TW202408342A - 半導體記憶裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可提高散熱性的半導體記憶裝置。實施方式的半導體記憶裝置具有基板21、電子零件25、電容器50、以及散熱器60。電子零件25安裝於基板21。電容器50安裝於基板21，並且在基板21的厚度方向上與電子零件25重疊。散熱器60具有支撐電容器50的支撐部65以及空氣流動通道64。散熱器60連接於電子零件25。

Description

半導體記憶裝置
[相關申請案] 本申請案享有以日本專利申請案2022-125640號（申請日：2022年8月5日）為基礎申請案的優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包括基礎申請案的全部內容。
本發明的實施方式是有關於一種半導體記憶裝置。
已知一種包括基板、以及安裝於基板的電子零件的半導體記憶裝置。半導體記憶裝置有望提高散熱性。
本發明的實施方式提供一種可提高散熱性的半導體記憶裝置。
實施方式的半導體記憶裝置具有基板、電子零件、電容器、以及散熱器。電子零件安裝於基板。電容器安裝於基板，並且在基板的厚度方向上與電子零件重疊。散熱器具有支撐電容器的支撐部、以及空氣流動通道。散熱器連接於電子零件。
以下，參照圖式對實施方式的半導體記憶裝置進行說明。
在實施方式的說明中，對具有相同或類似功能的結構標註相同的符號。而且，有時省略該些結構的重覆說明。有時會使用「第一」、「第二」、「第三」等序數詞。該序數詞不表示利用序數詞記載的構件的個數。
在以下的說明中，用語「重疊」是指兩個對象物的虛擬投影圖像彼此重疊，亦可包括兩個對象物不直接接觸的情況。用語「平行」、用語「正交」、及用語「相同」中的每一個亦可包括「大致平行」、「大致正交」、及「大致相同」的情況。用語「連接」並不限定於機械連接，亦可包括電連接的情況。即，「連接」並不限定於與對象物直接連接的情況，亦可包括通過中間介隔存在其他部件而連接的情況。另外，用語「連接」並不限定於相互連結的情況，亦可包括僅相接觸的情況。
此處，首先對+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向、+Z方向、及-Z方向進行定義。+X方向、-X方向、+Y方向、及-Y方向是與後述的基板21的第一面21a平行的方向（參照圖2）。+X方向是自後述的框體10的第一端部10a朝向第二端部10b的方向（參照圖1）。-X方向是與+X方向相反的方向。在不區分+X方向與-X方向的情況下，簡稱為「X方向」。+Y方向及-Y方向是與X方向交叉（例如，正交）的方向。
+Y方向是自後述的框體10的第三端部10c朝向第四端部10d的方向（參照圖1）。-Y方向是與+Y方向相反的方向。在不區分+Y方向與-Y方向的情況下，簡稱為「Y方向」。+Z方向及-Z方向是與X方向及Y方向交叉（例如，正交）的方向，且是後述的基板21的厚度方向。
+Z方向是自基板21朝向後述的框體10的蓋主壁15的方向（參照圖2）。-Z方向是與+Z方向相反的方向。在不區分+Z方向與-Z方向的情況下，簡稱為「Z方向」。Z方向是基板21的厚度方向。
在以下的說明中，在將X方向、Y方向、Z方向統稱的情況下，有時簡稱為XYZ方向。亦可將X方向、Y方向、Z方向分別稱為第一方向、第二方向、第三方向。
＜第一實施方式＞ ＜半導體記憶裝置的整體結構＞ 參照圖1至圖4，對第一實施方式的半導體記憶裝置1進行說明。半導體記憶裝置1例如是如固體狀態驅動機（Solid State Drive，SSD）般的記憶裝置。半導體記憶裝置1例如安裝於伺服器或個人電腦等資訊處理裝置，用作資訊處理裝置的記憶區域。在本實施方式中，將安裝半導體記憶裝置1的資訊處理裝置稱為「主機裝置」。
圖1是表示半導體記憶裝置1的立體圖。圖2是將半導體記憶裝置1的一部分分解而表示的分解立體圖。如圖1及圖2所示，半導體記憶裝置1例如具有：框體10、基板單元20、支撐框架30、及多個固定構件40。圖3A及圖3B是部分地表示本實施方式的半導體記憶裝置1的剖面圖。在圖3A中，示出了固定於散熱器60的第四電容器50D的剖面。在圖3B中，示出了固定於散熱器60的第一電容器50A、第二電容器50B、及第三電容器50C的剖面。
＜框體＞ 如圖1所示，框體10具有例如扁平的矩形箱狀的形狀。框體10例如為金屬製。框體10具有第一端部10a以及第二端部10b作為在框體10的長邊方向（X方向）上分開的一對端部。第二端部10b是與第一端部10a相反一側的端部。在第一端部10a設置有開口（未圖示）。設置於第一端部10a的開口使後述的基板單元20的連接器22（參照圖2）露出至框體10的外部。
框體10具有第三端部10c以及第四端部10d作為在框體10的短邊方向（Y方向）上分開的一對端部。第四端部10d是與第三端部10c相反一側的端部。
如圖2所示，框體10包括基座11、以及蓋12。 藉由組合基座11與蓋12而構成框體10。
基座11及蓋12分別是「框體」的一例。蓋12是「第一框體構件」的一例。基座11是「第二框體構件」的一例。
框體10構成為收容基板單元20。即，框體10收容後述的基板21、控制器23、DRAM 24、NAND 25、電容器50、及所述散熱器60。
＜基座＞ 基座11例如具有基座主壁14、以及三個側壁11b、11c、11d。基座主壁14是沿著X方向及Y方向的壁。基座主壁14具有基座外表面14E以及基座內表面14I。基座外表面14E是朝向-Z方向的面。基座外表面14E形成-Z方向上的半導體記憶裝置1的外表面。
基座內表面14I是朝向+Z方向的面。基座內表面14I是與基板21的第二面21b相向的面。基座內表面14I的一部分連接於稍後描述的第二導熱片27B。基座內表面14I是「第二內表面」的一例。
三個側壁11b、11c、11d分別是對應於框體10的第二端部10b、第三端部10c、及第四端部10d的側壁。三個側壁11b、11c、11d分別自基座主壁14沿+Z方向延伸。
＜蓋＞ 蓋12具有蓋主壁15、以及四個側壁12a、12b、12c、12d。蓋主壁15是沿著X方向及Y方向的壁。蓋主壁15具有蓋外表面15E以及蓋內表面15I。蓋外表面15E是朝向+Z方向的面。蓋外表面15E形成+Z方向上的半導體記憶裝置1的外表面。
蓋內表面15I是朝向-Z方向的面。蓋內表面15I是與基板21的第一面21a相向的面。蓋內表面15I的一部分連接於後述的第一導熱片27A。蓋內表面15I是「第一內表面」的一例。
四個側壁12a、12b、12c、12d分別是對應於第一端部10a、第二端部10b、第三端部10c、及第四端部10d的側壁。四個側壁12a、12b、12c、12d分別自蓋主壁15沿-Z方向延伸。
框體10具有藉由將基座11與蓋12組合而形成的第一側壁16、第二側壁17、第三側壁18、及第四側壁19（參照圖1）。第一側壁16是-X方向側的側壁，由蓋12的側壁12a形成。第二側壁17是+X方向側的側壁，由基座11的側壁11b與蓋12的側壁12b形成。第一側壁16及第二側壁17分別是沿著Y方向及Z方向的壁。第三側壁18是-Y方向側的側壁，由基座11的側壁11c與蓋12的側壁12c形成。第四側壁19是+Y方向側的側壁，由基座11的側壁11d與蓋12的側壁12d形成。第三側壁18及第四側壁19分別是沿著X方向及Z方向的壁。
如圖2所示，框體10的第一側壁16具有多個第一通氣孔16a。同樣地，框體10的第二側壁17具有多個第二通氣孔17a。第一通氣孔16a及第二通氣孔17a中的一者作為進氣孔發揮功能，另一者可作為排氣孔發揮功能。例如，在半導體記憶裝置1被放置於風朝向+X方向流動的設置環境中的情況下，框體10的外部的空氣自第一通氣孔16a流入框體10的內部，並自第二通氣孔17a排出至框體10的外部。另一方面，在半導體記憶裝置1被放置於風朝向-X方向流動的設置環境中的情況下，框體10的外部的空氣自第二通氣孔17a流入框體10的內部，並自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。以下，對風朝向-X方向流動的情況，即，空氣流入多個第二通氣孔17a，空氣在框體10的內部流動，並且空氣自多個第一通氣孔16a流出的情況進行說明。
基座11具有多個載置後述的基板21的載置部11s。多個載置部11s對應於框體10的四個角部而設置。各載置部11s具有固定孔11h，所述固定孔11h供後述的固定構件40插入並固定。蓋12具有分別供固定構件40穿過的多個插通孔12h。插通孔12h設置於與固定孔11h對應的位置。
＜支撐框架＞ 支撐框架30位於基板21與蓋12之間。支撐框架30是填埋基板21與蓋12之間的間隙的間隔物。支撐框架30例如是沿著基板21的外周的框狀。支撐框架30載置於基板21的第一面21a上。支撐框架30具有分別供固定構件40穿過的多個插通孔30h。插通孔30h設置於與基座11的載置部11s的固定孔11h對應的位置。再者，亦可省略支撐框架30。在所述情況下，蓋12、基板21、及基座11可藉由利用固定構件40緊固在一起而一體地固定。
＜固定構件＞ 固定構件40插入至蓋12的插通孔12h、支撐框架30的插通孔30h、基板21的插通孔21h、及基座11的固定孔11h中，將蓋12、支撐框架30、基板21、及基座11一體地固定。固定構件40可為螺釘，亦可為如銷般的嵌合構件。其中，用語「固定構件」並不限定於所述例。固定構件40並不限定於將基座11與蓋12固定的固定構件，亦可為僅將基座11及蓋12中的任一者與基板21固定的固定構件。
＜基板單元＞ 基板單元20位於框體10的基座11與蓋12之間。基板單元20收容於框體10。基板單元20具有基板21、連接器22、控制器23、多個動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）24、多個NAND型快閃記憶體25、電容器組件26、及導熱片27。在本實施方式中，將NAND型快閃記憶體25稱為「NAND 25」。
＜基板＞ 基板21是沿著X方向及Y方向的板狀構件。基板21是印刷配線板，且具有絕緣基材、設置於絕緣基材的配線、以及連接端子21T。配線連接於連接端子21T，所述連接端子21T連接於後述的電容器50的引線52。基板21具有第一面21a、以及位於與第一面21a相反一側的第二面21b。
第一面21a朝向+Z方向。第一面21a與框體10的蓋主壁15的蓋內表面15I相向。另一方面，第二面21b朝向-Z方向。第二面21b與基座主壁14的基座內表面14I相向。
基板21載置於基座11上所設置的多個載置部11s上。基板21具有多個插通孔21h。固定構件40穿過多個插通孔21h中的各個。插通孔21h設置於與基座11的載置部11s的固定孔11h對應的位置。
＜連接器＞ 連接器22設置於基板21的-X方向側的端部。連接器22具有多個金屬端子。連接器22經由設置於框體10的第一端部10a的開口（未圖示）而露出至框體10的外部。連接器22能夠連接到主機裝置的連接器。因此，可將連接器22稱為外部連接連接器。
＜控制器＞ 控制器23例如安裝於基板21的第一面21a。控制器23總體控制半導體記憶裝置1的整體。控制器23例如是包括系統單晶片（System on a Chip，SoC）的半導體封裝，所述Soc是將相對於主機裝置的主機接口電路、控制多個DRAM 24的控制電路、以及控制多個NAND 25的控制電路等積體於一個半導體晶片而成。控制器23經由未圖示的熱連接構件而連接於基座11的基座主壁14。藉此，由控制器23產生的熱量的一部分移動至基座11的基座主壁14，自基座11的基座主壁14散發至框體10的外部。
在本實施方式中，控制器23安裝於基板21的第一面21a。在基板21安裝控制器23的面並不限定於第一面21a。控制器23亦可安裝於基板21的第二面21b。另外，控制器23亦可安裝於基板21的第一面21a及第二面21b此兩面。
＜DRAM＞ DRAM 24例如安裝於基板21的第一面21a。DRAM 24是包括揮發性半導體記憶體晶片的半導體封裝。DRAM 24是暫時保存自主機裝置接收到的寫入對象資料、及自NAND 25讀出的讀出對象資料等的資料緩衝器。其中，半導體記憶裝置1可不具有DRAM 24。
在本實施方式中，DRAM 24安裝於基板21的第一面21a。
在基板21安裝DRAM 24的面並不限定於基板21的第一面21a。DRAM 24亦可安裝於基板21的第二面21b。另外，DRAM 24亦可安裝於基板21的第一面21a及第二面21b此兩面。
＜NAND＞ 多個NAND 25例如安裝於基板21的第一面21a及第二面21b此兩面。安裝於第一面21a的NAND 25是第一NAND 25A。安裝於第二面21b的NAND 25是第二NAND 25B。NAND 25是「電子零件」的一例。第一NAND 25A是「第一電子零件」的一例。第二NAND 25B是「第二電子零件」的一例。
在以下的說明中，有時將第一NAND 25A及第二NAND 25B簡稱為NAND 25。
多個NAND 25在X方向及Y方向上並排配置。NAND 25是包括非揮發性半導體記憶體晶片的半導體封裝。NAND 25是在半導體記憶裝置1運作時發熱的零件，並且是「發熱零件」的一例。其中，「發熱零件」並不限定於NAND 25，亦可為控制器23、DRAM 24或半導體記憶裝置1所包括的零件。
再者，在圖3A及圖3B所示的例子中，NAND 25安裝於基板21的第一面21a及第二面21b此兩面，但是作為變形例，NAND 25可僅安裝於第一面21a。
＜電容器組件＞ 圖4是在-Z方向上觀察半導體記憶裝置1所包括的電容器組件26的平面圖。
電容器組件26具有多個電容器50、以及散熱器60。電容器組件26連接並固定於NAND 25。作為電容器組件26相對於NAND 25的固定結構，例如可列舉：藉由固定構件40的緊固力將蓋12朝向電容器組件26按壓的按壓結構。除了此種固定結構以外，亦可藉由使用螺釘等公知的緊固構件的緊固結構將電容器組件26固定於NAND 25。另外，電容器組件26亦可藉由利用蓋12的按壓結構與使用緊固構件的緊固結構的組合而固定於NAND 25。
在電容器組件26中，散熱器60對多個電容器50進行支撐。在電容器組件26中，確定X方向、Y方向、及Z方向上的多個電容器50的位置。換言之，多個電容器50各自的引線52相對於形成於基板21的第一面21a的連接端子21T的位置在電容器組件26中預先確定。
＜電容器＞ 如圖4所示，多個電容器50在Z方向上與NAND 25重疊。多個電容器50為第一電容器50A、第二電容器50B、第三電容器50C、及第四電容器50D。第一電容器50A、第二電容器50B、第三電容器50C沿X方向排列。換言之，沿X方向排列的電容器的數量為3個。
在本實施方式中，對電容器的個數為四個的情況進行了說明，但是電容器的個數並不限定於四個，亦可為五個以上。另外，分別在X方向及Y方向上排列的電容器的個數並不限定於圖4所示的例子。在電容器組件中，能夠根據半導體記憶裝置1的設計適當地變更多個電容器的配置圖案。
在以下的說明中，有時將四個電容器50A、50B、50C、50D稱為四個電容器50。另外，有時為了省略對四個電容器50中的每一個的說明，對一個電容器50進行說明。
電容器50承擔以在未預期的電力切斷時的資料保護為目的的電源後備功能。例如，在來自主機裝置的電力供給意外切斷的情況下，電容器50在一定時間內對控制器23、多個DRAM 24、及多個NAND 25等供電。電容器50例如是電解電容器。進而言之，電容器50例如是鋁電解電容器。其中，電容器50並不限定於所述例。
電容器50具有主體51、以及一對引線52。 主體51形成為圓柱狀。主體51具有引線突出面53、位於與引線突出面53相反一側的前端面54、以及外周面55。引線突出面53是引線52自主體51突出的面。
引線52電連接於在基板21的第一面21a形成的配線。作為引線52與配線的電連接結構，使用利用公知的接合構件的連接結構。作為接合構件，例如可列舉焊料或導電性漿料。
＜散熱器＞ 散熱器60具有第一板部61、第二板部62、多個鰭片63、多個空氣流動通道64、以及支撐部65。如圖3A及圖3B所示，沿Z方向觀察，散熱器60與NAND 25重疊。換言之，散熱器60在Z方向上連接於NAND 25。散熱器60是將自NAND 25及電容器50產生的熱散出的散熱零件。
如圖4所示，散熱器60具有與X方向平行的第一側面60A、與Y方向平行的第二側面60B、以及與Y方向平行的第三側面60C。第一側面60A朝向+Y方向。第二側面60B朝向+X方向。第三側面60C是位於與第二側面60B相反一側的側面。第三側面60C朝向-X方向。
作為散熱器60的材料，採用導熱性優異的公知的金屬材料。金屬材料例如是鋁或銅。
作為散熱器60的加工方法，採用公知的加工方法。例如，可藉由作為塑性加工之一的擠出成型方法，形成包括空氣流動通道64的散熱器結構體的整體形狀。然後，藉由切削加工，在散熱器結構體中形成多個支撐部65，藉此可形成所述的散熱器60。
＜第一板部＞ 第一板部61是與蓋內表面15I相向的面。 第一板部61具有電容器配置區域61A、導熱片配置區域61B、以及開口部61C。第一板部61作為將散熱器60的熱散出至散熱器60的外部的散熱部發揮功能。
在電容器配置區域61A中，配置有多個電容器50。第一導熱片27A連接於導熱片配置區域61B。導熱片配置區域61B經由第一導熱片27A而連接於蓋內表面15I。
開口部61C使電容器50的一部分在+Z方向上露出。
作為第一板部61的形狀，亦能夠採用不使電容器50露出的形狀、即，在第一板部61未形成有開口部61C的形狀。
另外，亦能夠調整第一板部61上的開口部61C的寬度、例如第一電容器50A的X方向上的寬度W1。
如圖3A、圖3B、及4所示，根據電容器50的大小（例如直徑）、或Z方向上的散熱器60的厚度來進行是否形成開口部61C的判斷及開口部61C的寬度的調整。
例如，在電容器50的直徑比較小的情況下，能夠在不形成開口部61C的情況下，在散熱器60的內部配置電容器50。在電容器50的直徑比較大的情況下，能夠形成開口部61C。
在半導體記憶裝置1的設計中，在能夠將散熱器60的厚度形成得比較大的情況下，能夠在不形成開口部61C的情況下，在散熱器60的內部配置電容器50。在需要將散熱器60的厚度形成得比較小的情況下，能夠形成開口部61C。
＜第二板部＞ 如圖3A所示，第二板部62是在Z方向上位於與第一板部61相反一側處的部位。第二板部62連接於第一NAND 25A。在本實施方式中，在第一NAND 25A與第二板部62之間設置有導熱帶、潤滑脂等導熱構件28。換言之，第二板部62經由導熱構件28連接於第一NAND 25A。即，第二板部62是接受自第一NAND 25A產生的熱的部位。即，第二板部62作為受熱部發揮功能。只要能夠確保第一NAND 25A與第二板部62之間的導熱性，亦可將第二板部62直接連接於第一NAND 25A。沿Z方向觀察，第二板部62具有與安裝於基板21的第一面21a的第一NAND 25A的配置圖案重疊的平面形狀。
＜鰭片＞ 鰭片63設置於第一板部61與第二板部62之間。 鰭片63設置成在+Z方向上自第二板部62延伸至第一板部61。鰭片63沿X方向平行地延伸。鰭片63面向空氣流動通道64，以便能夠在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換。鰭片63作為使散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣中的散熱部發揮功能。
在本實施方式中，空氣的流出和流入方向是X方向。即，鰭片63的延伸方向為X方向。然而，鰭片63的延伸方向並不限定於X方向。鰭片63的延伸方向亦可為Y方向。鰭片63的延伸方向根據形成多個第一通氣孔16a及多個第二通氣孔17a的位置、即，空氣自框體10的外部流入至框體10的內部並且空氣自框體10的內部流出至框體10的外部的方向來決定。
＜空氣流動通道＞ 多個空氣流動通道64設置於第一板部61與第二板部62之間。 多個空氣流動通道64中的每一個形成於多個鰭片63中彼此相鄰的兩個鰭片63之間。空氣流動通道64分別在第二側面60B及第三側面60C開口。空氣流動通道64形成為在+Z方向上自第二板部62延伸至第一板部61。空氣流動通道64是自第二側面60B朝向第三側面60C而沿X方向延伸。 在本實施方式中，自半導體記憶裝置1的外部流入多個第二通氣孔17a的空氣流入至在第三側面60C開口的多個空氣流動通道64。空氣在多個空氣流動通道64的內部流動並自在第二側面60B開口的多個空氣流動通道64流出。自多個空氣流動通道64流出的空氣經由多個第一通氣孔16a排出至半導體記憶裝置1的外部。
＜支撐部＞ 多個支撐部65分別在散熱器60中對電容器50進行支撐。支撐部65是接受自電容器50產生的熱的部位。因此，將支撐部65作為受熱部發揮功能、或作為受熱支撐部發揮功能。
多個支撐部65是第一支撐部65A、第二支撐部65B、第三支撐部65C、及第四支撐部65D。第一支撐部65A、第二支撐部65B、第三支撐部65C、及第四支撐部65D分別對第一電容器50A、第二電容器50B、第三電容器50C、及第四電容器50D進行支撐。
第一電容器50A、第二電容器50B、及第三電容器50C分別在Y方向上插入至第一支撐部65A、第二支撐部65B、及第三支撐部65C。第四電容器50D在X方向上插入至第四支撐部65D。即，散熱器60能夠支撐相對於支撐部65的插入方向彼此不同的多個電容器。
在以下的說明中，有時將四個支撐部65A、65B、65C、65D稱為四個支撐部65。另外，有時為了省略對四個支撐部65的每一個的說明，對一個支撐部65進行說明。
如圖3A所示，第四支撐部65D具有支撐第四電容器50D的支撐面66。如圖3B所示，第一支撐部65A、第二支撐部65B、第三支撐部65C分別具有支撐第一電容器50A、第二電容器50B、及第三電容器50C的支撐面66。
支撐面66具有第一支撐面66A、第二支撐面66B、及第三支撐面66C。在圖3A中，第一支撐面66A及第二支撐面66B在Y方向上彼此相向。在圖3B中，第一支撐面66A及第二支撐面66B在X方向上彼此相向。第三支撐面66C是朝向+Z方向的面。
第一支撐面66A、第二支撐面66B、及第三支撐面66C分別具有與電容器50的外周面55對應的形狀。在本實施方式中，第一支撐面66A、第二支撐面66B、及第三支撐面66C分別具有與形成電容器50的外周面55的曲面對應的曲面。
第一支撐面66A連接於形成電容器50的外周面55的一部分的側面55A。第二支撐面66B連接於形成電容器50的外周面55的一部分的側面55B。第三支撐面66C連接於形成電容器50的外周面55的一部分的側面55C。電容器50的側面55C是朝向-Z方向的面。
第一支撐面66A及第二支撐面66B是形成於鰭片63的一部分的部位。第三支撐面66C是形成於鰭片63的一部分及第二板部62的一部分的部位。
第一支撐面66A及第二支撐面66B決定插入至散熱器60的電容器50的位置。即，圖3A所示的第一支撐面66A及第二支撐面66B決定電容器50D的Y方向上的位置。圖3A所示的第三支撐面66C決定電容器50D的Z方向上的位置。同樣地，圖3B所示的第一支撐面66A及第二支撐面66B決定電容器50A、電容器50B、電容器50C的X方向上的位置。圖3B所示的第三支撐面66C決定電容器50A、電容器50B、電容器50C的Z方向上的位置。
如圖4所示，第一支撐部65A、第二支撐部65B、及第三支撐部65C分別以自散熱器60的第一側面60A沿-Y方向延伸的方式形成於散熱器60的內部。
支撐部65A、支撐部65B、支撐部65C分別具有支撐端面67A、以及支撐開口部68A。支撐端面67A是連接於電容器50A、電容器50B、電容器50C的前端面54的部位。支撐開口部68A形成於第一側面60A。電容器50A、電容器50B、電容器50C插入至支撐開口部68A。
第四支撐部65D以自散熱器60的第二側面60B沿-X方向延伸的方式形成於散熱器60的內部。第四支撐部65D具有支撐端面67B以及支撐開口部68B。支撐端面67B是連接於電容器50D的前端面54的部位。支撐開口部68B形成於第二側面60B。電容器50D插入至支撐開口部68B。
換言之，支撐端面67A、支撐端面67B決定經由支撐開口部68A、支撐開口部68B插入至散熱器60的電容器50的位置。即，支撐端面67A決定電容器50A、電容器50B、電容器50C各自的Y方向上的位置。支撐端面67B決定電容器50D的X方向上的位置。支撐端面67A、支撐端面67B是「支撐面」的一例。
作為支撐部65支撐電容器50的支撐結構，例如可列舉嵌合結構與接著結構。在嵌合結構中，電容器50壓入至支撐部65的內部。藉由壓入電容器50，在電容器50產生復原力，電容器50的外周面55按壓支撐面66。藉此，電容器50不會自支撐部65脫離，電容器50固定於支撐部65。在所述狀態下，決定電容器組件26中的電容器50的位置。在此種嵌合結構中，亦可以在自支撐開口部朝向支撐端面的方向上，支撐部65的剖面中的直徑逐漸減小的方式在支撐面66形成錐形部。
在接著結構中，將接著劑注入至支撐面66與電容器50的外周面55之間的間隙中。接著劑固著，藉此利用接著劑的接著力將電容器50固定於支撐部65。作為接著劑，可使用公知的熱硬化性樹脂或紫外線硬化性樹脂。在電容器50的支撐結構中，可採用嵌合結構及接著結構中的一種，亦可採用這兩種結構。
＜電容器組件的形成方法＞ 首先，準備具有四個支撐部65的散熱器60、以及四個電容器50。 將四個電容器50中的三個電容器50A、50B、50C分別插入至支撐部65A、支撐部65B、支撐部65C的支撐開口部68A。此後，使電容器50A、電容器50B、電容器50C沿-Y方向移動。藉此，電容器50A、電容器50B、電容器50C各自的前端面54連接於支撐部65A、支撐部65B、支撐部65C的支撐端面67A。因此，三個電容器50A、50B、50C的Y方向上的位置確定。進而，三個電容器50A、50B、50C分別連接於支撐部65A、支撐部65B、支撐部65C的支撐面66。藉由第一支撐面66A及第二支撐面66B，三個電容器50A、50B、50C的X方向上的位置確定。進而，藉由第三支撐面66C，三個電容器50A、50B、50C的Z方向上的位置確定。
同樣地，將四個電容器50中的剩餘的電容器50D插入至支撐部65D的支撐開口部68A。然後，使電容器50D沿-X方向移動。藉此，電容器50D的前端面54連接於支撐部65D的支撐端面67A。因此，電容器50D的X方向上的位置確定。進而，電容器50D連接於支撐部65D的支撐面66。藉由第一支撐面66A及第二支撐面66B，電容器50D的Y方向上的位置確定。進而，藉由第三支撐面66C，電容器50D的Z方向上的位置確定。
藉由此種形成方法，可形成電容器50A、電容器50B、電容器50C、電容器50D由散熱器60支撐的電容器組件26。
＜導熱片＞ 導熱片27設置於基板單元20的Z方向上的兩側。具體而言，導熱片27具有第一導熱片27A以及第二導熱片27B。導熱片27例如能夠使用公知的熱傳導（Thermal Conductive，TC）片。 導熱片27是「導熱體」的一例。只要是能夠導熱的構件或材料，則可使用片狀的導熱體以外的導熱體。例如，亦可使用具有導熱性的潤滑脂代替導熱片27。另外，亦可使用導熱帶代替導熱片27。
＜第一導熱片＞ 如圖4所示，第一導熱片27A設置於散熱器60的第一板部61上的導熱片配置區域61B。如圖3A及圖3B所示，第一導熱片27A在Z方向上設置於第一板部61與蓋內表面15I之間。藉由固定構件40賦予至框體10與基板單元20之間的緊固力的作用，第一導熱片27A被第一板部61與蓋內表面15I按壓。藉由固定構件40所賦予的緊固力，第一導熱片27A與散熱器60密接，並且第一導熱片27A與蓋12密接。因此，藉由使第一導熱片27A介隔存在，散熱器60與蓋12之間的導熱性提高。
另外，設置第一導熱片27A的導熱片配置區域61B的位置並不限定於圖4所示的位置。第一導熱片27A可橫跨散熱器60的第一板部61上的整個表面而設置。另外，第一導熱片27A的形狀並無特別限定。
＜第二導熱片＞ 如圖3A及圖3B所示，第二導熱片27B在Z方向上設置於第二NAND 25B與基座內表面14I之間。藉由固定構件40賦予至框體10與基板單元20之間的緊固力的作用，第二導熱片27B由第二NAND 25B與基座內表面14I按壓。藉由固定構件40所賦予的緊固力，第二導熱片27B與第二NAND 25B密接，並且第二導熱片27B與基座11密接。因此，藉由使第二導熱片27B介隔存在，第二NAND 25B與基座11之間的導熱性提高。
＜將電容器組件安裝於基板的安裝方法＞ 在以下的說明中，對藉由使安裝機器人運轉而將電容器組件安裝於基板的安裝方法進行說明。再者，作為變形例，亦可進行藉由作業者的作業而將電容器組件安裝於基板的安裝方法。
首先，用於製造半導體記憶裝置1的安裝機器人握持電容器組件26，使電容器組件26與基板21的第一面21a相向。此時，在電容器組件26中，預先確定了電容器50A、電容器50B、電容器50C、電容器50D的位置。
在使電容器組件26與基板21在Z方向上分離的狀態下，安裝機器人使X方向及Y方向上的電容器50A、電容器50B、電容器50C、電容器50D的引線52的位置與X方向及Y方向上的基板21的第一面21a上的連接端子21T的位置對齊。
然後，安裝機器人使電容器組件26靠近基板21，並將電容器組件26所包括的散熱器60的第二板部62配置於第一NAND 25A上。在第一NAND 25A上預先設置有導熱構件28。因此，電容器組件26經由導熱構件28而配置於第一NAND 25A上。再者，亦可在導熱構件28設置於第二板部62的狀態下，將電容器組件26配置於第一NAND 25A上。在將電容器組件26安裝於基板21之後，安裝機器人釋放電容器組件26並自基板21退避。
藉此，如圖2所示，電容器50A、電容器50B、電容器50C、電容器50D的引線52連接於第一面21a上的連接端子21T。然後，使用焊料將引線52電連接於第一面21a上的連接端子21T。
＜作用效果＞
＜散熱性能提高＞ 隨著半導體記憶裝置1的驅動，自第一NAND 25A、第二NAND 25B、四個電容器50產生熱。自第一NAND 25A產生的熱經由導熱構件28及第二板部62而移動至散熱器60。自第二NAND 25B產生的熱經由第二導熱片27B而移動至基座11。自四個電容器50產生的熱經由與外周面55接觸的第一支撐面66A、第二支撐面66B、及第三支撐面66C而移動至散熱器60。 散熱器60包括多個鰭片63、以及多個空氣流動通道64。流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63接觸。藉此，散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣。即，在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換。因此，散熱器60的熱藉由流過空氣流動通道64的空氣而排出至散熱器60的外部。 進而，在散熱器60的第一板部61與蓋12的蓋內表面15I之間設置有第一導熱片27A。散熱器60的熱經由第一導熱片27A而移動至蓋12。 根據具有此種結構的半導體記憶裝置1，散熱器60具有多個空氣流動通道64並且經由第一導熱片27A而連接於蓋12。因此，可經由流過多個空氣流動通道64的空氣將自第一NAND 25A及四個電容器50產生的熱排出至半導體記憶裝置1的外部。進而，可經由第一導熱片27A及蓋12將自第一NAND 25A及四個電容器50產生的熱排出至半導體記憶裝置1的外部。 另外，可經由第二導熱片27B及基座11將自第二NAND 25B產生的熱排出至半導體記憶裝置1的外部。
＜剛性提高＞ 在半導體記憶裝置1中，藉由固定構件40的緊固力，由基座11及蓋12按壓基板單元20。藉由賦予至基板單元20的按壓力的作用，蓋12按壓散熱器60，並且散熱器60按壓第一NAND 25A。藉此，電容器組件26穩定地固定於第一NAND 25A。因此，即使衝擊或振動施加至電容器組件26中由散熱器60支撐的電容器50，支撐部65亦穩定地支撐電容器50。即，電容器50的位置不會發生改變，從而可防止電容器50的引線52折斷或彎曲。
＜電容器的定位性提高＞ 在電容器組件26中，電容器50A、電容器50B、電容器50C、電容器50D的XYZ方向上的位置確定。換言之，在將電容器組件26設置於第一NAND 25A之前，多個電容器50各自的引線52相對於連接端子21T的XYZ方向上的位置在電容器組件26中預先確定。 因此，無需如以往的安裝步驟般在將電容器50的單體安裝於第一面21a時使用定位夾具，而僅藉由將電容器組件26設置於第一NAND 25A上，便可將多個電容器50各自的引線52準確地配置於連接端子21T。 另外，由於無需將電容器50的單體直接安裝於基板21的第一面21a，因此組裝效率提高。換言之，由於預先形成電容器組件26，因此無需分開進行將電容器50安裝於第一面21a的安裝步驟與將散熱器60安裝於第一面21a的安裝步驟。僅藉由將電容器組件26設置於第一NAND 25A上，便可將散熱器60、四個電容器50安裝於基板單元20，從而組裝效率提高。
＜第二實施方式＞ 參照圖5對第二實施方式的半導體記憶裝置2進行說明。 在第二實施方式中，對與第一實施方式相同的構件賦予相同的符號，並省略或簡化其說明。 圖5是自下方觀察第二實施方式的半導體記憶裝置2所包括的蓋12及電容器組件26的底視圖。
＜蓋＞ 蓋12形成框體10的一部分。如上所述，框體10收容基板單元20、電容器50、及散熱器60。 蓋12具有第二側壁17。第二側壁17形成有供流入框體10的空氣通過的第二通氣孔17a。
＜引導板＞ 如圖5所示，蓋12具有設置於蓋內表面15I的引導板13。引導板13以朝向-Z方向突出的方式設置於蓋內表面15I。引導板13具有位於蓋12的+Y方向側的第一引導板13A、以及位於蓋12的-Y方向側的第二引導板13B。引導板13是「第一引導部」的一例。第一引導板13A及第二引導板13B位於第二側壁17與散熱器60的側面60B之間的區域12R。換言之，第一引導板13A位於區域12R中的+Y方向側，第二引導板13B位於區域12R中的-Y方向側。更具體而言，第二側壁17、散熱器60的側面60B、第一引導板13A、及第二引導板13B以包圍區域12R的整體的方式配置。此處，在包圍區域12R的整體的狀態下，彼此相鄰的兩個構件可分離設置，亦可連接。
第一引導板13A具有第一開口端部13e以及第一引導端部13f。第一開口端部13e連接於位於+Y方向側的第二側壁17的端部17c。第一引導端部13f與位於+Y方向側的散熱器60的側面60B的端部60D相向。在圖5所示的例子中，第一開口端部13e連接於端部17c，但是只要能夠充分獲得藉由第一引導板13A引導空氣的效果，則第一開口端部13e亦可設置成與端部17c分離。第一引導端部13f與端部60D相向，但是只要能夠充分獲得藉由第一引導板13A引導空氣的效果，則第一引導端部13f與端部60D之間的距離能夠變更。
沿Y方向觀察，第一開口端部13e位於較第一引導端部13f更靠+Y方向側的位置。換言之，第一開口端部13e位於較第一引導端部13f更靠近蓋12的側壁12d的附近的位置。
第一引導板13A以自第一開口端部13e朝向第一引導端部13f延伸的方式相對於X方向傾斜。例如，第一引導板13A朝向由符號13C指示的傾斜方向延伸。換言之，第一引導板13A具有相對於空氣流動通道64延伸的方向傾斜的傾斜面。
第二引導板13B具有第二開口端部13g以及第二引導端部13h。第二開口端部13g連接於位於+Y方向側的第二側壁17的端部17d。第二引導端部13h與位於+Y方向側的散熱器60的側面60B的端部60E相向。在圖5所示的例子中，第二開口端部13g連接於端部17d，但是只要能夠充分獲得藉由第二引導板13B引導空氣的效果，則第二開口端部13g亦可設置成與端部17d分離。第二引導端部13h與端部60E相向，但是只要能夠充分獲得藉由第二引導板13B引導空氣的效果，則第二引導端部13h與端部60E之間的距離能夠變更。
沿Y方向觀察，第二開口端部13g位於較第二引導端部13h更靠-Y方向側的位置。換言之，第二開口端部13g位於較第二引導端部13h更靠近蓋12的側壁12c的附近的位置。
第二引導板13B以自第二開口端部13g朝向第二引導端部13h延伸的方式相對於X方向傾斜。例如，第二引導板13B朝向由符號13D指示的傾斜方向延伸。換言之，第二引導板13B具有相對於空氣流動通道64延伸的方向傾斜的傾斜面。
＜作用效果＞
＜散熱性提高＞ 在將半導體記憶裝置2放置於風朝向-X方向流動的設置環境中的情況下，框體10的外部的空氣自第二通氣孔17a流入框體10內部，並自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
經由第二通氣孔17a流入框體10的內部的氣流由符號F1、符號F2、符號F3表示。氣流F1是流過形成於Y方向上的第二側壁17的中心區域的第二通氣孔17a的氣流。氣流F2是流過形成於第二側壁17中位於+Y方向側的區域的第二通氣孔17a的氣流。氣流F3是流過形成於第二側壁17中位於-Y方向側的區域的第二通氣孔17a的氣流。
氣流F1經由第二通氣孔17a流入框體10的內部之後，到達散熱器60的側面60B並流入散熱器60的空氣流動通道64。在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換，並且散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣。用於熱交換的空氣自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
氣流F2經由第二通氣孔17a流入框體10的內部之後，與第一引導板13A發生碰撞。與第一引導板13A發生碰撞後的空氣朝向傾斜方向13C流動，到達散熱器60的側面60B並流入散熱器60的空氣流動通道64。在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換，散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣中。用於熱交換的空氣自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
氣流F3經由第二通氣孔17a流入框體10的內部之後，與第二引導板13B發生碰撞。與第二引導板13B發生碰撞後的空氣朝向傾斜方向13D流動，到達散熱器60的側面60B並流入散熱器60的空氣流動通道64。在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換，散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣中。用於熱交換的空氣自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
根據具有此種構造的半導體記憶裝置2，藉由在蓋12設置第一引導板13A及第二引導板13B，可將氣流F2、氣流F3引導至散熱器60的空氣流動通道64。因此，與不設置引導板的結構相比，可使更多流量的空氣流入空氣流動通道64，從而可促進在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行的熱交換。即，可進一步提高藉由所述第一實施方式獲得的散熱性提高的效果。
＜第三實施方式＞ 參照圖6對第三實施方式的半導體記憶裝置3進行說明。 在第三實施方式中，對與第一實施方式及第二實施方式相同的構件賦予相同的符號，並省略或簡化其說明。 圖6是自下方觀察第三實施方式的半導體記憶裝置3所包括的蓋12及電容器組件26的底視圖。
＜引導構件＞ 如圖6所示，散熱器60具有引導構件70。引導構件70具有設置於散熱器60的+Y方向側的側面60A的第一引導構件70A、以及設置於散熱器60的-Y方向側的側面60F的第二引導構件70B。引導構件70是「第二引導部」的一例。第一引導構件70A及第二引導構件70B位於第二側壁17與散熱器60的側面60B之間的區域12R。換言之，第一引導構件70A位於區域12R中的+Y方向側，第二引導構件70B位於區域12R中的-Y方向側。更具體而言，第二側壁17、散熱器60的側面60B、第一引導構件70A、及第二引導構件70B以包圍區域12R的整體的方式配置。此處，在包圍區域12R的整體的狀態下，彼此相鄰的兩個構件可分離設置，亦可連接。
作為第一引導構件70A相對於側面60A的固定結構及第二引導構件70B相對於側面60F的固定結構，例如可列舉：使用接著劑的接著結構、使用螺釘等緊固構件的緊固結構等。換言之，第一引導構件70A及第二引導構件70B是與散熱器60分開的構件。就半導體記憶裝置1的輕量化的方面而言，作為第一引導構件70A及第二引導構件70B的材料，例如能夠使用樹脂材料。
第一引導構件70A具有第一開口端部71A以及第一引導端部71B。第一開口端部71A與位於+Y方向側的第二側壁17的端部17c相向。第一引導端部71B連接於位於+Y方向側的散熱器60的側面60B的端部60D。只要能夠充分獲得藉由第一引導構件70A引導空氣的效果，則第一開口端部71A與端部17c之間的距離能夠變更。
沿Y方向觀察，第一開口端部71A位於較第一引導端部71B更靠+Y方向側的位置。換言之，第一開口端部71A位於較第一引導端部71B更靠近蓋12的側壁12d的附近的位置。
第一引導構件70A以自第一開口端部71A朝向第一引導端部71B延伸的方式相對於X方向傾斜。例如，第一引導構件70A朝向由符號71C指示的傾斜方向延伸。換言之，第一引導構件70A具有相對於空氣流動通道64延伸的方向傾斜的傾斜面。
第二引導構件70B具有第二開口端部72A以及第二引導端部72B。第二開口端部72A與位於+Y方向側的第二側壁17的端部17d相向。第二引導端部72B連接於位於+Y方向側的散熱器60的側面60B的端部60E。只要能夠充分獲得藉由第二引導構件70B引導空氣的效果，則第二開口端部72A與端部17d之間的距離能夠變更。
沿Y方向觀察，第二開口端部72A位於較第二引導端部72B更靠-Y方向側的位置。換言之，第二開口端部72A位於較第二引導端部72B更靠近蓋12的側壁12c的附近的位置。
第二引導構件70B以自第二開口端部72A朝向第二引導端部72B延伸的方式相對於X方向傾斜。例如，第二引導構件70B朝向由符號72D指示的傾斜方向延伸。換言之，第二引導構件70B具有相對於空氣流動通道64延伸的方向傾斜的傾斜面。
＜作用效果＞
＜散熱性提高＞ 在將半導體記憶裝置3放置於風朝向-X方向流動的設置環境的情況下，框體10的外部的空氣自第二通氣孔17a流入框體10的內部，並自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
經由第二通氣孔17a流入框體10的內部的氣流由符號F1、符號F2、符號F3表示。氣流F1是流過形成於Y方向上的第二側壁17的中心區域的第二通氣孔17a的氣流。氣流F2是流過形成於第二側壁17中位於+Y方向側的區域的第二通氣孔17a的氣流。氣流F3是流過形成於第二側壁17中位於-Y方向側的區域的第二通氣孔17a的氣流。
氣流F1經由第二通氣孔17a流入框體10的內部之後，到達散熱器60的側面60B並流入散熱器60的空氣流動通道64。在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換，散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣中。用於熱交換的空氣自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
氣流F2經由第二通氣孔17a流入框體10的內部之後，與第一引導構件70A發生碰撞。與第一引導構件70A發生碰撞後的空氣朝向傾斜方向71C流動，到達散熱器60的側面60B並流入散熱器60的空氣流動通道64。在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換，散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣中。用於熱交換的空氣自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
氣流F3經由第二通氣孔17a流入框體10的內部之後，與第二引導構件70B發生碰撞。與第二引導構件70B發生碰撞後的空氣朝向傾斜方向72D流動，到達散熱器60的側面60B並流入散熱器60的空氣流動通道64。在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行熱交換，散熱器60的熱移動至流過空氣流動通道64的空氣中。用於熱交換的空氣自第一通氣孔16a排出至框體10的外部。
根據具有此種結構的半導體記憶裝置3，藉由在散熱器60設置第一引導構件70A及第二引導構件70B，可將氣流F2、氣流F3引導至散熱器60的空氣流動通道64。因此，與不設置引導構件的結構相比，可使更多流量的空氣流入空氣流動通道64，從而可促進在流過空氣流動通道64的空氣與鰭片63的表面之間進行的熱交換。即，可進一步提高藉由所述第一實施方式獲得的散熱性提高的效果。
在本實施方式中，描述了引導構件70固定於散熱器60的側面的結構。作為本實施方式的變形例，散熱器60及引導構件70可為一體的構件。換言之，在散熱器60的製造步驟中，可以包括具有與所述引導構件70同樣的結構的引導部的方式形成散熱器60。
＜電子零件的變形例＞ 在所述實施方式中，作為電子零件的一例，對NAND 25進行了說明。控制器23及DRAM 24分別可用作電子零件。即，可將散熱器60配置成連接於控制器23，亦可將散熱器60配置成連接於DRAM 24。電子零件並不限定於所述實施方式。例如，電子零件亦可為處理器或電子設備。
根據以上說明的至少一個實施方式，半導體記憶裝置具有基板、電子零件、電容器、以及散熱器。電子零件安裝於基板。電容器安裝於基板，並且在基板的厚度方向上與電子零件重疊。散熱器具有支撐電容器的支撐部以及空氣流動通道。散熱器連接於電子零件。藉此，可提高半導體記憶裝置的散熱性。
雖然對本發明的幾個實施方式進行了說明，但是該些實施方式是作為例子提示，並不意圖限定發明的範圍。該些實施方式能夠以其他各種方式來實施，並且在不脫離發明主旨的範圍內可進行各種省略、置換、變更。該些實施方式及其變形包含於發明的範圍及主旨中，同樣包含於申請專利範圍所記載的發明及其均等的範圍內。
1、2、3:半導體記憶裝置 10:框體 10a:第一端部 10b:第二端部 10c:第三端部 10d:第四端部 11:基座 11b、11c、11d:側壁 11h:固定孔 11s:載置部 12:蓋 12a、12b、12c、12d:側壁 12h:插通孔 12R:區域 13:引導板 13A:第一引導板 13B:第二引導板 13C、13D、71C、72D:傾斜方向 13e:第一開口端部 13f:第一引導端部 13g:第二開口端部 13h:第二引導端部 14:基座主壁 14E:基座外表面 14I:基座內表面 15:蓋主壁 15E:蓋外表面 15I:蓋內表面 16:第一側壁 16a:第一通氣孔 17:第二側壁 17a:第二通氣孔 17c:端部 17d:端部 18:第三側壁 19:第四側壁 20:基板單元 21:基板 21a:第一面 21b:第二面 21h:插通孔 21T:連接端子 22:連接器 23:控制器 24:DRAM 25:NAND（NAND型快閃記憶體）/電子零件 25A:第一NAND（NAND） 25B:第二NAND（NAND） 26:電容器組件 27:導熱片 27A:第一導熱片 27B:第二導熱片 28:導熱構件 30:支撐框架 30h:插通孔 40:固定構件 50:電容器 50A:第一電容器（電容器） 50B:第二電容器（電容器） 50C:第三電容器（電容器） 50D:第四電容器（電容器） 51:主體 52:引線 53:引線突出面 54:前端面 55:外周面 55A:側面 55B:側面 55C:側面 60:散熱器 60A:第一側面（側面） 60B:第二側面（側面） 60C:第三側面（側面） 60D、60E:端部 60F:側面 61:第一板部 61A:電容器配置區域 61B:導熱片配置區域 61C:開口部 62:第二板部 63:鰭片 64:空氣流動通道 65:支撐部 65A:第一支撐部（支撐部） 65B:第二支撐部（支撐部） 65C:第三支撐部（支撐部） 65D:第四支撐部（支撐部） 66:支撐面 66A:第一支撐面（支撐面） 66B:第二支撐面（支撐面） 66C:第三支撐面（支撐面） 67A、67B:支撐端面 68A、68B:支撐開口部 70:引導構件 70A:第一引導構件（引導構件） 70B:第二引導構件（引導構件） 71A:第一開口端部 71B:第一引導端部 72A:第二開口端部 72B:第二引導端部 F1、F2、F3:氣流 W1:寬度 +X、-X、+Y、-Y、+Z、-Z:方向
圖1是表示第一實施方式的半導體記憶裝置的立體圖。 圖2是將第一實施方式的半導體記憶裝置的一部分分解來表示的分解立體圖。 圖3A是部分地表示第一實施方式的半導體記憶裝置所包括的散熱器的剖面圖。 圖3B是部分地表示第一實施方式的半導體記憶裝置所包括的散熱器的剖面圖。 圖4是表示第一實施方式的半導體記憶裝置所包括的電容器組件26的平面圖。 圖5是表示第二實施方式的半導體記憶裝置所包括的蓋、散熱器、及電容器的底視圖。 圖6是表示第三實施方式的半導體記憶裝置所包括的框體、散熱器、及電容器的底視圖。
11:基座
12:蓋
14:基座主壁
14E:基座外表面
14I:基座內表面
15:蓋主壁
15E:蓋外表面
15I:蓋內表面
21:基板
21a:第一面
21b:第二面
25:NAND(NAND型快閃記憶體)/電子零件
25A:第一NAND(NAND)
25B:第二NAND(NAND)
26:電容器組件
27:導熱片
27A:第一導熱片
27B:第二導熱片
28:導熱構件
50:電容器
50D:第四電容器(電容器)
55:外周面
55A:側面
55B:側面
55C:側面
60:散熱器
61:第一板部
61C:開口部
62:第二板部
63:鰭片
64:空氣流動通道
65:支撐部
65D:第四支撐部(支撐部)
66:支撐面
66A:第一支撐面(支撐面)
66B:第二支撐面(支撐面)
66C:第三支撐面(支撐面)
-X、+Y、-Y、+Z、-Z:方向

Claims (9)

  1. 一種半導體記憶裝置，包括： 基板； 電子零件，安裝於所述基板； 電容器，安裝於所述基板並在所述基板的厚度方向上與所述電子零件重疊；以及 散熱器，具有支撐所述電容器的支撐部以及空氣流動通道，並連接於所述電子零件。
  2. 如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中所述散熱器具有鰭片， 所述鰭片沿所述基板的所述厚度方向延伸， 所述鰭片面向所述空氣流動通道。
  3. 如請求項1所述的半導體記憶裝置，具有： 框體，收容所述基板、所述電子零件、所述電容器、及所述散熱器；以及 導熱體，連接於所述框體的內表面， 所述散熱器具有： 第一板部，與所述框體的所述內表面相向；以及 第二板部，位於與所述第一板部相反的一側並且連接於所述電子零件， 所述電子零件連接於所述第二板部， 在所述框體的所述內表面與所述第一板部之間設置有所述導熱體。
  4. 如請求項3所述的半導體記憶裝置，其中 所述電子零件包括第一電子零件以及第二電子零件， 所述基板具有第一面、以及位於與所述第一面相反的一側的第二面， 所述第一電子零件安裝於所述第一面， 所述第二電子零件安裝於所述第二面， 所述框體具有與所述第一面相向的第一框體構件、以及與所述第二面相向的第二框體構件， 所述導熱體具有連接於所述第一框體構件的第一內表面的第一導熱體、以及連接於所述第二框體構件的第二內表面的第二導熱體， 所述散熱器的所述第一板部與所述第一框體構件的所述第一內表面相向， 所述第一電子零件連接於所述第二板部， 在所述第一框體構件的所述第一內表面與所述第一板部之間設置所述第一導熱體， 在所述第二框體構件的所述第二內表面與所述第二電子零件之間設置有所述第二導熱體。
  5. 如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中 具有分別與所述電容器對應的多個電容器， 所述散熱器的所述支撐部對所述多個電容器進行支撐。
  6. 如請求項5所述的半導體記憶裝置，其中 相對於所述支撐部而言的、所述多個電容器中的至少兩個電容器的插入方向彼此不同。
  7. 如請求項5所述的半導體記憶裝置，其中 所述支撐部具有支撐所述電容器的支撐面， 所述支撐面藉由連接於所述電容器來決定所述電容器的位置。
  8. 如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中 具有框體，所述框體收容所述基板、所述電子零件、所述電容器、及所述散熱器， 所述框體具有側壁，所述側壁具有供流入所述框體的空氣通過的通氣孔； 所述框體具有第一引導部，所述第一引導部相對於所述空氣流動通道延伸的方向傾斜； 所述第一引導部位於所述側壁與所述散熱器之間的區域。
  9. 如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中 具有框體，所述框體收容所述基板、所述電子零件、所述電容器、及所述散熱器， 所述框體具有側壁，所述側壁具有供流入所述框體的空氣通過的通氣孔， 所述散熱器具有第二引導部，所述第二引導部相對於所述空氣流動通道延伸的方向傾斜， 所述第二引導部位於所述側壁與所述散熱器之間的區域。
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