TWI814068B - 披覆構件、披覆構件用之基材薄膜，及具備該等之顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題為提供一種披覆構件，提升了披覆構件的操作性，而且在重覆彎曲時，在該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕；一種披覆構件用之基材薄膜，及具備該等之顯示裝置。 本發明之披覆構件，係具有1μm以上未達15μm的基材薄膜、5μm以上未達50μm的透明基材之披覆構件，其特徵為：前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下。

Description

披覆構件、披覆構件用之基材薄膜，及具備該等之顯示裝置
本發明關於一種披覆構件、披覆材用的基材薄膜，及具備該等之顯示裝置。更詳細而言，關於一種披覆構件，提升了披覆構件的操作性，而且該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕；披覆構件用之基材薄膜、及具備該等之顯示裝置。
近來，有許多可折疊或可捲繞的可撓顯示器的開發正在進行。該顯示器是由具備以保護顯示器為目的之披覆玻璃單元(以下，在本發明中亦稱為「披覆構件」)及偏光板的顯示單元所構成。
此處，前述披覆玻璃單元所使用的透明基材，例如在使用玻璃基材的情況，會需要柔軟性，因此該玻璃基材本身必須薄型化，為了滿足這些要求，曾經有文獻揭示了薄型玻璃的製造方法等(參考例如專利文獻1)。
另一方面，還有文獻揭示了一項發明，在為了保護前述玻璃基材的目的而將聚合物層(保護薄膜)層合於玻璃基材時，控制該聚合物層表面的起伏(參考例如專利文獻2)。
前述具有折疊規格的可撓性顯示器之中，因為各構件的薄膜化，在將顯示器折疊時，披覆構件的彎曲半徑會往變小的方向發展。此情況下，根據本發明人等的檢討，可知前述披覆構件所具備的保護薄膜(在本發明中亦稱為「基材薄膜」)，需要在披覆構件折疊時提升保護機能(壓痕強度)至玻璃基材不會發生破裂的程度，而且在該披覆構件重覆彎曲時，前述保護薄膜不會產生摺痕特性。
然而，以上揭示的技術手段所製作出的由玻璃基材及保護薄膜的層合體所構成的披覆構件，難以兼顧薄膜化時更加提升前述保護機能以及重覆彎曲時保護薄膜不會產生摺痕的特性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 國際公開第2017/066924號 [專利文獻2] 日本特表2002-534305號公報
本發明是鑑於上述問題、狀況而完成，其解決課題為提供一種披覆構件，提升了披覆構件的操作性，而且在重覆彎曲時，該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕；披覆構件用之基材薄膜、及具備該等之顯示裝置。
本發明人為了解決上述課題。針對上述問題的原因等檢討的過程中，發現了在披覆構件具有特定厚度的基材薄膜與透明基材，且前述基材薄膜的應力及其所對應的應變滿足特定關係時，可得到一種披覆構件，可提升披覆構件的操作性，而且具有該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕的特性。
亦即，本發明所關連的上述課題可藉由以下的手段來解決。
1.一種披覆構件，其係具有1μm以上未達15μm之基材薄膜、5μm以上未達50μm之透明基材之披覆構件，其特徵為：前述基材薄膜之應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下。
2.如第1項之披覆構件，其中將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)小於前述B面的薄膜密度(ρB)。
3.如第1或2項之披覆構件，其中將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄 膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值在0.80~0.95的範圍內。
4.如第1至3項中任一項之披覆構件，其中前述基材薄膜在40~85質量%的範圍內含有橡膠粒子。
5.如第1至4項中任一項之披覆構件，其中前述透明基材的彈性模數在55~80GPA的範圍內，且前述透明基材的彈性模數與前述基材薄膜的彈性模數比(透明基材的彈性模數/基材薄膜的彈性模數)之值為30以上。
6.一種披覆構件用之基材薄膜，其係披覆構件用之基材薄膜，其特徵為：前述基材薄膜為1μm以上未達15μm，前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下。
7.如第6項之披覆構件用之基材薄膜，其中前述基材薄膜貼合於透明基材，將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)小於前述B面的薄膜密度(ρB)。
8.如第6或7項之披覆構件用之基材薄膜，其中前述基材薄膜貼合於透明基材，將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面 及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值係在0.80~0.95的範圍內。
9.如第6至8項中任一項之披覆構件用之基材薄膜，其中前述基材薄膜在40~85質量%的範圍內含有橡膠粒子。
10.一種顯示裝置，其特徵為具備：如第1至5項中任一項之披覆構件或如第6至9項中任一項之披覆構件用之基材薄膜。
藉由本發明之上述手段，可提供一種披覆構件，提升了披覆構件的操作性，而且在重覆彎曲時，該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕；披覆構件用之基材薄膜、及具備該等之顯示裝置。
本發明之效果的表現機制或作用機制仍不明確，可如以下所述來推測。
本發明之披覆構件，是由厚度在特定範圍的基材薄膜與透明基材的層合體所形成，其特徵為：該基材薄膜之應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下。
藉由這種特徵，可得到一種披覆構件，提升了披覆構件的操作性，而且在重覆彎曲時，該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕。
此處，「披覆構件的操作性」，是指在本發明中，將披覆構件折疊來進行開合操作時，披覆構件所具備的基材薄膜發揮出保護機能(壓痕強度)，使透明基材不會發生破裂等。另外，「摺痕」是指伴隨著重覆折疊的開合操作，在基材薄膜折疊的部位觀察到白化、摺痕，以及因為基材薄膜由透明基材剝離而發生影像變形等的視認性的劣化。
前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率超過25.0的情況，亦即基材薄膜堅硬，快速到達破裂點的情況，在該基材薄膜被拉伸的狀態，亦即在裝置閉合的狀態，應力會急劇增加，尤其是發生在基材薄膜的外側，因此在重覆進行開合操作時，外側和內側的物性劣化會出現差異，折疊部分白化或發生接著不良，會被視認為前述「摺痕」。此外還推測，在透明基材被壓到時，應力會直接集中在透明基材，因此透明基材容易破裂。
另一方面，在前述直線的斜率未達1.1，基材薄膜柔軟的情況，重覆進行開合操作時，前述外側和內側不易有物性劣化的差異，然而伴隨著該開合操作，因為該基材薄膜與透明基材一體化，基材薄膜全體會跟著反覆伸縮，因此在折疊部分，因為接著不良等緣故，基材薄膜會浮起，而降低視認性。此外還推測，在基材薄膜與透明基材一起被壓到時，基材薄膜過度柔軟，因此透明基材的物理形變量變得過大，透明基材容易破裂。
本發明之披覆構件，其係具有厚度為1μm以上未達15μm之基材薄膜及厚度為5μm以上未達50μm之透 明基材之披覆構件，其特徵為：前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下。此特徵是與下述實施態樣共通或對應的技術的特徵。
本發明之實施態樣，從表現出本發明之效果的觀點看來，以將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)小於前述B面的薄膜密度(ρB)，並且前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值在0.80~0.95的範圍內為佳。這是因為在將披覆構件往透明基材側折疊時，在前述基材薄膜的B面側會產生高於前述A面側的拉伸應力，然而若前述A面側的薄膜密度低，則可緩和該拉伸應力。
另外，前述基材薄膜，以在40~85質量%的範圍內含有橡膠粒子為佳。藉由大量來添加橡膠粒子所產生的耐衝擊性提升效果，能夠改良重覆彎曲時的耐摺痕性。
前述透明基材的彈性模數在55~80GPa的範圍內，且前述透明基材的彈性模數與前述基材薄膜的彈性模數比(透明基材的彈性模數/基材薄膜的彈性模數)之值，以在30以上為佳。這是因為在使用薄膜化而具有低彈性模數的透明基材來提供提升壓痕強度或不會產生摺痕的披覆構件時，藉由使用彈性模數較低的基材薄膜，亦即使透明基材對其之彈性模數比(透明基材的彈性模數/基材薄膜的 彈性模數)之值在30以上，可更加提升透明基材的保護機能。
另外，本發明之披覆構件用之基材薄膜，其厚度(亦稱為「膜厚」)在1μm以上未達15μm的範圍內，其特徵為：前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下。若將前述直線的斜率調整在上述範圍內，基材薄膜的壓痕強度與耐摺痕性會提升，在披覆構件具備該基材薄膜時，操作性會提升。
前述基材薄膜，將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)以小於前述B面的薄膜密度(ρB)為佳，前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值在0.80~0.95的範圍內，從前述效果的觀點看來為較佳。
另外，前述基材薄膜，同樣以在40~85質量%的範圍內含有橡膠粒子為佳。
本發明之顯示裝置，其特徵為：具備本發明之披覆構件、或本發明之披覆構件用之基材薄膜。藉由該顯示裝置，可提升披覆構件的操作性，而且重覆彎曲時，該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕，可得到具備折疊型顯示器或可捲繞的顯示器的顯示裝置。
以下針對本發明與其構成要素及本實施方式、態樣詳細說明。此外，在本發明中，「~」是以包含記載於其前後的數值作為下限值及上限值的意思來使用。
≪本發明的披覆構件的概要≫
本發明之披覆構件，其係具有厚度為1μm以上未達15μm之基材薄膜及厚度為5μm以上未達50μm之透明基材之披覆構件，其特徵為：前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下。
圖1為本發明之披覆構件中，基材薄膜與透明基材的層合體的剖面圖，以及將該披覆構件(層合體)折疊時的模式圖。
圖1A表示本發明之披覆構件10之最小構成，基材薄膜1會透過黏著劑層4被貼合於透明基材3而形成層合體。基材薄膜1與透明基材3貼合時，將前述基材薄膜1之與前述透明基材3的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面。
圖1B表示本發明之披覆構件10的其他態樣。此圖是表示基材薄膜1透過黏著劑層4貼合於透明基材3，進一步基材薄膜2透過黏著劑層4貼合於透明基材3而形成層合體的態樣。該基材薄膜2可為具有與基材薄膜1同樣規格的薄膜，還可為具有其他材料及規格的薄膜。例如為了提升表面硬度，可為硬塗薄膜等的機能性薄膜。
圖1C是將圖1A所示的披覆構件10往透明基材3側折疊時的模式圖。此處折疊時的彎曲半徑，意指在圖1C或圖1D之中，將披覆構件10折疊時，折疊部分的內側的半徑R。
如前述般，在將披覆構件往透明基材3側折疊時，在前述基材薄膜的B面側會產生高於前述A面側的拉伸應力，然而若前述A面側的薄膜密度低，則可緩和該拉伸應力。
圖1D是將圖1B所示的披覆構件10往透明基材3側折疊時的模式圖。此情況下，在基材薄膜1的前述B面側也會產生高於前述A面側的拉伸應力，然而若前述A面側的薄膜密度低，則可緩和該拉伸應力。
本發明所關連的應力-應變曲線，是表示依據JIS K7127：1999測得的基材薄膜之拉伸應力與拉伸破裂拉伸率的關係。
將基材薄膜切成100mm(MD方向：長邊方向)×10mm(TD方向：寬邊方向)的尺寸，而得到樣品薄膜。將該樣品薄膜在23℃‧55%RH的環境下調濕24小時，依據JIS K7127：1999，使用ORIENTEC公司製的萬能試驗機RTC-1225A，將夾具間距離定為50mm，將調濕後的樣品薄膜往MD方向拉伸，同時得到破裂為止的應力-應變曲線。應力-應變曲線是以縱軸為應力(MPa)、橫軸為拉伸破裂拉伸率(%)來表示。應力-應變曲線的測定是在23℃‧55%RH下，以拉伸速度50mm/分鐘的條件來進行。
藉由圖式來說明由上述測定所測得的基材薄膜的應力-應變曲線求得本發明所關連的直線的斜率的方法。
圖2為表示基材薄膜的應力-應變曲線，連接 原點與破裂點的直線的斜率之圖形。
基材薄膜在藉由進行拉伸測試拉伸之後得到破裂點X，畫出連接該破裂點X與原點(0點)的直線Y時，將該直線的斜率α定義為本發明中所謂的「基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率」。該斜率α，如前述般，從得到本發明之效果的觀點看來，必須在1.1以上25.0以下，會富有彈力且不會變得過硬，藉此可得到一種披覆構件，提升基材薄膜的壓痕強度而提升了披覆構件的操作性，而且在重覆彎曲時，該披覆構件所具備的基材薄膜本身不會產生摺痕。
以下針對本發明的構成要素詳細說明。但是，在之後的說明中，本發明不受其限定。
[1]基材薄膜
[1.1]基材薄膜的概要
在以下的說明之中，「基材薄膜」只要沒有特別註明，當作圖1中的「基材薄膜1」來說明。
本發明所關連的基材薄膜，膜厚在1μm以上未達15μm的範圍內，其特徵為：前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率在1.1以上25.0以下，且具有提升設置於披覆構件時的壓痕強度等的操作性，而且在設置於該披覆構件時，重覆彎曲時基材薄膜本身不會產生摺痕的效果。
如前述般，在前述直線的斜率超過25.0的情 況，在該基材薄膜被拉伸的狀態，亦即裝置閉合的狀態，應力會急劇增加，尤其發生在基材薄膜的外側，因此在重覆進行開合操作時，外側和內側的物性劣化會出現差異，折疊部分白化或發生接著不良，而被視認為摺痕。此外，在透明基材被壓到時，應力直接會集中在透明基材，因此透明基材容易破裂。
另一方面，在前述直線的斜率未達1.1，基材薄膜柔軟的情況，伴隨著該開合操作，因為該基材薄膜與透明基材一體化，基材薄膜全體會跟著反覆伸縮，因此在折疊部分，因為接著不良等緣故，基材薄膜會浮起，而降低視認性，被視認為摺痕。此外，基材薄膜與透明基材一起被壓到時，基材薄膜過度柔軟，因此透明基材的物理形變量變得過大，透明基材容易破裂。
另外，在前述膜厚未達1μm的情況，作為基材薄膜的韌性變弱，披覆構件的壓痕強度會降低。另外，若在15μm以上，則作為基材薄膜的韌性變強，隨著顯示器重覆開合，容易產生前述摺痕，因此在上述範圍內是必要的。
此外，將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，以前述A面的薄膜密度(ρA)以小於前述B面的薄膜密度(ρB)為佳，前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值以在0.80~0.95的範圍內為佳。這是因為在將披覆構件往透明基材側折疊時， 在前述基材薄膜的B面側會產生高於前述A面側的拉伸應力，然而若前述A面側的薄膜密度低，則可緩和該拉伸應力。
<基材薄膜的A面及B面的密度測定>
基材薄膜的表面(A面及B面)的密度，是使用X光反射率法(XRR法)來測定。若X光相對於薄膜表面以非常淺的角度入射，則會被全反射，若X光的入射角在全反射臨界角以上，則X光會進入薄膜內部，反射率會降低。以XRR法所測得的反射率曲線可使用專用的反射率解析軟體來解析，在本發明中，將反射率開始降低的角度定為θa時，在2θ為2θa至2θa+0.1°的範圍，將測定結果與計算結果的擬合誤差最小時的密度定為表面密度。此時，表面粗糙度定在0nm~1nm的範圍內進行擬合。
將基材薄膜切成30mm×30mm的大小，固定於樣品台，依照以下的測定條件作測定。
(測定條件)
‧裝置：薄膜X光繞射裝置(Rigaku股份有限公司製的ATX-G)
‧樣品尺寸：30mm×30mm
‧入射X光波長：1.5405Å
‧測定範圍(θ)：0~6°
‧解析軟體：反射率解析軟體GXRR(Rigaku股份有限公司製)
為了讓前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值在0.80~0.95的範圍內，在基材薄膜的製造步驟中，例如可活用以下的知識來調整。
(a)改變橡膠粒子或微粒子相對於樹脂的量。例如若增加橡膠粒子或微粒子的量，則會促進溶劑的擴散，表面/背面的密度不易產生差異。
(b)改變原液中的固體成分濃度。例如若固體成分高，則相對而言溶劑較少，不易產生密度差。
(c)改變乾燥方法，例如若緩慢乾燥加上急驟乾燥(讓表面觸碰加熱器)等，則可提高密度差。
藉由將由如(a)~(c)般的知識所推導出來的手段加以組合，可將前述A面/B面面的密度比率(ρA/ρB)之值調整至0.80~0.95的範圍內。
[1.2]基材薄膜的材料
本發明所關連的基材薄膜所使用的樹脂並未受到特別限制，可列舉纖維素酯系樹脂、環烯烴系樹脂、富馬酸二酯系樹脂、聚丙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及苯乙烯系樹脂或其複合樹脂，作為較佳的樹脂，含有側鏈具有羰基的直鏈狀高分子材料或含有主鏈具有環狀構造的高分子材料，可控制彎折耐性等的物理特性，且提升光學特性，由此觀點看來，合適的樹脂可為(甲基)丙烯酸系樹脂、苯乙烯‧(甲 基)丙烯酸酯共聚物、環烯烴系樹脂或聚醯亞胺系樹脂等。
<(甲基)丙烯酸系樹脂>
基材薄膜所使用的(甲基)丙烯酸系樹脂，以至少含有來自甲基丙烯酸甲酯的結構單元(U1)與來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)為佳，含有來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)的(甲基)丙烯酸系樹脂，還會有降低基材薄膜的光彈性係數，即使吸濕膨脹也不易發生不均勻的優點。
(甲基)丙烯酸系樹脂可進一步包含上述以外的其他結構單元。這種其他結構單元的例子，包括丙烯酸金剛烷基酯等的(甲基)丙烯酸烷基酯；丙烯酸2-乙基己酯等的(甲基)丙烯酸環烷基酯等。尤其，從減少含有來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)所造成的脆性惡化的觀點等看來，以進一步含有來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)為佳。
亦即，(甲基)丙烯酸系樹脂以含有來自甲基丙烯酸甲酯的結構單元(U1)、來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)、及來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)為較佳。
來自甲基丙烯酸甲酯的結構單元(U1)的含量，相對於構成(甲基)丙烯酸系樹脂的所有結構單元，以在50~95質量%的範圍為佳，在70~90質量%的範圍為較佳。
來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)具有較剛直的構造，因此可提升基材薄膜的機械強度。另外，來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)具有較蓬大的構造，因此會具有能讓橡膠粒子在樹脂母體中移動的微小空隙，因此容易使橡膠粒子聚集在基材薄膜的表層部。
來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)的含量，相對於構成(甲基)丙烯酸系樹脂的所有結構單元，以在1～25質量%的範圍為佳。若來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)的含量在1質量%以上，則基材薄膜在高濕度環境下的保存性優異。若在25質量%以下，則不易過度損害到基材薄膜的脆性。來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)的含量，從上述觀點看來，以在7～15質量%的範圍為較佳。
來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)可對樹脂賦予適度的柔軟性，因此可改善例如因為含有來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)所造成的脆性。
丙烯酸烷基酯，以烷基部分的碳原子數為1～7，宜為1～5之丙烯酸烷基酯為佳，丙烯酸烷基酯的例子，包括丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基己酯等。
來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)的含量，相對於構成(甲基)丙烯酸系樹脂的所有結構單元，以在1～25質量%的範圍為佳。若來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)的含量在1質量%以上，則可對(甲基)丙烯酸樹脂賦予適度的柔軟性，因此基材薄膜不會變得過脆，不易破裂。若來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)的含量在25質量%以下，則基材薄膜的Tg不會變得過低，基材薄膜在高濕度環境下的保存性優異。來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)的含量，從上述觀點看來，以在5～15質量%的範圍為較佳。
來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)相對於來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)與來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)的合計量之比率，以在20～70質量%的範圍為佳。若該比率在20質量%以上，則容易提高基材薄膜的彈性模數，若在70質量%以下，則基材薄膜不會變得過脆。
(甲基)丙烯酸系樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)，以在100℃以上為佳，在120～150℃的範圍為較佳。若(甲基)丙烯酸系樹脂的Tg在上述範圍內，則容易提高基材薄膜的耐熱性。為了調整(甲基)丙烯酸系樹脂的Tg，以例如調整來自苯基馬來醯亞胺的結構單元(U2)或來自丙烯酸烷基酯的結構單元(U3)的含量為佳。
(甲基)丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)並未受到特別限制，可因應目的來調整。(甲基)丙烯酸系樹脂的重量平均分子量，從例如促進樹脂分子彼此的交纏，提高基材薄膜的韌性，使其不易破裂的觀點，或適度提高濕度膨脹係數，容易將捲曲量調整到適合於接著程度的觀點看來，以在10萬以上為佳，100萬以上為較佳。若(甲基)丙烯酸系樹脂的重量平均分子量在100萬以上，則可提高所得到的基材薄膜的韌性。藉此，在製造過程中，製成後述層合薄膜來搬運時，可抑制基材薄膜因為搬運張力而破裂，可提高搬運安定性。(甲基)丙烯酸系樹脂的重量平均分子量，從同樣的觀點看來，以在150萬～300萬的範圍為更佳。重量平均分子量的測定方法如以下所述。
＜凝膠滲透層析＞ 溶劑：二氯甲烷 管柱：ShodexK806、K805、K803G(昭和電工股份有限公司製，將3根連接來使用) 管柱溫度：25℃ 樣品濃度：0.1質量% 偵測器：RI Model 504(GL Sciences公司製) 幫浦：L6000(日立製作所股份有限公司製) 流量：1.0mL/min 校正曲線：使用由在Mw=500～2800000的範圍內的13個標準聚苯乙烯STK standard Polystyrene(東曹股份有限公司製)樣品得到的校正曲線。13個樣品以大致等間隔使用為佳。
＜苯乙烯•(甲基)丙烯酸酯共聚物＞ 苯乙烯•(甲基)丙烯酸酯共聚物(以下亦稱為苯乙烯•丙烯酸樹脂)，在使用於基材薄膜時透明性優異。另外，還可依照苯乙烯部分的共聚合比率來調整吸濕膨脹係數，因此可藉由改變其比率來控制層合體的捲曲。
苯乙烯•丙烯酸樹脂是至少使苯乙烯單體與(甲基)丙烯酸酯單體加成聚合而形成。苯乙烯單體，除了由CH 2=CH-C 6H 5的構造式所表示的苯乙烯之外，還包括苯乙烯構造中具有周知的側鏈或官能基之苯乙烯衍生物。
另外，(甲基)丙烯酸酯單體，除了由CH(R 1) =CHCOOR 2(R 1表示氫原子或甲基，R 2表示碳數為1～24之烷基)所表示的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之外，還包括這些酯的構造中具有周知的側鏈或官能基之丙烯酸酯衍生物或甲基丙烯酸酯衍生物。
苯乙烯單體的例子，包括苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、對苯基苯乙烯、對乙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、對第三丁基苯乙烯、對正己基苯乙烯、對正辛基苯乙烯、對正壬基苯乙烯、對正癸基苯乙烯及對正十二烷基苯乙烯。
(甲基)丙烯酸酯單體的例子，包括丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸月桂酯及丙烯酸苯酯等的丙烯酸酯單體；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸正辛酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸硬脂酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸二乙基胺乙基酯、甲基丙烯酸二甲基胺乙基酯等的甲基丙烯酸酯。
此外，本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯單體」是「丙烯酸酯單體」與「甲基丙烯酸酯單體」的總稱，意指這些之中的一者或兩者，例如「(甲基)丙烯酸甲酯」意指「丙烯酸甲酯」及「甲基丙烯酸甲酯」的一者或兩者。
上述(甲基)丙烯酸酯單體可為一種或其以上。例如使用苯乙烯單體與兩種以上的丙烯酸酯單體形成共聚物、使用苯乙烯單體與兩種以上的甲基丙烯酸酯單體形成共聚物、及併用苯乙烯單體與丙烯酸酯單體及甲基丙烯酸酯單體形成共聚物之任一者皆可。
上述苯乙烯•丙烯酸樹脂的重量平均分子量(Mw)，從容易控制可塑性的觀點看來，以在5000～150000的範圍為佳，在30000～120000的範圍為較佳。
本發明所使用的苯乙烯•丙烯酸樹脂亦可為市售品，可列舉DENKA股份有限公司製的MS樹脂「TX320XL」為一例。
＜橡膠粒子＞ 本發明所關連的基材薄膜，尤其在使用(甲基)丙烯酸系樹脂或苯乙烯•(甲基)丙烯酸酯共聚物的情況，從賦予韌性(flexibility)、提升耐摺痕性的觀點看來，以在40～85質量%的範圍內含有橡膠粒子為佳。
橡膠粒子是含有橡膠狀聚合物的粒子。橡膠狀聚合物為玻璃轉移溫度在20℃以下的軟質交聯聚合物。這種交聯聚合物的例子，包括丁二烯系交聯聚合物、(甲基)丙烯酸系交聯聚合物及有機矽氧烷系交聯聚合物。尤其從(甲基)丙烯酸系樹脂的折射率差小、不易損害基材薄膜的透明性的觀點看來，以(甲基)丙烯酸系交聯聚合物為佳，丙烯酸系交聯聚合物(丙烯酸系橡膠狀聚合物)為較佳。
亦即，橡膠粒子以含有丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的粒子為佳。
關於丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)： 丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)是含有來自丙烯酸酯的結構單元作為主成分之交聯聚合物。含有來自丙烯酸酯的結構單元作為主成分，是指其含量落在後述範圍。丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)，以含有來自丙烯酸酯的結構單元、來自可與其共聚合的其他單體的結構單元、及來自一分子中具有2個以上的自由基聚合性基(非共軛的反應性雙鍵)的多官能性單體的結構單元之交聯聚合物為佳。
丙烯酸酯，以烷基的碳數為1～12之丙烯酸烷基酯為佳，如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸第二丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正辛酯等。丙烯酸酯可為一種或兩種以上。
來自丙烯酸酯的結構單元的含量，相對於構成丙烯酸系橡膠狀聚合物(a1)的所有結構單元，以在40～80質量%的範圍為佳，50～80質量%的範圍為較佳。若丙烯酸酯的含量在上述範圍內，則容易對保護薄膜賦予足夠的韌性。
可共聚合的其他單體，是在可與丙烯酸酯共聚合的單體之中，多官能性單體以外的單體。亦即，可共聚合的單體不具有兩個以上的自由基聚合性基。可共聚合的單體的例子，包括甲基丙烯酸甲酯等的甲基丙烯酸酯；苯乙烯、甲基苯乙烯等的苯乙烯類；(甲基)丙烯腈類；(甲基)丙烯醯胺類；(甲基)丙烯酸。尤其，可共聚合的其他單體以包含苯乙烯類為佳。可共聚合的其他單體可為一種或兩種以上。
來自可共聚合的其他單體的結構單元的含量，相對於構成丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的所有結構單元，以在5～55質量%的範圍為佳，10～45質量%的範圍為較佳。
多官能性單體的例子，包括(甲基)丙烯酸烯丙酯、氰尿酸三烯丙酯、異氰尿酸三烯丙酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、蘋果酸二烯丙酯、己二酸二乙烯酯、二乙烯基苯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三甲基輥丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯。
來自多官能性單體的結構單元的含量，相對於構成丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的所有結構單元，以在0.05～10質量%的範圍為佳，在0.1～5質量%的範圍為較佳。若多官能性單體的含量在0.05質量%以上，則容易提高所得到的丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的交聯度，因此不會損害所得到的基材薄膜的硬度、剛性，若在10質量%以下，則不易損害基材薄膜的韌性。
構成丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的單體組成，可藉由例如由熱分解GC-MS所偵測到的峰面積比來測定。
橡膠狀聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)以在0℃以下為佳，-10℃以下為較佳。若橡膠狀聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)在0℃以下，則可對薄膜賦予適度的韌性。橡膠狀聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)可藉由與前述同樣的方法來測定。
橡膠狀聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)，可藉由橡膠狀聚合物的組成來調整。例如，為了降低丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的玻璃轉移溫度(Tg)，以提高丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)中烷基的碳原子數為4以上的丙烯酸酯/可共聚合的其他單體的質量比為佳(例如定在3以上，宜為4～10的範圍)。
含有丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的粒子，可為由丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)所形成的粒子，或具有由玻璃轉移溫度在20℃以上的硬質交聯聚合物(c)所形成的硬質層與配置於其周圍的由丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)所形成的軟質層之粒子(也稱其為「彈性體」)；或可為由在丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的存在下使甲基丙烯酸酯等之單體的混合物至少1段以上聚合所得到的丙烯酸系接枝共聚物所形成的粒子。由丙烯酸系接枝共聚物所形成的粒子，可為具有含有丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的核部與覆蓋其之殼部的核殼型的粒子。
關於含有丙烯酸系橡膠狀聚合物的核殼型橡膠粒子： (核部) 核部含有丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)，可因應必要進一步含有硬質交聯聚合物(c)。亦即，核部可具有由丙烯酸系橡膠狀聚合物所形成的軟質層與配置於其內側之由硬質交聯聚合物(c)所形成的硬質層。
交聯聚合物(c)可為以甲基丙烯酸酯為主成分的交聯聚合物。亦即，交聯聚合物(c)以含有來自甲基丙烯酸烷基酯的結構單元、來自可與其共聚合的其他單體的結構單元及來自多官能性單體的結構單元之交聯聚合物為佳。
甲基丙烯酸烷基酯，可為前述甲基丙烯酸烷基酯；可共聚合的其他單體可為前述苯乙烯類或丙烯酸酯等；多官能性單體可列舉與前述多官能性單體所列舉的單體同樣的單體。
來自甲基丙烯酸烷基酯的結構單元的含量，相對於構成交聯聚合物(c)的所有結構單元，可在40～100質量%的範圍。來自可共聚合的其他單體的結構單元的含量，相對於構成其他交聯聚合物(c)的所有結構單元，可在60～0質量%的範圍。來自多官能性單體的結構單元的含量，相對於構成其他交聯聚合物的所有結構單元，可在0.01～10質量%的範圍。
(殼部) 殼部含有甲基丙烯酸系聚合物(b)(其他聚合物)，該聚合物含有接枝鍵結於丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的來自甲基丙烯酸酯的結構單元作為主成分。含有來自甲基丙烯酸酯的結構單元作為主成分，是指其含量落在後述範圍。
構成甲基丙烯酸系聚合物(b)的甲基丙烯酸酯，以烷基的碳數為1～12之甲基丙烯酸烷基酯為佳，如甲基丙烯酸甲酯等。甲基丙烯酸酯可為一種或兩種以上。
甲基丙烯酸酯的含量，相對於構成甲基丙烯酸系聚合物(b)的所有結構單元，以在50質量%以上為佳。若甲基丙烯酸酯的含量在50質量%以上，則容易得到含有來自甲基丙烯酸甲酯的結構單元作為主成分的甲基丙烯酸系樹脂的相溶性。甲基丙烯酸酯的含量，從上述觀點看來，相對於構成甲基丙烯酸系聚合物(b)的所有結構單元，以在70質量%以上為較佳。
甲基丙烯酸系聚合物(b)可進一步含有來自可與甲基丙烯酸酯共聚合的其他單體的結構單元。可共聚合的其他單體的例子，包括丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯等的丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯等的具有脂環、雜環或芳香環的(甲基)丙烯酸系單體(含有環的(甲基)丙烯酸系單體)。
來自可共聚合的單體的結構單元的含量，相對於構成甲基丙烯酸系聚合物(b)的所有結構單元，以在50質量%以下為佳，30質量%以下為較佳。
在本實施形態中，基材薄膜並未被延伸時，橡膠粒子的形狀可為接近真球的形狀。亦即，在觀察基材薄膜的剖面或表面時，橡膠粒子的長徑比可為1～2左右。
橡膠粒子的平均粒徑，以在100～400nm的範圍為佳。若橡膠粒子的平均粒徑在100nm以上，則容易對基材薄膜賦予足夠的韌性或應力緩和性，若在400nm以下，則不易損害基材薄膜的透明性。橡膠粒子的平均粒徑，從同樣的觀點看來，以在150～300nm的範圍為較佳。
橡膠粒子的平均粒徑，可藉由以下的方法來計算。
橡膠粒子的平均粒徑，可藉由基材薄膜的表面或切片的SEM攝影或TEM攝影所拍攝到的粒子100個的等效圓直徑的平均值來測定。等效圓直徑，可藉由將由拍攝到的粒子的投影面積換算成具有相同面積的圓的直徑來求得。此時，是將藉由倍率5000倍的SEM觀察及/或TEM觀察所觀察到的橡膠粒子使用於平均粒徑的計算。
橡膠粒子的含量並未受到特別限定，相對於基材薄膜，以在40～85質量%的範圍為佳，45～75質量%的範圍為較佳。
＜環烯烴系樹脂＞ 基材薄膜所使用的環烯烴系樹脂，以環烯烴單體的聚合物、或環烯烴單體與其以外的共聚性單體的共聚物為佳。
環烯烴單體，以具有降莰烯骨架的環烯烴單體為佳，具有由下述一般式(A-1)或(A-2)所表示的構造的環烯烴單體為較佳。
一般式(A-1)中，R 1～R 4各自獨立，表示氫原子、碳原子數1～30之烴基、或極性基。p表示0～2之整數。但是，R 1～R 4不會全部同時表示氫原子，R 1與R 4不會同時表示氫原子，R 3與R 4不會同時表示氫原子。
在一般式(A-1)之中，R 1～R 4所表示的碳原子數1～30之烴基，例如以碳原子數1～10之烴基為佳，碳原子數1～5之烴基為較佳。碳原子數1～30之烴基，可進一步具有例如含鹵素原子、氧原子、氮原子、硫原子或矽原子的連結基。這種連結基的例子，包括羰基、亞胺基、醚鍵、矽醚鍵、硫醚鍵等的二價極性基。碳原子數1～30之烴基的例子，包括甲基、乙基、丙基及丁基等。
在一般式(A-1)之中，R 1～R 4所表示的極性基的例子，包括羧基、羥基、烷氧基、烷氧羰基、芳香氧基羰基、胺基、醯胺基及氰基。尤其以羧基、羥基、烷氧羰基及芳香氧基羰基為佳，從確保溶液製膜時的溶解性的觀點看來，以烷氧羰基及芳香氧基羰基為佳。
一般式(A-1)中的p，從提高光學薄膜的耐熱性的觀點看來，以1或2為佳。這是因為若p為1或2，則所得到的聚合物變得蓬大，容易提高玻璃轉移溫度。另外，也對濕度有些許響應，而會有容易控制層合體的捲曲平衡的優點。
一般式(A-2)中，R 5表示氫原子、碳數1～5之烴基、或具有碳數1～5之烷基的烷基矽烷基。R 6表示羧基、羥基、烷氧羰基、芳香氧基羰基、胺基、醯胺基、氰基、或鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)。p表示0～2之整數。
一般式(A-2)中的R 5以表示碳數1～5之烴基為佳，表示碳數1～3之烴基為較佳。
一般式(A-2)中的R 6以表示羧基、羥基、烷氧羰基及芳香氧基羰基為佳，從確保溶液製膜時的溶解性的觀點看來，以烷氧羰基及芳香氧基羰基為較佳。
一般式(A-2)中的p，從提高光學薄膜的耐熱性的觀點看來，以表示1或2為佳。這是因為若p表示1或2，則所得到的聚合物變得蓬大，玻璃轉移溫度容易提升。
具有由一般式(A-2)所表示的構造的環烯烴單體，從提升在有機溶劑中的溶解性的觀點看來為適合，一般而言，有機化合物藉由破壞掉對稱性，結晶性會降低，因此在有機溶劑中的溶解性會提升。一般式(A-2)中的R 5及R 6，從分子的對稱軸來看僅在單側的環構成碳原子發生取代，因此分子的對稱性低，亦即，具有由一般式(A-2)所表示的構造的環烯烴單體溶解性高，因此適合於藉由溶液澆鑄法製造光學薄膜的情況。
環烯烴單體的聚合物中，具有由一般式(A-2)所表示的構造的環烯烴單體的含有比例，相對於構成環烯烴系樹脂的所有環烯烴單體的合計，可定為例如70莫耳%以上，宜為80莫耳%以上，較佳為100莫耳%。若含有一定以上的具有由一般式(A-2)所表示的構造的環烯烴單體，則樹脂的配向性提高，因此位相差(retardation)值容易上昇。
以下將具有由一般式(A-1)所表示的構造之環烯烴單體的具體例子揭示於例示化合物1～14，具有由一般式(A-2)所表示的構造的環烯烴單體的具體例子揭示於例示化合物15～34。
可與環烯烴單體共聚合的共聚性單體的例子，包括可與環烯烴單體開環共聚合的共聚性單體及可與環烯烴單體加成共聚合的共聚性單體等。
可開環共聚合的共聚性單體的例子，包括環丁烯、環戊烯、環庚烯、環辛烯及二環戊二烯等的環烯烴。
可加成共聚合的共聚性單體的例子，包括含有不飽和雙鍵的化合物、乙烯基系環狀烴單體、及(甲基)丙烯酸酯等。含有不飽和雙鍵的化合物的例子，包括碳原子數2～12(宜為2～8)的烯烴系化合物，其例子，包括乙烯、丙烯及丁烯等。乙烯基系環狀烴單體的例子，包括4-乙烯基環戊烯及2-甲基-4-異丙烯基環戊烯等的乙烯基環戊烯系單體。(甲基)丙烯酸酯的例子，包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯及(甲基)丙烯酸環己酯等的碳原子數1～20之烷基(甲基)丙烯酸酯。
環烯烴單體與共聚性單體的共聚物中，環烯烴單體的含有比例，相對於構成共聚物的所有單體的合計，可定在例如20～80mol%，宜為30～70mol%的範圍。
環烯烴系樹脂，如前述般，是使具有降莰烯骨架的環烯烴單體，宜為具有由一般式(A-1)或(A-2)所表示的構造的環烯烴單體聚合或共聚合所得到的聚合物，其例子包括以下的化合物。
1)環烯烴單體的開環聚合物 2)環烯烴單體與可與其開環共聚合的共聚性單體的開環共聚物 3)上述1)或2)的開環(共)聚合物的氫化物 4)藉由夫里德耳-夸夫特反應使上述1)或2)的開環(共)聚合物環化，然後氫化而成的(共)聚合物 5)環烯烴單體與含有不飽和雙鍵的化合物的飽和共聚物 6)環烯烴單體之乙烯基系環狀烴單體的加成共聚物及其氫化物 7)環烯烴單體與(甲基)丙烯酸酯的交互共聚物
上述1)～7)的聚合物，任一者皆可藉由周知的方法，例如日本特開2008-107534號公報或特開2005-227606號公報所記載的方法來獲得。例如上述2)之開環共聚合所使用的觸媒或溶劑，可使用例如日本特開2008-107534號公報的段落0019～0024所記載的化合物。上述3)及6)的氫化所使用的觸媒，可使用例如日本特開2008-107534號公報的段落0025～0028所記載的觸媒。上述4)之夫里德耳-夸夫特反應所使用的酸性化合物，可使用例如日本特開2008-107534號公報的段落0029所記載的化合物。上述5)～7)的加成聚合所使用的觸媒，可使用例如日本特開2005-227606號公報的段落0058～0063所記載的觸媒，上述7)的交互共聚合反應，可依照例如日本特開2005-227606號公報的段落0071及0072所記載的方法來進行。
其中，以上述1)～3)及5)之聚合物為佳，上述3)及5)之聚合物為較佳。亦即，從可提高所得到的環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度且可提高透光率的觀點看來，環烯烴系樹脂以含有由下述一般式(B-1)所表示的結構單元與由下述一般式(B-2)所表示的結構單元的至少一者為佳，僅含有由一般式(B-2)所表示的結構單元、或含有由一般式(B-1)所表示的結構單元與由一般式(B-2)所表示的結構單元兩者為較佳。由一般式(B-1)所表示的結構單元是來自由前述一般式(A-1)所表示的環烯烴單體的結構單元，由一般式(B-2)所表示的結構單元是來自由前述一般式(A-2)所表示之環烯烴單體的結構單元。
一般式(B-1)中，X表示-CH=CH-或-CH 2CH 2-、R 1～R 4及p分別與一般式(A-1)之R 1～R 4及p同義。
一般式(B-2)中，X表示-CH=CH-或-CH 2CH 2-。R 5～R 6及p分別與一般式(A-2)之R 5～R 6及p同義。
本發明所使用的環烯烴系樹脂可為市售品。環烯烴系樹脂的市售品的例子，包括JSR股份有限公司製的Arton G(例如G7810等)、Arton F、Arton R(例如R4500、R4900及R5000等)及Arton RX(例如RX4500等)。
環烯烴系樹脂的固有黏度[η]inh，在30℃的測定時，以在0.2～5cm 3/g的範圍為佳，在0.3～3cm 3/g的範圍為較佳，在0.4～1.5cm 3/g的範圍為更佳。
環烯烴系樹脂的數量平均分子量(Mn)，以在8000～100000的範圍為佳，在10000～80000的範圍為較佳，在12000～50000的範圍為更佳。環烯烴系樹脂的重量平均分子量(Mw)，以在20000～300000的範圍為佳，在30000～250000的範圍為較佳，在40000～200000的範圍為更佳。環烯烴系樹脂的數量平均分子量或重量平均分子量，可藉由前述凝膠滲透層析(GPC)並以聚苯乙烯換算來測定。
若固有黏度[η]inh、數量平均分子量及重量平均分子量在上述範圍，則環烯烴系樹脂的耐熱性、耐水性、耐藥品性、機械特性及作為基材薄膜的成形加工性良好。
環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度(T9)通常為110℃以上，以在110～350℃的範圍為佳，在120～250℃的範圍為較佳，在120～220℃的範圍為更佳。若Tg在110℃以上，則容易抑制在高溫條件下的變形。另一方面，若Tg在350℃以下，則成形加工容易進行，也容易抑制成形加工時的熱造成的樹脂劣化。
環烯烴系樹脂的含量，相對於基材薄膜，以在70質量%以上為佳，80質量%以上為較佳。
＜微粒子＞ 本發明所關連的基材薄膜，在使用環烯烴系樹脂的情況，亦適合含有微粒子。
本發明所使用的微粒子，無機化合物的例子，可列舉二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鈣、滑石、黏土、燒結高嶺土、燒結矽酸鈣、水合矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂及磷酸鈣。另外還適合使用有機化合物的微粒子。有機化合物的例子，可使用聚四氟乙烯、纖維素乙酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丙酯、聚丙烯酸甲酯、聚碳酸伸乙酯、丙烯酸苯乙烯酯系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚碳酸酯樹脂、苯并胍胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、聚烯烴系粉末、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或聚氟化乙烯系樹脂、澱粉等的有機高分子化合物的粉碎分級物、或藉由懸浮聚合法所合成出的高分子化合物。
微粒子從濁度變低的觀點看來以含有矽為佳，尤其以二氧化矽為佳，可使用例如以AEROSIL R972、R972V、R974、R812、200、200V、300、R202、OX50、TT600(以上日本AEROSIL股份有限公司製)的商品名在市面販售的商品。
＜聚醯亞胺系樹脂＞ 聚醯亞胺系樹脂可為四羧酸二酐與二胺的聚合反應物。
四羧酸二酐可為芳香族四羧酸二酐、脂肪族四羧酸二酐、脂環式四羧酸二酐之任一者，宜為芳香族四羧酸二酐。二胺可為芳香族二胺、脂肪族二胺、脂環式二胺之任一者，宜為芳香族二胺。
聚醯亞胺系樹脂的重量平均分子量Mw並未受到特別限制，從提高基材薄膜的韌性，不易因為搬運張力而破裂的觀點看來，以10萬～30萬為佳，在13萬～25萬的範圍為較佳。聚醯亞胺系樹脂的重量平均分子量Mw的測定方法與前述相同。
聚醯亞胺系樹脂的含量，相對於基材薄膜，以在60質量%以上為佳，70質量%以上為較佳。
[1.3]物性 ＜位相差Ro及Rt＞ 本發明所關連的基材薄膜，可層合於偏光片的表面，作為位相差薄膜等的光學薄膜來發揮功能。
例如從作為IPS型顯示器用的位相差薄膜使用的觀點看來，以測定波長590nm且在23℃•55%RH的環境下對基材薄膜測得的面內方向的位相差Ro，以在0～10nm的範圍為佳，在0～5nm的範圍為較佳。基材薄膜厚度方向的位相差Rt，以在-40～40nm的範圍為佳，在-25～25nm的範圍為較佳。
Ro及Rt分別可由下述式來定義。
式(a)：Ro=(n x-n y)×d 式(b)：Rt=((n x-ny)/2-n z)×d (式中， n x表示基材薄膜的面內慢軸方向(折射率最大的方向)的折射率， n y表示與基材薄膜的面內慢軸正交的方向的折射率， n z表示基材薄膜的厚度方向的折射率， d表示基材薄膜的膜厚(nm))
基材薄膜的面內慢軸，可藉由自動複折射率計Axo Scan(Axo Scan Mueller Matrix Polarimeter： Axometrics公司製)來確認。
Ro及Rt可藉由以下的方法來測定。
1)將基材薄膜在23℃55%RH的環境下調濕24小時。以阿貝折射計測定此薄膜的平均折射率，並使用市售的測微器測定膜厚d。
2)調濕後的薄膜在測定波長590nm的位相差Ro及Rt，是使用自動複折射率計Axo Scan(Axo Scan Mueller Matrix Polarimeter：Axometrics公司製)，在23℃55%RH的環境下分別作測定。
基材薄膜的位相差Ro及Rt，可藉由例如樹脂的種類或延伸條件、乾燥條件來調整。例如藉由提高乾燥溫度可降低Rt。
[1.4]基材薄膜的製造方法 本發明所關連的基材薄膜的形態並未受到特別限制，可為例如帶狀，亦即，本發明所關連的基材薄膜，以往與其寬度方向正交的方向捲繞成輥狀而製成輥體為佳。
[製造方法] 本發明所關連的基材薄膜的製造方法，具有：1)得到基材薄膜用溶液的步驟；2)將所得到的基材薄膜溶液施加到支持體的表面的步驟；及3)由所施加的基材薄膜用溶液除去溶劑，形成基材薄膜的步驟。
1)得到基材薄膜用溶液的步驟 調製出包含前述樹脂及溶劑之基材薄膜用溶液(亦稱為「原液」)。
基材薄膜用溶液所使用的溶劑，只要能夠使樹脂良好地分散或溶解即可，並不受特別限制。例如本發明所使用的有機溶劑，可列舉醇類(甲醇、乙醇或二醇、三醇、四氟丙醇等)、甘醇類、溶纖劑類、酮類(丙酮、甲基乙基酮等)、羧酸類(甲酸、乙酸等)、碳酸酯類(碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等)、酯類(乙酸乙酯、乙酸丙酯等)、醚類(異丙基醚、THF等)、醯胺類(二甲亞碸等)、烴類(庚烷等)、腈類(乙腈等)、芳香族類(環己基苯、甲苯、二甲苯、氯苯等)、鹵化烷基類(二氯甲烷(亦稱為「氯化甲烷」)等)、胺類(1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷、二氮雜雙環十一烯等)、內酯系等。
尤其，基材薄膜的溶劑，從在調製基材薄膜用的原液及製膜時操作方便性的觀點看來，在大氣壓下的沸點宜為100℃以下，種類宜為氯系溶劑，更具體而言宜為二氯甲烷(亦稱為「氯化甲烷」)。此溶劑，從在調製基材薄膜用的原液及製膜時溶解性高以及乾燥速度快，藉此可調整塗膜的膜質的觀點看來為適合。另外還可添加親水性的溶劑。親水性的溶劑可列舉酮類、醇類，以醇類為佳。較佳為異丙醇、乙醇、甲醇等，最佳為甲醇。添加量以在1～20質量%的範圍為佳，較佳為在3～10質量%的範圍。
基材薄膜用溶液的樹脂濃度，從容易將黏度調整成後述範圍的觀點看來，以例如在1.0～20質量%的範圍為佳。此外，從降低塗膜乾燥時的收縮量的觀點看來，基材薄膜用溶液的樹脂濃度以適度提高為佳，超過5質量%且在20質量%以下為較佳，超過5質量%且在15質量%以下為更佳。另外，藉由調整溶液濃度，膜形成所需的時間會變短，其乾燥時間也可成為控制基材薄膜表面狀態的手段。為了達成高濃度化，可適當地使用混合溶劑。
基材薄膜用溶液的黏度，只要在可形成所希望的膜厚的基材薄膜的程度即可，以例如在5～5000mPa·s的範圍為佳，然而並未受到特別限制。若基材薄膜用溶液的黏度在5mPa·s以上，則容易形成膜厚適度的基材薄膜，若在5000mPa·s以下，則藉由溶液的黏度上昇，可抑制膜厚不均發生。基材薄膜用溶液的黏度，從同樣的觀點看來，以在100～1000mPa·s的範圍為較佳。基材薄膜用溶液的黏度，可藉由在25℃以E型黏度計作測定。
2)供應基材薄膜用溶液的步驟 接下來，將所得到的基材薄膜用溶液供應至支持體的表面。具體而言，將所得到的基材薄膜用溶液塗佈於支持體的表面。支持體與基材薄膜的層合體亦稱為「層合薄膜」。
＜支持體＞ 支持體是在基材薄膜形成時給予支持的物體，通常包含樹脂薄膜。支持體的膜厚以在50μm以下為佳。雖然是薄膜，但作為支持體需要某程度的強度(韌性或剛性)，因此支持體的膜厚宜在15～45μm的範圍，較佳為在20～40μm的範圍。
所使用的樹脂，可列舉纖維素酯系樹脂、環烯烴系樹脂、聚丙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚芳酯系樹脂及苯乙烯系樹脂或其複合樹脂，其中以使用在高濕度環境下保存性優異的聚酯系樹脂為佳。
樹脂薄膜的例子，包括聚酯系樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸三亞甲基酯(PTT)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚萘二甲酸丁二酯(PBN)等)等。尤其，從操作方便性的觀點看來，以含有聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)的聚酯系樹脂薄膜為佳。
樹脂薄膜可經過熱處理(熱緩和)或可經過延伸處理。
關於熱處理，為了降低樹脂薄膜的殘留應力(例如伴隨著延伸發生的殘留應力等)，將構成樹脂薄膜的樹脂的玻璃轉移溫度定為Tg時，可在(Tg+60)～(Tg+180)℃的範圍進行，然而並未受到特別限制。
關於延伸處理，為了增加樹脂薄膜的殘留應力，延伸處理以例如往樹脂薄膜的雙軸方向進行為佳。延伸處理可依照任意條件來進行，例如能夠以延伸倍率120～900%左右來進行。樹脂薄膜是否延伸，可藉由例如是否有面內慢軸(往折射率最大的方向延伸的軸)來確認。延伸處理可在將基材薄膜層合前進行，或在層合之後進行，以在層合前延伸為佳。
聚酯系樹脂薄膜(亦簡稱為聚酯薄膜)可使用市售品，適合使用例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜TN100(東洋紡公司製)、MELINEX ST504(帝人杜邦薄膜公司製)等。
支持體可進一步具有設置於樹脂薄膜的表面的脫模層。脫模層在製作披覆構件時可讓支持體容易由基材薄膜剝離。
脫模層可包含周知的剝離劑，並不受特別限制。脫模層中所含的剝離劑的例子，包括聚矽氧系剝離劑及非聚矽氧系剝離劑。
聚矽氧系剝離劑的例子，包括周知的聚矽氧系樹脂。非聚矽氧系剝離劑的例子，包括使聚乙烯醇或乙烯乙烯醇共聚物等與長鏈烷基異氰酸酯發生反應而成的長鏈烷基側鏈型聚合物、烯烴系樹脂(例如共聚合聚乙烯、環狀聚烯烴、聚甲基戊烯)、聚芳酯樹脂(例如芳香族二羧酸成分與二元酚成分的聚縮合物)、氟樹脂(例如聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)、PFA(四氟化乙烯與全氟烷氧基乙烯的共聚物)、FEP(四氟乙烯與六氟丙烯之共聚物)、ETFE(四氟乙烯與乙烯的共聚物))等。
脫模層的厚度只要在可表現出所希望的剝離性的程度即可，並未受到特別限制，例如以在0.1～1.0μm的範圍為佳。
支持體中可含有可塑劑作為添加劑。可塑劑並未受到特別限定，理想的情況，以選自多元醇酯系可塑劑、鄰苯二甲酸酯系可塑劑、檸檬酸系可塑劑、脂肪酸酯系可塑劑、磷酸酯系可塑劑、多元羧酸酯系可塑劑及聚酯系可塑劑等為佳。
另外，支持體還可含有紫外線吸收劑。所使用的紫外線吸收劑，可列舉苯并三唑系、2-羥基二苯酮系或水楊酸苯酯系的化合物等。例如，可例示2-(5-甲基-2-羥基苯基)苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2-(3,5-二-第三丁基-2-羥基苯基)苯并三唑等的三唑類、2-羥基-4-甲氧基二苯酮、2-羥基-4-辛氧基二苯酮、2,2'-二羥基-4-甲氧基二苯酮等的二苯酮類。
此外，為了提升搬運性，本發明所使用的支持體亦適合含有微粒子。
關於微粒子，無機化合物的例子，可列舉二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鈣、滑石、黏土、燒結高嶺土、燒結矽酸鈣、水合矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂及磷酸鈣。另外還適合使用有機化合物的微粒子。有機化合物的例子，可使用聚四氟乙烯、纖維素乙酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丙酯、聚丙烯酸甲酯、聚碳酸伸乙酯、丙烯酸苯乙烯酯系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚碳酸酯樹脂、苯并胍胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、聚烯烴系粉末、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或聚氟化乙烯系樹脂、澱粉等的有機高分子化合物的粉碎分級物、或藉由懸浮聚合法所合成出的高分子化合物。
微粒子從濁度變低的觀點看來以含有矽為佳，尤其以二氧化矽為佳，可使用例如以AEROSIL R972、R972V、R974、R812、200、200V、300、R202、OX50、TT600(以上日本AEROSIL 股份有限公司製)的商品名在市面販售的商品。
本發明所使用的支持體的製造方法，可使用通常的吹塑法、T模具法、軋光法、切削法、澆鑄法、乳膠法、熱壓法等的製造法，從抑制著色、抑制異物缺陷、抑制模頭線等的光學缺陷等的觀點看來，製膜方法以溶液澆鑄法與熔融澆鑄法為佳。此外，若為溶液澆鑄法，則加工步驟中的溫度低，因此可使用各種添加劑賦予高性能。
藉由溶液澆鑄法製膜的情況，支持體的製造方法，以包含：使熱塑性樹脂及上述微粒子等的添加劑在溶劑中溶解、分散，調製出原液的步驟(溶解步驟；原液調製步驟)；將原液澆鑄至持續移動的連續金屬支持體上的步驟(澆鑄步驟)；將澆鑄後的原液製成膜片並使其乾燥的步驟(溶劑蒸發步驟)；由金屬支持體剝離的步驟(剝離步驟)；乾燥、延伸、寬度保持的步驟(延伸•寬度保持•乾燥步驟)；將完工的薄膜捲繞成輥狀的步驟(捲繞步驟)為佳。
以使用如以上的方式所製造出的支持體，並藉由下述方法形成本發明所關連的基材薄膜為佳。
基材薄膜用溶液的塗佈方法並未受到特別限制，可為例如背輥式塗佈法、凹版塗佈法、旋轉塗佈法、線棒式塗佈法、輥式塗佈法等的周知方法，尤其，從可形成薄且膜厚均勻的塗膜的觀點看來，以背塗法為佳。
3)形成基材薄膜的步驟 接下來，由被供給至支持體的基材薄膜用溶液將溶劑除去，而形成基材薄膜。
具體而言，使被供給至支持體的基材薄膜用溶液乾燥。乾燥可藉由例如送風或加熱來進行。尤其從容易抑制基材薄膜捲曲等的觀點看來，以藉由送風來進行乾燥為佳，甚至讓乾燥初期與乾燥後半有風速差，從控制下述膜厚偏差的觀點看來是理想的。具體而言，在初期風速高的情況，膜厚偏差會變大，若初期風速低，則會有變小的傾向。
所以，藉由調整乾燥條件(例如乾燥溫度、乾燥風量、乾燥時間等)來控制基材薄膜的疏密，可調整到讓前述基材薄膜的膜厚滿足下述式1。
式1：5＜|寬度方向的隨機選擇3處的膜厚的平均值(B)-平均膜厚值(A)|/平均膜厚值(A)×100＜20(%) 此處，平均膜厚值(A)是由薄膜隨機選出10處的膜厚值的平均值。
藉由使式1所表示之值超過5%，表面會適度地具有凹凸，可得到提升上層的密著性的效果，藉由未達20%，表面的凹凸不會過大，不會影響上層的塗佈性、平滑性。
膜厚的測定可使用市售的膜厚測定裝置，例如膜厚測定系統，可列舉F20-UV(FILMETRICS公司製)。
另外，前述基材薄膜的膜厚的偏差，以調整在0.5±0.2μm的範圍內為佳。從提升上層的密著性的觀點看來，以往膜質變疏鬆的方向調整為佳，具體而言，宜提高乾燥速度，以在0.0015～0.05kg/hr•m 2為佳，在0.002～0.05kg/hr•m 2的範圍為較佳。
乾燥速度是以單位時間、單位面積蒸發的溶劑質量來表示。乾燥速度通常可藉由乾燥溫度來調整。乾燥溫度，例如可為50～200℃的範圍(對於所使用的溶劑的沸點Tb來說為(Tb-50)～(Tb+50)℃)，情況依照所使用的溶劑種類而定。溫度控制可多階段來進行。在乾燥進行到某程度後，以更高溫來乾燥，可控制乾燥速度、膜質。
本實施形態所關連的基材薄膜如前述般可為帶狀。所以，本實施形態所關連的層合薄膜的製造方法以進一步包含4)將帶狀層合薄膜捲繞成輥狀，製成輥體的步驟為佳。
4)捲繞基材薄膜而得到輥體的步驟 將所得到的帶狀基材薄膜往與其寬度方向正交的方向捲繞成輥狀，製成輥體。
帶狀基材薄膜的長度並未受到特別限制，可為例如100～10000m左右。另外，帶狀層合薄膜的寬度以在1m以上為佳，在1.1～4m的範圍為較佳。從提高薄膜的均勻性的觀點看來，較佳為1.3～2.5m的範圍。
[製造裝置] 本發明所使用的基材薄膜的製造方法，可藉由例如圖3所示的製造裝置來進行。
圖3為用來實施本實施形態所關連的基材薄膜的製造方法的製造裝置B200的模式圖。製造裝置B200具有：供給部B210、塗佈部B220、乾燥部B230、冷卻部B240及捲繞部B250。Ba～Bd表示搬運支持體B110的搬運輥。
供給部B210具有將繞在捲芯上的帶狀支持體B110的輥體B201退繞的退繞裝置(未圖示)。
塗佈部B220是塗佈裝置，並且具有：保持支持體B110的支撐輥B221、將基材薄膜用溶液塗佈於被支撐輥B221保持的支持體B110上的塗佈噴頭B222、及設置於塗佈噴頭B222的上游側的減壓室B223。
由塗佈噴頭B222噴出的基材薄膜用溶液的流量，可藉由未圖示的幫浦調整。由塗佈噴頭B222噴出的基材薄膜用溶液的流量，是設定在以預先調整好的塗佈噴頭B222的條件連續塗佈時可安定地形成既定膜厚的塗佈層的量。
減壓室B223是在塗佈時用來讓來自塗佈噴頭B222的基材薄膜用溶液與支持體B110之間形成的液珠(塗佈液的積液)安定化的機構，可調整減壓度。減壓室B223被連接至減壓鼓風機(未圖示)，內部可減壓。減壓室B223是在空氣不會漏出的狀態，而且支撐輥的間隙也調整得狹窄，可形成安定的塗佈液液珠。
乾燥部B230是使塗佈於支持體B110表面的塗膜乾燥的乾燥裝置，並且具有乾燥室B231、乾燥用氣體的導入口B232及排出口B233。乾燥風的溫度及風量，可依照塗膜的種類及支持體B110的種類適當地決定。可藉由設定在乾燥部B230的乾燥風溫度及風量、乾燥時間等的條件來調整乾燥後塗膜的殘留溶劑量。乾燥後塗膜的殘留溶劑量，可藉由比較乾燥後塗膜的單位質量與讓該塗膜充分乾燥後的質量來測定。
(殘留溶劑量) 基材薄膜是從塗佈基材薄膜用溶液所得到，因此會有來自該溶液的溶劑殘留的情形。殘留溶劑量，可藉由所使用的溶劑和塗佈液的濃度、基材薄膜乾燥時所吹的風速、乾燥溫度和時間、乾燥室的條件(外氣循環或內氣循環)、塗佈時的背輥的加熱溫度等來控制。
如前述般，若高速乾燥，則膜會變得疏鬆，可控制表面狀態。
基材薄膜的殘留溶劑量，在將前述基材薄膜的殘留溶劑量定為S 1時，從基材薄膜的捲曲平衡的觀點看來，以滿足下述式2為佳。
式2　10＜S 1＜1000(ppm) 具體而言，基材薄膜的殘留溶劑量以未達800ppm為較佳，若考慮基材薄膜的捲曲平衡，則以500～未達700ppm為較佳。另外，藉由選擇溶劑及塗佈程序讓支持體上也有溶劑殘存，支持體與基材薄膜的密著性會提升。支持體的殘存溶劑量以在10～100ppm的範圍為佳。
支持體及基材薄膜的殘留溶劑量，可藉由頂空氣相層析來測定。在頂空氣相層析法中，將樣品封入容器中並且加熱，在容器中充滿揮發成分的狀態迅速將容器中的氣體注入氣相層析儀，進行質量分析，來進行化合物的鑑定，同時定量揮發成分。在頂空法中，藉由氣相層析法，可觀測所有揮發成分的峰，而且藉由使用利用了電磁交互作用的分析法，能夠以高精密度一併進行揮發性物質或單體等的定量。
冷卻部B240，會讓具有在乾燥部B230乾燥所得到的塗膜(基材薄膜)的支持體B110的溫度冷卻，調整至適當的溫度。冷卻部B240具有：冷卻室B241、冷卻風入口B242、及冷卻風出口B243。冷卻風的溫度及風量可依照塗膜的種類及支持體B110的種類適當地決定。另外，在不設置冷卻部B240也會有適當的冷卻溫度的情況，可去掉冷卻部B240。
捲繞部B250，是用來將形成了基材薄膜的支持體B110加以捲繞，得到輥體B251的捲繞裝置(未圖示)。
[2]透明基材 此處「透明」是指在23℃•55%RH的環境下調濕後測得的總透光率在80%以上，宜為85%以上，較佳為90%以上，特佳為95%以上。總透光率可依據JIS 7573(塑膠-總透光率及總光線反射率的求取方法)來測定。
本發明所關連的透明基材為厚度在5μm以上未達50μm之具有可撓性的透明基材。在厚度未達5μm的情況，無法保持強度，因此加工時破損發生率高、產率急劇變差，而且隨著顯示器重覆開合而發生破損等現象，耐久性差。另外，若厚度在50μm以上，則披覆構件的總厚度變得過厚，可撓性(破裂的發生等)或重量等不佳，因此必須在上述範圍內。較佳的厚度為10μm以上未達30μm。
另外，本發明所關連的透明基材的彈性模數在55～80GPa的範圍內，且前述透明基材的彈性模數與前述基材薄膜的彈性模數比(透明基材的彈性模數/基材薄膜的彈性模數)之值以在30以上為佳。這是因為在使用薄膜化而具有低彈性模數的透明基材來提供提升壓痕強度或不會產生摺痕的披覆構件時，藉由使用彈性模數較低的基材薄膜，亦即使透明基材對其之彈性模數比(透明基材的彈性模數/基材薄膜的彈性模數)之值在30以上，可更加提升透明基材的保護機能。
＜彈性模數的測定＞ 如以下所述般設定基材薄膜及透明基材的彈性模數(亦稱為拉伸彈性模數)的測定條件，彈性模數可藉由應變0.05～0.25%間的線性迴歸求得。
對於MD方向，依據JIS K7127(1999)，依照以下的方法測定拉伸彈性模數。 1)將基材薄膜或透明基材切成100mm(MD方向)× 10mm(TD方向)的尺寸，製作出測試片。 2)使用ORIENTEC公司製的萬能試驗機RTC-1225A，將夾具間距離定為50mm，將該測試片往測試片的長邊方向(MD方向)以拉伸速度50mm/min拉伸，測定MD方向的拉伸彈性模數。測定是在23℃55%RH下進行。
[2.1]玻璃基材 從耐久性、平面性等優異的觀點看來，本發明所關連的透明基材以薄型玻璃基材為佳，可列舉例如鈉鈣玻璃、矽酸鹽玻璃等，以矽酸鹽玻璃為佳，具體而言，以二氧化矽玻璃或硼矽酸玻璃為較佳。
構成玻璃基材的玻璃以實質上不含鹼成分的無鹼玻璃為佳，具體而言為鹼成分的含量在1000ppm以下的玻璃。玻璃基板中，鹼成分的含量以500ppm以下為佳，300ppm以下為較佳。含有鹼成分的玻璃基材，在薄膜表面發生陽離子的置換，容易發生浮現碳酸鈉白斑的現象。因為這樣，薄膜表層的密度容易降低，玻璃基材容易破損。
玻璃基材可藉由一般的周知的方法來成形，例如浮製法、下引法、溢流下引法等。尤其從成形時玻璃基材表面不會接觸到成形構件，所得到的玻璃基材的表面不易刮傷等看來，以溢流下引法為佳。
本發明所使用的玻璃基材，亦可藉由例如將如硼矽酸玻璃般的厚玻璃磨削成所希望的厚度來獲得，然而將厚玻璃片磨削或研磨，難以得到未達200μm的玻璃基材。
所以，為了得到本發明所關連的厚度5μm以上未達50μm之玻璃基材，以採用特殊的浮製法為佳。
厚度愈薄，極薄的玻璃板的使用或加工愈困難，玻璃強度會降低，破損的機率會變高。為了讓薄型玻璃基材容易使用及加工，有文獻提出藉由將薄型玻璃基材在暫時接著於較厚的支持基板(以下亦稱為「載體基板」)的狀態下加工，在加工的後製程中將支持基板剝離，而得到薄型玻璃基材的方法。
例如，根據前述國際公開第2017/066924號，可依照以下的步驟來製造厚度未達100μm的鈉鈣玻璃。
(步驟1)在具有接合面的玻璃載體基板上以與玻璃基材22表面的第1表面相接的方式形成玻璃基材，並使具有接著力的接觸膜(亦稱為「接觸薄膜」)附著於與第1表面相反側的第2表面的步驟。
亦即，上述玻璃基材之製造方法，如圖4(步驟1)所示般，包含：將玻璃基材形成用的材料以所希望的厚度倒在具有足夠的強度及容易加工的厚度的載體基板21上，以玻璃基材22的第1表面與載體基板21相接的方式形成玻璃基材，然後使接觸膜23附著在玻璃基材22的相反側的第2表面的步驟。
(步驟2)接下來，藉由接著力高的接觸膜23，將玻璃基材22由載體基板21剝離的步驟(圖4(步驟2))。 (步驟3)藉由降低接觸膜的接著力的脆弱化處理(電磁輻射照射24)，由從載體基板剝離的玻璃基材22的第2表面將接觸膜23除去的步驟(圖4(步驟3))。
亦即，藉由使用用來保護玻璃基材安全的接觸膜23，可具有玻璃基材22的保護機能，藉此，例如可將玻璃基材22露出的表面予以保護，例如讓它不會遭受到可能發生的機械損傷，可安全且簡便地使用。
接觸膜可因應特定條件包含硬質或軟質的材料，合適的材料可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)或聚烯烴(PO)。
接觸膜通常會藉由設置於基材的一面且由接著劑所形成的接著劑層接著於玻璃基材。但是，不排除接觸膜本身的基材具有接著性。
接觸膜與玻璃基材的第2表面之間的接著力，能夠以壓接時能克服載體基板與玻璃基材之間的接合力，並且利用剝離裝置來剝離時能將足夠的力量傳達至玻璃基材的方式來選擇。
接觸膜能夠以箔或膠帶的形式來提供，例如可由輥來捲繞或以薄片的方式來提供。理想的情況，接觸膜的厚度為50μm以上，甚至宜為80μm以上，更佳為125μm以上，特佳為150μm以上。
玻璃基材，如前述般，以由含鹼的玻璃組成物來製作為佳。合適的玻璃材料為例如鋁矽酸鋰玻璃、鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃及低鹼含量的鋁矽酸鹽玻璃。不含鹼的組成物亦為適合。這樣的玻璃以藉由例如前述下引法、溢流下引法或浮製法等來製作為佳。
載體基板，理想的情況，具有至少100μm以上的厚度，宜為300μm以上，更佳為500μm以上，具有至少3英吋(1英吋為2.54cm)以上的最大尺寸，宜為6英吋以上，較佳為8英吋以上，特佳為12英吋以上。尤其載體基板可具有第一代以上的玻璃基板尺寸，例如第二至第八代，或更大的基板尺寸，例如1×1m～3×3m。載體基板可為長方形、二次或橢圓形、或圓形等的各種形狀。
玻璃基材會與接觸膜一起藉由接觸膜的接著力，由載體基板剝離，然後接觸膜被剝離，可得到玻璃基材22個體，其可作為圖1所示的透明基材3。
在合適的實施形態中，以在由玻璃基材將接觸膜除去之前，對接觸膜實施讓接著力脆弱化的處理來降低接觸膜與極薄基板之間的接著力為佳。脆弱化處理以可讓接著力降低至0.5N/25mm以下的方式來選擇為佳。 脆弱化處理中所選擇的電磁輻射可選擇在特定的波長範圍，例如紅外線或紫外線或可見光。所選擇的電磁輻射會取決於所使用的接著材料，可為狹窄的帶域或可涵蓋較廣的帶域，或可為雷射輻射。
理想的情況，選擇在可見光譜的外側，讓它在曝露在可見光之下時接著力不會劣化。藉由照射該電磁輻射可讓至少一部分失活化。已有各種接著材料在市面販售，理想的選擇取決於特定條件。
或者，在可藉由讓溫度上昇或下降來降低接觸膜的接著性的情況，實施熱處理作為脆弱化處理也是有利的。
前述電磁輻射照射，宜為由接觸膜的外側照射，亦即由並未接著於玻璃基材的一側照射。 合適的接著材料可廣泛利用，可列舉例如已有以「NDS4150-20」的商品名在市面販售的商品，所對應的脆弱化處理為365nm波長的紫外線照射。
關於具體的玻璃基材的製造例，在實施例的項目作說明。另外，上述記載的玻璃基材，可使用SCHOTT製、日本電氣硝子製等的薄型玻璃。
[2.2]熱塑性樹脂基材 本發明所關連的透明基材可使用熱塑性樹脂薄膜，該折可塑性樹脂並未受到特別限制，可列舉纖維素酯系樹脂、環烯烴系樹脂、富馬酸二酯系樹脂、聚丙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及苯乙烯系樹脂或其複合樹脂。尤其從光學特性、物理特性的觀點看來，將使用聚醯亞胺系樹脂的熱塑性樹脂薄膜製成圖1所示的透明基材3為佳。
＜聚醯亞胺系樹脂＞ 聚醯亞胺系樹脂，可藉由例如由酸酐與二胺化合物合成出聚醯胺酸(聚醯亞胺前驅物)，使該聚醯胺酸藉由熱或觸媒醯亞胺化來獲得。
聚醯亞胺的合成所使用的酸酐並未受到特別限制，可列舉例如聯苯四羧酸二酐(BPDA)、聯三苯四羧酸二酐、二苯酮四羧酸二酐、焦蜜石酸酐(PMDA)、氧基二鄰苯二甲酸二酐、二苯碸四羧酸二酐、六氟異亞丙基二鄰苯二甲酸二酐、環丁烷四羧酸二酐等的芳香族四羧酸二酐等。
另外，聚醯亞胺的合成所使用的二胺化合物並未受到特別限制，可列舉例如對苯二胺(PDA)、間苯二胺、2,4-二胺基甲苯、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯醚(ODA)、3,4'-二胺基二苯醚、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯、3,7-二胺基-二甲基二苯并噻吩-5,5'-二氧化物、4,4'-二胺基二苯酮、4,4'-雙(4-胺苯基)硫醚、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯等的芳香族二胺等。
此外，市售品可使用以聚醯亞胺前驅物為主成分的聚醯亞胺清漆，例如U-Varnish S(宇部興產公司製)、ECRIOS(三井化學股份有限公司製)等。
此外，在因應目的使用紫外線穿透性聚醯亞胺的情況，例如，可使用以聚醯亞胺前驅物(聚醯胺酸)為主成分的聚醯亞胺市售品，如TORMED-S、X(1ST公司製)、SPIXAREA HR003、GR003(以上為Somar公司製)、FLUPI(NTT公司製)、Type HM(東洋紡公司製)、Type-C(三井化學公司製)、PI-100(丸善化學公司製)、HDN-20D(新日本理化公司製)、CBDA-6FDAC(Central硝子公司製)、Q-VR-X-1655(PI技研公司製)等。
[3]披覆構件的製造方法
[3.1]披覆構件的構成例子
在前述透明基材的至少一個表面1，依照圖1A所示的構成配置本發明之基材薄膜(基材薄膜1)。如後述般，在顯示裝置具有偏光板的顯示單元的情況，本發明之披覆構件之基材薄膜1側透過黏著劑層貼合在該偏光板上是合適的實施態樣。
基材薄膜相對於透明基材的配置，以在對於前述基材薄膜其中一面(A面)而言的背面(B面)上，讓前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率 (ρA/ρB)之值在0.80~0.95的範圍內的方式調整之後的基材薄膜A面側定為透明基材側為佳。
在透明基材之與基材薄膜1相反側的一面以配置後述基材薄膜2為佳(圖1B)。
基材薄膜1或基材薄膜2是藉由黏著劑層或接著劑層貼合於透明基材3。
圖5為表示附支持體的基材薄膜與透明基材的貼合的模式圖。
圖5A表示形成於前述支持體5上的基材薄膜1的層合體，與支持體5相接的基材薄膜1表面相當於B面。
接下來，如圖5B般，基材薄膜1的A面側透過黏著劑層4貼合於透明基材3，在這之後，支持體5會被剝離。
[3.2]黏著劑層
黏著劑層以使包含基底聚合物、預聚物及/或交聯性單體、交聯劑以及溶劑的黏著劑組成物乾燥及部分交聯而成的層為佳。亦即，可為至少一部分的黏著劑組成物交聯而成的層。
黏著劑組成物的例子，包括以(甲基)丙烯酸系聚合物為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑組成物、以聚矽氧系聚合物為基底聚合物之聚矽氧系黏著劑組成物、以橡膠為基底聚合物之橡膠系黏著劑組成物。尤其從透明性、耐候性、耐熱性、加工性的觀點看來，以丙烯酸系黏著劑組成物為佳。
丙烯酸系黏著劑組成物中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物，可為(甲基)丙烯酸烷基酯和含有可與交聯劑交聯的官能基之單體的共聚物。
(甲基)丙烯酸烷基酯，以烷基的碳數為2～14之丙烯酸烷基酯為佳。
含有可與交聯劑交聯的官能基之單體的例子，包括含有醯胺基的單體、含有羧基的單體(丙烯酸等)、含有羥基的單體(丙烯酸羥基乙基等)。
丙烯酸系黏著劑組成物中所含的交聯劑，可列舉環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑等。黏著劑組成物中的交聯劑的含量，通常相對於基底聚合物(固體成分)100質量份，可為例如0.01～10質量份。
黏著劑組成物亦可因應必要進一步包含黏著賦予劑、可塑劑、玻璃纖維、玻璃珠、金屬粉、其他填充劑、顏料、著色劑、填充劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、矽烷偶合劑等的各種的添加劑。
黏著劑層的厚度通常為3～100μm左右，宜在5～50μm的範圍。
黏著劑層的表面，可被經過脫模處理的剝離薄膜保護。剝離薄膜的例子，包括丙烯酸薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酯薄膜、氟樹脂薄膜等的塑膠薄膜。
[3.3]接著劑層 可使用接著劑層代替上述黏著劑層，圖1所示的黏著劑層4可為接著劑層。
接著劑層分別配置於基材薄膜與透明基材之間。此外，配置於後述偏光板之間而構成顯示裝置亦為適合。接著劑層中所含的接著劑的種類可相同或相異。
接著劑層可為由水溶性聚合物所得到的層，或可為活性能量射線硬化性接著劑的硬化物層。在水溶性聚合物的情況，例如可透過由乙烯醇系聚合物所形成的接著劑、或至少由硼酸或硼砂、戊二醛或三聚氰胺、草酸等的乙烯醇系聚合物的水溶性交聯劑所形成的接著劑等來進行。該接著劑層是以水溶液的塗佈乾燥層等的方式形成，在調製其水溶液時，亦可因應必要摻合其他添加劑或酸等的觸媒。
活性能量射線硬化性接著劑可為光自由基聚合性組成物，或可為光陽離子聚合性組成物。尤其以光陽離子聚合性組成物為佳。
光陽離子聚合性組成物包含環氧系化合物及光陽離子聚合起始劑。
環氧系化合物，是指分子內具有1個以上，宜為2個以上的環氧基的化合物。環氧系化合物的例子，包括使脂環式多元醇與表氯醇反應所得到的氫化環氧系化合物(具有脂環式環的多元醇的縮水甘油醚)；脂肪族多元醇或其環氧烷加成物的聚縮水甘油醚等的脂肪族環氧系化合物；分子內具有1個以上結合於脂環式環的環氧基之脂環式環氧系化合物。環氧系化合物可僅使用一種或併用兩種以上。
光陽離子聚合起始劑，可為例如芳香族重氮鎓鹽；芳香族碘鎓鹽或芳香族鋶鹽等的鎓鹽；鐵芳香烴錯合物等。
光陽離子聚合起始劑，可因應必要進一步包含氧雜環丁烷、多元醇等的陽離子聚合促進劑、光增感劑、離子捕捉劑、抗氧化劑、鏈轉移劑、黏著賦予劑、熱塑性樹脂、填充劑、流動性調整劑、塑化劑、消泡劑、抗靜電劑、整平劑、溶劑等的添加劑。
接著劑層的厚度並未受到特別限定，分別以在0.01～10μm的範圍為佳，在0.01～5μm的範圍為較佳。
[3.4]基材薄膜2 基材薄膜1的對向薄膜可使用基材薄膜1，然而也可使用其他的樹脂薄膜，其例子包括環烯烴系樹脂、聚丙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚芳酯系樹脂、纖維素酯系樹脂及苯乙烯系樹脂或其複合樹脂等。尤其以使用含有在高濕度環境下保存性優異的聚酯系樹脂之樹脂薄膜為佳。
上述樹脂薄膜的例子，包括聚酯系樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸三亞甲基酯(PTT)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚丁烯萘二甲酸酯(PBN)等)等。尤其從操作方便性的觀點看來，以包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)的聚酯系樹脂薄膜為佳。
樹脂薄膜可經過熱處理(熱緩和)或可經過延伸處理。
關於熱處理，為了降低樹脂薄膜的殘留應力(例如伴隨著延伸發生的殘留應力等)，將構成樹脂薄膜的樹脂的玻璃轉移溫度定為Tg時，可在(Tg+60)～(Tg+180)℃的範圍進行，然而並未受到特別限制。
關於延伸處理，為了增加樹脂薄膜的殘留應力，延伸處理以例如往樹脂薄膜兩軸的方向進行為佳，延伸處理能夠以任意條件來進行，例如能夠以延伸倍率120～900%左右來進行。樹脂薄膜是否延伸，可藉由例如是否有面內慢軸(往折射率最大的方向延伸的軸)來確認。延伸處理可在將基材薄膜層合前進行，或在層合之後進行，以在層合前延伸為佳。
聚酯系樹脂薄膜(也簡稱為聚酯薄膜)可使用市售品，適合使用例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜TN100(東洋紡公司製)、MELINEX ST504(帝人杜邦薄膜公司製)等。
基材薄膜2的膜厚可適當地選擇，從披覆構件的薄膜化的觀點看來，以在10～100μm的範圍內為佳，在10～50μm的範圍內為較佳。
此外還可對基材薄膜2賦予硬塗層等的機能性層。
(硬塗層) 位於折疊型顯示器表面且保護顯示器的聚酯薄膜，以表面具有硬塗層為佳。硬塗層以位於聚酯薄膜上的顯示器表面側使用於顯示器為佳。形成硬塗層的樹脂，可使用丙烯酸系、矽氧烷系、無機複合系、胺基甲酸酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、環氧系等，並無特別限定。另外還可將兩種以上的材料混合使用，或可添加無機填料或有機填料等的粒子。
硬塗層的膜厚，以在1～50μm的範圍為佳。若在1μm以上，則會充分硬化，可得到良好的鉛筆硬度。另外，藉由將厚度定在50μm以下，可抑制硬塗層硬化收縮造成的捲曲，提升薄膜的操作性。
硬塗層的塗佈方法，可使用線棒塗佈、凹版塗佈、模具塗佈機、刀片式塗佈機等，並無特別限定，可因應黏度、膜厚適當地選擇。
硬塗層的硬化方法，可使用利用紫外線、電子束等的能量射線或熱的硬化方法等，為了減輕對薄膜的傷害，以利用紫外線或電子束等的硬化方法為佳。
硬塗層的鉛筆硬度以在B以上為佳，H以上為更佳，2H以上為特佳。只要是B以上的鉛筆硬度，則不容易刮傷，且不會降低視認性。一般而言，硬塗層的鉛筆硬度以高為佳，然而9H以下也可，8H以下也無妨，即使是6H以下在實用上也沒有問題而能夠使用。
本發明所使用的硬塗層，可使用於提高如上述般的表面鉛筆硬度、保護顯示器之目的，以透光率高為佳。硬塗薄膜的透光率，以在87%以上為佳，88%以上為更佳。透光率只要在87%以上，則可得到充分的視認性。硬塗薄膜的總透光率一般而言愈高愈好，然而99%以下也無妨，可為97%以下。另外，硬塗薄膜的霧度一般而言以低為佳，宜在3%以下。硬塗薄膜的霧度以在2%以下為較佳，1%以下為最佳。霧度只要在3%以下，則可提升影像的視認性。
硬塗層可進一步附帶其他功能。例如如上述般鉛筆硬度在一定程度的防眩層、防眩性抗反射層、抗反射層、低反射層及抗靜電層等的附帶功能性的硬塗層，在本發明之中也適合使用。
[4]顯示裝置 本發明之顯示裝置，其特徵為：具備本發明之披覆構件或披覆構件用之基材薄膜。本發明之顯示裝置，可藉由例如透過黏著劑層或接著劑層將本發明之披覆構件，理想的情況下隔著偏光板，貼合於顯示裝置的表面而得。顯示裝置是指具有顯示機構的裝置，包含作為發光源的發光元件或發光裝置。顯示裝置可列舉液晶顯示裝置、有機電致發光(EL)顯示裝置、無機電致發光(EL)顯示裝置、觸控面板顯示裝置、電子發射型顯示裝置(場發射型顯示裝置(FED等)、表面場發射顯示裝置(SED))、電子紙(使用電子墨或電泳元件的顯示裝置)、電漿顯示裝置、投影型顯示裝置(柵狀光閥(GLV)顯示裝置、具有數位微鏡裝置(DMD)的顯示裝置等)及壓電陶瓷顯示器等。液晶顯示裝置還包括穿透型液晶顯示裝置、半穿透型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、直視型液晶顯示裝置及投影型液晶顯示裝置等的任一者。這些顯示裝置可為顯示二維影像的顯示裝置或顯示三維影像的立體顯示裝置。尤其，本發明之顯示裝置，以有機EL顯示裝置及觸控面板顯示裝置為佳，特別有機EL顯示裝置為佳。
另外，折疊型顯示器，以採用連續的1枚顯示器，在攜帶時可對折而使尺寸減半，提升攜帶性的構造為佳。另外，同時還希望薄型、重量減輕，因此折疊型顯示器的彎曲半徑以在5mm以下為佳，3mm以下為更佳。彎曲半徑只要在5mm以下，則可達成折疊狀態下的薄型化。彎曲半徑可說是愈小愈好，然而0.1mm以上也無妨，亦可為0.5mm以上。即使在1mm以上，與不具有折疊構造的以往的顯示器相比，實用性也十分良好。此處折疊時的彎曲半徑，意指在前述圖1C或圖1D之中，將披覆構件10折疊時，折疊部分內側的半徑R。
圖6表示披覆構件在本發明之顯示裝置的一例的有機EL顯示器上的適用例。
有機EL顯示器一般的構成，是由有機EL層101以及偏光板102所構成的顯示單元，有機EL層101包含了電極/電子輸送層/發光層/電洞輸送層/透明電極，偏光板102具備了用來提升畫質的位相差板(λ/4板)。本發明之顯示裝置100合適的實施態樣，是本發明之披覆構件10的基材薄膜1側透過黏著劑層4被貼合在該偏光板102上。
依據該實施態樣，本發明之顯示裝置，提升了披覆構件的操作性，而且該披覆構件所具備的基材薄膜也不會產生摺痕，尤其作為折疊型顯示器的披覆構件時，可維持量產性，而且重覆折疊後的視認性優異、在顯示器的折疊部分不會發生影像的混亂。例如搭載該折疊型顯示器的攜帶型終端機，會呈現美麗的影像、機能性豐富、攜帶性等的便利性優異。 [實施例]
以下列舉實施例對本發明作具體說明，然而本發明不受其限定。此外，在實施例之中，使用了「份」或「%」的表示，只要沒有特別註明，代表「質量份」或「質量%」。
≪基材薄膜的製作≫ ＜基材薄膜101的製作＞ (支持體) 支持體使用了聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)：(東洋紡公司製的TN100，包含非聚矽氧系剝離劑的脫模層，膜厚38μm)。
(基材薄膜101用溶液的調製) 將下述成分混合，得到基材薄膜101用溶液。
二氯甲烷(沸點41℃)                     800質量份 丙烯酸1：MMA/PMI/MADA共聚物(60/20/20質量比)，Mw：150萬，Tg=137℃(此外，簡稱如以下所示，MMA：甲基丙烯酸甲酯、PMI：苯基馬來醯亞胺及MADA：丙烯酸金剛烷基酯) 20質量份 橡膠粒子R1：                             80質量份 分散劑(聚氧乙烯月桂基醚磷酸鈉：分子量332) 以在基材薄膜中成為0.006質量%的添加量來添加
(基材薄膜101的製作) 藉由背塗法，使用模具，將基材薄膜101用溶液塗佈於上述支持體的脫模層上之後，依照下述乾燥步驟進行基材薄膜的乾燥，形成膜厚5μm的基材薄膜，而得到基材薄膜101。
(初期乾燥) 第1步驟：40℃1分鐘 第2步驟：70℃1分鐘 第3步驟：100℃1分鐘 第4步驟：130℃2分鐘 (後乾燥) 第5步驟：110℃15分鐘
＜橡膠粒子R1的調製＞ 使用依照以下的方法所調製出的橡膠粒子。
在附有攪拌機的8L聚合裝置中裝入以下的物質。
去離子水                                    180質量份 聚氧乙烯月桂基醚磷酸                  0.002質量份 硼酸                                          0.473質量份 碳酸鈉                                       0.473質量份 氫氧化鈉                                    0.008質量份
將聚合機內以氮氣充分置換之後，使內溫成為80℃，以2質量%水溶液的方式加入過硫酸鉀0.021質量份。接下來，將在由甲基丙烯酸甲酯84.6質量%、丙烯酸丁酯5.9質量%、苯乙烯7.9質量%、甲基丙烯酸烯丙酯0.5質量%、正辛基硫醇1.1質量%所形成的單體混合物(c')21質量份中加入聚氧乙烯月桂基醚磷酸0.07質量份而成的混合液花費63分鐘連續添加至上述溶液中。再繼續進行聚合反應60分鐘，而得到最內硬質聚合物(c)。
然後，分別以2質量%水溶液的方式添加氫氧化鈉0.021質量份，以2質量%水溶液的方式添加過硫酸鉀0.062質量份。接下來，花費117分鐘連續添加在由丙烯酸丁酯80.0質量%、苯乙烯18.5質量%、甲基丙烯酸烯丙酯1.5質量%所形成的單體混合物(a')39質量份中加入聚氧乙烯月桂基醚磷酸0.25質量份而成的混合液。添加結束後，以2質量%水溶液的方式添加過硫酸鉀0.012質量份，繼續進行聚合反應120分鐘，而得到軟質層(由丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)所形成的層)。軟質層的玻璃轉移溫度(Tg)為-30℃。軟質層的玻璃轉移溫度，是將構成丙烯酸系橡膠狀聚合物(a)的各單體的同元聚合物的玻璃轉移溫度依照組成比取平均來計算。
然後，以2質量%水溶液的方式添加過硫酸鉀0.04質量份，並花費78分鐘連續添加由甲基丙烯酸甲酯97.5質量%、丙烯酸丁酯2.5質量%所形成的單體混合物(b')26.1質量份。再繼續進行聚合反應30分鐘，而得到聚合物(b)。
將所得到的聚合物(b)加入3質量%硫酸鈉溫水溶液中，使其鹽析•凝固。接下來，重覆脫水•洗淨之後，使其乾燥，而得到3層構造的丙烯酸系接枝共聚物粒子(橡膠粒子R1)。所得到的橡膠粒子R1的平均粒徑為200nm。
橡膠粒子的平均粒徑是依照以下的方法來測定。
(平均粒徑) 藉由ζ電位•粒徑測定系統(大塚電子股份有限公司製的ELSZ-2000ZS)來測定所得到的分散液中的橡膠粒子的分散粒徑。
＜基材薄膜102～104的製作＞ 在基材薄膜101的製作時，除了將橡膠粒子R1的含量分別改成65、45及20質量%之外，也同樣地實行，而製作出基材薄膜102～104。
＜基材薄膜105的製作＞ (支持體) 支持體使用了聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)：(東洋紡公司製的TN100，包含非聚矽氧系剝離劑的脫模層，膜厚38μm)。
(基材薄膜105用溶液的調製) 將下述成分混合，而得到基材薄膜105用溶液。
二氯甲烷(沸點41℃)：                         860質量份 甲醇(沸點65℃)：                               40質量份 COP1(G7810，JSR股份有限公司製的ARTON G7810，Mw：14萬，具有羧基的環烯烴系樹脂)：           100質量份 抗氧化劑(Irgariox1076，BASF公司製，分子量531) 以在基材薄膜中成為0.002質量%的添加量來添加
(基材薄膜105的製作) 藉由背塗法，使用模具，將基材薄膜105用溶液塗佈於上述支持體的脫模層上之後，依照下述乾燥步驟進行基材薄膜的乾燥，形成膜厚5μm的基材薄膜，而得到基材薄膜105。
第1步驟：40℃1分鐘 第2步驟：70℃1分鐘 第3步驟：100℃1分鐘 第4步驟：130℃2分鐘
＜基材薄膜106的製作＞ (支持體) 支持體使用了聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)：(東洋紡公司製的TN100，包含非聚矽氧系剝離劑的脫模層，膜厚38μm)。
(聚醯亞胺粉體的調製) 在具備乾燥氮氣導入管、冷凝管、裝滿甲苯的Dean-Stark凝集器、攪拌機的四口燒瓶中加入由下述式所表示的MeO-DABA5.146g(20mmol)，並加入γ-丁內酯(GBL)20 mL及甲苯10mL，在氮氣流及室溫下攪拌。
於其中添加順,順,順-1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐(H-PMDA)粉末4.483g(20mmol)，在80℃下加熱攪拌6小時。然後，將外溫加熱至190℃，將隨著醯亞胺化產生的水與甲苯一起共沸餾除。加熱6小時，持續回流、攪拌，最後觀察不到水的產生。接著，將甲苯餾除同時加熱7小時，進一步在將甲苯餾除之後，加入甲醇使其再沉澱，而得到聚醯亞胺粉體6.4g(產率72%)。
(基材薄膜106用溶液的調製) 將下述成分混合，得到基材薄膜106用溶液。
二氯甲烷(沸點41℃)                     900質量份 聚醯亞胺1(上述聚醯亞胺粉體)        100質量份
(基材薄膜106的製作) 藉由背塗法，使用模具，將基材薄膜106用溶液塗佈於上述支持體的脫模層上之後，依照下述乾燥步驟進行基材薄膜的乾燥，而得到膜厚5μm的基材薄膜106。
(初期乾燥) 第1步驟：40℃1分鐘 第2步驟：70℃1分鐘 第3步驟：100℃1分鐘 第4步驟：130℃2分鐘 (後乾燥) 第5步驟：110℃15分鐘
＜基材薄膜107、108的製作＞ 在基材薄膜101的製作方法中，除了將膜厚分別改成10μm及14μm之外，也同樣地實行，而製作出基材薄膜107及108。
＜基材薄膜109的製作＞ 在基材薄膜105的製作方法中，除了將原液中的COP1(G7810)的固體成分濃度改成20質量%來進行調製之外，也同樣地實行，而製作出基材薄膜109。
＜基材薄膜110的製作＞ 在基材薄膜105的製作方法中，除了使用在原液中添加了二氧化矽微粒子的下述原液之外，也同樣地實行，而製作出基材薄膜110。
(微粒子添加液的調製) 二氧化矽微粒子(AEROSIL R812，日本AEROSIL公司製，一次平均粒徑：7nm，表觀密度50g/L)    4質量份 二氯甲烷                                          48質量份 乙醇                                                48質量份 將以上以溶解機攪拌混合50分鐘之後，以Manton-Gaulin均質機進行分散。進一步以磨碎機來進行分散，使二次粒子的粒徑成為既定大小。將其以日本精線股份有限公司製的FINE MET NF過濾，調製出微粒子添加液。
(基材薄膜110用溶液的調製) 調製出下述組成的原液。首先在加壓溶解槽中加入二氯甲烷與乙醇。在裝有二氯甲烷與乙醇的混合溶液的加壓溶解槽中，在攪拌下同時加入環烯烴系樹脂(DOP)：G7810。接下來，在溶劑開始加入15分鐘後，加入按照上述方法調製出的微粒子添加液，將其加熱至80℃，在攪拌下使其完全溶解。此時，由室溫以5℃/min昇溫，花費30分鐘使其溶解，然後以3℃/min降溫，使用安積濾紙股份有限公司製的安積濾紙No.244將所得到的溶液過濾，調製出原液。
(原液的組成) COP1(G7810)            100質量份 二氯甲烷                  200質量份 乙醇                        10質量份 微粒子添加液              1質量份
＜基材薄膜111的製作＞ 在基材薄膜102的製作方法中，除了在製造步驟中將作為支持體的PET薄膜剝離後，使B面乾燥，然後再度在B面貼附PFT薄膜，並加以捲繞之外，也同樣地實行，而製作出基材薄膜111。
＜基材薄膜112的製作＞ 在基材薄膜105的製作方法中，除了在原液中添加橡膠粒R1並使其成為65質量%之外，也同樣地實行，而製作出基材薄膜112。
＜基材薄膜113的製作＞ (支持體) 支持體使用了Kapton薄膜200H/V(東麗杜邦公司製，膜厚50μm)。
(基材薄膜113的製作) 在脫水後的二甲基乙醯胺(DMAc，東京化成工業公司製，沸點165℃)中，在氮氣流下使作為二胺的2,2'-二-三氟甲基-4,4'-二胺基聯苯(TFMB，東麗Fine Chemicals公司製)相對於二胺總量相當於90莫耳%與4,4'-二胺基二苯醚(DPE，東京化成工業公司製)相當於10莫耳%溶解，以冰水浴將液溫冷卻至5℃。在讓氮氣在系統內流通之下，以保持在冰水浴中的狀態，花費30分鐘於其中添加2-氯對苯二甲醯氯(CTPC，日本輕金屬公司製)相對於二胺總量相當於99莫耳%，全部添加完之後，進行攪拌約2小時，使芳香族聚醯胺(聚合物A)聚合。在所得到的溶液中，添加作為中和劑的烯丙基縮水甘油醚(東京化成工業公司製，中和劑E)相對於上述反應所產生的氯化氫量(亦即芳香族聚醯胺的醯胺基量)相當於100莫耳%，進行攪拌約1小時，而得到由聚合物A(聚醯胺1)所形成的芳香族聚醯胺溶液。
在室溫下使用塗佈機將所得到的芳香族聚醯胺溶液在上述支持體上澆鑄成膜狀，以115℃30分、265℃5分在熱風烘箱中實施乾燥，而得到膜厚5μm且由聚合物A(聚醯胺1)所形成的基材薄膜113。此處，熱風烘箱是使用SAFETY OVEN SPH100(ESPEC股份有限公司製)，節風門開閉調整在50%，顯示的溫度到達設定溫度1小時後使用。
＜基材薄膜114的製作＞ (支持體) 支持體使用了Kapton薄膜200H/V(東麗杜邦公司製，膜厚50μm)。
(基材薄膜114的製作) 在具備不銹鋼製半月型攪拌翼、氮氣導入管、裝有冷凝管的迪安-斯塔克裝置、溫度計、玻璃製端蓋的300mL五口圓底燒瓶中加入作為二胺成分的9,9-雙(4-胺苯基)芴(田岡化學工業股份有限公司製)9.76g(0.028莫耳)及2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(和歌山精化工業股份有限公司製)8.62g(0.021莫耳)、4,4'-二胺基-2,2'-雙(三氟甲基)聯苯(和歌山精化工業股份有限公司製)6.72g(0.021莫耳)、γ-丁內酯(三菱化學股份有限公司製)46.86g，在系統內溫度70℃、氮氣環境下以轉速200rpm攪拌，而得到溶液。
在該溶液中，將作為四羧酸成分的1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐(三菱氣體化學股份有限公司製)16.47g(0.07莫耳)與γ-丁內酯(三菱化學股份有限公司製)11.72g一起添加之後，加入作為醯亞胺化觸媒的三乙基胺(關東化學股份有限公司製)3.54g，以加熱包加熱，花費約20分鐘將反應系統內的溫度提高至190℃。收集被餾出的成分，隨著黏度上昇調整轉速，同時將反應系統內溫度保持在190℃，回流5小時。
然後，添加γ丁內酯(三菱化學股份有限公司製)97.62g，使反應系統內溫度冷卻至120℃之後，進一步攪拌約3小時，使其均勻化，得到固體成分濃度20質量%的聚醯亞胺2溶液。接下來，與基材薄膜101的製作同樣地，藉由背塗法，使用模具，將所得到的聚醯亞胺2溶液塗佈在上述支持體上之後，依照下述乾燥步驟進行基材薄膜的乾燥，形成膜厚5μm的基材薄膜，而得到基材薄膜114。
(初期乾燥) 第1步驟：40℃10分鐘 第2步驟：70℃10分鐘 第3步驟：100℃30分鐘 第4步驟：130℃30分鐘 (後乾燥) 第5步驟：250℃30分鐘
＜基材薄膜115的製作＞ (支持體) 支持體使用了聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)：(東洋紡公司製的TN100，包含非聚矽氧系剝離劑的脫模層，膜厚38μm)。
(基材薄膜115用溶液的調製) 甲基乙基酮(MEK)             90質量份 橡膠粒子R1                    10質量份 以磁攪拌器攪拌，而得到基材薄膜115用溶液。
(基材薄膜115的製作) 藉由背塗法，使用模具，將基材薄膜115用溶液塗佈於上述支持體的脫模層上之後，依照下述乾燥步驟進行基材薄膜的乾燥，形成膜厚5μm的基材薄膜，而得到基材薄膜115。
(初期乾燥)
第1步驟：40℃ 1分鐘
第2步驟：70℃ 1分鐘
第3步驟：100℃ 1分鐘
第4步驟：130℃ 2分鐘
(後乾燥)
第5步驟：110℃ 15分鐘
<基材薄膜116的製作>
在基材薄膜102的製作方法中，除了將膜厚調整成25μm之外，也同樣地實行，而製作出基材薄膜116。
≪評估≫
使用所得到的基材薄膜，進行以下的評估。
<應力-應變曲線>
將基材薄膜切成100mm(MD方向：長邊方向)×10mm(TD方向：寬邊方向)的尺寸，而得到樣品薄膜。將該樣品薄膜在23℃‧55%RH的環境下調濕24小時，依據JIS K7127：1999，使用ORIENTEC公司製的萬能試驗機RTC-1225A，將夾具間距離定為50mm，將調濕後的樣品薄膜往MD方向拉伸，同時得到破裂為止的應力-應變曲線。應力應變曲線是以縱軸為應力(MPa)、橫軸為拉伸破裂拉伸率 (%)來表示。應力-應變曲線的測定，是在23℃‧55%RH下以拉伸速度50mm/分鐘的條件來進行。
由上述測定所得到的基材薄膜的應力-應變曲線，求得本發明所關連的直線的斜率。
如圖2所示般，基材薄膜在進行拉伸測試而拉伸之後，得到破裂點X，畫出連接該破裂點X與原點(0點)的直線Y時，將該直線的斜率α定為本發明所謂的「基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率」。
<基材薄膜的A面及B面的密度的測定>
基材薄膜的表面(A面及B面)的密度，是使用X光反射率法(XRR法)來測定。若X光相對於薄膜表面以非常淺的角度入射，則會被全反射，若X光的入射角在全反射臨界角以上，則X光會進入薄膜內部，反射率會降低。以XRR法所測得的反射率曲線可使用專用的反射率解析軟體來解析，在本發明中，將反射率開始降低的角度定為θa時，在2θ為2θa至2θa+0.1°的範圍，將測定結果與計算結果的擬合誤差最小時的密度定為表面密度。此時，表面粗糙度是在0~1nm的範圍內進行擬合。
將基材薄膜切成30mm×30mm的大小，固定於樣品台，依照以下的測定條件進行測定。
(測定條件)
‧裝置：薄膜X光繞射裝置(Rigaku股份有限公司製的ATX-G)
• 樣品尺寸：30mm×30mm • 人射X光波長：1.5405Å • 測定範圍(θ)：0～6° • 解析軟體：反射率解析軟體GXRR(Rigaku股份有限公司製)
＜基材薄膜的彈性模數的測定＞ 如以下所述般設定彈性模數(亦稱為拉伸彈性模數)的測定條件，藉由應變0.05～0.25%間的線性迴歸求得彈性模數。
對於MD方向，依據JIS K7127(1999)，依照以下的方法測定拉伸彈性模數。 1)將基材薄膜切成100mm(MD方向)×10mm(TD方向)的尺寸，以作為測試片。 2)使用ORIENTEC公司製的萬能試驗機RTC-1225A，將夾具間距離定為50mm，將該測試片往測試片的長邊方向(MD方向)以拉伸速度50mm/min拉伸，測定MD方向的拉伸彈性模數。測定是在23℃•55%RH下進行。尚且，後述的透明基材之彈性模數也依照同樣的方法測定。
＜壓痕強度＞ 對於基材薄膜的A面與B面，依照ISO14577所規定的壓痕測試的步驟來作測定。在23℃、55%RH的環境下，試驗機使用超微小硬度計(Fischer Instruments製，商品名「Fischerscope 100C」)，壓頭使用基部為正方形且對面夾角為136°的角錐型鑽石壓頭來進行測定。
測定是將壓頭以一定速度壓進基材薄膜而施加10mN的荷重。馬氏硬度的計算，是對薄膜施加荷重(10mN)，並除以超過接觸零點而侵入的壓頭的表面積之值來求得。
關於本發明之基材薄膜的壓痕強度，是依據上述方法測定馬氏硬度，對於A面及B面的平均值，依照下述基準來判定表面硬度(馬氏硬度)的等級。
◎：馬氏硬度為200N/mm 2個以上 ○：馬氏硬度為50N/mm 2個以上，未達200N/mm 2△：馬氏硬度為25N/mm 2個以上，未達50N/mm 2×：馬氏硬度未達25N/mm 2若馬氏硬度的評級為△以上，則基材薄膜的壓痕強度會提升，在披覆構件具備該基材薄膜時，可防止透明基材的破裂，披覆構件的操作性會提升。希望為○～◎。
將基材薄膜的構成及評估結果揭示於下述表1。
＜透明基材1的製作：表中，表記為玻璃＞ 依照下述步驟製作出尺寸為12英吋的玻璃基材(參考圖4)。
(步驟1)在具有接合面的玻璃載體基板上以與玻璃基材表面的第1表面相接的方式形成玻璃基材，並使具有接著力的接觸膜(亦稱為「接觸薄膜」)附著於與第1表面相反側的第2表面的步驟。
(步驟2)接下來，藉由接著力高的接觸膜，將玻璃基材由載體基板剝離的步驟。 (步驟3)藉由使接觸膜的接著力減弱的脆弱化處理(電磁輻射照射)，由從載體基板剝離的玻璃基材的第2表面將接觸膜除去的步驟。
藉由步驟1，以與厚度500μm的載體基板相接的方式形成既定厚度的玻璃基材1，然後使下述接觸膜附著。接下來，以30秒鐘由載體基板將玻璃基材與接觸膜一起剝離，將載體基板除去(步驟2)。接觸膜包含厚度150μm且具有10μm接著劑層之作為基材的聚烯烴(PO)，是使用以商品名「NDS4150-20」市售的產品。
接下來，將露出的接觸膜脆弱化處理，使接著力降低。脆弱化處理是以365nm的紫外線照射接觸膜10秒鐘。紫外線的照射功率約為500mW/cm 2，合計照射能量為500mJ/cm 2。此時，脆弱化處理前的接著力約為11N/25 mm，脆弱化處理後，會將接著力降低至0.4N/25mm。藉此，容易將接觸膜由玻璃基材剝離，得到厚度28μm的玻璃基材個體(步驟3)。
此外，透明基材的厚度調整成8μm、28μm、45μm及54μm，由前述測定法所測得的彈性模數分別如表2所記載。
＜透明基材2的製作：在表中，表記為聚醯亞胺＞ 在基材薄膜114的製作方法中，將所得到的聚醯亞胺2溶液塗佈於玻璃板上，以熱板在100℃下保持60分鐘，使溶劑揮發，而得到具有自支持性且無色透明的一次乾燥薄膜。將該薄膜固定於不銹鋼框，在熱風乾燥機中以250℃加熱2小時，使溶劑蒸發，而得到厚度28μm的透明基材2。由前述測定法所測得的彈性模數為10GPa。
＜基材薄膜2的製作＞ (聚對苯二甲酸乙二酯顆粒(a)的調製) 酯化反應裝置，是使用由三個具有攪拌裝置、部分冷凝器、原料裝入口及生成物取出口的完全混合槽所形成的連續酯化反應裝置，將對苯二甲酸(TPA)設定為2噸/hr，將乙二醇(EG)設定為相對於TPA 1莫耳為2莫耳，將三氧化銻設定為銻(Sb)原子相對於所產生的PET成為160ppm的量，將這些泥漿連續供給至酯化反應裝置的第1酯化反應罐，在常壓下平均滯留時間4小時，使其在255℃下反應。
接下來，將上述第1酯化反應罐內的反應生成物連續取出至系統外，並供給至第2酯化反應罐，對第2酯化反應罐內以相對於所生成的聚合物(產生的PET)為8質量%來供給由第1酯化反應罐餾出的EG，進一步以鎂(Mg)原子相對於所產生的PET成為65ppm的量來添加含有乙酸鎂的EG溶液，以及以P原子相對於所產生的PET成為20ppm的量來添加含有四甲基鄰苯二甲酸(TMPA)的EG溶液，在常壓下，以平均滯留時間1.5小時在260℃下使其反應。接下來，將上述第2酯化反應罐內的反應生成物連續取出至系統外，供給至第3酯化反應罐，進一步以P原子相對於所產生的PET成為20ppm的量來添加含有TMPA的EG溶液，在常壓下以平均滯留時間0.5小時在260℃下使其反應。將上述第3酯化反應罐內產生的酯化反應生成物連續供給至三段式的連續聚縮合反應裝置，進行聚縮合，進一步以不銹鋼燒結體的濾材(公稱過濾精度5μm粒子90%截留)來過濾，而得到極限黏度0.580dl/g的聚對苯二甲酸乙二酯顆粒(a)。
(聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的製作) 將聚對苯二甲酸乙二酯的顆粒(a)供給至擠出機，在285℃下使其熔融。將該聚合物以不銹鋼燒結體的濾材(公稱過濾精度10μm粒子95%截留)過濾，由金屬嘴擠出成薄片狀之後，使用施加靜電的澆鑄法，使其接觸表面溫度30℃的澆鑄滾筒，冷卻固化，而製作出未延伸薄膜。使用加熱輥，將該未延伸薄膜均勻加熱至75℃，以非接觸加熱器加熱至100℃，進行1.5倍輥延伸(縱向延仲)。將所得到的單軸延伸薄膜導引至拉幅機，加熱至125℃，橫向延伸5.5倍，寬度固定，在190℃下實施熱處理5秒鐘，進一步在100℃下使其往寬度方向緩和4%，而得到膜厚為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜之基材薄膜2(表中表記為PET)。
＜披覆構件的製作＞ ＜披覆構件201的製作＞ 將實施例1所製作出的基材薄膜101、上述製作出的透明基材1及基材薄膜2透過下述黏著劑層貼合，製作出表2所示的披覆構件201。
＜黏著劑層的材料＞ (丙烯酸系聚合物的調製) 在具備攪拌翼、溫度計、氮氣導入管、冷凝管的四口燒瓶中裝入含有丙烯酸正丁酯100份、丙烯酸5份的單體混合物。此外，相對於前述單體混合物(固體成分)100份，將作為聚合起始劑的2,2'-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起裝入，徐緩攪拌，同時導入氮氣，在氮氣置換之後，將燒瓶內的液溫保持在55℃附近，進行聚合反應8小時，調製出重量平均分子量(Mw)160萬的丙烯酸系聚合物的溶液。
(黏著劑組成物溶液的調製) 相對於上述所得到的丙烯酸系聚合物的溶液的固體成分100份，摻混異氰酸酯系交聯劑(東曹公司製的Coronate L，三羥甲基丙烷甲伸苯基二異氰酸酯)0.45份，而調製出丙烯酸系黏著劑組成物的溶液。
(黏著劑層的形成及披覆構件的製作) 接下來，以電暈輸出強度2.0kW、線速度18m/分，對基材薄膜101的A面側實施電暈放電處理，將依照上述方法所調製出的黏著劑組成物溶液以棒式塗佈機以乾燥後的膜厚成為約3μm的方式塗佈於電暈放電處理面，然後依序在50℃、60℃、70℃乾燥各60秒，形成黏著劑層，接下來在貼合後，將基材薄膜101的支持體剝離，而得到披覆構件201(參考圖5B)。
＜披覆構件202～222的製作＞ 在披覆構件201的製作方法中，除了分別將基材薄膜1、透明基材及基材薄膜2的種類組合如表2所記載般變更之外，也同樣地實行，而製作出披覆構件202～222。
披覆構件214，是在披覆構件202的製作方法中，基材薄膜2也使用依照上述方法製作的基材薄膜102。此外，關於基材薄膜2的貼合，也是以基材薄膜102的A面側配置於玻璃基材側的方式來貼合。另外，披覆構件215，是在披覆構件202的製作方法中，在基材薄膜2側什麼都沒有貼合。
≪評估≫ ＜摺痕評估＞ 準備尺寸為TD方向20mm×MD方向110mm的披覆構件樣品。使用無負載U字伸縮試驗機(YUASA SYSTEM機器公司製，DLDMLH-FS)，將彎曲半徑設定為1mm，以1次/秒的速度使其彎曲100次。此時，將樣品MD側兩端部10mm的位置固定，彎曲的部位設定為20mm×90mm。彎曲處理結束後，將樣品的彎曲內側朝下，置於平面上，對於彎曲的部位以市售的霧度計來測定霧度，將進行評估之前的霧度值定為A，進行評估之後的霧度值定為B時，求得其值之差(B-A)，進行以下的分級。
◎：未達0.2 ○：0.2個以上未達0.5 △：0.5以上未達1.0 ×：1.1以上 希望為△以上。
將披覆構件的構成及上述評估結果揭示於下述表2。
由表1及表2的結果看來，使用了本發明之基材薄膜101～112的披覆構件201～217，與使用了比較例之基材薄膜113～116的披覆構件218～221及透明基材為厚膜的披覆構件222相比，在基材薄膜的壓痕強度與披覆構件摺痕的評估之中，任一者皆得到較優異的結果。 [產業上的可利用性]
本發明之披覆構件所具有的特徵為：提升了操作性，而且在重覆彎曲時該披覆構件所具備的基材薄膜不會產生摺痕，因此可製作成顯示器的折疊部分不會發生影像的混亂，視認性優異的附披覆構件的顯示裝置，適合利用於使用有機電致發光元件的折疊型顯示器。
1:基材薄膜1 2:基材薄膜2 3:透明基材 4:黏著劑層 5:支持體 10:披覆構件 21:載體基板 22:玻璃基材 23:接觸膜 24:電磁輻射 100:顯示裝置 101:有機EL層 102:偏光板 B110:支持體 B120:基材薄膜 B200:製造裝置 B201:輥體 B210:供給部 B220:塗佈部 B221:支撐輥 B222:塗佈噴頭 B223:減壓室 B230:乾燥部 B231:乾燥室 B232:乾燥用氣體導入口 B233:乾燥用氣體排出口 B240:冷卻部 B241:冷卻室 B242:冷卻風入口 B243:冷卻風出口 B250:捲繞部 B251:輥體 R:彎曲半徑 Ba,Bb,Bc,Bd:搬運輥 A面:與透明基材3的貼合面 B面:對該A面而言的背面
[圖1A]為基材薄膜與透明基材的層合體的剖面圖。
[圖1B]為基材薄膜與透明基材的其他態樣的層合體的剖面圖。
[圖1C]為將層合體折疊時的模式圖。
[圖1D]為將其他態樣的層合體折疊時的模式圖。
[圖2]為表示基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率的圖形。
[圖3]為表示本發明其中一個實施形態所關連的基材薄膜的製造方法之模式圖。
[圖4]為表示透明基材可適用的玻璃基材的製造方法的一例之模式圖。
[圖5A]為表示附支持體的基材薄膜與透明基材的貼合之模式圖。
[圖5B]為表示其他態樣的附支持體的基材薄膜與透明基材的貼合之模式圖。
[圖6]為披覆構件在本發明之顯示裝置的一例的有機EL顯示器上的適用例。
1:基材薄膜1
3:透明基材
4:黏著劑層
10:披覆構件

Claims (10)

  1. 一種披覆構件，其係具有1μm以上未達15μm之基材薄膜、5μm以上未達50μm的透明基材之披覆構件，其特徵為：前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下，前述應力-應變曲線係依據JIS K7127：1999測得，以縱軸為應力(MPa)、橫軸為拉伸破裂拉伸率(%)來表示，前述應力-應變曲線的測定是在23℃‧55%RH下，以拉伸速度50mm/分鐘的條件來進行。
  2. 如請求項1之披覆構件，其中將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)小於前述B面的薄膜密度(ρB)。
  3. 如請求項1或2之披覆構件，其中將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值係在0.80~0.95的範圍內。
  4. 如請求項1或2之披覆構件，其中前述基材薄膜在40~85質量%的範圍內含有橡膠粒子。
  5. 如請求項1或2之披覆構件，其中前述透明基材的彈性模數在55~80GPa的範圍內，且前述透明基 材的彈性模數與前述基材薄膜的彈性模數比(透明基材的彈性模數/基材薄膜的彈性模數)之值為30以上。
  6. 一種披覆構件用之基材薄膜，其中前述基材薄膜為1μm以上未達15μm，前述基材薄膜的應力-應變曲線中，連接原點與破裂點的直線的斜率為1.1以上25.0以下，前述應力-應變曲線係依據JIS K7127：1999測得，以縱軸為應力(MPa)、橫軸為拉伸破裂拉伸率(%)來表示，前述應力-應變曲線的測定是在23℃‧55%RH下，以拉伸速度50mm/分鐘的條件來進行。
  7. 如請求項6之披覆構件用之基材薄膜，其中前述基材薄膜貼合於透明基材，將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜之對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)小於前述B面的薄膜密度(ρB)。
  8. 如請求項6或7之披覆構件用之基材薄膜，其中前述基材薄膜貼合於透明基材，將前述基材薄膜之與前述透明基材的貼合面定為A面及將前述基材薄膜的對該A面而言的背面定為B面時，前述A面的薄膜密度(ρA)與前述B面的薄膜密度(ρB)的比率(ρA/ρB)之值係在0.80~0.95的範圍內。
  9. 如請求項6或7之披覆構件用之基材薄膜，其中前述基材薄膜在40~85質量%的範圍內含有橡膠粒子。
  10. 一種顯示裝置，其特徵為具備：如請求項1至5中任一項之披覆構件或如請求項6至9中任一項之披覆構件用之基材薄膜。
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