TWI768621B - 電致發光顯示裝置 - Google Patents

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南喆
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張亨旭
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Abstract

一種電致發光顯示裝置，具有多個像素，每一該些像素包含：驅動電晶體、內部補償器及發光元件。驅動電晶體具有連接於第一節點的閘極、連接於第三節點的源極，及連接於第四節點的汲極，當高電位源極電壓被施加至第三節點時，驅動電晶體產生對應於資料電壓的像素電流。內部補償器包含連接於第一節點及第二節點之間的第一電容器及連接於第二節點及高電位源極電壓的輸入端之間的第二電容器，內部補償器依據第一掃描訊號到第四掃描訊號及發光訊號控制驅動電晶體的閾值電壓。發光元件連接於第五節點與低電位源極電壓的輸入端之間。

Description

電致發光顯示裝置
本申請主張於2019年12月30日提交之韓國專利申請第10-2019-0178616號的優先權，其整體透過引用合併於此。
本發明係關於一種電致發光顯示裝置。
電致發光顯示裝置根據其發光層的材料分為無機發光顯示裝置（inorganic light emitting display device）及電致發光顯示裝置。電致發光顯示裝置的每個像素包含發光元件，用於以自發光形式發光，並依據影像資料的灰階（grayscale），透過控制發光元件的發光量調整亮度。每個像素的像素電路包含用於提供像素電流至發光元件的驅動電晶體以及至少一開關電晶體及電容器，其係用於編程（program）驅動電晶體的閘極－源極電壓。開關電晶體及電容器等可以被設計為具有一連接結構，能夠補償驅動電晶體的閾值電壓變化，並且因此可以作為補償電路。
產生於驅動電晶體的像素電流係依據閾值電壓及驅動電晶體中的閘極－源極電壓來判定。為了在這樣的電致發光顯示裝置取得所需的亮度，首先，當驅動電晶體的閘極－源極電壓被編程時，必須降低驅動電晶體的磁滯（hysteresis）特性對驅動電晶體的閘極－源極電壓的影響。接著，補償電路應該被最佳地設計，以防止驅動電晶體的閾值電壓變化影響像素電流。第三，即使在發光元件發光期間，驅動電晶體的閘極電壓也應連續地維持在編程電壓。
鑒於上述，本公開針對一種電致發光顯示裝置，其實質上消除了因現有技術的局限性及缺點而導致的一或多個問題。
本發明的面向提供一種電致發光顯示裝置，能夠在驅動電晶體的閘極—源極電壓被編程（program）之前，減緩驅動電晶體的磁滯（hysteresis）特性，進而最佳地補償驅動電晶體的閾值電壓變化。
此外，本發明的面向提供一種電致發光顯示裝置，能夠即使係在發光元件發光期間，驅動電晶體的閘極電壓也能夠連續地維持在編程電壓。
本公開的其他優點、目的及特徵將在下面的描述中部分地闡述，並且對於本領域的普通技術人員而言，在研究以下內容之後將變得顯而易見，或者可以從實踐中獲悉。 本公開的目的及其他優點，可以透過在書面說明書及其專利範圍以及附圖中特別指出的結構而取得及實現。
如本文所體現和廣泛描述，為了達成這些目的及其他優點並依據本公開的目的，一種電致發光顯示裝置具有多個像素。每個像素包含：一驅動電晶體，具有連接於一第一節點的一閘極、連接於一第三節點的一源極，及連接於一第四節點的一汲極，當一高電位源極電壓被施加至該第三節點時，該驅動電晶體產生對應於一資料電壓的像素電流，一內部補償器，包含一第一電容器及一第二電容器，該第一電容器連接於該第一節點及一第二節點之間，該第二電容器連接於該第二節點及該高電位源極電壓的一輸入端之間，該內部補償器依據一第一掃描訊號、相位相反於該第一掃描訊號的一第二掃描訊號、在相位上落後該第一掃描訊號的一第三掃描訊號、在相位上超前該第一掃描訊號的一第四掃描訊號及一發光訊號，控制該驅動電晶體的一閾值電壓，以及一發光元件，連接於一第五節點與一低電位源極電壓的一輸入端之間。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
電致發光顯示裝置中的像素電路及閘極驅動電路中的每個可以包含一N通道電晶體（NMOS）或一P通道電晶體（PMOS）中的至少一者。這種電晶體是包含閘極、源極及汲極的三電極元件。源極係用以提供載子至電晶體的電極。在電晶體中，載子從源極開始流動。汲極係載子通過其從電晶體向外遷移的電極。在電晶體中，載子從源極流向汲極。在N通道電晶體中，載子為電子，也因此源極電壓低於汲極電壓，以使電子從源極流向汲極。在N通道電晶體中，電流從汲極流向源極。另一方面，在P通道電晶體中，載子為電洞，且因此源極電壓高於汲極電壓，以使電洞從源極流向汲極。在P通道電晶體中，因電洞從源極流向汲極，故電流從源極流向汲極。於此，需特別注意的是，這樣的電晶體的源極和汲極並非固定的。例如，源極和汲極可以依據施加至其的電壓而互換。因此，本公開不限制電晶體的源極和汲極。據此，在下文中，電晶體的源極和汲極被稱為「第一電極」及「第二電極」。
被施加至每個像素的掃描訊號（或閘極訊號）在閘極導通電壓及閘極關斷電壓之間擺盪。閘極導通電壓被設為高於在像素中的電晶體的閾值電壓的電壓，而閘極關斷電壓被設為低於電晶體的閾值電壓的電壓。電晶體響應於閘極導通電壓而導通，並響應於閘極關斷電壓而關斷。在N通道電晶體中，閘極導通電壓可以為閘極高電壓VGH，而閘極關斷電壓可以為閘極低電壓VGL。在P通道電晶體中，閘極導通電壓可以為閘極低電壓VGL，而閘極關斷電壓可以為閘極高電壓VGH。
電致發光顯示裝置的每個像素包含一發光元件以及用以依據閘極－源極電壓產生像素電流的一驅動元件，進而驅動發光元件。發光元件包含一陽極、一陰極及形成在陽極和陰極之間的一有機化合物層。有機化合物層包含一電洞射入層HIL、一電洞傳輸層HTL、一發光層EML、一電子傳輸層ETL及一電子注入層EIL，然不限於此。當像素電流流動於發光元件內時，經過電洞射入層HIL的電洞及經過電子傳輸層ETL的電子遷移至發光層EML，且因而產生激發。因此，發光層EML產生可見光。
驅動元件可以實現為電晶體，例如金屬氧化物半導體場效應電晶體（metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET）。像素中的驅動電晶體的電氣特性（例如，閾值電壓）應在多個像素之中保持一致。然而，這樣的電氣特性可能因製程偏差及元件特性偏差而在多個像素之中有所不同。此外，這樣的電氣特性可以隨著顯示器的驅動時間的經過而變化，並且其在像素中的變化程度可以不同。為了補償驅動電晶體的電氣特性的這種偏差，一內部補償方法可以被用於電致發光顯示裝置。依據內部補償方法，像素電路中包含一補償器，以避免驅動電晶體的電氣特性變化影響了像素電流。
近來，將電致發光顯示裝置中包含在像素電路中的部分電晶體實現為氧化物電晶體的嘗試已經增加。在這種氧化物電晶體中，使用氧化物替代多晶矽，其中所述的氧化物為透過銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）及氧（O）的組合產生的氧化物，並稱為IGZO。
這種氧化物電晶體具有的優勢在於，雖然氧化物電晶體存在低於低溫多晶矽（low-temperature polysilicon，以下將稱之為LTPS）電晶體的電子移動率，氧化物電晶體的電子移動率比非晶矽（amorphous silicon）電晶體高10倍以上。此外，氧化物電晶體具有的優勢在於，儘管氧化物電晶體的製造成本高於非晶矽電晶體，然其製造成本因而顯著地低於LTPS電晶體。此外，由於氧化物電晶體的製程相似於非晶矽電晶體，可以使用現有的儀器設備並因此氧化物電晶體具有高效的優勢。尤其，由於氧化物電晶體的關斷電流（off-current）低，故氧化物電晶體具有的優勢在於，當以低速驅動氧化物電晶體以使其關斷時間較長時，可以實現高驅動穩定性及高可靠性。據此，這樣的氧化物電晶體可以被應用於需高解析度及低功率驅動的大尺寸的液晶顯示裝置，或無法使用LTPS而獲得期望的螢幕尺寸的有機發光二極體（OLED）電視機。
圖1係依據本公開一示例性面向所繪示的電致發光顯示裝置的方塊圖。圖2繪示圖1的電致發光顯示裝置執行低刷新率（low refresh rate，LRR）驅動（或低速驅動）的情況。
請參考圖1，依據本公開示例性面向的電致發光顯示裝置可以包含一顯示面板10、一時序控制器11、一資料驅動電路12、一閘極驅動電路13及一電源電路16。時序控制器11、資料驅動電路12及電源電路16可以完全地或部分地整合進驅動器積體電路。
在欄（column）方向（或垂直方向）延伸的多條資料線14 及在列（row）方向（或水平方向）延伸的多條閘極線15在示出輸入影像的顯示面板10的螢幕上彼此交錯。像素PXL設置在矩陣中分別的相交區域處，並因此形成像素陣列。
每條閘極線15可以包含兩條或多條掃描線用以提供兩個或多個掃描訊號，所述的掃描線適於分別將供至每條資料線14的資料電壓及供至初始化電壓線的初始化電壓施加到像素PXL中的對應像素，及包含用於提供適於使對應的像素PXL發光的發光訊號的發光線。
顯示面板10可以更包含一第一電源線用以提供一高電位源極電壓ELVDD至像素PXL、一第二電源線用以提供一低電位源極電壓ELVSS至像素PXL及一初始化電壓線，初始化電壓線提供用於初始化像素PXL的像素電路的一初始化電壓Vint。第一電源線、第二電源線及初始化電壓線連接於電源電路16。第二電源線可以形成為覆蓋多個像素PXL的透明電極的形式。
觸控感測器可以設置於顯示面板10的像素陣列上。觸控輸入可以藉使用各別的觸控感測器感測，或可以透過像素PXL感測。觸控感測器可以實現為以表嵌型（on-cell type）或附加型（add-on type）形式設置於顯示面板10的螢幕上的觸控感測器，或實現為嵌入在像素陣列中的內嵌型（in-cell type）觸控感測器。
在像素陣列中設置於同條水平線上的每個像素PXL連接於該些資料線14的其中一條及該些閘極線15的其中一或多條，且因此像素PXL形成一像素線。每個像素PXL係響應於透過對應的閘極線15施加至對應的資料線14及初始化電壓線的掃描訊號及發光訊號，而電性連接於前述對應的資料線14及初始化電壓線，進而接收資料電壓或初始化電壓Vint。據此，每個像素PXL以對應於資料電壓的像素電流驅動發光元件發光。設置於相同像素線上的像素PXL依據透過同條閘極線15施加的掃描訊號及發光訊號同時運作。
一個像素單元可以由三個子像素或四個子像素構成，所述的三個子像素包含紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素，所述的四個子像素包含紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素及白色子像素，本公開不以此為限。每個子像素可以實現為包含補償器的像素電路，在下文中，「像素」係指「子像素」。
每個像素PXL可以從電源電路16接收高電位源極電壓ELVDD、初始化電壓Vint及低電位源極電壓ELVSS，且可以包含驅動電晶體、發光元件及內部補償器。內部補償器可以由多個開關電晶體及至少一個電容器構成，如稍後將描述的圖3的情況。
時序控制器11將從外部主機系統（未繪示）發送的影像資料DATA提供至資料驅動電路12。時序控制器11從主機系統接收時序訊號，例如垂直同步訊號Vsync、水平同步訊號Hsync、資料致能訊號DE及點時脈（dot clock）DCLK，並因此產生適於控制資料驅動電路12及閘極驅動電路13的運作時序的控制訊號。控制訊號包含閘極時序控制訊號GCS及資料時序控制訊號DCS，閘極時序控制訊號GCS適於控制閘極驅動電路13的運作時序，資料時序控制訊號DCS適於控制資料驅動電路12的運作時序。
資料驅動電路12基於資料時序控制訊號DCS對從時序控制器11輸入的數位影像資料DATA進行採樣及鎖存（latches），進而將數位影像資料DATA改變為平行資料（parallel data）。因此，資料驅動電路12依據伽馬參考電壓透過數位類比轉換器（以下簡稱DAC）將平行資料轉為類比資料電壓，並分別透過輸出通道及資料線14提供資料電壓至像素PXL。每個資料電壓可以為對應於將由像素PXL中的對應一個像素表示的灰階的對應值。資料驅動電路12可以由多個驅動器積體電路構成。
資料驅動電路12可以包含一移位暫存器（shift register）、一鎖存器（latch）、一位準偏移器（level shifter）、DAC及一緩衝器。移位暫存器對從時序控制器11輸入的時脈（clock）進行移位，進而依序地輸出用於採樣的時脈。鎖存器在從移位暫存器依序地輸入的採樣時脈的時序對數位影像資料採樣及鎖存，並同時輸出所有採樣得的像素資料。位準偏移器將從鎖存器輸入的像素資料的電壓偏移，以落在DAC的輸入電壓範圍內。DAC將從位準偏移器接收的像素資料轉為資料電壓，並接著將資料電壓透過緩衝器提供至資料線14。
閘極驅動電路13基於閘極時序控制訊號GCS產生掃描訊號及發光訊號。在這個情況下，閘極驅動電路13在主動時段以列順序方式產生掃描訊號及發光訊號，並接著依序地提供掃描訊號及發光訊號至分別連接於各像素線的閘極線15。每條閘極線15的特定掃描訊號與向資料線14提供的資料電壓的時序同步。掃描訊號及發光訊號在閘極導通電壓及閘極關斷電壓之間擺盪。
閘極驅動電路13可以由多個閘極驅動積體電路構成，每一該些閘極驅動積體電路包含一移位暫存器、一位準偏移器、一輸出緩衝器等，所述的位準偏移器用以將從移位暫存器輸出的輸出訊號轉為具有適合驅動像素的薄膜電晶體 （thin film transistor，TFT）的擺幅（swing width）的訊號。可替代地，閘極驅動電路13可以面板內閘極驅動積體電路（gate-drive IC in panel）形式直接形成在顯示面板10的下基板上。當閘極驅動電路13為面板內閘極類型時，位準偏移器可以安裝在印刷電路板（PCB）上，且移位暫存器可以形成在顯示面板10的下基板上。
電源電路16使用直流-直流轉換器（DC-DC converter）調整從主機系統供應的直流輸入電壓，進而產生資料驅動電路12及閘極驅動電路13運作所需的閘極導通電壓VGH、閘極關斷電壓VGL等。電源電路16亦產生用於驅動像素陣列所需的高電位源極電壓ELVDD、初始化電壓Vint及低電位源極電壓ELVSS。初始化電壓Vint可以包含一第一初始化電壓及高於第一初始化電壓的一第二初始化電壓。老化操作需要第二初始化電壓，以減輕驅動電晶體的磁滯特性。
主機系統可以為移動裝置（mobile appliance）、穿戴式裝置、虛擬擴增實境裝置等的應用處理器（application processor，AP）。否則，主機系統可以是電視系統中的主板、機頂盒、導航系統、個人電腦、家庭影院系統等。當然，本公開的各方面不限於上述條件。
圖2繪示圖1的電致發光顯示裝置執行低刷新率（low refresh rate，LRR）驅動（或低速驅動）的情況。
請參考圖2，依據示例性方面的電致發光顯示裝置可以採用低刷新率以降低功耗。與圖2(A)所示的60Hz驅動相比，圖2(B)所示的低刷新率驅動降低了寫入資料電壓的影像幀的數量。在60Hz驅動中，每秒複製60個影像幀。另一方面，在低刷新率驅動中，僅對60個影像幀的一部份執行資料電壓寫入操作。在低刷新率驅動中，在每個剩餘的影像幀，保持（維持）在先前影像幀中寫入的資料電壓。換言之，對於剩餘的影像幀，資料驅動電路12及閘極驅動電路13的輸出運作被停止，且因此有降低功耗的效果。低刷新率驅動可以被用於靜止影像或示出影像變化的移動影像，且其中的資料電壓更新時段可以比60Hz驅動還長。在像素電路中，據此，驅動電晶體的閘極—源極電壓的維持時間比60Hz驅動還長。在低刷新率驅動中，將驅動電晶體的閘極—源極電壓維持期望的時間是必須的。為此，開關電晶體可以直接或間接地連接於驅動電晶體的閘極，實現為具有良好的關斷特性的氧化物電晶體。同時，60Hz驅動及低刷新率驅動可以依據輸入影像的特性選擇性地應用於示例性方面。當存在其中資料電壓被寫入像素的一第一影像幀及一第二影像幀時，在其中保持有寫入第一影像幀的資料電壓的多個第三影像幀被設置於第一影像幀及第二影像幀之間。
圖3繪示包含在圖1的電致發光顯示裝置的一個像素的等效電路圖。圖4係圖3所示的像素電路的驅動波形圖。在以下的描述中，電晶體的第一電極可以為源極或汲極的其中一者，且電晶體的第二電極可以為源極或汲極中的另一者。
請參考圖3，像素的像素電路連接於資料線14、第一掃描線A、第二掃描線B、第三掃描線C、第四掃描線D及發光線E。像素電路從資料線14接收資料電壓Vdata，從第一掃描線A接收第一掃描訊SN（n-2），從第二掃描線B接收第二掃描訊SP（n-2），從第三掃描線C接收第三掃描訊SN（n），從第四掃描線D接收第四掃描訊號SN（n-3），及從發光線E接收發光訊號EM。第一掃描訊SN（n-2）及第二掃描訊SP（n-2）具有相反的相位。第三掃描訊SN（n）的相位落後於（lag）第一掃描訊SN（n-2）的相位。接收第四掃描訊號SN（n-3）的相位超前於（lead）第一掃描訊SN（n-2）的相位。
請參考圖3及圖4，像素電路可以包含驅動電晶體DT、發光元件EL及內部補償器。
驅動電晶體DT產生像素電流使發光元件EL能夠依據數據電壓Vdata發光。驅動電晶體DT在其第一電極連接於第三節點N3，同時在其第二電極連接於第四節點N4。驅動電晶體DT的閘極連接於第一節點N1。
發光元件EL包含連接於第五節點N5的陽極、連接於低電位源極電壓ELVSS的陰極，及設置於陽極與陰極之間的發光層。發光層可以實現包含有機發光層的有機發光二極體，或包含無機發光層的無機發光二極體。
內部補償器不僅適於補償驅動電晶體DT的閾值電壓，亦適於降低驅動電晶體DT的磁滯特性。內部補償器可以由七個開關電晶體T1到T7及兩個電容器Cst1及Cst2構成。在這個情況下，至少一部分的開關電晶體T1到T7可以由氧化物電晶體構成。
內部補償器包含第一電晶體Cst1及第二電晶體Cst2，第一電晶體Cst1連接於第一節點N1及第二節點N2之間，第二電晶體Cst2連接於第二節點N2及高電位源極電壓ELVDD的輸入端之間。內部補償器運作為依據在老化時段P3及編程時段P4-P5中多個電晶體的運作，透過控制第一節點到第五節點N1、N2、N3、N4、N5的電壓以反映驅動電晶體DT的閾值電壓，其中編程時段P4-P5係依第一掃描訊SN（n-2）、在相位上相反於第一掃描訊SN（n-2）的第二掃描訊SP（n-2）、在相位上落後於第一掃描訊SN（n-2）的第三掃描訊SN（n）、在相位上超前於第一掃描訊SN（n-2）的第四掃描訊號SN（n-3）及發光訊號EM而設定。當驅動電晶體DT的閾值電壓在發光時段P6反映於驅動電晶體DT的閘極—源極電壓時，流過驅動電晶體DT的像素電流非實質上受驅動電晶體DT的閾值電壓的變化影響。因此，驅動電晶體DT的閾值電壓的變化在像素內被補償。
編程時段P4-P5包含初始化時段P4及接續於初始化時段P4的資料寫入時段P5。內部補償器可以在初始化時段P4期間控制開關電晶體的運作，使第一初始化電壓被施加至第一節點N1、第四節點N4及第五節點N5，且可以在資料寫入時段P5控制開關電晶體的運作，使資料電壓Vdata被施加至第二節點N2。
第一開關電晶體T1用於施加初始化電壓Vint至第四節點N4。第一開關電晶體T1的第一電極及第二電極的其中一者連接於初始化電壓Vint的輸入端，而第一電極及第二電極中的另一者連接於第四節點N4。第一開關電晶體T1的閘極連接於第四掃描線D以接收第四掃描訊號SN（n-3）。
第二開關電晶體T2用於施加驅動電晶體DT的閾值電壓至第二節點N2。第二開關電晶體T2的第一電極及第二電極的其中一者連接於第二節點N2，而第一電極及第二電極中的另一者連接於第三節點N3。第二開關電晶體T2的閘極連接於第一掃描線A以接收第一掃描訊SN（n-2）。
第三開關電晶體T3用於提供資料線14的資料電壓Vdata至第二節點N2。第三開關電晶體T3的第一電極及第二電極的其中一者連接於資料線14，而第一電極及第二電極中的另一者連接於第二節點N2。第三開關電晶體T3的閘極連接於第三掃描線C以接收第三掃描訊號SN（n）。
第四開關電晶體T4用於提供初始化電壓Vint至驅動電晶體DT的閘極，即第一節點N1。第四開關電晶體T4的第一電極及第二電極的其中一者連接於第四節點T4，而第一電極及第二電極中的另一者連接於第一節點N1。第四開關電晶體T4的閘極連接於第一掃描線A以接收第一掃描訊SN（n-2）。
第五開關電晶體T5及第六開關電晶體T6各用於控制發光元件EL的發光。第五開關電晶體T5的第一電極及第二電極的其中一者連接於高電位源極電壓ELVDD的輸入端，而第一電極及第二電極中的另一者連接於第三節點N3。第五開關電晶體T5的閘極連接於發光線E以接收發光訊號EM。第六開關電晶體T6的第一電極及第二電極的其中一者連接於第四節點N4，而第一電極及第二電極中的另一者連接於第五節點N5。第六開關電晶體T6的閘極連接於發光線E以接收發光訊號EM。
第七開關電晶體T7用於提供初始化電壓Vint至發光元件EL的陽極。第七開關電晶體T7的第一電極及第二電極的其中一者連接於發光元件E的陽極，而第一電極及第二電極中的另一者連接於初始化電壓Vint的輸入端。第七開關電晶體T7的閘極連接於第二掃描線B以接收第二掃描訊SP（n-2）。
第一電容器Cst1連接於第一節點N1及第二節點N2之間，以在初始化時段P4儲存驅動電晶體DT的閾值電壓。
第二電容器Cst2運作為在資料寫入時段P5儲存資料電壓Vdata。第二電容器Cst2的第一電極及第二電極的其中一者連接於第二節點N2，而第一電極及第二電極中的另一者連接於高電位源極電壓ELVDD的輸入端。
流過驅動電晶體DT的像素電流係透過在發光時段中的驅動電晶體DT的閘極—源極電壓判定，即第一節點N1及第三節點N3的電壓。在發光時段P6中，第三節點N3的電壓固定為高電位源極電壓ELVDD，然第一節點N1的電壓受第一開關電晶體T1及第四開關電晶體T4的關斷特性影響。這是因為在發光時段P6中，第一節點N1因第一開關電晶體T1及第四開關電晶體T4的關斷狀態而處於浮接（float）狀態。據此，第一開關電晶體T1及第四開關電晶體T4可以實現為具有良好的關斷特性（即低關斷電流）的N型氧化物電晶體。此外，在發光時段P6中維持在關斷狀態的第二開關電晶體T2及第三開關電晶體T3可以實現為具有良好的關斷特性（即低關斷電流）的N型氧化物電晶體，因為第二開關電晶體T2及第三開關電晶體T3由於其通過第一電容器Cst1的耦合作用而可影響第一節點N1的電壓。同時，因驅動電晶體DT產生像素電流，驅動電晶體DT可以實現為具有良好的電子移動率的P型低溫多晶矽（LTPS）電晶體。相似地，第五開關電晶體T5到第七開關電晶體T7可以實現為P型低溫多晶矽電晶體。在P通道電晶體中，導通電晶體的閘極導通電壓為閘極低電壓VGL，而關斷電晶體的閘極關斷電壓為閘極高電壓VGH。在N通道電晶體中，導通電晶體的閘極導通電壓為閘極高電壓VGH，而關斷電晶體的閘極關斷電壓為閘極低電壓VGL。
在發光時段P6期間流過驅動電晶體DT的像素電流係由在編程時段P4-P5中設定的驅動電晶體DT的閘極—源極電壓判定，即第一節點N1及第三節點N3的電壓。由於驅動電晶體DT的閾值電壓已反映於驅動電晶體DT的閘極—源極電壓，故不論驅動電晶體DT的閾值電壓的變化為何，仍可以獲得期望的像素電流。為此，在編程過程中驅動電晶體DT的閘極—源極電壓應被正確地設置，以達到期望的閾值電壓補償效果。
由於驅動電晶體DT的閘極—源極電壓受驅動電晶體DT的磁滯特性影響，內部補償器使用編程時段P4-P5前的老化時段P3向驅動電晶體DT施加相對強的偏壓（on‑bias），進而降低在編程前驅動電晶體DT的磁滯特性。
將對此進行詳細描述。內部補償器基於第一初始化電壓V1及資料電壓Vdata，控制驅動電晶體DT在編程時段P4-P5內為包含閾值電壓的第一電位。尤其，內部補償器基於高於第一初始化電壓V1的第二初始化電壓V2（VGH），控制驅動電晶體DT的閘極—源極電壓在編程時段P4-P5前的老化時段P3內為高於第一電位的第二電位，進而降低在編程前驅動電晶體DT的磁滯特性。在這個情況下，驅動電晶體DT透過其具有第一電位或第二電位的閘極—源極電壓，變成處於偏壓狀態。驅動電晶體DT的偏壓電壓（即閘極—源極電壓）在老化時段P3中高於編程時段P4-P5。換言之，驅動電晶體DT的導通通道電阻（on‑channel resistance）在老化時段P3中小於編程時段P4-P5。
在圖4的情況中，磁滯降低時段可以實現為僅包含老化時段P3。在這個情況下，在老化時段P3中驅動電晶體DT的偏壓電壓（即閘極—源極電壓）可以為透過從第二初始化電壓V2減去先前幀編程電壓（V2-先前幀編程電壓）所取得的電壓。
同時，在圖4的情況中，磁滯降低時段可以實現為包含預先初始化時段P1-P2及老化時段P3。為此，內部補償器更可以設定將老化時段P3前的預先初始化時段P1-P2，及更可以控制開關電晶體的運作，使第一初始化電壓V1在預先初始化時段P1-P2內被施加至第一節點N1、第四節點N4及第五節點N5。老化效果與驅動電晶體DT的導通偏壓（即閘極—源極電壓）成比例地提高了。當驅動電晶體DT的閘極電壓（即第一節點N1的電壓）透過預先初始化時段P1-P2被預先降低為第一初始化電壓V1時，相較於在沒有預先初始化時段P1-P2而立即進入老化時段P3的情況，驅動電晶體DT的導通偏壓（即閘極—源極電壓）增加。亦即，“V2-Vth-V1”的電壓高於“V2-先前幀編程電壓”的電壓。據此，當更設定了在老化時段P3前的預先初始化時段P1-P2時，具有老化效果被最大化的優點。
當然，為了更設定在老化時段P3前的預先初始化時段P1-P2，第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）及第四掃描訊號SN（n-3）各可以在預先初始化時段P1-P2中在初始導通電位被輸入，且可以接著在編程時段P4-P5中在第二導通電位被輸入。
當然，由於像素電路亦可以在沒有預先初始化時段P1-P2的情況下被驅動，第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）及第四掃描訊號SN（n-3）各可以在導通電位僅被輸入一次。
圖5A-10B為關聯於圖4的時段P1到P6中像素的運作的圖。在圖5A-10B中，P1及P2代表預先初始化時段，P3代表老化時段，P4代表初始化時段，P5為資料寫入時段，而P6為發光時段。
參考圖5A及5B，在第一時段P1中，第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）及第三掃描訊SN（n）以及發光訊號EM為閘極關斷電壓，而第四掃描訊號SN（n-3）為閘極導通電壓。第一開關電晶體T1導通，進而施加第一初始化電壓V1至第四節點N4。另一方面，第二開關電晶體T2到第七開關電晶體T7關斷，且因而第一節點N1、第二節點N2及第三節點N3各維持在其先前電壓狀態，或無法確定其電壓狀態。
參考圖6A及6B，在第二時段P2中，第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）及第四掃描訊號SN（n-3）為閘極導通電壓，而第三掃描訊SN（n）及發光訊號EM為閘極關斷電壓。第一開關電晶體T1、第二開關電晶體T2、第四開關電晶體T4及第七開關電晶體T7透過具有閘極導通電壓的第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）及第四掃描訊號SN（n-3）關斷。據此，第一初始化電壓V1透過第一開關電晶體T1及第四開關電晶體T4被供至第一節點N1，且電流透過第一開關電晶體T1及驅動電晶體DT流過第二節點N2、第三節點N3及第四節點N4。亦即，電流以第一開關電晶體T1→驅動電晶體DT→第二開關電晶體T2的方向或相反方向流動。據此，第二節點N2及第三節點N3各個的電壓被從第一初始化電壓V1降低驅動電晶體DT的閾值電壓Vth，且因此第二節點N2及第三節點N3各個的電壓上升（或下降）直到驅動電晶體DT關斷。據此，當第二時段P2結束時，第一節點N1的電壓變成第一初始化電壓V1，且第二節點N2及第三節點N3各個的電壓變成低於初始化電壓Vint的電壓V1-Vth，即，較第一初始化電壓V1低驅動電晶體DT的閾值電壓Vth或其附近電壓。
如圖7A及7B所示，在第三時段P3中，第四掃描訊號SN（n-3）為閘極導通電壓，而第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）、第三掃描訊SN（n）及發光訊號EM為閘極關斷電壓。驅動電晶體DT維持在導通狀態，而第一開關電晶體T1透過具有閘極導通電壓的第四掃描訊號SN（n-3）而導通。據此，高於第一初始化電壓V1的第二初始化電壓V2被充至第四節點N4，且高於第一初始化電壓V1的初始化電壓V2-Vth被充至第三節點N3。驅動電晶體DT的偏壓電壓（閘極導通電壓）變為“V2-Vth-V1”。藉由偏壓電壓，驅動電晶體DT的磁滯特性被減輕。同時，所有的第二電晶體T2到第七電晶體T7關斷。
參考圖8A及8B，第四時段P4中，第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）及第四掃描訊號SN（n-3）各為閘極導通電壓，而第三掃描訊SN（n）及發光訊號EM為閘極關斷電壓。第一開關電晶體T1、第二開關電晶體T2、第四開關電晶體T4及第七開關電晶體T7由具有閘極導通電壓的第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）及第四掃描訊號SN（n-3）導通。據此，第一初始化電壓V1透過第一開關電晶體T1及第四開關電晶體T4被施加至第一節點N1，且電流透過第一開關電晶體T1及驅動電晶體DT流過第二節點N2、第三節點N3及第四節點N4。亦即，電流以第一開關電晶體T1→驅動電晶體DT→第二開關電晶體T2的方向或相反方向流動。據此，第二節點N2及第三節點N3各個的電壓被從第一初始化電壓V1降低驅動電晶體DT的閾值電壓Vth，且因此第二節點N2及第三節點N3各個的電壓上升（或下降）直到驅動電晶體DT關斷。據此，當第四時段P4結束時，第一節點N1的電壓變成第一初始化電壓V1，且第二節點N2及第三節點N3各個的電壓變成低於初始化電壓Vint的電壓V1-Vth，即，較第一初始化電壓V1低驅動電晶體DT的閾值電壓Vth或其附近電壓。驅動電晶體DT的閾值電壓Vth儲存在第一電容器Cst1中。
第四時段P4中，第一節點N1的電壓立即變成第一初始化電壓V1，且第一節點N1的第一初始化電壓V1與高電位源極電壓ELVDD之間的電壓差被第一電容器Cst1及第二電容器Cst2分壓。分壓電壓立即在第二節點N2處形成。因此，透過依據第一初始化電壓V1的電流，透過第一初始化電壓V1及閾值電壓Vth的反射，第二節點N2的電壓變為電壓V1-Vth。據此，使第二節點N2的電壓固定所需的時間不長。
參考圖9A及9B，在第五時段P5中，第三掃描訊SN（n）為閘極導通電壓，而第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）、第四掃描訊號SN（n-3）及發光訊號EM各為閘極關斷電壓。第三電晶體T3由為閘極導通電壓的第三掃描訊SN（n）導通，且因此資料電壓Vdata被從資料線14供應至第二節點N2。
在第五時段P5中，因為第二節點N2在第一電容器Cst1的相反電極之間的電壓差仍被維持住的情況下具有資料電壓Vdata，第一節點N1的電壓具有透過將驅動電晶體DT的閾值電壓Vth加至資料電壓Vdata而獲得的α(Vdata+Vth)的值。於此，“α”代表透過將第一電容器Cst1的電容除以第一電容器Cst1的電容與連接到第一節點N1的寄生電容的總和而獲得的值。由於第一電容器Cst1的電容顯著地大於連接於第一節點N1的寄生電容的總和，“α”趨近於1，且因此可以被忽略。
在第五時段P5中，累積於第一電容器Cst1中的電荷量不會改變，且只有第一電容器Cst1的相反電極之間的電壓差在同速率（rate）下變化。據此，在第五時段P5中，減少了將第一節點N1的電位設置為資料電壓Vdata（確切地，反映了閾值電壓的資料電壓）所花費的時間。
在第五時段P5中，第一節點N1的電壓為α(Vdata+Vth)，第二節點N2的電壓為資料電壓Vdata，第三節點N3的電壓為Vint-Vth，而第四節點N4的電壓為第一初始化電壓V1。
參考圖10A及10B，在第六時段P6中，第一掃描訊SN（n-2）、第二掃描訊SP（n-2）、第三掃描訊SN（n）及第四掃描訊號SN（n-3）各為閘極關斷電壓，而發光訊號EM為閘極導通電壓。所有第一開關電晶體T1到第四開關電晶體T4及第七開關電晶體T7導通，但第五開關電晶體T5及第六開關電晶體T6受發光訊號EM導通。此外，高電位源極電壓ELVDD被輸入至第三節點N3，且第一節點N1的電壓維持在低於高電位源極電壓ELVDD的α(Vdata+Vth)的電壓值。據此，驅動電晶體DT導通，進而使像素電流流動。這樣的像素電流被施加到發光元件EL，發光元件EL繼而發光。
像素電流IEL 與透過從驅動電晶體DT的閘極－源極電壓Vgs減去驅動電晶體DT的閾值電壓Vth而獲得的值的平方成比例，且可以如下的關係式1所表示：
[關係式1]
Figure 02_image001
如關係式1所示，在像素電流IEL 的關係式中去除了驅動電晶體DT的閾值電壓Vth的分量，並且因此，可以確定像素電流IEL ，而與驅動電晶體DT的閾值電壓的變化無關。像素電流IEL 為對應於資料電壓Vdata與高電位源極電壓ELVDD之間的差的值，且可以使發光元件EL發光。發光元件EL的陽極的電位透過像素電流IEL 上升到導通電壓ELVSS+Vel。從電位上升的時間開始，發光元件EL可以開始發光。
依據本公開的各面向，透過使用編程時段之前的老化時段對驅動電晶體施加相對強的偏壓，可以在對驅動電晶體的閘極－源極電壓進行編程之前減輕驅動電晶體的磁滯特性。據此，可以有效地補償驅動電晶體的閾值電壓的變化。
依據本公開的各面向，內部補償器包含於各像素電路中，以避免驅動電晶體的閾值電壓的變化被反映到像素電流中。據此，可以達到提高圖像的品質。
在本公開的各面向中，直接或間接地連接於驅動電晶體的閘極的開關電晶體實現為具有良好的關斷特性的氧化物電晶體。據此，儘管在發光元件發光的期間，驅動電晶體的閘極可以連續地維持在編程電壓，並因此可以達到提高圖像的品質。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
VGH:閘極高電壓（閘極導通電壓） VGL:閘極低電壓（閘極關斷電壓） HIL:電洞射入層 HTL:電洞傳輸層 EML:發光層 ETL:電子傳輸層 EIL:電子注入層 10:顯示面板 11:時序控制器 12:資料驅動電路 13:閘極驅動電路 14:資料線 15:閘極線 16:電源電路 PXL:像素 ELVDD:高電位源極電壓 ELVSS:低電位源極電壓 Vint:初始化電壓 DATA:影像資料 Vsync:垂直同步訊號 Hsync:水平同步訊號 DE:資料致能訊號 DCLK:點時脈 GCS:閘極時序控制訊號 DCS:資料時序控制訊號 A:第一掃描線 B:第二掃描線 C:第三掃描線 D:第四掃描線 E:發光線 Vdata:資料電壓 SN（n-2）:第一掃描訊 SP（n-2）:第二掃描訊 SN（n）:第三掃描訊 SN（n-3）:第四掃描訊號 EM:發光訊號 DT:驅動電晶體 EL:發光元件 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 N4:第四節點 N5:第五節點 T1:第一開關電晶體 T2:第二開關電晶體 T3:第三開關電晶體 T4:第四開關電晶體 T5:第五開關電晶體 T6:第六開關電晶體 T7:第七開關電晶體 Cst1:第一電容器 Cst2:第二電容器 P1、P2:預先初始化時段 P3:老化時段 P4:初始化時段 P5:資料寫入時段 P6:發光時段 V1:第一初始化電壓 V2:第二初始化電壓 Vth:閾值電壓
所包含的附圖用於提供對本公開的進一步理解並且併入本申請中並構成本申請的一部分，附圖出了本公開的一或多個面向，並且與說明書一起用於解釋本公開的原理。 圖1係依據本公開一示例性面向所繪示的電致發光顯示裝置的方塊圖。 圖2繪示圖1的電致發光顯示裝置執行低刷新率（low refresh rate，LRR）驅動（或低速驅動）的情況。 圖3繪示包含在圖1的電致發光顯示裝置的一個像素的等效電路圖。 圖4係圖3所示的像素電路的驅動波形圖。 圖5A及5B係關聯於圖4的每個像素在時段P1中的運作的圖。 圖6A及6B係關聯於圖4的每個像素在時段P2中的運作的圖。 圖7A及7B係關聯於圖4的每個像素在時段P3中的運作的圖。 圖8A及8B係關聯於圖4的每個像素在時段P4中的運作的圖。 圖9A及9B係關聯於圖4的每個像素在時段P5中的運作的圖。 圖10A及10B係關聯於圖4的每個像素在時段P6中的運作的圖。
14:資料線
ELVDD:高電位源極電壓
ELVSS:低電位源極電壓
Vint:初始化電壓
A:第一掃描線
B:第二掃描線
C:第三掃描線
D:第四掃描線
E:發光線
Vdata:資料電壓
SN(n-2):第一掃描訊
SP(n-2):第二掃描訊
SN(n):第三掃描訊
SN(n-3):第四掃描訊號
EM:發光訊號
EL:發光元件
N1:第一節點
N2:第二節點
N3:第三節點
N4:第四節點
N5:第五節點
T1:第一開關電晶體
T2:第二開關電晶體
T3:第三開關電晶體
T4:第四開關電晶體
T5:第五開關電晶體
T6:第六開關電晶體
T7:第七開關電晶體
Cst1:第一電容器
Cst2:第二電容器

Claims (20)

  1. 一種電致發光顯示裝置，具有多個像素，每一該些像素包含：一驅動電晶體，具有連接於一第一節點的一閘極、連接於一第三節點的一源極及連接於一第四節點的一汲極，當一高電位源極電壓被施加至該第三節點時，該驅動電晶體產生對應於一資料電壓的像素電流；一內部補償器，包含一第一電容器及一第二電容器，該第一電容器連接於該第一節點及一第二節點之間，該第二電容器連接於該第二節點及該高電位源極電壓的一輸入端之間，該內部補償器依據一第一掃描訊號、相位相反於該第一掃描訊號的一第二掃描訊號、在相位上落後於該第一掃描訊號的一第三掃描訊號、在相位上超前於該第一掃描訊號的一第四掃描訊號及一發光訊號，控制該驅動電晶體的一閾值電壓，其中該第一掃描訊號從一閘極低電壓上升至一閘極高電壓的時間點相同於該第二掃描訊號從該閘極高電壓下降至該閘極低電壓的時間點，及該第一掃描訊號從該閘極高電壓下降至該閘極低電壓的時間點相同於該第二掃描訊號從該閘極低電壓上升至該閘極高電壓的時間點；以及 一發光元件，連接於一第五節點與一低電位源極電壓的一輸入端之間。
  2. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中該內部補償器依據多個開關電晶體的運作，在一老化時段及一編程時段參照該第一掃描訊號到該第四掃描訊號及該發光訊號控制該第一節點到該第五節點的電壓，使得在該編程時段之後的一發光時段中，於該驅動電晶體的一閘極-源極電壓中反映該驅動電晶體的該閾值電壓。
  3. 如請求項2所述的電致發光顯示裝置，其中該內部補償器基於一第一初始化電壓及該資料電壓，控制該驅動電晶體的該閘極-源極電壓在該編程時段中具有包含該閾值電壓的一第一電位，且其中該內部補償器基於高於該第一初始化電壓的一第二初始化電壓，控制該驅動電晶體的該閘極-源極電壓在該編程時段前的該老化時段中具有高於該第一電位的一第二電位。
  4. 如請求項3所述的電致發光顯示裝置，其中該驅動電晶體被具有該第一電位或該第二電位的該閘極-源極電壓導通，且 其中該驅動電晶體的該閘極-源極電壓在該老化時段中高於該編程時段。
  5. 如請求項3所述的電致發光顯示裝置，其中該編程時段包含一初始化時段及在該初始化時段之後的一資料寫入時段，其中該內部補償器控制該些開關電晶體的運作，使該第一初始化電壓在該初始化時段中被施加至該第一節點、該第四節點及該第五節點，且其中該內部補償器控制該些開關電晶體的運作，使該資料電壓在該資料寫入時段被施加至該第二節點。
  6. 如請求項5所述的電致發光顯示裝置，其中該內部補償器更包含：一第一開關電晶體，用於依據該第四掃描訊號在該老化時段施加該第二初始化電壓至該第四節點，其中該第四掃描訊號具有一導通電位；一第二開關電晶體，用於依據該第一掃描訊號在該初始化時段連接該第二節點及該第三節點，進而將透過從該初始化電壓減去該驅動電晶體的該閾值電壓得到的一第一電壓 施加至該第二節點及該第三節點，其中該第一掃描訊號具有一導通電位；一第三開關電晶體，用於依據該第一掃描訊號在該初始化時段施加該第一初始化電壓至該第一節點，其中該第一掃描訊號具有一導通電位；一第四開關電晶體，用於依據該第二掃描訊號在該初始化時段施加該第一初始化電壓至該第五節點，其中該第二掃描訊號具有一導通電位；一第五開關電晶體，用於依據該第三掃描訊號在該資料寫入時段施加該資料電壓至該第二節點，其中該第三掃描訊號具有一導通電位；一第六開關電晶體，用於依據該發光訊號在該發光時段電性連接具有該高電位源極電壓的該輸入端及該第三節點，其中該發光訊號具有一導通電位；以及一第七開關電晶體，用於依據該發光訊號在該發光時段電性連接該第四節點及該第五節點，其中該發光訊號具有一導通電位。
  7. 如請求項5所述的電致發光顯示裝置，其中該內部補償器更控制該些開關電晶體的運作，使該第一初始化電壓 在該老化時段之前的一預初始化時段中被預先施加至該第一節點。
  8. 如請求項7所述的電致發光顯示裝置，其中在該預初始化時段中，該第一掃描訊號、該第二掃描訊號及該第四掃描訊號的每一者以一初級導通電位輸入。
  9. 如請求項8所述的電致發光顯示裝置，其中在該編程時段中，該第一掃描訊號、該第二掃描訊號及該第四掃描訊號的每一者以一第二導通電位輸入。
  10. 如請求項6所述的電致發光顯示裝置，其中該第一開關電晶體及該第三開關電晶體的每一者包含一N通道氧化物電晶體，其中該N通道氧化物電晶體具有一氧化物半導體層。
  11. 如請求項6所述的電致發光顯示裝置，其中該第二開關電晶體及該第五開關電晶體的每一者包含一N通道氧化物電晶體，其中該N通道氧化物電晶體具有一氧化物半導體層。
  12. 如請求項6所述的電致發光顯示裝置，其中該驅動電晶體、該第四開關電晶體、該第六開關電晶體及該第七開 關電晶體的每一者包含一P通道低溫多晶矽電晶體，其中該P通道低溫多晶矽電晶體具有一低溫多晶矽半導體層。
  13. 如請求項5所述的電致發光顯示裝置，其中該第一電容器在該初始化時段儲存該驅動電晶體的該閾值電壓，且其中該第二電容器在該資料寫入時段儲存該資料電壓。
  14. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，當該些像素寫有該資料電壓的一第一影像幀及一第二影像幀存在時，在其中保持有寫入於該第一影像幀的該資料電壓的多個第三影像幀係設置在該第一影像幀及該第二影像幀之間。
  15. 一種電致發光顯示裝置，具有多個像素，每一該些像素包含：一驅動電晶體，具有連接於一第一節點的一閘極、連接於一第三節點的一源極，及連接於一第四節點的一汲極，當一高電位源極電壓被施加至該第三節點時，該驅動電晶體產生對應於一資料電壓的像素電流；一發光元件，連接於一第五節點與一低電位源極電壓的一輸入端之間；以及一內部補償器，包含一第二節點耦接至該第一節點，並依據一第一掃描訊號、相位相反於該第一掃描訊號的一第二 掃描訊號、在相位上落後該第一掃描訊號的一第三掃描訊號、在相位上超前該第一掃描訊號的一第四掃描訊號及一發光訊號，控制該驅動電晶體的一閾值電壓，及在一老化時段及一編程時段參照該第一掃描訊號到該第四掃描訊號及該發光訊號依據多個開關電晶體的運作控制該第一節點到該第五節點的電壓，使得在該編程時段之後的一發光時段中，該驅動電晶體的一閘極-源極電壓中反映該驅動電晶體的該閾值電壓，其中該第一掃描訊號從一閘極低電壓上升至一閘極高電壓的時間點相同於該第二掃描訊號從該閘極高電壓下降至該閘極低電壓的時間點，及該第一掃描訊號從該閘極高電壓下降至該閘極低電壓的時間點相同於該第二掃描訊號從該閘極低電壓上升至該閘極高電壓的時間點。
  16. 如請求項15所述的電致發光顯示裝置，其中該內部補償器基於一第一初始化電壓及該資料電壓，控制該驅動電晶體的該閘極-源極電壓在該編程時段中具有包含該閾值電壓的一第一電位，且其中該內部補償器基於高於該第一初始化電壓的一第二初始化電壓，控制該驅動電晶體的該閘極-源極電壓在該 編程時段前的該老化時段中具有高於該第一電位的一第二電位。
  17. 如請求項16所述的電致發光顯示裝置，其中該驅動電晶體被具有該第一電位或該第二電位的該閘極-源極電壓導通，且其中該驅動電晶體的該閘極-源極電壓在該老化時段中高於該編程時段。
  18. 如請求項16所述的電致發光顯示裝置，其中該編程時段包含一初始化時段及在該初始化時段之後的一資料寫入時段，其中該內部補償器控制該些開關電晶體的運作，使該第一初始化電壓在該初始化時段中被施加至該第一節點、該第四節點及該第五節點，且其中該內部補償器控制該些開關電晶體的運作，使該資料電壓在該資料寫入時段被施加至該第二節點。
  19. 如請求項18所述的電致發光顯示裝置，其中該內部補償器更包含： 一第一開關電晶體，用於依據該第四掃描訊號在該老化時段施加該第二初始化電壓至該第四節點，其中該第四掃描訊號具有一導通電位；一第二開關電晶體，用於依據該第一掃描訊號在該初始化時段連接該第二節點及該第三節點，進而將透過從該初始化電壓減去該驅動電晶體的該閾值電壓得到的一第一電壓施加至該第二節點及該第三節點，其中該第一掃描訊號具有一導通電位；一第三開關電晶體，用於依據該第一掃描訊號在該初始化時段施加該第一初始化電壓至該第一節點，其中該第一掃描訊號具有一導通電位；一第四開關電晶體，用於依據該第二掃描訊號在該初始化時段施加該第一初始化電壓至該第五節點，其中該第二掃描訊號具有一導通電位；一第五開關電晶體，用於依據該第三掃描訊號在該資料寫入時段施加該資料電壓至該第二節點，其中該第三掃描訊號具有一導通電位； 一第六開關電晶體，用於依據該發光訊號在該發光時段電性連接具有該高電位源極電壓的該輸入端及該第三節點，其中該發光訊號具有一導通電位；以及一第七開關電晶體，用於依據該發光訊號在該發光時段電性連接該第四節點及該第五節點，其中該發光訊號具有一導通電位。
  20. 如請求項18所述的電致發光顯示裝置，其中該內部補償器更控制該些開關電晶體的運作，使該第一初始化電壓在該老化時段之前的一預初始化時段中被預先施加至該第一節點。
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