TWI816501B - 孔長高一致性的腐蝕鋁箔的製備方法 - Google Patents
孔長高一致性的腐蝕鋁箔的製備方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI816501B TWI816501B TW111129238A TW111129238A TWI816501B TW I816501 B TWI816501 B TW I816501B TW 111129238 A TW111129238 A TW 111129238A TW 111129238 A TW111129238 A TW 111129238A TW I816501 B TWI816501 B TW I816501B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- aluminum foil
- corrosion
- treatment
- liquid
- corroded
- Prior art date
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 44
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 14
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 3
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/20—Acidic compositions for etching aluminium or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Weting (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Abstract
本發明涉及腐蝕箔製造製程技術領域，揭露了一種孔長高一致性的腐蝕鋁箔的製備方法，包含以下步驟：步驟1，將鋁箔放置於新型前處理液中且施加短時間的大直流電流進行前處理以產生腐蝕起始點；步驟2，在一次腐蝕液中進行穿孔腐蝕；步驟3，在二次腐蝕液中進行擴孔腐蝕；步驟4，熱處理後得到腐蝕鋁箔。上述新型前處理液主要為混酸和葡萄糖的混合水溶液，在前處理過程中透過對新型前處理液的相應濃度、溫度的控制以實現對腐蝕起始點的控制，使得腐蝕起始點分佈情況易於掌握。由上述製程製備得到的腐蝕鋁箔的表面孔分佈更均勻，且孔長一致性好，能有效提高腐蝕鋁箔彎折性能和電性能。
Description
本發明涉及腐蝕箔製造製程技術領域，尤其是涉及一種孔長高一致性的腐蝕鋁箔的製備方法。
用於鋁電解電容器的陽極腐蝕鋁箔，其製造流程主要是透過前處理、一次穿孔腐蝕、二次擴孔腐蝕、後處理、熱處理等工序，在鋁箔表面形成高密度的隧道孔，從而擴展鋁箔比表面積且提高單位面積容量。一次穿孔通常在鹽酸硫酸混合溶液中進行，以形成孔徑小且深度較深的細長隧道孔；二次擴孔腐蝕通常在硝酸溶液中進行，以將穿孔腐蝕中形成的小孔徑隧道孔擴大成較大孔徑的隧道孔，從而獲得更大的比表面積。穿孔過程對腐蝕箔產品表面孔的分佈和孔長的均一性有重要作用。
現在在鋁箔的生產中一般會添加微量的鐵(Fe)、矽(Si)、銅(Cu)等元素，這些微量元素被認為會成為一次穿孔腐蝕的腐蝕起始點，可以降低穿孔所需能量並且減少穿孔難度。但是，由於微量元素的添加量極低，一般僅有0.0002%至0.0005%，而且其在鋁箔表面的分散情況缺乏經濟有效的檢測手段，因此添加微量元素方法實際並不能有效的發揮增加表面孔分佈均勻性和孔長均一性的作用，並且腐蝕起始點分佈不易控制，因此在實際生產過程中，依舊存在穿孔有先後次序、表面孔分佈不均、隧道孔的孔長一致性差、短孔多的問題。
為了解決上述問題，並克服現有技術中存在的不足，本發明是提供了一種腐蝕鋁箔表面孔分佈更均勻，孔長一致性好，且能有效提高腐蝕鋁箔彎折性能和電性能的製備方法。
本發明透過如下技術方案實現：一種孔長高一致性的腐蝕鋁箔製備方法，包含以下步驟： 步驟a，前處理：將清洗乾淨的鋁箔放在新型前處理液中，在恆壓40至400V的條件下通電1至3秒，進行前處理在鋁箔表面產生腐蝕起始點，新型前處理液為酸和葡萄糖的混合溶液； 步驟b，將前處理後的鋁箔在一次腐蝕液中進行穿孔腐蝕，在二次腐蝕液中進行擴孔腐蝕，清洗熱處理後得到成品腐蝕箔。
進一步地，新型前處理液中的酸為H
2C
2O
4、H
2SO
4、HCl、H
3PO
4中的一種或複數種酸的混合物。
進一步地，新型前處理液中游離氫離子含量為0.6至1.0M。
進一步地，前處理液中葡萄糖含量為1至10g/L。
進一步地，步驟a中的前處理液溫度為15至30℃。
與現有技術相比，本發明的有益效果是：
1、本發明之腐蝕鋁箔製造方法中所揭露的新型前處理液採用了酸和葡萄糖的混合溶液，前處理中的腐蝕起始點在鋁箔表面分佈均勻，且腐蝕起始點分佈情況易於掌握，前處理過程中透過對新型前處理液的相應濃度、溫度的控制實現對腐蝕起始點的控制，為後續的多級穿孔的一致性提供了保證。
2、本發明揭露腐蝕鋁箔製造方法，透過在前處理過程中，利用短時間的恆壓大電流在腐蝕鋁箔表面形成整齊的腐蝕坑，可以為後續穿孔腐蝕提供腐蝕起始點，以提高穿孔腐蝕箔及最終成品腐蝕箔的孔長一致性，進而提高成品腐蝕箔的容量和彎折性能。
下文中將結合具體實施例對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特徵能更易於被本領域具有通常知識者理解，從而對本發明的保護範圍做出更為清楚明確的界定。
實施例：
步驟1，前處理：將鋁箔置於20℃的由0.3mol/L的草酸(H
2C
2O
4)溶液和3g/L的葡萄糖溶液混合製成的新型前處理液中進行前處理，其中前處理的電壓為100V，處理時間為1秒，從而在鋁箔表面形成腐蝕起始點。
步驟2，穿孔腐蝕：將步驟1中的鋁箔用純水清洗後，置於70℃的0.5mol/L的鹽酸(HCL)溶液和1.2mol/L的草酸(H
2C
2O
4)溶液中進行穿孔腐蝕，穿孔電流為最大1.5A/cm
2的梯度衰減電流，通電的時間為65秒，重複此步驟三次；
步驟3，擴孔腐蝕：將步驟2的鋁箔用純水清洗後，置於70℃的0.3mol/L的硝酸(HNO
3)溶液中進行擴孔腐蝕，擴孔電流為0.4A/cm
2的恆流擴孔，通電的時間為120秒，重複此步驟三次；
步驟4，熱處理：將步驟3的鋁箔浸泡在50℃的0.03ml/L的硝酸(HNO
3)溶液中60秒以洗去雜質離子；接續用純水清洗後，置於120℃烘箱中進行熱處理，熱處理時間為80秒，即可得到孔長高一致的腐蝕鋁箔。
對於本領域具有通常知識者而言，顯然本發明不限定於上述例示性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特徵的情況下，能夠以其他的具體形式來實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將上述實施例看作是例示性的，而且是非限制性的，本發明的範圍由所附申請專利範圍限定而不是由上述說明限定，因此旨在將落在申請專利範圍的等同要件的含義和範圍內的所有變化均囊括在本發明內。並且，不應將說明書中的任何元件符號視為限制其所涉及的申請專利範圍。
無
圖1為使用本發明實施例中孔長高一致性的腐蝕鋁箔的製備方法製得的腐蝕鋁箔的斷面圖。
Claims (3)
- 一種孔長高一致性的腐蝕鋁箔製備方法，係由以下步驟組成：步驟a，前處理：將清洗乾淨的一鋁箔放在一新型前處理液中，在恆壓100V的條件下通電1秒，進行前處理在該鋁箔表面產生腐蝕起始點，該新型前處理液為酸和葡萄糖的混合溶液；步驟b，穿孔腐蝕：將前處理後的該鋁箔在一次腐蝕液中進行穿孔腐蝕，在二次腐蝕液中進行擴孔腐蝕，清洗熱處理後得到成品腐蝕箔，其中該新型前處理液中的酸為H2C2O4，且其游離氫離子含量為0.6至1.0M；該一次腐蝕液為HCl及H2C2O4之混合溶液；以及該二次腐蝕液為HNO3。
- 如請求項1所述之孔長高一致性的腐蝕鋁箔製備方法，其中該新型前處理液中葡萄糖含量為1至10g/L。
- 如請求項1所述之孔長高一致性的腐蝕鋁箔製備方法，其中該步驟a中的該新型前處理液溫度為15至30℃。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111177085.7A CN113628888B (zh) | 2021-10-09 | 2021-10-09 | 一种孔长高一致性的腐蚀铝箔的制备方法 |
| CN202111177085.7 | 2021-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202315975A TW202315975A (zh) | 2023-04-16 |
| TWI816501B true TWI816501B (zh) | 2023-09-21 |
Family
ID=78390896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111129238A TWI816501B (zh) | 2021-10-09 | 2022-08-03 | 孔長高一致性的腐蝕鋁箔的製備方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7437514B2 (zh) |
| CN (1) | CN113628888B (zh) |
| TW (1) | TWI816501B (zh) |
| WO (1) | WO2023056725A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113628888B (zh) * | 2021-10-09 | 2021-12-10 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种孔长高一致性的腐蚀铝箔的制备方法 |
| CN114059145B (zh) * | 2021-11-10 | 2023-05-26 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用 |
| CN114864288B (zh) * | 2022-05-17 | 2024-06-21 | 富之庆电子（深圳）有限公司 | 一种高压固态电容的制备方法及制备装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140039A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-09 | 江苏国瑞科技股份有限公司 | 一种铝箔腐蚀的前处理工艺 |
| CN107502948A (zh) * | 2017-07-15 | 2017-12-22 | 江苏国瑞科技有限公司 | 一种新型腐蚀箔扩孔技术 |
| US20190032237A1 (en) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd, | Anodizable aluminum alloy plate and method of manufacturing the same |
| CN109750346A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-05-14 | 中南大学 | 一种中高压腐蚀箔的制作工艺 |
| CN111430726A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-07-17 | 河南绿动能源科技有限公司 | 一种锂离子电池用铝集流体的制备方法及铝集流体 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101142333B (zh) * | 2005-03-17 | 2013-03-27 | 昭和电工株式会社 | 电解电容器电极用铝材及其制造方法、电解电容器用电极材料、铝电解电容器用阳极材料、电解电容器用阳极材料的制造方法及铝电解电容器 |
| JP4762791B2 (ja) | 2006-05-31 | 2011-08-31 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JP2009231517A (ja) | 2008-03-22 | 2009-10-08 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 |
| US9029268B2 (en) * | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| CN104593848A (zh) * | 2014-12-27 | 2015-05-06 | 西安交通大学 | 一种提高腐蚀铝箔比容的表面改性方法 |
| CN108330475B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-10-13 | 广东省建筑科学研究院集团股份有限公司 | 一种高抗腐蚀船用铝合金表面金属-有机骨架膜处理液及其使用方法 |
| CN108183033B (zh) * | 2018-03-02 | 2020-07-07 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺 |
| CN110055571B (zh) | 2019-04-18 | 2020-05-22 | 宜都东阳光化成箔有限公司 | 一种提高铝电解电容器用中高压化成箔容量的预处理溶液及化成工艺 |
| CN110783108B (zh) * | 2019-10-18 | 2022-03-25 | 佛山科学技术学院 | 一种腐蚀箔的制作方法 |
| CN113628888B (zh) * | 2021-10-09 | 2021-12-10 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种孔长高一致性的腐蚀铝箔的制备方法 |
-
2021
- 2021-10-09 CN CN202111177085.7A patent/CN113628888B/zh active Active
-
2022
- 2022-02-22 WO PCT/CN2022/077204 patent/WO2023056725A1/zh active Application Filing
- 2022-02-22 JP JP2022543065A patent/JP7437514B2/ja active Active
- 2022-08-03 TW TW111129238A patent/TWI816501B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140039A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-09 | 江苏国瑞科技股份有限公司 | 一种铝箔腐蚀的前处理工艺 |
| CN107502948A (zh) * | 2017-07-15 | 2017-12-22 | 江苏国瑞科技有限公司 | 一种新型腐蚀箔扩孔技术 |
| US20190032237A1 (en) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd, | Anodizable aluminum alloy plate and method of manufacturing the same |
| CN109750346A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-05-14 | 中南大学 | 一种中高压腐蚀箔的制作工艺 |
| CN111430726A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-07-17 | 河南绿动能源科技有限公司 | 一种锂离子电池用铝集流体的制备方法及铝集流体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202315975A (zh) | 2023-04-16 |
| JP2023548990A (ja) | 2023-11-22 |
| WO2023056725A1 (zh) | 2023-04-13 |
| CN113628888B (zh) | 2021-12-10 |
| JP7437514B2 (ja) | 2024-02-22 |
| CN113628888A (zh) | 2021-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI816501B (zh) | 孔長高一致性的腐蝕鋁箔的製備方法 | |
| CN108538600B (zh) | 一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法 | |
| CN106653373B (zh) | 一种铝电解电容器用化成箔及其生产工艺 | |
| JP6922090B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用中高圧腐食箔の製造方法 | |
| KR20190058384A (ko) | 알루미늄 전해 콘덴서용 전극 포일의 기공 생성 밀도를 높이는 전처리 방법 | |
| KR102317276B1 (ko) | 표면 실장 알루미늄 전해 커패시터용 전극박의 제조 방법 | |
| CN102709059A (zh) | 一种中压铝电解电容器阳极箔的化成方法 | |
| CN110578163B (zh) | 一种中压腐蚀箔的制造方法 | |
| CN113502476B (zh) | 一种固态铝电解电容器用电极箔的制造方法 | |
| WO2019041797A1 (zh) | 一种低接触电阻低压铝电解电容器用电极箔腐蚀方法 | |
| CN101345137A (zh) | 电解电容器的阳极箔腐蚀工艺 | |
| JP2020507002A (ja) | 低圧用化成箔のアンジュレーションを減軽する化成方法 | |
| CN112080787B (zh) | 一种铝电解电容器用腐蚀箔及其制备方法 | |
| CN104711663B (zh) | 一种采用七级不同发孔条件的中高压电极箔制造方法 | |
| CN109750346A (zh) | 一种中高压腐蚀箔的制作工艺 | |
| CN101383228B (zh) | 低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法 | |
| CN110783110A (zh) | 一种固态电容器用电极箔的制造方法 | |
| CN104103428B (zh) | 一种铝电解电容器用高压高介电化成箔的制造方法 | |
| CN109786113A (zh) | 一种铝电解电容器用化成箔及其生产工艺 | |
| CN111370232B (zh) | 一种低压铝电解电容器用电极箔的制备方法 | |
| CN110983422B (zh) | 一种方波电化学蚀刻制备多孔铜箔的方法 | |
| CN114808076B (zh) | 一种弯曲性能良好电极箔的制备方法 | |
| CN105977029B (zh) | 一种控制铝箔隧道孔长度及其一致性的发孔腐蚀方法 | |
| CN109797424A (zh) | 一种中高压阳极铝箔五级发孔腐蚀中处理的方法 | |
| CN104616898B (zh) | 一种额外退火处理改善铝箔发孔性能的方法 |