TWI764099B - 半導體記憶裝置 - Google Patents

半導體記憶裝置

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Abstract

本發明之實施方式提供一種能夠謀求散熱性之提高之半導體記憶裝置。  實施方式之半導體記憶裝置包含：殼體，其具有第1通氣孔；第1基板，其收容於殼體；發熱零件，其安裝於第1基板；電解電容器，其配置於發熱零件與第1通氣孔之間；及導熱性片材。導熱性片材以跨及發熱零件與電解電容器之方式設置，或者以跨及第1基板中位於發熱零件之背面側之區域與電解電容器之方式配置。電解電容器之外形之至少一部分具有曲面部，導熱性片材之一部分以沿著曲面部彎曲之狀態安裝於電解電容器。

Description

半導體記憶裝置
本發明之實施形態係關於一種半導體記憶裝置。
已知有一種半導體記憶裝置，其具備：殼體、收容於殼體之基板、及安裝於基板之半導體記憶體零件。對於半導體記憶裝置期待提高散熱性。
本發明之實施形態提供一種能夠謀求散熱性之提高之半導體記憶裝置。
實施形態之半導體記憶裝置包含：殼體，其具有第1通氣孔；第1基板，其收容於殼體；發熱零件，其安裝於第1基板；電解電容器，其配置於發熱零件與第1通氣孔之間；及導熱性片材。導熱性片材以跨及發熱零件與電解電容器之方式設置，或者以跨及第1基板中位於發熱零件之背面側之區域與電解電容器之方式設置。電解電容器之外形之至少一部分具有曲面部，導熱性片材之一部分以沿著曲面部彎曲之狀態安裝於電解電容器。
以下，參照圖式對實施形態之半導體記憶裝置進行說明。此外，於以下說明中，對具有相同或類似功能之構成標註相同符號。並且，有時省略該等構成之重複說明。本說明書中，所謂「重疊」，意指兩個對象物之虛擬投影圖像彼此重疊，亦包括兩個對象物彼此不直接相接之情況。本說明書中，所謂「平行」及「正交」，包括「大致平行」及「大致正交」之情況。
另外，首先對+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向、+Z方向及-Z方向進行定義。+X方向、-X方向、+Y方向及-Y方向係沿著下述第1子基板21之第1面21a(參考圖6)之方向。+X方向係從下述殼體2之第2端部2b朝向第1端部2a之方向(參考圖1)。-X方向係與+X方向相反之方向。於不區分+X方向與-X方向之情形時，簡稱為「X方向」。+Y方向及-Y方向係與X方向交叉之(例如正交之)方向。+Y方向係從下述殼體2之第4端部2d朝向第3端部2c之方向(參考圖1)。-Y方向係與+Y方向相反之方向。於不區分+Y方向與-Y方向之情形時，簡稱為「Y方向」。+Z方向及-Z方向係與X方向及Y方向交叉之(例如正交之)方向，且為下述主基板20、第1子基板21、及第2子基板22各自之厚度方向。+Z方向係從第1子基板21朝向第2子基板22之方向(參考圖2)。-Z方向係與+Z方向相反之方向。於不區分+Z方向與-Z方向之情形時，簡稱為「Z方向」。-X方向係「第1方向」之一例。-Y方向係「第2方向」之一例。
(第1實施形態)  ＜1.整體構成＞  參考圖1～圖8B，對第1實施形態之半導體記憶裝置1進行說明。半導體記憶裝置1例如為如SSD(Solid State Drive，固態磁碟機)般之記憶裝置。半導體記憶裝置1例如安裝於伺服器裝置或個人電腦等資訊處理裝置中，且用作資訊處理裝置之記憶區域。本說明書中，將被安裝半導體記憶裝置1之資訊處理裝置稱為「主機裝置」。
圖1係表示半導體記憶裝置1之立體圖。圖2係將半導體記憶裝置1進行部分分解而表示之立體圖。如圖1及圖2所示，半導體記憶裝置1例如具有：殼體2、基板單元3及複數個緊固部件4。
殼體2例如形成為矩形箱狀。殼體2例如為金屬製。殼體2具有第1端部2a、及位於與第1端部2a相反側之第2端部2b，作為在殼體2之長度方向上劃分之一對端部。殼體2具有第3端部2c、及位於與第3端部2c相反側之第4端部2d，作為在殼體2之短邊方向上劃分之一對端部。
殼體2包含基底11及外罩12，藉由組合基底11及外罩12而形成。基底11包含第1主壁13、及第1至第3側壁部14a、14b、14c。第1主壁13係與X方向及Y方向平行之壁部。第1至第3側壁部14a、14b、14c分別於第1、第3、第4端部2a、2c、2d處從第1主壁13向+Z方向豎起。另一方面，外罩12具有第2主壁15、及第1至第4側壁部16a、16b、16c、16d。第2主壁15係與X方向及Y方向平行之壁部。第1至第4側壁部16a、16b、16c、16d分別於第1至第4端部2a、2b、2c、2d處從第2主壁15向-Z方向延伸。
由基底11之第1側壁部14a及外罩12之第1側壁部16a形成了殼體2之+X方向側之側壁17a。由外罩12之第2側壁部16b形成了殼體2之-X方向側之側壁17b。由基底11之第2側壁部14b及外罩12之第3側壁部16c形成了殼體2之+Y方向側之側壁17c。由基底11之第3側壁部14c及外罩12之第4側壁部16d形成了殼體2之-Y方向側之側壁17d。
於殼體2之第1端部2a設置有複數個第1通氣孔18。例如複數個第1通氣孔18設置於外罩12之第1側壁部16a。同樣地，於殼體2之第2端部2b設置有複數個第2通氣孔19。例如複數個第2通氣孔19設置於外罩12之第2側壁部16b。
此處，第1通氣孔18及第2通氣孔19亦可任一個作為進氣孔發揮功能，任一個作為排氣孔發揮功能。例如，於將半導體記憶裝置1放置於風朝向-X方向流動之設置環境中時，殼體2之外部之空氣從第1通氣孔18流入至殼體2之內部，從第2通氣孔19排出至殼體2之外部。另一方面，於將半導體記憶裝置1放置於風朝向+X方向流動之設置環境中時，殼體2之外部之空氣從第2通氣孔19流入至殼體2之內部，從第1通氣孔18排出至殼體2之外部。此外，以下以將半導體記憶裝置1放置於風朝向-X方向流動之設置環境中之情況為例進行說明。
基板單元3收容於殼體2內。關於基板單元3，將於下文中參考圖3進行詳細敍述。
複數個緊固部件4例如包含複數個第1緊固部件4A、及複數個第2緊固部件4B。第1緊固部件4A將基板單元3固定於基底11。第2緊固部件4B將外罩12固定於基底11。
＜2.基板單元之構成＞  ＜2.1 基板單元之整體構成＞  其次，對基板單元3之整體構成進行說明。
圖3係將基板單元3進行部分分解而表示之立體圖。基板單元3例如具有：主基板20、第1子基板(a first sub board)21、第2子基板(a second sub board)22、第1絕緣片材23、第2絕緣片材24、第1間隔件25、第2間隔件26、控制器27(參考圖4)、複數個DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)28(參考圖4)、外部連接連接器29、複數個電容器30、複數個NAND(Not AND，反及)型快閃記憶體31(在圖3中僅圖示一部分，以下稱為「NAND31」)、複數個熱連接零件32(參考圖6)、及複數個導熱性片材33(參考圖6、圖7)。但，半導體記憶裝置1不限於上述示例。半導體記憶裝置1廣泛應用各種半導體記憶裝置，亦可具有圖示以外之尺寸或形狀之基板，且亦可不搭載DRAM。
主基板20在3個基板(主基板20、第1子基板21、及第2子基板22)中位於最靠近-Z方向側(參考圖6)。主基板20配置於殼體2之第1主壁13之內表面與第1子基板21之間。主基板20與X方向及Y方向平行。主基板20具有面向殼體2之第1主壁13之第1面20a、及位於與第1面20a相反側且面向第1子基板21之第2面20b。
第1子基板21配置於主基板20與第2子基板22之間(參考圖6)。第1子基板21與X方向及Y方向平行。第1子基板21具有面向主基板20之第1面21a、及位於與第1面21a相反側且面向第2子基板22之第2面21b。第1子基板21係「第1基板」之一例。
第2子基板22在3個基板(主基板20、第1子基板21、及第2子基板22)中位於最靠近+Z方向側(參考圖6)。第2子基板22配置於第1子基板21與殼體2之第2主壁15之內表面之間。本實施形態中，第2子基板22配置在安裝於第1子基板21之第2面21b之複數個NAND31A(利用下述導熱性片材33進行散熱之散熱對象零件)、與殼體2之第2主壁15之內表面之間。第2子基板22與X方向及Y方向平行。第2子基板22具有：面向第1子基板21之第1面22a、及位於與第1面22a相反側且面向殼體2之第2主壁15之第2面22b。第2子基板22具有用來避免與下述電容器30之干擾之開口部22c。第2子基板22係「第2基板」之一例。
如圖3所示，本實施形態中，於主基板20與第1子基板21之間設置有第1撓性配線板(第1撓性連接部)FP1。第1撓性配線板FP1將主基板20之-Y方向之端部、與半導體記憶裝置1之組裝前之第1子基板21之+Y方向之端部(在半導體記憶裝置1之組裝後成為-Y方向側之端部)連接。主基板20與第1子基板21經由第1撓性配線板FP1電連接。
同樣地，於主基板20與第2子基板22之間設置有第2撓性配線板(第2撓性連接部)FP2。第2撓性配線板FP2將主基板20之+Y方向之端部、與半導體記憶裝置1之組裝前之第2子基板22之-Y方向之端部(在半導體記憶裝置1之組裝後成為+Y方向側之端部)連接。主基板20與第2子基板22經由第2撓性配線板FP2電連接。
本實施形態中，主基板20、第1子基板21、第2子基板22、第1撓性配線板FP1、及第2撓性配線板FP2一體形成為剛性撓性基板。亦可代替其，將主基板20、第1子基板21、及第2子基板22彼此分別形成，經由單獨之撓性配線板或基板間連接連接器(所謂之B to B連接器)進行電連接。
第1絕緣片材23配置於主基板20與第1子基板21之間。第2絕緣片材24配置於第1子基板21與第2子基板22之間。本實施形態中，第2絕緣片材24配置於導熱性片材33(參考圖6)與第2子基板22之間。此外，為了便於說明，於以下說明之圖中，省略了絕緣片材23、24之圖示。
第1間隔件25夾在主基板20與第1子基板21之間，使主基板20與第1子基板21彼此分離。換句話說，第1間隔件25形成了供空氣流向主基板20與第1子基板21之間之間隙。例如，第1間隔件25形成為沿著主基板20或第1子基板21之外形之框狀。例如，第1間隔件25為合成樹脂製。此外，將於下文對第1間隔件25之形狀之細節部位進行敍述。
第2間隔件26夾在第1子基板21與第2子基板22之間，使第1子基板21與第2子基板22彼此分離。換句話說，第2間隔件26形成了供空氣流向第1子基板21與第2子基板22之間之間隙。例如，第2間隔件26形成為沿著第1子基板21或第2子基板22之外形之框狀。例如，第2間隔件26為合成樹脂製。此外，將於下文對第2間隔件26之形狀之細節部位進行敍述。
控制器(控制器零件，參考圖4)27例如安裝於主基板20之第1面20a。控制器27統一地控制半導體記憶裝置1之整體。例如，控制器27構成為將對主機裝置之主機接口電路、控制複數個DRAM28之控制電路、及控制複數個NAND31之控制電路等集成到1個半導體晶片上而成之SoC(System on a Chip，系統晶片)。
DRMA28(參照圖4)例如安裝於主基板20之第1面20a。DRAM28係揮發性半導體記憶體晶片之一例。DRAM28係暫時地儲存從主機裝置接收到之寫入對象資料、及從NAND31讀出之讀出對象資料之資料緩衝區。
外部連接連接器29例如安裝於主基板20之第2面20b。外部連接連接器29具有複數個金屬製之端子，能夠與主機裝置連接。
複數個電容器30例如安裝於主基板20之第2面20b。電容器30承擔電源備份功能，以保護未預料之電力切斷時之資料。例如，電容器30在來自主機裝置之電力供給在未預料之情形時被切斷時，對控制器27、DRAM28、及NAND31等供給一定時間之電力。即，電容器30在直至從DRAM28讀出暫時儲存於DRAM28中之寫入對象資料，且該寫入對象資料向NAND31之寫入結束為止的期間內，對控制器27、DRAM28、及NAND31等供給電力。電容器30例如為鋁電解電容器或導電性高分子鉭固體電解電容器等，但不限於該等。電容器30係「電子零件」之一例。此外，本說明書中之所謂「電子零件」，廣義上係指較之下述「發熱零件」而溫度相對地變低之零件，亦可係自身發熱之零件。
複數個NAND31包含：安裝於第1子基板21之第2面21b之複數個NAND31A、安裝於第2子基板22之第1面22a之複數個NAND31B、及安裝於第2子基板22之第2面22b之複數個NAND31C(參考圖6)。NAND31係非揮發性半導體記憶體晶片之一例，且係「半導體記憶體零件」之一例。
複數個熱連接零件32分別例如具有彈性(或柔軟性)。複數個熱連接零件32例如包含複數個第1熱連接零件32A、及複數個第2熱連接零件32B(參考圖6，但在圖6中，第1熱連接零件32A僅圖示了與控制器27對應之1個)。第1熱連接零件32A夾在控制器27或DRAM28、與殼體2之第1主壁13之間，將控制器27或DRAM28熱連接於殼體2。由此，主基板20所發出之熱之一部分經由第1熱連接零件32A傳導至殼體2。另一方面，第2熱連接零件32B夾在安裝於第2子基板22之第2面22b之NAND31C、與殼體2之第2主壁15之間，將NAND31C熱連接於殼體2。由此，第2子基板22所發出之熱之一部分經由第2熱連接零件32B傳導至殼體2。
導熱性片材33以跨及安裝於第1子基板21之第2面21b之複數個NAND31A、與電容器30之方式設置，而將複數個NAND31A與電容器30熱連接(參考圖6)。此外，關於導熱性片材33，將於下文進行詳細敍述。
＜2.2 主基板上之配置構成＞  其次，對主基板20上之控制器27、DRAM28、外部連接連接器29、及電容器30之配置構成進行說明。
圖4係表示主基板20之第1面20a之俯視圖。主基板20具有第1端部20c、位於與第1端部20c相反側之第2端部20d。第1端部20c係與殼體2之第1端部2a對應之端部。第2端部20d係與殼體2之第2端部2b對應之端部。第1端部20c具有用來避開複數個電容器30之缺口部20ca。第1端部20c具有在缺口部20ca之兩側分開設置之第1突出部20cb及第2突出部20cc。第1突出部20cb設置於+Y方向側之邊緣部，且向+X方向突出。第2突出部20cc設置於-Y方向側之邊緣部，且向+X方向突出。
本實施形態中，控制器27在主基板20中配置於較第1端部20c更靠近第2端部20d之附近。另一方面，複數個電容器30配置於主基板20之第1端部20c。本實施形態中，複數個電容器30包含第1電容器30A、及第2電容器30B。第1及第2電容器30A、30B分別具有設置成圓筒狀之電容器主體41、及從電容器主體41之端部突出之一對端子42a、42b。
第1及第2電容器30A、30B之電容器主體41收容於主基板20之缺口部20ca。例如，第1電容器30A之電容器主體41與第2電容器30B之電容器主體41分別沿著Y方向配置，且彼此在Y方向上並列。於第1電容器30A與第2電容器30B之間設置有間隙S0。
第1電容器30A之端子42a、42b連接於主基板20之第1突出部20cb。由此，第1電容器30A由主基板20之第1突出部20cb支持。第2電容器30B之端子42a、42b連接於主基板20之第2突出部20cc。由此，第2電容器30B由主基板20之第2突出部20cc支持。
＜2.3 第1及第2間隔件＞  其次，對第1及第2間隔件25、26進行說明。此處，以第2間隔件26為代表進行說明。
圖5係表示第2間隔件26之立體圖。第2間隔件26包含第1部分51、第2部分52、第3部分53及第4部分54。第1部分51及第2部分52彼此在Y方向上分離，並且分別沿X方向延伸。第1部分51相對於第2部分52位於+Y方向。第3部分53及第4部分54彼此在X方向上分離，並且分別沿Y方向延伸。第3部分53相對於第4部分54位於+X方向。藉由將第1～第4部分51、52、53、54彼此連結，而形成框狀之第2間隔件26。第1部分51及第2部分52之Z方向之厚度相當於第1子基板21與第2子基板22之間之距離(下述間隙S3之厚度)。
本實施形態中，第3部分53具有基部53a及引導部53b。基部53a以將第1部分51與第2部分52相連之方式沿Y方向延伸。基部53a之Z方向之厚度較第1部分51及第2部分52之Z方向之厚度薄。故，於第1部分51與引導部53b之間設置有在基部53a與第2子基板22之間形成間隙之第1凹部53c。同樣地，於第2部分52與引導部53b之間設置有在基部53a與第2子基板22之間形成間隙之第2凹部53d。從第1通氣孔18流入至殼體2內之空氣穿過第1及第2凹部53c、53d，流入至第1子基板21與第2子基板22之間之間隙S3中。
引導部53b設置於基部53a之Y方向之中央部。引導部53b從基部53a向+Z方向豎起，且從+X方向與第1電容器30A與第2電容器30B之間之間隙S0相對。引導部53b形成為朝向+X方向之山形。引導部53b包含第1傾斜部53ba及第2傾斜部53bb。
第1傾斜部53ba設置於引導部53b之Y方向之中央部與引導部53b之+Y方向之端部之間。第1傾斜部53ba以隨著向+Y方向前進而位於-X方向之方式傾斜。第1傾斜部53ba將從第1通氣孔18流入至殼體2內並與第1傾斜部53ba碰撞之空氣之至少一部分引至第1電容器30A之背後。
另一方面，第2傾斜部53bb設置於引導部53b之Y方向之中央部與引導部53b之-Y方向之端部之間。第2傾斜部53bb以隨著向-Y方向前進而位於-X方向之方式傾斜。第2傾斜部53bb之至少一部分將從第1通氣孔18流入至殼體2內並與第2傾斜部53bb接觸之空氣引至第2電容器30B之背後。
同樣地，第4部分54具有基部54a、第1引導部54b、第2引導部54c及第3引導部54d。基部54a以將第1部分51與第2部分52相連之方式沿Y方向延伸。基部54a之Z方向之厚度較第1部分51及第2部分52之Z方向之厚度薄。
第1引導部54b設置於基部54a之Y方向之中央部。第1引導部54b從基部54a向+Z方向豎起。第1引導部54b形成為朝向-X方向之山形。第2引導部54c在基部54a上配置於第1引導部54b與第1部分51之間。第2引導部54c形成為朝向+X方向之山形。於第1引導部54b與第2引導部54c之間形成有供流經第1子基板21與第2子基板22之間之間隙S3之空氣朝向第2通氣孔19流動之間隙g1。另一方面，第3引導部54d在基部54a上配置於第1引導部54b與第2部分52之間。第3引導部54d形成為朝向+X方向之山形。於第1引導部54b與第3引導部54d之間形成有供流經第1子基板21與第2子基板22之間之間隙S3之空氣朝向第2通氣孔19流動之間隙g2。
＜3.導熱性片材＞  其次，對導熱性片材33進行說明。
圖6係沿著圖1中所示之半導體記憶裝置1之F6-F6線之剖視圖。本實施形態中，導熱性片材33係為了將安裝於第1子基板21之第2面21b之1個以上之NAND31A之熱傳導至電容器30而設置。NAND31A係「發熱零件」之一例。
此處，首先參考圖6對電容器30之一例進行補充說明。本實施形態中，電容器30配置於NAND31A與殼體2之第1通氣孔18之間。此外，於本說明書中，所謂「配置於發熱零件與第1通氣孔之間之電子零件」，意指在從與第1子基板(第1基板)之表面正交之方向進行觀察之俯視下電子零件位於發熱零件與第1通氣孔之間。即，電子零件之Z方向之位置亦可不在發熱零件與第1通氣孔之間。
本實施形態中，電容器30係相對大型之零件，具有較NAND31A更大之熱容量。例如，電容器30之Z方向之厚度T1較第1通氣孔18之Z方向之大小更大。例如，電容器30之Z方向之厚度T1較第1子基板21與第2子基板22之間之間隙S3之Z方向之高度T2更大。例如，電容器30之-Z方向之端部位於較主基板20之第1面20a更靠近-Z方向側。另一方面，電容器30之+Z方向之端部位於較安裝於第1子基板21之第2面21b之NAND31A之+Z方向之表面更靠近+Z方向側。
電容器主體41之外形之至少一部分具有曲面部41a。曲面部41a例如具有中心角跨及180度以上之曲面。本實施形態中，電容器主體41形成為圓筒狀。故，曲面部41a具有中心角跨及360度之曲面。
導熱性片材33以跨及至少1個NAND31A與電容器30之方式設置，將至少1個NAND31A與電容器30熱連接。本說明書中，所謂「將NAND31A與電容器30熱連接」，意指NAND31A之熱之至少一部分能夠移動至電容器30，且意指與未設置導熱性片材33之情況相比較，NAND31A與電容器30之溫度差變小。另外，所謂「將NAND31A與電容器30熱連接」，亦包括如下情況：在導熱性片材33與NAND31A之間、及/或在導熱性片材33與電容器30之間存在其它部件，經由上述其它部件及導熱性片材33將NAND31A與電容器30熱連接。
本實施形態中，導熱性片材33係沿X方向延伸之矩形片材。導熱性片材33例如藉由設置於導熱性片材33之單面之接著劑貼附於NAND31A與電容器30。導熱性片材33之Z方向之厚度T3較第2間隔件26之Z方向之厚度T2薄。進一步來說，導熱性片材33之Z方向之厚度T3較NAND31A之Z方向之厚度T4薄。此處，第2間隔件26之Z方向之厚度T2例如為5 mm。另一方面，導熱性片材33之Z方向之厚度T3例如為0.1 mm以下。
導熱性片材33例如具有柔軟性(可撓性)。導熱性片材33之一例為石墨片材，但不限於此。導熱性片材33例如具有安裝於複數個NAND31A上之第1部分61、及安裝於電容器30上之第2部分62。
＜3.1 導熱性片材之第1部分＞  第1部分61配置於第1子基板21與第2子基板22之間，且沿X方向呈平板狀延伸。進一步來說，第1部分61配置在安裝於第1子基板21之NAND31A、及安裝於第2子基板22之NAND31B之間。第1部分61係從與第1子基板21相反側安裝於複數個NAND31A上。
本實施形態中，於導熱性片材33與第2子基板22之間存在可供空氣流動之間隙S3a。進一步來說，於導熱性片材33、與安裝於第2子基板22之第1面22a之NAND31B之間存在可供空氣流動之間隙S3a。
如圖6所示，安裝於第1子基板21之NAND31A例如包含NAND31AA、NAND31AB、NAND31AC及NAND31AD。NAND31AA、NAND31AB、NAND31AC及NAND31AD按照該順序沿+X方向並列。即，NAND31AB配置於NAND31AA與電容器30之間。NAND31AA係「第1半導體記憶體零件」之一例。NAND31AB係「第2半導體記憶體零件」之一例。
本實施形態中，導熱片材33之第1部分61在Z方向上與NAND31AA、31AB、31AC、31AD重疊。例如，導熱片材33之第1部分61安裝於所有NAND31AA、31AB、31AC、31AD上。由此，導熱片材33將NAND31AA、31AB、31AC、31AD與電容器30熱連接。
本實施形態中，NAND31AA、31AB位於較殼體2之第1通氣孔18更靠近第2通氣孔19之附近。另一方面，電容器30位於較殼體2之第2通氣孔19更靠近第1通氣孔18之附近。並且，導熱性片材33從NAND31AA、31AB延伸到電容器30。
本實施形態中，NAND31AA、31AB、31AC各自之至少一部分在Z方向上與控制器27重疊。故，NAND31AA、31AB、31A不易散熱。例如，經由主基板20被控制器27加熱且流經主基板20與第1子基板21之間之空氣之熱容易傳遞到NAND31AA、31AB。故，NAND31AA、31AB、31AC(其中NAND31AA、31AB)之溫度容易上升。然而，本實施形態中，NAND31AA、31AB、31AC之熱經由導熱性片材33發散到電容器30。
＜3.2 導熱性片材之第2部分＞  導熱性片材33之第2部分62安裝於電容器30上。本實施形態中，第2部分62以沿著電容器30之曲面部41a彎曲之狀態安裝於電容器30之曲面部41a。例如，第2部分62以中心角跨及180度以上沿著電容器30之曲面部41a彎曲之狀態安裝於電容器30之曲面部41a。
本實施形態中，第2部分62例如包含：朝向電容器30之+Z方向側折入之部分62a、朝向電容器30之+X方向側折入之部分62b、及朝向電容器30之-Z方向側折入之部分62c。部分62a在電容器30與殼體2之第2主壁15之間之位置處形成為圓弧狀，而安裝於電容器30上。部分62a從第1部分61向+Z方向側鼓出。部分62b在電容器30與第1通氣孔18之間之位置處形成為圓弧狀，而安裝於電容器30上。部分62c在電容器30與殼體2之第1主壁13之間之位置處形成為圓弧狀，而安裝於電容器30上。
本實施形態中，部分62b之至少一部分形成為隨著向+Z方向前進而位於-X方向側之曲面狀(即相對於空氣之流動方向傾斜之形狀)。由此，第2部分62不易阻礙從第1通氣孔18流入至殼體2內之空氣之流動。另外，因為部分62b之至少一部分形成為曲面狀，故將電容器30與第1通氣孔18之間(即冷空氣從殼體2之外部流入之空間)之第2部分62之表面積確保得較大。由此，更容易促進第2部分62之散熱。
＜3.2 導熱性片材之平面配置結構＞  圖7係表示導熱性片材30之平面配置結構之俯視圖。本實施形態中，安裝於第1子基板21之NAND31A包含：第1群之NAND31AA、31AB、31AC、31AD、第2群之NAND31AE、31AF、31AG、31AH、及第3群之NAND31AI、31AJ、31AK、31AL。第1群之NAND31AA、31AB、31AC、31AD如上上述，按照該順序在+X方向上並列。第2群之NAND31AE、31AF、31AG、31AH相對於第1群之NAND31AA、31AB、31AC、31AD位於-Y方向，並且按照該順序在+X方向上並列。第3群之NAND31AI、31AJ、31AK、31AL相對於第2群之NAND31AE、31AF、31AG、31AH位於-Y方向，並且按照該順序在+X方向上並列。
如圖7所示，複數個導熱性片材33包含第1導熱性片材33A及第2導熱性片材33B。第1導熱性片材33A以在Z方向上相對於第1群之NAND31AA、31AB、31AC、31AD及第2群之NAND31AE、31AF、31AG、31AH重疊之方式設置，且安裝於第1群之NAND31AA、31AB、31AC、31AD及第2群之NAND31AE、31AF、31AG、31AH上。第1導熱性片材33A穿過第2間隔件26之第1凹部53c並沿X方向延伸，而安裝於第1電容器30A上。
另一方面，第2導熱性片材33B以在Z方向上相對於第2群之NAND31AE、31AF、31AG、31AH及第3群之NAND31AI、31AJ、31AK、31AL重疊之方式設置，而安裝於第2群之NAND31AE、31AF、31AG、31AH及第3群之NAND31AI、31AJ、31AK、31AL上。第2導熱性片材33B穿過第2間隔件26之第2凹部53d並沿X方向延伸，而安裝於第2電容器30B上。
本實施形態中，第2間隔件26之引導部53b位於第1導熱性片材33A與第2導熱性片材33B之間。引導部53b之至少一部分配置於不與第1及第2電容器30A、30B在X方向上重疊之位置。即，引導部53b之至少一部分在X方向上與第1電容器30A與第2電容器30B之間之間隙S0相對。引導部53b位於較第1及第2電容器30A、30B更靠近-X方向側。
引導部53b之第1傾斜部53ba使從第1通氣孔18流入至殼體2內並向-X方向流經第1電容器30A與第2電容器30B之間之間隙S0之空氣，朝向第1導熱性片材33A與第2子基板22之間之間隙S3a。另一方面，引導部53b之第2傾斜部53bb使從第1通氣孔18流入至殼體2內並向-X方向流經第1電容器30A與第2電容器30B之間之間隙S0之空氣，朝向第2導熱性片材33B與第2子基板22之間之間隙S3a。
＜4.製造方法＞  圖8A及圖8B係表示半導體記憶裝置1之製造方法之一部分之立體圖。首先，藉由在主基板20上載置第1間隔件25並彎折第1撓性配線板FP1，而將第1子基板21載置於第1間隔件25上。其次，於第1子基板21上載置第2間隔件26(圖8A中之(a))。
其次，將第1導熱性片材33A之第1部分61之-X方向側之端部對準NAND31AA、31AE之-X方向側之端部(圖8A中之(b))。然後，將第1導熱性片材33A之第1部分61貼附於複數個NAND31A之表面(圖8A中之(c))。
其次，將第1導熱性片材33A之第2部分62之一部分貼附於第1電容器30A(圖8A中之(d))。其次，將第1導熱性片材33A之第2部分62捲繞於第1電容器30A(圖8B中之(e))。同樣地將第2導熱性片材33B貼附於複數個NAND31A及第2電容器30B(圖8B中之(f))。
其次，藉由彎折第2撓性配線板FP2，而將第2子基板22載置於第2間隔件26上(圖8B中之(g))。由此，基板單元3組裝完畢。其次，將組裝完畢之基板單元3藉由第1緊固部件4A(參考圖2)固定於基底11。然後，以隔著基板單元3之方式組合基底11與外罩12(圖8B中之(h))。然後，藉由第2緊固部件4B(參考圖2)將基底11與外罩12固定。由此，半導體記憶裝置1組裝完畢。
＜5.作用＞  ＜5.1 關於導熱之作用＞  首先，對關於導熱之作用進行說明。如圖6所示，導熱性片材33將安裝於第1子基板21之至少1個NAND31A(本實施形態中為複數個NAND31A)熱連接於電容器30。由此，安裝於第1子基板21之至少1個NAND31A(本實施形態中為複數個NAND31A)所發出之熱之一部分被導熱性片材33傳導至電容器30，藉由對電容器30進行空氣冷卻而發散。即，藉由設置導熱性片材33，能夠使電容器30作為使NAND31A之熱發散之散熱器發揮功能。由此，能夠抑制第1子基板21之溫度上升。
＜5.2 關於風之流動之作用＞  其次，對關於風之流動之作用進行說明。圖6及圖7中之箭頭A表示空氣之流動之一例。如圖6所示，於將半導體記憶裝置1放置於風朝向-X方向流動之設置環境中時，殼體2之外部之空氣從第1通氣孔18流入至殼體2之內部。流入至殼體2內之空氣穿過2個電容器30A、30B之間之間隙S0、電容器30與殼體2之第1主壁13之間之間隙、或電容器30與殼體2之第2主壁15之間之間隙，向電容器30之-X方向側流動。
向電容器30之-X方向側流動之空氣朝向-X方向分別流經殼體2之第1主壁13與主基板20之間之間隙S1、主基板20與第1子基板21之間之間隙S2、第1子基板21與第2子基板22之間之間隙S3(例如導熱片材33與第2子基板22之間之間隙S3a)、及第2子基板22與殼體2之第2主壁15之間之間隙S4。流經該等間隙S1、S2、S3、S4之空氣穿過第2間隔件26之第1引導部54b與第2引導部54c之間之間隙g1及第1引導部54b與第3引導部54d之間之間隙g2，從第2通氣孔19被排出至殼體2之外部。
此時，如圖7所示，朝向-X方向流經2個電容器30A、30B之間之間隙S0之空氣被引導部53b朝向第1導熱性片材33A與第2子基板22之間之間隙S3a、及第2導熱性片材33B與第2子基板22之間之間隙S3a改變流動方向。其結果為，即使電容器30係相對較大之零件，亦可對電容器30之-X方向側之背後提供更多量之空氣。由此，促進導熱性片材33之散熱。
此外，於將半導體記憶裝置1放置於風朝向+X方向流動之設置環境中時，空氣之流動變成與圖6及圖7所示之示例反向。於該情形時，從第2通氣孔19流入至殼體2內之空氣之一部分被第2間隔件26之第1引導部54b向第1導熱性片材33A與第2子基板22之間之間隙S3a、及第2導熱性片材33B與第2子基板22之間之間隙S3a改變流動方向。
此外，風未必流經半導體記憶裝置1之內部(即上述關於風之流動之作用)。即使在風不流經半導體記憶裝置1之內部之情形時，亦藉由設置導熱性片材33，而使電容器30作為散熱器發揮功能，從而能夠在一定程度上抑制第1子基板21之溫度上升。
＜6.優點＞  在本實施形態之半導體記憶裝置1中，設置有以跨及NAND31A及電容器30之方式設置之導熱性片材33。根據這種構成，藉由使半導體記憶裝置1之內部之熱(例如NAND31A之熱)移動至電容器30，能夠使半導體記憶裝置1之內部之熱更有效率地發散。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之提高。
例如，根據本發明人所得之1個實驗結果，於未設置導熱性片材33之比較例之構成中，NAND31AA之溫度為59.5度，電容器30之溫度為35.1度，相對於此，於設置有導熱性片材33之構成中，NAND31AA之溫度為55.9度，電容器30之溫度為40.2度。從該實驗結果亦可知，藉由設置導熱性片材33，半導體記憶裝置1之散熱性提高。
本實施形態中，安裝於第1子基板21之NAND31A被夾在第1子基板21與第2子基板22之間，故難以將NAND31A之熱傳導至殼體2。但，本實施形態中，藉由利用導熱性片材33將NAND31A與電容器30進行熱連接，能夠使位於第1子基板21與第2子基板22之間之NAND31A之熱有效率地發散。
本實施形態中，導熱性片材33之Z方向之厚度T3較第2間隔件26之Z方向之厚度T2薄。根據這種構成，即使於第1子基板21與第2子基板22之間配置有導熱性片材33之情形時，亦能夠於導熱性片材33與第2子基板22之間確保供空氣流動之間隙S3a。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。
本實施形態中，一部分之NAND31A位於較殼體2之第1通氣孔18更靠近第2通氣孔19之附近。另一方面，電容器30位於較殼體2之第2通氣孔19更靠近第1通氣孔18之附近。並且，導熱性片材33從上述NAND31A延伸到電容器30。根據這種構成，於第1通氣孔18作為進氣孔發揮功能時，能夠將配置於遠離第1通氣孔18處且因被控制器27或其它NAND31加熱之空氣在周圍流動導致溫度容易上升之NAND31A之熱，傳導至因位於第1通氣孔18之附近故容易散熱之電容器30。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。
本實施形態中，導熱性片材33與在X方向上排列之複數個NAND31A在Z方向上重疊。根據這種構成，可統一地提高複數個NAND31A之散熱性。
本實施形態中，第1導熱性片材33A與第1群中所含之複數個NAND31A及第2群中所含之複數個NAND31A在Z方向上重疊。根據這種構成，能夠提高更多之NAND31A之散熱性。
本實施形態中，電容器30之外形之至少一部分具有曲面部41a。並且，導熱性片材33之一部分以沿著曲面部41a彎曲之狀態安裝於電容器30。根據這種構成，能夠將具有曲面部41a之電容器30與導熱性片材33之接觸面積確保得較大。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。
本實施形態中，導熱性片材33之一部分位於殼體2之第1通氣孔18與電容器30之間。根據這種構成，能夠利用殼體2之第1通氣孔18與電容器30之間之空間而將電容器30與導熱性片材33之接觸面積確保得更大。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。另外，如果導熱性片材33之一部分位於殼體2之第1通氣孔18與電容器30之間，則能夠利用從第1通氣孔18流入至殼體2內之冷空氣有效率地冷卻導熱性片材33。從該觀點來說，亦能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。
本實施形態中，第2間隔件26具有引導部53b，使從第1通氣孔18流入至殼體2內之空氣之一部分朝向導熱性片材33與第2子基板22之間之間隙S3a。根據這種構成，與不存在引導部53b之情況相比較，能夠使更多之空氣流入導熱性片材33與第2子基板22之間之間隙S3a。由此，能夠直接冷卻導熱性片材33，從而能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。
另外，藉由導熱性片材33覆蓋NAND31A之至少一部分，使得與空氣一起流入至殼體2之內部之塵埃不易附著於NAND31A。由此，半導體記憶裝置1之可靠性亦提高。
其次，對第1實施形態之若干變化例進行說明。此外，於各變化例中，以下說明之構成以外之構成與第1實施形態之構成相同。另外，該等變化例亦可與以下所說明之其它實施形態進行組合而實現。
(第1變化例)  圖9係表示第1變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於第1變化例中，導熱性片材33之第1部分61配置於主基板20與第1子基板21之間。導熱性片材33之第1部分61安裝於第1子基板21中位於複數個NAND31A之背面側之區域R(以下，有時稱為「背面側區域R」)，且在Z方向上與複數個NAND31A重疊。導熱性片材33以跨及背面側區域R與電容器30之方式設置。導熱性片材33經由第1子基板21將複數個NAND31A與電容器30熱連接。
(第2變化例)  圖10係表示第2變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於第2變化例中，導熱性片材33之第1部分61配置於主基板20與第1子基板21之間。導熱性片材33之第1部分61安裝於主基板20中位於控制器27之背面側之區域R(背面側區域R)，且在Z方向與控制器27重疊。導熱性片材33以跨及背面側區域R與電容器30之方式設置。導熱性片材33經由主基板20將控制器27與電容器30熱連接。
根據這種構成，藉由使控制器27之熱移動至電容器30，能夠使控制器27之熱更有效率地發散。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之提高。於本變化例中，控制器27係「發熱零件」之一例。主基板20係「第1基板」之一例。第1子基板21係「第2基板」之一例。
此外，亦可代替第2變化例之上述構成，將導熱性片材33配置於殼體2之第1主壁13與主基板20之間，且從與主基板20相反側(即從殼體2之第1主壁13側)安裝於控制器27。根據這種構成，能夠將控制器27之熱直接傳導至導熱性片材33。
(第3變化例)  圖11係表示第3變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於第3變化例中，半導體記憶裝置1具有將導熱性片材33之第2部分62與殼體2之第1主壁13進行熱連接之熱連接零件32。熱連接零件32例如具有彈性(或柔軟性)，於電容器30與殼體2之第1主壁13之間被夾在導熱性片材33之第2部分62與殼體2之第1主壁13之間。根據這種構成，能夠使從NAND31A移動至導熱性片材33之熱之一部分發散到殼體2。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。
(第4變化例)  圖12係表示第4變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於第4變化例中，半導體記憶裝置1具有將導熱性片材33之第2部分62與殼體2之第2主壁15進行熱連接之熱連接零件32。熱連接零件32例如具有彈性(或柔軟性)，於電容器30與殼體2之第2主壁15之間被夾在導熱性片材33之第2部分62與殼體2之第2主壁15之間。根據這種構成，能夠使從NAND31A移動至導熱性片材33之熱之一部分發散到殼體2。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。
(第2實施形態)  其次，對第2實施形態之半導體記憶裝置1進行說明。第2實施形態與第1實施形態之不同之處在於：電容器30被配置於與基板20在Z方向上重疊之位置。此外，以下上述構成以外之構成與第1實施形態之構成相同。
圖13係將半導體記憶裝置1進行部分分解而表示之立體圖。半導體記憶裝置1例如具有：殼體2、基板20、控制器(未圖示)27、複數個DRAM28、外部連接連接器29、複數個電容器30、複數個NAND31、及複數個導熱性片材33(參考圖14)。本實施形態中，控制器27、DRAM28、外部連接連接器29、複數個電容器30、及複數個NAND31安裝於基板20。電容器30配置於在Z方向上與基板20重疊之位置。例如，電容器30位於基板20與殼體2之第2主壁15之間。
圖14係表示導熱性片材33之平面配置結構之俯視圖。第1導熱性片材33A以跨及NAND31與第1電容器30A之方式設置，而將NAND31與第1電容器30A熱連接。第2導熱性片材33B以跨及NAND31與第2電容器30B之方式設置，而將NAND31與第2電容器30B熱連接。
根據這種構成，藉由使半導體記憶裝置1之內部之熱(例如NAND31之熱)移動至電容器30，能夠使半導體記憶裝置1之內部之熱更有效率地發散。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之提高。
(第3實施形態)  其次，對第3實施形態之半導體記憶裝置1進行說明。第3實施形態與第1實施形態之不同之處在於：NAND31A之熱經由導熱性片材33傳導至其它NAND31B或殼體2等。此外，以下上述構成以外之構成與第1實施形態之構成相同。
圖15係將半導體記憶裝置1進行部分分解而表示之立體圖。半導體記憶裝置1例如具有：殼體2、主基板20、子基板21、控制器27、複數個DRAM28、外部連接連接器29、複數個NAND31、複數個電容器30、及複數個導熱性片材33(參考圖16)。本實施形態中，導熱性片材33包含：第1導熱性片材33A、第2導熱性片材33B、及第3導熱性片材33C。
圖16係表示子基板21之俯視圖。子基板21具有：面向主基板20之第1面21a、及位於與第1面21a相反側且面向殼體2之第2主壁15之第2面21b。圖16中之(a)表示子基板21之第1面21a。圖16中之(b)表示子基板21之第2面21b。
本實施形態中，在X方向上，於一部分NAND31與電容器30之間存在基板間連接連接器71。基板間連接連接器71於主基板20與子基板21之間沿Z方向延伸，而將主基板20與子基板21物理或電連接。
本實施形態中，NAND31包含：安裝於子基板21之第1面21a之複數個NAND31A、及安裝於子基板21之第2面21b之複數個NAND31B。安裝於第1面21a之複數個NAND31A包含NAND31AA、31AB、31AC、31AD。NAND31AA及NAND31AB按照該順序向+X方向排列。NAND31AC及NAND31AD相對於NAND31AA及NAND31AB位於+Y方向，並且按照該順序向+X方向排列。
本實施形態中，NAND31AA、31AB、31AC、31AD配置於在Z方向上與安裝於主基板20之控制器27重疊之區域，於安裝於子基板21之NAND31中溫度容易上升。本實施形態中，NAND31AA、31AB、31AC、31AD分別為「發熱零件」之一例。此外，藉由導熱性片材33進行散熱之「發熱零件」不限於NAND31，亦可為控制器27或DRAM28等。
另一方面，安裝於第2面21b之複數個NAND31B包含NAND31BA、31BB、31BC。NAND31BA、31BB、31BC在子基板21中安裝於NAND31AA、31AC、31AD之背面側。本實施形態中，NAND31BA、31BB、31BC係「電子零件」之一例。
圖17係表示第1導熱性片材33A之安裝過程之剖視圖。圖18係表示半導體記憶裝置1之剖視圖。本實施形態中，第1導熱性片材33A沿Y方向延伸。第1導熱性片材33A在以隔著子基板21之方式彎曲之姿勢下，以跨及NAND31AB、31AD與NAND32BB之方式設置，而將NAND31AB、31AD與NAND32BB熱連接。由此，藉由使NAND31AB、31AD之熱移動至NAND32BB，能夠使NAND31AB、31AD之熱發散。
其次，返回至圖16，對第2及第3導熱性片材33B、33C進行說明。第2導熱性片材33B沿X方向延伸。第2導熱性片材33B於以隔著子基板21之方式彎曲之姿勢下，以跨及NAND31AA、31AB與NAND31BA之方式設置，而將NAND31AA、31AB與NAND31BA熱連接。由此，藉由使NAND31AA、31AB之熱移動至NAND31BA，能夠使NAND31AA、31AB之熱發散。此外，對於NAND32AB，重疊有第2導熱性片材33B及第1導熱性片材33A。
同樣地，第3導熱性片材33C沿X方向延伸。第3導熱性片材33C於以避開子基板21之方式彎曲之姿勢下，以跨及NAND31AC、31AD與NAND31BC之方式設置，而將NAND31AC、31AD與NAND31BC熱連接。由此，藉由使NAND31AC、31AD之熱移動至NAND31BC，能夠使NAND31AC、31AD之熱發散。此外，對於NAND31AD，重疊有第3導熱性片材33C及第1導熱性片材33A。
本實施形態中，半導體記憶裝置1具有將NAND31B與殼體2之第2主壁15進行熱連接之複數個熱連接零件32(參考圖18)。複數個熱連接零件32例如具有彈性(或柔軟性)，於NAND31B與殼體2之第2主壁15之間被夾在導熱性片材33與殼體2之第2主壁15之間。複數個熱連接零件32將導熱性片材33與殼體2熱連接。根據這種構成，能夠使從NAND31A移動至導熱性片材33之熱之一部分發散到殼體2。由此，能夠謀求半導體記憶裝置1之散熱性之進一步提高。此外，亦可代替上述構成，於不與導熱性片材33重疊之區域內將熱連接零件32夾在NAND31B與殼體2之第2主壁15之間，而將NAND31B與殼體2熱連接。於該情形時，能夠將從導熱性片材33傳導至NAND31B之熱之一部分經由熱連接零件32傳導至殼體2。
其次，對第3實施形態之若干變化例進行說明。此外，於各變化例中，以下上述構成以外之構成與第3實施形態之構成相同。另外，該等變化例亦可與上述其它實施形態進行組合而實現。
(第1變化例)  圖19係表示第1變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於本變化例中，導熱性片材33以跨及NAND31A與殼體2之方式設置，而將NAND31A與殼體2熱性連接。於本變化例中，導熱性片材33安裝於外罩12之側壁部16c之內表面及第2主壁15之內表面。
(第2變化例)  圖20係表示第2變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。導熱性片材33以跨及NAND31A與殼體2之方式設置，而將NAND31A與殼體2熱連接。於本變化例中，導熱性片材33安裝於外罩12之側壁部16c之外表面及殼體2之第2主壁15之外表面。
此外，亦可代替第2變化例之構成，將導熱性片材33安裝於第1子基板21中位於NAND31A之背面側之區域(背面側區域)R，並以跨及第1子基板21之背面側區域R與殼體2之方式進行設置。該方面在以下變化例中亦相同。
(第3變化例)  圖21係表示第3變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於本變化例中，導熱性片材33以跨及NAND31A與殼體2之方式設置，而將NAND31A與殼體2熱連接。於本變化例中，導熱性片材33安裝於基底11之側壁部14b之內表面。
(第4變化例)  圖22係表示第4變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於本變化例中，導熱性片材33以跨及NAND31A與殼體2之方式設置，而將NAND31A與殼體2熱連接。於本變化例中，導熱性片材33安裝於基底11之側壁部14b之外表面。
(第5變化例)  圖23係表示第5變化例之半導體記憶裝置1之剖視圖。於本變化例中，導熱性片材33以跨及NAND31A、與配置於殼體2之外部之散熱用零件81之方式設置，而將NAND31A與散熱用零件81熱連接。即，於本變化例中，導熱性片材33之一部分突出至殼體2之外部。導熱性片材33之一部分安裝於作為外部零件之散熱用零件81(例如設置於半導體記憶裝置1之外部之散熱器)。
此外，亦可代替第5變化例之構成，將導熱性片材33安裝於第1子基板21中位於NAND31A之背面側之區域(背面側區域)R，並以跨及第1子基板21之背面側區域R與殼體2之外部(例如散熱用零件81)之方式進行設置。
以上，對若干實施形態及變化例進行了說明，但實施形態及變化例不限於上述示例。例如，上述實施形態及變化例亦可相互組合而實現。「發熱零件」亦可係與NAND31及控制器27不同之其它零件(例如DRAM28)。「電子零件」不限於電容器30及NAND31，亦可係其它零件。
根據以上所說明之至少一個實施形態，半導體記憶裝置具有導熱性片材。導熱性片材以跨及發熱零件與電子零件之方式設置，或者以跨及第1基板中位於發熱零件之背面側之區域與電子零件之方式設置，而將發熱零件與電子零件熱連接。根據這種構成，能夠謀求散熱性之提高。
對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態僅作為示例提出，未意圖限定發明範圍。該等實施形態可以其它各種方式實施，可以在不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、更換、變更。該等實施形態或其變化包含於發明範圍或主旨內，同樣地包含於權利要求書中所記載之發明及其均等範圍內。  [相關申請案]
本申請享有以日本專利申請2019-127723號(申請日：2019年7月9日)為基礎申請之優先權。本申請藉由參考該基礎申請而包含基礎申請之全部內容。
1:半導體記憶裝置2:殼體2a:第1端部2b:第2端部2c:第3端部2d:第4端部3:基板單元4:緊固部件4A:第1緊固部件4B:第2緊固部件11:基底12:外罩13:第1主壁14a:第1側壁部14b:第2側壁部14c:第3側壁部15:第2主壁16a:第1側壁部16b:第2側壁部16c:第3側壁部16d:第4側壁部17a:+X方向側之側壁17b:-X方向側之側壁17c:+Y方向側之側壁17d:-Y方向側之側壁18:第1通風孔19:第2通風孔20:主基板20a:第1面20b:第2面20c:第1端部20ca:缺口部20cb:第1突出部20cc:第2突出部20d:第2端部21:第1子基板21a:第1面21b:第2面22:第2子基板22a:第1面22b:第2面22c:開口部23:第1絕緣片材24:第2絕緣片材25:第1間隔件26:第2間隔件27:控制器28:DRAM29:外部連接連接器30:電容器30A:第1電容器30B:第2電容器31:NAND31A:NAND31AA:NAND31AB:NAND31AC:NAND31AD:NAND31AE:NAND31AF:NAND31AG:NAND31AH:NAND31AI:NAND31AJ:NAND31AK:NAND31AL:NAND31B:NAND31BA:NAND31BB:NAND31BC:NAND31C:NAND32:熱連接零件32A:第1熱連接零件32B:第2熱連接零件32BB:NAND33:熱連接片材33A:第1導熱性片材33B:第2導熱性片材33C:第3導熱性片材41:電容器主體41a:曲面部42a:端子42b:端子51:第1部分52:第2部分53:第3部分53a:基部53b:引導部53ba:第1傾斜部53bb:第2傾斜部53c:第1凹部53d:第2凹部54:第4部分54a:基部54b:第1引導部54c:第2引導部54d:第3引導部61:第1部分62:第2部分62a:朝向電容器30之+Z方向側折入之部分62b:朝向電容器30之+X方向側折入之部分62c:朝向電容器30之-Z方向側折入之部分71:基板間連接連接器A:箭頭FP1:第1撓性配線板(第1撓性連接部)FP2:第2撓性配線板(第2撓性連接部)g1:間隙g2:間隙R:背面區域S0:間隙S1:間隙S2:間隙S3:間隙S3a:間隙S4:間隙T1:厚度T2:高度T3:厚度T4:厚度X、Y、Z:方向
圖1係表示第1實施形態之半導體記憶裝置之立體圖。  圖2係將第1實施形態之半導體記憶裝置進行部分分解而表示之立體圖。  圖3係將第1實施形態之基板單元進行部分分解而表示之立體圖。  圖4係表示第1實施形態之主基板之第1面之俯視圖。  圖5係表示第1實施形態之第2間隔件之立體圖。  圖6係沿著圖1中所示之半導體記憶裝置之F6-F6線之剖視圖。  圖7係表示第1實施形態之導熱性片材之平面配置構造之俯視圖。  圖8A(a)-(d)係表示第1實施形態之半導體記憶裝置之製造方法之一部分之立體圖。  圖8B(e)-(h)係表示第1實施形態之半導體記憶裝置之製造方法之一部分之立體圖。  圖9係表示第1實施形態之第1變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖10係表示第1實施形態之第2變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖11係表示第1實施形態之第3變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖12係表示第1實施形態之第4變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖13係將第2實施形態之半導體記憶裝置進行部分分解而表示之立體圖。  圖14係表示第2實施形態之導熱性片材之平面配置構造之俯視圖。  圖15係將第3實施形態之半導體記憶裝置進行部分分解而表示之立體圖。  圖16(a)、(b)係表示第3實施形態之子基板之俯視圖。  圖17係表示第3實施形態之導熱性片材之安裝過程之剖視圖。  圖18係表示第3實施形態之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖19係表示第3實施形態之第1變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖20係表示第3實施形態之第2變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖21係表示第3實施形態之第3變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖22係表示第3實施形態之第4變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。  圖23係表示第3實施形態之第5變化例之半導體記憶裝置之剖視圖。
1:半導體記憶裝置
2:殼體
2a:第1端部
2b:第2端部
3:基板單元
11:基底
12:外罩
13:第1主壁
14a:第1側壁部
15:第2主壁
16a:第1側壁部
16b:第2側壁部
18:第1通風孔
19:第2通風孔
20:主基板
20a:第1面
20b:第2面
21:第1子基板
21a:第1面
21b:第2面
22:第2子基板
22a:第1面
22b:第2面
22c:開口部
25:第1間隔件
26:第2間隔件
27:控制器
29:外部連接連接器
30:電容器
30A:第1電容器
31A:NAND
31AA:NAND
31AB:NAND
31AC:NAND
31AD:NAND
31B:NAND
31C:NAND
32:熱連接零件
32A:第1熱連接零件
32B:第2熱連接零件
33:熱連接片材
41:電容器主體
41a:曲面部
61:第1部分
62:第2部分
62a:朝向電容器30之+Z方向側折入之部分
62b:朝向電容器30之+X方向側折入之部分
62c:朝向電容器30之-Z方向側折入之部分
A:箭頭
S1:間隙
S2:間隙
S3:間隙
S3a:間隙
S4:間隙
T1:厚度
T2:高度
T3:厚度
T4:厚度
X、Y、Z:方向

Claims (13)

  1. 一種半導體記憶裝置，其包含：殼體，其具有第1通氣孔；第1基板，其收容於上述殼體；發熱零件，其安裝於上述第1基板；電解電容器，其配置於上述發熱零件與上述第1通氣孔之間；及導熱性片材，其以跨及上述發熱零件與上述電解電容器之方式設置，或者以跨及上述第1基板中位於上述發熱零件之背面側之區域與上述電解電容器之方式設置；且上述電解電容器之外形之至少一部分具有曲面部，上述導熱性片材之一部分以沿著上述曲面部彎曲之狀態安裝於上述電解電容器。
  2. 如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述電解電容器之熱容量大於上述發熱零件之熱容量。
  3. 如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含：第2基板，其配置於上述第1基板與上述殼體之內表面之間；及間隔件，其夾在上述第1基板與上述第2基板之間；且上述導熱性片材之至少一部分配置於上述第1基板與上述第2基板之間，上述第1基板之厚度方向上之上述導熱性片材之厚度較上述第1基板 之厚度方向上之上述間隔件之厚度薄。
  4. 如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含：配置於上述發熱零件與上述殼體之內表面之間之第2基板；且上述導熱性片材之一部分配置於上述發熱零件與上述第2基板之間，上述導熱性片材與上述第2基板隔開設置。
  5. 如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述殼體具有：設置有上述第1通氣孔之第1端部、及位於與上述第1端部相反側且設置有第2通氣孔之第2端部，且上述發熱零件位於較上述第1通氣孔更靠近上述第2通氣孔之附近，上述電解電容器位於較上述第2通氣孔更靠近上述第1通氣孔之附近。
  6. 如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述發熱零件包含第1半導體記憶體零件，且進而具備第2半導體記憶體零件，上述第2半導體記憶體零件安裝於上述第1基板且配置於上述第1半導體記憶體零件與上述電解電容器之間，上述導熱性片材以跨及上述第1半導體記憶體零件與上述第2半導體記憶體零件之方式設置。
  7. 如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述發熱零件包含第1半導體記憶體零件，且 於上述第1基板安裝有第2半導體記憶體零件及第3半導體記憶體零件，上述第2半導體記憶體零件係於上述第1半導體記憶體零件與上述電解電容器之間、且在自上述第1通氣孔朝向上述第1半導體記憶體零件之第1方向上，與上述第1半導體記憶體零件並排安裝，上述第3半導體記憶體零件係於與上述第1方向交叉之第2方向上，與上述第1半導體記憶體零件或上述第2半導體記憶體零件並排安裝，上述導熱性片材係以跨及上述第1半導體記憶體零件、上述第2半導體記憶體零件、及上述第3半導體記憶體零件之方式設置。
  8. 如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述曲面部具有中心角180度以上之曲面，上述導熱性片材之一部分係以沿著上述曲面部彎曲之狀態安裝於上述電解電容器，且安裝於上述導熱性片材之上述曲面部的部分之中心角為180以上。
  9. 如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述導熱性片材之一部分於上述電解電容器與上述第1通氣孔之間之位置處安裝於上述電解電容器。
  10. 如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含配置於上述第1基板與上述殼體之內表面之間之第2基板，且在上述第1基板之厚度方向上，上述電解電容器之至少一部分較上述 第1基板與上述第2基板之間之距離更厚。
  11. 如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含：第2基板，其配置於上述第1基板與上述殼體之內表面之間；及間隔件，其夾在上述第1基板與上述第2基板之間；且上述導熱性片材之至少一部分配置於上述第1基板與上述第2基板之間，上述間隔件具有引導部，上述引導部之至少一部分配置於在從上述第1通氣孔朝向上述發熱零件之第1方向上不與上述電解電容器及上述導熱性片材重疊之位置。
  12. 如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含零件，上述零件夾在上述導熱性片材與上述殼體之間且將上述導熱性片材與上述殼體連接。
  13. 一種半導體記憶裝置，其包含：殼體；基板，其收容於上述殼體；發熱零件，其安裝於上述基板；及導熱性片材，其以能夠跨及上述發熱零件或上述基板中位於上述發熱零件之背面側之區域、及配置於上述殼體之外部之外部零件之方式設置。
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