TWI794192B - 基板的加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 本發明的目的在於，在以玻璃基板作為構成材料的基板的正面和背面上形成目標性的標記時，將不致在玻璃基板中產生裂紋。 [解決方法] 一種基板的加工方法，對包含第一層與第二層的基板，於第二層的每一個上形成目標性的一標記，其中第一層由玻璃基板所形成，第二層設置在第一層的正面和背面的每一個上且與第一層為不同材質，在基板的加工方法中，從基板的一側的面照射一雷射，雷射的能量密度能對第二層加工但不能對第一層加工，以在基板的正面和背面對應處同時形成標記。

Description

基板的加工方法
本發明是關於在使用玻璃基板作為構成材料的基板的正面和背面上形成目標性的標記的基板的加工方法。
藉由例如在玻璃基板的正面和背面上黏貼樹脂層來提供樹脂層，在這樣的基板的加工過程中，存在需要將用於對準位置的如對齊標記這樣的標記形成在樹脂層上的情況。 另一方面，作為在基板上形成對齊標記的方法，習知有藉由如專利文獻1所公開的如鑽頭的機械加工裝置進行的方法。當藉由該方法在上述基板的樹脂層上形成對齊標記時，存在有在玻璃基板上的對齊標記形成位置產生裂紋的問題。
[習知技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本特開2007-7776號公報
[發明所要解決的問題] 鑑於上述情況，本發明的目的是在以玻璃基板作為構成材料的基板的正面和背面上形成目標性的標記時，在玻璃基板上不容易發生裂紋。 [解決問題的方法]
本發明揭示的一種代表性的基板的加工方法，對包含第一層與第二層的前述基板，於前述第二層的每一個上形成目標性的一標記，其中前述第一層由玻璃基板所形成，前述第二層設置在前述第一層的正面和背面的每一個上且與前述第一層為不同材質，在前述基板的加工方法中，從前述基板的一側的面照射一雷射，前述雷射的能量密度能對前述第二層加工但不能對前述第一層加工，以在前述基板的正面和背面對應處同時形成前述標記。 [發明的效果]
根據本發明，當在以玻璃基板作為構成材料的基板的正面和背面上形成目標性的標記時，玻璃基板上不容易發生裂紋，並且可在正面和背面的每一個上同時形成目標性的圖案。
[實施例] 以下，利用圖式說明本發明的實施方式。首先，說明於玻璃基板的正面和背面上所設置的樹脂層上使用雷射形成對齊標記的實施例1。以下說明中，複數的圖式中，相同的元件將顯示相同的元件符號。
圖2為用以說明本發明的實施例1的圖式，（a）是加工前的工件的俯視圖，（b）是沿（a）的A-A線的剖面圖。在圖2中，1是作為工件的基板，2是用於承載基板1的工作台，3是作為基板1的構成材料的玻璃基板，4是貼附在玻璃基板3的正面上的樹脂層，5是貼附在玻璃基板3的背面上的樹脂層。在此情況下，除了以貼附方式設置樹脂層4和5之外，還可以透過其它方法，例如塗佈處理等來設置樹脂層。6是表示應形成在樹脂層4上的圓形的對齊標記形成位置，在與對齊標記形成位置6對應的工作台2的位置上，設置有直徑比形成的對齊標記的直徑大的雷射通孔7，用於避免雷射照射到工作台2。
圖2的（a）、（b）狀態中，如箭頭10所示，對樹脂層4的對齊標記形成位置6的每一個依次從上方用紫外線雷射照射。該紫外線雷射，例如能量密度為20mJ/mm2 ，為可以加工樹脂，但不能加工玻璃的能量密度。 通過正面的樹脂層4的紫外線雷射，可在不損害玻璃基板3的情況下，通過玻璃基板3，並到達背面的樹脂層5。因此，在該加工之後，基板1的剖面圖如圖1所示，在對齊標記形成位置6處的樹脂層4和5被除去，並且分別產生成為圓孔的對齊標記8和9，藉以完成基板1。 在此情況下，由於雷射加工本身的特性使然，即使位於樹脂層5側的對齊標記9的直徑比樹脂層4側的對齊標記8的直徑稍小，因彼此的中心是在上下的對應位置，作為對齊標記並無不妥之處。
根據以上的實施例1，可以減少對玻璃基板3產生的影響，在樹脂層4和5上同時形成對齊標記8和9，並且其中心形成在上下的正確對應位置上。 在以上的實施例中，如果以紫外線雷射照射進行反覆的小直徑的圓孔鑽孔加工成為大直徑的圓孔，能夠將對齊標記8、9的直徑變大。
接下來，說明實施例2，在設置在玻璃基板的正面和背面上的樹脂層上利用雷射形成裁切時的裁切用切割標記，裁切用切割標記用於將該基板分割成多個矩形的小基板。該裁切用切割標記用於防止樹脂層附著到裁切機的刀片阻礙裁切，並除去樹脂層的切割部分。
圖4是用以說明實施例2的圖，（a）是加工前的工件的俯視圖，（b）是加工途中沿（a）的B-B線的剖面圖。在圖4中，21是作為工件的基板，22是用於承載基板21的工作台，23是作為基板21的構成材料的玻璃基板，24是貼附在玻璃基板23的正面上的樹脂層，25是貼附在玻璃基板23的背面的樹脂層。在此情況下，除了以貼附方式設置樹脂層24和25之外，還可以透過其他方法，例如塗佈處理等來設置樹脂層。26是表示應形成在樹脂層24上的裁切用切割標記形成位置，在與裁切用切割標記形成位置26對應的工作台22的位置處，設置有面積較形成的裁切用切割標記的面積更寬廣的雷射通孔27，用於避免雷射照射到工作台22。 應當注意，在該示例中，裁切用切割標記是呈十字形，藉以將基板21分成四個矩形的小基板，但也可以使用其他形狀。
在圖4（a）和4（b）的狀態中，如箭頭20所示，在裁切用切割標記形成位置26一邊從上方用紫外線雷射照射，一邊相對移動工作台22，使紫外線雷射朝箭頭31的方向移動。該紫外線雷射，如同於實施例1的情況，能量密度為20mJ/mm2 ，成為可以加工樹脂但不能加工玻璃的能量。 通過正面的樹脂層24的紫外線雷射可在不損傷玻璃基板23的情況下，通過玻璃基板23並到達背面的樹脂層25。因此，在紫外線雷射通過後的樹脂層24和25的部分28和29將被除去，加工之後，在樹脂層24和25的裁切用切割標記形成位置26上形成有凹槽28、29，完成基板21。基板21的正面側如圖3所示，30是藉由凹槽28的裁切用切割標記，並且在背面側的對應位置處還形成有藉由凹槽29的裁切用切割標記。 在此情況下，由於雷射加工本身的特性使然，即使樹脂層25側的裁切用切割標記的凹槽29的寬度比樹脂層24側的裁切用切割標記30的凹槽28的寬度稍小，如果凹槽的寬度相對於裁切機的刀片寬度存在餘裕，因彼此的中心是上下的對應位置，做為裁切用切割標記並無不妥之處。
根據以上的實施例2，可以減少對玻璃基板23的影響，在樹脂層24和25上同時形成裁切用切割標記，並且其中心形成在上下的正確對應位置。
上述內容雖然使用雷射在設置於玻璃基板的正面和背面上的樹脂層上形成對齊標記和裁切用切割標記的情況的實施例，但是本發明也可應用於在玻璃基板的正面和背面設置的樹脂層上形成其他標記的情況。
1、21‧‧‧基板2、22‧‧‧工作台3、23‧‧‧玻璃基板4、5、24、25‧‧‧樹脂層6‧‧‧對齊標記形成位置7、27‧‧‧雷射通孔8、9‧‧‧對齊標記10‧‧‧紫外線雷射26‧‧‧切割標記形成位置28、29‧‧‧凹槽30‧‧‧切割標記20、31‧‧‧箭頭A‧‧‧割面線B‧‧‧割面線
圖1是表示根據本發明的實施例1，加工後的狀態的剖面圖； 圖2是用於說明本發明的實施例1的圖，（a）是工件加工前的俯視圖，（b）是沿著（a）的A-A線的剖面圖； 圖3是表示根據本發明的實施例2，加工後的狀態的剖面圖；以及 圖4是用於說明本發明的實施例2的圖，（a）是工件加工前的俯視圖，（b）是加工途中沿著（a）的B-B線的剖面圖。
1‧‧‧基板
3‧‧‧玻璃基板
4、5‧‧‧樹脂層
8、9‧‧‧對齊標記

Claims (4)

  1. 一種基板的加工方法，對包含第一層與第二層的前述基板，於前述第二層的每一個上形成目標性的一標記，其中前述第一層由玻璃基板所形成，前述第二層設置在前述第一層的正面和背面的每一個上且與前述第一層為不同材質，在前述基板的加工方法中，從前述基板的一側的面照射一紫外線雷射，前述紫外線雷射的能量密度能除去前述第二層但不能對前述第一層加工，以在前述基板的正面和背面對應處同時形成前述標記，其中，前述第二層為樹脂層；將前述基板承載在工作台，前述工作台在與前述標記的形成位置對應的位置設置有比前述標記大的雷射通孔，從前述基板的一側的面照射可以除去前述樹脂層但不能加工前述第一層的能量密度為20mJ/mm2的前述紫外線雷射。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板的加工方法，其中，前述標記是前述基板於加工中用於對準位置的對齊標記。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板的加工方法，其中，前述紫外線雷射的照射是用以進行鑽孔加工。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板的加工方法，其中，前述標記是裁切前述基板時的切割標記。
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