TWI759319B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
顯示裝置及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI759319B TWI759319B TW106125509A TW106125509A TWI759319B TW I759319 B TWI759319 B TW I759319B TW 106125509 A TW106125509 A TW 106125509A TW 106125509 A TW106125509 A TW 106125509A TW I759319 B TWI759319 B TW I759319B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- disposed
- touch
- display device
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 390
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 108010077333 CAP1-6D Proteins 0.000 description 18
- 102100029500 Prostasin Human genes 0.000 description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 18
- 108010031970 prostasin Proteins 0.000 description 18
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 102100021568 B-cell scaffold protein with ankyrin repeats Human genes 0.000 description 11
- 101000971155 Homo sapiens B-cell scaffold protein with ankyrin repeats Proteins 0.000 description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 101000897856 Homo sapiens Adenylyl cyclase-associated protein 2 Proteins 0.000 description 6
- 101000836079 Homo sapiens Serpin B8 Proteins 0.000 description 6
- 101000798702 Homo sapiens Transmembrane protease serine 4 Proteins 0.000 description 6
- 102100032471 Transmembrane protease serine 4 Human genes 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 101000837845 Homo sapiens Transcription factor E3 Proteins 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 102100028507 Transcription factor E3 Human genes 0.000 description 5
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100035647 BRISC and BRCA1-A complex member 1 Human genes 0.000 description 2
- 101000874547 Homo sapiens BRISC and BRCA1-A complex member 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000003826 tablet Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
- G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一種顯示裝置,包含具有顯示區域和定義在顯示區域外部的周邊區域的基板、設置在基板上的電路層、設置在顯示區域上的裝置層、覆蓋裝置層的封裝層、包含設置在封裝層上的至少一個觸碰絕緣層的觸碰感應單元、設置在封裝層上的觸碰電極和連接到觸碰電極的觸碰訊號線、設置在周邊區域中的第一區段,第一區段包含具有第一厚度的第一部分,具有小於第一厚度的第二厚度並且重疊觸碰訊號線的第二部分,以及連接第一部分和第二部分並且傾斜的中間部分,以及至少與中間部分重疊的第一封蓋圖樣。
Description
相關申請的交叉引用。
本申請要求於2016年7月29日提交的韓國專利申請案No.10-2016-0097477的優先權和權益,該申請內容透過引用併入本文。
本發明一般涉及一種顯示裝置及其製造方法,更具體地,此顯示裝置及其製造方法可減少或消除在顯示裝置中圖樣化一個或複數個訊號線的過程中發生某些缺陷的可能性。
現在已經開發了用於諸如電視機、行動電話、平板電腦、導航單元、遊戲機等的多媒體裝置的各種顯示裝置。並且廣泛使用鍵盤或滑鼠作為顯示裝置的輸入裝置。近年來,使用觸碰感應單元作為顯示裝置的輸入裝置,其經常使用LED或OLED作為像素的光源。這種顯示裝置的製造過程複雜,需要以嚴格的公差(tolerance)沉積多層敏感材料(sensitive material)和光阻劑(photoresist)。由於併入用於觸碰單元的觸碰感應線使其進一步複雜化。
為了在這樣的裝置中產生必要的結構部件,通常需要沿著傾斜的表面沉積一些層構造,這可能導致不均勻或不一致的層厚度。在OLED中出現沉
積不均勻的層可能產生的問題之一是,在顯示裝置中形成觸碰訊號線的蝕刻製程期間中有機材料沿著傾斜表面的洩漏會使其出現分層現象。
本背景技術部分中公開的上述資訊僅用於增強對本發明概念的背景的理解,因此,它可以包含不是該領域技術人員已知的在該國已知的現有技術的資訊。
本發明的一個或多個實施例提供一種顯示裝置及其製造方法,其減少或消除在顯示裝置中的一個或複數個觸碰訊號線的圖樣化處理中發生某些缺陷的可能性。特別地,本發明的一個或複數個實施例提供了一種顯示裝置及其製造方法,其減少或消除了在顯示裝置中形成觸碰訊號線的蝕刻製程期間由於有機材料沿著傾斜表面的洩漏而使層出現分層現象的可能性。申請人已經發現,由於傾斜部分中的光阻劑的厚度不足可能會發生洩漏,並且在傾斜表面上放置蓋子可以減少或消除洩漏和隨後的分層。此外,本發明的方法可以形成減少或防止觸碰訊號線的異常圖樣化的堤部分(bank)部分,例如在OLED中用於形成膜封裝層的掩模(mask)而導致的切割或划痕。
另外的方面將在下面的詳細描述中闡述,並且部分地從公開內容將是顯而易見的,或者可以透過本發明構思的實踐來了解。
根據本發明的一個態樣,一種顯示裝置包含具有顯示區域和定義在顯示區域外部的周邊區域的基板;設置在基板上的電路層;設置在顯示區域上的裝置層;覆蓋顯示區域的封裝層裝置層,包含設置在封裝層上的至少一個觸碰絕緣層的觸碰感應單元;設置在封裝層上的觸碰電極;連接到觸碰電極的觸碰訊號線;設置在周邊區域中的第一區段;具有第一厚度的第一部分;具有
小於第一厚度的第二厚度並與觸碰訊號線重疊的第二部分;以及連接第一部分和第二部分並且傾斜的中間部分;以及至少與中間部分重疊的第一封蓋圖樣。第一封蓋圖樣可以與第一部分進一步重疊。該至少一個觸碰絕緣層可以包含直接設置在封裝層上的下絕緣層,設置在下絕緣層上的中間絕緣層和設置在中間絕緣層上的上絕緣層,且觸碰訊號線和第一封蓋圖樣可以設置在中間絕緣層和上絕緣層之間並被上絕緣層覆蓋。觸碰電極可以包含第一觸碰電極,包含沿一個方向佈置的第一感應器電極及連接第一感應器電極的第一連接電極;以及第二觸碰電極,包含沿著與該一個方向實質上正交的方向佈置的第二感應器電極及連接第二感應器電極的第二連接電極,第一連接電極設置在下絕緣層和中間絕緣層之間,第一感應器電極、第二連接電極和第二感應器電極設置在中間絕緣層和上絕緣層之間。
顯示裝置還可以包含設置在下絕緣層和中間絕緣層之間的虛擬線,其中虛擬線中的每一個與觸碰訊號線的每一個重疊,其中虛擬線連接至接觸訊號線,接觸訊號線被接觸訊號線之間的每一個虛擬線透過定義為穿過中間絕緣層的接觸孔覆蓋。
顯示裝置還可以包含與至少中間部分重疊的第二封蓋圖樣,並且第二封蓋圖樣可以設置在下絕緣層和中間絕緣層之間。
電路層可以包含連接到裝置層的複數個訊號線和連接到訊號線並且設置在周邊區域的一側的複數個墊,並且第一區段可以設置在顯示區域和墊之間。
電路層可以包含電晶體和覆蓋電晶體的絕緣層,並且第二部分設置在與電路層的絕緣層相同的層上。
裝置層可以包含發出光線通過重疊的發光區域的發光二極體和佈置在與非發光區域重疊的電路層的絕緣層上的絕緣層,並且第一部分包含設
置在與電路層的絕緣層相同的層的下部分,以及設置在下部分上並與裝置層的絕緣層在相同的層的上部分。
第一部分的下部分可以與第二部分一體地設置。
中間部分可以包含設置在與電路層的絕緣層相同的層上的下部分和設置在下部分上並且設置在與裝置層的絕緣層相同的層的上部分,中間部分與第一部分的上部分一體地設置,中間部分的下部分與第一部分的下部分和第二部分一體地設置。
顯示裝置還可以包含設置在第一區段和顯示區域之間的基板上的壩體,並且壩體包含設置在與電路層的絕緣層相同的層的下部分。
壩體還可以包含設置在下部分上並且與裝置層的絕緣層在相同的層的上部分。
壩體可以具有等於或小於第一部分的高度。
觸碰訊號線和第一封蓋圖樣可以包含相同的金屬材料。
第一區段可包含堤部分;第一和第二部分可以分別包含第一和第二堤部分;中間部分可以包含邊界部分;並且,第一封蓋圖樣可以包含第一封蓋圖樣。
根據本發明的另一態樣,一種製造顯示裝置的方法包含:提供包含顯示區域和定義在顯示區域外部的周邊區域的基板;在基板上形成電路層;在顯示區域上形成裝置層、在周邊區域上形成第一層,第一層沿第一方向延伸,第一層包含具有第一厚度的第一部分、具有小於該第一厚度的第二厚度的第二部分,以及連接第一部分跟第二部分並相對於其傾斜的中間部分;形成覆蓋裝置層的封裝層;形成包含設置在封裝層上的觸碰絕緣層,設置在該封裝層上的觸碰電極的觸碰感應單元,以及連接到觸碰電極的觸碰訊號線,並且形成至少與中間部分重疊的封蓋圖樣。
形成封蓋圖樣的步驟還可以包含形成與第一部分重疊的封蓋圖樣。
形成觸碰感應單元的步驟可以包含形成觸碰絕緣層,形成觸碰電極,並且在與形成封蓋圖樣的步驟相同的步驟中形成觸碰訊號線。
形成觸碰絕緣層的步驟可以包含在封裝層上形成下絕緣層,在下絕緣層上形成中間絕緣層,在中間絕緣層上形成上絕緣層,以及形成封蓋圖樣的步驟可以包含在中間絕緣層和上絕緣層之間形成封蓋圖樣。
形成封蓋圖樣的步驟可以包含在中間部分上形成導電層並圖樣化導電層。
根據上述,封蓋圖樣形成在第一區段的傾斜的中間部分中,因此可以防止在第一區段的蝕刻過程中,發生由於中間部分上的光阻劑層的厚度不足引起的有機材料的洩漏。因此,可不太可能發生層與層分離的現象。
上述一般描述和以下詳細描述是例示性和說明性的,並且旨在提供所要求保護的主題的進一步說明。
10:第一絕緣層
20:第二絕緣層
30:第三絕緣層
AE:陽極
AM1、AM2、AM3:黏合元件
BA:彎曲區域
BAK:堤部分
BANK1:第一堤部分
BANK2:第二堤部分
BD:下堤部分
BOR:邊界部分
BRD:下邊界部分
BRU:上邊界部分
BS1-L:第一顯示面板表面
BS1-U:第二顯示面板表面
BU:上堤部分
CAP1、CAP1':第一封蓋圖樣
CAP2:第二封蓋圖樣
CE:陰極
CH1~CH7:接觸孔
CODL:導電層
CP1:第一連接部
CP2:第二連接部
D1~Dk:資料訊號
DA、DD-DA:顯示區域
DAM:壩體
DAMD:下壩部分
DAMU:上壩部分
DCH:虛擬接觸孔
DD、DD-1:顯示裝置
DD-NDA:非顯示區域
DE1:第一輸出電極
DE2:第二輸出電極
DE6:第六輸出電極
DL:資料線
DM:顯示模組
DP:有機發光顯示面板
DP-CL:電路層
DP-OLED:裝置層
DR1:第一方向
DR2:第二方向
DR3:第三方向
DUL:虛擬線
E1~E1:發光控制訊號
ECL:電子控制層
EL:發光線
ELA:曝光部分
EML:有機發光層
E-VSS:電源線
GDL:資料線
GL:閘極線
HCL:電洞控制層
IOL1~IOLn:無機膜
IOL20:第二無機膜
IM:圖像
IS:顯示表面
LM:光學元件
NDA:非顯示區域/周邊區域
NPXA:非發光區域
OL1~OLn-1:有機膜
OSP1~OSP6:半導體導電圖樣
PD1:第一墊
PD2、PD2':第二墊
PDL:像素定義層
PM:保護膜
PRE:光阻劑層
PX、PXi:像素
PXA:發光區域
PDL:像素定義層
S1、S10、S100:第一子層
S2、S20、S200:第二子層
SE1:第一輸入電極
SE2:第二輸入電極
SE6:第六輸入電極
Si1~Si+1:閘極訊號
SL-D:控制訊號線
SL-VDD:電壓線
SL-Vint:初始化電壓線
SP1:第一觸碰感應器部件
SP2:第二觸碰感應器部件
SPC:間隔物
SUB:基底層/基板
T1~T7:電晶體
TCH:觸碰接觸孔
TE1-1~TE1-5:第一觸碰電極
TE2-1~TE2-4:第二觸碰電極
TFE、TFE1、TEE2、TFE3:膜封裝層
TL1:第一觸碰訊號線
TL2:第二觸碰訊號線
TS:觸碰感應單元
TS-CL1:第一導電層
TS-CL2:第二導電層
TS-HIL:上絕緣層
TS-LIL:下絕緣層
TS-MIL:中間絕緣層
WM:窗口
被包含以提供對本發明構思的進一步理解並被併入並構成本說明書的一部分的附圖示出了本發明構思的例示性實施例,並且與描述一起用於解釋發明概念。
第1圖是根據本發明的原理構造的顯示裝置DD的第一實施例的第一位置的透視圖;
第2A圖是第1圖的顯示裝置的第二位置的透視圖。
第2B圖是第1圖的顯示裝置的第三位置的透視圖。
第2C圖是第1圖的顯示裝置的截面側視圖。
第3A圖和第3B圖是根據本發明的原理構造的顯示裝置DD-1的第二實施例的透視圖;第4A圖是可以用於本發明的顯示裝置的顯示模組的示意性截面側視圖。
第4B圖是可以用於本發明的顯示裝置的有機發光顯示面板的實施例的平面圖。
第5圖是可以在本發明的顯示裝置中使用的像素的實施例的等效電路圖;第6A圖是可用於本發明的顯示裝置的有機發光顯示面板的實施例的局部截面側視圖。
第6B圖是可用於本發明的顯示裝置的有機發光顯示面板的實施例的局部截面側視圖。
第7A圖至第7C圖是可用於本發明的顯示裝置的膜封裝層的實施例的截面側視圖;第8A圖是可以用於本發明的顯示裝置中的觸碰感應單元的實施例的省略的截面側視圖;第8B圖至第8E圖是第8A圖的觸碰感應單元在各個層處的俯視截面圖;第8F圖是第8E圖的區域AA的放大圖。
第9圖是沿第8E圖的線AA'截取的省略的截面側視圖。
第10A圖是沿著第8E圖的線BB'截取的截面側視圖,示出了可用於本發明的顯示裝置中的堤部分的第一實施例;
第10B圖是示出可用於本發明的顯示裝置的堤部分的第二實施例的截面側視圖。
第11圖是第10A圖的堤部分的第一實施例的透視圖。
第12A圖至第12G圖是示出形成具有第10A圖和第11圖的第一封蓋圖樣的堤部分的例示性製程的截面側視圖;第13A圖至第13C圖是可以用於本發明的顯示裝置中的觸碰感應單元的另一例示性實施例的各個層的局部俯視截面圖;以及第14圖是可以用於本發明的顯示裝置中的具有第一和第二封蓋部分的堤部分的第三實施例的截面側視圖。
在下面的描述中,為了說明的目的,闡述了許多具體細節,以便提供對各種例示性實施例的透徹理解。然而,顯而易見的是,可以在沒有這些具體細節或一個或複數個等效佈置的情況下實踐各種例示性實施例。在其他實例中,以方框圖形式示出了公知的結構和設備,以避免不必要地模糊各種例示性實施例。
在附圖中,為了清楚和描述目的,層、膜、面板、區域等的尺寸和相對尺寸可能被誇大。同樣的,相同的元件符號表示相同的元件。
當元件或層被稱為「在...上(on)」、「連接到(connected to)」或「耦合到(coupled to)」另一個元件或層時,它可以直接在另一個元件或層上、或連接到或耦合到另一個元件、或可能存在其他中間元件或層。然而,當元件或層被稱為「直接在...上(directly on)」、「直接連接到(directly connected to)」或「直接耦合到(directly coupled to)」另一元件或層時,不存在中間元件或層。為了本公
開的目的,「X、Y和Z中的至少一個」和「選自X、Y和Z的至少一個」可以被解釋為僅X、僅Y、或X、Y、Z兩個以上的任意組合,例如XYZ、XYY、YZ、ZZ。相同的元件符號在整個過程中表示相同的元素。如本文所用,術語「和/或(and/or)」包含一個或複數個相關列出的項目的任一和所有組合。
儘管術語第一(first)、第二(second)等可以用於描述各種元件、部件、區域、層和/或區段,但是這些元件、部件、區域、層和/或區段不應受這些術語的限制。這些術語用於將一個元件、部件、區域、層和/或區段與另一個元件、部件、區域、層和/或區段區分開來。因此,下面討論的第一元件、部件、區域、層和/或區段可以被稱為第二元件、部件、區域、層和/或區段,而不脫離本公開的教示。
為了描述目的,在本文中可以使用諸如「下(beneath)」、「下(below)」、「下(lower)」、「上(ablove)」、「上(upper)」等之類的空間相對術語,從而描述一個元素或特徵與另一個要素或特徵,如附圖所示。空間相對術語旨在包含在使用、操作和/或製造中除了附圖所示的方向之外的設備的不同方向。例如,如果附圖中的設備被翻轉,則被描述為元件或特徵的「下方(below)」或「下方(beneath)」的元件將被定向在其他元素或特徵之「上(above)」。因此,例示性術語「下面(below)」可以包含上下方向。此外,該裝置可以以其他方式定向(例如,旋轉90度或以其他方向)、並且因此本文中使用的空間相對描述符被相應地解釋。
本文使用的術語是為了描述特定實施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,單數形式「一(a)」、「一(an)」和「一(the)」也旨在包含複數形式,除非上下文另有明確指示。此外,術語「包含(comprise)」、「包含(comprising)」、「包含(includes)」和/或「包含(including)」當在本說明書中使用
時,指定該特徵、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合,但不排除存在或添加一個或複數個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。
這裡參考作為理想化例示性實施例和/或中間結構的示意圖的截面圖來描述各種例示性實施例。因此,作為例如製造技術和/或公差的結果的圖示的形狀的變化是在預期中的。因此,本文公開的例示性實施例不應被解釋為限於特定的所示形狀的區域,而是包含由例如製造產生的形狀偏差。例如,被示為矩形的植入(implant)區域通常在其邊緣處具有圓形或彎曲特徵和/或植入濃度梯度,而不是從植入區域到非植入區域的二進制變化。類似地,透過植入形成的埋入區域(buried region)可能導致在埋入區域和透過其進行植入的表面之間的區域中的一些植入。因此,附圖中所示的區域本質上是示意性的,並且它們的形狀並不旨在說明裝置的區域的實際形狀,且不是限制性的。
除非另有定義,否則本文所用的所有術語(包含技術和科學術語)具有與本公開是本部分的本領域之技術人員通常理解的相同的含義。諸如常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與其在相關領域的背景下的含義一致的含義,並且不會以理想化或過度形式的意義來解釋,除非本文明確定義。
參考第1圖,在顯示裝置DD的第一操作狀態下顯示圖像IM的顯示表面IS基本上平行於由第一方向軸DR1和第二方向軸DR2定義的表面。對應於顯示裝置DD的厚度方向的顯示表面IS的法線方向表示第三方向軸DR3。在每個元件中,前表面與第三方向軸DR3上的後表面分離。但是,在第一至第三方向軸DR1到DR3是相對於彼此,並因此第一至第三方向軸DR1到DR3可改變為任何其他方向。在下文中,第一至第三方向對應於在圖中由第一方向軸DR1至第三方向軸DR3分別指示的方向,因此第一至第三方向被指示為與第一方向軸DR1至第三方向軸DR3相同的方向。
第1圖、第2A圖和第2B圖示出了僅作為顯示裝置DD的複數個實施例的代表性例子的可折疊顯示裝置。顯示裝置DD可以是可捲顯示裝置或可彎曲顯示裝置。顯示裝置DD可以是平坦的剛性顯示裝置。顯示裝置DD可以是諸如電視機、螢幕等的大型電子產品,以及諸如行動電話、平板電腦、汽車導航、遊戲機、智慧手錶的中小型電子產品等。
參照第1圖,顯示裝置DD的顯示表面IS可以包含複數個區域。顯示裝置DD包含其中顯示圖像IM的顯示區域DD-DA和鄰近顯示區域DD-DA設置的非顯示區域DD-NDA。圖像IM不顯示在非顯示區域DD-NDA中。第1圖示出了作為圖像IM的花瓶的圖像。顯示區域DD-DA具有大致四邊形的形狀,非顯示區域DD-NDA包圍顯示區域DD-DA。顯示區域DD-DA的形狀和非顯示區域DD-NDA的形狀可以相對於彼此設計,並且在其他實施例中具有不同的配置。
參考第1圖、第2A圖和第2B圖,顯示裝置DD根據其操作狀態被分成複數個區域。顯示裝置DD包含相對於彎曲軸BX彎曲的彎曲區域BA,不彎曲的第一非彎曲區域NBA1和不彎曲的第二非彎曲區域NBA2。如第2A圖所示,顯示裝置DD可以向內彎曲,使得第一非彎曲區域NBA1的顯示表面IS面向第二非彎曲區域NBA2的顯示表面IS。如第2B圖所示,顯示裝置DD可以向外彎曲以允許顯示表面IS即使在彎曲狀態下也暴露。
顯示裝置DD可以包含複數個彎曲區域BA。此外,彎曲區域BA可以被定義為對應於在顯示裝置DD上執行的使用者的操作。例如,不同於第2A圖和第2B圖所示的實施例,彎曲區域BA可以被定義為基本上平行於第一方向軸DR1,或者可以定義在對角線方向上。彎曲區域BA具有根據區率半徑而決定的面積,其並非固定。顯示裝置DD可以重複執行第1圖和第2A圖所示的操作模式。
參考第2C圖,顯示裝置DD包含保護膜PM、顯示模組DM、光學元件LM、窗口WM、第一黏合元件AM1、第二黏合元件AM2和第三黏合元件
AM3。顯示模組DM設置在保護膜PM和光學元件LM之間。光學元件LM設置在顯示模組DM和窗口WM之間。第一黏合元件AM1耦合顯示模組DM和保護膜PM,第二黏合元件AM2耦合顯示模組DM和光學元件LM,並且第三黏合元件AM3耦合光學元件LM和窗口WM。
保護膜PM保護顯示模組DM。保護膜PM包含暴露於外部的第一外表面OS-L和黏附到第一黏合元件AM1的黏合表面。保護膜PM防止外部濕氣進入顯示模組DM並吸收外部衝擊。
保護膜PM可以包含作為基底的塑膠膜。保護膜PM可以包含塑膠膜,其包含選自聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚亞芳基醚碸(poly(arylene ethersulfone))及其混合物。
保護膜PM的材料可包含有機材料和無機材料的混合材料,而不限於該塑膠樹脂。保護膜PM包含多孔有機層和填充在有機層的孔中的無機材料。保護膜PM還可以包含形成在塑膠膜中的功能層。功能層可以包含樹脂層。功能層可以透過塗佈法形成。在各種實施例中可以省略保護膜PM。
窗口WM可以包含塑膠膜。窗口WM可以具有多層結構。窗口WM可以具有玻璃基板、塑膠膜、或塑膠基板的多層結構。窗口WM還可以包含邊框圖樣。窗口WM的多層結構可以透過連續製程或使用黏合劑的黏合方法形成。
光學元件LM減少外部光的反射率。光學元件LM可以包含至少一個偏振膜。光學元件LM還包含延遲膜(retardation film)。在各種實施例中可以省略光學元件LM。
顯示模組DM可以包含有機發光顯示面板DP和觸碰感應單元TS。觸碰感應單元TS可以直接設置在有機發光顯示面板DP上。在下面的描述中,表述「第一部件直接設置在第二部件上」是指第一部件和第二部件可以透過連續的方法形成,而不透過使用單獨的黏合劑層彼此附著。
有機發光顯示面板DP生成與輸入的圖像資料對應的圖像IM(參照第1圖)。有機發光顯示面板DP可以包含第一顯示面板表面BS1-L和在第三方向DR3上面向第一顯示面板表面BS1-L的第二顯示面板表面BS1-U。有機發光顯示面板DP將被描述為顯示面板DP的代表性例子。
觸碰感應單元TS獲取外部輸入的坐標資訊。觸碰感應單元TS以靜電電容方式感應外部輸入。
顯示模組DM可以進一步包含防反射層。防反射層可以包含濾色器或導電層/絕緣層/導電層的堆疊結構。防反射層吸收或偏振從其外部的光,以減少外部光的反射率。防反射層可以代替光學元件LM的功能。
每個第一黏合元件AM1、第二黏合元件AM2和第三黏合元件AM3可以是但不限於有機黏接劑層,例如光學透明的黏合劑膜(optically clear adhesive,OCA)、光學透明樹脂(optically clear resin,OCR)、或壓敏黏合膜(pressure sensitive adhesive,PSA)。有機黏合劑層可以包含聚氨酯類(polyurethane-based)黏合劑材料、聚丙烯酸類(polyacryl-based)黏合劑材料、聚酯類(polyester-based)黏合劑材料、聚環氧類(poly epoxy-based)黏合劑材料或聚乙酸乙烯酯類(polyvinyl acetate-based)黏合劑材料。因此,有機黏合劑層可以對應於一個有機層。
顯示裝置DD還可以包含支撐功能層以保持第1圖、第2A圖和第2B圖所示的狀態的框架結構。框架結構可以具有關節(joint)結構或鉸鏈(hinge)結構。
第3A圖示出處於展開狀態的顯示裝置DD-1,第3B圖示出處於彎曲狀態的顯示裝置DD-1。
顯示裝置DD-1可以包含一個彎曲區域BA和一個非彎曲區域NBA。顯示裝置DD-1的非顯示區域DD-NDA彎曲,然而,可以改變顯示裝置DD-1的彎曲區域BA。
與第1圖、第2A圖、第2B圖所示的顯示裝置DD不同,顯示裝置DD-1可以在操作時固定為一個狀態。顯示裝置DD-1可以在如第3B圖所示的彎曲狀態下操作。顯示裝置DD-1可以在被彎曲的同時被固定到框架上,並且框架可以連接到電子裝置的殼體。
顯示裝置DD-1可以具有與第2C圖所示的基本相同的截面結構。然而,非彎曲區域NBA和彎曲區域BA可以具有彼此不同的堆疊結構。非彎曲區域NBA可以具有與第2C圖所示的基本相同的截面結構,並且彎曲區域BA可以具有與第2C圖所示不同的截面結構。光學元件LM和窗口WM可以不設置在彎曲區域BA中。也就是說,光學元件LM和窗口WM可以僅設置在非彎曲區域NBA中。第二黏合元件AM2和第三黏合元件AM3可以不設置在彎曲區域BA中。
參考第4A圖,有機發光顯示面板DP可以包含基底層SUB,設置在基底層SUB上的電路層DP-CL、裝置層DP-OLED和膜封裝層TFE。基底層SUB可以包含至少一個塑膠膜。基底層SUB可以是可撓性基板,並且可以包含塑膠基板、玻璃基板、金屬基板或有機/無機混合材料基板。
電路層DP-CL可以包含複數個絕緣層、複數個導電層和半導體層。電路層DP-CL的導電層可以形成訊號線或像素的控制電路。裝置層DP-OLED可以包含有機發光二極體。膜封裝層TFE可以包含無機層和有機層。膜封裝層TFE可以包含至少兩個無機層和設置在它們之間的有機層。無機層保護裝置層DP-OLED免受濕氣和氧氣的侵害,有機層保護裝置層DP-OLED免受諸如灰塵等異物的影響。無機層可以包含氮化矽層、氮氧化矽層和氧化矽層。有機層可以包含丙烯酸類有機材料,但不限於此。
觸碰感應單元TS可以直接設置在膜封裝層TFE上。觸碰感應單元TS可以包含觸碰感應器和觸碰訊號線。感應器和觸碰訊號線可以具有單層結構或多層結構。
觸碰感應器和觸碰訊號線可以包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化鋅(ITZO)、PEDOT、金屬奈米線和石墨烯。觸碰感應器和觸碰訊號線可以包含金屬層,例如鉬、銀、鈦、銅、鋁或其合金。觸碰感應器和觸碰訊號線可具有相同的層結構或不同的層結構。稍後將詳細描述觸碰感應單元TS。
參考第4B圖,當在平面圖中觀察時,有機發光顯示面板DP可以包含顯示區域DA和非顯示區域NDA。有機發光顯示面板DP的顯示區域DA和非顯示區域NDA分別對應於顯示裝置DD(參照第1圖)的顯示區域DD-DA(參照第1圖)和非顯示區域DD-NDA(參照第1圖)。有機發光顯示面板DP的顯示區域DA和非顯示區域NDA可能不需要與顯示區域DD-DA(參照第1圖)和非顯示區域DD-NDA(參照到第1圖)相同、並且有機發光顯示面板DP的顯示區域DA和非顯示區域NDA可以根據結構和設計而改變有機發光顯示面板DP。
有機發光顯示面板DP可以包含複數個像素PX。將像素PX排列的區域稱為顯示區域DA。所示的非顯示區域NDA定義為沿著顯示區域DA的邊緣。
有機發光顯示面板DP可以包含閘極線GL、資料線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint、電壓線SL-VDD、第一墊PD1、和電源線E-VSS。
每個閘極線GL可以連接到像素PX的對應像素,並且每條資料線DL可以連接到像素PX的相應像素。每個發光線EL可以被佈置為基本上平行於閘極線GL中的對應的閘極線。控制訊號線SL-D向閘極驅動電路GDC施加控制訊號。初始化電壓線SL-Vint向像素PX施加初始化電壓。電壓線SL-VDD可以連接
到像素PX,以向像素PX施加第一電壓。電壓線SL-VDD可以包含在第一方向DR1上延伸的多條線和在第二方向DR2上延伸的多條線。電源線E-VSS可以設置在非顯示區域NDA中以圍繞顯示區域DA的三個側面。電源線E-VSS向像素PX施加共用電壓(例如,第二電壓)。共用電壓的位準低於第一電壓。
閘極驅動電路GDC可以設置在非顯示區域NDA的一個側部並且連接到閘極線GL和發光線EL。閘極線GL、資料線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD中的一些可以設置在同一層上,並且閘極線GL、資料線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD中的其他線可以設置在不同的層上。
第一墊PD1可以連接到資料線DL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD的一端。
第5圖示出了連接到資料線DL(參見第4B圖)中的第k資料線DLk的第i像素PXi。
第i像素PXi可以包含有機發光二極體OLED和控制有機發光二極體OLED的像素驅動電路。驅動電路可以包含七個電晶體T1至T7和一個儲存電容器Cst。
驅動電晶體控制施加到有機發光二極體OLED的驅動電流。第二電晶體T2的輸出電極可以電連接到有機發光二極體OLED。第二電晶體T2的輸出電極直接與有機發光二極體OLED的陽極接觸,或者可以經由另一個電晶體,例如第六電晶體T6連接到有機發光二極體OLED的陽極。
控制電晶體的控制電極接收控制訊號。施加到第i像素PXi的控制訊號可以包含第(i-1)閘極訊號Si-1、第i閘極訊號Si、第(i+1)閘極訊號Si+1、資料訊號Dk和第i發光控制訊號Ei。所示的控制電晶體可以包含第一電晶體T1和第三電晶體T3至第七電晶體T7。
第一電晶體T1可以包含連接到第k資料線DLk的輸入電極,連接到第i閘極線GLi的控制電極和連接到第二電晶體T2的輸出電極的輸出電極。第一電晶體T1可以導通施加到第i閘極線GLi的閘極訊號Si(同稱為「第i閘極訊號」)以將施加到第k資料線DLk的資料訊號Dk施加到儲存電容器Cst。
參考第6A圖和第6B圖,電路層DP-CL可以設置在基底層SUB上。功能層可進一步設置在基底層SUB上。功能層包含阻擋層和緩衝層中的至少一個。
第一電晶體T1的半導體圖樣OSP1(以下稱為「第一半導體圖樣」)、第二電晶體T2的半導體圖樣OSP2(以下稱為「第二半導體圖樣」)以及半導體圖樣OSP6(以下稱為「第六半導體圖樣」)可以設置在基底層SUB上。第一半導體圖樣OSP1、第二半導體圖樣OSP2以及第六半導體圖樣OSP6可以包含非晶矽、多晶矽、多晶矽、或金屬氧化物半導體。
第一絕緣層10可以設置在第一半導體圖樣OSP1、第二半導體圖樣OSP2和第六半導體圖樣OSP6上。在第6A圖和第6B圖中,第一絕緣層10可以以層的形式提供以覆蓋第一半導體圖樣OSP1、第二半導體圖樣OSP2和第六半導體圖樣OSP6,但不應限於此。也就是說,第一絕緣層10可以以對應於第一半導體圖樣OSP1、第二半導體圖樣OSP2和第六半導體圖樣OSP6的圖樣形式提供。
第一絕緣層10可以包含複數個無機膜層。無機膜包含氮化矽層、氧氮化矽層和氧化矽層。
第一電晶體T1的控制電極GE1(以下稱為「第一控制電極」)、第二電晶體T2的控制電極GE2(以下稱為「第二控制電極」)、控制電極GE6(以下稱為「第六控制電極」)可以設置在第一絕緣層10上。第一控制電極GE1、第二控制電極GE2和第六控制電極GE6可以透過與閘極線GL(參見第5A圖)相同的光刻製程來形成。
第二絕緣層20可以設置在第一絕緣層10上方以覆蓋第一控制電極GE1、第二控制電極GE2和第六控制電極GE6。第二絕緣層20提供平坦的上表面。第二絕緣層20可以包含有機材料和/或無機材料。
第一電晶體T1的輸入電極SE1(以下稱為「第一輸入電極」)和輸出電極DE1(以下稱為「第一輸出電極」)、第二電晶體T2的輸入電極SE2(以下稱為「第二輸入電極」)和輸出電極DE2(以下稱為「第二輸出電極」)和第六電晶體T6的輸入電極SE6(以下稱為「第六輸入電極」)和輸出電極DE6(以下稱為「第六輸出電極」)可以設置在第二絕緣層20上。
第一輸入電極SE1和第一輸出電極DE1可以分別透過可以穿過第一絕緣層10和第二絕緣層20形成的第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2連接到第一半導體圖樣OSP1。第二輸入電極SE2和第二輸出電極DE2可以分別透過形成為可以穿過第一絕緣層10和第二絕緣層20的第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4連接到第二半導體圖樣OSP2。第六輸入電極SE6和第六輸出電極DE6可分別透過形成為穿過第一絕緣層10和第二絕緣層20的第五接觸孔CH5和第六接觸孔CH6來連接到該第六半導體圖樣OSP6。同時,根據另一實施例,第一電晶體T1、第二電晶體T2和第六電晶體T6中的每一個可以具有底閘(bottomgate)結構。
第三絕緣層30可以設置在第二絕緣層20上方以覆蓋第一輸入電極SE1、第二輸入電極SE2、第六輸入電極SE6、第一輸出電極DE1、第二輸出電極DE2和第六輸出電極DE6。第三絕緣層30可以包含有機層和/或無機層。特別地,第三絕緣層30可以包含提供平坦表面的有機材料。
第一絕緣層10、第二絕緣層20、和第三絕緣層30的其中一個可以根據像素的電路結構而被省略。第二絕緣層20和第三絕緣層30中的每一個可以被稱為中間層。中間層可以設置在導電圖樣之間,例如上導電圖樣和下導電圖樣之間,以使導電圖樣彼此絕緣。
像素定義層PDL和有機發光二極體OLED可以設置在第三絕緣層30上。陽極AE可以設置在第三絕緣層30上。陽極AE可以透過定義為穿過第三絕緣層30的第七接觸孔CH7連接到第六輸入電極SE6。像素定義層PDL可以設置有定義為穿過其中的開口OP。陽極AE的至少一部分可以透過像素定義層PDL的開口OP曝露。
像素PX(參考第4B圖)可以在俯視圖中觀察時設置在像素區域中。像素區域可以包含發光區域PXA和與發光區域PXA相鄰的非發光區域NPXA。非發光區域NPXA可以圍繞發光區域PXA。所示的發光區域PXA被定義為對應於透過開口OP暴露的陽極AE的一部分。
電洞控制層HCL可以設置在發光區域PXA和非發光區域NPXA中。諸如電洞控制層HCL的共用層可以形成在複數個像素PX中(參見第5A圖)。
有機發光層EML可以設置在電洞控制層HCL上。有機發光層EML可以設置在與開口OP對應的區域中。也就是說,有機發光層EML可以被圖樣化成複數個部分,並且這些部分可以分別設置在像素PX中。圖樣化的有機發光層EML被示出作為代表例,但有機發光層EML可以設置在像素PX中。在這種情況下,有機發光層EML可以產生白光。此外,有機發光層EML可以具有多層結構。
電子控制層ECL可以設置在有機發光層EML上。電子控制層ECL可以設置在像素PX中(參見第4B圖)。
陰極CE可以設置在電子控制層ECL上。陰極CE可以設置在像素PX中。
膜封裝層TFE可以設置在陰極CE上。膜封裝層TFE可以設置在像素PX中。膜封裝層TFE可以包含至少一個無機層和至少一個有機層。膜封裝層TFE可以包含複數個無機層和與無機層交替層疊的複數個有機層。膜封裝層TFE可以直接覆蓋陰極CE。
參考第7A圖,膜封裝層TFE1可以包含n個無機膜IOL1至IOLn,並且n個無機膜IOL1至IOLn中的第一無機膜IOL1與陰極CE(參見第6A圖)接觸。
第一無機膜IOL1可以稱為「下無機膜」,n個無機膜IOL1~IOLn中的除了第一無機膜IOL1以外的無機膜可以稱為「上無機膜層」。
膜封裝層TFE1可以包含n-1個有機膜OL1~OLn-1,並且n-1個有機膜OL1~OLn-1可以與n個無機膜IOL1~IOLn交替排列。n-1個有機膜OL1~OLn-1可以具有大於n個無機膜IOL1~IOLn的厚度的厚度。
n個無機膜IOL1~IOLn中的每一個可以具有包含一種材料的單層結構或包含多種不同類型的材料的多層結構。可以透過沉積有機單體來形成n-1個有機膜OL1至OLn-1中的每一個。有機單體可以包含丙烯酸類單體。膜封裝層TFE1還可以包含第n個有機膜。
參考第7B圖和第7C圖,包含在每個膜封裝層TFE2和TFE3中的無機膜可以包含彼此相同的無機材料或不同的無機材料,並且可以具有相同的厚度或不同的厚度。包含在每個膜封裝層TFE2和TFE3中的有機膜可以包含彼此相同的有機材料或不同的有機材料,並且可以具有相同的厚度或不同的厚度。
如第7B圖所示,膜封裝層TFE2可以包含第一無機膜IOL1、第一有機膜OL1、第二無機膜IOL2、第二有機膜OL2和第三無機膜IOL3,其可以順序地堆疊。
第一無機膜IOL1可以具有雙層結構。第一子層S1和第二子層S2可以具有不同的無機材料。
如第7C圖所示,膜封裝層TFE3可以包含依次層疊的第一無機膜IOL10、第一有機膜OL1和第二無機膜IOL20。第一無機膜IOL10可以具有雙層結構。包含在第一無機膜IOL10中的第一子層S10和第二子層S20可以具有不同的無機材料。第一有機膜OL1可以是包含聚合物的有機層,第二無機膜IOL20可以具
有雙層結構。第二無機膜IOL20可以包含可以在不同環境中沉積的第一子層S100和第二子層S200。第一子層S100可以以較低的功率沉積,並且第二子層S200可以以較高功率沉積。第一子層S100和第二子層S200可以包含相同的無機材料。
參考第8A圖,觸碰感應單元TS可以包含下絕緣層TS-LIL、中間絕緣層TS-MIL、第一導電層TS-CL1、上絕緣層TS-HIL和第二導電層TS-CL2。下絕緣層TS-LIL可以直接設置在膜封裝層TFE上。第一導電層TS-CL1可以直接設置在下絕緣層TS-LIL上,但不限於此。也就是說,可以在第一導電層TS-CL1和下絕緣層TS-LIL之間進一步設置另一無機層(例如,緩衝層)。
第一導電層TS-CL1和第二導電層TS-CL2中的每一個可以具有在第三方向DR3上堆疊的單層結構或多層堆疊的多層結構。具有多層結構的導電層可以包含透明導電層和金屬層中的兩層或更多層。具有多層結構的導電層可以包含彼此不同金屬的金屬層。透明導電層可以包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化鋅(ITZO)、PEDOT、金屬奈米線或石墨烯。金屬層可以包含鉬、銀、鈦、銅、鋁或其合金。
第一導電層TS-CL1和第二導電層TS-CL2中的每一個可以包含複數個圖樣。第一導電層TS-CL1可以包含第一導電圖樣,並且第二導電層TS-CL2可以包含第二導電圖樣。第一導電圖樣和第二導電圖樣中的每一個可以包含觸碰電極和觸碰訊號線。
下絕緣層TS-LIL,中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL中的每一個可以包含無機材料或有機材料。無機材料可以包含氧化鋁、氧化鈦、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋯和氧化鉿中的至少一種。有機材料可以包含丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)、甲基丙烯酸系樹脂(methacryl-based resin)、聚異戊二烯(polyisoprene)、乙烯基類樹脂(polyisoprene)、環氧類樹脂(epoxy-based resin)、氨基甲酸酯類樹脂(urethane-based resin)、纖維素系樹脂(cellulose-based
resin)、矽氧烷類樹脂樹脂(siloxane-based resin)、聚醯亞胺系樹脂(polyimide-based resin)、聚醯胺系樹脂(polyamide-based)、苝系樹脂(perylene-based resin)等。
下絕緣層TS-LIL、中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL中的每一個具有單層結構或多層結構。下絕緣層TS-LIL、中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL中的每一個可以包含無機層和有機層中的至少一個。無機層和有機層可以透過化學氣相沉積法形成(chemical vapor deposition method)。
如果中間絕緣層TS-MIL使第一導電層TS-CL1和第二導電層TS-CL2絕緣,則中間絕緣層TS-MIL不應該被限制為特定的形狀。中間絕緣層TS-MIL的形狀可以根據第一導電圖樣和第二導電圖樣的形狀來決定。中間絕緣層TS-MIL完全覆蓋膜封裝層TFE,或者可以包含複數個絕緣圖樣。絕緣圖樣可以與稍後描述的第一連接部CP1和第二連接部CP2重疊。
對雙層型觸碰感應單元進行了說明,但該觸碰感應單元不應該被限定於雙層型。單層型觸碰感應單元可以包含導電層和覆蓋導電層的絕緣層。導電層可以包含觸碰感應器和連接到觸碰感應器的觸碰訊號線。單層型觸碰感應單元可以使用自電容法獲得坐標資訊。
參考第8B圖,觸碰感應單元TS可以包含:第一觸碰電極TE1-1至TE1-5,連接到第一觸碰電極TE1-1至TE1-5的第一觸碰訊號線TL1;第二觸碰電極TE2-1至TE2-4,連接到第二觸碰電極TE2-1至TE2-4的第二觸碰訊號線TL2;以及連接到第一觸碰訊號線TL1和第二觸碰訊號線TL2的第二墊PD2。第8B圖示出了配置為包含五個第一觸碰電極TE1-1至TE1-5和四個第二觸碰電極TE2-1至TE2-4的觸碰感應單元TS,但是第一觸碰電極的數量和第二觸碰的數量電極不應限於此。
第一觸碰電極TE1-1至TE1-5中的每一個可以具有可以定義複數個觸碰開口的網格形狀。第一觸碰電極TE1-1至TE1-5中的每一個可以包含複數
個第一觸碰感應器部件SP1和複數個第一連接部CP1。第一觸碰感應器部件SP1可以佈置在第二方向DR2上。第一連接部CP1中的每一個在第一觸碰感應器部件SP1之間連接彼此相鄰的兩個第一觸碰感應器部件SP1。雖然未詳細示出,但是第一觸碰訊號線TL1可以具有網格形狀。
第二觸碰電極TE2-1至TE2-4可以在與第一觸碰電極TE1-1至TE1-5交叉的同時與第一觸碰電極TE1-1至TE1-5絕緣。第二觸碰電極TE2-1至TE2-4中的每一個可以具有可以定義複數個觸碰開口的網格形狀。第二觸碰電極TE2-1至TE2-4中的每一個可以包含複數個第二觸碰感應器部件SP2和複數個第二連接部CP2。第二觸碰感應器部件SP2可以佈置在第一方向DR1上。第二連接部CP2中的每一個連接第二觸碰感應器部件SP2之間彼此相鄰的兩個第二觸碰感應器部件SP2。儘管未詳細示出,但是第二觸碰訊號線TL2可以具有網格形狀。
第一觸碰電極TE1-1至TE1-5可以電容耦合到第二觸碰電極TE2-1至TE2-4。當觸碰感應訊號施加到第一觸碰電極TE1-1至TE1-5時,可以在第一觸碰感應器部件SP1和第二觸碰感應器部件SP2之間形成電容器。
第一觸碰感應器部件SP1、第一連接部CP1、第一觸碰訊號線TL1、第二觸碰感應器部件SP2、第二連接部CP2和第二觸碰訊號線TL2的一部分可以透過將第8A圖所示的導電層TS-CL1圖樣化來形成,第一觸碰感應器部件SP1、第一連接部CP1、第一觸碰訊號線TL1、第二觸碰感應器部件SP2、第二連接部CP2以及第二觸碰訊號線TL2可以透過圖樣化第8A圖所示的第二導電層TS-CL2來形成。
為了電連接設置在不同層上的導電圖樣,可以穿過第8A圖所示的中間絕緣層TS-MIL形成接觸孔。在下文中,將參照第8C圖至第8E圖描述觸碰感應單元TS。
參考第8C圖,第一導電圖樣可以設置在下絕緣層TS-LIL上。第一導電圖樣包含第一連接部CP1。第一連接部CP1可以直接設置在下絕緣層TS-LIL上。第一連接部CP1對應於第8B圖所示的第二連接部CP2。
參考第8D圖,中間絕緣層TS-MIL可以設置在下絕緣層TS-LIL上以覆蓋第一連接部CP1。可以透過定義在中間絕緣層TS-MIL的觸碰接觸孔TCH以部分地暴露第一連接部CP1。觸碰接觸孔TCH可以透過光刻製程形成。
參考第8E圖,第二導電圖樣可以設置在中間絕緣層TS-MIL上。第二導電圖樣可以包含第一觸碰感應器部件SP1、第一觸碰訊號線TL1、第二觸碰感應器部件SP2、第二觸碰訊號線TL2和第二連接部CP2。上絕緣層TS-HIL可以設置在中間絕緣層TS-MIL上以覆蓋第二導電圖樣。
第一導電圖樣可以包含第一觸碰電極TE1-1至TE1-5和第一觸碰訊號線TL1。第二導電圖樣包含第二觸碰電極TE2-1至TE2-4和第二觸碰訊號線TL2。在這種情況下,在中間絕緣層TS-MIL中可能沒有定義觸碰接觸孔TCH。
此外,可以相對於彼此改變第一導電圖樣和第二導電圖樣。例如,第二導電圖樣可以包含第一連接部CP1。
參考第8F圖,第一觸碰感應器部件SP1可以與非發光區域NPXA重疊。第一觸碰感應器部件SP1可以包含沿著與第一方向DR1和第二方向DR2相交的第五方向DR5延伸的複數個第一延伸部分SP1-A和沿著與第五方向DR5相交的第六方向DR6延伸的複數個第二延伸部分SP1-B。第一延伸部分SP1-A和第二延伸部分SP1-B可以被定義為網格線。每個網格線可以具有幾微米的線寬。
第一延伸部分SP1-A可以連接到第二延伸部分SP1-B以定義複數個觸碰開口TS-OP。換句話說,第一觸碰感應器部件SP1可以具有由觸碰開口TS-OP定義的網格形狀。觸碰開口TS-OP對應於發光區域PXA,但是它們不應限
於發光區域PXA。也就是說,一個觸碰開口TS-OP可以對應於兩個或更多個發光區域PXA。
發光區域PXA可以具有不同的尺寸。例如,在發光區域PXA中,發出藍色光的發光區域PXA的尺寸可能與發出紅色光的發光區域PXA的尺寸不同。因此,觸碰開口TS-OP可以具有各種尺寸。在第8F圖中,發光區域PXA具有各種尺寸,但是發光區域PXA可以具有彼此相同的尺寸,並且觸碰開口TS-OP可以具有彼此相同的尺寸。
可以將第一觸碰感應器部件SP1的描述應用於第二觸碰感應器部件SP2,因此將省略對第二觸碰感應器部件SP2的詳細描述。
在下文中,將參照第8B圖和8E描述壩體DAM和堤部分BAK。
參照第8B圖和第8E圖,可以將壩體DAM設置在基底層SUB(以下稱為「基板」)的非顯示區域NDA(以下稱為「周邊區域」)中。更詳細地說,當在平面圖中觀察並且圍繞顯示區域DA的壩體DAM可以具有封閉環形狀(closedloop shape)。然而,壩體DAM的形狀不應限於封閉環形狀。在其他實施例中,可以提供複數個壩體DAM。複數個壩體DAM可以彼此間隔的佈置在周邊區域NDA並圍繞顯示區域DA。
堤部分BAK可以被佈置在與壩體DAM相鄰的基板SUB的周邊區域NDA中。堤部分BAK可以設置在第二墊PD2和壩體DAM之間。更詳細地,當從平面圖中觀察時,堤部分BAK可以具有長條形,即細長的矩形形狀,但是堤部分BAK的形狀不應該被限制為長條形。
第一觸碰訊號線TL1和第二觸碰訊號線TL2延伸設置在壩體DAM和堤部分BAK上並連接到第二墊PD2。將參照第9圖至第11圖詳細描述壩體DAM和堤部分BAK。
參照第9圖至第11圖,壩體DAM可以包含上壩部分DAMU和下壩部分DAMD。更詳細地,可以將上壩部分DAMU設置成接觸下壩部分DAMD的上表面。下壩部分DAMD可以透過與第三絕緣層30相同的製程(參見第6A圖)形成。也就是說,下壩部分DAMD可以設置在與第三絕緣層30相同的層上。下壩部分DAMD可以是有機層和/或無機層。特別地,下壩部分DAMD可以包含提供平坦表面的有機材料。
可以透過與像素定義層PDL相同的處理來形成上壩部分DAMU。因此,上壩部分DAMU可設置在與像素定義層PDL相同的層上。上壩部分DAMU可以包含有機材料。例如,上壩部分DAMU可以包含諸如聚醯亞胺的有機材料。
當在截面中觀察時,透過組合下壩部分DAMD和上壩部分DAMU,壩體DAM可以形成向上延伸的突起。壩體DAM可以控制膜封裝層TFE中有機膜材料的流動。例如,在第9圖所示的膜封裝層TFE是第7C圖所示的膜封裝層TFE3的情況下,壩體DAM可以控制第一有機膜OL1的單體的流動,以及第一方向DR1上的第一有機膜OL1可以由壩體DAM控制。因此,膜封裝層TFE的第一無機膜IOL10可以直接設置在壩體DAM上,第二無機膜IOL20可以直接設置在第一無機膜IOL10上。
堤部分BAK可以在第一方向DR1上與壩體DAM間隔預定距離。堤部分BAK可以包含第一堤部分BANK1、邊界部分BOR和第二堤部分BANK2。邊界部分BOR可以設置在第一堤部分BANK1和第二堤部分BANK2之間。
第一堤部分BANK1可以包含上堤部分BU和下堤部分BD。上堤部分BU可以設置在下堤部分BD上。更詳細地說,上堤部分BU可以接觸下堤部分BD的上表面。下堤部分BD可以透過與第三絕緣層30相同的製程(參見第6A圖)來形成。也就是說,下堤部分BD可以設置在與第三絕緣層30相同的層上。下堤
部分BD可以是有機層和/或無機層。具體來說,下堤部分BD可以包含提供平坦表面的有機材料。
可以透過與像素定義層PDL相同的製程來形成上堤部分BU。也就是說,上堤部分BU可以設置在與像素定義層PDL相同的層上。上堤部分BU可以包含對應於像素定義層PDL的部分和間隔物SPC。間隔物SPC可以與對應於像素定義層PDL的部分基本上同時形成。間隔物SPC可以設置在像素定義層PDL上。第一堤部分BANK1可能具有比壩體DAM高的高度。上堤部分BU可以包含有機材料如聚醯亞胺。
邊界部分BOR可以包含上邊界部分BRU和作為第一堤部分BANK1的下邊界部分BRD。邊界部分BOR的其他部分可以與第一堤部分BANK1基本上相同,因此其詳細描述不是必需的,將被省略。
第二堤部分BANK2可以透過相同的製程,在第三絕緣層30來形成。也就是說,第二堤部分BANK2可以設置在與第三絕緣層30相同的層上。第二堤部分BANK2可以是有機層和/或無機層。
邊界部分BOR可以以複數個來提供。第二堤部分BANK2可以設置在彼此相鄰的兩個邊界部分BOR之間。第二堤部分BANK2可以具有小於第一堤部分BANK1和邊界部分BOR的高度。
因此,第一堤部分BANK1的下堤部分BD、邊界部分BOR的下邊界部分BRD和第二堤部分BANK2可以彼此一體地形成。
如上所述,當形成第二堤部分BANK2和邊界部分BOR時,堤部分BAK可以防止在堤部分BAK的上表面上由於透過在支撐掩模的製程中,用於形成膜封裝層TFE的掩模造成堤部分BAK的上表面上的切割或刮痕而使觸碰訊號線出現異常圖樣。
參考第12A圖,下絕緣層TS-LIL可以形成在堤部分BAK上。下絕緣層TS-LIL可以透過沉積製程形成在堤部分BAK上。
參考第12B圖,中間絕緣層TS-MIL可以透過沉積製程形成在下絕緣層TS-LIL上。
參考第12C圖,可以在中間絕緣層TS-MIL上形成可以形成為第一封蓋圖樣CAP1和觸碰訊號線TL1和TL2的導電層CODL。可以透過沉積製程在中間絕緣層TS-MIL上形成導電層CODL。導電層CODL可以包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化鋅(ITZO)、PEDOT、金屬奈米線和石墨烯。觸碰感應器和觸碰訊號線可以包含金屬層,例如鉬、銀、鈦、銅、鋁或其合金。
參考第12D圖,可以在導電層CODL上形成光阻劑層PRE,並且光阻劑層PRE的一部分可以在除了第一封蓋圖樣CAP1和觸碰訊號線TL1和TL2可能形成的部分之外暴露在光線中。
參考第12E圖,可以對與曝光部分ELA相對應的導電層CODL進行蝕刻處理。例如,可以透過乾蝕刻製程蝕刻對應於曝光部分ELA的導電層CODL。
參考第12F圖,在進行蝕刻處理之後,可以透過剝離處理去除光阻劑層PRE。當除去光阻劑層PRE時,第一封蓋圖樣CAP1可以形成於中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL之間,以對應於邊界部分BOR,並且第一觸碰訊號線TL1和第二觸碰訊號線TL2可以形成在中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL之間,以對應於第二堤部分BANK2。
參照第10A圖、第11圖和第12G圖,可以在中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL之間形成第一封蓋圖樣CAP1和第一觸碰訊號線TL1和第二觸碰訊號線TL2,以被上絕緣層TS-HIL覆蓋。可以透過沉積製程在中間絕緣層TS-MIL上形成上絕緣層TS-HIL。
由於第一封蓋圖樣CAP1沿著邊界部分BOR的全部範圍延伸,如第10A圖所示,可以防止在邊界部分的光阻劑層變薄引起的蝕刻製程期間在堤部分BAK中的有機材料的洩漏。因此,也可以防止由於有機材料的洩漏而導致的層的脫離。
如第10B圖所示,第一封蓋圖樣CAP1'可以形成在中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL之間,以沿著第一堤部分BANK1和邊界部分BOR的全部範圍延伸。第一封蓋圖樣CAP1、CAP1'也可以採用其他形式。例如,可以在下絕緣層TS-LIL上形成觸碰訊號線TL1和TL2以及第一封蓋圖樣CAP1、CAP1'。因此,可以在下絕緣層TS-LIL和中間絕緣層TS-MIL之間形成第一封蓋圖樣CAP1、CAP1'。
參考第13A圖,虛擬線DUL可以設置在下絕緣層TS-LIL上。虛擬線DUL可以與第14圖所示的觸碰訊號線TL1和TL2重疊。虛擬線DUL可以並聯連接到觸碰訊號線TL1和TL2,以減少可以傳輸訊號的線的電阻,從而提高裝置對感應觸碰的靈敏度。
形成虛擬線DUL的方法可以與觸碰訊號線TL1和TL2的方法基本相同,因此將省略其細節。
參考第13B圖,虛擬接觸孔DCH可以透過中間絕緣層TS-MIL來定義,以部分地暴露觸碰訊號線TL1和TL2。虛擬接觸孔DCH可以透過光刻製程形成。第13A圖所示的虛擬線DUL可以透過虛擬接觸孔DCH連接到觸碰訊號線TL1和TL2。
參考第13C圖,由於虛擬線DUL可與觸碰訊號線TL1和TL2重疊,所以在形成第一觸碰訊號線TL1和第二觸碰訊號線TL2之後,虛擬線DUL可能不可見。虛擬線DUL中的每一個可以連接到可以連接觸碰訊號線TL1和TL2的相應觸碰訊號線的第二墊PD2'。
參照第14圖,可以在下絕緣層TS-LIL和中間絕緣層TS-MIL之間設置第二封蓋圖樣CAP2,以對應於邊界部分BOR,而虛擬線DUL可以設置在下絕緣層TS-LIL和中間絕緣層TS-MIL之間以對應於第二堤部分BANK2。可以透過相同的製程形成第二封蓋圖樣CAP2和虛擬線DUL,並且第二封蓋圖樣CAP2和虛擬線DUL的形成方法可以如上面所詳細描述的與形成第一封蓋圖樣CAP1和觸碰訊號線TL1和TL2相同。因此,不需要對形成第二封蓋圖樣CAP2和虛擬線DUL的製程進行更詳細的描述,並且將被省略。
與上述第一封蓋圖樣CAP1、CAP1'的描述一致,第二封蓋圖樣CAP2的形成降低、或完全防止諸如層分離等現象的缺陷的可能性。
虛擬線DUL可以設置在下絕緣層TS-LIL和中間絕緣層TS-MIL上,但不限於此。例如,觸碰訊號線TL1和TL2可以設置在下絕緣層TS-LIL和中間絕緣層TS-MIL上,並且虛擬線DUL可以設置在中間絕緣層TS-MIL和上絕緣層TS-HIL之間。
儘管這裡已經描述了某些例示性實施例和實施方式,但是從上述描述中,其他實施例和修改將是顯而易見的因此,本發明的概念不限於這些實施例,而是限於所提出的申請專利範圍的更廣泛的範圍和各種明顯的修改和等同的佈置。
30:第三絕緣層
BANK1:第一堤部分
BANK2:第二堤部分
BD:下堤部分
BOR:邊界部分
BRD:下邊界部分
BRU:上邊界部分
BU:上堤部分
CAP1:第一封蓋圖樣
PDL:像素定義層
SPC:間隔物
TL1:第一觸碰訊號線
TL2:第二觸碰訊號線
TS-HIL:上絕緣層
TS-LIL:下絕緣層
TS-MIL:中間絕緣層
Claims (15)
- 一種顯示裝置,包含:一基板,其包含顯示區域和定義在該顯示區域外部的一周邊區域;一電路層,設置在該基板上;一裝置層,設置在該顯示區域上;一封裝層,覆蓋該裝置層;一觸碰感應單元,包含設置在該封裝層上的至少一個觸碰絕緣層、設置在該封裝層上的複數個觸碰電極和連接到該複數個觸碰電極的複數個觸碰訊號線;一第一區段,設置在該周邊區域中,並且包含具有一第一厚度的一第一部分,具有小於該第一厚度的一第二厚度並與該觸碰訊號線重疊的一第二部分,以及連接該第一部分和該第二部分並且傾斜的一中間部分;以及一第一封蓋圖樣,至少與該中間部分重疊,其中,該第一部分、該中間部分及該第二部分係沿一第一方向依序相鄰,其中,該複數個觸碰訊號線係在與該第二部分重疊的部分,沿著與該第一方向相交的一第二方向延伸,以及其中,該第一封蓋圖樣與該複數個觸碰訊號線係在該第一方向上彼此間隔開。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中,該第一封蓋圖樣進一步與該第一部分重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中,該至少一個觸碰絕緣層包含直接設置在該封裝層上的一下絕緣層、設置在該下絕緣層上的一中間絕緣層和設置在該中間絕緣層上的一上絕緣層,並且該觸碰訊號線和該第一封蓋圖樣設置在該中間絕緣層和該上絕緣層之間並被該上絕緣層覆蓋。
- 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置,其中,該複數個觸碰電極包含:複數個第一觸碰電極,包含沿一第一方向佈置的複數個第一感應器電極及連接該複數個第一感應器電極的複數個第一連接電極;以及複數個第二觸碰電極,包含沿著與該第一方向實質上正交的一第二方向佈置的複數個第二感應器電極及連接該複數個第二感應器電極的複數個第二連接電極,該複數個第一連接電極設置在該下絕緣層和該中間絕緣層之間,該複數個第一感應器電極、該複數個第二連接電極和該複數個第二感應器電極設置在該中間絕緣層和該上絕緣層之間。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,還包含設置在該下絕緣層和該中間絕緣層之間的複數個虛擬線,其中該複數個虛擬線中的每一個與該觸碰訊號線的每一個重疊,其中該複數個虛擬線連接至一接觸訊號線,該接觸訊號線被該接觸訊號線之間的每一個該複數個虛擬線透過定義為穿過該中間絕緣層的一接觸孔覆蓋。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置,更包含與至少該中間部分重疊的一第二封蓋圖樣,其中該第二封蓋圖樣設置在該 下絕緣層和該中間絕緣層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該電路層包含:複數個訊號線,連接到該裝置層;以及數個墊,連接到該訊號線並設置在該周邊區域的一側,且該第一部分設置在該顯示區域和該複數個墊之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該電路層包含一電晶體和覆蓋該電晶體的一絕緣層,並且該第二部分設置在與該電路層的該絕緣層相同的層上。
- 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置,其中該裝置層包含:一發光二極體,發出一光線通過一重疊的發光區域;一絕緣層,設置在覆蓋一非發光區域的該電路層上,該第一部分包含設置在與該電路層的該絕緣層相同的層的一下部分,以及設置在與該裝置層的該絕緣層的相同的層的一上部分。
- 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置,其中,該第一部分的該下部分與該第二部分一體地提供。
- 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置,其中該中間部分包含:一下部分,設置在與該電路層的絕緣層相同的層上,以及一上部分,設置在該下部分上方,並且設置在與該裝置層的絕緣層相同的層,該中間部分的上部分與該第一部分的上部分一 體地提供,並且該中間部分的下部分與該第一部分的下部分和該第二部分一體地提供。
- 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置,還包含設置在該第一區段和該顯示區域之間的該基板上的一壩體,其中該壩體包含設置在與該電路層的絕緣層相同的層上的一下部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該觸碰訊號線和該第一封蓋圖樣包含相同的金屬材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一區段包含一堤部分,該第一部分和該第二部分別包含第一堤部分和第二堤部分,該中間部分包含一邊界部分,該第一封蓋圖樣包含一第一封蓋圖樣。
- 一種製造顯示裝置的方法,包含:提供包含一顯示區域和定義在該顯示區域外部的一周邊區域的一基板;在該基板上形成一電路層;在該顯示區域上形成一裝置層;在該周邊區域上形成一第一層,該第一層沿一第一方向延伸,該第一層包含具有一第一厚度的一第一部分、具有小於該第一厚度的一第二厚度的一第二部分,以及連接該第一部分和該第二部分並相對於其傾斜的一中間部分;形成覆蓋該裝置層的一封裝層;形成一觸碰感應單元,其包含設置在該封裝層上的一觸碰絕緣層、設置在該封裝層上的複數個觸碰電極和連接到該複數個觸 碰電極的複數個觸碰訊號線;以及形成至少與該中間部分重疊的一封蓋圖樣,其中,該第一部分、該中間部分及該第二部分係沿一第一方向依序相鄰,其中,該複數個觸碰訊號線係在與該第二部分重疊的部分,沿著與該第一方向相交的一第二方向延伸,以及其中,該第一封蓋圖樣與該複數個觸碰訊號線係在該第一方向上彼此間隔開。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??10-2016-0097477 | 2016-07-29 | ||
KR10-2016-0097477 | 2016-07-29 | ||
KR1020160097477A KR101964934B1 (ko) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201816570A TW201816570A (zh) | 2018-05-01 |
TWI759319B true TWI759319B (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=59501212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106125509A TWI759319B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-28 | 顯示裝置及其製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US10361254B2 (zh) |
EP (2) | EP3696646B1 (zh) |
KR (1) | KR101964934B1 (zh) |
CN (3) | CN114429980A (zh) |
TW (1) | TWI759319B (zh) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6813967B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2021-01-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 入力機能付き表示装置 |
KR101964934B1 (ko) | 2016-07-29 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101834792B1 (ko) | 2016-08-31 | 2018-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102561120B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2023-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치스크린 내장형 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치 |
KR101992915B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101974086B1 (ko) | 2016-09-30 | 2019-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
KR102578589B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2023-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
CN107957799B (zh) * | 2016-10-14 | 2021-08-10 | 群创光电股份有限公司 | 触控显示面板 |
KR20180076689A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102438255B1 (ko) | 2017-05-31 | 2022-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
EP3422827B1 (en) * | 2017-06-30 | 2024-04-24 | LG Display Co., Ltd. | Display device and method for fabricating the same |
CN107331694B (zh) * | 2017-09-04 | 2020-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
EP3699970A4 (en) * | 2017-10-20 | 2021-07-14 | Pioneer Corporation | ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ELECTROLUMINESCENT MODULE |
KR102456333B1 (ko) * | 2017-10-23 | 2022-10-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치표시장치 및 패널 |
KR102409593B1 (ko) * | 2017-11-10 | 2022-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 및 폴더블 표시 장치의 제조 방법 |
KR102411682B1 (ko) * | 2017-11-16 | 2022-06-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치표시장치 및 패널 |
CN117316973A (zh) * | 2018-09-07 | 2023-12-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块及电子设备 |
KR102611382B1 (ko) * | 2018-09-19 | 2023-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치 |
KR20200037889A (ko) * | 2018-10-01 | 2020-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
US11550437B2 (en) | 2018-10-24 | 2023-01-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR102502225B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2023-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR102528266B1 (ko) | 2018-11-16 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR102562807B1 (ko) * | 2018-11-23 | 2023-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR20200062445A (ko) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11296156B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
KR102626885B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2024-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 조립 방법 |
CN109860239B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN111370446B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示装置 |
CN113888968B (zh) | 2019-02-20 | 2023-01-13 | 华为技术有限公司 | 柔性显示盖板、显示面板及显示装置 |
CN113508641B (zh) * | 2019-02-27 | 2024-06-14 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
KR20200108145A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR102702365B1 (ko) * | 2019-03-15 | 2024-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 유닛과 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102441330B1 (ko) | 2019-03-27 | 2022-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
WO2020198915A1 (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20200138557A (ko) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210004008A (ko) * | 2019-07-02 | 2021-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210021793A (ko) * | 2019-08-19 | 2021-03-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치 |
CN110688034A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-14 | 业成科技(成都)有限公司 | 触控结构、触控装置及触控结构的驱动方法 |
US11482589B2 (en) * | 2019-10-30 | 2022-10-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
KR20210093420A (ko) * | 2020-01-17 | 2021-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210126841A (ko) * | 2020-04-10 | 2021-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20220033576A (ko) * | 2020-09-07 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220056284A (ko) * | 2020-10-27 | 2022-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
KR20220067647A (ko) * | 2020-11-17 | 2022-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220125904A (ko) * | 2021-03-05 | 2022-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080129898A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LCDS with integrated touch panels |
TW201445707A (zh) * | 2013-05-31 | 2014-12-01 | Samsung Display Co Ltd | 顯示裝置及用於驅動其之方法 |
US20150060806A1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
US20160103537A1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US20160154499A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including touch sensing sensor |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001017453A2 (en) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Curon Medical, Inc. | Systems and methods for monitoring and controlling use of medical devices |
US7109653B2 (en) | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
KR100580245B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 동시화면을 디스플레이 하는 장치 및 방법 |
KR100615222B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
US8928597B2 (en) * | 2008-07-11 | 2015-01-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
KR101886801B1 (ko) | 2010-09-14 | 2018-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치 |
JP5856866B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2016-02-10 | 株式会社日立製作所 | 太陽光発電量推定システム、装置及び方法 |
KR101900501B1 (ko) * | 2012-03-05 | 2018-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101959923B1 (ko) | 2012-07-30 | 2019-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101980768B1 (ko) | 2012-12-28 | 2019-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 |
KR102083983B1 (ko) * | 2013-05-29 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101542799B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2015-08-07 | 주식회사 하이딥 | 터치패널 제어장치 및 그의 제어 방법 |
KR102210210B1 (ko) | 2014-01-06 | 2021-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20150101508A (ko) * | 2014-02-26 | 2015-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
GB201412514D0 (en) * | 2014-07-14 | 2014-08-27 | Giroux Noella | Filter for swimming pool skimmer |
CN104241550B (zh) * | 2014-08-05 | 2017-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其封装方法 |
KR102375250B1 (ko) | 2014-09-04 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치 및 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102295614B1 (ko) | 2014-09-29 | 2021-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102225848B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2021-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
CN104407757A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 触控显示装置 |
CN104460080A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 触控显示装置 |
KR101695069B1 (ko) * | 2014-12-15 | 2017-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인셀 터치형 액정표시장치 및 제조방법 |
KR102264259B1 (ko) * | 2015-01-05 | 2021-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널의 제조방법 |
KR102362188B1 (ko) | 2015-01-28 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN204515745U (zh) * | 2015-02-03 | 2015-07-29 | 上海天马微电子有限公司 | 触控结构、基板、阵列基板及显示装置 |
KR102329978B1 (ko) * | 2015-10-28 | 2021-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 |
KR102610024B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR101964934B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2016
- 2016-07-29 KR KR1020160097477A patent/KR101964934B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-07-25 US US15/659,561 patent/US10361254B2/en active Active
- 2017-07-26 CN CN202210115562.5A patent/CN114429980A/zh active Pending
- 2017-07-26 CN CN202210115580.3A patent/CN114447088A/zh active Pending
- 2017-07-26 EP EP20160542.5A patent/EP3696646B1/en active Active
- 2017-07-26 CN CN201710618058.6A patent/CN107665912B/zh active Active
- 2017-07-26 EP EP17183185.2A patent/EP3285137B1/en active Active
- 2017-07-28 TW TW106125509A patent/TWI759319B/zh active
-
2019
- 2019-07-19 US US16/516,772 patent/US10804338B2/en active Active
-
2020
- 2020-10-09 US US17/066,766 patent/US11527583B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-29 US US18/071,457 patent/US11910689B2/en active Active
-
2024
- 2024-01-24 US US18/421,958 patent/US20240237472A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080129898A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LCDS with integrated touch panels |
TW201445707A (zh) * | 2013-05-31 | 2014-12-01 | Samsung Display Co Ltd | 顯示裝置及用於驅動其之方法 |
US20150060806A1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
US20160103537A1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US20160154499A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including touch sensing sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10361254B2 (en) | 2019-07-23 |
US20190348475A1 (en) | 2019-11-14 |
US20230091647A1 (en) | 2023-03-23 |
TW201816570A (zh) | 2018-05-01 |
EP3696646A2 (en) | 2020-08-19 |
US11527583B2 (en) | 2022-12-13 |
EP3285137B1 (en) | 2020-03-04 |
US20240237472A1 (en) | 2024-07-11 |
CN114429980A (zh) | 2022-05-03 |
US11910689B2 (en) | 2024-02-20 |
CN107665912B (zh) | 2022-02-25 |
KR101964934B1 (ko) | 2019-04-04 |
US20180033832A1 (en) | 2018-02-01 |
US10804338B2 (en) | 2020-10-13 |
CN114447088A (zh) | 2022-05-06 |
US20210028242A1 (en) | 2021-01-28 |
EP3285137A2 (en) | 2018-02-21 |
KR20180014385A (ko) | 2018-02-08 |
EP3696646A3 (en) | 2020-12-09 |
EP3696646B1 (en) | 2024-01-03 |
EP3285137A3 (en) | 2018-06-06 |
CN107665912A (zh) | 2018-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI759319B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
TWI807499B (zh) | 顯示裝置 | |
TWI810758B (zh) | 顯示設備 | |
TWI746606B (zh) | 顯示裝置 | |
TWI696012B (zh) | 顯示裝置 | |
KR102008504B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102202179B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102060166B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102714991B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102406621B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20220081324A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |