CN114447088A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 403
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 18
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 108010077333 CAP1-6D Proteins 0.000 description 15
- 102100029500 Prostasin Human genes 0.000 description 15
- 108010031970 prostasin Proteins 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 102100021568 B-cell scaffold protein with ankyrin repeats Human genes 0.000 description 8
- 101000971155 Homo sapiens B-cell scaffold protein with ankyrin repeats Proteins 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 6
- 101000897856 Homo sapiens Adenylyl cyclase-associated protein 2 Proteins 0.000 description 5
- 101000836079 Homo sapiens Serpin B8 Proteins 0.000 description 5
- 101000798702 Homo sapiens Transmembrane protease serine 4 Proteins 0.000 description 5
- 102100032471 Transmembrane protease serine 4 Human genes 0.000 description 5
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000837845 Homo sapiens Transcription factor E3 Proteins 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100028507 Transcription factor E3 Human genes 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100035647 BRISC and BRCA1-A complex member 1 Human genes 0.000 description 2
- 101000874547 Homo sapiens BRISC and BRCA1-A complex member 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000003826 tablet Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
公开了一种显示装置,包括:基底,包括显示区域和限定在显示区域外侧的外围区域;电路层,在基底上;器件层,在显示区域上;第一层,在外围区域上、在第一方向上延伸并包括具有第一厚度的第一部分、具有小于第一厚度的第二厚度的第二部分以及连接第一部分和第二部分并相对于第一部分和第二部分倾斜的中间部分;包封层,覆盖器件层;触摸感测单元,包括设置在包封层上的触摸绝缘层和触摸电极以及连接到触摸电极的触摸信号线;覆盖图案,与至少中间部分叠置,其中,第一部分、中间部分和第二部分沿着第一方向顺序地相邻。触摸信号线在与第二部分叠置的部分中在与第一方向相交的第二方向上延伸。覆盖图案和触摸信号线在第一方向上彼此间隔开。
Description
本申请是2017年7月26日提交到国家知识产权局的、发明名称为“显示装置及其制造方法”、以及申请号为201710618058.6的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明大体上涉及一种显示装置以及该显示装置的制造方法,更具体地,涉及一种减少或消除在显示装置中的一条或更多条触摸线的图案化工艺中发生某些缺陷的可能性的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
已经开发了用于诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航装置和游戏装置等的多媒体装置的各种显示装置。广泛地使用键盘或鼠标作为显示装置的输入装置。近年来,触摸感测单元被用作通常使用LED或OLED作为像素的光源的显示装置的输入装置。这样的显示装置的制造是需要以严格的公差沉积多层敏感材料和光致抗蚀剂的复杂的工艺。触摸单元的触摸感测线的并入使得工艺变得更加复杂。
为了在这样的装置中设计必要的结构组件,通常需要沿着倾斜的表面沉积层,这会导致不平坦或不均匀的层厚度。在OLED中沉积不均匀的层导致的问题之一是由于在用于在显示装置中形成触摸线的蚀刻工艺期间有机材料沿着倾斜表面泄漏而使层脱层(delamination)。
该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明构思的背景的理解,因此,它可以包含不形成在本国已被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
发明内容
发明的一个或更多个实施例提供了一种显示装置及其制造方法,其减少或消除了在显示装置中的(多条)触摸线的图案化工艺中出现某些缺陷的可能性。具体地,发明的一个或更多个实施例提供了一种显示装置及其制造方法,其减少或消除了在用于形成显示装置中的触摸线的蚀刻工艺期间由于有机材料沿着倾斜表面的泄漏而使层变得脱层的可能性。申请人已经发现,会由于倾斜部分中的光致抗蚀剂的厚度不足而发生泄漏,而在倾斜表面上放置覆盖件可以减少或消除泄漏及随后的脱层。此外,发明的工艺可以形成减少或防止触摸信号线的异常图案化(诸如由用于形成OLED中的薄膜包封层TFE的掩模所引起的切口或划痕)的堤。
另外的方面将在下面的具体描述中进行阐述,并且通过该公开部分地将是清楚的,或者可以通过发明构思的实践而了解。
根据发明的一个方面,一种显示装置包括:基底,具有显示区域和限定在显示区域外侧的外围区域;电路层,设置在基底上;器件层,设置在显示区域上;包封层,覆盖器件层;触摸感测单元,包括设置在包封层上的至少一个触摸绝缘层、设置在包封层上的触摸电极以及连接到触摸电极的触摸信号线;第一部件,设置在外围区域中,包括具有第一厚度的第一部分、具有比第一厚度小的第二厚度并与触摸信号线叠置的第二部分以及倾斜并使第一部分和第二部分连接的中间部分;以及第一加厚图案,至少与中间部分叠置。第一加厚图案还可以与第一部分叠置。至少一个触摸绝缘层可以包括直接设置在包封层上的下绝缘层、设置在下绝缘层上的中间绝缘层以及设置在中间绝缘层上的上绝缘层,触摸信号线和第一加厚图案可以设置在中间绝缘层与上绝缘层之间并被上绝缘层覆盖。触摸电极可以包括第一触摸电极和第二触摸电极,第一触摸电极包括布置在一个方向上的多个第一传感器电极以及连接所述多个第一传感器电极的第一连接电极,第二触摸电极包括布置在与所述一个方向基本上正交的方向上的多个第二传感器电极以及连接所述多个第二传感器电极的第二连接电极,第一连接电极可以设置在下绝缘层与中间绝缘层之间,第一传感器电极、第二连接电极和第二传感器电极可以设置在中间绝缘层与上绝缘层之间。
显示装置还可以包括设置在下绝缘层与中间绝缘层之间的多条虚设线,所述多条虚设线中的每条可以与所述触摸信号线中的每条叠置,所述多条虚设线中的每条通过由中间绝缘层限定的接触孔连接到所述触摸信号线中的与所述多条虚设线中的每条叠置的触摸信号线。
显示装置还可以包括至少与中间部分叠置的第二加厚图案,第二加厚图案可以设置在下绝缘层与中间绝缘层之间。
电路层可以包括:多条信号线,连接到器件层;多个焊盘,连接到信号线并设置在外围区域的一侧处,第一部件设置在显示区域与焊盘之间。
电路层可以包括晶体管和覆盖晶体管的绝缘层,第二部分与电路层的绝缘层设置在同一层上。
器件层可以包括通过叠置的发光区域发光的发光二极管以及设置在电路层的绝缘层上与非发光区域叠置的绝缘层,第一部分包括与电路层的绝缘层设置在同一层上的下部以及设置在下部上并与器件层的绝缘层设置在同一层上的上部。
第一部分的下部可以与第二部分一体地设置。
中间部分可以包括与电路层的绝缘层设置在同一层上的下部以及设置在下部上并与器件层的绝缘层设置在同一层上的上部,中间部分的上部与第一部分的上部一体地设置,中间部分的下部与第一部分的下部及第二部分一体地设置。
显示装置还可以包括设置在基底上位于第一部件与显示区域之间的坝,坝包括与电路层的绝缘层设置在同一层上的下部。
坝还可以包括设置在下部上并且与器件层的绝缘层设置在同一层上的上部。
坝可以具有等于或小于第一部分的高度的高度。
触摸信号线和第一加厚图案可以包括相同的金属材料。
第一部件可以包括堤;第一部分可以包括第一堤部,第二部分可以包括第二堤部;中间部分可以包括边界部分;第一加厚图案可以包括第一覆盖图案。
根据发明的另一方面,一种制造显示装置的方法包括:设置基底,基底包括显示区域和限定在显示区域外侧的外围区域;在基底上形成电路层;在显示区域上形成器件层;在外围区域上形成第一层,第一层在第一方向上延伸,第一层包括具有第一厚度的第一部分、具有比第一厚度小的第二厚度的第二部分以及将第一部分和第二部分连接且相对于第一部分和第二部分倾斜的中间部分;形成覆盖器件层的包封层;形成触摸感测单元,触摸感测单元包括设置在包封层上的触摸绝缘层、设置在包封层上的触摸电极以及连接到触摸电极的触摸信号线;形成至少与中间部分叠置的加厚图案。
形成加厚图案的步骤还可以包括形成加厚图案以与第一部分叠置。
形成触摸感测单元的步骤可以包括在与形成加厚图案的步骤的同一工艺步骤中形成触摸绝缘层、形成触摸电极并形成触摸信号线。
形成触摸绝缘层的步骤可以包括在包封层上形成下绝缘层、在下绝缘层上形成中间绝缘层以及在中间绝缘层上形成上绝缘层,形成加厚图案的步骤可以包括在中间绝缘层与上绝缘层之间形成加厚图案。
形成加厚图案的步骤可以包括在中间部分上形成导电层并使导电层图案化。
根据上述,加厚图案形成在第一部件的倾斜的中间部分中,因此可以防止发生在蚀刻工艺期间有机材料在第一部件中的泄漏,该泄漏是由于中间部分上的光致抗蚀剂层的厚度欠缺所引起的。因此,可以不太可能发生层脱层的现象。
前面的总体描述和下面的详细描述是示例性和说明性的,并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且被并入且构成本说明书的一部分的附图,示出了本发明构思的示例性实施例,并且与本说明书一起用于解释本发明构思的原理。
图1是根据本发明的原理构造的显示装置DD的第一实施例的第一状态的透视图;
图2A是图1的显示装置的第二状态的透视图;
图2B是图1的显示装置的第三状态的透视图;
图2C是图1的显示装置的剖面侧视图;
图3A和图3B是根据本发明的原理构造的显示装置DD-1的第二实施例的透视图;
图4A是可以应用在本发明的显示装置中的显示模块的示意性剖面侧视图;
图4B是可以应用在本发明的显示装置中的有机发光显示面板的实施例的平面图;
图5是可以应用在本发明的显示装置中的像素的实施例的等效电路图;
图6A是可以应用在本发明的显示装置中的有机发光显示面板的实施例的局部剖面侧视图;
图6B是可以应用在本发明的显示装置中的有机发光显示面板的实施例的局部剖面侧视图;
图7A至图7C是可以在本发明的显示装置应用的薄膜包封层的实施例的剖面侧视图;
图8A是可以应用在本发明的显示装置中的触摸感测单元的实施例的剖开的剖面侧视图;
图8B至图8E是图8A的触摸感测单元的在各层处的局部顶截面图;
图8F是图8E的区域AA的放大图;
图9是沿着图8E的线A-A'截取的剖开的剖面侧视图;
图10A是沿着图8E的线B-B'截取的剖面侧视图,图8E示出了可以应用在本发明的显示装置中的堤的第一实施例;
图10B是示出了可以应用在本发明的显示装置中的堤的第二实施例的剖面侧视图;
图11是图10A的堤的第一实施例的透视图;
图12A至图12G是示出了形成图10A和图11的具有第一覆盖图案的堤坝的示例性工艺的剖面侧视图;
图13A至图13C是可以应用在本发明的显示装置中的触摸感测单元的另一个示例性实施例的各层的局部顶截面图;
图14是可以应用在本发明的显示装置中的具有第一覆盖图案和第二覆盖图案的堤的第三实施例的剖面侧视图。
具体实施方式
在下面的描述中,为了说明的目的,阐述了许多具体细节,以便提供对各种示例性实施例的深入的理解。然而明显的是,可以在没有这些具体细节或者有一个或多个等效布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它情况下,以框图形状示出公知的结构和设备以便避免不必要地使各种示例性实施例模糊不清。
在附图中,为了清楚和描述目的,可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一个元件或层时,该元件或层可以直接在其它元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称作“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一个元件或层时,不存在中间元件或层。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种)”可被解释为仅X、仅Y、仅Z,或者X、Y和Z中的两个(种)或更多个(种)的任意组合,诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终表示同样的元件。如这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。
虽然在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语被用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语可以用于描述的目的,从而来描述如图中示出的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除了图中描绘的取向之外,空间相对术语还旨在包括装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如,如果附图中的装置翻转,那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或者“在”其它元件或特征“之下”的元件将被定向为“在”其它元素或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以包括在上方和在下方两个方位。此外,该装置可以被另外地定向(例如,旋转90度或处于其它方位),如此,在此所使用的空间相对描述符被相应地解释。
这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的,而不意图成为限制。如这里使用的,除非上下文另外明确地指出,否则单数形状“一个”、“一种”和“该(所述)”也旨在包括复数形状。此外,当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”及其各种变形时,指明所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在,但是不排除一个或更多个特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或添加。
在此参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖面来描述各种示例性实施例。如此,可以预期插图的作为例如制造技术和/或公差的结果的形状的变化。因此,在此公开的示例性实施例不应被解释为对具体示出的区域的形状的限制,而是包括由例如制造导致的形状的偏差。例如,示出为矩形的注入区将通常在它的边缘处具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度梯度,而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地,由注入形成掩埋区会导致在掩埋区与注入发生的表面之间的区域中有一些注入。因此,图中所示的区域实质上是示意性的,并且它们的形状不旨在说明装置的区域的实际形状也不意图成为限制。
除非另外定义,否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其中一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在这里如此明确地定义,否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与在相关领域背景下的它们的含义一致的含义,而不以理想化或过于形状化的含义来解释。
参照图1,显示装置DD的在第一操作状态下显示图像IM的显示表面IS基本上平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的表面。对应于显示装置DD的厚度方向的显示表面IS的法线方向表示第三方向DR3。在每个构件中,前表面在第三方向轴DR3上与后表面隔开。然而,第一方向轴DR1至第三方向轴DR3是彼此相对的,因此第一方向轴DR1至第三方向轴DR3可以改变为任何其它方向。在下文中,第一方向至第三方向对应于在图中分别由第一方向轴DR1至第三方向轴DR3表示的方向,因此第一方向至第三方向被分配以与第一方向轴DR1至第三方向轴DR3的附图标记相同的附图标记。
图1、图2A和图2B示出了仅作为显示装置DD的多个实施例中的代表性示例的可折叠显示装置。柔性显示装置DD可以是可卷曲显示装置或可弯曲显示装置。显示装置DD可以是平面刚性显示装置。柔性显示装置DD可以是诸如电视机、监视器等的大尺寸电子产品,也可以是诸如移动电话、平板电脑、汽车导航装置、游戏装置、智能手表等的小尺寸和中尺寸电子产品。
参照图1,柔性显示装置DD的显示表面IS可以包括多个区域。柔性显示装置DD包括显示图像IM的显示区域DD-DA以及与显示区域DD-DA相邻设置的非显示区域DD-NDA。图像IM不设置在非显示区域DD-NDA中。图1示出了花瓶的图像作为图像IM。显示区域DD-DA具有大体上的四边形形状,非显示区域DD-NDA围绕显示区域DD-DA。显示区域DD-DA的形状和非显示区域DD-NDA的形状可以彼此相对地设计并且在其它实施例中具有不同的构造。
参照图1、图2A和图2B,显示装置DD根据其操作状态划分为多个区域。显示装置DD包括相对于弯曲轴BX弯曲的弯曲区域BA、不弯曲的第一非弯曲区域NBA1和不弯曲的第二非弯曲区域NBA2。如图2A中所示,显示装置DD可以向内弯曲,使得第一非弯曲区域NBA1的显示表面IS面向第二非弯曲区域NBA2的显示表面IS。如图2B中所示,显示装置DD可以向外弯曲以允许显示表面IS即使在弯曲状态下也暴露。
显示装置DD可以包括多个弯曲区域BA。另外,弯曲区域BA可以限定为对应于用户对显示装置DD执行的操作。例如,不同于图2A和图2B中所示的实施例,弯曲区域BA可以限定为基本上平行于第一方向轴DR1,或者可以限定在对角方向上。当不被固定时,弯曲区域BA具有根据弯曲半径BR(参照图2A)确定的面积。显示装置DD可以重复地执行图1和图2A中所示的操作模式。
参照图2C,显示装置DD包括保护膜PM、显示模块DM、光学构件LM、窗口WM、第一粘合构件AM1、第二粘合构件AM2和第三粘合构件AM3。显示模块DM设置在保护膜PM与光学构件LM之间。光学构件LM设置在显示模块DM与窗口WM之间。第一粘合构件AM1使显示模块DM和保护膜PM结合,第二粘合构件AM2使显示模块DM和光学构件LM结合,第三粘合构件AM3使光学构件LM和窗口WM结合。
保护膜PM保护显示模块DM。保护膜PM包括暴露于外部的第一外表面OS-L和粘附到第一粘合构件AM1的粘合表面。保护膜PM防止外部湿气进入显示模块DM并吸收外部冲击。
保护膜PM可以包括塑料膜作为基础基底。保护膜PM可以包括塑料膜,所述塑料膜包括由聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亚芳基醚砜)和它们的混合物构成的组中选择的一种。
保护膜PM的材料可以包括有机材料和无机材料的混合材料,而不限于塑料树脂。保护膜PM包括多孔有机层和填充到有机层的孔中的无机材料。保护膜PM还可以包括形成在塑料膜中的功能层。功能层可以包括树脂层。功能层可以通过涂覆方法来形成。在各种实施例中可以省略保护膜PM。
窗口WM可以包括塑料膜。窗口WM可以具有多层结构。窗口WM可以具有玻璃基底、塑料膜或塑料基底的多层结构。窗口WM还可以包括边框图案。窗口WM的多层结构可以通过连续工艺或使用粘合层的粘合工艺来形成。
光学构件LM减小外部光的反射率。光学构件LM至少可以包括偏振膜。光学构件LM还包括延迟膜。在各种实施例中可以省略光学构件LM。
显示模块DM可以包括有机发光显示面板DP和触摸感测单元TS。触摸感测单元TS可以直接设置在有机发光显示面板DP上。在下面的描述中,表述“第一组件直接设置在第二组件上”表示第一组件和第二组件可以通过连续工艺形成,而不通过使用单独的粘合层粘附到彼此。
有机发光显示面板DP产生与输入的图像数据对应的图像IM(参照图1)。有机发光显示面板DP可以包括第一显示面板表面BS1-L以及在厚度方向DR3上面向第一显示面板表面BS1-L的第二显示面板表面BS1-U。将描述有机发光显示面板DP作为显示面板DP的代表性示例。
触摸感测单元TS获取外部输入的坐标信息。触摸感测单元TS以静电电容方式感测外部输入。
显示模块DM还可以包括抗反射层。抗反射层可以包括滤色器或者导电层/绝缘层/导电层的堆叠结构。抗反射层吸收来自外部的光或者使来自外部的光偏振,以减小外部光的反射率。抗反射层可以代替光学构件LM的功能。
第一粘合构件AM1、第二粘合构件AM2和第三粘合构件AM3中的每个可以是但不限于诸如光学透明粘合(OCA)膜、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合(PSA)膜的有机粘合层。有机粘合层可以包括聚氨酯类粘合材料、聚丙烯酸类粘合材料、聚酯类粘合材料、聚环氧类粘合材料或聚乙酸乙烯酯类粘合材料。因此,有机粘合层可以对应于一个有机层。
显示装置DD还可以包括框架结构,所述框架结构支撑功能层以保持图1、图2A和图2B中所示的状态。框架结构可以具有连接结构或铰链结构。
图3A示出了处于展开状态的显示装置DD-1,图3B示出了处于弯曲状态的显示装置DD-1。
显示装置DD-1可以包括一个弯曲区域BA和一个非弯曲区域NBA。显示装置DD-1的非显示区域DD-NDA是弯曲的,然而可以改变显示装置DD-1的弯曲区域。
不同于图1、图2A和图2B中示出的显示装置DD,显示装置DD-1在操作时可以固定在一个状态。显示装置DD-1可以在如图3B中所示的弯曲状态下操作。显示装置DD-1可以在弯曲时固定于框架,并且框架可以结合到电子装置的壳体。
显示装置DD-1可以具有与图2C中所示的剖面结构基本上相同的剖面结构。然而,非弯曲区域NBA和弯曲区域BA可以具有彼此不同的堆叠结构。非弯曲区域NBA可以具有与图2C中所示的剖面结构基本上相同的剖面结构,弯曲区域BA可以具有与图2C中所示的剖面结构不同的剖面结构。光学构件LM和窗口WM可以不设置在弯曲区域BA中。也就是说,光学构件LM和窗口WM可以仅设置在非弯曲区域NBA中。第二粘合构件AM2和第三粘合构件AM3可以不设置在弯曲区域BA中。
参照图4A,有机发光显示面板DP可以包括基础层SUB、设置在基础层SUB上的电路层DP-CL、器件层DP-OLED和薄膜包封层TFE。基础层SUB可以包括至少一个塑料膜。基础层SUB可以是柔性基底并且可以包括塑料基底、玻璃基底、金属基底或有机/无机混合材料基底。
电路层DP-CL可以包括多个绝缘层、多个导电层以及半导体层。电路层DP-CL的导电层可以形成信号线或像素的控制电路。器件层DP-OLED可以包括有机发光二极管。薄膜包封层TFE可以包括无机层和有机层。薄膜包封层TFE可以包括至少两个无机层和设置在它们之间的有机层。无机层保护器件层DP-OLED免受湿气/氧的影响,有机层保护器件层DP-OLED免受诸如灰尘的外来物质的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层。有机层可以包括丙烯酰类有机材料,但是有机层不应限于此或由此限制。
触摸感测单元TS可以直接设置在薄膜包封层TFE上。触摸感测单元TS可以包括触摸传感器和触摸信号线。传感器和触摸信号线可以具有单层结构或多层结构。
触摸传感器和触摸信号线可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线或石墨烯。触摸传感器和触摸信号线可以包括金属层,例如,钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。触摸传感器和触摸信号线可以具有相同的层结构或不同的层结构。稍后将详细描述触摸感测单元TS。
参照图4B,当在平面图中观察时,有机发光显示面板DP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。有机发光显示面板DP的显示区域DA和非显示区域NDA分别对应于显示装置DD(参照图1)的显示区域DD-DA(参照图1)和非显示区域DD-NDA(参照图1)。有机发光显示面板DP的显示区域DA和非显示区域NDA可以不需要与显示装置DD(参照图1)的显示区域DD-DA(参照图1)和非显示区域DD-NDA(参照图1)相同,有机发光显示面板DP的显示区域DA和非显示区域NDA可以根据有机发光显示面板DP的结构和设计而改变。
有机发光显示面板DP包括多个像素PX。布置像素PX的区域被称作显示区域DA。如图所示的非显示区域NDA沿着显示区域DA的边缘限定。
有机发光显示面板DP包括栅极线GL、数据线DL、发光线EL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint、电压线SL-VDD、第一焊盘PD1和电源线E-VSS。
栅极线GL中的每条可以连接到像素PX中对应的像素,数据线DL中的每条可以连接到像素PX中对应的像素。发光线EL中的每条可以布置为基本上平行于栅极线GL中对应的栅极线。控制信号线SL-D将控制信号施加到栅极驱动电路GDC。初始化电压线SL-Vint将初始化电压施加到像素PX。电压线SL-VDD可以连接到像素PX以将第一电压施加到像素PX。电压线SL-VDD可以包括在第一方向DR1上延伸的多条线和在第二方向DR2上延伸的多条线。电源线E-VSS可以设置在非显示区域NDA中以围绕显示区域DA的三侧。电源线E-VSS将共电压(例如,第二电压)施加到像素PX。共电压具有比第一电压的电平低的电平。
栅极驱动电路GDC可以设置在非显示区域NDA的一个侧部处并连接到栅极线GL和发光线EL。栅极线GL、数据线DL、发光线EL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint和电压线SL-VDD中的一些线可以设置在同一层上,栅极线GL、数据线DL、发光线EL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint和电压线SL-VDD中的其它线可以设置在不同的层上。
第一焊盘PD1可以连接到数据线DL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint和电压线SL-VDD的端部。第一焊盘PD1可以设置在非显示区域NDA的一侧处。
图5示出了连接到数据线DL(参照图4B)中的第k数据线DLk的第i像素PXi。
第i像素PXi可以包括有机发光二极管OLED和控制有机发光二极管OLED的像素驱动电路。驱动电路可以包括七个晶体管T1至T7和一个存储电容器Cst。
驱动晶体管控制施加到有机发光二极管OLED的驱动电流。第二晶体管T2的输出电极可以电连接到有机发光二极管OLED。第二晶体管T2的输出电极直接与有机发光二极管OLED的阳极接触或者可以经由另一个晶体管(例如,第六晶体管T6)连接到有机发光二极管OLED的阳极。
控制晶体管的控制电极接收控制信号。施加到第i像素PXi的控制信号可以包括第(i-1)栅极信号Si-1、第i栅极信号Si、第(i+1)栅极信号Si+1、数据信号Dk和第i发光控制信号Ei。如所示的控制晶体管可以包括第一晶体管T1以及第三晶体管T3至第七晶体管T7。
第一晶体管T1可以包括连接到第k数据线DLk的输入电极、连接到第i栅极线GLi的控制电极以及连接到第二晶体管T2的输出电极的输出电极。第一晶体管T1可以通过施加到第i栅极线GLi的栅极信号Si(在下文中,被称作“第i栅极信号”)导通,以将施加到第k数据线的数据信号Dk施加到存储电容器Cst。
参照图6A和图6B,电路层DP-CL可以设置在基础层SUB上。功能层也可以设置在基础层SUB上。功能层包括阻挡层和缓冲层中的至少一个。
第一薄膜晶体管T1的半导体图案OSP1(在下文中,被称作“第一半导体图案”)、第二薄膜晶体管T2的半导体图案OSP2(在下文中,被称作“第二半导体图案”)和第六薄膜晶体管T6的半导体图案OSP6(在下文中,被称作“第六半导体图案”)可以设置在基础层SUB上。第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6可以包括非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体。
第一绝缘层10设置在第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6上。在图6A和图6B中,第一绝缘层10可以以层形状设置以覆盖第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6,但是第一绝缘层10不应限于此或由此限制。也就是说,第一绝缘层10可以以对应于第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6的图案形状设置。
第一绝缘层10可以包括多个无机薄层。无机薄层包括氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层。
第一薄膜晶体管T1的控制电极GE1(在下文中,被称作“第一控制电极”)、第二薄膜晶体管T2的控制电极GE2(在下文中,被称作“第二控制电极”)和第六薄膜晶体管T6的控制电极GE6(在下文中,被称作“第六控制电极”)可以设置在第一绝缘层10上。第一控制电极GE1、第二控制电极GE2和第六控制电极GE6与栅极线GL(参照图4B)可以通过同一光刻工艺形成。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上方以覆盖第一控制电极GE1、第二控制电极GE2和第六控制电极GE6。第二绝缘层20可以提供平坦的上表面。第二绝缘层20包括有机材料和/或无机材料。
第一晶体管T1的输入电极SE1(在下文中,被称作“第一输入电极”)和输出电极DE1(在下文中,被称作“第一输出电极”)、第二晶体管T2的输入电极SE2(在下文中,被称作“第二输入电极”)和输出电极DE2(在下文中,被称作“第二输出电极”)以及第六晶体管T6的输入电极SE6(在下文中,被称作“第六输入电极”)和输出电极DE6(在下文中,被称作“第六输出电极”)可以设置在第二绝缘层20上。
第一输入电极SE1和第一输出电极DE1可以分别通过可以穿过第一绝缘层10和第二绝缘层20形成的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2连接到第一半导体图案OSP1。第二输入电极SE2和第二输出电极DE2可以分别通过可以穿过第一绝缘层10和第二绝缘层20形成的第三接触孔CH3和第四接触孔CH4连接到第二半导体图案OSP2。第六输入电极SE6和第六输出电极DE6可以分别通过可以穿过第一绝缘层10和第二绝缘层20形成的第五接触孔CH5和第六接触孔CH6连接到第六半导体图案OSP6。与此同时,根据另一个示例性实施例,第一晶体管T1、第二晶体管T2和第六晶体管T6中的每个可以具有底栅结构。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上方以覆盖第一输入电极SE1、第二输入电极SE2、第六输入电极SE6、第一输出电极DE1、第二输出电极DE2和第六输出电极DE6。第三绝缘层30可以包括有机层和/或无机层。具体地,第三绝缘层30可以包括有机材料以提供平坦的表面。
可以根据像素的结构省略第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30中的一个。第二绝缘层20和第三绝缘层30均可以被称作中间层。中间层可以设置在导电图案之间(例如,上导电图案与下导电图案之间)以使导电图案彼此绝缘。
像素限定层PDL和有机发光二极管OLED可以设置在第三绝缘层30上。阳极AE可以设置在第三绝缘层30上。阳极AE可以通过由第三绝缘层30限定的第七接触孔CH7连接到第六输出电极DE6。像素限定层PDL可以具有通过其限定的开口OP。阳极AE的至少一部分可以通过像素限定层PDL的开口OP被暴露。
当在平面图中观察时,像素PX(参照图4B)可以设置在像素区域中。像素区域可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。所示发光区域PXA被限定为对应于阳极AE的通过开口OP暴露的部分。
空穴控制层HCL可以设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。如空穴控制层HCL的公共层可以形成在像素PX(参照图4B)中。
有机发光层EML可以设置在空穴控制层HCL上。有机发光层EML可以设置在与开口OP对应的区域中。也就是说,可以使有机发光层EML图案化为多个部分,所述多个部分可以分别设置在多个像素PX中。虽然图案化的有机发光层EML示出为代表性示例,但是有机发光层EML可以设置在多个像素PX中。在这种情况下,有机发光层EML可以产生白光。另外,有机发光层EML可以具有多层结构。
电子控制层ECL可以设置在有机发光层EML上。电子控制层ECL可以设置在多个像素PX中(参照图4B)。
阴极CE可以设置在电子控制层ECL上。阴极C可以设置在像素PX中。
薄膜包封层TFE可以设置在阴极CE上。薄膜包封层TFE可以设置在多个像素PX中。薄膜包封层TFE可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。薄膜包封层TFE可以包括多个无机层以及与所述多个无机层交替地堆叠的多个有机层。薄膜包封层TFE可以直接覆盖阴极CE。
参照图7A,薄膜包封层TFE1可以包括n个无机薄层IOL1至IOLn,所述n个无机薄层IOL1至IOLn中的第一无机薄层与阴极CE(参照图6A)接触。
第一无机薄层IOL1可以被称作“下无机薄层”,所述n个无机薄层IOL1至IOLn中的除了第一无机薄层IOL1之外的无机薄层可以被称作“上无机薄层”。
薄膜包封层TFE1可以包括n-1个有机薄层OL1至OLn-1,n-1个有机薄层OL1至OLn-1可以与n个无机薄层IOL1至IOLn交替地布置。n-1个有机薄层OL1至OLn-1中的每个可以具有比n个无机薄层IOL1至IOLn中的每个的厚度大的厚度。
n个无机薄层IOL1至IOLn中的每个可以具有包含一种类型的材料的单层结构或包含多种不同类型的材料的多层结构。n-1个有机薄层OL1至OLn-1中的每个可以通过沉积有机单体来形成。有机单体可以包括丙烯酰类单体。薄膜包封层TFE1还可以包括第n有机薄层。
参照图7B和图7C,薄膜包封层TFE2和TFE3中的每个所包括的无机薄层可以包含相同的无机材料或彼此不同的无机材料,并且可以具有相同的厚度或不同的厚度。薄膜包封层TFE2和TFE3中的每个所包括的有机薄层可以包含相同的有机材料或彼此不同的有机材料,并且可以具有相同的厚度或不同的厚度。
如图7B中所示,薄膜包封层TFE2可以包括可以顺序地堆叠的第一无机薄层IOL1、第一有机薄层OL1、第二无机薄层IOL2、第二有机薄层OL2和第三无机薄层IOL3。
第一无机薄层IOL1可以具有双层结构。第一子层S1和第二子层S2可以具有不同的无机材料。
如图7C中所示,薄膜包封层TFE2可以包括可以顺序地堆叠的第一无机薄层IOL10、第一有机薄层OL1和第二无机薄层IOL20。第一无机薄层IOL10可以具有双层结构。第一子层S10和第二子层S20可以具有不同的无机材料。第一有机薄层OL1可以是包括聚合物的有机层,第二无机薄层IOL20可以具有双层结构。第二无机薄层IOL20可以包括可以在不同的环境中沉积的第一子层S100和第二子层S200。第一子层S100可以在低功率下沉积,第二子层S200可以在高功率下沉积。第一子层S100和第二子层S200可以包括相同的无机材料。
参照图8A,触摸感测单元TS可以包括下绝缘层TS-LIL、中间绝缘层TS-MIL、第一导电层TS-CL1、上绝缘层TS-HIL和第二导电层TS-CL2。下绝缘层TS-LIL可以直接设置在包封层TFE上。第一导电层TS-CL1可以直接设置在下绝缘层TS-LIL上,但是第一导电层TS-CL1不应限于此或由此限制。也就是说,另一个无机层(例如,缓冲层)也可以设置在第一导电层TS-CL1与下绝缘层TS-LIL之间。
第一导电层TS-CL1和第二导电层TS-CL2中的每个可以具有单层结构或者在第三方向DR3上堆叠多层的多层结构。具有多层结构的导电层可以包括透明导电层和金属层中的两层或更多层。具有多层结构的导电层可以包括包含彼此不同的金属的金属层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线或石墨烯。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。
第一导电层TS-CL1和第二导电层TS-CL2中的每个可以包括多个图案。第一导电层TS-CL1可以包括第一导电图案,第二导电层TS-CL2可以包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括触摸电极和触摸信号线。
下绝缘层TS-LIL、中间绝缘层TS-MIL和上绝缘层TS-HIL中的每个可以包括无机材料或有机材料。无机材料包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。有机材料可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和苝类树脂中的至少一种。
下绝缘层TS-LIL、中间绝缘层TS-MIL和上绝缘层TS-HIL中的每个具有单层结构或多层结构。下绝缘层TS-LIL、中间绝缘层TS-MIL和上绝缘层TS-HIL中的每个可以包括无机层和有机层中的至少一个。无机层和有机层可以通过化学气相沉积法来形成。
如果中间绝缘层TS-MIL使第一导电层TS-CL1与第二导电层TS-CL2绝缘,则中间绝缘层TS-MIL不应被限定为特定的形状。中间绝缘层TS-MIL的形状可以根据第一导电图案和第二导电图案的形状来确定。中间绝缘层TS-MIL完全覆盖薄膜包封层TFE或可以包括多个绝缘图案。绝缘图案可以与稍后描述的第一连接部CP1和第二连接部CP2叠置。
虽然已经描述了两层型触摸感测单元,但是触摸感测单元不应该限于两层型。单层型触摸感测单元可以包括导电层和覆盖导电层的绝缘层。导电层可以包括触摸传感器和连接到触摸传感器的触摸信号线。单层型触摸感测单元可以使用自电容方法获取坐标信息。
参照图8B,触摸感测单元TS可以包括第一触摸电极TE1-1至TE1-5、连接到第一触摸电极TE1-1至TE1-5的第一触摸信号线TL1、第二触摸电极TE2-1至TE2-4、连接到第二触摸电极TE2-1至TE2-4的第二触摸信号线TL2以及连接到第一触摸信号线TL1和第二触摸信号线TL2的第二焊盘PD2。第二焊盘PD2可以设置在非显示区域NDA的一侧处。图8B示出了触摸感测单元TS被构造为包括五个第一触摸电极TE1-1至TE1-5和四个第二触摸电极TE2-1至TE2-4,但是第一触摸电极的数量和第二触摸电极的数量不应该限于此或由此限制。
第一触摸电极TE1-1至TE1-5中的每个可以具有可以限定多个触摸开口的网格形状。第一触摸电极TE1-1至TE1-5中的每个可以包括多个第一触摸传感器部SP1和多个第一连接部CP1。第一触摸传感器部SP1可以布置在第二方向DR2上。第一连接部CP1中的每个使第一触摸传感器部SP1中的彼此相邻的两个第一触摸传感器部SP1连接。虽然没有详细地示出,但是第一触摸信号线TL1可以具有网格形状。
第二触摸电极TE2-1至TE2-4可以与第一触摸电极TE1-1至TE1-5绝缘,同时与第一触摸电极TE1-1至TE1-5交叉。第二触摸电极TE2-1至TE2-4中的每个可以具有可以通过其限定多个触摸开口的网格形状。第二触摸电极TE2-1至TE2-4中的每个可以包括多个第二触摸传感器部SP2和多个第二连接部CP2。第二触摸传感器部SP2可以布置在第一方向DR1上。第二连接部CP2中的每个使第二触摸传感器部SP2中的彼此相邻的两个第二触摸传感器部SP2连接。虽然没有详细地示出,但是第二触摸信号线TL2可以具有网格形状。
第一触摸电极TE1-1至TE1-5可以电容耦合到第二触摸电极TE2-1至TE2-4。当触摸感测信号被施加到第一触摸电极TE1-1至TE1-5时,电容器可以形成在第一触摸传感器部SP1与第二触摸传感器部SP2之间。
第一触摸传感器部SP1、第一连接部CP1、第一触摸信号线TL1、第二触摸传感器部SP2、第二连接部CP2和第二触摸信号线TL2中的一部分可以通过使图8A中示出的第一导电层TS-CL1图案化来形成,第一触摸传感器部SP1、第一连接部CP1、第一触摸信号线TL1、第二触摸传感器部SP2、第二连接部CP2和第二触摸信号线TL2中的其它部分可以通过使图8A中示出的第二导电层TS-CL2图案化来形成。
为了使设置在不同的层上的导电图案电连接,可以穿过图8A中示出的中间绝缘层TS-MIL形成接触孔。在下文中,将参照图8C至图8E描述触摸感测单元TS。
参照图8C,第一导电图案可以设置在下绝缘层TS-LIL上。第一导电图案包括桥接图案CP1。桥接图案CP1可以直接设置在下绝缘层TS-LIL上。桥接图案CP1对应于图8B中示出的第一连接部CP1。
参照图8D,中间绝缘层TS-MIL可以设置在下绝缘层TS-LIL上以覆盖桥接图案CP1。触摸接触孔TCH可以通过中间绝缘层TS-MIL来限定,以部分地暴露桥接图案CP1。触摸接触孔TCH可以通过光刻工艺来形成。
参照图8E,第二导电图案可以设置在第一触摸绝缘层TS-IL1上。第二导电图案可以包括第一触摸传感器部SP1、第二连接部CP2、第一触摸信号线TL1、第二触摸传感器部SP2和第二触摸信号线TL2。上绝缘层TS-HIL可以设置在中间绝缘层TS-MIL上以覆盖第二导电图案。
第一导电图案可以包括第一触摸电极TE1-1和第一触摸信号线TL1。第二导电图案包括第二触摸电极TE2-1至TE2-4和第二触摸信号线TL2。在这种情况下,接触孔CH可以不限定在第一触摸绝缘层TS-IL1中。
另外,第一导电图案和第二导电图案可以彼此交换。例如,第二导电图案可以包括桥接图案CP1。
参照图8F,第一触摸传感器部分SP1可以与非发光区域NPXA叠置。第一触摸传感器部分SP1可以包括沿着与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的第五方向DR5延伸的多个第一延伸部SP1-A以及沿着与第五方向DR5交叉的第六方向DR6延伸的多个第二延伸部SP1-B。第一延伸部SP1-A和第二延伸部SP1-B可以被限定为网格线。每个网格线可以具有几个微米的线宽。
第一延伸部SP1-A可以连接到第二延伸部SP1-B以限定多个触摸开口TS-OP。换句话说,第一触摸传感器部SP1可以具有由触摸开口TS-OP限定的网格形状。虽然触摸开口TS-OP对应于发光区域PXA,但是它们不应限于此或由此限制。也就是说,一个触摸开口TS-OP可以对应于两个或更多个发光区域PXA。
发光区域PXA可以具有各种尺寸。例如,在发光区域PXA中,发射蓝光的发光区域PXA的尺寸可以与发射红光的发光区域PXA的尺寸不同。因此,触摸开口TS-OP可以具有各种尺寸。虽然在图8F中发光区域PXA具有各种尺寸,但是发光区域PXA可以具有彼此相同的尺寸,触摸开口OP可以都具有彼此相同的尺寸。
第一触摸传感器部分SP1的描述可以适用于第二触摸传感器部分SP2,因此将省略对第二触摸传感器部分SP2的详细描述。
在下文中,将参照图8B和图8E描述坝DAM和堤BAK。
参照图8B和图8E,坝DAM可以设置在基础层SUB(在下文中,被称作“基底”)的非显示区域NDA(在下文中,被称作“外围区域”)中。更详细地,当在平面图中观察时,坝DAM可以具有闭环形状并围绕显示区域。然而,坝DAM的形状不应限于闭环形状。在其它实施例中,坝DAM可以提供为多个。多个坝可以彼此间隔开地布置在外围区域NDA中并且围绕显示区域。
堤BAK可以与坝DAM相邻地设置在基础层SUB的外围区域NDA中。堤BAK可以设置在显示区域DA与第一焊盘PD1和第二焊盘PD2之间。堤BAK可以设置在第二焊盘PD2与坝DAM之间。更详细地,当在平面图中观察时,堤BAK可以具有条形(也就是说,细长的矩形),但是堤BAK的形状不应限于条形。
第一触摸信号线TL1和第二触摸信号线TL2延伸至设置在坝DAM和堤BAK上并连接到第二焊盘PD2。将参照图9至图11详细描述坝DAM和堤BAK。
参照图9至图11,坝DAM可以包括上部DAMU和下部DAMD。更详细地,上部DAMU可以设置为接触下部DAMD的上表面。下部DAMD可以与第三绝缘层30(参照图6A)通过同一工艺形成。也就是说,下部DAMD可以与第三绝缘层30设置在同一层上。下部DAMD可以是有机层和/或无机层。具体地,下部DAMD可以包括有机材料以提供平坦的表面。
上部DAMU可以与像素限定层PDL通过同一工艺形成。也就是说,上部DAMU可以与像素限定层PDL设置在同一层上。上部DAMU可以包括有机材料。例如,上部DAMU可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
当在剖面中观察时,坝DAM可以通过使下部DAMD和上部DAMU结合来形成向上延伸的突起。坝DAM可以控制薄膜包封层TFE中有机薄膜材料的流动。例如,在图9中所示的薄膜包封层TFE是图7C中所示的薄膜包封层TFE3的情况下,坝DAM可以控制第一有机薄层OL1的单体的流动,第一有机薄层OL1在第一方向DR1上的移动可以由坝DAM控制。因此,薄膜包封层TFE的第一无机薄层IOL10可以直接设置在坝DAM上,第二无机薄层IOL20可以直接设置在第一无机薄层IOL10上。
堤BAK可以在第一方向DR1上与坝DAM间隔开预定的距离。堤BAK可以包括第一堤部BANK1、边界部分BOR和第二堤部BANK2。边界部分BOR可以设置在第一堤部BANK1与第二堤部BANK2之间。
第一堤部BANK1可以包括上部BU和下部BD。上部BU可以设置在下部BD上。更详细地,上部BU可以接触下部BD的上表面。下部BD可以与第三绝缘层30(参照图6A)通过同一工艺形成。也就是说,下部BD可以与第三绝缘层30设置在同一层上。下部BD可以是有机层和/或无机层。具体地,下部BD可以包括有机材料以提供平坦的表面。
上部BU可以与像素限定层PDL通过同一工艺形成。也就是说,上部BU可以与像素限定层PDL设置在同一层上。上部BU可以包括与像素限定层PDL对应的部分以及间隔件SPC。间隔件SPC可以与对应于像素限定层PDL的部分基本同时形成。间隔件SPC可以设置在像素限定层PDL上。第一堤部BANK1可以具有比坝DAM的高度高的高度。上部BU可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
边界部分BOR可以如同第一堤部BANK1包括上部BRU和下部BRD。边界部分BOR的其它部分可以与第一堤部BANK1基本上相同,因此它们的详细描述是不必要的并且将省略它们的详细描述。
第二堤部BANK2可以与第三绝缘层30通过同一工艺形成。也就是说,第二堤部BANK2可以与第三绝缘层30设置在同一层上。第二堤部BANK2可以是有机层和/或无机层。
边界部分BOR可以设置为多个。第二堤部BANK2可以设置在彼此相邻的两个边界部分BOR之间。第二堤部BANK2可以具有比第一堤部BANK1和边界部分BOR的高度小的高度。
因此,第一堤部BANK1的下部BD、边界部分BOR的下部BRD以及第二堤部BANK2可以彼此一体地形成。
如上所述,当形成第二堤部BANK2和边界部分BOR时,堤BAK可以防止在支撑用于形成薄膜封装层TFE的掩模的工艺中由于该掩模引起切口或划痕而造成在堤BAK的上表面上发生的触摸信号线的异常图案化。
参照图12A,可以在堤BAK上形成下绝缘层TS-LIL。可以通过沉积工艺在堤BAK上形成下绝缘层TS-LIL。
参照图12B,可以通过沉积工艺在下绝缘层TS-LIL上形成中间绝缘层TS-MIL。
参照图12C,可以在中间绝缘层TS-MIL上形成导电层CODL,所述导电层CODL可以形成为第一覆盖图案CAP1和触摸信号线TL1和TL2。可以通过沉积工艺在中间绝缘层TS-MIL上形成导电层CODL。导电层CODL可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线或石墨烯。触摸传感器和触摸信号线可以包括金属层,例如,钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。
参照图12D,可以在导电层CODL上形成光致抗蚀剂层PRE,可以使光致抗蚀剂层PRE的除了可以形成第一覆盖图案CAP1和触摸信号线TL1和TL2的部分之外的部分暴露于光。
参照图12E,可以对与曝光部分ELA对应的导电层CODL执行蚀刻工艺。例如,可以通过干蚀刻工艺对与曝光部分ELA对应的导电层CODL进行蚀刻。
参照图12F,执行蚀刻工艺之后,可以通过剥离工艺去除光致抗蚀剂层PRE。当去除了光致抗蚀剂层PRE时,可以在中间绝缘层TS-MIL上形成上绝缘层TS-HIL,从而可以在中间绝缘层TS-MIL与上绝缘层TS-HIL之间形成第一覆盖图案CAP1以对应于边界部分BOR,可以在中间绝缘层TS-MIL与上绝缘层TS-HIL之间形成第一触摸信号线TL1和第二触摸信号线TL2以对应于第二堤部BANK2。
参照图10A、图11和图12G,可以在中间绝缘层TS-MIL与上绝缘层TS-HIL之间形成将由上绝缘层TS-HIL覆盖的第一覆盖图案CAP1以及第一触摸信号线TL1和第二触摸信号线TL2。可以通过沉积工艺在中间绝缘层TS-MIL上形成上绝缘层TS-HIL。
由于如图10A中所示第一覆盖图案CAP1沿着边界部分BOR的全部范围延伸,所以可以防止由于边界部分上的光致抗蚀剂层变薄造成的在蚀刻工艺期间堤BAK中的有机材料的泄漏的发生。因此,也可以防止发生由于有机材料的泄漏造成的层的脱层。
如图10B中所示,第一覆盖图案CAP1'可以形成在中间绝缘层TS-MIL与上绝缘层TS-HIL之间以沿着第一堤部BANK1和边界部分BOR的全部范围延伸。第一覆盖图案CAP1、CAP1'也可以采取其它形式。例如,触摸信号线TL1和TL2以及第一覆盖图案CAP1、CAP1'可以形成在中间绝缘层TS-MIL上,触摸信号线TL1和TL2可以如上所述形成在下绝缘层TS-LIL上。因此,第一覆盖图案CAP1、CAP1'可以形成在下绝缘层TS-LIL与中间绝缘层TS-MIL之间。
参照图13A,虚设线DUL可以设置在下绝缘层TS-LIL上。虚设线DUL可以与图14中示出的触摸信号线TL1和TL2叠置。虚设线DUL可以并联连接到触摸信号线TL1和TL2以减小可以传输信号的线的电阻,从而改善装置感测触摸的灵敏度。
形成虚设线DUL的方法可以与形成触摸信号线TL1和TL2的方法基本上相同,因此将由此省略虚设线DUL的细节。
参照图13B,虚设接触孔DCH可以通过中间绝缘层TS-MIL限定,以部分地暴露触摸信号线TL1和TL2。虚设接触孔DCH可以通过光刻工艺来形成。图13A中示出的虚设线DUL可以通过虚设接触孔DCH连接到触摸信号线TL1和TL2。
参照图13C,因为虚设线DUL可以与触摸信号线TL1和TL2叠置,所以形成第一触摸信号线TL1和第二触摸信号线TL2之后不会从上方看到虚设线DUL。虚设线DUL中的每条可以连接到可以与触摸信号线TL1和TL2的相应的触摸信号线连接的第二焊盘PD2'。
参照图14,第二覆盖图案CAP2可以设置在下绝缘层TS-LIL与中间绝缘层TS-MIL之间以对应于边界部分BOR,虚设线DUL可以设置在下绝缘层TS-LIL与中间绝缘层TS-MIL之间以对应于第二堤部BANK2。第二覆盖图案CAP2和虚设线DUL可以通过同一工艺来形成,并且第二覆盖图案CAP2和虚设线DUL的形成方法可以与如上面更详细地描述的第一覆盖图案CAP1和触摸信号线TL1和TL2的形成基本上相同。因此,形成第二覆盖图案CAP2和虚设线DUL的工艺的更详细的描述是不必要的并且将被省略。
与上面第一覆盖图案CAP1、CAP1'的描述一致,第二覆盖图案CAP2的形成减小了诸如层脱层的现象的缺陷的可能性或完全防止了所述缺陷。
虚设线DUL可以设置在下绝缘层TS-LIL与中间绝缘层TS-MIL之间,但是虚设线DUL不应限于此或由此限制。例如,触摸信号线TL1和TL2可以设置在下绝缘层TS-LIL与中间绝缘层TS-MIL之间,虚设线DUL可以设置在中间绝缘层TS-MIL与上绝缘层TS-HIL之间。
虽然已经在这里描述了特定示例性实施例和实施方式,但从本描述出发其它实施例和改变将是明显的。因此,本发明构思不限于这些实施例,而是相反,涉及所提出的权利要求以及各种明显的改变和等同布置的更广泛的范围。
Claims (1)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和限定在所述显示区域外侧的外围区域;
电路层,位于所述基底上;
器件层,位于所述显示区域上;
第一层,位于所述外围区域上,所述第一层在第一方向上延伸,所述第一层包括具有第一厚度的第一部分、具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分并相对于所述第一部分和所述第二部分倾斜的中间部分;
包封层,覆盖所述器件层;
触摸感测单元,包括设置在所述包封层上的触摸绝缘层、设置在所述包封层上的触摸电极以及连接到所述触摸电极的触摸信号线;以及
覆盖图案,与至少所述中间部分叠置,
其中,所述第一部分、所述中间部分和所述第二部分沿着所述第一方向顺序地相邻,
其中,所述触摸信号线在与所述第二部分叠置的部分中在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,并且
其中,所述覆盖图案和所述触摸信号线在所述第一方向上彼此间隔开。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0097477 | 2016-07-29 | ||
KR1020160097477A KR101964934B1 (ko) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN201710618058.6A CN107665912B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置及其制造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710618058.6A Division CN107665912B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置及其制造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114447088A true CN114447088A (zh) | 2022-05-06 |
Family
ID=59501212
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210115580.3A Pending CN114447088A (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN202210115562.5A Pending CN114429980A (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201710618058.6A Active CN107665912B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置及其制造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210115562.5A Pending CN114429980A (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201710618058.6A Active CN107665912B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US10361254B2 (zh) |
EP (2) | EP3285137B1 (zh) |
KR (1) | KR101964934B1 (zh) |
CN (3) | CN114447088A (zh) |
TW (1) | TWI759319B (zh) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6813967B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2021-01-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 入力機能付き表示装置 |
KR101964934B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101834792B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102561120B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2023-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치스크린 내장형 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치 |
KR102578589B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2023-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
KR101974086B1 (ko) | 2016-09-30 | 2019-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
KR101992915B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN107957799B (zh) * | 2016-10-14 | 2021-08-10 | 群创光电股份有限公司 | 触控显示面板 |
KR20180076689A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102438255B1 (ko) | 2017-05-31 | 2022-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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EP3699970A4 (en) | 2017-10-20 | 2021-07-14 | Pioneer Corporation | ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ELECTROLUMINESCENT MODULE |
KR102456333B1 (ko) * | 2017-10-23 | 2022-10-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치표시장치 및 패널 |
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US11217772B2 (en) * | 2018-10-01 | 2022-01-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film encapsulation structure for display apparatus |
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KR102528266B1 (ko) | 2018-11-16 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
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KR20200062445A (ko) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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CN113888968B (zh) * | 2019-02-20 | 2023-01-13 | 华为技术有限公司 | 柔性显示盖板、显示面板及显示装置 |
CN113508641B (zh) * | 2019-02-27 | 2024-06-14 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
KR20200108145A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR102702365B1 (ko) * | 2019-03-15 | 2024-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 유닛과 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102441330B1 (ko) | 2019-03-27 | 2022-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
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KR20200138557A (ko) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210004008A (ko) * | 2019-07-02 | 2021-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210021793A (ko) * | 2019-08-19 | 2021-03-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치 |
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KR20210093420A (ko) * | 2020-01-17 | 2021-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210126841A (ko) * | 2020-04-10 | 2021-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20220033576A (ko) * | 2020-09-07 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220056284A (ko) * | 2020-10-27 | 2022-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
KR20220067647A (ko) * | 2020-11-17 | 2022-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220125904A (ko) * | 2021-03-05 | 2022-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
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KR101886801B1 (ko) | 2010-09-14 | 2018-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치 |
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KR101959923B1 (ko) | 2012-07-30 | 2019-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101980768B1 (ko) | 2012-12-28 | 2019-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 |
KR102083983B1 (ko) * | 2013-05-29 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102140235B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2020-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
KR20150025994A (ko) * | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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KR102210210B1 (ko) | 2014-01-06 | 2021-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20150101508A (ko) * | 2014-02-26 | 2015-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
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CN104241550B (zh) * | 2014-08-05 | 2017-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其封装方法 |
KR102375250B1 (ko) | 2014-09-04 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치 및 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102295614B1 (ko) | 2014-09-29 | 2021-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102240937B1 (ko) * | 2014-10-10 | 2021-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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KR102362188B1 (ko) | 2015-01-28 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN204515745U (zh) * | 2015-02-03 | 2015-07-29 | 上海天马微电子有限公司 | 触控结构、基板、阵列基板及显示装置 |
KR102329978B1 (ko) | 2015-10-28 | 2021-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 |
KR102610024B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR101964934B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2016
- 2016-07-29 KR KR1020160097477A patent/KR101964934B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-07-25 US US15/659,561 patent/US10361254B2/en active Active
- 2017-07-26 CN CN202210115580.3A patent/CN114447088A/zh active Pending
- 2017-07-26 CN CN202210115562.5A patent/CN114429980A/zh active Pending
- 2017-07-26 EP EP17183185.2A patent/EP3285137B1/en active Active
- 2017-07-26 CN CN201710618058.6A patent/CN107665912B/zh active Active
- 2017-07-26 EP EP20160542.5A patent/EP3696646B1/en active Active
- 2017-07-28 TW TW106125509A patent/TWI759319B/zh active
-
2019
- 2019-07-19 US US16/516,772 patent/US10804338B2/en active Active
-
2020
- 2020-10-09 US US17/066,766 patent/US11527583B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-29 US US18/071,457 patent/US11910689B2/en active Active
-
2024
- 2024-01-24 US US18/421,958 patent/US20240237472A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201816570A (zh) | 2018-05-01 |
US11910689B2 (en) | 2024-02-20 |
US20230091647A1 (en) | 2023-03-23 |
EP3696646A2 (en) | 2020-08-19 |
US11527583B2 (en) | 2022-12-13 |
EP3696646A3 (en) | 2020-12-09 |
CN107665912A (zh) | 2018-02-06 |
US10361254B2 (en) | 2019-07-23 |
TWI759319B (zh) | 2022-04-01 |
US10804338B2 (en) | 2020-10-13 |
EP3285137B1 (en) | 2020-03-04 |
US20180033832A1 (en) | 2018-02-01 |
US20190348475A1 (en) | 2019-11-14 |
CN114429980A (zh) | 2022-05-03 |
CN107665912B (zh) | 2022-02-25 |
EP3285137A2 (en) | 2018-02-21 |
KR20180014385A (ko) | 2018-02-08 |
KR101964934B1 (ko) | 2019-04-04 |
US20210028242A1 (en) | 2021-01-28 |
EP3285137A3 (en) | 2018-06-06 |
US20240237472A1 (en) | 2024-07-11 |
EP3696646B1 (en) | 2024-01-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |