TWI810320B - 基板支架以及電鍍裝置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 374
- 238000007747 plating Methods 0.000 title abstract description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 134
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 26
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 6
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
- C25D17/08—Supporting racks, i.e. not for suspending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/005—Contacting devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
Abstract
本發明為了減少附著於基板支架的電鍍液的量,提供一種構成為保持
基板的基板支架。該基板支架具有:一第一保持部件;一第二保持部件,構成為與該第一保持部件一起夾住該基板;一密封部件,構成為在該基板支架的內部形成被密封的空間;一銷,固定於該第一保持部件和該第二保持部件中的一方;一環,設置於該第一保持部件和該第二保持部件中的另一方,與該銷卡合;以及一移動機構,構成為使該環沿周向移動。通過將該銷和該環相互卡合該第一保持部件與該第二保持部件被相互固定。該銷以及該環設置於該被密封的空間的內部。
Description
本發明涉及基板支架以及電鍍裝置。
以往,進行在設置於如半導體晶片等的表面的微小的佈線用槽、孔、或者抗蝕劑開口部形成佈線,或在如半導體晶片等的表面形成與封裝相似的組成或電極等電連接的凸塊(突起狀電極)。作為形成該佈線以及凸塊的方法,例如,已知有電解電鍍法、蒸鍍法、印刷法、球形凸塊法等,但隨著半導體晶片的I/O數量的增加、窄間距化,多數使用能夠微細化且性能相對穩定的電解電鍍法。
為了利用電解電鍍法對基板進行電鍍,進行將保持有如半導體晶片等基板的基板支架浸泡於電鍍液,並對陽極和基板施加電壓的處理。若針對基板的電鍍結束,則將基板支架從電鍍液中取出,並對基板以及基板支架進行清洗。已知一種基板支架,其中基板被夾在第一保持部件和第二保持部件之間以被保持的傳統基板支架(參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2013-155405號公報
在專利文獻1中,公開了如下裝置:其所公開的基板支架為了將第二保持部件固定於第一保持部件,採用在基板支架的外部露出的夾緊機構。
具體而言,在該基板支架中,通過使設置於第二保持部件的按壓環的突起部卡合於設置在第一保持部件的外表面的夾具,來將第二保持部件固定於第一保持部件。
專利文獻1所公開的基板支架在外部具有夾緊機構。因此,在電鍍結束後將基板支架從電鍍液取出時,存在電鍍液容易附著於夾緊機構的問題。其結果,在將基板支架從電鍍液取出時從電鍍槽帶出的電鍍液的量變多,並且電鍍液的損失較大。另外,在大量的電鍍液附著於基板支架的狀態下進行清洗的情況下,清洗的效率也不佳。
本發明是鑒於上述問題而完成的。其目的之一在於能夠減少附著於基板支架的電鍍液的量。
根據本發明的一個方式,提供一種構成為保持一基板的基板支架。該基板支架具有:一第一保持部件;一第二保持部件,構成為與該第一保持部件一起夾住該基板;一密封部件,構成為在該基板支架的內部形成一被密封的空間;一銷,固定於該第一保持部件和該第二保持部件中的一方;一環,設置於該第一保持部件和該第二保持部件中的另一方,與該銷卡合;以及一移動機構,構成為使該環沿周向移動。通過將該銷和該環相互卡合,該第一保持部件與該第二保持部件被相互固定。該銷以及該環設置於該被密封的空間的內部。
根據本發明,提供一種電鍍裝置。該電鍍裝置具有:該基板支架;以及一電鍍槽,構成為收容陽極和被保持於該基板支架的基板。
10:基板支架
11:第一保持部件
12:第二保持部件
12a:開口
15:手部
16:開口
18:外部接點部
20:密封圈支架
20a:凹部
21:基板側密封部件
22:支架側密封部件
23:內環
24:觸頭
26:卡銷
26a:鎖定用大徑部
26b:小徑部
26c:半鎖定用大徑部
40:主體
40a:凹部
41:匯流條
42:底座
42a:凹部
42b:開口部
43:基板載置台
43a:凹部
43b:孔
44:吸盤
44a:上側固定板
44b:下側固定板
44c:螺釘
45:卡環
45a:貫通孔
45b:貫通孔
45c:貫通孔
46:匯流條用內部通路
47:洩漏監視用內部通路
48:夾具用內部通路
49:桿用內部通路
50:洩漏檢查用管路
51:基板吸附用真空管路
52:引導軸
53:止動件
53a:凸緣部
54:貫通孔
55:貫通孔
56:彈簧
57:槽
60:桿部件
61:中間部件
62:止動銷
63:狹縫
64:夾具
64a:齒
65:齒
66:真空孔
67:洩漏檢查孔
68:真空管路
69:密封件
69a:蛇腹部
69b:第一固定部
69c:第二固定部
69d:孔
69e:孔
70:洩漏監視用佈線
71:洩漏監視用電極
72a:固定部件
72b:固定部件
73:表面保護層
74a:絕緣材
74b:絕緣材
75:螺栓
76:固定螺釘
102:晶圓運輸盒
120:旋轉沖洗乾燥器
121:對準器
122:基板搬運裝置
124:儲料器
126:預濕槽
128:預浸槽
130a:第一清洗槽
130b:第二清洗槽
130a:第一清洗槽
132:鼓風槽
134:電鍍單元
135:固定單元
140:基板支架搬運裝置
142:第一輸送器
144:第二輸送器
150:電鍍槽
170A:裝載/卸載部
170B:處理部
Wf:基板
圖1是是使用本實施方式的基板支架的電鍍裝置的整體配置圖。
圖2是基板支架的立體圖。
圖3是基板支架的背面側立體圖。
圖4是基板支架的部分剖面立體圖。
圖5 A是基板支架的放大部分側剖視圖。
圖5 B是基板支架的放大部分側剖視圖。
圖5 C是基板支架的放大部分側剖視圖。
圖6A是表示卡環未卡合於卡銷的狀態的卡環的位置的俯視圖。
圖6B是表示卡環卡合於卡銷的狀態的卡環的位置的俯視圖。
圖7是表示使卡環移動的齒輪機構的立體圖。
圖8是基板支架的手部之一的放大立體圖。
圖9是基板支架的剖面立體圖。
圖10A是將密封件安裝於基板支架的狀態的剖視圖。
圖10B是密封件的立體圖。
圖11A是基板支架的主體的俯視圖。
圖11B是包含基板支架的洩漏檢查用電極的剖視圖。
圖12是底座的徑向外側附近的放大剖視圖。
圖13是其它實施方式的第二保持部件的側剖視圖。
圖14是另一實施方式的第二保持部件的側剖視圖。
圖15是其它實施方式的卡環以及卡銷的立體圖。
圖16A是其它實施方式的基板支架的正面立體圖。
圖16B是其它實施方式的基板支架的背面立體圖。
以下,參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下說明的附圖中,對相同的或者相當的構成要素,標注相同的附圖標記並省略重複的說明。圖1是使用本實施方式的基板支架的電鍍裝置的整體配置圖。如圖1所示,該電鍍裝置大致分為將基板裝載至基板支架10或者從基板支架10卸載基板的裝載/卸載部170A,以及對基板進行處理的處理部170B。
在裝載/卸載部170A,設置3台晶圓運輸盒(Front-Opening Unified Pod:FOUP)102、對準器121、以及旋轉沖洗乾燥器120。晶圓運輸盒102按多個階段收納如半導體晶片等多個基板。對準器121使如基板的定向平面(Orientation flat)、凹口等的位置對準規定的方向。旋轉沖洗乾燥器120使電鍍處理後的基板高速旋轉對其進行乾燥。在旋轉沖洗乾燥器120的附近,設置有安裝基板支架10並將基板附接到基板支架10或從基板支架10移除基板的固定單元135。在這些單元102、121、120、135的中央配置有基板搬運裝置122,該基板搬運裝置122由在這些單元間搬運基板的搬運用機器人構成。
固定單元135構成為能夠安裝2個基板支架10。在固定單元135中,在將基板通過一個基板支架10與基板搬運裝置122之間之後,將基板通過另一個基板支架10與基板搬運裝置122之間。
電鍍裝置的處理部170B具有儲料器124、預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a、鼓風槽132、第二清洗槽130b以及電鍍槽150。在儲料
器124中,進行基板支架10的保管以及臨時載置。在預濕槽126中,基板被浸泡於純水中。在預浸槽128中,透過蝕刻除去處於形成於基板的表面上的諸如種子層等導電層的表面的氧化膜。在第一清洗槽130a中,利用清洗液(純水等)對預浸泡後的基板連同基板支架10一起進行清洗。在鼓風槽132中,清洗後從基板進行脫液。在第二清洗槽130b中,利用清洗液對電鍍後的基板連同基板支架10一起進行清洗。儲料器124、預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a、鼓風槽132、第二清洗槽130b、以及電鍍槽150按照該順序依次配置。
電鍍槽150例如包含多個電鍍單元134,該多個電鍍單元134具備溢流槽。各電鍍單元134以朝向鉛垂方向收納保持有基板的基板支架10,並使基板浸泡於電鍍液中。通過在電鍍單元134中對基板和陽極之間施加電壓,在基板表面進行如鍍銅等電鍍。
電鍍裝置具有基板支架搬運裝置140,該基板支架搬運裝置140分別位於這些裝置的側方,在這些裝置之間連同基板一起搬運基板支架10,例如採用線性電機方式。該基板支架搬運裝置140包含第一輸送器142和第二輸送器144。第一輸送器142構成為在固定單元135、儲料器124、預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a、以及鼓風槽132之間搬運基板。第二輸送器144構成為在第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、鼓風槽132、以及電鍍槽150之間搬運基板。具體而言,第一輸送器142以及第二輸送器144在所保持的基板的面內側向朝向鉛垂方向的狀態下,搬運基板支架10。換言之,第一輸送器142以及第二輸送器144以使保持有基板的基板支架10朝向鉛垂方向的狀態對其進行搬運。
在其它實施方式中,電鍍裝置也可以僅具備第一輸送器142以及第二輸送器144的任意一方,任意的輸送器在固定單元135、儲料器124、預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、鼓風槽132、以及電鍍槽150之間搬運基板。
接下來,對圖1所示的基板支架10進行詳細說明。圖2是基板支架10的立體圖。如圖2所示,基板支架10包含平板狀的第一保持部件11,以及構成為與該第一保持部件11一起夾住基板的第二保持部件12。第一保持部件11包含由例如聚四氟乙烯(PTFE)構成的主體40。主體40起到構成第一保持部件11的外表面的殼體的作用。在基板支架10的第一保持部件11的大致中央部載置基板Wf。
在基板支架10的第一保持部件11的端部連結有一對手部15,該一對手部15成為將基板支架10懸掛於如電鍍槽150等時的支承部。在圖1所示的儲料器124內,通過將手部15掛在儲料器124的周壁的上表面,基板支架10被垂直地懸掛支承。另外,第一保持部件11具有一對開口16,該一對開口16用於在基板支架搬運裝置140搬運基板支架10時進行把持。
另外,在手部15之一,設置有與未圖示的外部電源電連接的外部接點部18。該外部接點部18與後述的底座42以及卡環45(參照圖3)電連接。外部接點部18在基板支架10懸掛支承於電鍍槽時,與設置於電鍍槽150側的供電端子接觸。此外,在圖2中,示有後述的夾具64以及桿部件60的一部分。
圖3是基板支架10的背面側立體圖。在圖3中,透過傳動方式示出第一保持部件11的主體40。如圖3所示,第一保持部件11具有匯流條41、底座42(相當於固定板的一個例子)、基板載置台43、吸盤44、以及卡環45。
匯流條41構成為將外部接點部18與底座42電連接。匯流條41配置於形成於第一保持部件11的匯流條用內部通路46。匯流條41與劃分匯流條用內部通路46的壁面之間通過未圖示的密封圈密封。由此,能夠封閉匯流條用內部通路46,防止液體侵入基板支架10的內部空間,並且確保基板支架10的內部空間的氣密性。
底座42是由諸如SUS等導電體構成的圓板。底座42沿著周向具有多個大致扇形的開口,並在其中央部與匯流條41電連接。底座42構成為使從匯流條41供給的電流以放射狀朝向底座42的外周流動,並供給至卡環45。基板載置台43構成為能夠相對於主體40以及底座42移動,如後所述,通過彈簧56(相當於厚度吸收機構的一個例子)使基板載置台43從底座42朝向第二保持部件12施力。
吸盤44設置於基板載置台43的表面上,以構成為吸附配置於基板載置台43的基板Wf的背面。卡環45設置於主體40與底座42之間,如後所述,構成為通過卡銷26卡合來將第二保持部件12固定於第一保持部件11。另外,卡環45由諸如SUS等導電體形成,並構成為使從底座42供給的電流流入卡銷26。儘管圖示的吸盤44為大致圓形的吸盤形狀,但並不限於此,吸盤44也可以具有沿周向延伸的大致圓環狀。
第一保持部件11在其內部還包含洩漏監視用內部通路47、夾具用內部通路48、桿用內部通路49、洩漏檢查用管路50以及基板吸附用真空管路
51。在洩漏監視用內部通路47,配置與後述的洩漏監視用電極71電連接的洩漏監視用佈線70。在夾具用內部通路48,根據需要配置後述的夾具64。洩漏檢查用管路50是經由後述的洩漏檢查孔67(參照圖8),將基板支架10的內部空間與基板支架10的外部連通的通路。基板吸附用真空管路51是經由後述的真空孔66(參照圖8),將吸盤44與外部連通的通路。此外,在本說明書中,所謂基板支架10的內部空間是指,由第二保持部件12的後述的基板側密封部件21以及支架側密封部件22(參照圖4)形成的基板支架10的內部封閉的空間。
圖4是基板支架10的部分剖面立體圖。在圖示的例子中,省略了基板Wf。如圖4所示,第二保持部件12具有密封圈支架20、基板側密封部件21(相當於密封部件的一個例子)、支架側密封部件22(相當於密封部件的一個例子)、內環23以及觸頭24。密封圈支架20是大致板狀的環。密封圈支架20是在將第二保持部件12安裝於第一保持部件11時露出的部件,並且從耐電鍍液的觀點考慮,例如由聚醚醚酮(PEEK)形成。
內環23是通過未圖示的固定部件安裝於第二保持部件12的密封圈支架20的環狀的部件。在內環23的徑向內側面,通過螺釘25固定多個觸頭24。內環23為了與觸頭24通電,由諸如SUS等導電體形成。多個觸頭24構成為在將第二保持部件12安裝於第一保持部件11時,沿著基板Wf的周邊部與基板Wf接觸。
基板側密封部件21構成為在將第二保持部件12安裝於第一保持部件11時,沿著基板Wf的周邊部與基板Wf接觸。支架側密封部件22構成為在將第二保持部件12安裝於第一保持部件11時與第一保持部件11的主體40接觸。基板側密封部件21和支架側密封部件22一起形成為大致環狀,並通過利用密封
圈支架20和內環23夾在中間,以分別緊密地固定於密封圈支架20的內周側以及外周側。由此,通過基板側密封部件21以及支架側密封部件22分別與基板Wf以及主體40接觸,形成基板支架10的內部封閉的空間(內部空間)。
如圖示那樣,第一保持部件11包含引導軸52和止動件53。另外,基板載置台43具有供引導軸52通過的貫通孔54、以及供止動件53通過的貫通孔55。引導軸52和止動件53分別一端固定於底座42,並與基板Wf的法線方向大致平行地在貫通孔54以及貫通孔55內延伸。另外,止動件53在與固定於底座42的一端相反側的另一端具有凸緣部53a。基板載置台43通過後述的彈簧56被從主體40以及底座42朝向第二保持部件12施力。基板載置台43通過引導軸52,與基板Wf的法線方向大致平行地被引導。另外,當基板載置台43在被後述的彈簧56施力時,基板載置台43與止動件53的凸緣部53a接觸來限制移動。
第一保持部件11的主體40具有用於收納卡環45的環狀的槽57。卡環45構成為能夠沿著槽57沿卡環45的周向移動。
接下來,對將第二保持部件12固定於第一保持部件11的工序進行說明。圖5A至圖5C是基板支架10的放大部分側剖視圖。具體而言,圖5A是表示第一保持部件11與第二保持部件12未被相互固定的狀態的圖。圖5B是表示第一保持部件11與第二保持部件12被相互固定,並且基板側密封部件21以及支架側密封部件22分別與基板Wf以及主體40接觸的鎖定狀態的圖。圖5C是表示第一保持部件11與第二保持部件12被相互固定,且基板側密封部件21以及支架側密封部件22與第一保持部件11分離的半鎖定狀態的圖。
如圖5A所示,在基板載置台43與底座42之間設置彈簧56,該彈簧56構成為將基板載置台43朝向第二保持部件12施力。彈簧56的一端收納於形
成於底座42的凹部42a,彈簧56的另一端收納於在基板載置台43形成的凹部43a。如圖5A所示,在第二保持部件12與第一保持部件11分離時,通過彈簧56,基板載置台43被施力至距離底座42最遠離的位置。
第二保持部件12包含能夠與卡環45卡合的卡銷26。卡銷26為了使從卡環45供給的電流流入內環23,由諸如SUS等導電體形成。卡銷26的一端固定於內環23。另外,在卡銷26的另一端,形成鎖定用大徑部26a、小徑部26b以及半鎖定用大徑部26c。小徑部26b具有比鎖定用大徑部26a小的直徑。半鎖定用大徑部26c具有比小徑部26b大的直徑。在本實施方式中,鎖定用大徑部26a和半鎖定用大徑部26c具有幾乎相同的直徑。如圖示那樣,小徑部26b位於鎖定用大徑部26a與半鎖定用大徑部26c之間。另外,鎖定用大徑部26a相對於半鎖定用大徑部26c靠內環23側。
第一保持部件11的底座42具有卡銷26能夠通過的開口部42b。另外,主體40具有卡銷26的鎖定用大徑部26a、小徑部26b、半鎖定用大徑部26c能夠通過的凹部40a。如圖5A所示,卡環45具有卡銷26的鎖定用大徑部26a、小徑部26b、半鎖定用大徑部26c能夠通過的貫通孔45a(相當於第一部分的一個例子)。
在通過基板支架10保持基板Wf時,圖1所示的固定單元135將第二保持部件12按壓於第一保持部件11。此時,卡銷26的鎖定用大徑部26a、小徑部26b、半鎖定用大徑部26c通過開口部42b以及卡環45的貫通孔45a,並且位於主體40的凹部40a內。另外,如圖5B所示,基板側密封部件21被壓接於基板Wf的表面,支架側密封部件22被壓接於主體40。如圖5B所示,通過基板側密
封部件21被按壓於基板Wf的表面,基板載置台43的彈簧56收縮。由此,即使基板Wf的厚度變化時,基板側密封部件21也能夠適當地密封基板Wf表面。
如圖5B所示,卡環45具有卡銷26的鎖定用大徑部26a不能通過的貫通孔45b(相當於第二部分的一個例子)。如後述的圖6A和圖6B所示,貫通孔45a與貫通孔45b相互連通,並連續地形成。圖1所示的固定單元135以鎖定用大徑部26a通過卡環45的貫通孔45a的狀態,即將基板側密封部件21以及支架側密封部件22壓接於第一保持部件11的狀態,使卡環45沿周向移動。
由此,如圖5B所示,卡銷26的鎖定用大徑部26a卡合於卡環45的貫通孔45b,且鎖定用大徑部26a不會從卡環45的貫通孔45b脫離。這樣,基板支架10能夠將基板側密封部件21以及支架側密封部件22分別壓接於基板Wf以及主體40,來保持基板Wf。在本實施方式中,如圖5B所示,將基板側密封部件21與基板Wf接觸,並且支架側密封部件22與第一保持部件11接觸,以使第一保持部件11與第二保持部件12被相互固定的狀態稱為鎖定狀態。
對圖5B所示的鎖定狀態下的電流的路徑進行說明。電流從未圖示的電力源經由與外部接點部18連接的匯流條41(參照圖3),流入底座42。在圖5B所示的鎖定狀態下,由於卡環45與卡銷26接觸,所以電流通過底座42、卡環45、卡銷26、內環23流入與基板Wf接觸的觸頭24。
如圖5B所示,卡銷26以及卡環45位於基板支架10的內部空間。由此,卡銷26以及卡環45即使在基板支架10浸泡於電鍍液時也不會與電鍍液接觸。因此,通過用於將第一保持部件11與第二保持部件12相互固定的機構,能夠不將電鍍液從電鍍槽中帶出,減少附著於基板支架10的電鍍液的量。
在本實施方式中,卡銷26設置於基板側密封部件21與支架側密封部件22之間。因此,本實施方式的基板支架10與如以往那樣將密封圈支架20的外周側部分夾緊於第一保持部件11的情況相比,能夠減小作用於密封圈支架20的(彎曲)力矩。其結果,本實施方式的基板支架10與以往相比,能夠使將基板側密封部件21按壓於基板Wf的力與將支架側密封部件22按壓於第一保持部件11力分別更加均衡,並能夠確保更加適當地密封基板支架10的內部空間。
此外,在基板支架10中,在電鍍處理結束之後在固定單元135中取下基板Wf,並且基板Wf臨時放置於儲料器124。此時,若支架側密封部件22保持與第一保持部件11的主體40接觸的狀態,則可能會成為支架側密封部件22變形的原因。以保持基板側密封部件21與基板載置台43接觸的狀態臨時放置於儲料器124中的情況下,也同樣地基板側密封部件21可能會變形。因此,本實施方式的基板支架10能夠在基板側密封部件21以及支架側密封部件22未與第一保持部件11接觸的狀態下,將第二保持部件12安裝於第一保持部件11。在本實施方式中,如圖5C所示,將基板側密封部件21以及支架側密封部件22未與第一保持部件11接觸而第一保持部件11與第二保持部件12被相互固定的狀態稱為半鎖定狀態。
在使基板支架10成為半鎖定狀態時,圖1所示的固定單元135僅使卡銷26的半鎖定用大徑部26c通過卡環45的貫通孔45a並位於主體40的凹部40a內。此時,設計卡銷26的長度,以使基板側密封部件21以及支架側密封部件22不與第一保持部件11接觸。接著,圖1所示的固定單元135在只有半鎖定用大徑部26c通過卡環45的貫通孔45a的狀態下,使卡環45沿周向移動。由此,如圖5C所示,卡環45進入半鎖定用大徑部26c與鎖定用大徑部26a之間,其結果,半鎖
定用大徑部26c卡合於卡環45的貫通孔45b,且半鎖定用大徑部26c不會從卡環45的貫通孔45b脫離。這樣,基板支架10能夠在基板側密封部件21以及支架側密封部件22未與第一保持部件11接觸的狀態下,將第一保持部件11與第二保持部件相互固定。
接下來,對卡環45的移動機構進行說明。圖6A是表示卡環45未卡合於卡銷26的狀態下的卡環45的位置的俯視圖。圖6B是表示卡環45卡合於卡銷26的狀態下的卡環45的位置的俯視圖。如圖示那樣,卡環45的貫通孔45a是大致圓形,貫通孔45b是細長的狹縫狀,貫通孔45a與貫通孔45b相互連通形成一個貫通孔。此外,貫通孔45a以及貫通孔45b的形狀是任意的。另外,在本實施方式中,卡環45包含貫通孔45a以及貫通孔45b,但也可以代替這些,而具有發揮相似的功能的切口。
另外,基板支架10包含在圖3所示的桿用內部通路49內延伸的桿部件60、以及與卡環45連結的中間部件61。對於桿部件60而言,如圖2和圖3所示,一端位於基板支架10的外部,並且如圖6A和圖6B所示,另一端與中間部件61的一端樞轉連接。桿部件60構成為能夠沿軸向移動。具體而言,圖1所示的固定單元135透過操作位於基板支架10的外部的桿部件60,能夠使桿部件60沿軸向移動。
桿部件60從基板支架10的外部延伸到基板支架10的內部空間。因此,圖3所示的桿用內部通路49將基板支架10的外部與內部空間連通。因此,優選基板支架10具有對劃分桿用內部通路49的壁面與桿部件60的外周面之間進行密封的密封件,以防止液體通過桿用內部通路49浸入基板支架10的內部空間,並且進一步如後述那樣能夠確認基板支架10的內部空間有無洩漏。
中間部件61例如是細長的板狀的部件,一端與桿部件60樞轉連接,另一端與卡環45樞轉連接。此外,在本實施方式中,桿部件60與中間部件61直接連結,但並不限於此,也可以在桿部件60與中間部件61之間插入其它部件,將桿部件60與中間部件61間接連結。桿部件60和中間部件61一起構成用於使卡環45沿周向移動的連桿機構。
另外,基板支架10具有固定於主體40的止動銷62。沿著卡環45的周向設置狹縫63。如圖所示,止動銷62被插入狹縫63。
為了使卡銷26卡合於卡環45時,首先,如圖6A所示將卡銷26插入卡環45中的貫通孔45a。具體而言,在使基板支架10成為圖5B所示的鎖定狀態的情況下,使卡銷26的鎖定用大徑部26a通過貫通孔45a。另外,在使基板支架10成為圖5C所示的半鎖定狀態的情況下,僅使卡銷26的半鎖定用大徑部26c通過貫通孔45a。
接著,通過固定單元135,使桿部件60從圖6A所示的狀態向下方移動。由此,桿部件60的軸向的移動經由中間部件61轉換為卡環45的周向的移動。具體而言,卡環45被引導至形成於主體40的槽57並沿周向移動。由此,如圖6B所示,被插入貫通孔45a的卡銷26位於貫通孔45b內。具體而言,鎖定用大徑部26a或者半鎖定用大徑部26c不會從卡環45中的貫通孔45b脫落。另外,如圖6B所示,止動銷62能夠與狹縫63的端部接觸,並限制卡環45的進一步的周向的移動。
另外,除了或代替圖6A和圖6B所示的使卡環45移動的連桿機構,基板支架10還可以包含齒輪機構。圖7是表示使卡環45移動的齒輪機構的立體圖。如圖7所示,卡環45也可以包含在其外周邊部沿著周向配置的多個齒
65。圖1所示的夾具用內部通路48形成為從基板支架10的外部通向卡環45的多個齒65。
能夠向圖1所示的夾具用內部通路48插入桿狀的夾具64。如圖7所示,夾具64在其遠端,具有能夠與卡環45的多個齒65卡合的齒64a。在本實施方式中,如圖7所示,夾具64具有單一的齒64a,但並不限於此,也可以具有兩個以上的齒64a。夾具64的齒64a和卡環45的多個齒65能夠將夾具64的旋轉運動轉換為卡環45的周向的運動。具體而言,通過在使夾具64的齒64a與卡環45的齒65之一卡合的狀態下使夾具64沿周向旋轉,使得卡環45沿著槽57(參照圖6A和類似圖)沿周向移動。
夾具64僅在使卡環45沿周向移動時能夠插入夾具用內部通路48。因此,在夾具64未被插入夾具用內部通路48時,能夠通過未圖示的柱塞等封閉夾具用內部通路48。
如以上說明的那樣,基板支架10能夠通過圖6A和圖6B所示的連桿機構或者圖7所示的齒輪機構,從基板支架10的外部使卡環45沿周向移動。例如,圖7所示的齒輪機構也可以在圖6A和圖6B所示的連桿機構發生故障的情況下使用。
圖8是基板支架10的手部15之一的放大立體圖。如圖所示,在手部15的側方,形成有真空孔66和洩漏檢查孔67。真空孔66經由圖3所示的基板吸附用真空管路51和吸盤44流體連通。洩漏檢查孔67經由圖3所示的洩漏檢查用管路50與基板支架10中的內部空間流體連通。
對洩漏檢查孔67的使用方法進行說明。在對基板Wf進行電鍍時,首先,圖1所示的固定單元135使基板Wf保持於基板支架10。固定單元135
將第二保持部件12安裝於第一保持部件11,在成為圖5B所示的鎖定狀態時,通過基板側密封部件21和支架側密封部件22,在基板支架10的內部形成被封閉的空間(內部空間)。此時,將與真空源或者加壓源連接的未圖示的噴嘴插入洩漏檢查孔67。接著,經由洩漏檢查孔67對基板支架10的內部空間抽真空或加壓。
若基板側密封部件21以及支架側密封部件22適當地對第一保持部件11與第二保持部件12之間進行密封,則能維持基板支架10的內部空間的壓力。另一方面,在例如由於基板側密封部件21以及支架側密封部件22的破損等,未能對第一保持部件11與第二保持部件12之間適當地進行密封的情況下,基板支架10的內部空間的壓力可能會發生變化。因此,在本實施方式中,在對基板支架10中的內部空間抽真空或加壓時,能夠通過設置於固定單元135,且設置於比插入洩漏檢查孔67的噴嘴接近真空源或者加壓源的一側的未圖示的壓力計來測定內部空間內的壓力。也可以代替壓力計,通過流量計來測定微小流量。由此,能夠在對基板Wf進行電鍍之前,檢測基板支架10的內部空間是否有洩漏。
圖9是基板支架10的剖面立體圖。圖9所示的剖面被示為包含圖3所示的吸盤44。如圖所示,在基板支架10的主體40的內部,形成與圖8所示的真空孔66流體連通的基板吸附用真空管路51。基板吸附用真空管路51與基板載置台43與主體40的縫隙的空間連通。另外,在基板載置台43,形成將基板載置台43與主體40的縫隙的空間與吸盤44連通的孔43b。
如圖所示,在本實施方式的基板支架10中,基板載置台43是與主體40分立的部件,被彈簧56朝向第二保持部件12施力。因此,基板載置台43
與主體40的距離根據所保持的基板Wf的厚度而不同。因此,本實施方式的基板支架10具有對主體40與基板載置台43之間進行密封的密封件69(相當於第二密封件的一個例子)。密封件69例如具有安裝於主體40,並朝向基板載置台43直徑增大成V字狀的密封部,從而能夠適當地對沿基板Wf的厚度方向移動的基板載置台43與主體40的縫隙進行密封。進一步,如上所述,在對基板支架10的內部空間進行減壓或者加壓來檢查密封的洩漏時,內部空間中的壓力不會通過真空管路68逸出。因此,真空管路68經由密封件69的內部與吸盤44連通。
圖10A和圖10B是表示密封件69的其它例子的圖。圖10A是將密封件69安裝於基板支架10的狀態的剖視圖。圖10B是密封件69的立體圖。如圖10B所示,密封件69包含在中央具有孔69e的第一固定部69b、具有多個孔69d的第二固定部69c、以及將第一固定部69b與第二固定部69c連結的蛇腹部69a。第一固定部69b是大致圓形的平板。第二固定部69c是具有比第一固定部69b大的內徑的大致環狀的平板。蛇腹部69a是將第一固定部69b的外周與第二固定部69c的內周連接的蛇腹狀的部分。
如圖10A所示,吸盤44通過大致環狀的上側固定板44a和下側固定板44b固定於基板載置台43。具體而言,吸盤44的一部分夾在上側固定板44a與下側固定板44b之間。上側固定板44a以及下側固定板44b通過螺釘44c固定於基板載置台43。由此,將吸盘44固定於基板載置台43。
密封件69的第二固定部69c被夾在下側固定板44b與基板載置台43之間,並通過將螺釘44c插入密封件69中的孔69d中而被固定。由此,防止從密封件69的第二固定部69c與下側固定板44b之間的空氣的洩露。另外,第一固定部69b通過將固定螺釘76插入孔69e,而被固定於主體40。由此,防止從第一
固定部69b與主體40之間的空氣的洩露。固定螺釘76具有沿軸向貫通的孔,由此,基板吸附用真空管路51與吸盤44經由固定螺釘76的孔連通。
如圖10A所示,蛇腹部69a將第一固定部69b與第二固定部69c之間連接成蛇腹狀。由此,連通吸盤44和基板吸附用真空管路51的通路,和基板載置台43與主體40之間的空間通過密封件69來劃分。進一步,蛇腹部69a在基板載置台43沿基板Wf的厚度方向移動時,能夠在第一固定部69b與第二固定部69c之間伸縮。其結果,密封件69能夠適當地對沿基板Wf的厚度方向移動的基板載置台43與主體40的縫隙進行密封。進一步,如上所述在對基板支架10中的內部空間進行減壓或者加壓來檢查密封的洩漏時,內部空間的壓力不會通過真空管路68逸出。
接下來,對圖9、圖10A以及圖10B所示的吸盤44的使用方法進行說明。在電鍍處理結束之後,被保持於基板支架10的基板Wf通過圖1所示的固定單元135被取下。具體而言,固定單元135使卡環45沿周向移動以解除與卡銷26的卡合,並使第二保持部件12與第一保持部件11分離。在這裡,由於電鍍處理期間基板側密封部件21壓接於基板Wf的表面,所以存在基板側密封部件21黏貼於基板Wf的情況。因此,在將黏貼於基板側密封部件21的基板Wf與第二保持部件12一起從第一保持部件11取下的情況下,存在基板Wf從基板側密封部件21意外脫離等掉落而破損的情況。
因此,在本實施方式中,在電鍍處理結束後,在將第二保持部件12從第一保持部件11取下時,在圖8所示的真空孔66連接未圖示的真空源,而通過吸盤44吸附基板Wf的背面。由此,能夠將基板側密封部件21從基板Wf的表面剝離。另外,由於本實施方式的基板支架10包含密封件69,所以能夠適
當地對基板載置台43與主體40之間進行密封。其結果,能夠維持吸盘44對基板Wf的吸附力。
接下來,對在將基板支架10浸泡於電鍍液的期間監視基板側密封部件21以及支架側密封部件22的洩漏的結構進行說明。圖11A是基板支架10的主體40的俯視圖。圖11B是包含基板支架10的洩漏監視用電極71的剖視圖。如圖11A所示,基板支架10具有洩漏監視用電極71。洩漏監視用電極71在將基板支架10配置成鉛垂時,配置於包含內部空間的最下部的位置。基板支架10還具有設置於外部接點部18的附近的外部端子、以及將該外部端子與洩漏監視用電極71電連接的洩漏監視用佈線70。此外,配置洩漏監視用佈線70的洩漏監視用內部通路47成為封閉結構,以使得基板支架10的內部空間中的壓力不會逸出到基板支架10的外部。
在對被保持於基板支架10的基板Wf進行電鍍的期間,電流經由外部接點部18流入基板Wf。在這裡,在基板支架10的內部空間被密封時,電流不流入洩漏監視用電極71。另一方面,在如基板側密封部件21以及支架側密封部件22產生破損等,電鍍液進入基板支架10的內部空間的情況下,電鍍液朝向內部空間的鉛垂下方流動,且電鍍液積存在內部空間的最下部。此時,電鍍液經由洩漏監視用電極71、第二保持部件12的內環23,觸頭24、或者底座42導通,並且電流也流入洩漏監視用佈線70以及洩漏監視用電極71。在本實施方式中,通過利用未圖示的測定裝置與基板支架10的上的外部端子電連接,對洩漏監視用佈線70以及洩漏監視用電極71施加的電壓或者電阻進行測量,能夠確認電鍍液浸入了內部空間這一情況。
圖12是底座42的徑向外側附近的放大剖視圖。如上所述,從耐化學性的觀點考慮,主體40由PTFE形成。另一方面,底座42由於需要具有導電性,所以底座42由SUS或類似物質形成。本實施方式的基板支架10根據所保持的基板Wf,可以浸泡於鍍金浴、鍍銅浴中。由於鍍金浴例如升溫到65℃左右,所以基板支架10可能也因鍍金浴而升溫。在這裡,由於PTFE的熱膨脹係數比SUS大,所以在PTFE浸泡於鍍金浴等相對高溫的液體時,主體40的熱膨脹量與底座42的熱膨脹量之差相對增大。其結果,若主體40向基板Wf的面內側向膨脹,則存在給支架側密封部件22與主體40之間的密封性能帶來負面影響的可能。
因此,在本實施方式中,如圖12所示,底座42與主體40在外周部附近,通過螺栓等固定部件72a以及72b而相互固定。具體而言,主體40在卡環45的徑向外側通過固定部件72a固定於底座42,在主體40的徑向內側通過固定部件72b固定於底座42。另一方面,雖然未圖示,但比主體40的固定部件72b靠徑向內側部分未被固定於底座42。根據本實施方式,即使基板支架10升溫,並且主體40的熱膨脹量與底座42的熱膨脹量之差增大,也能夠通過固定部件72a以及固定部件72b,防止產生主體40與支架側密封部件22的偏離。
另外,在本實施方式中,也可以在主體40的中央部設置凹部,以使主體40的中央部的厚度比外周部的厚度薄。在本實施方式的基板支架10中,由於底座42與主體40在其外周部附近相互固定,所以在主體40膨脹時,在主體40產生徑向的應力。通過在主體40的中央部設置凹部,能夠使主體40的中央部容易彎曲。其結果,能夠使在基板支架10升溫時,在主體40產生的徑向的應力沿厚度方向分散。此外,希望設置於主體40的凹部設置為凹部的表面位於
基板支架10的背面側,換言之設置於朝向基板載置台43凸出的方向。由此,主體40的中央部朝向基板載置台43彎曲。其結果,能夠盡可能地維持基板支架10的背面側的平坦性。
接下來,對第二保持部件12的其它實施方式進行說明。圖13是其它實施方式的第二保持部件12的側剖視圖。在已經說明的第二保持部件12中,從耐化學性的觀點考慮,可能與電鍍液接觸的密封圈支架20例如由PEEK形成。然而,由諸如PEEK等樹脂形成的密封圈支架20與金屬相比具有剛性較低,易變形的缺點。
因此,在圖13所示的第二保持部件12中,由諸如SUS等金屬形成密封圈支架20,而使其具有內環23(參照圖4和類似圖)的功能。換言之,密封圈支架20與內環23一體地形成。在基板支架10的表面上襯有橡膠,形成基板側密封部件21、支架側密封部件22、以及表面保護層73。表面保護層73覆蓋密封圈支架20的暴露於電鍍液的部分,防止密封圈支架20與電鍍液接觸。
根據圖13所示的實施方式,由於密封圈支架20由諸如SUS等金屬形成,所以與密封圈支架20由諸如PEEK等樹脂形成的情況相比,能夠提高剛性。另外,在更換基板側密封部件21或者支架側密封部件22時,由於將觸頭24從密封圈支架20拆下,更換密封圈支架20本身即可,所以容易進行維護。
圖14是另一實施方式的第二保持部件12的側剖視圖。在圖14所示的第二保持部件12中,包含由鈦製成的密封圈支架20。由此,與密封圈支架20由諸如PEEK等樹脂形成的情況相比,能夠提高密封圈支架20的剛性。
但是,由於鈦是導電性的,所以若電流流入密封圈支架20則對密封圈支架20表面進行電鍍。因此,圖14所示的第二保持部件12具有絕緣材
74a,該絕緣材74a構成為將內環23與密封圈支架20之間絕緣。進一步,第二保持部件12具有絕緣材74b,該絕緣材74b構成為將內環23與使內環23固定於密封圈支架20的螺栓75之間絕緣。絕緣材74a以及絕緣材74b可以由例如PVC(聚氯乙烯)等形成。由此,能夠將密封圈支架20與內環23絕緣,並且防止對密封圈支架20進行電鍍。
此外,在圖14所示的第二保持部件12中,在密封圈支架20的徑向外側的外周面,形成有用於固定單元135保持第二保持部件12的凹部20a。凹部20a可以是沿著密封圈支架20的周向延伸的槽,也可以是沿周向均衡地設置的多個凹部。固定單元135在通過未圖示的手部把持第二保持部件12時,通過將手部的爪卡合於凹部20a,能夠穩定地把持第二保持部件12。
接下來,對卡環45以及卡銷26的其它實施方式進行說明。圖15是其它實施方式的卡環45以及卡銷26的立體圖。圖15示有基板支架10的鎖定狀態。如圖所示,卡銷26具有鎖定用大徑部26a、小徑部26b、以及半鎖定用大徑部26c。半鎖定用大徑部26c位於卡銷26的遠端,鎖定用大徑部26a位於小徑部26b與半鎖定用大徑部26c之間。
卡環45具有貫通孔45a(相當於第一部分的一個例子)、貫通孔45b(相當於第二部分的一個例子)、以及貫通孔45c(相當於第三部分的一個例子)。貫通孔45a、貫通孔45b、貫通孔45c分別是大致圓形,並且相互連通形成一個細長孔。具體而言,貫通孔45a與貫通孔45c連通,貫通孔45c與貫通孔45b連通,貫通孔45a與貫通孔45b經由貫通孔45c間接連通。另外,將貫通孔45a、貫通孔45b、貫通孔45c設為虛擬的圓形時的直徑的大小按照貫通孔45a、貫通孔45c、貫通孔45b的順序變小。
為了成為將圖15所示的具有卡環45以及卡銷26的基板支架10設為鎖定狀態,首先,使卡銷26的半鎖定用大徑部26c和鎖定用大徑部26a通過貫通孔45a。由此,將第二保持部件12的基板側密封部件21壓接於基板Wf,並將支架側密封部件22壓接於主體40。在該狀態下,通過圖6A和圖6B所示的連桿機構或者圖7所示的齒輪機構,使卡環45沿周向移動,而使小徑部26b定位於貫通孔45b的內部。由此,鎖定用大徑部26a卡合於貫通孔45b且不會脫離貫通孔45b,第一保持部件11與第二保持部件12被相互固定。
另外,為了將基板支架10設為半鎖定狀態,首先,僅使卡銷26的半鎖定用大徑部26c通過貫通孔45a。此時,設計卡銷26的長度,以使基板側密封部件21以及支架側密封部件22不與第一保持部件11接觸。接著,通過圖6A和圖6B所示的連桿機構或者圖7所示的齒輪機構,使卡環45沿周向移動,而使鎖定用大徑部26a定位於貫通孔45c的內部。鎖定用大徑部26a的外周部分由如橡膠構成,並嵌合於貫通孔45c的內部,並且使得卡銷26的長度方向上的卡環45的位置不易偏移。由此,以半鎖定用大徑部26c卡合於貫通孔45c且不會脫離貫通孔45c,基板側密封部件21以及支架側密封部件22與第一保持部件11分離的狀態,第一保持部件11與第二保持部件12被相互固定。
此外,貫通孔45a、貫通孔45b、貫通孔45c的形狀是任意的。另外,卡環45也可以代替貫通孔45a、貫通孔45b、以及貫通孔45c,具有發揮相似的功能的切口。
接下來,對基板支架10的其它實施方式進行說明。圖16A是其它實施方式的基板支架10的正面立體圖。圖16B是其它實施方式的基板支架10的背面立體圖。如圖16A和圖16B所示,基板支架10的第二保持部件12具有使基板
Wf露出的圓形的開口12a,並在其端部具備一對手部15。另外,雖然未圖示,但第二保持部件12具有與外部接點部18電連接的匯流條41、基板側密封部件21、內環23、觸頭24、卡環45、桿部件60。匯流條41構成為與設置於第二保持部件12的內環23直接電連接,並向觸頭24供給電流。
第一保持部件11整體是圓形的板狀部件,包含未圖示的基板載置台43、卡銷26、以及支架側密封部件22。支架側密封部件22與第二保持部件12接觸,與設置於第二保持部件12的基板側密封部件21一起在基板支架10的內部形成封閉的空間。注意,支架側密封部件22也可以構成為設置於第二保持部件12,與第一保持部件11接觸。在將第一保持部件11與第二保持部件相互固定時,使設置於第一保持部件11的卡銷26與設置於第二保持部件12的卡環45卡合。
如圖16A和圖16B所示,基板支架10由於第二保持部件12中包含匯流條41、內環23、以及觸頭24,所以能夠將電流從匯流條41僅經由內環23供給至觸頭24。因此,與圖2至圖6B所示的基板支架10相比,由於能夠減少向觸頭24供給電流所需的部件件數,所以能夠抑制因部件間的接觸電阻而電流的供給變得不穩定。
以上,對本發明的實施方式進行了說明,但上述的發明的實施方式是為了容易理解本發明的內容,並不對本發明進行限定。本發明當然可以不脫離其主旨地進行變更、改進,並且其等價物包含於本發明。另外,能夠在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍、或者起到效果的至少一部分的範圍內,進行請求項書以及說明書所記載的各構成要素的任意的組合、或者省略。
以下記載有本說明書所公開的幾個方式。
根據第一方式,提供一種構成為保持基板的基板支架。該基板支架具有:第一保持部件;第二保持部件,構成為與上述第一保持部件一起夾住上述基板;密封部件,構成為在上述基板支架的內部形成被密封的空間;銷,固定於上述第一保持部件和上述第二保持部件中的一方;環,設置於上述第一保持部件和上述第二保持部件中的另一方,與上述銷卡合;以及移動機構,構成為使上述環沿周向移動。將上述銷與上述環相互卡合,從而上述第一保持部件與上述第二保持部件被相互固定。上述銷以及上述環設置於上述被密封的空間的內部。
根據第一方式,銷和環位於基板支架的內部空間。由此,銷和環即使在基板支架浸泡於電鍍液時也不會與電鍍液接觸。因此,通過用於將第一保持部件與第二保持部件相互固定的機構,不會將電鍍液從電鍍槽帶出,而能夠減少附著於基板支架的電鍍液的量。
根據第二方式,在第一方式的基板支架中,上述移動機構包含連桿機構。
根據第三方式,在第二方式的基板支架中,上述連桿機構具有:桿部件,一端位於上述基板支架的外部,另一端位於上述基板支架內部,且能夠沿軸向移動;以及中間部件,一端直接或者間接地連結於上述桿部件,另一端直接連結於上述環。
根據第三方式,能夠使位於基板支架的內部空間的環移動。
根據第四方式,在第三方式的基板支架中,具有:桿用內部通路,供上述桿部件插入;以及第一密封件,對劃分上述桿用內部通路的壁面與上述桿部件的外周面之間進行密封。
根據第四方式,能夠防止液體經由插入桿部件的桿用內部通路浸入基板支架的內部空間。
根據第五方式,在第一方式至第四方式的任意一個基板支架,上述移動機構具有沿著周向形成於上述環的多個齒,上述基板支架具有從上述基板支架的外部通向上述多個齒的內部通路。
根據第五方式,通過使用與多個齒卡合的夾具,能夠使位於基板支架的內部空間的環移動。另外,在基板支架具有連桿機構的情況下,即使在連桿機構發生了故障時也能夠使環移動。
根據第六方式,在第五方式的基板支架中,具備有構成為與上述多個齒卡合的齒的夾具,上述夾具的齒構成為在將上述夾具插入上述內部通路時與上述多個齒卡合。
根據第六方式,通過使用夾具,能夠使位於基板支架的內部空間的環移動。另外,在基板支架具有連桿機構的情況下,即使在連桿機構發生了故障時也能夠使環移動。
根據第七方式,在第一方式至第六方式的任意一個基板支架中,上述銷具有鎖定用大徑部,上述環具有上述銷的上述鎖定用大徑部能夠通過的第一部分、以及能夠與上述銷的上述鎖定用大徑部卡合的第二部分。
根據第七方式,通過使鎖定用大徑部卡合於環的第二部分,能夠將環和銷卡合,其結果,能夠將第一保持部件和第二保持部件相互固定。
根據第八方式,在第七方式的基板支架中,上述移動機構構成為在使上述銷的上述鎖定用大徑部通過上述第一部分並使上述密封部件壓接於
上述第一保持部件的狀態下,使上述環沿周向移動,並使上述鎖定用大徑部卡合於上述環的上述第二部分。
根據第八方式,通過使鎖定用大徑部卡合於環的第二部分,能夠以使密封部件壓接於第一保持部件的狀態將第一保持部件和第二保持部件相互固定。
根據第九方式,在第七方式或第八方式的基板支架中,上述銷具有直徑比上述鎖定用大徑部小的小徑部、以及直徑比上述小徑部大的半鎖定用大徑部,上述小徑部位於上述鎖定用大徑部與上述半鎖定用大徑部之間,上述移動機構構成為在使上述銷的上述半鎖定用大徑部通過上述第一部分並使上述密封部件與上述第一保持部件分離的狀態下,使上述環沿周向移動,並使上述環的上述第二部分卡合於上述半鎖定用大徑部。
根據第九方式,通過使半鎖定用大徑部卡合於環的第二部分,能夠以使密封部件與第一保持部件分離的狀態將第一保持部件和第二保持部件相互固定。
根據第十方式,在第七方式的基板支架中,上述銷具有直徑比上述鎖定用大徑部小的小徑部、以及直徑比上述鎖定用大徑部大的半鎖定用大徑部,上述環具有能夠卡合上述銷的半鎖定用大徑部的第三部分,上述第一部分與上述第三部分連續地形成,上述第二部分與上述第三部分連續地形成。
根據第十方式,通過使鎖定用大徑部卡合於環的第二部分,或使半鎖定用大徑部卡合於環的第三部分,能夠將第一保持部件和第二保持部件相互固定。
根據第十一方式,在第十方式的基板支架中,上述移動機構構成為在使上述銷的上述鎖定用大徑部以及半鎖定用大徑部通過上述第一部分並使上述密封部件壓接於上述第一保持部件的狀態下,使上述環沿周向移動,並使上述鎖定用大徑部卡合於上述環的上述第二部分
根據第十一方式,通過使鎖定用大徑部卡合於環的第二部分,能夠以使密封部件壓接於第一保持部件的狀態將第一保持部件和第二保持部件相互固定。
根據第十二方式,在第十方式或第十一方式的基板支架中,上述移動機構構成為在使上述銷的上述半鎖定用大徑部通過上述第一部分並使上述密封部件與上述第一保持部件分離的狀態下,使上述環沿周向移動,並使上述半鎖定用大徑部卡合上述環的上述第三部分。
根據第十二方式,通過使半鎖定用大徑部卡合於環的第三部分,能夠以使密封部件與第一保持部件分離的狀態將第一保持部件和第二保持部件相互固定。
根據第十三方式,在第一方式至第十二方式的任意一個基板支架中,上述密封部件具有構成為與上述基板接觸的第一密封部、以及構成為與上述第一保持部件接觸的第二密封部,上述銷配置於上述第一密封部與上述第二密封部之間。
根據第十三方式,與如以往那樣將密封圈支架的外周側部分夾緊在第二保持部件的情況相比,能夠使用於將密封圈支架保持於第二保持部件的力作用於徑向內側。其結果,與以往相比,能夠使將基板側密封部件和支架
側密封部件按壓於第一保持部件的力更加均衡,並能夠更加適當地使基板支架的內部空間密封。
根據第十四方式,在第一方式至第十三方式的任意一個基板支架中,上述第一保持部件具有:固定板、能夠載置上述基板的基板載置台、將上述基板載置台從上述固定板朝向上述第二保持部件施力來吸收基板的厚度的變化的厚度吸收機構。
根據第十四方式,通過將基板側密封部件按壓於基板的表面,基板載置台的厚度吸收機構收縮。由此,即使基板的厚度是各種各樣的,基板側密封部件也能夠適當地對基板表面進行密封。另外,基板支架由於通過厚度吸收機構將基板載置台朝向第二保持部件施力,所以從第一保持部件對基板側密封部件施加的力比從第一保持部件對支架側密封部件施加的力大。在第十四方式從屬於第十三方式的基板支架的情況下,銷設置於基板側密封部件與支架側密封部件之間。因此,基板支架與如以往那樣將密封圈支架的外周側部分夾緊於第二保持部件的情況相比,能夠使用於將密封圈支架保持於第二保持部件的力作用於徑向內側。即,能夠在所施加的力相對較大的接近基板側密封部件的位置,作用保持第二保持部件的力。其結果,本實施方式的基板支架與以往相比,能夠使將基板側密封部件和支架側密封部件按壓於第一保持部件的力更均衡,並能夠更加適當地對基板支架的內部空間進行密封。
根據第十五方式,在第十四方式的基板支架中,具有:吸盤,構成為吸附載置於上述基板載置台的上述基板的背面;第二密封件,對上述固定板與上述基板載置台之間進行密封;真空管路,形成於上述固定板,經由上述第二密封件的內部與上述吸盤連通。
根據第十五方式,能夠適當地對基板載置台和固定板之間進行密封。其結果,能夠維持吸盤對基板的吸附力。
根據第十六方式,提供一種電鍍裝置。該電鍍裝置具有:第一方式至第十五方式的任意一個的基板支架;以及電鍍槽,構成為收容被保持於上述基板支架的基板和陽極。
11:第一保持部件
12:第二保持部件
20:密封圈支架
21:基板側密封部件
22:支架側密封部件
23:內環
24:觸頭
26:卡銷
26a:鎖定用大徑部
26b:小徑部
26c:半鎖定用大徑部
40:主體
40a:凹部
41:匯流條
42:底座
42a:凹部
42b:開口部
43:基板載置台
43a:凹部
45:卡環
45b:貫通孔
56:彈簧
57:槽
Wf:基板
Claims (16)
- 一種基板支架,是構成為保持一基板的基板支架,具有:一第一保持部件;一第二保持部件,構成為與該第一保持部件一起夾住該基板;一密封部件,構成為在該基板支架的內部形成一被密封的空間;一銷,固定於該第二保持部件中;一環,設置於該第一保持部件,與該銷卡合;以及一移動機構,構成為使該環沿周向移動,將該銷與該環相互卡合,從而該第一保持部件與該第二保持部件被相互固定,該銷以及該環被設置於該被密封的空間的內部,該第一保持部件具有與外部電源電連接的一外部接點部,該環與該外部接點部電連接,該第二保持部件具有供給電流於該基板之一觸頭,該銷與該觸頭電連接,該觸頭透過該銷與該外部接點部電連接,當該銷與該環卡合時,電流通過與該基板接觸的該觸點,當該銷與並未卡合於該環時,該觸點與該外部接點部並未有電連接。
- 根據請求項1所述的基板支架,其中,該移動機構包含一連桿機構。
- 根據請求項2所述的基板支架,其中,該連桿機構具有:一桿部件,一端位於該基板支架的外部,另一端位於該基板支架內部,且能夠沿軸向移動;以及 一中間部件,一端直接或者間接地連結於該桿部件,另一端直接連結於該環。
- 根據請求項3所述的基板支架,其中,具有:一桿用內部通路,供該桿部件插入;以及一第一密封件,對劃分該桿用內部通路的一壁面與該桿部件的一外周面之間進行密封。
- 根據請求項1所述的基板支架,其中,該移動機構具有沿著周向形成於該環的多個齒,該基板支架具有從該基板支架的外部通向該些齒的一內部通路。
- 根據請求項5所述的基板支架,其中,具有一夾具,該夾具具有構成為與該些齒卡合的一齒,該夾具的該齒構成為在將該夾具插入該內部通路時與該些齒卡合。
- 根據請求項1所述的基板支架,其中,該銷具有一鎖定用大徑部,該環具有該銷的該鎖定用大徑部能夠通過的一第一部分、以及能夠與該銷的該鎖定用大徑部卡合的一第二部分。
- 根據請求項7所述的基板支架,其中,該移動機構構成為在使該銷的該鎖定用大徑部通過該第一部分並使該密封部件壓接於該第一保持部件的狀態下,使該環沿周向移動,並使該鎖定用大徑部卡合於該環的該第二部分。
- 根據請求項7所述的基板支架,其中, 該銷具有直徑比該鎖定用大徑部小的一小徑部、以及直徑比該小徑部大的一半鎖定用大徑部,該小徑部位於該鎖定用大徑部與該半鎖定用大徑部之間,該移動機構構成為在使該銷的該半鎖定用大徑部通過該第一部分並使該密封部件與該第一保持部件分離的狀態下,使該環沿周向移動,並使該環的該第二部分卡合於該半鎖定用大徑部。
- 根據請求項7所述的基板支架,其中,該銷具有直徑比該鎖定用大徑部小的一小徑部、以及直徑比該鎖定用大徑部大的一半鎖定用大徑部,該環具有能夠卡合該銷的該半鎖定用大徑部的一第三部分,該第一部分與該第三部分連續地形成,該第二部分與該第三部分連續地形成。
- 根據請求項10所述的基板支架,其中,該移動機構構成為在使該銷的該鎖定用大徑部以及該半鎖定用大徑部通過該第一部分並使該密封部件壓接於該第一保持部件的狀態下,使該環沿周向移動,並使該鎖定用大徑部卡合於該環的該第二部分。
- 根據請求項10所述的基板支架,其中,該移動機構構成為在使該銷的該半鎖定用大徑部通過該第一部分並使該密封部件與該第一保持部件分離的狀態下,使該環沿周向移動,並使該半鎖定用大徑部卡合該環的該第三部分。
- 根據請求項1所述的基板支架,其中,該密封部件具有構成為與該基板接觸的一第一密封部、以及構成為與該第一保持部件接觸的一第二密封部, 該銷配置於該第一密封部與該第二密封部之間。
- 根據請求項1所述的基板支架,其中,該第一保持部件具有一固定板、能夠載置該基板的一基板載置台、以及將該基板載置台從該固定板向該第二保持部件施力來吸收基板的厚度的一變化的一厚度吸收機構。
- 根據請求項14所述的基板支架,具有:一吸盤,構成為吸附載置於該基板載置台的該基板的一背面;一第二密封件,對該固定板與該基板載置台之間進行密封;以及一真空管路,形成於該固定板,經由該第二密封件的內部與該吸盤連通。
- 一種電鍍裝置,具有:請求項1~15中任一項所述的基板支架;以及一電鍍槽,構成為收容陽極和被保持於該基板支架的該基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-119875 | 2018-06-25 | ||
JP2018119875A JP7003005B2 (ja) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | 基板ホルダ及びめっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202001004A TW202001004A (zh) | 2020-01-01 |
TWI810320B true TWI810320B (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=68968512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108121171A TWI810320B (zh) | 2018-06-25 | 2019-06-19 | 基板支架以及電鍍裝置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11535949B2 (zh) |
JP (1) | JP7003005B2 (zh) |
KR (1) | KR20200000801A (zh) |
CN (1) | CN110629276B (zh) |
SG (1) | SG10201905834QA (zh) |
TW (1) | TWI810320B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7132135B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2022-09-06 | 上村工業株式会社 | ワーク保持治具及び電気めっき装置 |
EP4043618A1 (en) * | 2020-01-21 | 2022-08-17 | Semsysco GmbH | Substrate holding and locking system for chemical and/or electrolytic surface treatment |
JP7398292B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2023-12-14 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法 |
TWI788155B (zh) * | 2021-12-23 | 2022-12-21 | 敔泰企業有限公司 | 晶圓片夾取裝置 |
CN114752985A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-07-15 | 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司 | 新型真空电镀挂具 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7211170B2 (en) * | 2001-04-02 | 2007-05-01 | Lam Research Corporation | Twist-N-Lock wafer area pressure ring and assembly |
TW201414871A (zh) * | 2012-06-18 | 2014-04-16 | Tel Solar Ag | 具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統 |
TW201508860A (zh) * | 2013-07-03 | 2015-03-01 | Lam Res Ag | 用以固持晶圓狀物件之裝置 |
TW201635426A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-10-01 | 德國艾托特克公司 | 用於垂直電流金屬沈積之基板固持器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120305404A1 (en) * | 2003-10-22 | 2012-12-06 | Arthur Keigler | Method and apparatus for fluid processing a workpiece |
US8646767B2 (en) * | 2010-07-23 | 2014-02-11 | Lam Research Ag | Device for holding wafer shaped articles |
US8900425B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Contact ring for an electrochemical processor |
JP5643239B2 (ja) | 2012-01-30 | 2014-12-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP6545585B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2019-07-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダおよびめっき装置 |
JP6799395B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-12-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ、電子デバイス製造装置において基板を搬送する搬送システム、および電子デバイス製造装置 |
US10573541B2 (en) * | 2016-11-28 | 2020-02-25 | Axcelis Technologies, Inc. | System for semiconductor wafer retention and sensing in a vacuum load lock |
-
2018
- 2018-06-25 JP JP2018119875A patent/JP7003005B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-13 KR KR1020190070012A patent/KR20200000801A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-06-19 CN CN201910532201.9A patent/CN110629276B/zh active Active
- 2019-06-19 TW TW108121171A patent/TWI810320B/zh active
- 2019-06-24 SG SG10201905834QA patent/SG10201905834QA/en unknown
- 2019-06-25 US US16/451,387 patent/US11535949B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7211170B2 (en) * | 2001-04-02 | 2007-05-01 | Lam Research Corporation | Twist-N-Lock wafer area pressure ring and assembly |
TW201414871A (zh) * | 2012-06-18 | 2014-04-16 | Tel Solar Ag | 具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統 |
TW201508860A (zh) * | 2013-07-03 | 2015-03-01 | Lam Res Ag | 用以固持晶圓狀物件之裝置 |
TW201635426A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-10-01 | 德國艾托特克公司 | 用於垂直電流金屬沈積之基板固持器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110629276A (zh) | 2019-12-31 |
US11535949B2 (en) | 2022-12-27 |
US20190390359A1 (en) | 2019-12-26 |
CN110629276B (zh) | 2023-11-14 |
JP7003005B2 (ja) | 2022-01-20 |
JP2020002389A (ja) | 2020-01-09 |
SG10201905834QA (en) | 2020-01-30 |
TW202001004A (zh) | 2020-01-01 |
KR20200000801A (ko) | 2020-01-03 |
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