JP3346677B2 - 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置 - Google Patents

基材又は基板表面の汚染防止方法と装置

Info

Publication number
JP3346677B2
JP3346677B2 JP12744495A JP12744495A JP3346677B2 JP 3346677 B2 JP3346677 B2 JP 3346677B2 JP 12744495 A JP12744495 A JP 12744495A JP 12744495 A JP12744495 A JP 12744495A JP 3346677 B2 JP3346677 B2 JP 3346677B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
contact angle
air
adsorbent
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP12744495A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08303827A (ja
Inventor
敏昭 藤井
昭司 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP12744495A priority Critical patent/JP3346677B2/ja
Publication of JPH08303827A publication Critical patent/JPH08303827A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3346677B2 publication Critical patent/JP3346677B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Central Air Conditioning (AREA)
  • Ventilation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、空間中の基材又は基板
表面の汚染を防止する方法及び装置に係り、特に半導体
製造や液晶製造などの先端産業における原材料、半製
品、製品の基材や基板表面の汚染防止に関する。本発明
の適用分野は例えば、(1)半導体製造工程におけるウ
エハの汚染防止、(2)液晶製造工程におけるガラス基
板の汚染防止、(3)精密機械製造工程における基材の
汚染防止、である。本発明の汚染防止方法及び装置の適
用箇所の例としては、半導体製造工場、液晶製造工場、
精密機械製造工場などにおけるクリーンルーム内の空
間、例えば全キャビネット、クリーンボックス、貴重品
の保管庫、ウエハ保管庫、貴重品の密閉搬送空間、各種
気体の存在下あるいは減圧下や真空下でのクリーンな密
閉空間、搬送空間、洗浄装置への供給気体を含む空間、
エアーナイフ用供給空気を含む空間、がある。
【0002】
【従来の技術】従来の技術を、半導体製造工場における
クリーンルームの空気清浄を例にとり、以下説明する。
クリーンルームにおいては、微粒子(粒子状物質)や、
自動車の排気ガス、クリーンルームの構成材、合成樹脂
(民生品)などに起因する空気中のメタン以外の極低濃
度の炭化水素(HC)などのガス状物質が汚染物質とし
て問題となる。特にHCはガス状有害成分として通常の
空気(室内空気及び外気)中の極低濃度のものが汚染を
もたらすので、除去する必要がある。また、クリーンル
ームにおける作業で生じる各種の溶剤(アルコール、ケ
トン類など)も汚染物質として問題となる。
【0003】すなわち、上述の汚染物質(微粒子及びガ
ス状有害成分)がウエハ、半製品、製品の基板表面へ沈
着すれば基板表面が破損しやすくなり、半導体製品の生
産性(歩留り)を低下させる原因となるため、汚染物質
の除去が必要である。基板表面の汚染の状態は複雑であ
るが、基板表面の接触角で表わすことができる。微粒子
とガス状物質はともに基板表面の接触角を増大させる
が、通常のクリーンルーム内ではHCが、特に接触角を
増大させる傾向が高いことがわかった。ここで、接触角
とは水によるぬれの接触角のことであり、基板表面の汚
染の程度を示すものである。すなわち、基板表面に疎水
性(油性)の汚染物質が付着すると、その表面は水をは
じき返してぬれにくくなる。すると基板表面と水滴との
接触角は大きくなる。従って接触角が大きいと汚染度が
高く、逆に接触角が小さいと汚染度が低い。
【0004】従来のクリーンルームの空気を浄化する方
法あるいはそのための装置には、大別して、(1)機械
的ろ過方法(HEPAフィルターなど)、(2)静電的
に微粒子の捕集を行う、高電圧により荷電あるいは導電
性フィルターによるろ過方式(HESAフィルターな
ど)、がある。これらの方法は、いずれも微粒子の除去
を目的としており、メタン以外の炭化水素(HC)のよ
うな、接触角を増大させるガス状の汚染物質の除去に対
しては効果がない。一方、ガス状の汚染物質であるHC
の除去法としては、燃焼分解法、O3 分解法などが知ら
れている。しかし、これらの方法は、クリーンルームへ
の導入空気中に含有する極低濃度のHCの除去には効果
がない。
【0005】また、HC以外のガス状の有害成分として
は、SOx、NOx、HCl、NH3 などがあり、これ
らの除去法としては、適宜のアルカリ性物質や酸性物質
を用いた中和反応や酸化反応を利用する方法などが知ら
れている。しかし、これらの方法は、やはり成分濃度が
クリーンルームへの導入空気中に含有するような極低濃
度の場合には、効果が少ない。本発明者らは、基材又は
基板表面の汚染を防止する方法及び装置として、上記接
触角の増大を防止するために吸着材や吸収材などを用い
る方法および装置を、すでに提案した(特開平5−15
7284号、特開平6−324号各公報、特開平7−8
752号)。これらの方法及び装置は適用分野によって
は有効であるが、更に実用性を増すために一層の改善を
行う必要がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、半導体製品
の生産性を向上させるためには粒子状物質及び接触角を
増大させるガス状有害成分、特に非メタン炭化水素を十
分に除去する必要がある。そこで本発明の課題は、微粒
子の濃度と基材及び基板表面の接触角を増大させる非メ
タン炭化水素が効果的に除去できる基材又は基板表面の
汚染防止方法及び装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、基材又は基板表面の汚染を防止する方
法において、該基材又は基板と接触する気体を、該気体
中の微粒子濃度をクラス1000以下に除塵処理、及び
非メタン炭化水素濃度を0.2ppm以下に、ケイ酸
塩、アルミナ、シリカゲル、ゼオライト、炭素繊維、ガ
ラス繊維から選ばれた1種類以上の担体に保持した塩基
性物質を含む吸着材を用いて吸着処理することとしたも
のである。また、本発明では、基材又は基板表面の汚染
を防止する装置において、該基材又は基板と接触する気
体を通す、微粒子をクラス1000以下となるまで除去
するための除塵手段と、非メタン炭化水素濃度を0.2
ppm以下とする塩基性物質と、ケイ酸塩、アルミナ、
シリカゲル、ゼオライト、炭素繊維、ガラス繊維から選
ばれた1種類以上の担体とからなる吸着材を充填した吸
着筒である吸着手段とを有することとしたものである
【0008】以下、本発明を、基材又は基板表面に接触
する気体が空気である場合を例にとり、詳細に説明す
る。本発明における除塵手段は、空気中の微粒子を低濃
度まで除去できるものであればどのようなものでもよ
い。通常、微粒子を低濃度まで効率良く捕集する周知の
除塵フィルタが用いられる。一般に、HEPAフィル
タ、ULPAフィルタ、金属製フィルタ、例えばSUS
フィルタ、静電フィルタが簡易でかつ効果的であること
から好ましい。通常、これらのフィルタの1種類又は複
数種類を適宜に組み合わせて用いる。微粒子の除去によ
って、微粒子濃度をクラス1000(1000個/ft
3 )以下、好ましくはクラス100以下とする。ここ
で、クラスとは微粒子濃度の単位であり、1ft3 中の
微粒子の個数を表す。
【0009】非メタン炭化水素すなわちガス状有害成分
を効果的に除去するためには、接触角を増大させるこれ
らの成分を塩基性物質を含む吸着材により捕集除去す
る。非メタン炭化水素は、通常の空気(室内空気及び外
気)中の濃度で汚染をもたらす。また種々の非メタン炭
化水素のうち、接触角を増大させる成分は基材の種類
(ウエハ、ガラス材など)や基板上の薄膜の種類・性状
によって異なると考えられる。本発明者は鋭意検討した
結果、非メタン炭化水素を指標として、これを0.2p
pm以下、好ましくは0.1ppm以下まで除去すれば
効果的である。
【0010】本発明の特徴は、接触角を増大させる非メ
タン炭化水素(HC)の捕集・除去に、少なくとも塩基
性物質を含む吸着材を用いることにある。また、塩基性
物質は、好ましくはケイ酸塩、アルミナ、シリカゲル、
ゼオライト、炭素繊維、ガラス繊維(繊維状ガラス)か
ら選択された1種類以上の担体(キャリヤ)に保持させ
て使用する。すなわち、塩基性物質は、通常粉末状であ
るので、そのまま使用すると圧力損失が高くなること、
粉末粒子の後方への飛散などの問題が生じる。そこで、
これらの対策のために、塩基性物質を前記担体に保持し
て使用するものである。このように、本発明の吸着材
は、塩基性物質が担体に保持されている。
【0011】次に、吸着材について詳細に説明する。塩
基性物質は、接触角を増加させるHCを吸着・捕集する
もので、担体に保持できるものであれば何れでもよい。
すなわち、担体上に保持することで後述のように、表面
積大、通気性大(圧損小)となり、実用できる形態とな
る。例示すると、塩基性物質は無機質が良く、塩基性酸
化物、例えば、MgO、CaO、塩基性水酸化物、例え
ばMg(OH)2 、Ca(OH)2 、両性酸化物、例え
ばAl2 3 、ZnO、両性水酸化物、例えばAl(O
H)3 、Zr(OH)2 、塩基性塩、例えばMg(O
H)2 MgCO3 、Ca2 CO3 (OH)6 、Zn(O
H)8 (NO3 )H2 O等がある。
【0012】塩基性塩としては、前記のように化合物中
に1種類の金属を含むものの他に、複数の金属を含む複
塩基性塩も好ましい。金属の組合せとして、MgとA
l、NiとAl、ZnとAl、ZnとCr、CuとA
l、NiとCr、CoとCr、CoとAl、NiとF
e、MgとFe、NiとMgとAl、MgとAlとCr
がある。このような例として、Mg4 Al2 (OH)12
CO3 (ハイドロタルサイト)がある。この内、特に、
Mgを含む塩基性物質は効果が高く、再生利用ができる
こと、肥料としての効果があるので有効利用できるこ
と、廃棄が容易なことなどから好ましい。
【0013】担体は、前記塩基性物質を保持でき、保持
により塩基性物質によるHCの捕集が効果的にできるも
のであれば何れでも使用できる。層状又は繊維状のケイ
酸塩、アルミナ、シリカゲル、ゼオライト、セルロー
ス、ガラス繊維(繊維状ガラス)、有機ポリマー、活性
炭、炭素繊維、例えば活性炭素繊維などがある。これら
の内、塩性物質との親和性、担体の分散性、後述のよ
うな塩性物質と担体を混合してでき上がった吸着材の
加工性(表面積大で気体通気性大の形状、圧力損失が小
さい形状)などから、ケイ酸塩、アルミナ、シリカゲ
ル、ゼオライト、炭素繊維、ガラス繊維が好ましい。特
に、ケイ酸塩は層間化合物を作り、後述のように層間に
おいてもHCを捕集するので好ましい。ケイ酸による層
間化合物については、本発明者の研究がある(科学、V
o152、No10、P651〜657、1982)。
【0014】塩基性物質の種類や、担体の種類によって
は、塩基性物質をこれらの担体に保持するに当っては、
2種類以上の塩基性物質を組合わして用いることができ
る。除去対象HC種類(対象の基材又は基板の種類)に
よっては、塩基性物質の種類(組合わせ方)によって、
HCの吸着・捕集性能が効果的になることから好まし
い。この組合せには、少なくとも塩基性塩及び/又は塩
基性水酸化物を含むことが好ましい。例えば、塩基性物
質が塩基性塩であるMg(OH)2 MgCO3 及び塩基
性酸化物であるMgOで、担体が層状ケイ酸塩の場合、
HCの捕集はケイ酸塩表面の固体塩基(MgO、Mg
(OH)2 )によるものの他に、層状ケイ酸塩の間にM
gが入り、これによりHCの吸着・捕集がより効果的と
なる(図1の模式図)。塩基性物質を担体に保持させる
方法は、先ず塩基性物質と担体を十分に混合し、次に水
を加えて混練し、加熱処理することで行うことができ
る。
【0015】塩基性物質と担体の混合割合は、約1:
0.1〜30(重量%)であり、塩基性物質の種類、組
合せ方、担体の種類、製造法、適用装置の規模と種類、
吸着筒の形状、基板の種類、要求性能などにより、適宜
予備試験を行い決めることができる。これらの材料の使
用形状は、粒状(顆粒状)、球状、ペレット状、板状な
どであり、吸着筒に充填して用いる。これら吸着材によ
る被処理空気の処理速度は、通常SV(空間速度h-1
で100〜10万、一般的には数千〜数万で用いる。最
適な担体、塩基性物質の種類と濃度、組合せ、形状、充
填密度、処理速度の選択は、本装置の利用分野、基板の
種類や表面状態、接触角を増加させる有害成分の種類や
濃度、装置規模、構造、効果、再生利用の有無、経済性
などにより適宜予備試験を行い、決めることができる。
【0016】本発明の吸着材による接触角を増加させる
HCの除去機構は、例えば空気中のHCが数百種又は数
千種以上の成分の混合物と言われていることから詳細は
不明な点が多いが一般に次のように考えられる。接触角
の増加は、空気中HCの内、特に分子量の大きい物質や
活性の高い物質の影響が大きいと推定され、これらの物
質が塩基性物質を含む吸着材により効果的に吸着・捕集
されることにより除去される。すなわち、多種類の空気
中のHCの内、接触角増加にどの成分がどの程度関与す
るか不明な点が多いが、該吸着材に通すことにより、接
触角を増加する成分が除去された気体が得られる。ま
た、接触角を増加させる有害成分は基材の種類(例え
ば、ウエハ、ガラス材等)や基板上の薄膜の種類(例え
ば、Si、Al、Cr、Au、Ta、ITO)やその状
態により種々であるが、本発明の汚染防止により、表面
の汚染は防止される。
【0017】本発明者らの研究によれば、通常のクリー
ンルームにおけるガラス基板表面の接触角を増加させる
HCは、C16〜C20の高分子量HC、例えばフタル酸エ
ステル、高級脂肪酸フェノール誘導体であり、これらの
成分に共通することは化学的構造として、−CO、−C
OO結合(親水性を有する)を持つことである。また、
これらのHC成分の濃度は、通常クリーンルームではp
ptレベル(推定)であることから、従来の周知の吸着
材では捕集できなかったが、上記した吸着材の構成によ
り、これらのHCが効果的に捕集・除去できるようにな
った。ガラス基板の汚染防止における本発明の吸着材に
よるこれらのHCの捕集の模的図を図1に示す。図1
は、吸着材が塩基性物質としてMg(OH)2 MgCO
3 及びMgO、担体としてケイ酸塩を用いた場合の吸着
材によるHC捕集の模式図を示している。
【0018】HCは、ケイ酸塩表面の固体塩基(Mg
O、Mg(OH)2 )に捕集されるとともに、ケイ酸塩
層(層間)の分極性の高いMgイオンに捕集されること
を示す。すなわち、HCはこれらの2つの捕集メカニズ
ム(捕集原理)により捕集されることから、効果的な捕
集となる。接触角の増加原因は、(1)HC、SOx、
NOx、HCl、NH3 などのようなガス状の有害成
分、(2)微粒子のような粒子状物質、(3)(1)と
(2)の中間物質の有害成分(例、ミスト、クラスタ
ー)、に大別できるが、通常の空気(通常のクリーンル
ームにおける環境大気)中の濃度に対する影響では、
(1)微粒子のような粒子状物質、(2)HCのような
ガス状有害物質の関与が大きい。一般に、通常の基材や
基板に介しては、SOx、NOx、HCl、NH3は、
夫々単一成分では、通常の空気中の濃度レベルでは、接
触角の増加に対し影響は少ない。(空気清浄、第32巻
第3号、P43〜52、1994)
【0019】しかし、SOx、NOx、HCl、NH3
などの濃度が高い場合や、これら成分が比較的高濃度で
複数共存する場合、また基材や基板が敏感な場合や特殊
な場合(例えば、基材表面に特殊な薄膜を被覆した場
合)、通常では影響しない有害成分や濃度でも影響を受
ける場合がある。あるいは、クリーンルームにおいて、
HC、SOx、NOx、HCl、NH3 のような有害ガ
スの発生があり、これら成分の気体中の濃度が高い場
合、あるいは基材や基板が特殊な処理をされ敏感な状態
で取扱う場合は、本発明者がすでに提案した紫外線及び
/又は放射線を有害ガスに照射して、有害ガスを微粒子
化し、該微粒子を捕集する方法(装置)(特開平4−2
43517号公報)を適宜に組合せて用いることができ
る。
【0020】また、このような場合は別の周知の有害ガ
ス除去材例えば活性炭、イオン交換繊維などを適宜組合
せて用いることができる。活性炭は、酸やアルカリなど
を添着したり、適宜の周知の方法により改質したものを
用いることができる。HCの除去においては、本発明者
がすでに提案した紫外線照射及び/又は放射線照射によ
りHCを微粒子化して捕集する方法(特開平5−961
25号公報)を併せて用いることができる。また、本発
明者が接触角の増加防止のためにすでに提案した別の発
明(特開平5−157284号、特開平6−324号各
公報、特願平5−145073号)を適宜組合せて用い
ることができる。
【0021】特に適用分野によっては本発明の吸着材
(塩基性物質を含む吸着材)に、フッ素樹脂をバインダ
とした繊維状ガラスフィルタ(特開平6−324号)を
組合せて用いると、有害成分の捕集性能の向上に微粒子
除去性能が加わるので好ましい。すなわち、このような
組合せの場合、前述除塵フィルタが不要となる。基板の
接触角を増加させるHCは、前記のように基材の種類や
基板上の薄膜の種類やその状態でHC種類によりその関
与の度合いが異なると考えられる。このような場合、特
性の異なる数種のHC捕集材(吸着材)を組合せて用い
ることにより、幅広い性質(構造)のHCを捕集できる
ようになるので利用分野によっては好ましい。
【0022】有害成分の除去方式の選択は、上記のよう
に、 接触角に影響を及ぼす物質は多岐にわたってい
ること、また 接触角の増加の防止を行いたい現場の
立地条件(環境により存在する物質の種類や濃度、更に
はクリーンルームの条件)が夫々に異なることから、夫
々の現場に好適な方法、即ち、利用するクリーンルーム
について、汚染物(微粒子、HC、他の有害成分)の濃
度、種類、適用装置の種類、構造、規模、要求性能・効
率、経済性などで適宜に予備試験を行い決めることがで
きる。媒体が空気の場合に限らず、窒素やアルゴンなど
他の気体に不純物として微粒子状やガス状あるいはミス
ト状の有害物質が含まれる場合も同様に実施できること
は言うまでもない。
【0023】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。 実施例1 本発明の基材又は基板表面の接触角の増加防止方法を、
半導体工場におけるエアーナイフ用の供給空気に適用し
た例を図2に示す。図2において、1はクラス10,0
00のクリーンルームであり、クリーンルーム1ではク
リーンルーム内空気2が主に除塵フィルタ3−1,3−
2及び吸着材4より成る接触角の増加を防止する装置5
にて処理される。該装置後の空気6は、除塵され、かつ
接触角を増加させるガス状有害成分が除去された清浄化
空気となり、ウエハ洗浄におけるエアーナイフ装置7へ
供給される。
【0024】クリーンルーム1内の空気2は、外気8を
先ず粗フィルタ9や空気調和器10で処理を行い、次い
で、HEPAフィルタ11により除塵され、クラス1
0,000が保持されているが、外気8中の接触角を増
加させるガス状有害成分は、上記粗フィルタ9、空気調
和器10、HEPAフィルタ11では除去できないた
め、クリーンルーム1内に導入されてしまう。ここでの
接触角を増加させる主たる有害成分は、HCである。次
に接触角の増加を防止する装置5について詳しく述べ
る。微粒子と極低濃度の接触角を増加させる有害成分を
含むクリーンルーム1内の空気2は、先ず粗フィルタ3
−1にて微粒子が除去される。次いで、本発明のケイ酸
塩層に保持された塩基性物質より成る吸着材4により極
低濃度のガス状有害成分が効率良く除去される。
【0025】除塵フィルタ3−1,3−2は、これらの
フィルタによりクラス10,000のクリーンルームに
おける微粒子を効率良く捕集できるものであれば何れで
も良い。通常、粗フィルタ3−1は、ガラス繊維又はテ
フロン繊維フィルタ、また後方の除塵フィルタ3−2は
通常、HEPAフィルタやULPAフィルタが用いられ
る。後方の除塵フィルタ3−2は、吸着材4からの緊急
時の粒子状物質の流出に対応できるよう設置されてい
る。このようにして、クリーンルーム1中の微量の微粒
子と接触角を増加させる有害成分が接触角の増加を防止
する装置5にて除去され、清浄空気6となりエアーナイ
フ装置7へ供給される。
【0026】実施例2 図3に実施例1のクリーンルームにおいて、ガラス基
板、金属/ガラス基板用接触角増加防止用ストッカ13
に適用した例を示す。図3において、14はガラス基
板、金属/ガラス基板の接触角増加防止のために収納す
る空間(収納空間)、5は本発明の除塵フィルタ3−
1,3−2、吸着材4より成る接触角の増加を防止する
装置である。収納空間14には、該基板を収納空間14
に出し入れする際に、クリーンルーム1内のクラス10
000の微粒子や接触角を増加させるガス状有害成分を
含む空気2が入る。ストッカ13では、該基板の出し入
れ時の収納空間14の扉の開閉直後、及び基板の出し入
れがない場合でも2時間毎に、循環ファン15により、
収納空間14の空気が本発明の接触角の増加を防止する
装置5に通気されることにより処理される。
【0027】これにより、収納空間14の空気は除塵さ
れ、かつ接触角を増加させるガス状有害成分が除去され
た清浄化空気となる。基板の出し入れが無い場合でも一
定時間毎、本例では2時間毎に自動的に収納空間の空気
の処理を行う理由は、ストッカへ(わずかな隙間から)
外の有害成分を含む空気が浸入しても収納空間の清浄度
を絶えず高清浄度に維持するためである。すなわち、該
基板は一度汚染されてしまうと、再び清浄化するには煩
雑な清浄工程による洗浄処理を行う必要があるためであ
る。このようにして、ストッカ13の収納空間14は接
触角が増加しない清浄空気(雰囲気)が長時間安定して
維持される。
【0028】実施例3 実施例2のストッカ13の清浄化における本発明の接触
角の増加を防止する装置5において、除塵フィルタ3−
2が、本発明者らがすでに提案したフッ素樹脂をバイン
ダとした繊維状ガラスフィルタ(特開平6−324号)
である場合を図4に示す。図4における符号で、図3と
同一のものは同じ意味を示す。
【0029】実施例4 図3に示した接触角の増加を防止する装置が設置された
ストッカにおいて、該装置により収納空間の空気中の微
粒子及び有害成分の除去を行い、収納空間中の空気にガ
ラス基板を暴露し、接触角の増加について調べた。 クリーンルーム ; クラス10,000 除塵フィルタ ; 入口部、出口部いずれもHE
PAフィルタ 有害成分除去吸着材; Mg(OH)2 MgCO3
びMgOをケイ酸塩に保持させたもの。
【0030】吸着材の製造方法 ; 3MgCO3
Mg(OH)2 、MgO、ケイ酸塩を5:1:1の割合
(重量比)で混ぜ、水を加えて十分に混合する。次い
で、300℃で12時間加熱処理することにより板状吸
着材を作る。これを顆粒状に切断する。 吸着材のSV ; 3,000(h-1) クリーンルーム内の非メタン炭化水素濃度 ; 0.8
〜1.01ppm 接触角の測定 ; 接触角計 ガラス基盤の前処理 ; 洗剤とアルコールで洗浄後、
3 発生下で紫外線照射(UV/O3 処理)。
【0031】結果 180時間暴露した接触角(θ、度)を図5に示す。図
5において、本発明のものは−〇−で示し、また、比較
として、クリーンルームの空気にそのまま暴露したもの
(−●−)、除塵フィルタのみ通した空気(−□−)、
を示す。尚、用いた接触角計の接触角を検出し得る度数
(検出下限の接触角、θ、度)は、3〜4度であり、↓
印は検出限界値を示す。本発明の除塵フィルタと有害成
分除去吸着材を同時に用いたものは、180時間後でも
5度程度であった。収納空間の空気中微粒子濃度は、ク
ラス10以下(測定器:光散乱式パーティクルカウン
タ)で、非メタン炭化水素の濃度は0.1ppm以下
(測定器:ガスクロマトグラフ)であった。
【0032】実施例5 実施例4において、除塵フィルタ(出口部)としてフッ
素樹脂バインダのガラス繊維フィルタを用い、同様に試
験し、接触角の増加について調べた。(実施例4におい
て、除塵フィルタ3−2がフッ素樹脂バインダのガラス
繊維フィルタであるもの)
【0033】結果 180時間暴露した接触角を図6に示す。図6におい
て、本発明のものは−〇−で示し、また、比較としてク
リーンルームの空気にそのまま暴露したもの(−●−)
を示す。収納空間の空気中微粒子濃度は、クラス10以
下(測定器:光散乱式パーティクルカウンタ)で、非メ
タン炭化水素の濃度は0.1ppm以下(測定器:ガス
クロマトグラフ)であった。除塵フィルタ3−2として
HEPAを用いた前述実施例4では、暴露時間が約15
時間まで接触角が不検出(3〜4度以下)であるのに対
して、本発明の吸着材に、除塵フィルタ3−2としてフ
ッ素樹脂バインダのガラス繊維フィルタを組合せて用い
ると、接触角の不検出となる暴露時間が約85時間とな
った。これは、本発明の吸着材に本発明者らがすでに提
案した別のタイプの吸着材を組合せると効果が高まるた
めと考えられる。
【0034】実施例6 実施例4における接触角の増加を防止する装置の前に
「酸性ガス吸着材が充填された吸着材充填部」を設置
し、酸洗浄しているクリーンルームで用い、クリーンル
ーム内空気に暴露したガラス基板の接触角と、ストッカ
内で該装置で清浄化した空気に暴露したガラス基板の接
触角を比較した。 クリーンルーム ; クラス10,000 除塵フィルタ ; 入口部、出口部いずれもHE
PAフィルタ 有害成分除去吸着材とSV ; 実施例4と同じ
【0035】酸性ガス吸着材の充填部の吸着材 ; 活
性炭(添着炭)及びイオン交換繊維(1:1) 活性炭部のSV ; 1,500(h-1) イオン交換繊維のSV ; 10,000(h-1) クリーンルームにおける酸処理 ; 硝酸と硫酸を使用 クリーンルームにおいて、クリーンルーム空気をガラス
基板に暴露した空気中、NOx、SOx、NH3 濃度
; 10〜20ppm 接触角の測定及びガラス基板の前処理は実施例4と同
じ。
【0036】結果 180時間暴露した接触角を図7に示す。図7におい
て、本発明のものは−〇−で示す。このとき、収納空間
の空気中微粒子濃度は、クラス10以下(測定器:光散
乱式パーティクルカウンタ)で、非メタン炭化水素の濃
度は0.1ppm以下(測定器:ガスクロマトグラフ)
であった。また、比較としてクリーンルームの空気にそ
のまま暴露したもの(−●−)、また除塵フィルタ及び
有害成分除去吸着材のみのもの(−■−)を示す。
【0037】実施例7 実施例4において、有害成分除去吸着材として下記2種
類の吸着材を用いて、同様に接触角の増加について調べ
た。 (1)有害成分除去吸着材−1; Mg(OH)2 をケ
イ酸塩に保持させたもの。 吸着材の製造方法 : Mg(OH)2 、ケイ酸塩を
5:1の割合(重量比)で混ぜ、水を加えて十分に混合
する。次いで、300℃で12時間加熱処理することに
あり、板状吸着材を作る。これを顆粒状に切断する。
【0038】(2)有害成分除去吸着材−2; Mg4
Al2 (OH)12CO3 ・nH2 O(ハイドロタルサイ
ト)、MgOを、ケイ酸塩に保持させたもの。 吸着材の製造方法 : Mg4 Al2 (OH)12CO3
・nH2 O、MgO、ケイ酸塩を5:1:1の割合(重
量比)で混ぜ、水を加えて十分に混合する。次いで、3
00℃で12時間加熱処理することにより、板状吸着材
を作る。これを顆粒状に切断する。 吸着材のSV ; 3,000(h-1) クリーンルーム内の非メタン炭化水素濃度 ; 0.8
〜1.0ppm
【0039】結果 100時間暴露した接触角(θ、度)を図8に示す。図
8において、吸着材−1は−△−、吸着材−2は−〇−
で示し、また比較として、クリーンルーム空気にそのま
ま暴露したもの(−●−)を示す。収納空間の空気中微
粒子濃度は、クラス10以下(測定器:光散乱式パーテ
ィクルカウンタ)で、非メタン炭化水素の濃度は0.1
ppm以下(測定器:ガスクロマトグラフ)であった。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば以下のような効果を奏す
る。 (1)本発明の方法により気体中の微粒子を除去すると
ともに炭化水素を塩基性物質を含む吸着材で捕集するこ
とによって、清浄な気体が得られる。この清浄化気体を
半導体や液晶などの基材や基板上に暴露しておくと基材
や基板の表面の汚染が防止される。 (2)前記において、塩基性物質を担体に保持すること
により、圧力損失が小、処理気体の通気性大、表面積大
の吸着材ができた。これにより実用上効果的な接触角を
増加させる炭化水素の捕集・除去ができた。 (3)前記において、塩基性物質をケイ酸塩に保持する
ことにより、炭化水素の捕集がケイ酸塩表面の固体塩基
によるものの他にケイ酸塩の層間においても行えるよう
になったので、炭化水素の捕集除去が一層効果的となっ
た。
【0041】(4)処理気体中に炭化水素以外に、NO
x、SOx、HF、HCl、NH3 、アミンなどの有害
成分が、高濃度で含まれる場合は、これら高濃度の有害
成分の除去法(例えば、本発明者が先に提案しているイ
オン交換繊維や活性炭を用いる方法、あるいは紫外線及
び/又は放射線照射を用いる方法)を適宜選択し、それ
を本発明の方法と組合せて行うことによって、汚染物が
幅広く効果的に捕集・除去できた。 (5)前記(4)により、本方法の適用分野、適用装置
が広がった。 (6)前記により、真に接触角を増加させる有害成分、
濃度に対応した好適な捕集・除去を行うことができた。
それにより実用性が向上した。
【図面の簡単な説明】
【図1】吸着材による非メタン炭化水素の捕集の模式
図。
【図2】本発明の汚染防止装置を適用したエアーナイフ
装置の概略構成図。
【図3】本発明の汚染防止装置を設置したストッカの概
略構成図。
【図4】本発明の他の汚染防止装置を設置したストッカ
の概略構成図。
【図5】実施例4の暴露時間と接触角の関係を示すグラ
フ。
【図6】実施例5の暴露時間と接触角の関係を示すグラ
フ。
【図7】実施例6の暴露時間と接触角の関係を示すグラ
フ。
【図8】実施例7の暴露時間と接触角の関係を示すグラ
フ。
【符号の説明】
1:クリーンルーム、2:室内空気、3−1,3−2:
除塵フィルタ、4:吸着材、5:汚染防止装置、6:処
理空気、7:エアーナイフ装置、8:外気、9:粗フィ
ルタ、10:空気調和器、11:HEPAフィルタ、1
2:導入空気、13:ストッカ、14:空間、15:ポ
ンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−8752(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) F24F 7/04 - 7/06

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材又は基板表面の汚染を防止する方法
    において、該基材又は基板と接触する気体を、該気体中
    の微粒子濃度をクラス1000以下に除塵処理、及び非
    メタン炭化水素濃度を0.2ppm以下に、ケイ酸塩、
    アルミナ、シリカゲル、ゼオライト、炭素繊維、ガラス
    繊維から選ばれた1種類以上の担体に保持した塩基性物
    質を含む吸着材を用いて吸着処理することを特徴とする
    基材又は基板表面の汚染防止方法。
  2. 【請求項2】 基材又は基板表面の汚染を防止する装置
    において、該基材又は基板と接触する気体を通す、微粒
    子をクラス1000以下となるまで除去するための除塵
    手段と、非メタン炭化水素濃度を0.2ppm以下とす
    る塩基性物質と、ケイ酸塩、アルミナ、シリカゲル、ゼ
    オライト、炭素繊維、ガラス繊維から選ばれた1種類以
    上の担体とからなる吸着材を充填した吸着筒である吸着
    手段とを有することを特徴とする基材又は基板表面の汚
    染防止装置。
JP12744495A 1995-04-28 1995-04-28 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置 Expired - Fee Related JP3346677B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12744495A JP3346677B2 (ja) 1995-04-28 1995-04-28 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12744495A JP3346677B2 (ja) 1995-04-28 1995-04-28 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08303827A JPH08303827A (ja) 1996-11-22
JP3346677B2 true JP3346677B2 (ja) 2002-11-18

Family

ID=14960091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12744495A Expired - Fee Related JP3346677B2 (ja) 1995-04-28 1995-04-28 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3346677B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001141274A (ja) 1999-11-12 2001-05-25 Daikin Ind Ltd クリーンルーム

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08303827A (ja) 1996-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7029518B2 (en) Method and apparatus for the preparation of clean gases
US5922105A (en) Method and apparatus for the preparation of clean gases
JP3693315B2 (ja) クリーンルームにおける気体清浄方法及びその装置
JPH0226612A (ja) ガス体中の微量イオンの捕捉方法及びガス体浄化方法及びガス体浄化フィルター装置
JP3346677B2 (ja) 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置
JP3981386B2 (ja) 基材又は基板表面の汚染を防止する方法及び装置
JP3346687B2 (ja) 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置
JP3429522B2 (ja) 気体清浄化手段を有する搬送装置
JP2001338853A (ja) 半導体の製造方法
US6340381B1 (en) Method and apparatus for the preparation of clean gases
JP3759062B2 (ja) 清浄気体の調整装置
JP3635511B2 (ja) 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置
JP3288148B2 (ja) 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置
JP3141341B2 (ja) 密閉空間における基材又は基板表面の接触角増加防止方法と装置
JPH078752A (ja) 清浄気体の調製方法および調製装置
JPH10211419A (ja) 空間清浄化材及びそれを用いた空間清浄化方法
JP2991963B2 (ja) 基材又は基板表面の汚染防止方法と装置
JP2582706B2 (ja) 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置
JP3711376B2 (ja) 気体清浄化方法および気体清浄化装置
JPH11123316A (ja) 超清浄空気製造装置
JPH0796939B2 (ja) 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置
JPH08117539A (ja) 清浄気体の調製方法及び装置
JP2006066929A (ja) 基材又は基板表面の汚染を防止する方法及び装置
JPH06198215A (ja) 気体の清浄方法及び装置
JP3552140B2 (ja) 気体の清浄化方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees