TWI784998B - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置，包括：包括沿第一方向配置的像素的像素行；包括沿著與第一方向交叉的第二方向配置的像素的像素列；連接到各個像素行的資料線，每個資料線包括設置在對應像素行的一側的第一子資料線及設置在對應像素行的另一側的第二子資料線；沿著第二方向延伸並連接到各個像素列的掃描線；以及用於向像素提供驅動功率的電源線，像素行中的一個像素連接到第一子資料線，並且與連接到第一子資料線的像素相鄰的像素連接到第二子資料線，且同一像素行中的第一子資料線及第二子資料線位於彼此不同的層上。

Description

顯示裝置
本申請案主張於2017年1月4日向韓國知識產權局提出之韓國專利申請第10-2017-0001511號的優先權及權益，其全部內容透過引用併入本文。
本揭露的例示性實施例的一個或多個態樣涉及顯示裝置。
在各種顯示裝置中，有機發光顯示裝置包括陽極電極，陰極電極及位於陽極電極以及陰極電極之間的有機發光層。在有機發光顯示裝置中，從陽極電極注入的電洞以及從陰極注入的電子在有機發光層中結合從而形成激子，並且激子藉由能量發射而發光。
有機發光顯示裝置包括多個像素，每個像素包括作為自發光元件的有機發光二極體。在每個像素中形成線以及連接到線以驅動有機發光二極體的至少一個薄膜電晶體。
背景技術部分中揭露的上述資訊係用於增強對本發明背景的理解，因此它可包括不構成現有技術的資訊。
例示性實施例的一個或多個態樣針對具有改進的顯示品質的顯示裝置。
根據本揭露的一個態樣，顯示裝置包括：複數個像素列，包括沿著第一方向配置的複數個像素，複數個像素列沿著與第一方向交叉的第二方向重複配置；複數個像素行，包括沿著第二方向配置的複數個像素，複數個像素行沿著第一方向重複配置；複數條資料線連接到複數個像素行中對應的像素行，複數條資料線中的每一個包括設置在對應像素行的一側的第一子資料線及設置在對應像素行的另一側的第二子資料線；複數條掃描線，沿著第一方向延伸，複數條掃描線連接至對應的像素列；以及，配置為提供驅動功率至複數個像素，其中複數個像素行中的一個像素連接到第一子資料線，且與連接到第一子資料線的像素相鄰的像素連接到第二子資料線，以及其中在同一個像素行中的第一子資料線及第二子資料線係位於彼此相異的層上。
電源線可設置在第一子資料線及第二子資料線之間。
每個像素可包括：至少一個電晶體；以及連接到電晶體的顯示元件，其中電晶體可包括設置在基板上的主動圖樣，分別連接到主動圖樣的源極電極及汲極電極，隔著閘極絕緣層設置在主動圖樣上的閘極電極，以及包括第一層間絕緣層，第二層間絕緣層及覆蓋閘極電極的第三層間絕緣層，且第一層間絕緣層，第二層間絕緣層及第三層間絕緣層依序地堆疊，並且顯示元件可連接到汲極電極。
第一子資料線及第二子資料線中的一個可位於第二層間絕緣層上，並且第一子資料線及第二子資料線中的另一個可位於第三層間絕緣層上。
電源線可包括第一電源線及第二電源線位於彼此相異的層上，第一電源線及第二電源線彼此重疊。
第一電源線及第二電源線中的一個可位於第二層間絕緣層上，第一電源線及第二電源線中的另一個可謂於第三層間絕緣層上，並且第一電源線及第二電源線可藉由接觸孔彼此連接。
彼此相鄰的像素行的第一電源線可藉由第一電源連接線彼此連接，並且第一電源連接線可與第一電源線位於同一層。
第一電源線及第一電源連接線可位於第二層間絕緣層上。
彼此相鄰的像素行的第二電源線可藉由第二電源連接線彼此連接，並且第二電源連接線可與第二電源線位於同一層。
第二電源線及第二電源連接線可位於第三層間絕緣層上。
顯示器可進一步包括儲存電容器，儲存電容器包括位於閘極絕緣層上的下電極及位於第一層間絕緣層上的上電極。
顯示裝置還可包括位於第二層間絕緣層上的第一橋接圖樣，第一橋接圖樣配置為將汲極電極及顯示元件彼此電連接。
顯示裝置還可包括在第三層間絕緣層上的第二橋接圖樣，第二橋接圖樣配置為將第一橋接圖樣及顯示元件彼此電連接。
顯示元件可包括位於第三層間絕緣層上的第四層間絕緣層上的第一電極，位於第一電極上的發光層以及位於發光層上的第二電極，並且第一電極可藉由穿過第四層間絕緣層的接觸孔連接到第二橋接圖樣。
位於彼此相鄰的兩個不同的像素行之間的第一子資料線及第二子資料線可連接到兩個不同的像素行，並且可位於同一層之中。
從連接到彼此相鄰的兩個像素行的四條子資料線當中彼此距離最遠的兩條子資料線可連接到位於相同像素列上的像素。
彼此最遠的兩條子資料線可位於同一層上。
彼此相鄰的兩個像素行的四條子資料線中彼此相鄰的兩條子資料線可連接到位於相同像素列上的像素。
彼此相鄰的兩條子資料線可位於相同的層上。
彼此最遠的兩條子資料線及彼此相鄰的兩條子資料線可在彼此不同的層上。
顯示裝置可進一步包括：配置為透過輸出線向資料線提供資料訊號的資料驅動器；以及連接在輸出線及資料線之間的複數個多工解訊器。
複數個多工解訊器可被配置為將資料訊號時分地傳送到第一子資料線及第二子資料線。
彼此相鄰的兩個不同像素行之間的第一子資料線及第二子資料線可連接到彼此不同的多工解訊器，並且配置為可在同一期間內接收資料訊號輸入。
本揭露可以各種變化及不同形狀來應用，並且因此，用特定示例來詳細地描述。然而，這些示例不限於在此描述的某些形狀，而是可應用於所有合適的變化以及等同的材料及替換物。為了更容易理解圖式，可以擴展圖形的方式進行說明。
為了清楚起見，圖式中的元件、層、及區域可以被誇大及/或簡化。為了便於解釋，本文中使用諸如｢下(beneath)｣、｢下(below)｣、｢下(lower)｣、｢下(under)｣、｢上(above)｣、｢上(upper)｣等的空間相對術語，並且以此描述圖式所繪示的一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係。除了在圖式所繪示的方向之外，空間相對術語旨在包括使用、操作及/或製造中的裝置的不同方向。例如，如果圖式中的設備被翻轉，則被描述為在其他元件或特徵｢下(below)｣、｢下(beneath)｣或｢下(under)｣的元件將被定向在其他元件或特徵｢上(above)｣。因此，例示性術語｢下(below)｣及｢下(under)｣可涵蓋上方及下方的方向。此外，裝置可以其他方式定向(例如，旋轉90度或在其他方向)，並且因此，這裡使用的空間相對符號被相應地解釋。
將理解的是，雖然本文中可使用「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」及其相似的詞彙來描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，這些元件、部件、區域、層及/或部分不應被這些詞彙限制。這些詞彙僅用來將一個元件、部件、區域、層及/或部分與另一個元件、部件、區域、層及/或部分區分。如此，以下討論的「第一元件(first element)」也可稱為「第二元件(second element)」或「第三元件(third element)」及可同樣地稱為「第三元件(third element)」或「第二元件(second element)」，而不悖離本發明的教示。
應該理解，當元件或層被稱為「在另一元件或層上(on)」、「連接到(connected to)」或「耦合到(coupled to)」另一元件或層時，它可直接在另一元件或層上、連接到或耦合到另一元件或層，或者可以存在一個或多個中間元件或層。此外，還將理解的是，當元件或層被稱為在兩個元件或層「之間(between)」時，它可以是兩個元件或層之間的唯一元件或層，或者也可存在一個或多個中間元件或層。
這裡使用的術語是為了描述特定實施例的目的，而不旨在限制。除非上下文另外清楚地指出，否則如本文所使用的單數形式｢一(a)｣、｢一(an)｣及｢一(the)｣旨在也包括複數形式。此外，當在本說明書中使用時，術語｢包括(comprise)｣、｢包括(comprising)｣、｢包括(includes)｣及/或｢包括(including)｣係指明存在所描述的特徵、整體、步驟、操作、元件、部件及/或群組，但是不排除一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、部件及/或群組的存在或添加。如本文所使用的，術語｢及/或(and/or)｣包括一個或多個相關所列項目的任何及所有組合。諸如｢至少一個(at least one of)｣之類的表達當在元素列表之前時，修飾整個元素列表並且不修改列表的各個元素。
如本文所使用的，術語｢實質上(substantially)｣、｢約(about)｣以及類似術語被用作近似術語而不是程度術語，並且意在說明該領域之具有通常知識者所能理解的測量值或計算值中的固有變化。此外，當描述本發明的實施例時，｢可(may)｣的使用是指｢本發明的一個或多個實施例(one or more embodiments of the present invention)｣。如本文所使用的，術語｢使用(use)｣、｢使用(using)｣及｢使用(used)｣可被分別認為是同義的術語｢利用(utilize)｣、｢利用(utilizing)｣以及｢利用(utilized)｣。而且，術語｢例示性(exemplary)｣旨在代表示例或說明。
第1圖係繪示根據本揭露的實施例的顯示裝置的圖。
如第1圖所示，顯示裝置10可包括多個像素PXL、掃描驅動器110、發光驅動器120、資料驅動器130、多個多工解訊器DM1至DMi、多工解訊控制器160以及時序控制器170。
像素PXL可連接到多條掃描線S0至Sn，多條發光控制線E1至En以及多條資料線D1a至Dia及D1b至Dib。因此，像素PXL可接收分別由掃描線S0至Sn及發光控制線E1至En提供的掃描訊號及發光控制訊號。而且，像素PXL可接收由資料線D1a至D1b提供的資料訊號。
像素PXL可沿著在一個方向上延伸的多個像素列以矩陣形式配置，並且多個像素行在與像素列交叉的另一個方向上延伸。也就是說，像素列可包括沿一個方向配置的多個像素PXL，並且像素行可包括沿與像素列交叉的另一個方向配置的像素PXL。同時，在本實施例中，已經描述了像素PXL以矩陣形式配置的情況作為示例。然而，本揭露不限於此，像素PXL可以各種形式配置。
像素PXL可連接到第一電源ELVDD、第二電源ELVSS及第三電源VINT，並且可接收從電源提供的電源電壓。
每個像素PXL可對應於資料訊號控制經由有機發光二極體從第一電源ELVDD流到第二電源ELVSS的電流的量。在這種情況下，有機發光二極體可產生具有與電流量相對應的亮度的光。
掃描驅動器110可對應於來自時序控制器170的掃描驅動器控制訊號SCS向掃描線S0至Sn提供掃描訊號。例如，掃描驅動器110可將掃描訊號依序地提供給掃描線S0至Sn。當掃描訊號被依序地提供給掃描線S0至Sn時，可以像素列為單位(例如，水平線)依序地選擇像素PXL。在這種情況下，掃描訊號可具有提供有掃描訊號的電晶體可導通的電壓位準。
發光驅動器120可將發光控制訊號提供給發光控制線E1至En，其對應於來自時序控制器170的發光驅動器控制訊號ECS。例如，發光驅動器120可將發光控制訊號依序地提供給發光控制線E1至En。在這種情況下，發光控制訊號可具有能將接受發光控制訊號的電晶體導通的電壓位準。
資料驅動器130可將資料訊號提供給與來自時序控制器170的資料驅動器控制訊號DCS相對應的輸出線O1至Oi。也就是說，資料驅動器130可藉由輸出線O1至Oi將資料訊號提供給多工解訊器DM1至DMi。
多工解訊器DM1至DMi可接收從資料驅動器130提供的資料訊號，並且可將資料訊號提供給資料線D1a至D1b。例如，多工解訊器DM1至DMi可接收藉由輸出線O1至Oi輸入的資料訊號，並且可將資料訊號時分地(time divisionally)輸出至數量較輸出線O1至Oi還多的資料線D1a至D1b。因此，像素PXL可接收藉由資料線D1a至D1b提供的資料訊號。例如，資料線D1a至D1b的數量可以是資料驅動器130的輸出線O1至Oi的數量的兩倍。
在例示性實施例中，電容器可被包括在資料線D1a至D1b中的每一條上以儲存施加至資料線D1a至D1b的訊號。例如，資料線D1a至D1b上的電容器可由寄生電容引起，及/或電容器可物理地安裝在資料線D1a至D1b上。
多工解訊控制器160可經由(或者藉由)驅動訊號Cd來控制多工解訊器DM1至DMi的操作。例如，驅動訊號Cd可控制包括在每個多工解訊器DM1至DMi中的電晶體的操作。多工解訊控制器160可接收從時序控制器170提供的多工解訊器控制訊號MCS，並且可生成與多工解訊器控制訊號MCS對應的驅動訊號Cd。
在第1圖中，多工解訊控制器160被繪示為與時序控制器170分離。然而，如果需要， 多工解訊控制器160可與時序控制器170整體地形成。
時序控制器170可控制掃描驅動器110、發光驅動器120、資料驅動器130以及多工解訊控制器160。因此，時序控制器170可分別提供掃描驅動器控制訊號SCS及發光驅動器控制訊號ECS給掃描驅動器110及發光驅動器120。
而且，時序控制器170可將資料驅動器控制訊號DCS及多工解訊器控制訊號MCS分別提供給資料驅動器130及多工解訊控制器160。
為了便於描述，在第1圖中分別示出了掃描驅動器110、發光驅動器120、資料驅動器130、多工解訊控制器160以及時序控制器170。但這些組件中的至少一些可整體地形成。
第一電源ELVDD、第二電源ELVSS以及第三電源VINT可向位於像素區域100中的像素PXL提供電源電壓。例如，第一電源ELVDD可以是高電位電源，並且第二電源ELVSS可以是低電位電源。作為示例，第一電源ELVDD可被設定為正電壓，並且第二電源ELVSS可被設定為負電壓或者接地。此外，第三電源VINT可被設定為比資料訊號低的電壓。
如第1圖所示，像素列可分別連接到掃描線S0至Sn，並且像素行可分別連接到輸出線O1至Oi。
第2圖是根據本揭露的實施例更詳細地示出多工解訊器的圖。為了便於描述，連接到在第1圖中從資料驅動器130輸出的資料訊號的第j輸出線Oj及第(j+1)條輸出線Oj+1的第j個(j為自然數)多工解訊器DMj、第(j+1)個多工解訊器DMj+1、第j個像素行PRj以及第(j+1)個像素行(PRj+1)將主要在第2圖中示出。
參照第1圖及第2圖，第j多工個解訊器DMj可連接在第j條輸出線Oj以及第j條資料線Dja及Djb之間。第j條資料線Dja及Djb可包括第一子資料線Dja以及第二子資料線Djb。
第j個多工解訊器DMj可將從資料驅動器130輸出並藉由第j條輸出線Oj發送的資料訊號時分地傳送到第一子資料線Dja及第二子資料線Djb。此外，第一子資料線Dja及第二子資料線Djb可連接到構成一個像素行的複數個像素PXL(例如，像素行PRj)。
第一子資料線Dja可連接到構成一個像素行PRj的一些像素PXL，並且第二子資料線Djb可連接到構成一個像素行PRj的其他像素PXL。例如，構成一個像素行PRj的複數個像素PXL可包括交替配置的第一像素PXL1及第二像素PXL2。此時，第一像素PXL1可連接到第一子資料線Dja，並且第二像素PXL2可連接到第二子資料線Djb。
第一像素PXL1及第二像素PXL2可發射出不同顏色的光。例如，第一像素PXL1可發射紅光，並且第二像素PXL2可發射藍光。
第j個多工解訊器DMj可包括用於發送資料訊號的第一電晶體Mja及第二電晶體Mjb。
第一電晶體Mja可連接在第j輸出線Oj及第一子資料線Dja之間，並且第一電晶體Mja的開關操作(on-off operation)可由第一驅動訊號Cd1控制。第二電晶體Mjb可連接在第j輸出線Oj及第二子資料線Djb之間，並且第二電晶體Mjb的開關操作可由第二驅動訊號Cd2控制。
例如，當提供第一驅動訊號Cd1時，可導通第一電晶體Mja，並且因此，第j條輸出線Oj的資料訊號可被提供給第一子資料線Dja。此外，當提供第二驅動訊號Cd2時，可導通第二電晶體Mjb，並且因此，第j輸出線Oj的資料訊號可被提供給第二子資料線Djb。
第一電晶體Mja及第二電晶體Mjb可在彼此不同的期間中導通。為此，第一驅動訊號Cd1的提供期間及第二驅動訊號Cd2的提供期間可彼此不重疊。
第(j+1)個多工解訊器DMj+1可連接在第(j+1)條輸出線Oj+1以及第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b之間。
第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b可包括第一子資料線Dj+1a及第二子資料線Dj+1b。
第(j+1)個多工解訊器DMj+1可將藉由第(j+1)條輸出線Oj+1發送的資料訊號時分地傳送到第一子資料線Dj+1a及第二子資料線Dj+1b。此外，第一子資料線Dj+1a及第二子資料線Dj+1b可連接到構成一個像素行(例如，像素行PRj+1)的複數個像素PXL。
第一子資料線Dj+1a可連接到構成一個像素行PRj+1的一些像素PXL，並且第二子資料線Dj+1b可連接到構成一個像素行PRj+1的其他像素PXL。例如，構成一個像素行PRj+1的複數個像素PXL可包括交替配置的第三像素PXL3及第四像素PXL4。此第三像素PXL3可連接到第二子資料線Dj+1b，並且第四像素PXL4可連接到第一子資料線Dj+1a。
第三像素PXL3及第四像素PXL4可發射與第一像素PXL1及第二像素PXL2不同的相同顏色的光。例如，第三像素PXL3及第四像素PXL4可均發出綠光。
第(j+1)個多工解訊器DMj+1可包括第一電晶體Mj+1a及第二電晶體Mj+1b。
第一電晶體Mj+1a可連接在第(j+1)條輸出線Oj+1與第一子資料線Dj+1a之間，並且第一電晶體Mj+1a的開關操作可由第二驅動訊號Cd2控制。第二電晶體Mj+1b可連接在第(j+1)條輸出線Oj+1及第二子資料線Dj+1b之間，並且第二電晶體Mj+1b的開關操作可由第一驅動訊號Cd1控制。
例如，當提供第一驅動訊號Cd1時，可導通第二電晶體Mj+1b，並且因此，第(j+1)條輸出線Oj+1的資料訊號可被提供給第二條子資料線Dj+1b。此外，當提供第二驅動訊號Cd2時，可導通第一電晶體Mj+1a，並且因此，第(j+1)條輸出線Oj+1的資料訊號可被提供給第一子資料線Dj+1a。
第一電晶體Mj+1a及第二電晶體Mj+1b可在彼此不同的期間中導通。為此，第一驅動訊號Cd1的提供期間及第二驅動訊號Cd2的提供期間可彼此不重疊。
整體而言，四條資料線Dja、Djb、Dj+1a及Dj+1b中彼此相鄰，且位於兩個相鄰的像素行PRj及PRj +1中的兩條資料線Djb、Dj+1a，可分別連接到位於同一水平線(或像素列)上的第二像素PXL2及第四像素PXL4。
四條資料線Dja、Djb、Dj+1a及Dj+1b中彼此距離最遠，且位於兩個相鄰像素行PRj及PRj+1中的兩條資料線Dja及Dj+1b，可分別連接到位於相同水平線(或像素列)上的第一像素PXL1及第三像素PXL3。
四條資料線Dja、Djb、Dj+1a及Dj+1b中彼此相鄰，且位於兩個相鄰像素行PRj及PRj+1中的兩條資料線Djb及Dj+1a可分別接收在同一期間內輸入的資料訊號。為此，第j個多工解訊器DMj的第二電晶體Mjb及第(j+1)個多工解訊器DMj+1的第一電晶體Mj+1a可在相同的期間維持或實質上維持導通狀態，第j個多工解訊器DMj的第二電晶體Mjb及第(j+1)個多工解訊器DMj+1的第一電晶體Mj+1a中的每個的斷開操作可由第二驅動訊號Cd2控制。
當資料訊號分別在不同時間提供給彼此相鄰的兩條資料線Djb及Dj+1a時，在任何一條資料線中產生的電壓變化可能導致其他資料線的電壓變化，並且因此在另一條資料線中可能出現不期望的耦合雜訊。因此，根據本揭露的實施例，資料訊號被同時(例如，在相同或實質相同的時間)施加到彼此相鄰的兩條資料線Djb及Dj+1a，使得耦合雜訊可以減少或消除。因此，可實現高品質的圖像。
此外，從四條資料線Dja、Djb、Dj+1a及Dj+1b中位於彼此最遠，並且位於兩個相鄰的像素行PRj及PRj+1的兩條資料線Dja及Dj+1b可分別在相同的期間內接收資料訊號輸入。為此，第j個多工解訊器DMj的第一電晶體Mja及第(j+1)個多工解訊器DMj+1的第二電晶體Mj+1b可在相同的期間維持或實質維持導通狀態，藉由第一驅動訊號Cd1可控制第j多路分配器DMj的第一電晶體Mja及第(j+1)個多工解訊器DMj+1的第二電晶體Mj+1b中的每一個的斷開操作。
第3圖是根據本揭露的實施例更詳細地示出像素的圖。為了便於描述，主要繪示彼此相鄰的第j個像素行PRj及第(j+1)個像素行PRj+1。
如第3圖所示，第一像素PXL1可包括像素電路及有機發光二極體OLED。
有機發光二極體OLED的陽極電極可連接到像素電路，並且有機發光二極體OLED的陰極電極可連接到第二電源ELVSS。有機發光二極體OLED可以產生與從像素電路提供的電流量對應的亮度(例如，預定亮度)的光。提供給陽極以使電流能夠在有機發光二極體OLED中流動的第一電源ELVDD可被設定為高於第二電源ELVSS的電壓位準。
像素電路可控制與資料訊號對應的從第一電源ELVDD經由有機發光二極體OLED流到第二電源ELVSS的電流量。為此，像素電路可包括第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7以及儲存電容器Cst。
第一電晶體(例如，驅動電晶體)T1的第一電極可連接到第一節點N1，並且第一電晶體T1的第二電極可連接到第六電晶體T6的第一電極。此外，第一電晶體T1的閘極電極可連接到第二節點N2。第一電晶體T1可對應於儲存在儲存電容器Cst中的電壓來控制從第一電源ELVDD經由有機發光二極體OLED提供到第二電源ELVSS的電流的量。
第二電晶體T2可連接在第j條第一子資料線Dja與第一節點N1之間。此外，第二電晶體T2的閘極電極可連接到第k條掃描線Sk。當掃描訊號被提供給第k條掃描線Sk時，可導通第二電晶體T2以允許第j條第一子資料線Dja及第一節點N1彼此電連接。
第三電晶體T3可連接在第一電晶體T1的第二電極及第二節點N2之間。此外，第三電晶體T3的閘極電極可連接到第k條掃描線Sk。當掃描訊號被提供給第k條掃描線Sk時，可導通第三電晶體T3以二極體連接(diode-connect)第一電晶體T1。
第四電晶體T4可連接在第二節點N2及第三電源VINT之間。此外，第四電晶體T4的閘極電極可連接到第(k-1)條掃描線Sk-1。當掃描訊號被提供給第(k-1)條掃描線Sk-1以將第三電源VINT的電壓提供給第二節點N2時，第四電晶體T4可導通。
第五電晶體T5可連接在第一電源ELVDD及第一節點N1之間。此外，第五電晶體T5的閘極電極可連接到第k條發光控制線Ek。當發光控制訊號被提供給第k條發光控制線Ek時，第五電晶體T5可斷開，並且當未提供發光控制訊號時，第五電晶體T5被導通。
第六電晶體T6可連接在第一電晶體T1的第二電極及有機發光二極體OLED的陽極之間。此外，第六電晶體T6的閘極電極可連接到第k條發光控制線Ek。當發光控制訊號被提供給第k條發光控制線Ek時，第六電晶體T6可被斷開，並且當沒有提供發光控制訊號時，第六電晶體T6被導通。
第七電晶體T7可連接在有機發光二極體OLED的陽極及第三電源VINT之間。此外，第七電晶體T7的閘極電極可連接到第(k-1)條掃描線Sk-1。當掃描訊號被提供給第(k-1)條掃描線Sk-1以將第三電源VINT的電壓提供給有機發光二極體OLED的陽極時，第七電晶體T7可導通。
然而，本揭露不限於此，例如，在另一實施例中，第七電晶體T7的閘極電極可連接到第k條掃描線Sk或第(k+1)條掃描線Sk+1。
第三電源VINT的電壓可被設定為比資料訊號的電壓低的電壓。當第三電源VINT的電壓被提供給有機發光二極體OLED的陽極時，有機發光二極體OLED的寄生電容器被放電。當有機電容器(例如，寄生電容器)放電時，可​​改善像素PXL的黑色表現能力。
儲存電容器Cst可連接在第一電源ELVDD及第二節點N2之間。儲存電容器Cst可儲存對應於資料訊號及第一電晶體T1的閾值電壓的電壓。
此時，電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6以及T7中的每一個的第一電極可以是源極電極及汲極電極中的任一個，並且在第二電極上的每個電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6以及T7可以是不同於第一電極的電極。例如，當第一電極是源極電極時，第二電極可以是汲極電極。
第二像素PXL2可與第一像素PXL1交替配置在同一像素行PRj上。第二像素PXL2可具有與第一像素PXL1類似或實質相同的電路配置。
然而，與第一像素PXL1相比，第二像素PXL2位於下一條水平線(或像素列)上。因此，第二像素PXL2可連接到第k條掃描線Sk、第(k+1)條掃描線Sk+1及第(k+1)條發光控制線Ek+1。
在這種情況下，第二電晶體T2的閘極電極及第三電晶體T3的閘極電極可連接到第(k+1)條掃描線Sk+1，第四電晶體T4的閘極電極及第七電晶體T7的閘極電極可連接到第k條掃描線Sk，並且第五電晶體T5的閘極電極及第六電晶體T6的閘極電極可連接到第(k+1)條發光控制線Ek+1。
此外，第二像素PXL2可連接到第j條第二子資料線Djb。此時，第二像素PXL2的第二電晶體T2可連接在第j條第二子資料線Djb及第一節點N1之間。
第三像素PXL3可具有與第一像素PXL1類似或實質相同的電路配置，並且可設置在與第一像素PXL1相同的水平線(或像素列)上。因此與第一像素PXL1一樣，第三像素PXL3可連接到第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk及第k條發光控制線Ek。然而，因為第三像素PXL3位於與第一像素PXL1不同的像素行PRj+1上，所以第三像素PXL3可連接到第(j+1)條第二子資料線Dj+1b。此時，第三像素PXL3的第二電晶體T2可連接在第(j+1)條第二子資料線Dj+1b與第一節點N1之間。
第四像素PXL4可與第三像素PXL3交替地設置在同一像素行PRj+1上。第四像素PXL4可具有與第三像素PXL3類似或實質相同的電路配置。然而，與第三像素PXL3相比，第四像素PXL4位於下一條水平線(或像素列)上。因此，第四像素PXL4可連接到第k條掃描線Sk，第(k+1)條掃描線Sk+1及第(k+1)條發光控制線Ek+1。在第四像素PXL4中，第二電晶體T2的閘極電極及第三電晶體T3的閘極電極可連接到第(k+1)條掃描線Sk+1、第四電晶體T4的閘極電極及第七電晶體T7的閘極電極可連接到第k條掃描線Sk，並且第五電晶體T5的閘極電極及第六電晶體T6的閘極電極可連接到第(k+1)條發光控制線Ek +1。
第四像素PXL4可連接到第(j+1)條第一子資料線Dj+1a。此時，第四像素PXL4的第二電晶體T2可連接在第(j+1)條第一子資料線Dj+1a與第一節點N1之間。
四條子資料線Dja、Djb、Dj+1a以及Dj+1b當中彼此相鄰的兩條子資料線Djb及Dj+1a位於彼此相鄰的兩個像素行(例如，第j個像素行及第(j+1)個像素行)可分別連接到位於相同像素列上的像素。此外，從四條子資料線Dja、Djb、Dj+1a以及Dj+1b中彼此距離最遠並且位於相鄰的兩個像素行中的兩條子資料線Dja及Dj+1b可分別連接到位於相同像素列上的像素。
第4圖係繪示依據本揭露的實施例的設置在顯示裝置中的第k個像素列、第(k+1)個像素列、第j個像素行、第(j+1)個像素行、第(j+2)個像素行以及第(j+3)個像素行。第5圖係繪示設置在第4圖所示的第k個像素列及第j個像素行的交叉區域處的像素的平面圖。第6圖是沿第5圖的線I-I'截取的截面圖。第7圖是沿第5圖的線II-II'截取的截面圖。第8圖是沿第4圖的線III-III'截取的截面圖。第9圖是沿第4圖的線IV-IV'截取的截面圖。
參照第1圖至第9圖所示，顯示裝置10可包括基板SUB及設置在基板SUB上的像素PXL。
基板SUB可包括透明絕緣材料以使光能夠穿過其中。在一些實施例中，基板SUB可以是剛性基板。例如，基板SUB可以是玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板及結晶玻璃基板中的一種。
在其他實施例中，基板SUB可以是軟性基板。此基板SUB可以是包括聚合物有機材料的薄膜基板及塑膠基板中的一個。例如，基材SUB可包括選自聚苯乙烯(polystyrene)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、聚醚碸(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、三醋酸纖維素(triacetate cellulose)以及乙酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate)所組成的群組中的至少一種。然而，構成基板SUB的材料可進行各種改變，並且例如可包括纖維增強塑膠(FRP)等。
像素PXL可沿著在第一方向DR1上延伸的多個像素列以矩陣形式配置，並且多個像素行在與第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。也就是說，像素列可包括配置在第一方向DR1上的像素PXL，像素行可包括配置在第二方向DR2上的像素PXL。
像素PXL可包括第一像素PXL1、第二像素PXL2、第三像素PXL3以及第四像素PXL4。第一像素PXL1可為設置在第k個像素列及第j個像素行的交叉區域中的像素，第二像素PXL2可為設置在第(k+1)個像素列及第j個像素行像素行的交叉區域中的像素，第三像素PXL3可為設置在第k個像素列及第(j+1)個像素行的交叉區域中的像素，並且第四像素PXL4可為設置在第(k +1)個像素列及第(j+1)個像素行的交叉區域中的像素。
像素PXL可連接到掃描線Sk-1、Sk及Sk+1、資料線Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a以及Dj+3b、發光控制線Ek及Ek+1、電源線PL以及初始化電源線IPL。
掃描線Sk-1、Sk及Sk+1可在第一方向DR1上延伸。掃描線Sk-1、Sk以及Sk+1可包括第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk及第(k+1)條掃描線Sk+1，它們沿著第二方向DR2順序配置。掃描線Sk-1、Sk以及Sk+1可接收施加於其上的掃描訊號。例如，第(k-1)條掃描線Sk-1可接收施加於其上的第(k-1)個掃描訊號。第(k-1)條掃描線Sk-1可藉由第(k-1)個掃描訊號將第k個像素列上的像素PXL初始化。第k條掃描線Sk可接收施加於其上的第k個掃描訊號。第(k+1)條掃描線Sk+1可接收施加於其上的第(k+1)個掃描訊號。
資料線Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a以及Dj+3b可在第二方向DR2上延伸。資料線Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a以及Dj+3b可包括第j條資料線Dja及Djb、第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b、第(j+2)條資料線Dj+2a及Dj+2b以及第(j+3)條資料線Dj+3a及Dj+3b。
第j條資料線Dja及Djb、第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b、第(j+2)條資料線Dj+2a及Dj+2b以及第(j+3)條資料線Dj+3a及Dj+3b可包括第一子資料線Dja、Dj+1a、Dj+2a及Dj+3a以及第二子資料線Djb、Dj+1b、Dj+2b及Dj+3b。第一子資料線Dja、Dj+1a、Dj+2a及Dj+3a以及第二子資料線Djb、Dj+1b、Dj+2b及Dj+3b可設置在每個像素行的側面(例如，兩側邊)。例如，第一子資料線Dja、Dj+1a、Dj+2a及Dj+3a可分別設置在像素行的一側，並且第二子資料線Djb、Dj+1b、Dj+2b、及Dj+3b可分別設置在像素行的另一側。
發光控制線Ek及Ek+1可在第一方向DR1上延伸。第k條發光控制線Ek可設置在第k條掃描線Sk之間以將其與第k條掃描線Sk分隔開。第(k+1)條發光控制線Ek+1可設置在第(k+1)條掃描線Sk+1之間已將其與第(k+1)條掃描線Sk+1分隔開。發光控制線Ek及Ek+1可接收施加於其上的發光控制訊號。
電源線PL可被設置為與資料線Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a及Dj+3b間隔開。例如，電源線PL可設置在第一子資料線Dja、Dj+1a、Dj+2a及Dj+3a與第二子資料線Djb、Dj+1b、Dj+2b及Dj之間+ 3b之間。電源線PL可接收第一電源ELVDD及第二電源ELVSS中的一個，例如施加於其上的第一電源ELVDD。
初始化電源線IPL可沿著第一方向DR1延伸。初始化電源線IPL可位於第k個像素列上的像素PXL及第(k+1)個像素列上的像素PXL之間。初始化電源線IPL可接收施加於其上的初始化電源VINT。
在下文中，將更詳細地描述設置在第k個像素列及第j個像素行上的第一像素PXL1。
第一像素PXL1可連接到第j條資料線Dja及Djb中的第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第一子資料線Dja、第k條發光控制線Ek、電源線PL以及初始化電源線IPL。
第一像素PXL1可包括第一電晶體T1至第七電晶體T7、儲存電容器Cst以及顯示元件(例如，有機發光二極體OLED)。
第一電晶體T1可包括第一閘極電極GE1、第一主動圖樣ACT1、第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1及連接線CNL。
第一閘極電極GE1可連接到第三電晶體T3的第三汲極電極DE3及第四電晶體T4的第四汲極電極DE4。連接線CNL可連接在第一閘極電極GE1與第三汲極電極DE3及第四汲極電極DE4之間。連接線CNL的一端可藉由第一接觸孔CH1連接到第一閘極電極GE1，並且連接線CNL的另一端可藉由第二接觸孔CH2連接到第三汲極電極DE3及第四汲極電極DE4。
在本揭露的實施例中，第一主動圖樣ACT1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1可由未摻雜或摻雜有雜質的半導體層形成。例如，第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1可由摻雜有雜質的半導體層形成，主動圖樣ACT1可由未摻雜雜質的半導體層形成。
第一主動圖樣ACT1具有在一個方向(例如，預定方向)上延伸的條形形狀，並且可沿著延伸方向具有多個彎曲的形狀。當在平面上觀看時，第一主動圖樣ACT1可與第一閘極電極GE1重疊。當第一主動圖樣ACT1形成得較長時，第一電晶體T1的通道區可形成得較長。因此，施加到第一電晶體T1的閘極電壓的驅動範圍可變寬。因此，可精細地控制從有機發光二極體OLED發射的光的灰度(或灰階)。
第一源極電極SE1可連接到第一主動圖樣ACT1的一端。第一源極電極SE1可連接到第二電晶體T2的第二汲極電極DE2及第五電晶體T5的第五汲極電極DE5。第一汲極電極DE1可連接到第一主動圖樣ACT1的另一端。第一汲極電極DE1可連接到第三電晶體T3的第三源極電極SE3及第六電晶體T6的第六源極電極SE6。
第二電晶體T2可包括第二閘極電極GE2、第二主動圖樣ACT2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2。
第二閘極電極GE2可連接到第k條掃描線Sk。第二閘極電極GE2可被設置為第k條掃描線Sk的一部分，或者可被設置為從第k條掃描線Sk突出的形狀。在本揭露的實施例中，第二主動圖樣ACT2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2可由未摻雜或摻雜有雜質的半導體層形成。例如，第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2可由摻雜有雜質的半導體層形成，並且第二主動圖樣ACT2可由未摻雜雜質的半導體層形成。第二主動圖樣ACT2對應於與第二閘極電極GE2重疊的部分。第二源極電極SE2的一端可連接到第二主動圖樣ACT2。第二源極電極SE2的另一端可藉由第六接觸孔CH6連接到資料線Dja。第二汲極電極DE2的一端可連接到第二主動圖樣ACT2。第二汲極電極DE2的另一端可連接到第一電晶體T1的第一源極電極SE1及第五電晶體T5的第五汲極電極DE5。
第三電晶體T3可設置成雙閘極電極結構以防止或實質上防止漏電流。即是說，第三電晶體T3可包括第3a個電晶體T3a及第3b個電晶體T3b。第3a個電晶體T3a可包括第3a個閘極電極GE3a、第3a個主動圖樣ACT3a、第3a個源極電極SE3a及第3a個汲極電極DE3a。第3b個電晶體T3b可包括第3b個閘極電極GE3b、第3b個主動圖樣ACT3b、第3b個源極電極SE3b及第3b個汲極電極DE3b。以下，將第3a個閘極電極GE3a及第3b個閘極電極GE3b稱為第三閘極電極GE3，將第3a個主動圖樣ACT3a及第3b個主動圖樣ACT3b稱為第三主動圖樣ACT3，將3a個源極電極SE3a及第3b個源極電極SE3b稱為第三源極電極SE3，第3個汲極電極DE3a及第3b個汲極電極DE3b稱為第三汲極電極DE3。
第三閘極電極GE3可連接到第k條掃描線Sk。第三閘極電極GE3可被設置為第i條掃描線Si的一部分及/或可被設置為從第k條掃描線Sk突出的形狀。例如，第3a個閘極電極GE3a可被設置為第k條掃描線Sk的一部分，並且第3b個閘極電極GE3b可被設置為從第k條掃描線Sk突出的形狀。
第三主動圖樣ACT3、第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3可由未摻雜或摻雜有雜質的半導體層形成。例如，第三源極電極SE3及第三汲極電極DE3可由摻雜有雜質的半導體層形成，第三主動圖樣ACT3可由未摻雜雜質的半導體層形成。第三主動圖樣ACT3對應於與第三閘極電極GE3重疊的部分。第三汲極電極DE3的一端可連接到第三主動圖樣ACT3。第三汲極電極DE3的另一端可連接到第四電晶體T的第四汲極電極DE4，而且，第三汲極電極DE3的一端可藉由連接線CNL、第二接觸孔CH2及第一接觸孔CH1連接到第一電晶體T1的第一閘極電極GE1。
第四電晶體T4可設置成雙閘極電極結構以防止或實質上防止漏電流。即第四電晶體T4可包括第四電晶體T4a及第四電晶體T4b。第4a個電晶體T4a可包括第4a個閘極電極GE4a、第4a個主動圖樣ACT4a、第4a個源極電極SE4a及第4汲極電極DE4a。第4b個電晶體T4b可包括第4b個閘極電極GE4b、第4b個主動圖樣ACT4b、第4b個源極電極SE4b及第4b個汲極電極DE4b。在下文中，將第4a個閘極電極GE4a及第4b個閘極電極GE4b稱為第四閘極電極GE4，將第4a個主動圖樣ACT4a及第4b個主動圖樣ACT4b稱為第四主動圖樣ACT4，將第4a個源極電極SE4a及第四源極電極SE4b稱為第四源極電極SE4，並且第四汲極電極DE4a及第四汲極電極DE4b稱為第四汲極電極DE4。
第四閘極電極GE4可連接到第(k-1)條掃描線Sk-1。第四閘極電極GE4可設置為第(k-1)條掃描線Sk-1的一部分，或者可設置為從第(k-1)條掃描線Sk-1突出的形狀。例如，第4a個閘極電極GE4a及第4b個閘極電極GE4b可被設置為第(k-1)條掃描線Sk-1的一部分。
第四主動圖樣ACT4、第四源極電極SE4及第四汲極電極DE4可由未摻雜或摻雜有雜質的半導體層形成。例如，第四源極電極SE4及第四汲極電極DE4可由摻雜有雜質的半導體層形成，第四主動圖樣ACT4可由未摻雜雜質的半導體層形成。第四主動圖樣ACT4對應於與第四閘極電極GE4重疊的部分。
第四源極電極SE4的一端可連接到第四主動圖樣ACT4。第四源極電極SE4的另一端可連接到初始化電源線IPL及第七電晶體T7的第七汲極電極DE7。第一輔助連接線AUX1可設置在第四源極電極SE4與初始化電源線IPL之間。第一輔助連接線AUX1的一端可藉由第九接觸孔CH9連接到第四源極電極SE4。第一輔助連接線AUX1的另一端可藉由第八接觸孔CH8連接到初始化電源線IPL。第四汲極電極DE4的一端可連接到第四主動圖樣ACT4。第四汲極電極DE4的另一端可連接到第三電晶體T3的第三汲極電極DE3。而且，第四汲極電極DE4可藉由連接線CNL、第二接觸孔CH2及第一接觸孔CH1連接到第一電晶體T1的第一閘極電極GE1。
第五電晶體T5可包括第五閘極電極GE5、第五主動圖樣ACT5、第五源極電極SE5及第五汲極電極DE5。
第五閘極電極GE5可連接到第k條發光控制線Ek。第五閘極電極GE5可被設置為第k條發光控制線Ek的一部分，或者可被設置為從第k條發光控制線Ek突出的形狀。第五主動圖樣ACT、第五源極電極SE5及第五汲極電極DE5可由未摻雜或摻雜有雜質的半導體層形成。例如，第五源極電極SE5及第五汲極電極DE5可由摻雜有雜質的半導體層形成，第五主動圖樣ACT5可由未摻雜雜質的半導體層形成。第五主動圖樣ACT5對應於與第五閘極電極GE5重疊的部分。第五源極電極SE5的一端可連接到第五主動圖樣ACT5。第五源極電極SE5的另一端可藉由第五接觸孔CH5連接到電源線PL。第五汲極電極DE5的一端可連接到第五主動圖樣ACT5。第五汲極電極DE5的另一端可連接到第一電晶體T1的第一源極電極SE1及第二電晶體T2的第二汲極電極DE2。
第六電晶體T6可包括第六閘極電極GE6、第六主動圖樣ACT6、第六源極電極SE6及第六汲極電極DE6。
第六閘極電極GE6可連接到第k條發光控制線Ek。第六閘極電極GE6可被設置為第k條發光控制線Ek的一部分，或者可被設置為從第k條發光控制線Ek突出的形狀。第六主動圖樣ACT6、第六源極電極SE6及第六汲極電極DE6可由未摻雜或摻雜有雜質的半導體層形成。例如，第六源極電極SE6及第六汲極電極DE6可由摻雜有雜質的半導體層形成，第六主動圖樣ACT6可由未摻雜雜質的半導體層形成。第六主動圖樣ACT6對應於與第六閘極電極GE6重疊的部分。第六源極電極SE6的一端可連接到第六主動圖樣ACT6。第六源極電極SE6的另一端可連接到第一電晶體T1的第一汲極電極DE1及第三電晶體T3的第三源極電極SE3。第六汲極電極DE6的一端可連接到第六主動圖樣ACT6。第六汲極電極DE6的另一端可連接到第七電晶體T7的第七源極電極SE7。
第七電晶體T7可包括第七閘極電極GE7，第七主動圖樣ACT7，第七源極電極SE7及第七汲極電極DE7。
第七閘極電極GE7可連接到第(k-1)條掃描線Sk-1。第七閘極電極GE7可被設置為第(k-1)條掃描線Sk-1的一部分，或者可被設置為從第(k-1)條掃描線Sk-1突出的形狀。第七主動圖樣ACT7，第七源極電極SE7及第七汲極電極DE7可由未摻雜或摻雜有雜質的半導體層形成。例如，第七源極電極SE7及第七汲極電極DE7可由摻雜有雜質的半導體層形成，第七有源層ACT7可由未摻雜雜質的半導體層形成。第七主動圖樣ACT7對應於與第七閘極電極GE7重疊的部分。第七源極電極SE7的一端可連接到第七主動圖樣ACT7。第七源極電極SE7的另一端可連接到第六電晶體T6的第六汲極電極DE6。第七汲極電極DE7的一端可連接到第七主動圖樣ACT7。第七汲極電極DE7的另一端可連接到初始化電源線IPL。而且，第七汲極電極DE7可連接到第四電晶體T4的第四源極電極SE4。第七汲極電極DE7可藉由第一輔助連接線AUX1，第八接觸孔CH8及第九接觸孔CH9連接到第四電晶體T4的第四源極電極SE4。
儲存電容器Cst可包括下電極LE及上電極UE。下電極LE可被設置為第一電晶體T1的第一閘極電極GE1。
上電極UE與第一閘極電極GE1重疊，並且當在平面上觀看時可與下電極LE重疊(例如，覆蓋)下電極LE。隨著上電極UE及下電極LE的重疊區域變寬，儲存電容器Cst的電容可增大。上電極UE可在第一方向DR1上延伸。在本揭露的實施例中，具有與第一電源ELVDD相同或實質相同的電平的電壓可被施加到上電極UE。上電極UE可具有將包括第一接觸孔CH1的部分去除的區域，其中第一閘極電極GE1及連接線CNL是藉由第一接觸孔CH1彼此接觸。
顯示元件OLED可包括第一電極AD、第二電極CD以及設置在第一電極AD及第二電極CD之間的發光層EML。
第一電極AD可被設置為對應於第一像素PXL1的發光區域。第一像素PXL1的發光區域可與第一電極AD重疊。第一電極AD可藉由第七接觸孔CH7、第十接觸孔CH10及第十二接觸孔CH12連接到第六電晶體T6的第六汲極電極DE6。第一橋接圖樣BRP1可設置在第七接觸孔CH7及第十接觸孔CH10之間。第二橋接圖樣BRP2可設置在第十接觸孔CH10及第十二接觸孔CH12之間。第一橋接圖樣BRP1及第二橋接圖樣BRP2可將第一電極AD連接到第六汲極電極DE6。
第(k+1)個像素列及第j個像素行上的第二像素PXL2，第k個像素列及第(j+1)個像素行上的第三像素PXL3，以及第(k+1)個像素列及第(j+1)個像素行上的第四像素PXL4除了與其連接的資料線、掃描線及發光控制線之外，可分別具有與第一像素PXL1類似或實質相同的結構。
第二像素PXL2可連接到第j條資料線Dja及Djb中的第k條掃描線Sk、第(k+1)條掃描線Sk+1、第二子資料線Djb、第(k +1)條發光控制線Ek+1、電源線PL以及初始化電源線IPL。
第三像素PXL3可連接到第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b中的第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第二子資料線Dj+1b、第k條發光控制線Ek、電源線PL以及初始化電源線IPL。
第四像素PXL4可連接到第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b中的第k條掃描線Sk、第(k+1)條掃描線Sk+1、第一子資料線Dj+1a、第(k+1)條發光控制線Ek+1、電源線PL以及初始化電源線IPL。
此外，第二像素PXL2及第四像素PXL4還可包括第二輔助連接線AUX2，用於將第二電晶體T2的第二源極電極SE2連接到資料線Djb及Dj+1a中相應的一條。第二輔助連接線AUX2的一端可藉由第六接觸孔CH6連接到第二源極電極SE2，並且第二輔助連接線AUX2的另一端可藉由第四接觸孔CH4連接到資料線Djb及Dj1+a中的相應資料線(例如參見第14圖)。
在下文中，將參考第4圖至第9圖沿著堆疊順序描述根據本揭露的實施例的第一像素PXL1的結構。
在基板SUB上可設置半導體圖樣。半導體圖樣可包括第一至第七主動圖樣ACT1至ACT7、第一至第七源極電極SE1至SE7以及第一至第七汲極電極DE1至DE7。半導體圖樣可包括半導體材料。
在基板SUB及半導體圖樣之間可設置緩衝層。
緩衝層可防止或實質防止雜質從基板SUB擴散到第一至第七主動圖樣ACT1至ACT7中。緩衝層可被設置成單層結構，或者可被設置成包括至少兩層的多層結構。緩衝層可包括有機絕緣層及無機絕緣層中的至少一個。有機絕緣層可包括有機絕緣材料以允許光透過其中。無機絕緣層可包括氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)及氮氧化矽(silicon oxynitride)中的至少一種。當緩衝層設置成多層時，這些層可包括相同或實質相同的材料或可包括不同的材料。例如，無機絕緣層可包括包含氧化矽的第一層及包含氮化矽的第二層。
閘極絕緣層GI可設置在其上形成有半導體圖樣的基板SUB上。
閘極絕緣層GI可包括有機絕緣層及無機絕緣層中的至少一個。有機絕緣層可包括有機絕緣材料以允許光透過其中。例如，有機絕緣層可包括光致抗蝕劑(photoresist)、聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyester resin)、聚苯醚樹脂(polyphenylene ether resin)、聚苯硫醚樹脂(polyphenylene sulfide resin)及苯並環丁烯樹脂(benzocyclobutene resin)中的至少一種。無機絕緣層可包括氧化矽、氮化矽及氮氧化矽中的至少一種。
第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第k條發光控制線Ek以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可設置在閘極絕緣層GI上。第一閘極電極GE1也可以是儲存電容器Cst的下電極LE。第二閘極電極GE2及第三閘極電極GE3可與第k條掃描線Sk整體地形成。第四閘極電極GE4及第七閘極電極GE7可與第(k-1)條掃描線Sk-1整體地形成。第五閘極電極GE5及第六閘極電極GE6可與第k條發光控制線Ek整體地形成。
第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第k條發光控制線Ek以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可包括金屬材料。例如，第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第k條發光控制線Ek以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可包括金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Co)及其任何合適的合金。第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第k條發光控制線Ek以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可形成為單層結構，但是本揭露不限於此。例如，第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第k條發光控制線Ek以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可形成為多層結構，其中包括金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Co)及其任何合適的合金堆疊。
第一層間絕緣層IL1可設置在形成有第(k-1)條掃描線Sk-1及其類似物的基板SUB上。第一層間絕緣層IL1可包括聚矽氧烷(polysiloxane)、氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽中的至少一種。
儲存電容器Cst的上電極UE及初始化電源線IPL可設置在第一層間絕緣層IL1上。上電極UE可重疊(例如，覆蓋)於下電極LE。上電極UE連同下電極LE可藉由第一層間絕緣層IL1構成儲存電容器Cst。上電極UE及初始化電源線IPL可形成為單層或多層結構，包括金、銀、鋁、鉬、鉻、鈦、鎳、釹、銅以及其任何合適的合金。
第二層間絕緣層IL2可設置在其上設置有上電極UE及初始化電源線IPL的基板SUB上。
第二層間絕緣層IL2可包括無機絕緣層及有機絕緣層中的至少一個。例如，第二層間絕緣層IL2可包括至少一個無機絕緣層。無機絕緣層可包括氧化矽，氮化矽及氮氧化矽中的至少一種。而且，第二層間絕緣層IL2可包括至少一個有機絕緣層。有機絕緣層可包括光致抗蝕劑、聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂及苯並環丁烯樹脂中的至少一種。此外，第二層間絕緣層IL2可具有包括至少一個無機絕緣層及至少一個有機絕緣層的多層結構。
第一導電圖樣可設置在第二層間絕緣層IL2上。第一導電圖樣可包括第j條資料線Dja及Djb之中的第一子資料線Dja、連接線CNL、第一輔助連接線AUX1、第一橋接圖樣BRP1以及電源線PL的第一導電層。
第一子資料線Dja可藉由穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第六接觸孔CH6連接到第二源極電極SE2。
連接線CNL的一端可藉由穿過第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第一接觸孔CH1連接到第一閘極電極GE1。此外，連接線CNL的另一端可藉由穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層絕緣層IL2的第二接觸孔CH2連接到第三汲極電極DE3及第四汲極電極DE4。
第一輔助連接線AUX1可藉由穿過第二層間絕緣層IL2的第八接觸孔CH8連接到初始化電源線IPL。而且，第一輔助連接線AUX1可藉由穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第九接觸孔CH9連接到第四源極電極SE4及第七汲極電極DE7。
第一橋接圖樣BRP1可以是在第六汲極電極DE6及第一電極AD之間作為將第六汲極電極DE6連接到第一電極AD的介質的圖樣。第一橋接圖樣BRP1可藉由穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第七接觸孔CH7連接到第六汲極電極DE6。
第一導電層可包括第一電源線PL1。第一電源線PL1可在一個方向上延伸，並且第一電源線PL1的一部分可具有彎曲的形狀。第一電源線PL1可藉由穿過閘絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第五接觸孔CH5連接到第五源極電極SE5。而且，第一電源線PL1可藉由穿過第二層間絕緣層IL2的第三接觸孔CH3連接到上電極UE。
第三層間絕緣層IL3可設置在設置有第一導電圖樣的基板SUB上。第三層間絕緣層IL3可包括設置在其上設置有第一導電圖樣的基板SUB上的第一絕緣層IL31以及設置在第一絕緣層IL31上的第二絕緣層IL32。例如，第一絕緣層IL31可包括聚矽氧烷、氧化矽、氮化矽及氮氧化矽中的至少一種。第二絕緣層IL32可包括有機絕緣材料。例如，第二絕緣層IL32可包括光致抗蝕劑、聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂及苯並環丁烯樹脂中的至少一種。
第二導電圖樣可設置在第三層間絕緣層IL3上。第二導電圖樣可包括第j條資料線Dja及Djb之中的第二子資料線Djb、電源線PL的第二導電層以及第二橋接圖樣BRP2。第二橋接圖樣BRP2可藉由穿過第一絕緣層IL31及第二絕緣層IL32的第十接觸孔CH10連接到第一橋接圖樣BRP1。
第二導電層可包括第二電源線PL2。第二電源線PL2的一部分可與第一電源線PL1重疊。第二電源線PL2可藉由穿過第一絕緣層IL31及第二絕緣層IL32的第十一接觸孔CH11連接到第一電源線PL1。因此，電源線PL可包括第一電源線PL1及第二電源線PL2。在電源線PL中，第一電源線PL1及第二電源線PL2彼此電連接，並且因此可防止或減少藉由電源線PL供給的電源的電壓降，例如，第一電源ELVDD。
第四層間絕緣層IL4可設置在其上設置有第二導電圖樣的第三層間絕緣層IL3上。
第四層間絕緣層IL4可包括有機絕緣材料。例如，第四層間絕緣層IL4可包括光致抗蝕劑、聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂及苯並環丁烯樹脂中的至少一種。
顯示元件OLED可設置在第四層間絕緣層IL4上。顯示元件OLED可包括第一電極AD、第二電極CD以及設置在第一電極AD及第二電極CD之間的發光層EML。
第一電極AD可設置在第四層間絕緣層IL4上。第一電極AD可藉由穿過第四層間絕緣層IL4的第十二接觸孔CH12連接到第二橋接圖樣BRP2。因此，第一電極AD可電連接到第一橋接圖樣BRP1。由於第一橋接圖樣BRP1藉由第七接觸孔CH7連接到第六汲極電極DE6，所以第一電極AD可電連接到第六汲極電極DE6。
用於限定與每個像素PXL對應的發光區域的像素限定層PDL可設置在其上形成有第一電極AD等的基板SUB上。像素限定層PDL可藉由其暴露第一電極AD的頂表面，並且可沿著像素PXL的周邊從基板SUB突出。
發光層EML可設置在由像素限定層PDL圍繞的發光區域中，並且第二電極CD可設置在發光層EML上。用於覆蓋第二電極CD的封裝層SLM可設置在第二電極CD上。
第一電極AD及第二電極CD中的一個可以是陽極，並且第一電極AD及第二電極CD中的另一個可以是陰極。例如，第一電極AD可以是陽極電極，並且第二電極CD可以是陰極電極。
此外，第一電極AD及第二電極CD中的至少一個可以是透射電極。例如，當顯示元件OLED是底部發光型有機發光二極體時，第一電極AD可以是透射電極，並且第二電極CD可以是反射電極。當顯示元件OLED是頂部發光型有機發光二極體時，第一電極AD可以是反射電極，並且第二電極CD可以是透射電極。當顯示元件OLED是雙發光型有機發光二極體時，第一電極AD及第二電極CD都可以是透射電極。在圖式中，作為示例描述了顯示元件OLED是頂部發光型有機發光二極體並且第一電極AD是陽極的情況。
第一電極AD可包括用於反射光的反射層以及設置在反射層的頂表面或底表面上的透明導電層。透明導電層及反射層中的至少一個可電連接到第六汲極電極DE6。
反射層可包括能夠反射光的材料。例如，反射層可包括從由鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鎳(Ni)組成的組中選擇的至少一種以及其任何合適的合金。
透明導電層可包括透明導電氧化物。例如，透明導電層可包括選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、摻鎵氧化鋅(GZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵錫(GTO)以及氟摻雜氧化錫(FTO)所組成的群組中的至少一種。
像素限定層PDL可包括有機絕緣材料。例如，像素限定層PDL可包括聚苯乙烯(polystyrene)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚醯胺(PA)、聚醯亞胺(PI)、聚芳基醚(PAE)、雜環聚合物(heterocyclic polymer)、聚對二甲苯(parylene)、環氧樹脂(epoxy)、苯並環丁烯(BCB)、矽氧烷基樹脂(siloxane based resin)及矽烷基樹脂(silane based resin) 所組成的群組中的至少一種。
發光層EML可設置在第一電極AD被暴露的表面上。發光層EML可具有至少包括光生成層(LGL)的多層薄膜結構。例如，發光層EML可包括電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、光生成層(LGL)、電洞阻擋層(HBL)，電子傳輸層(ETL)及/或電子注入層(EIL)。電洞注入層(HIL)可注入電洞。電洞傳輸層(HTL)可具有優異的電洞傳輸性質，並且可藉由抑制在光生成層(LGL)中未能組合的電子的移動而增加電洞及電子重新組合的機會。光生成層(LGL)可藉由注入的電子及電洞的重新組合來發光。電洞阻擋層(HBL)可抑制在光生成層(LGL)中未能組合的電洞的移動。電子傳輸層(ETL)可平穩地將電子傳輸至光生成層(LGL)。電子注入層(EIL)可注入電子。在發光層EML中，HIL、HTL、HBL、ETL及/或EIL可以是共同配置在彼此相鄰的第一至第四像素PXL1至PXL4中的共同層。
第二電極CD可以是半透射反射層。例如，第二電極CD可以是具有厚度的薄金屬層，發光層EML發射的光可透過此厚度。第二電極CD可透射從發光層EML發射的一部分光穿過其中，並且可反射從發光層EML發射的其余光。
第二電極CD可包括具有比透明導電層的功函數更低的功函數的材料。例如，第二電極CD可包括鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)及其任何合適的合金。
從發光層EML發射的一部分光可不透過第二電極CD，並且從第二電極CD反射的光可再次從反射層反射。也就是說，從發光層EML發射的光可在反射層及第二電極CD之間諧振。顯示元件OLED的光提取效率可藉由光的諧振來改善。
反射層及第二電極CD之間的距離可根據從發光層EML發射的光的顏色而改變。即是說，取決於從發光層EML發射的光的顏色，可調節反射層及第二電極CD之間的距離以對應於諧振距離。
封裝層SLM可防止或實質防止氧氣及濕氣滲入顯示元件OLED。封裝層SLM可包括多個無機層及多個有機層。例如，封裝層SLM可包括多個單元封裝層，該多個單元封裝層包括設置在無機層上的無機層及有機層。此外，無機層可設置在封裝層SLM的最上部。無機層可包括從由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化鋯(zirconium oxide)及氧化錫(tin oxide)組成的群組中的至少一種。
除了資料線、掃描線及發光控制線之外，第二像素PXL2、第三像素PXL3以及第四像素PXL4可具有與第一像素PXL1類似或實質相同的堆疊結構與之連接。
第二像素PXL2可連接到第j條資料線Dja及Djb中的第二子資料線Djb、第(k+1)條掃描線Sk+1及第(k+1)條發光線控制線Ek+1。第j條資料線Dja及Djb中的第二條子資料線Djb可設置在第三層間絕緣層IL3上。第二輔助連接線AUX2可設置在第j條資料線Dja及Djb之中的第二子資料線Djb與第二源極電極SE2之間。第二輔助連接線AUX2可設置在第二層間絕緣層IL2上，並且可包括與第一輔助連接線AUX1相同或實質相同的材料。第二輔助連接線AUX2的一端可藉由第六接觸孔CH6連接到第二源極電極SE2，第二輔助連接線AUX2的另一端可藉由第四接觸孔CH4連接到資料線Djb及Dj+1a。
第三像素PXL3可連接到設置在與第j條資料線Dja及Djb中的資料線Dja相同的層上的第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b中的第二子資料線Dj+1b、第k條掃描線Sk及第k條發光控制線Ek。
第四像素PXL4可連接到第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b中的第一子資料線Dj+1a、第(k+1)條掃描線Sk+1及第(k+1)條發光控制線Ek+1。第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b中的第一子資料線Dj+1a可設置在第三層間絕緣層IL3上。第二輔助連接線AUX2可設置在第(j+1)條資料線Dj+1a及Dj+1b中的第一子資料線Dj+1a與第二源極電極SE2之間。第二輔助連接線AUX2可設置在第二層間絕緣層IL2上，並且可包括與第一輔助連接線AUX1相同或實質相同的材料。第二輔助連接線AUX2的一端可藉由第六接觸孔CH6連接到第二源極電極SE2，第二輔助連接線AUX2的另一端可藉由第四接觸孔CH4連接到資料線Djb及Dj+1a。
第10圖是示出第4圖至第9圖所示的主動圖樣、源極電極及汲極電極的平面圖。第11圖是示出了第4圖至第9圖所示的儲存電容器的掃描線、發光控制線及下電極的平面圖。第12圖是示出第4圖至第9圖所示的初始化電源線及儲存電容器的上電極的平面圖。第13圖是示出了第4圖至第9圖所示的資料線、連接線、輔助連接線、電源線的第一導電層以及第一橋接圖樣的平面圖。第14圖是示出第4圖至第9圖中所示的資料線、電源線的第二導電層及第二橋接圖樣的平面圖。第15圖是示出第4圖至第9圖所示的有機發光二極體的平面圖。在第10圖至第15圖中，為了便於說明，在第k個像素列、第(k+1)個像素列、第j個像素行、第(j+1)個像素行、第(j+2)個像素行以及第(j+3)個像素行被針對每個層示出。
參照第2圖至第15圖，可在基板SUB上設置第一至第七主動圖樣ACT1至ACT7、第一至第七源極電極SE1至SE7以及第一至第七汲極電極DE1至DE7。第一至第七主動圖樣ACT1到ACT7、第一至第七源極電極SE1到SE7以及第一至第七汲極電極DE1到DE7可包括相同或實質相同的材料，並且可藉由相同或實質上同樣的製程形成。第一至第七源極電極SE1至SE7以及第一至第七汲極電極DE1至DE7可包括半導體材料。
第一主動圖樣ACT1的一端可連接到第一源極電極SE1，並且第一主動圖樣ACT1的另一端可連接到第一汲極電極DE1。第二主動圖樣ACT2的一端可連接到第二源極電極SE2，並且第二主動圖樣ACT2的另一端可連接到第二汲極電極DE2。第三主動圖樣ACT3的一端可連接到第三源極電極SE3，並且第三主動圖樣ACT3的另一端可連接到第三汲極電極DE3。第四主動圖樣ACT4的一端可連接到第四源極電極SE4，並且第四主動圖樣ACT4的另一端可連接到第四汲極電極DE4。第五主動圖樣ACT5的一端可連接至第五源極電極SE5，並且第五主動圖樣ACT5的另一端可連接至第五汲極電極DE5。第六主動圖樣ACT6的一端可連接到第六源極電極SE6，並且第六主動圖樣ACT6的另一端可連接到第六汲極電極DE6。第七主動圖樣ACT7的一端可連接到第七源極電極SE7，並且第七主動圖樣ACT7的另一端可連接到第七汲極電極DE7。
第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第(k+1)條掃描線Sk+1、第k條發光控制線Ek、第(k+1)條發光控制線Ek+1，以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可設置在設置於第一至第七主動圖樣ACTl至ACT7上的閘極絕緣層GI上。第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第(k+1)條掃描線、第k條發光控制線Ek、第(k+1)條發光控制線Ek+1以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可包括相同或實質相同的材料，並且可藉由相同或實質相同的製程形成。
在第k個像素列上，第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第k條發光控制線Ek以及第一至第七閘極電極GE1至GE7可設置在閘極絕緣層GI上。第一閘極電極GE1可以是儲存電容器Cst的下電極LE。第二閘極電極GE2及第三閘極電極GE3可與第k條掃描線Sk整體地形成。第四閘極電極GE4及第七閘極電極GE7可與第(k-1)條掃描線Sk-1整體地形成。第五閘極電極GE5及第六閘極電極GE6可與第k條發光控制線Ek整體地形成。
在第(k+1)個像素列上，第k條掃描線Sk、第(k+1)條掃描線Sk+1、第(k+1)條發光控制線Ek+1以及第至第七閘極電極GE1至GE7可設置在閘極絕緣層GI上。第二閘極電極GE2及第三閘極電極GE3可與第(k+1)條掃描線Sk+1整體地形成。第四閘極電極GE4及第七閘極電極GE7可與第k條掃描線Sk整體地形成。第五閘極電極GE5及第六閘極電極GE6可與第(k+1)條發光控制線Ek+1整體地形成。
儲存電容器Cst及初始化電源線IPL的上電極UE可設置在設置於第(k-1)條掃描線Sk-1、第k條掃描線Sk、第(k+1)條掃描線Sk+1、第k條發光控制線Ek、第(k+1)條發光控制線Ek+1以及第一至第七閘極電極GE1至GE7上的第一層間絕緣層IL1上。初始化電源線IPL及上電極UE可包括相同或實質相同的材料，並且可藉由相同或實質相同的製程形成。
電源線PL的第一資料圖樣、連接線CNL、第一輔助連接線AUX1、第二輔助連接線AUX2、第一橋接圖樣BRP1及第一導電層可以提供在提供於初始化電源線IPL及上電極UE上的第二層間絕緣層IL2上。電源線PL的第一資料圖樣，第一輔助連接線AUX1，第二輔助連接線AUX2，第一橋接圖樣BRP1以及第一導電層可包括相同或實質相同的材料，並且可藉由相同或實質相同的製程形成。
第一資料圖樣可包括多個資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a以及Dj+3b。在第k個像素列上，資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a以及Dj+3b可藉由穿過閘絕緣層GI、第一層間絕緣層層IL1及第二層間絕緣層IL2的第六接觸孔CH6連接到第二源極電極SE2。此外，設置在第二層間絕緣層IL2上的資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a以及Dj+3b可設置在彼此相鄰的像素行之間。
第一導電層可包括多個第一電源線PL1。第一電源線PL1可平行於資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a以及Dj+3b以及掃描線Sk-1、Sk及Sk+1中的至少一個延伸，例如，平行於資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a及Dj+3b。第一電源線PL1可藉由穿過第二層間絕緣層IL2的第三接觸孔CH3連接到上電極UE。而且，第一電源線PL1可藉由穿過閘絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第五接觸孔CH5連接到第五源極電極SE5。
彼此相鄰的第一電源線PL1，例如，彼此相鄰的像素行上的第一電源線PL1，可藉由第一電源連接線PLM1連接。第一電源連接線PLM1可與設置在第三層間絕緣層IL3上的資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a及Dj+3b交叉。因此，彼此相鄰的第一電源線PL1可電連接到第一電源連接線PLM1。第一電源連接線PLM1可設置在與第一電源線PL1相同的層上。這裡，術語「設置於同一層上(to be provided on the same layer) 」可意味著包括相同或實質上相同的材料並且藉由相同或實質相同的製程形成。例如，如同第一電源線PL1，第一電源連接線PLM1可設置在第二層間絕緣層IL2上。而且，第一電源連接線PLM1可包括與第一電源線PL1相同或實質相同的材料，並且可藉由相同或實質相同的製程形成。
連接線CNL可藉由穿過第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第一接觸孔CH1連接到第一閘極電極GE。而且，連接線CNL可藉由穿過閘絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第二接觸孔CH2連接到第三汲極電極DE3及第四汲極電極DE4。
第一輔助連接線AUX1可藉由穿過第二層間絕緣層IL2的第八接觸孔CH8連接到初始化電源線ILP。而且，第一輔助連接線AUX1可藉由穿過閘絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第九接觸孔CH9連接到第七汲極電極DE7。
第二輔助連接線AUX2可以藉由第六接觸孔CH6連接到第二源極電極SE2，並且可以藉由第四接觸孔CH4連接到資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a以及Dj+3b。
第一橋接圖樣BRP1可藉由穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1以及第二層間絕緣層IL2的第七接觸孔CH7連接到第六汲極電極DE6。
在第一資料圖樣、連接線CNL、第一輔助連接線AUX1、第二輔助連接線AUX2、第一橋接圖樣BRP1以及電源線PL的第一導電層上的第三層間絕緣層IL3上可提供第二資料圖樣、電源線PL的第二導電層及第二橋接圖樣BRP2。電源線PL的第二資料圖樣、第二導電層及第二橋接圖樣BRP2可包括相同或實質相同的材料，並且可藉由相同或實質相同的製程形成。
第二資料圖樣可包括多條資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a。也就是說，包括在第一資料圖樣中的資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a及Dj+3b以及包括在第二資料圖樣中的資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a可設置在彼此不同的層上。在第(k+1)個像素列上，資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a可藉由第二輔助連接線AUX2連接到第二源極電極SE2。第二輔助連接線AUX2的一端可藉由穿過閘絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1及第二層間絕緣層IL2的第六接觸孔CH6連接到第二源極電極SE2。第二輔助連接線AUX2的另一端可藉由穿過第三層間絕緣層IL3的第四接觸孔CH4連接到資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b以及Dj+3a。此外，設置在第三層間絕緣層IL3上的資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a可以設置在彼此相鄰的像素行之間。
四條資料線Dja、Djb、Dj+1a及Dj+1b中彼此相鄰並且連接到彼此相鄰的兩個像素行例如，第j個像素行及第(j+1)個像素行，的兩條資料線Djb及Dj+1a，可分別連接到位於相同像素列上的像素。此外，四條資料線Dja、Djb、Dj+1a以及Dj+1b中位於彼此距離最遠且連接到彼此相鄰的兩個像素行的兩條資料線Dja及Dj+1b，分別可連接到相同的像素列。此時，彼此相鄰的兩條資料線Djb以及Dj+1a可設置在同一層上，例如第三層間絕緣層IL3。此外，位於彼此距離最遠的兩條資料線Dja及Dj+1b可設置在同一層上，例如第二層間絕緣層IL2上。也就是說，彼此相鄰的兩條資料線Djb及Dj+1a以及位於彼此最遠處的兩條資料線Dja及Dj+1b可設置在彼此不同的層上。
如上所述，如果第二資料圖樣設置在第三層間絕緣層IL3上，則設置在第三層間絕緣層IL3上的資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a與第一電晶體T1中的相應電晶體的距離增加。因此，可減小在資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a與第一電晶體T1的第一閘極電極GE1之間形成的寄生電容器的寄生電容。寄生電容的寄生電容可能在資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a與第一電晶體T1之間產生交擾(crosstalk)。因此，如果寄生電容減小，則資料線Djb、Dj+1a，Dj+2b及Dj+3a與第一電晶體T1之間的交擾可減小。
第二橋接圖樣BRP2可藉由穿過第三層間絕緣層IL3的第十接觸孔CH10連接到第一橋接圖樣BRP1。
第二導電層可包括多個第二電源線PL2。第二電源線PL2中的至少部分可與第一電源線PL1重疊。
第二電源線PL2可與第二資料圖樣的資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a以及掃描線Sk-1、Sk、及Sk+1中的至少一個，例如第二資料圖樣的資料線Djb、Dj+1a、Dj+2b及Dj+3a平行延伸。第二電源線PL2可藉由穿過第三層間絕緣層IL3的第十一接觸孔CH11連接到第一電源線PL1。例如，第十一接觸孔CH11可設置在第一電源線PL1及第二電源線PL2彼此重疊的區域中，並且第一電源線PL1及第二電源線PL2可以藉由第十一接觸孔CH11彼此電連接。
彼此相鄰的第二電源線PL2(例如，彼此相鄰的像素行上的第二電源線PL2)可藉由第二電源連接線PLM2彼此連接。第二電源連接線PLM2可與設置在第二層間絕緣層IL2上的資料線Dja、Dj+1b、Dj+2a及Dj+3b交叉。因此，彼此相鄰的第二電源線PL2可藉由第二電源連接線PLM2彼此電連接。第二電源連接線PLM2可設置在與第二電源線PL2相同的層上。這裡，術語「設置於同一層上」可意味著包括相同或實質上相同的材料並且藉由相同或實質相同的製程形成。例如，如同第二電源線PL2，第二電源連接線PLM2可設置在第三層間絕緣層IL3上。而且，第二電源連接線PLM2可包括與第二電源線PL2相同或實質相同的材料，並且可藉由相同或實質相同的製程形成。第二電源連接線PLM2可被設置為與第一電源連接線PLM1間隔開。
如上所述，第一電源線PL1及第二電源線PL2可設置在彼此不同的層上，並且可藉由第十一接觸孔CH11彼此連接。例如，第一電源線PL1可設置在第二層間絕緣層IL2上，並且彼此相鄰的第一電源線PL1可藉由第一電源連接線PLM1彼此連接。第二電源線PL2可設置在第三層間絕緣層IL3上，並且彼此相鄰的第二電源線PL2可藉由第二電源連接線PLM2彼此連接。此外，第一電源線PL1及第二電源線PL2可藉由第十一接觸孔CH11彼此電連接。因此，包括第一電源線PL1及第二電源線PL2的電源線PL以網格形式連接，以防止或減少第一電源ELVDD的電壓降。如果第一電源ELVDD的電壓降被防止或減少，則第一電源ELVDD可被均勻地提供給像素PXL1、PXL2、PXL3以及PXL4，並且可防止或實質上防止顯示裝置的品質惡化。
顯示元件OLED可設置在設置於第二資料圖樣、第二導電層及第二橋接圖樣BRP2上的第四層間絕緣層IL4上。每個顯示元件(例如，有機發光二極體OLED)可包括在第四層間絕緣層IL4上的第一電極AD、在第一電極AD上的發光層EML以及在發光層EML上的第二電極CD。
第一電極AD可藉由穿過第四層間絕緣層IL4的第十二接觸孔CH12連接到第二橋接圖樣BRP2。
如上所述，根據本發明的一個或多個實施例，可藉由防止或減少交擾來改善顯示裝置的顯示品質。此外，由於電源線具有網狀結構，所以可防止或減小電壓降，從而改善顯示裝置的顯示品質。
本文已經揭露了例示性實施例，並且儘管使用了特定術語，但是它們僅被用於並且將僅被解釋為一般性及描述性的意義，而不是為了限制的目的。在一些示例中，對於所屬技術領域中具有通常知識者來說顯而易見的是，結合特定實施例描述的特徵，特性及/或元件可單獨使用或與以下描述的特徵，特性及/或元件組合使用與其他實施例的連接，除非另外具體指出。因此，具有通常知識者將理解，可在形式及細節上進行各種改變，所有這些均不脫離如所附說明書以及其等同物中闡述的本發明的精神及範圍。
ACT1～ACT7‧‧‧主動圖樣AD、CD‧‧‧電極AUX1‧‧‧第一輔助連接線AUX2‧‧‧第二輔助連接線BRP1、BRP2‧‧‧橋接圖樣Cd、Cd1、Cd2‧‧‧驅動訊號Cst‧‧‧儲存電容器CH1～CH12‧‧‧接觸孔CNL‧‧‧連接線D1a、Dja、Djb、Dj+1a、Dj+2a、Dj+3a、Dj+1b、Dj+2b、Dj+3b‧‧‧資料線DCS‧‧‧資料驅動器控制訊號DE1～DE7‧‧‧汲極電極DM1～DMi-1、DMi、DMj‧‧‧多工解訊器DR1‧‧‧第一方向DR2‧‧‧第二方向ECS‧‧‧發光驅動器控制訊號E1～En、Ek、Ek+1、E1‧‧‧發光控制線EML‧‧‧發光層ELVDD‧‧‧第一電源ELVSS‧‧‧第二電源GE1～GE7‧‧‧閘極電極GI‧‧‧閘極絕緣層IL1～IL4‧‧‧層間絕緣層IPL‧‧‧初始化電源線LE‧‧‧下電極MCS‧‧‧多工解訊器控制訊號Mja、Mjb、Mj+1a、Mj+1b‧‧‧第一電晶體N1、N2‧‧‧節點O1～Oi-1、Oi、Oj、Oj+1‧‧‧輸出線OLED‧‧‧顯示元件PDL‧‧‧像素限定層PL‧‧‧電源線PL1、PL2‧‧‧第一、第二電源線PLM1、PLM2‧‧‧電源連接線PRj、PRj+1‧‧‧像素行PXL‧‧‧像素PXL1～PXL4‧‧‧第一至第四像素S0～Sn、Sk、Sk+1、Sk-1‧‧‧掃描線SE1～SE7‧‧‧源極電極SLM‧‧‧封裝層SUB‧‧‧基板T1～T7；電晶體UE‧‧‧上電極VINT‧‧‧第三電源10‧‧‧顯示裝置110‧‧‧掃描驅動器120‧‧‧發光驅動器130‧‧‧資料驅動器160‧‧‧多工解訊控制器170‧‧‧時序控制器
在下文中，將參照圖式更全面地描述例示性實施例。然而，本發明可以各種不同的形式來實施，並且不應該被解釋為限於在此闡述的實施例。相反的，提供這些實施例是為了使本揭露透徹及完整，並且將向該領域具有通常知識者充分傳達例示性實施例的範圍。因此，對該領域具有通常知識者不必要說明即可對本發明的特徵及態樣完整的理解的過程、元件及技術可不再說明。
在圖式中，為了說明清楚，尺寸可被誇大。應該理解，當元件被稱為在兩個元件「之間(between)」時，它可以是兩個元件之間的唯一元件，或者也可存在一個或多個中間元件。綜觀圖式及書面描述，相同的元件符號只代表相同的元件，因此，可不重複描述。
第1圖係繪示根據本揭露的實施例的顯示裝置的圖。
第2圖係繪示根據本揭露的實施例更詳細地示出多工解訊器的圖。
第3圖係繪示根據本揭露的實施例更詳細地示出像素的圖。
第4圖係繪示根據本揭露的實施例中設置在顯示裝置的第k個像素列、第(k+1)個像素列、第j個像素行、第(j+1)個像素行、第(j+2)個像素行及第(j+3)個像素行的交叉區域的像素的平面圖。
第5圖係繪示設置在第4圖所示的第k個像素列及第j個像素行的交叉區域處的像素的平面圖。
第6圖係繪示沿第5圖的線I-I'截取的截面圖。
第7圖係繪示沿第5圖的線II-II'截取的截面圖。
第8圖係繪示沿第4圖的線III-III'截取的截面圖。
第9圖係繪示沿第4圖的線IV-IV'截取的截面圖。
第10圖係繪示第4圖到第9圖中所示的主動圖樣、源極電極以及汲極電極的平面圖。
第11圖係繪示第4圖到第9圖所示的掃描線、發光控制線以及儲存電容器的下電極平面圖。
第12圖係繪示第4圖到第9圖所示的儲存電容器的初始化電源線以及上電極平面圖。
第13圖係繪示第4圖到第9圖所示的資料線、連接線、輔助連接線、電源線的第一導電層以及第一橋接圖樣平面圖。
第14圖係繪示第4圖到第9圖所示的資料線、電源線的第二導電層以及第二橋接圖樣的平面圖。
第15圖係繪示第4圖到第9圖中示出的有機發光二極體的平面圖。
AUX1‧‧‧第一輔助連接線
AUX2‧‧‧第二輔助連接線
Dja、Djb、Dj+1a、Dj+2a、Dj+3a、Dj+1b、Dj+2b、Dj+3b‧‧‧資料線
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
Ek、Ek+1‧‧‧發光控制線
PL‧‧‧電源線
PXL1~PXL4‧‧‧第一至第四像素
Sk、Sk+1、Sk-1‧‧‧掃描線
IPL‧‧‧初始化電源線

Claims (23)

  1. 一種顯示裝置，其包括： 複數個像素列，包括沿著一第一方向配置的複數個像素，該複數個像素列沿著與該第一方向交叉的一第二方向重複配置； 複數個像素行，包括沿著該第二方向配置的該複數個像素，該複數個像素行沿著該第一方向重複配置； 複數條資料線，連接到該複數個像素行中對應的像素行，該複數條資料線中的每一個包括設置在一對應像素行的一側的一第一子資料線及設置在該對應像素行的另一側的一第二子資料線； 複數條掃描線，沿著該第一方向延伸，該複數條掃描線連接至對應的像素列；以及 一電源線，配置為提供驅動功率至該複數個像素， 其中該複數個像素行中的一個像素連接到該第一子資料線，且與連接到該第一子資料線的該像素相鄰的像素連接到該第二子資料線；以及 其中在同一個像素行中的該第一子資料線及該第二子資料線係位於彼此相異的層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該電源線設置在該第一子資料線及該第二子資料線之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中每個像素包括： 至少一個電晶體；以及 一顯示元件，連接到該電晶體； 其中，該電晶體包括設置在一基板上的一主動圖樣，一源極電極及一汲極電極分別電連接到該主動圖樣；一閘極電極，隔著一閘極絕緣層設置在該主動圖樣上；以及一層間絕緣層，該層間絕緣層包括覆蓋在該閘極電極的一第一層間絕緣層、一第二層間絕緣層以及一第三層間絕緣層；且該第一層間絕緣層、該第二層間絕緣層以及該第三層間絕緣層依序地堆疊；以及 其中該顯示元件電連接到該汲極電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該第一子資料線及該第二子資料線中的一個係位於該第二層間絕緣層上，以及 其中該第一子資料線及該第二子資料線中的另一個位於該第三層間絕緣層上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中該電源線包括一第一電源線及一第二電源線位於彼此相異的層上，該第一電源線及該第二電源線彼此重疊。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該第一電源線及該第二電源線中的一個位於該第二層間絕緣層上； 其中該第一電源線及該第二電源線中的另一個位於該第三層間絕緣層上；以及 其中該第一電源線及該第二電源線藉由一接觸孔彼此互相連接。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中彼此相鄰的像素行的該第一電源線藉由一第一電源連接線彼此連接；以及 其中該第一電源連接線與該第一電源線位於同一層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該第一電源線及該第一電源連接線係位於該第二層間絕緣層上。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中彼此相鄰的該像素行的該第二電源線藉由一第二電源連接線彼此連接；以及 其中該第二電源連接線與該第二電源線位於同一層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第二電源線及該第二電源連接線係位於該第三層間絕緣層上。
  11. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，進一步包括一儲存電容器，該儲存電容器包括位於該閘極絕緣層上的一下電極及位於該第一層間絕緣層上的一上電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，進一步包括位於該第二層間絕緣層上的一第一橋接圖樣，該第一橋接圖樣配置為使該汲極電極及該顯示元件彼此電連接。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，進一步包括位於該第三層間絕緣層上的一第二橋接圖樣，該第二橋接圖樣配置為使該第一橋接圖樣及該顯示元件彼此電連接。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該顯示元件包括位於該第三層間絕緣層上的一第四層間絕緣層上的一第一電極，位於該第一電極上的一發光層，以及位於該發光層上的一第二電極；以及 其中該第一電極藉由穿過該第四層間絕緣層的一接觸孔連接到該第二橋接圖樣。
  15. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中位於彼此相鄰的兩個不同的像素行之間的第一子資料線及第二子資料線連接到該兩個不同的像素行，並且位於同一層之中。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中彼此相鄰的兩個像素行的四條子資料線當中彼此距離最遠的兩條子資料線連接到位於相同像素列上的像素。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中彼此距離最遠的該兩條子資料線位於同一層上。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中彼此相鄰的該兩個像素行的該四條子資料線中的彼此相鄰的該兩條子資料線連接到位於相同像素列上的像素。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中彼此相鄰的該兩條子資料線位於同一層上。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中彼此距離最遠的該兩條子資料線及彼此相鄰的該兩條子資料線位於彼此不同的層上。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，進一步包括： 一資料驅動器，配置為透過複數條輸出線將一資料訊號提供給該資料線； 以及 複數個多工解訊器，連接在該輸出線及該資料線之間。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之顯示裝置，其中該複數個多工解訊器配置為將該資料訊號時分地傳送到該第一子資料線及該第二子資料線。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之顯示裝置，其中彼此相鄰的兩個不同的像素行之間的該第一子資料線及該第二子資料線連接到彼此不同的多工解訊器，並且配置為在同一期間內接收一資料訊號輸入。
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