TWI743216B - 用以防止在處理腔室之間的干擾的方法和設備 - Google Patents

用以防止在處理腔室之間的干擾的方法和設備 Download PDF

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Abstract

描述用以將在一群集工具的相鄰的處理腔室之間的電磁干擾最小化的方法和設備。主配方的開始時間係基於主處理腔室的電磁製程窗口、第一相鄰的處理腔室和可選擇的第二相鄰的處理腔室的電磁窗口來控制。主處理腔室的開始時間被控制以避免：主腔室的電磁窗口與相鄰的腔室的電磁窗口的時間重疊。

Description

用以防止在處理腔室之間的干擾的方法和設備
本揭露一般係關於：用以避免(或最小化)在相鄰的處理腔室之間的電磁干擾的設備和方法。特定而言，該揭露係關於：用以使用處理配方控制來最小化或消除在位於一群集工具的相鄰的處理腔室之間的電磁干擾或其他的處理干擾的設備和方法。
兩個相鄰的處理腔室(例如：物理氣相沉積(PVD)腔室)可能發生干擾。來自一腔室的磁場可影響在一相鄰的腔室中的磁場，而導致：沉積率、均勻性及/或沉積輪廓的差異。
隨著電磁鐵(EM)的應用或使用，EM電流可產生：一強場(strong field)，前述者可導致：EM干擾的可能性。利用小的EM電流，所產生的磁場(B-場)可為足夠小的而不引起：可測量的或顯著的干擾。互鎖可被設置以確保：EM電流/B-場係低於並不引起干擾的臨界值之下。然而，對於使用大電流的製程而言，在相鄰的腔室之間的干擾被觀察且在影響上可為顯著的。
目前，磁屏蔽被使用以減低干擾；然而，磁屏蔽無法消除干擾。B-屏蔽材料的有效性直接地與材料的厚度/體積相關。為了要消除干擾，B-屏蔽會是非常笨重的、昂貴的且不能使用的。
因而，在本領域中需要：用以減小或消除磁場干擾的方法和設備。
該揭露的一或更多個實施例係關於：處理一基板的方法。一基板被設置在一主處理腔室內，該主處理腔室具有一第一相鄰的處理腔室。要在主處理腔室中執行的主處理配方被載入至系統控制器。要在第一相鄰的處理腔室中執行的第一處理配方被載入至系統控制器。第一處理配方係使用系統控制器來評估以決定一第一製程窗口，其中在該第一製程窗口中，電磁鐵於第一相鄰的處理腔室中被供電。針對於主處理配方的開始時間係使用系統控制器來決定。主處理腔室係使用系統控制器來開始以在開始時間處開始進行主處理配方。
該揭露的額外的實施例係關於：處理一基板的方法。基板被設置在主處理腔室內，該主處理腔室具有一第一相鄰的處理腔室和一第二相鄰的處理腔室。主配方、第一處理配方和第二處理配方被載入至系統控制器。主處理配方要在主處理腔室中被執行、第一處理配方要在第一相鄰的處理腔室中被執行且第二配方要在第二相鄰的處理腔室中被執行。第一處理配方、第二處理配方和主處理配方係使用系統控制器來評估以決定一或更多個第一電磁場開始時間和結束時間，及一或更多個第二電磁場開始時間和結束時間，以及一或更多個主電磁場開始時間和結束時間。針對於第一配方、第二配方和主處理配方的開始時間係使用系統控制器而基於第一電磁開始時間、第一電磁結束時間、第二電磁開始時間、第二電磁結束時間和主電磁開始時間，以及主電磁結束時間來決定。主處理腔室、第一相鄰的處理腔室和第二相鄰的處理腔室係使用系統控制器來控制以在由系統控制器所決定的開始時間處開始進行主處理配方、第一處理配方和第二處理配方。
該揭露的另外的實施例係關於：群集工具，該等群集工具包含：一群集工具主體，該群集工具主體具有：一第一部分和一第二部分。第一複數個處理腔室被連接至在第一部分中的第一中央傳送腔室。第二複數個處理腔室被連接至在第二部分中的第二中央傳送腔室。第一機器人位在第一中央傳送腔室中。第二機器人位在第二中央傳送腔室中。系統控制器與第一機器人、第二機器人、第一複數個處理腔室和第二複數個處理腔室進行通訊。系統控制器經配置以決定：針對於一主處理腔室的一主配方開始時間，該主處理腔室具有：一第一相鄰的處理腔室和一第二相鄰的處理腔室。主配方開始時間係基於要在第一相鄰的處理腔室中執行的第一配方和要在第二相鄰的處理腔室中執行的第二配方。
在描述本發明的一些示例性的實施例之前，理解到：本發明並不被限制為被闡述於後續的描述中的構造或製程步驟的細節。本發明能夠具有其他的實施例並且能夠利用各種方式來實施或進行。
如同在此所使用的「基板(substrate)」意指為：任何的基板或形成在一基板上的材料表面，其中在製造製程期間於該基板上執行膜處理。舉例而言，基板表面 (其中在該基板表面上可執行處理)取決於應用來包含：材料(例如為矽、氧化矽、應變矽、在絕緣體上的矽(silicon on insulator, SOI)、碳摻雜的氧化矽、非晶矽、摻雜的矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石，及任何的其他的材料(例如：金屬、金屬氮化物、金屬合金，及其他的導電材料)。基板包含(不限於)：半導體晶圓。基板可被暴露於預處理製程以研磨、蝕刻、還原、氧化、羥基化(hydroxylate)、退火及/或烘烤基板表面。除了直接地在基板本身的表面上進行的膜處理之外，在本發明中，所揭示的膜處理步驟中的任何者亦可在一下層(under-layer)上執行，該下層被形成在如同於後文中更為詳細地揭示的基板上，及詞彙「基板表面(substrate surface)」意欲包含：如同上下文所指示的此下層。因此，舉例而言，在膜/層或部分的膜/層已經被沉積至基板表面的情況下，新沉積的膜/層的所顯露的表面變為基板表面。
如同在此說明書和隨附的申請專利範圍中所使用者，詞彙「前驅物(precursor)」、「反應物(reactant)」、「反應氣體(reactive gas)」及類以者被互換地使用以意指為：可與基板表面反應的任何的氣體種類(gaseous species)。
該揭露的實施例提供：用以最小化或消除腔室間的干擾的系統和方法。在一些實施例中，該干擾係電磁干擾。在一些實施例中，干擾包含：非電磁干擾(例如：處理干擾)。在一些實施例中，相鄰的腔室的處理時序被控制以避免相鄰的腔室同時地產生：潛在地發生干擾的磁場。如同利用此方式來使用者，詞彙「相鄰的腔室(adjacent chamber)」意指為：物理上彼此相鄰和具有處理干擾的腔室，以及物理上並不相鄰但具有處理干擾的腔室。針對於此目的，彼此相鄰且不具有處理干擾的處理腔室並不被認為是相鄰的腔室。
在一些實施例中，系統被使用以在開始之前，或當在相鄰的腔室中執行處理配方時「向前觀看(look ahead)」：電磁電流的開啟和關閉狀態的時序。如同在此方面所使用者，詞彙「處理配方(process recipe)」意指為：被使用以處理一基板的條件的序列。處理條件包含(但不限於)：氣體壓力、氣體流量、電漿產生和時序。
已經發現到：在一群集工具的相鄰的腔室中被處理的晶圓可受到在相鄰的腔室中所產生的磁場的影響。圍繞群集工具的腔室的位置影響了EM干擾的程度。
在一些實施例中，在一特定的腔室中處理一晶圓之前，系統查看：相鄰的腔室的配方。處理的開始時間可被改變，以使得：在相鄰的腔室中的配方係處於不具有EM重疊的點。
第1圖顯示：示例說明性的多腔室半導體處理工具(亦被稱為一群集工具或多群集工具)的示意圖。群集工具100包含：複數個處理腔室102、104、106、108、110、112、114、116、118。各個處理腔室可為：任何的適當的腔室(包含(但不限於)：預淨化腔室、緩衝腔室、傳送空間、晶圓取向器/脫氣腔室、冷卻腔室，及傳送腔室)。處理腔室和元件的特定的排置可取決於群集工具來改變且不應被認為是限制該揭露的範疇。
在被顯示於第1圖中的實施例中，工廠表面150被連接至群集工具100的前部。工廠表面150包含：在工廠表面150的前部151上的裝載腔室154和卸載腔室156。儘管裝載腔室154被顯示在左側且卸載腔室156被顯示在右側，彼等熟知該技術者將理解到：此者僅為一可能的配置的代表。
裝載腔室154和卸載腔室156的大小和形狀可取決於(例如)在群集工具100中被處理的基板來改變。在所顯示的實施例中，裝載腔室154和卸載腔室156的大小被設置為持住具有複數個晶圓的一晶圓盒，該等晶圓被設置在該盒中。
機器人152係在工廠表面150內且可在裝載腔室154與卸載腔室156之間移動。機器人152能夠從在裝載腔室154中的一盒經由工廠表面150傳送一晶圓至裝載閘腔室160。機器人152亦能夠從裝載閘腔室162經由工廠表面150傳送一晶圓至在卸載腔室156中的一盒。如同將由彼等熟知該技術者所理解到者，工廠表面150可具有：多於一個機器人152。舉例而言，工廠表面150可具有：一第一機器人，該第一機器人在裝載腔室154與裝載閘腔室160之間傳送晶圓，及一第二機器人，該第二機器人在裝載閘腔室162與卸載腔室156之間傳送晶圓。
所顯示的群集工具100具有：第一部分120和 第二部分130。第一部分120經由裝載閘腔室160、162被連接至工廠表面150。第一部分120包含：第一傳送腔室121，該第一傳送腔室具有設置於其中的至少一機器人125。機器人125亦被稱為：機器人晶圓傳送機構。第一傳送腔室121係位在相對於裝載閘腔室160、162、處理腔室102、104、116、118，及緩衝腔室122、124的中央處。一些實施例的機器人125係一多臂的機器人，該多臂的機器人能夠在一次中獨立地移動多於一個晶圓。在一些實施例中，第一傳送腔室121包含：多於一個的機器人晶圓傳送機構。在第一傳送腔室121中的機器人125經配置以在圍繞第一傳送腔室121的腔室之間移動晶圓。個別的晶圓係承載於晶圓傳送葉片上來載送，該晶圓傳送葉片位於第一機器人機構的遠端處。
在第一部分120中處理一晶圓之後，晶圓可經由傳遞腔室(pass-through chamber)被傳遞至第二部分130。舉例而言，腔室122、124可為：單方向的或雙方向的傳遞腔室。傳遞腔室122、124可被使用以(例如)在第二部分130進行處理之前預先清洗或預熱晶圓，或在移動回到第一部分120之前允許晶圓冷卻或後處理。
該揭露的一或更多個實施例係關於群集工具100。群集工具100包含：主體103，該主體具有：第一部分120和第二部分130。第一部分120包含：第一中央傳送腔室121和第一複數個處理腔室102、104、116、118。第一複數個處理腔室中的每一者被連接至第一中央傳送腔室121且可由位於第一中央傳送腔室121中的第一機器人125所進出(accessible)。第二部分130包含：第二中央傳送腔室131和第二複數個處理腔室106、108、110、112、114。第二複數個處理腔室中的每一者被連接至第二中央傳送腔室131且可由位於第二中央傳送腔室131中的第二機器人135進出。
系統控制器190與第一機器人125、第二機器人135、第一複數個處理腔室102、104、116、118和第二複數個處理腔室106、108、110、112、114進行通訊。系統控制器190可為：可控制處理腔室和機器人的任何適當的元件。舉例而言，系統控制器190可為：一電腦，該電腦包含：一中央處理單元、記憶體、適當的電路和儲存。
各種實施例的系統控制器190經配置以決定：針對於主處理腔室的主配方開始時間。主處理腔室(例如：腔室106)可在與第一相鄰的處理腔室108的不同的側上具有第一相鄰的處理腔室108和第二相鄰的處理腔室104。彼等熟知該技術者將理解到：在此說明書中所參照的示例腔室係為了達成說明性的目的且不應被認為是限制該揭露的範疇。
系統控制器190載入(或被程式化有)：將在主處理腔室中被執行的主配方、將在第一相鄰的處理腔室中被執行的第一配方，及將在第二相鄰的處理腔室中被執行的第二配方。舉例而言，若主配方係要在腔室106中被執行，第一相鄰的腔室108及/或第二相鄰的腔室104可能在進行主配方期間產生電磁干擾。
主處理腔室和相鄰的處理腔室的位置可以改變。在一些實施例中，主處理腔室和第一相鄰的處理腔室被連接至第一中央傳送腔室121或第二中央傳送腔室131。在一些實施例中，第二相鄰的處理腔室被連接至與主處理腔室和第一相鄰的處理腔室相同的中央傳送腔室(或不同的中央傳送腔室)。
在一些實施例中，主處理腔室和第一相鄰的處理腔室被連接至不同的中央傳送腔室。在一或更多個實施例中，並沒有第二相鄰的處理腔室，或第二相鄰的處理腔室並不執行：可能產生與主處理腔室之間的電磁干擾的配方。
系統控制器190評估此處理配方以決定製程窗口，其中在該製程窗口中電磁鐵被供電，或在該製程窗口中可能發生電磁干擾。製程窗口被界定為：在電磁鐵電源被開啟的時間至電磁鐵電源被關閉的時間之間(且包含在電磁鐵電源被開啟的時間至電磁鐵電源被關閉的時間)的時間區間。
僅為了達成說明性的目的，3個處理配方被列示於後文的表格1中。此些處理配方將被使用以描述：該揭露的各種實施例；然而，彼等熟知該技術者將理解到：該揭露並不被限制為此些處理配方。第2圖顯示：被列示於表格1中的處理配方的圖形表示。 表格1 在進行處理配方期間的電磁鐵電源
Figure 106133895-A0304-0001
在一些實施例中，系統控制器評估第一處理配方以決定一或更多個製程窗口，其中在該製程窗口中電磁鐵被供電。在所顯示的實施例中，具有兩個製程窗口，其中在該等製程窗口中電磁鐵電源被接合；來自2-4分鐘和來自6-8分鐘。可具有任何數目的製程窗口，其中在該等製程窗口中電磁鐵於進行任何的配方期間被供電。
系統控制器亦評估主處理配方以決定一或更多個製程窗口，其中在該等製程窗口中電磁鐵被供電。在所顯示的實施例中，具有兩個製程窗口，其中在該等製程窗口中電磁鐵電源被接合；來自2-4分鐘和來自7-9分鐘。可具有任何數目的製程窗口，其中在該等製程窗口中電磁鐵於進行任何的配方期間被供電。
如同從示例主配方和第一配方中可觀察到者，其中具有由於電磁功率所產生的磁場的重疊。該重疊會發生在2-4分鐘處和在7-8分鐘處。磁場的此重疊可造成：在磁場中的偏差和由基板所觀察的電流暴露於第一處理配方和主處理配方。因而，系統控制器決定針對於處理配方的每一者的開始時間，以確保：針對於相關的處理腔室中的每一者，僅有一個被供電的電磁鐵。
作為一實例，執行主配方的主處理腔室具有：單一的執行第一配方且有潛在干擾的相鄰的腔室。如同在第3圖中所顯示者，將第一配方的開始時間偏移5分鐘會導致：在主處理腔室和第一相鄰的處理腔室中的磁場不重疊。此外，主配方可在每一循環之間無延遲地重覆，而第一配方可在每一循環的結束與接續的循環的開始之間以1分鐘的間隔重覆。
因此，開始時間被決定，以使得在主處理腔室中的電磁場產生與第一製程窗口之間並無時間重疊。系統控制器隨後可開始進行：在第一相鄰的腔室中的第一配方和在主腔室中的主配方二者。
在一些實施例中，主處理腔室在該主處理腔室的相較於第一相鄰的處理腔室的一不同側上具有一第二相鄰的處理腔室。第二相鄰的處理腔室亦可具有：與在主處理腔室中所產生的磁場之間的一些干擾。在一些實施例中，第一相鄰的腔室和第二相鄰的腔室係在主腔室的不同的側上，以使得：在位於第一相鄰的腔室和第二相鄰的腔室中的處理配方之間具有很少的潛在性的干擾(或是沒有潛在性的干擾)。
在一些實施例中，系統控制器載入要在第二相鄰的處理腔室中被執行的第二處理配方和評估第二處理配方以決定一第二製程窗口，其中在該第二製程窗口中電磁鐵於第二相鄰的處理腔室中被供電。
系統控制器隨後可藉由評估來自第一相鄰的處理腔室的第一製程窗口和來自第二相鄰的處理腔室的第二製程窗口來決定：針對於主處理配方的開始時間。舉例而言，如同在第4圖中所顯示者，第一相鄰的處理腔室配方和第二相鄰的處理腔室配方可同時被啟動且主配方的開始被延遲6分鐘。第一配方和第二配方，以及主配方的循環可被改變，故在每一循環之間具有延遲期間以允許同時的處理，其中在主處理腔室中的電磁場產生與第一製程窗口或第二製程窗口並不會有時間重疊。
系統控制器基於主處理配方來決定：針對於第一相鄰的處理腔室的第一開始時間和針對於第二相鄰的處理腔室的第二開始時間，以及開始進行：在第一相鄰的處理腔室中的第一處理配方和在第二相鄰的處理腔室中的第二處理配方。
換言之，一些實施例的系統控制器評估第一處理配方、第二處理配方，及主處理配方以決定：針對於第一配方的一或更多個第一電磁場開始時間和結束時間，及針對於第二配方的一或更多個第二電磁場開始時間和結束時間，以及針對於主配方的一或更多個主電磁場開始時間和結束時間。針對於第一配方、第二配方，及主處理配方的開始時間可使用系統控制器而基於第一電磁開始時間、第一電磁結束時間、第二電磁開始時間、第二電磁結束時間和主電磁開始時間，及主電磁結束時間來決定。
在一些實施例中，第一相鄰的處理腔室和第二 相鄰的處理腔室在一次中被啟動，以使得當一電磁鐵在主處理腔室中基於主處理配方被供電時並不存在時間重疊。
在一或更多個實施例中，第一相鄰的處理腔室和第二相鄰的處理腔室中的一者被連接至與主處理腔室相同的中央傳送腔室。
在一些實施例中，第一相鄰的處理腔室和第二相鄰的處理腔室二者皆被連接至與主處理腔室相同的中央傳送腔室。
在一或更多個實施例中，主處理腔室和第一相鄰的處理腔室被連接至相同的中央傳送腔室。在一些實施例中，主處理腔室和第一相鄰的處理腔室被連接至不同的中央傳送腔室。
使用系統控制器來控制主處理腔室、第一相鄰的處理腔室，以及第二相鄰的處理腔室以在由系統控制器所決定的開始時間處以開始進行：主處理配方、第一處理配方，及第二處理配方。
在此說明書全文中對於「一實施例(one embodiment)」、「某些實施例(certain embodiments)」、「 一或更多個實施例(one or more embodiments)」或「一個實施例(an embodiment)」的參照意指為：與實施例相結合來描述的特定的特徵、結構、材料，或特性係被包含在本發明的至少一實施例。因此，短語(例如「在一或更多個實施例中(in one or more embodiments)」、「在某些實施例中(in certain embodiments)」、「在一實施例中(in one embodiment)」，或「在一個實施中(in an embodiment)」) 在此說明書全文的各個地方的出現並不必然地意指為：本發明的相同的實施例。此外，特定的特徵、結構、材料，或特性可利用任何的適當的方式被組合於一或更多個實施例。
儘管在此的本發明已經參照特定的實施例來描述，應理解到：此些實施例僅為本發明的原理和應用的示例說明。對於彼等熟知該技術者而言將為顯示易見的是：可對於本發明的方法和設備作出各種修正和變化，而不偏離本發明的精神和範疇。因此，所欲者為：本發明包含落於隨附的申請專利範圍和其等效者的範疇內的修正和變化。
100‧‧‧群集工具102‧‧‧處理腔室103‧‧‧主體104‧‧‧處理腔室106‧‧‧處理腔室108‧‧‧處理腔室110‧‧‧處理腔室112‧‧‧處理腔室114‧‧‧處理腔室116‧‧‧處理腔室118‧‧‧處理腔室120‧‧‧第一部分121‧‧‧第一傳送腔室122‧‧‧緩衝腔室124‧‧‧緩衝腔室125‧‧‧機器人130‧‧‧第二部分131‧‧‧第二中央傳送腔室135‧‧‧機器人150‧‧‧工廠表面152‧‧‧機器人154‧‧‧裝載腔室156‧‧‧卸載腔室160‧‧‧裝載閘腔室162‧‧‧裝載閘腔室190‧‧‧系統控制器
為了使得可詳細地理解前文引述本發明的特徵之方式，本發明的更為特定的描述(簡短地於前文中概括者)可藉由參照實施例來獲得，前述者中的一些者被示例說明於隨附的圖式中。然而，應注意到：隨附的圖式僅示例說明此發明的典型的實施例，因而並不被認為是限制其範疇，對於本發明而言可允許其他的同等有效的實施例。
第1圖根據該揭露的一或更多個實施例來顯示：群集工具。
第2圖根據該揭露的一或更多個實施例來顯示：示例性處理配方的圖形表示。
第3圖根據該揭露的一或更多個實施例來顯示：處理配方的圖形表示；及
第4圖根據該揭露的一或更多個實施例來顯示：處理配方的圖形表示。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧群集工具
102‧‧‧處理腔室
103‧‧‧主體
104‧‧‧處理腔室
106‧‧‧處理腔室
108‧‧‧處理腔室
110‧‧‧處理腔室
112‧‧‧處理腔室
114‧‧‧處理腔室
116‧‧‧處理腔室
118‧‧‧處理腔室
120‧‧‧第一部分
121‧‧‧第一傳送腔室
122‧‧‧緩衝腔室
124‧‧‧緩衝腔室
125‧‧‧機器人
130‧‧‧第二部分
131‧‧‧第二中央傳送腔室
135‧‧‧機器人
150‧‧‧工廠表面
100‧‧‧群集工具
102‧‧‧處理腔室
103‧‧‧主體
104‧‧‧處理腔室
106‧‧‧處理腔室
108‧‧‧處理腔室
110‧‧‧處理腔室
112‧‧‧處理腔室
114‧‧‧處理腔室
116‧‧‧處理腔室
118‧‧‧處理腔室
120‧‧‧第一部分
121‧‧‧第一傳送腔室
122‧‧‧緩衝腔室
124‧‧‧緩衝腔室
125‧‧‧機器人
130‧‧‧第二部分
131‧‧‧第二中央傳送腔室
135‧‧‧機器人
150‧‧‧工廠表面
152‧‧‧機器人
154‧‧‧裝載腔室
156‧‧‧卸載腔室
160‧‧‧裝載閘腔室
162‧‧‧裝載閘腔室
190‧‧‧系統控制器

Claims (18)

  1. 一種處理一基板的方法，該方法包含以下步驟：設置該基板在一主處理腔室內，該主處理腔室具有一第一相鄰的處理腔室；載入要在該主處理腔室中被執行的一主處理配方至一系統控制器，該主處理配方具有一主製程窗口，其中在該主製程窗口中，電磁鐵於該主處理腔室中被供電；載入要在該第一相鄰的處理腔室中被執行的一第一處理配方至該系統控制器，該第一處理配方具有一第一製程窗口，其中在該第一製程窗口中，電磁鐵於該第一相鄰的處理腔室中被供電；使用該系統控制器來評估該第一處理配方以決定針對於該主處理配方的一開始時間，以使得在該主處理腔室中的該主製程窗口與在該第一相鄰的處理腔室中的該第一製程窗口並無時間重疊；及使用該系統控制器來控制該主處理腔室以在該開始時間處開始進行該主處理配方。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該主處理腔室進一步包含：在該主處理腔室的相較於該第一相鄰的處理腔室的一不同側上的一第二相鄰的處理腔室。
  3. 如請求項2所述之方法，進一步包含以下步驟：載入要在該第二相鄰的處理腔室中被執行的一第二處理配方至該系統控制器。
  4. 如請求項3所述之方法，進一步包含以下步驟：評估該第二處理配方以決定一第二製程窗口，其中在該第二製程窗口中一電磁鐵於該第二相鄰的處理腔室被供電。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該系統控制器藉由評估該第一製程窗口和該第二製程窗口來決定針對於該主處理配方的該開始時間。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該開始時間被決定，以使得在該主處理腔室中的電磁場產生與該第一製程窗口或該第二製程窗口並無時間重疊。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該系統控制器基於該主處理配方來決定針對於該第一相鄰的處理腔室的一第一開始時間和針對於該第二相鄰的處理腔室的一第二開始時間。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該系統控制器開始進行在該第一相鄰的處理腔室中的該第一處理配方和在該第二相鄰的處理腔室中的該第二處理配方。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該第一相鄰的處理腔室和該第二相鄰的處理腔室在一次中被啟動，以使 得當一電磁鐵在該主處理腔室中基於該主處理配方被供電時並無時間重疊。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該第一相鄰的處理腔室和該第二相鄰的處理腔室中的一者被連接至與該主處理腔室相同的中央傳送腔室。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該第一相鄰的處理腔室和該第二相鄰的處理腔室二者被連接至與該主處理腔室相同的中央傳送腔室。
  12. 如請求項1所述之方法，其中該主處理腔室和該第一相鄰的處理腔室被連接至相同的中央傳送腔室。
  13. 如請求項1所述之方法，其中該主處理腔室和該第一相鄰的處理腔室被連接至不同的中央傳送腔室。
  14. 一種處理一基板的方法，該方法包含以下步驟：將該基板設置在一主處理腔室內，該主處理腔室具有一第一相鄰的處理腔室和一第二相鄰的處理腔室；載入一主處理配方、一第一處理配方和一第二處理配方至一系統控制器、要在該主處理腔室中被執行的該主處理配方、要在該第一相鄰的處理腔室中被執行的該第一處理配方和要在該第二相鄰的處理腔室中被 執行的該第二處理配方；使用該系統控制器來評估該第一處理配方、該第二處理配方，及該主處理配方以決定一或更多個第一製程窗口，該等第一製程窗口包含：第一電磁場開始時間和第一電磁場結束時間，及一或更多個第二製程窗口，該等第二製程窗口包含：第二電磁場開始時間和第二電磁場結束時間，以及一或更多個主製程窗口，該等主製程窗口包含：主電磁場開始時間和主電磁場結束時間；使用該系統控制器且基於該第一電磁場開始時間、第一電磁場結束時間、第二電磁場開始時間、第二電磁場結束時間和主電磁場開始時間，以及主電磁場結束時間來決定針對於該第一處理配方、該第二處理配方，及該主處理配方的一開始時間，以使得在該主處理腔室中的電磁場產生與該第一製程窗口或該第二製程窗口中的一或多個之間並無時間重疊；及使用該系統控制器來控制該主處理腔室、該第一相鄰的處理腔室，及該第二相鄰的處理腔室以在由該系統控制器所決定的該開始時間處開始進行該主處理配方、該第一處理配方，及該第二處理配方。
  15. 一種群集工具，包含：一群集工具主體，該群集工具主體具有一第一部分 和一第二部分；一第一複數個處理腔室，該等處理腔室被連接至在該第一部分中的一第一中央傳送腔室；一第二複數個處理腔室，該等處理腔室被連接至在該第二部分中的一第二中央傳送腔室；一第一機器人，該第一機器人位於該第一中央傳送腔室中；一第二機器人，該第二機器人位於該第二中央傳送腔室中；及一系統控制器，該系統控制器與該第一機器人、該第二機器人、第一複數個處理腔室和第二複數個處理腔室進行通訊，該系統控制器經配置以決定對於針對於一主處理腔室的一主配方開始時間的一主製程窗口，該主處理腔室具有一第一相鄰的處理腔室和一第二相鄰的處理腔室，該主配方開始時間係基於要在該第一相鄰的處理腔室中被執行的一第一配方和要在該第二相鄰的處理腔室中被執行的一第二配方中的一或多個，該第一配方具有一第一製程窗口，其中在該第一製程窗口中，電磁鐵於該第一相鄰的處理腔室中被供電，該第二配方具有一第二製程窗口，其中在該第二製程窗口中，電磁鐵於該第二相鄰的處理腔室中被供電，該主配方開始時間被決定，以使得在該主處理腔室中 的該主製程窗口與在該第一相鄰的處理腔室中的該第一製程窗口或在該第二相鄰的處理腔室中的該第二製程窗口中的一或多個並無時間重疊。
  16. 如請求項15所述之群集工具，其中該主處理腔室和該第一相鄰的處理腔室被連接至該第一中央傳送腔室。
  17. 如請求項16所述之群集工具，其中該第二相鄰的處理腔室被連接至該第二中央傳送腔室。
  18. 如請求項16所述之群集工具，其中該第二相鄰的處理腔室被連接至該第一中央傳送腔室。
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