CN108877681B - 具有虚设扫描线的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种具有虚设扫描线的显示装置。所述显示装置包括：像素，设置在显示区域中；数据线，连接到像素，数据线向像素提供数据信号；扫描线，连接到像素，扫描线向像素提供扫描信号；以及虚设扫描线，在围绕显示区域的外围区域中与数据线交叉。

Description

具有虚设扫描线的显示装置
本申请要求于2017年5月11日提交的第10-2017-0058841号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在这里充分阐述。
技术领域
示例性实施例涉及一种具有虚设扫描线的显示装置。
背景技术
有机发光显示装置包括两个电极和位于两个电极之间的有机发射层。在有机发光显示装置中，从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中结合从而形成激子，并且激子通过能量发射而发光。
有机发光显示装置包括多个像素，每个像素包括作为自发光器件的有机发光器件，并且在像素中设置有向每个像素提供各种信号的线。这些线以各种方式进行布置从而向每个像素提供信号。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于加强对发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不形成对于本领域普通技术人员而言在本国内已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种显示装置，在所述显示装置中不管区域如何均以均匀的亮度显示图像。
另外的方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地通过公开将明显，或者可以通过发明构思的实践而了解。
示例性实施例公开了一种显示装置，该显示装置包括：像素，设置在显示区域中；数据线，连接到像素，数据线向像素提供数据信号；扫描线，连接到像素，扫描线向像素提供扫描信号；以及虚设扫描线，在围绕显示区域的外围区域中与数据线交叉。
扫描线和虚设扫描线可以在第一方向上延伸，数据线可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
虚设扫描线可以不连接到像素。
可以对应于供应到虚设扫描线的虚设扫描信号的变化来补偿供应到设置在第一像素行上的像素的数据信号的大小与供应到设置在第二像素行上的像素的数据信号的大小之间的差值。
第二像素行可以位于第一像素行下方。设置在第一像素行上的像素可以比设置在第二像素行上的像素早地被供应有扫描信号。
电容可以形成在虚设扫描线和与虚设扫描线交叉的数据线之间。
显示装置还可以包括向扫描线供应扫描信号的扫描驱动器，扫描驱动器向虚设扫描线供应虚设扫描信号。
像素中的每个像素可以包括晶体管。晶体管可以包括：有源图案；栅极，设置在有源图案上，并且在栅极和有源图案之间插设有栅极绝缘层；层间绝缘层，包括覆盖栅极的第一层间绝缘层和设置在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层；以及源极和漏极，设置在层间绝缘层上，源极和漏极均连接到有源图案。
显示装置还可以包括设置在第一层间绝缘层上的第一虚设电极。第一虚设电极的一部分可以与虚设扫描线叠置，使得电容形成在第一虚设电极和虚设扫描线之间。
第一虚设电极可以通过穿过第二层间绝缘层的接触孔连接到与虚设扫描线交叉的数据线。
供应到数据线的数据信号的大小可以对应于供应到虚设扫描线的虚设扫描信号的改变而改变。
显示装置还可以包括设置在基底上的第一虚设有源图案。第一虚设有源图案的一部分可以与虚设扫描线叠置，使得电容形成在第一虚设有源图案和虚设扫描线之间。
第一虚设有源图案可以通过穿过栅极绝缘层和层间绝缘层的接触孔连接到与虚设扫描线交叉的数据线。
虚设扫描线、第一虚设有源图案和数据线可以形成第一虚设晶体管。
供应到数据线的数据信号的大小对应于供应到虚设扫描线的虚设扫描信号的改变而改变。
显示装置还可以包括：第二虚设有源图案，设置在基底上；第二虚设电极，设置在栅极绝缘层上；辅助数据线，设置在层间绝缘层上。
第二虚设有源图案的一部分可以与第二虚设电极叠置，使得电容形成在第二虚设有源图案和第二虚设电极之间。
辅助数据线的第一端可以通过穿过栅极绝缘层和层间绝缘层的接触孔连接到第二虚设有源图案，辅助数据线的第二端可以通过穿过层间绝缘层的接触孔连接到虚设扫描线，第二虚设电极可以通过穿过层间绝缘层的接触孔连接到与虚设扫描线交叉的数据线。
第二虚设有源图案、第二虚设电极和辅助数据线可以形成第二虚设晶体管。
供应到数据线的数据信号的大小可以对应于通过虚设扫描线和辅助数据线供应到第二虚设有源图案的虚设扫描信号的改变而改变。
显示区域的边界的至少一部分可以具有曲线形状。
电容可以形成在虚设扫描线和数据线的交叉区域中的每个交叉区域中，并且电容的大小可以根据区域而改变。
当由位于较靠近外部部分的数据线形成电容时，电容的大小可以变得较大。
示例性实施例也公开了一种显示装置，该显示装置包括：像素，设置在显示区域中；数据线，向像素提供数据信号；扫描线，向像素提供扫描信号；以及虚设扫描线，与数据线交叉。当虚设扫描信号供应到虚设扫描线时，供应到像素的数据信号的大小对应于虚设扫描信号的改变而改变。
虚设扫描线可以不连接到像素。
显示装置还可以包括向扫描线供应扫描信号的扫描驱动器，扫描驱动器向虚设扫描线供应虚设扫描信号。
扫描信号中的每个扫描信号可以包括多个低电平部分。
像素可以包括设置在第一像素行上的像素和设置在第二像素行上的像素。供应到设置在第二像素行上的像素的数据信号的大小可以响应于供应到虚设扫描线的虚设扫描信号而改变。
前面的总体描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并且意图提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例，且与描述一起用于解释发明构思的原理，其中，附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分。
图1是具体示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的构造的图。
图2是示出图1中所示的像素的示例性实施例的等效电路图。
图3是详细示出图2中所示的像素的平面图。
图4是沿图3的I-I’线截取的剖视图。
图5是沿图3的II-II’线截取的剖视图。
图6是详细示出在图1中所示的扫描驱动器的构造的图。
图7是示出从扫描驱动器输出的扫描信号的输出时序的波形图。
图8A和图8B是示例性示出供应到像素的驱动晶体管的栅电极的数据信号的波形的图。
图9是详细示出虚设扫描线和数据线的交叉区域的平面图。
图10是沿图9的III-III’线截取的剖视图。
图11是详细示出根据本公开的另一示例性实施例的虚设扫描线和数据线的交叉区域的平面图。
图12是沿图11的IV-IV’线截取的剖视图。
图13是详细示出根据本公开的又一示例性实施例的虚设扫描线和数据线的交叉区域的平面图。
图14是沿图13的V-V’线截取的剖视图。
图15是具体示出根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的构造的图。
图16是示出根据本公开的另一示例性实施例的从扫描驱动器输出的扫描信号的输出时序的波形图。
图17是具体示出根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的构造的图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各个示例性实施例的彻底的理解。然而，明显的是，各个示例性实施例可以在没有这些具体细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它情况下，为了避免不必要地使各个示例性实施例模糊，以框图形式示出公知的结构和装置。
在附图中，为了清楚和描述性目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个/种”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个/种”可以理解为只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的两个/种或更多个/种的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。
尽管在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应局限于这些术语。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。
为了描述性目的，在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。空间相对术语意图包含设备在使用、操作和/或制造中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括在……上方和在……下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述具体示例性实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式“一个(种)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。此外，在本说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或“含有”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里参照作为理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各个示例性实施例。如此，将预期出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应该被解释为受限于区域的具体示出的形状，而是将包括例如由制造导致的形状上的偏差。附图中示出的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图是限制性的。
除非另有限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非明确地如此定义，否则诸如在通用字典中定义的那些术语应该被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度形式化的意义进行解释。
在下文中，将结合附图参照示例性实施例来描述显示装置。
图1是具体示出根据本公开的示例性实施例的显示装置10的构造的图。
参照图1，根据本公开的示例性实施例的显示装置10可以包括像素PXL和显示驱动单元。显示装置10可以包括显示区域AA和作为除显示区域AA之外的剩余区域的外围区域。
显示驱动单元位于外围区域中，并且可以包括扫描驱动器110、数据驱动器120、发射驱动器130以及时序控制器150。
像素PXL位于显示区域AA中，并且可以连接到扫描线S0至Sn、数据线D1至Dm和发射控制线E1至En。
像素PXL可以沿在一个方向上延伸的多个像素行以及在与像素行交叉的方向上延伸的多个像素列以矩阵形式布置。
即，像素行可以包括沿一个方向布置的像素PXL，像素列可以包括沿与像素行交叉的方向布置的像素PXL。
同时，在该示例性实施例中，作为示例示出了像素PXL以矩阵形式布置的情况。然而，本公开不限于此，像素PXL可以以各种形式布置。
当从扫描线S0至Sn供应扫描信号时，像素PXL可以供应有来自数据线D1至Dm的数据信号。
供应有数据信号的像素PXL中的每个像素PXL可以控制从第一电源ELVDD经由有机发光器件(未示出)流到第二电源ELVSS的电流量。在这种情况下，有机发光器件可以产生具有与电流量对应的亮度的光。
根据本公开的示例性实施例的显示装置10可以包括虚设扫描线DS1至DS4。虚设扫描线DS1至DS4可以位于外围区域中。与扫描线S0至Sn连接到像素PXL不同的是，虚设扫描线DS1至DS4可以不连接到像素PXL。
虚设扫描线DS1至DS4中的每条虚设扫描线可以被定位为与数据线D1至Dm交叉，并且预定的电容可以形成在虚设扫描线DS1至DS4和数据线D1至Dm的交叉区域中的每个交叉区域中。
例如，参照图1，负载匹配电容C可以形成在连接到虚设扫描线DS1至DS4中的每条虚设扫描线的第一节点N1和连接到数据线D1至Dm中的每条数据线的第二节点N2之间。
负载匹配电容C可以执行减小在浮置状态下的数据信号的大小的功能。特别地，当虚设扫描信号供应到虚设扫描线DS1至DS4时，供应到第一节点N1的电压的电平从高电平改变为低电平，因此，在浮置状态下的数据信号的大小可以由于耦合效应而减小。
与从时序控制器150供应的扫描驱动器控制信号FLM1、CLK1和CLK2对应地，扫描驱动器110可以将扫描信号供应到扫描线S0至Sn。此外，扫描驱动器110可以将虚设扫描信号供应到虚设扫描线DS1至DS4。
例如，扫描驱动器110可以将扫描信号和虚设扫描信号顺序地供应到扫描线S0至Sn和虚设扫描线DS1至DS4。如果顺序地供应扫描信号，则可以以水平线为单位顺序地选择像素PXL。
与从时序控制器150供应的发射驱动器控制信号EFLM1、CLK3和CLK4对应地，发射驱动器130可以将发射控制信号供应到发射控制线E1至En。
例如，发射驱动器130可以将发射控制信号顺序地供应到发射控制线E1至En。
同时，发射控制信号可以被设定为栅极截止电压(例如，高电压)，使得包括在像素PXL中的晶体管可以截止。
此外，扫描信号可以被设定为栅极导通电压(例如，低电压)，使得包括在像素PXL中的晶体管可以导通。
与数据控制信号DCS对应地，数据驱动器120可以将数据信号供应到数据线D1至Dm。
供应到数据线D1至Dm的数据信号被供应到由每个扫描信号选择的像素PXL。
预定的开关(未示出)可以设置在数据驱动器120中或者在数据线D1至Dm与数据驱动器120之间。如果该开关导通，则数据信号被充入数据线D1至Dm中。如果该开关截止，则数据线D1至Dm可以处于浮置状态中。
开关可以在数据信号充入数据线D1至Dm中之后截止，数据线D1至Dm可以处于浮置状态中，同时充入数据线D1至Dm中的数据信号被分别施加到像素PXL。
时序控制器150可以将数据控制信号DCS供应到数据驱动器120。此外，时序控制器150可以将从外部输入的图像数据转换成适合于数据驱动器120的规格的图像数据DATA，并且将转换后的图像数据DATA供应到数据驱动器120。
数据控制信号DCS可以包括源起始信号、源输出使能信号以及源采样时钟等。源起始信号可以控制数据驱动器120的数据采样起始时间。源采样时钟可以基于上升沿或下降沿来控制数据驱动器120的采样操作。源输出使能信号可以控制数据驱动器120的输出时序。
时序控制器150可以将基于从外部供应的时序信号产生的扫描驱动器控制信号FLM1、CLK1和CLK2供应到扫描驱动器110。
扫描驱动器控制信号可以包括第一起始信号FLM1和时钟信号CLK1和CLK2。第一起始信号FLM1可以用于控制扫描信号的供应时序，时钟信号CLK1和CLK2可以用于移位第一起始信号FLM1。
时序控制器150可以将基于从外部供应的时序信号而产生的发射驱动器控制信号EFLM1、CLK3和CLK4供应到发射驱动器130。
发射驱动器控制信号可以包括第二起始信号EFLM1以及时钟信号CLK3和CLK4。第二起始信号EFLM1可以用于控制发射控制信号的供应时序，时钟信号CLK3和CLK4可以用于移位第二起始信号EFLM1。
在图1中，扫描驱动器110、发射驱动器130、数据驱动器120和时序控制器150被分别地设置。然而，如果需要的话，可以将至少一些组件集成。
此外，扫描驱动器110、发射驱动器130、数据驱动器120和时序控制器150可以以诸如玻璃上芯片、塑料上芯片、载带封装和膜上芯片的各种方式安装。
图2是示出图1中所示的像素PXL的示例性实施例的等效电路图。为了便于描述，在图2中示出了连接到第m数据线Dm和第i扫描线Si的像素PXL。
参照图2，根据本公开的示例性实施例的像素PXL可以包括有机发光器件OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。
有机发光器件OLED的阳极可以经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1，有机发光器件OLED的阴极可以连接到第二电源ELVSS。有机发光器件OLED可以产生具有与从第一晶体管T1供应的电流量对应的预定亮度的光。
第一电源ELVDD可以被设定为比第二电源ELVSS的电压高的电压，使得电流能够流过有机发光器件OLED。
第七晶体管T7可以连接在初始化电源Vint和有机发光器件OLED的阳极之间。此外，第七晶体管T7的栅极可以连接到第i扫描线Si。第七晶体管T7可以在扫描信号供应到第i扫描线Si时导通，以将初始化电源Vint的电压供应到有机发光器件OLED的阳极。这里，初始化电源Vint可以被设定为比数据信号的电压低的电压。
第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1和有机发光器件OLED之间。此外，第六晶体管T6的栅极可以连接到第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在发射控制信号供应到第i发射控制线Ei时截止，否则导通。
第五晶体管T5可以连接在第一电源ELVDD和第一晶体管T1之间。此外，第五晶体管T5的栅极可以连接到第i发射控制线Ei。第五晶体管T5可以在发射控制信号供应到第i发射控制线Ei时截止，否则导通。
第一晶体管T1(即，驱动晶体管)的第一电极可以经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD，第一晶体管T1的第二电极可以经由第六晶体管T6连接到有机发光器件OLED的阳极。此外，第一晶体管T1的栅极可以连接到第三节点N3。第一晶体管T1可以与第三节点N3的电压对应地来控制从第一电源ELVDD经由有机发光器件OLED流向第二电源ELVSS的电流量。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极和第三节点N3之间。此外，第三晶体管T3的栅极可以连接到第i扫描线Si。第三晶体管T3可以在扫描信号供应到第i扫描线Si时导通，以允许第一晶体管T1的第二电极和第三节点N3彼此电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以二极管结合。
第四晶体管T4可以连接在第三节点N3和初始化电源Vint之间。此外，第四晶体管T4的栅极可以连接到第i-1扫描线Si-1。第四晶体管T4可以在扫描信号供应到第i-1扫描线Si-1时导通，以将初始化电源Vint的电压供应到第三节点N3。
第二晶体管T2可以连接在第m数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极之间。此外，第二晶体管T2的栅极可以连接到第i扫描线Si。第二晶体管T2可以在扫描信号供应到第i扫描线Si时导通，以允许第m数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极彼此电连接。
存储电容器Cst可以连接在第一电源ELVDD和第三节点N3之间。存储电容器Cst可以存储与数据信号对应的电压和第一晶体管T1的阈值电压。
图3是详细示出图2中所示的像素的平面图。图4是沿图3的I-I’线截取的剖视图。图5是沿图3的II-II’线截取的剖视图。
基于设置在第i行第j列上的像素PXL，在图3至图5中示出连接到像素PXL的两条扫描线Si-1和Si、发射控制线Ei、电力线PL以及数据线Dj。
在图3至图5中，为了便于描述，将第i-1行上的扫描线称为“第i-1扫描线Si-1”，将第i行上的扫描线称为“第i扫描线Si”，将第i行上的发射控制线称为“发射控制线Ei”，将第j列上的数据线称为“数据线Dj”，将第j列上的电力线称为“电力线PL”。
参照图3至图5，显示装置10可以包括基底SUB、线单元和像素PXL。基底SUB可以包括其中设置有像素PXL的显示区域AA和作为除了显示区域AA之外的区域的外围区域。
基底SUB可以包括透明绝缘材料以使光能够透过。基底SUB可以是刚性基底。例如，基底SUB可以是玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和结晶玻璃基底中的一种。
此外，基底SUB可以是柔性基底。这里，基底SUB可以是包括聚合物有机材料的膜基底和塑料基底中的一种。例如，基底SUB可以包括从由聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和乙酸丙酸纤维素组成的组中选择的至少一种。然而，各种其它材料可以用来构成基底SUB，并且可以包括纤维增强塑料(FRP)等。
线单元将信号提供到每个像素PXL，并且可以包括扫描线Si-1和Si、数据线Dj、发射控制线Ei、电力线PL以及初始化电力线IPL。
扫描线Si-1和Si可以在第一方向DR1上延伸。扫描线Si-1和Si可以包括沿第二方向DR2顺序布置的第i-1扫描线Si-1和第i扫描线Si。
扫描线Si-1和Si可以具有施加到其的扫描信号。例如，第i-1扫描信号可以施加到第i-1扫描线Si-1，第i扫描信号可以施加到第i扫描线Si。
第i扫描线Si可以分支为两条线，分支的第i扫描线Si可以连接到不同的晶体管。例如，第i扫描线Si可以包括与第i-1扫描线Si-1邻近的上第i扫描线Si和比上第i扫描线Si远离第i-1扫描线Si-1的下第i扫描线Si。
发射控制线Ei可以在第一方向DR1上延伸。发射控制线Ei设置在两条第i扫描线Si之间以与第i扫描线Si分隔开。发射控制线Ei可以施加有发射控制信号。
数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸。数据信号可以施加到数据线Dj。
电力线PL可以在第二方向DR2上延伸。电力线PL可以设置为与数据线Dj分隔开。第一电源ELVDD可以施加到电力线PL。
初始化电力线IPL可以沿第一方向DR1延伸。初始化电力线IPL可以设置在下第i扫描线Si与下一行上的像素PXL的第i-1扫描线Si-1之间。初始化电源Vint可以施加到初始化电力线IPL。
每个像素PXL可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和有机发光器件OLED。
第一晶体管T1可以包括第一栅极GE1、第一有源图案ACT1、第一源极SE1、第一漏极DE1和连接线CNL。
第一栅极GE1可以连接到第三晶体管T3的第三漏极DE3和第四晶体管T4的第四漏极DE4。连接线CNL可以连接在第一栅极GE1与第三漏极DE3和第四漏极DE4之间。连接线CNL的一端可以通过第一接触孔CH1连接到第一栅极GE1，连接线CNL的另一端可以通过第二接触孔CH2连接到第三漏极DE3和第四漏极DE4。
在本公开的示例性实施例中，第一有源图案ACT1、第一源极SE1和第一漏极DE1可以由未掺杂有杂质或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第一源极SE1和第一漏极DE1可以由掺杂有杂质的半导体层形成，第一有源图案ACT1可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。
第一有源图案ACT1具有在预定的方向上延伸的条形形状，并且可以具有沿延伸方向弯曲多次的形状。
当在平面上观察时，第一有源图案ACT1可以与第一栅极GE1叠置。由于第一有源图案ACT1形成得长，所以第一晶体管T1的沟道区域可以形成得长。因此，可以扩大施加到第一晶体管T1的栅极电压的驱动范围。因此，可以精细地控制从有机发光器件OLED发射的光的灰度。
第一源极SE1可以连接到第一有源图案ACT1的一端。第一源极SE1可以连接到第二晶体管T2的第二漏极DE2和第五晶体管T5的第五漏极DE5。第一漏极DE1可以连接到第一有源图案ACT1的另一端。第一漏极DE1可以连接到第三晶体管T3的第三源极SE3和第六晶体管T6的第六源极SE6。
第二晶体管T2可以包括第二栅极GE2、第二有源图案ACT2、第二源极SE2和第二漏极DE2。
第二栅极GE2可以连接到上第i扫描线Si。第二栅极GE2可以设置为上第i扫描线Si的一部分，或者可以从上第i扫描线Si凸出。
在本公开的示例性实施例中，第二有源图案ACT2、第二源极SE2和第二漏极DE2可以由未掺杂有杂质或掺杂有杂质的半导体层形成。
例如，第二源极SE2和第二漏极DE2可以由掺杂有杂质的半导体层形成，第二有源图案ACT2可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。
第二有源图案ACT2对应于与第二栅极GE2叠置的部分。第二源极SE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二源极SE2的另一端可以通过第六接触孔CH6连接到数据线Dj。第二漏极DE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二漏极DE2的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源极SE1和第五晶体管T5的第五漏极DE5。
第三晶体管T3可以设置为双栅结构以防止漏电流。即，第三晶体管T3可以包括晶体管T3a和晶体管T3b。晶体管T3a可以包括栅极GE3a、有源图案ACT3a、源极SE3a和漏极DE3a。
晶体管T3b可以包括栅极GE3b、有源图案ACT3b、源极SE3b和漏极DE3b。
在下文中，将栅极GE3a和栅极GE3b称为第三栅极GE3，将有源图案ACT3a和有源图案ACT3b称为第三有源图案ACT3，将源极SE3a和源极SE3b称为第三源极SE3，将漏极DE3a和漏极DE3b称为第三漏极DE3。
第三栅极GE3可以连接到上第i扫描线Si。第三栅极GE3可以设置为上第i扫描线Si的一部分，或者可以设置为从上第i扫描线Si凸出的形状。
例如，栅极GE3a可以从上第i扫描线Si凸出，栅极GE3b可以设置为上第i扫描线Si的一部分。
第三有源图案ACT3、第三源极SE3和第三漏极DE3可以由未掺杂有杂质或掺杂有杂质的半导体层形成。
例如，第三源极SE3和第三漏极DE3可以由掺杂有杂质的半导体层形成，第三有源图案ACT3可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第三有源图案ACT3对应于与第三栅极GE3叠置的部分。第三源极SE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三源极SE3的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏极DE1和第六晶体管T6的第六源极SE6。第三漏极DE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三漏极DE3的另一端可以连接到第四晶体管T4的第四漏极DE4。此外，第三漏极DE3可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅极GE1。
第四晶体管T4可以设置为双栅结构以防止漏电流。即，第四晶体管T4可以包括晶体管T4a和晶体管T4b。晶体管T4a可以包括栅极GE4a、有源图案ACT4a、源极SE4a和漏极DE4a。晶体管T4b可以包括栅极GE4b、有源图案ACT4b、源极SE4b和漏极DE4b。
在下文中，将栅极GE4a和栅极GE4b称为第四栅极GE4，将有源图案ACT4a和有源图案ACT4b称为第四有源图案ACT4，将源极SE4a和源极SE4b称为第四源极SE4，将漏极DE4a和漏极DE4b称为第四漏极DE4。
第四栅极GE4可以连接到第i-1扫描线Si-1。第四栅极GE4可以设置为第i-1扫描线Si-1的一部分，或者可以从第i-1扫描线Si-1凸出。例如，栅极GE4a可以设置为第i-1扫描线Si-1的一部分。栅极GE4b可以设置为从第i-1扫描线Si-1凸出的形状。
第四有源图案ACT4、第四源极SE4和第四漏极DE4可以由未掺杂有杂质或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第四源极SE4和第四漏极DE4可以由掺杂有杂质的半导体层形成，第四有源图案ACT4可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第四有源图案ACT4对应于与第四栅极GE4叠置的部分。
第四源极SE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四源极SE4的另一端可以连接到第i-1行上的像素PXL的初始化电力线IPL和第i-1行上的像素PXL的第七晶体管T7的第七漏极DE7。
辅助连接线AUX可以设置在第四源极SE4和初始化电力线IPL之间。辅助连接线AUX的一端可以通过第九接触孔CH9连接到第四源极SE4。辅助连接线AUX的另一端可以通过第i-1行上的像素PXL的第八接触孔CH8连接到第i-1行上的初始化电力线IPL。
第四漏极DE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四漏极DE4的另一端可以连接到第三晶体管T3的第三漏极DE3。此外，第四漏极DE4可以通过第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅极GE1。
第五晶体管T5可以包括第五栅极GE5、第五有源图案ACT5、第五源极SE5和第五漏极DE5。
第五栅极GE5可以连接到发射控制线Ei。第五栅极GE5可以设置为发射控制线Ei的一部分或者可以从发射控制线Ei凸出。
第五有源图案ACT5、第五源极SE5和第五漏极DE5可以由未掺杂有杂质或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第五源极SE5和第五漏极DE5可以由掺杂有杂质的半导体层形成，第五有源图案ACT5可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第五有源图案ACT5对应于与第五栅极GE5叠置的部分。
第五源极SE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五源极SE5的另一端可以通过第五接触孔CH5连接到电力线PL。第五漏极DE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五漏极DE5的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源极SE1和第二晶体管T2的第二漏极DE2。
第六晶体管T6可以包括第六栅极GE6、第六有源图案ACT6、第六源极SE6和第六漏极DE6。
第六栅极GE6可以连接到发射控制线Ei。第六栅极GE6可以设置为发射控制线Ei的一部分，或者可以从发射控制线Ei凸出。
第六有源图案ACT6、第六源极SE6和第六漏极DE6可以由未掺杂有杂质或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第六源极SE6和第六漏极DE6可以由掺杂有杂质的半导体层形成，第六有源图案ACT6可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第六有源图案ACT6对应于与第六栅极GE6叠置的部分。
第六源极SE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六源极SE6的另一端可以连接第一晶体管T1的第一漏极DE1和第三晶体管T3的第三源极SE3。第六漏极DE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六漏极DE6的另一端可以连接到第七晶体管T7的第七源极SE7。
第七晶体管T7可以包括第七栅极GE7、第七有源图案ACT7、第七源极SE7和第七漏极DE7。
第七栅极GE7可以连接到下第i扫描线Si。第七栅极GE7可以设置为下第i扫描线Si的一部分，或者可以设置为从下第i扫描线Si凸出的形状。
第七有源图案ACT7、第七源极SE7和第七漏极DE7可以由未掺杂有杂质或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第七源极SE7和第七漏极DE7可以由掺杂有杂质的半导体层形成，第七有源图案ACT7可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第七有源图案ACT7对应于与第七栅极GE7叠置的部分。
第七源极SE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七源极SE7的另一端可以连接到第六晶体管T6的第六漏极DE6。
第七漏极DE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七漏极DE7的另一端可以连接到初始化电力线IPL。此外，第七漏极DE7可以连接到第i+1行上的像素PXL的第四晶体管T4的第四源极SE4。第七漏极DE7可以通过辅助连接线AUX、第八接触孔CH8和第九接触孔CH9连接到第i+1行上的像素PXL的第四晶体管T4的第四源极SE4。
存储电容器Cst可以包括下电极LE和上电极UE。下电极LE可以构造为第一晶体管T1的第一栅极GE1。
上电极UE与第一栅极GE1叠置，并且在平面上观察时可以覆盖下电极LE。由于上电极UE和下电极LE的叠置面积增大，所以存储电容器Cst的电容会增加。上电极UE可以在第一方向DR1上延伸。
在本公开的示例性实施例中，具有与第一电源ELVDD的电平相同电平的电压可以施加到上电极UE。上电极UE可以在包括第一接触孔CH1的区域中具有开口OPN，其中，第一栅极GE1和连接线CNL通过第一接触孔CH1彼此接触。
有机发光器件OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD以及设置在第一电极AD和第二电极CD之间的发射层EML。
第一电极AD可以设置在与每个像素PXL对应的发射区域中。第一电极AD可以通过第七接触孔CH7和第十接触孔CH10连接到第七晶体管T7的第七源极SE7和第六晶体管T6的第六漏极DE6。
桥图案BRP可以设置在第七接触孔CH7和第十接触孔CH10之间。桥图案BRP可以将第六漏极DE6和第七源极SE7连接到第一电极AD。
在下文中，将参照图3至图5沿着堆叠顺序来描述根据本公开的示例性实施例的显示装置的结构。
有源图案ACT1至ACT7(在下文中，被称为ACT)可以设置在基底SUB上。有源图案ACT可以包括第一有源图案ACT1到第七有源图案ACT7。第一有源图案ACT1到第七有源图案ACT7可以由半导体材料形成。
缓冲层(未示出)可以设置在基底SUB与第一有源图案ACT1到第七有源图案ACT7之间。
栅极绝缘层GI可以设置在其上形成有第一有源图案ACT1到第七有源图案ACT7的基底SUB上。
第i-1扫描线Si-1、第i扫描线Si、发射控制线Ei以及第一栅极GEl至第七栅极GE7可以设置在栅极绝缘层GI上。
第一栅极GE1可以成为存储电容器Cst的下电极LE。第二栅极GE2和第三栅极GE3可以与上第i扫描线Si一体形成。第四栅极GE4可以与第i-1扫描线Si-1一体形成。第五栅极GE5和第六栅极GE6可以与发射控制线Ei一体形成。第七栅极GE7可以与下第i扫描线Si一体形成。
第一层间绝缘层IL1可以设置在其上形成有第i-1扫描线Si-1等的基底SUB上。
存储电容器Cst的上电极UE和初始化电力线IPL可以设置在第一层间绝缘层IL1上。上电极UE可以覆盖下电极LE。上电极UE与下电极LE一起可以构成存储电容器Cst，并且第一层间绝缘层IL1插设在上电极UE与下电极LE之间。
第二层间绝缘层IL2可以设置在其上设置有上电极UE和初始化电力线IPL的基底SUB上。
数据线Dj、电力线PL、连接线CNL、辅助连接线AUX和桥图案BRP可以设置在第二层间绝缘层IL2上。
数据线Dj可以通过穿过第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2和栅极绝缘层GI的第六接触孔CH6连接到第二源极SE2。
电力线PL可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第三接触孔CH3和第四接触孔CH4连接到存储电容器Cst的上电极UE。
电力线PL可以通过穿过第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2和栅极绝缘层GI的第五接触孔CH5连接到第五源极SE5。
连接线CNL可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第一接触孔CH1连接到第一栅极GE1。此外，连接线CNL可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第二接触孔CH2连接到第三漏极DE3和第四漏极DE4。
辅助连接线AUX可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第八接触孔CH8连接到初始化电力线IPL。此外，辅助连接线AUX可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第九接触孔CH9连接到第四源极SE4和第i-1行上的像素PXL的第七漏极DE7。
桥图案BRP可以是设置为在第六漏极DE6与第一电极AD之间将第六漏极DE6连接到第一电极AD的介质的图案。桥图案BRP可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第七接触孔CH7连接到第六漏极DE6和第七源极SE7。
保护层PSV可以设置在其上形成有数据线Dj等的基底SUB上。
有机发光器件OLED可以设置在保护层PSV上。有机发光器件OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD以及设置在第一电极AD和第二电极CD之间的发射层EML。
第一电极AD可以设置在保护层PSV上。第一电极AD可以通过穿过保护层PSV的第十接触孔CH10连接到桥图案BRP。由于桥图案BRP通过第七接触孔CH7连接到第六漏极DE6和第七源极SE7，所以第一电极AD可以最终连接到第六漏极DE6和第七源极SE7。
限定与每个像素PXL对应的发光区域的像素限定层PDL可以设置在其上形成有第一电极AD等的基底SUB上。像素限定层PDL可以暴露第一电极AD的顶表面并且沿像素PXL的圆周从基底SUB凸出。
发射层EML可以设置在由像素限定层PDL围绕的发光区域中，第二电极CD可以设置在发射层EML上。覆盖第二电极CD的封装层SLM可以设置在第二电极CD上。
第一电极AD和第二电极CD中的一个可以是阳极，第一电极AD和第二电极CD中的另一个可以是阴极。例如，第一电极AD可以是阳极，第二电极CD可以是阴极。
此外，第一电极AD和第二电极CD中的至少一个可以是透射电极。例如，当有机发光器件OLED是底部发射有机发光器件时，第一电极AD可以是透射电极，第二电极CD是反射电极。
当有机发光器件OLED是顶部发射有机发光器件时，第一电极AD可以是反射电极，第二电极CD可以是透射电极。
当有机发光器件OLED是双发射发光器件时，第一电极AD和第二电极CD都可以是透射电极。
在本示例性实施例中，作为示例描述了有机发光器件OLED是顶部发射有机发光器件且第一电极AD是阳极的情况。
第一电极AD可以包括能够反射光的反射层(未示出)和设置在反射层之上或之下的透明导电层(未示出)。透明导电层和反射层中的至少一个可以连接到第六漏极DE6。
反射层可以包括能够反射光的材料。例如，反射层可以包括从由铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)及其合金组成的组中选择的至少一种。
透明导电层可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)，氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺杂氟的氧化锡(FTO)中选择的至少一种透明导电氧化物。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷类树脂和硅烷类树脂中的至少一种。
发射层EML可以设置在第一电极AD的暴露的表面上。发射层EML可以具有至少包括光产生层(LGL)的多层薄膜结构。
例如，发射层EML可以包括：空穴注入层(HIL)，用于注入空穴；空穴传输层(HTL)，具有优异的空穴传输性质，HTL通过抑制不能在LGL中结合的电子的移动来用于增加空穴和电子再结合的机会，LGL通过注入的电子和空穴的再结合来发射光；空穴阻挡层(HBL)，用于抑制不能在LGL中结合的空穴的移动；电子传输层(ETL)，将电子平滑地传输到LGL；以及电子注入层(EIL)，用于注入电子。在发射层EML中，HIL、HTL、HBL、ETL和EIL可以是共同设置在彼此邻近的像素PXL中的公共层。
在LGL中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但是本示例性实施例不限于此。例如，在LGL中产生的光的颜色也可以是品红色、青色和黄色中的一种。
HIL、HTL、HBL、ETL和EIL可以是连接在邻近的发射区域中的公共层。
第二电极CD可以是半透射反射层。例如，第二电极CD可以是具有可以通过其透射通过发射层EML发射的光的厚度的薄金属层。第二电极CD可以透射从发射层EML发射的光的一部分，并且可以反射从发射层EML发射的其余的光。
第二电极CD可以包括具有比透明导电层的功函数低的功函数的材料。例如，第二电极CD可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)及其合金中的至少一种。
从发射层EML发射的光的一部分可以不透射穿过第二电极CD，从第二电极CD反射的光可以从反射层再次反射。即，从发射层EML发射的光可以在反射层和第二电极CD之间谐振。可以通过光的谐振来改善有机发光器件OLED的光提取效率。
反射层与第二电极CD之间的距离可以根据从发射层EML发射的光的颜色而改变。即，可以根据从发射层EML发射的光的颜色来调整反射层和第二电极CD之间的距离，以与谐振距离对应。
封装层SLM可以防止氧和湿气渗透到有机发光器件OLED中。封装层SLM可以包括多个无机层(未示出)和多个有机层(未示出)。例如，封装层SLM可以包括含有无机层和设置在无机层上的有机层的多个单元封装层。此外，无机层可以设置在封装层SLM的最上部处。无机层可以包括从由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化锡组成的组中选择的至少一种。
图6是详细示出图1中所示的扫描驱动器的构造的图。
参照图6，扫描驱动器110可以包括扫描级SST0至SSTn。
扫描级SST0至SSTn可以分别连接到扫描线S0至Sn的第一端。因此，扫描级SST0至SSTn可以将扫描信号G0至Gn分别供应到扫描线S0至Sn。
扫描级SST0至SSTn可以与从时序控制器150供应的时钟信号CLK1和CLK2对应地来操作。此外，扫描级SST0至SSTn可以用相同的电路来实现。
起始扫描级SST0可以供应有从时序控制器150供应的第一起始信号FLM1。此外，其它扫描级SST1至SSTn中的每个可以供应有其前一级的输出信号(即，扫描信号)。
例如，第一扫描级SST1可以供应有起始扫描级SST0的输出信号G0，第二扫描级SST2可以供应有第一扫描级SST1的输出信号G1。
根据本公开的示例性实施例，扫描驱动器110可以包括虚设扫描级DSST1至DSST4。
虚设扫描级DSST1至DSST4可以分别连接到虚设扫描线DS1至DS4的第一端。因此，虚设扫描级DSST1至DSST4可以将虚设扫描信号DG1至DG4分别供应到虚设扫描线DS1至DS4。
虚设扫描级DSST1至DSST4可以与从时序控制器150供应的时钟信号CLK1和CLK2对应地来操作。此外，虚设扫描级DSST1至DSST4可以用与扫描级SST0至SSTn相同的电路来实现。
第一虚设扫描级DSST1可以供应有最后的扫描级SSTn的输出信号Gn，其它虚设扫描级DSST2到DSST4中的每个可以供应有其前一虚设扫描级的输出信号(即，虚设扫描信号)。
同时，在图1和图6中，时钟信号包括第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2。然而，本公开不限于此，可以对供应到扫描驱动器110的时钟信号的数量进行各种改变。
图7是示出从扫描驱动器输出的扫描信号的输出时序的波形图。
首先，参照图7，时序控制器150可以将第一起始信号FLM1供应到起始扫描级SST0。
第一起始信号FLM1的低电平部分可以设置为与第一时钟信号CLK1的两个或更多个低电平部分叠置。
例如，如图7中所示，第一起始信号FLM1的低电平部分可以与第一时钟信号CLK1的三个低电平部分叠置。
如果供应了第一起始信号FLM1，则可以顺序地输出扫描信号G0至Gn。
具体地，与时钟信号CLK1和CLK2对应地，起始扫描级SST0可以通过移位第一起始信号FLM1来输出扫描信号G0。
特别地，扫描信号G0的低电平部分的数量可以与第一时钟信号CLK1的与第一起始信号FLM1的低电平部分叠置的低电平部分的数量对应。即，扫描信号G0可以具有三个低电平部分，其它扫描信号中的每个也可以具有三个低电平部分。
实际上，每个像素PXL可以与三个低电平部分之中的最后低电平部分中供应的数据信号对应而发射光。
下一扫描级SST1可以通过移位扫描信号G0来输出第一扫描信号G1。其它扫描信号G2至Gn可以以上述方式顺序地输出。
第一虚设扫描级DSST1可以通过使最后的扫描级SSTn的输出信号Gn移位来输出第一虚设扫描信号DG1。其它的虚设扫描信号DG2至DG4可以以上述方式顺序地输出。
第一虚设扫描信号DG1可以具有三个低电平部分，而其它虚设扫描信号DG2至DG4中的每个也可以具有三个低电平部分。
在下文中，将参照图1和图7来描述当虚设扫描信号DG1至DG4供应到虚设扫描线DS1至DS4时，充入浮置状态下的数据线中的数据信号的大小减小的情况。
参照图1，第一节点N1的电压可以与虚设扫描信号对应，第二节点N2的电压可以与充入数据线中的数据信号对应。
如果第一虚设扫描信号DG1的电平在第六时间段t6从高电平变为低电平，则第二节点N2的电压可以由于耦合效应而减小ΔV，并且ΔV可以由下面的等式1来表示。
等式1
Figure BDA0001657779030000211
在等式1中，VGH表示与第一虚设扫描信号DG1的高电平对应的电压的大小，VGL表示与第一虚设扫描信号DG1的低电平对应的电压的大小，C表示负载匹配电容C，Cdata表示在与数据线叠置的其它线(或有源图案，但不包括虚设扫描线)之间的电容。
参照图7，第一扫描信号G0至第n-4扫描信号Gn-4不与虚设扫描信号DG1至DG4叠置。另一方面，第n-3扫描信号Gn-3至第n扫描信号Gn与虚设扫描信号DG1至DG4叠置。
当假设第一像素行到第n-4像素行为第一像素行，而其它像素行为第二像素行时，电压减小ΔV的数据信号可以充入设置在第二像素行上的像素PXL中。
同时，负载匹配电容C的大小可以通过考虑设置在每个像素PXL中的存储电容器Cst、Cdata的大小以及形成在每个像素PXL中的寄生电容器等来设计。
根据本公开的示例性实施例，数据信号可以同时供应到位于多个像素行上的像素PXL。
例如，参照图7，第n-4扫描信号Gn-4的最后的低电平部分、第n-2扫描信号Gn-2的第二低电平部分以及第n扫描信号Gn的第一低电平部分可以彼此叠置。
由于当供应扫描信号时，像素PXL供应有数据信号，所以数据信号可以同时供应到位于第n-4像素行上的像素PXL、位于第n-2像素行上的像素PXL以及位于第n像素行上的像素PXL。
图8A是示例性示出根据传统技术的供应到像素的驱动晶体管的栅极的数据信号的波形的图，图8B是示例性示出根据本公开的供应到像素的驱动晶体管的栅极的数据信号的波形的图。
在图8A和图8B中，为了便于描述，对于连接到第j数据线的像素，在(a)中示出了供应到位于第n-4像素行上的像素的驱动晶体管(与图2中所示的第一晶体管T1对应)的栅极的数据信号，在(b)中示出了供应到位于第n-3像素行上的像素的驱动晶体管的栅极的数据信号，在(c)中示出了供应到位于第n-2像素行上的像素的驱动晶体管的栅极的数据信号，在(d)中示出了供应到位于第n-1像素行上的像素的驱动晶体管的栅极的数据信号，在(e)中示出了供应到位于第n像素行上的像素的驱动晶体管的栅极的数据信号。此外，假设具有相同大小的数据信号施加到各个像素。
此外，在图8A和图8B中，用粗虚线来表示与在数据线中充入的数据信号(而不是供应到各个像素PXL的驱动晶体管的栅极的数据信号)对应的波形。
参照图7和图8A，当在第一时间段t1、第三时间段t3和第五时间段t5中将扫描信号供应到位于第n-4像素行上的像素PXL时，如图8A的(a)中所示的数据信号可以施加到位于第n-4像素行上并且结合到第j数据线的像素的驱动晶体管的栅极。
特别地，在第五时间段t5期间，数据信号供应到设置在包括第n-4像素行的三个像素行上的像素，并且数据信号可以以第一值V1充入位于第n-4像素行上的像素中。
接下来，当扫描信号在第二时间段t2、第四时间段t4和第六时间段t6中供应到位于第n-3像素行上的像素PXL时，如图8A的(b)中所示的数据信号可以施加到位于第n-3像素行上且结合到第j数据线的像素的驱动晶体管的栅极。
特别地，在第六时间段t6期间，数据信号供应到设置在包括第n-3像素行的两个像素行上的像素，并且数据信号可以以第二值V2充入位于第n-3像素行上的像素中。在这种情况下，第二值V2可以比第一值V1大。
即，尽管相同的数据信号施加到第n-4像素行和第n-3像素行，但是数据信号施加到第n-4像素行与第n-3像素行的速度彼此不同。因此，可以将第n-3像素行的亮度视为比第n-4像素行的亮度亮。
当扫描信号在第三时间段t3、第五时间段t5和第七时间段t7中供应到位于第n-2像素行上的像素PXL时，如图8A的(c)中所示的数据信号可以施加到位于第n-2像素行上且结合到第j数据线的像素的驱动晶体管的栅极。
特别地，在第七时间段t7期间，数据信号供应到设置在包括第n-2像素行的两个像素行上的像素，并且数据信号可以以第二值V2充入位于第n-2像素行上的像素中。
由于同时施加有数据信号的像素行的数量增加，负载增加，因此，数据信号的充入速度会延迟。因此，第二值V2可以比第一值V1大。
即，尽管将相同的数据信号施加到第n-4像素行和第n-2像素行，但是数据信号施加到第n-4像素行和第n-2像素行的速度彼此不同。因此，可以将第n-2像素行的亮度视为比第n-4像素行的亮度亮。
当扫描信号在第四时间段t4、第六时间段t6和第八时间段t8中供应到位于第n-1像素行上的像素PXL时，如图8A的(d)中所示的数据信号可以施加到位于第n-1像素行上且结合到第j数据线的像素的驱动晶体管的栅极。
特别地，在第八时间段t8期间，数据信号供应到设置在第n-1像素行上的像素，并且数据信号可以以第三值V3充入位于第n-1像素行上的像素中。在这种情况下，第三值V3可以比第二值V2大。
即，尽管将相同的数据信号施加到第n-2像素行和第n-1像素行，但是数据信号施加到第n-2像素行和第n-1像素行的速度彼此不同。因此，可以将第n-1像素行的亮度视为比第n-2像素行的亮度亮。
最后，当扫描信号在第五时间段t5、第七时间段t7和第九时间段t9中供应到位于第n像素行上的像素PXL时，如图8A的(e)中所示的数据信号可以施加到位于第n像素行上且结合到第j数据线的像素的驱动晶体管的栅极。
特别地，在第九时间段t9期间，数据信号供应到设置在第n像素行上的像素，并且数据信号可以以第三值V3充入位于第n像素行上的像素。在这种情况下，第三值V3可以比第二值V2大。
即，尽管相同的数据信号施加到第n-2像素行和第n像素行，但是数据信号施加到第n-2像素行和第n像素行的速度彼此不同。因此，可以将第n像素行的亮度视为比第n-2像素行的亮度亮。然而，根据本公开的示例性实施例，在其中供应有虚设扫描信号DG1至DG4的第六时间段t6至第九时间段t9期间，可以减小供应到像素的数据信号的大小。因此，数据信号可以以第一值V1或类似于第一值V1的值充入设置在最后的四个像素行上的像素中。
参照图7和图8B，由于第一虚设扫描信号DG1在第六时间段t6期间供应，所以数据信号的大小减小ΔV，并且在像素PXL中充入的数据信号也对应于减小的数据信号而减小。
即，在第六时间段t6期间，如图8B的(b)中所示，具有第一值V1的数据信号被充入位于第n-3像素行上的像素PXL中。如图8B的(d)中所示，具有第一值V1的数据信号也可以被充入位于第n-1像素行上的像素PXL中。
接下来，由于第二虚设扫描信号DG2在第七时间段t7期间供应，所以数据信号的大小减小ΔV，并且在像素PXL中充入的数据信号也对应于减小的数据信号而减小。
即，在第七时间段t7期间，如图8B的(c)中所示，具有第一值V1的数据信号被充入位于第n-2像素行上的像素PXL中。如图8B的(e)中所示，具有第一值V1的数据信号也可以被充入位于第n像素行上的像素PXL中。
接下来，由于第三虚设扫描信号DG3在第八时间段t8期间供应，所以数据信号的大小减小ΔV，并且在像素PXL中充入的数据信号也对应于减小的数据信号而减小。
即，在第八时间段t8期间，如图8B的(d)中所示，具有第一值V1的数据信号可以被充入位于第n-1像素行上的像素PXL中。
最后，在第九时间段t9期间，由于在第九时间段t9供应了第四虚设扫描信号DG4，所以数据信号的大小减小ΔV，并且在像素PXL中充入的数据信号也对应于减小的数据信号而减小。
即，在第九时间段t9期间，如图8B的(e)中所示，具有第一值V1的数据信号被充入位于第n像素行上的像素PXL中。参照图8B，数据信号以第一值V1充入设置在最后的四个像素行上的像素中，因此，可以以均匀的亮度来显示图像。
图9是详细示出虚设扫描线和数据线的交叉区域的平面图。图10是沿图9的III-III’线截取的剖视图。
特别地，为了便于描述，在图9和图10中示出了第一虚设扫描线DS1和第j数据线Dj的交叉区域。在图9和图10中，由同样的附图标记来指示与图3至图5的组件相同的组件，并且省略对与图3至图5的内容叠置的内容的描述。
第一虚设扫描线DS1可以在第一方向DR1上延伸。第一虚设扫描线DS1可以施加有第一虚设扫描信号DG1。
第j数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸。数据信号可以施加到第j数据线Dj。
第一虚设电极UEC1可以与第一虚设扫描线DS1的一部分和第j数据线Dj的一部分叠置。特别地，第一虚设电极UEC1可以覆盖其中第一虚设扫描线DS1和第j数据线Dj彼此交叉的区域。
第一虚设电极UEC1可以通过第十一接触孔CH11连接到第j数据线Dj。
负载匹配电容C可以形成在彼此交叉的第一虚设扫描线DS1和第一虚设电极UEC1之间。
在下文中，将沿堆叠顺序来描述根据本公开的示例性实施例的显示装置的结构。
栅极绝缘层GI可以设置在基底SUB上。
第一虚设扫描线DS1可以设置在栅极绝缘层GI上。第一虚设扫描线DS1可以与扫描线S0至Sn同时形成在同一层中。
第一层间绝缘层IL1可以设置在其上形成有第一虚设扫描线DS1的基底SUB上。
第一虚设电极UEC1可以设置在第一层间绝缘层IL1上。第一虚设电极UEC1可以覆盖第一虚设扫描线DS1，第一虚设电极UEC1和第一虚设扫描线DS1可以构成形成负载匹配电容C的电容器，并且在第一虚设电极UEC1和第一虚设扫描线DS1之间插设有第一层间绝缘层IL1。
第一虚设电极UEC1可以与上电极UE和初始化电力线IPL同时形成在同一层中。
第二层间绝缘层IL2可以设置在其上设置有第一虚设电极UEC1的基底SUB上。
第j数据线Dj可以设置在第二层间绝缘层IL2上。第j数据线Dj可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第十一接触孔CH11连接到第一虚设电极UEC1。
参照图1、图9和图10，第一虚设扫描线DS1可以与第一节点N1对应，第十一接触孔CH11可以与第二节点N2对应。
图11是详细示出根据本公开的另一示例性实施例的虚设扫描线和数据线的交叉区域的平面图。图12是沿图11的IV-IV’线截取的剖视图。
特别地，为了便于描述，在图11和图12中示出了第一虚设扫描线DS1和第j数据线Dj的交叉区域。在图11和图12中，由同样的附图标记来指示与图3至图5的组件相同的组件，并且省略对与图3至图5的内容叠置的内容的描述。
第一虚设扫描线DS1可以在第一方向DR1上延伸。第一虚设扫描线DS1可以施加有第一虚设扫描信号DG1。
第j数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸。数据信号可以施加到第j数据线Dj。
第一虚设有源图案ACT8可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。
当在平面图中观察时，第一虚设有源图案ACT8可以与第一虚设扫描线DS1叠置。此外，当在平面图中观察时，第一虚设有源图案ACT8也可以与第j数据线Dj叠置。在这种情况下，第一虚设有源图案ACT8可以通过第十二接触孔CH12和第十三接触孔CH13连接到第j数据线Dj。
第一虚设有源图案ACT8、第一虚设扫描线DS1和第j数据线Dj可以构成第一虚设晶体管。在这种情况下，第一虚设扫描线DS1可以成为第一虚设晶体管的栅极，第j数据线Dj可以成为源极和漏极，第一虚设有源图案ACT8可以成为沟道。
负载匹配电容C可以形成在彼此叠置的第一虚设有源图案ACT8和第一虚设扫描线DS1之间。
在下文中，将根据堆叠顺序来描述根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的结构。
第一虚设有源图案ACT8可以设置在基底SUB上。第一虚设有源图案ACT8可以由半导体材料形成。在这种情况下，第一虚设有源图案ACT8可以与第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7同时形成在同一层中。
栅极绝缘层GI可以设置在其上形成第一虚设有源图案ACT8的基底SUB上。
第一虚设扫描线DS1可以设置在栅极绝缘层GI上。第一虚设扫描线DS1可以与扫描线S0至Sn同时形成在同一层中。
第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2可以设置在其上形成有第一虚设扫描线DS1的基底SUB上。
第j数据线Dj可以设置在第二层间绝缘层IL2上。第j数据线Dj可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第十二接触孔CH12和第十三接触孔CH13连接到第一虚设有源图案ACT8。
在这种情况下，负载匹配电容C可以形成在第一虚设有源图案ACT8和第一虚设扫描线DS1之间。
参照图1、图11和图12，第一虚设扫描线DS1可以与第一节点N1对应，第十二接触孔CH12或第十三接触孔CH13可以与第二节点N2对应。
图13是详细示出根据本公开的又一示例性实施例的虚设扫描线和数据线的交叉区域的平面图。图14是沿着图13的V-V’线截取的剖视图。
特别地，为了便于描述，在图13和图14中示出了第一虚设扫描线DS1和第j数据线Dj的交叉区域。在图13和图14中，由同样的附图标记来指示与图3至图5的组件相同的组件，并且省略对与图3至图5的内容叠置的内容的描述。
第一虚设扫描线DS1可以在第一方向DR1上延伸。第一虚设扫描信号DG1可以施加到第一虚设扫描线DS1。
第j数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸。数据信号可以施加到第j数据线Dj。
第二虚设电极UEC2可以与第j数据线Dj的一部分叠置。第二虚设电极UEC2和第j数据线Dj可以通过第十六接触孔CH16彼此连接。
第一辅助数据线SDj1和第二辅助数据线SDj2可以沿着第二方向DR2延伸同时彼此间隔开，第二虚设电极UEC2可以位于第一辅助数据线SDj1和第二辅助数据线SDj2之间。
第一辅助数据线SDj1和第二辅助数据线SDj2可以将第一虚设扫描信号DG1供应到第二虚设有源图案ACT9。
为此，第一辅助数据线SDj1的一端可以通过第十四接触孔CH14连接到第一虚设扫描线DS1，第一辅助数据线SDj1的另一端可以通过第十五接触孔CH15连接到第二虚设有源图案ACT9。
此外，第二辅助数据线SDj2的一端可以通过第十八接触孔CH18连接到第一虚设扫描线DS1，第二辅助数据线SDj2的另一端可以通过第十七接触孔CH17连接到第二虚设有源图案ACT9。
第二虚设有源图案ACT9可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第二虚设有源图案ACT9可以与第一辅助数据线SDj1、第二辅助数据线SDj2和第j数据线Dj的部分叠置。第二虚设有源图案ACT9也可以与第二虚设电极UEC2叠置。
第二虚设有源图案ACT9、第二虚设电极UEC2、第一辅助数据线SDj1和第二辅助数据线SDj2可以构成第二虚设晶体管。在这种情况下，第二虚设电极UEC2可以成为第二虚设晶体管的栅极，第一辅助数据线SDj1和第二辅助数据线SDj2可以分别成为源极和漏极，第二虚设有源图案ACT9可以成为沟道。
负载匹配电容C可以形成在彼此叠置的第二虚设电极UEC2和第二虚设有源图案ACT9之间。
在下文中，将根据堆叠顺序来描述根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的结构。
第二虚设有源图案ACT9可以设置在基底SUB上。第二虚设有源图案ACT9可以由半导体材料形成。在这种情况下，第二虚设有源图案ACT9可以与第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7和第一虚设有源图案ACT8同时形成在同一层中。
栅极绝缘层GI可以设置在其上形成第二虚设有源图案ACT9的基底SUB上。
第一虚设扫描线DS1和第二虚设电极UEC2可以设置在栅极绝缘层GI上。第一虚设扫描线DS1和第二虚设电极UEC2可以与扫描线S0至Sn同时形成在同一层中。
第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2可以设置在其上形成有第一虚设扫描线DS1等的基底SUB上。
第j数据线Dj、第一辅助数据线SDj1和第二辅助数据线SDj2可以设置在第二层间绝缘层IL2上。
第j数据线Dj可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第十六接触孔CH16连接到第二虚设电极UEC2。
此外，第一辅助数据线SDj1可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第十四接触孔CH14连接到第一虚设扫描线DS1。第一辅助数据线SDj1可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第十五接触孔CH15连接到第二虚设有源图案ACT9。因此，第二虚设有源图案ACT9可以通过第一辅助数据线SDj1连接到第一虚设扫描线DS1。
此外，第二辅助数据线SDj2可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第十八接触孔CH18连接到第一虚设扫描线DS1。第二辅助数据线SDj2可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第十七接触孔CH17连接到第二虚设有源图案ACT9。因此，第二虚设有源图案ACT9可以通过第二辅助数据线SDj2连接到第一虚设扫描线DS1。
参照图1、图13和图14，第十四接触孔CH14或第十八接触孔CH18可以与第一节点N1对应，第十六接触孔CH16可以与第二节点N2对应。
同时，在图1至图14中，可以通过在虚设扫描线DS1至DS4和数据线D1至Dm之间设置虚设电极来形成负载匹配电容C，或者将连接到虚设扫描线DS1至DS4和数据线D1至Dm的晶体管的沟道区和栅极之间的电容用作负载匹配电容C。然而，本公开不限于此。
图15是具体示出根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的构造的图。图16是示出根据本公开的另一示例性实施例的从扫描驱动器输出的扫描信号的输出时序的波形图。
在图15和图16中，由同样的附图标记来指示与图1和图7的组件相同的组件，并且省略对与图1和图7的内容叠置的内容的描述。
参照图15，两条虚设扫描线DS1和DS2可以设置在显示装置10’的显示区域AA的外部。
时序控制器150可以将第一起始信号FLM1’供应到起始扫描级SST0。
与图7中所示不同的是，第一起始信号FLM1’的低电平部分可以与第一时钟信号CLK1的两个低电平部分叠置。
如果供应了第一起始信号FLM1’，则扫描信号G0’至Gn’可以顺序地输出。
具体地，与时钟信号CLK1和CLK2对应地，起始扫描级SST0可以通过使第一起始信号FLM1’移位来输出扫描信号G0’。
特别地，扫描信号G0’的低电平部分的数量可以与第一时钟信号CLK1的与第一起始信号FLM1’的低电平部分叠置的低电平部分的数量对应。即，扫描信号G0’可以具有两个低电平部分，并且其它扫描信号G1’至Gn’中的每个扫描信号也可以具有两个低电平部分。
实际上，每个像素PXL可以发射与在两个低电平部分之间的最后的低电平部分中供应的数据信号对应的光。
下一扫描级SST1可通过移位扫描信号G0’来输出第一扫描信号G1’。其它扫描信号G2’至Gn’可以以上述方式顺序地输出。
第一虚设扫描级DSST1可通过移位最后的扫描级SSTn的输出信号Gn’来输出第一虚设扫描信号DG1’。另一虚设扫描信号DG2’可以以上述方式顺序地输出。
第一虚设扫描信号DG1’可以具有两个低电平部分，而另一虚设扫描信号DG2’也可以具有两个低电平部分。
参照图16，供应到第一像素行至第n-3像素行的每个扫描信号的低电平部分中的最后的低电平部分与另一扫描信号的低电平部分中的第一低电平部分叠置。
如果不设置用于形成预定电容的虚设扫描线DS1和DS2，则供应到第n-1像素行和第n像素行的每个扫描信号的低电平部分中的最后的低电平部分不与另一扫描信号的低电平部分叠置。
即，供应到第一像素行至第n-3像素行的数据信号的延迟值比供应到第n-1像素行和第n像素行的数据信号的延迟值大，因此，会发生像素行之间的亮度变化。
然而，根据本公开的示例性实施例，可以设置用于降低第n-1像素行和第n像素行的亮度的两条虚设扫描线。
可以根据包括在每个扫描信号中的低电平部分的数量(或者被同时供应通过一条数据线供应的数据信号的像素行的数量)来确定虚设扫描线的数量。即，虚设扫描线的数量不限于图1和图15中所示的那些，并且可以进行各种改变。
图17是具体示出根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的构造的图。
在图17中，由同样的附图标号来指示与图1的组件相同的组件，并且省略对与图1的内容叠置的内容的描述。
参照图17，显示区域AA’的边界具有曲线形状。例如，显示区域AA’可以具有圆形或椭圆形形状。在图17中，示出了显示装置10”的显示区域AA’具有圆形形状。然而，除了显示区域AA’以外的剩余的外围区域可以具有与显示区域AA’的形状对应的圆形形状，或者可以不具有曲线形状。
像素PXL可位于显示区域AA’中。像素PXL可以设置为与显示区域AA’的形状对应。
例如，设置在第一像素行和最后的像素行中的每个像素行上的像素PXL的数量是最少的，并且随着像素行变得更靠近显示区域AA’的中心，更多数量的像素PXL可以设置在像素行上。
此外，设置在第一像素列(连接到第一数据线D1的像素PXL)和最后的像素列(连接到第m数据线Dm的像素PXL)中的每个像素列上的像素PXL的数量最少，并且随着像素列变得更靠近显示区域AA’的中心，更多数量的像素PXL可以设置在像素列上。
即，根据本公开的示例性实施例，位于像素行上的像素PXL的数量对于每个区域可以是不同的。
同时，在图17中，扫描线S0至Sn的长度彼此不同，但是本公开不限于此。例如，扫描线S0至Sn的长度可以彼此相等或相似。
此外，图17示出了数据线D1至Dm的长度彼此相同或相似，但是本公开不限于此。
此外，数据线D1至Dm中的每条数据线的长度可以与设置在对应的像素列上的像素的数量对应。具体地，数据线的长度可以随着数据线变得更靠近显示区域AA’的中心而增大。
虚设扫描线DS1至DS4中的每条虚设扫描线可以定位为与数据线D1至Dm交叉，负载匹配电容可以形成在其中虚设扫描线DS1至DS4和数据线D1至Dm彼此交叉的区域中的每个区域中。
然而，由于连接到各条数据线D1至Dm的像素PXL的数量彼此不同，所以各条数据线D1至Dm的Cdata的大小可以彼此不同。因此，负载匹配电容的大小被设计为根据位置而改变，使得各条数据线的负载匹配电容的大小的总和可以等于各条数据线的Cdata的大小的总和。
例如，第一负载匹配电容C1可以形成在第一数据线D1和虚设扫描线DS1至DS4之间以及最后的数据线Dm和虚设扫描线DS1至DS4之间，第二负载匹配电容C2可以形成在第二数据线D2与虚设扫描线DS1至DS4之间以及第m-1数据线Dm-1与虚设扫描线DS1至DS4之间，第三负载匹配电容C3可以形成在第三数据线D3与虚设扫描线DS1至DS4之间以及第m-2数据线Dm-2与虚设扫描线DS1至DS4之间，第四负载匹配电容C4可以形成在第四数据线D4与虚设扫描线DS1至DS4之间以及第m-3数据线Dm-3与虚设扫描线DS1至DS4之间。
在这种情况下，第一负载匹配电容C1可以比第二负载匹配电容C2大，第二负载匹配电容C2可以比第三负载匹配电容C3大，第三负载匹配电容C3可以比第四负载匹配电容C4大。
负载匹配电容C1至C4的大小可以通过调整虚设扫描线DS1至DS4中的每条虚设扫描线与第一虚设电极UEC1的叠置区域、虚设扫描线DS1至DS4中的每条虚设扫描线与第一虚设有源图案ACT8的叠置区域或者虚设扫描线DS1至DS4中的每条虚设扫描线与第二虚设有源图案ACT9的叠置区域来调整。
根据本公开，能够提供一种其中以均匀的亮度显示图像的显示装置。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是通过该描述，其它示例性实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的示例性实施例，而是限于所给出的权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。

Claims (22)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素，设置在显示区域中；
数据线，连接到所述像素，所述数据线被构造为向所述像素提供数据信号；
扫描线，连接到所述像素，所述扫描线被构造为向所述像素提供扫描信号；以及
虚设扫描线，在围绕所述显示区域的外围区域中与所述数据线交叉并且被供应有虚设扫描信号，
其中，在所述虚设扫描线和与所述虚设扫描线交叉的所述数据线之间形成电容，并且
其中，通过利用所述电容，与所述虚设扫描信号的变化对应地补偿供应到设置在第一像素行上的像素的数据信号的大小与供应到设置在第二像素行上的像素的数据信号的大小之间的差值。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述扫描线和所述虚设扫描线在第一方向上延伸，所述数据线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述虚设扫描线不连接到所述像素。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第二像素行设置在所述第一像素行下；并且
所述扫描信号供应到设置在所述第一像素行上的像素比供应到设置在所述第二像素行上的像素早。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述扫描信号中的每个扫描信号包括多个低电平部分。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括被构造为向所述扫描线供应扫描信号的扫描驱动器，所述扫描驱动器被构造为向所述虚设扫描线供应所述虚设扫描信号。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素中的每个像素包括晶体管，所述晶体管包括：
有源图案；
栅极，设置在所述有源图案上，并且在所述栅极和所述有源图案之间插设有栅极绝缘层；
层间绝缘层，包括覆盖所述栅极的第一层间绝缘层和设置在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层；以及
源极和漏极，设置在基底上，所述源极和所述漏极均连接到所述有源图案。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第一层间绝缘层上的第一虚设电极，
其中，所述第一虚设电极的一部分与所述虚设扫描线叠置，使得所述电容形成在所述第一虚设电极和所述虚设扫描线之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一虚设电极通过穿过所述第二层间绝缘层的接触孔连接到与所述虚设扫描线交叉的所述数据线。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，供应到所述数据线的数据信号的大小对应于供应到所述虚设扫描线的虚设扫描信号的改变而改变。
11.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在基底上的第一虚设有源图案，
其中，所述第一虚设有源图案的一部分与所述虚设扫描线叠置，使得所述电容形成在所述第一虚设有源图案和所述虚设扫描线之间。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一虚设有源图案通过穿过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的接触孔连接到与所述虚设扫描线交叉的所述数据线。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述虚设扫描线、所述第一虚设有源图案和所述数据线形成第一虚设晶体管。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，供应到所述数据线的数据信号的大小对应于供应到所述虚设扫描线的虚设扫描信号的改变而改变。
15.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二虚设有源图案，设置在基底上；
第二虚设电极，设置在所述栅极绝缘层上；以及
辅助数据线，设置在所述层间绝缘层上。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二虚设有源图案的一部分与所述第二虚设电极叠置，使得所述电容形成在所述第二虚设有源图案和所述第二虚设电极之间。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中：
所述辅助数据线的第一端通过穿过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的接触孔连接到所述第二虚设有源图案；
所述辅助数据线的第二端通过穿过所述层间绝缘层的接触孔连接到所述虚设扫描线；
所述第二虚设电极通过穿过所述层间绝缘层的接触孔连接到与所述虚设扫描线交叉的数据线。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二虚设有源图案、所述第二虚设电极和所述辅助数据线形成第二虚设晶体管。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，供应到所述数据线的数据信号的大小对应于通过所述虚设扫描线和所述辅助数据线供应到所述第二虚设有源图案的虚设扫描信号的改变而改变。
20.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示区域的边界的至少一部分具有曲线形状。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述电容形成在所述虚设扫描线和所述数据线的交叉区域中的每个交叉区域中，并且所述电容的大小根据区域而改变。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述电容的大小随着所述电容的位置变得更靠近外部部分的数据线而增大。
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