TWI756727B - 基板處理系統、半導體裝置的製造方法及基板處理用的電腦程式 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於使每個基板的處理均一性提升。

其解決手段是具有：處理基板的複數的基板處理裝置；分別被設在複數的基板處理裝置，控制基板處理裝置的第1控制部；從第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從中繼部接收資料的第2控制部，中繼部是變更每個資料的種類與每個第1控制部的任一方或雙方的往第2控制部的資料的發送間隔之技術。

Description

基板處理系統、半導體裝置的製造方法及基板處理用的電腦程式
本案是有關基板處理系統、半導體裝置的製造方法及基板處理用的電腦程式。
作為被用在半導體裝置的製造工程的基板處理裝置的一形態，例如有具備具有反應器(reactor)的模組的裝置(例如參照專利文獻1)。在如此的基板處理裝置中，將裝置運轉資訊等顯示於以顯示器等所構成的輸出入裝置，使裝置管理者可確認。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-103356號公報
本案是在於針對基板處理裝置提供用以實現效率佳的管理之技術。
若根據一形態，則提供一種具有：處理基板的複數的基板處理裝置；分別被設在複數的基板處理裝置，控制基板處理裝置的第1控制部；從第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從中繼部接收資料的第2控制部，中繼部，係變更每個資料的種類與每個第1控制部的任一方或雙方的往第2控制部的資料的發送間隔之技術。
若根據本案的技術，則可針對基板處理裝置進行效率佳的管理。
以下說明有關本案的實施形態。
＜一實施形態＞ 以下，一邊參照圖面，一邊說明有關本案的一實施形態。
首先，記述有關本案所解決的課題。 在運用複數的基板處理裝置時，至少有發生以下的課題的情況。
(a)以一個的操作部操作複數的基板處理裝置時，有給予操作部莫大的負荷情形。因為此負荷，有操作部的處理的延遲、處理一時停止等發生的情形。另外，如此的現象是在處理的資料的量比連接各部的訊號線的資料的發送速度/接收速度、記憶裝置的容量、記憶體的容量、各部的運算速度等更多時發生。在基板處理裝置處理的資料量是有增大的傾向，僅單純地提高各部的性能，是有無法解決的課題。
對於如此的課題，本案的基板處理系統是被構成以下記述般。 (1)基板處理系統的構成 利用圖1、圖2、圖3、圖4、圖5來說明一實施形態的基板處理系統的概略構成。圖1是表示本實施形態的基板處理系統的網路的概略構成例的圖。圖2是基板處理系統的構成例。圖3是表示本實施形態的基板處理裝置的概略構成的橫剖面圖。圖4是本實施形態的基板處理裝置的氣體供給系的概略構成圖。圖5是表示被設在基板處理裝置的各部與第1控制部260的連接關係的概略構成圖。
在圖1中，基板處理系統1000是具有複數的基板處理裝置100(例如100a，100b，100c，100d)。在基板處理裝置100是分別具有第1控制部260(260a，260b，260c，260d)、第3控制部280(280a，280b，280c，280d)及資料收發訊號部285(285a，285b，285c，285d)。第1控制部260是被構成可經由第3控制部280來實行基板處理裝置100的各部的操作。又，第1控制部260是被構成可經由資料收發訊號部285及被連接至資料收發訊號部285的系統內網路268來與其他的基板處理裝置100的第1控制部260或第2控制部(操作部)274、中繼部275等進行收發訊號。第3控制部280是被構成可控制被設在基板處理裝置100的各部的動作。第1控制部260、第3控制部280及資料收發訊號部285是分別被構成可互相地通訊。
其次，利用圖2說明有關基板處理系統1000的概略構成。 (2)基板處理系統的構成 基板處理系統1000是至少具有基板處理裝置100(例如100a，100b，100c，100d)。又，基板處理系統1000是如圖2所示般，亦可具有IO平台1001、大氣搬送室1003、負載鎖定(L/L)1004、真空搬送室1006等。以下分別說明有關該等的構成。另外，在圖2的說明中，前後左右是X1方向為右，X2方向為左，Y1方向為前，Y2方向為後。
(大氣搬送室･IO平台) 在基板處理系統1000的前面是設置有IO平台(裝載埠)1001。在IO平台1001上是搭載有複數的晶圓盒1002。晶圓盒1002是作為搬送基板200的載體使用，在晶圓盒1002內是被構成為未處理的基板200或處理完了的基板200會分別以水平姿勢來複數儲存。
晶圓盒1002是藉由搬送晶圓盒的搬送機器人(未圖示)來搬送至IO平台1001。
IO平台1001是與大氣搬送室1003鄰接。大氣搬送室1003是在與IO平台1001不同的面連結後述的負載鎖定室1004。
在大氣搬送室1003內是設置有作為移載基板200的第1搬送機器人的大氣搬送機器人1005。
(負載鎖定(L/L)室) 負載鎖定室1004是與大氣搬送室1003鄰接。L/L室1004內的壓力是配合大氣搬送室1003的壓力與真空搬送室1006的壓力而變動，因此被構成可耐於負壓的構造。
(真空搬送室) 複數的基板處理裝置100的各者是具備：作為在負壓下成為搬送基板200的搬送空間的搬送室之真空搬送室(傳送模組：TM)1006。構成TM1006的框體1007是平面視被形成五角形，五角形的各邊是連結L/L室1004及處理基板200的基板處理裝置100。在TM1006的大略中央部是設置有作為在負壓下移載(搬送)基板200的第2搬送機器人之真空搬送機器人1008。另外，在此是將真空搬送室1006顯示五角形的例子，但亦可為四角形或六角形等的多角形。
在設置在TM1006內的真空搬送機器人1008是具有可獨立動作的二個的手臂1009及1010。真空搬送機器人1008是藉由上述的控制器260來控制。
閘閥(GV)149是如圖2所示般，在每個基板處理裝置100設置。具體而言，在基板處理裝置100a與TM1006之間是設置閘閥149a，在與基板處理裝置100b之間是設置GV149b。在與基板處理裝置100c之間是設置GV149c，在與基板處理裝置100d之間是設置GV149d。
藉由各GV149來解放･閉鎖，藉此，基板200可經由被設在各基板處理裝置100的基板搬出入口1480來出入。
其次，利用圖3說明有關基板處理裝置100的概略構成。 (3)基板處理裝置的構成 基板處理裝置100是例如在基板200形成絕緣膜的單元，如圖3所示般，被構成為單片式基板處理裝置。在此，說明有關基板處理裝置100a(100)。有關其他的基板處理裝置100b，100c，100d是同樣的構成，因此省略說明。被設在基板處理裝置100的各部是被構成為處理基板200的處理執行部的一個。
如圖3所示般，基板處理裝置100是具備處理容器202。處理容器202是例如水平剖面為圓形，被構成為扁平的密閉容器。又，處理容器202是例如藉由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等的金屬材料或石英所構成。在處理容器202內是形成有：處理作為基板的矽晶圓等的基板200的處理室201、及移載室203。處理容器202是以上部容器202a及下部容器202b所構成。在上部容器202a與下部容器202b之間是設有間隔部204。將被上部容器202a包圍的空間，也就是比間隔部204更上方的空間稱為處理室201。又，將被下部容器202b包圍的空間，也就是閘閥149附近稱為移載室203。
在下部容器202b的側面是設有與閘閥149鄰接的基板搬出入口1480，基板200是經由基板搬出入口1480來移動於未圖示的搬送室與移載室203之間。在下部容器202b的底部是設有複數個昇降銷207。而且，下部容器202b是被接地。
在處理室201內是設有支撐基板200的基板支撐部210。基板支撐部210是主要具有：載置基板200的載置面211、在表面持有載置面211的載置台212、及作為加熱部的加熱器213。在基板載置台212是昇降銷207貫通的貫通孔214會分別被設在與昇降銷207對應的位置。並且，在基板載置台212是亦可設有對基板200或處理室201施加偏壓的偏壓電極256。在此，加熱器213是連接溫度控制部400，藉由溫度控制部400來控制加熱器213的溫度。另外，加熱器213的溫度資訊是被構成可從溫度控制部400發送至第3控制部280。又，偏壓電極256是被連接至偏壓控制部257，藉由偏壓控制部257來構成可調整偏壓。又，偏壓控制部257是被構成可在與第3控制部280之間收發偏壓資料。
基板載置台212是藉由軸(shaft)217來支撐。軸217是貫通處理容器202的底部，更在處理容器202的外部被連接至昇降部218。藉由使昇降部218作動來使軸217及基板載置台212昇降，可使被載置於基板載置面211上的基板200昇降。另外，軸217下端部的周圍是藉由波紋管219所包覆，處理室201內是被保持於氣密。另外，昇降部218是亦可被構成在與第3控制部280之間可收發基板載置台212的高度資料(位置資料)。另外、基板載置台212的位置是被構成至少可設定2個以上。例如，第1處理位置及第2處理位置。另外，第1處理位置或第2處理位置是分別被構成可調整。
基板載置台212是在基板200的搬送時，移動至晶圓移載位置，在基板200的第1處理時是移動至圖3的實線所示的第1處理位置(晶圓處理位置)。並且，在第2處理時是移動至圖3的虛線所示的第2處理位置。另外，晶圓移載位置是昇降銷207的上端會從基板載置面211的上面突出的位置。
具體而言，在使基板載置台212下降至晶圓移載位置時，昇降銷207的上端部會從基板載置面211的上面突出，昇降銷207會從下方支撐基板200。並且，在使基板載置台212上昇至晶圓處理位置時，昇降銷207是從基板載置面211的上面埋没，基板載置面211會從下方支撐基板200。另外，昇降銷207是與基板200直接接觸，因此最好例如以石英或礬土等的材質所形成。
(排氣系) 在處理室201(上部容器202a)的側面側是設有作為將處理室201的氣氛排氣的第1排氣部之第1排氣口221。第1排氣口221是連接排氣管224a，在排氣管224a是依序串聯將處理室201內控制於預定的壓力的APC等的壓力調整器227及真空泵223。主要藉由第1排氣口221、排氣管224a、壓力調整器227來構成第一排氣系(排氣管線)。另外，真空泵223也可作為第一排氣系的構成。並且，在移載室203的側面側是設有將移載室203的氣氛排氣的第2排氣口1481。而且，在第2排氣口1481設有排氣管148。在排氣管148是設有壓力調整器228，被構成可將移載室203內的壓力排氣成預定的壓力。又，亦可經由移載室203來將處理室201內的氣氛排氣。又，壓力調整器227是被構成可與第3控制部280收發壓力資料或閥開度的資料。又，真空泵223是被構成可將泵的ON/OFF資料或負荷資料等發送至第3控制部280。
(氣體導入口) 在被設於處理室201的上部的淋浴頭234的上面(頂壁)是設有蓋231。在蓋231是設有用以將各種氣體供給至處理室201內的氣體導入口241。有關被連接至氣體供給部的氣體導入口241之各氣體供給單元的構成是後述。
(氣體分散單元) 作為氣體分散單元的淋浴頭234是具有緩衝室232、分散板244a。另外，分散板244a是亦可構成為作為第1活化部的第1電極244b。在分散板244a是設有複數個用以將氣體分散供給至基板200的孔234a。淋浴頭234是被設在氣體導入口241與處理室201之間。從氣體導入口241導入的氣體是被供給至淋浴頭234的緩衝室232(亦稱為分散部)，經由孔234a來供給至處理室201。
另外，將分散板244a構成為第1電極244b時，第1電極244b是以導電性的金屬所構成，被構成為用以激發處理室201內的氣體的活化部(激發部)的一部分。第1電極244b是被構成可供給電磁波(高頻電力或微波)。另外，以導電性構件來構成蓋231時，在蓋231與第1電極244b之間設有絕緣塊233，成為將蓋231與第1電極部244b之間絕緣的構成。
(活化部(電漿產生部)) 說明有關設有作為活化部的第1電極244b時的構成。作為活化部的第1電極244b是連接匹配器251及高頻電源部252，被構成可供給電磁波(高頻電力或微波)。藉此，可使被供給至處理室201內的氣體活化。又，第1電極244b是被構成可產生電容耦合型的電漿。具體而言，第1電極244b是被形成導電性的板狀，被構成為被支撐於上部容器202a。活化部是至少以第1電極244b、匹配器251、高頻電源部252所構成。另外，亦可在第1電極244b與高頻電源252之間設置阻抗計254。藉由設置阻抗計254，可根據被測定的阻抗來反餽控制匹配器251、高頻電源252。又，高頻電源252是被構成可與第3控制部280收發電力資料，匹配器251是被構成可與第3控制部280收發匹配資料(進行波資料、反射波資料)，阻抗計254是被構成可與第3控制部280收發阻抗資料。
(供給系) 氣體導入口241是連接共通氣體供給管242。共通氣體供給管242是在管的內部連通，從共通氣體供給管242供給的氣體是經由氣體導入口241來供給至淋浴頭234內。
共通氣體供給管242是連接圖4所示的氣體供給部。氣體供給部是連接第1氣體供給管113a、第2氣體供給管123a、第3氣體供給管133a。
從包含第1氣體供給管113a的第1氣體供給部是主要供給含第1元素氣體(第1處理氣體)。又，從包含第2氣體供給管123a的第2氣體供給部是主要供給含第2元素氣體(第2處理氣體)。又，從包含第3氣體供給管133a的第3氣體供給部是主要供給含第3元素氣體。
(第1氣體供給部) 在第1氣體供給管113a是從上游方向依序設有第1氣體供給源113、流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)115、及開閉閥的閥116。
含第1元素氣體會從第1氣體供給管113a經由MFC115、閥116、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭234。
含第1元素氣體是處理氣體之一。含第1元素氣體是含矽(Si)的氣體，例如六氯矽乙烷(Si2 Cl6 簡稱：HCDS)等的氣體。
第1氣體供給部是主要藉由第1氣體供給管113a、MFC115、閥116所構成。
而且，亦可思考將第1氣體供給源113、使第1氣體活化的遠程電漿單元(RPU)180a的任一方或雙方含在第1氣體供給部中。
(第2氣體供給部) 在第2氣體供給管123a是從上游方向依序設有第2氣體供給源123、MFC125、閥126。
從第2氣體供給管123a是含第2元素氣體會經由MFC125、閥126、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭234內。
含第2元素氣體是處理氣體之一。含第2元素氣體是含氮(N)的氣體，例如氨(NH3 )氣體或氮(N2 )氣體等的氣體。
第2氣體供給部是主要以第2氣體供給管123a、MFC125、閥126所構成。
而且，亦可思考將第2氣體供給源123、使第2氣體活化的遠程電漿單元(RPU)180b的任一方或雙方含在第2氣體供給部中。
(第3氣體供給部) 在第3氣體供給管133a是從上游方向依序設有第3氣體供給源133、MFC135、閥136。
從第3氣體供給管133a是惰性氣體會經由MFC135、閥136、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭234。
惰性氣體是難與第1氣體反應的氣體。惰性氣體是例如氮(N2 )氣體、氬(Ar)氣體、氦(He)氣體等的氣體。
第3氣體供給部是主要以第3氣體供給管133a、MFC135、閥136所構成。
在此，構成第1氣體供給部、第2氣體供給部、第3氣體供給部的各者的MFC、閥是被構成可與第3控制部280收發訊號，分別收發以下的資料。MFC：流量資料，閥：開度資料。另外，亦可在第1氣體供給部或第2氣體供給部中包含氣化器、RPU而構成。氣化器或RPU也被構成可與第3控制部280收發訊號，分別收發以下的資料。氣化器：氣化量資料，RPU：電力資料。
(控制部) 其次，說明有關控制部。如圖1、圖5所示般，基板處理裝置100是具有作為控制基板處理裝置100的各部的動作的控制部之第1控制部260及第3控制部280。
將控制器的概略構成圖顯示於圖5。
(第1控制部) 第1控制部260是被構成為具備CPU(Central Processing Unit)261、RAM(Random Access Memory)262、記憶裝置263、I/O埠264的電腦。RAM262、記憶裝置263、I/O埠264是被構成為可經由內部匯流排265來與CPU261交換資料。另外，內部匯流排265是連接收發訊號部285，外部記憶裝置267，輸出入裝置269等。亦可將該等的收發訊號部285，外部記憶裝置267，輸出入裝置269的至少任一個含在第1控制部260的構成中。
記憶裝置263是例如以快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置263是可讀出地記錄有裝置資料。
裝置資料是包含以下的資料類別的資料之中至少任一個。例如，控制基板處理裝置的動作的控制程式、或記載有後述的基板處理的程序或條件等的製程處方、在至設定用於對基板200的處理的製程處方為止的過程產生的運算資料或處理資料、日程資料、製程資料、負荷資料(運轉資料)、定期檢點資料、裝置連接資料、內部連接資料、晶圓200資料、警報資料、每個資料類別(種類)的重要度表資料、每個資料類別的插進可否表資料、發送間隔表資料、發送去處設定表資料等。
另外，製程處方是被組合為使後述的基板處理工程的各程序實行於第1控制部260，可取得預定的結果者，作為程式機能。以下，亦將此製程處方或控制程式、上述的資料等總簡稱為程式。另外，在本說明書中使用程式的言辭時，有只包含製程處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含其雙方時。
在此，所謂負荷資料是被設在第1控制部260的CPU261，RAM262，記憶裝置263的至少任一個的負荷狀態，錯誤發生數，運轉時間，溫度、各網路頻寬資料等的至少任一個的資料。另外，負荷資料是除了第1控制部260以外，亦可以第2控制部274或中繼部275、第3控制部280等所具有的同種的資料所構成。
網路頻寬資料是包含表示系統內網路268的頻寬佔有率的資料、或資料收發訊號部285的發送速度資料、第2控制部274的發送速度資料、第2控制部274的接收速度資料、中繼部275的發送速度資料、中繼部275的接收速度資料等的至少任一個。
製程資料是被供給至處理室201內的氣體流量資料、處理室201內的壓力資料、基板支撐部210(加熱器213)的溫度資料、壓力調整器227的閥開度等的資料。
晶圓200資料是附隨於被搬送至基板處理裝置100的晶圓200的資料。
日程資料是表示基板200的處理日程的資料。
其次，根據圖6~圖10說明有關各表資料。
(重要度表資料) 每個資料類別的重要度表資料是如圖6所示的表，設定有每個資料類別的重要度的表資料。在圖6中，以1，2，3，･･･N(N為自然數)來表示重要度，重要度是自然數小的值被設定成重要度高。例如，警報資料或製程資料等的有影響裝置的運轉或基板處理的資料類別是被設定成重要度高。裝置運轉資料、定期檢點資料等無須常時確認的資料類別是被設定為重要度低。另外，此重要度是被構成可藉由基板處理裝置的使用者或基板處理系統的使用者來適當變更設定。
(插進可否表資料) 每個資料類別的插進可否表資料是圖7所示的表，按每個資料類別，插進可否為設定表資料。插進可否表資料按每個資料類別設定插進可否(Yes/No)。在此，各資料是依據預定的發送間隔而發送。例如，說明有關針對裝置運轉資料設定插進可能(Yes)的情況。此情況，在以預定間隔來發送裝置運轉資料的途中，產生警報資料時，一時停止裝置運轉資料的發送，優先進行警報資料的發送。亦即，在裝置運轉資料的發送途中，進行使警報資料的發送插進的處理。當插進可否被設定成不可(No)時，不進行如此的發送的一時停止。另外，在此是按每個資料類別設定插進可否，但亦可按每個資料的重要度設定插進可否。
(發送間隔表資料) 發送間隔表資料是圖8所示的表，按每個資料類別(資料的重要度)、按每個負荷水準設定發送間隔的表。發送間隔是在資料類別(資料重要度)、負荷水準的至少一方被設定。在圖8中，顯示以資料類別及負荷水準的雙方來設定的表。在圖8中，發送間隔是以1，2，3･･･X(X是自然數)來設定。被設定成X越小，發送間隔越窄，X越大，發送間隔越廣。在此，所謂發送間隔窄，是意思接近即時通訊。例如，警報資料(重要度1)是無關負荷水準，發送間隔被設定成「1」。如此，無關負荷水準，經常以相同的間隔來發送重要度高的資料。例如，定期檢點資料(重要度4)是被設定為發送間隔會按照負荷水準而變化。另外，此發送間隔是亦可被構成基板處理裝置100的使用者或基板處理系統1000的使用者可設定。當被構成使用者可設定時，操作部274或輸出入裝置269是被構成可顯示此表。
在此，負荷水準是根據上述的負荷資料來設定。當負荷資料包含CPU261的負荷狀態資料時，例如，如以下般設定有負荷水準。負荷資料為0~25%會被設定成負荷水準1。負荷資料為26~50%的情況，被設定成負荷水準2。負荷資料為51~75%的情況，被設定成負荷水準3。負荷資料為76~100%的情況，被設定成負荷水準4。如此，按照負荷資料的比例來設定負荷水準。
(發送去處設定表資料) 發送去處設定表資料是在圖9、圖10所示的表，按每個資料類別，設定有發送去處的表。圖9的發送去處設定表是設定第1控制部260所發送的每個資料類別的發送去處的表。在圖10所示的發送去處設定表是設定中繼部275所發送的每個資料類別的發送去處的表。第1控制部260或第3控制部280所具有的各種資料是被發送至操作部274或中繼部275。中繼部275所具有的各種資料是被發送至操作部274或上位裝置500、解析伺服器501等。在此，被發送的發送路徑是有存在複數個的情況。亦可依據發送路徑的網路503的負荷、或各控制部的收發訊號部的負荷狀態，使發送去處不同，藉此使負荷分散。發送路徑(發送去處)是依據發送去處設定表來決定。例如，在圖9中，有關警報資料或製程資料等的重要度高的資料，發送至發送去處1(操作部274)及發送去處2(中繼部275)的雙方，比較的重要度低的資料之裝置運轉資料或定期檢點資料是被設定為不發送至負荷集中的發送去處1(操作部274)，發送至發送去處2(中繼部275)。藉由如此地設定，可抑制往操作部274的負荷的集中。又，如圖10所示般，有關從中繼部275發送的資料也是亦可按照資料的重要度或在發送去處的資料的使用來設定發送去處。
各資料或各表是被記錄於各控制部的記憶裝置。理想是被構成可將顯示同樣的內容的畫面報知給操作部274或輸出入裝置269。在此，所謂報知是意思顯示於畫面或發送。另外，被構成可顯示於畫面時，各表是被構成可在畫面上改寫各表的資料。各控制部是根據各表資料的設定，控制各控制部所具有的收發訊號部。另外，各表是亦可藉由從上位裝置(HOST)500或解析伺服器501接收而取得。
作為運算部的CPU261是被構成為讀出來自記憶裝置263的控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置269的操作指令的輸入等，而從記憶裝置263讀出製程處方。又，被構成比較･運算從收發訊號部285輸入的設定值、及被記憶於記憶裝置263的製程處方或控制資料，而可算出運算資料。又，被構成可從運算資料實行對應的處理資料(製程處方)的決定處理等。運算資料是經由內部匯流排265，I/O埠264，收發訊號部285的至少任一個來收發訊號至後述的第3控制部280。進行各部的控制時，是藉由CPU261內的收發訊號部發送/接收按照製程處方的內容的控制資訊而控制。
RAM262是被構成為暫時性地保持藉由CPU261所讀出的程式、運算資料、處理資料等的資料之記憶區域(工作區域)。
I/O埠264是被連接至後述的第3控制部280。
輸出入裝置269是具有構成為顯示器或觸控面板的顯示部。
收發訊號部285是可經由系統內網路268來與操作部274通訊，中繼部275是被設在操作部274與收發訊號部285之間。
(第2控制部(操作部)) 第2控制部(操作部)274是構成為操作基板處理系統1000的操作部。又，第2控制部274是被構成可分別控制基板處理系統1000所具有的基板處理裝置100。又，第2控制部274是被構成可經由網路503來與上位裝置(HOST)500或解析伺服器501及第1控制部260與第3控制部280的任一方或雙方通訊。又，亦可被構成可與保養用PC502連接。
(第3控制部) 第3控制部280是被連接至基板處理裝置的各部(處理執行部)，被構成可收集各部的資訊(資料)。例如，被連接至閘閥149、昇降部218、溫度控制部400、壓力調整器227，228、真空泵223、匹配器251、高頻電源部252、MFC115，125，135、閥116，126，136、偏壓控制部257等。又，亦可被連接至阻抗計254、RPU180等。又，亦可被連接至收發訊號部285與網路268的任一方或雙方。又，亦可被連接至IO平台1001、大氣搬送機器人1005、L/L室1004、TM1006、真空搬送機器人1008等。
第3控制部280是以能按照在第1控制部260被運算的製程處方的資料之方式，被構成為控制閘閥149的開閉動作、昇降部218的昇降動作、往溫度控制部400的電力供給動作、利用溫度控制部400的基板載置台212的溫度調整動作、壓力調整器227，228的壓力調整動作、真空泵223的ON-OFF控制、在MFC115，125，135的氣體流量控制動作、RPU180a，180b的氣體的活化動作、在閥116，126，136的氣體的ON-OFF控制、匹配器251的電力的匹配動作、高頻電源部252的電力控制、偏壓控制部257的控制動作、根據阻抗計254所測定的測定資料的匹配器251的匹配動作、或高頻電源252的電力控制動作等。
另外，第1控制部260、中繼部275、第3控制部280、操作部274是不限於構成為專用的電腦的情況，亦可構成為泛用的電腦。例如，準備儲存上述的程式(資料)的外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等的磁碟、CD或DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體或記憶卡等的半導體記憶體)267，使用涉及的外部記憶裝置267來將程式安裝於泛用的電腦等，藉此可構成本實施形態的控制器260。另外，用以將程式供給(記錄)至電腦的手段是不限於經由外部記憶裝置267來供給的情況。例如，亦可使用收發訊號部285或網路268(網際網路或專用線路)等的通訊手段，不經由外部記憶裝置267來供給程式(資料)。另外，記憶裝置263或外部記憶裝置267是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總簡稱為記錄媒體。另外，在本說明書中，使用稱為記錄媒體的言辭時，是有只包含記憶裝置263單體時，只包含外部記憶裝置267單體時，或包含該等的雙方時。
(中繼部275) 被構成可實行在基板處理裝置100與第2控制部(操作部)274之間被收發的各種資料的中繼。中繼部275是被構成可從第1控制部260或其他被連接的機器，以預定的間隔來接收裝置資料。又，中繼部275是被構成可對於第2控制部274或其他被連接的機器，以預定的間隔來發送資料。又，中繼部275是按照負荷水準的判定、在各種表資料被設定的內容，來實行從基板處理裝置100送至第2控制部(操作部)274的各種資料的發送間隔的控制、或各種資料的蓄積(記錄)。亦即，中繼部275是被構成為使接收的資料的接收間隔與發送的資料的發送間隔不同。在此發送間隔是亦可作為發送速度(使用頻寬)設定。由於作為發送速度設定時，經常使用系統內網路268的頻寬，因此理想是以發送間隔設定。又，中繼部275是具有記憶裝置，被構成可蓄積(記錄)接收後的資料。
另外，在本案所謂的連接是亦包含各部以物理性的纜線來連接的意思，但也包含各部的訊號(電子資料)可直接或間接性地發送/接收的意思。
(2)基板處理工程 其次，作為半導體裝置(半導體裝置)的製造工程之一工程，有關將絕緣膜成膜於基板上的工程例，參照圖11說明關於上述的基板處理裝置100的處理流程。另外，作為絕緣膜，是例如作為氮化膜的矽氮化(SiN)膜會被成膜。又，此製造工程之一工程，更在以下的說明中，各部的動作是藉由第1控制部260、第3控制部280的至少任一個來控制。
以下，說明有關基板處理工程。
(資料設定工程：S101) 首先，說明有關資料設定工程S101。 資料設定工程S101是在各控制部進行發送資料的間隔的設定。當第2控制部274具有各表資料時，將各表資料發送至中繼部275、第1控制部260、第3控制部280的至少任一個。中繼部275、第1控制部260、第3控制部280是根據接收的表資料來變更收發訊號部的發送設定。
(基板搬入･加熱工程：S102) 其次，說明有關基板搬入･加熱工程(S102)。 在基板搬入･加熱工程(S102)中，從TM1006，利用真空搬送機器人1008來將晶圓200搬入至容器202內。然後，一旦將晶圓200搬入至容器202內，則使真空搬送機器人1008退避至容器202外，關閉閘閥149而將容器202內密閉。然後，藉由使基板載置台212上昇，使晶圓200載置於被設在基板載置台212的基板載置面211上，進一步藉由使基板載置台212上昇，使晶圓200上昇至前述的處理室201內的處理位置(基板處理地點(position))。
晶圓200被搬入至移載室203之後，一旦上昇至處理室201內的處理位置，則將壓力調整器228的閥設為閉狀態。藉此，從排氣管148結束移載室203的排氣。另一方面，開啟APC227，使處理室201與真空泵223之間連通。APC227是藉由調整排氣管224a的傳導性，控制利用真空泵223之處理室201的排氣流量，將處理室201的處理空間維持於預定的壓力(例如10-5 ~10-1 Pa的高真空)。
如此，在基板搬入･加熱工程(S102)中，將處理室201內控制成為預定的壓力，且控制晶圓200的表面溫度成為預定的溫度。溫度是例如室溫以上500℃以下，理想是室溫以上400℃以下。壓力是例如可思考設為50~5000Pa。
(成膜工程：S104) 接著，說明有關成膜工程(S104)。 一旦使晶圓200位於處理室201內的處理位置，則在基板處理裝置100中，進行成膜工程(S104)。成膜工程(S104)是按照製程處方來將不同的處理氣體的第一處理氣體(第一元素含有氣體)及第二處理氣體(第二元素含有氣體)供給至處理室201，藉此在晶圓200上形成薄膜的工程。在成膜工程(S104)中，亦可使第一處理氣體及第二處理氣體同時存在於處理室201來進行CVD(chemical vapor deposition)處理，或進行重複交替地供給第一處理氣體及第二處理氣體的工程的循環(交替供給)處理。又，將第二處理氣體設為電漿狀態處理時，亦可起動RPU180b。又，亦可進行供給第一處理氣體與第二處理氣體的任一方的熱處理、改質處理等的基板處理。
(基板搬出工程：S106) 其次，說明有關基板搬出工程(S106)。 成膜工程(S104)的終了後，在基板處理裝置100中，進行基板搬出工程(S106)。在基板搬出工程(S106)中，以和上述的基板搬入･加熱工程(S102)相反的搬送程序，將處理完了的晶圓200往容器202外搬出。另外，晶圓200的冷卻是亦可不進行地使搬出。
(判定工程：S108) 其次，說明判定工程(S108)。 一旦結束基板搬出工程(S106)，則在基板處理裝置100中，以上述的一連串的處理(S102~S106)作為1個的循環，判定是否將該1循環實施了預定次數。亦即，判定是否處理了預定片數的晶圓200。然後，若未實施預定次數，則重複從基板搬入･加熱工程(S102)到基板搬出工程(S106)的1循環。另一方面，當實施了預定次數時，結束基板處理工程。
在此基板處理工程之前及後的任一方，進行圖12所示的包含發送間隔變更工程的以下的工程。另外，以下的工程是亦可在基板處理工程之間進行，或亦可預定期間與基板處理工程並行進行。
(負荷資料 發送/接收 工程S201) 在各控制部(第1控制部260、第2控制部274、第3控制部280)或中繼部275之間，進行各所保持的最新的負荷資料的共有處理。具體而言，各控制部所保持的負荷資料會被發送至中繼部275。中繼部275是實行各控制部所保持的負荷資料的接收。
(負荷水準設定工程S202) 其次，進行負荷水準的設定工程S202。負荷水準的設定是藉由中繼部275所具有的CPU來運算。在此，根據接收的負荷資料，判定各控制部或系統網路268的負荷位於哪個水準。例如，設定第2控制部274的負荷水準相當於1~X的哪個。
(負荷水準判定工程S203) 判定各控制部與系統網路268的負荷水準是否各控制部與系統網路268的至少任一個為規定值。若負荷水準為規定值，則作為Y(YES)判定，若不是規定值，則作為N(NO)判定。Y判定的情況是可實行發送間隔重置工程S206，N判定的情況，可實行發送間隔變更工程S204。例如，當第2控制部274的負荷水準的規定值被設定成「1」時，判定在負荷水準設定工程S202被設定的負荷水準是否為「1」。
(發送間隔變更工程S204) 其次，說明有關在負荷水準判定工程S203，在成為N判定之後進行的發送間隔變更工程S204。在此工程中，讀出對應於在負荷水準設定工程S202被設定的負荷水準之發送間隔資料，設定從中繼部275發送至第2控制部274的每個資料類別的發送間隔。具體而言，以圖8所示的發送間隔表為基礎，讀出對應於在負荷水準設定工程S202被設定的負荷水準之每個資料類別的發送間隔資料，使每個資料類別的發送間隔設定於各控制部。例如，在負荷水準設定工程S202，負荷水準被設定成「2」時，讀出對應於負荷水準2的每個資料類別的發送間隔。具體而言，讀出「1」作為警報資料的發送間隔資料。讀出「1」作為製程資料的發送間隔。讀出「2」作為裝置運轉資料的發送間隔。讀出「2」作為定期檢點資料的發送間隔。以該等讀出的發送間隔資料為基礎，設定從中繼部275發送至第2控制部274的每個資料類別的發送間隔。具體而言，將警報資料的發送間隔設定成「1」，將製程資料的發送間隔設定成「1」，將裝置運轉資料的發送間隔設定成「2」，將定期檢點資料的發送間隔設定成「2」。
(資料蓄積工程S205) 在發送間隔變更工程S204，至少有關發送間隔資料被設定成「2」以上的資料類別，中繼部275所接收的資料是被記錄(資料蓄積)於中繼部275的記憶裝置。
其次，說明有關在負荷水準判定工程S203，負荷水準被判定成規定值內(Y判定)之後實行的發送間隔重置工程S206。
(發送間隔重置工程S206) 在發送間隔重置工程S206中，從圖8所示的發送間隔表讀出對應於負荷水準1的發送間隔資料，設定每個資料類別的發送間隔。
(蓄積資料發送工程S207) 接著，亦可進行蓄積資料發送工程S207。在蓄積資料發送工程S207中，至少發送間隔會被設定成「2」以上，將在中繼部275的記憶裝置進行記錄(資料蓄積)的資料發送至第2控制部274的工程。
如此進行包含發送間隔變更工程的處理。
另外，在上述中，將從第1控制部260(第3控制部280)發送的各種資料全部，使中繼部275以相同的發送間隔接收，中繼部275是被構成為以被設定的發送間隔來發送各種資料至第2控制部274，但並非限於此。例如，中繼部275是亦可對第1控制部260及第3控制部280的任一方或雙方，根據圖9所示的發送去處設定表，來使資料的發送去處變更。例如，亦可被設定為如圖9所示的表般，對於第1控制部260，有關警報資料及製程資料，不經由發送去處2(中繼部275)，發送至發送去處1(操作部274)。藉由不經由中繼部275，可抑制資料的延遲。
又，上述中，說明有關基板處理系統1000所具有的複數的基板處理裝置100全部，進行相同的發送間隔的設定或發送去處設定的例子，但並非限於此。例如，亦可按每個基板處理裝置100(100a，100b，100c，100d)，使各種設定不同。在具有複數的基板處理裝置100的基板處理系統1000中，有在全部的基板處理裝置100不使實行相同的處理的情況。該情況，藉由按每個基板處理裝置100使設定不同，可使資料通訊的效率提升。又，有關每個基板處理裝置100的基板200的處理時機不同的情況，亦可使各種資料的發送間隔的設定及發送去處的設定的任一方或雙方按每個基板處理裝置100而不同。例如基板200的處理中，由於資料的量增加，因此亦可在資料量增加(負荷上昇)的時機進行包含上述的發送間隔變更工程的處理或發送去處變更工程。
另外，在上述中，說明了根據一個圖9所示的發送去處設定表來設定發送去處，但並非限於此，亦可構成為設置複數個發送去處設定表，按照負荷水準來選擇發送去處設定表。
另外，在上述中，負荷水準的設定或負荷水準判定是在中繼部275進行，但亦可使該等的工程在第2控制部274、上位裝置500、解析伺服器501等進行。
另外，在基板處理裝置100或基板處理系統1000的維修(保養)的實行中，亦可使用保養用PC502，從中繼部275的記憶裝置讀出蓄積資料。又，亦可從中繼部275發送蓄積資料至上位裝置500、解析伺服器501等。
以上，具體地說明本案的一實施形態，但本案是不被限定於上述的實施形態，可在不脫離其主旨的範圍實施各種變更。
又，上述是記述有關半導體裝置的製造工程，但實施形態的發明是在半導體裝置的製造工程以外也可適用。例如，有液晶裝置的製造工程、太陽電池的製造工程、發光裝置的製造工程、玻璃基板的處理工程、陶瓷基板的處理工程、導電性基板的處理工程等的基板處理。
又，上述是顯示使用含矽氣體作為原料氣體，使用含氮氣體作為反應氣體，形成矽氮化膜的例子，但在使用其他的氣體的成膜也可適用。例如，有含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜及含有複數該等的元素的膜等。另外，該等的膜是例如有AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。
又，上述中，顯示在一個處理室處理一片基板的裝置構成，但並非限於此，亦可為將複數片的基板排列於水平方向或垂直方向的裝置。
100:基板處理裝置 200:晶圓(基板) 260:第1控制部 274:第2控制部(操作部) 280:第3控制部
[圖1]是基板處理系統的網路的概略構成圖。
[圖2]是基板處理系統的概略構成圖。
[圖3]是基板處理裝置的概略構成圖。
[圖4]是說明氣體供給部的圖。
[圖5]是控制器的概略構成圖。
[圖6]是每個資料類別的重要度設定表的例子。
[圖7]是每個資料類別的插進可否設定表的例子。
[圖8]是資料類別･重要度與每個負荷水準的發送間隔的設定表的例子。
[圖9]是每個資料類別的發送去處設定表例子。
[圖10]是每個資料類別的發送去處設定表例子。
[圖11]是基板處理的流程圖例。
[圖12]是根據負荷資料的發送間隔變更處理的流程圖例。
100a,100b,100c,100d:基板處理裝置
260a,260b,260c,260d:第1控制部
268:系統內網路
274:第2控制部(操作部)
275:中繼部
280a,280b,280c,280d:第3控制部
285a,285b,285c,285d:資料收發訊號部
500:上位裝置
501:解析伺服器
502:保養用PC
1000:基板處理系統

Claims (26)

  1. 一種基板處理系統，其特徵係具有：處理基板的複數的基板處理裝置；分別被設在前述複數的基板處理裝置，控制前述基板處理裝置的第1控制部；從前述第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從前述中繼部接收前述資料的第2控制部，前述中繼部，係被構成為變更每個前述資料的種類與每個前述第1控制部的任一方或雙方的往前述第2控制部的資料的發送間隔，使來自前述第1控制部的接收間隔與往前述第2控制部的發送間隔不同。
  2. 如請求項1記載的基板處理系統，其中，前述中繼部，係被構成為以預定間隔來接收前述複數種類的資料，根據前述第2控制部的負荷水準及前述中繼部與前述第2控制部之間的網路負荷水準的任一方或雙方的水準，按每個前述資料的種類，變更發送間隔來將前述資料發送至前述第2控制部。
  3. 如請求項2記載的基板處理系統，其中，前述第2控制部的負荷水準及前述網路負荷水準的任一方或雙方的水準，係以前述中繼部及前述第2控制部的任一方或雙方來判定。
  4. 一種基板處理系統，其特徵係具有： 處理基板的複數的基板處理裝置；分別被設在前述複數的基板處理裝置，控制前述基板處理裝置的第1控制部；從前述第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從前述中繼部接收前述資料的第2控制部，前述中繼部，係根據複數種類的前述資料之中，資料的重要度資料，來變更往前述第2控制部的資料的發送間隔。
  5. 一種基板處理系統，其特徵係具有：處理基板的複數的基板處理裝置；分別被設在前述複數的基板處理裝置，控制前述基板處理裝置的第1控制部；從前述第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從前述中繼部接收前述資料的第2控制部，前述中繼部，係被構成為以前述資料的種類為基礎，將資料發送至前述第2控制部及其他的控制部的各者。
  6. 如請求項1記載的基板處理系統，其中，前述中繼部，係被構成為記錄接收後的複數種類的前述資料。
  7. 如請求項6記載的基板處理系統，其中，前述中繼部，係被構成為負荷水準成為規定值內之後發送前述記錄的資料。
  8. 一種基板處理系統，其特徵係具有：處理基板的複數的基板處理裝置； 分別被設在前述複數的基板處理裝置，控制前述基板處理裝置的第1控制部；從前述第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從前述中繼部接收前述資料的第2控制部，前述第2控制部，係被構成為具有表資料，該表資料係記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處，根據前述表資料來更新前述第1控制部的發送去處設定。
  9. 一種基板處理系統，其特徵係具有：處理基板的複數的基板處理裝置；分別被設在前述複數的基板處理裝置，控制前述基板處理裝置的第1控制部；從前述第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從前述中繼部接收前述資料的第2控制部，前述中繼部，係被構成為以預定間隔來接收前述複數種類的資料，根據前述第2控制部的負荷水準及前述中繼部與前述第2控制部之間的網路負荷水準的任一方或雙方的水準，按每個前述資料的種類，變更發送間隔來將前述資料發送至前述第2控制部，又，前述第2控制部，係被構成為具有複數個表資料，該表資料係記錄有前述資料的種類及前述第1控制部 所發送的資料的發送去處，根據前述負荷水準來選擇前述表資料。
  10. 一種基板處理系統，其特徵係具有：處理基板的複數的基板處理裝置；分別被設在前述複數的基板處理裝置，控制前述基板處理裝置的第1控制部；從前述第1控制部接收複數種類的資料的中繼部；及從前述中繼部接收前述資料的第2控制部，前述第2控制部，係被構成為具有表資料，該表資料係記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處，可變更前述表資料。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在複數的基板處理裝置的各者處理基板之工程；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之工程；及從前述中繼部往第2控制部發送前述資料時，變更每個前述資料的種類及每個前述第1控制部的任一方或雙方的發送間隔，調整為來自前述第1控制部的接收間隔與往前述第2控制部的發送間隔不同而發送之工程。
  12. 如請求項11記載的半導體裝置的製造方法，其中，前述中繼部，係具有：以預定間隔來接收前述複數種類的資料， 根據前述第2控制部的負荷水準及前述中繼部與前述第2控制部之間的網路負荷水準的任一方或雙方的水準，按每個前述資料的種類，變更發送間隔而將前述資料發送至前述第2控制部之工程。
  13. 如請求項12記載的半導體裝置的製造方法，其中，具有：以前述中繼部及前述第2控制部的任一方或雙方判定前述第2控制部的負荷水準及前述網路負荷水準的任一方或雙方的水準之工程。
  14. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在複數的基板處理裝置的各者處理基板之工程；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之工程；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之工程；及根據從前述第1控制部接收的複數種類的前述資料之中，資料的重要度資料，調整從前述中繼部往前述第2控制部的資料的發送間隔而發送之工程。
  15. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在複數的基板處理裝置的各者處理基板之工程；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之工程； 第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之工程；及以從前述第1控制部接收的前述資料的種類為基礎，從前述中繼部發送前述資料至前述第2控制部及其他的控制部的各者。
  16. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在複數的基板處理裝置的各者處理基板之工程；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之工程；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之工程；及根據記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處之表資料，前述第2控制部進行前述第1控制部的發送去處設定的更新之工程。
  17. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在複數的基板處理裝置的各者處理基板之工程；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之工程；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之工程；根據前述第2控制部的負荷水準及前述中繼部與前述第2控制部之間的網路負荷水準的任一方或雙方的負荷水 準，按每個前述資料的種類，中繼部變更發送間隔而將前述資料發送至前述第2控制部之工程；及從記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處之複數的表資料，根據前述負荷水準，前述第2控制部選擇前述表資料之工程。
  18. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：在複數的基板處理裝置的各者處理基板之工程；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之工程；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之工程；及保持記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處之複數的表資料的前述第2控制部變更前述表資料之工程。
  19. 一種基板處理用的電腦程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置，在複數的基板處理裝置的各者使基板處理之程序；使中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之程序；及從前述中繼部往第2控制部發送前述資料時，變更每個前述資料的種類及每個前述第1控制部的任一方或雙方的發送間隔，調整為來自前述第1控制部的接收間隔與往前述第2控制部的發送間隔不同而發送之程序。
  20. 如請求項19記載的基板處理用的電腦程式，其中，前述中繼部，係具有：以預定間隔來接收前述複數種類的資料，根據前述第2控制部的負荷水準及前述中繼部與前述第2控制部之間的網路負荷水準的任一方或雙方的水準，按每個前述資料的種類，變更發送間隔而使前述資料發送至前述第2控制部之程序。
  21. 如請求項20記載的基板處理用的電腦程式，其中，具有：以前述中繼部及前述第2控制部的任一方或雙方判定前述第2控制部的負荷水準及前述網路負荷水準的任一方或雙方的水準之程序。
  22. 一種基板處理用的電腦程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置，在複數的基板處理裝置的各者處理基板之程序；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之程序；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之程序；及根據從前述第1控制部接收的複數種類的前述資料之中，資料的重要度資料，調整從前述中繼部往前述第2控制部的資料的發送間隔而發送之程序。
  23. 一種基板處理用的電腦程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置， 在複數的基板處理裝置的各者處理基板之程序；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之程序；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之程序；及以從前述第1控制部接收的前述資料的種類為基礎，從前述中繼部發送前述資料至前述第2控制部及其他的控制部的各者。
  24. 一種基板處理用的電腦程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置，在複數的基板處理裝置的各者處理基板之程序；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之程序；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之程序；及根據記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處之表資料，前述第2控制部進行前述第1控制部的發送去處設定的更新之程序。
  25. 一種基板處理用的電腦程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置，在複數的基板處理裝置的各者處理基板之程序；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之程序；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之 程序；根據前述第2控制部的負荷水準及前述中繼部與前述第2控制部之間的網路負荷水準的任一方或雙方的負荷水準，按每個前述資料的種類，中繼部變更發送間隔而將前述資料發送至前述第2控制部之程序；及從記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處之複數的表資料，根據前述負荷水準，前述第2控制部選擇前述表資料之程序。
  26. 一種基板處理用的電腦程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置，在複數的基板處理裝置的各者處理基板之程序；中繼部從被設在前述基板處理裝置的各者之第1控制部接收複數種類的資料之程序；第2控制部從前述中繼部接收前述複數種類的資料之程序；及保持記錄有前述資料的種類及前述第1控制部所發送的資料的發送去處之複數的表資料的前述第2控制部變更前述表資料之程序。
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