TWI811436B - 晶圓保護方法 - Google Patents
晶圓保護方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI811436B TWI811436B TW108130335A TW108130335A TWI811436B TW I811436 B TWI811436 B TW I811436B TW 108130335 A TW108130335 A TW 108130335A TW 108130335 A TW108130335 A TW 108130335A TW I811436 B TWI811436 B TW I811436B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sheet
- wafer
- protective member
- adhesive force
- adhesion
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 20
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 146
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 16
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 15
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 10
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
提供一種晶圓保護方法，用於防止晶圓的品質下降。
根據 本發明，提供一種晶圓保護方法，在晶圓10表面配設片狀保護構件22a並保護晶圓，該晶圓保護方法至少由以下步驟所構成：薄片準備步驟，準備作為保護構件22a之基材的聚烯烴類的薄片或聚酯類的薄片；黏著力生成步驟，加熱薄片20的表面並生成黏著力；薄片壓接步驟，將已生成黏著力的薄片20表面鋪設在要保護之晶圓10的表面(正面10a)，並賦予推壓力且將薄片20壓接至晶圓10之正面10a；及黏著力強化步驟，將壓接在晶圓10表面的薄片20進行加熱並強化其黏著力。
Description
本發明是關於一種晶圓保護方法，於晶圓正面配設片狀的保護構件並保護晶圓。
藉由分割預定線劃分而在正面形成IC、LSI等多個元件的晶圓，藉由研削裝置研削其背面且形成預定厚度後，藉由切割裝置分割成各個元件並利用於手機、個人電腦等的電子設備。
研削裝置至少由下述構件所構成，並可加工晶圓至期望厚度：卡盤台，具有保持晶圓的保持面；研削手段，具備可旋轉的研削輪，該研削輪用來研削被該卡盤台保持之晶圓的上表面；進給手段，研削進給研削磨石(例如，參照專利文獻1)。
此外，在晶圓的正面黏貼具有黏著膠的保護膠膜，以使形成於晶圓正面之多個元件不會因卡盤台的保持面與晶圓正面的接觸而受損傷。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻]日本特開2005-246491號公報
雖然黏貼在晶圓正面之作為保護構件的保護膠膜在實施研削加工後會從晶圓正面剝離，但若從晶圓剝離保護膠膜，則保護膠膜之黏著膠的一部分會繼續附著在晶圓的正面而殘留，會有元件品質下降的問題。
此外，在以雷射加工裝置或切割裝置等的加工裝置加工晶圓時，是在以下狀態將該晶圓保持在各加工裝置並實施加工：將晶圓容納在具有容納晶圓之開口的環狀框架上，且以黏著膠膜黏貼晶圓背面與該框架，並透過黏著膠膜以框架支撐晶圓的狀態。將透過此黏著膠膜而以框架支撐的晶圓分割成各
個元件晶片後，若從黏著膠膜上拾取元件晶片，則依然會在元件晶片的背面附著並殘留黏著膠膜之膠劑的一部分，會有元件晶片品質下降的問題。
本發明是鑑於上述問題而完成的發明，其主要的技術課題為提供一種晶圓保護方法，用於防止元件的品質下降。
為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供一種晶圓保護方法，用於配設片狀之保護構件並保護晶圓，該晶圓的保護方法至少由下述步驟所構成：薄片準備步驟，準備作為保護構件之基材的聚烯烴類薄片或聚酯類薄片；黏著力生成步驟，加熱該薄片的表面並生成黏著力；薄片壓接步驟，將已生成黏著力的薄片表面鋪設在要保護的晶圓表面，賦予推壓力並將薄片壓接在晶圓表面；及黏著力強化步驟，將壓接在該晶圓表面的薄片進行加熱並強化其黏著力。
該黏著力生成步驟中，較佳為噴射來自第一加熱手段的熱風且吹附至薄片的表面，並加熱至不使薄片自身熔融且能賦予黏著力的溫度而於該薄片上生成黏著力。此外，該黏著力強化步驟中，較佳為噴射來自第二加熱手段的熱風且吹附至薄片的表面，並加熱至不使薄片自身熔融且能賦予黏著力的溫度而強化該薄片的黏著力。再者，較佳為將該黏著力強化步驟中的加熱薄片時之薄片的目標溫度設定成與該黏著力生成步驟中的加熱薄片時之薄片的目標溫度相同或比其還高。
本發明之晶圓保護方法至少由以下步驟所構成：薄片準備步驟，準備作為保護構件之基材的聚烯烴類薄片或聚酯類薄片；黏著力生成步驟，加熱該薄片的表面並生成黏著力；薄片壓接步驟，將已生成黏著力的薄片表面鋪設在要保護的晶圓表面，賦予推壓力並將薄片壓接在晶圓表面；及黏著力強化步驟，將壓接在該晶圓表面的薄片進行加熱並強化其黏著力；因此，在能夠確實地將保護構件黏貼在晶圓的同時，即使從晶圓剝離保護構件也不會有黏著膠的一部分附著在晶圓表面的情形，解決了元件品質下降的問題。此外，該晶圓保護方法中，在將晶圓分割成各個元件晶片時，以該保護構件作為黏著膠膜而使用的情況下，將晶圓分割成各個元件晶片之後，從黏著膠膜上拾取元件晶片也不會有元件晶片的背面附著黏著膠之一部分的情形，解決了元件晶片品質下降的問題。
10:晶圓
12:元件
14:分割預定線
20:薄片
20A:薄片滾輪
22:保護構件區域
22a:保護構件
24:保護構件
30A:第一加熱手段
30B:第二加熱手段
32A:第一加熱器本體部
32B:第二加熱器本體部
34A:第一噴射部
34B:第二噴射部
40:保持台
52:滾輪切割器
60:研削裝置
62:卡盤台
70:研削手段
80:保持台
90:切割裝置
F:框架
圖1是作為保護構件之基材的薄片的全體立體圖。
圖2是表示對圖1所示之薄片實施黏著力生成步驟之態樣的立體圖。
圖3是表示準備應用保護構件之晶圓的步驟的立體圖。
圖4是表示要實施薄片壓接步驟之準備狀態的立體圖。
圖5是表示薄片壓接步驟之實施態樣的立體圖。
圖6是表示在圖5所示之薄片壓接步驟後實施之薄片切斷步驟的實施態樣的立體圖。
圖7是表示實施黏著力強化步驟之態樣的立體圖。
圖8是表示將黏貼有保護構件的晶圓載置在研削裝置之卡盤台的狀態的立體圖。
圖9是表示研削圖8所示之晶圓背面的背面研削步驟之實施態樣的立體圖。
圖10是表示本發明其他實施方式的圖，圖10(a)是表示薄片壓接步驟之其他實施態樣的立體圖，圖10(b)是表示薄片切斷步驟之其他實施態樣的立體圖。
圖11(a)是表示根據圖10所示之其他實施方式，而對已實施薄片壓接步驟之薄片實施黏著力強化步驟的其他實施態樣的立體圖，圖11(b)是表示已實施圖11(a)所示之黏著力強化步驟的晶圓透過黏著膠片而被框架所支撐的狀態的立體圖。
圖12是將透過黏著膠片而被框架所支撐的晶圓分割成各個元件晶片之實施切割加工的態樣的立體圖。
以下，參照隨附圖式詳細說明根據本發明而構成之晶圓保護方法之相關實施方式。
在實施本發明相關之晶圓保護方法時，首先，實施薄片準備步驟，準備使用於本實施方式之作為保護構件之基材的薄片。
圖1表示作為保護構件之基材的薄片20的立體圖。薄片20被設定成比作為保護對象之晶圓的直徑還大的寬度尺寸。薄片20可以選擇自聚烯烴
類的薄片或聚酯類的薄片，在本實施方式中，選擇自聚烯烴類中的聚乙烯薄片。圖1顯示在未生成黏著性的狀態下，將薄片20從捲繞在中心軸A1的薄片滾輪20A往以箭頭X表示的方向拉出其一部分，並使其起始端捲繞在中心軸A2的狀態。薄片滾輪20A的中心軸A1及中心軸A2共同被保護構件生成裝置(省略圖示)之未圖示的支撐構件旋轉自如地支撐，在捲繞側的中心軸A2上配設有未圖示的旋轉驅動手段，可以藉由作業者之未圖示的切換操作將薄片20捲繞。薄片20有正面20a及背面20b，相對於正面20a上有微小的凹凸，被賦予了所謂的咬花加工，背面20b側則是平坦面。
若如上述方式準備好作為保護構件之基材的薄片20，則實施黏著力生成步驟，於薄片20上生成黏著力並作為保護構件而發揮作用的狀態。以下參照圖2，同時更具體地說明黏著力生成步驟。
在實施黏著力生成步驟時，如圖2所示，在從薄片滾輪20A拉出預定長度之薄片20的背面20b下方定位第一加熱手段30A。第一加熱手段30A具備第一加熱器本體部32A及第一噴射部34A。在第一加熱器本體部32A內部裝有未圖示的加熱體、溫度感應器、送風機構等。第一噴射部34A形成為用來噴射從第一加熱器本體部32A送出的熱風之圓筒形狀，以第一加熱器本體部32A生成的熱風W1從第一噴射部34A的噴射口34a朝向上方噴射。此第一加熱手段30A連接有未圖示的電源及控制裝置，並具備該溫度感應器，藉此能調整從噴射口34a噴射的熱風W1至期望溫度(本實施方式中為300℃)。
若運作第一加熱手段30A並將熱風W1朝向薄片20之背面20b噴射，則熱風W在從噴射口34a到薄片20間的距離間被冷卻，而將薄片20之預定的保護構件區域22加熱至90~110℃。此90~110℃的溫度還不到作為薄片20所選擇的聚乙烯薄片的熔融溫度(120~140℃)，是不會熔解(流動化)的溫度，而且是薄片20會生成黏著力的溫度(黏著力生成溫度)。再者，也可以根據實施黏著力生成步驟之作業現場的氣溫或從噴射口34a到薄片20之背面20b的距離等，適當調整從第一加熱手段30A噴射之熱風W1的溫度，以將薄片20的溫度變成上述黏著力生成溫度。
雖然在薄片20中之加熱至黏著力生成溫度的保護構件區域22是至少以成為比要保護的晶圓還大之區域的方式而設定，但也可以將從薄片滾輪20A拉出且露出的薄片20全體作為保護構件區域22而加熱。能夠從第一噴射部
34A噴出熱風W1的面積是狹小的之情況下，可以使薄片20、第一加熱手段30A的任一者在水平方向上適當移動，藉此能加熱期望之保護構件區域22的全體。再者，圖2及圖4至圖6中，在說明方便上，雖然以能區別已生成黏著力之保護構件區域22與未生成黏著力之區域的方式強調並表示，但實際上生成有黏著力的保護構件區域22與未生成黏著力的其他區域沒有能明確可視的不同。藉由以上方式結束黏著力生成步驟，成為在薄片20上賦予黏著力且將保護構件區域22作為保護構件而發揮作用的狀態。
如上述方式，若已加熱薄片20的表面且已在薄片20生成黏著力，則實施薄片壓接步驟，將已生成黏著力之薄片20的表面(保護構件區域22)鋪設在要保護的晶圓正面，賦予推壓力並將薄片壓接至晶圓正面。以下參照圖3至圖5，同時更具體地說明薄片壓接步驟。
在實施薄片壓接步驟時，如圖3所示，準備需要預備研削加工而黏貼保護構件的晶圓10。晶圓10是由半導體基板所構成，其正面10a形成有藉由分割預定線14而劃分的多個元件12。本實施方式中，因為此晶圓10的正面10a是要保護的面，所以將背面10b側朝向下方，並將晶圓10載置在具有通氣性的吸附卡盤42上，該吸附卡盤42是形成於用以實施薄片壓接步驟之保持台40上。保持台40連接有未圖示的吸引手段，藉由使該吸引手段運作而在保持台40上吸引保持晶圓10(晶圓準備步驟)。再者，此晶圓準備步驟可以在薄片壓接步驟之前完成，也可以在黏著力形成步驟實施前或實施後的任一時間點完成。
若已將晶圓10保持在保持台40上，則如圖4所示，替換已定位在保護構件區域22下方的第一加熱手段30A，並將藉由晶圓準備步驟所準備之保持台40定位在保護構件區域22的下方。若已將保持台40定位在保護構件區域22下方，則調整薄片20或保持台40的高度，以使被保持台40保持的晶圓10與保護構件區域22之下表面接觸。
若已將晶圓10定位在保護構件區域22的下表面，則將如圖5所示的推壓滾輪50定位在保護構件區域22的上方。推壓滾輪50是由具有彈性的硬質聚氨酯橡膠等所構成。若已將推壓滾輪50定位在保護構件區域22的上方，則使其往以箭頭Z所表示的方向下降並推抵至保護構件區域22，使推壓滾輪50往以箭頭R1所表示的方向旋轉，同時使其從前側端部往以箭頭D所表示的方向移動，將保護構件區域22按壓並壓接在晶圓10正面10a之全體，而後結束薄片
壓接步驟。再者，如上述方式，雖然薄片20之保護構件區域22被預先加熱並生成有黏著力，但即使溫度下降也能維持黏著力，所以保護構件區域22能持續黏貼在晶圓10的正面10a。此外，因為薄片20的正面20a側上形成有微小的凹凸，所以即使是實施黏著力生成步驟之保護構件區域22上賦予有黏著力的情形，也能防止推壓滾輪50不小心黏貼在薄片20上。
若已完成上述薄片壓接步驟，則考慮到後述的研削加工而實施依照晶圓10的形狀切斷薄片20的薄片切斷步驟。以下參照圖6同時說明薄片切斷步驟。
實施薄片切斷步驟時，如圖6所示，替換在薄片壓接步驟所使用的推壓滾輪50並將保護構件區域22上方的圓盤狀滾輪切割器52定位至晶圓10之外周緣的上方。若已將滾輪切割器52定位至晶圓10之外周緣上，則接著將滾輪切割器52往箭頭R2的方向旋轉，同時使其沿著晶圓10的外緣移動而將薄片20切割成圓形狀。根據以上方式完成薄片切斷步驟。
若已完成上述薄片切斷步驟，使保持台40下降或使薄片20全體上升，使薄片20與晶圓10互相遠離。藉此，保護構件區域22中，沿著晶圓10之外周圍而切割完的保護構件22a成為黏貼在晶圓10上的狀態。再者，在從薄片20切割並切開保護構件22a後，藉由使捲繞側的中心軸A2旋轉並捲繞已切出之保護構件22a的區域，而能夠從薄片滾輪20A拉出尚未實施黏著力生成步驟的區域，成為可以再次實施黏著力生成步驟的狀態。然後，藉由適當地重複上述的黏著力生成步驟、薄片壓接步驟及薄片切斷步驟，能夠對多個晶圓10配設保護構件22a。
上述的實施方式中，藉由適當地重複黏著力生成步驟、薄片壓接步驟及薄片切斷步驟，說明了對多個晶圓10配設保護構件22a的主旨。但是，本發明並不限定於此，例如也可以先將捲繞在薄片滾輪20A之薄片20捲繞至拉出的中心軸A2，且同時從薄片20的起始端到末端連續實施根據圖2所說明之黏著力生成步驟。雖然藉由加熱薄片20所賦予的黏著力在溫度下降後也能維持，但因為在薄片20的上表面20a上實施了凹凸加工(咬花加工)，所以捲繞被賦予黏著力後的薄片20也不會有薄片20之重疊部分彼此黏住的情形。以此方式預先對薄片20全體賦予黏著力，藉此能夠連續實施對晶圓10壓接保護構件22a的薄片壓接步驟及薄片切斷步驟，而沒有中間卡著黏著力生成步驟的情形。
如上述，藉由黏著力生成步驟生成黏著力時的溫度被設定成相對熔融溫度為較低的值，所以能在薄片20不會融熔且不會過軟的狀態下生成黏著力並壓接。因此，在薄片壓接步驟中，將薄片20壓接在晶圓10時的操作性優異且作業性良好，此外，即使假設在薄片壓接步驟時，在薄片20上發生皺褶等情形，也能容易地實行剝離並重新操作的作業。另一方面，若以對晶圓10確實地黏貼從薄片20切出的保護構件22a且成為一體的觀點來看，即使經過上述黏著力生成步驟及薄片壓接步驟，也還有加強一體化的餘地。因此，本實施方式中還實施了黏著力強化步驟。以下參照圖7，同時具體地說明黏著力強化步驟。
在實施黏著力強化步驟時，首先，如圖7所示，在被保持台保持之晶圓10的上方定位第二加熱手段30B。第二加熱手段30B具備第二加熱器本體部32B及第二噴射部34B。在第二加熱器本體部32B內部裝有未圖示的加熱體、溫度感應器、送風機構等。第二噴射部34B形成為用來噴射從第二加熱器本體部32B送出的熱風之圓筒形狀，以第二加熱器本體部32B生成的熱風W2從第二噴射部34B朝向下方噴射。此第二加熱手段30B連接有未圖示的電源及控制裝置，使用該溫度感應器並調整從第二噴射部34B噴射的熱風W2至期望溫度(例如300℃)。
若運作第二加熱手段30B並將熱風W2朝向由薄片20所形成的保護構件22a噴射，則熱風W2在從第二噴射口34B到保護構件22a間的距離間被冷卻而將保護構件22a加熱至100~120℃。此100~120℃的溫度還不到作為薄片20所選擇的聚乙烯薄片的熔融溫度(120~140℃)，是不會熔解(流動化)的溫度，而且是生成保護構件22a之黏著力的溫度，亦是強化黏著力的溫度(黏著力強化溫度)。再者，根據實施黏著力強化步驟之作業現場的氣溫或從第二噴射部34B的噴射口到保護構件22a的距離等因素，以保護構件22a的溫度能達到上述黏著力強化溫度的方式，適當調整從第二加熱手段30B噴射出之熱風W2的溫度，較佳為加熱保護構件22a時的目標溫度與在黏著力生成步驟中之加熱薄片20時的溫度相同，或是設定成比其更高的溫度為較佳。以此方式實施黏著力強化步驟，藉此軟化保護構件22a並提高保護構件22a於晶圓10的正面10a之凹凸的服貼一體化度，在實施後述的背面研削加工時，能防止不想要的剝離等情況發生。實施以上操作，完成黏著力強化步驟。
藉由實施黏著力強化步驟，能讓保護構件22a確實地黏貼在晶圓10之正面10a，並能實施研削晶圓10之背面10b的背面研削加工。以下參照圖8、圖9，同時說明背面研削加工。
對晶圓10實施背面研削步驟時，如圖8所示，將壓接完強化黏著力的保護構件22a之晶圓10的保護構件22a側朝向下方，以背面10b露出於上方的狀態載置晶圓10在研削裝置60(只表示局部)的卡盤台62上。卡盤台62的上表面形成有具有通氣性的吸附卡盤62a，該吸附卡盤62a連接有未圖示的吸引手段。藉由使該吸引手段運作，吸引保持透過保護構件22a而載置在卡盤台62上的晶圓10。
如圖9所示，研削裝置60具備研削手段70，該研削手段70是用於將吸引保持於卡盤台62上之晶圓10的背面10b進行研削並薄化。研削手段70具備：旋轉主軸72，藉由未圖示的旋轉驅動機構而旋轉；底座74，裝設在旋轉主軸72的下端；及研削輪76，安裝在底座74的下表面，研削輪76的下表面環狀地配設有多個研削磨石78。
若已將晶圓10吸引保持在卡盤台62上，則使研削手段70的旋轉主軸72往圖9中箭頭R3所示的方向以例如300rpm的轉速旋轉，同時使卡盤台62往箭頭R4所示的方向以例如300rpm的轉速旋轉。然後，藉由未圖示的研削水供給手段，一邊供給研削水至晶圓10的背面10b上，一邊使研削磨石78接觸晶圓10的背面10b，將研削輪76以例如1μm/秒的研削進給速度朝向下方進行研削進給。此時，可以一邊藉由未圖示之接觸式測量規來量測晶圓10的厚度一邊進行研削，若將晶圓10的背面10b進行預定程度研削並已讓晶圓10達到預定厚度，則停止研削手段70，經過清洗、乾燥步驟後，結束研削晶圓10之背面10b的背面研削加工。
若已結束上述背面研削加工，則從晶圓10的正面10a剝離保護構件22a(保護構件剝離步驟)。若已結束該保護構件剝離步驟，則適當搬送晶圓10至適當之下個步驟。本實施方式中，如上述方式，藉由加熱從聚烯烴類薄片或聚酯類薄片中所選擇的聚乙烯薄片而生成附有黏著力的保護構件22a，且保護構件22a與晶圓10之正面10a不須透過黏著膠等而能黏貼在一起。藉此，即使從晶圓10的正面10a剝離保護構件22a，也不會有在晶圓上附著且殘存一部分黏著膠等的情形，解決了元件品質下降的問題。
本發明並不限定上述的實施方式，以下提供各種變化例。上述的實施方式中，雖然說明了將加熱聚乙烯表面而生成黏著力的保護構件22a當作保護實施背面研削加工之晶圓10正面10a的保護構件22a而黏貼的例子，但本發明不限定於此。作為其他的實施方式，根據本發明提供的保護構件可以適合用於當作以下情況的黏著膠膜：將晶圓容納在具有容納晶圓之開口的環狀框架上，並以黏著膠膜黏貼晶圓背面及該框架，讓晶圓透過黏著膠膜成為以框架支撐的狀態。以下參照圖10及圖11，同時說明其他的實施方式。
圖10(a)表示薄片壓接步驟之實施態樣的立體圖，該薄片壓接步驟是對作為晶圓10之背面10b上的黏著膠膜而發揮作用的保護構件進行壓接。如圖10(a)所示的薄片20’是聚乙烯薄片，預先被實施上述的黏著力生成步驟而使全體被賦予黏著力，並將其切割成能覆蓋實施薄片壓接步驟之保持台80全體的大小而形成保護構件24。保持台80的上表面82形成為平坦面，並以能夠載置具有可容納晶圓10之開口的環狀框架F全體的尺寸而設定。
實施薄片壓接步驟時，如圖10(a)所示的方式，在保持台80的上表面82上載置具有開口Fa的環狀框架F及容納於該開口Fa且其背面10b朝向上方的晶圓10。接著在保持台80上以覆蓋晶圓10及框架F的方式鋪設上述保護構件24，並與根據圖5所說明的薄片壓接步驟相同地，藉由使推壓滾輪50’旋轉且使其往箭頭D所表示的方向移動，夾住保護構件24並對晶圓10及框架F全體賦予推壓力，而壓接保護構件24於框架F及晶圓10上。藉由以上方式完成薄片壓接步驟。
若完成了薄片壓接步驟，則以如圖10(b)所示的方式使用滾輪切割器52，沿著框架F上將保護構件24切割成圓形(以線條L表示)，留下修整成圓形的保護構件24a並除去殘留的外周部(薄片切斷步驟)。
如上述，若已實施薄片切斷步驟，則實施黏著力強化步驟。以下參照圖11，同時說明黏著力生成步驟。
實施黏著力強化步驟時，首先，如圖11(a)所示，將第三加熱手段30C定位在載置在保持台80之晶圓10及框架F的上方。第三加熱手段30C是具有根據圖7說明的與第二加熱手段30B相同功能的加熱手段，具備第三加熱器本體部32C及第三噴射部34C。此第三加熱手段30C也連接有未圖示的電源及控制裝置，使用該溫度感應器，並調整從第三噴射部34C噴射的熱風W3
至期望溫度(本實施方式中為300℃)。再者，從第三噴射部34C噴射熱風W3時的噴射區域可以適當調整。
若運作第三加熱手段30C並將熱風W3朝向黏貼在晶圓10及框架F的保護構件24a噴射，則熱風W3在從第三噴射部34C到保護構件24a間的距離間被冷卻，而將保護構件24a加熱至100~120℃。此100~120℃的溫度還不到作為薄片20所選擇的聚乙烯薄片的熔融溫度(120~140℃)，是不會熔解(流動化)的溫度，而且是保護構件24a生成黏著力的溫度，結果也是強化黏著力的溫度(黏著力強化溫度)。再者，根據實施黏著力生成步驟之作業現場的氣溫或從第三噴射部34C的噴射口到保護構件24a的距離等因素，適當調整從第三加熱手段30C噴射之熱風W3的溫度，以便將保護構件24a的溫度變成上述黏著力強化溫度。加熱保護構件24a時的目標溫度是比熔融溫度還低的溫度，較佳為與黏著力生成步驟中之加熱薄片20時的溫度相同，或設定成比其還高的溫度。以此方式進行，實施黏著力強化步驟，藉此確實地黏貼保護構件24a於晶圓10及框架F上，在實施後述之分割加工時，能防止產生不想要之剝離等情形。實施以上操作，完成黏著力強化步驟。
圖11(b)表示結束薄片切斷步驟後，將框架F所支撐的晶圓10與框架F共同翻面並使晶圓10的正面10a露出於上方的狀態，從圖式可理解地，使用作為黏著膠膜而發揮作用的保護構件24a來黏貼晶圓10的背面10b及框架F，並透過保護構件24a讓晶圓10成為被框架F所保持的狀態。以此方式進行，若已透過保護構件24a讓晶圓10成為被框架F所保持的狀態，則能將其搬送至如圖12所示的切割裝置90並實施切割加工等步驟。以下參照圖12，同時說明切割加工。
如圖12所示，切割裝置90具備主軸單元91。主軸單元91具備刀片蓋94，該刀片蓋94是將固定在旋轉主軸92前端的切割刀片93進行保持。在刀片蓋94配設有鄰接在切割刀片93的切割水供給手段95，藉由切割水供給手段95向晶圓10的切割位置供給切割水。藉由切割刀片93實施切割前，使用未圖示的對準手段，進行切割刀片93與形成於晶圓10正面10a側的分割預定線14的對位(對準)。該對準手段至少具備未圖示的照明手段及攝像手段，構成為能夠拍攝、檢測正面10a的分割預定線14。
若藉由該對準手段實施了對準，則將高速旋轉的切割刀片93從保持在未圖示卡盤台的晶圓10的正面10a定位至分割預定線14，並使其下降且切入晶圓10的正面10a，並使晶圓10對切割刀片93以箭頭X所示的方向(加工進給方向)移動。藉此，形成切割並分割晶圓10的分割槽100。此分割槽100是完全分割晶圓10的槽。運作未圖示的移動手段，藉此使保持晶圓10的保持台40在X方向也在與箭頭X正交的Y方向及旋轉方向上適當移動，同時藉由上述切割刀片93實施切割加工，並沿著晶圓10之所有的分割預定線14形成分割槽100。藉由以上方式完成切割步驟。即使根據此種實施方式，也能夠不使用黏著膠等材料，藉由作為黏著膠膜而發揮作用的保護構件24a來保護晶圓10的背面10b，並良好地實施切割加工。接著將晶圓10藉由切割加工分割成各個元件晶片後，即使拾取一個個元件晶片也不會有一部分黏著膠等附著且殘存在元件晶片之背面的情形，解決了元件晶片品質下降的問題。
在上述的實施方式中，雖然選擇聚乙烯薄片作為保護構件之基材的薄片20、薄片20’，但並不限定於此，可以適當選擇自聚烯烴類的薄片或聚酯類的薄片。選擇自聚烯烴類的薄片之情況下，可以選擇上述聚乙烯薄片以外的其他種類，例如聚丙烯薄片或聚苯乙烯薄片。此外，選擇自聚酯類薄片的情況下，例如可以選擇自聚對苯二甲酸乙二酯薄片、聚萘二甲酸乙二醇酯薄片。
作為上述保護構件之基材的薄片，在選擇聚乙烯薄片以外之薄片的情況下，為了不要有使薄片自身熔融的情形，且根據薄片的材質會有賦予黏著力的黏著力生成溫度及黏著力強化溫度不相同的情形，所以要根據選擇之薄片的材質，調整在黏著力生成步驟及黏著力強化步驟中之加熱薄片時的目標溫度。例如，選擇熔融溫度在160~180℃的聚丙烯薄片的情況下，以將黏著力生成步驟中的目標溫度變成為130~150℃的程度，將黏著力強化步驟中的目標溫度變成為140~160℃的程度的方式加熱。此外，選擇熔融溫度在220~240℃的聚苯乙烯薄片的情況下，以將黏著力生成步驟中的目標溫度變成為190~210℃的程度，將黏著力強化步驟中的目標溫度變成為200~220℃的程度的方式加熱。同樣地，選擇熔融溫度在250~270℃的聚對苯二甲酸乙二酯薄片的情況下，可以將黏著力生成步驟中的目標溫度變成為220~240℃的程度，黏著力強化步驟中的目標溫度變成為230~250℃的程度的方式加熱薄片；選擇熔融溫度在160~180℃的聚萘二甲酸乙二醇酯薄片的情況下，可以將黏著力生成步驟中的目標
溫度變成為130~150℃的程度，黏著力強化步驟中的目標溫度變成為140~160℃的程度的方式加熱薄片。如上述方式，因為作為保護構件之基材的薄片根據各產品而有不同之生成適當黏著力的溫度，所以在黏著力生成步驟及黏著力強化步驟中，加熱薄片時的目標溫度較佳為考慮實際選擇之薄片的熔融溫度，同時藉由實驗而決定適當地生成黏著力之溫度。
上述的實施方式中，雖然藉由未圖示的加熱器、溫度感應器、送風機構等構成第一加熱手段30A、第二加熱手段30B、第三加熱手段30C，並藉由噴射熱風且加熱薄片(保護構件)而構成，但本發明不限定噴射熱風的加熱手段，也可以是將形成平板狀的發熱板直接接觸薄片(保護構件)並加熱的方式而構成。
20:薄片
20A:薄片滾輪
20a:薄片正面
20b:薄片背面
22:保護構件區域
30A:第一加熱手段
32A:第一加熱器本體部
34A:第一噴射部
34a:噴射口
A1:中心軸
A2:中心軸
W1:熱風
Claims (3)
- 一種晶圓保護方法，其在晶圓表面配設片狀的保護構件並保護晶圓，該晶圓的保護方法至少由以下步驟所構成：薄片準備步驟，準備作為保護構件之基材的聚烯烴類的薄片或聚酯類的薄片；黏著力生成步驟，加熱該薄片的表面並生成黏著力；薄片壓接步驟，將已生成黏著力的薄片表面鋪設在要保護之晶圓表面，並賦予推壓力且將薄片壓接至晶圓表面；以及黏著力強化步驟，將壓接在該晶圓表面的薄片進行加熱並強化其黏著力；該黏著力生成步驟中，噴射來自第一加熱手段的熱風且吹附至薄片的表面，並加熱至不使薄片自身熔融且能賦予黏著力的溫度而於該薄片上生成黏著力。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓保護方法，其中，該黏著力強化步驟中，噴射來自第二加熱手段的熱風且吹附至薄片的表面，並加熱至不使薄片自身熔融且能賦予黏著力的溫度而強化黏著力。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之晶圓保護方法，其中，將該黏著力強化步驟中之加熱薄片時的薄片目標溫度設定成與該黏著力生成步驟中之加熱薄片時的薄片目標溫度相同或比其還高。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-158913 | 2018-08-28 | ||
| JP2018158913A JP7173792B2 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | ウエーハの保護方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202010009A TW202010009A (zh) | 2020-03-01 |
| TWI811436B true TWI811436B (zh) | 2023-08-11 |
Family
ID=69652153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108130335A TWI811436B (zh) | 2018-08-28 | 2019-08-23 | 晶圓保護方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7173792B2 (zh) |
| KR (1) | KR20200024709A (zh) |
| CN (1) | CN110867396B (zh) |
| TW (1) | TWI811436B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2008166459A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tateyama Machine Kk | 保護テープ貼付方法と装置 |
| JP2015126183A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日東精機株式会社 | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 |
| TW201820437A (zh) * | 2016-11-02 | 2018-06-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 晶圓的加工方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191297A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 |
| JP2005246491A (ja) | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及びウェーハの研削方法 |
| JP5895676B2 (ja) | 2012-04-09 | 2016-03-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-08-28 JP JP2018158913A patent/JP7173792B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-22 KR KR1020190088278A patent/KR20200024709A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-08-02 CN CN201910710463.XA patent/CN110867396B/zh active Active
- 2019-08-23 TW TW108130335A patent/TWI811436B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2008166459A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tateyama Machine Kk | 保護テープ貼付方法と装置 |
| JP2015126183A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日東精機株式会社 | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 |
| TW201820437A (zh) * | 2016-11-02 | 2018-06-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 晶圓的加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200024709A (ko) | 2020-03-09 |
| TW202010009A (zh) | 2020-03-01 |
| JP7173792B2 (ja) | 2022-11-16 |
| CN110867396A (zh) | 2020-03-06 |
| JP2020035803A (ja) | 2020-03-05 |
| CN110867396B (zh) | 2024-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10262899B2 (en) | Method of processing wafer | |
| US10916466B2 (en) | Wafer uniting method | |
| TWI811436B (zh) | 晶圓保護方法 | |
| JP2019186488A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| TWI813674B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| TW202010008A (zh) | 晶圓保護方法、保護構件以及保護構件生成方法 | |
| JP2019186489A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| KR20180028932A (ko) | 칩 간격 유지 방법 | |
| JP7374657B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP7317483B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2020077812A (ja) | 板状物加工方法 | |
| JP7461118B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2020064921A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2022027441A (ja) | ウエーハの加工方法、保護シート、及び保護シート敷設方法 | |
| JP2023080511A (ja) | ウエーハの処理方法 | |
| KR20220014812A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법, 보호 시트, 및 보호 시트 부설 방법 | |
| TW202410229A (zh) | 保護構件的設置方法 | |
| JP2021185591A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2022141003A (ja) | 板状物の処理方法 | |
| JP2021068742A (ja) | リングフレーム | |
| KR20220118311A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP2024014233A (ja) | 保護シート配設方法、及び保護シート配設装置 | |
| JP2022084207A (ja) | テープ剥離装置 |