TWI802027B - 半導體製造廠房中的外氣處理裝置及使用該裝置淨化空氣的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例揭露一種半導體製造廠房。該半導體製造廠房包含一周圍控制環境及經組態以將清潔空氣供應至該周圍控制環境之一外氣處理裝置。該外氣處理裝置包含具有一進氣口及一排氣口之一外殼。該外氣處理裝置亦包含經定位於該外殼中之一第一過濾模組。該第一過濾模組包含經組態以引導空氣自該進氣口流動至該排氣口之若干中空纖維。一多孔層經形成於該等中空纖維之各者之一內壁處以過濾具有一選定大小之空浮分子污染(AMC)。

Description

半導體製造廠房中的外氣處理裝置及使用該裝置淨化空氣的方法
本發明實施例係有關半導體製造廠房中的外氣處理裝置及使用該裝置淨化空氣的方法。
一般而言，用於在矽晶圓基板上製造積體電路之程序通常涉及：使用氧化或各種化學氣相沉積程序之任何者將一薄介電或導電膜沉積於晶圓上；藉由光微影使一電路圖案形成於一層光阻材料上；將對應於電路圖案之一光阻遮罩層放置於晶圓上；蝕刻晶圓上導電層中之電路圖案；及自晶圓剝離光阻遮罩層。此等步驟(包含光阻剝離步驟)之各者提供有機、金屬及其他潛在電路污染顆粒累積於晶圓表面上之大量機會。
在半導體製造業中，隨著晶圓上之積體電路器件之大小減小，最小化半導體晶圓上之顆粒污染變得越來越重要。隨著器件大小減小，污染物比過去含有較大器件之晶圓佔據晶圓上電路元件之可用空間之一相對更大百分比。再者，積體電路中存在顆粒損及成品電子產品中器件之功能完整性。
因此，期望提供一種用於控制一半導體製造廠房中之一周圍環境之外氣處理裝置。
本發明的一實施例係關於一種半導體製造廠房(FAB)，其包括：一周圍控制環境；及一外氣處理裝置，其經組態以將清潔空氣自該半導體製造廠房之一外部供應至該周圍控制環境，其中該外氣處理裝置包括：一外殼，其具有一進氣口及一排氣口；及一第一過濾模組，其定位於該外殼中且包括經組態以引導空氣自該進氣口流動至該排氣口之複數個中空纖維，其中一多孔層形成於該等中空纖維之各者之一內壁處。
本發明的一實施例係關於一種過濾模組，其包括：一罩殼，其具有一主軸且包括定位於該主軸之兩側處之兩個對置側壁；及複數個過濾板，其等定位於該罩殼中且各連接於該兩個對置側壁之間，其中該等過濾板之各者包括：複數個中空纖維，其等配置成一矩陣且各包括一管狀體及形成於該管狀體之一內壁上之一多孔層，其中該多孔層經組態以移除具有小於5之碳原子數之物質；及一接合材料，其連接於該等管狀體之間用於接合該等中空纖維。
本發明的一實施例係關於一種用於淨化一半導體製造廠房中之空氣之方法，其包括：透過一進氣口將空氣自該半導體製造廠房之一外部收集至一外氣處理裝置之一外殼；引導來自該進氣口之該空氣流動通過定位於該外殼中之複數個中空纖維以由形成於該等中空纖維之各者之一內壁處之一多孔層捕集物質；及在該空氣通過該等中空纖維之後，透過該外殼之一排氣口將該空氣導引至該半導體製造廠房之一周圍控制環境。
以下揭露提供用於實施所提供之標的之不同特徵之諸多不同實施例或實例。下文將描述元件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且不意在限制。例如，在以下描述中，「使一第一構件形成於一第二構件上方或一第二構件上」可包含其中形成直接接觸之該第一構件及該第二構件之實施例，且亦可包含其中可形成介於該第一構件與該第二構件之間的額外構件使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係為了簡化及清楚且其本身不指示所討論之各種實施例及/或組態之間的一關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方(above)」、「上方(over)」、「上」、「在…上」及其類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中所繪示。空間相對術語除涵蓋圖中所描繪之定向之外，亦意欲涵蓋器件在使用或操作中之不同定向。設備可依其他方式定向(旋轉90度或依其他定向)且亦可因此解譯本文所使用之空間相對描述詞。
如本文所使用，諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，此等元件、組件、區域、層及/或區段不應受限於此等術語。此等術語可僅用於使元件、組件、區域、層或區段彼此區分。除非內文明確指示，否則本文所使用之諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語不隱含一序列或順序。
如本文所使用，術語「近似」、「實質上」、「實質」及「約」用於描述及解釋小變動。當結合一事件或情境使用時，術語可係指其中事件或情境精確發生之例項及其中事件或情境非常近似發生之例項。
根據本揭露之一些實施例，提供一外氣處理裝置來清潔外部空氣用於一半導體製造廠房(FAB)中之整個周圍控制環境中之空氣之後續分配。周圍控制環境(亦稱為無塵室)係實施半導體製造之位置。藉由使用室外外氣處理裝置，本揭露之無塵室與外部環境隔離且經受對污染物(包含空浮顆粒、空浮分子污染(AMC，包含違禁有機化合物，諸如異丙醇(IPA)/丙酮)、金屬及靜電放電(ESD))及對環境參數(諸如溫度、相對濕度、氧氣及振動)之嚴格控制。外氣處理裝置利用包含具有多孔層之至少一中空纖維之至少一過濾模組來強力捕獲預選大小之無用物質以防止半導體產品受到污染。
請參考圖1，其展示根據本揭露之一些實施例之一外氣處理裝置1之一示意圖。根據一些實施例，外氣處理裝置係一外氣裝置(MAU)，且外氣處理裝置1用於在空氣3由系統10收集時淨化空氣3且將淨化空氣5供應至一半導體製造廠房無塵室(圖中未展示)中之一周圍控制環境中。在一些實施例中，外氣處理裝置1亦用於淨化由一回風系統(圖中未展示)產生之一氣流中之內部顆粒(其產生於無塵室內)。外氣處理裝置1之元件可定位於其中發生半導體產品之製造之一無塵室之一天花板(圖中未展示)上方。透過天花板中之開口，空氣在一連續層流路徑中自外氣處理裝置1向下吸入通過無塵室且透過地板上之開口進入回風系統。
在本揭露之一例示性實施例中，外氣處理裝置1包含一外殼10、一預濾器13、一介質過濾器14、一活性顆粒移除模組15、一風扇16、一擴散格網17及若干過濾模組20、50、60、70及80。
外殼10具有一長形形狀且在一延伸方向D上延伸。外殼10具有一進氣口11及一排氣口12。進氣口11及排氣口12可在延伸方向D上形成於外殼10之兩個對置端處。預濾器13通常在外殼10中設置成鄰近於進氣口11，且介質過濾器14設置於預濾器13之下游。預濾器13及介質過濾器14用於在外氣處理裝置1中執行一第一級過濾以自空氣3移除大於一選定大小之顆粒。
活性顆粒移除模組15設置於介質過濾器14之下游。在一些實施例中，濕度及溫度控制模組15包含依序配置之一加熱旋管151、一第一冷卻構件152、一顆粒移除機構153、一第二冷卻構件154、一再加熱構件155。加熱旋管151及第一冷卻構件152經組態以在氣流進入顆粒移除機構153之前控制其溫度。濕度控制機構153經組態以在氣流上施加水噴霧以移除氣流中之可溶性顆粒且將廢液排出至外殼10外部。第二冷卻構件154及再加熱構件155經組態以在氣流通過顆粒移除機構153之後將其溫度控制至無塵室中所要之一溫度。
風扇16設置於活性顆粒移除模組15之下游。風扇16經組態以將外部空氣3吸入進氣口11中且接著依序通過預濾器13、介質過濾器14、活性顆粒移除模組15、擴散格網17及過濾模組20、50、60、70及80，且最終由排氣口12排出淨化空氣。擴散格網17設置於風扇16之下游。擴散格網17經組態以將來自風扇16之空氣均勻供應至緊鄰於擴散格網17之第一過濾模組20。擴散格網17可經構造以將一氣流之層流變換成氣流之紊流。例如，具有三角形剖面之多個突起形成於擴散格網17之一通道中。將參考圖6至圖8中所展示之實施例來描述氣流之紊流移動之功能。
過濾模組20、50、60、70及80係依序設置於擴散格網17之下游。在一些實施例中，過濾模組20、50、60、70及80之各者經組態以在外殼10中分離來自氣流的不同物質。根據本揭露，過濾模組20經組態以過濾具有碳原子數小於5的物質，諸如甲烷、甲醇(MeOH)、異丙醇(IPA)、丙酮、正丁烷、n-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、丙二醇甲醚(PGME)、乙酸乙酯。過濾模組50經組態以過濾諸如二甲硫醚(DMS)之物質，過濾模組60經組態以過濾諸如NH 3之物質，包含基於活性炭之過濾器的過濾模組70經組態以過濾諸如包含碳原子數大於或等於5之總有機碳(TOC)的物質，過濾模組80包含一高效率微粒空氣(HEPA)過濾器且經組態以自流動通過其之空氣移除約99.97%的空浮顆粒。
應瞭解，本揭露不受限於過濾模組之特定順序，過濾模組之配置可經變動以達成一較高過濾效率。此外，可省略過濾模組之一或多者，或增加其數量。在其中具有相同功能之過濾模組的數量大於2的情況中，此等過濾模組可係依序配置或單獨配置，即，具有不同功能之一或多個過濾模組被定位於其等之間。為了說明，在下文描述中，過濾模組20亦指稱第一過濾模組，且過濾模組70亦指稱第二過濾模組。
圖2係根據本揭露之一些實施例之第一過濾模組20之一示意圖，且圖3係沿圖2中之線A-A取得之第一過濾模組20之部分元件之一剖面圖。在一些實施例中，第一過濾模組20包括一罩殼21及經定位於罩殼21中之一過濾構件30。罩殼21包含兩個側壁22及23及一前框架24。側壁22及23面向彼此且位於通過罩殼21之一中心之一主軸210之兩側處。在一些實施例中，側壁22平行於側壁23，且主軸210平行於外殼10之延伸方向D (圖1)。因此，側壁22及23平行於外殼10之延伸方向D。
前框架24具有一矩形形狀且界定用於吸入自風扇16供應之氣流之一開口240。前框架24具有經連接至側壁22及23之前邊緣的兩個對置側部分242及243。罩殼21之其他兩側對應於未經連接至側壁且經暴露於外殼10 (圖1)之內部之前框架24的兩個側部分241及244。罩殼21之後側(與其中放置前框架24之頂側對置)亦係暴露於外殼10 (圖1)之內部。
過濾構件30經組態以在氣流通過第一過濾模組20時過濾氣流中之殘留物或物質。在一些實施例中，如圖3中所展示，過濾構件30定位於罩殼21中且包含若干過濾板，諸如過濾板31至38。過濾板31至38定位於罩殼21之側壁22與23之間。過濾板31及38分別緊鄰於前框架24之側部分241及244。剩餘過濾板32至37依序配置於過濾板31與38之間。在本例示性實施例中，過濾板31及38垂直於側壁23之前邊緣231及後邊緣232，且過濾板32至37相對於側壁23之前邊緣231傾斜。然而，應瞭解，可對本揭露之實施例進行諸多變動及修改。在一些其他實施例中，過濾板31及38相對於側壁23之前邊緣231傾斜。因此，四對過濾板配置於罩殼21中，且如沿垂直於側壁23之一方向所觀察，過濾板形成具有相同夾角之若干V形剖面。
在一些實施例中，過濾板31至38之前端及後端覆蓋有一夾具元件，諸如夾具元件25、26及27。夾具元件25，26及27不僅經組態以增強過濾板31至38之各者之結構強度，且亦促進彼此相鄰定位之過濾板31及38之兩者連接。夾具元件可包含若干金屬片。
在一些實施例中，如圖3中所展示，過濾板31至38之各者包含配置於一平面中之若干中空纖維40。中空纖維40在各自過濾板31至38之一厚度方向上延伸一長度。因此，各自過濾板31至38中之中空纖維40垂直於各自過濾板延伸於其中之一平面。過濾板31至38之各者中之中空纖維40由一接合材料39 (諸如由丙烯酸聚合物、(若干)表面活性劑及其他添加劑之一混合物組成之乳膠黏著劑)接合。在其中過濾板(諸如過濾板32至37)相對於側壁23之前邊緣231傾斜定位之情況中，此等過濾板31至38中之中空纖維40之一縱向方向相對於罩殼21之主軸201傾斜且相對於外殼10之延伸方向D (圖1)傾斜。
下文將詳細描述根據本揭露之一例示性實施例之中空纖維40之結構特徵。如圖4中所展示，中空纖維40之各者經形成有一管狀形狀，其具有在一圓柱體之一縱軸上延伸之一氣體通道400。相同過濾板中之中空纖維40可配置成一矩陣且透過接合材料39接合在一起。在一些實施例中，為增加過濾板之每單位面積之氣體通道400之數目，配置於一列中之中空纖維40自配置於另一相鄰列中之中空纖維40偏移。例如，如圖4中所展示，中空纖維40配置於一第一列R1、一第二列R2及一第三列R3中。配置於第一列R1中之中空纖維40自配置於第二列R2中之中空纖維40偏移，且配置於第二列R2中之中空纖維40自配置於第三列R3中之中空纖維40偏移。第二列R2中之中空纖維40之各者之中心可與其中第一列R1或第三列R3中之兩個相鄰中空纖維彼此接觸之一點對準。中空纖維40之內徑可為約0.1 mm至約10 mm，且兩個中空纖維40之中心之間的一距離可為約0.5 mm至約2.5 mm。過濾板32至38中之中空纖維40可具有類似於過濾板31中之中空纖維之組態，且為簡潔起見，省略其細節。
圖5係根據本揭露之一些實施例之一中空纖維40之一剖面圖。在一些實施例中，中空纖維40之各者包含其中形成一氣體通道400之一管狀體41。氣體通道400具有形成於中空纖維40之兩端處用於引導氣流通過中空纖維40之兩個開口。在一些實施例中，管狀體41由選自由以下組成之群組之聚合物製成：聚醚碸(PESF)、聚碸(PSF)、聚苯碸(PPSU)、聚偏二氟乙烯(PVDF)，聚丙烯腈、聚醯亞胺(PI)、醋酸纖維素、二醋酸纖維素、聚醚醯亞胺、聚乳酸、聚醯胺、聚乙酸乙烯酯、聚乙醇酸、聚乳酸-甘醇酸、乙烯-乙烯醇(EVOH)、聚己內酯、聚乙烯吡咯啶酮、醋酸纖維素(CA)及聚二甲基矽氧烷、聚四氟乙烯。
中空纖維40進一步包含形成於界定於管狀體41之氣體通道400中之一內壁處之一多孔層42。多孔層42可包含藉由以一適當比率混合及加熱包含鋁酸鹽(例如NaAlO 2、Al 2O 3等等)、含矽化合物(Na 2SiO 3、SiO 2等等)及鹼(如氫氧化鈉、氫氧化鉀等等)之原料以形成沸石來形成之一分子篩。在形成多孔層42之後，如圖6中所展示，多孔層42之晶格結構43具有形成於其中之若干孔隙44。晶格結構43可包含多個堆疊層45，其等之各者包含材料之一晶格。在一例示性實施例中，多孔層42由具有3/4CaO·1/4Na 2O·Al 2O 3·2SiO 2·9/2H 2O之一化學式之沸石形成，其具有自約5埃至約6埃之範圍內之一平均孔徑。替代地，多孔層42由具有Na 2O·Al 2O 3·2SiO 2·9/2H 2O之一化學式之沸石形成，其具有自約4埃之範圍內之一平均孔徑。
在一些其他實施例中，管狀體41及多孔層42之各者包含由矽酸鋁(Al 2O 3·SiO 2)製成之纖維。管狀體41及多孔層42中之纖維具有相同直徑，但管狀體41比多孔層42更緻密。例如，管狀體41中纖維分佈之密度與多孔層42中纖維分佈之密度相差兩個數量級，即，約數百倍。
圖7係根據一些實施例之淨化一半導體製造廠房中之空氣之一方法90之一簡化流程圖。為了說明，將結合圖1至圖6中所展示之圖式描述流程圖。在不同實施例中，可替換或消除一些描述階段。
方法90包含操作91，其中透過進氣口11將空氣自半導體製造廠房之一外部收集至空氣淨化系統1之外殼10。在一些實施例中，風扇16透過進氣口11將半導體製造廠房外部之空氣吸入至外殼10中，此後，空氣首先流動通過預濾器13及介質過濾器14且接著通過冷卻旋管152。預濾器13及介質過濾器14自空氣移除大於一選定大小之顆粒。隨著空氣通過冷卻旋管152，其冷卻至等於或低於露點之一溫度。同時，空氣使用由顆粒移除機構153產生之水噴霧液滴沖洗。此等水噴霧液滴結合至流動空氣中之空浮顆粒且最終由重力下拉至經週期性排空以自其移除所收集顆粒之一排洩阱(圖中未展示)。
在一些實施例中，在通過顆粒移除機構153之後，空氣去除在空氣進入至外殼10之進氣口11中之後存在於其中之所有或實質上大量空浮顆粒。接著，空氣流動通過再加熱構件155，其將空氣之溫度升高至約室溫。
方法90亦包含操作92，其中引導來自進氣口11之空氣流動通過定位於外殼10中之中空纖維40以由形成於中空纖維40之各者之內壁411處之多孔層42捕獲物質。在一些實施例中，在離開外殼10之排氣口12之前，引導空氣通過過濾模組20、50、60、70及80以移除留在空氣中之任何化學殘留物。當空氣流入至第一過濾模組20中時，空氣進入過濾模組20之開口240且接著依序通過過濾板31至38中之中空纖維40。
如圖6中所展示，當空氣遷移通過中空纖維40之多孔層42時，具有類似於多孔層42中之孔徑之大小之分子進入多孔層42且被吸附，而具有更大分子之物質無法進入多孔層42或由多孔層42吸附。眾所周知，碳原子數可被視為分子之大小。因此，在其中多孔層42之孔徑在自約5埃至約6埃之範圍內之情況中，具有一相對較小大小之物質(例如具有小於5之碳原子數之物質)由多孔層42捕獲。物質可包含(例如)甲烷、甲醇(MeOH)、異丙醇(IPA)、丙酮、正丁烷、n-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、丙二醇甲醚(PGME)及乙酸乙酯。
在一些實施例中，如圖8中所展示，由於過濾板31及38垂直於側壁23之前邊緣231且由於過濾板32至37相對於側壁23之前邊緣231傾斜，因此當空氣3通過過濾板31至38時，空氣之流動方向變成相對於罩殼21之主軸210傾斜或垂直。因此，氣流之流速減慢，且空氣通過中空纖維40之一時間週期增加，藉此提高過濾效率。
在一些實施例中，第一過濾模組20緊鄰於擴散格網17定位。因此，在空氣進入第一過濾模組20之前，產生氣流之一紊流移動，其可進一步增加空氣通過中空纖維40之時間週期。另外，紊流亦可引起氣流通過氣體通道400中多孔層42之不同區域，其可有利地延長過濾模組20之壽命且因此降低維護外氣處理裝置1之成本。
方法90進一步包含操作93，在空氣通過過濾模組20、50、60、70及80之後，透過外殼10之排氣口12將空氣導引至半導體製造廠房之一周圍控制環境。在一些實施例中，過濾模組20、50、60、70及80自空氣移除大於一選定大小之任何殘留顆粒。因此，空氣作為滿足或超過無塵室之空氣潔淨度標準之淨化空氣5自外殼10之排氣口12排出。例如，先進程序中之一些敏感程序區中之空浮分子污染(AMC)規格、外氣中之TOC濃度不超過10 ug/Nm 3。最後，淨化空氣5自外殼10之排氣口12排出且透過一適合空氣分配系統(圖中未展示)進入設施之無塵室。
圖9展示具有不同過濾介質之一過濾模組之過濾效率，其中C0係過濾模組之一進口處丙酮之一濃度且C係過濾模組之一出口處丙酮之一濃度。吾人已發現，包含中空纖維之過濾模組(諸如圖2中所展示之過濾模組20)在時間t之前展現一良好過濾效率，而包含低級活性炭或高級活性炭之過濾模組在時間t之前失效，因為量測之一比率C/C 0超過一工廠設定限值。因此，預期過濾模組20之過濾器替換頻率比包含低級活性炭或高級活性炭之過濾模組長。根據一實驗結果，當空氣流量係約3,333 m 3/h，中空纖維型過濾器之保持時間在75%丙酮移除效率下係低級活性炭過濾器之9.28倍，且中空纖維型過濾器具有低級活性炭過濾器10.55倍之一平衡吸附能力。
在一些實施例中，外氣處理裝置1同時利用中空纖維及高級活性炭以在外氣處理裝置1中之一空氣流動路徑中之兩個位置處消除具有不同大小之含碳顆粒。例如，如圖1中所展示，外氣處理裝置1在第一過濾模組20中利用中空纖維且亦在第二過濾模組70中利用高級活性炭。第一過濾模組20設置於第二過濾模組70之上游。第一過濾模組20經組態以過濾具有小於5之碳原子數之物質，且第二過濾模組70經組態以過濾具有等於或大於5之碳原子數之物質。
應瞭解，儘管包含中空纖維之過濾模組被設置於包含高級活性炭之過濾模組的上游，但此等兩個過濾模組的位置可被交換。在此情況中，由於高級活性炭過濾器具有自約100埃至約400埃之範圍內的孔徑，因此具有較小大小(C＜5)之AMC (諸如異丙酮(IPA)/丙酮)可由高級活性炭捕獲。在一些實施例中，歸因於一取代效應，在使用高級活性炭過濾器一段時間之後，可自此過濾器釋放小分子。然而，自高級活性炭過濾器釋放之此等小分子可由位於下游之中空纖維過濾器緊密捕獲。
在一些實施例中，方法90可進一步包含對中空纖維執行一再生程序以維持中空纖維之吸附性質。再生程序可包含(例如)在一烘箱中或使用加熱器，透過中空纖維施加一加熱氣流。由於包含中空纖維之過濾模組可再生，因此可歸因於減少固體廢料而避免一環境影響。
包含中空纖維之過濾模組的組態不應受限於上述實施例。下文將描述中空纖維過濾模組的一些例示性實施例。
圖10係根據本揭露之一些實施例之一過濾模組之一過濾板31a之一剖面圖。在一些實施例中，過濾板31a包含經配置成一矩陣且透過接合材料39a接合在一起的若干中空纖維40a。中空纖維40a之各者具有多個氣體通道400a，例如7個氣體通道。在一些實施例中，中空纖維40a具有一圓柱形形狀，且整體係由多孔材料(諸如矽酸鋁、沸石或其類似者)製成，其具有自約5埃至約6埃之範圍內之一平均孔徑。在一例示性實施例中，沸石具有3/4CaO·1/4Na 2O·Al 2O 3·2SiO 2·9/2H 2O之一化學式。因此，氣體通道400a中之中空纖維40a之內壁的各者經形成有一多孔層。當空氣遷移通過氣體通道400a時，具有碳原子數小於5的物質係由多孔層捕獲。圖10中所展示之多通道型中空纖維可藉由增加空氣通過中空纖維40a之一時間週期來提高過濾效率。
圖11展示包含若干過濾板31b、32b及33b之一過濾構件30b之一實施例。過濾板31b、32b及33b之各者包含若干中空纖維，如圖4中所展示之過濾板31中之中空纖維或如圖10中所展示之過濾板31a中之中空纖維。過濾板31b、32b及33b垂直於當空氣3進入過濾構件30b時之一氣流方向延伸。在操作中，空氣3依序由過濾板31b、32b及33b過濾。
在一些實施例中，各自過濾板31b、32b及33b中之多孔層具有一均勻孔徑，但具有不同於過濾板31b、32b及33b之另一者之孔徑之一孔徑。例如，過濾板31a包含具有一第一孔徑之多孔層，過濾板31b包含具有一第二孔徑之多孔層，且過濾板31c包含具有一第三孔徑之多孔層。第一孔徑小於第二孔徑，且第二孔徑小於第三孔徑。
圖12展示包含若干過濾板31c、32c、33c及34c之一過濾構件30c之一實施例，過濾板31c、32c、33c及34c各包含若干中空纖維，如圖4中所展示之過濾板31中之中空纖維或如圖10中所展示之過濾板31a中之中空纖維。在一些實施例中，過濾構件30c定位於罩殼21中，如圖2及圖3中所展示，且如沿垂直於側壁23之一方向所觀察，各對過濾板31c、32c及過濾板33c及34c具有含相同夾角之一V形剖面。
圖13展示包含若干過濾板31d、32d、33d、34d、35d、36d、37d之一過濾構件30d之一實施例，過濾板31d、32d、33d、34d、35d、36d、37d各包含若干中空纖維，如圖4中所展示之過濾板31中之中空纖維或如圖10中所展示之過濾板31a中之中空纖維。在一些實施例中，過濾構件30d定位於罩殼21中，如圖2及圖3所展示，且如沿垂直於側壁23之一方向所觀察，過濾板31d、32d、33d及過濾板35d、36d、37d形成一U形剖面，且過濾板34d連接於過濾板33d與過濾板35d之間。
圖14展示包含若干過濾板31e、32e及33e之一過濾構件30e之一實施例，過濾板31e、32e及33e各包含若干中空纖維，如圖4中所展示之過濾板31中之中空纖維或如圖10中所展示之過濾板31a中之中空纖維。在一些實施例中，過濾構件30e定位於罩殼21中，如圖2及圖3中所展示，且如沿垂直於側壁23之一方向所觀察，過濾板31e、32e及33e形成一弧形剖面。隨著空氣3進入過濾構件30e，過濾板32e可垂直於一氣流方向定位，且過濾板31e及33e連接至過濾板32e之兩端且遠離過濾板32e向外延伸。
圖15展示包含複數個過濾板31f、32f、33f及34f之一過濾構件30f之一實施例，複數個過濾板31f、32f、33f及34f各包含若干中空纖維，如圖4中所展示之過濾板31中之中空纖維或如圖10中所展示之過濾板31a中之中空纖維。另外，過濾構件30f進一步包含若干導流構件281f、282f、283f、284f及285f。隨著空氣3進入過濾構件30f，過濾板31f、32f、33f及34f可平行於一氣流方向定位，且氣流構件281f、282f、283f、284f及285f界定過濾構件30f中之若干通路以引導空氣通過過濾板31f、32f、33f及34f。
本揭露之實施例提供用於淨化一半導體製造廠房中之空氣之一方法及一系統。外氣處理裝置包含若干中空纖維，其包含一多孔層作為吸附劑以移除具有小於5之碳原子數之空浮分子污染。由於多孔層之孔徑係根據待移除之分子之大小來有意選擇，因此分子可由中空纖維強力捕獲。因此，可減輕或避免關於半導體製造廠房中之半導體晶圓會由空浮分子污染之擔憂，且因此可提高半導體晶圓之產品良率。
根據本揭露之一實施例，提供一種半導體製造廠房。該半導體製造廠房包含一周圍控制環境及一外氣處理裝置。該外氣處理裝置經組態以將清潔空氣自該半導體製造廠房之一外部供應至該周圍控制環境。該外氣處理裝置包含具有一進氣口及一排氣口之一外殼。該外氣處理裝置進一步包含定位於該外殼中之第一過濾模組。該第一過濾模組包含經組態以引導空氣自該進氣口流動至該排氣口之若干中空纖維。另外，一多孔層形成於該等中空纖維之各者之一內壁處。
根據本揭露之另一實施例，提供一種過濾模組。該過濾模組包含一罩殼及若干過濾板。該罩殼具有一主軸且包括定位於該主軸之兩側處之兩個對置側壁。該等過濾板定位於該罩殼中且各連接於該兩個對置側壁之間。該等過濾板包含配置成一矩陣之若干中空纖維。該等中空纖維之各者包含一管狀體及形成於該管狀體之一內壁上之一多孔層。該多孔層經組態以移除具有小於5之碳原子數之物質。另外，該等過濾板包含連接於該等管狀體之間用於接合該等中空纖維之一接合材料。
根據本揭露之又一實施例，提供一種用於淨化一半導體製造廠房中之空氣之方法。該方法包含透過一進氣口將空氣自該半導體製造廠房之一外部收集至一外氣處理裝置之一外殼。該方法亦包含引導來自該進氣口之該空氣流動通過定位於該外殼中之複數個中空纖維以由形成於該等中空纖維之各者之一內壁處之一多孔層捕集物質。該方法進一步包含在該空氣通過該等中空纖維之後透過該外殼之一排氣口將該空氣導引至該半導體製造廠房之一周圍控制環境。
上文已概述若干實施例之結構，使得熟習技術者可較佳理解本揭露之態樣。熟習技術者應瞭解，其可易於使用本揭露作為設計或修改用於實施相同目的及/或達成本文所引入之實施例之相同優點之其他程式及結構之一基礎。熟習技術者亦應認識到，此等等效構造不應背離本揭露之精神及範疇，且其可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下對本文作出各種改變、取代及更改。
1:外氣處理裝置/空氣淨化系統 3:空氣 5:淨化空氣 10:系統/外殼 11:進氣口 12:排氣口 13:預濾器 14:介質過濾器 15:活性顆粒移除模組/濕度及溫度控制模組 16:風扇 17:擴散格網 20:過濾模組 21:罩殼 22:側壁 23:側壁 24:前框架 25:夾具元件 26:夾具元件 27:夾具元件 30:過濾構件 30b:過濾構件 30c:過濾構件 30d:過濾構件 30e:過濾構件 30f:過濾構件 31至38:過濾板 31a:過濾板 31b:過濾板 31c:過濾板 31d:過濾板 31e:過濾板 31f:過濾板 32b:過濾板 32c:過濾板 32d:過濾板 32e:過濾板 32f:過濾板 33b:過濾板 33c:過濾板 33d:過濾板 33e:過濾板 33f:過濾板 34c:過濾板 34d:過濾板 34f:過濾板 35d:過濾板 36d:過濾板 37d:過濾板 39:接合材料 39a:接合材料 40:中空纖維 40a:中空纖維 41:管狀體 42:多孔層 43:晶格結構 44:孔隙 50:過濾模組 60:過濾模組 70:過濾模組 80:過濾模組 90:方法 91:操作 92:操作 93:操作 151:加熱旋管 152:第一冷卻構件/冷卻旋管 153:顆粒移除機構/濕度控制機構 154:第二冷卻構件 155:再加熱構件 210:主軸 231:前邊緣 232:後邊緣 240:開口 241:側部分 242:側部分 243:側部分 244:側部分 281f:導流構件 282f:導流構件 283f:導流構件 284f:導流構件 285f:導流構件 400:氣體通道 400a:氣體通道 411:內壁 C:區域 D:延伸方向 R1:第一列 R2:第二列 R3:第三列
自結合附圖來解讀之以下詳細描述最佳理解本揭露之實施例之態樣。應注意，根據行業標準做法，各種結構未按比例繪製。事實上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種結構之尺寸。
圖1係根據本揭露之一些實施例之一半導體製造廠房中之一無塵室外氣處理裝置之一示意圖。
圖2係根據本揭露之一些實施例之外氣處理裝置內部之一過濾模組之一示意圖。
圖3係沿圖2中之線A-A取得之過濾模組之部分元件之一剖面圖。
圖4係沿圖3中之線B-B取得之一過濾板之部分元件之一剖面圖。
圖5係根據本揭露之一些實施例之一中空纖維之一剖面圖。
圖6係根據本揭露之一些實施例之一氣流通過中空纖維之一多孔層時圖5中之一區域「C」之一放大圖。
圖7係根據本揭露之一些實施例之用於自一半導體製造廠房之室外淨化外氣之一方法之一流程圖。
圖8係展示根據本揭露之一些實施例之用於在氣流通過一過濾模組時淨化一半導體製造廠房中之空氣之方法之一階段的一剖面圖。
圖9係展示根據本揭露之實施例之包含一過濾模組之不同過濾材料之過濾效率的一圖式。
圖10係根據本揭露之一些實施例之一過濾模組之部分元件之一剖面圖。
圖11係根據本揭露之一些實施例之具有配置於一軸上之多個過濾板之一過濾器總成之一剖面圖。
圖12係根據本揭露之一些實施例之具有依一V形方式配置之多個過濾板之一過濾器總成之一剖面圖。
圖13係根據本揭露之一些實施例之具有依一U形方式配置之多個過濾板之一過濾器總成之一剖面圖。
圖14係根據本揭露之一些實施例之具有依一弧形方式配置之多個過濾板之一過濾器總成之一剖面圖。
圖15係根據本揭露之一些實施例之具有多個過濾板及導流構件之一過濾器總成之一剖面圖。
1:外氣處理裝置/空氣淨化系統 3:空氣 5:淨化空氣 10:系統/外殼 11:進氣口 12:排氣口 13:預濾器 14:介質過濾器 15:活性顆粒移除模組/濕度及溫度控制模組 16:風扇 17:擴散格網 20:過濾模組 50:過濾模組 60:過濾模組 70:過濾模組 80:過濾模組 151:加熱旋管 152:第一冷卻構件/冷卻旋管 153:顆粒移除機構/濕度控制機構 154:第二冷卻構件 155:再加熱構件 D:延伸方向

Claims (10)

  1. 一種半導體製造廠房(FAB)，其包括：一周圍控制環境；及一外氣處理裝置，其經組態以將清潔空氣自該半導體製造廠房之一外部供應至該周圍控制環境，其中該外氣處理裝置包括：一外殼，其具有一進氣口及一排氣口；及一第一過濾模組，其經定位於該外殼中且包括經組態以引導空氣自該進氣口流動至該排氣口之複數個中空纖維，其中一多孔層係形成於該等中空纖維之各者之一內壁處。
  2. 如請求項1之半導體製造廠房，其中該多孔層之一孔徑在自約5埃至約6埃之範圍內。
  3. 如請求項1之半導體製造廠房，其中該等中空纖維之各者包括一個單一氣體通道，其中該等中空纖維之各者之該內壁係界定於該氣體通道中且經覆蓋有該多孔層。
  4. 如請求項1之半導體製造廠房，其中該等中空纖維之各者包括複數個該等氣體通道，其中該等中空纖維之各者之該內壁係界定於該等氣體通道中且經覆蓋有該多孔層。
  5. 如請求項1之半導體製造廠房，其中該外氣處理裝置進一步包括經定 位於該外殼中且位於該第一過濾模組下游之一第二過濾模組，其中該第二過濾模組包括一活性炭過濾器。
  6. 一種過濾模組，其包括：一罩殼，其具有一主軸且包括經定位於該主軸之兩側處的兩個對置側壁；及複數個過濾板，其等係定位於該罩殼中且各經連接於該兩個對置側壁之間，其中該等過濾板之各者包括：複數個中空纖維，其等經配置成一矩陣且各包括一管狀體及經形成於該管狀體之一內壁上之一多孔層，其中該多孔層經組態以移除具有碳原子數小於5的物質，其中該多孔層包括具有自約5埃至約6埃之範圍內之一孔徑之一晶格結構；及一接合材料，其經連接於該等管狀體之間，用於接合該等中空纖維。
  7. 如請求項6之過濾模組，其中該晶格結構包括複數個堆疊層，該等堆疊層之各者包含一材料之一晶格。
  8. 一種用於淨化一半導體製造廠房中之空氣之方法，其包括：透過一進氣口，將空氣自該半導體製造廠房之一外部收集至一外氣處理裝置之一外殼；引導來自該進氣口之該空氣流動通過經定位於該外殼中之複數個中空纖維，以由經形成於該等中空纖維之各者之一內壁處之一多孔層捕集物 質；及在該空氣通過該等中空纖維之後，透過該外殼之一排氣口將該空氣導引至該半導體製造廠房之一周圍控制環境。
  9. 如請求項8之方法，其中當該空氣流動通過該等中空纖維時，該多孔層經組態以捕集具有碳原子數小於5的物質。
  10. 如請求項8之方法，進一步包括透過一風扇泵抽該空氣進入該外殼及導引該空氣通過經定位於該風扇與該等中空纖維之間的一擴散格網，以將來自該風扇之該空氣均勻供應至該等中空纖維。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5058491A (en) * 1990-08-27 1991-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Building and method for manufacture of integrated circuits
US20050126393A1 (en) * 2003-12-11 2005-06-16 Yung-Dar Chen Dual-type air purification system
TW201121641A (en) * 2002-10-23 2011-07-01 Sumitomo Elec Fine Polymer Inc Method of manufacturing porous multilayered hollow fiber
TW201731579A (zh) * 2016-02-15 2017-09-16 希利卡加工工程有限公司 帶有污染物之氣體的處理裝置及方法
WO2021027528A1 (zh) * 2019-08-09 2021-02-18 世源科技工程有限公司 一种抑制气体分子污染物扩散的洁净室

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4941897A (en) * 1987-11-05 1990-07-17 L & H Technologies, Inc. Microporous filter and method
JPH0775657B2 (ja) * 1990-10-15 1995-08-16 旭化成工業株式会社 中空糸型モジュール
US5514196A (en) * 1993-02-04 1996-05-07 Tokyo Electron Limited Air cleaning apparatus
US5772738A (en) * 1993-11-30 1998-06-30 Purex Co., Ltd. Multifunctional air filter and air-circulating clean unit with the same incorporated therein
US5972060A (en) * 1996-10-09 1999-10-26 Ch2Mhill Industrial Design Corporation Apparatus for providing a purified resource in a manufacturing facility
KR100461613B1 (ko) * 1997-01-31 2005-06-20 다까사고네쯔가꾸고교가부시끼가이샤 청정장치와 필터 및 그제조방법
JP2001104758A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Norihisa Miyamatsu 空中の極性物質除去装置およびその利用法
AU2001290593A1 (en) * 2000-08-31 2002-03-13 Millipore Corporation Gas vent filter construction incorporating a hollow fiber membrane assembly
US7416580B2 (en) * 2001-04-11 2008-08-26 Donaldsom Company, Inc. Filter assemblies and systems for intake air for fuel cells
US6746513B2 (en) * 2002-02-19 2004-06-08 L'air Liquide Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitations Des Procedes Georges Claude Integrated membrane filter
US7326387B2 (en) * 2002-05-20 2008-02-05 Theodore A. M. Arts Air decontamination devices
KR100514716B1 (ko) * 2003-08-20 2005-09-13 삼성전자주식회사 공기 청정 장치 및 방법
JP4387178B2 (ja) * 2003-12-15 2009-12-16 帝人ファーマ株式会社 加湿装置
TWI347203B (en) * 2003-12-15 2011-08-21 Teijin Pharma Ltd Humidifying apparatus and oxygen concentrating system
CN101072620B (zh) * 2004-06-07 2011-02-23 安格斯公司 去除污染物的系统和方法
DE102005005467A1 (de) * 2005-02-04 2006-08-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verbunde keramischer Hohlfasern, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
JP2009183927A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Shinwa Corp 高温用エアフィルタ
CN102015080B (zh) * 2008-02-22 2014-12-10 立达赛路达克有限公司 聚乙烯膜及其制备方法
JP5354248B2 (ja) * 2008-03-05 2013-11-27 Ｎｏｋ株式会社 加湿膜モジュール
GB0913645D0 (en) * 2009-08-05 2009-09-16 Nano Porous Solutions Ltd A method of forming a fluid separation filter for use in a fluid separation device
WO2011126786A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-13 Generon Igs, Inc. Integrated membrane module for gas dehydration and gas separation
CN104685300B (zh) * 2012-09-24 2017-11-28 恩沃德系统公司 具有集成空气处理的空气处理系统
US20150375154A1 (en) * 2014-06-28 2015-12-31 Jie Rui Lai Apparatus for creating constant stream of purified air
TWI547305B (zh) * 2014-12-18 2016-09-01 財團法人工業技術研究院 中空纖維吸附壓縮空氣乾燥系統
JP6725238B2 (ja) * 2015-12-04 2020-07-15 旭化成株式会社 外圧式中空糸膜モジュールおよびその製造方法
CN206334498U (zh) * 2016-11-24 2017-07-18 深圳中凝科技有限公司 一种吸附型气体过滤装置
KR102109671B1 (ko) * 2017-09-20 2020-05-18 주식회사 대한 반도체 제조 장치
SE541920C2 (en) * 2017-10-01 2020-01-07 Absolent Ab Filter system with a layer comprising active carbon containing permeable bags
US10876208B2 (en) * 2018-01-16 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for fabricating a semiconductor device
KR101958154B1 (ko) * 2018-12-07 2019-03-13 주식회사 서진에너지 공기세정 일체형 침지식 중공사막 모듈 장치
JP7237656B2 (ja) * 2019-03-06 2023-03-13 旭化成株式会社 中空糸膜モジュール、及びこれを用いた海水のろ過方法
CN211562395U (zh) * 2019-12-31 2020-09-25 保定市倍洁环保设备制造有限公司 一种活性炭过滤装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5058491A (en) * 1990-08-27 1991-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Building and method for manufacture of integrated circuits
TW201121641A (en) * 2002-10-23 2011-07-01 Sumitomo Elec Fine Polymer Inc Method of manufacturing porous multilayered hollow fiber
US20050126393A1 (en) * 2003-12-11 2005-06-16 Yung-Dar Chen Dual-type air purification system
TW201731579A (zh) * 2016-02-15 2017-09-16 希利卡加工工程有限公司 帶有污染物之氣體的處理裝置及方法
WO2021027528A1 (zh) * 2019-08-09 2021-02-18 世源科技工程有限公司 一种抑制气体分子污染物扩散的洁净室

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