TWI790212B - 各向異性導電性片材 - Google Patents

Abstract

本發明之各向異性導電性片材係用以將被檢查裝置與檢查裝置相互電性連接者，且具備各向異性導電部，各向異性導電部具備具有於厚度方向上貫通之開口部之絕緣層、及配置於開口部之連接部，且絕緣層被覆連接部之厚度方向一面之一部分及與厚度方向正交之正交方向側面。

Description

各向異性導電性片材

本發明係關於一種各向異性導電性片材，詳細而言係關於一種用以將被檢查裝置與檢查裝置相互電性連接之各向異性導電性片材。

自先前以來，於將半導體元件安裝於電路基板前，對半導體元件或電路基板之各者實施是否正常地發揮功能之功能檢查(導通檢查)。於功能檢查中，必須使半導體元件或電路基板等被檢查裝置之端子電性連接於探針測試機等檢查裝置，因此使用有各向異性導電性片材(連接器)。具體而言，藉由以被檢查裝置及檢查裝置夾著各向異性導電性片材，使各向異性導電性片材之一側之連接部與被檢查裝置之端子接觸，使另一側之連接部與檢查裝置之探針端子接觸，而將該等確實地電性連接。

作為此種各向異性導電性片材，例如已知有專利文獻1之複合導電性片材。專利文獻1之複合導電性片材具有：絕緣性片材，其形成有複數個貫通孔；及剛性導體，其以填充於貫通孔之各者，進而自絕緣性片材之兩面之各者突出之方式配置。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2007-220534號公報

且說，各向異性導電性片材於功能檢查中由被檢查對象及檢查對象自兩側進行加壓。尤其若被檢查裝置存在翹曲或變形，則有被檢查裝置之一部分不與各向異性導電性片材接觸之虞，因此為了確實地進行接觸而有增強加壓之情形。

而且，各向異性導電性片材由於被反覆再利用，故而因加壓而導致對各向異性導電性片材之連接部施加之損傷變大，其結果為，產生連接部變形或脫落之不良情況。

根據專利文獻1之複合導電性片材，剛性導體不會自絕緣片材脫落而容易操作。

然而，於專利文獻1之複合導電性片材中，對因反覆加壓所引起之脫落之耐久性亦不充分，要求進一步之改良。

因此，本發明之課題在於提供一種耐久性優異之各向異性導電性片材。

本發明[1]具備一種各向異性導電性片材，其係用以將被檢查裝置與檢查裝置相互電性連接者，具備各向異性導電部，上述各向異性導電部具備具有於厚度方向上貫通之開口部之絕緣層、及配置於上述開口部之連接部，且上述絕緣層被覆上述連接部之厚度方向一面之一部分及與上述厚度方向正交之正交方向側面。

根據此種各向異性導電性片材，由於絕緣層被覆連接部之厚度方向一面之一部分及正交方向側面，故而連接部由絕緣層固定。因此，於被檢查裝置之檢查時，即便連接部由被檢查裝置及檢查裝置自厚度方向兩側朝向內側加壓，亦可抑制連接部之脫落。其結果為，耐久性優異。

本發明[2]具備如[1]所記載之各向異性導電性片材，其中上述絕緣層具備：第1絕緣部，其露出厚度方向另一面；及第2絕緣部，其配置於上述第1絕緣部之厚度方向一側，露出厚度方向一面；且上述第2絕緣部被覆上述連接部之上述厚度方向一面之一部分及上述正交方向側面。

根據此種各向異性導電性片材，配置於第1絕緣部之厚度方向一側之第2絕緣部被覆連接部之厚度方向一面之一部分及正交方向側面。因此，連接部由第1絕緣部及第2絕緣部固定，自厚度方向兩側被固定。因此，可更確實地抑制連接部之脫落。

本發明[3]包含如[2]所記載之各向異性導電性片材，其中上述第1絕緣部具有第1開口部，上述第2絕緣部具有與上述第1開口部連通之第2開口部，上述連接部具備：第1導體部，其填充於第1開口部；第2導體部，其於厚度方向上與上述第1導體部相連，填充於第2開口部；及第3導體部，其於與厚度方向正交之正交方向上與上述第2導體部相連，填充於第2開口部；且上述第2絕緣部被覆上述連接部中之上述第3導體部之上述厚度方向一面及上述正交方向側面。

根據此種各向異性導電性片材，第1導體部、第2導體部及第3導體部相連，第3導體部之厚度方向一面及正交方向側面由第2絕緣部被覆，因此第3導體部由第2絕緣部固定。因此，於被檢查裝置之檢查時，即便連接部(具體而言，第1導體部及第2導體部)由被檢查裝置及檢查裝置自厚度方向兩側朝向內側加壓，亦可抑制連接部之脫落。進而，可使被檢查裝置及檢查裝置與連接部(具體而言，第1導體部及第2導體部)確實地接觸。該等之結果為，可確實地進行被檢查裝置之檢查並且各向異性導電性片材之耐久性優異。

本發明[4]包含如[3]所記載之各向異性導電性片材，其中上述第1開口部具有開口截面積自上述厚度方向一側朝向厚度方向另一側變小之錐形形狀。

根據此種各向異性導電性片材，由於第1開口部之開口截面積隨著朝向厚度方向另一側而變小，故而第1導體部不易自第1開口部朝向厚度方向另一側脫落。因此，耐久性更進一步優異。

本發明[5]包含如[3]或[4]所記載之各向異性導電性片材，其中上述第2導體部之厚度方向一面位於較上述第2絕緣部之厚度方向一面更靠厚度方向另一側。

根據此種各向異性導電性片材，第2導體部由於完全收容於第2絕緣部之內部，故而不易自第2絕緣部脫落。因此，耐久性更進一步優異。

本發明[6]包含如[3]至[5]中任一項所記載之各向異性導電性片材，其中上述各向異性導電部於側剖視圖中，關於在厚度方向上通過上述第1開口部之上述正交方向中心點之軸而對稱。

根據此種各向異性導電性片材，第1導體部之正交方向中心點與第2導體部之正交方向中心點於正交方向上位於同一位置。因此，於檢查被檢查裝置之端子及與其對應之檢查裝置之探針時，容易調整相互之位置。

本發明[7]包含如[3]至[6]中任一項所記載之各向異性導電性片材，其中上述第2絕緣部被覆上述連接部之厚度方向一面之正交方向長度為3μm以上。

根據此種各向異性導電性片材，由於第2絕緣部更確實地固定連接部，故而耐久性更進一步優異。

本發明[8]包含如[3]至[7]中任一項所記載之各向異性導電性片材， 其中上述各向異性導電部配置有複數個，於相互鄰接之各向異性導電部中，一各向異性導電部之第1開口部之正交方向中心點與鄰接於上述一各向異性導電部之另一各向異性導電部之第1開口部之正交方向中心點的距離為30μm以上且200μm以下。

根據此種各向異性導電性片材，由於鄰接之第1開口部之正交方向中心距離(連接部間間距)較小，故而可進行更微細化之被檢查裝置之檢查。

本發明[9]包含如[3]至[8]中任一項所記載之各向異性導電性片材，其中上述連接部進而具備設置於上述第1導體部之厚度方向另一側之第1凸塊及配置於上述第2導體部之厚度方向一側之第2凸塊。

根據此種各向異性導電性片材，藉由使第1凸塊及第2凸塊與被檢查裝置及檢查裝置接觸，可實施檢查。因此，可進行更簡易之檢查。

本發明[10]包含如[1]至[9]中任一項所記載之各向異性導電性片材，其中上述連接部於厚度方向一面及厚度方向另一面進而具備Au層或NiAu層。

根據此種各向異性導電性片材，由於可抑制連接部之氧化，故而耐久性更進一步優異。

本發明[11]包含如[1]至[10]中任一項所記載之各向異性導電性片材，其中上述連接部係由金屬形成。

根據此種各向異性導電性片材，由於導電性優異，故而可提高檢查感度或縮小連接部間間距。

本發明[12]包含如[1]至[11]中任一項所記載之各向異性導電性片材，其厚度為100μm以下。

根據此種各向異性導電性片材，由於容易在厚度方向上可撓，故而 可容易地追隨被檢查裝置之形狀或翹曲。因此，可進行更低壓下之檢查。

本發明[13]包含如[1]至[12]中任一項所記載之各向異性導電性片材，其進而具備配置於上述各向異性導電部之厚度方向一側及厚度方向另一側之至少任一側之彈性層，且上述彈性層具備具有於厚度方向上貫通之第3開口部之絕緣性彈性部、及填充於上述第3開口部且含有導電性粒子及樹脂之導電性彈性部。

根據此種各向異性導電性片材，即便於被檢查裝置之複數個端子之高度等產生不均之情形時，亦可於將被檢查裝置按壓至各向異性導電性片材時，對應於該等端子之高度而使彈性層壓縮或變形。其結果為，即便於複數個端子之高度不均勻之情形時，亦可確實地進行檢查。

又，彈性層吸收來自被檢查裝置之過度之壓力，並且避免連接部與被檢查裝置之直接接觸。因此，耐久性更進一步優異。

本發明[14]包含如[1]至[12]中任一項之各向異性導電性片材，其中於上述連接部之厚度方向一面形成有第1凹部，進而具備填充於上述第1凹部且含有導電性粒子及樹脂之導電性彈性部。

根據此種各向異性導電性片材，由於在第1凹部填充有導電性彈性部，故而即便於被檢查裝置之複數個端子之高度等產生不均之情形時，亦可於將被檢查裝置按壓至各向異性導電性片材時，對應於該等端子之高度而使導電性彈性部壓縮或變形。其結果為，於複數個端子之高度不均勻之情形時，可確實地進行檢查。

又，導電性彈性部吸收來自被檢查裝置之過度之壓力並且避免連接部與被檢查裝置之直接接觸。因此，耐久性更進一步優異。

本發明[15]具備如[14]所記載之各向異性導電性片材，其中上述導電 性彈性部之體積比率相對於形成於上述各向異性導電部之厚度方向一面之第2凹部之體積為20%以上且200%以下。

根據此種各向異性導電性片材，即便於被檢查裝置等具備之複數個端子之高度不均勻之情形時，亦可更確實地進行檢查。又，由於導電性彈性部可確實地緩和對各向異性導電部之壓力或衝擊，故而耐久性更進一步優異。

根據本發明之各向異性導電性片材，即便反覆使用，亦可抑制連接部之脫落，因此耐久性優異。

1:各向異性導電性片材

2:各向異性導電部

3:基底絕緣層

4:覆蓋絕緣層

5:金屬連接部

6:基底開口部

7:蓋開口部

8:上側蓋開口部

9:下側蓋開口部

10:金屬導體部

11:凸塊部

12:鍍覆層

13:第1導體部

14:第2導體部

15:第3導體部

16:第1凸塊

17:第2凸塊

18:第1鍍覆層

18a:第1內側鍍覆層

18b:第1外側鍍覆層

19:第2鍍覆層

19a:第2內側鍍覆層

19b:第2外側鍍覆層

20:被檢查裝置

21:檢查裝置

22:端子

23:檢查探針

30:金屬導體凹部

31:上側基底開口部

32:下側基底開口部

35:金屬連接凹部

36:片材凹部

37:下側片材凹部

40:第1彈性層

41:絕緣性彈性部

42:導電性彈性部

43:彈性層開口部

44:導電性粒子

45:第2彈性層

50:絕緣層

D1:深度

D2:深度

D3:深度

L1:直徑

L2:直徑

L3:直徑

L4:徑向長度

L5:徑向長度

L6:連接部間間距

L7:直徑

L8:直徑

L9:直徑

T1:厚度

T2:厚度

T3:上下方向長度

T4:上下方向長度

T5:厚度

T6:厚度

θ:傾斜角

圖1表示本發明之各向異性導電性片材之第1實施形態之一實施形態之俯視圖。

圖2表示圖1之A-A線之局部放大側剖視圖。

圖3表示使用圖1所示之各向異性導電性片材時之側剖視圖。

圖4表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(基底開口部為圓柱形狀之形態)之側剖視圖。

圖5表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(第1導體部填充基底開口部之一部分之形態)之側剖視圖。

圖6表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(於金屬導體部之上表面形成有凹部之形態)之側剖視圖。

圖7表示圖6所示之各向異性導電性片材之變化例(基底開口部具有上側基底開口部及下側基底開口部之形態)之側剖視圖。

圖8表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(上側蓋開口部形成 為錐形形狀之形態)之側剖視圖。

圖9表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(金屬連接部之下表面及上表面分別與基底絕緣層之下表面及覆蓋絕緣層之上表面為同一平面之形態)之側剖視圖。

圖10表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(鍍覆層具有2層之形態)之側剖視圖。

圖11表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(鍍覆層具有2層，形成有金屬連接凹部之形態)之側剖視圖。

圖12表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(鍍覆層具有2層，基底開口部具有2個錐形形狀之形態)之側剖視圖。

圖13表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(鍍覆層具有2層，基底開口部具有2個錐形形狀，上側蓋開口部具有錐形形狀之形態)之側剖視圖。

圖14表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(鍍覆層具有2層，第2導體部由覆蓋絕緣層被覆之形態)之側剖視圖。

圖15表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(鍍覆層具有2層，第2導體部由覆蓋絕緣層被覆，基底開口部具有圓柱形狀之形態)之側剖視圖。

圖16表示圖1所示之各向異性導電性片材之變化例(鍍覆層具有2層，第2導體部為圓筒形狀之形態)之側剖視圖。

圖17表示本發明之各向異性導電性片材之第2實施形態之一實施形態之側剖視圖。

圖18表示圖17所示之各向異性導電性片材之變化例(具備第2彈性層 之實施形態)之側剖視圖。

圖19表示本發明之各向異性導電性片材之第3實施形態之一實施形態之側剖視圖。

圖20表示圖19所示之各向異性導電性片材之變化例(基底開口部具有2個錐形形狀之形態)之側剖視圖。

圖21表示圖19所示之各向異性導電性片材之變化例(基底開口部具有2個錐形形狀，上側蓋開口部具有錐形形狀之形態)之側剖視圖。

圖22表示圖19所示之各向異性導電性片材之變化例(第2導體部由覆蓋絕緣層被覆之形態)之側剖視圖。

圖23表示圖19所示之各向異性導電性片材之變化例(第2導體部由覆蓋絕緣層被覆，基底開口部具有圓柱形狀之形態)之側剖視圖。

圖24表示圖19所示之各向異性導電性片材之變化例(第2導體部為圓筒形狀之形態)之側剖視圖。

圖25表示實施例及比較例中使用之各向異性導電性片材之比較例。

於圖1中，紙面上下方向為前後方向(第1方向)，且紙面下側為前側(第1方向一側)，紙面上側為後側(第1方向另一側)。又，紙面左右方向為左右方向(第2方向)，且紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。又，紙面紙厚方向為上下方向(厚度方向、第3方向)，且紙面近前側為上側(厚度方向一側、第3方向一側)，紙面裏側為下側(厚度方向另一側、第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。

<第1實施形態>

參照圖1~圖3，對作為本發明之各向異性導電性片材之第1實施形態 之各向異性導電性片材1進行說明。

如圖1所示，各向異性導電性片材1具有於面方向(前後方向及左右方向)上延伸之俯視大致矩形之平板形狀。各向異性導電性片材1具備複數個各向異性導電部2。

複數個各向異性導電部2以於前後方向及左右方向上整齊排列之方式鄰接配置於各向異性導電性片材1之俯視大致中央部。具體而言，各向異性導電性片材1除周端部以外，僅由複數個各向異性導電部2所形成。換言之，各向異性導電性片材1係由相連之複數個各向異性導電部2形成。

如圖2所示，複數個各向異性導電部2分別具備絕緣層50及作為連接部之金屬連接部5。絕緣層50具有將絕緣層50於上下方向(厚度方向)上貫通之開口部(後述之基底開口部6及蓋開口部7)。金屬連接部5配置於絕緣層50之開口部，金屬連接部5之上表面(厚度方向一面)之一部分(周端面)及周側面係由絕緣層50被覆。

具體而言，絕緣層50具備作為第1絕緣部之基底絕緣層3及作為第2絕緣部之覆蓋絕緣層4。

基底絕緣層3具有俯視大致矩形狀之平板形狀，配置於各向異性導電部2之下側。基底絕緣層3之下表面(厚度方向另一面)露出。基底絕緣層3具備作為第1開口部之基底開口部6。

基底開口部6於上下方向上貫通基底絕緣層3，形成為俯視大致圓形狀。基底開口部6具有開口截面積隨著朝向下側而變小之錐形形狀。即，基底開口部6朝向下側縮小直徑。

基底絕緣層3係由例如聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚樹脂、腈樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘 二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂所形成，較佳為由聚醯亞胺樹脂所形成。

基底開口部6之下端之開口之直徑L1例如為5μm以上，較佳為15μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。

基底絕緣層3之下表面與基底開口部6之斜面(傾斜面)所成之角度(傾斜角θ)例如為30°以上，較佳為45°以上，又，例如為80°以下，較佳為65°以下。若傾斜角θ為上述範圍，則耐久性更進一步優異。又，可使連接部間間距(後述)更微細化。

基底絕緣層3之厚度(上下方向長度)T1例如為3μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為30μm以下，較佳為18μm以下。

覆蓋絕緣層4具有俯視大致矩形狀之平板形狀，配置於基底絕緣層3之上側。即，覆蓋絕緣層4以其下表面與基底絕緣層3之上表面接觸之方式配置於基底絕緣層3之上表面。覆蓋絕緣層4之上表面露出。

覆蓋絕緣層4具備作為第2開口部之蓋開口部7。蓋開口部7於上下方向上貫通覆蓋絕緣層4，形成為俯視大致圓形狀。

蓋開口部7具備區劃出蓋開口部7之上側之上側蓋開口部8及區劃出蓋開口部7之下側之下側蓋開口部9。

上側蓋開口部8形成為俯視大致圓形狀，且形成為俯視大致圓形且側剖視大致矩形狀。即，上側蓋開口部8形成為大致圓柱狀。

下側蓋開口部9形成為俯視大致圓形且側剖視大致矩形狀。即，下側蓋開口部9形成為大致圓柱狀。下側蓋開口部9於下側與上側蓋開口部8連通，於下側與基底開口部6連通。

下側蓋開口部9之上端之開口大於上側蓋開口部8之下端之開口，下 側蓋開口部9之下端之開口大於上側蓋開口部8之上端及下端之開口、以及基底開口部6之上端之開口。下側蓋開口部9之上下方向長度長於上側蓋開口部8之上下方向長度。

覆蓋絕緣層4係由與上文關於基底絕緣層3敍述之上述合成樹脂相同之合成樹脂所形成，較佳為由聚醯亞胺樹脂所形成。

上側蓋開口部8之上端或下端之開口之直徑L2例如為5μm以上，較佳為15μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。上側蓋開口部8之上下方向長度T3例如為1μm以上，較佳為3μm以上，又，例如為20μm以下，較佳為10μm以下。

下側蓋開口部9之上端或下端之開口之直徑(即，金屬導體部10之直徑)L3例如為15μm以上，較佳為21μm以上，又，例如為190μm以下，較佳為180μm以下，更佳為70μm以下，進而較佳為56μm以下。下側蓋開口部9之上下方向長度T4例如為2μm以上，較佳為3μm以上，又，例如為25μm以下，較佳為18μm以下。

覆蓋絕緣層4之厚度T2例如為3μm以上，較佳為6μm以上，又，例如為45μm以下，較佳為28μm以下。

金屬連接部5配置於基底開口部6及蓋開口部7。金屬連接部5具備金屬導體部10、凸塊部11及鍍覆層12。

金屬導體部10配置於基底開口部6及蓋開口部7之內部。金屬導體部10具備第1導體部13、第2導體部14及第3導體部15。

第1導體部13配置於基底開口部6之內部。即，第1導體部13填充於基底開口部6。具體而言，第1導體部13以埋設於基底開口部6之整體之方式填充於基底開口部6。第1導體部13以與基底開口部6之外形相同之方式形 成，第1導體部13之下表面與基底絕緣層3之下表面為同一平面。

第2導體部14配置於第1導體部13之上側，且配置於蓋開口部7之內部。即，第2導體部14填充於蓋開口部7。具體而言，第2導體部14以埋設於下側蓋開口部9之俯視大致中央部之方式填充於蓋開口部7，另一方面，未填充於上側蓋開口部8。

第2導體部14形成為大致圓柱狀，其俯視外形與第1導體部13之上表面之俯視外形、即基底開口部6之上端之開口之俯視外形一致。又，第2導體部14之上下方向長度與下側蓋開口部9之上下方向長度一致。

第2導體部14以第2導體部14之下端緣與第1導體部13之上端緣相連之方式於上下方向上與第1導體部13一體地相連。

第3導體部15配置於第2導體部14之周側方，且配置於蓋開口部7之內部。即，第3導體部15填充於蓋開口部7。具體而言，第3導體部15以埋設於下側蓋開口部9之俯視外周緣之方式填充於蓋開口部7，另一方面，未填充於上側蓋開口部8。又，第3導體部15以與第2導體部14一起埋設於下側蓋開口部7之整體之方式填充於蓋開口部7。

第3導體部15形成為俯視大致圓環形狀且側剖視大致矩形狀。第3導體部15以第3導體部15之內周緣與第2導體部14之周緣相連之方式於徑向(前後方向及左右方向)上與第2導體部14一體地相連。第3導體部15之內周緣於俯視時與基底開口部6之上端之開口一致，第3導體部15之外周緣於俯視時與下側蓋開口部9一致。又，第3導體部15之下表面與基底絕緣層3之上表面接觸。

於金屬導體部10中，覆蓋絕緣層4被覆金屬導體部10之上表面(厚度方向一面)及周側面(徑向側面、正交方向側面)。具體而言，覆蓋絕緣層4 被覆第3導體部15之上表面之全部、及第3導體部15之外周側面之全部。又，基底絕緣層3被覆第3導體部15之下表面(厚度方向另一面)之整面及第1導體部13之周側面(斜面)之整面。

覆蓋絕緣層4被覆金屬導體部10之上表面之徑向長度(正交方向長度)L4例如為1μm以上，較佳為3μm以上，又，例如為20μm以下，較佳為10μm以下。若上述長度L4為上述範圍，則覆蓋絕緣層4可更確實地固定第2導體部14及第3導體部15，因此耐久性更進一步優異。

基底絕緣層3被覆第3導體部15之下表面之徑向長度(即，第3導體部15之徑向長度)L5例如為1μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為50μm以下，較佳為15μm以下。若上述長度L5為上述範圍，則基底絕緣層3可更確實地支持第3導體部15，因此耐久性更進一步優異。

作為金屬導體部10之材料，例如可列舉銅、銀、金、鎳或含有其等之合金等金屬材料，較佳可列舉銅。

凸塊部(突起部)11具備第1凸塊16及第2凸塊17。

第1凸塊16配置於金屬連接部5之下側。具體而言，第1凸塊16以被覆第1導體部13之下表面之整面及基底絕緣層3之下表面之一部分之方式配置於第1導體部13及基底絕緣層3之下側。藉此，第1凸塊16堵住基底開口部6之下端，保護第1導體部13之下表面。

第1凸塊16之下表面以呈向下側凸起之剖面圓弧狀突出之方式形成，第1凸塊16之上表面以成為平坦之方式形成。

第2凸塊17配置於金屬連接部5之上側。具體而言，第2凸塊17以被覆第2導體部14之上表面全部之方式配置於第2導體部14及覆蓋絕緣層4之上側。藉此，第2凸塊17堵住蓋開口部7之上端，保護第2導體部14之上表 面。

第2凸塊17之上表面以呈向上側凸起之剖面圓弧狀突出之方式形成，第2凸塊17之下表面以成為平坦之方式形成。

作為凸塊部11之材料，例如可列舉銅、銀、金、鎳或含有其等之合金、焊料等金屬材料。

鍍覆層12具備第1鍍覆層18及第2鍍覆層19。

第1鍍覆層18配置於第1凸塊16。具體而言，第1鍍覆層18以被覆第1凸塊16之下表面整面之方式配置於第1凸塊16之下側。

第2鍍覆層19配置於第2凸塊17。具體而言，第2鍍覆層19以被覆第2凸塊17之上表面整面之方式配置於第2凸塊17之上側。

第1鍍覆層18及第2鍍覆層19分別可為單層，亦可為2層以上之複層。

作為鍍覆層12，例如可列舉Au層(單層之情形)、NiAu層(2層之情形)等。藉此，由於可抑制金屬連接部5之氧化，故而耐久性更進一步優異。

鍍覆層12之厚度(每一單層)分別例如為0.01μm以上，較佳為0.05μm以上，又，例如為70μm以下，較佳為50μm以下，更佳為12μm以下，進而較佳為8μm以下。

各向異性導電部2於側剖視圖中，關於在上下方向上通過基底開口部6之徑向之中心點之軸(圖2所示之假想線)而對稱。換言之，各向異性導電部2於側剖視圖中左右對稱。

一各向異性導電部2之基底開口部6之正交方向中心點與鄰接之另一各向異性導電部2之基底開口部6之徑向中心點的距離L6(連接部間間距)例如為30μm以上，較佳為40μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為80μm以下，更佳為60μm以下。若連接部間間距L6為上述範圍內，則金屬 連接部5間彼此之間隔充分小，因此可進行更微細化之被檢查裝置20之檢查。

各向異性導電性片材1之厚度T5、即自各向異性導電部2之最上端至最下端為止之上下方向長度例如為100μm以下，較佳為50μm以下，更佳為40μm以下，又，例如為10μm以上。若各向異性導電性片材1之厚度為上述上限以下，則容易於上下方向上可撓，因此可容易地追隨被檢查裝置之形狀或翹曲。因此，可進行更低壓下之檢查。

該各向異性導電性片材1例如可藉由依序實施如下步驟而獲得：形成具有基底開口部6之基底絕緣層3之基底形成步驟、形成金屬連接部5之連接部形成步驟、形成具有蓋開口部7之覆蓋絕緣層4之蓋形成步驟、形成凸塊部11之凸塊形成步驟、及形成鍍覆層12之鍍覆步驟。

於基底形成步驟中，例如塗佈感光性清漆並加以乾燥後，以具有基底開口部6之圖案進行曝光及顯影。其後，視需要實施加熱硬化。

於金屬部形成步驟中，例如藉由加成法、減成法等公知之形成配線之圖案化法，形成金屬連接部5。

於蓋形成步驟中，例如塗佈感光性清漆並加以乾燥後，以具有蓋開口部7之圖案進行曝光及顯影。其後，視需要實施加熱硬化。

作為凸塊形成步驟，例如可列舉電解鍍覆法、無電解鍍覆法、配置焊料球之方法、焊料膏印刷法、射注法(injection method)等公知之方法。

作為鍍覆步驟，例如可列舉電解鍍覆法、無電解鍍覆法等公知之鍍覆方法。

而且，該各向異性導電性片材1係用以將被檢查裝置20與檢查裝置21相互電性連接。

具體而言，準備具備複數個端子22之被檢查裝置20及具備複數個檢查探針23之檢查裝置21。作為被檢查裝置20，可列舉半導體元件、印刷電路基板等。作為檢查裝置21，可列舉探針測試機、印刷基板檢查裝置等公知或市售之檢查裝置。

繼而，如圖3所示，使被檢查裝置20之端子22與金屬連接部5之上表面、即第2凸塊17之上表面接觸，另一方面，使檢查裝置21之檢查探針23與金屬連接部5之下表面、即第1凸塊16之下表面接觸。

其後，可藉由檢查裝置21之作動，對被檢查裝置20實施導通檢查等功能檢查。

再者，各向異性導電性片材1係不包含被檢查裝置20及檢查裝置21，各向異性導電性片材1本身以單個零件流通，於產業上可利用之器件。

而且，該各向異性導電性片材1具備複數個各向異性導電部2，複數個各向異性導電部2之各者具備具有基底開口部6之基底絕緣層3、具有蓋開口部7且配置於基底絕緣層3之上側之覆蓋絕緣層4、及金屬連接部5。又，金屬連接部5具備：第1導體部13，其填充於基底開口部6；第2導體部14，其與第1導體部13之上側相連，填充於蓋開口部7；及第3導體部15，其於徑向上與第2導體部14相連，填充於蓋開口部7。又，覆蓋絕緣層4被覆第3導體部15之上表面及外周側面。

因此，第1導體部13、第2導體部14及第3導體部15相連，第3導體部15之上表面及外周側面由覆蓋絕緣層4被覆。因此，第3導體部15由覆蓋絕緣層4固定。於被檢查裝置20之檢查時，即便第1導體部13及第2導體部14由被檢查裝置20及檢查裝置21自上下方向兩側朝向內側加壓，亦可抑制金屬連接部5之脫落。其結果為，耐久性優異。

又，該各向異性導電性片材1可藉由公知之形成微細配線等之圖案化方法形成金屬連接部5(第1導體部13、第2導體部14、第3導體部15)，因此可使連接部間間距L6變小。因此，可檢查更微細之被檢查裝置20。

又，基底開口部6具有開口截面積隨著自上側朝向下側而變小之錐形形狀。

因此，第1導體部13不易自基底開口部6向下側脫落。因此，耐久性更進一步優異。

又，第2導體部14之上表面位於較覆蓋絕緣層4之上表面更靠下側。

因此，第2導體部14由於完全收容於覆蓋絕緣層4之內部，故而不易自覆蓋絕緣層4脫落。因此，耐久性更進一步優異。

又，各向異性導電部2於側剖視圖中關於在上下方向上通過基底開口部6之徑向中心點之軸而對稱。

因此，第1導體部13之徑向中心點與第2導體部14之徑向中心點於徑向上位於同一位置。因此，於檢查被檢查裝置20之端子22及與其對應之檢查裝置21之檢查探針23時，容易調整相互之位置。

又，金屬連接部5進而具備設置於第1導體部13之下側之第1凸塊16及配置於第2導體部14之上側之第2凸塊17。

因此，藉由使第1凸塊16及第2凸塊17與被檢查裝置20及檢查裝置21接觸，可實施檢查。因此，可進行更簡易之檢查。

又，金屬連接部5係由金屬形成。即，金屬導體部10、凸塊部11及鍍覆層12係由金屬形成。

因此，由於導電性優異，故而可提高檢查感度或縮小連接部間間距。

<第1實施形態之變化例>

參照圖4~圖9，對各向異性導電性片材1之第1實施形態之變化例進行說明。再者，於變化例中，對與上述圖2等所示之實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。

(1)於圖2所示之實施形態中，基底開口部6形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變小之錐形形狀，但例如亦可如圖4所示，基底開口部6形成為於上下方向上開口截面積均勻之圓柱形狀。

即，於圖4所示之實施形態中，基底開口部6形成為俯視大致圓形狀且側剖視大致矩形狀。

於圖4所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2所示之一實施形態相同之作用效果。就金屬導體部10更不易脫落、耐久性優異之觀點而言，較佳可列舉圖2所示之一實施形態。

(2)於圖2所示之實施形態中，第1導體部13以埋設於基底開口部6之整體之方式填充於基底開口部6，但例如亦可如圖5所示，第1導體部13以僅埋設於基底開口部6之一部分之方式填充於基底開口部6。

即，於圖5所示之實施形態中，第1導體部13之下表面位於較基底絕緣層3之下表面更靠上側。

於圖5所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2所示之一實施形態相同之作用效果。就金屬導體部10更不易脫落、耐久性優異之觀點而言，較佳可列舉圖2所示之一實施形態。

(3)於圖2所示之實施形態中，金屬導體部10之上表面平坦，但例如亦可如圖6所示，於金屬導體部10之上表面形成有金屬導體凹部30。

即，於圖6所示之實施形態中，第2導體部14於其上表面具有朝向下 側凹陷之金屬導體凹部30。金屬導體凹部30之底面為大致俯視大致矩形狀，以成為平坦之方式形成。

於圖6所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2所示之一實施形態相同之作用效果。

(4)於圖6所示之實施形態中，基底開口部6形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變小之錐形形狀，但例如亦可如圖7所示，基底開口部6形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變小，於其上下方向中途，開口截面積隨著自下側朝向上側而變小之錐形形狀。

即，於圖7所示之實施形態中，基底開口部6具備：上側基底開口部31，其形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變小之錐形形狀；及下側基底開口部32，其形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變大之錐形形狀。

於圖7所示之實施形態中，基底開口部6之開口截面積最小之部位之開口之直徑L7例如為3μm以上，較佳為10μm以上，更佳為15μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。

又，於圖7所示之實施形態中，亦可如假想線所示，基底絕緣層3具備具有上側基底開口部31之上側基底絕緣部及具有下側基底開口部32之下側基底絕緣部。

於圖7所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2或圖6所示之一實施形態相同之作用效果。

(5)於圖2所示之實施形態中，上側蓋開口部8形成為側剖視大致矩形狀，但例如亦可如圖8所示，上側蓋開口部8形成為開口截面積隨著朝向下側而變小之錐形形狀。即，上側蓋開口部8、上側蓋開口部8朝向下側縮小 直徑。

於圖8所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2所示之一實施形態相同之作用效果。

(6)於圖2、圖4~圖8所示之實施形態中，金屬連接部5之最下部或最上部於側視時較基底絕緣層3之下表面或覆蓋絕緣層4之上表面更突出，但例如亦可如圖9所示，金屬連接部5之下表面或上表面於側視時與基底絕緣層3之下表面或覆蓋絕緣層4之上表面設為同一平面。

即，於圖9所示之實施形態中，第1凸塊16及第1鍍覆層18填充於基底開口部6，第1鍍覆層18之下表面與基底絕緣層3之下表面成為同一平面。又，第2凸塊17及第2鍍覆層19填充於蓋開口部7，第2鍍覆層19之上表面與覆蓋絕緣層4之上表面成為同一平面。

於圖9所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2、圖4~圖8所示之一實施形態相同之作用效果。就利用凸塊之對被檢查裝置20及檢查裝置21之接觸(導通)之容易性而言，較佳可列舉圖2、圖4~圖8所示之實施形態。

(7)於圖2、圖4~圖9所示之實施形態中，金屬連接部5具備凸塊部11，但例如亦可如圖10~圖16所示，金屬連接部5不具備凸塊部11。

於圖10~圖16所示之實施形態中，於鍍覆層12中，第1鍍覆層18及第2鍍覆層19分別包含2層。

即，第1鍍覆層18具備配置於金屬導體部10之下表面之第1內側鍍覆層18a及配置於第1內側鍍覆層18a之下表面之第1外側鍍覆層18b。第2鍍覆層19具備配置於金屬導體部10之上表面之第2內側鍍覆層19a及配置於第2內側鍍覆層19a之上表面之第2外側鍍覆層19b。

作為各鍍覆層(18a、18b、19a、19b)，例如可列舉Au層、Ni層等。較佳為第1內側鍍覆層18a及第2內側鍍覆層19a為Ni層，第1外側鍍覆層18b及第2外側鍍覆層19b為Au層。藉此，可提高Au層與複數個端子22之導通性，並且抑制Au層與金屬導體部10之擴散。因此，由於可更進一步長期地抑制金屬導體部10之氧化，故而耐久性更進一步優異。

各鍍覆層(18a、18b、19a、19b)之厚度分別例如為0.01μm以上，較佳為0.05μm以上，又，例如為70μm以下，較佳為50μm以下，更佳為12μm以下，進而較佳為8μm以下。

該等中，尤其於圖11~圖16所示之實施形態中，於金屬連接部5之上表面形成有作為第1凹部之金屬連接凹部35。即，金屬連接部5於其上表面具有朝向下側凹陷之金屬連接凹部35。金屬連接凹部35之底面為大致俯視大致矩形狀，以成為平坦之方式形成。

藉此，於各向異性導電部2之上表面形成有作為第2凹部之片材凹部36。片材凹部36包含金屬連接凹部35，進而包含與金屬連接凹部35之上側連通之覆蓋絕緣層4之開口部。

金屬連接凹部35之底面之直徑L8例如為3μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為80μm以下，較佳為40μm以下。

金屬連接凹部35之深度(上下方向長度)D1例如為3μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為30μm以下，較佳為20μm以下。

片材凹部36之深度D2例如為5μm以上，較佳為8μm以上，又，例如為60μm以下，較佳為40μm以下。

尤其於圖12~13所示之實施形態中，基底開口部6形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變小，於其上下方向中途，開口截面積隨著自下側 朝向上側而變小之錐形形狀。

即，於圖12~13所示之實施形態中，如參照圖7所示，基底開口部6具備：上側基底開口部31，其形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變小之錐形形狀；及下側基底開口部32，其形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變大之錐形形狀。即，基底開口部6具有複數個(2個)錐形形狀。

於各向異性導電部2之下表面形成有下側片材凹部37，下側片材凹部37之深度D3與片材凹部36之深度D2相同。

於圖12所示之實施形態中，上側蓋開口部8形成為開口截面積均勻之圓柱形狀，於圖13所示之實施形態中，上側蓋開口部8形成為開口截面積隨著自下側朝向上側而變大之錐形形狀。

尤其於圖14~圖15所示之實施形態中，覆蓋絕緣層4被覆第2導體部14及第3導體部15。具體而言，覆蓋絕緣層4將第2導體部14之上表面之周端部(傾斜面)、第3導體部15之上表面、及第3導體部15之外周側面整體地被覆。

於圖14所示之實施形態中，基底開口部6形成為開口截面積隨著自上側朝向下側而變小之錐形形狀，於圖15所示之實施形態中，基底開口部6形成為於上下方向上開口截面積均勻之圓柱形狀。

尤其，於圖16所示之實施形態中，第1導體部13以埋設於基底開口部6之一部分(下部)之方式填充於基底開口部6。具體而言，第1導體部13之中央部之上表面位於較基底絕緣層3之上表面更靠下側，另一方面，第1導體部13之下表面與基底絕緣層3之下表面為同一平面。第2導體部14形成為內部為空腔之大致圓筒狀。

於圖10~圖16所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2、圖4 ~圖8所示之一實施形態相同之作用效果。就利用凸塊之對被檢查裝置20及檢查裝置21之接觸(導通)之容易性而言，較佳可列舉圖2、圖4~圖8所示之實施形態。

(8)於圖2、圖4~圖16所示之實施形態中，金屬連接部5具備凸塊部11及鍍覆層12之至少一者，但例如雖未圖示，金屬連接部5亦可不具備凸塊部11及鍍覆層12之兩者。

即，金屬連接部5亦可包含金屬導體部10。

於該各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖2、圖4~圖16所示之一實施形態相同之作用效果。就對被檢查裝置20及檢查裝置21之接觸(導通)之容易性、及耐久性之觀點而言，較佳可列舉圖2、圖4~圖16所示之實施形態。

(9)於圖2、圖4~圖16所示之實施形態中，雖未圖示出基底絕緣層3與覆蓋絕緣層4之邊界，但例如於基底絕緣層3及覆蓋絕緣層4由相互相同種類之材料(例如聚醯亞胺樹脂)形成之情形時，不存在基底絕緣層3(第1絕緣部)與覆蓋絕緣層4(第2絕緣部)之邊界，而一體地形成基底絕緣層3及覆蓋絕緣層4。關於圖7等所示之基底絕緣層3內部之邊界(虛線)亦相同。再者，該情況關於後述之圖17~圖24所示之第2~第3實施形態及其變化例亦相同。

<第2實施形態>

參照圖17，對作為本發明之各向異性導電性片材之第2實施形態之各向異性導電性片材1進行說明。再者，於第2實施形態中，對與第1實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。

如圖17所示，第2實施形態之各向異性導電性片材1具備複數個各向 異性導電部2及配置於複數個各向異性導電部2之上側之第1彈性層40。

第1彈性層40具有於面方向上延伸之俯視大致矩形之平板形狀。第1彈性層40具備絕緣性彈性部41及複數個導電性彈性部42。

絕緣性彈性部41具有於面方向上延伸之俯視大致矩形之平板形狀。絕緣性彈性部41以於面方向上跨越複數個各向異性導電部2之方式配置於複數個各向異性導電部2上。具體而言，絕緣性彈性部41以其下表面與金屬連接部5之上表面(第2鍍覆層19之上表面)及覆蓋絕緣層4之上表面接觸之方式配置。

絕緣性彈性部41具備複數個作為第3開口部之彈性層開口部43。

複數個彈性層開口部43係對應於複數個各向異性導電部2之金屬連接部5而形成。即，複數個彈性層開口部43係以與複數個金屬連接部5一對一對應且於前後方向及左右方向上整齊排列之方式鄰接配置，於上下方向上投影時，彈性層開口部43包含於金屬連接部5。彈性層開口部43於上下方向上貫通第1彈性層40，形成為俯視大致圓形狀之圓筒形狀。

絕緣性彈性部41之硬度例如為25Hs以上，較佳為35Hs以上，又，例如為65Hs以下，較佳為55Hs以下。藉由將絕緣性彈性部41之硬度設為上述範圍內，第1彈性層40可對應於複數個端子22而更柔軟地變形。

硬度例如可依據JIS K 6253所記載之方法而進行測定。

絕緣性彈性部41例如由橡膠等彈性材料形成。作為橡膠，例如可列舉天然橡膠、聚丁二烯橡膠、聚異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠、丙烯腈-丁二烯共聚物橡膠、苯乙烯-丁二烯-二烯嵌段共聚物橡膠、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物等共軛二烯系橡膠及該等之氫化物、例如胺基甲酸酯橡膠、聚酯系橡膠、表氯醇橡膠、聚矽氧橡膠、 乙烯-丙烯共聚物橡膠、乙烯-丙烯-二烯共聚物橡膠等。

導電性彈性部42配置於彈性層開口部43內。即，導電性彈性部42填充於彈性層開口部43。導電性彈性部42以其下表面與金屬連接部5之上表面之大致中央部接觸之方式配置。導電性彈性部42之下表面以沿著金屬連接部5之上表面且於上側成為凸狀之方式形成。又，導電性彈性部42之上表面以與絕緣性彈性部41之上表面成為同一平面之方式形成。

導電性彈性部42之硬度例如為30Hs以上，較佳為40Hs以上，又，例如為70Hs以下，較佳為60Hs以下。藉由將導電性彈性部42之硬度設為上述範圍內，第1彈性層40可對應於複數個端子22而更柔軟地變形。

導電性彈性部42係由含有導電性粒子44及樹脂之導電性樹脂組合物形成。

作為導電性粒子44之材料，例如可列舉鐵、鈷、鎳、金、銀、銅、鈀、銠及該等之合金等金屬等。

導電性粒子44亦可為作為上述金屬之金屬粒子。又，導電性粒子例如亦可為具備作為芯材之非導電性粒子(聚合物粒子、玻璃珠等)及位於該芯材表面之作為上述金屬之殼部的芯殼型粒子。

導電性粒子44之平均粒徑例如為1μm以上且10μm以下。

作為樹脂，例如可列舉形成絕緣性彈性部41之彈性材料、形成基底絕緣層3之樹脂等，較佳可列舉橡膠。

導電性彈性部42之直徑(即，彈性層開口部43之直徑)L9例如為30μm以上，較佳為40μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。

第1彈性層40之厚度T6(自絕緣性彈性部41之最下表面至最上表面之 上下方向長度)例如為50μm以上，較佳為100μm以上，又，例如為2000μm以下，較佳為1000μm以下。

第2實施形態之各向異性導電性片材1例如可藉由經由熱壓接或接著劑將第1彈性層40壓接至第1實施形態之各向異性導電性片材1之上表面而製造。又，例如亦可藉由塗佈法等於第1實施形態之各向異性導電性片材1之上表面形成具有彈性層開口部43之絕緣性彈性部41，繼而對彈性層開口部43填充導電性彈性部42。

第2實施形態之各向異性導電性片材1亦可發揮與第1實施形態之各向異性導電性片材1相同之作用效果。

又，於第2實施形態中，各向異性導電性片材1於各向異性導電部2之上側具備具有絕緣性彈性部41及導電性彈性部42之第1彈性層40。因此，即便於被檢查裝置20之複數個端子22之高度(上下方向位置)產生不均之情形時，亦可於將被檢查裝置20按壓至各向異性導電性片材1時，對應於該等端子22之各者之高度而使絕緣性彈性部41及複數個導電性彈性部42壓縮或變形。即，厚度局部地變化。尤其可對應於第1彈性層40之厚度而變化，例如於第1彈性層40之厚度為1000μm以上之情形時，可使數百μm之厚度變化。其結果為，即便於複數個端子22之高度過度地不均勻之情形時，亦可確實地進行檢查。

又，絕緣性彈性部41及導電性彈性部42吸收來自被檢查裝置20之過度之壓力，並且導電性彈性部42避免金屬連接部5與端子22之直接接觸。因此，耐久性更進一步優異。

<第2實施形態之變化例>

參照圖18，對各向異性導電性片材1之第2實施形態之變化例進行說 明。再者，於變化例中，對與上述圖17所示之實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。

於圖17所示之實施形態中，彈性層僅配置於各向異性導電部2之上側，但例如亦可如圖18所示，彈性層配置於各向異性導電部2之上側及下側。即，圖18所示之各向異性導電性片材1具備複數個各向異性導電部2、配置於複數個各向異性導電部2之上側之第1彈性層40、及配置於複數個各向異性導電部之下側之第2彈性層45。

第2彈性層45具有於面方向上延伸之俯視大致矩形之平板形狀，具備絕緣性彈性部41及複數個導電性彈性部42。第2彈性層45中之絕緣性彈性部41及導電性彈性部42除了配置之位置以外，與第1彈性層40中之絕緣性彈性部41及導電性彈性部42相同。

第2彈性層45中之絕緣性彈性部41以於面方向上跨越複數個各向異性導電部2之方式配置於複數個各向異性導電部2下。具體而言，絕緣性彈性部41以其上表面與金屬連接部5之下表面(第1鍍覆層18之下表面)及覆蓋絕緣層4之下表面接觸之方式配置。又，絕緣性彈性部41具備複數個彈性層開口部43。

第2彈性層45中之導電性彈性部42配置於彈性層開口部43內。即，導電性彈性部42填充於彈性層開口部43。導電性彈性部42以其上表面與金屬連接部5之下表面之大致中央部接觸之方式配置。導電性彈性部42之上表面以沿著金屬連接部5之下表面且成為凹狀之方式形成。又，導電性彈性部42之下表面以與絕緣性彈性部41之下表面成為同一平面之方式形成。

於圖18所示之各向異性導電性片材1中，亦可發揮與圖17所示之一實 施形態相同之作用效果。

尤其，圖18所示之各向異性導電性片材1於各向異性導電部2之下側進而具備第2彈性層45。因此，即便於檢查裝置21之複數個檢查探針23之高度產生不均之情形時，亦可於將檢查裝置21按壓至各向異性導電性片材時，對應於該等檢查探針23之各者之高度而使絕緣性彈性部41及複數個導電性彈性部42於上下方向上壓縮。尤其，厚度可對應於第2彈性層45之厚度T6而變化，例如於第2彈性層45之厚度為1000μm以上之情形時，可壓縮數百μm之厚度。其結果為，即便於檢查探針23之高度不均勻之情形時，亦可確實地進行檢查。

又，第2彈性層45之絕緣性彈性部41及導電性彈性部42吸收來自檢查裝置21之過度之壓力，並且導電性彈性部42避免金屬連接部5與檢查探針23之直接接觸。因此，耐久性更進一步優異。

又，於圖17及圖18所示之實施形態中，第1彈性層40及第2彈性層45之導電性彈性部42以與金屬連接部5一對一對應之方式配置，但例如雖未圖示，亦可於第1彈性層40及第2彈性層45之各者中，複數個導電性彈性部42以對應於1個金屬連接部5之方式配置。即，於1個金屬連接部5之上表面配置有複數個導電性彈性部42，另一方面，於1個金屬連接部5之下表面配置有複數個導電性彈性部42。

<第3實施形態>

參照圖19~圖24，對作為本發明之各向異性導電性片材之第3實施形態之一實施形態之各向異性導電性片材1進行說明。再者，於第3實施形態中，對與第1實施形態及第2實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。

如圖19~圖24所示，第3實施形態之各向異性導電性片材1具備複數個各向異性導電部2及配置於複數個各向異性導電部2之上側之複數個導電性彈性部42。具體而言，圖19所示之實施形態係圖11所示之各向異性導電性片材1進而具備導電性彈性部42之實施形態，圖20所示之實施形態係圖12所示之各向異性導電性片材1進而具備導電性彈性部42之實施形態，圖21所示之實施形態係圖13所示之各向異性導電性片材1進而具備導電性彈性部42之形態，圖22所示之實施形態係圖14所示之各向異性導電性片材1進而具備導電性彈性部42之實施形態，圖23所示之實施形態係圖15所示之各向異性導電性片材1進而具備導電性彈性部42之實施形態，圖24所示之實施形態係圖16所示之各向異性導電性片材1進而具備導電性彈性部42之實施形態。

於複數個各向異性導電部2中，金屬連接部5分別具備金屬導體部10及鍍覆層12(第1鍍覆層18及第2鍍覆層19)，第1鍍覆層18及第2鍍覆層19為2層構成。即，第1鍍覆層18具備第1內側鍍覆層18a及第1外側鍍覆層18b，第2鍍覆層19具備第2內側鍍覆層19a及第2外側鍍覆層19b。

又，於各向異性導電部2之上表面形成有片材凹部36，於片材凹部36中，於金屬連接部5之上表面形成有金屬連接凹部35。

於第3實施形態中，導電性彈性部42配置於片材凹部36(進而金屬連接凹部35)內。即，導電性彈性部42填充於片材凹部36(進而金屬連接凹部35)內。導電性彈性部42之上表面以與覆蓋絕緣層4之上表面成為同一平面之方式形成。

導電性彈性部42之厚度例如為1μm以上，較佳為2μm以上，又，例如為120μm以下，較佳為90μm以下。

導電性彈性部42之硬度例如為30Hs以上，較佳為40Hs以上，又，例如為70Hs以下，較佳為60Hs以下。藉由將導電性彈性部42之硬度設為上述範圍內，導電性彈性部42可對應於複數個端子22而更柔軟地變形。

第3實施形態之各向異性導電性片材1例如可藉由於第1實施形態之各向異性導電性片材1之上表面整面塗佈含有導電性粒子44及樹脂之組合物，繼而利用刮漿板摩擦各向異性導電性片材1之上表面，使組合物移動至片材凹部36而製造。具體而言，可參照日本專利特開2015-26584號公報所記載之製造方法。

第3實施形態之各向異性導電性片材1亦可發揮與第1實施形態之各向異性導電性片材1相同之作用效果。

又，於第3實施形態中，於金屬連接凹部35填充有導電性彈性部42。因此，即便於被檢查裝置20之複數個端子22之高度產生不均之情形時，亦可於將被檢查裝置20按壓至各向異性導電性片材1時，對應於該等端子22之各者之高度而使導電性彈性部42於上下方向上壓縮。尤其，導電性彈性部42對應於其厚度而被壓縮，例如可壓縮數μm之厚度。

其結果為，即便於複數個端子22之高度不均勻之情形時，亦可確實地進行檢查。

又，導電性彈性部42吸收來自被檢查裝置20之壓力，並且避免金屬連接部5與端子22之直接接觸。因此，耐久性更進一步優異。

又，於圖19~圖24所示之實施形態中，導電性彈性部42以其上表面與覆蓋絕緣層4之上表面成為同一平面之方式形成。即，導電性彈性部42以其體積比率相對於片材凹部36之體積成為100%之方式填充。但是，例 如雖未圖示，但導電性彈性部42亦可以其上表面成為較覆蓋絕緣層4之上表面更上側或下側之方式形成。於此種情形時，導電性彈性部42之體積比率相對於片材凹部36之體積，例如為20%以上，較佳為50%以上，又，例如為200%以下，較佳為150%以下。

若導電性彈性部42之體積比率為上述範圍內，則即便於被檢查裝置20之複數個端子22之高度不均勻之情形時，亦可確實地進行檢查。又，由於導電性彈性部42可確實地緩和對各向異性導電部2之壓力或衝擊，故而耐久性更進一步優異。

[實施例]

以下例示實施例及比較例，進而具體地說明本發明。再者，本發明並不受任何實施例及比較例限定。以下之記載中使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體之數值可替代為上述「用以實施發明之形態」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。

實施例1

製作圖1及圖2所示之各向異性導電性片材。

其中，各向異性導電部2以前後方向上100行、左右方向上100行整齊排列地配置，其數量合計10,000個。使用聚醯亞胺樹脂作為基底絕緣層及覆蓋絕緣層之材料，使用銅作為金屬導體部之材料，使用Ni作為凸塊部之材料，使用Au作為鍍覆材料。

又，於圖2中，將L1設為20μm，將L2設為30μm，將L3設為40μm，將L4設為5μm，將L5設為5μm，將傾斜角θ設為60°，將連接部間間 距L6設為50μm。

實施例2

於圖2中，將L2變更為36μm，將L4變更為2μm，除此以外，以與實施例1相同之方式製造各向異性導電性片材。

實施例3

於圖2中，將L1變更為30μm，將L5變更為5μm，將傾斜角θ變更為30°，除此以外，以與實施例1相同之方式製造各向異性導電性片材。此時，為了使鄰接之2個各向異性導電部(金屬導體部10)之距離為與實施例1相同之程度，將連接部間間距L6設為80μm。

實施例4

製造圖4所示之各向異性導電性片材。即，於基底開口部6中，未設為側剖視大致錐形形狀，而形成為圓柱狀，除此以外，以與實施例1相同之方式製造各向異性導電性片材。又，將L1設為30μm，將L5設為5μm。

比較例1

除未形成覆蓋絕緣層以外，以與實施例1相同之方式製造各向異性導電性片材(參照圖25)。

比較例2

將覆蓋絕緣層形成至與金屬連接部5之上表面成為同一平面之高度，除此以外，以與實施例1相同之方式製造各向異性導電性片材(參照假想線所示之圖25)。

(耐久性試驗)

以對各向異性導電部2施加30g之荷重之方式，將樣品用測定對象重 複按壓至各向異性導電部之上表面(第2鍍覆層)。

於實施例1之各向異性導電性片材中，即便將按壓重複50,000次，一個各向異性導電部亦未脫落。

於實施例3之各向異性導電性片材中，於將按壓重複10,000~50,000次之情形時，至少一個各向異性導電部脫落。

於實施例2及4之各向異性導電性片材中，於將按壓重複1,000~10,000次之情形時，至少一個各向異性導電部脫落。

於比較例1~2之各向異性導電部之各向異性導電部中，於按壓次數為1,000次以下之情形時，至少一個各向異性導電部脫落。

(導電性試驗)

將電阻測定計之探針抵接於各向異性導電部之上表面及下表面之各者，測定電阻值。其結果為，可知各實施例及各比較例之電阻值均為1×10^-4Ω以下，導電性優異。

再者，上述發明係作為本發明例示之實施形態而提出，但其僅為例示，並非限定性地解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於後述申請專利範圍內。

[產業上之可利用性]

本發明之各向異性導電性膜可應用於各種工業製品，例如適宜用於對半導體元件或電路基板之導通檢查等。

1‧‧‧各向異性導電性片材

2‧‧‧各向異性導電部

3‧‧‧基底絕緣層

4‧‧‧覆蓋絕緣層

5‧‧‧金屬連接部

6‧‧‧基底開口部

7‧‧‧蓋開口部

8‧‧‧上側蓋開口部

9‧‧‧下側蓋開口部

10‧‧‧金屬導體部

11‧‧‧凸塊部

12‧‧‧鍍覆層

13‧‧‧第1導體部

14‧‧‧第2導體部

15‧‧‧第3導體部

16‧‧‧第1凸塊

17‧‧‧第2凸塊

18‧‧‧第1鍍覆層

19‧‧‧第2鍍覆層

50‧‧‧絕緣層

L1‧‧‧直徑

L2‧‧‧直徑

L3‧‧‧直徑

L4‧‧‧徑向長度

L5‧‧‧徑向長度

L6‧‧‧連接部間間距

T1‧‧‧厚度

T2‧‧‧厚度

T3‧‧‧上下方向長度

T4‧‧‧上下方向長度

T5‧‧‧厚度

θ‧‧‧傾斜角

Claims (13)

1. 一種各向異性導電性片材，其特徵在於：其係用以將被檢查裝置與檢查裝置相互電性連接者，具備各向異性導電部，上述各向異性導電部具備：絕緣層，其具有於厚度方向上貫通之貫通開口部；及連接部，其配置於上述貫通開口部；且上述絕緣層具備：第1絕緣部，其露出厚度方向另一面；及第2絕緣部，其配置於上述第1絕緣部之厚度方向一側，露出厚度方向一面；且上述第1絕緣部具有第1開口部，上述第2絕緣部具有與上述第1開口部連通之第2開口部，上述第1開口部與上述第2開口部形成上述貫通開口部；上述連接部具備：第1導體部，其填充於第1開口部；第2導體部，其於厚度方向上與上述第1導體部相連，填充於第2開口部；及第3導體部，其於與厚度方向正交之正交方向上與上述第2導體部相連，填充於第2開口部；且上述第2絕緣部被覆上述連接部中之上述第3導體部之上述厚度方向一面及上述正交方向側面。
2. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述第1開口部具有開口截面積隨著自上述厚度方向一側朝向厚度方向另一側而變小之錐形形狀。
3. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述第2導體部之厚度方向一面位於較上述第2絕緣部之厚度方向一面更靠厚度方向另一側。
4. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述各向異性導電部於側剖視圖中，關於在厚度方向上通過上述第1開口部之正交方向中心點之軸而對稱。
5. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述第2絕緣部被覆上述連接部之厚度方向一面之正交方向長度為3μm以上。
6. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述各向異性導電部配置有複數個，於相互鄰接之各向異性導電部中，一各向異性導電部之第1開口部之正交方向中心點與鄰接於上述一各向異性導電部之另一各向異性導電部之第1開口部之正交方向中心點的距離為30μm以上且200μm以下。
7. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述連接部進而具備設置於上述第1導體部之厚度方向另一側之第1凸塊、及配置於上述第2導體部之厚度方向一側之第2凸塊。
8. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述連接部於厚度方向一面及厚度方向另一面進而具備Au層或NiAu層。
9. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中上述連接部係由金屬形成。
10. 如請求項1之各向異性導電性片材，其厚度為100μm以下。
11. 如請求項1之各向異性導電性片材，其進而具備彈性層，該彈性層配置於上述各向異性導電部之厚度方向一側及厚度方向另一側之至少任一側，上述彈性層具備：絕緣性彈性部，其具有於厚度方向上貫通之第3開口部；及導電性彈性部，其填充於上述第3開口部，且含有導電性粒子及樹脂。
12. 如請求項1之各向異性導電性片材，其中於上述連接部之厚度方向一面形成有第1凹部，且進而具備填充於上述第1凹部且含有導電性粒子及樹脂之導電性彈性部。
13. 如請求項12之各向異性導電性片材，其中上述導電性彈性部之體積比率相對於形成於上述各向異性導電部之厚度方向一面之第2凹部之體積為20%以上且200%以下。

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