JP2010258458A - セラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】放熱板及びその製造方法においては、炭化珪素粉と銀粉とを混合、加圧してプリフォーム10を成形し、上記プリフォームにアルミニウム11を接触せしめ、上記プリフォームと上記アルミニウムとを加熱し、上記プリフォームに上記アルミニウムを含浸せしめると共に、上記セラミックス絶縁基板に上記含浸したアルミニウムを接合せしめる。上記金属はマグネシウム、亜鉛、ガリウム、鉛又は錫である。上記プリフォームに対する上記金属の含有率は2重量%以上10重量%以下とする。
【選択図】図1
Description
2 セラミックス絶縁基板
3 金属層
4 半田
5 金属層
6 半田
7 放熱板
8 メッキ層
9 鋳型
10 プリフォーム
11 アルミニウムインゴット
12 内底面
13 第1の凹部
14 第2の凹部
15 銅回路
16 セラミックス絶縁基板
17 アルミニウム回路
Claims (14)
- セラミックス素材と金属とよりなるプリフォームと、上記プリフォームに含浸したアルミニウムと、上記プリフォームに直接接合したセラミックス絶縁基板とより成ることを特徴とするセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板。
- 上記プリフォームの、上記セラミックス絶縁基板に対接する面と反対の面に銅回路板が接合されていることを特徴とする請求項1記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板。
- 上記プリフォームの、上記セラミックス絶縁基板に対接する面と反対の面にアルミニウム回路板が接合されていることを特徴とする請求項1記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板。
- セラミックス素材粉と金属粉とを混合、加圧して板状のプリフォームを成形する工程と、
上記プリフォームにアルミニウム及びセラミックス絶縁基板を接触せしめ、鋳型にセットする工程と、
上記鋳型を加熱し、上記プリフォームに上記アルミニウムを含浸せしめると共に、上記セラミックス絶縁基板に上記含浸したアルミニウムを接合する工程とよりなることを特徴とするセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。 - 上記セラミックス素材粉が炭化珪素粉であることを特徴とする請求項4記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- 上記プリフォームに対する上記金属の含有率が2重量%以上10重量%以下であることを特徴とする請求項4又は5記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- 上記金属がマグネシウム、亜鉛、ガリウム、鉛又は錫であることを特徴とする請求項4、5又は6記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- 上記セラミックス絶縁基板の上記プリフォームに対接する面と反対の面に銅回路板が接合されていることを特徴とする請求項4、5、6又は7記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- 上記セラミックス絶縁基板がアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる1種で作られることを特徴とする請求項4、5、6、7又は8記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- セラミックス素材粉と金属粉を混合、加圧してプリフォームを形成する工程と、
上記プリフォーム上にセラミックス絶縁基板を接触せしめ、更に上記セラミックス絶縁基板上にアルミニウムを接触せしめ、鋳型にセットする工程と、
上記鋳型を加熱し、上記プリフォームに上記アルミニウムを含浸せしめると共に、上記セラミックス絶縁基板の一方の面に上記含浸したアルミニウムを接合し、上記セラミックス絶縁基板の他方の面に上記アルミニウムを接合する工程と、
上記アルミニウムをエッチングしてアルミニウム回路基板を形成せしめる工程とよりなることを特徴とするセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。 - 上記セラミックス素材粉が炭化珪素粉であることを特徴とする請求項10記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- 上記プリフォームに対する上記金属の含有率が2重量%以上10重量%以下であることを特徴とする請求項10又は11記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- 上記金属がマグネシウム、亜鉛、ガリウム、鉛又は錫であることを特徴とする請求項10、11又は12記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
- 上記セラミックス絶縁基板がアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる1種で作られることを特徴とする請求項10、11、12、又は13記載のセラミックス絶縁基板一体型金属−セラミックス複合体放熱板の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102651349A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-08-29 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板及制法、自带散热器的该基板及功率模块 |
JP6984926B1 (ja) * | 2021-04-19 | 2021-12-22 | アドバンスコンポジット株式会社 | 金属基複合材料の製造方法及びプリフォームの作製方法 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11163209A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板とその製造方法 |
JPH11241130A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料の製造方法 |
JPH11264032A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Taiheiyo Cement Corp | 鋳造用金属−セラミックス複合材料の製造方法 |
JP2000277953A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板 |
JP2000288714A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-17 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料の製造方法 |
-
2010
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11163209A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板とその製造方法 |
JPH11241130A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料の製造方法 |
JPH11264032A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Taiheiyo Cement Corp | 鋳造用金属−セラミックス複合材料の製造方法 |
JP2000277953A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板 |
JP2000288714A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-17 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102651349A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-08-29 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板及制法、自带散热器的该基板及功率模块 |
JP6984926B1 (ja) * | 2021-04-19 | 2021-12-22 | アドバンスコンポジット株式会社 | 金属基複合材料の製造方法及びプリフォームの作製方法 |
WO2022224549A1 (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-27 | アドバンスコンポジット株式会社 | 金属基複合材料の製造方法及びプリフォームの作製方法 |
JP2022165294A (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-31 | アドバンスコンポジット株式会社 | 金属基複合材料の製造方法及びプリフォームの作製方法 |
JP7382105B1 (ja) | 2023-01-26 | 2023-11-16 | アドバンスコンポジット株式会社 | 高強度金属基複合体及び高強度金属基複合体の製造方法 |
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