CN112776464A - 转印装置及利用其的实施了转印的基板的生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种转印装置及利用其的实施了转印的基板的生产方法。具体而言，根据本发明的一实施例，可以提供一种转印装置，其将粘接于膜的模的图案转印至基板，所述转印装置包括：脱模部，其能够在所述模的表面进行脱模性涂布；以及转印部，其能够将在所述脱模部进行脱模性涂布后的所述模的图案转印至基板。

Description

转印装置及利用其的实施了转印的基板的生产方法
技术领域
本发明涉及一种转印装置及利用其的实施了转印的基板的生产方法。
背景技术
以往，在半导体工艺中，为了在基板(例如，晶片(Wafer))的表面形成图案(例如，用于蚀刻或蒸镀的掩膜板图案)而利用光刻(Photo Lithography)工艺。这种光刻工艺是能够在基板表面涂布诸如光刻胶(Photoresist)的感光物质后照射光来形成期望的图案的工艺。
然而，通过光刻工艺将纳米尺度的图案形成于基板表面的工艺存在量产性较低的问题，近来，为了改善这种问题，利用纳米压印光刻(Nano Imprint Lithography)工艺。
纳米压印光刻工艺是一种能够经济有效地制作纳米结构物(nano-structure)的技术。具体地，纳米压印光刻工艺是利用转印装置(Transfer Apparatus)对形成有纳米尺度(nano-scale)的图案的模(Mold)和形成有树脂(Resin)的基板相互加压来将图案转印于基板表面的工艺。这种纳米压印光刻工艺中使用的转印装置通过将模的图案压接于基板之后从基板分离模来执行工艺。
但是，就以往的转印装置而言，由于模的脱模性较低，同一个模使用多次后，模的转印效率下降，因而模以一次性地进行使用，为了改善这样的模的再使用性，曾利用旋涂将脱模剂涂布于模来进行使用。
然而，当利用旋涂将脱模剂涂布于模来进行使用时，虽然模的再使用性增加，但由于脱模剂不均匀地涂布于模，因而存在涂布物成团或涂布时会留有异物的问题。此外，当将模的图案形成为50nm以下的微细图案时，涂布进行得较厚的旋涂会覆盖微细图案，因而存在难以将微细图案转印于基板的问题。
此外，就以往的转印装置而言，转印模的空间与分离模的空间彼此分离着，为此追加模移动的工艺，因而存在工艺的效率下降的问题。
因此，需要一种将脱模剂均匀地涂布于模，且涂布时不会留有异物的转印装置，且需要一种能够增加模的再使用性的转印装置。
此外，需要一种能够通过省略模移动的工艺来提高工艺的效率的转印装置。
发明内容
技术问题
本发明的一些实施例着眼于如上所述的背景而发明，旨在提供一种能够通过降低形成有图案的模的更换周期来提高在基板表面形成图案的工艺的效率的转印装置。
此外，旨在提供一种去除模表面的异物来防止对模进行脱模性涂布时夹杂异物而成为不良的转印装置。
此外，旨在提供一种能够省略模移动的工艺的转印装置。
技术方案
根据本发明的一方面，可以提供一种转印装置，其将粘接于膜的模的图案转印至基板，所述转印装置包括：脱模部，其能够在所述模的表面进行脱模性涂布；以及转印部，其能够将在所述脱模部进行脱模性涂布后的所述模的图案转印至基板，所述脱模部包括：等离子体处理模块，其以在对所述模的表面进行脱模性涂布之前利用等离子体处理所述模的表面的方式工作；以及蒸镀模块，其在进行所述等离子体处理后的模的表面进行脱模性涂布。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，其将粘接于膜的模的图转印移至基板，所述转印装置包括：脱模部，其能够在所述模的表面进行脱模性涂布；以及转印部，其能够将在所述脱模部进行脱模性涂布后的所述模的图案转印至基板，所述脱模部包括能够在所述模的表面进行脱模性涂布的蒸镀模块，在所述膜粘接有多个模，所述蒸镀模块中模所在的区域的中心点与所述转印部中模所在的区域的中心点之间的间距与相邻地配置于所述膜上的模的中心点之间的间距相同。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述蒸镀模块通过使脱模剂气相化，并将气相化后的所述脱模剂提供至所述模的表面来涂布所述模的表面。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述转印部构成为，当所述等离子体处理模块执行一次利用所述等离子体处理所述模的表面的过程，且所述蒸镀模块执行一次对所述模的表面进行脱模性涂布的过程时，执行多次将所述模的图案压接于脱模性涂布后的述基板的过程和从所述基板分离所述模的过程。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述转印部包括：压接模块，其能够使所述模和所述基板压接来将所述模的图案压接于基板；以及脱模单元，其在由所述压接模块将所述模的图案压接于所述基板时从所述基板分离所述模。
此外，可以提供一种转印装置，其还包括：膜供给部，其能够向所述脱模部供给粘接有所述模的所述膜；以及膜回收部，其能够回收并卷取所述膜，在被卷取于所述膜回收部的所述膜粘接有脱模性下降至规定范围以下的所述模。
此外，可以提供一种转印装置，其还包括：位置检测部，其配置于所述蒸镀模块与所述转印部之间，由此检测先行的模位于所述转印部且后行的模位于所述蒸镀模。
此外，可以提供一种转印装置，其还包括：膜供给部及膜回收部，其为了使所述膜移动而旋转，所述转印部构成为，在所述膜供给部及所述膜回收部中的一个以上未旋转的状态下，反复执行规定次数以上的将所述模的图案压接于所述基板的过程和从所述基板分离所述模的过程，所述转印装置还包括：控制部，其从所述位置检测部接收所述模的位置信息来控制所述膜供给部及膜回收部中的一个以上的驱动。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括蒸镀模块，该蒸镀模块包括：第一腔室部；第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；以及流体供给部，其向所述涂布空间供给气相化的脱模剂，以便能够涂布所述模的表面，所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，所述流体供给部包括：罐，其能够容纳液体状态的所述脱模剂；以及起泡器，其能够向容纳于所述罐的液体状态的所述脱模剂供给规定压力以上的气体来使所述脱模剂气相化。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述起泡器通过在容纳于所述罐的所述脱模剂的表面的下方向所述脱模剂排出所述气体来使所述脱模剂气相化。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述蒸镀模块还包括：喷射装置，其能够通过在从液体状态的所述脱模剂的表面向上侧隔开规定距离的位置喷射所述气体来防止气相化的所述脱模剂成团。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括蒸镀模块，该蒸镀模块包括：第一腔室部；第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；以及流体供给部，其向所述涂布空间供给脱模剂，以便能够对所述模的表面进行脱模性涂布，所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，在所述第二腔室部形成有流入口，该流入口的一侧与所述流体供给部连通，另一侧与所述涂布空间连通，所述流入口配置于比所述模靠下方。
此外，可以提供一种转印装置，其中，在所述第二腔室部形成有排出口，该排出口用于向外部排出通过所述流入口流入所述涂布空间的所述脱模剂，从所述流入口流入所述涂布空间的所述脱模剂在通过所述排出口被排出至外部的期间与所述模的表面接触。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括蒸镀模块，该蒸镀模块包括：第一腔室部；第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；以及流体供给部，其向所述涂布空间供给脱模剂，以便能够对所述模的表面进行脱模性涂布，所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，所述第二腔室部包括：腔室底座；腔室凸出部，其从所述腔室底座凸出形成；以及腔室侧壁，其从所述腔室底座沿所述腔室底座的边缘延伸形成，且与所述腔室凸出部隔开规定距离而包围所述腔室凸出部。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述第二腔室部包括：流入口，其形成于所述腔室侧壁，且一侧与所述流体供给部连通，另一侧与所述涂布空间连通；以及排出口，其形成于腔室凸出部，用于向外部排出通过所述流入口流入所述涂布空间的所述脱模剂，从所述流入口流入所述涂布空间的所述脱模剂在通过所述排出口被排出至外部的期间与所述模的表面接触。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述流入口形成于所述腔室侧壁，且配置于比所述腔室凸出部的上面靠下方。
此外，可以提供一种转印装置，其中，在所述腔室底座的边缘，在与所述流入口对应的位置形成有具有从所述腔室凸出部的上面向下侧凹陷的形状的凹部。
此外，可以提供一种转印装置，其中，设有多个所述流入口，所述多个流入口中的至少一部分配置为彼此相向，所述排出口以配置于彼此相向的所述流入口之间的方式形成于所述第二腔室部的中心部。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括蒸镀模块，该蒸镀模块包括：第一腔室部；第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；以及流体供给部，其向所述涂布空间供给脱模剂，以便能够对所述模的表面进行脱模性涂布，所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，所述涂布空间的内部以膜为基准被划分为上侧空间和下侧空间，在所述第一腔室部形成有气体排出口，该气体排出口用于向外部排出所述涂布空间的内部中以所述膜为基准残留于上侧空间的气体，在所述第二腔室部形成有排出口，该排出口用于向外部排出所述涂布空间的内部中以所述膜为基准残留于下侧空间的脱模剂。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述蒸镀模块还包括：加热器，其通过加热所述第一腔室部及所述第二腔室部中的一个以上来将涂布空间的温度维持在30℃至80℃的范围内。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括蒸镀模块，该蒸镀模块包括：第一腔室部；第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；以及流体供给部，其向所述涂布空间供给脱模剂，以便能够对所述模的表面进行脱模性涂布，所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，所述蒸镀模块还包括蒸镀密封部，该蒸镀密封部包围所述涂布空间，以进行所述第一腔室部与所述第二腔室部之间的密封，所述蒸镀密封部包括设于所述第一腔室部的第一蒸镀密封部件及设于所述第二腔室部的第二蒸镀密封部件，所述第一蒸镀密封部件及所述第二蒸镀密封部件中的某一个在不与另一个贴紧时具有平面形状，所述另一个在不与所述某一个贴紧时具有圆弧形状。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括蒸镀模块和等离子体处理模块，所述蒸镀模块包括：第一腔室部；第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；流体供给部，其向所述涂布空间供给脱模剂，以便能够对所述模的表面进行脱模性涂布，所述等离子体处理模块利用等离子体处理所述模的表面，以对所述模的表面进行改质，所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，所述蒸镀模块对由所述等离子体处理模块对所述表面进行等离子体处理后的模的表面进行脱模性涂布。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括：压接模块，其包括能够朝向在一面粘接有形成有图案的模的膜移动的第一压接单元和能够支撑基板的第二压接单元；以及脱模单元，其包括第一辊部，该第一辊部在作为所述膜的一面的相反侧的所述膜的另一面支撑所述膜，所述第一压接单元与所述第二压接单元在所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动而相互贴紧来将形成于所述模的图案压接于所述基板，所述第一辊部向所述第一压接单元与所述第二压接单元之间的将所述基板压接于所述模的空间移动来从所述基板分离被压接于所述基板的所述模。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述脱模单元还包括第二辊部，其以使所述膜向包围所述第一辊部的一部分的方向弯曲的方式支撑所述膜。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述第二压接单元包括基板安放部，其能够在由所述压接模块将所述模加压于所述基板并由所述脱模单元从所述基板分离所述模时支撑所述基板，在所述基板安放部形成有能够吸附所述基板的吸附口，以防止在将所述模加压于所述基板并从所述基板分离所述模时所述基板从所述第二压接单元脱离。
此外，可以提供一种转印装置，其还包括：框架，其能够支撑所述压接模块及所述脱模单元，所述第一压接单元与所述第二压接单元以支撑于所述框架的状态相对于彼此移动，所述脱模单元以支撑于所述框架的状态相对于所述模移动。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括：压接模块，其包括能够朝向在一面粘接有形成有图案的模的膜移动的第一压接单元和能够支撑基板的第二压接单元；以及框架，其能够支撑所述压接模块，所述第一压接单元与所述第二压接单元在所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动而相互贴紧来将形成于所述模的图案压接于所述基板，所述框架包括第一框架部及第二框架部，所述第一压接单元包括：第一压接体，其能够对所述模加压；以及第一导向部件，其固定支撑于所述第一框架部，且能够对所述第一压接体的移动进行导向，所述第二压接单元包括：第二压接体，其能够支撑所述基板；以及第二导向部件，其固定支撑于所述第二框架部，且能够对所述第二压接体的移动进行导向，所述第一压接体和所述第二压接体分别通过所述第一导向部件和所述第二导向部件进行移动导向来相对于所述框架升降。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述第一压接单元包括：第一压接体，其能够对所述模加压；第一支撑部，其能够支撑所述第一压接体；以及推挤防止部，其一端固定支撑于所述第一框架部，另一端支撑于所述第一支撑部，所述推挤防止部能够通过在所述第二压接单元为了对所述基板加压而上升时对所述第一支撑部加压来防止因所述第二压接单元上升而导致所述第一压接体被推挤至上侧。
此外，可以提供一种转印装置，其还包括：脱模单元，其移动至所述第一压接单元与所述第二压接单元之间的将所述基板压接于所述模的空间来从所述基板分离被压接于所述基板的所述模，所述框架还包括第三框架部，所述脱模单元包括：辊部，其能够从所述基板分离被压接于所述基板的所述模；以及辊导向部件，其固定支撑于所述第三框架部，且能够对所述辊部的移动进行导向，所述辊部通过所述辊导向部件进行移动导向来相对于所述框架移动。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述第一框架部、所述第二框架部及所述第三框架部相对于彼此被一体地固定支撑。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括：压接模块，其包括能够朝向在一面粘接有形成有图案的模的膜移动的第一压接单元和能够支撑基板的第二压接单元；以及检测单元，其能够检测所述压接模块的第一停止位置、第二停止位置及减速位置，所述第一压接单元与所述第二压接单元在所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动而相互贴紧来将形成于所述模的图案压接于所述基板，所述减速位置位于所述第一停止位置与所述第二停止位置之间，所述压接模块被驱动为，当在从所述第一停止位置移动至所述第二停止位置的期间到达所述减速位置时减速。
此外，可以提供一种转印装置，其还包括：控制部，其从所述检测单元接收所述压接模块的位置信息来控制所述压接模块的驱动。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括：脱模单元，其能够将在作为膜的一面的相反侧的所述膜的另一面支撑所述膜的第一辊部移动至基板侧来从所述基板分离被压接于所述基板的所述模；以及检测单元，其能够检测所述脱模单元的第一停止位置、第二停止位置及减速位置，所述减速位置位于所述第一停止位置与所述第二停止位置之间，所述脱模单元被驱动为，当在从所述第一停止位置移动至所述第二停止位置的期间到达所述减速位置时减速。
此外，可以提供一种转印装置，其还包括：控制部，其从所述检测单元接收所述压接模块的位置信息来控制所述脱模单元的驱动。
此外，可以提供一种转印装置，其中，所述检测单元包括：第一停止位置检测传感器，其用于检测所述第一停止位置；减速位置检测传感器，其用于检测所述减速位置；以及第二停止位置检测传感器，其用于检测所述第二停止位置。
根据本发明的另一方面，可以提供一种转印装置，包括：第一压接单元，其能够朝向在一面粘接有形成有图案的模的膜移动；第二压接单元，其能够支撑基板；压接密封部，其包括插入于所述第一压接单元的第一压接密封部件、以及插入于所述第二压接单元且具有与所述第一压接密封部件不同的形状的第二压接密封部件，所述第一压接单元与所述第二压接单元在所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动而相互贴紧来将形成于所述模的图案压接于所述基板，所述第一压接密封部件及所述第二压接密封部件中的某一个在不与另一个贴紧时具有平面形状，且所述另一个在不与所述某一贴紧时具有圆弧形状。
根据本发明的另一方面，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其生产转印有粘接于膜的模的图案的基板，所述实施了转印的基板的生产方法包括：利用等离子体处理所述模的表面的等离子体处理步骤；在进行所述等离子体处理后的模的表面进行脱模性涂布的脱模性涂布步骤；以及将通过所述脱模性涂布步骤进行脱模性涂布后的所述模的图案转印于基板的转印步骤。
根据本发明的另一方面，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其生产转印有粘接于膜的模的图案的基板，所述实施了转印的基板的生产方法包括：在所述模的表面进行脱模性涂布的脱模性涂布步骤；以及将通过所述脱模性涂布步骤进行脱模性涂布后的所述模的图案转印于基板的转印步骤，在位置检测部检测到模分别位于用于执行所述脱模性涂布步骤的蒸镀模块和用于执行所述转印步骤的转印部之后执行所述脱模性涂布步骤和所述转印步骤。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其中，所述转印步骤包括：使所述模和所述基板相互压接的压接步骤；以及从所述基板分离所述模的分离步骤，在为了使所述膜移动而旋转的膜供给部及膜回收部中的一个以上未旋转的状态下执行所述压接步骤和所述分离步骤。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其还包括：从所述基板分离所述模的分离步骤，当执行一次所述等离子体处理步骤和所述脱模性涂布步骤时，执行多次所述转印步骤和所述分离步骤。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其还包括：当执行多次所述压接步骤和所述分离步骤使得所述模的脱模性下降至规定范围以下时，回收粘接有所述模的所述膜的膜回收步骤。
根据本发明的另一方面，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其生产转印有粘接于膜的模的图案的基板，所述实施了转印的基板的生产方法包括：在所述模的表面进行脱模性涂布的脱模涂布步骤，所述脱模涂布步骤包括：使第一腔室部和第二腔室部密闭来形成涂布空间的空间形成步骤；向所述涂布空间供给气相化的脱模剂的脱模剂供给步骤；以及在向所述涂布空间供给所述气相化的脱模剂之后，向涂布空间供给气体的吹扫步骤，在所述脱模剂供给步骤中，通过起泡器向容纳于罐的液体状态的脱模剂供给规定压力以上的气体来使所述脱模剂气相化，并将所述气相化的脱模剂供给至所述涂布空间，所述第二腔室部配置于比所述第一腔室部靠下方，所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其还包括：供给至所述涂布空间的所述气相化的脱模剂在涂布模的表面之后被排出至外部。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其还包括：对所述模的表面进行等离子体处理，以对所述模的表面进行改质的等离子体处理步骤，在所述脱模涂布步骤之前执行所述等离子体处理步骤。
根据本发明的另一方面，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，包括：使第一压接单元和第二压接单元由一面粘接有形成有图案的模的膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动来将所述模压接于基板的压接步骤；以及使脱模单元移动至所述基板侧来使在所述压接步骤中压接于所述基板的所述模从所述基板分离的分离步骤，其中，所述脱模单元包括第一辊部，该第一辊部在作为所述膜的一面的相反侧的所述膜的另一面支撑所述膜，所述分离步骤包括：使所述脱模单元移动至所述第一压接单元与所述第二压接单元之间的将所述基板压接于所述模的空间来从所述基板分离被压接于所述基板的所述模的脱模单元移动步骤。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其中，所述压接步骤包括：使所述第一压接单元及所述第二压接单元由所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动的压接单元靠近步骤；使所述第二压接单元的波纹管朝向所述第一压接单元延伸来使所述基板的周围的空间相对于外部密闭的密闭步骤；以及向外部排出残留于所述波纹管的内部的密闭的空间的气体的气体排出步骤。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，其中，所述分离步骤还包括：在通过所述压接步骤将所述模的图案转印于所述基板后，使所述第一压接单元上升的压接单元上升步骤。
此外，可以提供一种实施了转印的基板的生产方法，在为了使所述膜移动而旋转的膜供给部及膜回收部中的一个以上未旋转的状态下，反复执行规定次数的所述压接步骤和所述分离步骤。
发明的效果
本发明的一些实施例是着眼于如上所述的背景发明的，通过对模的表面进行脱模性涂布，具有能够改善模表面的脱模性的效果。
此外，通过改善模表面的脱模性，能够利用一个模将图案转印于多个基板，从而具有能够改善模的再使用性的效果。
此外，通过缩短模的更换周期，具有能够缩短将图案转印于基板的时间，且提高工艺的效率的效果。
此外，通过省略使模与基板相互压接的工艺与使模与基板相互分离的工艺之间的使模移动至能够从基板分离模的位置的过程，具有能够提高工艺的效率的效果。
附图说明
图1是本发明的一实施例的转印装置的概念图。
图2是图1的转印装置的平面图。
图3是图1的脱模部的分解立体图。
图4是沿图3的A-A'剖切的剖视图。
图5是在图1的第二腔室部上升时沿A-A'剖切的剖视图。
图6是图1的转印部的立体图。
图7是图6的分解立体图。
图8是沿图6的B-B'剖切的剖视图。
图9a是在图6的压接模块为了对模和基板加压而移动时沿B-B'剖切的剖视图。
图9b的(a)是当图9a的波纹管缩小时放大C部分的放大图，图9b的(b)是当9a的波纹管伸长时放大C部分的放大图。
图10是在图6的第一压接单元上升时沿B-B'剖切的剖视图。
图11时在图6的脱模单元从基板分离模时沿B-B'进行剖切的剖视图。
图12是在图6的脱模单元从基板分离模之后移动时沿B-B'进行剖切的剖视图。
图13是图7的下部框架和第二压接单元的立体图。
图14的(a)是图6的脱模单元的仰视图，图14的(b)是在图6的脱模单元朝向模移动时的脱模单元的仰视图。
图15是示意性地示出利用本发明的一实施例的转印装置转印图案后的基板的生产方法的顺序图。
附图标记
1：转印装置，10：膜，20：模，30：基板，100：基板收纳部，200：旋涂机，210：冷却板，300：整列单元，400：膜供给部，500：进料辊，600：保护膜回收部，700：脱模部，710：等离子体处理模块，711：等离子体生成部，712：导向辊，720：蒸镀模块，721：第一腔室部，721a：第一腔室槽，721b：气体排出口，722：第二腔室部，722a：腔室底座，722b：腔室侧壁，722b-1：流入口，722b-2：第二腔室槽，722c：腔室凸出部，722c-1：排出口，722c-2：凹部，723：流体供给部，723a：流体容纳体，723b：罐，723c：起泡器，723d：第一供给流路，723e：第二供给流路，723f：喷射装置，724：气体排出部，724a：排出流路，724b：排出泵，725：蒸镀密封部，725a：第一蒸镀密封部件，725b：第二蒸镀密封部件，726：腔室驱动器，727：加热器，728：压力调节部，728a：压力调节流路，800：转印部，810：框架，811：第一框架部，812：第二框架部，813：第三框架部，820：压接模块，821：第一压接单元，821a：第一压接体，821a-1：第一密封槽，821b：第一支撑部，821c：照射部，821d：推挤防止部，821d-1：支撑部件，821d-2：旋转部件，821e：第一导向部件，821f：固定件，822：第二压接单元，822a：第二压接体，822a-1：基板安放部，822a-2：波纹管安放部，822a-3：吸附口，822a-4：排气口，822b：波纹管，822b-1：第二密封槽，822c：升降缸，822d：第二支撑部，822e：第二导向部件，823：排气部，823a：排气通道，823b：排气泵，824：吸附部，824a：吸附通道，824b：吸附泵，825：驱动部，825a：第一驱动器，825b：第二驱动器，826：压接密封部，826a：第一压接密封部件，826b：第二压接密封部件，830：脱模单元，831：第一辊部，832：第二辊部，833：辊支撑部，834：辊导向部件，835：辊驱动器，840：检测单元，841：第1传感器部，841a：第1-1传感器，841b：第1-2传感器，841c：第1-3传感器，842：第2传感器部，842a：第2-1传感器，842b：第2-2传感器，842c：第2-3传感器，843：第3传感器部，843a：第3-1传感器，843b：第3-2传感器，843c：第3-3传感器，900：膜回收部，T：移送单元。
具体实施方式
下面参照附图对用于实现本发明的思想的具体实施例进行详细说明。
同时，在说明本发明时，当判断为对相关的公知配置或功能的具体说明可能使本发明的要旨不清楚时，省略其详细的说明。
此外，当提及某一构成要素“连接于”、“支撑于”、“流入”、“供给至”、“流动至”、“结合于”另一构成要素时，应理解为可能直接连接于、支撑于、流入、供给至、流动至、结合于该另一构成要素，但中间也可能存在别的构成要素。
本说明书中使用的术语仅为说明特定的实施例而使用，而并非以限定本发明的意图使用的。除非上下文中明确不同地定义，单数的表述包括复数的表述。
此外，如第一、第二等包括序数的术语可以用于说明多样的构成要素，但这些构成要素不应为这样的术语所限定。这些术语仅用作区分一构成要素与另一构成要素的目的。
说明书中使用的“包括”的含义使特定特性、区域、定数、步骤、动作、要素和/或成分具体化，并非排除别的特定特性、区域、定数、步骤，动作、要素，成分和/或组的存在或附加。
此外，需要预先说明的是，本说明书中的上部、下部、上侧、下侧等表述是以图中所示为基准说明的，当该对象的方向发生变化时，可能会不同地进行表述。另一方面，本说明书中的上下方向可以是图1、3、7的上下方向。此外，左右方向可以是图1、3及7的左右方向。
下面参照附图对本发明的一实施例的转印装置1的具体配置进行说明。
如下，参照图1，本发明的一实施例的转印装置1可以对粘接于膜10的模20和基板30加压来将形成于模20的图案转印于基板30。这样的转印装置1可以使膜10向一方向移动来使模20移动。此外，转印装置1可以通过对模20的表面进行脱模性涂布，反复使用一个模20在多个基板30形成图案。这样的转印装置1可以包括基板收纳部100、旋涂机200、整列单元300、膜供给部400、进料辊500、保护膜回收部600、脱模部700、转印部800、膜回收部900。
膜10可以通过转印装置1以依次经由膜供给部400、脱模部700、转印部800及膜回收部900的方式移动。这里，膜供给部400可以是上游侧，膜回收部900可以是下游侧。
参照图2，基板收纳部100可以提供收纳在转印部800转印图案之前的基板30的空间。这样的基板收纳部100可以层叠式地收纳多个基板30。此外，收纳于基板收纳部100的基板30可以由金属、硅、蓝宝石、玻璃等制作。这样的基板30可以由移送单元T从基板收纳部100抽出并移送至旋涂机200。例如，移送单元T可以是机械臂。此外，基板收纳部100可以提供收纳在转印部800转印图案之后的基板30的空间。这样的转印有图案的基板30可以由移送单元T从转印部800移送并收纳于基板收纳部100。此外，在基板收纳部100，收纳转印图案之前的基板30的空间与收纳转印图案之后的基板30的空间可以分离。
旋涂机200可以通过旋涂(Spin Coating)方式将树脂以规定厚度均匀地涂布于从基板收纳部100移送的基板30的表面。这里，对旋涂方式进行简要的说明，在旋涂方式中，将基板30置于进行旋转运动的支撑体上，并将液状的流动性树脂滴于基板30的表面。此时，可以通过利用支撑体的高速旋转产生的离心力使流动性树脂以规定的厚度均匀地蔓延于基板30的表面来用树脂涂布基板30的表面。这样的涂布于基板30的表面的树脂可以包括具有通过UV(Ultra Violet，紫外光)发生反应而硬化的性质的公知的所有光硬化性树脂。例如，树脂可以包括丙烯酸系硬化树脂。这样的基板30可以在被移送至旋涂机200之前被移送至冷却板210，以使表面被树脂均匀地涂布。此外，基板30在冷却板210被调节至规定范围的温度之后，可以再被移送至旋涂机200。例如，冷却板210可以将基板30的温度调节至30℃以下。在旋涂机200涂布树脂后的基板30可以被移送单元T移送至整列单元300。
另一方面，以下，即使不另行说明，基板30可以被定义为通过旋涂机200涂布树脂后的基板30，将模20的图案转印于基板30可以意指将模20的图案转印于形成在基板30的树脂。
整列单元300可以在由旋涂机200涂布的基板30被移送至转印部800之前朝已设定的方向对基板30进行整列。这样的整列单元300可以通过使基板30向水平方向旋转，以使形成在基板30的孔(厚度方向贯通孔或侧面凹槽，未图示)朝向已设定的方向的方式对基板30进行整列。此外，可以朝与待后述的模20的图案对应的方向对基板30进行整列。例如，整列单元300可以通过光传感器对基板30进行整列。作为更详细的示例，整列单元300可以包括能够照射激光等的发光部件(未图示)和能够识别激光等的收光部件(未图示)。这样的发光部件可以向基板30侧照射激光，收光部件可以识别通过了形成在基板30的一侧的孔的激光。从而，可以将基板30置于进行旋转运动的支撑体上，并在基板30通过支撑体旋转的过程中基板30的孔朝向已设定的方向时，由收光部件通过孔识别由发光部件照射的激光，且基板30的旋转可以停止。如此，当在整列单元300以基板30朝向已设定的方向的方式进行整列时，可以通过移送单元T移送至转印部800。
膜供给部400可以支撑卷取的膜10。此外，通过膜供给部400旋转，可以向脱模部700连续地供给所卷取的膜10。此外，在卷取于膜供给部400的膜10，可以粘接有形成有图案的模20。在膜10，可以沿膜10延伸的方向隔开规定距离而排列有多个模20。如此，在卷取于膜供给部400的膜10，可以在膜10的两面粘接保护膜，以防止粘接有模20的面和其相反面粘接。这样的膜供给部400可以以通过驱动器旋转的方式进行驱动。此外，膜供给部400可以向一方向旋转来使膜10从膜供给部400移动至膜回收部900。另一方面，由膜供给部400供给的膜10例如可以是树脂膜。
膜回收部900可以向一方向旋转来回收并卷取从膜供给部400供给的膜10。粘接于这样的被卷取于膜回收部900的膜10的模20可能是脱模性下降至规定范围以下的模20。换言之，为了将图案转印于基板30而使用多次的模20的脱模性可能下降至规定范围以下，由于脱模性下降的模20无法将图案转印于基板30，因而可以被回收至膜回收部900。这样的膜回收部900可以以通过驱动器旋转的方式进行驱动。此外，膜回收部900可以向一方向旋转来将膜10从膜供给部400移动至膜回收部900。例如，膜回收部900可以与膜供给部400同时旋转来移送膜10。但是，这只是一示例，膜回收部900可以以与膜供给部400独立地旋转的方式进行驱动。此外，由于膜回收部900的旋转力大于膜供给部400的旋转力，因而膜回收部900的旋转可以使膜供给部400旋转。从而，也可以通过膜供给部400及膜回收部900中的某一个向一方向旋转来使膜10移动。这样的膜10可以以在移动的过程中依次经由脱模部700、转印部800的方式由上游侧移动至下游侧。
进料辊500可以对膜10的移动进行导向，且可以支撑膜10。可以设有多个这样的进料辊500，多个进料辊500可以配置于膜10的移动路径。例如，进料辊500可以配置于膜供给部400、保护膜回收部600、脱模部700、转印部800、膜回收部900中的至少一部分之间。此外，多个进料辊500可以是通过膜10的移动等旋转的被动辊。
保护膜回收部600可以回收粘接于膜10的保护膜。可以设有多个这样的保护膜回收部600，以分别回收粘接在膜10的两面的保护膜。此外，保护膜回收部600可以在模20被移送至脱模部700之前从膜10回收保护膜。
参照图3，脱模部700可以对模20的表面进行脱模性涂布，以改善模20的表面的脱模性。这样的脱模部700可以向模20的表面供给脱模剂，以对模20的表面进行脱模性涂布。这样的脱模剂可以包括氟系脱模剂及硅系脱模剂中的一个以上。此外，脱模部700可以在对模20的表面进行脱模性涂布之前通过等离子体(Plasma)对模20的表面进行等离子体处理。这样的脱模部700可以包括等离子体处理模块710及蒸镀模块720。
等离子体处理模块710可以在对模20的表面进行脱模性涂布之前对模20的表面进行等离子体处理来对模20的表面进行改质，以提高模20的表面与脱模剂之间的粘接力。此外，等离子体处理模块710可以在涂布脱模剂之前对模20的表面进行等离子体处理来清洗模20的表面，以防止在模20的表面在留有异物的状态下对模20进行脱模性涂布。例如，等离子体处理模块710是常压等离子体生成装置，其可以以氩气(Ar)，氮气(N2)及氧气(O2)中的一个以上为媒介生成等离子体。此外，等离子体处理模块710可以包括等离子体生成部711及导向辊712，所述等离子体生成部711在模20的表面生成等离子体，以顺畅地进行等离子体处理，所述导向辊712在膜10的上部对膜10的位置进行导向，以维持模20的表面维与等离子体生成部711的间距为一定间距以下。在这样的等离子体处理模块710对表面进行等离子体处理的模20可以被移送至蒸镀模块720。
如此，等离子体处理模块710具有对模20的表面进行改质来提高模20的表面与脱模剂之间的粘接力的效果。此外，具有通过清洗模20的表面来防止因在模20的表面落有异物的状态下进行脱模性涂布而发生不良的现象的效果。
蒸镀模块720可以利用脱模剂涂布模20的表面。换言之，蒸镀模块720可以利用脱模剂涂布通过等离子体处理模块710对表面进行等离子体处理后的模20的表面。此外，蒸镀模块720可以比等离子体处理模块710配置于下游。这样的蒸镀模块720可以利用脱模剂涂布模20的表面来改善模20的表面的脱模性。加之，蒸镀模块720可以以由一个模20转印多个基板30的方式改善模20的表面的脱模性，由此能够改善模20的再使用性。此外，蒸镀模块720能够对脱模剂进行气相化。此外，蒸镀模块720能够将气相化的脱模剂供给至模20的表面来将脱模剂均匀地涂布于模20的表面。这样的蒸镀模块720可以包括第一腔室部721、第二腔室部722、流体供给部723、气体排出部724、蒸镀密封部725、腔室驱动器726、加热器727、以及压力调节部728。
参照图4和图5，第一腔室部721及第二腔室部722可以提供在模20的表面利用脱模剂进行涂布的涂布空间T。这样的涂布空间T可以被定义为当第一腔室部721与第二腔室部722贴紧时形成于第一腔室部721与第二腔室部722的内部的空间。此外，涂布空间T可以是第二腔室部722通过腔室驱动器726朝向第一腔室部721上升，使得第一腔室部721与第二腔室部722彼此间贴紧来形成的。这里，第二腔室部722和第一腔室部721贴紧的含义指，虽然膜10介于第一腔室部721与第二腔室部722之间，但涂布空间T与外部呈密闭状态。另一方面，涂布空间T可以提供配置模20的空间及在模20的表面供给脱模剂的空间。
可以在第一腔室部721形成能够插入待后述的第一蒸镀密封部件725a的第一腔室槽721a。这样的第一腔室槽721a可以在第一腔室部721第二腔室部722贴紧时与后述的第二腔室槽722b-2的位置对应地形成于第一腔室部721。
此外，可以在第一腔室部721形成用于残留在涂布空间T的内部上侧的气体流动的气体排出口721b。这样的气体排出口721b的一侧可以与涂布空间T连通，另一侧可以与压力调节流路728a连通。例如，气体排出口721b可以形成于第一腔室部721的中心部，且可以在气体排出口721b的下侧配置模20。
第二腔室部722可以隔着膜10和模20与第一腔室部721贴紧来形成涂布空间T。这样的第二腔室部722可以通过腔室驱动器726朝向第一腔室部721上升。第二腔室部722可以包括腔室底座722a、腔室侧壁722b及腔室凸出部722c。
腔室底座722a可以支撑腔室侧壁722b及腔室凸出部722c，且可以被腔室驱动器726支撑。
腔室侧壁722b可以从腔室底座722a向上侧凸出形成，且可以沿腔室底座722a的边缘延伸形成。此外，可以在腔室侧壁722b形成能够插入待后述的第二蒸镀密封部件725b的第二腔室槽722b-2。这样的第二腔室槽722b-2可以在第一腔室部721与第二腔室部722贴紧时与第一腔室槽721a的位置对应地形成于第二腔室部722。这样的腔室侧壁722b可以形成为与腔室凸出部722c隔开规定距离而包围腔室凸出部722c。此外，可以在腔室侧壁722b形成用于脱模剂流动的流入口722b-1。
流入口722b-1可以提供用于从流体供给部723流入的脱模剂向涂布空间T流动的通道。这样的流入口722b-1的一侧可以与流体供给部723的待后述的第二供给流路723e连通，另一侧可以与涂布空间T连通。此外，可以形成有多个流入口722b-1，多个流入口722b-1可以配置为沿腔室侧壁722b的周向隔开。例如，可以设有4个流入口722b-1。如此，流入口722b-1形成于彼此不同的位置的腔室侧壁722b，使得通过流入口722b-1流入的脱模剂在彼此不同的方向朝向模20流动。另一方面，通过流入口722b-1流入涂布空间T的脱模剂可以在涂布空间T内流动而与模20的表面接触来涂布模20的表面。
另一方面，流入口722b-1可以位于模20的下侧，以防止与从涂布空间T连通的一侧喷射而朝向模20流动的脱模剂被直接喷射至模20。这里，模20的下侧指比以经过模20的表面中不粘接于膜10的表面的方式延伸的虚拟的平面更下侧的位置。如此，流入口722b-1配置于模20的下侧，使得从流入口722b-1朝向模20流动的脱模剂能够在涂布空间T均匀地分散，且能够均匀地涂布模20的表面。
可以在腔室侧壁722b形成能够插入待后述的第二蒸镀密封部件725b的第二腔室槽722b-2。这样的第二腔室槽722b-2可以在第一腔室部721与第二腔室部722贴紧时与第一腔室槽721a的位置对应地形成于第二腔室部722。
腔室凸出部722c可以从腔室底座722a凸出形成。这样的腔室凸出部722c可以被腔室侧壁722b包围，且可以以与腔室侧壁722b隔开规定距离的方式形成于腔室底座722a。此外，可以在腔室凸出部722c形成排出口722c-1。
排出口722c-1可以提供用于向外部排出通过流入口722b-1流入涂布空间T的脱模剂的通道。这样的通过流入口722b-1流入涂布空间T的脱模剂可以在涂布模20的表面之后朝向排出口722c-1被排出至外部。此外，排出口722c-1的一侧可以与涂布空间T连通，排出口722c-1的另一侧可以与气体排出部724连通。排出口722c-1可以通过涂布空间T与流入口722b-1连通。另一方面，排出口722c-1可以形成于腔室凸出部722c的中心部，且可以在排出口722c-1的上侧配置模20。如此，排出口722c-1形成于腔室凸出部722c的中心部，且在其上侧配置模20，使得通过多个流入口722b-1流入的脱模剂能够在彼此不同的方向涂布模20的表面之后被排出至外部。
另一方面，腔室凸出部722c可以以腔室凸出部722c的上面比流入口722b-1配置于上侧的方式形成于腔室底座722a。换言之，腔室凸出部722c可以以从腔室底座722a至腔室凸出部722c的上面的距离比从腔室底座722a至流入口722b-1的距离长的方式形成于腔室底座722a。如此，流入口722b-1比腔室凸出部722c的上面形成于下侧，从而能够通过腔室凸出部722c改变通过流入口722b-1流入涂布空间T的脱模剂的流动方向，且脱模剂能够在涂布空间T内均匀地分散。此外，排出口722c-1可以改变通过多个流入口722b-1流入的脱模剂的流动方向，以使脱模剂在涂布空间T内分散。从而，模20的表面可以被脱模剂均匀地涂布。
如此，第一腔室部721及第二腔室部722具有能够利用脱模剂均匀地涂布模20的表面的效果。
再次参照图3，可以在腔室凸出部722c形成能够分散通过流入口722b-1流入涂布空间T的脱模剂的凹部722c-2。这样的凹部722c-2可以形成为具有从腔室凸出部722c的上面向下侧凹陷的形状，且可以形成于腔室凸出部722c的边缘。如此，凹部722c-2引入形成于腔室凸出部722c的边缘，从而可以在腔室凸出部722c的边缘形成凹部722c-2产生的凸台。此外，凹部722c-2可以形成于与流入口722b-1相邻的位置的腔室凸出部722c。
另一方面，可以形成多个凹部722c-2，且多个凹部722c-2可以与多个流入口722b-1对应地形成。例如，可以形成有4个凹部722c-2，4个凹部722c-2可以形成于于4个流入口722b-1相邻的位置。如此，凹部722c-2形成于与流入口722b-1相邻的位置，从而能够通过凹部722c-2改变通过流入口722b-1流入涂布空间T的脱模剂的流动方向，且可以发生涡流现象。从而，通过凹部722c-2产生的涡流现象，脱模剂能够在涂布空间T内分散，而不会成团，且能够均匀地接触并涂布模20的表面。
如此，凹部722c-2具有通过涡流现象来防止脱模性涂层在模20上成团而发生不良的效果。
再次参照图5，流体供给部723可以向涂布空间T供给脱模剂来对配置于涂布空间T的模20的表面进行脱模性涂布。此外，流体供给部723可以使脱模剂气相化并通过流入口722b-1向涂布空间T供给气相化的脱模剂。这样的流体供给部723可以包括流体容纳体723a、罐723b、起泡器723c、第一供给流路723d、第二供给流路723e以及喷射装置723f。
流体容纳体723a可以提供容纳非活性气体的空间。容纳于这样的流体容纳体723a的内部的非活性气体可以是高压的气体状态。此外，非活性气体可以是氮气(N2)。此外，流体容纳体723a可以通过第一供给流路723d向起泡器723c及喷射装置723f中的一个以上供给非活性气体。
罐723b可以提供容纳脱模剂的空间。这样的容纳于罐723b的内部的脱模剂可以是液体状态。此外，罐723b可以通过起泡器723c接受非活性气体，接受非活性气体的脱模剂可以被气相化并供给至涂布空间T。从而，气相化的脱模剂可以在涂布空间T内分散，而不会成团，从而能够均匀地接触并涂布模20的表面。
起泡器723c可以向容纳于罐723b的液体状态的脱模剂供给规定压力以上的非活性气体，以使脱模剂气相化。这样的起泡器723c可以在容纳于罐723b的脱模剂的表面下方排出非活性气体。例如，起泡器723c可以是流路管或形成有多个喷射孔的喷射口。但是，本发明并不因此而受限。
第一供给流路723d可以提供用于从流体容纳体723a流入的非活性气体向起泡器723c及喷射装置723f中的一个以上流动的通道。这样的第一供给流路723d的一侧可以与流体容纳体723a连通，另一侧可以与起泡器723c及喷射装置723f中的一个以上连通。
第二供给流路723e可以提供用于从罐723b流入的气相化的脱模剂向第二腔室部722的流入口722b-1流动的通道。这样的第二供给流路723e的一侧可以与罐723b的内部连通，另一侧可以通过流入口722b-1与涂布空间T连通。
喷射装置723f可以防止在罐723b的内部气相化的脱模剂再次成团。这样的喷射装置723f可以配置于从容纳于罐723b的液体状态的脱模剂的表面向上侧隔开规定距离的位置来供给非活性气体。从而，喷射装置723f可以在从脱模剂的表面隔开规定距离的位置喷射非活性气体来防止气相化的脱模剂再次成团。
如此，流体供给部723具有能够使脱模剂气相化来无成团现象地均匀地涂布模20的表面的效果。此外，具有能够防止气相化的脱模剂再次成团的效果。
气体排出部724可以向外部排出涂布空间T的内部中以膜10为基准残留于第二腔室部722侧(例如，图5的下侧)的气体及脱模剂。这样的气体排出部724可以包括排出流路724a及排出泵724b。
排出流路724a可以提供用于涂布空间T的内部下侧的气体及脱模剂向外部流动的通道。这样的排出流路724a的一侧可以通过第二腔室部722的排出口722c-1与涂布空间T连通，另一侧可以通过排出泵724b与外部连通。
压力调节部728可以向外部排出涂布空间T的内部中以膜10为基准残留于上侧的气体。这样的压力调节部728可以包括压力调节流路728a。
压力调节流路728a可以提供用于残留在涂布空间T的内部上侧的气体向外部流动的通道。这样的压力调节流路728a的一侧可以与第一腔室部721的气体排出口721b与涂布空间T连通，另一侧可以通过排出泵724b与外部连通。
另一方面，在本实施例的附图中，虽然图示为压力调节流路728a与气体排出部724的排出泵724b连通，但本发明的思想并不限于此，压力调节部728也可以进一步包括不同于气体排出部724的排出泵724b的另外的泵，且可以通过这样的另外的泵向外部排出压力调节流路728a的气体。
当气体排出部724排出涂布空间T的内部下侧的气体时，涂布空间T的内部上侧与下侧的压力差会使膜10晃动而阻碍模20的涂布，因而能够防止因压力调节部728排出涂布空间T的内部上侧的气体而发生涂布空间T的内部上侧与下侧的压力差。
如此，压力调节部728具有能够防止涂布空间T的内部上侧与下侧的压力差来防止模20的涂布被阻碍的效果。
当第一腔室部721与第二腔室部722实质上贴紧时，蒸镀密封部725可以使第一腔室部721与第二腔室部722之间密闭。这样的蒸镀密封部725可以通过使第一腔室部721与第二腔室部722之间密闭来阻隔涂布空间T与外部。此外，蒸镀密封部725可以形成为包围涂布空间T，以进行第一腔室部721与第二腔室部722之间的密封。这样的蒸镀密封部725可以包括第一蒸镀密封部件725a及第二蒸镀密封部件725b。
第一蒸镀密封部件725a可以插入配置与形成在第一腔室部721的第一腔室槽721a。此外，第二蒸镀密封部件725b可以插入配置于形成在第二腔室部722的第二腔室槽722b-2。这样的第一蒸镀密封部件725a与第二蒸镀密封部件725b可以配置为彼此相向。换言之，当第一腔室部721与第二腔室部722贴紧时，第一蒸镀密封部件725a和第二蒸镀密封部件725b可以彼此加压，且可以对第一腔室部721与第二腔室部722之间的间隙进行密封。
另一方面，参照图5的放大图，当第一蒸镀密封部件725a与第二蒸镀密封部件725b相互贴紧时，膜10可以介于第一蒸镀密封部件725a与第二蒸镀密封部件725b之间。此外，第一蒸镀密封部件725a可以在膜10的上部对膜10，第二蒸镀密封部件725b可以在膜10的下部对膜10加压。此时，第一蒸镀密封部件725a及第二蒸镀密封部件725b可以配置为具有既通过第一蒸镀密封部件725a和第二蒸镀密封部件725b的加压防止膜10起皱又能够有效地密封第一腔室部721与第二腔室部722之间的间隙的形状。
例如，当第一蒸镀密封部件725a及第二蒸镀密封部件725b形成为相同的O型环(O-ring)形状时，第一蒸镀密封部件725a与第二蒸镀密封部件725b贴紧时可能会导致膜10起皱。作为另一示例，当第一蒸镀密封部件725a和第二蒸镀密封部件725b形成为相互接触的面为平面形状时，能够防止膜10起皱。然而，由于第一蒸镀密封部件725a与第二蒸镀密封部件725b之间的加压力较弱，因而无法正常地对第一腔室部721与第二腔室部722之间进行密封。因此，第一蒸镀密封部件725a及第二蒸镀密封部件725b有必要形成为彼此不同的形状，以便既防止膜10起皱又能使涂布空间T密闭。例如，第一蒸镀密封部件725a及第二蒸镀密封部件725b中的某一个可以在不与另一个贴紧时具有平面形状，另一个可以在不与所述某一个贴紧时具有O型环等圆弧形状。
腔室驱动器726可以使第二腔室部722相对于第一腔室部721升降。这样的腔室驱动器726可以与第二腔室部722连接。
如此，蒸镀密封部725具有防止膜10起皱的效果。
加热器727可以使涂布空间T的温度维持在规定范围，以提高模20的表面与脱模剂之间的粘接力。这样的加热器727可以加热第一腔室部721及第二腔室部722中的一个以上来提升涂布空间T的温度。例如，当涂布空间T的温度为30℃以下时，可能无法在模20的表面进行充分的脱模性涂布，当涂布空间T的温度为80℃以上时，膜10可能会受损。因此，加热器727可以使将涂布空间T的温度维持在30℃至80℃的范围内。
如此，加热器727具有将涂布空间T的温度维持在规定范围来提高模20的表面与脱模剂之间的粘接力的效果。
如此，本发明的一实施例的蒸镀模块720具有通过对模20的表面进行脱模性涂布来改善模20的表面脱模性的效果。此外，通过改善模20的表面的脱模性，能够利用一个模20转印多个基板30，从而具有能够提高模20的再使用性的效果。此外，具有通过降低模20的更换周期，能够缩短将图案转印于基板30的时间，且能够提高工艺的效率的效果。
参照图6，转印部800可以将模20的图案转印于基板30。例如，转印部800可以在膜供给部400及膜回收部900中的一个以上未旋转以使膜10的移动停止的状态下执行将模20的图案压接于基板30的过程和从基板30分离模20的过程来将图案转印于基板30。此外，在脱模部700对模20的表面进行脱模性涂布后，转印部800可以将进行脱模性涂布的一个模20加压于多个基板30来将图案转印于多个基板30。例如，转印部800可以在膜供给部400及膜回收部900中的一个以上未旋转以使膜10的移动停止的状态下反复执行规定次数的将模20的图案压接于基板30的过程和从基板30分离模20的过程来将图案转印于多个基板30。作为更详细的示例，当执行一次等离子体处理模块710利用等离子体处理模20的表面的过程，并执行一次蒸镀模块720对模20的表面进行脱模性涂布的过程时，转印部800可以执行多次将模20的图案压接于进行脱模性涂布后的基板30的过程和从基板30分离模20的过程。此外，可以省略将模20的图案压接于基板30的过程与从基板30分离模20的过程之间的转印部800移动至用于使相互压接的基板30与模20的位置的过程。这样的转印部800可以包括框架810、压接模块820、脱模单元830及检测单元840。
参照图6和图7，框架810可以支撑压接模块820、脱模单元830以及检测单元840。这样的框架810可以形成为围绕压接模块820及脱模单元830的至少一部分。从而，压接模块820及脱模单元830可以以支撑于框架810的状态在框架810的内侧移动。换言之，压接模块820及脱模单元830可以相对于框架810移动。例如，第一压接单元821及第二压接单元822可以以支撑于框架810的状态相对于彼此移动，脱模单元830可以以支撑于框架810的状态相对于模20移动。从而，代替由压接模块820向脱模单元830移动模20地，脱模单元830相对于模20移动，由此可以省略使模20与基板30相互压接的工艺与使模20与基板30相互分离的工艺之间的压接于基板30及基板30的模20移动至从基板30分离模20的位置的工艺。此外，框架810可以包括支撑第一压接单元821的第一框架部811、支撑第二压接单元822的第二框架部812、以及支撑脱模单元830的第三框架部813。这样的第一框架部811、第二框架部812及第三框架部813可以相对于彼此一体地固定支撑。此外，第二框架部812可以支撑第一框架部811及第三框架部813的荷重。
压接模块820可以将模20的图案压接于基板30。这样的压接模块820可以将通过脱模部700对表面进行等离子体处理并对表面进行脱模性涂布的模20的图案压接于基板30。此外，压接模块820可以对模20与基板30相对于彼此加压来将模20的图案压接于基板30。这样的压接模块820可以包括第一压接单元821、第二压接单元822、排气部823、吸附部824、驱动部825以及压接密封部826。
参照图8，第一压接单元821和第二压接单元822可以相对于彼此移动而相互贴紧来将形成在模20的图案压接于基板30。换言之，第一压接单元821和第二压接单元822可以在膜10的相反的一侧朝向膜10移动而相互贴紧。此外，第一压接单元821及第二压接单元822中的一个以上可以向相互贴紧的方向对模20或基板30加压。如此，第一压接单元821及第二压接单元822中的一个以上对模20与基板30相互加压，从而能够将形成在模20的图案压接于基板30。例如，第一压接单元821支撑模20，第二压接单元822朝向模20对基板30加压，由此能够将模20的图案压接于基板30。作为另一示例，第二压接单元822可以支撑基板30，第一压接单元821朝向基板30对模20加压，由此能够将模20的图案压接于基板30。
这样的第一压接单元821及第二压接单元822可以通过驱动部825相对于彼此升降，第一压接单元821及第二压接单元822升降的速度可以个别地进行控制。此外，第一压接单元821及第二压接单元822可以相对于框架810移动。换言之，第一压接单元821及第二压接单元822可以以支撑于框架810的状态在框架810的内侧升降。
另一方面，第一压接单元821可以包括第一压接体821a、第一支撑部821b、照射部821c、推挤防止部821d、第一导向部件821e以及固定件821f。
第一压接体821a可以与第二压接单元822的待后述的波纹管822b贴紧，且可以对粘接有模20的膜10加压来将模20的图案压接于基板30。这样的第一压接体821a可以支撑于第一支撑部821b，且可以通过使第一支撑部821b升降的第一驱动器825a与第一支撑部821b一同升降。此外，第一压接体821a可以支撑于第一支撑部821b，但第一压接体821a也可以固定设置于第一支撑部821b。此外，第一压接体821a可以通过第一驱动器825a朝向膜10下降，并在膜10的上侧对膜10加压来将模20加压于基板30。
另一方面，可以在第一压接体821a形成能够插入待后述的第一压接密封部件826a的第一密封槽821a-1。这样的第一密封槽821a-1可以在第一压接单元821与第二压接单元822贴紧时与待后述的第二压接单元822的第二密封槽822b-1的位置对应地形成于第一压接体821a。
第一支撑部821b可以支撑第一压接体821a，且可以被第一驱动器825a支撑。此外，可以通过第一导向部件821e对第一支撑部821b的移动进行导向。换言之，第一导向部件821e以贯通的方式具备于第一支撑部821b，由此第一支撑部821b可以沿一方向(例如，图7的上下方向)延伸的第一导向部件821e移动。如此，第一支撑部821b可以沿第一导向部件821e移动来相对于框架810移动。换言之，第一支撑部821b可以通过第一驱动器825a升降来与第一压接体821a一同相对于框架810升降。
照射部821c可以使通过模20压接于基板30的图案硬化。当通过第一压接体821a将模20的图案压接于基板30时，这样的照射部821c可以将紫外线(Ultraviolet Ray)照射至基板30来使形成在基板30的树脂硬化。这样的照射部821c可以包括用于照射紫外线的紫外线光源(未图示)及紫外线光源透射的光源(未图示)。这样的光源可以包括蓝宝石等石英。如此，照射部821c可以将紫外线照射至基板30来使形成在基板30的树脂硬化。此外，膜10、模20以及基板30可以构成为紫外线透射。此外，照射部821c可以具备于第一压接体821a的一侧。此外，照射部821c可以与膜10的上侧接触来对膜10加压。
推挤防止部821d可以支撑第一支撑部821b来防止第一压接体821a及第一支撑部821b由第二压接单元822上升规定范围以上。换言之，当第一压接单元821支撑模20，且第二压接单元822为了对基板30加压而上升时，可以通过第二压接单元822的加压力防止第一压接体821a及第一支撑部821b被推挤至上侧。推挤防止部821d例如可以是缸体。这样的推挤防止部821d可以包括支撑部件821d-1及旋转部件821d-2。
支撑部件821d-1可以固定支撑于框架810，并支撑旋转部件821d-2的一端部。
旋转部件821d-2可以能够旋转地连接于支撑部件821d-1。这样的旋转部件821d-2的一端部可以支撑于支撑部件821d-1，另一端部可以选择性地支撑固定件821f。例如，当第一压接单元821向下侧对模20加压时，可以在固定件821f的上侧对固定件821f支撑来防止第一支撑部821b向上侧推挤规定范围以上。此外，当第一压接单元821对模20加压后上升时，旋转部件821d-2可以以从固定件821f分离的方式向一方向旋转。
另一方面，推挤防止部821d可以与第二压接单元822的加压力对应地对第一支撑部821b加压。例如，当第二压接单元822对第一压接体821a加压的力增加时，推挤防止部821d对第一支撑部821b加压的力也可以随之增加。如此，推挤防止部821d基于第二压接单元822的加压力对第一支撑部821b可变地加压，由此能够防止图案被不完全地压接于基板30。可以设有多个这样的推挤防止部821d，且多个推挤防止部821d可以在彼此不同的位置对第一支撑部821b加压。例如，可以设有4个推挤防止部821d。但是，这只是一示例，可以设置有任意个数的推挤防止部821d。
第一导向部件821e可以对第一支撑部821b的移动进行导向。这样的第一导向部件821e可以固定支撑于第一框架部811，且可以向上下方向延伸形成。此外，第一导向部件821e可以贯通第一支撑部821b来对第一支撑部821b的移动进行导向。例如，第一导向部件821e可以是向一方向延伸形成的条(bar)形态。第一支撑部821b沿这样的支撑于框架810的第一导向部件821e移动，从而第一支撑部821b可以相对于框架810相对地升降。
固定件821f可以提供被推挤防止部821d加压的部分。这样的固定件821f的一侧可以被第一支撑部821b固定支撑，另一侧可以选择性地支撑于推挤防止部821d。例如，固定件821f可以在第一压接单元821与第二压接单元822贴紧时被推挤防止部821d支撑。此时，可以通过推挤防止部821d防止固定设置于第一支撑部821b的第一压接体821a被推挤。作为另一例，固定件821f可以在第一压接单元821上升时与推挤防止部821d分离。此时，推挤防止部821d的旋转部件821d-2可以向一方向旋转来与固定件821f分离。
第二压接单元822可以包括第二压接体822a、波纹管822b、升降缸822c、第二支撑部822d及第二导向部件822e。
参照图9a，第二压接体822a可以支撑基板30，且可以支撑波纹管822b。这样的第二压接体822a可以被第二支撑部822d支撑，且可以通过使第二支撑部822d升降的第二驱动器825b与第二支撑部822d一同升降。第二压接体822a可以包括基板安放部822a-1、波纹管安放部822a-2、吸附口822a-3以及排气口822a-4。
基板安放部822a-1可以提供安放基板30的部分，且可以支撑基板30。此外，基板安放部822a-1可以从波纹管安放部822a-2凸出形成。从而，基板安放部822a-1可以比波纹管安放部822a-2更与膜10相邻地配置。
波纹管安放部822a-2可以提供安放波纹管822b的部分。这样的波纹管安放部822a-2可以支撑波纹管822b。此外，波纹管安放部822a-2可以形成有凸台，以安放波纹管822b。
吸附口822a-3可以配置为用于将基板30吸附于基板安放部822a-1。这样的吸附口822a-3可以形成于基板安放部822a-1。例如，吸附口822a-3可以形成于基板安放部822a-1的中心部。这样的吸附口822a-3可以与吸附通道824a连通，且吸附口822a-3周围的气体可以通过吸附通道824a被排出至外部。作为更详细的示例，当基板30被安放在基板安放部822a-1时，吸附口822a-3的一侧可以被基板30阻隔，而另一侧可以与吸附通道824a连通。之后，当模20被加压于基板30并从基板30分离模20时，可以通过吸附泵824b在吸附口822a-3周围形成真空。因此，基板30可以被吸附于吸附口822a-3，从而不会从基板安放部822a-1脱离。
排气口822a-4可以配置为用于向外部排出残留于波纹管822b的内部的气体。这样的排气口822a-4可以提供向外部排出残留于波纹管822b包围基板30的空间的气体的通道。此外，排气口822a-4的一侧可以与波纹管822b的内部空间连通，另一侧可以与排气部823连通。这样的排气口822a-4可以形成于波纹管安放部822a-2。
参照图9b，波纹管822b可以在使模20与基板30压接时朝向第一压接单元821伸缩来使基板30周围的空间相对于外部密闭。这样的波纹管822b可以配置为一端部支撑于波纹管安放部822a-2，另一端部能够相对于第二压接体822a伸缩。此外，波纹管822b可以配置为能够伸缩。换言之，波纹管822b可以朝向第一压接单元821伸长，以使基板30周围的空间相对于外部密闭。此时，波纹管822b可以包围基板30，且朝向波纹管822b的第一压接单元821伸长的端部可以与第一压接体821a贴紧。如此，波纹管822b与第一压接体821a贴紧，从而基板30可以与外部阻隔。此外，波纹管822b可以在模20的图案压接于基板30时缩小。这样的波纹管822b可以通过升降缸822c伸长或缩小。
可以在这样的波纹管822b形成能够插入待后述的第二压接密封部件826b的第二密封槽822b-1。这样的第二密封槽822b-1可以在第一压接单元821与第二压接单元822贴紧时，与第一密封槽821a-1的位置对应地形成于波纹管822b。
升降缸822c可以使波纹管822b的一端部升降来使波纹管822b伸缩。例如，升降缸822c可以在将图案压接于基板30时升降来使波纹管822b伸长，而在图案被压接于基板30后可以下降来使波纹管822b缩小。这样的升降缸822c可以支撑于第二压接体822a。
第二支撑部822d可以支撑第二压接体822a，且可以被第二驱动器825b支撑。此外，可以通过第二导向部件822e对第二支撑部822d的移动进行导向。换言之，第二支撑部822d能够滑动移动地结合于第二导向部件822e，从而第二支撑部822d可以沿第二导向部件822e移动。如此，第二支撑部822d可以沿第二导向部件822e移动来相对于框架810移动。换言之，第二支撑部822d可以通过第二驱动器825b升降来与第二压接体822a一同相对于框架810升降。
第二导向部件822e可以对第二支撑部822d的移动进行导向。这样的第二导向部件822e可以固定支撑于第二框架部812，且可以向上下方向延伸形成。例如，第二导向部件822e可以是向一方向延伸形成的轨条(rail)形态。第二支撑部822d沿这样的支撑于框架810的第二导向部件822e部件移动，从而第二支撑部822d能够相对于框架810升降。
排气部823可以在使基板30周围的空间相对于外部密闭时向外部排出残留于波纹管822b的内部中密闭的空间的气体。换言之，排气部823可以向外部排出残留于波纹管822b与第一压接单元821之间，即波纹管822b包围基板30的空间的气体来在基板30周围形成规定的真空状态。这样的排气部823可以包括排气通道823a及排气泵823b。
排气通道823a可以提供用于从波纹管822b的内侧流入的气体向外部流动的通道。这样的排气通道823a的一侧可以与波纹管822b的内侧连通，另一侧可以通过排气泵823b与外部连通。此外，排气泵823b可以通过排气通道823a向外部移送波纹管822b的内侧的气体。
吸附部824可以在从基板30分离被压接于基板30的模20时将基板30吸附于基板安放部822a-1，以防止基板30从基板安放部822a-1脱离。换言之，吸附部824可以在脱模单元830从基板30分离模20时吸附基板30，从而通过防止膜10的粘接防止基板30从基板安放部822a-1脱离。例如，吸附部824可以通过真空压力来吸附基板30。但是，这只是一示例，本发明的思想并不因此而受限，可以采用能够将基板30吸附于基板安放部822a-1的周知的技术。吸附部824可以包括吸附通道824a及吸附泵824b。
吸附通道824a可以提供用于从基板安放部822a-1周围流入的气体通过吸附泵824b向外部流动的通道。这样的吸附通道824a的一侧可以通过吸附口822a-3与基板安放部822a-1的周围连通，另一侧可以通过吸附泵824b与外部连通。例如，当基板30被安放在基板安放部822a-1时，吸附通道824a的一侧可以被基板30阻隔，而另一侧可以与外部连通。此外，当基板30的一部分从基板安放部822a-1隔开时，吸附通道824a可以与波纹管822b的内部连通。
吸附泵824b可以向外部移送基板安放部822a-1周围的气体。例如，吸附泵824b可以是真空泵。从而，通过由吸附泵824b生成的真空，可以在吸附口822a-3周围产生真空，可以通过这样的真空压力将基板30吸附于基板安放部822a-1。从而，当通道824a的一侧通过吸附口822a-3与基板30的周围连通时，可以通过吸附泵824b将基板30吸附于吸附口822a-3。
驱动部825可以使第一压接单元821及第二压接单元822相对于彼此移动。这样的驱动部825可以包括以使第一压接单元821移动的方式进行驱动的时第一驱动器825a、以及以使第二压接单元822移动的方式进行驱动的第二驱动器825b。
第一驱动器825a可以使第一压接单元821升降，且可以根据第一压接单元821的位置调节第一压接单元821移动的速度。此外，第二驱动器825b可以使第二压接单元822升降，且可以根据第二压接单元822的位置调节第二压接单元822移动的速度。关于如此由第一驱动器825a及第二驱动器825b根据第一压接单元821及第二压接单元822的位置调节速度的配置，将在后面进行描述。
再次参照图9a，压接密封部826可以在第一压接单元821与第二压接单元822相对于彼此进行压接时使第一压接单元821与第二压接单元822之间密闭。这样的压接密封部826可以使第一压接单元821与第二压接单元822之间密闭来阻隔基板30的周围与外部。压接密封部826可以包括第一压接密封部件826a及第二压接密封部件826b。
第一压接密封部件826a可以插入配置于形成在第一压接单元821的第一密封槽821a-1。此外，第二压接密封部件826b可以插入配置于形成在第二压接单元822的第二密封槽822b-1。这样的第一压接密封部件826a和第二压接密封部件826b可以配置为彼此相向。换言之，当第一压接单元821与第二压接单元822相互进行压接时，第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b可以对彼此加压，且可以密封第一压接单元821与第二压接单元822之间的间隙。
另一方面，当第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b相互贴紧时，膜10可以介于第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b之间。此外，第一压接密封部件826a可以在膜10的上部对膜10，第二压接密封部件826b可以在膜10的下部对膜10加压。此时，第一压接密封部件826a及第二压接密封部件826b可以形成为具有既防止第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b的加压使膜10起皱又能够有效地密封第一压接单元821与第二压接单元822之间的间隙的形状。
例如，当第一压接密封部件826a及第二压接密封部件826b形成为相同的O型环(O-ring)形状时，第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b贴紧时可能会使膜10起皱。作为另一示例，当第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b相互接触的面形成为平面形状时，可以防止膜10起皱。然而，可能会因第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b之间的加压力较弱而无法正常地对第一压接单元821与第二压接单元822之间进行密封。因此，第一压接密封部件826a与第二压接密封部件826b有必要形成为彼此不同的形状，以便既防止膜10起皱又使波纹管822b的内部空间密闭。例如，第一压接密封部件826a及第二压接密封部件826b中的某一个可以在不与另一个贴紧时具有平面形状，另一个可以在不与所述某一个贴紧时具有O型环等圆弧形状。
如此，压接密封部826具有防止膜10起皱的效果。
参照图10至图12，脱模单元830可以向一方向(例如，图10的左右方向)移动，以从基板30分离被压接于基板30的模20。这样的脱模单元830可以在膜供给部400及膜回收部900中的一个以上未旋转以使膜10的移动停止的状态下向基板30侧移动来从基板30分离模20。此外，在第一压接单元821与第二压接单元822之间，脱模单元830可以将基板30移动至压接于模20的虚拟的空间来从基板30分离模20。脱模单元830可以包括第一辊部831、第二辊部832、辊支撑部833、辊导向部件834以及辊驱动器835。
第一辊部831可以在膜10的两面中未粘接有模20的一面(非粘接面)支撑膜10。这样的第一辊部831可以被辊支撑部833支撑，且与辊支撑部833一同向左右方向移动。
第二辊部832可以在膜10的两面中粘接有模20的面(粘接面)侧支撑膜10。此外，第二辊部832可以以使膜10向包围第一辊部831的一部分的方向弯曲的方式支撑膜10。这样的第二辊部832可以被辊支撑部833支撑，且与辊支撑部833一同向左右方向移动。此外，第二辊部832可以以与第一辊部831具有规定的高度差的方式支撑于辊支撑部833。如此，第一辊部831与第二辊部832具有高度差地支撑膜10的两面，从而可以从基板30分离模20。此外，第一辊部831的旋转中心轴与第二辊部832的旋转中心轴的距离可以形成得比模20的长度长。这可以防止通过第一辊部831从基板30分离的模20与第二辊部832接触。
辊支撑部833可以支撑第一辊部831及第二辊部832，且可以被辊驱动器835支撑。此外，辊支撑部833可以通过辊驱动器835向左右方向移动，且可以由辊导向部件834对辊支撑部833的移动进行导向。这样的辊支撑部833可以沿辊导向部件834移动来相对于框架810移动。换言之，辊支撑部833可以通过辊驱动器835移动来与第一辊部831、第二辊部832一同相对于框架810移动。
辊导向部件834可以对辊支撑部833的移动进行导向。这样的辊导向部件834可以固定支撑于第三框架部813，且可以向左右方向延伸形成。例如，辊导向部件834可以是向一方向延伸形成的轨条(rail)形态。辊支撑部833沿这样的支撑于框架810的辊导向部件834部件移动，从而辊支撑部833能够相对于框架810升降。
辊驱动器835可以使辊支撑部833向一方向移动，以从基板30分离模20。这样的辊驱动器835可以支撑于框架810，且可以支撑辊支撑部833。如此，辊驱动器835使辊支撑部833移动，从而能够使第一辊部831、第二辊部832朝向模20移动。
检测单元840可以检测第一压接单元821、第二压接单元822及脱模单元830的位置。这样的检测单元840可以检测第一压接单元821、第二压接单元822及脱模单元830的第一停止位置、第二停止位置及减速位置，且可以将检测到的位置信息传递至控制部。这样的检测单元840可以包括第1传感器部841、第2传感器部842、以及第3传感器部843。
再次参照图8和图9，第1传感器部841可以检测第一压接单元821的第一停止位置、第二停止位置及减速位置，且可以将检测到的位置信息传递至控制部。这样的第1传感器部841可以包括第1-1传感器841a、第1-2传感器841b、以及第1-3传感器841c。
第1传感器部841的第1-1传感器841a可以检测第一压接单元821的第一停止位置。这里，第1-1传感器841a可以被命名为第一压接单元821的第一停止位置检测传感器841a。此外，第一压接单元821的第一停止位置可以被命名为第一压接步骤开始位置，第1传感器部841的第1-1传感器841a可以被命名为第一压接步骤开始位置检测传感器841a。此外，第一停止位置指第一压接单元821朝向膜10移动之前的位置，即第一压接单元821的原位置。当第一压接单元821为原位置状态时，这样的第1传感器部841的第1-1传感器841a可以检测第一压接单元821的位置。此外，第1传感器部841的第1-1传感器841a可以支撑于框架810。
第1传感器部841的第1-2传感器841b可以检测第一压接单元821的第二停止位置。这里，第1-2传感器841b可以被命名为第一压接单元821的第二停止位置检测传感器841b。此外，第一压接单元821的第二停止位置可以被命名为第二压接步骤结束位置，第1传感器部841的第1-2传感器841b可以被命名为第二压接步骤结束位置检测传感器841b。此外，第二停止位置指第一压接单元821朝向膜10移动并由第一压接单元821将模20加压于基板30后，即与第二压接单元822贴紧的位置。从而，第1-2传感器841b可以在第一压接单元821与第二压接单元822贴紧时检测第一压接单元821的位置。此外，第1-2传感器841b可以支撑于框架810。
第1传感器部841的第1-3传感器841c可以检测第一压接单元821的减速位置。这里，第1-3传感器841c可以被命名为第一压接单元821的减速位置检测传感器841c。此外，第一压接单元821的减速位置可以被命名为第一减速位置，第1传感器部841的第1-3传感器841c以被命名为第一减速检测传感器841c。此外，减速位置指第一压接单元821从第一停止位置移动至第二停止位置的过程中在到达第二停止位置之前第一压接单元821开始减速的位置。此外，减速位置指第一压接单元821朝向膜10移动并由第一压接单元821将模20加压于基板30之前的位置。这样的减速位置可以位于第一停止位置与第二停止位置之间。此外，第1-3传感器841c可以以配置于第1-1传感器841a与第1-2传感器841b之间的方式支撑于框架810。
参照图13，第2传感器部842可以检测第二压接单元822的第一停止位置、第二停止位置以及减速位置，且可以将检测到的位置信息传递至控制部。这样的第2传感器部842可以包括第2-1传感器842a、第2-2传感器842b，第2-3传感器842c。
第2传感器部842的第2-1传感器842a可以检测第二压接单元822的第一停止位置。这里，第2-1传感器842a可以被命名为第二压接单元822的第一停止位置检测传感器842a。此外，第二压接单元822的第一停止位置可以被命名为第二压接步骤开始位置，第2传感器部842的第2-1传感器842a可以被命名为第二压接步骤开始位置检测传感器842a。此外，第一停止位置指第二压接单元822朝向膜10移动之前的位置，即第二压接单元822的原位置。当第二压接单元822为原位置状态时，这样的第2传感器部842的第2-1传感器842a可以检测第二压接单元822的位置。此外，第2传感器部842的第2-1传感器842a可以支撑于框架810。
第2传感器部842的第2-2传感器842b可以检测第二压接单元822的第二停止位置。这里，第2-2传感器842b可以被命名为第二压接单元822的第二停止位置检测传感器842b。此外，第二压接单元822的第二停止位置可以被命名为第二压接步骤结束位置，第2传感器部842的第2-2传感器842b可以被命名为第二压接步骤结束位置检测传感器842b。此外，第二停止位置指第二压接单元822朝向膜10移动并由第二压接单元822将基板30加压于模20后，即与第一压接单元821贴紧的位置。从而，第2传感器部842的第2-2传感器842b可以在第一压接单元821与第二压接单元822贴紧时检测第二压接单元822的位置。此外，第2传感器部842的第2-2传感器842b可以支撑于框架810。
第2传感器部842的第2-3传感器842c可以检测第二压接单元822的减速位置。这里，第2-3传感器842c可以被命名为第二压接单元822的减速位置检测传感器842c。此外，第二压接单元822的减速位置可以被命名为第二减速位置，第2传感器部842的第2-3传感器842c可以被命名为第二减速检测传感器842c。此外，减速位置指第二压接单元822从第一停止位置移动至第二停止位置的过程中在到达第二停止位置之前第二压接单元822开始减速的位置。此外，减速位置指第二压接单元822朝向膜10移动并由第二压接单元822将基板30加压于模20之前的位置。这样的减速位置可以位于第一停止位置与第二停止位置之间。此外，第2传感器部842的第2-3传感器842c可以以配置于第2-1传感器842a与第2-2传感器842b之间的方式支撑于框架810。此外，第2传感器部842的第2-3传感器842c可以与波纹管822b的伸缩连动。例如，当先检测第2传感器部842的第2-1传感器842a后检测第2传感器部842的第2-3传感器842c时，波纹管822b可以伸长；当先检测第2传感器部842的第2-2传感器842b后检测第2传感器部842的第2-3传感器842c时，波纹管822b可以缩小。
参照图14，第3传感器部843可以检测脱模单元830的第三停止位置、第二停止位置及减速位置，且可以将检测到的位置信息传递至控制部。这样的第3传感器部843可以包括第3-1传感器843a、第3-2传感器843b、第3-3传感器843c。
第3传感器部843的第3-1传感器843a可以检测脱模单元830的第一停止位置。这里，第3-1传感器843a可以被命名为脱模单元830的第一停止位置检测传感器843a。此外，脱模单元830的第一停止位置可以被命名为分离步骤开始位置，第3传感器部843的第3-1传感器843a可以被命名为分离步骤开始位置检测传感器843a。此外，第一停止位置指脱模单元830朝向模20移动之前的位置，即脱模单元830的原位置(参照图14(a))。当脱模单元830为原位置状态时，这样的第3传感器部843的第3-1传感器843a可以检测脱模单元830的位置。此外，第3传感器部843的第3-1传感器843a可以支撑于框架810。
第3传感器部843的第3-2传感器843b可以检测脱模单元830的第二停止位置。这里，第3-2传感器843b可以被命名为脱模单元830的第二停止位置检测传感器843b。此外，脱模单元830的第二停止位置可以被命名为分离步骤结束位置，第3传感器部843的第3-2传感器843b可以被命名为分离步骤结束位置检测传感器843b。此外，第二停止位置指脱模单元830从基板30分离模20后的位置(参照图14(b))。此外，第3传感器部843的第3-2传感器843b可以支撑于框架810。
第3传感器部843的第3-3传感器843c可以检测脱模单元830的减速位置。这里，第3-3传感器843c可以被命名为脱模单元830的减速位置检测传感器843c。此外，脱模单元830的减速位置可以被命名为第三减速位置，第3传感器部843的第3-3传感器843c可以被命名为第三减速检测传感器843c。此外，减速位置指脱模单元830从第一停止位置移动至第二停止位置的过程中在到达第二停止位置之前脱模单元830开始减速的位置。此外，减速位置指脱模单元830从基板30分离模20之前的位置。这样的减速位置可以位于第一停止位置与第二停止位置之间。此外，第3传感器部843的第3-3传感器843c可以以配置于第3-1传感器843a与第3-2传感器843b之间的方式支撑于框架810。
如前述，检测单元840可以检测压接模块820及脱模单元830的移动开始的位置、减速开始的位置、移动结束的位置，且可以将检测到的位置信息传递至控制部。如此，由检测单元840检测到的位置信息可以利用于控制驱动部825及辊驱动器835。此外，压接模块820及脱模单元830可以对第一停止位置至减速位置进行移动速度的加速，并对减速位置至第二停止位置进行移动速度的减速。从而，可以通过检测单元840调节压接模块820及脱模单元830的移动速度。此外，可以仅在工艺实际进行的位置进行对移动速度进行减速来提高工艺的效率。此外，当第一压接单元821及第二压接单元822相对于彼此移动并相互贴紧时，可以通过检测单元840调节第一压接单元821及第二压接单元822的移动速度，从而可以同时移动第一压接单元821和第二压接单元822，而不是依次移动第一压接单元821和第二压接单元822，由此能够工艺的效率。如此，检测单元840仅在工艺实际进行的位置进行移动速度的减速，从而具有能够提高工艺的效率的效果。
位置检测部(未图示)可以检测模20的位置，且可以将检测到的位置信息传递至控制部。如此，由位置检测部检测到的模20的位置信息可以利用于控制膜供给部400及膜回收部900。从而，当模20被移送而后位于脱模部700或转印部800时，可以由位置检测部对此进行检测，并中断膜供给部400及膜回收部900中的一个以上的旋转来中止模20的移送。此外，位置检测部可以配置于膜供给部400、保护膜回收部600、脱模部700、转印部800、膜回收部900中的至少一部分之间。例如，位置检测部可以通过识别膜10的标记的光传感器来检测模20的位置，或通过光学设备来检测模20的位置。
在膜10上相邻地配置的多个模20之间的间距可以以分别位于蒸镀模块720和转印部800的方式和蒸镀模块720与转印部800之间的间距对应。换言之，蒸镀模块720中模20所在的区域的中心点与转印部800中模20所在的区域的中心点之间的间距可以与贴附于膜10的多个模20中相邻地配置的模20的中心点之间的间距相同。例如，蒸镀模块720中模20所在的区域的中心点可以是涂布空间T的中心点。此外，转印部800中模20所在的区域的中心点可以是能够在第一压接单元821与第二压接单元822之间配置模20的虚拟的空间的中心点。因此，可以在转印部800配置先行的模20，并在蒸镀模块720配置后行的模20，从而可以在先行的模20在转印部800进行工艺的期间使后行的模20在蒸镀模块720进行工艺。此外，位置检测部可以配置于蒸镀模块720与转印部800之间来检测先行的模20位于转印部800，且后行的模20位于蒸镀模块720。
如此，转印部800与蒸镀模块720同时进行模20的工艺，从而具有能够提高工艺的效率的效果。
控制部可以控制压接模块820及脱模单元830的驱动。这样的控制部可以从检测单元840接收压接模块820及脱模单元830的位置信息，且可以基于这样的位置信息来控制压接模块820及脱模单元830的驱动。
控制部可以为了向一方向移送膜10而控制膜供给部400及膜回收部900中的一个以上的驱动。这样的控制部可以从位置检测部接收所检测到的模20的位置信息，且可以基于这样的位置信息来控制膜供给部400及膜回收部900的驱动。
控制部可以由包括微处理器的运算装置、存储介质、传感器、光学等测量装置及存储器来实现，由于其实现方式对本领域中的技术人员而言是显而易见的，因而省略进一步的详细的说明。
如此，控制部具有能够基于位置信息来控制压接模块820及脱模单元830的驱动的效果。此外，控制部具有能够基于位置信息来控制膜供给部400及膜回收部900的驱动的效果。
如此，本发明的一实施例的转印部800能够省略将模20与基板30相互压接的工艺与使模20与基板30相互分离的工艺之间的被压接于基板30及基板30的模20移动至从基板30分离模20的位置的工艺，从而具有能够提高工艺的效率的效果。
下面，参照图15对利用转印装置1实施了转印的基板的生产方法(S10)进行说明。
实施了转印的基板的生产方法S10可以生产利用本发明的一实施例的转印装置1将模20的图案转印于基板30而转印有图案的基板30。这样的实施了转印的基板的生产方法S10可以包括基板供给步骤S100、等离子体处理步骤S200、脱模性涂布步骤S300、转印步骤S400、以及膜回收步骤S500。
在基板供给步骤S100中，可以利用树脂涂布基板30，并向已设定的方向整列之后供给至转印部800。这样的基板供给步骤S100可以包括基板涂布步骤S110及基板整列步骤S120。
在基板涂布步骤S110中，可以在从基板收纳部100移送至旋涂机200的待转印图案的基板30的表面以规定厚度涂布树脂。在这样的基板涂布步骤S110中，可以在通过旋涂方式将基板30置于旋转体上之后，在旋转的基板30的表面滴落流动性树脂来将树脂均匀地涂布于基板30的表面。此外，在基板涂布步骤S110中，可以在涂布基板30之前在冷却板210对基板30的温度进行调节。
在基板整列步骤S120中，可以向已设定的方向整列从旋涂机200移送的表面涂布有树脂的基板30。在这样的基板整列步骤S120中，可以通过使基板30以朝向已设定的方向的方式旋转来向相同的方向整列多个基板30。此外，在基板整列步骤S120进行整列的基板30可以被供给至转印部800。
在等离子体处理步骤S200中，可以对模20的表面进行等离子体处理，以改善从膜供给部400供给的模20的脱模性。可以在脱模性涂布步骤S300之前执行这样的等离子体处理步骤S200。从而，在等离子体处理步骤S200中，在将脱模剂涂布于模20的表面之前对模20进行等离子体处理，由此能够对模20的表面进行改质。此外，在等离子体处理步骤S200中，可以清洗模20的表面。
在脱模性涂布步骤S300中，可以对进行等离子体处理后的模20的表面进行脱模性涂布。此外，在脱模性涂布步骤S300中，可以使气相化的脱模剂与模20的表面接触来涂布模20的表面。可以在为了使膜10移动而旋转的膜供给部400及膜回收部900中的一个以上未旋转的状态下执行这样的脱模性涂布步骤S300。脱模性涂布步骤S300可以包括脱模剂供给步骤S310、脱模剂涂布步骤S320以及脱模剂吹扫步骤S330。
脱模剂供给步骤S310可以将气相化的脱模剂供给至由第一腔室部721与第二腔室部722贴紧而形成的涂布空间T。在这样的脱模剂供给步骤S310中，可以在使液体状态的脱模剂气相化之后供给至涂布空间T。
在脱模剂涂布步骤S320中，可以对模20的表面进行脱模涂布。在脱模剂涂布步骤S320中，脱模剂可以从流入口722b-1流入并在涂布空间T流动而与模20的表面接触来对模20的表面进行涂布之后，通过排出口722c-1排出至外部。
在脱模剂吹扫步骤S330中，当模20的脱模性涂布结束时，可以中断气相化的脱模剂的供给，并向涂布空间T供给空气或非活性气体(例如，氮气)来将残留于涂布空间T的气相化的脱模剂排出至外部。
在转印步骤S400中，可以将形成于模20的图案转印于基板30。换言之，在转印步骤S400中，可以使模20与基板30相互压接并分离来将图案转印于基板30。此外，可以在为了使膜10移动而旋转的膜供给部400及膜回收部900中的一个以上未旋转的状态下执行转印步骤S400。这样的转印步骤S400可以包括压接步骤S410及分离步骤S420。
在压接步骤S410中，可以使第一压接单元821与第二压接单元822以相对于彼此相贴紧的方式移动来将形成于模20的图案压接于基板30。此外，可以使第一压接单元821与第二压接单元822在膜10的彼此相反的一侧朝向膜10移动来使第一压接单元821与第二压接单元822相互贴紧。压接步骤S410可以包括压接单元靠近步骤S411、密闭步骤S412、气体排出步骤S413以及压接单元压接步骤S414。
在压接单元靠近步骤S411中，可以使第一压接单元821与第二压接单元822相对于彼此靠近。换言之，第一压接单元821可以靠近粘接有模20的膜10，第二压接单元822可以靠近基板30。
在密闭步骤S412中，波纹管822b可以朝向第一压接单元821来使基板30相对于外部密闭。此时，波纹管822b的一端可以与第一压接单元821贴紧，且波纹管822b可以围绕基板30的周围。如此，波纹管822b以围绕基板30的周围的方式贴紧于第一压接单元821，从而可以阻隔基板30与外部。
在气体排出步骤S413中，可以向外部排出残留于通过密闭步骤S412密闭的波纹管822b的内部空间的气体。通过这样的气体排出步骤S413，波纹管822b内部空间，即基板30的周围可以是规定的真空状态。
在压接单元压接步骤S414中，第一压接单元821与第二压接单元822可以相对于彼此移动来相互贴紧。换言之，第一压接单元821及第二压接单元822中的一个以上以对模20和基板30加压的方式相互贴紧，从而能够将模20的图案压接于基板30。
在分离步骤S420中，可以使压接有模20的图案的基板30与模20分离。在这样的分离步骤S420中，可以利用脱模单元830来从基板30分离模20。分离步骤S420可以包括吹扫步骤S421、密闭解除步骤S422、压接单元上升步骤S423以及脱模单元移动步骤S424。
在吹扫步骤S421中，可以向波纹管822b的内部空间供给空气或非活性气体(例如，氮气)来将通过气体排出步骤S413成为规定的真空状态的波纹管822b的内部空间制成大气压状态。
在密闭解除步骤S422中，可以使为了从外部阻隔基板30而伸长的波纹管822b缩小。此时，通过波纹管822b与外部阻隔的模20及基板30可以露出于外部。
在压接单元上升步骤S423中，可以使第一压接单元821上升来确保脱模单元830待移动至基板30侧的空间。
在脱模单元移动步骤S424中，可以使脱模单元830移动至基板30侧来从基板30分离模20。在这样的脱模单元移动步骤S424中，脱模单元830可以移动至第一压接单元821上升之前的空间，通过这样的移动，可以从基板30分离模20。
当执行一次等离子体处理步骤S200和脱模性涂布步骤S300时，可以执行多次转印步骤S400和分离步骤S420，直至模20的脱模性下降至规定范围以下，由此可以利用一个模20专利多个基板30。
在基板回收步骤S500中，可以将转印后的基板30移送至基板收纳部100。
在膜回收步骤S600中，当执行多次压接步骤S410和分离步骤S420，使得模20的脱模性下降至规定范围以下时，可以将模20回收至膜回收部900。
基板回收步骤S500与膜回收步骤S600可以同时或独立地进行。
尽管上文中以具体的实施方式对包括脱模部700和转印部800的转印装置1进行可说明，但脱模部700与转印部800可以独立地构成转印装置。例如，脱模部700可以单独地构成转印装置或与另一实施方式的转印部构成转印装置，转印部800可以单独地构成转印装置或与另一实施方式的脱模部构成转印装置。此外，脱模部700可以选择性地包括等离子体处理模块710。此外，转印装置1可以选择性地包括基板收纳部100、旋涂机200以及整列单元300。
尽管上面以具体的实施方式对本发明的一些实施例进行了说明，但这只是例示，本发明不限于此，而是应被解释为具有基于本说明书中公开的基础思想的最广的范围。本领域中的一般的技术人员可以组合/置换所公开的实施方式来实施未示出的形状图案，但这同样不脱离本发明的范围。除此之外，本领域中的一般的技术人员可以基于本说明书容易对所公开的实施方式进行变更或变形，显然，这样的变更或变形也属于本发明的权利范围。

Claims (10)

1.一种转印装置，其将粘接于膜的模的图案转印至基板，所述转印装置的特征在于，包括：
脱模部，其能够在所述模的表面进行脱模性涂布；以及
转印部，其能够将在所述脱模部进行脱模性涂布后的所述模的图案转印至基板，
所述脱模部包括：
等离子体处理模块，其以在对所述模的表面进行脱模性涂布之前利用等离子体处理所述模的表面的方式工作；以及
蒸镀模块，其在进行所述等离子体处理后的模的表面进行脱模性涂布。
2.一种转印装置，其特征在于，包括蒸镀模块，该蒸镀模块包括：
第一腔室部；
第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；以及
流体供给部，其向所述涂布空间供给气相化的脱模剂，以便能够涂布所述模的表面，
所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，
所述流体供给部包括：
罐，其能够容纳液体状态的所述脱模剂；以及
起泡器，其能够向容纳于所述罐的液体状态的所述脱模剂供给规定压力以上的气体来使所述脱模剂气相化。
3.一种转印装置，其特征在于，包括蒸镀模块，该蒸镀模块包括：
第一腔室部；
第二腔室部，其配置于比所述第一腔室部靠下方，并与所述第一腔室部一同形成用于配置粘接有模的膜的涂布空间；以及
流体供给部，其向所述涂布空间供给脱模剂，以便能够对所述模的表面进行脱模性涂布，
所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过，
所述蒸镀模块还包括蒸镀密封部，该蒸镀密封部包围所述涂布空间，以进行所述第一腔室部与所述第二腔室部之间的密封，
所述蒸镀密封部包括设于所述第一腔室部的第一蒸镀密封部件及设于所述第二腔室部的第二蒸镀密封部件，
所述第一蒸镀密封部件及所述第二蒸镀密封部件中的某一个在不与另一个贴紧时具有平面形状，所述另一个在不与所述某一个贴紧时具有圆弧形状。
4.一种转印装置，其特征在于，包括：
压接模块，其包括能够朝向在一面粘接有形成有图案的模的膜移动的第一压接单元和能够支撑基板的第二压接单元；以及
脱模单元，其包括第一辊部，该第一辊部在作为所述膜的一面的相反侧的所述膜的另一面支撑所述膜，
所述第一压接单元与所述第二压接单元在所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动而相互贴紧来将形成于所述模的图案压接于所述基板，
所述第一辊部向所述第一压接单元与所述第二压接单元之间的将所述基板压接于所述模的空间移动来从所述基板分离被压接于所述基板的所述模。
5.一种转印装置，其特征在于，包括：
压接模块，其包括能够朝向在一面粘接有形成有图案的模的膜移动的第一压接单元和能够支撑基板的第二压接单元；以及
框架，其能够支撑所述压接模块，
所述第一压接单元与所述第二压接单元在所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动而相互贴紧来将形成于所述模的图案压接于所述基板，
所述框架包括第一框架部及第二框架部，
所述第一压接单元包括：
第一压接体，其能够对所述模加压；以及
第一导向部件，其固定支撑于所述第一框架部，且能够对所述第一压接体的移动进行导向，
所述第二压接单元包括：
第二压接体，其能够支撑所述基板；以及
第二导向部件，其固定支撑于所述第二框架部，且能够对所述第二压接体的移动进行导向，
所述第一压接体和所述第二压接体分别通过所述第一导向部件和所述第二导向部件进行移动导向来相对于所述框架升降。
6.一种转印装置，其特征在于，包括：
脱模单元，其能够将在作为膜的一面的相反侧的所述膜的另一面支撑所述膜的第一辊部移动至基板侧来从所述基板分离被压接于所述基板的所述模；以及
检测单元，其能够检测所述脱模单元的第一停止位置、第二停止位置及减速位置，
所述减速位置位于所述第一停止位置与所述第二停止位置之间，
所述脱模单元被驱动为，当在从所述第一停止位置移动至所述第二停止位置的期间到达所述减速位置时减速。
7.一种转印装置，其特征在于，包括：
第一压接单元，其能够朝向在一面粘接有形成有图案的模的膜移动；
第二压接单元，其能够支撑基板；
压接密封部，其包括插入于所述第一压接单元的第一压接密封部件、以及插入于所述第二压接单元且具有与所述第一压接密封部件不同的形状的第二压接密封部件，
所述第一压接单元与所述第二压接单元在所述膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动而相互贴紧来将形成于所述模的图案压接于所述基板，
所述第一压接密封部件及所述第二压接密封部件中的某一个在不与另一个贴紧时具有平面形状，且所述另一个在不与所述某一贴紧时具有圆弧形状。
8.一种实施了转印的基板的生产方法，其生产转印有粘接于膜的模的图案的基板，所述实施了转印的基板的生产方法的特征在于，包括：
利用等离子体处理所述模的表面的等离子体处理步骤；
在进行所述等离子体处理后的模的表面进行脱模性涂布的脱模性涂布步骤；以及
将通过所述脱模性涂布步骤进行脱模性涂布后的所述模的图案转印于基板的转印步骤。
9.一种实施了转印的基板的生产方法，其生产转印有粘接于膜的模的图案的基板，所述实施了转印的基板的生产方法的特征在于，包括：
在所述模的表面进行脱模性涂布的脱模涂布步骤，
所述脱模涂布步骤包括：
使第一腔室部和第二腔室部密闭来形成涂布空间的空间形成步骤；
向所述涂布空间供给气相化的脱模剂的脱模剂供给步骤；以及
在向所述涂布空间供给所述气相化的脱模剂之后，向涂布空间供给气体的吹扫步骤，
在所述脱模剂供给步骤中，
通过起泡器向容纳于罐的液体状态的脱模剂供给规定压力以上的气体来使所述脱模剂气相化，并将所述气相化的脱模剂供给至所述涂布空间，
所述第二腔室部配置于比所述第一腔室部靠下方，
所述膜在所述第一腔室部与所述第二腔室部之间通过。
10.一种实施了转印的基板的生产方法，其特征在于，包括：
使第一压接单元和第二压接单元由一面粘接有形成有图案的模的膜的彼此相反的一侧朝向所述膜移动来将所述模压接于基板的压接步骤；以及
使脱模单元移动至所述基板侧来使在所述压接步骤中压接于所述基板的所述模从所述基板分离的分离步骤，其中，所述脱模单元包括第一辊部，该第一辊部在作为所述膜的一面的相反侧的所述膜的另一面支撑所述膜，
所述分离步骤包括：
使所述脱模单元移动至所述第一压接单元与所述第二压接单元之间的将所述基板压接于所述模的空间来从所述基板分离被压接于所述基板的所述模的脱模单元移动步骤。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102203205B1 (ko) * 2019-11-04 2021-01-14 주식회사 기가레인 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101618630A (zh) * 2009-08-12 2010-01-06 江阴市兰天彩印包装有限公司 一种防伪转移印刷工艺
CN105313443A (zh) * 2014-07-14 2016-02-10 太阳机电有限公司 用于移动设备和平板个人计算机的窗热转移装置和方法
CN106079955A (zh) * 2016-06-12 2016-11-09 青岛海尔空调器有限总公司 模内转印方法、膜内转印装置和模内转印面板
CN106796911A (zh) * 2014-07-20 2017-05-31 艾克斯瑟乐普林特有限公司 用于微转贴印刷的设备及方法
WO2018150321A1 (en) * 2017-02-16 2018-08-23 Unibind Limited Device for printing an object with foil using heat
KR200489382Y1 (ko) * 2019-01-22 2019-09-30 바이인터내셔널주식회사 열전사 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6916511B2 (en) * 2002-10-24 2005-07-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of hardening a nano-imprinting stamp
JP4546367B2 (ja) * 2005-09-12 2010-09-15 富士フイルム株式会社 パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
JP2008020629A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Fujifilm Corp パターン形成材料、並びに、パターン形成装置及びパターン形成方法
KR100755235B1 (ko) * 2007-03-26 2007-09-05 (주) 예스티 임프린팅장치
KR100982673B1 (ko) * 2008-04-22 2010-09-16 엘아이지에이디피 주식회사 미세 패턴 임프린트 장치
KR101155588B1 (ko) * 2009-04-24 2012-06-19 주식회사 디엠에스 임프린트 장치
JP5285514B2 (ja) * 2009-06-24 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5285515B2 (ja) * 2009-06-24 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JPWO2011089836A1 (ja) * 2010-01-19 2013-05-23 株式会社日立産機システム パターン転写装置及びパターン転写方法
JP5497467B2 (ja) * 2010-02-08 2014-05-21 旭化成イーマテリアルズ株式会社 微細エッチングマスクの製造方法及び露光処理装置
JP5603621B2 (ja) * 2010-03-08 2014-10-08 東芝機械株式会社 シート状モールド位置検出装置、転写装置および転写方法
KR101114286B1 (ko) * 2010-10-08 2012-03-05 (주)메카스 나노/마이크로 광소자용 임프린팅 스탬프 이형장치
JP2013074115A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Fujifilm Corp ナノインプリント装置およびナノインプリント方法、並びに、歪み付与デバイスおよび歪み付与方法
WO2013077386A1 (ja) * 2011-11-25 2013-05-30 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 インプリント装置およびインプリント方法
JP2013140314A (ja) * 2012-01-06 2013-07-18 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止フィルムの製造方法、反射防止フィルム製造用金型の製造方法及び反射防止フィルム製造用金型
KR102045465B1 (ko) * 2013-09-03 2019-11-15 에스케이씨하이테크앤마케팅(주) 소프트 몰드를 이용하여 광학필름을 제조하는 장치 및 방법
KR20170067665A (ko) * 2015-12-08 2017-06-16 주식회사 기가레인 임프린트 장치 및 방법
KR101951997B1 (ko) * 2016-11-09 2019-02-25 한국광기술원 대면적 마이크로 렌즈 어레이 제조방법
KR20180105433A (ko) * 2017-03-15 2018-09-28 주식회사 기가레인 임프린트 장치 및 임프린트 방법
KR102203205B1 (ko) * 2019-11-04 2021-01-14 주식회사 기가레인 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101618630A (zh) * 2009-08-12 2010-01-06 江阴市兰天彩印包装有限公司 一种防伪转移印刷工艺
CN105313443A (zh) * 2014-07-14 2016-02-10 太阳机电有限公司 用于移动设备和平板个人计算机的窗热转移装置和方法
CN106796911A (zh) * 2014-07-20 2017-05-31 艾克斯瑟乐普林特有限公司 用于微转贴印刷的设备及方法
CN110265344A (zh) * 2014-07-20 2019-09-20 艾克斯瑟乐普林特有限公司 用于微转贴印刷的设备及方法
CN106079955A (zh) * 2016-06-12 2016-11-09 青岛海尔空调器有限总公司 模内转印方法、膜内转印装置和模内转印面板
WO2018150321A1 (en) * 2017-02-16 2018-08-23 Unibind Limited Device for printing an object with foil using heat
KR200489382Y1 (ko) * 2019-01-22 2019-09-30 바이인터내셔널주식회사 열전사 장치

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