JP2021012910A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 192
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 38
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 112
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003855 HfAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003697 SiBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010041 TiAlC Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007875 ZrAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/406—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by monitoring or safety
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/04—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers
- G05B19/042—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers using digital processors
- G05B19/0423—Input/output
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/4185—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the network communication
-
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
- G05B23/02—Electric testing or monitoring
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
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- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
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- G05B2219/00—Program-control systems
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- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
【課題】基板毎の処理均一性の向上させる【解決手段】基板を処理する複数の基板処理装置と、複数の基板処理装置にそれぞれ設けられ基板処理装置を制御する第１制御部と、第１制御部から複数種類のデータを受信する中継部と、中継部からデータを受信する第２制御部と、を有し、中継部は、データの種類毎と第１制御部毎のいずれか又は両方の第２制御部へのデータの送信間隔を変更する技術。【選択図】図１
Description
本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体に関する。
半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置の一態様としては、例えばリアクタを有するモジュールを備えた装置がある（例えば、特許文献１参照）。このような基板処理装置においては、装置稼働情報等をディスプレイ等で構成される入出力装置に表示して、装置管理者が確認し得るようにしている。
本開示は、基板処理装置について効率のよい管理を実現するための技術を提供する。
一態様によれば、
基板を処理する複数の基板処理装置と、複数の基板処理装置にそれぞれ設けられ基板処理装置を制御する第１制御部と、第１制御部から複数種類のデータを受信する中継部と、中継部からデータを受信する第２制御部と、を有し、中継部は、データの種類毎と第１制御部毎のいずれか又は両方の第２制御部へのデータの送信間隔を変更する技術が提供される。
基板を処理する複数の基板処理装置と、複数の基板処理装置にそれぞれ設けられ基板処理装置を制御する第１制御部と、第１制御部から複数種類のデータを受信する中継部と、中継部からデータを受信する第２制御部と、を有し、中継部は、データの種類毎と第１制御部毎のいずれか又は両方の第２制御部へのデータの送信間隔を変更する技術が提供される。
本開示に係る技術によれば、基板処理装置について効率のよい管理を行うことが可能になる。
以下に本開示の実施の形態について説明する。
＜一実施形態＞
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
まず、本開示が解決する課題について記す。複数の基板処理装置を運用する際に、少なくとも以下の課題を生じる場合がある。
（ａ）複数の基板処理装置を一つの操作部で操作する場合に、操作部に多大な負荷を与えることがある。この負荷により、操作部の処理の遅延、処理一時停止、等が生じることがある。なお、この様な現象は、取り扱うデータの量が、各部を接続する信号線のデータの送信速度/受信速度、記憶装置の容量、メモリの容量、各部の演算速度、等よりも多くなった時に発生する。基板処理装置で扱うデータ量は、増大する傾向にあり、単純に各部の性能を上げただけでは、解決できない課題がある。
このような課題に対して、本開示の基板処理システムは、以下に記す様に構成されている。
（１）基板処理システムの構成
一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を、図１、図２、図３、図４、図５を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システムにおけるネットワークの概略構成例を示す図である。図２は基板処理システムの構成例である。図３は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す横断面図である。図４は本実施形態に係る基板処理装置のガス供給系の概略構成図である。図５は、基板処理装置に設けられた各部と第１制御部２６０との接続関係を示す概略構成図である。
（１）基板処理システムの構成
一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を、図１、図２、図３、図４、図５を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システムにおけるネットワークの概略構成例を示す図である。図２は基板処理システムの構成例である。図３は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す横断面図である。図４は本実施形態に係る基板処理装置のガス供給系の概略構成図である。図５は、基板処理装置に設けられた各部と第１制御部２６０との接続関係を示す概略構成図である。
図１において、基板処理システム１０００は、複数の基板処理装置１００（例えば、１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を有する。基板処理装置１００には、それぞれ、第１制御部２６０（２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄ）と、第３制御部２８０（２８０ａ，２８０ｂ，２８０ｃ，２８０ｄ）と、データ送受信部２８５（２８５ａ，２８５ｂ，２８５ｃ，２８５ｄ）を有する。第１制御部２６０は、第３制御部２８０を介して、基板処理装置１００の各部の操作を実行可能に構成される。また、第１制御部２６０は、データ送受信部２８５とデータ送受信部２８５に接続されたシステム内ネットワーク２６８を介して、他の基板処理装置１００の第１制御部２６０や第２制御部（操作部）２７４、中継部２７５、等と送受信可能に構成される。第３制御部２８０は、基板処理装置１００に設けられた各部の動作を制御可能に構成される。第１制御部２６０と第３制御部２８０とデータ送受信部２８５はそれぞれ相互に通信可能に構成される。
次に、基板処理システム１０００の概略構成について、図２を用いて説明する。
（２）基板処理システムの構成
基板処理システム１０００は、少なくとも、基板処理装置１００（例えば、１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を有する。また、基板処理システム１０００は、図２に示す様に、ＩＯステージ１００１、大気搬送室１００３、ロードロック（Ｌ／Ｌ）１００４、真空搬送室１００６、等を有していても良い。以下にこれらの構成についてそれぞれ説明する。なお、図２の説明においては、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
（２）基板処理システムの構成
基板処理システム１０００は、少なくとも、基板処理装置１００（例えば、１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を有する。また、基板処理システム１０００は、図２に示す様に、ＩＯステージ１００１、大気搬送室１００３、ロードロック（Ｌ／Ｌ）１００４、真空搬送室１００６、等を有していても良い。以下にこれらの構成についてそれぞれ説明する。なお、図２の説明においては、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
（大気搬送室・ＩＯステージ）
基板処理システム１０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１００１が設置されている。ＩＯステージ１００１上には複数のポッド１００２が搭載されている。ポッド１００２は基板２００を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド１００２内には、未処理の基板２００や処理済の基板２００がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。
基板処理システム１０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１００１が設置されている。ＩＯステージ１００１上には複数のポッド１００２が搭載されている。ポッド１００２は基板２００を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド１００２内には、未処理の基板２００や処理済の基板２００がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。
ポッド１００２はポッドを搬送する搬送ロボット（不図示）によって、ＩＯステージ１００１に搬送される。
ＩＯステージ１００１は大気搬送室１００３に隣接する。大気搬送室１００３は、ＩＯステージ１００１と異なる面に、後述するロードロック室１００４が連結される。
大気搬送室１００３内には基板２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット１００５が設置されている。
（ロードロック（Ｌ／Ｌ）室）
ロードロック室１００４は大気搬送室１００３に隣接する。Ｌ／Ｌ室１００４内の圧力は、大気搬送室１００３の圧力と真空搬送室１００６の圧力に合わせて変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。
ロードロック室１００４は大気搬送室１００３に隣接する。Ｌ／Ｌ室１００４内の圧力は、大気搬送室１００３の圧力と真空搬送室１００６の圧力に合わせて変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。
（真空搬送室）
複数の基板処理装置１００のそれぞれは、負圧下で基板２００が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール：ＴＭ）１００６を備えている。ＴＭ１００６を構成する筐体１００７は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、Ｌ／Ｌ室１００４及び基板２００を処理する基板処理装置１００が連結されている。ＴＭ１００６の略中央部には、負圧下で基板２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット１００８が設置されている。なお、ここでは、真空搬送室１００６を五角形の例を示すが、四角形や六角形などの多角形であっても良い。
複数の基板処理装置１００のそれぞれは、負圧下で基板２００が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール：ＴＭ）１００６を備えている。ＴＭ１００６を構成する筐体１００７は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、Ｌ／Ｌ室１００４及び基板２００を処理する基板処理装置１００が連結されている。ＴＭ１００６の略中央部には、負圧下で基板２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット１００８が設置されている。なお、ここでは、真空搬送室１００６を五角形の例を示すが、四角形や六角形などの多角形であっても良い。
ＴＭ１００６内に設置される真空搬送ロボット１００８は、独立して動作が可能な二つのアーム１００９と１０１０を有する。真空搬送ロボット１００８は、上述のコントローラ２６０により制御される。
ゲートバルブ（ＧＶ）１４９は、図２に示されているように、基板処理装置１００毎に設けられる。具体的には、基板処理装置１００ａとＴＭ１００６との間にはゲートバルブ１４９ａが、基板処理装置１００ｂとの間にはＧＶ１４９ｂが設けられる。基板処理装置１００ｃとの間にはＧＶ１４９ｃが、基板処理装置１００ｄとの間にはＧＶ１４９ｄが設けられる。
各ＧＶ１４９によって解放・閉鎖することで、各基板処理装置１００に設けられた基板搬入出口１４８０を介した基板２００の出し入れを可能とする。
次に、基板処理装置１００の概略構成について、図３を用いて説明する。
（３）基板処理装置の構成
基板処理装置１００は、例えば、基板２００に絶縁膜を形成するユニットであり、図３に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。ここでは、基板処理装置１００ａ（１００）について説明する。他の基板処理装置１００ｂ，１００ｃ，１００ｄについては同様の構成のため説明を省略する。基板処理装置１００に設けられる各部は、基板２００を処理する処理遂行部の一つとして構成される。
（３）基板処理装置の構成
基板処理装置１００は、例えば、基板２００に絶縁膜を形成するユニットであり、図３に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。ここでは、基板処理装置１００ａ（１００）について説明する。他の基板処理装置１００ｂ，１００ｃ，１００ｄについては同様の構成のため説明を省略する。基板処理装置１００に設けられる各部は、基板２００を処理する処理遂行部の一つとして構成される。
図３に示すとおり、基板処理装置１００は処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば水平断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコンウエハ等の基板２００を処理する処理室２０１と、移載室２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切部２０４が設けられる。上部容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切部２０４よりも上方の空間を処理室２０１と呼ぶ。また、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、ゲートバルブ１４９付近を移載室２０３と呼ぶ。
下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、基板２００は基板搬入出口１４８０を介して図示しない搬送室と移載室２０３との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。
処理室２０１内には、基板２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、基板２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ載置台２１２、加熱部としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。また、基板載置台２１２には、基板２００や処理室２０１にバイアスを印加するバイアス電極２５６が設けられていても良い。ここで、ヒータ２１３には、温度制御部４００が接続され、温度制御部４００によってヒータ２１３の温度が制御される。なお、ヒータ２１３の温度情報は、温度制御部４００から第３制御部２８０に送信可能に構成される。また、バイアス電極２５６は、バイアス調整部２５７に接続され、バイアス調整部２５７によって、バイアスが調整可能に構成される。また、バイアス調整部２５７は、第３制御部２８０との間でバイアスデータを送受信可能に構成される。
基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、更には処理容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。昇降部２１８を作動させてシャフト２１７及び支持台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。なお、昇降部２１８は、第３制御部２８０との間で、基板載置台２１２の高さデータ（位置データ）を送受信可能に構成されていても良い。なお、基板載置台２１２の位置は、少なくとも２つ以上設定可能に構成される。例えば、第１処理位置と第２処理位置である。なお、第１処理位置や第２処理位置は、それぞれ調整可能に構成されている。
基板載置台２１２は、基板２００の搬送時には、ウエハ移載位置に移動し、基板２００の第１処理時には図３の実線で示した第１処理位置（ウエハ処理位置）に移動する。また、第２処理時には、図３の破線で示した第２処理位置に移動する。なお、ウエハ移載位置は、リフトピン２０７の上端が、基板載置面２１１の上面から突出する位置である。
具体的には、基板載置台２１２をウエハ移載位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１が基板２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、基板２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。
（排気系）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の側面側には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての第１排気口２２１が設けられている。第１排気口２２１には排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２７と真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、第１排気口２２１、排気管２２４ａ、圧力調整器２２７により第一の排気系（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３も第一の排気系の構成としても良い。また、移載室２０３の側面側には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気口１４８１が設けられている。また、第２排気口１４８１には排気管１４８が設けられている。排気管１４８には、圧力調整器２２８が設けられ、移載室２０３内の圧力を所定の圧力に排気可能に構成されている。また、移載室２０３を介して処理室２０１内の雰囲気を排気することもできる。また、圧力調整器２２７は、圧力データや、弁開度のデータを第３制御部２８０と送受信可能に構成される。また、真空ポンプ２２３は、ポンプのＯＮ／ＯＦＦデータや負荷データ等を第３制御部２８０に送信可能に構成される。
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の側面側には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての第１排気口２２１が設けられている。第１排気口２２１には排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２７と真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、第１排気口２２１、排気管２２４ａ、圧力調整器２２７により第一の排気系（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３も第一の排気系の構成としても良い。また、移載室２０３の側面側には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気口１４８１が設けられている。また、第２排気口１４８１には排気管１４８が設けられている。排気管１４８には、圧力調整器２２８が設けられ、移載室２０３内の圧力を所定の圧力に排気可能に構成されている。また、移載室２０３を介して処理室２０１内の雰囲気を排気することもできる。また、圧力調整器２２７は、圧力データや、弁開度のデータを第３制御部２８０と送受信可能に構成される。また、真空ポンプ２２３は、ポンプのＯＮ／ＯＦＦデータや負荷データ等を第３制御部２８０に送信可能に構成される。
（ガス導入口）
処理室２０１の上部に設けられるシャワーヘッド２３４の上面（天井壁）には、蓋２３１が設けられている。蓋２３１には処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス供給部であるガス導入口２４１に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。
処理室２０１の上部に設けられるシャワーヘッド２３４の上面（天井壁）には、蓋２３１が設けられている。蓋２３１には処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス供給部であるガス導入口２４１に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。
（ガス分散ユニット）
ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４は、バッファ室２３２、分散板２４４ａを有する。なお、分散板２４４ａは、第１活性化部としての第１電極２４４ｂとして構成されていても良い。分散板２４４ａには、ガスを基板２００に分散供給する孔２３４ａが複数設けられている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３４のバッファ室２３２（分散部とも呼ぶ。）に供給され、孔２３４ａを介して処理室２０１に供給される。
ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４は、バッファ室２３２、分散板２４４ａを有する。なお、分散板２４４ａは、第１活性化部としての第１電極２４４ｂとして構成されていても良い。分散板２４４ａには、ガスを基板２００に分散供給する孔２３４ａが複数設けられている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３４のバッファ室２３２（分散部とも呼ぶ。）に供給され、孔２３４ａを介して処理室２０１に供給される。
なお、分散板２４４ａを第１電極２４４ｂとして構成した場合は、第１電極２４４ｂは、導電性の金属で構成され、処理室２０１内のガスを励起するための活性化部（励起部）の一部として構成される。第１電極２４４ｂには、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。なお、蓋２３１を導電性部材で構成する際には、蓋２３１と第１電極２４４ｂとの間に絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と第１電極部２４４ｂの間を絶縁する構成となる。
（活性化部（プラズマ生成部））
活性化部としての第１電極２４４ｂが設けられている場合の構成について説明する。活性化部としての第１電極２４４ｂには、整合器２５１と高周波電源部２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。これにより、処理室２０１内に供給されたガスを活性化させることができる。また、第１電極２４４ｂは、容量結合型のプラズマを生成可能に構成される。具体的には、第１電極２４４ｂは、導電性の板状に形成され、上部容器２０２ａに支持されるように構成される。活性化部は、少なくとも第１電極２４４ｂ、整合器２５１、高周波電源部２５２で構成される。なお、第１電極２４４ｂと高周波電源２５２との間に、インピーダンス計２５４を設けても良い。インピーダンス計２５４を設けることによって、測定されたインピーダンスに基づいて、整合器２５１、高周波電源２５２をフィードバック制御することができる。また、高周波電源２５２は、電力データを第３制御部２８０と送受信可能に構成され、整合器２５１は、整合データ（進行波データ、反射波データ）を第３制御部２８０と送受信可能に構成され、インピーダンス計２５４は、インピーダンスデータを第３制御部２８０と送受信可能に構成される。
活性化部としての第１電極２４４ｂが設けられている場合の構成について説明する。活性化部としての第１電極２４４ｂには、整合器２５１と高周波電源部２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。これにより、処理室２０１内に供給されたガスを活性化させることができる。また、第１電極２４４ｂは、容量結合型のプラズマを生成可能に構成される。具体的には、第１電極２４４ｂは、導電性の板状に形成され、上部容器２０２ａに支持されるように構成される。活性化部は、少なくとも第１電極２４４ｂ、整合器２５１、高周波電源部２５２で構成される。なお、第１電極２４４ｂと高周波電源２５２との間に、インピーダンス計２５４を設けても良い。インピーダンス計２５４を設けることによって、測定されたインピーダンスに基づいて、整合器２５１、高周波電源２５２をフィードバック制御することができる。また、高周波電源２５２は、電力データを第３制御部２８０と送受信可能に構成され、整合器２５１は、整合データ（進行波データ、反射波データ）を第３制御部２８０と送受信可能に構成され、インピーダンス計２５４は、インピーダンスデータを第３制御部２８０と送受信可能に構成される。
（供給系）
ガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２は、管の内部で連通しており、共通ガス供給管２４２から供給されるガスは、ガス導入口２４１を介してシャワーヘッド２３４内に供給される。
ガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２は、管の内部で連通しており、共通ガス供給管２４２から供給されるガスは、ガス導入口２４１を介してシャワーヘッド２３４内に供給される。
共通ガス供給管２４２には、図４に示す、ガス供給部が接続される。ガス供給部は、第１ガス供給管１１３ａ、第２ガス供給管１２３ａ、第３ガス供給管１３３ａが接続されている。
第１ガス供給管１１３ａを含む第１ガス供給部からは第１元素含有ガス（第１処理ガス）が主に供給される。また、第２ガス供給管１２３ａを含む第２ガス供給部からは主に第２元素含有ガス（第２処理ガス）が供給される。また、第３ガス供給管１３３ａを含む第３ガス供給部からは主に第３元素含有ガスが供給される。
（第１ガス供給部）
第１ガス供給管１１３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源１１３、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５、及び開閉弁であるバルブ１１６が設けられている。
第１ガス供給管１１３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源１１３、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５、及び開閉弁であるバルブ１１６が設けられている。
第１ガス供給管１１３ａから、第１元素含有ガスが、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。
第１元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第１元素含有ガスはシリコン（Ｓｉ）を含むガスであり、例えば、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ２、略称：ＨＣＤＳ）、等のガスである。
第１ガス供給部は、主に、第１ガス供給管１１３ａ、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６により構成される。
更には、第１ガス供給源１１３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ａのいずれか若しくは両方を第１ガス供給部に含めて考えてもよい。
（第２ガス供給部）
第２ガス供給管１２３ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源１２３、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６が設けられている。
第２ガス供給管１２３ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源１２３、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６が設けられている。
第２ガス供給管１２３ａからは、第２元素含有ガスが、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３４内に供給される。
第２元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第２元素含有ガスは窒素（Ｎ）を含むガスであり、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスや、窒素（Ｎ２）ガス等のガスである。
第２ガス供給部は、主に、第２ガス供給管１２３ａ、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６で構成される。
更には、第２ガス供給源１２３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ｂのいずれか若しくは両方を第２ガス供給部に含めて考えてもよい。
（第３ガス供給部）
第３ガス供給管１３３ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源１３３、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６が設けられている。
第３ガス供給管１３３ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源１３３、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６が設けられている。
第３ガス供給管１３３ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。
不活性ガスは、第１ガスと反応し難いガスである。不活性ガスは例えば、窒窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、等のガスである。
第３ガス供給部は、主に、第３ガス供給管１３３ａ、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６で構成される。
ここで、第１ガス供給部、第２ガス供給部、第３ガス供給部のそれぞれを構成するＭＦＣ、バルブは第３制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。ＭＦＣ：流量データ、バルブ：開度データ。なお、第１ガス供給部や、第２ガス供給部に気化器、ＲＰＵを含めて構成しても良い。気化器やＲＰＵも第３制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。気化器：気化量データ、ＲＰＵ：電力データ。
（制御部）
次に、制御部について説明する。図１、図５に示すように基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部としての第１制御部２６０と第３制御部２８０を有している。
次に、制御部について説明する。図１、図５に示すように基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部としての第１制御部２６０と第３制御部２８０を有している。
コントローラの概略構成図を図５に示す。
（第１制御部）
第１制御部２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２６１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２６２、記憶装置２６３、Ｉ／Ｏポート２６４を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６２、記憶装置２６３、Ｉ／Ｏポート２６４は、内部バス２６５を介して、ＣＰＵ２６１とデータ交換可能なように構成されている。なお、内部バス２６５には、送受信部２８５，外部記憶装置２６７，入出力装置２６９等が接続されている。これらの送受信部２８５，外部記憶装置２６７，入出力装置２６９の少なくともいずれかを、第１制御部２６０の構成に含めても良い。
第１制御部２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２６１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２６２、記憶装置２６３、Ｉ／Ｏポート２６４を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６２、記憶装置２６３、Ｉ／Ｏポート２６４は、内部バス２６５を介して、ＣＰＵ２６１とデータ交換可能なように構成されている。なお、内部バス２６５には、送受信部２８５，外部記憶装置２６７，入出力装置２６９等が接続されている。これらの送受信部２８５，外部記憶装置２６７，入出力装置２６９の少なくともいずれかを、第１制御部２６０の構成に含めても良い。
記憶装置２６３は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６３には、装置データが読み出し可能に記録されている。
装置データは、以下のデータ種別のデータの内、少なくともいずれかを含む。例えば、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ、基板２００への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ、スケジュールデータ、プロセスデータ、負荷データ（稼働データ）、定期点検データ、装置接続データ、内部接続データ、ウエハ２００データ、アラームデータ、データ種別（種類）毎の重要度テーブルデータ、データ種別毎の割り込み可否テーブルデータ、送信間隔テーブルデータ、送信先設定テーブルデータ等である。
なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順を第１制御部２６０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム、上述のデータ、等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
ここで、負荷データとは、第１制御部２６０に設けられたＣＰＵ２６１，ＲＡＭ２６２，記憶装置２６３の少なくともいずれかの負荷状態，エラー発生数，稼働時間，温度、各ネットワーク帯域データ、等の少なくともいずれかのデータである。なお、負荷データは、第１制御部２６０の他に、第２制御部２７４や、中継部２７５、第３制御部２８０、等が有する同種のデータで構成しても良い。
ネットワーク帯域データは、システム内ネットワーク２６８の帯域占有率を示すデータや、データ送受信部２８５の送信速度データ、第２制御部２７４の送信速度データ、第２制御部２７４の受信速度データ、中継部２７５の送信速度データ、中継部２７５の受信速度データ、等の、少なくともいずれかを含む。
プロセスデータは、処理室２０１内に供給されるガス流量データ、処理室２０１内の圧力データ、基板載置台２１０（ヒータ２１３）の温度データ、圧力調整器２２７の弁開度、等のデータである。
ウエハ２００データは、基板処理装置１００に搬送されるウエハ２００に付随するデータである。
スケジュールデータは、基板２００の処理スケジュールを示すデータである。
次に各テーブルデータについて、図６〜図１０を基に説明する。
（重要度テーブルデータ）
データ種別毎の重要度テーブルデータは、図６に示すテーブルであり、データ種別毎の重要度が設定されたテーブルデータである。図６では、重要度を１，２，３，・・・Ｎ（Ｎは自然数）で表し、重要度は、自然数の小さい値が重要度高と設定されている。例えば、アラームデータや、プロセスデータ、等の、装置の稼働や、基板処理に影響のあるデータ種別は重要度高と設定されている。装置稼働データ、定期点検データ、等、常時確認する必要の無いデータ種別は、重要度低として設定される。なお、この重要度は、基板処理装置のユーザーや、基板処理システムのユーザーにより適宜設定変更が可能に構成される。
データ種別毎の重要度テーブルデータは、図６に示すテーブルであり、データ種別毎の重要度が設定されたテーブルデータである。図６では、重要度を１，２，３，・・・Ｎ（Ｎは自然数）で表し、重要度は、自然数の小さい値が重要度高と設定されている。例えば、アラームデータや、プロセスデータ、等の、装置の稼働や、基板処理に影響のあるデータ種別は重要度高と設定されている。装置稼働データ、定期点検データ、等、常時確認する必要の無いデータ種別は、重要度低として設定される。なお、この重要度は、基板処理装置のユーザーや、基板処理システムのユーザーにより適宜設定変更が可能に構成される。
（割り込み可否テーブルデータ）
データ種別毎の割り込み可否テーブルデータは、図７に示すテーブルであり、データ種別毎に、割り込み可否が設定テーブルデータである。割り込み可否テーブルデータは、データ種別毎に、割り込み可否（Ｙｅｓ／Ｎｏ）が設定されている。ここで、各データは、所定の送信間隔によって送信されている。例えば、装置稼働データについて割り込み可能（Ｙｅｓ）が設定されている場合について説明する。この場合、装置稼働データを所定間隔で送信している途中で、アラームデータが生成された時は、装置稼働データの送信を一時停止し、アラームデータの送信を優先的に行わせる。即ち、装置稼働データの送信途中で、アラームデータの送信を割り込ませる処理を行う。割り込み可否が不可（Ｎｏ）に設定されている場合は、この様な送信の一時停止を行わない。なお、ここでは、データ種別毎に割り込み可否を設定しているが、データの重要度毎に割り込み可否を設定しても良い。
データ種別毎の割り込み可否テーブルデータは、図７に示すテーブルであり、データ種別毎に、割り込み可否が設定テーブルデータである。割り込み可否テーブルデータは、データ種別毎に、割り込み可否（Ｙｅｓ／Ｎｏ）が設定されている。ここで、各データは、所定の送信間隔によって送信されている。例えば、装置稼働データについて割り込み可能（Ｙｅｓ）が設定されている場合について説明する。この場合、装置稼働データを所定間隔で送信している途中で、アラームデータが生成された時は、装置稼働データの送信を一時停止し、アラームデータの送信を優先的に行わせる。即ち、装置稼働データの送信途中で、アラームデータの送信を割り込ませる処理を行う。割り込み可否が不可（Ｎｏ）に設定されている場合は、この様な送信の一時停止を行わない。なお、ここでは、データ種別毎に割り込み可否を設定しているが、データの重要度毎に割り込み可否を設定しても良い。
（送信間隔テーブルデータ）
送信間隔テーブルデータは、図８に示すテーブルであり、データ種別（データの重要度）毎に、負荷レベル毎に送信間隔が設定されたテーブルである。送信間隔は、データ種別（データ重要度）、負荷レベルの少なくともいずれかに設定される。図８では、データ種別と負荷レベルの両方で設定したテーブルを示している。図８では送信間隔は、１，２，３・・・Ｘ（Ｘは自然数）で設定されている。Ｘは小さい程、送信間隔が狭く、Ｘが大きい程、送信間隔が広く設定される。ここで、送信間隔が狭いとは、リアルタイム通信に近いことを意味する。例えば、アラームデータ（重要度１）には、負荷レベルに関係無く、送信間隔が「１」に設定されている。この様に、重要度の高いデータを負荷レベルに関係無く、常に同じ間隔で送信される。例えば、定期点検データ（重要度４）では、負荷レベルに応じて、送信間隔が変化する様に設定されている。なお、この送信間隔は、基板処理装置１００のユーザーや、基板処理システム１０００のユーザーが設定可能に構成されていても良い。ユーザーが設定可能に構成されている場合、操作部２７４や、入出力装置２６９は、このテーブルを表示可能に構成される。
送信間隔テーブルデータは、図８に示すテーブルであり、データ種別（データの重要度）毎に、負荷レベル毎に送信間隔が設定されたテーブルである。送信間隔は、データ種別（データ重要度）、負荷レベルの少なくともいずれかに設定される。図８では、データ種別と負荷レベルの両方で設定したテーブルを示している。図８では送信間隔は、１，２，３・・・Ｘ（Ｘは自然数）で設定されている。Ｘは小さい程、送信間隔が狭く、Ｘが大きい程、送信間隔が広く設定される。ここで、送信間隔が狭いとは、リアルタイム通信に近いことを意味する。例えば、アラームデータ（重要度１）には、負荷レベルに関係無く、送信間隔が「１」に設定されている。この様に、重要度の高いデータを負荷レベルに関係無く、常に同じ間隔で送信される。例えば、定期点検データ（重要度４）では、負荷レベルに応じて、送信間隔が変化する様に設定されている。なお、この送信間隔は、基板処理装置１００のユーザーや、基板処理システム１０００のユーザーが設定可能に構成されていても良い。ユーザーが設定可能に構成されている場合、操作部２７４や、入出力装置２６９は、このテーブルを表示可能に構成される。
ここで、負荷レベルは、上述の負荷データに基づいて設定される。負荷データが、ＣＰＵ２６１の負荷状態データを含む場合、例えば、以下の様に負荷レベルが設定される。負荷データが０〜２５％が負荷レベル１と設定される。負荷データが２６〜５０％の場合、負荷レベル２と設定される。負荷データが５１〜７５％の場合、負荷レベル３と設定される。負荷データが７６〜１００％の場合、負荷レベル４と設定される。この様に、負荷データの割合に応じて、負荷レベルが設定される。負荷データは、上述の様に、
（送信先設定テーブルデータ）
送信先設定テーブルデータは、図９、図１０に示すテーブルであり、データ種別毎に、送信先が設定されたテーブルである。図９の送信先設定テーブルは、第１制御部２６０が送信するデータ種別毎の送信先を設定したテーブルである。図１０に示す送信先設定テーブルは、中継部２７５が送信するデータ種ベル毎の送信先を設定したテーブルである。第１制御部２６０や第３制御部２８０が有する各種データは、操作部２７４や中継部２７５に送信される。中継部２７５が有する各種データは、操作部２７４や上位装置５００、解析サーバー５０１等に送信される。ここで、送信される送信経路は、複数存在する場合がある。送信経路のネットワーク５０３の負荷や、各制御部の送受信部の負荷状態によっては、送信先を異ならせることで、負荷を分散させても良い。送信経路（送信先）は、送信先設定テーブルによって決定される。例えば、図９では、アラームデータやプロセスデータ等の重要度が高いデータについては、送信先１（操作部２７４）と送信先２（中継部２７５）の両方に送信し、比較的重要度が低いデータである、装置稼働データや定期点検データは、負荷が集中する送信先１（操作部２７４）に送信せず、送信先２（中継部２７５）に送信する様に設定する。この様に設定することで、操作部２７４への負荷の集中を抑制することが可能となる。また、図１０に示す様に、中継部２７５から送信されるデータについてもデータの重要度や、送信先でのデータの使用に応じて送信先を設定しても良い。
送信先設定テーブルデータは、図９、図１０に示すテーブルであり、データ種別毎に、送信先が設定されたテーブルである。図９の送信先設定テーブルは、第１制御部２６０が送信するデータ種別毎の送信先を設定したテーブルである。図１０に示す送信先設定テーブルは、中継部２７５が送信するデータ種ベル毎の送信先を設定したテーブルである。第１制御部２６０や第３制御部２８０が有する各種データは、操作部２７４や中継部２７５に送信される。中継部２７５が有する各種データは、操作部２７４や上位装置５００、解析サーバー５０１等に送信される。ここで、送信される送信経路は、複数存在する場合がある。送信経路のネットワーク５０３の負荷や、各制御部の送受信部の負荷状態によっては、送信先を異ならせることで、負荷を分散させても良い。送信経路（送信先）は、送信先設定テーブルによって決定される。例えば、図９では、アラームデータやプロセスデータ等の重要度が高いデータについては、送信先１（操作部２７４）と送信先２（中継部２７５）の両方に送信し、比較的重要度が低いデータである、装置稼働データや定期点検データは、負荷が集中する送信先１（操作部２７４）に送信せず、送信先２（中継部２７５）に送信する様に設定する。この様に設定することで、操作部２７４への負荷の集中を抑制することが可能となる。また、図１０に示す様に、中継部２７５から送信されるデータについてもデータの重要度や、送信先でのデータの使用に応じて送信先を設定しても良い。
各データや各テーブルは、各制御部の記憶装置に記録されている。好ましくは、同様の内容を示す画面を操作部２７４や、入出力装置２６９に報知可能に構成されている。ここで、報知とは、画面に表示することや、送信を意味する。なお、画面で表示可能に構成されている場合、各テーブルは、画面上で、各テーブルのデータを書き換え可能に構成される。各制御部は、各テーブルデータの設定に基づき、各制御部が有する送受信部を制御する。なお、各テーブルは、上位装置（ＨＯＳＴ）５００や、解析サーバー５０１から、受信することによって取得しても良い。
演算部としてのＣＰＵ２６１は、記憶装置２６３からの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２６９からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６３からプロセスレシピを読み出すように構成されている。また、送受信部２８５から入力された設定値と、記憶装置２６３に記憶されたプロセスレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（プロセスレシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。演算データは、内部バス２６５，Ｉ／Ｏポート２６４，送受信部２８５の少なくともいずれかを介して、後述の第３制御部２８０に送受信される。各部の制御を行う際は、ＣＰＵ２６１内の送受信部が、プロセスレシピの内容に沿った制御情報を送信／受信することで制御する。
ＲＡＭ２６２は、ＣＰＵ２６１によって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等のデータが一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
Ｉ／Ｏポート２６４は、後述の第３制御部２８０に接続される。
入出力装置２６９は、ディスプレイや、タッチパネルとして構成される表示部を有する。
送受信部２８５は、システム内ネットワーク２６８を介して、操作部２７４と通信可能に構成され、中継部２７５は、操作部２７４と送受信部２８５との間に設けられる。
（第２制御部（操作部））
第２制御部（操作部）２７４は、基板処理システム１０００を操作する操作部として構成されている。また、第２制御部２７４は、基板処理システム１０００が有する基板処理装置１００をそれぞれ制御可能に構成される。また、第２制御部２７４は、ネットワーク５０３を介して上位装置（ＨＯＳＴ）５００や解析サーバー５０１と、第１制御部２６０と第３制御部２８０のいずれか又は両方と通信可能に構成される。また、保守用ＰＣ５０２と接続可能に構成されていても良い。
第２制御部（操作部）２７４は、基板処理システム１０００を操作する操作部として構成されている。また、第２制御部２７４は、基板処理システム１０００が有する基板処理装置１００をそれぞれ制御可能に構成される。また、第２制御部２７４は、ネットワーク５０３を介して上位装置（ＨＯＳＴ）５００や解析サーバー５０１と、第１制御部２６０と第３制御部２８０のいずれか又は両方と通信可能に構成される。また、保守用ＰＣ５０２と接続可能に構成されていても良い。
（第３制御部）
第３制御部２８０は、基板処理装置の各部（処理遂行部）に接続され、各部の情報（データ）を収集可能に構成されている。例えば、ゲートバルブ１４９、昇降部２１８、温度制御部４００、圧力調整器２２７，２２８、真空ポンプ２２３、整合器２５１、高周波電源部２５２、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、バルブ１１６，１２６，１３６、バイアス制御部２５７、等に接続されている。また、インピーダンス計２５４、ＲＰＵ１８０、等にも接続されていても良い。また、送受信部２８５と、ネットワーク２６８のいずれか又は両方に接続されていても良い。また、ＩＯステージ１００１、大気搬送ロボット１００５、Ｌ／Ｌ室１００４、ＴＭ１００６、真空搬送ロボット１００８等に接続されていても良い。
第３制御部２８０は、基板処理装置の各部（処理遂行部）に接続され、各部の情報（データ）を収集可能に構成されている。例えば、ゲートバルブ１４９、昇降部２１８、温度制御部４００、圧力調整器２２７，２２８、真空ポンプ２２３、整合器２５１、高周波電源部２５２、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、バルブ１１６，１２６，１３６、バイアス制御部２５７、等に接続されている。また、インピーダンス計２５４、ＲＰＵ１８０、等にも接続されていても良い。また、送受信部２８５と、ネットワーク２６８のいずれか又は両方に接続されていても良い。また、ＩＯステージ１００１、大気搬送ロボット１００５、Ｌ／Ｌ室１００４、ＴＭ１００６、真空搬送ロボット１００８等に接続されていても良い。
第３制御部２８０は、第１制御部２６０で演算されたプロセスレシピのデータに沿うように、ゲートバルブ１４９の開閉動作、昇降部２１８の昇降動作、温度制御部４００への電力供給動作、温度制御部４００による基板載置台２１２の温度調整動作、圧力調整器２２７，２２８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５でのガス流量制御動作、ＲＰＵ１８０ａ，１８０ｂのガスの活性化動作、バルブ１１６，１２６，１３６でのガスのオンオフ制御、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源部２５２の電力制御、バイアス制御部２５７の制御動作、インピーダンス計２５４が測定した測定データに基づいた整合器２５１の整合動作や、高周波電源２５２の電力制御動作、等を制御するように構成されている。
なお、第１制御部２６０、第２制御部２７５、第３制御部２８０、操作部２７４は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラム（データ）を格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６７を用意し、係る外部記憶装置２６７を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給（記録）するための手段は、外部記憶装置２６７を介して供給する場合に限らない。例えば、送受信部２８５やネットワーク２６８（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６７を介さずにプログラム（データ）を供給するようにしても良い。なお、記憶装置２６３や外部記憶装置２６７は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６３単体のみを含む場合、外部記憶装置２６７単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合が有る。
（中継部２７５）
基板処理装置１００と第２制御部（操作部）２７４との間で送受信される各種データの中継を実行可能に構成される。中継部２７５は、第１制御部２６０や、その他接続された機器から、装置データを所定の間隔で受信可能に構成される。また、中継部２７５は、第２制御部２７４やその他接続された機器に対して、データを所定の間隔で送信可能に構成される。また、中継部２７５は、負荷レベルの判定、各種テーブルデータで設定された内容に従って、基板処理装置１００から第２制御部（操作部）２７４に送られる各種データの送信間隔の制御や、各種データの蓄積（記録）を実行する。即ち、中継部２７５は、受信するデータの受信間隔と、送信するデータの送信間隔を異ならせる様に構成される。ここで送信間隔は、送信速度（使用帯域）として設定しても良い。送信速度として設定した場合、システム内ネットワーク２６８の帯域を常に使用することとなるため、好ましくは、送信間隔で設定する。また、中継部２７５は、記憶装置を有し、受信したデータを蓄積（記録）可能に構成される。
基板処理装置１００と第２制御部（操作部）２７４との間で送受信される各種データの中継を実行可能に構成される。中継部２７５は、第１制御部２６０や、その他接続された機器から、装置データを所定の間隔で受信可能に構成される。また、中継部２７５は、第２制御部２７４やその他接続された機器に対して、データを所定の間隔で送信可能に構成される。また、中継部２７５は、負荷レベルの判定、各種テーブルデータで設定された内容に従って、基板処理装置１００から第２制御部（操作部）２７４に送られる各種データの送信間隔の制御や、各種データの蓄積（記録）を実行する。即ち、中継部２７５は、受信するデータの受信間隔と、送信するデータの送信間隔を異ならせる様に構成される。ここで送信間隔は、送信速度（使用帯域）として設定しても良い。送信速度として設定した場合、システム内ネットワーク２６８の帯域を常に使用することとなるため、好ましくは、送信間隔で設定する。また、中継部２７５は、記憶装置を有し、受信したデータを蓄積（記録）可能に構成される。
なお、本開示での接続とは、各部が物理的なケーブルで繋がっているという意味も含むが、各部の信号（電子データ）が直接または間接的に送信／受信可能になっているという意味も含む。
（２）基板処理工程
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜する工程例について、上述の基板処理装置１００の処理フローついて図１１を参照して説明する。なお、ここで絶縁膜としては、例えば窒化膜としてのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が成膜される。また、この製造工程の一工程は、なお、以下の説明において、各部の動作は第１制御部２６０、第３制御部２８０の少なくともいずれかにより制御される。
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜する工程例について、上述の基板処理装置１００の処理フローついて図１１を参照して説明する。なお、ここで絶縁膜としては、例えば窒化膜としてのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が成膜される。また、この製造工程の一工程は、なお、以下の説明において、各部の動作は第１制御部２６０、第３制御部２８０の少なくともいずれかにより制御される。
以下に、基板処理工程について説明する。
（データ設定工程：Ｓ１０１）
先ず、データ設定工程Ｓ１０１について説明する。
データ設定工程Ｓ１０１では、各制御部に、データを送信する間隔の設定が行われる。第２制御部２７４が、各テーブルデータを有している場合、各テーブルデータを中継部２７５、第１制御部２６０、第３制御部２８０の少なくともいずれかに送信する。中継部２７５、第１制御部２６０、第３制御部２８０は、受信したテーブルデータに基づき、送受信部の送信設定を変更する。
先ず、データ設定工程Ｓ１０１について説明する。
データ設定工程Ｓ１０１では、各制御部に、データを送信する間隔の設定が行われる。第２制御部２７４が、各テーブルデータを有している場合、各テーブルデータを中継部２７５、第１制御部２６０、第３制御部２８０の少なくともいずれかに送信する。中継部２７５、第１制御部２６０、第３制御部２８０は、受信したテーブルデータに基づき、送受信部の送信設定を変更する。
（基板搬入・加熱工程：Ｓ１０２）
次に、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）について説明する。
基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、ＴＭ１００６から、容器２０２内に真空搬送ロボット１００８を用いてウエハ２００を搬入する。そして、容器２０２内にウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット１００８を容器２０２の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じて容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させることにより、基板載置台２１２に設けられた基板載置面２１１上にウエハ２００を載置させ、さらに基板載置台２１２を上昇させることにより、前述した処理室２０１内の処理位置（基板処理ポジション）までウエハ２００を上昇させる。
次に、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）について説明する。
基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、ＴＭ１００６から、容器２０２内に真空搬送ロボット１００８を用いてウエハ２００を搬入する。そして、容器２０２内にウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット１００８を容器２０２の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じて容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させることにより、基板載置台２１２に設けられた基板載置面２１１上にウエハ２００を載置させ、さらに基板載置台２１２を上昇させることにより、前述した処理室２０１内の処理位置（基板処理ポジション）までウエハ２００を上昇させる。
ウエハ２００が移載室２０３に搬入された後、処理室２０１内の処理位置まで上昇すると、バルブ２２８を閉状態とする。これにより、排気管１４８から移載室２０３の排気が終了する。一方、ＡＰＣ２２７を開き、処理室２０１と真空ポンプ２２３の間を連通させるさせる。ＡＰＣ２２７は、排気管２２４ａのコンダクタンスを調整することで、真空ポンプ２２３による処理室２０１の排気流量を制御し、処理空間２０１を所定の圧力（例えば１０−5〜１０−1Ｐａの高真空）に維持する。
このようにして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、処理室２０１内を所定の圧力となるように制御するとともに、ウエハ２００の表面温度が所定の温度となるように制御する。温度は、例えば室温以上５００℃以下であり、好ましくは室温以上であって４００℃以下である。圧力は例えば５０〜５０００Ｐａとすることが考えられる。
（成膜工程:Ｓ１０４）
続いて、成膜工程（Ｓ１０４）について説明する。
処理室２０１内の処理位置にウエハ２００を位置させたら、基板処理装置１００では、成膜工程（Ｓ１０４）を行う。成膜工程（Ｓ１０４）は、プロセスレシピに応じて、異なる処理ガスである第一処理ガス（第一元素含有ガス）と第二処理ガス（第二元素含有ガス）とを処理室２０１に供給することで、ウエハ２００上に薄膜を形成する工程である。成膜工程（Ｓ１０４）では、第一処理ガスと第二処理ガスとを同時に処理室２０１に存在させてＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行ったり、第一処理ガスと第二処理ガスとを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック（交互供給）処理を行ったりしてもよい。また、第二処理ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ１８０ｂを起動してもよい。また、第一処理ガスと第二処理ガスのいずれかを供給する熱処理、改質処理、等の基板処理が行われても良い。
続いて、成膜工程（Ｓ１０４）について説明する。
処理室２０１内の処理位置にウエハ２００を位置させたら、基板処理装置１００では、成膜工程（Ｓ１０４）を行う。成膜工程（Ｓ１０４）は、プロセスレシピに応じて、異なる処理ガスである第一処理ガス（第一元素含有ガス）と第二処理ガス（第二元素含有ガス）とを処理室２０１に供給することで、ウエハ２００上に薄膜を形成する工程である。成膜工程（Ｓ１０４）では、第一処理ガスと第二処理ガスとを同時に処理室２０１に存在させてＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行ったり、第一処理ガスと第二処理ガスとを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック（交互供給）処理を行ったりしてもよい。また、第二処理ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ１８０ｂを起動してもよい。また、第一処理ガスと第二処理ガスのいずれかを供給する熱処理、改質処理、等の基板処理が行われても良い。
（基板搬出工程：Ｓ１０６）
次に、基板搬出工程（Ｓ１０６）について説明する。
成膜工程（Ｓ１０４）の終了後、基板処理装置１００では、基板搬出工程（Ｓ１０６）を行う。基板搬出工程（Ｓ１０６）では、上述した基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と逆の搬送手順にて、処理済みのウエハ２００を容器２０２の外へ搬出する。なお、ウエハ２００の冷却は行わずに、搬出させても良い。
次に、基板搬出工程（Ｓ１０６）について説明する。
成膜工程（Ｓ１０４）の終了後、基板処理装置１００では、基板搬出工程（Ｓ１０６）を行う。基板搬出工程（Ｓ１０６）では、上述した基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と逆の搬送手順にて、処理済みのウエハ２００を容器２０２の外へ搬出する。なお、ウエハ２００の冷却は行わずに、搬出させても良い。
（判定工程：Ｓ１０８）
次に、判定工程（Ｓ１０８）を説明する。
基板搬出工程（Ｓ１０６）を終えると、基板処理装置１００では、上述した一連の処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０６）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。即ち、所定枚数のウエハ２００を処理したか否かが判定される。そして、所定回数実施していなければ、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）から基板搬出工程（Ｓ１０６）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、基板処理工程を終了する。
次に、判定工程（Ｓ１０８）を説明する。
基板搬出工程（Ｓ１０６）を終えると、基板処理装置１００では、上述した一連の処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０６）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。即ち、所定枚数のウエハ２００を処理したか否かが判定される。そして、所定回数実施していなければ、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）から基板搬出工程（Ｓ１０６）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、基板処理工程を終了する。
この基板処理工程の前と後のいずれかで、図１２に示す、送信間隔変更工程を含む、以下の工程が行われる。なお、以下の工程は、基板処理工程の間に行われても良いし、基板処理工程と所定期間並行して行われても良い。
（負荷データ 送信／受信 工程Ｓ２０１）
各制御部（第１制御部２６０、第２制御部２７４、第３制御部２８０）や、中継部２７５の間で、それぞれが保持している最新の負荷データの共有処理が行われる。具体的には、各制御部が保持している負荷データが中継部２７５に送信される。中継部２７５は、各制御部が保持している負荷データの受信を実行する。
各制御部（第１制御部２６０、第２制御部２７４、第３制御部２８０）や、中継部２７５の間で、それぞれが保持している最新の負荷データの共有処理が行われる。具体的には、各制御部が保持している負荷データが中継部２７５に送信される。中継部２７５は、各制御部が保持している負荷データの受信を実行する。
（負荷レベル設定工程Ｓ２０２）
次に、負荷レベルの設定工程Ｓ２０２が行われる。負荷レベルの設定は、中継部２７５が有するＣＰＵによって演算される。ここでは、受信した負荷データに基づき、各制御部やシステムネットワーク２６８の負荷がどのレベルにあるかが判定される。例えば、第２制御部２７４の負荷レベルが、１〜Ｘのいずれに該当するのかが設定される。
次に、負荷レベルの設定工程Ｓ２０２が行われる。負荷レベルの設定は、中継部２７５が有するＣＰＵによって演算される。ここでは、受信した負荷データに基づき、各制御部やシステムネットワーク２６８の負荷がどのレベルにあるかが判定される。例えば、第２制御部２７４の負荷レベルが、１〜Ｘのいずれに該当するのかが設定される。
（負荷レベル判定工程Ｓ２０３）
各制御部とシステムネットワーク２６８の負荷レベルが、各制御部とシステムネットワーク２６８の少なくともいずれかが、規程値か否かが判定される。負荷レベルが規定値であれば、Ｙ（ＹＥＳ）判定、規程値で無ければ、Ｎ（ＮＯ）判定とする。Ｙ判定の場合は、送信間隔リセット工程Ｓ２０５を実行可能とし、Ｎ判定の場合は、送信間隔変更工程Ｓ２０４が実行可能となる。例えば、第２制御部２７４の負荷レベルの規定値が「１」に設定されている場合、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルが「１」であるか否かが判定される。
各制御部とシステムネットワーク２６８の負荷レベルが、各制御部とシステムネットワーク２６８の少なくともいずれかが、規程値か否かが判定される。負荷レベルが規定値であれば、Ｙ（ＹＥＳ）判定、規程値で無ければ、Ｎ（ＮＯ）判定とする。Ｙ判定の場合は、送信間隔リセット工程Ｓ２０５を実行可能とし、Ｎ判定の場合は、送信間隔変更工程Ｓ２０４が実行可能となる。例えば、第２制御部２７４の負荷レベルの規定値が「１」に設定されている場合、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルが「１」であるか否かが判定される。
（送信間隔変更工程Ｓ２０４）
次に、負荷レベル判定工程Ｓ２０３で、Ｎ判定となった後に行われる、送信間隔変更工程Ｓ２０４について説明する。この工程では、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルに対応する送信間隔データを読み出し、中継部２７５から第２制御部２７４に送信されるデータ種別毎の送信間隔を設定する。具体的には、図８に示す送信間隔テーブルを基に、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルに対応する、データ種別毎の送信間隔データを読み出し、各制御部に、データ種別毎の送信間隔を設定させる。例えば、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で、負荷レベルが「２」に設定されている場合、負荷レベル２に対応するデータ種別毎の送信間隔を読み出す。具体的には、アラームデータの送信間隔データとして「１」を読み出す。プロセスデータの送信間隔として、「１」を読み出す。装置稼働データの送信間隔として「２」を読み出す。定期点検データの送信間隔として「２」を読み出す。これら読み出した送信間隔データを基に、中継部２７５から第２制御部２７４に送信されるデータ種別毎の送信間隔を設定する。具体的には、アラームデータの送信間隔を「１」と設定し、プロセスデータの送信間隔を「１」と設定し、装置稼働データの送信間隔を「２」と設定し、定期点検データの送信間隔を「２」と設定する。
次に、負荷レベル判定工程Ｓ２０３で、Ｎ判定となった後に行われる、送信間隔変更工程Ｓ２０４について説明する。この工程では、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルに対応する送信間隔データを読み出し、中継部２７５から第２制御部２７４に送信されるデータ種別毎の送信間隔を設定する。具体的には、図８に示す送信間隔テーブルを基に、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルに対応する、データ種別毎の送信間隔データを読み出し、各制御部に、データ種別毎の送信間隔を設定させる。例えば、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で、負荷レベルが「２」に設定されている場合、負荷レベル２に対応するデータ種別毎の送信間隔を読み出す。具体的には、アラームデータの送信間隔データとして「１」を読み出す。プロセスデータの送信間隔として、「１」を読み出す。装置稼働データの送信間隔として「２」を読み出す。定期点検データの送信間隔として「２」を読み出す。これら読み出した送信間隔データを基に、中継部２７５から第２制御部２７４に送信されるデータ種別毎の送信間隔を設定する。具体的には、アラームデータの送信間隔を「１」と設定し、プロセスデータの送信間隔を「１」と設定し、装置稼働データの送信間隔を「２」と設定し、定期点検データの送信間隔を「２」と設定する。
（データ蓄積工程Ｓ２０５）
送信間隔変更工程Ｓ２０４で、少なくとも、送信間隔データが「２」以上に設定されたデータ種別について、中継部２７５が受信したデータは、中継部２７５の記憶装置に記録（データ蓄積）が行われる。
送信間隔変更工程Ｓ２０４で、少なくとも、送信間隔データが「２」以上に設定されたデータ種別について、中継部２７５が受信したデータは、中継部２７５の記憶装置に記録（データ蓄積）が行われる。
次に、負荷レベル判定工程Ｓ２０３で、負荷レベルが規定値内と判定（Ｙ判定）された後に実行される送信間隔リセット工程Ｓ２０６について説明する。
（送信間隔リセット工程Ｓ２０６）
送信間隔リセット工程Ｓ２０６では、図８に示す、送信間隔テーブルから、負荷レベル１に対応する送信間隔データが読み出され、データ種別毎の送信間隔を設定する。
送信間隔リセット工程Ｓ２０６では、図８に示す、送信間隔テーブルから、負荷レベル１に対応する送信間隔データが読み出され、データ種別毎の送信間隔を設定する。
（蓄積データ送信工程Ｓ２０７）
続いて、蓄積データ送信工程Ｓ２０７が行われても良い。蓄積データ送信工程Ｓ２０７では、少なくとも送信間隔が「２」以上に設定され、中継部２７５の記憶装置で記録（データ蓄積）が行われたデータを、第２制御部２７４に送信する工程である。
続いて、蓄積データ送信工程Ｓ２０７が行われても良い。蓄積データ送信工程Ｓ２０７では、少なくとも送信間隔が「２」以上に設定され、中継部２７５の記憶装置で記録（データ蓄積）が行われたデータを、第２制御部２７４に送信する工程である。
この様にして送信間隔変更工程を含む処理が行われる。
なお、上述では、第１制御部２６０（第３制御部２８０）から送信される各種データを全て、中継部２７５を同じ送信間隔で受信し、中継部２７５は、設定された送信間隔で第２制御部２７４に各種データを送信する様に構成したが、これに限るものでは無い。例えば、中継部２７５は、第１制御部２６０と第３制御部２８０のいずれか若しくは両方に、図９に示す送信先設定テーブルに基づいて、データの送信先を変更させても良い。例えば、図９に示すテーブルに示す様に、第１制御部２６０に対して、アラームデータとプロセスデータについて、送信先２（中継部２７５）を介さずに、送信先１（操作部２７４）に送信する様に設定しても良い。中継部２７５を介さずに送信することで、データの遅延を抑制することが可能となる。
また、上述では、基板処理システム１０００が有する複数の基板処理装置１００全てで、同じ送信間隔の設定や、送信先設定を行う例について説明したが、これに限るものでは無い。例えば、基板処理装置１００（１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）毎に、各種設定を異ならせても良い。複数の基板処理装置１００を有する基板処理システム１０００では、全ての基板処理装置１００で同じ処理を実行させていない場合がある。この場合、基板処理装置１００毎に設定を異ならせることにより、データ通信の効率を向上させることができる。また、基板処理装置１００毎の基板２００の処理タイミングが異なる場合についても、各種データの送信間隔の設定と送信先の設定のいずれか又は両方を基板処理装置１００毎に異ならせても良い。例えば基板２００の処理中は、データの量が増えるため、データ量が増える（負荷が上昇する）タイミングで上述の送信間隔変更工程を含む処理や、送信先変更工程を行わせても良い。
なお、上述では、図９に示す送信先設定テーブルを一つに基づいて、送信先を設定
する旨を説明したが、これに限るものでは無く、送信先設定テーブルを複数設けて、負荷レベルに応じて、送信先設定テーブルを選択する様に構成しても良い。
する旨を説明したが、これに限るものでは無く、送信先設定テーブルを複数設けて、負荷レベルに応じて、送信先設定テーブルを選択する様に構成しても良い。
なお、上述では、負荷レベルの設定や負荷レベル判定は、中継部２７５で行われたが、これらの工程を、第２制御部２７４、上位装置５００、解析サーバー５０１等で行わせても良い。
なお、基板処理装置１００や基板処理システム１０００のメンテナンス（保守）の実行中に、保守用ＰＣ５０２を用いて、中継部２７５の記憶装置から、蓄積データを読み出しても良い。また、中継部２７５から、上位装置５００、解析サーバー５０１、等に蓄積データを送信しても良い。
以上、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
また、上述では、半導体装置の製造工程について記したが、実施形態に係る発明は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、などの基板処理が有る。
また、上述では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして窒素含有ガスを用いて、シリコン窒化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等が有る。なお、これらの膜としては、例えば、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜などが有る。
また、上述では、一つの処理室で一枚の基板を処理する装置構成を示したが、これに限らず、複数枚の基板を水平方向又は垂直方向に並べた装置であっても良い。
１００ 基板処理装置
２００ ウエハ（基板）
２６０ 第１制御部
２７４ 第２制御部（操作部）
２８０ 第３制御部
２００ ウエハ（基板）
２６０ 第１制御部
２７４ 第２制御部（操作部）
２８０ 第３制御部
Claims (19)
- 基板を処理する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置にそれぞれ設けられ前記基板処理装置を制御する第１制御部と、
前記第１制御部から複数種類のデータを受信する中継部と、
前記中継部から前記データを受信する第２制御部と、を有し、
前記中継部は、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方の前記第２制御部へのデータの送信間隔を変更するように構成される
基板処理システム。 - 前記中継部は、
前記複数種類のデータを所定間隔で受信し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基づいて、前記データの種類毎に送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信する様に構成される
請求項１に記載の基板処理システム。 - 前記中継部は、前記データの種類毎と、前記第１制御部毎のいずれか又は両方を前記第１制御部からの受信間隔と、前記第２制御部への送信間隔とを異ならせる様に構成される
請求項１又は２に記載の基板処理システム。 - 前記第２制御部の負荷レベルと前記ネットワーク負荷レベルのいずれか又は両方のレベルは、前記中継部と前記第２制御部のいずれか又は両方で判定される
請求項２又は３に記載の基板処理システム。 - 前記中継部は、複数種類の前記データの内、データの重要度データに基づき、前記送信間隔を変更する
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記中継部は、前記データの種類を基に、前記第２制御部と他の制御部のそれぞれにデータを送信するように構成される
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記中継部は、受信した複数種類の前記データを記録するように構成される
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記中継部は、前記負荷レベルが規定値内になった後前記記録したデータを送信する様に構成される
請求項７に記載の基板処理システム。 - 前記第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信するデータの送信先とが記録されたテーブルデータを有し、
前記テーブルデータに基づいて、前記第１制御部の送信先設定を更新する様に構成される
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信するデータの送信先とが記録されたテーブルデータを複数有し、前記負荷レベルに基づいて、前記テーブルデータを選択する様に構成される
請求項２に記載の基板処理システム。 - 前記第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信するデータの送信先とが記録されたテーブルデータを有し、前記テーブルデータを変更可能に構成される
請求項１乃至８に記載の基板処理システム。 - 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理する工程と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から複数種類のデータを中継部が受信する工程と、
前記中継部から、第２制御部へ前記データを送信する際に、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方の送信間隔を変更して送信する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記中継部は、
前記複数種類のデータを所定間隔で受信し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基づいて、前記データの種類毎に送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信する工程と、
を有する請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記中継部が、前記データの種類毎と、前記第１制御部毎のいずれか又は両方を前記第１制御部からの前記受信間隔と、前記第２制御部への送信間隔とを異ならせる工程と、
を有する請求項１２又は１３に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第２制御部の負荷レベルと前記ネットワーク負荷レベルのいずれか又は両方のレベルを、前記中継部と前記第２制御部のいずれか又は両方で判定する工程と、
を有する請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。 - 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理させる手順と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から複数種類のデータを中継部が受信させる手順と、
前記中継部から、第２制御部へ前記データを送信する際に、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方の送信間隔を変更して送信させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - 前記中継部は、
前記複数種類のデータを所定間隔で受信し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基づいて、前記データの種類毎に送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信させる手順と、
を有する請求項１６に記載のプログラム。 - 前記中継部が、前記データの種類毎と、前記第１制御部毎のいずれか又は両方を前記第１制御部からの前記受信間隔と、前記第２制御部への送信間隔とを異ならせる手順と、
を有する請求項１６又は１７に記載のプログラム。 - 前記第２制御部の負荷レベルと前記ネットワーク負荷レベルのいずれか又は両方のレベルを、前記中継部と前記第２制御部のいずれか又は両方で判定する工程と、
を有する請求項１７又は１８に記載のプログラム。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019125202A JP6973956B2 (ja) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
| CN202010600098.XA CN112185849A (zh) | 2019-07-04 | 2020-06-28 | 基板处理系统、半导体器件的制造方法及记录介质 |
| TW109122219A TWI756727B (zh) | 2019-07-04 | 2020-07-01 | 基板處理系統、半導體裝置的製造方法及基板處理用的電腦程式 |
| KR1020200080717A KR102425483B1 (ko) | 2019-07-04 | 2020-07-01 | 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
| US16/918,626 US11422528B2 (en) | 2019-07-04 | 2020-07-01 | Substrate processing system, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| US17/870,502 US20220360822A1 (en) | 2019-07-04 | 2022-07-21 | Substrate processing system, method of processing substrate, recording medium, and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019125202A JP6973956B2 (ja) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021012910A true JP2021012910A (ja) | 2021-02-04 |
| JP6973956B2 JP6973956B2 (ja) | 2021-12-01 |
Family
ID=73919643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019125202A Active JP6973956B2 (ja) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11422528B2 (ja) |
| JP (1) | JP6973956B2 (ja) |
| KR (1) | KR102425483B1 (ja) |
| CN (1) | CN112185849A (ja) |
| TW (1) | TWI756727B (ja) |
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- 2020-06-28 CN CN202010600098.XA patent/CN112185849A/zh active Pending
- 2020-07-01 KR KR1020200080717A patent/KR102425483B1/ko active IP Right Grant
- 2020-07-01 US US16/918,626 patent/US11422528B2/en active Active
- 2020-07-01 TW TW109122219A patent/TWI756727B/zh active
-
2022
- 2022-07-21 US US17/870,502 patent/US20220360822A1/en active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210004855A (ko) | 2021-01-13 |
| TW202114028A (zh) | 2021-04-01 |
| US20210003990A1 (en) | 2021-01-07 |
| TWI756727B (zh) | 2022-03-01 |
| KR102425483B1 (ko) | 2022-07-27 |
| JP6973956B2 (ja) | 2021-12-01 |
| US11422528B2 (en) | 2022-08-23 |
| CN112185849A (zh) | 2021-01-05 |
| US20220360822A1 (en) | 2022-11-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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