TWI715214B - 印刷配線板及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明能於空腔底部進行空腔內之電子零件與空腔外之電路之連接並且使形成於空腔底部的配線圖案之剝離強度提高。本發明之印刷配線板於絕緣樹脂製之基板之下層積層有絕緣樹脂層與導體層之多層基板之一部分區域具有於基板側開口並貫通基板且以絕緣樹脂層之面作為底面之空腔，導體層具有與絕緣樹脂層之面同等高度之面，且以該面形成底面之一部分之方式嵌入絕緣樹脂層。

Description

印刷配線板及印刷配線板之製造方法

本發明係關於一種具有空腔之印刷配線板及印刷配線板之製造方法。

近年來，伴隨基板與配線高積體化及高密度化，有於多層基板設置空腔，且於此處安裝電子零件之情形。於空腔安裝電子零件之情形時，期待提高形成於空腔底部之配線圖案之剝離強度。

於先前之印刷配線板中，以如下所示之方式形成有空腔。例如，於利用鑽孔器或雷射進行鍃孔加工而於印刷配線板形成空腔之情形時，印刷配線板預先於內部設置有剝離層。其次，鑽孔器或雷射自印刷配線板之表面加工至剝離層。以剝離層為邊界將剝離層之上部構造體去除而形成空腔。其後，去除剝離層。

除此以外，有如下技術：例如以與剝離層類似之目的，印刷配線板預先於內部設置有虛設圖案。其次，雷射自印刷配線板之表面照射至虛設圖案，將上部構造體去除，形成空腔。該情形時，虛設圖案由蝕刻去除。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2016-122728號公報

[發明所欲解決之問題]

上述先前技術中，有如下情形。 於印刷配線板之內部設置剝離層之技術中，使用作為副資材之剝離層，故有構件成本及剝離層之形成成本增加之情形。又，於該技術之情形時，難以進行剝離層之上層與周邊之層之層構成之調整，進而亦有絕緣層或配線撓曲，周圍之板厚變厚之情形。又，於設置虛設圖案之先前技術中，最終虛設圖案由蝕刻而去除。因此，無法形成連接於墊之配線，收容於空腔之電子零件與底部之電路配線之連接變得困難。

又，亦有不使用虛設圖案或剝離層而是利用鑽孔加工將底部平坦化之技術，但於切削加工時之深度調整中需要精細之精度，從而有削除過度或切削不足之情形。

本發明能於空腔底部進行空腔內之電子零件與空腔外之電路之連接。進而，提供一種形成於空腔底部之配線圖案之剝離強度較高之印刷配線板及印刷配線板之製造方法。 [解決問題之技術手段]

本發明之印刷配線板於絕緣樹脂製之基板之下層積層有絕緣樹脂層與導體層之多層基板之一部分區域，具有於上述基板側開口並貫通上述基板且以上述絕緣樹脂層之面作為底面之空腔，上述導體層具有與上述絕緣樹脂層之面同等高度之面，且以該面形成上述底面之一部分之方式嵌入上述絕緣樹脂層。

本發明之印刷配線板之製造方法具有以下步驟：於具有第1面及第2面之絕緣樹脂製之基板之上述第2面所設置之晶種層之一部分區域上實施圖案鍍覆而形成導體層；於上述基板之上述第1面形成第1絕緣樹脂層，於上述基板之上述第2面以嵌入上述導體層之方式形成第2絕緣樹脂層；自上述第1絕緣樹脂層之側朝上述晶種層之一部分區域於積層方向進行鑽孔加工，貫通上述第1絕緣樹脂層，將構成上述基板之絕緣樹脂以使上述基板之一部分殘留於上述基板內部之上述晶種層之一部分區域上之方式去除而形成空腔；將上述晶種層之一部分區域設為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於上述空腔之上述基板之殘留部，使上述晶種層之一部分區域露出於上述空腔之底部；及藉由閃蝕去除露出於上述空腔底部之上述晶種層之一部分區域，使上述第2絕緣樹脂層之面與嵌入上述第2絕緣樹脂層之上述導體層之面露出。 [發明之效果]

根據本發明，能於空腔底部進行空腔內之電子零件與空腔外之電路之連接。進而，可提高形成於空腔底部之配線圖案之剝離強度。

以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。 圖10係本發明之一實施形態之印刷配線板之構成。

如圖10所示，該實施形態之印刷配線板於多層基板54之一部分區域即空腔形成區域65，具有上方開口之空腔20。印刷配線板係具有具備絕緣樹脂製之基板11(以下，稱為絕緣樹脂基板11)之核心基板51，且於絕緣樹脂基板11之上表面(第1面)積層有第1增層61，於絕緣樹脂基板11之下表面(第2面)積層有第2增層62之多層基板構造體。第1增層61自絕緣樹脂基板11側依序具有第1絕緣樹脂層61a及第3絕緣樹脂層61b。第2增層62自絕緣樹脂基板11側依序具有第2絕緣樹脂層62a及第4絕緣樹脂層62b。多層基板54進而於絕緣樹脂基板11及上述各絕緣樹脂層之層間或層上，具有導體層16、17、63、64。

上述空腔20為貫通第1增層61及絕緣樹脂基板11，且以第2增層62所具有之第2絕緣樹脂層62a之絕緣樹脂之面79作為底面之剖面凹形狀之凹部。印刷配線板具備導體層17，其具有與第2增層62所具有之第2絕緣樹脂層62a之面79同等高度之面，且以該面形成空腔20之底面之一部分之方式嵌入第2絕緣樹脂層62a。

再者，於圖10所示之印刷配線板中，不具有第1增層61之構成亦為本發明之實施形態之印刷配線板之範疇。進而，不具有第1增層61及第2增層62之第4絕緣樹脂層62b之構成亦為本發明之實施形態之印刷配線板之範疇。

又，於圖10所示之印刷配線板中，空腔20亦可以第4絕緣樹脂層62b之上表面作為底面而代替以第2絕緣樹脂層62a之上表面作為底面之方式構成。該情形時，實施形態之印刷配線板為具備導體層17之構成，該導體層17具有與第4絕緣樹脂層62b之上表面同等高度之面，且以該面形成空腔20之底面之一部分之方式嵌入第4絕緣樹脂層62b。

印刷配線板於上述空腔20之部位以外之任意部位具有包含形成上述空腔20之底面之一部分之導體層17的導體層(導體層16、導體層17)。通路15將導體層(導體層16、導體層17)層間連接。多層基板54具有於上下(積層方向)貫通兩端之導體層63、導體層64與導體層17而連接之通孔10。再者，導體層16與導體層17雖於電性方面相同，但將與通路15一體形成之導體層稱為導體層16，將積層於下述晶種層12之導體層稱為導體層17。

第1增層61於第1絕緣樹脂層61a之絕緣樹脂基板11側、與第3絕緣樹脂層61b之絕緣樹脂基板11側分別具有導體層16。於第1絕緣樹脂層61a及第3絕緣樹脂層61b分別設置有通路15。核心基板51具有貫通絕緣樹脂基板11且與第1絕緣樹脂層61a之絕緣樹脂基板11側之導體層16連接之通路15。於第3絕緣樹脂層61b之上表面，形成有與設置於該層之通路15連接之導體層63。

於第2增層62所具有之第2絕緣樹脂層62a及第4絕緣樹脂層62b，分別於空腔形成區域65之範圍內且於空腔20正下方設置有通路15。空腔20正下方之通路15與具有形成空腔20底面之一部分之上表面之導體層17連接。關於空腔20底面之導體層17，例如以如下方式形成於核心基板51之絕緣樹脂基板11之下表面之導體層17係於空腔形成後殘留者。

於印刷配線板之製造過程中，於絕緣樹脂基板11之下表面於包含空腔形成區域65之範圍形成晶種層12，進而於晶種層12之下表面形成導體層17，設為核心基板51。於使用有核心基板51之多層基板上形成空腔20時，藉由鍃孔加工、蝕刻等去除核心基板51之絕緣樹脂基板11及晶種層12，成為如上所述僅殘留有導體層17之狀態。

於空腔20，以使多層基板54之特定之層(圖10中，第2絕緣樹脂層62a)之一部分區域之絕緣樹脂之面79、與例如上述加工中殘留之成為連接墊之導體層17之上表面以同等高度(以平坦之狀態)露出之方式形成底面，設為大致同一面。再者，記載為「大致」之原因在於，由於蝕刻晶種層12而使導體層17露出，故有因蝕刻之狀態而產生若干(2 μm～3 μm)凹凸(階差)之情形。再者，詳細而言，空腔20例如可由下述方法形成。

導體層17例如其一部分成為於空腔20底面與電子零件之連接墊。又，導體層17亦可成為於面方向上連接於連接墊之電路配線。導體層17係於必要之層形成多層基板54之內層之電路連接者，且連接於通孔10。

通孔10於多層基板54之空腔20之區域外之部分上下(基板之積層方向) 貫通多層基板54而設置。

於通孔10之上下，視需要於後續步驟中形成導體層73、導體層74(參照圖13)及阻焊劑71、阻焊劑72(參照圖13)。阻焊劑71、阻焊劑72形成於多層基板54之最上層及/或最下層之表面。關於導體層73、導體層74，藉由阻焊劑71、阻焊劑72而使其周圍被絕緣覆膜而作為連接墊發揮功能。

收容於空腔20之電子零件例如係裸晶片(未封裝化之無端子之IC(Integrated Circuit，積體電路))等，於底部具備與多層基板54之連接用之電極。電子零件底部之電極可將於空腔底部平坦露出之導體層17之面作為零件安裝焊盤而連接，亦可經由於導體層17上實施鍍覆所形成之金屬鍍覆層80(參照圖13)而連接。該情形時之金屬鍍覆層80設為將鍍鎳、鍍金等鍍覆層積層而形成者。

導體層63、導體層64係形成於該多層基板54(核心基板51與其上下之第1、第2增層61、62)之表面者，由以後之蝕刻而作為電路配線之一部分(導體層63a)形成。導體層63、導體層64為銅實心圖案，例如係於銅箔(厚度9 μm左右)上實施鍍銅(厚度15 μm左右)而形成者。

於導體層63、導體層64之延伸前方(沿著面之方向)連接有通路15。通路15將設置於多層基板54之任意之絕緣樹脂層(包含絕緣樹脂基板)之上表面或下表面的導體層(導體層16、導體層17、導體層63、導體層64等)層間連接。

核心基板51係將於上下之面形成有晶種層12之絕緣樹脂基板11(參照圖5)加工且形成有通路15者。

作為形成絕緣樹脂基板11之絕緣樹脂，例如可列舉環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚醯亞胺樹脂、PPE(polyphenylene ether，聚苯醚)樹脂、酚系樹脂、聚四氟乙烯(PTFE，polytetrafluorethylene)樹脂、矽樹脂、聚丁二烯樹脂、聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、聚苯硫醚(PPS，polyphenylene sulfide)樹脂、及PPO(polyphenylene oxide，聚苯醚)樹脂等。亦可將2種以上該等樹脂混合。

通路15係藉由鍍覆處理而於通路下孔14(參照圖2)填充有金屬鍍覆者。通路15係將設置於多層基板54(參照圖6)之各層(包含內層、外層)之導體層(導體層63、導體層64、導體層16、導體層17等)進行層間連接者。圖6中，上表面之導體層63通過通路15而連接於導體層16，又，下表面之導體層64通過通路15而連接於導體層16。

晶種層12例如為厚度1 μm以上10 μm以下之銅，且以一部分殘留於導體層17之絕緣樹脂基板11側之狀態而配置。作為晶種層12，只要可電性連接且可遮蔽雷射即可，並無特別限制，例如使用薄銅箔或無電解鍍銅等。關於金屬組成，以緻密之薄銅箔較為適宜。

核心基板51係於絕緣樹脂基板11之上表面及下表面以改質半加成製程(M-SAP，modified-semi additive process)或半加成製程(SAP，semi additive process)等方法進行電路形成者。導體層17(圖5之核心基板51下表面之中央部分)成為設置於晶種層12之一部分區域之連接墊或電路配線，圖5之晶種層12係以蝕刻阻劑保護不受閃蝕並露出者。

以下，圖1至圖13係印刷配線板之製造方法之一實施形態。 (絕緣層加工步驟) 如圖1所示，絕緣樹脂基板11具有第1面、及與該第1面背對背之第2面。將絕緣樹脂基板11之第1面及第2面中之任一者設為下表面，於以下之說明中，將絕緣樹脂基板11之第2面設為下表面。於絕緣樹脂基板11之上表面(第1面)及下表面(第2面)積層形成晶種層12。或準備已形成有晶種層12之絕緣樹脂基板11。晶種層12例如為厚度1 μm～10 μm左右之例如薄銅箔等導電性金屬箔。

繼而，如圖2所示，將形成有晶種層12之絕緣樹脂基板11自上表面向下表面以雷射加工方式形成通路下孔14。

藉由雷射加工而形成通路下孔14後，有於通路下孔14之底部殘留較薄之樹脂膜之情形。該情形時，進行除膠渣處理。除膠渣處理藉由強鹼使樹脂膨潤，其次使用氧化劑(例如鉻酸、過錳酸鹽水溶液等)將樹脂分解去除。

此外，樹脂膜例如亦可藉由利用研磨材之濕噴砂處理或電漿處理而去除。進而，為進行鍍覆處理，通路下孔14之內壁面亦可進行粗面化處理。作為粗面化處理，例如可列舉氧化劑(例如鉻酸、過錳酸鹽水溶液等)之濕式製程、或電漿處理或灰化處理等乾式製程等。

(圖案鍍覆處理步驟) 如圖3所示，該步驟係對設置於絕緣樹脂基板11之上表面、下表面之晶種層12之一部分區域上及通路下孔14實施圖案鍍覆而形成導體層16、導體層17及通路15之步驟。

具體而言，將乾膜13(鍍覆阻劑)以層壓加工而貼附於晶種層12之上部。其後，進行曝光及顯影。乾膜13將絕緣樹脂基板11之上表面之晶種層12上表面之導體層16、通路15等電路部、及絕緣樹脂基板11之下表面之晶種層12下表面之導電電路即導體層17之部位去除。

繼而，於去除乾膜13之一部分後之絕緣樹脂基板11，對電路部形成用之通路下孔14及其周圍之晶種層12實施圖案鍍覆處理。於絕緣樹脂基板11，形成絕緣樹脂基板11之上表面之晶種層12上表面之導體層16與導體層17、絕緣樹脂基板11內部之通路15、及絕緣樹脂基板11之下表面之晶種層12下表面之導體層17。

圖案鍍覆基本為鍍銅。然而，於後續步驟中去除晶種層12時，有時圖案鍍覆部分會稍被蝕刻。該情形時，作為相對於晶種層12之去除之阻障，進行圖案鍍鎳＋圖案鍍銅之連續鍍覆。鍍鎳之厚度設為2 μm以上。

將該鍍鎳處理稱為「阻障鍍覆」。該階段之鍍覆中，於亦兼零件安裝之表面處理用之鍍覆之情形時，以鍍鎳、鍍金、鍍鎳、鍍銅之順序進行連續鍍覆。該情形時，鍍鎳之厚度亦為，將第1次設為2 μm以上，將第2次設為3 μm以上，鍍金之厚度取決於零件之安裝方法，但於打線接合之情形時設為0.3 μm以上。

電路寬度之修正可與通常之M-SAP或半加成法相同，只要進行將設計值＋6 μm左右之寬修正而曝光即可。

(乾膜剝離步驟) 於圖案鍍覆處理之後，將殘留之乾膜13剝離，使晶種層12露出。

(空腔形成區域之加工步驟) 如圖4所示，將乾膜18(感光性蝕刻阻劑)以層壓加工而貼附於絕緣樹脂基板11下表面之晶種層12及導體層17。其後，進行曝光及顯影。於包含空腔形成區域65之範圍殘留乾膜18，於除此以外之部位去除乾膜18。藉由閃蝕而去除露出之晶種層12中之除乾膜18以外之無需作為導電電路之部位，最後剝離乾膜18。

以此方式，完成如圖5所示之核心基板51。該核心基板51係於絕緣樹脂基板11之上表面，形成連接於通路15之作為電路之一部分之導體層16，且於絕緣樹脂基板11之下表面以包含空腔形成區域65之範圍之方式形成晶種層12。晶種層12中之包含空腔形成區域65之範圍之部分成為下述雷射加工時之雷射之接受(遮蔽構件)。又，於絕緣樹脂基板11下表面之晶種層12之空腔形成區域65之下表面，形成作為導電電路之導體層17。該例中，以M-SAP為例形成電路，但由將無電解鍍銅用於晶種層之SAP亦能夠進行電路形成。

(增層形成步驟) 如圖6所示，該步驟係於核心基板51之絕緣樹脂基板11之上表面形成作為增層之第1增層61，於核心基板51之絕緣樹脂基板11之下表面形成作為增層之第2增層62的步驟。

即，核心基板51係於上層(絕緣樹脂基板11之上表面)及下層(絕緣樹脂基板11之下表面)中之至少下層，進行任意次數之增建而製作多層基板54。亦即，該步驟中晶種層12形成嵌入內部之絕緣樹脂基板11與第2增層62之間之多層基板54。

於第1增層61、第2增層62之電路形成中，例如不僅可應用以蝕刻去除作為電路無需之導體之減成法，亦可應用與核心基板51之情形類似之M-SAP、SAP等。於第1增層61、第2增層62之積層中，利用多階壓製或樹脂層壓等技術。

該例中，上層之第1增層61係由2個絕緣樹脂層即第1絕緣樹脂層61a、第3絕緣樹脂層61b、導體層16、及導體層17構成。於最上方之層(表層)之第3絕緣樹脂層61b之上表面，形成有與通路15連接之導體層63。空腔形成區域65之範圍於在多層基板54之上表面形成導體層63時去除。其原因在於，容易進行下述空腔形成步驟中之鍃孔加工。

第2增層62係由2個絕緣樹脂層即第2絕緣樹脂層62a、第4絕緣樹脂層62b、導體層16、導體層17而構成。於核心基板51之正下方之第2絕緣樹脂層62a，於空腔形成區域65之範圍內形成有通路15，於上部與核心基板51之導體層17連接，於下部與下層之第4絕緣樹脂層62b之通路15連接。於最下方之層(表層)之第4絕緣樹脂層62b之下表面，形成有與通路15連接之導體層64。於第2絕緣樹脂層62a、第4絕緣樹脂層62b之左右之下表面，形成有導體層17。通孔10貫通而形成該導體層17，以此與作為其他層之導體層17、最上層之導體層63及最下層之導體層64層間連接。

(空腔形成步驟) 該步驟具有鍃孔加工1及鍃孔加工2之兩步驟。鍃孔加工1係自第1增層61之上表面朝絕緣樹脂基板11之下表面之晶種層12沿積層方向鑽孔加工空腔形成區域65。貫通第1增層61，將構成絕緣樹脂基板11之絕緣樹脂以使絕緣樹脂基板11之一部分68殘留於絕緣樹脂基板11內部之晶種層12之一部分區域上之方式去除，形成空腔20。鍃孔加工2係將晶種層12設為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於空腔20之絕緣樹脂基板11之一部分即殘留部68，使晶種層12露出於空腔20之底部。

鍃孔加工1(鑽孔加工) 該步驟中，自多層基板54之上方貫通空腔形成區域65之第1增層61進行鍃孔加工直至核心基板51內之絕緣樹脂基板11(亦可進行併用有鑽孔加工與雷射加工之切削加工)。絕緣樹脂基板11之一部分68殘留於絕緣樹脂基板11之下表面之晶種層12上，將大部分絕緣樹脂去除而形成空腔20。於鍃孔加工1中，例如，將絕緣樹脂基板11自其上表面切削至板厚中心以上之深度。所謂板厚中心以上係指絕緣樹脂基板11之板厚之1/2以上且未到達晶種層12之深度。

具體而言，如圖7所示，鍃孔加工1係於空腔形成區域65之一端(例如面向圖而為左端)，於頭前端配置具有感測器之鑽孔器66。削入至核心基板51表面之晶種層12之上表面之位置(到達空腔20底部之近前之位置)，使鑽孔器66自該位置朝與積層面平行之方向A移動，實施由鑽孔器66進行之絕緣樹脂基板11之去除。

再者，該例中，於空腔20之底部上殘留有絕緣樹脂基板11之一部分68，但於鑽孔加工精度較高之情形時，亦可削入至晶種層12之面之最大限度。

將鍃孔加工設為不僅有下述之雷射加工、還添加有鑽孔加工之2階段之理由在於，使用晶種層12作為下述雷射加工之雷射之接受導體(遮蔽構件)，去除絕緣樹脂基板11之一部分即殘留部68。

鍃孔加工2(雷射加工) 如圖8所示，該步驟中，自空腔20之開口上方沿與積層面垂直之方向即箭頭B方向照射雷射光，將圖7之鑽孔加工中殘留於空腔20底部之絕緣樹脂基板11之殘留部68去除。於雷射加工中，例如能應用碳酸氣體雷射(CO ₂雷射)或YAG(yttrium aluminum garnet，釔鋁石榴石)雷射等加工用雷射。

如此空腔20之底部係將晶種層12設為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於空腔20底部之絕緣樹脂基板11之殘留部68，如圖9所示，使晶種層12之一部分區域露出。

藉由雷射加工而加工空腔20底部之絕緣樹脂基板11之殘留部68後，有薄樹脂膜(微細樹脂屑)殘留於該部分之情形。為去除如此殘留之微細樹脂屑而清洗由雷射碳化之部分。因此，進行高壓水洗等水洗處理或電漿處理、過錳處理等除膠渣處理。該等處理亦可重複2次、3次進行。

除膠渣處理係藉由強鹼使樹脂膨潤，其次使用氧化劑(例如鉻酸、過錳酸鹽水溶液等)將樹脂分解去除之處理。又，亦可藉由利用研磨材進行之濕噴砂處理或電漿處理而去除樹脂膜。於進行電漿處理時，為保護表面基材，亦可由乾膜實施遮蔽。

又，於除膠渣處理時，為保護最外層基材及最外層電路，亦可更換步驟，於形成空腔20後實施最外層之電路形成。該情形時，為保護空腔20，亦可由乾膜等進行保護。亦可使用電沈積阻劑(ED(electrodeposition，電沈積)等。

作為雷射光之接受導體(雷射光之遮蔽構件)之晶種層12之面積亦可形成為較空腔20底面之面積大。該情形時，晶種層12以進入至空腔20底面之延長線上之與空腔20相鄰之第2增層62之第2絕緣樹脂層62a的形態殘留，故能將該一部分晶種層12用作電路之一部分。

相反，若藉由晶種層12進入至第2絕緣樹脂層62a而使複數個電路自導體層17欲向空腔外延伸，則複數個電路彼此會於晶種層12短路。為避免此情形，若將晶種層12形成為較空腔20之底面略窄，則晶種層12不會進入至第2絕緣樹脂層62a。再者，第2絕緣樹脂層62a之面位置根據晶種層12之有無而會出現晶種層12之厚度量之差，故可容易地驗證可否應用本發明。

由此，產生如下情形，即，於空腔20底部之端部存在無晶種層12之區域，該區域無法由晶種層12遮蔽雷射。然而，若雷射以可由作為1 μm至10 μm之薄狀銅之晶種層12遮蔽之方式經調整輸出，則即便無晶種層12，亦不會無止境地穿挖入第2絕緣樹脂層62a，複數個電路彼此可向空腔外延伸而不會短路。

空腔20底部之晶種層12之銅箔(阻障層)可使用無粗化處理箔、或低粗化處理箔、標準箔等各種。

本實施形態中之順序為於最外層電路形成之後形成空腔20，但於雷射處理後進行過錳酸處理等除膠渣處理之情形時，為保護表面基材及防止電路剝離強度劣化，亦可於最外層電路形成前形成空腔20。又，以M-SAP等圖案鍍覆而形成最外層電路之情形時，藉由兼為下述晶種層去除步驟而可削減步驟。

再者，於空腔20加工時雷射照射之部位成為凹凸形狀之情形時，有因空腔20底部之圖案設計而難以照射到雷射光之部位，亦有無法由雷射去除絕緣樹脂基板11之殘留部68之情形。於雷射加工後殘留部68殘留之情形時，亦有無法由後續步驟之閃蝕而完全去除阻障層之情形。該例中，雷射照射之面因晶種層12之銅箔(阻障層)而為平坦之面，故雷射光容易照射，能完美地去除絕緣樹脂基板11之殘留部68。因此，由於續步驟之閃蝕中，可將作為阻障層之晶種層12去除而不殘留，良率較佳。

(晶種層去除步驟) 如圖10所示，該步驟係藉由閃蝕將露出於空腔20底部之晶種層12去除，使第2增層62之第2絕緣樹脂層62a之面79與嵌入絕緣樹脂之導體層17之面露出之步驟。

詳細而言，該步驟中，藉由對空腔形成區域65之底部進行閃蝕而將作為阻障層之晶種層12(銅箔)去除。藉此，核心基板51下層之第2絕緣樹脂層62a之面79、及表面露出於與該面79同等之高度(位置)且嵌入第2絕緣樹脂層62a之導體層17形成空腔20底面之一部分。如此於空腔20之底面平坦地露出之導體層17作為零件安裝焊盤發揮功能，可連接該多層基板54內之電路配線與收容於空腔20之電子零件。

於藉由閃蝕而欲減少最外層之導體厚度之情形時，於防焊後實施閃蝕。或亦可於防焊後由乾膜實施遮蔽，任意地選擇蝕刻處理之部位。

再者，於前面段落中，對除晶種層以外圖案鍍覆部分亦會稍被蝕刻之情形進行了說明，但蝕刻量為2 μm左右，閃蝕液具有於與積層面垂直之方向上均勻地進行蝕刻之性質，故對導體厚度產生惡劣影響之可能性較低。

於作為阻障鍍覆之鍍鎳之情形時，進而蝕刻鎳。鎳之蝕刻可使用鎳去除劑NH-1860系列(MEC股份有限公司製造)等。

於打線接合用途方面於阻障鍍覆之鍍鎳之下實施鍍金之情形時，因減成法之代表性蝕刻液即氯化鐵溶液、氯化銅溶液不溶解金，故原理上可行。然而，對界面之滲透力較強，故滲透至鍍金與絕緣樹脂層之界面，引起使鍍金之更下方之鍍鎳、鍍銅溶解之側蝕，故不宜。

(外層電路形成步驟) 該步驟中，對如圖10所形成之多層基板54下部之第2增層62之導體層64進行蝕刻，去除一部分區域，以此如圖11所示，形成作為電路之導體層64a。又，對基板上部之第1增層61之導體層63進行蝕刻，以此去除一部分區域而形成作為電路配線或配線圖案之導體層63a。再者，外層電路之形成亦可應用將對凹陷或貫通孔之壁面之追隨性優異之電沈積阻劑用作蝕刻阻劑之減成法。再者，電沈積阻劑係應用有電沈積塗佈之性質之蝕刻阻劑。

(防焊步驟) 該步驟中，對圖11所示之第1增層61、第2增層62包含導體層63a、64a之一部分而進行絕緣覆膜，如圖12所示，形成阻焊劑71、阻焊劑72。阻焊劑能使用乾膜類型、液狀類型。

(電子零件安裝部位形成步驟) 該步驟以後設為於零件安裝焊盤需要階差之情形時進行。 該步驟中，如圖13所示，對露出於空腔20底部之導體層17上實施鍍覆而形成金屬鍍覆層80，自底面形成具有階差之零件安裝焊盤即連接墊。

導體層73亦可於多層基板54上部之第1增層61之導體層63a上亦同樣地實施鍍覆而形成。此時，只要通孔10由樹脂或金屬填充，則對無阻焊劑71之通孔10上下之部分亦實施鍍覆，故於此處亦形成導體層73。導體層74亦相同。

視需要安裝電子零件之步驟亦可以如下方式追加。該步驟中，將電子零件收容於空腔20，使設置於電子零件底部之電極與金屬鍍覆層80(連接墊)抵接而連接彼此之電路。再者，於此處不安裝電子零件而安裝其他之情形時，無需電子零件安裝步驟以下之步驟。

如此根據該實施形態之印刷配線板，具備：空腔20，其係對於具有第1面(上表面)及與該第1面(上表面)背對背之第2面(下表面)之絕緣樹脂基板11、形成於第2面(下表面)之晶種層12、及於晶種層12之一部分區域進行圖案鍍覆而形成之導體層17之核心基板51之至少下層(絕緣樹脂基板11之下表面)由絕緣樹脂進行增建而形成有增層62之複數層基板(多層基板54)，自第1面(上表面)之側對絕緣樹脂基板11之一部分區域(空腔形成區域65)進行鍃孔加工，以使絕緣樹脂基板11之第2面(下表面)之晶種層12露出於底部之方式加工而形成；及導體層17，其係藉由閃蝕去除露出於該空腔20底部之晶種層12而殘留，且以上表面與位於核心基板51下之增層62之第2絕緣樹脂層62a之面79排列成大致同一平面之方式嵌入，故可於電子零件之底部進行收容於空腔20內之電子零件與基板側之電路連接。

又，以下說明製造以如下方式構成之印刷配線板之情形，即，代替圖10所示之印刷配線板中空腔20以第2絕緣樹脂層62a之上表面作為底面，而是以第4絕緣樹脂層62b之上表面作為底面。再者，省略與圖10所示之印刷配線板之製造方法之重複部分。

(絕緣層加工步驟～增層形成步驟) 該情形時，代替以上所述中對絕緣樹脂基板11之第2面(下表面)所設置之晶種層之一部分區域上實施圖案鍍覆而形成導體層17之步驟，具有以下步驟，即，於第2絕緣樹脂層62a上(下表面)設置晶種層12，且對晶種層12之一部分區域上實施圖案鍍覆而形成導體層17。晶種層12之形成方法及實施圖案鍍覆而形成導體層17之方法可與上述同樣地實施。

第1增層61及第2增層62之形成中，於第2絕緣樹脂層62a上(下表面)形成第4絕緣樹脂層62b時，以嵌入導體層17之方式形成第4絕緣樹脂層62b，除此以外與上述相同。

(空腔形成步驟) 鍃孔加工1係自第1增層61之上表面朝第2絕緣樹脂層62a之下表面之晶種層12沿積層方向鑽孔加工空腔形成區域65。貫通第1增層61及上述基板，將構成第2絕緣樹脂層62a之絕緣樹脂以第2絕緣樹脂層62a之一部分68殘留於第2絕緣樹脂層62a內部之晶種層12之一部分區域上之方式去除，形成空腔20。鍃孔加工2係將晶種層12作為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於空腔20之第2絕緣樹脂層62a之一部分即殘留部68，使晶種層12露出於空腔20之底部。鑽孔加工及雷射加工可藉由與上述相同之操作而實施。

(晶種層去除步驟) 該步驟係藉由閃蝕去除露出於空腔20底部之晶種層12，使第4絕緣樹脂層62b之面79與嵌入絕緣樹脂之導體層17之面露出之步驟，可藉由與上述相同之操作而實施。進而，外層電路形成步驟～電子零件安裝部位形成步驟可與上述同樣地實施。

如此將與空腔20之底面大致同一平面之導體層17作為連接墊(零件安裝焊盤)而形成且與電子零件之底部之電極連接，以此可使作為空腔20底部之配線圖案之零件安裝焊盤之剝離強度提高。

上述各實施形態中之印刷配線板之製造順序之例為一例，亦能夠藉由更換各處理步驟、又追加新的處理步驟、刪除一部分處理步驟而將處理步驟進行各種改變。

已說明了本發明之實施形態，但該實施形態係作為示例而呈現，能夠以其他各種形態而實施，可於不脫離發明之主旨之範圍進行構成要素之省略、替換、及變更。

10:通孔 11:絕緣樹脂基板 12:晶種層 13:乾膜 14:通路下孔 15:通路 16:導體層 17:導體層 18:乾膜 20:空腔 51:核心基板 54:多層基板 61:第1增層 61a:絕緣樹脂層 61b:絕緣樹脂層 62:第2增層 62a:絕緣樹脂層 62b:絕緣樹脂層 63:導體層 63a:導體層 64:導體層 64a:導體層 65:空腔形成區域 66:鑽孔器 68:絕緣樹脂基板之一部分(殘留部) 71:阻焊劑 72:阻焊劑 73:導體層 74:導體層 79:絕緣樹脂層之面 80:金屬鍍覆層 A:方向 B:方向

圖1係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖2係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖3係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖4係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖5係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖6係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖7係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖8係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖9係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖10係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖11係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖12係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。 圖13係說明一實施形態之印刷配線板之製造方法之剖視圖。

10:通孔

11:絕緣樹脂基板

12:晶種層

15:通路

16:導體層

17:導體層

20:空腔

51:核心基板

54:多層基板

61:第1增層

61a:絕緣樹脂層

61b:絕緣樹脂層

62:第2增層

62a:絕緣樹脂層

62b:絕緣樹脂層

63:導體層

64:導體層

65:空腔形成區域

79:絕緣樹脂層之面

Claims (11)

1. 一種印刷配線板，其特徵在於：於絕緣樹脂製之基板之下層積層有絕緣樹脂層與導體層之多層基板之一部分區域，具有於上述基板側開口並貫通上述基板且以上述絕緣樹脂層之面作為底面之空腔，上述導體層具有與上述絕緣樹脂層之面同等高度之面，且以該面形成上述底面之一部分之方式嵌入上述絕緣樹脂層。
2. 如請求項1之印刷配線板，其中上述導體層包含與電子零件之連接墊。
3. 如請求項2之印刷配線板，其中上述導體層包含於面方向上連接於上述連接墊之電路配線。
4. 一種印刷配線板之製造方法，其特徵在於具有以下步驟：對具有第1面及第2面之絕緣樹脂製之基板之上述第2面所設置之晶種層之一部分區域上實施圖案鍍覆而形成導體層；於上述基板之上述第1面形成第1絕緣樹脂層，於上述基板之上述第2面以嵌入上述導體層之方式形成第2絕緣樹脂層；自上述第1絕緣樹脂層之側朝上述晶種層之一部分區域於積層方向進行鑽孔加工，貫通上述第1絕緣樹脂層，將構成上述基板之絕緣樹脂以使上述基板之一部分殘留於上述基板內部之上述晶種層之一部分區域上之方 式去除而形成空腔；將上述晶種層之一部分區域設為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於上述空腔之上述基板之殘留部，使上述晶種層之一部分區域露出於上述空腔之底部；及藉由閃蝕去除露出於上述空腔底部之上述晶種層之一部分區域，使上述第2絕緣樹脂層之面與嵌入上述第2絕緣樹脂層之上述導體層之面露出。
5. 如請求項4之印刷配線板之製造方法，其中於上述鑽孔加工之步驟中，將上述絕緣樹脂去除至上述基板之板厚之1/2以上且未到達上述晶種層之一部分區域之位置。
6. 一種印刷配線板之製造方法，其特徵在於：於具有第1面及第2面之絕緣樹脂製之基板之上述第1面形成第1絕緣樹脂層，於上述基板之上述第2面形成第2絕緣樹脂層；於上述第2絕緣樹脂層上設置晶種層，對上述晶種層之一部分區域上實施圖案鍍覆而形成導體層；於上述第1絕緣樹脂層上形成第3絕緣樹脂層，於第2絕緣樹脂層上以嵌入上述導體層之方式形成第4絕緣樹脂層；自上述第3絕緣樹脂層之側朝上述晶種層之一部分區域於積層方向進行鑽孔加工，貫通上述第3絕緣樹脂層、上述第1絕緣樹脂層、及上述基板，將構成上述第2絕緣樹脂層之絕緣樹脂以使上述第2絕緣樹脂層之一部分殘留於上述第2絕緣樹脂層內部之上述晶種層之一部分區域上之方式去 除而形成空腔；將上述晶種層之一部分區域設為雷射光之遮蔽構件，藉由雷射加工去除殘留於上述空腔之第2絕緣樹脂層之殘留部，使上述晶種層之一部分區域露出於上述空腔之底部；及藉由閃蝕去除露出於上述空腔底部之上述晶種層之一部分區域，使上述第4絕緣樹脂層之面與嵌入上述第4絕緣樹脂層之上述導體層之面露出。
7. 如請求項6之印刷配線板之製造方法，其中於上述鑽孔加工之步驟中，將上述第2絕緣樹脂層去除至上述第2絕緣樹脂層之層間厚之1/2以上且未到達上述晶種層之一部分區域之位置。
8. 如請求項4或5之印刷配線板之製造方法，其具有以下步驟：於上述基板或上述第2絕緣樹脂層之特定之區域形成通路下孔；及對包含上述通路下孔之上述區域實施圖案鍍覆。
9. 如請求項6或7之印刷配線板之製造方法，其具有以下步驟：於上述基板或上述第4絕緣樹脂層之特定之區域形成通路下孔；及對包含上述通路下孔之上述區域實施圖案鍍覆。
10. 如請求項4至7中任一項之印刷配線板之製造方法，其中上述圖案鍍覆係以鎳、銅之順序連續進行。
11. 如請求項4至7中任一項之印刷配線板之製造方法，其中上述圖案鍍覆係以鎳、金、鎳、銅之順序連續進行。

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