步驟,在為了使所述膜移動而旋轉的膜供給部及膜回收部中的一個以上未旋轉的狀態下執行所述壓接步驟和所述分離步驟。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其還包括:從所述基板分離所述模的分離步驟,當執行一次所述等離子體處理步驟和所述脫模性塗布步驟時,執行複數次所述轉印步驟和所述分離步驟。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其還包括:當執行複數次所述壓接步驟和所述分離步驟使得所述模的脫模性下降至規定範圍以下時,回收粘接有所述模的所述膜的膜回收步驟。
根據本發明的另一方面,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其生產轉印有粘接於膜的模的圖案的基板,所述實施了轉印的基板的生產方法包括:在所述模的表面進行脫模性塗布的脫模塗布步驟,所述脫模塗布步驟包括:使第一腔室部和第二腔室部密閉來形成塗布空間的空間形成步驟;向所述塗布空間供給氣相化的脫模劑的脫模劑供給步驟;以及在向所述塗布空間供給所述氣相化的脫模劑之後,向塗布空間供給氣體的吹掃步驟,在所述脫模劑供給步驟中,通過起泡器向容納於罐的液體狀態的脫模劑供給規定壓力以上的氣體來使所述脫模劑氣相化,並將所述氣相化的脫模劑供給至所述塗布空間,所述第二腔室部配置於比所述第一腔室部靠下方,所述膜在所述第一腔室部與所述第二腔室部之間通過。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其還包括:供給至所述塗布空間的所述氣相化的脫模劑在塗布模的表面之後被排出至外部。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其還包括:對所述模的表面進行等離子體處理,以對所述模的表面進行改質的等離子體處理步驟,在所述脫模塗布步驟之前執行所述等離子體處理步驟。
根據本發明的另一方面,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,包括:使第一壓接單元和第二壓接單元由一面粘接有形成有圖案的模的膜的彼此相反的一側朝向所述膜移動來將所述模壓接於基板的壓接步驟;以及
使模分離單元移動至所述基板側來使在所述壓接步驟中壓接於所述基板的所述模從所述基板分離的分離步驟,其中,所述模分離單元包括第一輥部,該第一輥部在作為所述膜的一面的相反側的所述膜的另一面支撐所述膜,所述分離步驟包括:使所述模分離單元移動至所述第一壓接單元與所述第二壓接單元之間的將所述基板壓接於所述模的空間來從所述基板分離被壓接於所述基板的所述模的模分離單元移動步驟。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其中,所述壓接步驟包括:使所述第一壓接單元及所述第二壓接單元由所述膜的彼此相反的一側朝向所述膜移動的壓接單元靠近步驟;使所述第二壓接單元的波紋管朝向所述第一壓接單元延伸來使所述基板的周圍的空間相對於外部密閉的密閉步驟;以及向外部排出殘留於所述波紋管的內部的密閉的空間的氣體的氣體排出步驟。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,其中,所述分離步驟還包括:在通過所述壓接步驟將所述模的圖案轉印於所述基板後,使所述第一壓接單元上升的壓接單元上升步驟。
此外,可以提供一種實施了轉印的基板的生產方法,在為了使所述膜移動而旋轉的膜供給部及膜回收部中的一個以上未旋轉的狀態下,反復執行規定次數的所述壓接步驟和所述分離步驟。
本發明的一些實施例是著眼於如上所述的背景發明的,通過對模的表面進行脫模性塗布,具有能夠改善模表面的脫模性的效果。
此外,通過改善模表面的脫模性,能夠利用一個模將圖案轉印於複數個基板,從而具有能夠改善模的再使用性的效果。
此外,通過縮短模的更換週期,具有能夠縮短將圖案轉印於基板的時間,且提高製程的效率的效果。
此外,通過省略使模與基板相互壓接的製程與使模與基板相互分離的製程之間的使模移動至能夠從基板分離模的位置的過程,具有能夠提高製程的效率的效果。
1:轉印裝置
10:膜
20:模
30:基板
100:基板收納部
200:旋塗機
210:冷卻板
300:整列單元
400:膜供給部
500:進料輥
600:保護膜回收部
700:脫模部
710:等離子體處理模組
711:等離子體生成部
712:導向輥
720:蒸鍍模組
721:第一腔室部
721a:第一腔室槽
721b:氣體排出口
722:第二腔室部
722a:腔室底座
722b:腔室側壁
722b-1:流入口
722b-2:第二腔室槽
722c:腔室凸出部
722c-1:排出口
722c-2:凹部
723:流體供給部
723a:流體容納體
723b:罐
723c:起泡器
723d:第一供給流路
723e:第二供給流路
723f:噴射裝置
724:氣體排出部
724a:排出流路
724b:排出泵
725:蒸鍍密封部
725a:第一蒸鍍密封部件
725b:第二蒸鍍密封部件
726:腔室驅動器
727:加熱器
728:壓力調節部
728a:壓力調節流路
800:轉印部
810:框架
811:第一框架部
812:第二框架部
813:第三框架部
820:壓接模組
821:第一壓接單元
821a:第一壓接體
821a-1:第一密封槽
821b:第一支撐部
821c:照射部
821d:推擠防止部
821d-1:支撐部件
821d-2:旋轉部件
821e:第一導向部件
821f:固定件
822:第二壓接單元
822a:第二壓接體
822a-1:基板安放部
822a-2:波紋管安放部
822a-3:吸附口
822a-4:排氣口
822b:波紋管
822b-1:第二密封槽
822c:升降缸
822d:第二支撐部
822e:第二導向部件
823:排氣部
823a:排氣通道
823b:排氣泵
824:吸附部
824a:吸附通道
824b:吸附泵
825:驅動部
825a:第一驅動器
825b:第二驅動器
826:壓接密封部
826a:第一壓接密封部件
826b:第二壓接密封部件
830:模分離單元
831:第一輥部
832:第二輥部
833:輥支撐部
834:輥導向部件
835:輥驅動器
840:檢測單元
841:第1感測器部
841a:第1-1感測器
841b:第1-2感測器
841c:第1-3感測器
842:第2感測器部
842a:第2-1感測器
842b:第2-2感測器
842c:第2-3感測器
843:第3感測器部
843a:第3-1感測器
843b:第3-2感測器
843c:第3-3感測器
900:膜回收部
T:移送單元
S10:實施了轉印的基板的生產方法
S100~600:步驟
圖1是本發明的一實施例的轉印裝置的概念圖。
圖2是圖1的轉印裝置的平面圖。
圖3是圖1的脫模部的分解立體圖。
圖4是沿圖3的A-A'剖切的剖視圖。
圖5是在圖1的第二腔室部上升時沿A-A'剖切的剖視圖。
圖6是圖1的轉印部的立體圖。
圖7是圖6的分解立體圖。
圖8是沿圖6的B-B'剖切的剖視圖。
圖9a是在圖6的壓接模組為了對模和基板加壓而移動時沿B-B'剖切的剖視圖。
圖9b的(a)是當圖9a的波紋管縮小時放大C部分的放大圖,圖9b的(b)是當9a的波紋管伸長時放大C部分的放大圖。
圖10是在圖6的第一壓接單元上升時沿B-B'剖切的剖視圖。
圖11時在圖6的模分離單元從基板分離模時沿B-B'進行剖切的剖視圖。
圖12是在圖6的模分離單元從基板分離模之後移動時沿B-B'進行剖切的剖視圖。
圖13是圖7的下部框架和第二壓接單元的立體圖。
圖14的(a)是圖6的模分離單元的仰視圖,圖14的(b)是在圖6的模分離單元朝向模移動時的模分離單元的仰視圖。
圖15是示意性地示出利用本發明的一實施例的轉印裝置轉印圖案後的基板的生產方法的順序圖。
下面參照附圖對用於實現本發明的思想的具體實施例進行詳細說明。
同時,在說明本發明時,當判斷為對相關的習知配置或功能的具體說明可能使本發明的要旨不清楚時,省略其詳細的說明。
此外,當提及某一構成要素“連接於”、“支撐於”、“流入”、“供給至”、“流動至”、“結合於”另一構成要素時,應理解為可能直接連接於、支撐於、流入、供給至、流動至、結合於該另一構成要素,但中間也可能存在別的構成要素。
本說明書中使用的術語僅為說明特定的實施例而使用,而並非以限定本發明的意圖使用的。除非上下文中明確不同地定義,單數的表述包括複數的表述。
此外,如第一、第二等包括序數的術語可以用於說明多樣的構成要素,但這些構成要素不應為這樣的術語所限定。這些術語僅用作區分一構成要素與另一構成要素的目的。
說明書中使用的“包括”的含義使特定特性、區域、定數、步驟、動作、要素和/或成分具體化,並非排除別的特定特性、區域、定數、步驟,動作、要素,成分和/或組的存在或附加。
此外,需要預先說明的是,本說明書中的上部、下部、上側、下側等表述是以圖中所示為基準說明的,當該物件的方向發生變化時,可能會不同地進行表述。另一方面,本說明書中的上下方向可以是圖1、3、7的上下方向。此外,左右方向可以是圖1、3及7的左右方向。
下面參照附圖對本發明的一實施例的轉印裝置1的具體配置進行說明。
如下,參照圖1,本發明的一實施例的轉印裝置1可以對粘接於膜10的模20和基板30加壓來將形成於模20的圖案轉印於基板30。這樣的轉印裝置1可以使膜10向一方向移動來使模20移動。此外,轉印裝置1可以通過對模20的表面進行脫模性塗布,反復使用一個模20在複數個基板30形成圖案。這樣的轉印裝置1可以包括基板收納部100、旋塗機200、整列單元300、膜供給部400、進料輥500、保護膜回收部600、脫模部700、轉印部800、膜回收部900。
膜10可以通過轉印裝置1以依次經由膜供給部400、脫模部700、轉印部800及膜回收部900的方式移動。這裡,膜供給部400可以是上游側,膜回收部900可以是下游側。
參照圖2,基板收納部100可以提供收納在轉印部800轉印圖案之前的基板30的空間。這樣的基板收納部100可以層疊式地收納複數個基板30。此外,收納於基板收納部100的基板30可以由金屬、矽、藍寶石、玻璃等製作。這樣的基板30可以由移送單元T從基板收納部100抽出並移送至旋塗機200。例如,移送單元T可以是機械臂。此外,基板收納部100可以提供收納在轉印部800轉印圖案之後的基板30的空間。這樣的轉印有圖案的基板30可以由移送單元T從轉印部800移送並收納於基板收納部100。此外,在基板收納部100,收納轉印圖案之前的基板30的空間與收納轉印圖案之後的基板30的空間可以分離。
旋塗機200可以通過旋塗(Spin Coating)方式將樹脂以規定厚度均勻地塗布於從基板收納部100移送的基板30的表面。這裡,對旋塗方式進行簡要的說明,在旋塗方式中,將基板30置於進行旋轉運動的支撐體上,並將液狀的流動性樹脂滴於基板30的表面。此時,可以通過利用支撐體的高速旋轉產生的離心力使流動性樹脂以規定的厚度均勻地蔓延於基板30的表面來用樹脂塗布基板30的表面。這樣的塗布於基板30的表面的樹脂可以包括具有通過UV(Ultra Violet,紫外光)發生反應而硬化的性質的習知的所有光硬化性樹脂。例如,樹脂可以包括丙烯酸系硬化樹脂。這樣的基板30可以在被移送至旋塗機200之前被移送至冷卻板210,以使表面被樹脂均勻地塗布。此外,基板30在冷卻板210被調節至規定範圍的溫度之後,可以再被移送至旋塗機200。例如,冷卻板210可以將基板30的溫度調節至30℃以下。在旋塗機200塗布樹脂後的基板30可以被移送單元T移送至整列單元300。
另一方面,以下,即使不另行說明,基板30可以被定義為通過旋塗機200塗布樹脂後的基板30,將模20的圖案轉印於基板30可以意指將模20的圖案轉印於形成在基板30的樹脂。
整列單元300可以在由旋塗機200塗布的基板30被移送至轉印部800之前朝已設定的方向對基板30進行整列。這樣的整列單元300可以通過使基板30向水平方向旋轉,以使形成在基板30的孔(厚度方向貫通孔或側面凹槽,未圖示)朝向已設定的方向的方式對基板30進行整列。此外,可以朝與待後述的模20的圖案對應的方向對基板30進行整列。例如,整列單元300可以通過光感測器對基板30進行整列。作為更詳細的示例,整列單元300可以包括能夠照射鐳射等的發光部件(未圖示)和能夠識別鐳射等的收光部件(未圖示)。這樣的發光部件可以向基板30側照射鐳射,收光部件可以識別通過了形成在基板30的一側的孔的鐳射。從而,可以將基板30置於進行旋轉運動的支撐體上,並在基板30通過支撐體旋轉的過程中基板30的孔朝向已設定的方向時,由收光部件通過孔識別由發光部件照射的鐳射,且基板30的旋轉可以停止。如此,當在整列單元300以基板30朝向已設定的方向的方式進行整列時,可以通過移送單元T移送至轉印部800。
膜供給部400可以支撐卷取的膜10。此外,通過膜供給部400旋轉,可以向脫模部700連續地供給所卷取的膜10。此外,在卷取於膜供給部400的膜10,可以粘接有形成有圖案的模20。在膜10,可以沿膜10延伸的方向隔開規定距離而排列有複數個模20。如此,在卷取於膜供給部400的膜10,可以在膜10的兩面粘接保護膜,以防止粘接有模20的面和其相反面粘接。這樣的膜供給部400可以以通過驅動器旋轉的方式進行驅動。此外,膜供給部400可以向一方
向旋轉來使膜10從膜供給部400移動至膜回收部900。另一方面,由膜供給部400供給的膜10例如可以是樹脂膜。
膜回收部900可以向一方向旋轉來回收並卷取從膜供給部400供給的膜10。粘接於這樣的被卷取於膜回收部900的膜10的模20可能是脫模性下降至規定範圍以下的模20。換言之,為了將圖案轉印於基板30而使用複數次的模20的脫模性可能下降至規定範圍以下,由於脫模性下降的模20無法將圖案轉印於基板30,因而可以被回收至膜回收部900。這樣的膜回收部900可以以通過驅動器旋轉的方式進行驅動。此外,膜回收部900可以向一方向旋轉來將膜10從膜供給部400移動至膜回收部900。例如,膜回收部900可以與膜供給部400同時旋轉來移送膜10。但是,這只是一示例,膜回收部900可以以與膜供給部400獨立地旋轉的方式進行驅動。此外,由於膜回收部900的旋轉力大於膜供給部400的旋轉力,因而膜回收部900的旋轉可以使膜供給部400旋轉。從而,也可以通過膜供給部400及膜回收部900中的某一個向一方向旋轉來使膜10移動。這樣的膜10可以以在移動的過程中依次經由脫模部700、轉印部800的方式由上游側移動至下游側。
進料輥500可以對膜10的移動進行導向,且可以支撐膜10。可以設有複數個這樣的進料輥500,複數個進料輥500可以配置於膜10的移動路徑。例如,進料輥500可以配置於膜供給部400、保護膜回收部600、脫模部700、轉印部800、膜回收部900中的至少一部分之間。此外,複數個進料輥500可以是通過膜10的移動等旋轉的被動輥。
保護膜回收部600可以回收粘接於膜10的保護膜。可以設有複數個這樣的保護膜回收部600,以分別回收粘接在膜10的兩面的保護膜。此外,保護膜回收部600可以在模20被移送至脫模部700之前從膜10回收保護膜。
參照圖3,脫模部700可以對模20的表面進行脫模性塗布,以改善模20的表面的脫模性。這樣的脫模部700可以向模20的表面供給脫模劑,以對模20的表面進行脫模性塗布。這樣的脫模劑可以包括氟系脫模劑及矽系脫模劑中的一個以上。此外,脫模部700可以在對模20的表面進行脫模性塗布之前通過等離子體(Plasma)對模20的表面進行等離子體處理。這樣的脫模部700可以包括等離子體處理模組710及蒸鍍模組720。
等離子體處理模組710可以在對模20的表面進行脫模性塗布之前對模20的表面進行等離子體處理來對模20的表面進行改質,以提高模20的表面與脫模劑之間的粘接力。此外,等離子體處理模組710可以在塗布脫模劑之前對模20的表面進行等離子體處理來清洗模20的表面,以防止在模20的表面在留有異物的狀態下對模20進行脫模性塗布。例如,等離子體處理模組710是常壓等離子體生成裝置,其可以以氬氣(Ar),氮氣(N2)及氧氣(O2)中的一個以上為媒介生成等離子體。此外,等離子體處理模組710可以包括等離子體生成部711及導向輥712,所述等離子體生成部711在模20的表面生成等離子體,以順暢地進行等離子體處理,所述導向輥712在膜10的上部對膜10的位置進行導向,以維持模20的表面維持與等離子體生成部711的間距為一定間距以下。在這樣的等離子體處理模組710對表面進行等離子體處理的模20可以被移送至蒸鍍模組720。
如此,等離子體處理模組710具有對模20的表面進行改質來提高模20的表面與脫模劑之間的粘接力的效果。此外,具有通過清洗模20的表面來
防止因在模20的表面落有異物的狀態下進行脫模性塗布而發生不良的現象的效果。
蒸鍍模組720可以利用脫模劑塗布模20的表面。換言之,蒸鍍模組720可以利用脫模劑塗布通過等離子體處理模組710對表面進行等離子體處理後的模20的表面。此外,蒸鍍模組720可以比等離子體處理模組710配置於下游。這樣的蒸鍍模組720可以利用脫模劑塗布模20的表面來改善模20的表面的脫模性。加之,蒸鍍模組720可以以由一個模20轉印複數個基板30的方式改善模20的表面的脫模性,由此能夠改善模20的再使用性。此外,蒸鍍模組720能夠對脫模劑進行氣相化。此外,蒸鍍模組720能夠將氣相化的脫模劑供給至模20的表面來將脫模劑均勻地塗布於模20的表面。這樣的蒸鍍模組720可以包括第一腔室部721、第二腔室部722、流體供給部723、氣體排出部724、蒸鍍密封部725、腔室驅動器726、加熱器727、以及壓力調節部728。
參照圖4和圖5,第一腔室部721及第二腔室部722可以提供在模20的表面利用脫模劑進行塗布的塗布空間T1。這樣的塗布空間T1可以被定義為當第一腔室部721與第二腔室部722貼緊時形成於第一腔室部721與第二腔室部722的內部的空間。此外,塗布空間T1可以是第二腔室部722通過腔室驅動器726朝向第一腔室部721上升,使得第一腔室部721與第二腔室部722彼此間貼緊來形成的。這裡,第二腔室部722和第一腔室部721貼緊的含義指,雖然膜10介於第一腔室部721與第二腔室部722之間,但塗布空間T1與外部呈密閉狀態。另一方面,塗布空間T1可以提供配置模20的空間及在模20的表面供給脫模劑的空間。
可以在第一腔室部721形成能夠插入待後述的第一蒸鍍密封部件725a的第一腔室槽721a。這樣的第一腔室槽721a可以在第一腔室部721第二腔室部722貼緊時與後述的第二腔室槽722b-2的位置對應地形成於第一腔室部721。
此外,可以在第一腔室部721形成用於殘留在塗布空間T1的內部上側的氣體流動的氣體排出口721b。這樣的氣體排出口721b的一側可以與塗布空間T1連通,另一側可以與壓力調節流路728a連通。例如,氣體排出口721b可以形成於第一腔室部721的中心部,且可以在氣體排出口721b的下側配置模20。
第二腔室部722可以隔著膜10和模20與第一腔室部721貼緊來形成塗布空間T1。這樣的第二腔室部722可以通過腔室驅動器726朝向第一腔室部721上升。第二腔室部722可以包括腔室底座722a、腔室側壁722b及腔室凸出部722c。
腔室底座722a可以支撐腔室側壁722b及腔室凸出部722c,且可以被腔室驅動器726支撐。
腔室側壁722b可以從腔室底座722a向上側凸出形成,且可以沿腔室底座722a的邊緣延伸形成。此外,可以在腔室側壁722b形成能夠插入待後述的第二蒸鍍密封部件725b的第二腔室槽722b-2。這樣的第二腔室槽722b-2可以在第一腔室部721與第二腔室部722貼緊時與第一腔室槽721a的位置對應地形成於第二腔室部722。這樣的腔室側壁722b可以形成為與腔室凸出部722c隔開規定距離而包圍腔室凸出部722c。此外,可以在腔室側壁722b形成用於脫模劑流動的流入口722b-1。
流入口722b-1可以提供用於從流體供給部723流入的脫模劑向塗布空間T流動的通道。這樣的流入口722b-1的一側可以與流體供給部723的待後
述的第二供給流路723e連通,另一側可以與塗布空間T1連通。此外,可以形成有複數個流入口722b-1,複數個流入口722b-1可以配置為沿腔室側壁722b的周向隔開。例如,可以設有4個流入口722b-1。如此,流入口722b-1形成於彼此不同的位置的腔室側壁722b,使得通過流入口722b-1流入的脫模劑在彼此不同的方向朝向模20流動。另一方面,通過流入口722b-1流入塗布空間T1的脫模劑可以在塗布空間T1內流動而與模20的表面接觸來塗布模20的表面。
另一方面,流入口722b-1可以位於模20的下側,以防止與從塗布空間T1連通的一側噴射而朝向模20流動的脫模劑被直接噴射至模20。這裡,模20的下側指比以經過模20的表面中不粘接於膜10的表面的方式延伸的虛擬的平面更下側的位置。如此,流入口722b-1配置於模20的下側,使得從流入口722b-1朝向模20流動的脫模劑能夠在塗布空間T1均勻地分散,且能夠均勻地塗布模20的表面。
可以在腔室側壁722b形成能夠插入待後述的第二蒸鍍密封部件725b的第二腔室槽722b-2。這樣的第二腔室槽722b-2可以在第一腔室部721與第二腔室部722貼緊時與第一腔室槽721a的位置對應地形成於第二腔室部722。
腔室凸出部722c可以從腔室底座722a凸出形成。這樣的腔室凸出部722c可以被腔室側壁722b包圍,且可以以與腔室側壁722b隔開規定距離的方式形成於腔室底座722a。此外,可以在腔室凸出部722c形成排出口722c-1。
排出口722c-1可以提供用於向外部排出通過流入口722b-1流入塗布空間T1的脫模劑的通道。這樣的通過流入口722b-1流入塗布空間T1的脫模劑可以在塗布模20的表面之後朝向排出口722c-1被排出至外部。此外,排出口722c-1的一側可以與塗布空間T1連通,排出口722c-1的另一側可以與氣體排出部
724連通。排出口722c-1可以通過塗布空間T1與流入口722b-1連通。另一方面,排出口722c-1可以形成於腔室凸出部722c的中心部,且可以在排出口722c-1的上側配置模20。如此,排出口722c-1形成於腔室凸出部722c的中心部,且在其上側配置模20,使得通過複數個流入口722b-1流入的脫模劑能夠在彼此不同的方向塗布模20的表面之後被排出至外部。
另一方面,腔室凸出部722c可以以腔室凸出部722c的上面比流入口722b-1配置於上側的方式形成於腔室底座722a。換言之,腔室凸出部722c可以以從腔室底座722a至腔室凸出部722c的上面的距離比從腔室底座722a至流入口722b-1的距離長的方式形成於腔室底座722a。如此,流入口722b-1比腔室凸出部722c的上面形成於下側,從而能夠通過腔室凸出部722c改變通過流入口722b-1流入塗布空間T1的脫模劑的流動方向,且脫模劑能夠在塗布空間T1內均勻地分散。此外,排出口722c-1可以改變通過複數個流入口722b-1流入的脫模劑的流動方向,以使脫模劑在塗布空間T1內分散。從而,模20的表面可以被脫模劑均勻地塗布。
如此,第一腔室部721及第二腔室部722具有能夠利用脫模劑均勻地塗布模20的表面的效果。
再次參照圖3,可以在腔室凸出部722c形成能夠分散通過流入口722b-1流入塗布空間T1的脫模劑的凹部722c-2。這樣的凹部722c-2可以形成為具有從腔室凸出部722c的上面向下側凹陷的形狀,且可以形成於腔室凸出部722c的邊緣。如此,凹部722c-2引入形成於腔室凸出部722c的邊緣,從而可以在腔室凸出部722c的邊緣形成凹部722c-2產生的凸台。此外,凹部722c-2可以形成於與流入口722b-1相鄰的位置的腔室凸出部722c。
另一方面,可以形成複數個凹部722c-2,且複數個凹部722c-2可以與複數個流入口722b-1對應地形成。例如,可以形成有4個凹部722c-2,4個凹部722c-2可以形成於於4個流入口722b-1相鄰的位置。如此,凹部722c-2形成於與流入口722b-1相鄰的位置,從而能夠通過凹部722c-2改變通過流入口722b-1流入塗布空間T1的脫模劑的流動方向,且可以發生渦流現象。從而,通過凹部722c-2產生的渦流現象,脫模劑能夠在塗布空間T1內分散,而不會成團,且能夠均勻地接觸並塗布模20的表面。
如此,凹部722c-2具有通過渦流現象來防止脫模性塗層在模20上成團而發生不良的效果。
再次參照圖5,流體供給部723可以向塗布空間T1供給脫模劑來對配置於塗布空間T1的模20的表面進行脫模性塗布。此外,流體供給部723可以使脫模劑氣相化並通過流入口722b-1向塗布空間T1供給氣相化的脫模劑。這樣的流體供給部723可以包括流體容納體723a、罐723b、起泡器723c、第一供給流路723d、第二供給流路723e以及噴射裝置723f。
流體容納體723a可以提供容納非活性氣體的空間。容納於這樣的流體容納體723a的內部的非活性氣體可以是高壓的氣體狀態。此外,非活性氣體可以是氮氣(N2)。此外,流體容納體723a可以通過第一供給流路723d向起泡器723c及噴射裝置723f中的一個以上供給非活性氣體。
罐723b可以提供容納脫模劑的空間。這樣的容納於罐723b的內部的脫模劑可以是液體狀態。此外,罐723b可以通過起泡器723c接受非活性氣體,接受非活性氣體的脫模劑可以被氣相化並供給至塗布空間T1。從而,氣相化的
脫模劑可以在塗布空間T1內分散,而不會成團,從而能夠均勻地接觸並塗布模20的表面。
起泡器723c可以向容納於罐723b的液體狀態的脫模劑供給規定壓力以上的非活性氣體,以使脫模劑氣相化。這樣的起泡器723c可以在容納於罐723b的脫模劑的表面下方排出非活性氣體。例如,起泡器723c可以是流路管或形成有複數個噴射孔的噴射口。但是,本發明並不因此而受限。
第一供給流路723d可以提供用於從流體容納體723a流入的非活性氣體向起泡器723c及噴射裝置723f中的一個以上流動的通道。這樣的第一供給流路723d的一側可以與流體容納體723a連通,另一側可以與起泡器723c及噴射裝置723f中的一個以上連通。
第二供給流路723e可以提供用於從罐723b流入的氣相化的脫模劑向第二腔室部722的流入口722b-1流動的通道。這樣的第二供給流路723e的一側可以與罐723b的內部連通,另一側可以通過流入口722b-1與塗布空間T1連通。
噴射裝置723f可以防止在罐723b的內部氣相化的脫模劑再次成團。這樣的噴射裝置723f可以配置於從容納於罐723b的液體狀態的脫模劑的表面向上側隔開規定距離的位置來供給非活性氣體。從而,噴射裝置723f可以在從脫模劑的表面隔開規定距離的位置噴射非活性氣體來防止氣相化的脫模劑再次成團。
如此,流體供給部723具有能夠使脫模劑氣相化來無成團現象地均勻地塗布模20的表面的效果。此外,具有能夠防止氣相化的脫模劑再次成團的效果。
氣體排出部724可以向外部排出塗布空間T1的內部中以膜10為基準殘留於第二腔室部722側(例如,圖5的下側)的氣體及脫模劑。這樣的氣體排出部724可以包括排出流路724a及排出泵724b。
排出流路724a可以提供用於塗布空間T1的內部下側的氣體及脫模劑向外部流動的通道。這樣的排出流路724a的一側可以通過第二腔室部722的排出口722c-1與塗布空間T1連通,另一側可以通過排出泵724b與外部連通。
壓力調節部728可以向外部排出塗布空間T1的內部中以膜10為基準殘留於上側的氣體。這樣的壓力調節部728可以包括壓力調節流路728a。
壓力調節流路728a可以提供用於殘留在塗布空間T1的內部上側的氣體向外部流動的通道。這樣的壓力調節流路728a的一側可以與第一腔室部721的氣體排出口721b與塗布空間T1連通,另一側可以通過排出泵724b與外部連通。
另一方面,在本實施例的附圖中,雖然圖示為壓力調節流路728a與氣體排出部724的排出泵724b連通,但本發明的思想並不限於此,壓力調節部728也可以進一步包括不同於氣體排出部724的排出泵724b的另外的泵,且可以通過這樣的另外的泵向外部排出壓力調節流路728a的氣體。
當氣體排出部724排出塗布空間T1的內部下側的氣體時,塗布空間T1的內部上側與下側的壓力差會使膜10晃動而阻礙模20的塗布,因而能夠防止因壓力調節部728排出塗布空間T1的內部上側的氣體而發生塗布空間T1的內部上側與下側的壓力差。
如此,壓力調節部728具有能夠防止塗布空間T1的內部上側與下側的壓力差來防止模20的塗布被阻礙的效果。
當第一腔室部721與第二腔室部722實質上貼緊時,蒸鍍密封部725可以使第一腔室部721與第二腔室部722之間密閉。這樣的蒸鍍密封部725可以通過使第一腔室部721與第二腔室部722之間密閉來阻隔塗布空間T1與外部。此外,蒸鍍密封部725可以形成為包圍塗布空間T1,以進行第一腔室部721與第二腔室部722之間的密封。這樣的蒸鍍密封部725可以包括第一蒸鍍密封部件725a及第二蒸鍍密封部件725b。
第一蒸鍍密封部件725a可以插入配置與形成在第一腔室部721的第一腔室槽721a。此外,第二蒸鍍密封部件725b可以插入配置於形成在第二腔室部722的第二腔室槽722b-2。這樣的第一蒸鍍密封部件725a與第二蒸鍍密封部件725b可以配置為彼此相向。換言之,當第一腔室部721與第二腔室部722貼緊時,第一蒸鍍密封部件725a和第二蒸鍍密封部件725b可以彼此加壓,且可以對第一腔室部721與第二腔室部722之間的間隙進行密封。
另一方面,參照圖5的放大圖,當第一蒸鍍密封部件725a與第二蒸鍍密封部件725b相互貼緊時,膜10可以介於第一蒸鍍密封部件725a與第二蒸鍍密封部件725b之間。此外,第一蒸鍍密封部件725a可以在膜10的上部對膜10,第二蒸鍍密封部件725b可以在膜10的下部對膜10加壓。此時,第一蒸鍍密封部件725a及第二蒸鍍密封部件725b可以配置為具有既通過第一蒸鍍密封部件725a和第二蒸鍍密封部件725b的加壓防止膜10起皺又能夠有效地密封第一腔室部721與第二腔室部722之間的間隙的形狀。
例如,當第一蒸鍍密封部件725a及第二蒸鍍密封部件725b形成為相同的O型環(O-ring)形狀時,第一蒸鍍密封部件725a與第二蒸鍍密封部件725b貼緊時可能會導致膜10起皺。作為另一示例,當第一蒸鍍密封部件725a和第二
蒸鍍密封部件725b形成為相互接觸的面為平面形狀時,能夠防止膜10起皺。然而,由於第一蒸鍍密封部件725a與第二蒸鍍密封部件725b之間的加壓力較弱,因而無法正常地對第一腔室部721與第二腔室部722之間進行密封。因此,第一蒸鍍密封部件725a及第二蒸鍍密封部件725b有必要形成為彼此不同的形狀,以便既防止膜10起皺又能使塗布空間T1密閉。例如,第一蒸鍍密封部件725a及第二蒸鍍密封部件725b中的某一個可以在不與另一個貼緊時具有平面形狀,另一個可以在不與所述某一個貼緊時具有O型環等圓弧形狀。
腔室驅動器726可以使第二腔室部722相對於第一腔室部721升降。這樣的腔室驅動器726可以與第二腔室部722連接。
如此,蒸鍍密封部725具有防止膜10起皺的效果。
加熱器727可以使塗布空間T1的溫度維持在規定範圍,以提高模20的表面與脫模劑之間的粘接力。這樣的加熱器727可以加熱第一腔室部721及第二腔室部722中的一個以上來提升塗布空間T1的溫度。例如,當塗布空間T1的溫度為30℃以下時,可能無法在模20的表面進行充分的脫模性塗布,當塗布空間T1的溫度為80℃以上時,膜10可能會受損。因此,加熱器727可以使將塗布空間T1的溫度維持在30℃至80℃的範圍內。
如此,加熱器727具有將塗布空間T1的溫度維持在規定範圍來提高模20的表面與脫模劑之間的粘接力的效果。
如此,本發明的一實施例的蒸鍍模組720具有通過對模20的表面進行脫模性塗布來改善模20的表面脫模性的效果。此外,通過改善模20的表面的脫模性,能夠利用一個模20轉印複數個基板30,從而具有能夠提高模20的再
使用性的效果。此外,具有通過降低模20的更換週期,能夠縮短將圖案轉印於基板30的時間,且能夠提高製程的效率的效果。
參照圖6,轉印部800可以將模20的圖案轉印於基板30。例如,轉印部800可以在膜供給部400及膜回收部900中的一個以上未旋轉以使膜10的移動停止的狀態下執行將模20的圖案壓接於基板30的過程和從基板30分離模20的過程來將圖案轉印於基板30。此外,在脫模部700對模20的表面進行脫模性塗布後,轉印部800可以將進行脫模性塗布的一個模20加壓於複數個基板30來將圖案轉印於複數個基板30。例如,轉印部800可以在膜供給部400及膜回收部900中的一個以上未旋轉以使膜10的移動停止的狀態下反復執行規定次數的將模20的圖案壓接於基板30的過程和從基板30分離模20的過程來將圖案轉印於複數個基板30。作為更詳細的示例,當執行一次等離子體處理模組710利用等離子體處理模20的表面的過程,並執行一次蒸鍍模組720對模20的表面進行脫模性塗布的過程時,轉印部800可以執行複數次將模20的圖案壓接於通過蒸鍍模組720進行脫模性塗布後的基板30的過程和從基板30分離模20的過程。此外,可以省略將模20的圖案壓接於基板30的過程與從基板30分離模20的過程之間的轉印部800移動至用於使相互壓接的基板30與模20的位置的過程。這樣的轉印部800可以包括框架810、壓接模組820、模分離單元830及檢測單元840。
參照圖6和圖7,框架810可以支撐壓接模組820、模分離單元830以及檢測單元840。這樣的框架810可以形成為圍繞壓接模組820及模分離單元830的至少一部分。從而,壓接模組820及模分離單元830可以以支撐於框架810的狀態在框架810的內側移動。換言之,壓接模組820及模分離單元830可以相對於框架810移動。例如,第一壓接單元821及第二壓接單元822可以以支撐於框架
810的狀態相對於彼此移動,模分離單元830可以以支撐於框架810的狀態相對於模20移動。從而,代替由壓接模組820向模分離單元830移動模20地,模分離單元830相對於模20移動,由此可以省略使模20與基板30相互壓接的製程與使模20與基板30相互分離的製程之間的壓接於基板30及基板30的模20移動至從基板30分離模20的位置的製程。此外,框架810可以包括支撐第一壓接單元821的第一框架部811、支撐第二壓接單元822的第二框架部812、以及支撐模分離單元830的第三框架部813。這樣的第一框架部811、第二框架部812及第三框架部813可以相對於彼此一體地固定支撐。此外,第二框架部812可以支撐第一框架部811及第三框架部813的荷重。
壓接模組820可以將模20的圖案壓接於基板30。這樣的壓接模組820可以將通過脫模部700對表面進行等離子體處理並對表面進行脫模性塗布的模20的圖案壓接於基板30。此外,壓接模組820可以對模20與基板30相對於彼此加壓來將模20的圖案壓接於基板30。這樣的壓接模組820可以包括第一壓接單元821、第二壓接單元822、排氣部823、吸附部824、驅動部825以及壓接密封部826。
參照圖8,第一壓接單元821和第二壓接單元822可以相對於彼此移動而相互貼緊來將形成在模20的圖案壓接於基板30。換言之,第一壓接單元821和第二壓接單元822可以在介於所述第一壓接單元821與所述第二壓接單元822之間的膜10的相反的一側朝向膜10移動而相互貼緊。此外,第一壓接單元821及第二壓接單元822中的一個以上可以向相互貼緊的方向對模20或基板30加壓。如此,第一壓接單元821及第二壓接單元822中的一個以上對模20與基板30相互加壓,從而能夠將形成在模20的圖案壓接於基板30。例如,第一壓接單元821支撐模20,第二壓接單元822朝向模20對基板30加壓,由此能夠將模20的圖
案壓接於基板30。作為另一示例,第二壓接單元822可以支撐基板30,第一壓接單元821朝向基板30對模20加壓,由此能夠將模20的圖案壓接於基板30。
這樣的第一壓接單元821及第二壓接單元822可以通過驅動部825相對於彼此升降,第一壓接單元821及第二壓接單元822升降的速度可以個別地進行控制。此外,第一壓接單元821及第二壓接單元822可以相對於框架810移動。換言之,第一壓接單元821及第二壓接單元822可以以支撐於框架810的狀態在框架810的內側升降。
另一方面,第一壓接單元821可以包括第一壓接體821a、第一支撐部821b、照射部821c、推擠防止部821d、第一導向部件821e以及固定件821f。
第一壓接體821a可以與第二壓接單元822的待後述的波紋管822b貼緊,且可以對粘接有模20的膜10加壓來將模20的圖案壓接於基板30。這樣的第一壓接體821a可以支撐於第一支撐部821b,且可以通過使第一支撐部821b升降的第一驅動器825a與第一支撐部821b一同升降。此外,第一壓接體821a可以支撐於第一支撐部821b,但第一壓接體821a也可以固定設置於第一支撐部821b。此外,第一壓接體821a可以通過第一驅動器825a朝向膜10下降,並在膜10的上側對膜10加壓來將模20加壓於基板30。
另一方面,可以在第一壓接體821a形成能夠插入待後述的第一壓接密封部件826a的第一密封槽821a-1。這樣的第一密封槽821a-1可以在第一壓接單元821與第二壓接單元822貼緊時與待後述的第二壓接單元822的第二密封槽822b-1的位置對應地形成於第一壓接體821a。
第一支撐部821b可以支撐第一壓接體821a,且可以被第一驅動器825a支撐。此外,可以通過第一導向部件821e對第一支撐部821b的移動進行導
向。換言之,第一導向部件821e以貫通的方式具備於第一支撐部821b,由此第一支撐部821b可以沿一方向(例如,圖7的上下方向)延伸的第一導向部件821e移動。如此,第一支撐部821b可以沿第一導向部件821e移動來相對於框架810移動。換言之,第一支撐部821b可以通過第一驅動器825a升降來與第一壓接體821a一同相對於框架810升降。
照射部821c可以使通過模20壓接於基板30的圖案硬化。當通過第一壓接體821a將模20的圖案壓接於基板30時,這樣的照射部821c可以將紫外線(Ultraviolet Ray)照射至基板30來使形成在基板30的樹脂硬化。這樣的照射部821c可以包括用於照射紫外線的紫外線光源(未圖示)及紫外線光源透射的光源(未圖示)。這樣的光源可以包括藍寶石等石英。如此,照射部821c可以將紫外線照射至基板30來使形成在基板30的樹脂硬化。此外,膜10、模20以及基板30可以構成為紫外線透射。此外,照射部821c可以具備於第一壓接體821a的一側。此外,照射部821c可以與膜10的上側接觸來對膜10加壓。
推擠防止部821d可以支撐第一支撐部821b來防止第一壓接體821a及第一支撐部821b由第二壓接單元822上升規定範圍以上。換言之,當第一壓接單元821支撐模20,且第二壓接單元822為了對基板30加壓而上升時,可以通過第二壓接單元822的加壓力防止第一壓接體821a及第一支撐部821b被推擠至上側。推擠防止部821d例如可以是缸體。這樣的推擠防止部821d可以包括支撐部件821d-1及旋轉部件821d-2。
支撐部件821d-1可以固定支撐於框架810,並支撐旋轉部件821d-2的一端部。
旋轉部件821d-2可以能夠旋轉地連接於支撐部件821d-1。這樣的旋轉部件821d-2的一端部可以支撐於支撐部件821d-1,另一端部可以選擇性地支撐固定件821f。例如,當第一壓接單元821向下側對模20加壓時,可以在固定件821f的上側對固定件821f支撐來防止第一支撐部821b向上側推擠規定範圍以上。此外,當第一壓接單元821對模20加壓後上升時,旋轉部件821d-2可以以從固定件821f分離的方式向一方向旋轉。
另一方面,推擠防止部821d可以與第二壓接單元822的加壓力對應地對第一支撐部821b加壓。例如,當第二壓接單元822對第一壓接體821a加壓的力增加時,推擠防止部821d對第一支撐部821b加壓的力也可以隨之增加。如此,推擠防止部821d基於第二壓接單元822的加壓力對第一支撐部821b可變地加壓,由此能夠防止圖案被不完全地壓接於基板30。可以設有複數個這樣的推擠防止部821d,且複數個推擠防止部821d可以在彼此不同的位置對第一支撐部821b加壓。例如,可以設有4個推擠防止部821d。但是,這只是一示例,可以設置有任意個數的推擠防止部821d。
第一導向部件821e可以對第一支撐部821b的移動進行導向。這樣的第一導向部件821e可以固定支撐於第一框架部811,且可以向上下方向延伸形成。此外,第一導向部件821e可以貫通第一支撐部821b來對第一支撐部821b的移動進行導向。例如,第一導向部件821e可以是向一方向延伸形成的條(bar)形態。第一支撐部821b沿這樣的支撐於框架810的第一導向部件821e移動,從而第一支撐部821b可以相對於框架810相對地升降。
固定件821f可以提供被推擠防止部821d加壓的部分。這樣的固定件821f的一側可以被第一支撐部821b固定支撐,另一側可以選擇性地支撐於推擠
防止部821d。例如,固定件821f可以在第一壓接單元821與第二壓接單元822貼緊時被推擠防止部821d支撐。此時,可以通過推擠防止部821d防止固定設置於第一支撐部821b的第一壓接體821a被推擠。作為另一例,固定件821f可以在第一壓接單元821上升時與推擠防止部821d分離。此時,推擠防止部821d的旋轉部件821d-2可以向一方向旋轉來與固定件821f分離。
第二壓接單元822可以包括第二壓接體822a、波紋管822b、升降缸822c、第二支撐部822d及第二導向部件822e。
參照圖9a,第二壓接體822a可以支撐基板30,且可以支撐波紋管822b。這樣的第二壓接體822a可以被第二支撐部822d支撐,且可以通過使第二支撐部822d升降的第二驅動器825b與第二支撐部822d一同升降。第二壓接體822a可以包括基板安放部822a-1、波紋管安放部822a-2、吸附口822a-3以及排氣口822a-4。
基板安放部822a-1可以提供安放基板30的部分,且可以支撐基板30。此外,基板安放部822a-1可以從波紋管安放部822a-2凸出形成。從而,基板安放部822a-1可以比波紋管安放部822a-2更與膜10相鄰地配置。
波紋管安放部822a-2可以提供安放波紋管822b的部分。這樣的波紋管安放部822a-2可以支撐波紋管822b。此外,波紋管安放部822a-2可以形成有凸台,以安放波紋管822b。
吸附口822a-3可以配置為用於將基板30吸附於基板安放部822a-1。這樣的吸附口822a-3可以形成於基板安放部822a-1。例如,吸附口822a-3可以形成於基板安放部822a-1的中心部。這樣的吸附口822a-3可以與吸附通道824a連通,且吸附口822a-3周圍的氣體可以通過吸附通道824a被排出至外部。作
為更詳細的示例,當基板30被安放在基板安放部822a-1時,吸附口822a-3的一側可以被基板30阻隔,而另一側可以與吸附通道824a連通。之後,當模20被加壓於基板30並從基板30分離模20時,可以通過吸附泵824b在吸附口822a-3周圍形成真空。因此,基板30可以被吸附於吸附口822a-3,從而不會從基板安放部822a-1脫離。
排氣口822a-4可以配置為用於向外部排出殘留於波紋管822b的內部的氣體。這樣的排氣口822a-4可以提供向外部排出殘留於波紋管822b包圍基板30的空間的氣體的通道。此外,排氣口822a-4的一側可以與波紋管822b的內部空間連通,另一側可以與排氣部823連通。這樣的排氣口822a-4可以形成於波紋管安放部822a-2。
參照圖9b,波紋管822b可以在使模20與基板30壓接時朝向第一壓接單元821伸縮來使基板30周圍的空間相對於外部密閉。這樣的波紋管822b可以配置為一端部支撐於波紋管安放部822a-2,另一端部能夠相對於第二壓接體822a伸縮。此外,波紋管822b可以配置為能夠伸縮。換言之,波紋管822b可以朝向第一壓接單元821伸長,以使基板30周圍的空間相對於外部密閉。此時,波紋管822b可以包圍基板30,且朝向波紋管822b的第一壓接單元821伸長的端部可以與第一壓接體821a貼緊。如此,波紋管822b與第一壓接體821a貼緊,從而基板30可以與外部阻隔。此外,波紋管822b可以在模20的圖案壓接於基板30時縮小。這樣的波紋管822b可以通過升降缸822c伸長或縮小。
可以在這樣的波紋管822b形成能夠插入待後述的第二壓接密封部件826b的第二密封槽822b-1。這樣的第二密封槽822b-1可以在第一壓接單元
821與第二壓接單元822貼緊時,與第一密封槽821a-1的位置對應地形成於波紋管822b。
升降缸822c可以使波紋管822b的一端部升降來使波紋管822b伸縮。例如,升降缸822c可以在將圖案壓接於基板30時升降來使波紋管822b伸長,而在圖案被壓接於基板30後可以下降來使波紋管822b縮小。這樣的升降缸822c可以支撐於第二壓接體822a。
第二支撐部822d可以支撐第二壓接體822a,且可以被第二驅動器825b支撐。此外,可以通過第二導向部件822e對第二支撐部822d的移動進行導向。換言之,第二支撐部822d能夠滑動移動地結合於第二導向部件822e,從而第二支撐部822d可以沿第二導向部件822e移動。如此,第二支撐部822d可以沿第二導向部件822e移動來相對於框架810移動。換言之,第二支撐部822d可以通過第二驅動器825b升降來與第二壓接體822a一同相對於框架810升降。
第二導向部件822e可以對第二支撐部822d的移動進行導向。這樣的第二導向部件822e可以固定支撐於第二框架部812,且可以向上下方向延伸形成。例如,第二導向部件822e可以是向一方向延伸形成的軌條(rail)形態。第二支撐部822d沿這樣的支撐於框架810的第二導向部件822e部件移動,從而第二支撐部822d能夠相對於框架810升降。
排氣部823可以在使基板30周圍的空間相對於外部密閉時向外部排出殘留於波紋管822b的內部中密閉的空間的氣體。換言之,排氣部823可以向外部排出殘留於波紋管822b與第一壓接單元821之間,即波紋管822b包圍基板30的空間的氣體來在基板30周圍形成規定的真空狀態。這樣的排氣部823可以包括排氣通道823a及排氣泵823b。
排氣通道823a可以提供用於從波紋管822b的內側流入的氣體向外部流動的通道。這樣的排氣通道823a的一側可以與波紋管822b的內側連通,另一側可以通過排氣泵823b與外部連通。此外,排氣泵823b可以通過排氣通道823a向外部移送波紋管822b的內側的氣體。
吸附部824可以在從基板30分離被壓接於基板30的模20時將基板30吸附於基板安放部822a-1,以防止基板30從基板安放部822a-1脫離。換言之,吸附部824可以在模分離單元830從基板30分離模20時吸附基板30,從而通過防止膜10的粘接防止基板30從基板安放部822a-1脫離。例如,吸附部824可以通過真空壓力來吸附基板30。但是,這只是一示例,本發明的思想並不因此而受限,可以採用能夠將基板30吸附於基板安放部822a-1的周知的技術。吸附部824可以包括吸附通道824a及吸附泵824b。
吸附通道824a可以提供用於從基板安放部822a-1周圍流入的氣體通過吸附泵824b向外部流動的通道。這樣的吸附通道824a的一側可以通過吸附口822a-3與基板安放部822a-1的周圍連通,另一側可以通過吸附泵824b與外部連通。例如,當基板30被安放在基板安放部822a-1時,吸附通道824a的一側可以被基板30阻隔,而另一側可以與外部連通。此外,當基板30的一部分從基板安放部822a-1隔開時,吸附通道824a可以與波紋管822b的內部連通。
吸附泵824b可以向外部移送基板安放部822a-1周圍的氣體。例如,吸附泵824b可以是真空泵。從而,通過由吸附泵824b生成的真空,可以在吸附口822a-3周圍產生真空,可以通過這樣的真空壓力將基板30吸附於基板安放部822a-1。從而,當通道824a的一側通過吸附口822a-3與基板30的周圍連通時,可以通過吸附泵824b將基板30吸附於吸附口822a-3。
驅動部825可以使第一壓接單元821及第二壓接單元822相對於彼此移動。這樣的驅動部825可以包括以使第一壓接單元821移動的方式進行驅動的時第一驅動器825a、以及以使第二壓接單元822移動的方式進行驅動的第二驅動器825b。
第一驅動器825a可以使第一壓接單元821升降,且可以根據第一壓接單元821的位置調節第一壓接單元821移動的速度。此外,第二驅動器825b可以使第二壓接單元822升降,且可以根據第二壓接單元822的位置調節第二壓接單元822移動的速度。關於如此由第一驅動器825a及第二驅動器825b根據第一壓接單元821及第二壓接單元822的位置調節速度的配置,將在後面進行描述。
再次參照圖9a,壓接密封部826可以在第一壓接單元821與第二壓接單元822相對於彼此進行壓接時使第一壓接單元821與第二壓接單元822之間密閉。這樣的壓接密封部826可以使第一壓接單元821與第二壓接單元822之間密閉來阻隔基板30的周圍與外部。壓接密封部826可以包括第一壓接密封部件826a及第二壓接密封部件826b。
第一壓接密封部件826a可以插入配置於形成在第一壓接單元821的第一密封槽821a-1。此外,第二壓接密封部件826b可以插入配置於形成在第二壓接單元822的第二密封槽822b-1。這樣的第一壓接密封部件826a和第二壓接密封部件826b可以配置為彼此相向。換言之,當第一壓接單元821與第二壓接單元822相互進行壓接時,第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b可以對彼此加壓,且可以密封第一壓接單元821與第二壓接單元822之間的間隙。
另一方面,當第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b相互貼緊時,膜10可以介於第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b之
間。此外,第一壓接密封部件826a可以在膜10的上部對膜10,第二壓接密封部件826b可以在膜10的下部對膜10加壓。此時,第一壓接密封部件826a及第二壓接密封部件826b可以形成為具有既防止第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b的加壓使膜10起皺又能夠有效地密封第一壓接單元821與第二壓接單元822之間的間隙的形狀。
例如,當第一壓接密封部件826a及第二壓接密封部件826b形成為相同的O型環(O-ring)形狀時,第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b貼緊時可能會使膜10起皺。作為另一示例,當第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b相互接觸的面形成為平面形狀時,可以防止膜10起皺。然而,可能會因第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b之間的加壓力較弱而無法正常地對第一壓接單元821與第二壓接單元822之間進行密封。因此,第一壓接密封部件826a與第二壓接密封部件826b有必要形成為彼此不同的形狀,以便既防止膜10起皺又使波紋管822b的內部空間密閉。例如,第一壓接密封部件826a及第二壓接密封部件826b中的某一個可以在不與另一個貼緊時具有平面形狀,另一個可以在不與所述某一個貼緊時具有O型環等圓弧形狀。
如此,壓接密封部826具有防止膜10起皺的效果。
參照圖10至圖12,模分離單元830可以向一方向(例如,圖10的左右方向)移動,以從基板30分離被壓接於基板30的模20。這樣的模分離單元830可以在膜供給部400及膜回收部900中的一個以上未旋轉以使膜10的移動停止的狀態下向基板30側移動來從基板30分離模20。此外,在第一壓接單元821與第二壓接單元822之間,模分離單元830可以將基板30移動至壓接於模20的虛擬的空間來從基板30分離模20。而且,模分離單元830能夠將在作為在一面粘接有
形成有圖案的模20的膜10的兩面中的一面的相反側的膜10的另一面支撑膜的第一輥部831移動至基板30側來從基板30分離被壓接於基板30的模20。模分離單元830可以包括第一輥部831、第二輥部832、輥支撐部833、輥導向部件834以及輥驅動器835。
第一輥部831可以在膜10的兩面中未粘接有模20的一面(非粘接面)支撐膜10。這樣的第一輥部831可以被輥支撐部833支撐,且與輥支撐部833一同向左右方向移動。
第二輥部832可以在膜10的兩面中粘接有模20的面(粘接面)側支撐膜10。此外,第二輥部832可以以使膜10向包圍第一輥部831的一部分的方向彎曲的方式支撐膜10。這樣的第二輥部832可以被輥支撐部833支撐,且與輥支撐部833一同向左右方向移動。此外,第二輥部832可以以與第一輥部831具有規定的高度差的方式支撐於輥支撐部833。如此,第一輥部831與第二輥部832具有高度差地支撐膜10的兩面,從而可以從基板30分離模20。此外,第一輥部831的旋轉中心軸與第二輥部832的旋轉中心軸的距離可以形成得比模20的長度長。這可以防止通過第一輥部831從基板30分離的模20與第二輥部832接觸。
輥支撐部833可以支撐第一輥部831及第二輥部832,且可以被輥驅動器835支撐。此外,輥支撐部833可以通過輥驅動器835向左右方向移動,且可以由輥導向部件834對輥支撐部833的移動進行導向。這樣的輥支撐部833可以沿輥導向部件834移動來相對於框架810移動。換言之,輥支撐部833可以通過輥驅動器835移動來與第一輥部831、第二輥部832一同相對於框架810移動。
輥導向部件834可以對輥支撐部833的移動進行導向。這樣的輥導向部件834可以固定支撐於第三框架部813,且可以向左右方向延伸形成。例如,
輥導向部件834可以是向一方向延伸形成的軌條(rail)形態。輥支撐部833沿這樣的支撐於框架810的輥導向部件834部件移動,從而輥支撐部833能夠相對於框架810升降。
輥驅動器835可以使輥支撐部833向一方向移動,以從基板30分離模20。這樣的輥驅動器835可以支撐於框架810,且可以支撐輥支撐部833。如此,輥驅動器835使輥支撐部833移動,從而能夠使第一輥部831、第二輥部832朝向模20移動。
檢測單元840可以檢測第一壓接單元821、第二壓接單元822及模分離單元830的位置。這樣的檢測單元840可以檢測第一壓接單元821、第二壓接單元822及模分離單元830的第一停止位置、第二停止位置及減速位置,且可以將檢測到的位置資訊傳遞至控制部。這樣的檢測單元840可以包括第1感測器部841、第2感測器部842、以及第3感測器部843。
再次參照圖8和圖9,第1感測器部841可以檢測第一壓接單元821的第一停止位置、第二停止位置及減速位置,且可以將檢測到的位置資訊傳遞至控制部。這樣的第1感測器部841可以包括第1-1感測器841a、第1-2感測器841b、以及第1-3感測器841c。
第1感測器部841的第1-1感測器841a可以檢測第一壓接單元821的第一停止位置。這裡,第1-1感測器841a可以被命名為第一壓接單元821的第一停止位置檢測感測器841a。此外,第一壓接單元821的第一停止位置可以被命名為第一壓接步驟開始位置,第1感測器部841的第1-1感測器841a可以被命名為第一壓接步驟開始位置檢測感測器841a。此外,第一停止位置指第一壓接單元821朝向膜10移動之前的位置,即第一壓接單元821的原位置。當第一壓接單元821為
原位置狀態時,這樣的第1感測器部841的第1-1感測器841a可以檢測第一壓接單元821的位置。此外,第1感測器部841的第1-1感測器841a可以支撐於框架810。
第1感測器部841的第1-2感測器841b可以檢測第一壓接單元821的第二停止位置。這裡,第1-2感測器841b可以被命名為第一壓接單元821的第二停止位置檢測感測器841b。此外,第一壓接單元821的第二停止位置可以被命名為第二壓接步驟結束位置,第1感測器部841的第1-2感測器841b可以被命名為第二壓接步驟結束位置檢測感測器841b。此外,第二停止位置指第一壓接單元821朝向膜10移動並由第一壓接單元821將模20加壓於基板30後,即與第二壓接單元822貼緊的位置。從而,第1-2感測器841b可以在第一壓接單元821與第二壓接單元822貼緊時檢測第一壓接單元821的位置。此外,第1-2感測器841b可以支撐於框架810。
第1感測器部841的第1-3感測器841c可以檢測第一壓接單元821的減速位置。這裡,第1-3感測器841c可以被命名為第一壓接單元821的減速位置檢測感測器841c。此外,第一壓接單元821的減速位置可以被命名為第一減速位置,第1感測器部841的第1-3感測器841c以被命名為第一減速檢測感測器841c。此外,減速位置指第一壓接單元821從第一停止位置移動至第二停止位置的過程中在到達第二停止位置之前第一壓接單元821開始減速的位置。此外,減速位置指第一壓接單元821朝向膜10移動並由第一壓接單元821將模20加壓於基板30之前的位置。這樣的減速位置可以位於第一停止位置與第二停止位置之間。此外,第1-3感測器841c可以以配置於第1-1感測器841a與第1-2感測器841b之間的方式支撐於框架810。
參照圖13,第2感測器部842可以檢測第二壓接單元822的第一停止位置、第二停止位置以及減速位置,且可以將檢測到的位置資訊傳遞至控制部。這樣的第2感測器部842可以包括第2-1感測器842a、第2-2感測器842b,第2-3感測器842c。
第2感測器部842的第2-1感測器842a可以檢測第二壓接單元822的第一停止位置。這裡,第2-1感測器842a可以被命名為第二壓接單元822的第一停止位置檢測感測器842a。此外,第二壓接單元822的第一停止位置可以被命名為第二壓接步驟開始位置,第2感測器部842的第2-1感測器842a可以被命名為第二壓接步驟開始位置檢測感測器842a。此外,第一停止位置指第二壓接單元822朝向膜10移動之前的位置,即第二壓接單元822的原位置。當第二壓接單元822為原位置狀態時,這樣的第2感測器部842的第2-1感測器842a可以檢測第二壓接單元822的位置。此外,第2感測器部842的第2-1感測器842a可以支撐於框架810。
第2感測器部842的第2-2感測器842b可以檢測第二壓接單元822的第二停止位置。這裡,第2-2感測器842b可以被命名為第二壓接單元822的第二停止位置檢測感測器842b。此外,第二壓接單元822的第二停止位置可以被命名為第二壓接步驟結束位置,第2感測器部842的第2-2感測器842b可以被命名為第二壓接步驟結束位置檢測感測器842b。此外,第二停止位置指第二壓接單元822朝向膜10移動並由第二壓接單元822將基板30加壓於模20後,即與第一壓接單元821貼緊的位置。從而,第2感測器部842的第2-2感測器842b可以在第一壓接單元821與第二壓接單元822貼緊時檢測第二壓接單元822的位置。此外,第2感測器部842的第2-2感測器842b可以支撐於框架810。
第2感測器部842的第2-3感測器842c可以檢測第二壓接單元822的減速位置。這裡,第2-3感測器842c可以被命名為第二壓接單元822的減速位置檢測感測器842c。此外,第二壓接單元822的減速位置可以被命名為第二減速位置,第2感測器部842的第2-3感測器842c可以被命名為第二減速檢測感測器842c。此外,減速位置指第二壓接單元822從第一停止位置移動至第二停止位置的過程中在到達第二停止位置之前第二壓接單元822開始減速的位置。此外,減速位置指第二壓接單元822朝向膜10移動並由第二壓接單元822將基板30加壓於模20之前的位置。這樣的減速位置可以位於第一停止位置與第二停止位置之間。此外,第2感測器部842的第2-3感測器842c可以以配置於第2-1感測器842a與第2-2感測器842b之間的方式支撐於框架810。此外,第2感測器部842的第2-3感測器842c可以與波紋管822b的伸縮連動。例如,當先檢測第2感測器部842的第2-1感測器842a後檢測第2感測器部842的第2-3感測器842c時,波紋管822b可以伸長;當先檢測第2感測器部842的第2-2感測器842b後檢測第2感測器部842的第2-3感測器842c時,波紋管822b可以縮小。
參照圖14,第3感測器部843可以檢測模分離單元830的第三停止位置、第二停止位置及減速位置,且可以將檢測到的位置資訊傳遞至控制部。這樣的第3感測器部843可以包括第3-1感測器843a、第3-2感測器843b、第3-3感測器843c。
第3感測器部843的第3-1感測器843a可以檢測模分離單元830的第一停止位置。這裡,第3-1感測器843a可以被命名為模分離單元830的第一停止位置檢測感測器843a。此外,模分離單元830的第一停止位置可以被命名為分離步驟開始位置,第3感測器部843的第3-1感測器843a可以被命名為分離步驟開始位
置檢測感測器843a。此外,第一停止位置指模分離單元830朝向模20移動之前的位置,即模分離單元830的原位置(參照圖14(a))。當模分離單元830為原位置狀態時,這樣的第3感測器部843的第3-1感測器843a可以檢測模分離單元830的位置。此外,第3感測器部843的第3-1感測器843a可以支撐於框架810。
第3感測器部843的第3-2感測器843b可以檢測模分離單元830的第二停止位置。這裡,第3-2感測器843b可以被命名為模分離單元830的第二停止位置檢測感測器843b。此外,模分離單元830的第二停止位置可以被命名為分離步驟結束位置,第3感測器部843的第3-2感測器843b可以被命名為分離步驟結束位置檢測感測器843b。此外,第二停止位置指模分離單元830從基板30分離模20後的位置(參照圖14(b))。此外,第3感測器部843的第3-2感測器843b可以支撐於框架810。
第3感測器部843的第3-3感測器843c可以檢測模分離單元830的減速位置。這裡,第3-3感測器843c可以被命名為模分離單元830的減速位置檢測感測器843c。此外,模分離單元830的減速位置可以被命名為第三減速位置,第3感測器部843的第3-3感測器843c可以被命名為第三減速檢測感測器843c。此外,減速位置指模分離單元830從第一停止位置移動至第二停止位置的過程中在到達第二停止位置之前模分離單元830開始減速的位置。此外,減速位置指模分離單元830從基板30分離模20之前的位置。這樣的減速位置可以位於第一停止位置與第二停止位置之間。此外,第3感測器部843的第3-3感測器843c可以以配置於第3-1感測器843a與第3-2感測器843b之間的方式支撐於框架810。
如前述,檢測單元840可以檢測壓接模組820及模分離單元830的移動開始的位置、減速開始的位置、移動結束的位置,且可以將檢測到的位置
資訊傳遞至控制部。如此,由檢測單元840檢測到的位置資訊可以利用於控制驅動部825及輥驅動器835。此外,壓接模組820及模分離單元830可以對第一停止位置至減速位置進行移動速度的加速,並對減速位置至第二停止位置進行移動速度的減速。從而,可以通過檢測單元840調節壓接模組820及模分離單元830的移動速度。此外,可以僅在製程實際進行的位置進行對移動速度進行減速來提高製程的效率。此外,當第一壓接單元821及第二壓接單元822相對於彼此移動並相互貼緊時,可以通過檢測單元840調節第一壓接單元821及第二壓接單元822的移動速度,從而可以同時移動第一壓接單元821和第二壓接單元822,而不是依次移動第一壓接單元821和第二壓接單元822,由此能夠製程的效率。如此,檢測單元840僅在製程實際進行的位置進行移動速度的減速,從而具有能夠提高製程的效率的效果。
位置檢測部(未圖示)可以檢測模20的位置,且可以將檢測到的位置資訊傳遞至控制部。如此,由位置檢測部檢測到的模20的位置資訊可以利用於控制膜供給部400及膜回收部900。從而,當模20被移送而後位於脫模部700或轉印部800時,可以由位置檢測部對此進行檢測,並中斷膜供給部400及膜回收部900中的一個以上的旋轉來中止模20的移送。此外,位置檢測部可以配置於膜供給部400、保護膜回收部600、脫模部700、轉印部800、膜回收部900中的至少一部分之間。例如,位置檢測部可以通過識別膜10的標記的光感測器來檢測模20的位置,或通過光學設備來檢測模20的位置。
在膜10上相鄰地配置的複數個模20之間的間距可以以分別位於蒸鍍模組720和轉印部800的方式和蒸鍍模組720與轉印部800之間的間距對應。換言之,蒸鍍模組720中模20所在的區域的中心點與轉印部800中模20所在的區
域的中心點之間的間距可以與貼附於膜10的複數個模20中相鄰地配置的模20的中心點之間的間距相同。例如,蒸鍍模組720中模20所在的區域的中心點可以是塗布空間T1的中心點。此外,轉印部800中模20所在的區域的中心點可以是能夠在第一壓接單元821與第二壓接單元822之間配置模20的虛擬的空間的中心點。因此,可以在轉印部800配置先行的模20,並在蒸鍍模組720配置後行的模20,從而可以在先行的模20在轉印部800進行製程的期間使後行的模20在蒸鍍模組720進行製程。此外,位置檢測部可以配置於蒸鍍模組720與轉印部800之間來檢測先行的模20位於轉印部800,且後行的模20位於蒸鍍模組720。
如此,轉印部800與蒸鍍模組720同時進行模20的製程,從而具有能夠提高製程的效率的效果。
控制部可以控制壓接模組820及模分離單元830的驅動。這樣的控制部可以從檢測單元840接收壓接模組820及模分離單元830的位置資訊,且可以基於這樣的位置資訊來控制壓接模組820及模分離單元830的驅動。
控制部可以為了向一方向移送膜10而控制膜供給部400及膜回收部900中的一個以上的驅動。這樣的控制部可以從位置檢測部接收所檢測到的模20的位置資訊,且可以基於這樣的位置資訊來控制膜供給部400及膜回收部900的驅動。
控制部可以由包括微處理器的運算裝置、儲存介質、感測器、光學等測量裝置及記憶體來實現,由於其實現方式對所屬技術領域中具有通常知識者而言是顯而易見的,因而省略進一步的詳細的說明。
如此,控制部具有能夠基於位置資訊來控制壓接模組820及模分離單元830的驅動的效果。此外,控制部具有能夠基於位置資訊來控制膜供給部400及膜回收部900的驅動的效果。
如此,本發明的一實施例的轉印部800能夠省略將模20與基板30相互壓接的製程與使模20與基板30相互分離的製程之間的被壓接於基板30及基板30的模20移動至從基板30分離模20的位置的製程,從而具有能夠提高製程的效率的效果。
下面,參照圖15對利用轉印裝置1實施了轉印的基板的生產方法(S10)進行說明。
實施了轉印的基板的生產方法S10可以生產利用本發明的一實施例的轉印裝置1將模20的圖案轉印於基板30而轉印有圖案的基板30。這樣的實施了轉印的基板的生產方法S10可以包括基板供給步驟S100、等離子體處理步驟S200、脫模性塗布步驟S300、轉印步驟S400、以及膜回收步驟S500。
在基板供給步驟S100中,可以利用樹脂塗布基板30,並向已設定的方向整列之後供給至轉印部800。這樣的基板供給步驟S100可以包括基板塗布步驟S110及基板整列步驟S120。
在基板塗布步驟S110中,可以在從基板收納部100移送至旋塗機200的待轉印圖案的基板30的表面以規定厚度塗布樹脂。在這樣的基板塗布步驟S110中,可以在通過旋塗方式將基板30置於旋轉體上之後,在旋轉的基板30的表面滴落流動性樹脂來將樹脂均勻地塗布於基板30的表面。此外,在基板塗布步驟S110中,可以在塗布基板30之前在冷卻板210對基板30的溫度進行調節。
在基板整列步驟S120中,可以向已設定的方向整列從旋塗機200移送的表面塗布有樹脂的基板30。在這樣的基板整列步驟S120中,可以通過使基板30以朝向已設定的方向的方式旋轉來向相同的方向整列複數個基板30。此外,在基板整列步驟S120進行整列的基板30可以被供給至轉印部800。
在等離子體處理步驟S200中,可以對模20的表面進行等離子體處理,以改善從膜供給部400供給的模20的脫模性。可以在脫模性塗布步驟S300之前執行這樣的等離子體處理步驟S200。從而,在等離子體處理步驟S200中,在將脫模劑塗布於模20的表面之前對模20進行等離子體處理,由此能夠對模20的表面進行改質。此外,在等離子體處理步驟S200中,可以清洗模20的表面。
在脫模性塗布步驟S300中,可以對進行等離子體處理後的模20的表面進行脫模性塗布。此外,在脫模性塗布步驟S300中,可以使氣相化的脫模劑與模20的表面接觸來塗布模20的表面。可以在為了使膜10移動而旋轉的膜供給部400及膜回收部900中的一個以上未旋轉的狀態下執行這樣的脫模性塗布步驟S300。脫模性塗布步驟S300可以包括脫模劑供給步驟S310、脫模劑塗布步驟S320以及脫模劑吹掃步驟S330。
脫模劑供給步驟S310可以將氣相化的脫模劑供給至由第一腔室部721與第二腔室部722貼緊而形成的塗布空間T1。在這樣的脫模劑供給步驟S310中,可以在使液體狀態的脫模劑氣相化之後供給至塗布空間T1。
在脫模劑塗布步驟S320中,可以對模20的表面進行脫模性塗布。在脫模劑塗布步驟S320中,脫模劑可以從流入口722b-1流入並在塗布空間T1流動而與模20的表面接觸來對模20的表面進行塗布之後,通過排出口722c-1排出至外部。
在脫模劑吹掃步驟S330中,當模20的脫模性塗布結束時,可以中斷氣相化的脫模劑的供給,並向塗布空間T1供給空氣或非活性氣體(例如,氮氣)來將殘留於塗布空間T1的氣相化的脫模劑排出至外部。
在轉印步驟S400中,可以將形成於模20的圖案轉印於基板30。換言之,在轉印步驟S400中,可以使模20與基板30相互壓接並分離來將圖案轉印於基板30。此外,可以在為了使膜10移動而旋轉的膜供給部400及膜回收部900中的一個以上未旋轉的狀態下執行轉印步驟S400。這樣的轉印步驟S400可以包括壓接步驟S410及分離步驟S420。
在壓接步驟S410中,可以使第一壓接單元821與第二壓接單元822以相對於彼此相貼緊的方式移動來將形成於模20的圖案壓接於基板30。此外,可以使第一壓接單元821與第二壓接單元822在膜10的彼此相反的一側朝向膜10移動來使第一壓接單元821與第二壓接單元822相互貼緊。壓接步驟S410可以包括壓接單元靠近步驟S411、密閉步驟S412、氣體排出步驟S413以及壓接單元壓接步驟S414。
在壓接單元靠近步驟S411中,可以使第一壓接單元821與第二壓接單元822相對於彼此靠近。換言之,第一壓接單元821可以靠近粘接有模20的膜10,第二壓接單元822可以靠近基板30。
在密閉步驟S412中,波紋管822b可以朝向第一壓接單元821來使基板30相對於外部密閉。此時,波紋管822b的一端可以與第一壓接單元821貼緊,且波紋管822b可以圍繞基板30的周圍。如此,波紋管822b以圍繞基板30的周圍的方式貼緊於第一壓接單元821,從而可以阻隔基板30與外部。
在氣體排出步驟S413中,可以向外部排出殘留於通過密閉步驟S412密閉的波紋管822b的內部空間的氣體。通過這樣的氣體排出步驟S413,波紋管822b內部空間,即基板30的周圍可以是規定的真空狀態。
在壓接單元壓接步驟S414中,第一壓接單元821與第二壓接單元822可以相對於彼此移動來相互貼緊。換言之,第一壓接單元821及第二壓接單元822中的一個以上以對模20和基板30加壓的方式相互貼緊,從而能夠將模20的圖案壓接於基板30。
在分離步驟S420中,可以使壓接有模20的圖案的基板30與模20分離。在這樣的分離步驟S420中,可以利用模分離單元830來從基板30分離模20。分離步驟S420可以包括吹掃步驟S421、密閉解除步驟S422、壓接單元上升步驟S423以及模分離單元移動步驟S424。
在吹掃步驟S421中,可以向波紋管822b的內部空間供給空氣或非活性氣體(例如,氮氣)來將通過氣體排出步驟S413成為規定的真空狀態的波紋管822b的內部空間製成大氣壓狀態。
在密閉解除步驟S422中,可以使為了從外部阻隔基板30而伸長的波紋管822b縮小。此時,通過波紋管822b與外部阻隔的模20及基板30可以露出於外部。
在壓接單元上升步驟S423中,可以使第一壓接單元821上升來確保模分離單元830待移動至基板30側的空間。
在模分離單元移動步驟S424中,可以使模分離單元830移動至基板30側來從基板30分離模20。在這樣的模分離單元移動步驟S424中,模分離單
元830可以移動至第一壓接單元821上升之前的空間,通過這樣的移動,可以從基板30分離模20。
當執行一次等離子體處理步驟S200和脫模性塗布步驟S300時,可以執行複數次轉印步驟S400和分離步驟S420,直至模20的脫模性下降至規定範圍以下,由此可以利用一個模20轉印複數個基板30。
在位置檢測部檢測到多個模20的各個位於用於執行脫模性塗布步驟S300的蒸鍍模組720和用於執行轉印步驟S400的轉印部800之後執行脫模性塗布步驟S300和轉印步驟S400。
在基板回收步驟S500中,可以將轉印後的基板30移送至基板收納部100。
在膜回收步驟S600中,當執行複數次壓接步驟S410和分離步驟S420,使得模20的脫模性下降至規定範圍以下時,可以將模20回收至膜回收部900。
基板回收步驟S500與膜回收步驟S600可以同時或獨立地進行。
儘管上文中以具體的實施方式對包括脫模部700和轉印部800的轉印裝置1進行可說明,但脫模部700與轉印部800可以獨立地構成轉印裝置。例如,脫模部700可以單獨地構成轉印裝置或與另一實施方式的轉印部構成轉印裝置,轉印部800可以單獨地構成轉印裝置或與另一實施方式的脫模部構成轉印裝置。此外,脫模部700可以選擇性地包括等離子體處理模組710。此外,轉印裝置1可以選擇性地包括基板收納部100、旋塗機200以及整列單元300。
儘管上面以具體的實施方式對本發明的一些實施例進行了說明,但這只是例示,本發明不限於此,而是應被解釋為具有基於本說明書中公
開的基礎思想的最廣的範圍。所屬技術領域中具有通常知識者可以組合/置換所公開的實施方式來實施未示出的形狀圖案,但這同樣不脫離本發明的範圍。除此之外,所屬技術領域中具有通常知識者可以基於本說明書容易對所公開的實施方式進行變更或變形,顯然,這樣的變更或變形也屬於本發明的權利範圍。
1:轉印裝置
10:膜
20:模
30:基板
400:膜供給部
500:進料輥
600:保護膜回收部
700:脫模部
710:等離子體處理模組
720:蒸鍍模組
800:轉印部
900:膜回收部
Claims (17)
- 一種轉印裝置,其中,包括一蒸鍍模組,該蒸鍍模組包括:一第一腔室部;一第二腔室部,其配置於比該第一腔室部靠下方,並與該第一腔室部一同形成用於配置粘接有一模的一膜的一塗布空間;以及一流體供給部,其向該塗布空間供給一脫模劑,以便能夠對該模的表面進行脫模性塗布,該膜在該第一腔室部與該第二腔室部之間通過,該第二腔室部包括:一腔室底座;一腔室凸出部,其從該腔室底座凸出形成;以及一腔室側壁,其從該腔室底座沿該腔室底座的邊緣延伸形成,且與該腔室凸出部隔開規定距離而包圍該腔室凸出部。
- 根據請求項1所述的轉印裝置,其中,該流體供給部向該塗布空間供給氣相化的該脫模劑,以便能夠塗布該模的表面,該流體供給部包括:一罐,其能夠容納液體狀態的該脫模劑;以及一起泡器,其能夠向容納於該罐的液體狀態的該脫模劑供給規定壓力以上的氣體來使該脫模劑氣相化。
- 根據請求項2所述的轉印裝置,其中,該起泡器通過在容納於該罐的該脫模劑的表面的下方向該脫模劑排出所述氣體來使該脫模劑氣相化。
- 根據請求項2所述的轉印裝置,其中, 該蒸鍍模組還包括:一噴射裝置,其能夠通過在從液體狀態的該脫模劑的表面向上側隔開規定距離的位置噴射所述氣體來防止氣相化的該脫模劑成團。
- 根據請求項1所述的轉印裝置,其中,在該第二腔室部形成有一流入口,該流入口的一側與該流體供給部連通,該流入口的另一側與該塗布空間連通,該流入口配置於比該模靠下方。
- 根據請求項5所述的轉印裝置,其中,在該第二腔室部形成有一排出口,該排出口用於向外部排出通過該流入口流入該塗布空間的該脫模劑,從該流入口流入該塗布空間的該脫模劑在通過該排出口被排出至外部的期間與該模的表面接觸。
- 根據請求項1所述的轉印裝置,其中,該第二腔室部包括:一流入口,其形成於該腔室側壁,且一側與該流體供給部連通,另一側與該塗布空間連通;以及一排出口,其形成於該腔室凸出部,用於向外部排出通過該流入口流入該塗布空間的該脫模劑,從該流入口流入該塗布空間的該脫模劑在通過該排出口被排出至外部的期間與該模的表面接觸。
- 根據請求項7所述的轉印裝置,其中,該流入口形成於該腔室側壁,且配置於比該腔室凸出部的上面靠下方。
- 根據請求項7所述的轉印裝置,其中,在該腔室底座的邊緣,在與該流入口對應的位置形成有具有從該腔室凸出部 的上面向下側凹陷的形狀的一凹部。
- 根據請求項6或8所述的轉印裝置,其中,設有複數個該流入口,該複數個流入口中的至少一部分配置為彼此相向,該排出口以配置於彼此相向的該流入口之間的方式形成於該第二腔室部的一中心部。
- 根據請求項1所述的種轉印裝置,其中,該塗布空間的內部以該膜為基準被劃分為一上側空間和一下側空間,在該第一腔室部形成有一氣體排出口,該氣體排出口用於向外部排出該塗布空間的內部中以該膜為基準殘留於該上側空間的氣體,在該第二腔室部形成有一排出口,該排出口用於向外部排出該塗布空間的內部中以該膜為基準殘留於該下側空間的該脫模劑。
- 根據請求項1至9、11中任一項所述的轉印裝置,其中,該蒸鍍模組還包括:一加熱器,其通過加熱該第一腔室部及該第二腔室部中的一個以上來將該塗布空間的溫度維持在30℃至80℃的範圍內。
- 根據請求項1所述的轉印裝置,其中,該蒸鍍模組還包括一蒸鍍密封部,該蒸鍍密封部包圍該塗布空間,以進行該第一腔室部與該第二腔室部之間的密封,該蒸鍍密封部包括設於該第一腔室部的一第一蒸鍍密封部件及設於該第二腔室部的一第二蒸鍍密封部件,該第一蒸鍍密封部件及該第二蒸鍍密封部件中的某一個在不與另一個貼緊時具有平面形狀,所述另一個在不與所述某一個貼緊時具有圓弧形狀。
- 一種轉印裝置,其中,包括一蒸鍍模組和一等離子體處理模組, 該蒸鍍模組包括:一第一腔室部;一第二腔室部,其配置於比該第一腔室部靠下方,並與該第一腔室部一同形成用於配置粘接有一模的一膜的一塗布空間;一流體供給部,其向該塗布空間供給一脫模劑,以便能夠對該模的表面進行脫模性塗布,該等離子體處理模組利用等離子體處理該模的表面,以對該模的表面進行改質,該膜在該第一腔室部與該第二腔室部之間通過,該蒸鍍模組對由該等離子體處理模組對該模的表面進行等離子體處理後的該模的表面進行脫模性塗布。
- 一種實施了轉印的基板的生產方法,其生產轉印有粘接於一膜的一模的圖案的一基板,該實施了轉印的基板的生產方法中,包括下列步驟:在該模的表面進行脫模性塗布的一脫模性塗布步驟,該脫模塗布步驟包括:使一第一腔室部和一第二腔室部密閉來形成一塗布空間的一空間形成步驟;向該塗布空間供給氣相化的一脫模劑的一脫模劑供給步驟;以及在向該塗布空間供給氣相化的該脫模劑之後,向該塗布空間供給氣體的一吹掃步驟,在該脫模劑供給步驟中,通過一起泡器向容納於一罐的液體狀態的該脫模劑供給規定壓力以上的氣體來使該脫模劑氣相化,並將氣相化的該脫模劑供給至該塗布空間,該第二腔室部配置於比該第一腔室部靠下方, 該膜在該第一腔室部與該第二腔室部之間通過。
- 根據請求項15所述的實施了轉印的基板的生產方法,其中,還包括:供給至該塗布空間的氣相化的該脫模劑在塗布該模的表面之後被排出至外部。
- 根據請求項15所述的實施了轉印的基板的生產方法,其中,還包括:對該模的表面進行等離子體處理,以對該模的表面進行改質的一等離子體處理步驟,在該脫模塗布步驟之前執行該等離子體處理步驟。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0139796 | 2019-11-04 | ||
KR20190139796 | 2019-11-04 | ||
KR1020200033259A KR102203205B1 (ko) | 2019-11-04 | 2020-03-18 | 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법 |
KR1020200033253A KR102206492B1 (ko) | 2019-11-04 | 2020-03-18 | 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법 |
KR10-2020-0033252 | 2020-03-18 | ||
KR10-2020-0033259 | 2020-03-18 | ||
KR10-2020-0033253 | 2020-03-18 | ||
KR1020200033252A KR102206491B1 (ko) | 2019-11-04 | 2020-03-18 | 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202305503A TW202305503A (zh) | 2023-02-01 |
TWI818751B true TWI818751B (zh) | 2023-10-11 |
Family
ID=74141542
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111136867A TWI818751B (zh) | 2019-11-04 | 2020-10-13 | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 |
TW112131438A TWI832796B (zh) | 2019-11-04 | 2020-10-13 | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 |
TW109135273A TWI785395B (zh) | 2019-11-04 | 2020-10-13 | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112131438A TWI832796B (zh) | 2019-11-04 | 2020-10-13 | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 |
TW109135273A TWI785395B (zh) | 2019-11-04 | 2020-10-13 | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (3) | KR102206491B1 (zh) |
CN (1) | CN112776464B (zh) |
TW (3) | TWI818751B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102206491B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2021-01-22 | 주식회사 기가레인 | 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011089836A1 (ja) * | 2010-01-19 | 2011-07-28 | 株式会社日立産機システム | パターン転写装置及びパターン転写方法 |
KR101114286B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2012-03-05 | (주)메카스 | 나노/마이크로 광소자용 임프린팅 스탬프 이형장치 |
KR20180105433A (ko) * | 2017-03-15 | 2018-09-28 | 주식회사 기가레인 | 임프린트 장치 및 임프린트 방법 |
TWI785395B (zh) * | 2019-11-04 | 2022-12-01 | 南韓商吉佳藍科技股份有限公司 | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6916511B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of hardening a nano-imprinting stamp |
JP4546367B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2010-09-15 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法 |
JP2008020629A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Fujifilm Corp | パターン形成材料、並びに、パターン形成装置及びパターン形成方法 |
KR100755235B1 (ko) * | 2007-03-26 | 2007-09-05 | (주) 예스티 | 임프린팅장치 |
KR100982673B1 (ko) * | 2008-04-22 | 2010-09-16 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 미세 패턴 임프린트 장치 |
KR101155588B1 (ko) * | 2009-04-24 | 2012-06-19 | 주식회사 디엠에스 | 임프린트 장치 |
JP5285514B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5285515B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
CN101618630B (zh) * | 2009-08-12 | 2011-03-23 | 江阴市兰天彩印包装有限公司 | 一种防伪转移印刷工艺 |
JP5497467B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2014-05-21 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 微細エッチングマスクの製造方法及び露光処理装置 |
JP5603621B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2014-10-08 | 東芝機械株式会社 | シート状モールド位置検出装置、転写装置および転写方法 |
JP2013074115A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Fujifilm Corp | ナノインプリント装置およびナノインプリント方法、並びに、歪み付与デバイスおよび歪み付与方法 |
EP2783833B1 (en) * | 2011-11-25 | 2017-01-11 | Scivax Corporation | Imprinting device and imprinting method |
JP2013140314A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルムの製造方法、反射防止フィルム製造用金型の製造方法及び反射防止フィルム製造用金型 |
KR102045465B1 (ko) * | 2013-09-03 | 2019-11-15 | 에스케이씨하이테크앤마케팅(주) | 소프트 몰드를 이용하여 광학필름을 제조하는 장치 및 방법 |
CN105313443A (zh) * | 2014-07-14 | 2016-02-10 | 太阳机电有限公司 | 用于移动设备和平板个人计算机的窗热转移装置和方法 |
CN117198903A (zh) * | 2014-07-20 | 2023-12-08 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 用于微转贴印刷的设备及方法 |
KR20170067665A (ko) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 주식회사 기가레인 | 임프린트 장치 및 방법 |
CN106079955A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-11-09 | 青岛海尔空调器有限总公司 | 模内转印方法、膜内转印装置和模内转印面板 |
KR101951997B1 (ko) * | 2016-11-09 | 2019-02-25 | 한국광기술원 | 대면적 마이크로 렌즈 어레이 제조방법 |
BE1024988B1 (nl) * | 2017-02-16 | 2018-09-13 | Unibind Limited | Inrichting voor het bedrukken van een voorwerp met een folie |
KR200489382Y1 (ko) * | 2019-01-22 | 2019-09-30 | 바이인터내셔널주식회사 | 열전사 장치 |
-
2020
- 2020-03-18 KR KR1020200033252A patent/KR102206491B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-18 KR KR1020200033253A patent/KR102206492B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-18 KR KR1020200033259A patent/KR102203205B1/ko active IP Right Grant
- 2020-10-09 CN CN202011074714.9A patent/CN112776464B/zh active Active
- 2020-10-13 TW TW111136867A patent/TWI818751B/zh active
- 2020-10-13 TW TW112131438A patent/TWI832796B/zh active
- 2020-10-13 TW TW109135273A patent/TWI785395B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011089836A1 (ja) * | 2010-01-19 | 2011-07-28 | 株式会社日立産機システム | パターン転写装置及びパターン転写方法 |
KR101114286B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2012-03-05 | (주)메카스 | 나노/마이크로 광소자용 임프린팅 스탬프 이형장치 |
KR20180105433A (ko) * | 2017-03-15 | 2018-09-28 | 주식회사 기가레인 | 임프린트 장치 및 임프린트 방법 |
TWI785395B (zh) * | 2019-11-04 | 2022-12-01 | 南韓商吉佳藍科技股份有限公司 | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102203205B1 (ko) | 2021-01-14 |
KR102206491B1 (ko) | 2021-01-22 |
TWI785395B (zh) | 2022-12-01 |
TW202347022A (zh) | 2023-12-01 |
TWI832796B (zh) | 2024-02-11 |
KR102206492B1 (ko) | 2021-01-22 |
CN112776464B (zh) | 2021-11-19 |
TW202305503A (zh) | 2023-02-01 |
CN112776464A (zh) | 2021-05-11 |
TW202119128A (zh) | 2021-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8946093B2 (en) | Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
US20070054097A1 (en) | Mold, imprint apparatus, and process for producing structure | |
JP2010067796A (ja) | インプリント装置 | |
KR101374001B1 (ko) | 임프린트 장치 및 제품 제조 방법 | |
JP6294679B2 (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
JP2010040879A (ja) | インプリント装置及びインプリント方法 | |
US10611063B2 (en) | Imprint apparatus, and method of manufacturing article | |
JP2013219333A (ja) | インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法 | |
JP2012234913A (ja) | インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法 | |
JP2017092396A (ja) | インプリント装置、及び物品の製造方法 | |
TWI818751B (zh) | 轉印裝置及利用其的實施了轉印的基板的生產方法 | |
KR20150140571A (ko) | 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법 | |
US20130113136A1 (en) | Imprint apparatus and method of manufacturing article | |
JP6234207B2 (ja) | インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 | |
JP2017199876A (ja) | インプリント方法及び物品の製造方法 | |
JP6445772B2 (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
TWI709161B (zh) | 壓印裝置及物品的製造方法 | |
KR20150131976A (ko) | 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 | |
JP5502592B2 (ja) | インプリント加工装置、インプリント加工方法およびインプリント加工物 | |
JP2019062164A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、インプリント材の配置パターンの決定方法、および物品の製造方法 | |
JP7410616B2 (ja) | 平坦化装置、物品の製造方法、平坦化方法及びインプリント装置 | |
JP7023744B2 (ja) | インプリント方法及び製造方法 | |
JP2012099789A (ja) | インプリント装置、及び、物品の製造方法 | |
JP7512132B2 (ja) | 平坦化装置、平坦化方法、物品の製造方法及びコンピュータプログラム | |
JP7112220B2 (ja) | 方法、装置、システム、および物品の製造方法 |