TWI756333B - 電子模組與方法 - Google Patents

電子模組與方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI756333B
TWI756333B TW106146040A TW106146040A TWI756333B TW I756333 B TWI756333 B TW I756333B TW 106146040 A TW106146040 A TW 106146040A TW 106146040 A TW106146040 A TW 106146040A TW I756333 B TWI756333 B TW I756333B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cement
nitride particles
electronic module
cooling element
filler
Prior art date
Application number
TW106146040A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201826908A (zh
Inventor
貝爾德 洛馬茲須
喬治 海哲特曼
馬丁 瑞特拿
史堤方 卡依斯納
Original Assignee
德商羅伯特博斯奇股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商羅伯特博斯奇股份有限公司 filed Critical 德商羅伯特博斯奇股份有限公司
Publication of TW201826908A publication Critical patent/TW201826908A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI756333B publication Critical patent/TWI756333B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明係關於一種電子模組(6)，詳言之係關於電源模組，其具有至少一個電/電子組件(7)且具有至少部分地環繞該組件(7)之外殼(8)，其中該外殼(8)由水泥複合材料(1)製成且該水泥複合材料(1)包含至少一種粒狀填充物(2)。該粒狀填充物(2)包含氮化鋁粒子(3)，其各自具有僅由氧化鋁(4)組成之塗層。

Description

電子模組與方法
本發明係關於一種電子模組，詳言之係關於電源模組，其具有至少一個電/電子組件且具有至少部分地環繞該組件之外殼，其中該外殼由水泥複合材料製成且該水泥複合材料包含水泥及至少一種粒狀填充物。
本發明進一步係關於一種用於產生此電子模組之方法。
由先前技術已知從一開始提及之類型之電子模組。因此，第一公開案EP 2 958 139 A1描述具有至少一個半導體組件之半導體模組，該至少一個半導體組件被由水泥構成之包封組成物覆蓋。該包封組成物包含呈氮化鋁粒子或氧化鋁粒子形式之填充物且因此形成水泥複合材料。文獻US 2004/0105980 A1描述可具有粒子芯(particle core)及環繞該粒子芯之多個塗層之粒子。
根據本發明，該粒狀填充物包含各自具有僅由氧化鋁組成之塗層之氮化鋁粒子。此產生以下優點：氮化鋁粒子可以受保護形式配置/整合於/至水泥中，以使得氮化鋁粒子之熱導率(氮化鋁之熱導率：180W/mK)可用於提高水泥複合材料之熱導率。此處，「呈受保護形式」意謂由於塗佈有氧化鋁，氮化鋁並不與水泥反應且因此溶解或分解。水泥複合材料之提高的熱導率確保尤其有效之熱傳導。若例如電晶體等詳言之藉由由水泥複合材料組成之外 殼包封之組件之溫度在操作期間，例如在切換事件期間由於功率損耗而升高，則在此情況下產生之熱自該組件迅速且可靠地傳導至水泥複合材料中。
在本發明之較佳發展中，填充物均勻地分佈於水泥複合材料中。此處之優點為熱導率在水泥複合材料中相同。此確保自組件至水泥複合材料中之最佳熱傳導。詳言之，水泥複合材料中各區域不具有填充物或僅具有小比例之填充物，且組件歸因於低熱傳導而損壞，且因此較高程度之加熱由此避免的情形。
填充物尤其較佳為顆粒材料或粉末。此處之優點為填充物可引入至水泥中且以簡單方式與水泥混合。另外，待引入至水泥中之填充物之量可以此方式判定或以簡單方式計量。此確保水泥中填充物之可精確計量性。填充物，詳言之氮化鋁粒子，較佳地至少具有實質上球形。另外，填充物不含空隙以免包括詳言之可以重要方式與水泥反應之氣體。氮化鋁粒子自身之直徑或另外具有由氧化鋁組成之塗層之氮化鋁粒子之直徑較佳地至少為0.1μm且不超過500μm。氧化鋁塗層之層厚度較佳地至少為1nm且不超過100nm。作為替代方案，填充物作為懸浮體存在。
水泥複合材料中之水泥或基礎組成物較佳地由無機材料製成。此處之優點為水泥複合材料中之水泥或基礎組成物可以低成本且以簡單方式產生。無機材料較佳地為水泥，例如高鋁水泥、磷酸鹽水泥或波特蘭水泥(Portland cement)。水泥複合材料中之水泥或基礎組成物較佳地另外包含至少一種無機添加劑，例如沙石或岩石。
在本發明之另一發展中，已經將至少一種另外的填充物，詳言之氮化陶瓷粒子或碳化矽粒子引入至水泥複合材料中。此處之優點為可以目標方式設定或組態水泥複合材料之熱及/或物理性質。詳言之，一個物理性質為可藉助於例如氮化硼或氮化矽等氮化陶瓷粒子組態之熱導率或導熱性。另一性質 為例如水泥複合材料之硬度，詳言之抗壓強度，其可藉由引入碳化矽粒子而設定。另外的填料較佳地同樣具有由氧化鋁組成之塗層。
偏好將至少一個冷卻元件指派至外殼。此處之優點為藉助於冷卻元件避免組件在組件之操作期間之過熱，以使得確保組件之穩定操作。冷卻元件較佳地藉由傳導及/或對流將在組件之操作期間散出之熱傳遞至周圍介質，例如空氣或水。作為替代方案或另外，冷卻元件藉由熱輻射將產生之熱傳遞至周圍介質。冷卻元件較佳包含具有高熱導率之材料，例如銅。為了使冷卻元件能夠有效地傳遞或移除熱，其較佳地具有散熱片。此等散熱片使冷卻元件之熱傳遞或熱移除表面增大，此改良至周圍介質之熱傳遞。該組件較佳地配置於基板上，例如陶瓷基板。冷卻元件較佳地配置於基板之與組件相對之一側上，且詳言之藉助於接合材料接合至該基板，例如金屬軟焊接材料或聚合性TIM。
特別偏好將冷卻元件組態為冷卻劑通道且延伸穿過水泥複合材料，其方式為使得該冷卻元件處於其縱向延伸部中完全被水泥複合材料環繞之區段中。此處之優點為冷卻劑通道由於其延伸穿過水泥複合材料或其整合至水泥複合材料中而尤其有效地吸收熱，且因此有利地使電子模組冷卻。冷卻劑通道較佳地藉由整合至水泥複合材料中藉由正向鎖定及/或以黏附方式接合至水泥複合材料。冷卻劑通道較佳地為銅管，例如水之冷卻液體或例如空氣之冷卻氣體通過該銅管傳遞或可通過該銅管傳遞。由於冷卻劑通道僅區段地被水泥複合材料完全環繞，因此詳言之將並未被水泥複合材料環繞的區域指派至周圍介質。此確保冷卻劑通道可藉助於周圍介質冷卻，由此自組件至周圍介質之熱傳遞另外得以改良。作為替代方案，冷卻劑通道完全配置於水泥複合材料中。電子模組較佳地具有多個冷卻元件，詳言之接合至基板之冷卻元件及整合至水泥複合材料中之冷卻劑通道。冷卻劑通道較佳地具有曲折形狀。作為替代方案或另外，冷卻劑通道較佳地藉由相變將在組件之操作期間產生之熱傳遞至周圍介 質。
用於產生電子模組，詳言之電源模組之本發明方法表徵為如請求項8之特徵。獲得上述優點。詳言之，可自上文已描述之內容及自申請專利範圍導出另外的優點及較佳特徵。為了產生可澆鑄水泥複合材料組成物，基礎組成物、添加劑及/或填充物首先彼此混合且隨後與水混合。作為替代方案或另外，詳言之，僅在產生由基礎組成物及/或至少一種添加劑構成之可澆鑄水泥組成物之後添加填充物。
偏好按照如請求項9之特徵將至少一個冷卻元件指派至外殼。獲得上述優點。詳言之，可自上文已描述之內容及自申請專利範圍導出另外的優點及較佳特徵。當圍繞組件澆鑄水泥複合材料時，較佳地亦圍繞冷卻元件澆鑄水泥複合材料。此確保冷卻元件或冷卻劑通道藉由正向鎖定及/或以黏附方式接合且因此穩定地接合至水泥複合材料。
根據請求項10之特徵，氮化鋁粒子較佳地經氧化以便提供具有僅由氧化鋁組成之塗層之氮化鋁粒子。此產生提供具有塗層之氮化鋁粒子之尤其簡單且便宜的方法。氮化鋁粒子較佳地在1200℃的溫度下經氧化。
根據請求項11之特徵，尤其較佳地藉助於沈積方法將氧化鋁塗覆至氮化鋁粒子以便提供具有僅由氧化鋁組成之塗層之氮化鋁粒子。此處之優點為氧化鋁之可預定的層厚度可以此方式應用於氮化鋁粒子。表達「沈積方法」詳言之係指塗佈方法。舉例而言，沈積方法為化學氣相沈積方法或物理塗佈方法。此類方法包括例如汽化方法，例如電子束汽化方法。
1:水泥複合材料
2:粒狀填充物
3:氮化鋁粒子
4:氧化鋁
5:至少一種另外的填充物
6:電子模組
7:至少一個電/電子組件
8:外殼
9:導電材料
10:電接點
11:基板
12:冷卻元件
13:冷卻元件
14:接合材料
15:冷卻劑通道
16:區段
17:區段
18:水泥
S1~S6:步驟
在下文藉助於圖式更詳細地說明本發明。出於此目的，以下圖式展示： 圖1為具有至少一種粒狀填充物之水泥複合材料之簡化描繪，圖2為具有外殼之電子模組之簡化描繪，將至少一個冷卻元件指派至該外殼。以及圖3為用於根據有利的工作實施例實施該方法之方塊圖。
圖1展示包含水泥18及粒狀填充物2之水泥複合材料1之簡化描繪。粒狀填充物2包含氮化鋁粒子3，其各自具有僅由氧化鋁4組成之塗層。氮化鋁粒子3較佳地為球形且不含空隙。氮化鋁粒子3或具有由氧化鋁4組成之塗層之氮化鋁粒子3之直徑較佳地至少為0.1μm且不超過500μm。氧化鋁4較佳地具有至少1nm且不超過100nm之層厚度。
具有氧化鋁4之塗層防止氮化鋁粒子3在水泥18中分解及溶解。此確保氮化鋁之熱性質，詳言之180W/mK之高熱導率可有利地用於水泥複合材料1之熱導率。
填充物2較佳地在水泥18中均勻地分佈。詳言之，此確保穿過水泥複合材料1之均勻熱傳導。
較佳地將至少一種另外的填充物5，詳言之氮化陶瓷粒子或SiC粒子引入至水泥複合材料1中。舉例而言，氮化陶瓷粒子為氮化硼(BN)或氮化矽(Si3N4)。
圖2展示電子模組6，詳言之電源模組，其具有至少一個電/電子組件7，例如電晶體或電感器，例如變壓器或線圈；且具有至少部分地環繞組件7之外殼8。外殼8由水泥複合材料1製成。組件7較佳地藉助於例如銅、銀或鋁之導電材料9首先接合至例如金屬線之電接點10，且其次接合至例如陶瓷基板之基板11。導電材料9及基板11較佳地藉助於直接銅接合(direct copper bonding；DCB)或活性金屬銅焊(active metal brazing；AMG)彼此接合。將至少一個冷卻元件12、13指派至外殼9。冷卻元件12較佳地為銅本體且尤其藉助於接合材料14接合至基板11。舉例而言，接合材料為金屬軟焊接材料或聚合性TIM。
冷卻元件13較佳地經組態為冷卻劑通道15且延伸穿過水泥複合材料1，其方式為使得該冷卻元件處於其縱向延伸部中完全被水泥複合材料1環繞之區段中。冷卻劑通道15較佳地具有曲折形狀。為了闡明該曲折形狀，可能提到區段16自紙平面向外突出且區段17進入紙平面。冷卻劑通道13較佳地為銅管，例如水之冷卻液體或例如空氣之冷卻氣體通過該銅管傳遞。
歸因於尤其有利的熱傳導水泥複合材料1，在組件7之操作期間產生之熱可有效地傳導至冷卻元件12、13中。以此方式，組件7之使用溫度可提高至高於200℃之溫度。冷卻元件12、13之使用確保藉助於冷卻元件12之冷卻以及藉助於冷卻元件13之冷卻兩者均有可能用於組件7。
歸因於整合至水泥複合材料1中之冷卻劑通道15獨立於接合至基板11之冷卻元件12產生新設計及分割可能性，可省去藉助於冷卻元件12之冷卻。冷卻劑通道15因此較佳地僅提供為冷卻元件13。
圖3展示用於根據工作實例實施用於產生電子模組6，詳言之電源模組之方法之流程圖。
在第一步驟S1中，提供至少一個電/電子組件7。舉例而言，此組件7為電晶體、抗流器、變壓器或另一電源模組。
在第二步驟S2中，提供水泥複合材料1中之水泥18或基礎組成物。水泥複合材料1中之水泥18或基礎組成物較佳地由無機材料製成。無機材料較佳地為水泥，例如高鋁水泥、波特蘭水泥或磷酸鹽水泥。水泥複合材料1中之水泥18或基礎組成物中存在之另外的無機材料，詳言之添加劑例如為陶 瓷、岩石、沙石及/或礦石。
在第三步驟S3中，提供氮化鋁粒子3。氮化鋁粒子3此處作為顆粒材料或粉末存在且較佳地直徑為至少0.1μm至500μm。作為替代方案或另外，填充物2作為懸浮體存在。
在第四步驟S4中，氮化鋁粒子3各自具有僅由氧化鋁4組成之塗層。提供氧化鋁4較佳地藉由氮化鋁粒子3在空氣中在較佳1200℃的溫度下之熱氧化來實現。作為替代方案或另外，氮化鋁粒子3藉助於沈積方法或塗佈方法塗佈有氧化鋁4。此使得有可能將氧化鋁4以較佳地自1nm至100nm之可預定層厚度塗覆至氮化鋁粒子3。其次，由此使得有可能將包含例如氧化矽之不同材料之第二塗層塗覆至氮化鋁粒子3。詳言之，合適的沈積方法為化學及/或物理沈積方法，例如化學或物理氣相沈積。
在第五步驟S5中，將已經具有僅由氧化鋁4組成之塗層之氮化鋁粒子3引入至水泥複合材料1中。氮化鋁粒子3或填充物2較佳地與仍然乾燥的水泥18，詳言之基礎組成物混合。作為替代方案或另外，將填充物2與由基礎組成物及/或至少一種添加劑構成之可澆鑄水泥組成物混合。為了產生可澆鑄水泥複合材料組成物，較佳地首先將基礎組成物、添加劑及/或填充物2彼此混合且隨後與水混合。偏好將氮化鋁粒子3單模態引入至水泥18中或氮化鋁粒子3之多模態引入。較佳地實施雙模態或三模態引入。作為替代方案或另外，將至少一個冷卻元件12、13指派至外殼8。因此，將冷卻元件12、13連同組件7一起澆鑄至水泥複合材料1中。此確保冷卻元件12、13實質上接合至水泥複合材料1。此確保冷卻元件12、13在水泥複合材料1中之穩定配置且因此確保自組件7穿過水泥複合材料1至冷卻元件12、13之尤其有利的熱傳導。
在第六步驟S6中，電模組5之組件7及較佳地另外組件，詳言之電接點10及/或基板11具有圍繞其至少部分倒入之水泥複合材料1，以便產生至 少部分地環繞組件7之外殼8。在圍繞組件8澆鑄之後，可澆鑄，詳言之液體水泥複合材料組成物經定型及乾燥。為了圍繞組件7澆鑄，組件7較佳地藉由用可澆鑄水泥複合材料組成物填充之鑄模(此處未展示)圍封。在可澆鑄水泥複合材料組成物之定型及乾燥之後，接著自乾燥水泥複合材料組成物或水泥複合材料1移除該鑄模。
1‧‧‧水泥複合材料
6‧‧‧電子模組
7‧‧‧至少一個電/電子組件
8‧‧‧外殼
9‧‧‧導電材料
10‧‧‧電接點
11‧‧‧基板
12‧‧‧冷卻元件
13‧‧‧冷卻元件
14‧‧‧接合材料
15‧‧‧冷卻劑通道
16‧‧‧區段
17‧‧‧區段
18‧‧‧水泥

Claims (11)

  1. 一種電子模組(6)，其具有至少一個電/電子組件(7)且具有至少部分地環繞該組件(7)之外殼(8)，其中該外殼(8)由水泥複合材料(1)製成且該水泥複合材料(1)包含水泥(18)及至少一個粒狀填充物(2)，其特徵在於該粒狀填充物(2)包含各自具有僅由氧化鋁(4)組成之塗層之氮化鋁粒子(3)，至少一個冷卻元件(12、13)經指派至該外殼(8)，且該冷卻元件(13)經組態為冷卻劑通道(15)且延伸穿過該水泥複合材料(1)，其方式為使得該冷卻元件處於其縱向延伸部中完全被該水泥複合材料(1)環繞之區段中。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子模組，其中該電子模組(6)選自電源模組。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之電子模組，其中該填充物(2)在該水泥複合材料(1)中均勻地分佈。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之電子模組，其中該填充物(2)為顆粒材料或粉末。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之電子模組，其中該水泥(18)由無機材料製成。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之電子模組，其中至少一種另外的填充物(5)已經引入至該水泥複合材料(1)中。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子模組，其中該至少一種另外的填充物(5)選自氮化陶瓷粒子或SiC粒子。
  8. 一種用於產生一電子模組(6)之方法，其具有以下步驟：提供至少一個電/電子組件(7)，提供水泥(18)， 提供氮化鋁粒子(3)，提供具有僅由氧化鋁(4)組成之塗層之該等各別氮化鋁粒子(3)，將具有僅由氧化鋁(4)組成之塗層之該等氮化鋁粒子(3)引入至該水泥(18)中以產生水泥複合材料(1)，以及在該電/電子組件(7)周圍至少部分澆鑄該水泥複合材料(1)以產生外殼(10)，其中至少一個冷卻元件(12、13)經指派至該外殼(8)，且該冷卻元件(13)經組態為冷卻劑通道(15)且延伸穿過該水泥複合材料(1)，其方式為使得該冷卻元件處於其縱向延伸部中完全被該水泥複合材料(1)環繞之區段中。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該電子模組(6)選自電源模組。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其中該等氮化鋁粒子(3)經氧化以便提供具有僅由氧化鋁(4)組成之塗層之該等氮化鋁粒子(3)。
  11. 如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其中藉助於沈積方法將氧化鋁(4)塗覆至該等氮化鋁粒子(3)以便提供具有僅由氧化鋁(4)組成之塗層之該等氮化鋁粒子(3)。
TW106146040A 2016-12-28 2017-12-27 電子模組與方法 TWI756333B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??102016226262.9 2016-12-28
DE102016226262.9 2016-12-28
DE102016226262.9A DE102016226262A1 (de) 2016-12-28 2016-12-28 Elektronikmodul, Verfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201826908A TW201826908A (zh) 2018-07-16
TWI756333B true TWI756333B (zh) 2022-03-01

Family

ID=61148173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106146040A TWI756333B (zh) 2016-12-28 2017-12-27 電子模組與方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10872833B2 (zh)
EP (1) EP3563412A1 (zh)
JP (1) JP6813685B2 (zh)
KR (1) KR102418086B1 (zh)
CN (1) CN110114873B (zh)
DE (1) DE102016226262A1 (zh)
TW (1) TWI756333B (zh)
WO (1) WO2018122145A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10607919B2 (en) 2017-04-28 2020-03-31 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package having junction cooling pipes embedded in substrates
DE102018212159A1 (de) * 2018-07-20 2020-01-23 Robert Bosch Gmbh Aufbau und Verfahren zum Verbinden einer ersten und einer zweiten Baugruppe durch Verkleben
DE102019132314B4 (de) * 2019-11-28 2022-03-03 Infineon Technologies Ag Package mit Einkapselung unter Kompressionsbelastung
CN111725161B (zh) * 2020-06-16 2022-04-22 杰群电子科技（东莞）有限公司 一种半导体散热器件、封装方法及电子产品
WO2022139674A1 (en) * 2020-12-23 2022-06-30 Heraeus Deutschland Gmbh & Co. Kg. Process for the manufacture of encapsulated semiconductor dies and/or of encapsulated semiconductor packages

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6822018B2 (en) * 2002-02-15 2004-11-23 Delphi Technologies, Inc. Thermally-conductive electrically-insulating polymer-base material
TWI470072B (zh) * 2012-01-17 2015-01-21
TW201505852A (zh) * 2013-06-07 2015-02-16 Shinetsu Chemical Co 導熱性複合片及散熱構造物
US9249293B2 (en) * 2010-02-18 2016-02-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composite particle, method for producing the same, and resin composition

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04175209A (ja) 1990-08-29 1992-06-23 Matsushita Electric Works Ltd 窒化アルミニウム及びその製法
JP4277134B2 (ja) * 2002-08-15 2009-06-10 国立大学法人東京工業大学 酸化アルミニウム被覆窒化アルミニウムの製造方法
US7560160B2 (en) 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
DE102006028675B4 (de) * 2006-06-22 2008-08-21 Siemens Ag Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente
DE102007039916A1 (de) 2007-08-23 2009-02-26 Siemens Ag Aufbau- und Verbindungstechnik von Modulen mittels dreidimensional geformter Leadframes
JP2011111341A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 酸化層を有する窒化アルミニウム基板、該基板の製造方法、該基板を用いた回路基板及びｌｅｄモジュール
DE102013112267A1 (de) * 2013-11-07 2015-05-07 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Halbleitermodul mit einer einen Halbleiterbaustein bedeckenden Umhüllungsmasse
JP6378315B2 (ja) 2014-03-13 2018-08-22 株式会社トクヤマ 耐水性に優れた窒化アルミニウム粉末
EP2958139B1 (de) 2014-06-18 2020-08-05 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
DE102015102041A1 (de) * 2015-02-12 2016-08-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6822018B2 (en) * 2002-02-15 2004-11-23 Delphi Technologies, Inc. Thermally-conductive electrically-insulating polymer-base material
US9249293B2 (en) * 2010-02-18 2016-02-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composite particle, method for producing the same, and resin composition
TWI470072B (zh) * 2012-01-17 2015-01-21
TW201505852A (zh) * 2013-06-07 2015-02-16 Shinetsu Chemical Co 導熱性複合片及散熱構造物

Also Published As

Publication number Publication date
CN110114873A (zh) 2019-08-09
TW201826908A (zh) 2018-07-16
KR20190097082A (ko) 2019-08-20
JP2020515042A (ja) 2020-05-21
EP3563412A1 (de) 2019-11-06
DE102016226262A1 (de) 2018-06-28
WO2018122145A1 (de) 2018-07-05
CN110114873B (zh) 2023-04-28
KR102418086B1 (ko) 2022-07-07
JP6813685B2 (ja) 2021-01-13
US10872833B2 (en) 2020-12-22
US20190348338A1 (en) 2019-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI756333B (zh) 電子模組與方法
CN104696832B (zh) Led路灯
JP2013147542A (ja) 放熱塗料及びこれを利用した放熱部材、発熱電子部品、発熱機械部品
US10832995B2 (en) Power module
CN109791918A (zh) 电路装置的散热结构
JP2005175006A (ja) 放熱体及びパワーモジュール
KR20100093492A (ko) 적어도 하나의 부품을 장착하기 위한 기판 및 그 제조방법
KR100957079B1 (ko) 플라스틱 주조 패키지 및 직접 결합 기판을 갖는 전력 장치
CN102709258A (zh) 一种金刚石-硅复合材料
JP2004160549A (ja) セラミックス−金属複合体およびこれを用いた高熱伝導放熱用基板
JP2007300114A (ja) 半導体装置部材及び半導体装置
JP2004022964A (ja) Ａｌ−ＳｉＣ系複合体およびそれを用いた放熱部品、半導体モジュール装置
JP2010258458A (ja) セラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板及びその製造方法
TWI799297B (zh) 多孔洞陶瓷散熱鰭片及其製造方法
US20220412676A1 (en) Heat dissipation member and heat sink
CN102690120B (zh) 一种高热导率电子封装材料
JP7486666B2 (ja) 放熱部材およびヒートシンク
WO2023095228A1 (ja) 放熱部材、電子機器、及び、放熱部材の製造方法
JP2005154832A (ja) 複合材料とその製造方法及びウェハ保持部材
KR20110007815A (ko) 다이아몬드 복합 방열기판 및 그 제조방법
JP2004277855A (ja) 高放熱性合金、放熱板、半導体素子用パッケージ、およびこれらの製造方法
JP2004022885A (ja) Ａｌ−ＳｉＣ系複合体および放熱部品
CN105922675B (zh) 一种铝基金刚石igbt散热基板材料及其制备方法
TW202348119A (zh) 散熱構件
JP2004168561A (ja) アルミニウム−セラミックス複合体