JP2024074627A - 異物除去装置、異物除去方法、および物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 １つの型（部材）を複数回の異物除去処理に用いて、基板上の異物を除去することができる構成を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板保持部で保持される基板上の硬化性組成物に、部材を接触させた状態で、硬化部で硬化性組成物を硬化させた後、基板から部材と硬化性組成物とを分離させるように駆動部を制御することで、異物除去処理が行う異物除去装置であって、制御パラメータを、異物除去処理に使用する部材の、過去の異物除去処理の履歴情報に基づいて調整する。これにより同じ型を複数回用いて異物除去処理を行うことができる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、異物除去装置、異物除去方法、および物品の製造方法に関するものである。

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターン（構造体）を形成することができるインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上に未硬化のインプリント材を供給（塗布）し、かかるインプリント材とモールド（型）とを接触させて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応するインプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術である。

インプリント技術において、インプリント材の硬化法の１つとして光硬化法がある。光硬化法は、基板上のショット領域に供給されたインプリント材とモールドとを接触させた状態で光を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことでインプリント材のパターンを基板上に形成する方法である。

このようなインプリント技術では、基板上に異物が付着している状態で型と基板上のインプリント材を接触させると、所望の形状の構造物を形成することができないばかりか型や基板を破損してしまう可能性がある。そのため、基板上に付着した異物を除去してからインプリント処理を行う必要がある。

特許文献１には、基板の凹凸パターン面上にある異物に対して、パターン面全体を覆うように樹脂を塗布し、次に平坦化部材を樹脂に押し付け、その状態で樹脂を硬化させる。その後、基板から異物を含んだ樹脂を剥離させる方法が開示されている。

特許文献２には、モールドのパターン上に異物が在った際に、パーティクル除去膜が構成され、さらに、その上にインプリント材が塗布された基板に、モールドを押し付けてから、光を照射してインプリント材を硬化させる。その後、モールドを基板から引き離すことで、モールド上に在った異物を、基板のインプリント材に取り込むという、モールド上の異物を除去する方法が記載されている。

特許第５９８２９９６号公報 特許第５１２１５４９号公報

本発明者は特許文献１及び２に記載のような異物除去方法を、基板上の異物除去に適用することを検討している。具体的には基板上の異物を硬化性組成物で覆い、当該硬化性組成物を介して基板と型（部材）とが接触している状態で硬化性組成物を硬化させ、硬化性組成物と異物を型側に密着させた状態で基板と部材とを分離させて、異物の除去を行う。

この方法を用いる際に異物の除去に用いた型を１回の異物除去処理にしか使えないとすると、除去処理を行うたびに部材の洗浄や交換することが必要となり運用コストが高くなることが懸念される。そのため、本発明者は１つの型を複数回の異物除去処理に用いることを検討している。

本発明は、１つの型（部材）を複数回の異物除去処理に用いて、基板上の異物を除去する際に、異物除去性能が低下することなく異物除去ができる手法を提供することを目的とする。

上記目的を鑑み、本発明は、基板上の異物を除去する異物除去処理を行う異物除去装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部で保持される基板と前記部材保持部で保持される部材との間の距離が変更されるように、前記基板保持部および前記部材保持部の少なくとも一方を駆動する駆動部と、前記硬化性組成物を硬化させる硬化部と、前記基板上の硬化性組成物に、前記部材を接触させた状態で、前記硬化部で前記硬化性組成物を硬化させた後、前記基板から前記部材と前記硬化性組成物とを分離させるように、前記駆動部を制御することで、異物除去処理が行われるように制御する制御部と、を有し、前記制御部は、異物除去処理に使用する部材の、過去の異物除去処理の履歴情報に基づいて制御パラメータを調整し、当該調整された制御パラメータを用いて異物除去処理を行うように制御することを特徴とする。

本発明によれば、１つの型（部材）を複数回の異物除去処理に用いて、異物除去性能が低下することなく基板上の異物を除去することができる有利な構成を提供することができる。

異物除去装置の構成を示す概略図である。 異物除去処理の流れを説明するフローチャートである。 異物除去処理を実行した際の様子を説明する概略図である。 異物除去処理の押印工程を説明する図である。 段差を有する基板に対する異物除去処理の流れを説明する概略図である。 凸形状を有する基板に対する異物除去処理の流れを説明する概略図である。 異物除去装置の構成を示す概略図である。 異物除去処理の流れを説明するフローチャートである。 異物除去処理の流れを説明する概略図である。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態の各図では、基板の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向が示される。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。

＜第１の実施形態＞
図１は異物除去装置１０を示す概略図である。異物除去装置１０は、半導体デバイスなどの物品の製造工程で用いることができ、物品に欠陥が発生するのを防止するために基板上に付着した異物を除去する異物除去処理を行うために用いられる。異物除去装置１０で行われる異物除去処理は少なくとも、以下の工程を含みうる。
（ａ）基板上に硬化性組成物などの樹脂層を塗布する塗布工程。
（ｂ）基板上に供給された樹脂層とテンプレートとを接触させる押印工程。
（ｃ）樹脂層に硬化用のエネルギを与えることにより樹脂層を硬化させる硬化工程。
（ｄ）基板から、硬化した樹脂層をテンプレートとともに引き離す分離工程。

異物除去処理により、基板上の異物は硬化した樹脂層に内包され、樹脂層とともに基板から除去される。異物除去材として用いられる樹脂層は、硬化用のエネルギが与えられることにより硬化する硬化組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギとしては、例えば、熱や電磁波が用いることができる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いることができる。以下、硬化反応を起こす光を樹脂層に照射することを露光と呼ぶ。

本実施形態では硬化性組成物として、光の照射により硬化する光硬化成組成物を用いて説明を行う。光硬化性樹脂には、複数の重合性化合物と、所定の波長に反応して重合因子（ラジカル）を発生する光重合開始剤が少なくとも配合されている。その他の添加剤として増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマー成分などを適宜配合されている。重合性化合物とは、光重合開始剤から発生した重合因子（ラジカル等）と反応し、連鎖反応（重合反応）によって高分子化合物からなる膜を形成する化合物である。このような重合性化合物として、例えばラジカル重合性化合物が挙げられ、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する化合物、すなわち（メタ）アクリル化合物であることが好ましい。

図１に示す異物除去装置１０は、基板１１を保持する基板保持部１３と、テンプレート１２（部材、型とも称する）を保持するテンプレート保持部１４を移動する駆動部１５と、硬化部１６と、制御部１７と、圧力調整部１８と、塗布部１９とを備えている。

基板１１は、例えば、パターンが形成された半導体ウエハやＭＥＭＳウエハ、パワー半導体ウエハ、ディスプレイ用ガラス基板やバイオ素子などデバイス製造に使用される基板を用いることができ、母材の上に複数の層を有している。母材としては例えば、半導体、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等を用いることができる。基板１１には、必要に応じて、インプリント材と基板１との密着性を向上させるために密着層が設けてもよい。また基板１１上には、複数のショット領域（インプリント領域）が設定されてもよい。

異物除去に用いるテンプレート１２は、例えば、基板１１と同等の例えば円形の外形形状で、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で構成されうる。テンプレート１２表面は、パターンのない平坦な面を用いることができる。

基板保持部１３は、基板１１を保持可能なように構成され、不図示の搬送装置などにより搬入された基板１１を、例えば、真空吸着力または静電力などによって保持する。

テンプレート保持部１４は、テンプレート１２を保持可能なように構成され、不図示の搬送装置などにより搬入されたテンプレート１２を、例えば、真空吸着力または静電力などによって保持する。

駆動部１５は、テンプレート保持部１４をＺ方向に移動させることができるように構成され、例えばリニアモーター、エアシリンダなどのアクチュエータを含んでいる。駆動部１５で基板１１とテンプレート１２との間の距離を制御することで、基板１１とテンプレート１２とを接触させたり離したりすることができる。さらに、駆動部１５はθＸ軸、θＹ軸に駆動でき、基板と１１とテンプレート１２の平行度を調整するために用いることもできる。

硬化部１６は、樹脂層の硬化用のエネルギ（例えば、紫外線等の光）を供給あるいは照射することによって光硬化性樹脂からなる樹脂層を硬化させる。具体的には、硬化部１６は、基板１１上の樹脂層２１とテンプレート１２とが接触した状態で、テンプレート１２を介して光照射（露光）する。これにより、異物を内包した樹脂層の硬化物が形成される。硬化部１６は、例えば、樹脂層を硬化させる光（紫外線などの露光光）を射出する光源を有する。また、硬化部１６は、光源から射出された光を異物除去処理において適切な光に調整するための光学素子を含んでいてもよい。

制御部１７は異物除去装置１０の各部を制御して、異物除去処理を行う。制御部１７は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータやメモリ、または、これらの全部若しくは一部の組み合わせによって構成されうる。

圧力調整部１８は、テンプレート１２の基板１１に対向する面の反対側の空間の圧力を調整できるように構成されており、例えばエアレギュレータ、加圧ポンプ、減圧ポンプなどを含みうる。この空間の圧力を調整することで、テンプレート１２を湾曲させることができる。例えば、この空間を加圧すれば、テンプレート１２は基板１１方向に凸の形で湾曲する。

塗布部１９は、基板１１に樹脂層２１を塗布可能なように構成されている。塗布部１９は、インクジェット法、ディスペンサ法、スピンコート法などから適宜選択される方法で樹脂材料を塗布することができる。

図２は、第１実施形態に係る異物除去装置１０の異物除去処理の流れを説明するフローチャートである。図２には、複数の基板１１に順次異物除去処理を実行していく処理が示されている。図２に示すフローチャートにおける各工程は、制御部１７によって各部を制御することによって実行される。図３は、複数の基板１１に対して異物除去処理を実行した際の様子を説明する概略図であり、ＸＺ平面を表示している。

工程Ｓ１０１（テンプレート搬送）では、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御してテンプレート１２を搬入させ、テンプレート保持部１４に保持させる。

工程Ｓ１０２（塗布工程）では、制御部１７は、塗布部１９を制御して搬入する予定の基板１１上に異物除去材として用いられる樹脂層２１を塗布する。図３（ａ）は、樹脂層が塗布される前の基板１１を示しており、異物２２が基板１１上に存在する様子を示している。図３（ｂ）は、樹脂層２１Ａが塗布された後の基板１１の様子を示している。

工程Ｓ１０３（基板搬入）では、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御して基板１１を基板保持部１３に搬入する。

工程Ｓ１０４（押印工程）では、制御部１７は駆動部１５を制御して、テンプレート１２を基板１１上の樹脂層２１に押し付ける。図３（ｃ）は、押印工程における、基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１Ａを示している。具体的には基板１１とテンプレート１２との間のＺ方向の距離が徐々に小さくなるように、駆動部１５を制御してテンプレート１２を保持するテンプレート保持部１４のＺ軸の位置を下げていく。

図４（ａ）は押印工程における、テンプレート保持部１４のＺ軸方向の位置Ｈの時間変化を示したグラフである。横軸が時間で縦軸が位置Ｈを表す。時刻Ｔ０が押印工程の開始時刻で、時刻Ｔ１が押印工程の終了時間である。位置Ｈは、時刻Ｔ０で位置Ｈ０から時刻Ｔ１で位置Ｈ１になるように駆動部１５を制御する。図４（ｂ）は押印工程の時刻Ｔ０におけるテンプレート１２の状態を表している図である。圧力調整部１８は、テンプレート１２の基板１１に対抗する面の反対側の空間の圧力を高めて、テンプレートを湾曲させる。これにより、テンプレート１２と基板１１上の樹脂材との接触を中心位置から始めることができ、樹脂層２１とテンプレート１２との間に空気を挟み込む量を低減できる。押印工程終了時である時刻Ｔ１では、圧力調整部１８は圧力を初期状態に戻し、テンプレート１２をフラットな状態に戻す。

工程Ｓ１０５（充填工程）では、基板１１とテンプレート１２の間に樹脂層２１が行き渡るまで待機する時間である。図３（ｄ）は、充填工程における、基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１を示している。樹脂層２１が基板１１とテンプレートとの間の隅々まで行き渡るように待機している。待機時間Ｔａは、樹脂層２１の膜厚や、基板１１の表面形状などによって変わりうるので、ユーザーが設定できるようになっている。待機時間Ｔａを必要以上に長く設けると、異物除去処理にかかる時間が長くなるため隅々にいきわたる適当な時間であることが必要である。なお、本実施形態においては樹脂層２１を基板１１とテンプレート１２との間の隅々まで行き渡らせることを充填と呼ぶ。

工程Ｓ１０６（硬化工程）では、制御部１７は、待機時間Ｔａが経過後に硬化部１６を制御して樹脂層２１に硬化用のエネルギを与えて、硬化させる。図３（ｅ）は、硬化工程における基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１を示している。図中の矢印は硬化エネルギを表している。硬化部１６はテンプレート１２のＺ方向上方に位置しているため、テンプレート１２の上方から硬化用エネルギが与えられる。硬化用エネルギは紫外線を含む光であり、テンプレート１２は石英ガラスのような紫外線を透過する材料で構成されているので、硬化用エネルギは樹脂層２１に到達する。

工程Ｓ１０７（分離工程）では、制御部１７は、基板１１とテンプレート１２を離す方向に駆動部１５を駆動制御する。図３（ｆ）は、分離工程における基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１を示している。テンプレート１２を基板１１から引き離すと、硬化した樹脂層２１は、テンプレート１２側に付着し、基板１１には残存しない。基板１１とテンプレート１２のどちらに樹脂層２１が付着するかは、樹脂層２１とそれぞれの密着力や接触面積に依存する。したがって、樹脂層２１は、テンプレート１２との密着力が大きい材料を選定する。基板１１上にあった異物２２は、硬化した樹脂層２１に内包されているので、樹脂層２１とともにテンプレート１２側に移り、基板１１上から除去される。

工程Ｓ１０８（基板搬出）では、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御して基板１１を基板保持部１３から搬出する。

工程Ｓ１０９では、次に異物除去処理を行う基板１１があるかどうかを判定し、次に処理する基板１１がある場合、工程Ｓ１０９に進む。次の処理基板がない場合は、工程Ｓ１１１に進み、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御してテンプレート１２をテンプレート保持部１４から搬出して処理を終了する。

工程Ｓ１１０（パラメータ調整工程）では、押印工程、充填工程、露光工程に係る制御パラメータを調整する。各テンプレート１２の異物除去処理回数は、異物除去処理ごとに記録されており、その回数に基づいて制御パラメータを調整する。このように制御パラメータを調整しておくことで、最適な制御パラメータで次の異物除去処理を行うことができる。具体的な調整方法については後述する。制御パラメータの調整後、工程Ｓ１０２（塗布工程）に戻り、次の基板１１に対して、同様の処理を行う。

なお、Ｓ１１１でテンプレート１２を搬出する際にも、次に当該テンプレート１２を用いて異物除去処理を行う時のために、メモリなどに当該テンプレート１２を用いて異物除去処理を行う際の制御パラメータの設定を記憶させておくことが好ましい。

以上が異物除去装置１０の異物除去処理の方法である。塗布工程、押印工程、充填工程、硬化工程、分離工程を繰り返すことによって、基板１１上の異物を樹脂層とともにテンプレート側に移し、基板１１上から異物を除去することができる。

このような異物除去を確実に行うためには押印工程、充填工程、露光工程に係る制御パラメータが異物除去処理に適したものである必要がある。このような制御パラメータが適したものでないと異物除去に失敗し不良を発生させることもあり得る。その１例として、充填時間Ｔａが十分でなく充填が完了する前に、硬化工程、分離工程に移行することが考えられる。充填工程における基板１１とテンプレート１２との間に樹脂層２１を隅々まで行き渡らせるとは、言い換えれば、基板１１とテンプレート１２との間に空気が残留しない状態を作ることを意味している。空気が残存している場合、酸素阻害によって硬化工程で樹脂層が確実に硬化しない可能性が生じる。樹脂層が硬化しないと、分離工程の際に異物２２がテンプレート１２側に持ち上げられなかったり、樹脂層２１が基板側に残存したりすることがある。また、空気が残存している場合、樹脂層２１とテンプレート１２との接触面積が減り、分離させるためにテンプレート１２を上昇させても樹脂層２１が基板１１側に付着したままになり、分離不良となる恐れがある。こういった不良の発生を低減するために、Ｓ１０９で制御パラメータの調整工程が必要となる。

同じテンプレート１２を用いて繰り返し３回の異物除去処理を行った後のテンプレート１２の様子を図３（ｇ）に示す。テンプレート１２を交換しないで、繰り返し異物除去処理工程を行うと、図３（ｇ）のように、複数の樹脂層（樹脂層２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ・・）がテンプレート１２に積層される。積層される樹脂層２１の厚さＴは、工程Ｓ１０２で塗布した樹脂層２１の厚さの総和となる。すなわち１回目の樹脂層２１Ａの厚さＴ１と２回目の樹脂層２１Ｂの厚さＴ２と３回目の樹脂層２１Ｃの厚さＴ３の和となる。工程Ｓ１０２で樹脂層２１を各基板に対して一定の厚さとなるように塗布していれば、異物除去回数に１回あたりの樹脂層２１の厚さを乗じた値になる。なお、樹脂層２１は、硬化する際に多少の硬化収縮を起こすため、硬化収縮率を乗じることでより真値に近い値を得ることもできる。

このように、テンプレート１２に樹脂層２１が積層されていくと、異物除去処理時のテンプレート１２の表面は積層された樹脂層２１の最下層となるため、テンプレート１２と基板１１との間の初期距離は、狭くなっていく。そのため調整工程では、図４（ａ）で示した押印工程におけるテンプレート１２の位置すなわちテンプレート保持部１４の下降を完了する位置を変更する。つまり下降を完了する位置は、積層された樹脂層２１の厚さ分だけ位置Ｈ１から基板１１から離れた位置Ｈ２、すなわち除去回数が増えるほど接触完了とする位置は高くなるように調整する。このような位置とすることで、基板保持部で保持される基板とテンプレート保持部で保持されるテンプレートとの間の距離は広くなり、テンプレート１２の積層された樹脂層２１の厚さを考慮した状態で押印することができる。

積層された樹脂層２１の厚さを考慮した調整を行わない場合、駆動部１５の駆動量が過大になり、過剰な力でテンプレート１２を基板１１に押し付けることになる可能性がある。また接触開始のタイミングも、既に積層されている樹脂層２１の厚さ分だけ早くなるため、接触開始のタイミングに合わせて圧力調整部１８による圧力制御のタイミングも変更することが必要である。圧力調整部１８による圧力調整タイミングが接触タイミングとずれてしまうと、押印工程で基板１１とテンプレート１２との間に空気を挟み込んでしまい、上述のとおり異物除去処理が確実に行えない可能性があるためである。

以上のように、複数回同じテンプレート１２を用いる際には、積層された樹脂層２１の厚さが厚くなるほど接触を開始してから接触が完了するまでの時間を長くするような押印工程となるように制御パラメータを調整する。すなわち、異物除去処理の回数、または、異物除去処理で前記部材に付着している硬化した前記硬化性組成物の厚さといった、次に異物除去処理を行う前の（過去の）異物除去処理に用いられた履歴情報に基づいて、押印工程にかかる制御パラメータを調整する。これにより押印工程による不良の発生を低減して異物除去を連続して行うことが可能となる。

次に、硬化工程による制御パラメータの調整の必要性について説明する。テンプレート１２の表面に樹脂層２１が積層されていると、その厚さに応じて硬化エネルギの透過率が低下し、異物除去処理の樹脂層２１に到達する硬化エネルギが少なくなる可能性がある。硬化エネルギが不足すると樹脂層２１は十分に硬化できず、分離工程で樹脂層２１が千切れる等して基板１１側に樹脂層２１が残存して不良となりうる。そこで、Ｓ１０９の制御パラメータの調整工程では、異物除去回数または積層された樹脂層２１の厚さといった情報に基づいて、硬化エネルギの量を調整する。すなわち、積層された樹脂層２１の厚さが厚くなるほど、硬化エネルギの量を増やすように、硬化部１６の制御パラメータを調整する。例えば硬化部１６から照射される紫外線の照射時間を長くする。樹脂層２１の厚さによる硬化エネルギの低下を補うように、樹脂層２１が厚くなるほど硬化エネルギのエネルギ量が大きくなるように硬化部１６の制御パラメータを調整することで、硬化工程による不良の発生を低減して異物除去処理を連続して行うことが可能となる。

次に、基板１１上に段差がある場合の異物除去処理における制御パラメータの調整の必要性について説明する。基板１１は、半導体製造の途中段階の基板であり、半導体製造の工程を経ることにより基板１１表面に段差が発生することがある。このような基板１１に対して、同じテンプレート１２を用いて連続して異物除去処理を行った場合の様子を図５に示す。図５は段差付き基板１１上の異物２２を、テンプレート１２を用いて異物除去処理する際の様子を説明する概略図であり、ＸＺ平面を表示している。

図５（ａ）は、異物２２が付着した段差付き基板１１Ａを示している。図５（ｂ）は、塗布工程で、樹脂層２１Ａが塗布された段差付き基板１１Ａを示している。図５（ｃ）は、充填工程における段差付き基板１１Ａとテンプレート１２と樹脂層２１Ａを示している。図５（ｄ）は、分離工程終了後のテンプレート１２と樹脂層２１Ａを示している。図５（ｄ）に示すようにテンプレート１２に付着している硬化した樹脂層２１Ａには、基板１１Ａの段差形状が転写されている。図５（ｅ）は、続けて、段差付き基板１１Ｂに異物除去処理を行う際の押印工程の段差付き基板１１Ｂとテンプレート１２と樹脂層２１Ｂを示している。このようにテンプレート１２の接触面には硬化した樹脂層２１Ａがあるため、樹脂層２１Ｂに押印工程で接触する最初の位置は、樹脂層２１Ａの段差形状に左右されることがわかる。図５（ｆ）は、続けて充填工程に移行した際の段差付き基板１１Ｂとテンプレート１２と樹脂層２１Ｂを示している。テンプレート１２の接触面に段差が生じている場合には、図５（ｃ）のようにテンプレート１２の接触面に段差がない場合と比べて接触開始位置の変化が生じたり表面積が変化したりするため、樹脂層が充填するのに時間がかかる。

そのため、工程Ｓ１０９のプロファイル調整工程で、異物除去処理の２回目以降では、樹脂層２１の厚さが厚くなるほど接触させてから硬化させるまでの時間をながくするように制御パラメータを調整する。すなわち異物除去回数または積層された樹脂層２１の厚さといった情報に基づいて充填工程の時間を延長するように変更する。変更後の具体的な充填時間は、段差基板の表面状態に応じて異なってくるため、実験を行いその結果から決めることが好ましい。これにより、樹脂層の充填が完了する前に硬化工程、分離工程に移行する可能性を低減できる。樹脂層が充填する前に、硬化工程と分離工程を行うと、樹脂層２１中に空気を含んでいる状態で分離工程をおこなうことになり、樹脂層２１が完全に分離できずに基板１１側に樹脂層２１が残存してしまうことになる。樹脂層２１が基板側に残存すると、基板１１の後の工程で欠陥となり製造不良となりうる。

また、工程Ｓ１０９のプロファイル調整工程で、異物除去処理の２回目以降では、異物除去回数または積層された樹脂層２１の厚さといった情報に基づいて、塗布部１９による樹脂層２１の塗布膜厚を厚くするように変更してもよい。樹脂層２１の膜厚が厚くなることで、樹脂層２１の流動性が高くなり、押印工程、充填工程での充填が完了する時間を短縮できる。これによって、樹脂層２１の充填が完了する前に、硬化工程、分離工程に移行する可能性を低減できる。

次に、基板１１上に中心が高い山型の傾斜が生じている場合の異物除去処理における制御パラメータの調整の必要性について説明する。中心が高い山型の傾斜が生じている基板１１に対して、同じテンプレート１２を用いて連続して異物除去処理工程を行った場合の様子を図６に示す。図６は山型基板１１上の異物２２を、テンプレート１２を用いて異物除去処理を行う際の概略図であり、ＸＺ平面を表示している。

図６（ａ）は、異物２２が付着した山型基板１１Ｃを示している。山型基板１１Ｃは図のように基板の中心部が高い形状をしている。図６（ｂ）は、塗布工程で、樹脂層２１Ｃが塗布された山型基板１１を示している。図６（ｃ）は、充填工程における山型基板１１Ｃとテンプレート１２と樹脂層２１Ｃを示している。図６（ｄ）は、分離工程終了後のテンプレート１２と樹脂層２１Ｃを示している。図のようにテンプレート１２に付着している硬化した樹脂層２１Ｃには、基板１１Ｃの山型形状が転写されている。図６（ｅ）は、続けて、山型基板１１Ｄに異物除去処理を行う際の押印工程の山型基板１１Ｄとテンプレート１２と樹脂層２１Ｄを示している。このようにテンプレート１２の接触面には硬化した樹脂層２１Ｃがあるため、樹脂層２１Ｄに押印工程で接触する最初の位置は、樹脂層２１Ｃの形状に左右され、中心部が接触しづらくなっていることがわかる。図６（ｆ）は、続けて充填工程に移行した際の山型基板１１Ｄとテンプレート１２と樹脂層２１Ｄを示している。テンプレートの接触面に傾斜が生じていると、傾斜が生じてない場合と比べて接触開始位置の変化が生じたり表面積も変化するため、樹脂層が充填するのに時間がかかる。

そのため、図５で説明した段差付き基板１１と同様に、工程Ｓ１０９のプロファイル調整で、異物除去処理の２回目以降では、異物除去回数または積層された樹脂層２１の厚さといった情報に基づいて押印工程、充填工程の時間を延長するように変更する。つまり１回目の異物除去工程よりも、２回目以降は充填時間を長くする。変更後の具体的な充填時間は、山形の傾斜度合いの影響で異なってくるため、実験を行いその結果から決めることが好ましい。これにより、樹脂層の充填が完了する前に硬化工程、分離工程に移行する可能性を低減できる。

また別の手段として、山型基板１１への樹脂層の充填時間を短縮するために、制御パラメータの１つであるテンプレート１２の湾曲を調整してもよい。図４（ｂ）に示す押印工程では、テンプレート１２を基板の側に凸形状となるように湾曲させてテンプレートを押印させる。湾曲量の調整とは圧力調整部１８への指令値（圧力量）を変更することで実現することができる。具体的な湾曲量の調整量は山型基板１１の傾斜度合いから決めることが好ましい。圧力調整部１８で調整されるテンプレート１２の湾曲量は、有限要素解析などにより求めることができる。これにより押印工程でテンプレート１２を中心位置から接触されるように修正できれば、樹脂層が充填する前に硬化工程、分離工程に移行し、不良を発生させる可能性を低減できる。

以上のように、異物除去装置１０は、異物除去処理に用いるテンプレートの過去の異物除去処理に用いられた履歴情報に基づいて、押印工程、充填工程、露光工程の制御プロファイルを変更する。これにより同じテンプレート１２を用いて複数回異物除去処理を行う際に、不良が発生する可能性を低減でき、生産性を高めることができる。

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態では基板１１の全面に一括で異物除去処理を行う異物除去装置１０の例を用いて説明したが、本実施形態では、基板１１の一部領域に対して異物除去処理を行う異物除去装置１０について説明する。このような異物除去装置１０では、例えば、外部の異物検査装置で異物の存在、座標を検査した後で、異物のある個所のみを異物除去することができる。樹脂層の塗布面積が減少するので、樹脂層の使用量を削減したり、不必要な異物除去を行う必要がなくなり生産性を高めることができる。本実施形態では、第１の実施形態と異なる内容について中心に説明を行い、第１の実施形態と同様な内容については説明を省略する。本実施形態において言及しない事項は、第１実施形態に従うものとする。

図７は、第２実施形態における異物除去装置１０の概略図を示している。図７に示す異物除去装置１０は、基板１１を保持する基板保持部１３と、テンプレート１２を保持するテンプレート保持部１４をＺ方向に移動する駆動部１５と、硬化部１６と、制御部１７と、圧力調整部１８と、塗布部１９とを備えている。

基板保持部１３は、基板１１を保持してＸＹ平面方向に移動な構成され、不図示の搬送装置などにより搬入された基板１１を、例えば、真空吸着力または静電力などによって保持する。ＸＹ平面方向の駆動には、例えば、リニアモーターなどが用いられる。

テンプレート１２には基体部から突出する凸部が設けられており、当該凸部には基板１１に異物除去材として用いられる樹脂層２１を介して接触するメサ面１２ａが設けられている。メサ面１２ａのサイズは、基板１１のインプリント領域に応じたサイズとしてもよい。

テンプレート保持部１４，駆動部１５、硬化部１６、制御部１７，圧力調整部１８は第１実施形態と同等であるので説明を省略する。

塗布部１９は、樹脂層２１を基板１１の指定された位置に指定された量の樹脂を塗布できるように構成される。塗布部１９は、インクジェット法、ディスペンサ法、スピンコート法などから適宜選択される方法で樹脂材料を塗布することができる。樹脂の供給は、基板保持部１３で基板１１を塗布部１９の下方に移動させた状態で行われる。

図８は、第２実施形態に係る異物除去装置１０の樹脂層を示すフローチャートである。図８には、基板１１上の複数の領域に順次異物除去処理を実行していく処理が示されている。図８に示すフローチャートにおける各工程は、制御部１７によって各部を制御することによって実行される。図９は、樹脂層の工程を説明するための概略図であり、ＸＺ平面を表示している。

工程Ｓ２０１（テンプレート搬送）では、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御してテンプレート１２を搬入させ、テンプレート保持部１４に保持させる。

工程Ｓ２０２（基板搬入）では、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御して基板１１を基板保持部１３に搬入する。

工程Ｓ２０３（塗布工程）では、制御部１７は、塗布部１９を制御して基板１１上の異物除去処理を行う位置に異物除去材として用いられる樹脂層２１を塗布する。図９（ａ）は、樹脂層が塗布される前の基板１１を示しており、異物２２が基板１１上に存在する様子を示している。図９（ｂ）は、塗布部１９で樹脂層２１を塗布している途中の基板１１を示している。

工程Ｓ１０４（押印工程）では、制御部１７は駆動部１５を制御して、テンプレート１２を基板１１上の樹脂層２１に押し付ける。図９（ｃ）は、押印工程における、基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１Ａを示している。具体的には基板１１とテンプレート１２との間のＺ方向の距離が徐々に小さくなるように、駆動部１５を制御してテンプレート１２を保持するテンプレート保持部１４のＺ軸の位置を下げていく。圧力調整部１８は、テンプレート１２の基板１１に対抗する面の反対側の空間の圧力を高めて、テンプレート１２のメサ面１２ａを湾曲させる。これにより、テンプレート１２のメサ面１２ａと基板１１上の樹脂材との接触をメサ面１２ａの中心位置から始めることができ、樹脂層２１とテンプレート１２との間に空気を挟み込む量を低減できる。押印工程終了時には、圧力調整部１８は圧力を初期状態に戻し、メサ面１２ａをフラットな状態に戻す。図９（ｃ）に示すように、テンプレート１２のメサ面１２ａは、樹脂層２１が設けられている基板１１の一部領域と接触する。

工程Ｓ２０５（充填工程）では、基板１１とテンプレート１２の間に樹脂層２１が行き渡るまで待機する。図３（ｄ）は、充填工程における、基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１を示している。

工程Ｓ２０６（硬化工程）では、制御部１７は、待機時間経過後に硬化部１６を制御して樹脂層２１に硬化用のエネルギを与えて、硬化させる。図９（ｅ）は、硬化工程における基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１を示している。

工程Ｓ２０７（分離工程）では、制御部１７は、基板１１とテンプレート１２を離す方向に駆動部１５を駆動制御する。図９（ｆ）は、分離工程における基板１１とテンプレート１２と樹脂層２１を示している。テンプレート１２を基板１１から引き離すと、硬化した樹脂層２１は、テンプレート１２側に付着し、基板１１には残存しない。基板１１上にあった異物２２は、硬化した樹脂層２１に内包されているので、樹脂層２１とともにテンプレート１２側に移り、基板１１上から除去される。

工程Ｓ２０８では、基板１１内に次の被処理領域があるかどうかを判定し、次の被処理領域がある場合、工程Ｓ２０９に進み、次の被処理領域がない場合、工程Ｓ２１０にすすむ。

工程Ｓ２１０（基板搬出）では、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御して基板１１を基板保持部１３から搬出する。

工程Ｓ２１１では、次の被処理基板があるかどうかを判定する。次の被処理基板がある場合、工程Ｓ２１３に進み、次の被処理領域がない場合、Ｓ２１１に進み、制御部１７は、不図示の搬送装置を制御してテンプレート１２をテンプレート保持部１４から搬出して処理を終了する。

工程Ｓ２０９（パラメータ調整工程）と工程Ｓ２１３（パラメータ調整工程）の処理内容は同等であり、押印工程、充填工程、露光工程に係る制御パラメータを調整する。各テンプレート１２の異物除去処理回数は、異物除去処理ごとに記録されており、その回数に基づいて制御パラメータを調整する。このように制御パラメータを調整しておくことで、最適な制御パラメータで次の異物除去処理を行うことができる。

工程Ｓ２０９で制御パラメータを調整した後は、工程Ｓ２０３（塗布工程）に戻り、同じ基板内の次の異物除去処理領域に対して異物除去処理を継続する。工程Ｓ２１３で制御パラメータを調整した後は、工程Ｓ２０２（基板搬送工程）に戻り、次の基板１１に対して、同様の処理を行う。

なお、Ｓ２１２でテンプレート１２を搬出する際にも、次に当該テンプレート１２を用いて異物除去処理を行う時のために、メモリなどに当該テンプレート１２を用いて異物除去処理を行う際の制御パラメータの設定を記憶させておくことが好ましい。

以上が異物除去装置１０の異物除去処理の方法である。塗布工程、押印工程、充填工程、硬化工程、分離工程を繰り返すことによって、基板１１上の異物を樹脂層とともにテンプレート側に移し、基板１１上から異物を除去することができる。

同じテンプレート１２を用いて繰り返し３回の異物除去処理工程を行った後のテンプレート１２の様子を図９（ｇ）に示す。第１実施形態と同様に、樹脂層２１がテンプレート表面に積層される。

以上のように、本実施形態においても異物除去装置１０において、異物除去処理に用いるテンプレートの過去の異物除去処理に用いられた履歴情報に基づいて、押印工程、充填工程、露光工程の制御プロファイルを変更する。これにより同じテンプレート１２を用いて複数回異物除去処理を行う際に、不良が発生する可能性を低減でき、生産性を高めることができる。

〈物品の製造について〉
以上説明した異物除去装置を用いて異物除去された基板は、インプリント装置などを用いて硬化物のパターン等の構造物をさらに形成することができ、これらの構造物は、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。

物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、図１０を用いて、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。まず図１０（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１０（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１０（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１０（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１０（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１０（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

そして物品の製造方法には、基板に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置（インプリント方法）を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程も含まれる。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利であるといえる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

＜実施形態のまとめ＞
本明細書の開示は、少なくとも以下の構成を含む。

（項目１）
基板上の異物を除去する異物除去処理を行う異物除去装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
部材を保持する部材保持部と、
前記基板保持部で保持される基板と前記部材保持部で保持される部材との間の距離が変更されるように、前記基板保持部および前記部材保持部の少なくとも一方を駆動する駆動部と、
硬化性組成物を硬化させる硬化部と、
前記基板上の硬化性組成物に、前記部材を接触させた状態で、前記硬化部で前記硬化性組成物を硬化させた後、前記基板から前記部材と前記硬化性組成物とを分離させるように、前記駆動部を制御することで、異物除去処理が行われるように制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、異物除去処理に使用する部材の、過去の異物除去処理の履歴情報に基づいて制御パラメータを調整し、当該調整された制御パラメータを用いて異物除去処理を行うように制御することを特徴とする異物除去装置。

（項目２）
前記履歴情報とは、異物除去処理の回数、または、異物除去処理で前記部材に付着している硬化した前記硬化性組成物の厚さ情報を含んでおり、
前記制御部は、異物除去処理の回数、または、異物除去処理で前記部材に付着している硬化した前記硬化性組成物の厚さ情報に基づいて、異物除去処理における制御パラメータを調整することを特徴とする項目１に記載の異物除去装置。

（項目３）
前記制御パラメータは、前記基板上の硬化性組成物に前記部材の接触を開始してから接触が完了するまでにかかる時間を含み、
前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記接触が完了するまでにかかる時間が長くなるように前記制御パラメータを調整することを特徴とする項目２に記載の異物除去装置。

（項目４）
前記制御パラメータは、前記基板上の硬化性組成物を前記部材に接触させた状態で、前記硬化部で硬化性組成物を硬化させるまでの時間を含み、
前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記硬化されるまでの時間が長くなるように前記制御パラメータを調整することを特徴とする項目２または３に記載の異物除去装置。

（項目５）
前記制御パラメータは、前記基板保持部およびと前記部材保持部の位置を含み、
前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記基板上の硬化性組成物に前記部材を接触させた際の距離は広くなるように調整することを特徴とする項目２乃至４のいずれか１項に記載の異物除去装置。

（項目６）
前記制御パラメータは、前記硬化部による硬化エネルギ量を含み、
前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記硬化エネルギ量が大きくなるように調整することを特徴とする項目２乃至５のいずれか１項に記載の異物除去装置。

（項目７）
前記部材が前記基板の側に凸形状となるように調整する調整部をさらに有し、前記制御部は、前記部材が凸形状となるように変形している状態で前記基板上の硬化性組成物に接触するように制御し、前記制御パラメータは、前記調整部の指令値を含むことを特徴とする項目１乃至６のいずれか１項に記載の異物除去装置。

（項目８）
前記基板上に硬化性組成物を塗布する塗布部をさらに有し、前記制御パラメータは、前記塗布部からの塗布量を含むことを特徴とする項目１乃至７のいずれか１項に記載の異物除去装置。

（項目９）
基板上の硬化性組成物に、部材を接触させる接触工程と、
前記基板上の硬化性組成物と前記部材とを接触させた状態で硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、
前記硬化性組成物が硬化した後に、前記基板から前記部材と前記硬化性組成物とを分離させる分離工程と、を制御パラメータに基づいて行う異物除去装置の異物除去方法であって、
異物除去処理に使用する部材の、過去の異物除去処理の履歴情報に基づいて制御パラメータを調整する調整工程をさらに有することを特徴とする異物除去方法。

（項目１０）
項目１乃至８のいずれか１項に記載の異物除去装置で異物が除去された基板を設ける工程と、
前記基板を加工する工程と、を含み、
前記加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

Claims (10)

1. 基板上の異物を除去する異物除去処理を行う異物除去装置であって、
   基板を保持する基板保持部と、
   部材を保持する部材保持部と、
   前記基板保持部で保持される基板と前記部材保持部で保持される部材との間の距離が変更されるように、前記基板保持部および前記部材保持部の少なくとも一方を駆動する駆動部と、
   硬化性組成物を硬化させる硬化部と、
   前記基板上の硬化性組成物に、前記部材を接触させた状態で、前記硬化部で前記硬化性組成物を硬化させた後、前記基板から前記部材と前記硬化性組成物とを分離させるように、前記駆動部を制御することで、異物除去処理が行われるように制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、異物除去処理に使用する部材の、過去の異物除去処理の履歴情報に基づいて、制御パラメータを調整し、当該調整された制御パラメータを用いて異物除去処理を行うように制御することを特徴とする異物除去装置。
2. 前記履歴情報とは、異物除去処理の回数、または、異物除去処理で前記部材に付着している硬化した前記硬化性組成物の厚さ情報を含んでおり、
   前記制御部は、異物除去処理の回数、または、異物除去処理で前記部材に付着している硬化した前記硬化性組成物の厚さ情報に基づいて、異物除去処理における制御パラメータを調整することを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
3. 前記制御パラメータは、前記基板上の硬化性組成物に前記部材の接触を開始してから接触が完了するまでにかかる時間を含み、
   前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記接触が完了するまでにかかる時間が長くなるように前記制御パラメータを調整することを特徴とする請求項２に記載の異物除去装置。
4. 前記制御パラメータは、前記基板上の硬化性組成物を前記部材に接触させた状態で、前記硬化部で硬化性組成物を硬化させるまでの時間を含み、
   前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記硬化されるまでの時間が長くなるように前記制御パラメータを調整することを特徴とする請求項２に記載の異物除去装置。
5. 前記制御パラメータは、前記基板保持部および前記部材保持部の位置を含み、
   前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記基板上の硬化性組成物に前記部材を接触させた際の距離は広くなるように調整することを特徴とする請求項２に記載の異物除去装置。
6. 前記制御パラメータは、前記硬化部による硬化エネルギ量を含み、
   前記制御部は、前記部材の異物除去処理の回数が増える、または、前記硬化性組成物の厚さが厚くなるほど、前記硬化エネルギ量が大きくなるように調整することを特徴とする請求項２に記載の異物除去装置。
7. 前記部材が前記基板の側に凸形状となるように調整する調整部をさらに有し、
   前記制御部は、前記部材が凸形状となるように変形している状態で前記基板上の硬化性組成物に接触するように制御し、
   前記制御パラメータは、前記調整部の指令値を含むことを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
8. 前記基板上に硬化性組成物を塗布する塗布部をさらに有し、
   前記制御パラメータは、前記塗布部からの塗布量を含むことを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
9. 基板上の硬化性組成物に、部材を接触させる接触工程と、
   前記基板上の硬化性組成物と前記部材とを接触させた状態で硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、
   前記硬化性組成物が硬化した後に、前記基板から前記部材と前記硬化性組成物とを分離させる分離工程と、を制御パラメータに基づいて行う異物除去装置の異物除去方法であって、
   異物除去処理に使用する部材の、過去の異物除去処理の履歴情報に基づいて制御パラメータを調整する調整工程をさらに有することを特徴とする異物除去方法。
10. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の異物除去装置で異物が除去された基板を設ける工程と、
    前記基板を加工する工程と、を含み、
    前記加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

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