TWI788737B - 印刷配線板及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本揭示之印刷配線板具備多層基板，該多層基板具有：核心基板，其具有第1面及第2面；第1堆積層，其位於該核心基板之第1面；及第2堆積層，其位於核心基板之第2面；且該多層基板具有空腔、第1導體層、及第2導體層；空腔貫穿第1堆積層及核心基板，且底面係第2堆積層之表面，第1導體層位於空腔之上述底面，第2導體層位於第2堆積層內，且於俯視透視下位於與空腔之底面之周緣部之至少一部分重疊。

Description

印刷配線板及印刷配線板之製造方法

本揭示係關於一種具有空腔之印刷配線板及印刷配線板之製造方法。

近年來，隨著基板及配線之高積體化及高密度化，有於多層基板以較大之體積設置空腔，並將電子零件安裝於此之實例。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2016‐122728號公報

本揭示之印刷配線板具有多層基板。多層基板具有：核心基板，其具有第1面及第2面；第1堆積層，其位於該核心基板之上述第1面；及第2堆積層，其位於上述核心基板之上述第2面。又，上述多層基板具有空腔、第1導體層、及第2導體層。上述空腔貫穿上述第1堆積層及上述核心基板，且底面係上述第2堆積層之表面，上述第1導體層位於上述空腔之上述底面，上述第2導體層位於上述第2堆積層內，且於俯視透視下位於與上述空腔之上述底面之周緣部之至少一部分重疊。

本揭示之印刷配線板之製造方法具備：第1步驟，其準備具有第1面及第2面，並於上述第2面設置有種晶層之核心基板；第2步驟，其對設置於上述核心基板之上述種晶層進行圖案鍍覆形成第1導體層；第3步驟，其於上述核心基板之包含上述第1導體層之上述種晶層之表面，以上述種晶層殘留於形成空腔之區域即上述核心基板之中央部之方式去除上述種晶層之一部分；第4步驟，其於上述核心基板之上述第1面，形成具有第1絕緣樹脂層之第1堆積層，且於上述核心基板之上述第2面，形成具有第2絕緣樹脂層之第2堆積層；第5步驟，其對上述第2堆積層之表面進行圖案鍍覆，於俯視透視下與上述形成之空腔之底面之周緣部之至少一部分重疊之位置形成第2導體層；及第6步驟，其自上述第1堆積層側加工上述核心基板形成貫穿該第1堆積層及上述核心基板，且上述底面為上述第2堆積層之表面的上述空腔。

以下，參照圖式說明實施形態。圖1係顯示揭示之一實施形態之印刷配線板之構成之圖。圖1所示之印刷配線板為一例。

作為實施形態顯示之印刷配線板具有以下所示之多層基板54。多層基板54具有核心基板51、第1堆積層61及第2堆積層62。核心基板51具有第1面51a及第2面51b。於核心基板51積層有第1堆積層61及第2堆積層62。第1堆積層61具有絕緣樹脂層61a、與絕緣樹脂層61b。第2堆積層62具有絕緣樹脂層62a、與絕緣樹脂層62b。

第1堆積層61以面向核心基板51之第1面51a之方式配置。第2堆積層62以面向核心基板51之第2面51b之方式配置。又，多層基板54具有空腔20、第1導體層17、及第2導體層12a。

空腔20於多層基板54，自第1堆積層61側開口至核心基板51。空腔20以將第2堆積層62之表面62aa作為底面79之方式設置。

第1導體層17以於空腔20之底面79露出之方式配置。第2導體層12a設置於絕緣樹脂層62a之與核心基板51為相反之面62ab。

第2導體層12a位於第2堆積層62內。又，於俯視透視多層基板54時，位於與空腔20之底面79之周緣部79t之至少一部分重疊。換言之，第2導體層12a於俯視透視多層基板54時，設置於與空腔20之底面79之周緣部79t對應之位置。根據此種構成，即使於印刷配線板設置有體積較大之空腔20，亦可使印刷配線板不易彎曲。

若於多層基板54，形成有體積較大且底面側之厚度變薄之空腔20，則於底面79側容易彎曲。藉由於該容易彎曲之空腔20之底面79之周緣部79t之部分插入金屬構件而提高機械強度。這是因為金屬構件之高彈性率之故。於此情形時，第2導體層12a之位置配置於與在空腔20之底面79露出之第1導體層17、種晶層12隔開絕緣樹脂層62a之厚度量左右之距離之下層位置。

於俯視多層基板54時，第1導體層17位於空腔20之底面79之中央，第2導體層12a位於空腔20之底面79之周緣部79t。又，第1導體層17與第2導體層12a以於多層基板54之厚度(積層)方向上隔開1層量左右之絕緣樹脂層之方式配置。

藉此，即使於空腔20之體積較大，且空腔20下側之絕緣樹脂層(62a、62b)之厚度較薄之情形時，亦可使多層基板54不易彎曲。假設第2導體層12a被配置為於空腔20之底面79露出之情形時，擔心多層基板54容易彎曲，且於空腔20內，於與最初配置之第1導體層17之間難以確保電氣絕緣性。

以下，詳細說明多層基板54。如圖1所示，該實施形態之印刷配線板具有多層基板54。多層基板54具有核心基板51、第1堆積層61、及第2堆積層62。

核心基板51係例如於基材11之兩面具有種晶層12之基板。基材11係所謂絕緣樹脂製之片材狀成形體。於核心基板51之一面(上表面)，形成有形成電氣電路之導體層16。

於核心基板51之另一面(下表面)，形成有形成電氣電路之導體層17。核心基板51具有連接導體層16及導體層17之通道15。

即，多層基板54具有導體層16及導體層17、通道15。通道15於絕緣樹脂層11之厚度方向貫通。通道15配置於導體層16及導體層17之間。導體層16以其之一部分與形成於基材11之一面(上表面)之種晶層12重疊之方式配置。又，導體層17以其之一部分與形成於基材11之另一面(下表面)之種晶層12重疊之方式配置。

第1堆積層61配設於核心基板51之上表面，具有以下所示之絕緣樹脂層61a及導體層。於圖1所示之例，第1堆積層61具有一面(下表面)與核心基板51相接之絕緣樹脂層61a、及一面(下表面)與絕緣樹脂層61a之另一面(上表面)相接之絕緣樹脂層61b。

於絕緣樹脂層61a之上表面，形成有形成電氣電路之導電層。絕緣樹脂層61a具有連接形成於其上表面之導體層與形成於核心基板51之上表面之導體層16之通道15。通道15以於厚度方向貫通絕緣樹脂層61a之方式形成。

於絕緣樹脂層61b之另一面(上表面)，形成有導體層63。絕緣樹脂層61b具有連接形成於其上表面之導體層63與形成於絕緣樹脂層61a之上表面之導體層之通道15。通道15以於厚度方向貫通絕緣樹脂層61b之方式形成。

即，通道15分別設置於配置在核心基板15之上表面側之雙層之第1堆積層61。

第2堆積層62配設於核心基板51之另一面(下表面)，具有以下所示之絕緣樹脂層62a及導體層。於圖1所示之例，第2堆積層62具有一面(上表面)與核心基板51相接之絕緣樹脂層62a、及一面(上表面)與絕緣樹脂層62a之另一面(下表面)相接之絕緣樹脂層62b。以下，有將絕緣樹脂層62a表述為第1絕緣樹脂層62a之情形。同樣地，有將絕緣樹脂層62b表述為第2絕緣樹脂層62b之情形。

於絕緣樹脂層62a之上表面，形成有形成電氣電路之第1導體層17。於絕緣樹脂層62a之另一面(下表面)，形成有形成電氣電路之導電層。絕緣樹脂層62a具有連接形成於上表面之第1導體層17與形成於下表面之導電層之通道15。通道15以於厚度方向貫通絕緣樹脂層62a之方式形成。又，通道15形成為於絕緣樹脂層62a中於面之平行方向上與第1導體層17重疊。

於絕緣樹脂層62b之另一面(下表面)，形成有導體層64。絕緣樹脂層62b具有連接形成於下表面之導體層64與形成於絕緣樹脂層62a之下表面之導體層之通道15。即，位於多層基板54之最下層之絕緣樹脂層62b具有通道15。通道15以於厚度方向貫通絕緣樹脂層62b之方式形成。

於圖1中，設置於絕緣樹脂層62a之通道15與設置於絕緣樹脂層62b之通道15處於重疊之狀態。於圖1所示之例，形成於第2堆積層62之通道15形成於空腔形成區域65之範圍內，且空腔20正下方。絕緣樹脂層62a與絕緣樹脂層62b處於重疊之狀態。

雖有所重複，但多層基板54具有空腔20。空腔20自多層基板54之導體層63側貫通第1堆積層61及核心基板51。即，空腔20形成將第2堆積層62之上表面作為底面之空間。空腔20以佔據多層基板54之導體層63之形成面中之一部分區域(空腔形成區域65)之方式開口。

空腔20之剖面具有凹形狀。於空腔20，形成為第2堆積層62之一部分區域之絕緣樹脂之面(底面79)、與形成於第2堆積層62之上表面之第1導體層17作為同等高度之底面(平坦之狀態)露出。即，空腔20內之第1導體層17以於成為空腔20之底面之絕緣樹脂層62a之表面露出之方式配置。

又，空腔20內之第1導體層17為其之一部分埋設於絕緣樹脂層62a之狀態。且，於空腔20之底面，絕緣樹脂層62a上之面79(底面79)與第1導體層17可大致同一平面地配置。另，記載為「大致」之原因在於因藉由蝕刻處理使第1導體層17露出，故有產生些許(2 μm～3 μm)凹凸(階差)之情形之故。形成於空腔20之底面之第1導體層17係其之一部分作為與電子零件之連接墊發揮功能。

多層基板54於空腔20之周圍，除上述之導體層16及第1導體層17、通道15以外，亦具有種晶層12a(以下為第2導體層12a)。

第2堆積層62於厚度方向之大致中央部且與空腔形成區域65對應之位置具有第2導體層12a。第2導體層12a形成於至少與空腔20之深度方向之側壁面對應之位置。即，第2導體層12a位於將空腔20之側壁面(圖1中符號20a)朝第1絕緣樹脂層62a及第2絕緣樹脂層62b側延伸之部分。沿著多層基板54之厚度方向觀察第2導體層12時之位置為，配置於核心基板51之下層側之第2堆積層62中，使空腔20之側壁面20a朝第1絕緣樹脂層62a之方向垂下之位置。

第2導體層12a之多層基板54之平面方向之位置為空腔20之壁面20a之正下方成為中央之位置。另，亦可將空腔20之壁面20a之位置、以及自空腔20之壁面20a之位置朝第1絕緣樹脂層62a之方向垂下之位置稱為空腔20之輪廓部。第2導體層12a可配置於空腔20之輪廓部之正下方。

第2導體層12a可形成於例如絕緣樹脂層62a及絕緣樹脂層62b之層間(接合面上)。第2導體層12a可為未與其他導體層及導電層連接之狀態。即，第2導體層12a亦可與其他導體層及導電層電性孤立。

導體層63及導體層64於空腔形成區域65以外之區域中，經由貫通第1堆積層61、核心基板51、第2堆積層62之通孔10相互連接。另，於通孔10之上下，可根據需要於後續步驟形成導體層73、74(參照圖14)或阻焊劑71、72(參照圖13)。阻焊劑71、72形成於多層基板54之最上層及/或最下層之表面。導體層73、74之周圍藉由阻焊劑71、72絕緣被膜並作為連接墊發揮功能。

導體層16與導體層17雖為電性相同者，但將與通道15一體形成之導體層稱為導體層16，將積層於稍後敘述之種晶層12之導體層稱為第1導體層17。

如此，實施形態之印刷配線板具有：空腔20，其在於作為具有絕緣樹脂層11之基板之核心基板51之上表面(第1面)積層第1堆積層61，於核心基板51之下表面(第2面)積層有第2堆積層62的多層基板54之空腔形成區域65，以自第1堆積層61上之擴孔加工貫通核心基板51內而將第2堆積層62之絕緣樹脂層62a之面79作為底面形成；及導體層17，其具有與第2堆積層62之絕緣樹脂層62a之面79同等高度之面且以由其之面形成空腔20之底面之一部分之方式嵌入於第2堆積層62之絕緣樹脂層62a。

另，於圖1所示之例，於核心基板51之下表面預先於包含空腔形成區域65之範圍內形成種晶層12，藉由空腔形成時之擴孔加工去除核心基板51之絕緣樹脂層11而為僅殘留導體層17之狀態。

實施形態之印刷配線板在配置於空腔20之下層側之第2堆積層62內具有第2導體層12a。於該印刷配線板(多層基板54)，空腔20形成為自第1堆積層61貫通至核心基板51，且到達超出多層基板54之厚度之1/2之範圍，尤其超出3/5之範圍。空腔20形成至多層基板54之厚度方向之較深位置。因空腔20形成至多層基板54之厚度方向之較深位置，故多層基板54於空腔20之附近容易彎曲。即，若與將空腔20形成至多層基板54之厚度方向之1/2以下之位置的印刷配線板比較，則容易彎曲。

於實施形態之印刷配線板，處於去除至位於多層基板54之厚度方向之中心部分的核心基板51之部分為止之狀態。即，通常為具有玻璃布之核心基板51之構件於空腔20之形成位置不存在之狀態。如此，由於核心基板51被局部去除，故有該印刷配線板之機械強度變弱之虞。

於將該印刷配線板作為例如電性連接之連接器部使用之情形時，於空腔20插入插座等。通常，將連接器插入空腔20時，印刷配線板容易變形。

然而，於實施形態之印刷配線板，因將第2導體層12a設置於空腔20之壁面20a之下側，故印刷配線板於空腔20存在之位置亦不易彎曲。於該印刷配線板，即使形成有貫通核心基板51之空腔20，亦可提高位於空腔20之底面側之第2堆積層62之機械強度。

於此情形時，第2導體層12a可以自空腔20之輪廓部擴展之方式形成。第2導體層12a亦可配置為以空腔20之壁面20a之垂下位置為中央跨及空腔20側與空腔20外側之位置。

第2導體層12a之形狀亦可為帶狀。此處，帶狀係以特定寛度形成長條狀之形狀。於第2導體層12a之情形時，特定寛度係將空腔20之壁面20a之位置設為中央時，自該中央朝兩方向擴展之區域。擴展之區域係於與相鄰之其他導體(於圖1為包含通道15之導體層)之間可設置絕緣部之範圍。作為具體之特定寛度，可以5 μm以上且500 μm以下為標準。

又，第2導體層12a如圖2所示，亦可為環繞於設置在多層基板54之空腔20之底面79與壁面20a相交之位置之正下方附近的配置。圖2係顯示俯視絕緣樹脂層62a與絕緣樹脂層62b之間之界面之狀況之圖，顯示第2導體層12a為帶狀並以環繞空腔20之周緣部79t之方式配置之狀態。即，若將第2導體層12a以形成環形狀之狀態配置於第2堆積層62內，則可使多層基板54更不易彎曲。

空腔20係剖面凹形狀部，其以鑽孔加工及/或雷射加工將多層基板54之特定層之一部分區域(包含形成於核心基板51上之種晶層12之範圍及未形成種晶層12之空腔部與非空腔部之邊界部之遮蔽導體禁止區域的空腔形成區域65(參照圖7))進行擴孔加工直至特定深度(去除核心基板51內部之板厚中心以上之種晶層12之附近位置)為止，以雷射加工去除該加工所殘留之殘留部使種晶層12露出，之後藉由閃蝕去除種晶層12而成。板厚中心以上意指核心基板51之板厚之1/2以上且未到達種晶層12之深度。

即，空腔20具有以可收納電子零件之面積對空腔形成區域65進行擴孔加工，使形成於核心基板51之下表面之種晶層12露出之後，藉由閃蝕去除露出之種晶層12使其下方之絕緣樹脂層62a及導體層17大致平坦地露出的空腔底部(底面)。又，於上述之空腔形成區域65中未形成種晶層12之空腔部與非空腔部之邊界部之正下方，於較空腔20之底面更下層(絕緣樹脂層62a、與絕緣樹脂層62b之間)，形成有第2導體層12a。該第2導體層12a自空腔20之底面之正下方向周圍擴展。又，於本實施形態，第2導體層12a於空腔20底面之空腔輪廓部之正下方之周圍與內側帶狀擴展。第2導體層12a由例如厚度為12 μm以上之銅等構成，包含虛擬圖案或接地層、電源層等。

收納於空腔20之電子零件係例如裸晶片(無未經封裝化之端子之IC(Integrated Circuit：積體電路))等，且於底部具備與多層基板54連接用之電極。電子零件底部之電極可將於空腔底部平坦地露出之導體層17之面作為零件安裝焊盤而與之連接，亦可經由於導體層17之上實施鍍覆形成之金屬鍍層80(參照圖14)而連接。將此時之金屬鍍層80設為積層鎳鍍層、金鍍層等鍍層而形成者。

導體層63、64係形成於該多層基板54(核心基板51與其上下之第1及第2堆積層61、62)之表面者，且以後續之蝕刻而作為電路配線之一部分(導體層63a)形成。導體層63、64係銅實心圖案，即例如對銅箔(厚度9 μm左右)實施鍍銅(厚度15 μm左右)而形成者。

於導體層63、64之延伸目的地(沿著面之方向)連接有通道15。通道15層間連接設置於多層基板54之任意層之導體(導體層16、17、63、64等)。

核心基板51係對於上下面形成有種晶層12之絕緣樹脂層11(參照圖3-7)進行加工而形成通道15者。

作為形成絕緣樹脂層11之絕緣樹脂，列舉例如環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚(PPE，Polypheylene Ether)樹脂、酚醛樹脂、聚四氟乙烯(PTFE，Polytetrafluoroethylene)樹脂、矽樹脂、聚丁二烯樹脂、聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚苯硫醚(PPS，Polyphenylene Sulfide)樹脂、聚苯醚(PPO，Polyphenylene Oxide)樹脂等。亦可將該等樹脂混合2種以上。

通道15係藉由鍍覆處理對通道孔預留孔14(參照圖4)填充金屬鍍層者。通道15係層間連接設置於多層基板54(參照圖8)之各層(包含內層、外層)之導體(導體層63、64、16、17等)者。於圖8，可知上表面之導體層63通過通道15連接於導體層17，又，下表面之導體層64通過通道15連接於導體層17。

種晶層12係例如1 μm～10 μm(1 μm以上且10 μm以下)之厚度之銅，且以一部分殘留於導體層17下方之狀態配置。作為種晶層12，只要可電性連接且可遮蔽雷射則並無特別限制，使用例如薄銅箔或無電解鍍銅等。金屬組成緻密之薄銅箔更合適。

核心基板51係以改質半加成製程(M-SAP：Modified-Semi Additive Process)或半加成製程(SAP)等方法形成絕緣樹脂層11之上表面及下表面，並以抗蝕劑保護設置於種晶層12之一部分區域之成為連接墊或電路配線之導體層17(圖5之核心基板51下表面之中央部分)免受閃蝕且使之露出者。

本揭示之印刷配線板基本上可藉由經過上述之第1步驟至第6步驟而得。以下，參照圖3至圖15說明實施形態之印刷配線板之製造方法。

如圖3所示，核心基板用基材11A係於絕緣樹脂製之基材11之上表面(第1面11a)及下表面(第2面11b)積層種晶層12(例如薄銅箔等導電性金屬箔)而形成。於此情形時，種晶層12之厚度可為例如1 μm～10 μm左右。又，作為核心基板用基材11A，亦可使用於基材11之上表面、下表面中之至少下表面具有種晶層12者。

接著，如圖4所示，於核心基板用基材11A進行雷射加工形成通道孔預留孔14。

藉由雷射加工形成通道孔預留孔14時，有薄樹脂膜殘存於通道孔預留孔14之底部之情形。於此情形時，進行除渣處理。除渣處理藉由強鹼使樹脂膨潤，接著使用氧化劑(例如鉻酸、高錳酸鹽水溶液等)分解去除樹脂。

此外，例如亦可藉由研磨材之濕噴砂處理或電漿處理，去除樹脂膜。再者，亦可為了鍍覆處理而將通道孔預留孔14之內壁面進行粗面化處理。作為粗面化處理，列舉例如氧化劑(例如鉻酸、高錳酸鹽水溶液等)之濕製程、電漿處理或灰化處理等之乾製程等。

(圖案鍍覆處理步驟) 該步驟如圖5所示，係對絕緣樹脂製之基材11之上表面、設置於下表面之種晶層12之一部分區域之上及通道孔預留孔14實施圖案鍍覆形成導體層16、第1導體層17及通道15之步驟。具體而言，於以層壓加工將乾膜13(鍍覆抗蝕劑)貼附於種晶層12上後，進行曝光及顯影，去除欲形成上表面之導體層16、通道15等電路部及下表面之導電電路即第1導體層17之部位之乾膜13。

接著，對經去除乾膜13之一部分之絕緣樹脂製之基材11之電路部形成用之通道孔預留孔14與其周圍之種晶層12實施圖案鍍覆處理形成絕緣樹脂製基材11之上表面之導體層16與基材11之內部之通道15及基材11之下表面之導電層(包含種晶層12、第1導體層17)。

此處，作為圖案鍍覆，有僅進行鍍銅之情形、與於鍍銅組合鍍鎳之情形。使用鍍銅與鍍鎳之組合之原因在於：擔心於後續步驟去除種晶層12時，種晶層12以外之圖案鍍覆部分亦被稍微蝕刻。鍍鎳作為針對去除種晶層12之阻隔層發揮功能。鍍鎳與鍍銅係連續進行。於此情形時，鍍鎳之厚度可為2 μm以上。

有將該鍍鎳處理稱為「阻隔層鍍覆」之情形。於該步驟中形成之鍍覆膜亦兼作零件安裝之表面處理用之鍍覆膜之情形時，有時亦進行鎳、金、鎳、銅鍍層之連續鍍覆。於此情形時，可將第1次鍍鎳之厚度設為2 μm以上，第2次設為3 μm以上，鍍金雖取決於零件之安裝方法，但於引線接合之情形時，可設為0.3 μm以上。

儘管為本技術，但電路寬度之修正與通常之M-SAP或半加成法並無不同，只要設計值加粗+6 μm左右進行修正並曝光即可。

(乾膜剝離步驟) 其次，於進行圖案鍍覆之後，剝離殘留之乾膜13使種晶層12露出。

(空腔形成區域之加工步驟) 其次，如圖6所示，以層壓加工於基材11之下表面(第2面11b)之種晶層12及第1導體層17貼附乾膜18(感光性抗蝕劑)。之後，進行曝光及顯影，於空腔形成區域65(除空腔部與非空腔部之邊界部之遮蔽導體禁止區域外)殘留乾膜18，去除除此以外之部位之乾膜18。於露出之種晶層12中未覆蓋乾膜18之部分藉由閃蝕去除作為導電電路不必要之部位。之後，自種晶層12及第1導體層17之表面去除乾膜18。

即，於該步驟，基材11之面(於此情形時為第2面11b)側之形成有種晶層12之區域內，於空腔形成區域65貼附乾膜18，設為狀態，接著，藉由閃蝕去除乾膜18外之種晶層12。之後，剝離種晶層12上之乾膜18。於此情形時，亦去除形成於基材11之上表面(第1面11a)側之種晶層12。

如此，如圖7所示之核心基板51完成。於該核心基板51之基材11之上表面(第1面11a)，形成有作為電性連接於通道15之電路之一部分之導體層16。此外，成為於核心基板51之下表面(第2面11b)之空腔形成區域65(除空腔部與非空腔部之邊界部之遮蔽導體禁止區域外)，殘留有種晶層12之狀態。種晶層12中之空腔形成區域65之範圍之部分成為稍後敘述之雷射加工時之雷射之受體(遮蔽構件)。

又，於基材11之下表面，形成有作為導電電路之第1導體層17。於該例，雖已以M‐SAP為例形成電路，但即使於將無電解鍍銅使用於種晶層之SAP，亦可形成電路(於此情形時為第1導體層17)。

(堆積層形成步驟) 於該步驟，於成為核心基板51之核心基板用基材11A之上層(上表面)及下層(下表面)中之至少下層(下表面)，進行任意次數之堆積，製作積層基板54A。即，於該步驟，保持於空腔形成區域65仍局部殘留有種晶層12不變，於成為核心基板51之核心基板用基材11A形成第1堆積層61及第2堆積層62。藉此，形成將種晶層12之一部分嵌入於內部之核心基板51(絕緣樹脂基板)與第2堆積層62(下部構造體)之間的積層基板54A。

此處，作為形成第1堆積層61、第2堆積層62之堆積步驟，可使用慣用之方法。例如，可列舉首先於成為核心基板51之核心基板用基材11A貼附絕緣樹脂層61a之後，使用雷射形成通道孔之方法。之後，對絕緣樹脂層61a之包含通道孔之表面進行鍍覆處理，形成通道15、導體層17。於欲使第1堆積層61如圖7所示多層化之情形時，重複同樣之步驟。

對第1堆積層61及第2堆積層62之電路形成，例如不僅可適用以蝕刻去除作為電路不必要之導體之減成法，亦可與核心基板51之情形同樣，適用M-SAP、SAP等。對第1及第2堆積層61、62之積層，利用多層壓製或樹脂層壓等技術。

於該例，於上層之第1堆積層61，形成有絕緣樹脂層61a、絕緣樹脂層61b、及導體層17(第1導體層17)。於最上層(表層)之第1堆積層61之上表面，形成有與通道15連接之導體層63。於在多層基板54之最上層(絕緣樹脂層61b)之上表面形成導體層63時，預先除去空腔形成區域65之範圍。這是為了容易進行稍後敘述之空腔形成步驟中之擴孔加工之故。

第2堆積層62具有絕緣樹脂層62a、絕緣樹脂層62b、導體層17。於成為核心基板51之核心基板用基材11A之正下方之絕緣樹脂層62a，於空腔形成區域65之範圍內形成有通道15。該通道15於上部與核心基板51之第1導體層17連接，於下部與下層之絕緣樹脂層62b之通道15連接。於絕緣樹脂層62a、絕緣樹脂層62b之左右之下表面，形成有第1導體層17。藉由貫通該第1導體層17形成通孔10，而與其他層之第1導體層17、最上層之導體層63及最下層之導體層64層間連接。

再者，於空腔形成區域65中之空腔部與非空腔部之邊界部之正下方(對應於空腔形成區域65及其邊界部之位置)，於較空腔20之底面更下層(絕緣樹脂層62a、與絕緣樹脂層62b之間)形成有上述之第2導體層12a。該第2導體層12a成為稍後敘述之雷射加工時之雷射之受體(遮蔽構件)，防止雷射貫通下層。該第2半導體層12a之形成方法可為任意方法，可為減成法、M-SAP、半加成法等。

(空腔形成步驟) 於該步驟，如圖9所示，將鑽孔器自積層基板54A之第1堆積層61之側朝向殘留於核心基板51之種晶層12之方向進行加工。換言之，以鑽孔器掘入之方式加工預先設置於積層基板54A之空腔形成區域65。

於此情形時，有以下兩個步驟：鑽孔器沿著積層方向(厚度方向)鑽入空腔形成區域65貫通第1堆積層61，於核心基板51內部之種晶層12上殘留基材11之一部分並局部去除絕緣樹脂層61a及絕緣樹脂層61b而形成空腔20(擴孔加工1)；及將種晶層12及更下層之第2導體層12a作為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於空腔20之絕緣樹脂68，使種晶層12於空腔20之底部露出(擴孔加工2)。

(擴孔加工1(鑽孔加工)) 於該步驟，自積層基板54A之上方貫通空腔形成區域65之第1堆積層61直至核心基板用基材11A內之基材11為止進行擴孔加工(亦可為併用鑽孔加工與雷射加工之切削加工)，於核心基板用基材11A之下表面之種晶層12上殘留基材11之一部分並去除大多數之絕緣樹脂形成空腔20。

具體而言，如圖9所示，於空腔形成區域65之一端(例如面向圖之左端)，配置於鑽頭前端具有感測器之鑽孔器66，削入至核心基板用基材11A表面之種晶層12之近前位置(到達空腔20之底部之近前位置)，使鑽孔器66自該位置朝橫方向A移動並利用鑽孔器66實施絕緣樹脂層11之去除。

另，於該例，雖於空腔20之底部上殘留基材11之一部分，但於鑽孔器加工精度較高之情形時，亦可削入至最接近種晶層12之面之邊緣。

將擴孔加工設為不僅包含稍後敘述之雷射加工，亦包含鑽孔加工之2個階段之原因在於：使用種晶層12等作為稍後敘述之雷射加工之雷射之接受導體(遮蔽構件)，去除基材11之殘留物即絕緣樹脂68之故。

(擴孔加工2(雷射加工)) 於該步驟，如圖10所示，自空腔20之開口上方向箭頭B方向照射雷射光，去除因圖8之鑽孔加工而殘留於空腔20底部之絕緣樹脂68。於雷射加工，可適用例如二氧化碳氣體雷射(CO₂ 雷射)或YAG(Yttrium Aluminum Garnet：釔鋁石榴石)雷射等加工用雷射。

於先前之技術，於如雷射剝離法之條件不適宜之情形時，於空腔部與非空腔部之邊界部之遮蔽導體禁止區域，出現雷射貫通下層之部位，而有可能破壞基材之問題。

於本揭示之印刷配線板之製造方法，將種晶層12及更下層之第2導體層12a設為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於空腔20之底部之上層部分之殘留物，如圖11所示，使平坦之面之種晶層12於空腔20之底部露出。此時，藉由使用第2導體層12a作為雷射光之遮蔽構件，即使於如雷射照射之條件不適宜之情形時，亦可防止於空腔部與非空腔部之邊界部之遮蔽導體禁止區域，雷射貫通下層而破壞基材(於此情形時為絕緣樹脂層62a)。

若藉由雷射加工來加工空腔20之底部之絕緣樹脂68，則有於該部分殘存薄樹脂膜(細微樹脂碎屑)之情形。為了去除如此殘留之細微樹脂碎屑，清洗因雷射而碳化之部分。因此，進行高壓水洗等水洗處理或電漿處理、高錳處理等之除渣處理。該等處理可重複進行2次3次。

除渣處理係藉由強鹼使樹脂膨潤，接著使用氧化劑(例如鉻酸、高錳酸鹽水溶液等)分解去除樹脂之處理。又，亦可藉由研磨材料之濕噴砂處理或電漿處理去除樹脂膜。於進行電漿處理時，為了保護表面基材，亦可以乾膜實施覆蓋。

又，於進行除渣處理時，為了保護最外層基材及最外層電路，亦可替換步驟，於形成空腔20後方實施最外層之電路形成。於此情形時，為了保護空腔20，需以乾膜等進行保護。亦可使用電泳抗蝕劑(ED，Electro Depositon等)

另，作為雷射光之接受導體(雷射光之遮蔽構件)使用之第2導體層12a可提高因空腔20無上部構造體而降低之多層基板54之剛性。於此情形時，第2導體層12a作為雷射光之遮蔽構件，僅設置於空腔輪廓部便足夠，但若配置於空腔底面整面則可進一步強化剛性。再者，可僅由配線便能使容易不均之空腔部之板厚穩定。另，於僅在空腔輪廓部配置第2導體層12a之情形時，若考慮雷射光之照射徑、層間位置偏移，而以種晶層12之端部為基準朝外側以200 μm寛度配置第2導體層12a，則可充分遮蔽雷射。

又，因種晶層12混入基材11，欲使複數條電路自第1導體層17向空腔外延伸時，複數條電路彼此於種晶層12短路，但藉由較空腔20稍窄地形成種晶層12，不使種晶層12混入基材11，可使複數條電路向空腔外延伸。

空腔20之底部之種晶層12之銅箔(阻隔層)可使用各種無輪廓箔、或低輪廓箔、標準箔等。

此處，參照圖16及圖17，對形成第2導體層12a之效果進行說明。圖16係顯示空腔20之概略之圖，圖17係放大以圖16中虛線A顯示之空腔20之輪廓部周邊之圖。第2導體層12a雖配置於絕緣樹脂層62a之下側之表面，但如上所述，發揮作為雷射光L之遮蔽構件之功能。於此情形時，於本實施形態，絕緣樹脂層62a亦可以其表面附近局部受到雷射光之影響之方式進行加工。

若於空腔20之輪廓部下之絕緣樹脂層62a設置有第2導體層12a，則藉由雷射光加工輪廓部之處時，第2導體層12a之上側被略微掘入。此與未設置第2導體層12a之情形相比，其之體積變小。

被掘入之部分之形狀雖為空腔20之壁面20a側(圖中62aL)附階差之狀態，但其相反側之空腔20之內部側(符號62aR)為相對於絕緣樹脂層62a之表面(底面79)垂直之形狀。

於空腔20之底面79側形成有阻焊劑R時，可抑制壁面20a爬升，同時，可以均一之厚度於空腔20之底面形成阻焊劑。這是因為雖因空腔20之壁面20a側(62aL)變為階梯狀使得阻焊劑容易爬升，但因內部側(62aR)為垂直之面故阻焊劑不易爬升。

於掘入之部分之內部側62aR與底面79之交點X，可將阻焊劑設為與底面79之其他部分相同之厚度。即，於圖17中，可使掘入之部位之角部處之阻焊劑之厚度t_c1 、與底面79上之阻焊劑之厚度t₇₉ 相同。此處，「相同」意為大體滿足下式之關係。 t_C1 -t₇₉ ≦1μm

於本實施形態，雖為於形成最外層電路之後，形成空腔20之順序，但於將空腔20進行雷射處理後進行高錳酸處理等除渣處理之情形時，為了保護表面之基材、及防止電路抗剝強度劣化，亦可於形成最外層之電路之前形成空腔20。又，於以M-SAP等圖案鍍覆形成最外層之電路之情形時，藉由將其兼作為稍後敘述之種晶層去除步驟，而削減步驟。

(種晶層去除步驟) 該步驟如圖12所示，係藉由閃蝕去除於空腔20之底部露出之種晶層12，使第2堆積層62之絕緣樹脂層62a之面79與嵌入於絕緣樹脂之導體層17之面露出之步驟。

若詳細敘述，則於該步驟，藉由將空腔形成區域65之底部進行閃蝕，而去除阻隔層即種晶層12(銅箔)。如此可獲得多層基板54。由核心基板51下層之絕緣樹脂層62a之面(底面79)、及於與該底面79同等高度(位置)表面露出並嵌入於絕緣樹脂層62a之第1導體層17，形成空腔20之底面79之一部分。如此於空腔20之底面平坦露出之第1導體層17作為零件安裝焊盤發揮功能，並可連接該多層基板54內之電路配線與收納於空腔20之電子零件。

於不欲藉由閃蝕，減少最外層之導體厚度之情形時，於阻焊劑後進行實施。或，亦可於阻焊劑後實施乾膜之覆蓋，任意選擇經蝕刻處理之部位。

另，上文中已對擔心除種晶層以外，圖案鍍覆部分亦被稍微蝕刻之情況進行說明，但因蝕刻量為2 μm左右，且閃蝕液有於縱方向均一蝕刻之性質，故不會對導體厚度造成不良影響。

於作為阻隔層鍍覆進行鍍鎳之情形時，進而蝕刻鎳。鎳之蝕刻適用除鎳劑NH-1860系列(MEC公司製)等。

於以引線接合用途而於阻隔層鍍覆之鎳鍍層下進行鍍金之情形時，雖因金不會溶解於減成法之代表蝕刻液即氯化鐵溶液，氯化銅溶液，故原理上可行，但因對界面之浸透力較強，而浸透於金鍍層與絕緣材料之界面，引起將金鍍層更下方之鎳鍍層、銅鍍層溶解之側面蝕刻，故不適合。

(外層電路形成步驟) 於該步驟，藉由對圖12所示形成之多層基板54之下部之第2堆積層62之導體層64，進行蝕刻去除一部分區域，而如圖13所示形成導體層64a作為電路。又，藉由對基板上部之第1堆積層61之導體層63進行蝕刻而去除一部分區域形成作為電路配線或配線圖案之導體層63a。另，外層電路之形成亦可適用將對凹孔或貫通孔之壁面之追蹤性優異之電泳抗蝕劑使用於蝕刻抗蝕劑之減成法。另，電泳抗蝕劑係應用電泳塗裝性質之蝕刻抗蝕劑。

(阻焊劑步驟) 於該步驟，對圖13所示之第1及第2堆積層61、62以包含導體層63a、64a之一部分地進行絕緣被覆，而如圖14所示，形成阻焊劑71、72。阻焊劑可使用乾膜型、液狀型。

(電子零件安裝場所形成步驟) 該步驟後係於零件安裝焊盤需階差之情形時進行者。於該步驟，如圖15所示，對於空腔20之底部露出之導體層17之上實施鍍覆形成金屬鍍層80，形成自底面具有階差之零件安裝焊盤即連接墊。

亦可對多層基板54上部之第1堆積層61之導體層63a上同樣地實施鍍覆形成電路圖案。此時，若通孔10由樹脂或金屬填充，則對無阻焊劑71之通孔10之上下部分亦實施鍍覆，故於此處亦形成有導體層73、74。

亦可根據需要如以下般追加安裝電子零件之步驟。於該步驟，將電子零件收納於空腔20，使設置於電子零件之底部之電極與金屬鍍層80(連接墊)抵接而連接彼此之電路。另，於不在此處安裝電子零件，而將之安裝於其他處之情形時，無需電子零件安裝步驟以後之步驟。

如此，用於形成該實施形態之印刷配線板之核心基板用基材11A具有絕緣樹脂製之基材11，其具有第1面(上表面)11a、與對向於該第1面(上表面)11a之第2面(下表面)11b。於絕緣樹脂製之基材11之第2面(下表面)11b形成有種晶層12。於種晶層12之一部分區域，藉由圖案鍍覆形成第1導體層17。核心基板51具有絕緣樹脂製之基材11、種晶層12、第1導體層17。於核心基板51之至少下表面，形成有以絕緣樹脂堆積而成之第2堆積層62，而形成複數層之基板(積層基板54A)。對積層基板54，自第1堆積層61之側對核心基板51之一部分區域(空腔形成區域65)進行擴孔加工，使核心基板51之第2面(下表面)51b之種晶層12於底部露出，藉由以該方式進行加工，形成空腔20。藉由閃蝕去除於該空腔20之底部露出之種晶層12時，位於核心基板51之下之第2堆積層62之絕緣樹脂層62a之面(底面79)殘留。於底面79，以上表面大致同一平面地排列之方式嵌入第1導體層17。藉由此種構成，可於電子零件之底部進行收納於空腔20內之電子零件與基板側之電路連接。

藉由如此將與空腔20之底面79大致同一平面之第1導體層17作為連接墊(零件安裝焊盤)形成並與電子零件之底部電極連接，而可提高作為空腔20之底部配線圖案之零件安裝焊盤之抗剝強度。

上述各實施形態之印刷配線板之製造順序之例係一例，亦可藉由替換各處理步驟、或追加新的處理步驟、刪除一部分處理步驟，而以各種方式改變處理步驟。

雖已說明本發明之實施形態，但該實施形態係作為例而顯示者，可以其他各種形態實施，且可於不脫離發明之主旨之範圍內進行構成要素之省略、置換、變更。

10:通孔 11:絕緣樹脂製之基材 11A:核心基板用基材 11a:第1面 11b:第2面 12:種晶層 12a:第2導體層 13:乾膜 14:通道孔預留孔 15:通道 16:導體層 17:第1導體層 18:乾膜 20:空腔 20a:壁面 51:核心基板 51a:第1面 51b:第2面 54:多層基板 54A:積層基板 61:堆積層 61a:絕緣樹脂層 61b:絕緣樹脂層 62:堆積層 62a:絕緣樹脂層 62aa:表面 62ab:面 62aL:壁面之側 62aR:內部側 62b:絕緣樹脂層 63:導體層 63a:導體層 64:導體層 64a:導體層 65:空腔形成區域 66:鑽孔器 68:絕緣樹脂 71:阻焊劑 72:阻焊劑 73:導體層 74:導體層 79:底面 79t:周緣部 80:金屬鍍層 A:橫方向 A:虛線 B:箭頭 L:雷射光 R:阻焊劑 t_c1:厚度 t₇₉:厚度 X:交點

圖1係說明實施形態之印刷配線板之構成之剖視圖。 圖2係圖1之II-II線剖視圖。 圖3係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖4係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖5係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖6係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖7係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖8係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖9係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖10係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖11係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖12係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖13係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖14係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖15係說明實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖16係說明實施形態之印刷配線板之效果之剖視圖。 圖17係說明實施形態之印刷配線板之效果之剖視圖。

10:通孔

11:絕緣樹脂製之基材

12:種晶層

12a:第2導體層

15:通道

16:導體層

17:第1導體層

20:空腔

20a:壁面

51:核心基板

51a:第1面

51b:第2面

54:多層基板

61:堆積層

61a:絕緣樹脂層

61b:絕緣樹脂層

62:堆積層

62a:絕緣樹脂層

62aa:表面

62ab:面

62b:絕緣樹脂層

63:導體層

64:導體層

65:空腔形成區域

79:底面

79t:周緣部

Claims (7)

1. 一種印刷配線板，其具備多層基板，該多層基板具有：核心基板，其具有第1面及第2面；第1堆積層，其位於該核心基板之上述第1面；及第2堆積層，其位於上述核心基板之上述第2面；且該多層基板具有空腔、第1導體層、及第2導體層；上述空腔貫穿上述第1堆積層及上述核心基板，且底面係上述第2堆積層之表面；上述第1導體層位於上述空腔之上述底面；上述第2導體層位於上述第2堆積層內，且於俯視透視下與上述空腔之上述底面之周緣部之至少一部分重疊，並以環繞上述空腔之上述周緣部之方式呈帶狀地配置；且上述第2導體層與其他導體層電性孤立。
2. 如請求項1之印刷配線板，其中上述第2導體層於俯視透視下位於與上述空腔之上述底面之整個上述周緣部重疊。
3. 如請求項1或2之印刷配線板，其中上述第1導體層包含與電子零件連接之連接墊。
4. 如請求項3之印刷配線板，其中上述第1導體層包含於沿著上述空腔之上述底面之方向上與上述連接墊連接之電路配線。
5. 一種印刷配線板之製造方法，其具備：第1步驟，其準備具有第1面及第2面，並於上述第2面設置有種晶層之核心基板；第2步驟，其對設置於上述核心基板之上述種晶層進行圖案鍍覆形成第1導體層；第3步驟，其於上述核心基板之包含上述第1導體層之上述種晶層之表面，以上述種晶層殘留於形成空腔之區域即上述核心基板之中央部之方式去除上述種晶層之一部分；第4步驟，其於上述核心基板之上述第1面，形成具有第1絕緣樹脂層之第1堆積層，且於上述核心基板之上述第2面，形成具有第2絕緣樹脂層之第2堆積層；第5步驟，其對上述第2堆積層之表面進行圖案鍍覆，形成第2導體層，該第2導體層於俯視透視下與上述形成之空腔之底面之周緣部之至少一部分重疊，並以環繞上述空腔之上述周緣部之方式呈帶狀地配置，且與其他導體層電性孤立；及第6步驟，其自上述第1堆積層側加工上述核心基板形成貫穿該第1堆積層及上述核心基板，且上述底面為上述第2堆積層之表面的上述空腔。
6. 如請求項5之印刷配線板之製造方法，其中上述第2導體層以環繞上述空腔之上述底面之周緣部之方式形成。
7. 如請求項5或6之印刷配線板之製造方法，其中上述圖案鍍覆係按鎳、金、鎳、銅之順序連續進行。

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