TWI776418B - 突崩式光電二極體與製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是有關於半導體結構，且特別是有關於突崩式光電二極體與製造方法。此結構包括：一基板材料，其具有一溝渠，該溝渠具有由該基板材料構成的多個側壁和一底部；一第一半導體材料，其襯在該溝渠的該等側壁和該底部；一感光半導體材料，其設置在該第一半導體材料上；以及一第三半導體材料，其設置在該感光半導體材料上。

Description

突崩式光電二極體與製造方法
本發明是有關於半導體結構，且特別是有關於突崩式光電二極體與製造方法。
突崩式光電二極體(APD)是一種高敏感的半導體光電二極體，其利用光電效應將光轉化為電能。從功能的角度來看，突崩式光電二極體可視為光電倍增管的半導體模擬物。突崩式光電二極體的典型應用為遠程光纖電信，以及用於控制演算法的量子感測。較新的應用包括正電子發射斷層掃描和粒子物理學。
突崩式光電二極體的適用性和實用性取決於許多參數，例如兩個因素是量子效率和總洩漏。量子效率指出入射光子被吸收並用於產生初級電荷載子的程度；而總洩漏電流係指暗電流、光電流和噪訊的總和。
光電二極體的靈敏度取決於光通過感光材料的路徑長度，以及產生的載子對到達電極/接點/陰極之能力。在傳統結構中，載子在二維路徑中行進，例如垂直或橫向，這導致長路徑。由於傳統突崩式光電二極體的路徑較長，感光材料內光子復合頻率很高，從而導致信號遺失或信號本身減弱。此外，感光材料本身需要非常厚，生長起來既昂貴又耗時，這讓與其他電路元件的整合更具挑戰性。
在本發明一樣態中，一種結構包括：一基板材料，其具有一溝渠，該溝渠具有包含該基板材料的多個側壁和一底部；一第一半導體材料，其襯在該溝渠的該等側壁和該底部；一感光半導體材料，其設置在該第一半導體材料上；以及一第三半導體材料，其設置在該感光半導體材料上。
在本發明一樣態中，一種結構包括：一半導體材料；一溝渠，其形成於該半導體材料中，該溝渠具有多個側壁和一底部；一半導體材料，其具有一第一摻雜劑類型（dopant type），其襯在該溝渠的該等側壁和該底部上；一本質感光半導體材料，其與該半導體材料接觸；一第二半導體材料，其具有該第一摻雜劑類型且位於該溝渠中，並且接觸該本質感光半導體材料；以及一隔離結構，其包括圍繞該溝渠並定位遠離該本質感光半導體材料的反射材料。
在本發明一樣態中，一種方法包括：在一基板內形成一溝渠；在該溝渠的多個側壁和一底部上提供半導體材料的一襯墊；在該溝渠之內的該半導體材料上形成一未摻雜的感光材料；在該溝渠的一外側之內的該未摻雜感光材料上形成另一半導體材料；以及在該基板中形成具有反射材料的多個溝渠結構，與該半導體材料的該襯墊相鄰。
本發明是有關於半導體結構，且特別是有關於突崩式光電二極體與製造方法。 更具體地，本發明涉及形成同心形狀（或其他形狀）突崩式光電二極體的結構及方法。有利地，除了單元的密集堆積和改進的反射之外，本文所述的突崩式光電二極體由於特定形狀因子（例如圓形）而表現出增加的靈敏度。此外，突崩式光電二極體可使用已建立/現有的處理與其他裝置整合。
在更具體實施例中，突崩式光電二極體形成於具有由暴露的半導體材料所構成側壁和底部之溝渠中。與在側壁上具有氧化物來抑制鍺(Ge)材料在側壁上生長相比，沿溝渠的側壁和底部提供諸如矽這類半導體材料，以增強例如Ge層的感光材料生長。也就是，在本文呈現的結構中，Ge層從溝渠的底部和側壁生長，而不是僅從溝渠的底部生長。
在具體實施例中，通過實施本文的結構，分層磊晶生長（相對於固體Ge塊）可用於為生成的載子建立更短的三維（3D）路徑（相對於嚴格線性路徑），從而降低載子在偵測之前重組的風險。在進一步具體實施例中，在溝渠內部從底部和外部按層生長多膜堆疊，在結構中心具有P+插塞以提供用於突崩式二極體操作的偏壓（biasing）。
本發明的該突崩式光電二極體可用許多不同工具以許多方式來製造。一般來說，該等方法與工具用來形成尺寸為毫米與奈米等級的結構。用來製造本發明中該堆疊閘極電晶體的該等方法，即技術，採用積體電路（IC，integrated circuit）技術，例如：這些結構建立在晶圓上，並且通過在晶圓頂部上以光微影蝕刻製程來製作圖案的材料膜來實現。尤其是，該堆疊閘極電晶體的製造使用三種基本構件：(i)將材料薄膜沉積在一基材上，(ii)利用光微影蝕刻成像將一製圖光罩應用於該等薄膜頂端上，以及(iii)選擇地將該等薄膜蝕刻至該光罩。
圖1顯示根據本發明態樣的其他特徵之間具有一溝渠的基板與個別製程。更具體地，結構10包括一基板12。基板12可為例如CMOS晶片的代表。在具體實施例中，基板12較佳為Si材料；不過本文也考慮其他半導體材料。例如，基板12可由任何合適的材料組成，包括SiC、GaAs、InAs、InP和其他III/V或II/VI族化合物半導體。在較佳具體實施例中，基板12是由單一半導體材料，例如塊矽，所構成的N型基板；不過如關於圖9所描述，例如基板12可為P型基板。
硬遮罩14沉積於基板12上。在具體實施例中，精通技術人士已知硬遮罩14可為氮化物或其他硬遮罩材料，從而不需進一步解釋就能完全了解本發明。硬遮罩14可通過已知的沉積方法沉積，例如化學氣相沉積(CVD)處理。硬遮罩14將防止在後續處理中，半導體材料在基板12的表面上磊晶生長。
仍然參考圖1，使用精通技術人士已知的傳統微影和蝕刻處理，在基板12中形成溝渠16。在一個非限制性範例中，溝渠16可具有大約2.5 µm的深度（不過本文中也考慮其他尺寸）。在形成溝渠16時，例如：為了形成下方通孔16，露出在硬遮罩14之上形成的抗蝕劑，來形成圖案(開口)。使用選擇性化學物質的蝕刻處理，例如反應離子蝕刻(RIE，reactive ion etching)，通過硬遮罩14和抗蝕劑的開口在基板12內形成一或多個溝渠16。如關於圖6A和圖6B所描述，溝渠16可具有許多不同的組態，例如圓形、方形等。HF清潔可接在蝕刻處理之後，以從溝渠16的表面去除污染物，從而確保溝渠16的底面和側壁之已露出半導體材料有清潔的表面。然後用傳統氧氣灰化處理或其他已知剝離劑去除抗蝕劑。
由於蝕刻處理期間化學物質的選擇性，相對於硬遮罩14的開口，可在硬遮罩14下方橫向蝕刻基板12。通過具有橫向凹槽，將在溝渠16上方形成硬遮罩14的突出部分16a。突出部分16a將釘住錯位(dislocation)，保持材料之間的分離，避免夾斷(pinch-off)並改善後續處理中的磊晶生長。
在圖2中，半導體材料18生長在溝渠16的底面和側壁上，突出部分16a下方。在具體實施例中，半導體材料18是通過從溝渠16的側壁和底面上露出的半導體材料開始，以選擇性磊晶生長處理所形成的襯墊。例如，半導體材料18可在圓環中生長。如精通技術人士應理解的，硬遮罩14將防止半導體材料在溝渠16之外的基板12之表面上生長。半導體材料18將是P型半導體材料，較佳由與基板12相同的材料構成，例如Si。在替代具體實施例中，半導體材料18可為不同的材料，例如SiGe。
如圖3所示，額外半導體材料20選擇性生長在半導體材料18上。在具體實施例中，額外半導體材料20是通過磊晶生長處理形成的本質感光半導體材料(未摻雜)。半導體材料20較佳為Ge材料，以提供優異的響應性，並且比由半導體材料18構成的襯墊更厚。在替代具體實施例中，半導體材料20可為Si、SiGe等。然後在半導體材料20上方的溝渠17之剩餘部分中生長半導體材料22。半導體材料22也將在半導體材料20的上部露出表面上生長，半導體材料22較佳為與半導體材料18相同的材料，例如，半導體材料22為P+型半導體材料或多晶矽。
在具體實施例中，半導體材料22是結構中心的P+插塞，以提供用於突崩式光電二極體操作的偏壓。在此方式中，可形成N-P-I-P光電二極體25。更具體地，光電二極體25中心的P+材料（例如半導體材料22）和SiGe材料（例如半導體材料20）的側面和底部上之P+材料（例如半導體材料18）形成在三個維度上有偏差的突崩式光電二極體（APD），增加在載子重組之前拾取信號的可能性。
在圖4內，此時通過選擇性蝕刻處理移除硬遮罩。在具體實施例中，硬遮罩去除將在半導體材料22與溝渠16（例如光電二極體25）的邊緣之間留下空間「x」。圍繞現已填滿的溝渠16（例如光電二極體25）形成淺溝渠隔離結構或深氧化物填充/內襯溝渠24。在具體實施例中，淺溝渠隔離結構或深氧化物填充/內襯溝渠24應與本質材料（intrinsic material）（例如Ge材料20）間隔開，以避免損壞這些材料，並因此減少捕獲光子的任何可能性。此外，取決於性能參數，淺溝渠隔離結構或深氧化物填充/內襯溝渠24可具有各種深度，包括低於溝渠16（例如光電二極體25）的深度。
淺溝渠隔離結構或深氧化物填充/內襯溝渠24可通過傳統微影、蝕刻和沉積方法製造。例如：基板12和光電二極體25上方形成的抗蝕劑暴露在能量（光線）之下，來形成一圖案（開口）。使用選擇性化學物質蝕刻處理，例如RIE，將用來在基板12內光電二極體25的側邊上形成一或多個溝渠。緊接在抗蝕劑移除之後，用任何傳統沉積處理，例如CVD處理，沉積絕緣體材料（例如氧化物）。利用傳統化學機械拋光（CMP）處理，可移除基板12的表面上任何殘留材料。
如圖5內所示，光子進入光電二極體25並在本質材料中產生載子，載子穿過本質半導體材料20（例如，Ge材料）在所有側面到達半導體材料18（例如，如箭頭所示）。這樣，光電二極體25具有三維電流。通過使三維電流流動，至基板12或更準確地通過半導體材料（p型材料）18到基板（N型材料）12的載子路徑要短得多（與具有從上到下路徑的已知光電二極體相比），因為本質半導體材料20在其側面和底部被半導體材料18包圍。並且，通過具有更短路徑，載子重新組合導致信號強度損失的可能性更小。
此外，淺溝渠隔離結構或深氧化物填充/內襯溝渠24將充當反射器或鏡子，以限制光進入溝渠側面上的基板12；相反，有效地將任何光（光子）推向襯墊18並進入基板12。換句話說，圍繞光電二極體25外部形成的淺溝渠隔離結構或深氧化物填充/內襯溝渠24提供反射介面，以最大化入射光子與用於載子產生的本質半導體材料20之相互作用，例如提供反射表面以增加光子在Ge材料中的駐留時間。
圖6A和圖6B顯示光電二極體25的不同剖面形狀。例如，在圖6A中，光電二極體25的剖面輪廓為圓形（柱狀）；而在圖6B中，光電二極體25的剖面輪廓為四邊形（例如方形）。然而應理解，本文還設想了其他輪廓，例如但不限於條形、矩形、橢圓形、八角形等。
圖7顯示光電二極體的接點形成，以及其他特徵，以及相應的製程。在圖7中，於光電二極體25的頂側上形成半導體材料26，例如多晶矽。半導體材料26將當成至半導體材料26的頂部（例如光電二極體25的P+插塞）之接點。更具體地，半導體材料26會將驅動電流導入光電二極體25，以偏壓插塞22，並且將載子從光電二極體25（例如，半導體材料20）的中心驅動朝向光電二極體25的外部（例如，半導體材料的襯墊18）。這樣，驅動電流將有效放大信號。
例如氮化物或其他硬遮罩材料這類的膜28將覆蓋或隔離半導體材料26，以防止在光電二極體25的頂部形成矽化物。未矽化的頂面將在光電二極體25的正面照明下提供最佳性能。
矽化物接點30形成於基板12的露出表面上，在光電二極體25的一側上。精通技術人士應理解，矽化物處理開始於在基板12的半導體材料上沉積薄過渡金屬層，例如鎳、鈷或鈦。在沉積該材料之後，將該基板加熱，允許該過渡金屬與露出的矽（或如本文所描述的其他半導體材料）反應，形成一低阻抗過渡金屬矽化物。在反應之後，通過化學蝕刻除去任何殘留的過渡金屬，留下矽化物接點30。
仍然參考圖7，層間介電材料（例如，氧化物）32沉積在該結構上方。在層間介電材料（例如，氧化物）32中形成溝渠，與矽化物接點30的頂面對齊並露出該頂面。溝渠通過如本文所描述的傳統微影和蝕刻處理來形成。溝渠填充有金屬材料，例如鎢，以形成接點34。精通技術人士應理解，接點34用於偵測光子撞擊光電二極體25（例如，光電二極體25的半導體材料20）所產生的電流。
圖8顯示根據本發明額外態樣的光電二極體。更具體來說，在圖8的結構10a中，直接在光電二極體25（例如，半導體材料22）的頂面上形成矽化物接點30。這種配置適用於背照明。此後，如參考圖7所述，形成至矽化物接點30的接點34。
圖9顯示根據本發明額外態樣的光電二極體。在圖9的結構10b中，與參照圖1-8的描述相比，光電二極體25包括不同的膜堆疊配置（例如，P-I-P-N）。具體而言，基板12a、半導體材料18a及半導體材料22a為P型半導體材料；而半導體材料20仍然是通過磊晶生長處理在半導體材料18a上形成的本質半導體材料（未摻雜）。
然而，在此具體實施例中，半導體材料22a不會完全填充溝渠的剩餘部分。相反，N型半導體材料36將磊晶生長在半導體材料22a上。或者，可生長半導體材料22a以完全填充溝渠的剩餘部分，然後進行微影和蝕刻處理，以在其中心部分形成溝渠。然後可通過在半導體材料22a上磊晶生長，來用N型半導體材料36填充溝渠。矽化物接點30直接形成於光電二極體25的頂面上，例如半導體材料36，而接點34形成至矽化物接點30，如參考圖7所述。這種配置也適用於背照明。還應當理解，也可使用這種配置來實踐正面照明（例如，通過使用多晶矽接點並且在偵測器上沒有矽化）。
圖10A和圖10B顯示根據本發明態樣的不同光電二極體陣列。更具體來說，圖10A顯示四邊形（例如，方形或矩形）光電二極體25的陣列，而圖10B則顯示圓形光電二極體25的陣列。儘管四邊形（例如，方形或矩形）光電二極體25的陣列彼此對齊設置，但是其可為其他格式。此外，注意到圓形光電二極體25的陣列比四邊形（例如方形或矩形）光電二極體25更緊密堆積在一起，例如18個光電二極體對16個光電二極體。
圖11為顯示本發明的光電二極體與其中光子路徑僅為二維（例如，從頂部到底部（垂直）或一側到另一側（橫向））的傳統系統之響應率的比較圖。在圖中，x軸是波長（µm），y軸是響應率（mA/W）。線「A」代表具有Ge材料的光電二極體，線「B」代表具有Si材料的光電二極體，根據本發明態樣，兩者均具有三維（3D）路徑；而線「C」代表具有Ge材料，僅在橫向上有路徑的光電二極體，線「C」代表具有Ge材料，僅在垂直方向有路徑的光電二極體。從圖中可清楚看出，線「A」和「B」的光電二極體在大約0.7 µm波長處的響應率最大。此外，線「A」中顯示的Ge實現在大約1.5 µm波長范圍內遠優於任何其他實現。
突崩式光電二極體可用於晶片上系統（SoC）技術。精通技術人士應理解，SoC是將電子系統的所有組件整合在單一晶片或基板上的積體電路（也稱為「晶片」）。由於組件整合在單一基板上，與具有同等功能的多晶片設計相比，SoC消耗的功率和占用的面積要少得多。因此，SoC正成為行動計算（例如智慧型手機）和邊緣計算市場的主導力量。SoC也常用於嵌入式系統和物聯網。
上述該(等)方法用於積體電路晶片製造。結果積體電路晶片可由製造廠以原始晶圓形式（也就是具有多個未封裝晶片的單一晶圓）、當成裸晶粒或已封裝形式來散佈。在後者案例中，晶片固定在單晶片封裝內（像是塑膠載體，具有導線黏貼至主機板或其他更高層載體）或固定在多晶片封裝內（像是一或兩表面都具有表面互連或內嵌互連的陶瓷載體）。然後在任何案例中，晶片與其他晶片、離散電路元件以及/或其他信號處理裝置整合成為(a)中間產品，像是主機板，或(b)末端產品。末端產品可為包括積體電路晶片的任何產品，範圍從玩具與其他低階應用到具有顯示器、鍵盤或其它輸入裝置以及中央處理器的進階電腦產品。
許多本發明具體實施例的描述已經為了說明而呈現，但非要將本發明受限在所公布形式中。在不脫離所描述具體實施例之範疇與精神的前提下，所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解許多修正例以及變化例。本文內使用的術語係為了能最佳解釋具體實施例的原理、市場上所發現技術的實際應用或技術改進，或可讓所屬技術領域中具有通常知識者能理解本文所揭示的具體實施例。
10:結構 12、12a:基板 14:硬遮罩 16:溝渠 16a:突出部分 18、22、26、18a、22a:半導體材料 20:額外半導體材料 24:淺溝渠隔離結構或深氧化物填充/內襯溝渠 25:光電二極體 28:膜 30:矽化物接點 32:層間介電材料 34:接點 36:N型半導體材料
利用本發明示範具體實施例的非限制範例，參考提及的許多圖式，從下列詳細描述當中描述本發明。
圖1顯示根據本發明態樣的其他特徵之間具有一溝渠的基板與個別製程。
圖2顯示根據本發明態樣的其他特徵之間的半導體材料，其皆襯在溝渠的側壁和底部表面與個別製程。
圖3顯示根據本發明態樣的溝渠中額外的半導體材料用以形成光電二極體與個別製程。
圖4顯示根據本發明態樣的關於光電二極體之淺溝渠隔離結構與個別製程。
圖5顯示根據本發明態樣的光電二極體中的載子通道。
圖6A和圖6B顯示根據本發明態樣的光電二極體的不同形狀。
圖7顯示根據本發明態樣的其他特徵之間的光電二極體的接點形成與個別製程。
圖8顯示根據本發明其他態樣的光電二極體。
圖9顯示根據本發明另外其他態樣的光電二極體。
圖10A與10B顯示根據本發明態樣的不同光電二極體陣列。
圖11為顯示本發明的光電二極體與其中光子路徑僅為二維（例如，從頂部到底部（垂直）或一側到另一側（橫向））的傳統系統之響應率的比較圖。
12:基板
14:硬遮罩
16:溝渠
16a:突出部分
18、22:半導體材料
20:額外半導體材料

Claims (19)

  1. 一種半導體結構，包括：一基板材料，其具有一溝渠，該溝渠具有多個側壁和一底部；一第一半導體材料，其襯在該溝渠的該等側壁和該底部；一感光半導體材料，其設置在該第一半導體材料上；以及一第二半導體材料，其包括在該感光半導體材料的一中心內的一插塞且延伸到該感光半導體材料的一頂面上。
  2. 如請求項1之結構，另包括多個隔離結構，其包括延伸到該基板材料中並圍繞該溝渠、遠離該感光半導體材料的氧化物材料，並且該氧化物材料與該感光半導體材料及該第二半導體材料間隔開。
  3. 如請求項1之結構，另包括多個隔離結構，其包括反射材料，其將多個光子反射到襯在該溝渠的該等側壁和該底部的該第一半導體材料中。
  4. 如請求項1之結構，其中該感光半導體材料包括本質材料且該第二半導體材料僅部分地延伸到該感光半導體材料的該頂面上。
  5. 如請求項4之結構，其中該本質材料包括未摻雜的Ge材料且該第二半導體材料與該基板材料及該溝渠的一邊緣間隔開。
  6. 如請求項4之結構，其中該基板材料包括N型半導體材料，並且該第一半導體材料和該第二半導體材料包括P型半導體材料。
  7. 如請求項6之結構，其中該第二半導體材料包括一P+插塞，以偏壓一突崩式光電二極體的操作。
  8. 如請求項7之結構，另包括在該P+插塞上的一半導體材料，以及在該半導體材料上方的一遮罩材料，以防止在該P+插塞上形成矽化物。
  9. 如請求項8之結構，其中該P+插塞包括非矽化材料，並且在該溝渠的一側上形成一接點，電接觸該基板以偵測一信號。
  10. 如請求項7之結構，另包括該P+插塞上的矽化物和一接點。
  11. 如請求項3之結構，另包括位於該第二半導體材料上的一第三半導體材料，該第二半導體材料與該第三半導體材料均在該溝渠內，其中該基板材料、該第一半導體材料和該第二半導體材料都包括P型半導體材料並且該第三半導體材料包括N型半導體材料。
  12. 如請求項11之結構，另包括與該N型半導體材料電連接的一矽化物接點和一接點。
  13. 一種半導體結構，包括：一半導體基板；一溝渠，其形成於該半導體基板中，該溝渠具有多個側壁和一底部；一半導體材料，其具有一第一摻雜劑類型(dopant type)，其襯在該溝渠的該等側壁和該底部上；一本質感光半導體材料，其與該半導體材料接觸；一第二半導體材料，其具有該第一摻雜劑類型且位於該溝渠中，並且接觸該本質感光半導體材料；以及一隔離結構，其包括圍繞該溝渠並定位遠離該本質感光半導體材料的反射材料；其中該本質感光半導體材料包括未摻雜的Ge材料且該第二半導體材料為一插塞，該插塞包含多個側壁與一底面，該插塞的該等側壁與該底面接觸該本質感光半導體材料且被該本質感光半導體材料包圍，並且該本質感光半導體材料的多個外側壁沒有該第二半導體材料。
  14. 如請求項13之結構，其中該半導體基板包括N型材料並且該第一摻雜劑類型包括P型材料，並且另包括在該第二半導體材料上方的一遮罩材料，以防止在該第二半導體材料上形成矽化物。
  15. 如請求項13之結構，其中該半導體基板包括N型材料並且該第一摻雜劑類型包括P型材料，並且另包括直接在該第二半導體材料上的一矽化物接點。
  16. 如請求項13之結構，另包括直接位於該溝渠內該第二半導體材料上的一N型半導體材料，其中該半導體材料和該第二半導體材料都為P型材料，並且該本質感光半導體材料包括未摻雜的Ge材料。
  17. 如請求項13之結構，另包括與該半導體材料電連接的一矽化物接點和一接點，其中該隔離結構包括氧化物材料，且該第二半導體材料僅部分地在該本質感光半導體材料的一頂面上使得它不接觸該隔離結構且被該隔離結構分開。
  18. 如請求項13之結構，其中該溝渠的剖面為圓形或四邊形。
  19. 一種製造一半導體結構的方法，包括：在一基板內形成一溝渠；在該溝渠的多個側壁和一底部上提供半導體材料的一襯墊；在該溝渠之內在該半導體材料上部分地形成一未摻雜的感光材料；在該未摻雜的感光材料上形成一第二半導體材料以填充該溝渠的一剩餘部分，其中該第二半導體材料部分地形成在該未摻雜的感光材料位於該溝渠之一外側上的一頂面上；以及在該基板中形成具有反射氧化物系材料的多個溝渠結構，與該半導體材料的該襯墊相鄰且遠離該第二半導體材料；其中該未摻雜的感光材料包括未摻雜的Ge材料且該第二半導體材料為包含多個側壁與一底面的一插塞，該插塞的該等側壁與該底面接觸該未摻雜的感光材料且被該未摻雜的感光材料包圍，並且該未摻雜的感光材料的多個外側壁沒有該第二半導體材料。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021109737A1 (de) * 2020-05-29 2021-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Germaniumhaltiger photodetektor und verfahren zu seiner herstellung
US12015099B2 (en) * 2020-08-01 2024-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor sensor and methods thereof
US11424377B2 (en) 2020-10-08 2022-08-23 Globalfoundries U.S. Inc. Photodiode with integrated, light focusing element
CN113078171B (zh) * 2021-03-26 2022-07-12 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
US20230066085A1 (en) * 2021-08-28 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Germanium-based photodetector with reduced dark current and methods of making the same
US20230207719A1 (en) * 2021-12-29 2023-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device including germanium region disposed in semiconductor substrate
US11949034B2 (en) 2022-06-24 2024-04-02 Globalfoundries U.S. Inc. Photodetector with dual doped semiconductor material
JP2024127279A (ja) * 2023-03-09 2024-09-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置
CN117038777B (zh) * 2023-09-12 2024-10-01 Nano科技(北京)有限公司 一种雪崩光电二极管

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001047034A2 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Micronas Gmbh Optische sende- und empfangseinrichtung und herstellungsverfahren
US20150097256A1 (en) * 2013-10-03 2015-04-09 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Semiconductor devices including avalanche photodetector diodes integrated on waveguides and methods for fabricating the same
EP1982356B1 (en) * 2006-02-01 2017-03-15 Koninklijke Philips N.V. Geiger mode avalanche photodiode
US20170365636A1 (en) * 2016-06-21 2017-12-21 Stmicroelectronics S.R.L. Multiband optoelectronic device for colorimetric applications and related manufacturing process
US20200105812A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor including silicon over germanium layer

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE483221A (zh) 1944-05-23
US2557110A (en) 1945-02-17 1951-06-19 Sperry Corp Wave guide attenuator apparatus
US3787871A (en) 1971-03-03 1974-01-22 Us Navy Terminator for spiral antenna
JPS5793585A (en) * 1980-12-02 1982-06-10 Fujitsu Ltd Semiconductor photoreceiving element
US6180945B1 (en) 1984-08-31 2001-01-30 Lockheed Martin Corporation Dual spiral photoconductive detector
DE3641086C1 (de) 1986-12-02 1988-03-31 Spinner Gmbh Elektrotech Hohlleiterabsorber oder -daempfungsglied
US6147349A (en) 1998-07-31 2000-11-14 Raytheon Company Method for fabricating a self-focusing detector pixel and an array fabricated in accordance with the method
US6937342B2 (en) 2001-07-11 2005-08-30 Science & Technology Corporation @ University Of New Mexico Monolithically integrated semiconductor unidirectional ring laser rotation sensor/gyroscope
JP4016900B2 (ja) 2003-07-23 2007-12-05 三菱電機株式会社 導波管装置
US7397101B1 (en) 2004-07-08 2008-07-08 Luxtera, Inc. Germanium silicon heterostructure photodetectors
US7358107B2 (en) 2005-10-27 2008-04-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of fabricating a germanium photo detector on a high quality germanium epitaxial overgrowth layer
US7777250B2 (en) 2006-03-24 2010-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
WO2008036256A1 (en) 2006-09-18 2008-03-27 Amberwave Systems Corporation Aspect ratio trapping for mixed signal applications
US7790495B2 (en) 2007-10-26 2010-09-07 International Business Machines Corporation Optoelectronic device with germanium photodetector
US7795064B2 (en) 2007-11-14 2010-09-14 Jds Uniphase Corporation Front-illuminated avalanche photodiode
US7902540B2 (en) 2008-05-21 2011-03-08 International Business Machines Corporation Fast P-I-N photodetector with high responsitivity
US20150075599A1 (en) 2013-09-19 2015-03-19 Zena Technologies, Inc. Pillar structured multijunction photovoltaic devices
KR20100070610A (ko) 2008-12-18 2010-06-28 희성전자 주식회사 백라이트 장치의 복합 광학 시트
US8558336B2 (en) * 2009-08-17 2013-10-15 United Microelectronics Corp. Semiconductor photodetector structure and the fabrication method thereof
US9450050B2 (en) * 2009-11-30 2016-09-20 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Lateral super junctions with high substrate breakdown and build in avalanche clamp diode
US8861909B2 (en) 2011-02-17 2014-10-14 Cornell University Polysilicon photodetector, methods and applications
US20140159183A1 (en) 2012-12-10 2014-06-12 National Tsing Hua University High-efficiency bandwidth product germanium photodetector
US9362428B2 (en) 2012-11-27 2016-06-07 Artilux, Inc. Photonic lock based high bandwidth photodetector
US9383512B2 (en) 2012-12-31 2016-07-05 Infinera Corporation Light absorption and scattering devices in a photonic integrated circuit that minimize optical feedback and noise
EP2951628B1 (en) 2013-02-01 2018-11-14 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University Coupled waveguides for slow light sensor applications
US9064699B2 (en) 2013-09-30 2015-06-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor patterns including reduced dislocation defects and devices formed using such methods
US9947573B2 (en) 2014-09-03 2018-04-17 Globalfoundries Inc. Lateral PiN diodes and schottky diodes
US10546963B2 (en) 2014-12-01 2020-01-28 Luxtera, Inc. Method and system for germanium-on-silicon photodetectors without germanium layer contacts
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9864138B2 (en) 2015-01-05 2018-01-09 The Research Foundation For The State University Of New York Integrated photonics including germanium
KR102649896B1 (ko) * 2015-03-31 2024-03-22 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 장치
JP6184539B2 (ja) * 2016-02-18 2017-08-23 沖電気工業株式会社 半導体受光素子、光電融合モジュール、半導体受光素子の製造方法
US10359569B2 (en) 2016-05-09 2019-07-23 Huawei Technologies Co., Ltd. Optical waveguide termination having a doped, light-absorbing slab
EP3309846A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-18 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Avalanche diode and method for manufacturing the same
US10854658B2 (en) * 2018-07-16 2020-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor with sidewall protection and method of making same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001047034A2 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Micronas Gmbh Optische sende- und empfangseinrichtung und herstellungsverfahren
EP1982356B1 (en) * 2006-02-01 2017-03-15 Koninklijke Philips N.V. Geiger mode avalanche photodiode
US20150097256A1 (en) * 2013-10-03 2015-04-09 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Semiconductor devices including avalanche photodetector diodes integrated on waveguides and methods for fabricating the same
US20170365636A1 (en) * 2016-06-21 2017-12-21 Stmicroelectronics S.R.L. Multiband optoelectronic device for colorimetric applications and related manufacturing process
US20200105812A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor including silicon over germanium layer

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