TW201414871A - 具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統 - Google Patents

具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201414871A
TW201414871A TW102121563A TW102121563A TW201414871A TW 201414871 A TW201414871 A TW 201414871A TW 102121563 A TW102121563 A TW 102121563A TW 102121563 A TW102121563 A TW 102121563A TW 201414871 A TW201414871 A TW 201414871A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vacuum chamber
substrate
chamber
lift pins
reactor
Prior art date
Application number
TW102121563A
Other languages
English (en)
Inventor
Markus Klindworth
Werner Wieland
Devendra Chaudhary
Damian Ehrensperger
Philipp Wagner
Daniel Locher
Original Assignee
Tel Solar Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tel Solar Ag filed Critical Tel Solar Ag
Publication of TW201414871A publication Critical patent/TW201414871A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32788—Means for moving the material to be treated for extracting the material from the process chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一種基板處理系統，包含可垂直移動的腔室部分，以使腔室部分可垂直分離，以提供處理腔室或反應器，例如電漿增強CVD腔室之開啓和閉合位置。在開啓位置時，基板係裝載並從處理腔室卸載，而在閉合位置時，封閉的處理體積係提供以處理基板，特別是用於處理在電極之間具有小間隙(3-10毫米)之大尺寸基板(例如一平方公尺或更大)。複數處理腔室可提供及耦接至致動器組件以同時垂直移動每一處理腔室的腔室部分或腔室部。用於接收及放置基板在處理腔室中的升降銷亦可由該致動器組件移動。亦提供用於升降銷之可移除式安裝之配置。

Description

具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統 【交互參照】
本申請案主張於2012年6月18日提出申請的美國臨時專利申請案第61/660,910號，以及於2012年6月22日提出申請的美國臨時專利申請案第61/663,122號之優先權，其係全部併入於此作為參考。
本發明關於一種電漿處理系統，且特別是電漿增強化學氣相沉積系統(PECVD)，但本發明之特徵亦可用於其他類型之電漿處理系統。
PECVD系統已被有益地用於，例如，沉積薄膜以用於平板顯示器、光伏打電池或模組、或OLED。例如，諸如Si、SiOx或SiN基膜之矽或矽化合物係使用受激發以形成電漿之處理氣體(例如，矽烷、摻雜劑、氫等等)所形成。
圖1示意性地表示PECVD系統，其具有外殼或腔室1，以及一對實質上平坦之平面電極2、3。此配置係描述於，例如，美國專利第6,228,438號中。電極係由數字7、8所示之連接件連接至一或更多合適之電源，例如射頻/VHF電源(未顯示)。此外，基板4係置於電極3上。氣體供應器5及排氣口6係示意性地表示，但吾人應理解氣體供應器和排氣口可具有各種形式。
此配置可用於，例如，沉積矽化合物於玻璃基板上，例如具有1100-1300毫米或1.4m2之尺寸的基板，藉由例示之方式。如圖所示，極 間間隙(inter-electrode gap,IEG)係設置作為兩個電極之間的空間，而電漿間隙PG(plasma gap)係設置在基板4之頂部以及上部電極2之底部之間。藉由例示的方式，標準的間隙尺寸可為約30毫米，但10毫米以下之非常小的間隙更佳。應為顯而易見地，電漿間隙PG為IEG減去基板4之厚度。
此等系統可為單一反應器或單一腔室系統之形式，但亦可為具有數個同時平行地在其它基板上執行CVD處理之反應器的更大系統之一部分。此外，此等腔室或反應器可提供於單排或群集之配置中。兩種類型的反應器配置亦為眾所周知，包含一個反應器單一壁腔室類型、以及箱中箱式(box-in-box)配置。在一個反應器單一壁腔室類型中，反應器或腔室之壁形成真空或減壓體積，處理係發生於其中，且大氣或接近大氣之壓力圍繞反應器之外部。在箱中箱式配置中，反應器箱提供位於另一腔室之外壁中的處理區域，以形成一單獨之外殼，且該外殼可維持在減壓下。此外，可提供複數反應器於外腔室中，以利進行複數基板之批次處理。可參照例如，美國專利第4,989,543號和第5,693,238號。
在此等配置中，從提供具有低缺陷發生率、高產量及沉積率之Si及Si化合物層或薄膜的角度而言，提供高品質、一致且符合成本效益的性能，以及從設備成本、操作及/或維修成本之角度而言，提供有效、符合成本效率的性能，是不變的目標。為了實現高沉積率，使用高射頻功率及/或高射頻頻率。然而，這也加劇了至基板上之離子轟擊，並因此可能產生缺陷。此外，高沉積率可能要求，例如，在電漿中之高濃度的Si原子，以及更高工作氣體壓力。高處理壓力在降低離子轟擊之強度上可十分有利，但由於未沉積之Si微粒所導致之微粒產生亦可能是一個問題。微粒或其它雜質、缺陷或不均勻性可能導致較差或無法接受之層或膜。
可用以控制或提高性能的一個變數為極間間隙(IEG)。例如，藉由減少極間間隙，使SiHx自由基碰撞以及多SiH2分子碰撞之平均自由徑之量級變得可與間隙尺寸相比，可避免Si原子聚結而形成微粒或晶粒。但是，仍有與減少間隙相關的機械、電氣和其他處理限制，特別是考量到受處理之基板尺寸往往為一平方公尺或更大。因此，亦有與減少IEG有關之劣勢和挑戰。在取得較小間隙之期望和所面臨的挑戰之間的取捨， 造就了具有小於20毫米但大於10毫米之IEG的PECVD系統之產生。
與減少極間間隙(IEG)相關的一個問題，是用於基板之裝載和卸載期間的設備必須有足夠的空間進行操作。WO第2006/056091號揭露一種反應器配置，其中該反應器係被水平地分開成兩部分，以使裝載叉得以進入。裝載叉將基板插入至反應器中，升降銷升高以將基板從裝載叉處移除，且裝載叉係縮回。升降銷係接著縮回以將基板放置在下部電極上以進行處理。此外，反應器的兩個部分係一起移動以閉合處理空間。然而基於許多原因，此配置可為不理想的，原因包含需要移動很重的部件，這特別是在箱中箱式類型系統之真空中可能十分困難。此外，此配置可能十分複雜及/或昂貴，這是因為需要將可移動之反應器部件與諸如處理氣體處理、加熱/冷卻連接部、泵、以及射頻/超高頻功率之設施接合，同時使腔室處於閉合位置時不受射頻/超高頻功率洩漏之影響。
現有技術配置的另一問題為如上所述之用以裝載基板的升降銷。特別地，此等銷應製造成具有小橫截面以在電性能之均勻性及/或下部電極的熱性能方面而言，避免或減少任何對於下部電極的不利影響。然而，由於銷的尺寸保持較小，因此重覆使用下會導致磨損或失效。由於真空環境之故，升降銷可能會遇到更大的摩擦應力，且升降銷可能因為暴露於熱和化學物質而遭受額外的應力，此亦可導致提前疲乏或磨損。若銷出現缺陷，其可導致玻璃基板破裂或損壞之無法接受的結果。因此，銷必須能夠替換。此外，更換必須相對簡單且不消耗大量的時間，特別是考量到一個(具有數個腔室或反應器之)系統可能具有，例如，約480個升降銷。
本發明提供了可用於電漿處理設備，特別是PECvD設備中之有利的配置。本發明之特徵對於用以製造光伏打或太陽能電池組件所使用的PECVD設備特別有利，但是，本發明之特徵亦可用於其他類型的電漿處理設備或用於其它產品的設備。本發明亦有利於處理大尺寸基板，例如一平方公尺或更大、具有小間隙尺寸之基板。例如，此配置可有利地用於 具有3-10毫米之IEG、以及具有2-8毫米之PG、以及較佳地為3-7毫米之PG。可替代地，例如，IEG可為3-16毫米，具有2-14毫米之PG，且較佳地具有3-13毫米之PG。然而，本發明之特徵亦可用於不同的基板和間隙尺寸。本發明在固定間隙系統中亦十分有利，當腔室位於組裝和閉合位置時，固定間隙系統之間隙間距亦為固定。然而，本發明之特徵亦可用於可變間隙系統中，在可變間隙系統中可藉由調整作法(例如，致動器)改變或調整間隙間距。此外，本發明對於例如PECVD系統之沉積系統十分有利，然而，本發明亦可用於其他類型之系統，例如蝕刻或清洗系統。
在根據一較佳實施範例之其中一特徵中，提供可垂直地分成兩個部件(上部和下部)之反應器，以從而當該兩個部件分離時，使位於其中之基板的裝載和卸載更容易，同時亦當該兩個部件結合在一起且基板接受處理時，上部和下部電極之間可有一小間隙。在處理大型基板(例如一平方公尺或更大)且處理具有小極間間隙時，此配置係特別有利。由於此配置，反應器之上部係相對於下部(或反之亦然)移動，以使基板可裝載和卸載至反應器的升降銷上。一旦基板被裝載，升降銷可降低以將基板設置在下部電極上，且反應器之兩個部件可結合在一起或閉合，俾使處理可在小極間間隙和小電漿間隙的情況下繼續進行。
根據一較佳範例，當反應器之下部為固定時，上部為可動式。因此，上部可輕易移動以提供額外的空間進行基板之裝載/卸載。根據另一特徵，用於移動反應器之上部之相同的垂直移動或致動亦可用於移動升降銷。此配置確保操作之協調，且再者，可減少所需的致動器數目。
在一特別較佳的範例中，提供了一種其中具有數個反應器彼此互相堆疊之系統，其中每一堆疊的反應器耦接至一共同致動器，該致動器當升降銷升高的同時(或至少在時間上部分重疊)，打開或移動每個反應器之上部。可交替地，可移動反應器之下部，或可使用兩個部件之結合的移動。其上具有複數裝載叉(用於各別的複數反應器)之裝載叉組件可接著將基板移至反應器中，且升降銷可將基板從裝載叉移除。反應器接著在當升降銷降低時閉合。
在根據本發明之另一有利的實施態樣中，提供升降銷之安裝 配置，該配置以簡單、有效且不費時的方式輕易地移除和更換銷。因此，可定期維護及更換升降銷，以使玻璃破裂的風險最小化或降低，且因維修所導致之停機時間亦減少。
額外的特徵和優點將從本文的描述中變得顯而易見。
如將於本文之描述中顯而易見的，本發明包含數個有利的特徵。吾人應理解，系統之建造可能結合某些特徵而不是其他特微，且可實施各種變化和變更。本發明因此並不侷限於所描述之特定範例。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧電極
3‧‧‧電極
4‧‧‧基板
5‧‧‧氣體供應器
6‧‧‧排氣口
7‧‧‧連接件
8‧‧‧連接件
10‧‧‧外腔室
10'‧‧‧外腔室
11‧‧‧反應器
12‧‧‧反應器
13‧‧‧反應器體積
14‧‧‧反應器體積
15‧‧‧體積
16‧‧‧入口導管
17‧‧‧排氣導管
18‧‧‧排氣出口
19‧‧‧區域
20‧‧‧入口
30‧‧‧上部
30a‧‧‧頂部
30b‧‧‧側壁部
32‧‧‧電極
34‧‧‧下部電極
36‧‧‧基板
38‧‧‧裝載叉
40‧‧‧升降銷
42‧‧‧反應器門
50‧‧‧反應器之上部
50a‧‧‧頂部
50a'‧‧‧反應器之上部
50b‧‧‧懸掛式側壁
50c‧‧‧凸緣部
50d'‧‧‧凸緣
51‧‧‧上部電極
52‧‧‧導管
53‧‧‧區域
54‧‧‧電源導體
54a‧‧‧活節桿
54b‧‧‧活節桿
54c‧‧‧凸緣
60‧‧‧反應器之下部
61‧‧‧升降銷
61'‧‧‧升降銷
62‧‧‧下部電極
64‧‧‧排氣通道
65‧‧‧通道
70‧‧‧基板
71‧‧‧箭頭
100‧‧‧反應器
101‧‧‧反應器
102‧‧‧反應器
103‧‧‧反應器
110‧‧‧框架組件
111‧‧‧支台
112‧‧‧氣動或液壓致動器
120‧‧‧背面
122‧‧‧底板
124‧‧‧基板支撐表面
125‧‧‧升降銷
126‧‧‧鎖定組件
127‧‧‧孔
130‧‧‧槽
131‧‧‧突出部
131A‧‧‧緊固件
140‧‧‧第一孔部
141‧‧‧第二孔部
145‧‧‧套管或對準構件
146‧‧‧彈簧
147‧‧‧錐形表面
從本文之描述將使對於本發明之理解更為清楚，特別是當結合圖式一起說明時，其中：圖1為習知的PECVD配置之示意圖；圖2A和2B顯示根據本發明之位於開啟和閉合位置之反應器的範例；圖3A和3B顯示本發明之實施例的替代性範例位於閉合和開啟位置之情形；圖4示意性地表示根據本發明之一實施例的範例之氣體流動配置；圖5A和5B顯示根據本發明之反應器在閉合和開啟位置的層疊配置；圖6A-6C為透視圖，顯示根據本發明之用於升降銷的有利的可移動式安裝配置。
可從以下之詳細描述更深入地理解本發明，其中相似的參考數字係用於不同的圖示中之相同或相似的部件。吾人應理解，所顯示之實施例係作為範例而提供，因為如熟悉本領域之技術者將可理解，仍可能有各種變化。此外，雖然範例係以元素之結合而提供，吾人應理解，本發明可以此等元素之子集加以實施，且因此除非有加以說明，否則所顯示範例 之特徵不應被視為必需或必要。
圖2A和圖2B顯示本發明之第一範例，其中反應器之下部係相對於上部垂直地移動，以進行基板之插入和移除。在所繪示之範例中，提供下部電極34，且升降銷40係與其相連，從而使升降銷可延伸穿過該電極。當升降銷40升起時，它們將從基板36從裝載叉處舉起，使基板係容納在升降銷40上。移除裝載叉後，升降銷接著可縮回以將基板36放置在電極34上。反應器之上部30亦包含與其相連之電極32。在較佳形式中，上部電極32之形式為噴淋頭(參照圖3A和3B之範例於以下進一步討論)，以使處理氣體係經由電極32注入。此外，在所繪示之範例中，電極32為供電電極，而電極34為反電極或接地電極。然而吾人應理解，仍可能有施加電源之不同配置，例如，電源施加至下部電極或至兩個電極。反應器之上部30包含頂部30a和複數側壁部30b，當此等側壁部30b與具有下部電極34之反應器的下部結合在一起時，形成反應器箱。此外，可提供在開啟位置和閉合位置之間可移動的反應器門42(圖2B)。圖2A顯示在開啟位置中的配置，其中上部30係從下部34分開。應為顯而易見地，在此位置時，提供足夠的空間以利裝載叉38之插入，使裝載叉可將基板36放在升起的升降銷40上(或升降銷係提高以將基板從放置在反應器中之裝載叉處升起)。其後，上部30和下部34可結合在一起且升降銷可縮回以將基板36放置在下部電極34上。此外，反應器門42係閉合以從而形成封閉的反應器體積。在目前的較佳形式中，此配置係提供於箱中箱式系統中，將於下文一步討論此系統。然而，吾人應理解，本發明亦可用於其它類型的系統。從圖2B中應為顯而易見地，可藉由此配置實現很窄的極間間隙(IEG)。藉由例示而非限制的方式，根據本文所述實施例之較佳間隙尺寸，3-10毫米的IEG較佳。典型的基板厚度可約為0.1-4毫米。電漿間隙(PG)(從基板之頂部至上部電極的空間)可較佳地為2-8毫米，且更佳地為例如3-7毫米。吾人應理解亦可使用其他間隙尺寸。
雖然未顯示於圖2A和圖2B中，但提供了合適的電源連接和氣體供應和排氣設施，且此等特徵係結合以下所描述之額外範例進行詳細討論。藉由例示之方式，本文描述之配置可用於具有電容耦合電漿(CCP) 之電漿處理，其處理壓力為，例如，10-35毫巴。然而，吾人應理解，亦可使用其它處理壓力，包含低於10毫巴之壓力。
在上述配置中，反應器之下部移動。然而，亦能使上部和下部皆為可動。此外，如以下所討論的，根據另一較佳範例，當反應器之下部固定時，上部為可動的。為了提供移動，合適的耦接件(如桿或條)係連接至合適的致動器機構，例如氣動或液壓致動器、電動馬達、心軸/齒輪或齒條/小齒輪，或其他可用於開啟和閉合反應器的致動器。提供複數反應器時，單獨的致動器可用於每一個反應器。然而，根據一個特別較佳的形式，提供一個共同的致動器，使複數反應器之反應器部件可同時相對於彼此同時移動。此配置之範例係進一步討論於下。
圖3A和圖3B顯示本發明之一範例，其為可分離式腔室或反應器之形式。在該較佳形式中，反應器係為箱中箱式配置，或者，換言之，該反應器係在較大的真空腔室內。然而，本發明不需侷限於此配置。
根據圖3A和3B之配置，兩個可分離式反應器部件可分離以允許基板之裝載和卸載，且其後該等部件係被閉合，以形成窄的間隙反應器。根據一範例，部件可配置俾使該兩個部件包含第一超輕量上部件，該第一超輕量上部件僅具有所需設施用之連接部，較佳地為可彎曲及/或可連接連接部之形式，而第二不可移動式下部件具有與其相連之較重的組件。然而，本發明亦可用於當兩部件具有大約相同重量時，或甚至可移動部件較重時。
圖3A顯示用以進行處理之閉合位置的配置，而圖3B顯示在開啟位置的配置，其中升降銷提高以支托基板。在所繪示之配置中，反應器之上部50為可移動式，而在閉合位置中與上部靠合或接合之下部60為固定式。上部具有相對較輕量之組件，較佳地僅具有所需設施用之連接部與其耦接。此外，設施連接部可輕易地移動，以使此配置為輕量且易於移動。此亦有助於提供複數反應器用的共同致動器，如以下結合圖5A-B所討論。在此範例中之反應器的下部60係為固定。
用於裝載基板時，反應器之上部50係在升起位置，且升降銷61亦在升起位置。裝載叉係插入以將基板放置在升降銷61的上方。接著， 升降銷升高以將基板從裝載叉處移除，且裝載叉係移除。接著，升降銷降低以將基板放置在下部電極上。吾人應理解，可使用不同的移動組合以使基板由升降銷所接收。例如，做為升降銷將基板從裝載叉處升起之替代方式，裝載叉可降低以將基板放置在升起的升降銷上。目前較佳的作法是使用升降銷將基板從裝載叉處升起。如以下所討論，在一較佳形式中，複數反應器係以堆疊配置提供。在此情況下，裝載系統可具有複數裝載叉，以同時裝載複數基板至各別之複數反應器中。
如圖所示，上部電極51係與上部反應器箱50相連並與之移動。在所繪示之較佳實施例中，上部電極51為噴淋頭之形式，俾使處理氣體經由與上部電極結合之複數孔流出，如上部電極51下方的箭頭所示。提供一或更多氣體入口管或導管52以供應一或更多處理氣體。氣體入口管或導管52係較佳地為可彎曲，以方便反應器之上部50之移動。藉由例示的方式，空間53係提供於上部電極51之頂部和反應器箱之上部50的頂部內表面之間，此使壓力平衡以從而提供從噴淋頭電極51之更均勻的氣體流動。吾人應理解，當提供複數處理氣體時，該等氣體可在氣體入口管52之上游處混合，並經由單一氣體入口管52供應，或可替代地，氣體可經由複數氣體入口管52提供並在區域53內混合。吾人應理解，亦可使用替代性噴淋頭或氣體注入配置，但所繪示之配置仍是目前較佳的配置。
電源導體係提供於圖中之54處，使得上部電極在繪示之範例中為一供電電極。在較佳的形式中，該導體係為射頻/超高頻功率用。由於需要供應高頻功率，在繪示之配置中係顯示硬式或剛性導體54，且反應器箱上部50的移動係由如54a、54b處所示之一或更多活節桿所提供。可替代地，活節桿可以可彎曲或半可彎曲式連接件取代，如扁平帶狀或可彎曲式板狀連接件。應為顯而易見地，雖然氣體和電源用之連接件52，54係耦接至上部反應器箱，但氣體源和電源本身並沒有，且因此可位於一固定的位置，而無需隨著上部反應器箱移動。此使上部反應器箱50為輕量，使其移動更為理想，特別是當共同的致動器如以下所述地移動複數個反應器上部時。電源(未顯示)可連接至在一固定位置之凸緣54c，且在凸緣處電源係耦接至導體54，且上部反應器箱50之移動係由導體54之活節桿54a、 54b所提供。在所繪示之範例中，氣體供應源(未顯示)亦可在一固定的位置，且上部反應器箱之移動係由可彎曲管52之可彎曲性所提供。
上部反應器箱50包含頂部50a以及懸掛式側壁50b，懸掛式側壁形成封閉在閉合位置的反應器箱之側壁。此外，可提供凸緣部50c以確保與下部60之適當的密封。適當的密封件或互鎖作法可與凸緣50c及/或反應器箱60之下部相連，以確保在閉合位置時之良好的密封。然而，如以下所進一步討論，特別是當配置為箱中箱式系統時，無需要有完全氣密之密封，因為任何可從反應器中逸出進入外腔室的氣體可從包圍複數此等反應器之外腔室排出。50d顯示另一凸緣，且此凸緣提供反應器箱之上部至用以移動該反應器之上部50的致動器組件之耦接，如以下所討論。
下部組件包含升降銷61，升降銷延伸穿過下部電極62，以使在開啟位置時，升降銷可升高以支托基板70。
在所繪示的範例中，當下部電極62接地時，上部電極可供電，然而可提供可替換的配置，例如當上部電極接地時，下部電極係供電，或可替換地，可將電力提供給上部及下部電極兩者。
亦如圖中所示，提供排氣通道64以將氣體從反應器中排出，排氣通道64連接至位於排氣通道64下游之真空泵(圖中未顯示)。此外，一或更多溫度控制作法係與下部組件60相連。在所繪示的配置中，至少一通道係設置以提供溫度控制介質，例如液體冷卻劑之流動，如數字65處所示。亦可提供恆溫器和適當的控制器。流過通道65的溫度控制介質可用以加熱及/或冷卻。此外，作為一種替代方式，或結合冷卻介質使用時，可提供電加熱以供熱。當提供溫度控制介質和電加熱兩者時，電加熱可提供由通過通道65之冷卻介質所提供的溫度控制之調諧(例如，改善均勻性及/或更精確的控制)。然而，僅單獨使用液體轉移介質適合大部分或許多應用方式。
處理溫度可介於，例如，從50℃至300℃。取決於處理溫度，可利用各種溫度控制介質或流體。例如，水適用於低於100℃之處理，而水-乙二醇之混合物可用於高達約160℃之溫度。油可用於較高之溫度。由於反應器之底部60或下部62受溫度控制，但頂部則否，因此反應器之上部 50的溫度可能會振盪。反應器頂部之冷卻以及頂部溫度振盪之減緩，可藉由將反應器的底部熱耦接至放置在該反應器下方之另一反應器之相鄰頂部而提供，如現將參照圖4所討論。
圖4示意性地表示在箱中箱式配置中的氣體流動和氣體連接，根據本發明，在此配置中之複數反應器係彼此互相堆疊。由於圖4為示意圖，有關反應器的開啟和閉合係省略，但此配置可與如前所討論可移動式反應器部一起使用。此外，應理解氣體流動連接為示意性，因此，例如，當處理氣體入口係從顯示為進入反應器11、12的側壁之導管16所提供時，在實際的配置中，處理氣體可能通過該等反應器之頂部，並透過噴淋頭注入，如前所討論。亦如前所討論的，反應器11、12可被堆疊，並可提供於箱中箱式配置中，其中外腔室10圍繞反應器11、12。如圖所示，處理氣體係經由入口導管16供應至反應器，且氣體係經由排氣導管17排出。
如前所討論的，反應器11、12無需為完全氣密，因為任何可能從反應器逸出的氣體會進入腔室10的體積15。在較佳的配置中，腔室10的體積15之壓力可保持在與反應器體積13、14中的壓力相同，以使在該等體積之間的氣體交換最小化。合適的氣體可經由腔室10的入口20泵送，然而，作為一種替代方式，僅一個排氣泵可用於排氣出口18。藉由例示的方式，可在外腔室10中提供惰性氣體，或可替代地，亦可使用一或更多亦用以作為處理氣體的氣體。相較於體積15，可提供體積13、14單獨的泵送和壓力控制，或若期望的話，可使用共同的壓力控制或排氣泵。單獨的壓力控制系統為理想的，例如，以允許不同的操作，例如當未執行處理時，沖洗來自反應器11、12之電漿產物或污染物。因此，吾人應理解，可使用替代性的泵送配置，例如，其中一泵係用於反應器和外腔室兩者，單獨的數個泵用於外腔室和反應器，或一泵僅與反應器連接。
如先前連同圖3A和圖3B所討論，因為反應器腔室11，12各別的底部被冷卻，但頂部則否，因此頂部可能變得更熱，且其溫度可能在不同的處理週期間振盪。為了減緩溫度變化並提供反應器之上部的冷卻，上反應器11之底部可熱耦接至下反應器12之頂部。此可藉由，例如，將氣體注入在兩個反應器之間、由數字19所表示的區域中而達成。在該等 反應器之間的空間中的導熱性氣體促進該等反應器之間的熱耦接，且特別是介於一個反應器之底部或下部以及另一相鄰反應器之頂部或上部之間。藉由例示的方式，所注入的氣體可為氫，且較佳地為一種氣體，此氣體亦為沉積處理的成分。例如，可將壓力增加為大於5毫巴，且較佳地，大於10毫巴，以提供反應器之間的熱耦接。
圖5A和5B顯示先前參照圖3A和3B所討論之相互堆疊的類型之複數反應器的配置。在所繪示的配置中提供箱中箱式系統，其具有先前連同圖4所討論之外腔室10'。外腔室10'可被排氣，如由箭頭71所表示。在所繪示的範例中，提供4個反應器100-103，然而，吾人應理解，反應器的數目可以改變。此外，提供與反應器之每一者互連的共同桿或框架組件110，以使在反應器開啟和閉合時(如前面所討論的，反應器上部相對於下部之移動)，反應器之每一者可被一起開啟和閉合。框架110可由在112處所示意性表示的合適之氣動或液壓致動器所移動，或可替代地，可利用任何適當的致動器配置，例如電動馬達。
根據圖5A和5B之配置的可附加之有利特徵，用以在分開反應器部件之上部和下部的移動係亦用以移動升降銷。此可確保協調之移動且亦減少所需的致動器數目。如圖所示，在每個框架或致動器組件110之底部，板或支台111係提供以作為框架組件和最下方反應器103之升降銷之間的連接部。因此，在比較圖5A(閉合位置)和圖5B(開啟位置)時可看出，當框架110向上移動時，至致動器組件110之連接部111將升降銷61'向上移動。因此，用於升高上部腔室部件的相同移動亦提供升降銷61'之致動或升高。各別上部腔室部件的凸緣50d'亦連接至致動器框架110，以與致動器框架110一起移動。雖然連接部111係提供至最下部的反應器，根據本發明之附加的有利特徵中，用於最下部腔室(103)上方的腔室(100-102)之單獨的連接部111是不需要的，且反應器之頂部可提供連接以如圖所示地升高升降銷。因此，當反應器箱之上部升高時，其升高了放置在該反應該上方之反應器的升降銷。藉由例示的方式，作為替代作法，例如連接部111之可附加的連接部可提供以耦接框架110以及用於最下部的反應器上方的反應器(100-102)之升降銷61'，而不是將反應器的升降銷與其下的反應 器之頂部部分致動。在所繪示的範例中，如圖5A所示，連接部111和升降銷之底部之間有一間隙，另外在反應器100-102之頂部和該等反應器上方之升降銷之間亦有間隙。因此，有此配置後，反應器之上部50a'先移動，且接著開始升降銷之升高。可消除該間隙或間隙的大小可變化。其他配置亦可用於將升降銷連接至框架110，且若期望的話，升降銷之致動可與反應器之上部50a'的移動分開。
圖6A-6C顯示一有利的配置，用於安裝升降銷以使升降銷的拆卸和更換更加容易。該等圖式顯示反應器底板122的背面120之透視圖，在一較佳範例中，該底板的背面亦為反應器之下部電極。底板或電極122的相反側包含一表面124，該表面在處理期間提供基板的支撐。如圖所示，複數鎖定構件或鎖定組件126係提供以可釋放地將升降銷(以及相連的套管或對準構件，如下所述)握持在延伸穿過基板支架部122的孔127內。如箭頭130表示的，鎖定組件126可水平移動，以使他們能夠在鎖定位置和解鎖位置之間移動。
雖然在圖6A所示的範例中，鎖定構件或鎖定組件126係提供給升降銷之每一行，但吾人應理解亦可能有各種替代方案。例如，鎖定構件126可覆蓋複數行或甚至基板支架部的整個下表面。交替地，可提供鎖定構件至少於一整行，或若期望的話，甚至只至單一升降銷。在圖6A所示的例子中，一或更多槽130與鎖定組件126之每一者相連，如以下所進一步討論。
本發明的之特點係特別有利於大型基板之處理，例如，具有一平方公尺或更大尺寸的基板。因此，基板支撐表面124將具有一平方公尺或更大的表面積。應為顯而易見的，為確保此等基板之良好的支撐，可提供大量的升降銷。在所示的配置中，16個升降銷係提供至一個反應器。因此，在包含彼此互相堆疊的數個反應器之系統中，系統中之升降銷的總數可能會變得非常大。因此，有必要有效地移除並更換升降銷。雖然16個升降銷係顯示於圖6A中，但升降銷的數量可有所變化。
圖6B顯示升降銷125與在鎖定位置的鎖定組件126，而圖6C則顯示解鎖或釋放位置。緊固件或固定作法或突出部131係置於每個槽 130中。此外，在一較佳範例中，提供緊固件131A(圖6A)以將組件126握持在鎖定位置。當緊固件131A被移除時，槽130可沿著緊固件或突出部131移動，而槽130和緊固件131之間的相互作用提供鎖定和解鎖位置之間的引導移動。採用此配置，緊固件或突出部可為六角固定螺絲(allen screw)131，且緊固件131A可為，例如，螺釘或螺帽。在此配置中，緊固件131的鬆緊度保持相同(或換言之，其可為固定的)，且緊固件131A之移除釋放了組件126，以使組件可移動。作為緊固件131A之使用的替代方案，(或使用緊固件131A之增添)，緊固件131的鬆緊度可用以限制或允許組件126的移動。以此替代方式，當緊固件131被鎖緊時，組件126係維持在適當位置。然而，當緊固件鬆開時，組件可水平移動，而槽130則相對於緊固件131移動。可提供各種作法以使板或組件126可移動，以及將板維持在適當位置。可提供例如槓桿或閂扣釋放或其他適當的作法。
組件126更包含孔，其具有第一孔部140和第二孔部141，第二孔部接近且從該第一孔部140延伸。如圖所示，在鎖定位置(圖6B)時，第二孔部141與延伸穿過基板支架的孔127對準，而在解鎖位置(圖6C)時，第一孔部140與基板支架的孔127對準。
升降銷125係耦接至用以握持並對準升降銷的套管或對準構件145，以進行在伸出和縮回位置之間的移動。如前面所討論的，升降銷係升高以將基板從裝載叉處移除，並接著縮回以將基板放置在基板支架或下部電極122(也作為反應器之底板)上。如圖6C所示，套管145的外部尺寸(外徑)小於孔部140的尺寸(直徑)。因此，在解鎖位置(圖6C)時，套管145和相連的升降銷125可輕易地從基板支架上移除。相反地，當鎖定組件126在鎖定位置(圖6B)時，套管145和相連的升降銷係保持在基板支架或反應器底板之孔127中。在鎖定位置時，孔部141可如前面討論的，使升降銷可在升高位置和縮回位置之間移動，但是，套管和升降彈簧的位置係固定在基板支架的孔127內。
彈簧146可耦接至升降銷，以提供升降銷從升起至縮回位置的返回移動。
在解鎖位置(圖6C)時，孔部146亦可提供套管145及相 連之升降銷的輕易插入/對準，以插入新的或替換的銷和套管組件。如圖6C所示，套管145較佳地包含錐形表面147，以便於將套管放置在孔127內。雖然基板支架孔127從一個表面到另一表面完全延伸穿過基板支架，以使升降銷125可在縮回位置與伸出位置之間移動，但孔127不具有沿其長度之恆定截面，因而套管145可插入至孔127中的量有限。例如，孔146可具有套管145之錐形部147的相對應形狀的錐形部，從而限制了套管可插入至孔127的量。因此，當該套管插入孔127中且鎖定組件126係移動至鎖定位置時，套管係維持在正確的安裝位置。套管進而提供對準構件，以在處理期間適當地定位和對準升降銷。雖然顯示之套管具有圓形外輪廓且錐形部147係為錐形部的形式，吾人應理解亦可使用其他的形狀。
應為顯而易見地，本揭露之實施例的變化和修改皆為可能。吾人應理解，本發明可在本文所揭露之實施例中所說明者以外的其他的形式實施。
10'‧‧‧外腔室
50a'‧‧‧反應器之上部
50d'‧‧‧凸緣
61'‧‧‧升降銷
70‧‧‧基板
100‧‧‧反應器
101‧‧‧反應器
102‧‧‧反應器
103‧‧‧反應器
110‧‧‧框架組件
111‧‧‧支台
112‧‧‧氣動或液壓致動器

Claims (20)

  1. 一種基板處理系統，包含：外部真空腔室，包含：外部氣體入口；外部氣體排氣口；複數內部真空腔室，設置於該外部真空腔室中，其中該複數內部真空腔室係彼此相鄰地配置，該等內部真空腔室之每一者包含位於其中的處理體積，基板係於該處理體積中受處理，該等內部真空腔室之每一者更包含：下部，該下部包含排氣通道，以將處理氣體從該處理體積中排出；以及上部，其中一內部真空腔室之該上部係耦接至另一內部真空腔室之至少一上部，俾使複數上部可以協調的方式一起垂直移動，每個上部包含氣體入口，以將處理氣體供應至該內部真空腔室；其中該上部和下部提供該等內部真空腔室之該處理體積之外殼，並且其中每一內部真空腔室之該上部係相對於每一內部真空腔室之該下部可垂直移動介於開啟位置和閉合位置之間，且其中在該開啟位置時，複數基板係裝載至和卸離於該內部真空腔室，且在該閉合位置時，複數基板係在該內部真空腔室中進行處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，更包含致動器組件，其係連接至該複數內部真空腔室各別之上部，以使用相同的該致動器組件垂直移動該複數內部真空腔室之該等上部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，其中每一內部真空腔室之該下部包含下部電極，且其中每一內部真空腔室之該上部包含隨著該上部之移動而移動之上部電極。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理系統，其中在該閉合位置時，該上部電極和該下部電極之間的間隙係在3-10毫米的範圍內。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理系統，其中每一內部真空腔室之該下部包含一冷卻系統，且其中第一內部真空腔室之該下部係熱耦接至設置於該第一內部真空腔室下方的第二內部真空腔室之上部。
  6. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，其中每一內部真空腔室包含用於裝載和卸載基板之複數升降銷，且其中該等內部真空腔室之其中至少一者的升降銷係耦接至該致動器組件，以使該等升降銷在該等上部於該開啟位置和該閉合位置之間移動之至少一部分的移動期間，在升起和縮回位置之間移動，其中該等升降銷接收基板，且該等升降銷從該升起位置到該縮回位置之移動，在該等上部從該開啟位置到該閉合位置之移動期間，將該基板放置在該下部之基板支撐表面上。
  7. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，其中每一內部真空腔室包含用於裝載和卸載複數基板之複數升降銷，且其中第一內部真空腔室之複數升降銷係耦接至設置於該第一內部真空腔室下方的第二內部真空腔室之該上部，以使該第一內部真空腔室之該等升降銷在該第二內部真空腔室之該等上部於開啟位置和閉合位置之間移動之至少一部分的移動期間，在升起和縮回位置之間移動，其中該等升降銷接收基板，且該等升降銷從該升起位置到該縮回位置之移動，在該上部於該開啟位置和該閉合位置之移動期間，將該基板放置在該下部之基板支撐表面上。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該內部真空腔室為電漿沉積腔室，其中每一內部真空腔室之該上部包含頂部和從該頂部向下延伸之側壁，且其中該側壁為該內部真空腔室之側壁，且其中該下部為該真空腔室之底部，且進一步地其中在該閉合位置時，該頂部、該側壁和該底部圍起反應器體積，在其中基板係接受處理以沉積膜或層於設置於該下部上之基板上，且進一步地其中該下部係用以支撐具有一平方公尺或更大尺寸的基板。
  9. 一種基板處理系統，包含：複數真空腔室，彼此相鄰地設置，該等真空腔室包含：第一部，包含可耦接至射頻電源供應的第一電極；以及第二部，包含用以支撐其上的基板之第二電極；致動器組件，在單一移動中，以垂直的方向同時移動至少大多數該等真空腔室之複數第一部或複數第二部；氣體輸送系統，提供處理氣體至該等真空腔室之每一者；以及排氣系統，從該等真空腔室之每一者移除處理氣體；其中，該致動器組件提供每一真空腔室之該第一部和該第二部之間的相對垂直移動，以提供開啟位置和閉合位置，且其中在該開啟位置時複數基板係裝載至和卸載於該等真空腔室，且在該閉合位置時複數基板係在該等真空腔室中受處理。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中每一真空腔室包含可在升起位置和縮回位置之間移動的複數升降銷，且其中該等升降銷接收基板，且其中該等升降銷從該升起位置至該縮回位置的移動將基板放置在該第二電極上，且其中該致動器組件係用以在該第一部和該第二部從該開啟位置到該閉合位置之間的該相對垂直移動之至少一部份期間，將該等升降銷從該升起位置移動至該縮回位置。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理系統，其中：該致動器組件係用以將每一真空腔室的該第一部相對於該第二部移動；第一真空腔室之複數升降銷係藉由一連接件耦接至該致動器組件，以使該第一真空腔室之該等升降銷係隨著每一真空腔室之該第一部之升高而升高；且第二真空腔室係垂直設置於該第一真空腔室上方，且該第二真空腔室之複數升降銷係耦接至該第一真空腔室的該第一部，以使該第二真空腔室之該等升降銷藉由該致動器組件隨著該第一真空腔室之該第一部之升高而 升高。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中該等真空腔室為電漿沉積腔室，且其中在該閉合位置時，該第一電極和該第二電極之間的間隙係在3-10毫米的範圍內，且其中該第二電極係用以支撐具有一平方公尺或更大尺寸之基板。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理系統，更包含外腔室，其包圍該複數真空腔室，且其中該複數真空腔室之第一真空腔室包含冷卻系統，提供該第一真空腔室之該第二部的冷卻；且其中該複數真空腔室之第二真空腔室係垂直放置於該第一真空腔室下方，且其中該第二真空腔室之該第一部係熱耦接至該第一真空腔室之該第二部。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，更包含用於該外腔室之排氣出口。
  15. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，更包含外腔室，其包圍該複數真空腔室，且其中該複數真空腔室之第一真空腔室包含冷卻系統，提供該第一真空腔室之該第二部的冷卻；且其中該複數真空腔室之第二真空腔室係垂直放置於該第一真空腔室下方，且其中該第二真空腔室之該第一部係熱耦接至該第一真空腔室之該第二部。
  16. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中該等真空腔室為電漿沉積腔室，其中每一真空腔室之該第一部包含頂部和從該頂部向下延伸之側壁，且其中該側壁為該真空腔室之側壁，且其中該第二部為該真空腔室之底部，且進一步地其中在該閉合位置時，該頂部、該側壁和該底部圍起反應器體積，基板係於其中接受處理以沉積膜或層於該基板上，且其中每一 真空腔室之該第二部係用以支撐具有一平方公尺或更大尺寸之基板。
  17. 一種基板處理設備，包含：基板支架，包含其上支撐基板的第一表面，以及第二表面，位於相較於該第一表面，該基板支架之相對側上，其中該基板支架更包含至少一孔，從該第一表面延伸穿過至該第二表面；升降銷；對準構件，可移除地容納於該基板支架之該孔中，該對準構件將該升降銷對準並握持於其中，俾使該升降銷在升起位置和縮回位置之間在該基板支架之該孔中為可移動；以及鎖定組件，包含鎖定和解鎖位置，其中在該鎖定位置時，該鎖定組件將該對準構件握持在該基板支架的該孔中，且在該解鎖位置時，該鎖定組件釋放該對準構件，以使該對準構件和該升降銷可從該基板支架之該孔移除。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理設備，其中該設備為電漿沉積設備；其中該基板支架係為該電漿處理設備之下部電極；且其中該設備更包含上部電極。
  19. 如申請專利範圍第17項之基板處理設備，其中該鎖定組件包含可水平移動的構件，該構件包含：第一孔部；第二孔部，延伸自該第一孔部並與該第一孔部相鄰；其中在該解鎖位置時，該第一孔部係與該基板支架之該孔對準，以使該對準構件可經由該第一孔部從該基板支架之該孔移除；以及其中在該鎖定位置時，該第二孔部係與該基板支架之該孔對準，且其中該第二孔部係用以使該對準構件無法經由其中移除，以使當該鎖定組件位於該鎖定位置時，該對準構件係握持在該基板支架之該孔中。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理設備，其中該對準構件包含具有外表面之套管，該外表面係為錐形以便於插入至該基板支架的該孔中，且其中該套管具有一外套管尺寸，該外套管尺寸大於該第二孔部之尺寸，以使該套管無法經由其中移除，且進一步其中該外套管尺寸係小於該第一孔部之尺寸，以使當該鎖定組件在該解鎖位置時，該套管可經由該第一孔部從該基板支架的該孔中移除。
TW102121563A 2012-06-18 2013-06-18 具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統 TW201414871A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261660910P 2012-06-18 2012-06-18
US201261663122P 2012-06-22 2012-06-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201414871A true TW201414871A (zh) 2014-04-16

Family

ID=48783291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102121563A TW201414871A (zh) 2012-06-18 2013-06-18 具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20130333616A1 (zh)
AR (1) AR091480A1 (zh)
TW (1) TW201414871A (zh)
WO (1) WO2013190358A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI603371B (zh) * 2016-06-28 2017-10-21 吉佳藍科技股份有限公司 調節排氣通路之尺寸之電漿處理裝置
TWI732223B (zh) * 2019-05-30 2021-07-01 白俄羅斯商伊扎維克技術公司 用於電漿化學氣相沉積的製程反應器以及利用該反應器的真空裝置
TWI810320B (zh) * 2018-06-25 2023-08-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板支架以及電鍍裝置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10192770B2 (en) * 2014-10-03 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Spring-loaded pins for susceptor assembly and processing methods using same
KR101760316B1 (ko) * 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
US10770272B2 (en) * 2016-04-11 2020-09-08 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing
KR101800321B1 (ko) * 2016-04-18 2017-11-22 최상준 건식 에칭장치
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
WO2020243342A1 (en) 2019-05-29 2020-12-03 Lam Research Corporation High selectivity, low stress, and low hydrogen diamond-like carbon hardmasks by high power pulsed low frequency rf
CN113994456A (zh) * 2019-07-17 2022-01-28 应用材料公司 用于曝光后处理的方法及设备
JP7394554B2 (ja) * 2019-08-07 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR20230121962A (ko) * 2020-12-18 2023-08-22 램 리써치 코포레이션 넓은 갭 전극 간격을 갖는 저압 조건들에서 고 선택도, 저 응력 및 저 수소 탄소 하드 마스크들
USD980884S1 (en) 2021-03-02 2023-03-14 Applied Materials, Inc. Lift pin

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6296735B1 (en) * 1993-05-03 2001-10-02 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Plasma treatment apparatus and method for operation same
CH687986A5 (de) * 1993-05-03 1997-04-15 Balzers Hochvakuum Plasmabehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb.
US6228438B1 (en) 1999-08-10 2001-05-08 Unakis Balzers Aktiengesellschaft Plasma reactor for the treatment of large size substrates
US6852167B2 (en) * 2001-03-01 2005-02-08 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
CN100573803C (zh) * 2004-11-24 2009-12-23 Oc欧瑞康巴尔斯公司 用于非常大面积基片的真空处理室
WO2008108605A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-12 Sosul Co., Ltd. Elevator and apparatus and method for processing substrate using the same
US20090314211A1 (en) * 2008-06-24 2009-12-24 Applied Materials, Inc. Big foot lift pin

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI603371B (zh) * 2016-06-28 2017-10-21 吉佳藍科技股份有限公司 調節排氣通路之尺寸之電漿處理裝置
TWI810320B (zh) * 2018-06-25 2023-08-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板支架以及電鍍裝置
TWI732223B (zh) * 2019-05-30 2021-07-01 白俄羅斯商伊扎維克技術公司 用於電漿化學氣相沉積的製程反應器以及利用該反應器的真空裝置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013190358A3 (en) 2014-03-06
AR091480A1 (es) 2015-02-04
US20130333616A1 (en) 2013-12-19
WO2013190358A2 (en) 2013-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201414871A (zh) 具有可移動的腔室殼體部件之電漿處理系統
KR102423749B1 (ko) 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
US10190214B2 (en) Deposition apparatus and deposition system having the same
CN105970187B (zh) 多区反应器、包括该反应器的系统和使用该反应器的方法
US6176198B1 (en) Apparatus and method for depositing low K dielectric materials
US20090017637A1 (en) Method and apparatus for batch processing in a vertical reactor
WO2014003297A1 (ko) 기판 가열 장치 및 프로세스 챔버
US9328417B2 (en) System and method for thin film deposition
JP3217798B2 (ja) 化学蒸着プロセスのための多目的プロセス室
US20120009765A1 (en) Compartmentalized chamber
KR20170006214A (ko) 박막 증착 장치
KR100445392B1 (ko) 기판 지지 프레임
TW201603166A (zh) 製程腔體上游預烘烤基板的裝置及方法
KR20020006020A (ko) 원자 층 증착 공정을 위한 공정 스테이션
TW202336269A (zh) 用於原子層沉積之設備及方法
US20090071406A1 (en) Cooled backing plate
KR20170141747A (ko) 로드락 장치, 냉각 플레이트 조립체, 및 전자 디바이스 프로세싱 시스템들 및 방법들
KR20080068589A (ko) 하나의 챔버 및 복수의 튜브를 가지는 고효율 수직로 장치
JP2012023073A (ja) 基板処理装置および基板の製造方法
KR101625478B1 (ko) 수직 적층식 히터를 구비한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
TW201335418A (zh) Ｍｏｃｖｄ反應器用淋灑頭、ｍｏｃｖｄ反應器、ｍｏｃｖｄ裝置、以及潔淨方法
JP2004063661A (ja) 半導体製造装置
KR101297344B1 (ko) 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치의 가스공급유닛
KR101310763B1 (ko) 화학기상증착장치
KR101364196B1 (ko) 배치식 원자층 증착장치 및 이를 포함하는 클러스터형 원자층 증착장치