TWI790003B - 過電壓保護元件 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種過電壓保護元件。該過電壓保護元件包括：一基板；以及一堆疊結構，設置於該基板之上。該堆疊結構包含一第一絕緣結構、一第二絕緣結構及一導電層，該導電層設置於該第一絕緣結構上，該第二絕緣結構設置於該導電層上。該第二絕緣結構具有一絕緣氣隙，該絕緣氣隙之上端寬度大於下端寛度。

Description

過電壓保護元件
本揭露係關於一種過電壓保護元件，特別係關於一種採用空氣放電技術之過電壓保護元件。
電子電路在運作中，若產生電壓異常或靜電放電(ESD)，則電子電路上之電子元件可能損壞。為此，電子電路中，常設置過電壓保護器，以保護電子電路上之電子元件，使其不受電壓異常或靜電放電之影響。
在現今電子產品之先進以及製程技術提升的進步下，電子產品尺寸逐漸縮小，使得靜電放電對於精密電子零件的損害程度漸趨嚴重，加上近年來手持式行動設備的發展迅速，因此在靜電防護的要求日益增加。比照目前應用於靜電防護的方法中，以空氣放電的方式最為常見。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之「先前技術」的任一部分。
本揭露之一實施例提供一種過電壓保護元件。該過電壓保護元件包括：一基板；以及一堆疊結構，設置於該基板之上。該堆疊結構包含一第一絕緣結構、一第二絕緣結構及一導電層，該導電層設置於該第一絕緣結構上，該第二絕緣結構設置於該導電層上。該第二絕緣結構具有一絕緣氣隙，該絕緣氣隙之上端寬度大於下端寛度。
在一些實施例中，該第二絕緣結構之厚度大於該第一絕緣結構之厚度。
在一些實施例中，該第一絕緣結構具有一下氣隙，該下氣隙與該絕緣氣隙相通連。
在一些實施例中，該第一絕緣結構具有一下氣隙，該下氣隙之寬度小於該絕緣氣隙之下端寛度。
在一些實施例中，該導電層具有一導電層氣隙，該導電層氣隙之寬度小於該絕緣氣隙之下端寛度。
在一些實施例中，該第一絕緣結構具有一下氣隙，該導電層具有一導電層氣隙，該下氣隙之寬度大於該導電層氣隙之寬度。
【在一些實施例中，該第二絕緣結構包含：一下部；一上部，設置於該下部之上；以及一頂蓋部，設置於該上部之上。
在一些實施例中，該第二絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；以及一頂蓋部，設置於該上部之上；其中該下部開口與該上部開口相通連，該頂蓋部密封該絕緣氣隙之上端。
在一些實施例中，該第二絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口； 一頂蓋部，設置於該上部之上； 一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中位該第一導電材料部與該第二導電材料部彼此分離。
在一些實施例中，該第二絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；一頂蓋部，設置於該上部之上； 一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中該第二導電材料部之厚度小於該上部之厚度。
本揭露之另一實施例中提供一種過電壓保護元件，包括：一基板；以及一導電層，設置於該基板上；一絕緣結構，設置於該導電層上；其中該絕緣結構具有一絕緣氣隙，該絕緣氣隙之上端寬度大於下端寛度。
在一些實施例中，該基板具有一凹槽，該絕緣氣隙之高度大於該凹槽之高度。
在一些實施例中，該基板具有一凹槽，該凹槽與該絕緣氣隙相通連。
在一些實施例中，該基板具有一凹槽，該凹槽之寬度小於該絕緣氣隙之下端寛度。
在一些實施例中，該導電層具有一導電層氣隙，該導電層氣隙之寬度小於該絕緣氣隙之下端寛度。
在一些實施例中，該基板具有一凹槽，該導電層具有一導電層氣隙，該凹槽之寬度大於該導電層氣隙之寬度。
在一些實施例中，該絕緣結構包含：一下部；一上部，設置於該下部之上；以及一頂蓋部，設置於該上部之上。
在一些實施例中，該絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；以及一頂蓋部，設置於該上部之上；其中該下部開口與該上部開口相通連，該頂蓋部密封該絕緣氣隙之上端。
在一些實施例中，該絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；一頂蓋部，設置於該上部之上；一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中位該第一導電材料部與該第一導電材料部彼此分離。
在一些實施例中，該絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；一頂蓋部，設置於該上部之上；一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中該第一導電材料部之厚度小於該下部之厚度，該第二導電材料部之厚度小於該上部之厚度。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露之實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。
「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包含特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包含該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。
為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了詳細說明之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於詳細說明的內容，而是由申請專利範圍定義。
圖1例示本揭露一實施例之過電壓保護元件10。在一實施例中，過電壓保護元件10包含一基板11以及一堆疊結構20。堆疊結構20設置於基板11上，包含一第一絕緣結構13、一第二絕緣結構23及一導電層15，其中導電層15設置於第一絕緣結構13上，第二絕緣結構23設置於導電層15上。在一實施例中，第二絕緣結構23具有一絕緣氣隙23A，其上端寬度W1大於下端寛度W2。在一實施例中，絕緣氣隙23A具有梯形輪廓。在一實施例中，第二絕緣結構23之厚度T2大於第一絕緣結構13之厚度T1。
在一實施例中，第一絕緣結構13具有一下氣隙13A，其與絕緣氣隙23A相通連；下氣隙13A之寬度W3小於絕緣氣隙23A之下端寛度W2。在一實施例中，導體層15具有一第一電極15A及一第二電極15B，二者形成一放電通路；導電層15具有一導電層氣隙15C，位於第一電極15A及第二電極15B之間，導電層氣隙15C之寬度W4小於絕緣氣隙23A之下端寛度W2。在一實施例中，下氣隙13A之寬度W3大於導電層氣隙15C之寬度W4。在一實施例中，導電層氣隙15C之寬度W4大於或等於絕緣氣隙23A之下端寛度W2。
在一實施例中，第二絕緣結構23包含一下部17A、一上部17B以及一頂蓋部19，上部17B設置於下部17A之上，頂蓋部19設置於上部17B之上。在一實施例中，下部17A具有一下部開口17A1，上部17B具有一上部開口17B1，下部開口17A與上部開口17B相通連，形成絕緣氣隙23A，頂蓋部19密封絕緣氣隙23A之上端。
在一實施例中，基板11包含氧化鋁或陶瓷材料，第一絕緣結構13包含聚亞醯胺，導體層15包含銅，下部17A及上部17B包含環氧樹脂或聚亞醯胺，頂蓋部19包含環氧樹脂或聚亞醯胺。在一實施例中，為避免外部環境之物質落入第一電極15A第二電極15B之間，造成第一電極15A與第二電極15B形成短路，過電壓保護元件1之頂蓋層19經配置以隔離導體層15與外部環境。在一實施例中，下部17A及上部17B隔離頂蓋層19與導體層15，絕緣氣隙23A與下氣隙13A亦提供額外之空間，第一尖部與第二尖部得經由其間之空氣進行放電。
圖2至圖13例示本揭露一實施例之過電壓保護元件10的製備方法。參考圖2，在一實施例中，首先形成一第一絕緣結構13(例如，感光性聚亞醯胺層)於一基板11(例如，氧化鋁基板或陶瓷基板)之上，並對第一絕緣結構13之一預定區域13B進行一曝光製程，再進行一顯影製程以局部去除該預定區域13B而形成一下氣隙13A於該第一絕緣結構13之內，如圖3所示。
參考圖4，進行一濺鍍製程以形成一種晶層14(例如，鈦鎢合金層、銅層、鎳鉻合金層)於第一絕緣結構13及基板11之上，並進行一塗佈製程以形成一光阻層16於種晶層14之上，再對光阻層16之一預定區域16A進行一曝光製程。之後，進行一顯影製程以局部去除預定區域16A而形成一形成一光阻圖案16B，其填滿該下氣隙13A並凸伸出該第一絕緣結構13，如圖5所示。在一實施例中，光阻圖案16B具有一上窄下寬之斷面。
參考圖6，進行一電鍍製程以形成一導體層15於第一絕緣結構13之上，光阻圖案16B分隔導體層15而形成一第一電極15A及一第二電極15B。之後，去除光阻圖案16B，藉此該第一電極15A及該第二電極15B形成一放電通路，且該下氣隙13A位於放電通路之下方，如圖7所示。在圖6及圖7中，種晶層14已併入導體層15，而未顯示於圖中。在一實施例中，由於光阻圖案16B具有一上窄下寬之斷面，使得該第一電極15A之斷面具有一第一尖部，該第二電極15B之斷面具有一第二尖部，且第一尖部及第二尖部設置於該下氣隙13A之上。
參考圖8，進行一塗佈製程以形成一光阻層18於導體層15之上，並對光阻層18之一預定區域18A進行一曝光製程，再進行一顯影製程以局部去除預定區域18A之光阻層18而形成一光阻圖案18B。之後，利用光阻圖案18B，形成一下部17A於導體層15之上，如圖9所示。
參考圖10，進行一塗佈製程以形成一光阻層181於導體層15及下部17A之上，並對光阻層181之一預定區域181A進行一曝光製程，再進行一顯影製程以局部去除預定區域181A之光阻層181而形成一光阻圖案18C，其中光阻圖案18C之寬度大於光阻圖案18B之寬度。之後，利用光阻圖案18C，形成一上部17B於下部17A之上，如圖11所示。
參考圖12，去除光阻圖案18B及光阻圖案18C以形成一下部開口17A1於該下部17A之內及一上部開口17B1於上部17B之內，二者形成一絕緣氣隙23C，其至少局部曝露第一電極15A及第二電極15B，其中絕緣氣隙23C之斷面寬度大於第一絕緣結構13之下氣隙13A之斷面寬度。之後，在上部17B之上黏貼一頂蓋部19(例如，聚亞醯胺乾膜)，其密封絕緣氣隙23A。
參考圖13，在一實施例中，當高電壓施加於第一電極15A與第二電極15B時，第一尖部與第二尖部經由其間之空氣放電，其作用如同電弧放電，使得第一電極15A與第二電極15B產生電極碎屑，而下氣隙13A即可容納放電過程中掉落之金屬碎屑，避免金屬碎屑堆積而造成第一電極15A與第二電極15B形成短路。
此外，第一電極15A之第一尖部與第二電極15B之第一尖部之瞬間尖端放電的高溫也會使得融熔的金屬碎屑向上噴濺，黏著於第二絕緣結構23，形成第一導電材料部30A於下部開口17A1內或第二導電材料部30B於頂蓋部19之下表面19A。本揭露之創新技術藉由設計上部開口17B1之寬度大於下部開口17A1之寬度，亦即在第二絕緣結構23之上部開口17B1設置死角23B，融熔的金屬碎屑無法向上噴濺至上部開口17B1的死角23B；如此，向上噴濺融熔的金屬碎屑形成之第一導電材料部30A及第二導電材料部30B被第二絕緣結構23之上部開口17B1的死角23A隔離，無法形成連續導電通路，避免向上噴濺融熔的金屬碎屑造成第一電極15A與第二電極15B形成短路。在一實施例中，第二導電材料部30B的厚度T4小於上部17B之厚度T3，避免第一導電材料部30A與第二導電材料部30B形成短路。
圖14例示本揭露另一實施例之過電壓保護元件60。在一實施例中，過電壓保護元件60包含一絕緣基板61、一導體層65、一絕緣結構73、及一頂蓋層69。在此實施例中，絕緣基板61具有一凹槽61A；導體層65設置於絕緣基板61之上，具有一第一電極65A及一第二電極65B，二者形成一放電通路，且凹槽61A位於放電通路之下方；絕緣結構73設置於導體層65之上，具有一絕緣氣隙73A，至少局部曝露第一電極65A及第二電極65B。
在一實施例中，絕緣氣隙73A之上端寬度W8大於下端寛度W6。在一實施例中，絕緣氣隙23A具有梯形輪廓。在一實施例中，絕緣氣隙73A之高度H1大於凹槽61A之高度H2，凹槽61A之寬度W5小於絕緣氣隙73A之下端寛度W6，凹槽61A與絕緣氣隙73A相通連。在一實施例中，導電層65具有一導電層氣隙65C，導電層氣隙65C之寬度W7小於絕緣氣隙73A之下端寛度W6，凹槽61A之寬度W5大於導電層氣隙65C之寬度W7。在一實施例中，導電層氣隙65C之寬度W7大於或等於絕緣氣隙73A之下端寛度W6。
在一實施例中，絕緣結構73包含一下部67A、一上部67B以及一頂蓋部69，上部67B設置於下部67A之上，頂蓋部69設置於上部67B之上。在一實施例中，下部67A具有一下部開口67A1，上部67B具有一上部開口37B1，下部開口67A1與上部開口37B2相通連，形成絕緣氣隙73A，頂蓋部69密封絕緣氣隙73A之上端。在一實施例中，絕緣基板61包含氧化鋁或陶瓷材料，導體層65包含銅，絕緣結構73包含環氧樹脂或聚亞醯胺。
圖15至圖25例示本揭露另一實施例之過電壓保護元件60的製備方法。參考圖15，在一實施例中，首先在一絕緣基板61(例如，氧化鋁基板或陶瓷基板)之一上表面形成一凹槽61A，其可採用紅外光雷射或紫外光雷射對絕緣基板61之上表面進行雕刻而形成凹槽61A。
參考圖16，進行一濺鍍製程以形成一種晶層64(例如，鈦鎢合金層、銅層、鎳鉻合金層)於絕緣基板61之上，並進行一塗佈製程以形成一光阻層66於種晶層64之上，再對光阻層66之一預定區域66A進行一曝光製程。之後，進行一顯影製程以局部去除預定區域66A而形成一光阻圖案66B，其填滿凹槽61A並凸伸出絕緣基板61，如圖17所示。在一實施例中，光阻圖案66B具有一上窄下寬之斷面。
參考圖18，進行一電鍍製程以形成一導體層65於絕緣基板61之上，光阻圖案66B分隔導體層65而形成一第一電極65A及一第二電極65B。之後，去除光阻圖案66B，藉此第一電極65A及第二電極65B形成一放電通路，且凹槽61A位於放電通路之下方，如圖19所示。在圖18及圖19中，種晶層64已併入導體層65，而未顯示於圖中。在一實施例中，由於光阻圖案66B具有一上窄下寬之斷面，使得第一電極65A之斷面具有一第一尖部，第二電極65B之斷面具有一第二尖部，且第一尖部及第二尖部設置於凹槽61A之上。
參考圖20，進行一塗佈製程以形成一光阻層68於導體層65之上，並對光阻層68之一預定區域68A進行一曝光製程，再進行一顯影製程以局部去除預定區域68A之光阻層68而形成一光阻圖案68B；之後，利用光阻圖案68B，形成一下部67A於導體層15之上，如圖21所示。
參考圖22，進行一塗佈製程以形成一光阻層681於導體層65及下部67A之上，並對光阻層681之一預定區域681A進行一曝光製程，再進行一顯影製程以局部去除預定區域681A之光阻層681而形成一光阻圖案68C，其中光阻圖案68C之寬度大於光阻圖案68B之寬度。之後，利用光阻圖案68C，形成一上部67A於下部67A之上，如圖23所示。
參考圖24，去除光阻圖案68B及光阻圖案68C以形成一下部開口67A1於該下部67A之內及上部開口67B1於上部67B之內，二者形成一絕緣氣隙73A，其至少局部曝露第一電極15A及第二電極15B，其中絕緣氣隙73A之斷面寬度大於凹槽61A之斷面寬度。之後，在上部67B之上黏貼一頂蓋部69(例如，聚亞醯胺乾膜)，其密封絕緣氣隙73A。
參考圖25，在一實施例中，當高電壓施加於第一電極65A與第二電極65B時，第一尖部與第二尖部經由其間之空氣放電，其作用如同電弧放電，使得第一電極65A與第二電極65B產生電極碎屑，而基板61之凹槽61A即可容納放電過程中掉落之金屬碎屑，避免金屬碎屑堆積而造成第一電極15A與第二電極15B形成短路。
此外，第一電極65A之第一尖部與第二電極65B之第一尖部之瞬間尖端放電的高溫也會使得融熔的金屬碎屑向上噴濺，黏著於絕緣結構73，形成第一導電材料部80A於下部開口67A1內或第二導電材料部80B於頂蓋部69之下表面69A。本揭露之創新技術藉由設計上部開口67B1之寬度大於下部開口67A1之寬度，亦即在絕緣結構73之上部開口67B1設置死角73B，融熔的金屬碎屑無法向上噴濺至上部開口67B1的死角73B；如此，向上噴濺融熔的金屬碎屑形成之第一導電材料部80A及第二導電材料部80B被第二絕緣結構73之上部開口67B1的死角73A隔離，無法形成連續導電通路，避免向上噴濺融熔的金屬碎屑造成第一電極65A與第二電極65B形成短路。在一實施例中，第二導電材料部80B的厚度T6小於上部67B之厚度T5，避免第一導電材料部80A與第二導電材料部80B形成短路。
本揭露之一實施例提供一種過電壓保護元件。該過電壓保護元件包括：一基板；以及一堆疊結構，設置於該基板之上。該堆疊結構包含一第一絕緣結構、一第二絕緣結構及一導電層，該導電層設置於該第一絕緣結構上，該第二絕緣結構設置於該導電層上。該第二絕緣結構具有一絕緣氣隙，該絕緣氣隙之上端寬度大於下端寛度。
本揭露之另一實施例中提供一種過電壓保護元件，包括：一基板；以及一導電層，設置於該基板上；一絕緣結構，設置於該導電層上；其中該絕緣結構具有一絕緣氣隙，該絕緣氣隙之上端寬度大於下端寛度。雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
10:過電壓保護元件
11:基板
13:第一絕緣結構
13A:下氣隙
13B:預定區域
14:種晶層
15:導體層
15A:第一電極
15B:第二電極
15C:導電層氣隙
16:光阻層
16A:預定區域
16B:光阻圖案
17A:下部
17B:上部
17A1:下部開口
17B1:上部開口
18:光阻層
18A:預定區域
18B:光阻圖案
18C:光阻圖案
19:頂蓋部
20:堆疊結構
23:第二絕緣結構
23A:絕緣氣隙
30A:第一導電材料部
30B:第二導電材料部
181:光阻層
181A:預定區域
60:過電壓保護元件
61:基板
13:第一絕緣結構
61A:凹槽
64:種晶層
65:導體層
65A:第一電極
65B:第二電極
65C:導電層氣隙
66:光阻層
66A:預定區域
66B:光阻圖案
67A:下部
67B:上部
67A1:下部開口
67B1:上部開口
68:光阻層
68A:預定區域
68B:光阻圖案
68C:光阻圖案
69:頂蓋部
73:第二絕緣結構
73A:絕緣氣隙
80A:第一導電材料部
80B:第二導電材料部
681:光阻層
681A:預定區域
H1:高度
H2:高度
T1:厚度
T2:厚度
T3:厚度
T4:厚度
T5:厚度
T6:厚度
W1:寬度
W2:寬度
W3:寬度
W4:寬度
W5:寬度
W6:寬度
W7:寬度
W8:寬度
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。 圖1例示本揭露一實施例之過電壓保護元件； 圖2至圖13例示本揭露一實施例之過電壓保護元件的製備方法； 圖14例示本揭露另一實施例之過電壓保護元件；以及 圖15至圖25例示本揭露另一實施例之過電壓保護元件的製備方法。
10:過電壓保護元件
11:基板
13:第一絕緣結構
13A:下氣隙
14:種晶層
15:導體層
15A:第一電極
15B:第二電極
15C:導電層氣隙
17A:下部
17B:上部
17A1:下部開口
17B1:上部開口
19:頂蓋部
20:堆疊結構
23:第二絕緣結構
23A:絕緣氣隙
30A:第一導電材料部
30B:第二導電材料部

Claims (20)

  1. 一種過電壓保護元件，包括：一基板；以及一堆疊結構，設置於該基板之上，其中該堆疊結構包含一第一絕緣結構、一第二絕緣結構及一導電層，該導電層設置於該第一絕緣結構上，該第二絕緣結構設置於該導電層上；其中該第二絕緣結構具有一絕緣氣隙，該絕緣氣隙之上端寬度大於下端寬度。
  2. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第二絕緣結構之厚度大於該第一絕緣結構之厚度。
  3. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第一絕緣結構具有一下氣隙，該下氣隙與該絕緣氣隙相通連。
  4. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第一絕緣結構具有一下氣隙，該下氣隙之寬度小於該絕緣氣隙之下端寬度。
  5. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該導電層具有一導電層氣隙，該導電層氣隙之寬度小於該絕緣氣隙之下端寬度。
  6. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第一絕緣結構具有一下氣 隙，該導電層具有一導電層氣隙，該下氣隙之寬度大於該導電層氣隙之寬度。
  7. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第二絕緣結構包含：一下部；一上部，設置於該下部之上；以及一頂蓋部，設置於該上部之上。
  8. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第二絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；以及一頂蓋部，設置於該上部之上；其中該下部開口與該上部開口相通連，該頂蓋部密封該絕緣氣隙之上端。
  9. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第二絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；一頂蓋部，設置於該上部之上；一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中該第一導電材料部與該第二導電材料部彼此分離。
  10. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該第二絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；一頂蓋部，設置於該上部之上；一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中該第二導電材料部之厚度小於該上部之厚度。
  11. 一種過電壓保護元件，包括：一基板；以及一導電層，設置於該基板上；一絕緣結構，設置於該導電層上；其中該絕緣結構具有一絕緣氣隙，該絕緣氣隙之上端寬度大於下端寬度。
  12. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該基板具有一凹槽，該絕緣氣隙之高度大於該凹槽之高度。
  13. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該基板具有一凹槽，該凹槽與該絕緣氣隙相通連。
  14. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該基板具有一凹槽，該凹槽之寬度小於該絕緣氣隙之下端寬度。
  15. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該導電層具有一導電層氣隙，該導電層氣隙之寬度小於該絕緣氣隙之下端寬度。
  16. 如請求項1所述之過電壓保護元件，其中該基板具有一凹槽，該導電層具有一導電層氣隙，該凹槽之寬度小於該導電層氣隙之寬度。
  17. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該絕緣結構包含：一下部；一上部，設置於該下部之上；以及一頂蓋部，設置於該上部之上。
  18. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；以及一頂蓋部，設置於該上部之上；其中該下部開口與該上部開口相通連，該頂蓋部密封該絕緣氣隙之上端。
  19. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；一頂蓋部，設置於該上部之上； 一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中該第一導電材料部與該第一導電材料部彼此分離。
  20. 如請求項11所述之過電壓保護元件，其中該絕緣結構包含：一下部，具有一下部開口；一上部，設置於該下部之上，該上部具有一上部開口；一頂蓋部，設置於該上部之上；一第一導電材料部，位該下部開口；以及一第二導電材料部，位該頂蓋部之下表面；其中該第一導電材料部之厚度小於該下部之厚度，該第二導電材料部之厚度小於該上部之厚度。
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