TWI822011B - 裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置，在裝載埠模組中設置在晶片容器的前面，以在晶片出入的出入口形成隔絕膜，進而降低晶片容器的濕度，包括：主體部，設置在晶片容器的前面上部；吹風部，進行吹風以向該主體部內部供應氣體；噴射部，將注入於主體部內部的氣體向下方分散來進行排放以形成氣體膜。從而，本發明為，在裝載埠模組中，在晶片容器的前面設置主體部、吹風部、隔壁部與噴射部，以在晶片容器的出入口形成氣體膜，進而在晶片容器的出入口形成隔絕氣體膜來阻擋外氣流入，提供可降低晶片容器的濕度的效果。
Description
本發明係關於裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置，更詳細地說，係關於在裝載埠模組中設置在晶片容器的前面以在晶片出入的出入口形成氣體膜來降低晶片容器的濕度的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置。
在半導體製造製程中，晶片及形成在晶片的半導體元件為高精度的物品，因此在存放及搬運時應注意壁面因為外部污染物和衝擊的影響而受損。尤其是，需要在晶片的存放及搬運過程中進行管理，以防止表面受到雜質的污染，諸如灰塵、水分、各種有機物等。
以往，為了提高半導體的製造收益率及品質，在潔淨室(clean room)中進行晶片處理。然而，隨著元件的高集成化、精細化、晶片的大型化，管理相對較大空間的潔淨室在成本和技術方面也變得越加困難。
據此，近來適用對晶片周圍的局部空間集中提高清潔度的局部環境(mini-environment)清潔方式，來代替提高潔淨室內整體清潔度。
另一方面，半導體製程依序反覆執行各種單位製程，諸如蝕刻、沉積。在各個製程處理過程中，雜質或者污染物殘留於晶片上，存在出現缺陷或者降低半導體製程的收益率的問題。
從而，在半導體製程中，晶片會運送至各種處理腔室或者半導體處理空間，此時具有各種工具，以用於在晶片從一個處理空間運送至其他處理空間的期間將在晶片附著雜質或者污染物質最小化。
如圖1所示，包括設備前端模組(Equipment Front End Module,EFEM)的半導體製程裝置包括裝載埠模組(Load Port Module,LPM)110、晶片容器(Front Opening Unified Pod,FOUP)120、風扇過濾單元(Fan Filter Unit,FFU)130及晶片傳送室140。
為了在高度潔淨的環境下存放晶片，使用稱為前開式統一吊艙(Front-Opening Unified Pod,FOUP)的晶片容器120，在晶片從晶片容器120移動至半導體處理空間的路徑上形成晶片傳送室140，而晶片傳送室140透過風扇過濾單元130保持潔淨的空間。
透過設置在晶片傳送室140內的手臂機器人等的晶片搬運工具，可使晶片容器120內的晶片透過裝載埠模組110搬運至晶片傳送室140內，或者可從晶片傳送室140收納於晶片容器120內。
在裝載埠模組110的門111與設置在晶片容器120前方面的門緊貼的狀態下同時開放，透過開放的區域運出或者收納晶片。
通常，在經過半導體處理製程的晶片表面殘留製程之後產生的煙霧(Fume)，據此產生化學反應，產生降低半導體晶片的生產性的原因的作用。
進一步地，為了運出或者收納晶片，在晶片容器120的門開放的情況下，控制晶片容器120內部的吹掃氣體的濃度保持在預定水準，並且執行過濾進入晶片容器內的外氣。
然而，因為流進晶片容器120內部的外氣，在晶片容器120的內部存在一部分未過濾的空氣，雖然晶片傳送室140的大氣環境是控制顆粒物的
清潔空氣，但是包括氧氣、水分等，若這種空氣進入晶片容器120的內部提高內部濕度，則存在晶片的表面可能被外氣中含有的水分或者氧氣氧化的可能性。
從而，作為能夠有效防止外氣從晶片傳送室140進入晶片容器120的工具，在以往透過裝載埠模組110與晶片容器120的蓋的開關具有雙重的門開關工具，進而可隔絕外氣，但是若具有以上下方向滑動的門部件，則存在裝載埠結構變得非常複雜的問題。
不僅如此，透過上下移動門部件隔絕外氣，導致運出及收納晶片的所需時間增加得相當長，因此改變晶片容器的內部濕度，導致降低半導體的製造收益率的問題。
尤其是，若在晶片容器120中外氣從晶片出入的出入口進入晶片容器120內部而從出入口提高內部濕度，則晶片的表面因為外氣中含有的水分或者氧氣受損，也存在降低收益率的問題。
現有技術文獻
(專利文獻)
韓國公開專利第10-2003-0011536號(2003年02月11日)
韓國公開實用新型第20-2017-0003211號(2017年09月15日)
韓國授權專利第10-1924185號(2018年11月30日)
本發明是為了解決如上所述的問題而提出的，目的在於提供一種裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置，在裝載埠模組中，在晶片容器的
前面設置主體部、吹風部、隔壁部與噴射部，以在晶片容器的出入口形成氣體膜，進而在晶片容器的出入口形成隔絕氣體膜來阻擋外氣流入，進而可降低晶片容器的濕度。
本發明的另一目的在於提供如下的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置：作為主體部具有第一主體、第二主體與隔片，將透過注入部注入的氣體從主體部的上部分配至一側區域、中間區域與另一側區域，提高氣體分配性及注入性的同時形成多重的氣體膜，以降低晶片傳送室的空氣流動引起的干擾的同時可形成外氣隔絕氣體膜。
本發明的其他一目的在於提供如下的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置：作為吹風部具有多個風扇，透過控制部個別控制風扇的風量，進而在出入口的上部按照各個區域細微地控制風量，提高氣體膜的保持性能，同時可按照各個區域保持均勻的氣體膜。
另外，本發明的其他一目的在於提供如下的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置：作為噴射部具有分配管，所述分配管為多個貫通孔的剖面形成為圓形或者蜂窩形狀，進而在將氣體直線性的均勻分配來注入於出入口上部可保持均勻的氣體膜。
另外，本發明的其他一目的在於提供如下的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置：在吹風部與噴射部之間還配置過濾部，進而過濾透過吹風部供應的氣體，透過過濾去除空氣中的雜質，諸如異物或者灰塵，防止透過吹風部與噴射部分散供應的氣體的污染，進而可提高晶片容器的收益率。
用於達到如上所述的目的的本發明作為一種裝載埠模組的晶片容器降濕裝置，在裝載埠模組中設置在晶片容器的前面，以在晶片出入的出入口形成隔絕
膜，進而降低晶片容器的濕度，其特徵在於，包括：主體部10，設置在晶片容器的前面上部；注入部20，設置在所述主體部10的一方，並注入氣體；吹風部30，進行吹風以向所述主體部10的內部供應氣體；隔壁部40，間隔設置在所述吹風部30的內部，以將所述吹風部30的吹風區域區劃成多個；及噴射部60，設置在所述主體部10的下部，將供應於所述主體部10內部的氣體向下方直線性地均勻分散來進行排放，以形成氣體膜。
本發明的特徵在於，所述主體部10包括：第一主體，形成為上下方向的柱形狀；第二主體，在所述第一主體的下部擴張形成，而且形成為上下方向的柱形狀；及隔片，間隔設置在所述第一主體的內部，以將所述第一主體的內部空間區劃成多個。
本發明的特徵在於，所述吹風部30由在所述主體部10的內部被所述隔壁部40區劃成多個的吹風區域分別設置的吹風工具構成。
本發明的特徵在於，所述吹風工具包括：第一風扇，設置於在所述主體部10的一方側面部位區劃的各個吹風區域；第二風扇，設置於在所述主體部10的中心部位區劃的各個吹風區域；及第三風扇，設置於在所述主體部10的另一方側面部位區劃的各個吹風區域。本發明的特徵在於，所述吹風工具由分別個別控制風速的風扇構成。
本發明的特徵在於，所述噴射部60由分配管構成，所述分配管的多個貫通孔剖面形成為蜂窩形狀或者圓形，以使氣體直線性地均勻分配來注入於所述出入口的上部。
本發明的特徵在於，還包括過濾部50，所述過濾部設置在所述吹風部30與所述噴射部60之間，以過濾透過所述吹風部30供應的氣體。
另外，本發明為半導體製程裝置，其特徵在於，具有在以上記載的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置。
如上所述，本發明為，在裝載埠模組中，在晶片容器的前面設置主體部、吹風部、隔壁部與噴射部，以在晶片容器的出入口形成氣體膜，進而在晶片容器的出入口形成隔絕氣體膜來阻擋外氣流入，提供可降低晶片容器的濕度的效果。
另外，作為主體部具有第一主體、第二主體與隔片，將透過注入部注入的氣體從主體部的上部分配至一側區域、中間區域與另一側區域，提高氣體分配性及注入性的同時形成多重的氣體膜，提供降低晶片傳送室的空氣流動引起的干擾的同時可形成外氣隔絕氣體膜的效果。
另外，作為吹風部具有多個風扇，透過控制部個別控制風扇的風量，進而在出入口的上部按照各個區域細微地控制風量，提供提高氣體膜的保持性能的同時可按照各個區域保持均勻的氣體膜的效果。
另外，作為噴射部具有分配管，所述分配管為多個貫通孔的剖面形成為圓形或者蜂窩形狀，進而在將氣體直線性地均勻分配來注入於出入口上部，提供可保持均勻的氣體膜的效果。
另外，在吹風部與噴射部之間還配置過濾部，進而過濾透過吹風部供應的氣體，透過過濾去除空氣中的雜質，諸如異物或者灰塵，防止透過吹風部與噴射部分散供應的氣體的污染，提供可提高晶片容器的收益率的效果。
10:主體部
11:第一主體
11a:一側區域
11b:中間區域
11c:另一側區域
12:第二主體
13:隔片
13a:第一隔片
13b:第二隔片
20:注入部
21:第一注入口
22:第二注入口
23:第三注入口
30:吹風部
31:第一-一風扇
32:第一-二風扇
33:第二-一風扇
34:第二-二風扇
35:第三-一風扇
36:第三-二風扇
40:隔壁部
41:第一隔壁
42:第二隔壁
43:第三隔壁
44:第四隔壁
45:第五隔壁
50:過濾部
60:噴射部
61:第一分配管
62:第二分配管
70:排放部
110:模組
120:晶片容器
130:單元
140:傳送室
圖1是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置的結構圖。
圖2是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的設置狀態的狀態圖。
圖3是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的結構圖。
圖4是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的主剖面圖。
圖5是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的第一主體的結構圖。
圖6是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的側剖面圖。
圖7是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的吹風部的側剖面圖。
圖8是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的噴射部的一示例的結構圖。
圖9是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的噴射部的另一示例的結構圖。
以下，參照圖式更加詳細說明本發明的較佳的一實施例。
圖1是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置及其半導體製程裝置的結構圖；圖2是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的
晶片容器降濕裝置的設置狀態的狀態圖；圖3是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的結構圖；圖4是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的主剖面圖；圖5是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的第一主體的結構圖；圖6是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的側剖面圖；圖7是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的吹風部的側剖面圖；圖8是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的噴射部的一示例的結構圖；圖9是示出本發明的一實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的噴射部的另一示例的結構圖。
本發明的半導體製程裝置作為具有本實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的半導體製程裝置，如圖1所示，包括：裝載埠模組(Load Port Module,LPM)110、晶片容器120(前開式統一吊艙(Front Opening Unified Pod,FOUP))、風扇過濾單元(Fan Filter Unit,FFU)130及晶片傳送室140，可由安裝裝載埠模組的晶片容器降濕裝置的設備前端模組(Equipment Front End Module,EFEM)構成。
裝載埠模組(LPM)110是打開或者關閉裝載用於製造半導體的晶片的晶片容器(Front Opening Universal Pod,FOUP)120的門111的同時可搬運晶片的裝置。
這種裝載埠模組(LPM)110的結構如下：若在平臺單元安裝晶片容器(Front Opening Unified Pod,FOUP)120，則向晶片容器120內部注入氮氣，向晶片容器120外部排放晶片容器120內部的污染物質，以防止儲存於晶片容器120運送的晶片因為污染物質受損。
本實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置在晶片容器120與晶片傳送室140之間設置在晶片容器120的前面以在晶片出入的出入口形成外氣隔絕氣體膜或者氣簾，以使晶片容器120的內部濕度保持在設定值。
晶片容器120內部形成有裝載多個晶片的裝載空間並且開放門，以運出或者收納晶片。這種晶片容器120可由前開式統一吊艙(Front-Opening Unified Pod,FOUP)構成。
晶片傳送室140作為形成在裝載多個晶片的晶片容器120與透過半導體製程處理晶片的處理空間(未示出)之間的空間，晶片傳送室140保持潔淨的空間，以在透過傳送機器人等的傳送工具從一個處理空間向另一處理空間傳送晶片的期間將在晶片附著異物或者污染物質最小化。
風扇過濾單元130設置在晶片傳送室140的上部，並且去除諸如煙霧的分子性污染物質、諸如灰塵的顆粒物，進而可使晶片傳送室140中的空氣保持潔淨。通常，晶片傳送室140中的空氣流動從設置風扇過濾單元130的上部形成至下部。
如圖2至圖4所示，本實施例的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置由主體部10、注入部20、吹風部30、隔壁部40、過濾部50、噴射部60及排放部70構成，是在裝載埠模組(Load Port Module,LPM)中設置在晶片容器(Front Opening Unified Pod,FOUP)前面以在晶片出入的出入口形成諸如氣簾或者空氣簾等的氣體隔絕膜來降低晶片容器的內部空間的濕度的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置。
主體部10作為在裝載埠模組(LPM)110中設置在晶片容器120的前面上部且設置在晶片出入的出入口的主體部件，如圖5所示，由第一主體11、第二主體12及隔片13構成。
第一主體11作為形成為四邊形的盒子形狀的柱形狀以在內部以上下方向貫通的主體部件，設置在出入口的上部並且構成為直角四邊形形狀的柱部件，以在出入口的上部一端與另一端之間以長度方向配置成一條直線形狀，因此透過由風扇過濾單元130流動吹掃氣體或者純空氣當然也能夠實現上部流進、下部流出。
第二主體12作為在第一主體11的下部擴張形成而且形成為以上下方向貫通的四邊形盒子形狀的柱形狀的主體部件，設置在出入口的上部並且構成為直角四邊形的柱部件，以在出入口的上部一端與另一端之間以長度方向配置成一條直線的形狀，因此透過風扇過濾單元130流動吹掃氣體或者純空氣當然能夠實現在上部的第一主體11流進、在下部流出。
隔片13作為間隔設置在第一主體11的內部並且使第一主體11的內部空間區劃成多個地間隔設置的區劃工具，由2個隔壁構成，即第一隔片13a與第二隔片13b，以將第一主體11的內部空間區劃成一側區域11a、中間區域11b與另一側區域11c的3個區域。
第一隔片13a設置於第一主體11的一側區域與中間區域之間，以將第一主體11的內部空間區劃成一側區域與中間區域；第二隔片13b設置於第一主體11的另一側區域與中間區域之間，以將第一主體11的內部空間區劃成另一側區域與中間區域。
注入部20作為設置在主體部10的一方以將諸如吹掃氣體或者純空氣等的氣體注入於主體部10內部的注入工具，如圖5所示，由分別設置在區劃第一主體11的內部空間的一側區域、中間區域與另一側區域的3個區域的第一注入口21、第二注入口22及第三注入口23構成。
第一注入口21設置在第一主體11的一側區域的外側一方，將氣體注入於一側區域的內部；第二注入口22設置在第一主體11的中間區域的外側
一方，將氣體注入於中間區域的內部；第三注入口23設置在第一主體11的另一側區域的外側一方，將氣體注入於另一側區域的內部。
吹風部30作為進行吹風以將吹掃氣體或者純空氣等的氣體供應於主體部10內部的供應工具，由設置在主體部10的內部或者設置在外部透過連通管道連接的吹風工具構成。
如圖6及圖7所示，這種吹風工具包括：一個以上的第一風扇，設置於在主體部10的一方側面部位區劃的各個吹風區域；一個以上的第二風扇，設置於在主體部10的中心部位區劃的各個吹風區域；一個以上的第三風扇，設置於在主體部10的另一方側面部位區劃的各個吹風區域。這些風扇連接於各個驅動馬達與控制片，可分別個別或者按設置部位控制風量及風速。
第一風扇作為在第一主體11的一方側面部位被隔壁部40區劃的各個吹風區域設置的吹風工具，由第一-一風扇31與第一-二風扇32構成。
這種第一-一風扇31和第一-二風扇32分別設置在被第一主體11的第一隔片13a區劃的一側區域的下部一端與另一端的兩端，可在第一主體11的一側區域的內部空間中分別個別控制或者按設置部分控制風量及風速。
第二風扇作為在第一主體11的中心部位被隔壁部40區劃的各個吹風區域設置的吹風工具，由第二-一風扇33與第二-二風扇34構成。
這種第二-一風扇33與第二-二風扇34分別設置於被第一主體11的第一隔片13a與第二隔片13b區劃的中間區域的下部一端與另一端的兩端，可在第一主體11的中間區域的內部空間中分別個別控制或者按設置部分控制風量及風速。
第三風扇作為在第一主體11的另一方側面部位被隔壁部40區劃的各個吹風區域設置的吹風工具，由第三-一風扇35與第三-二風扇36構成。
這種第三-一風扇35和第三-二風扇36分別設置於被第一主體11的第二隔片13b區劃的另一側區域的下部的一端與另一端的兩端，以在第一主體11的另一側區域的內部空間中分別個別控制或者按設置部分控制風量及風速。
隔壁部40作為等間距的間隔設置在主體部10的第一主體11內部的壁部件，如圖6及圖7所示，將第一主體11的內部空間區劃成多個，在區劃的各個內部空間設置風扇，可個別控制風扇的吹風空間。
這種隔壁部40當然也可由在第一主體11的一側區域下部區劃成多個的第一隔壁41及第二隔壁42、在第一主體11的中間區域下部區劃成多個的第三隔壁43及第四隔壁44、在第一主體11的另一側區域下部區劃成多個的第五隔壁45構成。
過濾部50作為設置在吹風部30與噴射部60之間以過濾透過吹風部30供應的氣體的過濾工具，由超高效率過濾網或者高效空氣篩檢程式等的過濾部件構成，以去除氣體中含有的雜質，諸如異物或者灰塵等。
另外，在主體部10的第二主體12的一方當然可設置開關片，以在更換在第二主體12內部空間設置的過濾部50的過濾部件時開關第二主體12的一部分。
噴射部60由分散工具構成，所述分散工具設置在主體部10的下部且設置在過濾部50的下部以向下方直線性的均勻分散來排放供應於主體部10內部的氣體以形成氣體隔絕膜。
如圖8及圖9所示，這種噴射部60較佳由分配管構成，所述分配管具有多個分配孔，所述多個分配孔剖面形成為蜂窩形狀或者圓形，以將氣體直線性地均勻分配來注入於晶片容器的出入口上部。
這種分配管當然可由穿孔的剖面形成為圓形的第一分配管61構成，或者由穿孔的剖面形成為蜂窩形狀的第二分配管62構成。
排放部70作為設置在主體部10下部以排放透過噴射部60噴射的氣體的排放工具，設置在主體部10的下部並開放設置。
如上所述，根據本發明，在裝載埠模組中，在晶片容器的前面設置主體部、吹風部、隔壁部與噴射部，以在晶片容器的出入口形成氣體膜，進而在晶片容器的出入口形成隔絕氣體膜來阻擋外氣流入，提供可降低晶片容器的濕度的效果。
另外，作為主體部具有第一主體、第二主體與隔片，將透過注入部注入的氣體從主體部的上部分配至一側區域、中間區域與另一側區域，提高氣體分配性及注入性的同時形成多重的氣體膜，提供降低晶片傳送室的空氣流動引起的干擾的同時可形成外氣隔絕氣體膜的效果。
另外，作為吹風部具有多個風扇，並且透過控制部個別控制風扇的風量，進而在出入口的上部按照各個區域細微地控制風量，提供提高氣體膜的保持性能的同時可按照各個區域保持均勻的氣體膜的效果。
另外，作為噴射部具有分配管，所述分配管為多個貫通孔的剖面形成為圓形或者蜂窩形狀，進而在將氣體直線性地均勻分配來注入於出入口上部，提供可保持均勻的氣體膜的效果。
另外，在吹風部與噴射部之間還配置過濾部，進而過濾透過吹風部供應的氣體，透過過濾去除空氣中的雜質，諸如異物或者灰塵，防止透過吹風部與噴射部分散供應的氣體的污染，進而提供可提高晶片容器的收益率的效果。
以上說明的本發明在不超出技術思想或者主要特徵的情況下可實施成其他各種形態。從而，所述實施例在所有方面僅是單純的示例，不得限定地解釋上述實施例。
10:主體部
20:注入部
30:吹風部
40:隔壁部
50:過濾部
60:噴射部
70:排放部
Claims (7)
- 一種裝載埠模組的晶片容器降濕裝置，在裝載埠模組中設置在晶片容器的前面，以在晶片出入的出入口形成隔絕膜，進而降低晶片容器的濕度，其特徵在於，包括：主體部(10)，設置在晶片容器的前面上部；注入部(20)，設置在所述主體部(10)的一方，並注入氣體；吹風部(30)，進行吹風以向所述主體部(10)的內部供應氣體；隔壁部(40)，間隔設置在所述吹風部(30)的內部，以將所述吹風部(30)的吹風區域區劃成多個；及噴射部(60)，設置在所述主體部(10)的下部，將供應於所述主體部(10)內部的氣體向下方直線性地均勻分散來進行排放，以形成氣體膜；其中，所述主體部(10)包括，第一主體，形成為上下方向的柱形狀，第二主體，在所述第一主體的下部擴張形成，而且形成為上下方向的柱形狀，及隔片，間隔設置在所述第一主體的內部，以將所述第一主體的內部空間區劃成多個。
- 如請求項1所述的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置，其中，所述吹風部(30)由在所述主體部(10)的內部被所述隔壁部(40)區劃成多個的吹風區域分別設置的吹風工具構成。
- 如請求項2所述的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置，其中，所述吹風工具包括： 第一風扇，設置於在所述主體部(10)的一方側面部位區劃的各個吹風區域；第二風扇，設置於在所述主體部(10)的中心部位區劃的各個吹風區域；及第三風扇，設置於在所述主體部(10)的另一方側面部位區劃的各個吹風區域。
- 如請求項2所述的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置，其中，所述吹風工具由分別個別控制風速的風扇構成。
- 如請求項1所述的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置，其中，所述噴射部(60)由分配管構成，所述分配管的多個貫通孔剖面形成為蜂窩形狀或者圓形，以使氣體直線性地均勻分配來注入於所述出入口的上部。
- 如請求項1所述的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置，其中，還包括：過濾部(50)，設置在所述吹風部(30)與所述噴射部(60)之間，以過濾透過所述吹風部(30)供應的氣體。
- 一種半導體製程裝置，其特徵在於，具有在請求項1記載的裝載埠模組的晶片容器降濕裝置。
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