JP2021012993A - 半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置１は、筐体２と、第１子基板２１と、発熱部品（ＮＡＮＤ３１Ａ）と、電子部品（コンデンサ３０）と、熱伝導性シート３３とを持つ。筐体２は、第１通気孔１８を有する。第１子基板は、筐体２に収容されている。発熱部品は、第１子基板に実装されている。電子部品は、発熱部品と第１通気孔１８との間に配置されている。熱伝導性シートは、発熱部品と電子部品とに亘るように設けられるかまたは第１子基板において発熱部品の裏側に位置した領域と電子部品とに亘るように設けられ、発熱部品と電子部品とを熱接続している。【選択図】図６

Description

本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。

筐体と、筐体に収容された基板と、基板に実装された半導体メモリ部品とを備えた半導体記憶装置が知られている。半導体記憶装置は、放熱性の向上が期待されている。

特開２０１６−１６７５７１号公報 特開２０１８−１３６９１２号公報

本発明が解決しようとする課題は、放熱性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供することである。

実施形態の半導体記憶装置は、筐体と、第１基板と、発熱部品と、電子部品と、熱伝導性シートとを持つ。前記筐体は、第１通気孔を有する。前記第１基板は、前記筐体に収容されている。前記発熱部品は、前記第１基板に実装されている。前記電子部品は、前記発熱部品と前記第１通気孔との間に配置されている。前記熱伝導性シートは、前記発熱部品と前記電子部品とに亘るように設けられ、または前記第１基板において前記発熱部品の裏側に位置した領域と前記電子部品とに亘るように設けられ、前記発熱部品と前記電子部品とを熱接続している。

第１の実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。 第１の実施形態の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。 第１の実施形態の基板ユニットを一部分解して示す斜視図。 第１の実施形態の主基板の第１面を示す平面図。 第１の実施形態の第２スペーサを示す斜視図。 図１中に示された半導体記憶装置のＦ６−Ｆ６線に沿う断面図。 第１の実施形態の熱伝導性シートの平面配置構造を示す平面図。 第１の実施形態の半導体記憶装置の製造方法の一部を示す斜視図。 第１の実施形態の半導体記憶装置の製造方法の一部を示す斜視図。 第１の実施形態の第１変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第１の実施形態の第２変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第１の実施形態の第３変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第１の実施形態の第４変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第２の実施形態の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。 第２の実施形態の熱伝導性シートの平面配置構造を示す平面図。 第３の実施形態の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。 第３の実施形態の子基板を示す平面図。 第３の実施形態の熱伝導性シートの取り付け過程を示す断面図。 第３の実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。 第３の実施形態の第１変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第３の実施形態の第２変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第３の実施形態の第３変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第３の実施形態の第４変形例の半導体記憶装置を示す断面図。 第３の実施形態の第５変形例の半導体記憶装置を示す断面図。

以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。なお以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。本明細書で「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味し、２つの対象物が互いに直接的に接しない場合も含む。本明細書で「平行」および「直交」とは、「略平行」および「略直交」である場合も含む。

また先に、＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向、＋Ｚ方向、および−Ｚ方向について定義する。＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、および−Ｙ方向は、後述する第１子基板２１の第１面２１ａ（図６参照）に沿う方向である。＋Ｘ方向は、後述する筐体２の第２端部２ｂから第１端部２ａに向かう方向である（図１参照）。−Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対方向である。＋Ｘ方向と−Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および−Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述する筐体２の第４端部２ｄから第３端部２ｃに向かう方向である（図１参照）。−Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対方向である。＋Ｙ方向と−Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および−Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、後述する主基板２０、第１子基板２１、および第２子基板２２の各々の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、第１子基板２１から第２子基板２２に向かう方向である（図２参照）。−Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対方向である。＋Ｚ方向と−Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。−Ｘ方向は、「第１方向」の一例である。−Ｙ方向は、「第２方向」の一例である。

（第１の実施形態）
＜１．全体構成＞
図１から図８Ｂを参照し、第１の実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバ装置やパーソナルコンピュータなどの情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本明細書では半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。

図１は、半導体記憶装置１を示す斜視図である。図２は、半導体記憶装置１を一部分解して示す斜視図である。図１および図２に示すように、半導体記憶装置１は、例えば、筐体２、基板ユニット３、および複数の締結部材４を有する。

筐体２は、例えば、矩形箱状に形成されている。筐体２は、例えば金属製である。筐体２は、筐体２の長手方向に分かれた一対の端部として、第１端部２ａと、第１端部２ａとは反対側に位置した第２端部２ｂとを有する。筐体２は、筐体２の短手方向に分かれた一対の端部として、第３端部２ｃと、第３端部２ｃとは反対側に位置した第４端部２ｄとを有する。

筐体２は、ベース１１とカバー１２とを含み、ベース１１とカバー１２とが組み合わされることで形成されている。ベース１１は、第１主壁１３と、第１から第３の側壁部１４ａ，１４ｂ，１４ｃとを含む。第１主壁１３は、Ｘ方向およびＹ方向と平行な壁部である。第１から第３の側壁部１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、それぞれ第１、第３、第４の端部２ａ，２ｃ，２ｄにおいて第１主壁１３から＋Ｚ方向に起立している。一方で、カバー１２は、第２主壁１５と、第１から第４の側壁部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄとを有する。第２主壁１５は、Ｘ方向およびＹ方向と平行な壁部である。第１から第４の側壁部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、それぞれ第１から第４の端部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄにおいて第２主壁１５から−Ｚ方向に延びている。

ベース１１の第１側壁部１４ａとカバー１２の第１側壁部１６ａとにより、筐体２の＋Ｘ方向側の側壁１７ａが形成されている。カバー１２の第２側壁部１６ｂにより、筐体２の−Ｘ方向側の側壁１７ｂが形成されている。ベース１１の第２側壁部１４ｂとカバー１２の第３側壁部１６ｃとにより、筐体２の＋Ｙ方向側の側壁１７ｃが形成されている。ベース１１の第３側壁部１４ｃとカバー１２の第４側壁部１６ｄとにより、筐体２の−Ｙ方向側の側壁１７ｄが形成されている。

筐体２の第１端部２ａには、複数の第１通気孔１８が設けられている。例えば、複数の第１通気孔１８は、カバー１２の第１側壁部１６ａに設けられている。同様に、筐体２の第２端部２ｂには、複数の第２通気孔１９が設けられている。例えば、複数の第２通気孔１９は、カバー１２の第２側壁部１６ｂに設けられている。

ここで、第１通気孔１８および第２通気孔１９は、いずれが吸気孔として機能し、いずれが排気孔として機能してもよい。例えば、−Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合、筐体２の外部の空気は第１通気孔１８から筐体２の内部に流入し、第２通気孔１９から筐体２の外部に排気される。一方で、＋Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合、筐体２の外部の空気は第２通気孔１９から筐体２の内部に流入し、第１通気孔１８から筐体２の外部に排気される。なお以下では、−Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合を例に説明を行う。

基板ユニット３は、筐体２に収容されている。基板ユニット３については、図３を参照し、詳しく後述する。

複数の締結部材４は、例えば、複数の第１締結部材４Ａと、複数の第２締結部材４Ｂとを含む。第１締結部材４Ａは、基板ユニット３をベース１１に固定する。第２締結部材４Ｂは、カバー１２をベース１１に固定する。

＜２．基板ユニットの構成＞
＜２．１ 基板ユニットの全体構成＞
次に、基板ユニット３の全体構成について説明する。
図３は、基板ユニット３を一部分解して示す斜視図である。基板ユニット３は、例えば、主基板２０、第１子基板(a first sub board)２１、第２子基板(a second sub board)２２、第１絶縁シート２３、第２絶縁シート２４、第１スペーサ２５、第２スペーサ２６、コントローラ２７（図４参照）、複数のＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２８（図４参照）、外部接続コネクタ２９、複数のコンデンサ３０、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３１（図３では一部のみ図示、以下では「ＮＡＮＤ３１」と称する）、複数の熱接続部品３２（図６参照）、および複数の熱伝導性シート３３（図６、図７参照）を有する。ただし、半導体記憶装置１は、上記例に限定されない。半導体記憶装置１は、種々の半導体記憶装置が広く該当し、図示する以外のサイズや形状の基板を有してもよく、またＤＲＡＭを搭載しなくてもよい。

主基板２０は、３つの基板（主基板２０、第１子基板２１、および第２子基板２２）のなかで、最も−Ｚ方向側に位置する（図６参照）。主基板２０は、筐体２の第１主壁１３の内面と、第１子基板２１との間に配置されている。主基板２０は、Ｘ方向およびＹ方向と平行である。主基板２０は、筐体２の第１主壁１３に面する第１面２０ａと、第１面２０ａとは反対側に位置して第１子基板２１に面する第２面２０ｂとを有する。

第１子基板２１は、主基板２０と、第２子基板２２との間に配置されている（図６参照）。第１子基板２１は、Ｘ方向およびＹ方向と平行である。第１子基板２１は、主基板２０に面する第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側に位置して第２子基板２２に面する第２面２１ｂとを有する。第１子基板２１は、「第１基板」の一例である。

第２子基板２２は、３つの基板（主基板２０、第１子基板２１、および第２子基板２２）のなかで、最も＋Ｚ方向側に位置する（図６参照）。第２子基板２２は、第１子基板２１と、筐体２の第２主壁１５の内面との間に配置されている。本実施形態では、第２子基板２２は、第１子基板２１の第２面２１ｂに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ａ（後述する熱伝導性シート３３による放熱対象部品）と、筐体２の第２主壁１５の内面との間に配置されている。第２子基板２２は、Ｘ方向およびＹ方向と平行である。第２子基板２２は、第１子基板２１と面する第１面２２ａと、第１面２２ａとは反対側に位置して筐体２の第２主壁１５に面する第２面２２ｂとを有する。第２子基板２２は、後述するコンデンサ３０との干渉を避けるための開口部２２ｃを有する。第２子基板２２は、「第２基板」の一例である。

図３に示すように、本実施形態では、主基板２０と第１子基板２１との間には、第１フレキシブル配線板（第１フレキシブル接続部）ＦＰ１が設けられている。第１フレキシブル配線板ＦＰ１は、主基板２０の−Ｙ方向の端部と、半導体記憶装置１の組立前における第１子基板２１の＋Ｙ方向の端部（半導体記憶装置１の組立後に−Ｙ方向側となる端部）とを接続している。主基板２０と第１子基板２１とは、第１フレキシブル配線板ＦＰ１を介して電気的に接続されている。

同様に、主基板２０と第２子基板２２との間には、第２フレキシブル配線板（第２フレキシブル接続部）ＦＰ２が設けられている。第２フレキシブル配線板ＦＰ２は、主基板２０の＋Ｙ方向の端部と、半導体記憶装置１の組立前における第２子基板２２の−Ｙ方向の端部（半導体記憶装置１の組立後に＋Ｙ方向側となる端部）とを接続している。主基板２０と第２子基板２２とは、第２フレキシブル配線板ＦＰ２を介して電気的に接続されている。

本実施形態では、主基板２０、第１子基板２１、第２子基板２２、第１フレキシブル配線板ＦＰ１、および第２フレキシブル配線板ＦＰ２は、リジッドフレキシブル基板として一体に形成されている。これに代えて、主基板２０、第１子基板２１、および第２子基板２２は、互いに別々に形成され、別体のフレキシブル配線板または基板間接続コネクタ（いわゆるB to Bコネクタ）を介して電気的に接続されてもよい。

第１絶縁シート２３は、主基板２０と第１子基板２１との間に配置されている。第２絶縁シート２４は、第１子基板２１と第２子基板２２との間に配置されている。本実施形態では、第２絶縁シート２４は、熱伝導性シート３３（図６参照）と第２子基板２２との間に配置されている。なお説明の便宜上、以下に説明する図では、絶縁シート２３，２４の図示は省略している。

第１スペーサ２５は、主基板２０と第１子基板２１との間に挟まれて、主基板２０と第１子基板２１とを互いに離間させている。言い換えると、第１スペーサ２５は、主基板２０と第１子基板２１との間に空気が流れる隙間を形成している。例えば、第１スペーサ２５は、主基板２０または第１子基板２１の外形に沿う枠状に形成されている。例えば、第１スペーサ２５は、合成樹脂製である。なお、第１スペーサ２５の形状の細部については後述する。

第２スペーサ２６は、第１子基板２１と第２子基板２２との間に挟まれて、第１子基板２１と第２子基板２２とを互いに離間させている。言い換えると、第２スペーサ２６は、第１子基板２１と第２子基板２２との間に空気が流れる隙間を形成している。例えば、第２スペーサ２６は、第１子基板２１または第２子基板２２の外形に沿う枠状に形成されている。例えば、第２スペーサ２６は、合成樹脂製である。なお、第２スペーサ２６の形状の細部については後述する。

コントローラ（コントローラ部品、図４参照）２７は、例えば、主基板２０の第１面２０ａに実装されている。コントローラ２７は、半導体記憶装置１の全体を統括的に制御する。例えば、コントローラ２７は、ホスト装置に対するホストインターフェース回路、複数のＤＲＡＭ２８を制御する制御回路、および複数のＮＡＮＤ３１を制御する制御回路などが１つの半導体チップに集積されたＳｏＣ（System on a Chip）として構成されている。

ＤＲＭＡ２８（図４参照）は、例えば、主基板２０の第１面２０ａに実装されている。ＤＲＡＭ２８は、揮発性の半導体メモリチップの一例である。ＤＲＡＭ２８は、ホスト装置から受信した書き込み対象データ、およびＮＡＮＤ３１から読み出された読み出し対象データが一時的に格納されるデータバッファである。

外部接続コネクタ２９は、例えば、主基板２０の第２面２０ｂに実装されている。外部接続コネクタ２９は、複数の金属製の端子を有し、ホスト装置に接続可能である。

複数のコンデンサ３０は、例えば、主基板２０の第２面２０ｂに実装されている。コンデンサ３０は、予期せぬ電力遮断時のデータ保護を目的とする電源バックアップ機能を担う。例えば、コンデンサ３０は、ホスト装置からの電力供給が予期せず遮断された場合、コントローラ２７、ＤＲＡＭ２８、およびＮＡＮＤ３１などに対して電力を一定時間供給する。すなわち、コンデンサ３０は、ＤＲＡＭ２８に一時的に格納された書き込み対象データがＤＲＡＭ２８から読み出され、その書き込み対象データのＮＡＮＤ３１への書き込みが完了するまでの間、コントローラ２７、ＤＲＡＭ２８、およびＮＡＮＤ３１などに電力を供給する。コンデンサ３０は、例えば、アルミ電解コンデンサまたは導電性高分子タンタル固体電解コンデンサなどであるが、これらに限定されない。コンデンサ３０は、「電子部品」の一例である。なお本明細書における「電子部品」とは、後述する「発熱部品」よりも温度が相対的に低くなる部品を広く意味し、自身が発熱する部品であってもよい。

複数のＮＡＮＤ３１は、第１子基板２１の第２面２１ｂに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ａ、第２子基板２２の第１面２２ａに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ｂ、および第２子基板２２の第２面２２ｂに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ｃを含む（図６参照）。ＮＡＮＤ３１は、不揮発性の半導体メモリチップの一例であり、「半導体メモリ部品」の一例である。

複数の熱接続部品３２の各々は、例えば弾性（または柔軟性）を有する。複数の熱接続部品３２は、例えば、複数の第１熱接続部品３２Ａと、複数の第２熱接続部品３２Ｂとを含む（図６参照、ただし図６では第１熱接続部品３２Ａはコントローラ２７に対応する１つのみを図示している）。第１熱接続部品３２Ａは、コントローラ２７またはＤＲＡＭ２８と、筐体２の第１主壁１３との間に挟まれ、コントローラ２７またはＤＲＡＭ２８を筐体２に熱接続する。これにより、主基板２０が発する熱の一部は、第１熱接続部品３２Ａを介して筐体２に伝導される。一方で、第２熱接続部品３２Ｂは、第２子基板２２の第２面２２ｂに実装されたＮＡＮＤ３１Ｃと、筐体２の第２主壁１５との間に挟まれ、ＮＡＮＤ３１Ｃを筐体２に熱接続する。これにより、第２子基板２２が発する熱の一部は、第２熱接続部品３２Ｂを介して筐体２に伝導される。

熱伝導性シート３３は、第１子基板２１の第２面２１ｂに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ａと、コンデンサ３０とに亘るように設けられ、複数のＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とを熱接続する（図６参照）。なお、熱伝導性シート３３については詳しく後述する。

＜２．２ 主基板における配置構成＞
次に、主基板２０におけるコントローラ２７、ＤＲＡＭ２８、外部接続コネクタ２９、およびコンデンサ３０の配置構成について説明する。

図４は、主基板２０の第１面２０ａを示す平面図である。主基板２０は、第１端部２０ｃと、第１端部２０ｃとは反対側に位置した第２端部２０ｄとを有する。第１端部２０ｃは、筐体２の第１端部２ａに対応した端部である。第２端部２０ｄは、筐体２の第２端部２ｂに対応した端部である。第１端部２０ｃは、複数のコンデンサ３０を避けるための切欠き部２０ｃａを有する。第１端部２０ｃは、切欠き部２０ｃａの両側に分かれて設けられた第１突出部２０ｃｂと第２突出部２０ｃｃとを有する。第１突出部２０ｃｂは、＋Ｙ方向側の縁部に設けられ、＋Ｘ方向に突出している。第２突出部２０ｃｃは、−Ｙ方向側の縁部に設けられ、＋Ｘ方向に突出している。

本実施形態では、コントローラ２７は、主基板２０において、第１端部２０ｃよりも第２端部２０ｄの近くに配置されている。一方で、複数のコンデンサ３０は、主基板２０の第１端部２０ｃに配置されている。本実施形態では、複数のコンデンサ３０は、第１コンデンサ３０Ａと、第２コンデンサ３０Ｂとを含む。第１および第２のコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの各々は、円筒状に設けられたコンデンサ本体４１と、コンデンサ本体４１の端部から突出した一対の端子４２ａ，４２ｂとを有する。

第１および第２のコンデンサ３０Ａ，３０Ｂのコンデンサ本体４１は、主基板２０の切欠き部２０ｃａに収容されている。例えば、第１コンデンサ３０Ａのコンデンサ本体４１と、第２コンデンサ３０Ｂのコンデンサ本体４１とは、それぞれＹ方向に沿って配置され、互いにＹ方向に並んでいる。第１コンデンサ３０Ａと、第２コンデンサ３０Ｂとの間には、隙間Ｓ０が設けられている。

第１コンデンサ３０Ａの端子４２ａ，４２ｂは、主基板２０の第１突出部２０ｃｂに接続されている。これにより、第１コンデンサ３０Ａは、主基板２０の第１突出部２０ｃｂによって支持されている。第２コンデンサ３０Ｂの端子４２ａ，４２ｂは、主基板２０の第２突出部２０ｃｃに接続されている。これにより、第２コンデンサ３０Ｂは、主基板２０の第２突出部２０ｃｃによって支持されている。

＜２．３ 第１および第２のスペーサ＞
次に、第１および第２のスペーサ２５，２６について説明する。ここでは、第２スペーサ２６を代表として説明する。

図５は、第２スペーサ２６を示す斜視図である。第２スペーサ２６は、第１部分５１、第２部分５２、第３部分５３、および第４部分５４を含む。第１部分５１および第２部分５２は、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第１部分５１は、第２部分５２に対して、＋Ｙ方向に位置する。第３部分５３および第４部分５４は、互いにＸ方向に離間するとともに、それぞれＹ方向に延びている。第３部分５３は、第４部分５４に対して＋Ｘ方向に位置する。第１から第４の部分５１，５２，５３，５４が互いに連結されることで、枠状の第２スペーサ２６が形成されている。第１部分５１および第２部分５２のＺ方向の厚さは、第１子基板２１と第２子基板２２との間の距離（後述する隙間Ｓ３の厚さ）に相当する。

本実施形態では、第３部分５３は、基部５３ａと、ガイド部５３ｂとを有する。基部５３ａは、第１部分５１と第２部分５２とを繋ぐようにＹ方向に延びている。基部５３ａのＺ方向の厚さは、第１部分５１および第２部分５２のＺ方向の厚さよりも薄い。このため、第１部分５１とガイド部５３ｂとの間には、基部５３ａと第２子基板２２との間に隙間を形成する第１凹部５３ｃが設けられている。同様に、第２部分５２とガイド部５３ｂとの間には、基部５３ａと第２子基板２２との間に隙間を形成する第２凹部５３ｄが設けられている。第１通気孔１８から筐体２内に流入した空気は、第１および第２の凹部５３ｃ，５３ｄを通って、第１子基板２１と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３に流入する。

ガイド部５３ｂは、基部５３ａのＹ方向の中央部に設けられている。ガイド部５３ｂは、基部５３ａから＋Ｚ方向に起立し、第１コンデンサ３０Ａと第２コンデンサ３０Ｂとの間の隙間Ｓ０に対して＋Ｘ方向から向かい合う。ガイド部５３ｂは、＋Ｘ方向に向いた山形に形成されている。ガイド部５３ｂは、第１傾斜部５３ｂａと第２傾斜部５３ｂｂとを含む。

第１傾斜部５３ｂａは、ガイド部５３ｂのＹ方向の中央部と、ガイド部５３ｂの＋Ｙ方向の端部との間に設けられている。第１傾斜部５３ｂａは、＋Ｙ方向に進むに従い、−Ｘ方向に位置するように傾斜している。第１傾斜部５３ｂａは、第１通気孔１８から筐体２内に流入して第１傾斜部５３ｂａにぶつかる空気の少なくとも一部を、第１コンデンサ３０Ａの背後に案内する。

一方で、第２傾斜部５３ｂｂは、ガイド部５３ｂのＹ方向の中央部と、ガイド部５３ｂの−Ｙ方向の端部との間に設けられている。第２傾斜部５３ｂｂは、−Ｙ方向に進むに従い、−Ｘ方向に位置するように傾斜している。第２傾斜部５３ｂｂの少なくとも一部は、第１通気孔１８から筐体２内に流入して第２傾斜部５３ｂｂに当たる空気を、第２コンデンサ３０Ｂの背後に案内する。

同様に、第４部分５４は、基部５４ａ、第１ガイド部５４ｂ、第２ガイド部５４ｃ、および第３ガイド部５４ｄを有する。基部５４ａは、第１部分５１と第２部分５２とを繋ぐようにＹ方向に延びている。基部５４ａのＺ方向の厚さは、第１部分５１および第２部分５２のＺ方向の厚さよりも薄い。

第１ガイド部５４ｂは、基部５４ａのＹ方向の中央部に設けられている。第１ガイド部５４ｂは、基部５４ａから＋Ｚ方向に起立している。第１ガイド部５４ｂは、−Ｘ方向に向いた山形に形成されている。第２ガイド部５４ｃは、基部５４ａにおいて、第１ガイド部５４ｂと第１部分５１との間に配置されている。第２ガイド部５４ｃは、＋Ｘ方向に向いた山形に形成されている。第１ガイド部５４ｂと第２ガイド部５４ｃとの間には、第１子基板２１と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３を流れた空気が第２通気孔１９に向けて流れる隙間ｇ１が形成されている。一方で、第３ガイド部５４ｄは、基部５４ａにおいて、第１ガイド部５４ｂと第２部分５２との間に配置されている。第３ガイド部５４ｄは、＋Ｘ方向に向いた山形に形成されている。第１ガイド部５４ｂと第３ガイド部５４ｄとの間には、第１子基板２１と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３を流れた空気が第２通気孔１９に向けて流れる隙間ｇ２が形成されている。

＜３．熱伝導性シート＞
次に、熱伝導性シート３３について説明する。
図６は、図１中に示された半導体記憶装置１のＦ６−Ｆ６線に沿う断面図である。本実施形態では、熱伝導性シート３３は、第１子基板２１の第２面２１ｂに実装された１つ以上のＮＡＮＤ３１Ａの熱をコンデンサ３０に伝導するために設けられている。ＮＡＮＤ３１Ａは、「発熱部品」の一例である。

ここで先に、図６を参照してコンデンサ３０の一例について補足的に説明する。本実施形態では、コンデンサ３０は、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２の第１通気孔１８との間に配置されている。なお、本明細書で「発熱部品と第１通気孔との間に配置された電子部品」とは、第１子基板（第１基板）の表面に対して直交する方向から見た平面視において、発熱部品と第１通気孔との間に電子部品が位置することを意味する。すなわち、電子部品のＺ方向の位置は、発熱部品と第１通気孔との間に無くてもよい。

本実施形態では、コンデンサ３０は、比較的大型の部品であり、ＮＡＮＤ３１Ａよりも大きな熱容量を持つ。例えば、コンデンサ３０のＺ方向の厚さＴ１は、第１通気孔１８のＺ方向の大きさよりも大きい。例えば、コンデンサ３０のＺ方向の厚さＴ１は、第１子基板２１と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３のＺ方向の高さＴ２よりも大きい。例えば、コンデンサ３０の−Ｚ方向の端部は、主基板２０の第１面２０ａよりも−Ｚ方向側に位置する。一方で、コンデンサ３０の＋Ｚ方向の端部は、第１子基板２１の第２面２１ｂに実装されたＮＡＮＤ３１Ａの＋Ｚ方向の表面よりも＋Ｚ方向側に位置する。

コンデンサ本体４１の外形の少なくとも一部は、曲面部４１ａを有する。曲面部４１ａは、例えば中心角が１８０度以上に亘る曲面を有する。本実施形態では、コンデンサ本体４１は、円筒状に形成されている。このため、曲面部４１ａは、中心角が３６０度に亘る曲面を有する。

熱伝導性シート３３は、少なくとも１つのＮＡＮＤ３１Ａと、コンデンサ３０とに亘るように設けられ、少なくとも１つのＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とを熱接続している。本明細書で「ＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とを熱接続する」とは、ＮＡＮＤ３１Ａの熱の少なくとも一部がコンデンサ３０に移動可能であることを意味し、熱伝導性シート３３が設けられていない場合と比べて、ＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０との温度差が小さくなることを意味する。また「ＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とを熱接続する」とは、熱伝導性シート３３とＮＡＮＤ３１Ａとの間、および／または、熱伝導性シート３３とコンデンサ３０との間に別部材が存在し、上記別部材および熱伝導性シート３３を介してＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とが熱接続される場合も含む。

本実施形態では、熱伝導性シート３３は、Ｘ方向に延びた矩形状のシートである。熱伝導性シート３３は、例えば、熱伝導性シート３３の片面に設けられた接着剤によりＮＡＮＤ３１Ａおよびコンデンサ３０に貼り付けられている。熱伝導性シート３３のＺ方向の厚さＴ３は、第２スペーサ２６のＺ方向の厚さＴ２よりも薄い。さらに言えば、熱伝導性シート３３のＺ方向の厚さＴ３は、ＮＡＮＤ３１ＡのＺ方向の厚さＴ４よりも薄い。ここで、第２スペーサ２６のＺ方向の厚さＴ２は、例えば５ｍｍである。一方で、熱伝導性シート３３のＺ方向の厚さＴ３は、例えば０．１ｍｍ以下である。

熱伝導性シート３３は、例えば柔軟性（可撓性）を有する。熱伝導性シート３３の一例は、グラファイトシートであるが、これに限定されない。熱伝導性シート３３は、例えば複数のＮＡＮＤ３１Ａに取り付けられた第１部分６１と、コンデンサ３０に取り付けられた第２部分６２とを有する。

＜３．１ 熱伝導性シートの第１部分＞
第１部分６１は、第１子基板２１と第２子基板２２との間に配置され、Ｘ方向に平板状に延びている。さらに言えば、第１部分６１は、第１子基板２１に実装されたＮＡＮＤ３１Ａと、第２子基板２２に実装されたＮＡＮＤ３１Ｂとの間に配置されている。第１部分６１は、複数のＮＡＮＤ３１Ａに対して第１子基板２１とは反対側から取り付けられている。

本実施形態では、熱伝導性シート３３と第２子基板２２との間には、空気が流れることができる隙間Ｓ３ａが存在する。さらに言えば、熱伝導性シート３３と、第２子基板２２の第１面２２ａに実装されたＮＡＮＤ３１Ｂとの間には、空気が流れることができる隙間Ｓ３ａが存在する。

図６に示すように、第１子基板２１に実装されたＮＡＮＤ３１Ａは、例えば、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，ＮＡＮＤ３１ＡＢ，ＮＡＮＤ３１ＡＣ，およびＮＡＮＤ３１ＡＤを含む。ＮＡＮＤ３１ＡＡ、ＮＡＮＤ３１ＡＢ、ＮＡＮＤ３１ＡＣ、およびＮＡＮＤ３１ＡＤは、この順に＋Ｘ方向に並んでいる。すなわち、ＮＡＮＤ３１ＡＢは、ＮＡＮＤ３１ＡＡとコンデンサ３０との間に配置されている。ＮＡＮＤ３１ＡＡは、「第１半導体メモリ部品」の一例である。ＮＡＮＤ３１ＡＢは、「第２半導体メモリ部品」の一例である。

本実施形態では、熱伝導シート３３の第１部分６１は、Ｚ方向で、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤと重なる。例えば、熱伝導シート３３の第１部分６１は、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤの全てに対して取り付けられている。これにより、熱伝導シート３３は、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤとコンデンサ３０とを熱接続している。

本実施形態では、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢは、筐体２の第１通気孔１８よりも第２通気孔１９の近くに位置する。一方で、コンデンサ３０は、筐体２の第２通気孔１９よりも第１通気孔１８の近くに位置する。そして、熱伝導性シート３３は、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢからコンデンサ３０まで延びている。

本実施形態では、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣの各々の少なくとも一部は、Ｚ方向においてコントローラ２７と重なる。このため、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１Ａは、放熱されにくい。例えば、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢには、主基板２０を介してコントローラ２７によって温められて主基板２０と第１子基板２１との間を流れる空気の熱が伝わりやすい。このため、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ（そのなかでもＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ）は、温度が上昇しやすい。しかしながら本実施形態では、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣの熱は、熱伝導性シート３３を介してコンデンサ３０に放散される。

＜３．２ 熱伝導性シートの第２部分＞
熱伝導性シート３３の第２部分６２は、コンデンサ３０に取り付けられている。本実施形態では、第２部分６２は、コンデンサ３０の曲面部４１ａに沿って曲げられた状態でコンデンサ３０の曲面部４１ａに取り付けられている。例えば、第２部分６２は、中心角が１８０度以上に亘って、コンデンサ３０の曲面部４１ａに沿って曲げられた状態でコンデンサ３０の曲面部４１ａに取り付けられている。

本実施形態では、第２部分６２は、例えば、コンデンサ３０の＋Ｚ方向側に回り込んだ部分６２ａと、コンデンサ３０の＋Ｘ方向側に回り込んだ部分６２ｂと、コンデンサ３０の−Ｚ方向側に回り込んだ部分６２ｃとを含む。部分６２ａは、コンデンサ３０と筐体２の第２主壁１５との間の位置で円弧状に形成され、コンデンサ３０に取り付けられている。部分６２ａは、第１部分６１から＋Ｚ方向側に膨らんでいる。部分６２ｂは、コンデンサ３０と第１通気孔１８との間の位置で円弧状に形成され、コンデンサ３０に取り付けられている。部分６２ｃは、コンデンサ３０と筐体２の第１主壁１３との間の位置で円弧状に形成され、コンデンサ３０に取り付けられている。

本実施形態では、部分６２ｂの少なくとも一部は、＋Ｚ方向に進むに従い−Ｘ方向側に位置する曲面状（すなわち、空気の流れ方向に対して傾いた形状）に形成されている。これにより、第２部分６２は、第１通気孔１８から筐体２内に流入する空気の流れを阻害しにくい。また、部分６２ｂの少なくとも一部が曲面状に形成されていることで、コンデンサ３０と第１通気孔１８との間（すなわち筐体２の外部から冷たい空気が流入する空間）における第２部分６２の表面積が大きく確保されている。これにより、第２部分６２の放熱がより促進されやすい。

＜３．２ 熱伝導性シートの平面配置構造＞
図７は、熱伝導性シート３０の平面配置構造を示す平面図である。本実施形態では、第１子基板２１に実装されたＮＡＮＤ３１Ａは、第１群のＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤと、第２群のＮＡＮＤ３１ＡＥ，３１ＡＦ，３１ＡＧ，３１ＡＨと、第３群のＮＡＮＤ３１ＡＩ，３１ＡＪ，３１ＡＫ，３１ＡＬとを含む。第１群のＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤは、上述したように、この順に＋Ｘ方向に並んでいる。第２群のＮＡＮＤ３１ＡＥ，３１ＡＦ，３１ＡＧ，３１ＡＨは、第１群のＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤに対して−Ｙ方向に位置するとともに、この順に＋Ｘ方向に並んでいる。第３群のＮＡＮＤ３１ＡＩ，３１ＡＪ，３１ＡＫ，３１ＡＬは、第２群のＮＡＮＤ３１ＡＥ，３１ＡＦ，３１ＡＧ，３１ＡＨに対して−Ｙ方向に位置するとともに、この順に＋Ｘ方向に並んでいる。

図７に示すように、複数の熱伝導性シート３３は、第１熱伝導性シート３３Ａと、第２熱伝導性シート３３Ｂとを含む。第１熱伝導性シート３３Ａは、第１群のＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤおよび第２群のＮＡＮＤ３１ＡＥ，３１ＡＦ，３１ＡＧ，３１ＡＨに対してＺ方向で重なるように設けられ、第１群のＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤおよび第２群のＮＡＮＤ３１ＡＥ，３１ＡＦ，３１ＡＧ，３１ＡＨに取り付けられている。第１熱伝導性シート３３Ａは、第２スペーサ２６の第１凹部５３ｃを通ってＸ方向に延びており、第１コンデンサ３０Ａに取り付けられている。

一方で、第２熱伝導性シート３３Ｂは、第２群のＮＡＮＤ３１ＡＥ，３１ＡＦ，３１ＡＧ，３１ＡＨおよび第３群のＮＡＮＤ３１ＡＩ，３１ＡＪ，３１ＡＫ，３１ＡＬに対してＺ方向で重なるように設けられ、第２群のＮＡＮＤ３１ＡＥ，３１ＡＦ，３１ＡＧ，３１ＡＨおよび第３群のＮＡＮＤ３１ＡＩ，３１ＡＪ，３１ＡＫ，３１ＡＬに取り付けられている。第２熱伝導性シート３３Ｂは、第２スペーサ２６の第２凹部５３ｄを通ってＸ方向に延びており、第２コンデンサ３０Ｂに取り付けられている。

本実施形態では、第２スペーサ２６のガイド部５３ｂは、第１熱伝導性シート３３Ａと第２熱伝導性シート３３Ｂとの間に位置する。ガイド部５３ｂの少なくとも一部は、第１および第２のコンデンサ３０Ａ，３０ＢとＸ方向で重ならない位置に配置されている。すなわち、ガイド部５３ｂの少なくとも一部は、第１コンデンサ３０Ａと第２コンデンサ３０Ｂとの間の隙間Ｓ０に対してＸ方向で向かい合う。ガイド部５３ｂは、第１および第２のコンデンサ３０Ａ，３０Ｂよりも−Ｘ方向側に位置する。

ガイド部５３ｂの第１傾斜部５３ｂａは、第１通気孔１８から筐体２内に流入して第１コンデンサ３０Ａと第２コンデンサ３０Ｂとの間の隙間Ｓ０を−Ｘ方向に流れる空気を、第１熱伝導性シート３３Ａと第２子基板２２との間の隙間Ｓ３ａに向ける。一方で、ガイド部５３ｂの第２傾斜部５３ｂｂは、第１通気孔１８から筐体２内に流入して第１コンデンサ３０Ａと第２コンデンサ３０Ｂとの間の隙間Ｓ０を−Ｘ方向に流れる空気を、第２熱伝導性シート３３Ｂと第２子基板２２との間の隙間Ｓ３ａに向ける。

＜４．製造方法＞
図８Ａおよび図８Ｂは、半導体記憶装置１の製造方法の一部を示す斜視図である。まず、主基板２０の上に第１スペーサ２５を載置し、第１フレキフレキシブル配線板ＦＰ１を曲げることで、第１子基板２１を第１スペーサ２５の上に載置する。次に、第１子基板２１の上に第２スペーサ２６を載置する（図８Ａ中の（ａ））。

次に、第１熱伝導性シート３３Ａの第１部分６１の−Ｘ方向側の端部を、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＥの−Ｘ方向側の端部に合わせる（図８Ａ中の（ｂ））。そして、第１熱伝導性シート３３Ａの第１部分６１を複数のＮＡＮＤ３１Ａの表面に貼り付ける（図８Ａ中の（ｃ））。

次に、第１熱伝導性シート３３Ａの第２部分６２の一部を第１コンデンサ３０Ａに貼り付ける（図８Ａ中の（ｄ））。次に、第１熱伝導性シート３３Ａの第２部分６２を第１コンデンサ３０Ａに巻き付ける（図８Ｂ中の（ｅ））。同様に、第２熱伝導性シート３３Ｂを複数のＮＡＮＤ３１Ａおよび第２コンデンサ３０Ｂに貼り付ける（図８Ｂ中の（ｆ））。

次に、第２フレキフレキシブル配線板ＦＰ２を曲げることで、第２子基板２２を第２スペーサ２６の上に載置する（図８Ｂ中の（ｇ））。これにより、基板ユニット３が組み上がる。次に、組み上がった基板ユニット３が第１締結部材４Ａ（図２参照）によってベース１１に固定される。そして、基板ユニット３を挟むようにベース１１とカバー１２とが組み合わされる（図８Ｂ中の（ｈ））。そして、第２締結部材４Ｂ（図２参照）によってベース１１とカバー１２とが固定される。これにより、半導体記憶装置１が組み上がる。

＜５．作用＞
＜５．１ 熱伝導に関する作用＞
まず、熱伝導に関する作用について説明する。図６に示すように、熱伝導性シート３３は、第１子基板２１に実装された少なくとも１つのＮＡＮＤ３１Ａ（本実施形態では複数のＮＡＮＤ３１Ａ）をコンデンサ３０に熱接続している。これにより、第１子基板２１に実装された少なくとも１つのＮＡＮＤ３１Ａ（本実施形態では複数のＮＡＮＤ３１Ａ）が発する熱の一部は、熱伝導性シート３３によってコンデンサ３０に伝導され、コンデンサ３０が空冷されることにより放散される。すなわち、熱伝導性シート３３が設けられることで、コンデンサ３０をＮＡＮＤ３１Ａの熱を放散させるヒートシンクとして機能させることができる。これにより、第１子基板２１の温度上昇を抑制することができる。

＜５．２ 風の流れに関する作用＞
次に、風の流れに関する作用について説明する。図６および図７中の矢印Ａは、空気の流れの一例を示す。図６に示すように、−Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合、筐体２の外部の空気は第１通気孔１８から筐体２の内部に流入する。筐体２内に流入した空気は、２つのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの間の隙間Ｓ０、コンデンサ３０と筐体２の第１主壁１３との間の隙間、またはンデンサ３０と筐体２の第２主壁１５との間の隙間を通り、コンデンサ３０よりも−Ｘ方向側に流れる。

コンデンサ３０よりも−Ｘ方向側に流れた空気は、筐体２の第１主壁１３と主基板２０との間の隙間Ｓ１、主基板２０と第１子基板２１との間の隙間Ｓ２、第１子基板２１と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３（例えば熱伝導シート３３と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３ａ）、および第２子基板２２と筐体２の第２主壁１５との間の隙間Ｓ４をそれぞれ−Ｘ方向に流れる。これら隙間Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４を流れた空気は、第２スペーサ２６の第１ガイド部５４ｂと第２ガイド部５４ｃとの間の隙間ｇ１および第１ガイド部５４ｂと第３ガイド部５４ｄとの間の隙間ｇ２を通り、第２通気孔１９から筐体２の外部に排気される。

このとき、図７に示すように、２つのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの間の隙間Ｓ０を−Ｘ方向に流れた空気は、ガイド部５３ｂによって、第１熱伝導性シート３３Ａと第２子基板２２との間の隙間Ｓ３ａ、および第２熱伝導性シート３３Ｂと第２子基板２２との間に隙間Ｓ３ａに向けて流れ方向が変えられる。その結果、コンデンサ３０が比較的大きな部品であっても、コンデンサ３０の−Ｘ方向側の背後にもより多くの量の空気が供給される。これにより、熱伝導性シート３３の放熱が促進される。

なお、＋Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合は、空気の流れが図６および図７に示す例とは逆向きになる。この場合、第２通気孔１９から筐体２内に流入した空気の一部は、第２スペーサ２６の第１ガイド部５４ｂによって、第１熱伝導性シート３３Ａと第２子基板２２との間の隙間Ｓ３ａ、および第２熱伝導性シート３３Ｂと第２子基板２２との間に隙間Ｓ３ａに向けて流れ方向が変えられる。

なお、半導体記憶装置１の内部を風が流れること（すなわち、上述した風の流れに関する作用）は必須ではない。半導体記憶装置１の内部を風が流れない場合であっても、熱伝導性シート３３が設けられることでコンデンサ３０がヒートシンクとして機能し、第１子基板２１の温度上昇を一定程度は抑制することができる。

＜６．利点＞
本実施形態の半導体記憶装置１には、ＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とに亘るように設けられた熱伝導性シート３３が設けられている。このような構成によれば、半導体記憶装置１の内部の熱（例えばＮＡＮＤ３１Ａの熱）をコンデンサ３０に移動させることで、半導体記憶装置１の内部の熱をより効率的に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性の向上を図ることができる。

例えば、本発明者による１つの実験結果によれば、熱伝導性シート３３が設けられていない比較例の構成では、ＮＡＮＤ３１ＡＡの温度が５９．５度であり、コンデンサ３０の温度が３５．１度であったのに対して、熱伝導性シート３３が設けられた構成では、ＮＡＮＤ３１ＡＡの温度が５５．９度であり、コンデンサ３０の温度が４０．２度であった。この実験結果からも、熱伝導性シート３３を設けることで半導体記憶装置１の放熱性が向上することが分かる。

本実施形態では、第１子基板２１に実装されたＮＡＮＤ３１Ａは、第１子基板２１と第２子基板２２とに挟まれるため、ＮＡＮＤ３１Ａの熱を筐体２に伝導することが難しい。しかしながら本実施形態では、ＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とを熱伝導性シート３３で熱接続することで、第１子基板２１と第２子基板２２との間に位置するＮＡＮＤ３１Ａの熱を効率的に放散させることができる。

本実施形態では、熱伝導性シート３３のＺ方向の厚さＴ３は、第２スペーサ２６のＺ方向の厚さＴ２よりも薄い。このような構成によれば、第１子基板２１と第２子基板２２との間に熱伝導性シート３３が配置された場合でも、熱伝導性シート３３と第２子基板２２との間に空気が流れる隙間Ｓ３ａを確保することができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

本実施形態では、一部のＮＡＮＤ３１Ａは、筐体２の第１通気孔１８よりも第２通気孔１９の近くに位置する。一方で、コンデンサ３０は、筐体２の第２通気孔１９よりも第１通気孔１８の近くに位置する。そして、熱伝導性シート３３は、上記ＮＡＮＤ３１Ａからコンデンサ３０まで延びている。このような構成によれば、第１通気孔１８が吸気孔として機能する場合に、第１通気孔１８から遠くに配置され、コントローラ２７または他のＮＡＮＤ３１によって温められた空気が周囲に流れて温度が上昇しやすいＮＡＮＤ３１Ａの熱を、第１通気孔１８の近くに位置して放熱されやすいコンデンサ３０に伝導することができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

本実施形態では、熱伝導性シート３３は、Ｘ方向に並ぶ複数のＮＡＮＤ３１Ａに対してＺ方向で重なる。このような構成によれば、複数のＮＡＮＤ３１Ａの放熱性を一括して高めることができる。

本実施形態では、第１熱伝導性シート３３Ａは、第１群に含まれる複数のＮＡＮＤ３１Ａおよび第２群に含まれる複数のＮＡＮＤ３１Ａに対してＺ方向で重なる。このような構成によれば、より多くのＮＡＮＤ３１Ａの放熱性を高めることができる。

本実施形態では、コンデンサ３０の外形の少なくとも一部は、曲面部４１ａを有する。そして、熱伝導性シート３３の一部は、曲面部４１ａに沿って曲げられた状態でコンデンサ３０に取り付けられている。このような構成によれば、曲面部４１ａを有したコンデンサ３０と熱伝導性シート３３との接触面積を大きく確保することができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

本実施形態では、熱伝導性シート３３の一部は、筐体２の第１通気孔１８とコンデンサ３０との間に位置する。このような構成によれば、筐体２の第１通気孔１８とコンデンサ３０との間の空間を利用してコンデンサ３０と熱伝導性シート３３との接触面積をさらに大きく確保することができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。また、熱伝導性シート３３の一部が筐体２の第１通気孔１８とコンデンサ３０との間に位置すると、第１通気孔１８から筐体２内に流入した冷たい空気によって熱伝導性シート３３を効率的に冷却することができる。この観点でも半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

本実施形態では、第２スペーサ２６は、第１通気孔１８から筐体２内に流入した空気の一部を熱伝導性シート３３と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３ａに向けるガイド部５３ｂを有する。このような構成によれば、ガイド部５３ｂが存在しない場合と比べて多くの空気を熱伝導性シート３３と第２子基板２２との間の隙間Ｓ３ａに流すことができる。これにより、熱伝導性シート３３を直接に冷却することができ、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

また、熱伝導性シート３３がＮＡＮＤ３１Ａの少なくとも一部を覆うことで、空気とともに筐体２の内部に流入する塵埃がＮＡＮＤ３１Ａに付着しにくくなる。これにより、半導体記憶装置１の信頼性も向上する。

次に、第１の実施形態のいくつかの変形例について説明する。なお各変形例において、以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態の構成と同様である。またこれら変形例は、以下に説明する他の実施形態と組み合わされて実現されてもよい。

（第１変形例）
図９は、第１変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。第１変形例では、熱伝導性シート３３の第１部分６１は、主基板２０と第１子基板２１との間に配置されている。熱伝導性シート３３の第１部分６１は、第１子基板２１において複数のＮＡＮＤ３１Ａの裏側に位置した領域Ｒ（以下、「裏側領域Ｒ」と称することがある）に取り付けられ、Ｚ方向で複数のＮＡＮＤ３１Ａと重なる。熱伝導性シート３３は、裏側領域Ｒとコンデンサ３０とに亘るように設けられている。熱伝導性シート３３は、第１子基板２１を介して、複数のＮＡＮＤ３１Ａとコンデンサ３０とを熱接続している。

（第２変形例）
図１０は、第２変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。第２変形例では、熱伝導性シート３３の第１部分６１は、主基板２０と第１子基板２１との間に配置されている。熱伝導性シート３３の第１部分６１は、主基板２０においてコントローラ２７の裏側に位置した領域Ｒ（裏側領域Ｒ）に取り付けられ、Ｚ方向でコントローラ２７と重なる。熱伝導性シート３３は、裏側領域Ｒと、コンデンサ３０とに亘るように設けられている。熱伝導性シート３３は、主基板２０を介して、コントローラ２７とコンデンサ３０とを熱接続している。

このような構成によれば、コントローラ２７の熱をコンデンサ３０に移動させることで、コントローラ２７の熱をより効率的に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性の向上を図ることができる。本変形例では、コントローラ２７は、「発熱部品」の一例である。主基板２０は、「第１基板」の一例である。第１子基板２１は、「第２基板」の一例である。

なお第２変形例の上記構成に代えて、熱伝導性シート３３は、筐体２の第１主壁１３と主基板２０との間に配置され、主基板２０とは反対側から（すなわち筐体２の第１主壁１３側から）コントローラ２７に取り付けられてもよい。このような構成によれば、コントローラ２７の熱を熱伝導性シート３３に直接に伝えることができる。

（第３変形例）
図１１は、第３変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。第３変形例では、半導体記憶装置１は、熱伝導性シート３３の第２部分６２と筐体２の第１主壁１３とを熱接続する熱接続部品３２を有する。熱接続部品３２は、例えば弾性（または柔軟性）を有し、コンデンサ３０と筐体２の第１主壁１３との間において、熱伝導性シート３３の第２部分６２と筐体２の第１主壁１３との間に挟まれている。このような構成によれば、ＮＡＮＤ３１Ａから熱伝導性シート３３に移動した熱の一部を筐体２に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

（第４変形例）
図１２は、第４変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。第４変形例では、半導体記憶装置１は、熱伝導性シート３３の第２部分６２と筐体２の第２主壁１５とを熱接続する熱接続部品３２を有する。熱接続部品３２は、例えば弾性（または柔軟性）を有し、コンデンサ３０と筐体２の第２主壁１５との間において、熱伝導性シート３３の第２部分６２と筐体２の第２主壁１５との間に挟まれている。このような構成によれば、ＮＡＮＤ３１Ａから熱伝導性シート３３に移動した熱の一部を筐体２に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態の半導体記憶装置１について説明する。第２の実施形態は、コンデンサ３０が基板２０とＺ方向で重なる位置に配置された点で、第１の実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態の構成と同様である。

図１３は、半導体記憶装置１を一部分解して示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えば、筐体２、基板２０、コントローラ（不図示）２７、複数のＤＲＡＭ２８、外部接続コネクタ２９、複数のコンデンサ３０、複数のＮＡＮＤ３１、および複数の熱伝導性シート３３（図１４参照）を有する。本実施形態では、コントローラ２７、ＤＲＡＭ２８、外部接続コネクタ２９、複数のコンデンサ３０、および複数のＮＡＮＤ３１は、基板２０に実装されている。コンデンサ３０は、Ｚ方向において基板２０と重なる位置に配置されている。例えば、コンデンサ３０は、基板２０と筐体２の第２主壁１５との間に位置する。

図１４は、熱伝導性シート３３の平面配置構造を示す平面図である。第１熱伝導性シート３３Ａは、ＮＡＮＤ３１と第１コンデンサ３０Ａとに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１と第１コンデンサ３０Ａとを熱接続している。第２熱伝導性シート３３Ｂは、ＮＡＮＤ３１と第２コンデンサ３０Ｂとに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１と第２コンデンサ３０Ｂとを熱接続している。

このような構成によれば、半導体記憶装置１の内部の熱（例えばＮＡＮＤ３１の熱）をコンデンサ３０に移動させることで、半導体記憶装置１の内部の熱をより効率的に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性の向上を図ることができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態の半導体記憶装置１について説明する。第３の実施形態は、ＮＡＮＤ３１Ａの熱が熱伝導性シート３３を介して別のＮＡＮＤ３１Ｂまたは筐体２などに伝導される点で、第１の実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態の構成と同様である。

図１５は、半導体記憶装置１を一部分解して示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えば、筐体２、主基板２０、子基板２１、コントローラ２７、複数のＤＲＡＭ２８、外部接続コネクタ２９、複数のＮＡＮＤ３１、複数のコンデンサ３０、および複数の熱伝導性シート３３（図１６参照）を有する。本実施形態では、熱伝導性シート３３は、第１熱伝導性シート３３Ａ、第２熱伝導性シート３３Ｂ、および第３熱伝導性シート３３Ｃを含む。

図１６は、子基板２１を示す平面図である。子基板２１は、主基板２０と面する第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側に位置して筐体２の第２主壁１５と面する第２面２１ｂとを有する。図１６中の（ａ）は、子基板２１の第１面２１ａを示す。図１６中の（ｂ）は、子基板２１の第２面２１ｂを示す。

本実施形態では、Ｘ方向において、一部のＮＡＮＤ３１とコンデンサ３０との間には、基板間接続コネクタ７１が存在する。基板間接続コネクタ７１は、主基板２０と子基板２１との間をＺ方向に延びており、主基板２０と子基板２１とを物理的および電気的に接続する。

本実施形態では、ＮＡＮＤ３１は、子基板２１の第１面２１ａに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ａと、子基板２１の第２面２１ｂに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ｂとを含む。第１面２１ａに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ａは、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤを含む。ＮＡＮＤ３１ＡＡおよびＮＡＮＤ３１ＡＢは、この順に＋Ｘ方向に並んでいる。ＮＡＮＤ３１ＡＣおよびＮＡＮＤ３１ＡＤは、ＮＡＮＤ３１ＡＡおよびＮＡＮＤ３１ＡＢに対して＋Ｙ方向に位置するとともに、この順に＋Ｘ方向に並んでいる。

本実施形態では、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤは、Ｚ方向で主基板２０に実装されたコントローラ２７と重なる領域に配置され、子基板２１に実装されたＮＡＮＤ３１のなかで温度が上昇しやすい。本実施形態では、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＡＣ，３１ＡＤの各々は、「発熱部品」の一例である。なお、熱伝導性シート３３によって放熱される「発熱部品」は、ＮＡＮＤ３１に限定されず、コントローラ２７またはＤＲＡＭ２８などでもよい。

一方で、第２面２１ｂに実装された複数のＮＡＮＤ３１Ｂは、ＮＡＮＤ３１ＢＡ，３１ＢＢ，３１ＢＣを含む。ＮＡＮＤ３１ＢＡ，３１ＢＢ，３１ＢＣは、子基板２１において、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＣ，３１ＡＤの裏側に実装されている。本実施形態では、ＮＡＮＤ３１ＢＡ，３１ＢＢ，３１ＢＣは、「電子部品」の一例である。

図１７は、第１熱伝導性シート３３Ａの取り付け過程を示す断面図である。図１８は、半導体記憶装置１を示す断面図である。本実施形態では、第１熱伝導性シート３３Ａは、Ｙ方向に延びている。第１熱伝導性シート３３Ａは、子基板２１を挟むように曲げられた姿勢でＮＡＮＤ３１ＡＢ，３１ＡＤとＮＡＮＤ３２ＢＢとに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１ＡＢ，３１ＡＤとＮＡＮＤ３２ＢＢとを熱接続している。これにより、ＮＡＮＤ３１ＡＢ，３１ＡＤの熱をＮＡＮＤ３２ＢＢに移動させることで、ＮＡＮＤ３１ＡＢ，３１ＡＤの熱を放散させることができる。

次に、図１６に戻り、第２および第３の熱伝導性シート３３Ｂ，３３Ｃについて説明する。第２熱伝導性シート３３Ｂは、Ｘ方向に延びている。第２熱伝導性シート３３Ｂは、子基板２１を挟むように曲げられた姿勢でＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢとＮＡＮＤ３１ＢＡとに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢとＮＡＮＤ３１ＢＡとを熱接続している。これにより、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢの熱をＮＡＮＤ３１ＢＡに移動させることで、ＮＡＮＤ３１ＡＡ，３１ＡＢの熱を放散させることができる。なお、ＮＡＮＤ３２ＡＢに対しては、第２熱伝導性シート３３Ｂと、第１熱伝導性シート３３Ａとが重ねられている。

同様に、第３熱伝導性シート３３Ｃは、Ｘ方向に延びている。第３熱伝導性シート３３Ｃは、子基板２１を避けるように曲げられた姿勢でＮＡＮＤ３１ＡＣ，３１ＡＤとＮＡＮＤ３１ＢＣとに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１ＡＣ，３１ＡＤとＮＡＮＤ３１ＢＣとを熱接続している。これにより、ＮＡＮＤ３１ＡＣ，３１ＡＤの熱をＮＡＮＤ３１ＢＣに移動させることで、ＮＡＮＤ３１ＡＣ，３１ＡＤの熱を放散させることができる。なお、ＮＡＮＤ３１ＡＤに対しては、第３熱伝導性シート３３Ｃと、第１熱伝導性シート３３Ａとが重ねられている。

本実施形態では、半導体記憶装置１は、ＮＡＮＤ３１Ｂと筐体２の第２主壁１５とを熱接続する複数の熱接続部品３２を有する（図１８参照）。複数の熱接続部品３２は、例えば弾性（または柔軟性）を有し、ＮＡＮＤ３１Ｂと筐体２の第２主壁１５との間において、熱伝導性シート３３と筐体２の第２主壁１５との間に挟まれている。複数の熱接続部品３２は、熱伝導性シート３３と筐体２とを熱接続している。このような構成によれば、ＮＡＮＤ３１Ａから熱伝導性シート３３に移動した熱の一部を筐体２に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。なお上記構成に代えて、熱接続部品３２は、熱伝導性シート３３とは重ならない領域で、ＮＡＮＤ３１Ｂと筐体２の第２主壁１５との間に挟まれてＮＡＮＤ３１Ｂと筐体２とを熱接続してもよい。この場合、熱伝導性シート３３からＮＡＮＤ３１Ｂに伝導された熱の一部を、熱接続部品３２を介して筐体２に伝導することができる。

次に、第３の実施形態のいくつかの変形例について説明する。なお各変形例において、以下に説明する以外の構成は、第３の実施形態の構成と同様である。またこれら変形例は、上述した他の実施形態と組み合わされて実現されてもよい。

（第１変形例）
図１９は、第１変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。本変形例では、熱伝導性シート３３は、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とを熱的に接続している。本変形例では、熱伝導性シート３３は、カバー１２の側壁部１６ｃの内面および第２主壁１５の内面に取り付けられている。

（第２変形例）
図２０は、第２変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。熱伝導性シート３３は、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とを熱接続している。本変形例では、熱伝導性シート３３は、カバー１２の側壁部１６ｃの外面および筐体２の第２主壁１５の外面に取り付けられている。

なお第２変形例の構成に代えて、熱伝導性シート３３は、第１子基板２１においてＮＡＮＤ３１Ａの裏側に位置した領域（裏側領域）Ｒに取り付けられ、第１子基板２１の裏側領域Ｒと筐体２とに亘るように設けられてもよい。これは、以下の変形例でも同様である。

（第３変形例）
図２１は、第３変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。本変形例では、熱伝導性シート３３は、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とを熱接続している。本変形例では、熱伝導性シート３３は、ベース１１の側壁部１４ｂの内面に取り付けられている。

（第４変形例）
図２２は、第４変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。本変形例では、熱伝導性シート３３は、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１Ａと筐体２とを熱接続している。本変形例では、熱伝導性シート３３は、ベース１１の側壁部１４ｂの外面に取り付けられている。

（第５変形例）
図２３は、第５変形例の半導体記憶装置１を示す断面図である。本変形例では、熱伝導性シート３３は、ＮＡＮＤ３１Ａと、筐体２の外部に配置された放熱用部品８１とに亘るように設けられ、ＮＡＮＤ３１Ａと放熱用部品８１とを熱接続している。すなわち本変形例では、熱伝導性シート３３の一部は、筐体２の外部に突出している。熱伝導性シート３３の一部は、外部部品である放熱用部品８１（例えば半導体記憶装置１の外部に設けられたヒートシンク）に取り付けられる。

なお第５変形例の構成に代えて、熱伝導性シート３３は、第１子基板２１においてＮＡＮＤ３１Ａの裏側に位置した領域（裏側領域）Ｒに取り付けられ、第１子基板２１の裏側領域Ｒと筐体２の外部（例えば放熱用部品８１）とに亘るように設けられてもよい。

以上、いくつかの実施形態および変形例について説明したが、実施形態および変形例は上記例に限定されない。例えば、上述した実施形態および変形例は、互いに組み合わされて実現可能である。「発熱部品」は、ＮＡＮＤ３１およびコントローラ２７とは異なる他の部品（例えば、ＤＲＡＭ２８）でもよい。「電子部品」は、コンデンサ３０およびＮＡＮＤ３１に限らず、他の部品でもよい。

以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、半導体記憶装置は、熱伝導性シートを有する。熱伝導性シートは、発熱部品と電子部品とに亘るように設けられ、または第１基板において発熱部品の裏側に位置した領域と電子部品とに亘るように設けられ、発熱部品と電子部品とを熱接続する。このような構成によれば、放熱性の向上を図ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１…半導体記憶装置、２…筐体、２ａ…第１端部、２ｂ…第２端部、１８…第１通風孔、１９…第２通風孔、２０…主基板、２１…第１子基板、２２…第２子基板、２５…第１スペーサ、２６…第２スペーサ、２７…コントローラ、３０…コンデンサ、３１…ＮＡＮＤ、３３…熱接続シート、４１ａ…曲面部、Ｒ…裏面領域。

Claims (17)

1. 第１通気孔を有した筐体と、
   前記筐体に収容された第１基板と、
   前記第１基板に実装された発熱部品と、
   前記発熱部品と前記第１通気孔との間に配置された電子部品と、
   前記発熱部品と前記電子部品とに亘るように設けられ、または前記第１基板において前記発熱部品の裏側に位置した領域と前記電子部品とに亘るように設けられ、前記発熱部品と前記電子部品とを熱接続した熱伝導性シートと、
   を備えた半導体記憶装置。
2. 前記電子部品の熱容量は、前記発熱部品の熱容量よりも大きい、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
3. 前記電子部品は、コンデンサである、
   請求項２に記載の半導体記憶装置。
4. 前記第１基板と前記筐体の内面との間に配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれたスペーサと、
   をさらに備え、
   前記熱伝導性シートの少なくとも一部は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、
   前記第１基板の厚さ方向における前記熱伝導性シートの厚さは、前記第１基板の厚さ方向における前記スペーサの厚さよりも薄い、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
5. 前記発熱部品と前記筐体の内面との間に配置された第２基板をさらに備え、
   前記熱伝導性シートの一部は、前記発熱部品と前記第２基板との間に配置され、
   前記熱伝導性シートと前記第２基板との間には、隙間が存在する、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
6. 前記筐体は、前記第１通気孔が設けられた第１端部と、前記第１端部とは反対側に位置して第２通気孔が設けられた第２端部とを有し、
   前記発熱部品は、前記第１通気孔よりも前記第２通気孔の近くに位置し、
   前記電子部品は、前記第２通気孔よりも前記第１通気孔の近くに位置する、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
7. 前記第１基板に実装され、前記発熱部品である第１半導体メモリ部品と、前記電子部品との間に配置された第２半導体メモリ部品をさらに備え、
   前記熱伝導性シートは、前記第１基板の厚さ方向で前記第１半導体メモリ部品および前記第２半導体メモリ部品と重なる、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
8. 前記第１基板に実装され、前記発熱部品である第１半導体メモリ部品を含み前記第１通気孔から前記第１半導体メモリ部品に向かう第１方向に並べられた第１群の複数の半導体メモリ部品と、
   前記第１基板に実装され、前記第１群の複数の半導体メモリ部品に対して前記第１方向とは交差した第２方向に位置するとともに、前記第１方向に並べられた第２群の複数の半導体メモリ部品と、
   をさらに備え、
   前記熱伝導性シートは、前記第１基板の厚さ方向で、前記第１群の複数の半導体メモリ部品に含まれる２つ以上の半導体メモリ部品と、前記第２群の複数の半導体メモリ部品に含まれる２つ以上の半導体メモリ部品とに重なる、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
9. 前記電子部品の外形の少なくとも一部は、曲面部を有し、
   前記熱伝導性シートの一部は、前記曲面部に沿って曲げられた状態で前記電子部品に取り付けられている、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
10. 前記曲面部は、中心角が１８０度以上に亘る曲面を有し、
    前記熱伝導性シートの一部は、中心角が１８０度以上に亘って、前記曲面部に沿って曲げられた状態で前記電子部品に取り付けられている、
    請求項９に記載の半導体記憶装置。
11. 前記熱伝導性シートの一部は、前記電子部品と前記第１通気孔との間の位置で前記電子部品に取り付けられている、
    請求項１に記載の半導体記憶装置。
12. 前記第１基板と前記筐体の内面との間に配置された第２基板をさらに備え、
    前記第１基板の厚さ方向における前記電子部品の厚さは、前記第１基板の厚さ方向における前記第１基板と前記第２基板との間の距離よりも厚い、
    請求項１に記載の半導体記憶装置。
13. 前記第１基板と前記筐体の内面との間に配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれたスペーサと、
    をさらに備え、
    前記熱伝導性シートの少なくとも一部は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、
    前記スペーサは、前記第１通気孔から前記発熱部品に向かう第１方向において前記電子部品と重ならない位置に少なくとも一部が配置されたガイド部を有し、
    前記ガイド部は、前記第１通気孔から前記筐体内に流入した空気の一部を前記熱伝導性シートと前記第２基板との間の隙間に向ける、
    請求項１に記載の半導体記憶装置。
14. 前記熱伝導性シートと前記筐体との間に挟まれ、前記熱伝導性シートと前記筐体とを熱接続した熱接続部品をさらに備えた、
    請求項１に記載の半導体記憶装置。
15. 筐体と、
    前記筐体に収容された基板と、
    前記基板の第１面に実装された発熱部品と、
    前記基板の前記第１面とは反対側に位置した第２面に実装された電子部品と、
    前記基板を挟むように曲げられた姿勢で前記発熱部品と前記電子部品とに亘るように設けられ、前記発熱部品と前記電子部品とを熱接続した熱伝導性シートと、
    を備えた半導体記憶装置。
16. 前記電子部品と前記筐体との間または前記熱伝導性シートと前記筐体との間に挟まれ、前記電子部品または前記熱伝導性シートを前記筐体に熱接続した熱接続部品をさらに備えた、
    請求項１５に記載の半導体記憶装置。
17. 筐体と、
    前記筐体に収容された基板と、
    前記基板に実装された発熱部品と、
    前記発熱部品もしくは前記基板において前記発熱部品の裏側に位置した裏側領域と前記筐体とに亘るように設けられ、または、前記発熱部品もしくは前記裏側領域と前記筐体の外部に配置される外部部品とに亘るように設けられ、前記発熱部品を前記筐体または前記外部部品に熱接続する熱伝導性シートと、
    を備えた半導体記憶装置。

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