TWI796480B - 電解水生成裝置及電解水生成系統 - Google Patents

電解水生成裝置及電解水生成系統 Download PDF

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Abstract

電解水生成裝置具備：陽極；陰極；及陽離子交換膜，在陽極與陰極之間，設置成與陽極及陰極之至少一者接觸。在陽離子交換膜與陽極及陰極之至少一者之間，存在會產生水的流動的間隙。

Description

電解水生成裝置及電解水生成系統 發明領域
本揭示是有關於一種電解水生成裝置及電解水生成系統。
發明背景
電解水生成系統的開發從以往便一直進行著。以往的電解水生成系統如日本專利特開2011-136333號公報所揭示地，具備：供水流動的流路、及連接於流路的電解水生成裝置。電解水生成裝置具備：陽極、陰極、及設置於陽極與陰極之間的陽離子交換膜。電解水生成裝置會被控制部控制，並藉此而切換至從在流路中流動的水生成電解水的生成狀態、及未生成電解水的非生成狀態之任一狀態。
發明概要
在上述之以往的電解水生成裝置中，有設置成陽極與陽離子交換膜彼此接觸，並且設置成陽離子交換膜與陰極彼此接觸之裝置。在這種以往的電解水生成裝置中，陽離子交換膜為不織布。因此，在陽極與陽離子交換膜之間、及陽離子交換膜與陰極之間至少一者中，會有已被封閉到水無法流動之程度的間隙(小到無法圖示)存在的情況。
此時，會有陽極附近所產生的氣體例如氧或臭氧在已被封閉到無法供陽極與陽離子交換膜之間的水流動之程度的間隙中滯留的情況。又，會有陰極附近所產生的氣體例如氫在已被封閉到無法供陽離子交換膜與陰極之間的水流動之程度的間隙中滯留的情況。在該等情況下，在陽極與陽離子交換膜之間及陽離子交換膜與陰極之間滯留的氣體，會在陽極與陰極之間作為絕緣物而發揮功能。因此，當施加於陽極與陰極之間的電壓維持在恆定值時，電解水之濃度便會慢慢地降低。因此，為了持續地利用所欲之濃度的電解水，必須將施加於陽極與陰極之間的電壓慢慢地增加至比事先制定之基準電壓更大。
本揭示是有鑒於這種以往技術所具有的課題而作成的內容。本揭示的目的是提供一種電解水生成裝置及電解水生成系統，會將為了持續地利用所欲之濃度的電解水，而將施加於陽極與陰極之間的電壓增加至比基準電壓更大的程度減低。
本揭示之電解水生成裝置具備：陽極；陰極；及陽離子交換膜，在陽極與陰極之間，設置成與陽極及陰極之至少一者接觸。在陽離子交換膜與陽極及陰極之至少一者之間，存在會產生水的流動的間隙。
在本揭示之電解水生成裝置中，陽離子交換膜是設置成與陽極及陰極接觸。在陽離子交換膜設置有膜孔，前述膜孔貫通陽離子交換膜，使陽極的與陽離子交換膜相對向的面露出。在陰極設置有陰極孔，前述陰極孔貫 通陰極而與膜孔連通。在陰極的陰極孔設置有高電阻材料，前述高電阻材料具有比陰極的電阻值更高的電阻值。
本揭示之電解水生成裝置具備：陽極；陽離子交換膜，設置成與陽極接觸；陰極，設置成與陽離子交換膜接觸，並具有框形狀；及高電阻材料，在框形狀的內周設置成與框形狀的內周面接觸，並具有比陰極的電阻值更高的電阻值。在陽離子交換膜設置有膜孔，前述膜孔貫通陽離子交換膜，使陽極的與陽離子交換膜相對向的面露出。在高電阻材料設置有連通孔，前述連通孔貫通高電阻材料而與膜孔連通。
本揭示之電解水生成系統具備：電解水生成裝置；及控制部，控制電解水生成裝置。控制部會在陽極與陰極之間間歇地施加電壓。
本揭示之電解水生成系統具備：主幹流路，可供給水；第1分支流路，從主幹流路分歧；電解水生成裝置，包含：陽極、陰極、及設置於陽極與陰極之間的陽離子交換膜，電解水生成裝置連接於第1分支流路，會在生成狀態及非生成狀態之間切換，前述生成狀態是從在第1分支流路中流動的水生成電解水的狀態，前述非生成狀態是不生成電解水的狀態；第2分支流路，從主幹流路分歧，並將在主幹流路中流動的水朝主幹流路之下游供給；及流路變更機構，可在第1狀態及第2狀態之間切換，前述第1狀態是將水從主幹流路朝第1分支流路供給的狀態，前述第2狀態是將水從主幹流路朝第2分支流路供給的狀態。
根據本揭示之電解水生成裝置及電解水生成系統，可以將為了持續地利用所欲之濃度的電解水，而將施加於陽極與陰極之間的電壓增加至比基準電壓更大的程度減低。
1:積層構造
1A:陽極
1C:陰極
1CTH:陰極孔
1S:供電體
1SA、1SC:軸安裝片
5:陽離子交換膜
5TH:膜孔
10A:上游側的第1分支流路
10B:上游側的第2分支流路
15:主幹流路
20A:下游側的第1分支流路
20B:下游側的第2分支流路
100A:第1電解水生成裝置
100B:第2電解水生成裝置
101:外殼
102:電極盒
103:電極盒蓋
104、105:貫通孔
106、107:供電用軸
200:淨化裝置
1000:電解水生成系統
(r):電阻器
AC:交流電力
C、CA、CB、CC、CD:控制部
C1、C2:間隙
DC:直流電力
I:輸入部
M:記憶體
P:泵
PR:處理器
R:高電阻材料
RTH:連通孔
S:感測器
V:流路變更機構
V1:第1開閉閥
V2:第2開閉閥
圖1是實施形態1之電解水生成系統的外觀立體圖。
圖2是實施形態1之電解水生成裝置的縱截面圖。
圖3是實施形態1之電解水生成裝置的積層構造的分解立體圖。
圖4是實施形態1之電解水生成裝置的積層構造的放大縱截面圖。
圖5是用於說明實施形態1之電解水生成裝置的化學作用的第1圖。
圖6是用於說明實施形態1之電解水生成裝置的化學作用的第2圖。
圖7是用於說明實施形態1之電解水生成裝置的化學作用的第3圖。
圖8是實施形態1之電解水生成裝置的其他例的陰極的立體圖。
圖9是用於說明實施形態1之電解水生成系統的控制態樣的時間圖。
圖10是實施形態2之電解水生成系統的概略 圖。
圖11是實施形態2之其他例的電解水生成系統的概略圖。
圖12是顯示分別在實施形態2之電解水生成系統的間歇運轉動作及連續運轉動作中之施加於陽極與陰極之間的電壓、與施加電壓的時間之關係的圖表。
圖13是顯示分別在實施形態2之電解水生成系統的間歇運轉動作及連續運轉動作中之生成之臭氧的濃度、與在陽極與陰極之間施加電壓的時間之關係的圖表。
圖14是實施形態2之電解水生成系統的電解水生成裝置的陽離子交換膜的化學式。
圖15是用於說明在實施形態2之電解水生成裝置的內部產生的化學作用的第1圖。
圖16是用於說明在實施形態2之電解水生成裝置的內部產生的化學作用的第2圖。
圖17是用於說明在實施形態2之電解水生成裝置的內部產生的化學作用的第3圖。
用以實施發明之形態
以下，一邊參照圖式，一邊說明各實施形態之電解水生成系統及在該電解水生成系統中使用的電解水生成裝置。在以下之複數個實施形態中，在附加了相同參照符號的部分彼此之間，即便在圖式上之形狀有些許的不同，但只要沒有特別的記載，就視為彼此具有相同的功能。
(實施形態1)
使用圖1~圖9，說明實施形態1之電解水生成系統1000。
(系統的構造)
如圖1所示地，電解水生成系統1000具備有供水流動的流路。設置於電解水生成系統1000的流路是藉由：主幹流路15、上游側的第1分支流路10A、下游側的第1分支流路20A、上游側的第2分支流路10B、下游側的第2分支流路20B所構成。主幹流路15會接受藉由泵P所送出的水。亦即，水會從泵P被供給至主幹流路15。上游側的第1分支流路10A及上游側的第2分支流路10B是各自從主幹流路15分歧。另外，在本實施形態中，從泵P供給的水亦稱為原水。
第1分支流路10A、20A包含：上游側的第1分支流路10A、及下游側的第1分支流路20A。在上游側的第1分支流路10A與下游側的第1分支流路20A之間，連接有第1電解水生成裝置100A。
第2分支流路10B、20B包含：上游側的第2分支流路10B、及下游側的第2分支流路20B。在上游側的第2分支流路10B與下游側的第2分支流路20B之間，連接有第2電解水生成裝置100B。
主幹流路15、上游側的第1分支流路10A、下游側的第1分支流路20A、上游側的第2分支流路10B、及下游側的第2分支流路20B各自皆為丙烯酸樹脂製之中 空的方管。
電解水生成系統1000在分歧部中具備有流路變更機構V，前述分歧部是主幹流路15與上游側的第1分支流路10A的分歧部，且是主幹流路15與上游側的第2分支流路10B的分歧部。在本實施形態中，流路變更機構V是作為流路切換閥而發揮功能的三通閥。在本實施形態之電解水生成系統1000中，在主幹流路15中流動的原水會經由流路變更機構V而流入(供給至)上游側的第1分支流路10A及上游側的第2分支流路10B之任一分支流路。
流入上游側的第1分支流路10A的原水會流入第1電解水生成裝置100A。流入第1電解水生成裝置100A的原水在通過第1電解水生成裝置100A後，會變化為電解水而朝下游側的第1分支流路20A流入。
流入上游側的第2分支流路10B的原水會流入第2電解水生成裝置100B。流入第2電解水生成裝置100B的原水在通過第2電解水生成裝置100B後，會變化為電解水而朝下游側的第2分支流路20B流入。
(控制部)
如圖1所示，電解水生成系統1000具備有控制部CA、CB、CC、CD。控制部CA是控制第1電解水生成裝置100A。控制部CB是控制第2電解水生成裝置100B。控制部CC是控制流路變更機構V。控制部CD是控制泵P。在本實施形態中，控制部CA、CB、CC、CD是描繪作為不同的零件。然而，控制部CA、CB、CC、CD亦 可為由一體形成的1個零件所構成的1個控制部。
電解水生成系統1000具備有供操作者操作的輸入部I。輸入部I會依據操作者的操作，而將指令訊號朝各個控制部CA、CB、CC、CD傳送。控制部CA及控制部CB各自具有：感測器S、記憶體M、及處理器PR等。控制部CA、CB會使用處理器PR記憶於記憶體M的程式而從交流電力AC生成直流電力DC。藉此，控制部CA會對第1電解水生成裝置100A內的陽極1A(參照圖2)及陰極1C(參照圖2)施加直流電壓。控制部CB會對第2電解水生成裝置100B內的陽極1A(參照圖2)及陰極1C(參照圖2)施加直流電壓。雖未圖示，但控制部CC及控制部CD也各自具有：感測器、記憶體、及處理器等。
控制部CA、CB會各自經由電阻器(r)來接受在陽極1A與陰極1C之間流動的電流。藉此，控制部CA、CB會各自依據藉由感測器S所檢測出的在陽極1A與陰極1C之間流動的電流的值的資訊，來控制施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的值。具體而言，控制部CA、CB會各自控制施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的值，以使在陽極1A與陰極1C之間流動的電流的值成為預定值。
電解水之濃度，例如臭氧水之濃度被推測為與在陽極1A與陰極1C之間流動的電流的值成比例。因此，為了將可利用的電解水之濃度維持在恆定值(包含大致恆定值)，控制部CA、CB會各自使施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓變化，以將在陽極1A與陰極1C之間流動的 電流的值維持在幾乎恆定值。
例如，若持續利用第1電解水生成裝置100A，藉由控制部CA之感測器S所檢測出的電流的值便會有變得比預定值更低的情況。此時，被持續利用的控制部CA會執行使施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的值增加的控制，以使在第1電解水生成裝置100A內的陽極1A與陰極1C之間流動的電流的值增加至預定值。
又，例如，若持續利用第2電解水生成裝置100B，藉由控制部CB之感測器S所檢測出的電流的值便會有變得比預定值更低的情況。此時，被持續利用的控制部CB會執行使施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的值增加的控制，以使在第2電解水生成裝置100B內的陽極1A與陰極1C之間流動的電流的值增加至預定值。
控制部CA是依據從輸入部I所接收之指令訊號來控制第1電解水生成裝置100A。控制部CB是依據從輸入部I所接收之指令訊號來控制第2電解水生成裝置100B。控制部CC是依據從輸入部I所接收之指令訊號來控制流路變更機構V。控制部CD是依據從輸入部I所接收之指令訊號來控制泵P。
在第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B之至少一者為滿水狀態的情況下、或電解水生成系統1000發生電性連接等異常事態的情況下，控制部CA、CB、CC、CD會停止第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B。只要沒有發生這種異常事態等，控 制部CA、CB、CC、CD便會執行後續之通常進行的處理。
(流路變更機構)
圖1所示之流路變更機構V是藉由被控制部CC控制，來選擇性地形成將原水從主幹流路15朝上游側的第1分支流路10A引導的第1狀態、及將原水從主幹流路15朝上游側的第2分支流路10B引導的第2狀態之任一狀態。亦即，流路變更機構V會在第1狀態與第2狀態之間切換。流路變更機構V在本實施形態中是1個三通閥亦即流路切換閥，但亦可為分別設置於上游側的第1分支流路10A及上游側的第2分支流路10B的2個開閉閥。此時，控制部CC會控制2個切換閥的開閉動作，以使2個開閉閥的開閉動作與流路切換閥的流路切換動作成為相同。
(電解水生成裝置的構造)
說明圖2所示之實施形態1的第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B。第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B都是作為複數個電解水生成裝置的一例來顯示。因此，將3以上之電解水生成裝置之任1個控制成選擇性且依序生成電解水的生成狀態亦可。
第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B都會作為生成臭氧水來作為電解水的臭氧水生成裝置而發揮功能。在本實施形態中，第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B具有相同的構造。然而，第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B 亦可具有彼此不同的構造。
第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B都具備：外殼101、及設置於外殼101內的積層構造1。外殼101具有：電極盒102、及將電極盒102之上方的開口堵塞的電極盒蓋103。
(電極盒)
如圖2所示地，第1電解水生成裝置100A的電極盒102及第2電解水生成裝置100B的電極盒102具有相同構造。電極盒102是例如丙烯酸樹脂製。電極盒102具有上表面開口的容器構造。
在第1電解水生成裝置100A的電極盒102之一端側的側面，連接有上游側的第1分支流路10A。在第1電解水生成裝置100A的電極盒102之與一端側的側面相對向之另一端側的側面，連接有下游側的第1分支流路20A。在第2電解水生成裝置100B的電極盒102之一端側的側面，連接有上游側的第2分支流路10B。在第2電解水生成裝置100B的電極盒102之與一端側的側面相對向之另一端側的側面，連接有下游側的第2分支流路20B。電極盒102在電極盒102的內部具有支撐積層構造1的肋(未圖示)。
電極盒102的底面具有2個貫通孔104、105。供電用軸106、107會各自經過2個貫通孔104、105而朝電極盒102的外部延伸。又，從第1電解水生成裝置100A的供電用軸106、107之前端延伸的配線(未圖示)是 電性地連接於控制部CA。從第2電解水生成裝置100B的供電用軸106、107延伸的配線是電性地連接於控制部CB。
(積層構造)
如圖2及圖3所示地，第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B各自內包有相同的積層構造1。積層構造1具備：供電體1S、陽極1A、陽離子交換膜5、及陰極1C。在供電體1S之其中一個主表面上，藉由電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)法而形成有陽極1A。在陽極1A上，亦即陽極1A之一端的面，積層有陽離子交換膜5。在陽離子交換膜5上，亦即陽離子交換膜5之積層了陽極1A的面之相反側的面，積層有陰極1C。
如圖2所示地，上游側的第1分支流路10A連接於第1電解水生成裝置100A之上游側的流入口。下游側的第1分支流路20A連接於第1電解水生成裝置100A之下游側的流出口。第1電解水生成裝置100A會在：從在上游側的第1分支流路10A中流動的原水生成第1電解水的第1生成狀態、及不生成第1電解水的第1非生成狀態之任一狀態，亦即第1生成狀態與第1非生成狀態之間切換。
如圖2所示地，上游側的第2分支流路10B連接於第2電解水生成裝置100B之上游側的流入口。下游側的第2分支流路20B連接於第2電解水生成裝置100B之下游側的流出口。第2電解水生成裝置100B會在：從在第2分支流路10B中流動的原水生成第2電解水的第2生成狀態、及不生成第2電解水的第2非生成狀態之任一狀態，亦 即第2生成狀態與第2非生成狀態之間切換。
積層構造1會將原水電性分解而生成作為電解水的臭氧水。積層構造1是例如10mm×50mm×1.2mm的薄板狀。積層構造1具有孔部，更具體而言，是具有溝部或狹縫。孔部如之後詳細敘述地，是構成為貫通陰極1C及陽離子交換膜5，且陽極1A之上表面(表面)亦即陽極1A的與陽離子交換膜5相對向的面露出於貫通後之底面。
如從圖2的截面圖所推測地，是以作為陰極1C的陰極孔1CTH的狹縫與作為陽離子交換膜5的膜孔5TH的狹縫在俯視視角中重疊的方式，而配置有陰極1C與陽離子交換膜5。因此，積層構造1之前述的孔部會從陰極1C之上側的流路連通至陽極1A之上表面。
在本實施形態的各個第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B中，陽極1A與陽離子交換膜5是配置成彼此接觸。陽離子交換膜5與陰極1C是配置成彼此接觸。換言之，陽離子交換膜5是在陽極1A與陰極1C之間，設置成與陽極1A接觸，並且，陽離子交換膜5是在陽極1A與陰極1C之間，設置成與陰極1C接觸。然而，陽極1A與陽離子交換膜5亦可彼此空出距離而設置。又，陽離子交換膜5與陰極1C亦可彼此空出距離而設置。
(供電體)
圖2及圖3所示之供電體1S會對積層構造1的陽極1A賦予正電荷。供電體1S是例如10mm×50mm×0.5mm的薄板狀。藉由供電體1S之一個緣部的延伸部，而 構成有軸安裝片1SA。供電體1S可以是例如硼摻雜(boron-doped)型的導電性鑽石材料，亦可為鈦。供電體1S被支撐於電極盒102。從軸安裝片1SA被拉出的供電用軸106是電性地連接於控制部CA或控制部CB。
(陽極)
圖2及圖3所示之陽極1A會接受來自控制部CA、CB之正電荷亦即供電體1S所賦予之正電荷，而生成作為電解水的臭氧的氣泡。陽極1A是例如10mm×50mm×3μm的薄板狀。陽極1A是例如硼摻雜型的導電性鑽石膜。
(離子交換膜)
圖2及圖3所示之陽離子交換膜5是保持在被陽極1A與陰極1C夾住的狀態。供電體1S所賦予之正電荷會從陽極1A朝陰極1C移動。陽離子交換膜5是例如10mm×50mm×0.2mm的薄板狀。陽離子交換膜5具有：狹縫狀的膜孔5TH，朝向陽極1A，並從陽離子交換膜5之上表面朝陽離子交換膜5之下表面貫通。換言之，膜孔5TH貫通陽離子交換膜5，使陽極1A的與陽離子交換膜5相對向的面露出。
狹縫狀的膜孔5TH之長邊方向是與陰極1C之長邊方向正交的方向。狹縫狀的膜孔5TH的尺寸是例如7mm×1mm×0.5mm。雖與圖不同，但膜孔5TH是例如設置於陽離子交換膜5的10個位置處。又，在陽離子交換膜5設置有溝或缺口，構成將鄰接之膜孔5TH彼此連結(連通)的間隙C1或間隙C2。亦即，間隙C1及間隙C2連接於膜孔 5TH。該溝或缺口亦可為在製造步驟中必然會形成的凹陷。
(陰極)
圖2及圖3所示之陰極1C會接受通過陽離子交換膜5之正電荷，而生成氫的氣泡。陰極1C是例如10mm×50mm×0.5mm的薄板狀。藉由陰極1C之一個緣部的延部，而構成有軸安裝片1SC。陰極1C具有：狹縫狀的陰極孔1CTH，從陰極1C之上表面朝陰極1C之下表面貫通。陰極孔1CTH貫通陰極1C而與膜孔5TH連通。
狹縫狀的陰極孔1CTH之長邊方向是與陰極1C之長邊方向正交的方向。狹縫狀的陰極孔1CTH的尺寸是例如7mm×1mm×0.5mm。雖與圖不同，但陰極孔1CTH是例如設置於陰極1C的10個位置處。在陰極孔1CTH的內周面塗佈了樹脂製的被覆材料即高電阻材料R。高電阻材料R的電阻值比陰極1C的電阻值更大(高)。陰極1C是例如不鏽鋼製。從陰極1C的軸安裝片1SC被拉出的供電用軸107是電性地連接於控制部CA或控制部CB。
(化學作用)
如圖4所示地，在各個第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B中，當未對陽極1A與陰極1C施加電壓，且原水未流動時，幾乎沒有產生化學作用。
如圖5所示地，在對陽極1A與陰極1C施加電壓後，便會產生如以下的化學作用。
陽極1A側 3H2O→O3+6H++6e-
2H2O→O2+4H++4e-
陰極1C側 2H2O+2e-→H2+2OH-
亦即，在各個第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B中，會在陽極1A附近產生氧與臭氧，且在陰極1C附近產生氫。在陽極1A附近是否產生臭氧，是依施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓而定。在本實施形態中，是作成為在陽極1A與陽離子交換膜5的界面中，在陽極1A與陰極1C之間施加會產生臭氧之程度的電壓。惟，在陽極1A與陽離子交換膜5的界面中，亦可在陽極1A與陰極1C之間施加不會產生臭氧之程度的電壓。另外，作為用以生成臭氧的電極，亦可使用例如二氧化鉛電極、鑽石電極、鉑電極、或氧化鉭電極等。
如圖6所示地，在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓的狀態下，若持續將原水供給至陽離子交換膜5，陽離子交換膜5便會擷取原水中所含有的金屬陽離子(M+)，並將氫離子(H+)釋出至原水中。若氫離子(H+)彼此結合，便會生成氫(H2)。金屬陽離子(M+)是例如鈣離子(Ca2+)或鈉離子(Na+)等。
之後，若在陽極1A與陰極1C之間施加電壓，在陽極1A與陽離子交換膜5的界面附近便會產生2H2O+2e-+M2+→H2+M(OH)2的化學反應。亦即，原水中所含有的金屬陽離子(例如Ca2+或Na+)會在陽極1A附近與氫氧離子(OH-)結合而生成金屬氫氧化物M(OH)2。
例如，當金屬陽離子(M2+)為鈣離子(Ca2+)時，水中的碳酸離子(CO2-)與鈣離子(Ca2+)便會結合。藉 由水中的碳酸離子(CO2-)與鈣離子(Ca2+)的結合，便會產生水垢(CaCO3)。因此，如圖6中以兩點鏈線所示地，在陰極1C與陽離子交換膜5的界面附近的膜孔5TH及陰極孔1CTH的內周面會有水垢(CaCO3)附著的情況。然而，根據本實施形態的第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B，藉由後述之高電阻材料R的存在，便可抑制水垢(CaCO3)朝膜孔5TH及陰極孔1CTH的內周面的附著。其結果，可抑制因膜孔5TH及陰極孔1CTH被已朝膜孔5TH及陰極孔1CTH的內周面附著的水垢(CaCO3)縮窄所造成之臭氧生成效率的降低。
(間隙)
陽極1A與陽離子交換膜5是彼此接觸。這是由於為了提高電解水的生成效率，宜提高從陽極1A朝陽離子交換膜5之正電荷的移動效率的緣故。因此，在陽極1A與陽離子交換膜5的接觸面彼此之間的水不會流動之些微的空間中，會有臭氧的氣泡滯留之虞。因此，在本實施形態中，為了在陽極1A與陽離子交換膜5之間產生水的流動，而在陽極1A與陽離子交換膜5之間設置有會產生水的流動的間隙C1。其結果，陽極1A的接觸面與陽離子交換膜5的接觸面之間所存在的臭氧會藉由虹吸(siphon)作用而自然地混入水中，前述虹吸作用是起因於在沿著陽極1A及陽離子交換膜5各自的接觸面的方向上通過間隙C1的水的流動。亦即，間隙C1是供水從陽離子交換膜5之一端朝陽離子交換膜5之另一端流動的路徑。因此，可抑制臭氧 滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間。基於以上的內容，可以抑制用於電解水生成所需之施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的增加。
陽離子交換膜5與陰極1C是彼此接觸。這是由於為了提高電解水的生成效率，宜提高從陽離子交換膜5朝陰極1C之正電荷的移動效率的緣故。因此，在陽離子交換膜5與陰極1C的接觸面彼此之間的水不會流動之些微的空間中，會有氫的氣泡滯留之虞。因此，在本實施形態中，為了在陽離子交換膜5與陰極1C之間產生水的流動，而在陽離子交換膜5與陰極1C之間設置有會產生水的流動的間隙C2。其結果，陽離子交換膜5的接觸面與陰極1C的接觸面之間所存在的氫會藉由虹吸作用而自然地混入水中，前述虹吸作用是起因於在與陽離子交換膜5及陰極1C各自的接觸面平行的方向上通過間隙C2的水的流動。亦即，間隙C2是供水從陽離子交換膜5之一端朝陽離子交換膜5之另一端流動的路徑。因此，可抑制氫滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間。基於以上的內容，可以抑制用於電解水生成所需之施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的增加。
如圖7所示地，間隙C1是設置於與陽極1A相對向的陽離子交換膜5的表面的溝或缺口。惟，間隙C1亦可為形成於與陽離子交換膜5相對向的陽極1A的表面的溝或缺口。又，間隙C1亦可為形成於與陽極1A相對向的陽離子交換膜5的表面的溝或缺口、及形成於與陽離子交換 膜5相對向的陽極1A的表面的溝或缺口兩者。換言之，間隙C1是形成於陽離子交換膜5的與陽極1A相對向的面、及陽極1A的與陽離子交換膜5相對向的面之至少一面的溝或缺口。間隙C1亦可為製造時自然形成於陽極1A與陽離子交換膜5之間之物。
間隙C1不同於如圖式所描繪之大的溝或缺口，實際上，是形成於構成陽離子交換膜5之不織布的多數個細小的缺口或溝。只要是在陽極1A與陽離子交換膜5之間產生水的流動，且具有陽極1A與陽離子交換膜5接觸的部分，間隙C1的位置及大小不論何種皆可。
如圖7所示地，間隙C2是設置於與陰極1C相對向的陽離子交換膜5的表面的溝或缺口。惟，間隙C2亦可為形成於與陽離子交換膜5相對向的陰極1C的表面的溝或缺口。又，間隙C2亦可為形成於與陰極1C相對向的陽離子交換膜5的表面的溝或缺口、及形成於與陽離子交換膜5相對向的陰極1C的表面的溝或缺口兩者。換言之，間隙C2是形成於陽離子交換膜5的與陰極1C相對向的面、及陰極1C的與陽離子交換膜5相對向的面之至少一者的溝或缺口。間隙C2亦可為製造時自然形成於陰極1C與陽離子交換膜5之間之物。
間隙C2不同於如圖式所描繪之大的溝或缺口，實際上，是形成於構成陽離子交換膜5之不織布的多數個細小的缺口或溝。只要是在陽離子交換膜5與陰極1C之間產生水的流動，且具有陽離子交換膜5與陰極1C接觸 的部分，間隙C2的位置及大小不論何種皆可。
如圖7所示地，陽極1A及陰極1C各自為平板狀。平板狀的陽極1A、陽離子交換膜5、及平板狀的陰極1C會形成(構成)以此順序積層之積層構造1。陽離子交換膜5具有在陽離子交換膜5之厚度方向上貫通的複數個膜孔5TH。陰極1C具有在陰極1C之厚度方向上貫通，並與複數個膜孔5TH各自連通的複數個陰極孔1CTH。因此，會藉由陽離子交換膜5側的陽極1A的表面、複數個膜孔5TH的內面、及複數個陰極孔1CTH的內面而構成複數個孔部。亦即，複數個孔部是以陽離子交換膜5側的陽極1A的表面為底面，並以複數個膜孔5TH的內面及複數個陰極孔1CTH的內面為周面而構成。
如圖7所示地，陽極1A與陽離子交換膜5之間的間隙C1會將形成於積層構造1的複數個孔部中之鄰接的孔部彼此連通。因此，陽極1A與陽離子交換膜5之間所存在的臭氧會有效率地混入水流中。陽離子交換膜5與陰極1C之間的間隙C2會將形成於積層構造1的複數個孔部中之鄰接的孔部彼此連通。因此，陽離子交換膜5與陰極1C之間所存在的氫會有效率地混入水中。
(高電阻材料)
如同從圖4~圖8可知地，陰極孔1CTH的內周面是藉由高電阻材料R所覆蓋，前述高電阻材料R具有比陰極1C的電阻值更高的電阻值。換言之，高電阻材料R設置於陰極孔1CTH，且具有比陰極1C的電阻值更高的電阻 值。因此，陰極孔1CTH的內周面吸引水中所含有的陽離子的力量會減弱。藉此，可抑制陽離子滯留於陰極孔1CTH內的情況。因此，可抑制滯留於陰極孔1CTH的內周面的陽離子與水中所含有的陰離子之結合。其結果，可抑制因陽離子與陰離子之結合所造成之水垢的產生。因此，可抑制因水垢滯留於陰極孔1CTH內所造成之電解水的生成能力的降低。
本實施形態中，高電阻材料R亦可藉由加熱或化學反應而使構成陰極1C之不鏽鋼的陰極孔1CTH的內周面變化來構成。陰極孔1CTH的內周面整體宜藉由高電阻材料R而被覆蓋。高電阻材料R宜為絕緣材料。
此外，陰極1C與陽離子交換膜5的接觸面中之陰極孔1CTH的內周面之周圍部分，例如陰極1C之下表面的一部分及上表面也可藉由高電阻材料R而被覆蓋。惟，由於陰極1C與陽離子交換膜5是在任一位置(部分)接觸，因此將可以從陽離子交換膜5朝陰極1C傳達陽離子。據此，可更確實地抑制水垢的產生。
此外，複數個陰極孔1CTH各自的內周面整體宜藉由高電阻材料R而被覆蓋。據此，電解水的生成效率會變高，並且可更確實地抑制水垢的產生。
高電阻材料R是塗佈於陰極1C的被覆材料。具體而言，高電阻材料R是塗佈於陰極孔1CTH(陰極1C的內周面)的被覆材料。因此，可以容易地進行高電阻材料R對陰極1C的內周面的附著。
另外，高電阻材料R宜為絕緣材料。當高電阻材料R為絕緣材料時，可更確實地抑制水垢的產生。
在本實施形態中，陰極1C是以不鏽鋼材料所形成(構成)，高電阻材料R是以氟樹脂材料所形成(構成)。因此，可以將陰極1C與被覆材料之附著強度的值、及所需的被覆材料之電阻的值兩者設定成所欲的大小。
(其他例的陰極及高電阻材料)
如圖8所示地，第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B包含其他例的陰極1C亦可。其他例的陰極1C具有框形狀。具有框形狀之其他例的陰極1C之下表面是設置成與陽離子交換膜5之上表面接觸。此時，在陽離子交換膜5中，不設置間隙C1及間隙C2亦可。
高電阻材料R是以覆蓋框形狀的陰極1C的內周面的方式，被嵌入框形狀的陰極1C內。換言之，高電阻材料R是以與框形狀的陰極1C的內周面接觸的方式，來設置於框形狀的陰極1C的內周。高電阻材料R具有如格子窗般的構造。具體而言，高電阻材料R具有板狀構件的外形，並具有與複數個膜孔5TH各自連通的複數個連通孔RTH。亦即，複數個連通孔RTH貫通高電阻材料R而與複數個膜孔5TH各自連通。高電阻材料R具有比陰極電阻值更高的電阻值。
據此，具有框形狀的陰極1C的內周面與陽離子交換膜5的複數個膜孔5TH各自的內周面，會藉由高電阻材料R而被絕緣。因此，在膜孔5TH附近產生水垢的疑 慮(可能性)便會降低。另外，在膜孔5TH之下方且在露出於水中之陽極1A之上表面所產生的臭氧，會通過複數個連通孔RTH而混入在陰極1C之上方流動的水中。
(系統的切換控制)
如圖9所示地，控制部CD是藉由驅動(ON)泵P，而將原水送入主幹流路15。流路變更機構V是藉由控制部CC而選擇性地切換至第1狀態及第2狀態之任一狀態。本實施形態中，第1狀態是流路變更機構V將原水從主幹流路15朝上游側的第1分支流路10A引導(供給)的狀態。第2狀態是流路變更機構V將原水從主幹流路15朝上游側的第2分支流路10B引導(供給)的狀態。
首先，控制部CC會將流路變更機構V從已關閉的狀態朝第1狀態切換。藉此，原水會從主幹流路15朝上游側的第1分支流路10A被引導。然後，原水會被供給至第1電解水生成裝置100A。
接著，控制部CA會在流路變更機構V成為第1狀態的期間之任一時間中，執行第1電解水生成裝置100A生成電解水的控制，亦即將第1電解水生成裝置100A作成為第1生成狀態的控制。亦即，在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間施加電壓。在第1電解水生成裝置100A中，是藉由在陽極1A與陰極1C之間施加(ON)電壓，而生成電解水。換言之，控制部CA是藉由在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間施加電壓，來將第1電解水生成裝置100A控制成從第1非生成狀態切換 至第1生成狀態。
又，控制部CB會在流路變更機構V成為第1狀態時，執行第2電解水生成裝置100B不生成電解水的控制，亦即將第2電解水生成裝置100B作成為第2非生成狀態的控制。亦即，在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間不施加電壓。換言之，第2電解水生成裝置100B為停止(OFF)狀態。
然後，控制部CD會執行停止泵P的控制，並且，控制部CC會將流路變更機構V從第1狀態切換至關閉的狀態。此時，在第1電解水生成裝置100A中，控制部CA在陰極1C與陽極1A之間不會施加電壓。在第2電解水生成裝置100B中，控制部CB在陰極1C與陽極1A之間不會施加電壓。
接著，在控制部CD執行驅動泵P的控制的狀態下，控制部CC會將流路變更機構V從已關閉的狀態朝第2狀態切換。藉此，原水會從主幹流路15朝上游側的第2分支流路10B被引導。然後，原水會被供給至第2電解水生成裝置100B。
控制部CA會在流路變更機構V成為第2狀態時，執行第1電解水生成裝置100A不生成電解水的控制，亦即將第1電解水生成裝置100A作成為第1非生成狀態的控制。亦即，在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間不施加電壓。換言之，第1電解水生成裝置100A為停止(OFF)狀態。
又，控制部CB會在流路變更機構V成為第2狀態的期間之任一時間中，執行第2電解水生成裝置100B生成電解水的控制，亦即將第2電解水生成裝置100B作成為第2生成狀態的控制。亦即，在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間施加電壓。在第2電解水生成裝置100B中，是藉由在陽極1A與陰極1C之間施加(ON)電壓，而生成電解水。換言之，控制部CB是藉由在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間施加電壓，來將第2電解水生成裝置100B控制成從第2非生成狀態切換至第2生成狀態。
一般而言，當連續地持續利用第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B時，會產生因電解水的pH之增加所造成的水垢朝陰極1C等的附著。水垢有鈣水垢、鎂水垢、及被稱作硬度成分水垢之物。作為該等水垢之一例，包含：碳酸鈣、碳酸鎂、硫酸鈣、氫氧化鎂、及磷酸鈣、或是氫氧化鐵及氧化鐵等，前述氫氧化鐵及氧化鐵等是作為被稱作鐵鹽水垢(鐵鏽)之水垢的一例。
一旦產生水垢，在陽極1A與陰極1C之間流動的電流的值便會降低。此時，控制部CA或CB會執行使施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的值增加的控制。因此，若連續地持續利用第1電解水生成裝置100A，第1電解水生成裝置100A的電解水的生成效率便會降低。又，若連續地持續利用第2電解水生成裝置100B，第2電解水生成裝置100B的電解水的生成效率便會降低。
由以上的內容來看，為了抑制水垢的產生，可以考慮縮短第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B各自連續利用的期間。因此，生成電解水的電解水生成裝置與不生成電解水的電解水生成裝置會被切換，以分割出各自被利用的期間。據此，第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B各自被利用的期間便會縮短。另一方面，作為電解水生成系統1000整體，會持續地生成電解水。其結果，可以抑制為了獲得所欲之濃度的電解水而施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的增加，並且可以維持電解水的生成能力。
(系統的間歇運轉控制)
如圖9所示地，第1電解水生成裝置100A的控制部CA及第2電解水生成裝置100B的控制部CB都會在陽極1A與陰極1C之間間歇地施加電壓。因此，在陽極1A與陰極1C之間的電壓施加被停止的期間，滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的臭氧會流出至水中，並且滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的氫會流出至水中。其結果，可抑制臭氧滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間，並且可抑制氫滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間。
如圖9所示地，控制部CA、CB、CC、CD會控制泵P及流路變更機構V。藉此，不僅是在陽極1A與陰極1C之間施加有電壓的期間，連在電壓的施加被停止的期間之一部分中，原水也會朝電解水生成裝置100A、100B被引導。更具體而言，除了在將電壓施加於陽極1A與陰極 1C之間的期間之外，連在將電壓施加於陽極1A與陰極1C之間的期間之前後的預定期間中，原水也會朝電解水生成裝置100A、100B被引導。換言之，在未將電壓施加於陽極1A與陰極1C之間的期間中，原水會朝電解水生成裝置100A、100B被供給。因此，可更確實地抑制臭氧滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間，並且可更確實地抑制氫滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間。另外，控制部CD與電壓的施加(ON)及停止(OFF)的切換同步，來控制泵P的驅動(ON)及停止(OFF)的切換，以將原水送出至主幹流路15亦可。
(電解水生成系統的動作)
操作者會操作輸入部I，將指令訊號從輸入部I朝控制部CA、CB、CC、CD傳送。藉此，首先，泵P會驅動並將原水送入第1電解水生成裝置100A。然後，在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間施加電壓。藉此，在第1電解水生成裝置100A內會生成電解水。在本實施形態的情況下，在第1電解水生成裝置100A內之陽離子交換膜5與陽極1A的界面附近會生成臭氧的氣泡。又，在第1電解水生成裝置100A內之陽離子交換膜5與陰極1C的界面附近會產生氫。臭氧的氣泡及氫的氣泡會溶解於原水。其結果，會生成臭氧水來作為電解水。
在將電壓施加於第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間的狀態下，臭氧的氣泡會隨著時間的經過而滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的不可避 免的間隙，亦即已被封閉到水無法流動之程度的間隙。另外，不可避免的間隙是小至無法圖示。滯留於不可避免的間隙的臭氧的氣泡，在陽極1A與陰極1C之間會作為絕緣物而發揮功能。然而，滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的不可避免的間隙的臭氧，會藉由因在間隙C1流動的水流所造成的虹吸作用而被朝水中吸引，並從第1電解水生成裝置100A朝下游側的第1分支流路20A流出。
又，在將電壓施加於第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間的狀態下，氫的氣泡會隨著時間的經過而滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的不可避免的間隙。另外，不可避免的間隙是小至無法圖示。滯留於不可避免的間隙的氫的氣泡，在陽極1A與陰極1C之間會作為絕緣物而發揮功能。然而，滯留於陰極1C與陽離子交換膜5的不可避免的間隙的氫，會藉由因在間隙C2流動的水流所造成的虹吸作用而被朝水中吸引，並從第1電解水生成裝置100A朝下游側的第1分支流路20A流出。
又，上述的情況下，在藉由第1電解水生成裝置100A的積層構造1的膜孔5TH、陰極孔1CTH(或連通孔RTH)及陽極1A的表面所構成的孔部亦即狹縫內，氫氧離子濃度會增加。其結果，氫氧化物鹽(水垢)會一次性地滯留在孔部中。在本實施形態中，陰極孔1CTH的內周面是藉由高電阻材料R而被覆蓋。因此，已產生的水垢不會附著於陰極孔1CTH而是會朝電解水中混入，並從第1電解水生成裝置100A朝下游側的第1分支流路20A與電解水一 併流出。
當原水被送入第1電解水生成裝置100A時，原水便不會被送入第2電解水生成裝置100B。因此，可抑制原水中所含有的金屬陽離子蓄積於第2電解水生成裝置100B之陽離子交換膜5。例如，可抑制第2電解水生成裝置100B之陽離子交換膜5的氫離子(H+)與原水中的鈣離子(Ca2+)之交換。
在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間施加電壓經過預定時間後，便會停止在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間施加電壓。藉此，便會停止在陽極1A與陽離子交換膜5之間產生臭氧、及在陽離子交換膜5與陰極1C之間產生氫。然後，僅在預定期間持續驅動泵P。其結果，在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間已停止施加電壓的狀態下，原水會被送入第1電解水生成裝置100A。藉此，幾乎所有滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的臭氧的氣泡，都會在朝原水中流出後，與原水一併從第1電解水生成裝置100A幾乎全部(幾乎完全)排出。又，幾乎所有滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的氫的氣泡，都會在朝原水中流出後，與原水一併從第1電解水生成裝置100A幾乎全部(幾乎完全)排出。
停止在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間施加電壓並經過預定時間後，泵P便會停止。藉此，原水變得不會朝第1電解水生成裝置100A被送 入。因此，氫氧離子(OH-)會幾乎完全從第1電解水生成裝置100A排出。其結果，第1電解水生成裝置100A之內部的原水的鹼性會緩和。因此，可抑制第1電解水生成裝置100A內產生水垢。
之後，在控制部CD持續執行驅動泵P的控制的狀態下，藉由控制部CC執行切換流路變更機構V的控制，已被送入第1電解水生成裝置100A的原水便會朝第2電解水生成裝置100B被送入。然後，在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間施加電壓。藉此，在第2電解水生成裝置100B內會生成電解水。在本實施形態的情況下，在陽離子交換膜5與陽極1A的界面附近會生成臭氧的氣泡。又，在第2電解水生成裝置100B內之陽離子交換膜5與陰極1C的界面附近會產生氫。臭氧的氣泡及氫的氣泡會溶解於原水。其結果，會生成臭氧水來作為電解水。
在將電壓施加於第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間的狀態下，臭氧的氣泡會隨著時間的經過而滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的不可避免的間隙，亦即已被封閉到水無法流動之程度的間隙。另外，不可避免的間隙是小至無法圖示。滯留於不可避免的間隙的臭氧的氣泡，在陽極1A與陰極1C之間會作為絕緣物而發揮功能。然而，滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的不可避免的間隙的臭氧，會藉由因在間隙C1流動的水流所造成的虹吸作用而被朝水中吸引，並從第2電解水生成裝置100B朝下游側的第2分支流路20B流出。
又，在將電壓施加於第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間的狀態下，氫的氣泡會隨著時間的經過而滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的不可避免的間隙。另外，不可避免的間隙是小至無法圖示。滯留於不可避免的間隙的氫的氣泡，在陽極1A與陰極1C之間會作為絕緣物而發揮功能。然而，滯留於陰極1C與陽離子交換膜5的不可避免的間隙的氫，會藉由因在間隙C2流動的水流所造成的虹吸作用而被朝水中吸引，並第2電解水生成裝置100B朝下游側的第2分支流路20B流出。
又，上述的情況下，在藉由第2電解水生成裝置100B的積層構造1的膜孔5TH、陰極孔1CTH(或連通孔RTH)及陽極1A的表面所構成的孔部亦即狹縫內，氫氧離子濃度會增加。其結果，氫氧化物鹽(水垢)會一次性地滯留在孔部中。在本實施形態中，陰極孔1CTH的內周面是藉由高電阻材料R而被覆蓋。因此，已產生的水垢不會附著於陰極孔1CTH而是會朝電解水中混入，並從第2電解水生成裝置100B朝下游側的第2分支流路20B與電解水一併流出。
當原水被送入第2電解水生成裝置100B時，原水便不會被送入第1電解水生成裝置100A。因此，可抑制原水中所含有的金屬陽離子蓄積於第1電解水生成裝置100A之陽離子交換膜5。例如，可抑制第1電解水生成裝置100A之陽離子交換膜5的氫離子(H+)與原水中的鈣離子(Ca2+)之交換。
在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間施加電壓並經過預定時間後，便會停止在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間施加電壓。藉此，便會停止在陽極1A與陽離子交換膜5之間產生臭氧、及在陽離子交換膜5與陰極1C之間產生氫。然後，僅在預定期間持續驅動泵P。其結果，在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間已停止施加電壓的狀態下，原水會被送入第2電解水生成裝置100B。藉此，幾乎所有滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的臭氧的氣泡，都會朝原水中流出後，與原水一併從第2電解水生成裝置100B幾乎全部(幾乎完全)排出。又，幾乎所有滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的氫的氣泡，都會在朝原水中流出後，與原水一併從第2電解水生成裝置100B幾乎全部(幾乎完全)排出。
停止在第2電解水生成裝置100B的陽極1A與陰極1C之間施加電壓並經過預定時間後，泵P便會停止。藉此，原水變得不會朝第2電解水生成裝置100B被送入。因此，氫氧離子(OH-)會幾乎完全從第2電解水生成裝置100B排出。其結果，第2電解水生成裝置100B之內部的原水的鹼性會緩和。又，可抑制第2電解水生成裝置100B內產生水垢。
之後，在控制部CD持續執行驅動泵P的控制的狀態下，藉由控制部CC執行切換流路變更機構V的控制，已被送入第2電解水生成裝置100B的原水便會朝第1 電解水生成裝置100A被送入。然後，在第1電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間再次施加電壓。
如上述之本實施形態之電解水生成系統1000會被利用在：不利用通常的水，而僅利用殺菌用的臭氧水的場所，例如廁所之便器的洗淨水。
(實施形態2)
本實施形態之電解水生成系統1000與實施形態1之電解水生成系統1000為幾乎相同。以下，主要說明本實施形態之電解水生成系統1000與實施形態1之電解水生成系統1000不同的點。另外，本實施形態之電解水生成裝置100A是作成為與實施形態1之第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B相同之物。
然而，本實施形態之電解水生成裝置100A亦可為與實施形態1之第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B不同之物。例如，電解水生成裝置100A亦可為藉由將離子交換膜及金網製之陰極各自依序壓接而捲繞或接著於白金製之金網所構成的陽極的外側之物。
如圖10所示地，電解水生成系統1000具備：主幹流路15、上游側的第1分支流路10A、下游側的第1分支流路20A、電解水生成裝置100A、上游側的第2分支流路10B、下游側的第2分支流路20B、及流路變更機構V。
流路變更機構V具備：開閉閥V1、及開閉閥V2。在本實施形態中，開閉閥V1是設置(連接)於上游側的第1分支流路10A。開閉閥V2是設置(連接)於上游側的第2 分支流路10B。另外，取代開閉閥V1及開閉閥V2，亦可在主幹流路15、上游側的第1分支流路10A、及上游側的第2分支流路10B各自的分歧部，設置作為實施形態1的流路切換閥的三通閥。
如圖10所示地，主幹流路15會接受藉由泵P所送出的原水。亦即，原水會從泵P被供給至主幹流路15。
上游側的第1分支流路10A是從主幹流路15分歧。
電解水生成裝置100A包含：陽極1A、陰極1C、及設置於陽極1A及陰極1C之間的陽離子交換膜5。電解水生成裝置100A連接於上游側的第1分支流路10A及下游側的第1分支流路20A。
電解水生成裝置100A會在：從在上游側的第1分支流路10A中流動的原水生成電解水的生成狀態、及不生成電解水的非生成狀態之任一狀態，亦即生成狀態及非生成狀態之間切換。
上游側的第2分支流路10B是從主幹流路15分歧，並將在主幹流路15中流動的原水朝主幹流路15之下游引導。開閉閥V1、V2是藉由控制部C而變化為第1狀態及第2狀態之任一狀態。第1狀態是開閉閥V1被開放且開閉閥V2被閉塞的狀態，並且是原水從主幹流路15朝上游側的第1分支流路10A被引導的狀態。第2狀態是開閉閥V1被閉塞且開閉閥V2被開放的狀態，並且是原水從主幹流路15朝上游側的第2分支流路10B被引導的狀態。
根據上述的構成，可以在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時，將開閉閥V1、V2切換至第2狀態，以使原水不被供給至陽離子交換膜5。亦即，控制部C會將開閉閥V1作成為關閉狀態，並將開閉閥V2作成為開啟狀態。藉此，可以抑制電解水生成裝置100A內之陽離子交換膜5擷取原水中所含有的陽離子。
因此，在電解水生成裝置100A生成電解水時，亦即在陽極1A與陰極1C之間施加了電壓時，可抑制被陽離子交換膜5擷取的陽離子朝電解水釋出。其結果，可抑制因從陽離子交換膜5朝電解水釋出陽離子所造成之水垢的生成。
又，當電解水生成裝置100A沒有生成電解水時，可以從第2分支流路20B取出非電解水的水。因此，當電解水生成裝置100A沒有生成電解水時，可以一邊抑制水垢的生成，一邊利用非電解水的水，例如非臭氧水的水。
如圖10所示地，電解水生成系統1000具備淨化裝置200。淨化裝置200是連接於上游側的第2分支流路10B與下游側的第2分支流路20B之間，會將在上游側的第2分支流路10B中流動的原水作為淨化水而使其朝第2分支流路20B之下游流出。亦即，淨化裝置200會從在上游側的第2分支流路10B中流動的原水生成淨化水。因此，可以在電解水生成裝置100A沒有生成電解水時，利用淨化水而非原水。另外，未設置淨化裝置200亦可。
如上述之本實施形態之電解水生成系統 1000可以使用在家庭之廚房所利用的自來水。此時，可以用臭氧水將廚房水槽的內面殺菌洗淨，另一方面可以將不含臭氧的自來水利用於餐具等的洗淨。
(其他例的電解水生成系統)
如圖11所示地，實施形態2之其他例的電解水生成系統1000具備淨化裝置200。淨化裝置200連接於主幹流路15。淨化裝置200會將在主幹流路15中流動的原水作為淨化水而使其朝主幹流路15之下游流出。亦即，淨化裝置200會從在主幹流路15中流動的原水生成淨化水。另外，未設置淨化裝置200亦可。
在其他例的電解水生成系統1000中，電解水生成裝置100A會取代原水改從淨化水生成電解水。因此，會減低異物進入電解水生成裝置100A內部之虞。又，可以在電解水生成裝置100A沒有生成電解水時，利用淨化水而非原水。
使用圖12及圖13來比較臭氧的生成效率。圖12及圖13是在生成臭氧之總時間相同的條件下，比較以下情況之臭氧水的生成能力降低的態樣用的圖表：在1個電解水生成裝置中連續地生成臭氧的情況、與間歇地生成臭氧的情況。連續地生成臭氧水是意指在電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間連續地施加電壓。間歇地生成臭氧水是意指在電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間間歇地施加電壓。
圖12顯示了在電極(1A、1C)為OFF時，在泵 P為ON狀態且將開閉閥V1作成為開啟狀態的情況下之電解水生成裝置100A中之時間與電壓的關係。又，圖12也顯示了在電極(1A、1C)為OFF時，泵P為OFF狀態的情況、或泵P為ON狀態且將開閉閥V1作成為關閉狀態的情況下之電解水生成裝置100A中之時間與電壓的關係。
圖13顯示了在電極(1A、1C)為OFF時，泵P為ON狀態且將開閉閥V1作成為開啟狀態的情況下之電解水生成裝置100A中之時間與臭氧生成量的關係。又，圖13也顯示了在電極(1A、1C)為OFF時，泵P為OFF狀態的情況、或泵P為ON狀態且將開閉閥V1作成為關閉狀態的情況下之電解水生成裝置100A中之時間與臭氧生成量的關係。
另外，在圖12及圖13中，所謂「電極(1A、1C)為OFF時」是意指在電解水生成裝置100A的陽極1A與陰極1C之間未施加電壓的狀態。所謂「泵P為ON狀態」是意指藉由泵P被驅動，而使得原水於主幹流路15流動的狀態。所謂「開閉閥V1為開啟狀態」是意指藉由開閉閥V1被開啟，而使得原水流入電解水生成裝置100A的狀態。所謂「開閉閥V1為關閉狀態」是意指藉由開閉閥V1被關閉，而使得原水未流入電解水生成裝置100A的狀態。
在圖12中，相較於在電極(1A、1C)為OFF時將開閉閥V1作成為關閉狀態的情況，在電極(1A、1C)為OFF時將開閉閥V1作成為開啟狀態的情況下，施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓會在更短的時間內增加。換言之，從圖12可知，在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時， 若停止朝電解水生成裝置100A供給原水，就可抑制用於生成所欲之濃度的臭氧所需之施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的增加。這是因為可抑制在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時的陰極1C附近之水垢的產生的緣故。
在圖13中，相較於在電極為OFF時將開閉閥V1作成為關閉狀態的情況，在電極(1A、1C)為OFF時將開閉閥V1作成為開啟狀態的情況下，在電解水生成裝置100A之下游所獲得的臭氧之濃度會在更短的時間內降低。換言之，從圖13可知，在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時，若停止朝電解水生成裝置100A供給原水，就可抑制臭氧之濃度的降低。這是因為可抑制在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時的陰極1C附近之水垢的產生的緣故。
如圖14所示地，其他例的電解水生成裝置100A之陽離子交換膜5具有磺酸基(-SO3H)。如圖15所示地，當在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時，陽離子交換膜5會接受水中的金屬陽離子(Ca2+、Na+)，並將氫離子(H+)朝水釋出。亦即，陽離子會被取代。
如圖15所示地，在其他例的第1電解水生成裝置100A中，陽極1A、陽離子交換膜5、及陰極1C也可以不是積層構造，而是彼此分離配置。又，陽極1A及陰極1C也可以不是平板狀，而是網眼狀。在其他例的第1電解水生成裝置100A中，也可以不產生臭氧，而是在水中生成氫與氧。
如圖16所示地，剛在陽極1A與陰極1C之間施加了電壓後，在陽極1A附近，水(H2O)會被分解為氫氧基(OH-)與氫離子(H+)。其結果，陽離子交換膜5會擷取氫離子(H+)，並將金屬陽離子(Ca2+、Na+)釋出至水中。又，在陰極1C的附近會產生氫(H2)。因此，在圖16所示之狀態下，水中的金屬陽離子(Ca2+、Na+)之濃度會增加，水的pH會上升。
如圖17所示地，若在陽極1A與陰極1C之間施加電壓的狀態持續，金屬陽離子(Ca2+、Na+)朝水中的釋出便會停止。在圖17所示之狀態下，水中的金屬陽離子(Ca2+、Na+)之濃度會降低，水的pH會降低。
在使用圖14~圖17所示之其他例的電解水生成裝置100A的情況下，也可與實施形態1的第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B同樣地抑制水垢的產生。具體而言，與前述之本實施形態1同樣地，可抑制因流動的水所含有之陽離子交換膜5的金屬陽離子(Ca2+、Na+)之擷取所造成之水垢的產生。
以下，說明實施形態之電解水生成裝置100A、100B及電解水生成系統1000之特徵構成及藉其所得之效果。
(1)電解水生成裝置100A、100B具備：陽極1A；陰極1C；及陽離子交換膜5，在陽極1A與陰極1C之間，設置成至少接觸陽極1A及陰極1C之至少一者。在陽離子交換膜5與陽極1A及陰極1C之至少一者之間，存在會 產生水的流動的間隙C1、C2。
據此，陽極1A與陽離子交換膜5之間所存在的臭氧、及陽離子交換膜5與陰極1C之間所存在的氫之至少一者，會藉由虹吸作用而自然地混入水中，前述虹吸作用是起因於通過陽極1A與陽離子交換膜5之間隙C1、及陽離子交換膜5與陰極1C之間隙C2之至少一者的水的流動。因此，可抑制臭氧滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的情況、及氫滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的情況之至少一者。其結果，可抑制用於電解水之生成所需之施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的增加。
(2)間隙C1、C2亦可包含溝或缺口，設置於陽離子交換膜5的與陽極1A及陰極1C之至少一者相對向的面、以及陽極1A及陰極1C之至少一者的與陽離子交換膜5相對向的面之至少一面。
據此，可以容易地形成間隙C1、C2。
(3)在電解水生成裝置100A、100B中，陽離子交換膜5是設置成與陽極1A及陰極1C接觸。在陽離子交換膜5設置有膜孔5TH，前述膜孔5TH貫通陽離子交換膜5，使陽極1A的與陽離子交換膜5相對向的面露出。在陰極1C設置有陰極孔1CTH，前述陰極孔1CTH貫通陰極1C而與膜孔5TH連通。在陰極1C的陰極孔1CTH設置有高電阻材料R，前述高電阻材料R具有比陰極1C的電阻值更高的電阻值。
根據上述的構成，陰極孔1CTH的內周面吸 引水中所含有的陽離子的力量會減弱。藉此，可抑制陽離子滯留於陰極孔1CTH內。因此，可抑制滯留於陰極孔1CTH的內周面的陽離子與水中所含有的陰離子之結合。其結果，可抑制因陽離子與陰離子之結合所造成之水垢的產生。因此，可抑制因水垢滯留於陰極孔1CTH內所造成之電解水的生成能力的降低。
(4)間隙C1、C2是供水從陽離子交換膜5之一端朝陽離子交換膜5之另一端流動的路徑。
據此，可抑制臭氧滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的情況、及氫滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的情況之至少一者。其結果，可抑制用於電解水生成所需之施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓的增加。
(5)高電阻材料R亦可為塗佈於陰極孔1CTH的被覆材料。
據此，可以容易地進行高電阻材料R對陰極孔1CTH的附著。
(6)電解水生成裝置100A、100B具備：陽極1A；陽離子交換膜5，設置成與陽極1A接觸；陰極1C，設置成與陽離子交換膜5接觸，並具有框形狀；及高電阻材料R，在框形狀的內周設置成與框形狀的內周面接觸，並具有比陰極1C的電阻值更高的電阻值。在陽離子交換膜5設置有膜孔5TH，前述膜孔5TH貫通陽離子交換膜5，使陽極1A的與陽離子交換膜5相對向的面露出。在高電阻材料R設置有貫通高電阻材料R的連通孔RTH而與膜孔5TH連 通。
據此，可抑制因水垢滯留於連通孔RTH內所造成之電解水生成能力的降低。
(7)陰極1C是以不鏽鋼材料所構成，高電阻材料R是以氟樹脂材料所構成亦可。
據此，陰極1C與被覆材料之附著強度的值、及所需的電阻的值兩者會被設定成所欲的大小。
(8)電解水生成系統1000具備：前述(1)~(7)中任一項記載之電解水生成裝置100A、100B；及控制部CA、CB、CC、CD，控制電解水生成裝置100A、100B。控制部CA、CB、CC、CD會在陽極1A與陰極1C之間間歇地施加電壓。
據此，在陽極1A與陰極1C之間的電壓施加被停止的期間，滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的臭氧會流出至已被供給至電解水生成裝置100A、100B的水中。因此，可抑制臭氧滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間。又，在陽極1A與陰極1C之間的電壓施加被停止的期間，滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的氫會流出至已被供給至電解水生成裝置100A、100B的水中。因此，可抑制氫滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間。
(9)電解水生成系統1000亦可具備：流路(15、10A、10B)，將水朝電解水生成裝置100A、100B供給。電解水生成系統1000亦可具備：泵P，將水朝流路(15、10A、10B)供給；流路變更機構V，切換成將水從流路(15、 10A、10B)朝電解水生成裝置100A、100B間歇地供給。控制部CA、CB、CC、CD會控制泵P及流路變更機構V。藉此，在未施加電壓的期間，仍會從流路(15、10A、10B)朝電解水生成裝置100A、100B供給水。
據此，可以將幾乎所有滯留於陽極1A與陽離子交換膜5之間的臭氧、及滯留於陽離子交換膜5與陰極1C之間的氫，從電解水生成裝置100A、100B朝下游的流路(20A、20B)流動。
(10)電解水生成系統1000包含：主幹流路15，可供給原水；第1分支流路10A、20A，從主幹流路15分歧；第2分支流路10B、20B，從主幹流路15分歧，並將在主幹流路15中流動的原水朝主幹流路15之下游供給。
電解水生成系統1000包含：電解水生成裝置100A、100B。電解水生成裝置100A、100B包含：陽極1A、陰極1C、及設置於陽極1A與陰極1C之間的陽離子交換膜5。電解水生成裝置100A、100B連接於第1分支流路10A、20A，會在第1生成狀態及第1非生成狀態之間切換，前述第1生成狀態是從在第1分支流路10A、20A中流動的原水生成第1電解水的狀態，前述第1非生成狀態是不生成第1電解水的狀態。
流路變更機構V、V1、V2會在第1狀態及第2狀態之間切換，前述第1狀態是將原水從主幹流路15朝第1分支流路10A、20A供給的狀態，前述第2狀態是將原水從主幹流路15朝第2分支流路10B、20B供給的狀態。
根據上述的構成，當在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時，可以將流路變更機構V、V1、V2切換至第2狀態，以使原水不被供給至陽離子交換膜5。藉此，可以抑制陽離子交換膜5擷取原水中所含有的陽離子。因此，在電解水生成裝置100A、100B生成電解水時，亦即在陽極1A與陰極1C之間施加了電壓時，可抑制被陽離子交換膜5擷取的陽離子朝電解水釋出。其結果，可抑制因陽離子從陽離子交換膜5朝電解水釋出所造成之水垢的生成。又，當電解水生成裝置100A、100B沒有生成電解水時，可以從第2分支流路10B取出非電解水的水。因此，當電解水生成裝置100A、100B沒有生成電解水時，可以一邊抑制水垢的生成，一邊使用非電解水的水。
(11)電解水生成系統1000亦可更具備：控制部CA、CB、CC、CD，控制電解水生成裝置100A、100B。控制部CA、CB、CC、CD是藉由在陽極1A與陰極1C之間間歇地施加電壓，而將電解水生成裝置100A、100B控制成從非生成狀態切換至生成狀態。
根據上述的構成，可以藉由切換至電解水生成裝置生成電解水的生成狀態來生成電解水。
(12)在電解水生成系統1000中，陽極1A是第1陽極1A。陰極1C是第1陰極1C。陽離子交換膜5是第1陽離子交換膜5。生成狀態是第1生成狀態。非生成狀態是第1非生成狀態。電解水生成裝置100A、100B是第1電解水生成裝置100A。
電解水生成系統1000包含第2電解水生成裝置100B。電解水生成裝置100B包含：第2陽極1A、第2陰極1C、及設置於第2陽極1A與第2陰極1C之間的第2陽離子交換膜5。第2電解水生成裝置100B連接於第2分支流路10B、20B，會在第2生成狀態及第2非生成狀態之間切換，前述第2生成狀態是從在第2分支流路10B、20B中流動的原水生成第2電解水的狀態，前述第2非生成狀態是不生成第2電解水的狀態。
當連續地持續利用上述之電解水生成裝置100A時，在陽極1A與陽離子交換膜5之間，會有多數的臭氧的氣泡滯留，又，在陰極1C與陽離子交換膜5之間，會有多數的氫的氣泡滯留。滯留的臭氧的氣泡及氫的氣泡會形成局部的絕緣部。因此，原水之電性分解的能力會降低。亦即，施加於陽極1A與陰極1C之間的電壓會增加。又，會產生因水的pH之增加所造成的水垢朝陰極1C的附著。其結果，電解水的生成能力會降低。因此，看是要縮短連續利用各個第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B的時間，或是不得不放棄各個第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B的連續利用。然而，根據上述的構成，生成電解水的電解水生成裝置與不生成電解水的電解水生成裝置會被切換，以分割出各自被利用的期間，藉此，第1電解水生成裝置100A及第2電解水生成裝置100B各自被利用的期間便會縮短。另一方面，電解水會連續地生成。其結果，會提升電解水的生成能力。
(13)電解水生成系統1000亦可更具備：控制部CA、CB、CC、CD，控制第1電解水生成裝置100A、第2電解水生成裝置100B、及流路變更機構V。控制部CA、CB、CC、CD在將流路變更機構V控制成從第2狀態切換至第1狀態時，會將第2電解水生成裝置100B控制成從第2生成狀態切換至第2非生成狀態，並且，在將流路變更機構V控制成從第2狀態切換至第1狀態的期間中，會將第1電解水生成裝置100A控制成從第1非生成狀態切換至第1生成狀態。又，控制部CA、CB、CC、CD在將流路變更機構V控制成從第1狀態切換至第2狀態時，會將第1電解水生成裝置100A控制成從第1生成狀態切換至第1非生成狀態，並且，在將流路變更機構V控制成從第1狀態切換至第2狀態的期間中，會將第2電解水生成裝置100B控制成從第2非生成狀態切換至第2生成狀態。
根據上述的構成，藉由控制部CA、CB，便可自動地抑制水垢的生成。
(14)電解水生成系統1000更具備：淨化裝置200，連接於第2分支流路10B、20B，會從在第2分支流路10B、20B中流動的原水生成淨化水，並將生成的淨化水朝第2分支流路10B、20B之下游供給。
據此，在電解水生成裝置100A、100B不生成電解水時，可以使用淨化水而非原水。
(15)電解水生成系統1000更具備：淨化裝置200，連接於主幹流路15，會從在主幹流路15中流動的原 水生成淨化水，並將生成的淨化水朝主幹流路15之下游供給。
此時，電解水生成裝置100A、100B會從淨化水生成電解水。據此，由於是從淨化水生成電解水，因此可以減低異物進入電解水生成裝置100A、100B之內部之虞。又，在電解水生成裝置100A、100B不生成電解水時，可以使用淨化水而非原水。
(16)流路變更機構V、V1、V2具有：第1開閉閥V1，連接於第1分支流路10A、20A；第2開閉閥V2，連接於第2分支流路10B、20B。在第1狀態中，第1開閉閥V1會被開放，且第2開閉閥V2會被閉塞。在第2狀態中，第1開閉閥V1會被閉塞，且第2開閉閥V2會被開放。
根據上述的構成，當在陽極1A與陰極1C之間未施加電壓時，可以切換第1開閉閥V1及第2開閉閥V2的狀態，以使原水不被供給至陽離子交換膜5。藉此，可以抑制陽離子交換膜5擷取原水中所含有的陽離子。因此，在陽極1A與陰極1C之間施加了電壓時，可抑制被陽離子交換膜5擷取的陽離子朝電解水釋出。其結果，可抑制因陽離子從陽離子交換膜5朝電解水釋出所造成之水垢的生成。
1:積層構造
1A:陽極
1C:陰極
1CTH:陰極孔
1S:供電體
5:陽離子交換膜
5TH:膜孔
C1、C2:間隙
R:高電阻材料

Claims (9)

  1. 一種電解水生成裝置，具備：陽極；陰極；及陽離子交換膜，在前述陽極與前述陰極之間，設置成與前述陽極及前述陰極之至少一者接觸，在前述陽離子交換膜與前述陽極及前述陰極之前述至少一者之間，存在會產生水的流動的間隙，前述陽離子交換膜具有複數個膜孔，前述間隙設為將前述複數個膜孔當中之相鄰接的膜孔彼此連通。
  2. 如請求項1之電解水生成裝置，其中前述間隙是溝或缺口，設置於前述陽離子交換膜的與前述陽極及前述陰極之前述至少一者相對向的面、以及前述陽極及前述陰極之前述至少一者的與前述陽離子交換膜相對向的面之至少一面。
  3. 如請求項1之電解水生成裝置，其中前述陽離子交換膜是設置成與前述陽極及前述陰極接觸，在前述陽離子交換膜設置有膜孔，前述膜孔貫通前述陽離子交換膜，使前述陽極的與前述陽離子交換膜相對向的面露出，在前述陰極設置有陰極孔，前述陰極孔貫通前述陰極而與前述膜孔連通，在前述陰極的前述陰極孔設置有高電阻材料，前述高電阻材料具有比前述陰極的電阻值更高的電阻值。
  4. 如請求項1至3中任一項之電解水生成裝置，其中前述間隙是供水從前述陽離子交換膜之一端朝前述陽離子交換膜之另一端流動的路徑。
  5. 如請求項3之電解水生成裝置，其中前述高電阻材料是塗佈於前述陰極孔的被覆材料。
  6. 如請求項1之電解水生成裝置，其中在前述陽離子交換膜設置有貫通前述陽離子交換膜而使前述陽極的與陽離子交換膜相對向的面露出的膜孔，前述陰極，設置成與前述陽離子交換膜接觸，並具有框形狀，更在前述框形狀的內周以與前述框形狀的內周面接觸的方式設置有高電阻材料，前述高電阻材料具有比前述陰極的電阻值更高的電阻值，且在前述高電阻材料設置有連通孔，前述連通孔貫通前述高電阻材料而與前述膜孔連通。
  7. 如請求項3、5、6中任一項之電解水生成裝置，其中前述陰極是以不鏽鋼材料所構成，前述高電阻材料是以氟樹脂材料所構成。
  8. 一種電解水生成系統，具備：如請求項1至7中任一項之電解水生成裝置；及控制部，控制前述電解水生成裝置，前述控制部會在前述陽極與前述陰極之間間歇地施加電壓。
  9. 如請求項8之電解水生成系統，其更具備：流路，將前述水朝前述電解水生成裝置供給；泵，將前述水朝前述流路供給；及流路變更機構，切換成將前述水從前述流路朝前述電解水生成裝置間歇地供給，前述控制部在未施加前述電壓的期間，仍會控制前述泵及前述流路變更機構，以將前述水從前述流路朝前述電解水生成裝置供給。
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