TW201923890A - 被加工物之處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種於在磁阻效應元件之加工中利用蝕刻之情形時抑制磁阻效應元件之磁特性等降低的技術。
本發明之被加工物之處理方法係於磁阻效應元件之製造中執行者，且被加工物具有第1多層膜及第2多層膜，第1多層膜包含第1磁性層、第2磁性層、及隧道勢壘層，隧道勢壘層設置於第1磁性層與第2磁性層之間，第2多層膜係於磁阻效應元件中構成釘扎層之多層膜。該方法於對第1多層膜及第2多層膜執行蝕刻後、或於該蝕刻之執行中具備對被加工物進行加熱之步驟。該步驟係一面調整被加工物周圍之狀態一面對被加工物進行加熱。

Description

被加工物之處理方法
本發明之實施形態係關於一種被加工物之處理方法。
利用於MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻隨機存取記憶體)等器件中之磁阻效應元件包含磁性穿隧接面(Magnetic Tunnel Junction)。於磁阻效應元件之製造中，對多層膜進行蝕刻。於專利文獻1中，揭示有如下技術：藉由乾式蝕刻對包含磁性層之積層膜進行加工，藉此形成構成MRAM之磁阻效應元件。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-164955號公報
[發明所欲解決之問題]
於在磁阻效應元件之加工中使用反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)之情形時，該蝕刻中用到包含氫氣、氮氣、鹵素等之反應性氣體。因此，存在磁阻效應元件之磁特性等因該蝕刻而降低之情形。因此，期望於在磁阻效應元件之加工中利用蝕刻之情形時抑制磁阻效應元件之磁特性等降低的技術。
[解決問題之技術手段]
於一態樣中，提供一種於磁阻效應元件之製造中執行的被加工物之處理方法。被加工物具有第1多層膜及第2多層膜，第1多層膜包含第1磁性層、第2磁性層、及隧道勢壘層，隧道勢壘層設置於第1磁性層與第2磁性層之間，第2多層膜係於磁阻效應元件中構成釘扎層之多層膜。該方法於對第1多層膜及第2多層膜執行蝕刻後、或於該蝕刻之執行中具備對被加工物進行加熱之步驟。該步驟係一面調整被加工物周圍之狀態一面對被加工物進行加熱。
於磁阻效應元件之製造中，因對被加工物之第1多層膜及第2多層膜進行蝕刻而導致被加工物之磁特性等物性產生變化，其結果為，保磁力可能會下降。發明者經過銳意研究，結果發現：藉由在對被加工物之第1多層膜及第2多層膜執行蝕刻後、或於該蝕刻執行中，對被加工物執行一面調整被加工物周圍之狀態一面對被加工物進行加熱之步驟(以下稱為步驟A)，可使因蝕刻而可能產生之保磁力之下降充分恢復。
於一實施形態中，步驟A能夠對被加工物進行真空加熱，或步驟A能夠藉由在蝕刻執行後對被加工物周圍供給氣體而一面調整被加工物周圍之狀態一面對被加工物進行加熱。發明者經過銳意研究，結果發現：於步驟A中，無論使用在蝕刻執行後或於蝕刻執行中對被加工物進行真空加熱之情形、抑或藉由在蝕刻執行後對被加工物周圍供給氣體而一面調整被加工物周圍之狀態一面對被加工物進行加熱之情形中之何種情形，均能使因蝕刻而可能產生之保磁力之下降充分恢復。
於一實施形態中，於蝕刻執行後對被加工物周圍供給之氣體可包含氫氣及稀有氣體中之任一者。發明者發現：即便於在步驟A中對被加工物周圍供給之氣體包含例如氫氣及稀有氣體中之任一者之情形時，亦能夠使因蝕刻而可能產生之保磁力之下降充分恢復。
於一實施形態中，步驟A可藉由在蝕刻執行後產生供給至被加工物周圍之氣體之電漿而調整被加工物周圍之狀態。發明者發現：即便將電漿用於調整被加工物周圍之狀態，亦能夠使因蝕刻而可能產生之保磁力之下降充分恢復。
於一實施形態中，步驟A能以使被加工物之溫度成為攝氏160度以上且攝氏200度以下之方式對被加工物進行加熱。或者，步驟A能以使被加工物之溫度成為攝氏160度以上且攝氏180度以下之方式對被加工物進行加熱。發明者發現：於步驟A中，無論於將被加工物之溫度加熱至攝氏160度以上且攝氏200度以下之情形、或將被加工物之溫度加熱至攝氏160度以上且攝氏180度以下之情形中之何種情形時，均能使因蝕刻而可能產生之保磁力之下降充分恢復。
[發明之效果]
如以上所說明般，提供一種於在磁阻效應元件之加工中利用蝕刻之情形時抑制磁阻效應元件之磁特性等降低的技術。
以下，參照圖式對各種實施形態進行詳細說明。再者，於各圖式中對相同或相當之部分標註相同之符號。
圖1係例示一實施形態之被加工物W之處理方法(方法MT)之一個部分的流程圖。圖1所示之方法MT係於磁阻效應元件之製造中被執行。方法MT具備蝕刻步驟ST1、加熱步驟ST2、及成膜步驟ST3。加熱步驟ST2係於蝕刻步驟ST1之後執行。成膜步驟ST3係於加熱步驟ST2之後執行。
蝕刻步驟ST1例如對圖2所示之狀態之被加工物W進行蝕刻。圖2係例示應用圖1所示之方法MT之蝕刻步驟ST1的被加工物W之一部分之剖視圖。圖3係例示應用圖1所示之方法MT之加熱步驟ST2的被加工物W之一部分之剖視圖。
參照圖2及圖3，對被加工物W之構成進行詳細說明。被加工物W具有多層膜ML1(第1多層膜)、及多層膜ML2(第2多層膜)。多層膜ML1包含第1磁性層L11、隧道勢壘層L12、及第2磁性層L13。隧道勢壘層L12設置於第1磁性層L11與第2磁性層L13之間。第1磁性層L11、隧道勢壘層L12、及第2磁性層L13於磁阻效應元件中形成磁性穿隧接面。第1磁性層L11及第2磁性層L13例如為CoFeB層。隧道勢壘層L12係包含金屬之氧化物之絕緣層。隧道勢壘層L12例如為MgO層(MgO：氧化鎂)。
於一例中，多層膜ML1進而包含上覆層L14、上層L15、及下層L16。第1磁性層L11、隧道勢壘層L12、及第2磁性層L13設置於上層L15與下層L16之間。上層L15及下層L16例如含有W(鎢)。上覆層L14設置於上層L15之上。上覆層L14例如含有Ta(鉭)。
再者，亦可於上覆層L14與上層L15之間設置CoFeB層及MgO層。於該情形時，CoFeB層係設置於上覆層L14上，MgO層係設置於CoFeB層上，上層L15係設置於MgO層上。
多層膜ML2設置於多層膜ML1上。多層膜ML2係金屬多層膜，且係於磁阻效應元件中構成釘扎層之多層膜。於一例中，多層膜ML2包含複數個鈷層L21及複數個鉑層L22。複數個鈷層L21及複數個鉑層L22相互交替地積層。又，多層膜ML2可進而包含釕層L23(釕：Ru)。釕層L23設置於複數個鈷層L21及複數個鉑層L22之交替積層之中間。
多層膜ML1及多層膜ML2係隔著下部電極層BL而設置於基底層UL之上。基底層UL例如由氧化矽形成。於一例中，下部電極層BL包含第1層L31、第2層L32、及第3層L33。第3層L33為Ta層，且設置於基底層UL上。第2層L32為Ru層，且設置於第3層L33上。第1層L31為Ta層，且設置於第2層L32上。
於包含多層膜ML1及多層膜ML2之積層體之上，設置有遮罩MK。遮罩MK雖亦可為單層，但於圖2及圖3所示之例中為積層體。於圖2及圖3所示之例中，遮罩MK包含層L41～L44。層L41含有氧化矽，層L42含有氮化矽，層L43含有TiN(氮化鈦)，層L44含有Ru(釕)。
以下，以應用於圖2及圖3各者所示之被加工物W之情形為例，對方法MT進行說明。於方法MT中，為了對被加工物W之多層膜ML1及多層膜ML2進行蝕刻，而使用電漿處理裝置。圖4係概略性地表示能夠用於執行圖1所示之方法MT(尤其是加熱步驟ST2)的電漿處理裝置之一例(電漿處理裝置10)之圖。於圖4中，概略性地示出電漿處理裝置10之縱截面之構造。圖4所示之電漿處理裝置10係電容耦合型之電漿處理裝置。電漿處理裝置10可用於執行加熱步驟ST2，並且可用於執行蝕刻步驟ST1、成膜步驟ST3。於該情形時，蝕刻步驟ST1、加熱步驟ST2、成膜步驟ST3可始終藉由一個裝置(電漿處理裝置10)執行。再者，蝕刻步驟ST1、成膜步驟ST3亦可藉由與電漿處理裝置10不同之另一電漿處理裝置執行。
電漿處理裝置10具備腔室本體12。腔室本體12具有大致圓筒形狀。腔室本體12提供腔室本體12之內部空間作為腔室12c。腔室本體12例如含有鋁。於腔室本體12之內壁面、即劃分形成腔室12c之壁面，形成有具有耐電漿性之膜。該膜可為藉由陽極氧化處理而形成之膜、或陶瓷製之膜。該陶瓷製之膜例如為含有氧化釔之膜。於腔室本體12之側壁12s設置有用以搬送被加工物W之開口12g。開口12g能夠藉由閘閥14開閉。腔室本體12連接於接地電位。
於腔室12c內，支持部15自腔室本體12之底部向上方延伸。支持部15具有大致圓筒形狀，且具有石英等絕緣材料。於腔室12c內，設置有平台16。平台16係以支持搭載於平台16之上之被加工物W之方式構成。被加工物W可如晶圓般具有圓盤形狀。平台16包含下部電極18及靜電吸盤20。平台16由支持部15支持。
下部電極18包含第1極板18a及第2極板18b。第1極板18a及第2極板18b含有鋁等金屬，且具有大致圓盤形狀。第2極板18b設置於第1極板18a上，且電性連接於第1極板18a。
於第2極板18b上，設置有靜電吸盤20。靜電吸盤20具有絕緣層、及內置於該絕緣層內之電極。於靜電吸盤20之電極，經由開關23而電性連接有直流電源22。當對靜電吸盤20之電極施加來自直流電源22之直流電壓時，靜電吸盤20產生靜電力。靜電吸盤20藉由該靜電力而將被加工物W吸引至靜電吸盤20，從而保持被加工物W。
於第2極板18b之周緣部上，以包圍被加工物W之邊緣與靜電吸盤20之方式配置有聚焦環24。聚焦環24係為了提昇電漿處理之均勻性而設置。聚焦環24具有根據電漿處理而適當選擇之材料，例如具有石英。
載置於靜電吸盤20上之被加工物W可使用對流路18f供給冷媒之冷卻器單元、及對溫度調節部HT供給電力之加熱器電源HP予以控制。
流路18f係設置於第2極板18b之內部。對流路18f，自設置於腔室本體12之外部之冷卻器單元經由配管26a而供給冷媒。供給至流路18f之冷媒經由配管26b而返回至冷卻器單元。如此，以於流路18f內循環之方式對流路18f供給冷媒。藉由利用冷卻器單元控制該冷媒之溫度，可控制由靜電吸盤20支持之被加工物W之溫度。
溫度調節部HT係設置於靜電吸盤20。於溫度調節部HT連接有加熱器電源HP。藉由自加熱器電源HP對溫度調節部HT供給電力而調節靜電吸盤20之溫度，從而調節載置於靜電吸盤20上之被加工物W之溫度。再者，溫度調節部HT亦能夠嵌入至第2極板18b內。
溫度調節部HT具備未圖示之溫度感測器，該溫度感測器檢測溫度調節部HT周圍之溫度，並將該檢測結果作為檢測信號輸出至控制部Cnt。由該溫度感測器檢測到之溫度與載置於靜電吸盤20上之被加工物W之溫度等同。
於電漿處理裝置10設置有供氣管線28。供氣管線28將來自傳熱供氣機構之傳熱氣體、例如He氣體供給至靜電吸盤20之上表面與被加工物W之背面之間。
電漿處理裝置10進而具備上部電極30。上部電極30設置於平台16之上方，且相對於下部電極18大致平行地設置。上部電極30與構件32一併將腔室本體12之上部開口關閉。構件32具有絕緣性。上部電極30經由構件32而被支持於腔室本體12之上部。
上部電極30包含頂板34及支持體36。頂板34面向腔室12c。於頂板34設置有複數個噴氣孔34a。頂板34例如具有矽，但並不限定於此，可具有於鋁製母材之表面設置耐電漿性之膜而成之構造。再者，該膜可為陶瓷製之膜。陶瓷製之該膜為藉由陽極氧化處理所形成之膜、或含有氧化釔之膜等。
支持體36將頂板34裝卸自如地支持。支持體36具有鋁等導電性材料。於支持體36之內部，設置有氣體擴散室36a。複數個氣孔36b自氣體擴散室36a向下方延伸，複數個氣孔36b分別與複數個噴氣孔34a連通。於支持體36形成有對氣體擴散室36a導引氣體之氣體導入口36c，於氣體導入口36c連接有供氣管38。
於供氣管38，經由閥組42及流量控制器組44而連接有氣體源組40。氣體源組40具有複數個氣體源。複數個氣體源至少包含一種以上之稀有氣體源、碳化氫氣體源、包含碳及氧之氣體源、O2 氣體源、及He氣體源。複數個氣體源可包含Ne氣體源及Kr氣體源作為一種以上之稀有氣體源。複數個氣體源可進而包含Ar氣體源作為一種以上之稀有氣體源。碳化氫氣體例如為CF4 氣體。包含碳及氧之氣體例如為一氧化碳氣體、二氧化碳氣體、CF4 氣體等。
閥組42包含複數個閥。流量控制器組44包含質量流量控制器等複數個流量控制器。氣體源組40之複數個氣體源分別經由閥組42之對應之閥及流量控制器組44之對應之流量控制器而連接於供氣管38。電漿處理裝置10能夠將來自氣體源組40之複數個氣體源中被選擇之一個以上氣體源的氣體以經個別調整後之流量供給至腔室12c。
於腔室12c內，在支持部15與腔室本體12之側壁12s之間設置有擋板48。擋板48例如具有於鋁製母材被覆氧化釔等陶瓷而成之構成。於擋板48形成有複數個貫通孔。於擋板48之下方，排氣管52連接於腔室本體12之底部。於排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有壓力控制器、及渦輪分子泵等真空泵，可對腔室12c進行減壓。
電漿處理裝置10具備第1高頻電源62。第1高頻電源62係產生電漿生成用第1高頻之電源，產生具有27～100[MHz]之範圍內之頻率、例如60[MHz]之頻率之高頻。第1高頻電源62經由匹配器63而連接於上部電極30。匹配器63具有用以整合第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(上部電極30側)之輸入阻抗的電路。再者，第1高頻電源62亦可經由匹配器63而連接於下部電極18。於第1高頻電源62連接於下部電極18之情形時，上部電極30連接於接地電位。
電漿處理裝置10具備第2高頻電源64。第2高頻電源64係產生用以將離子拉入至被加工物W之偏壓用第2高頻之電源。第2高頻之頻率低於第1高頻之頻率。第2高頻之頻率為400[kHz]～13.56[MHz]之範圍內之頻率，例如為400[kHz]。第2高頻電源64經由匹配器65而連接於下部電極18。匹配器65具有用以整合第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極18側)之輸入阻抗的電路。
於一實施形態中，電漿處理裝置10具備控制部Cnt。控制部Cnt係具備處理器、記憶裝置、輸入裝置、顯示裝置等之電腦，控制電漿處理裝置10之各部。具體而言，控制部Cnt執行記憶裝置中所記憶之控制程式，並基於該記憶裝置中所記憶之製程參數資料而控制電漿處理裝置10之各部。藉此，電漿處理裝置10執行藉由製程參數資料所指定之製程。
控制部Cnt例如基於方法MT用製程參數資料而控制電漿處理裝置10之各部。控制部Cnt尤其基於自溫度調節部HT之溫度感測器輸出之檢測信號(表示溫度之檢測結果之信號)，以使溫度調節部HT周圍之溫度、即載置於靜電吸盤20上之被加工物W之溫度成為預先設定之溫度範圍(以下稱為溫度範圍TR)之方式控制加熱器電源HP、及冷卻器單元。
於方法MT之執行中使用電漿之情形時，當執行方法MT時，將來自氣體源組40之複數個氣體源中被選擇之氣體源的氣體供給至腔室12c。又，藉由排氣裝置50對腔室12c進行減壓。然後，供給至腔室12c之氣體藉由以來自第1高頻電源62之高頻所產生之高頻電場而被激發。藉此，於腔室12c內生成電漿。又，存在對下部電極18供給第2高頻之情形。於該情形時，使電漿中之離子朝向被加工物W加速。
返回至圖1，對方法MT進行說明。蝕刻步驟ST1係對圖2所示之狀態之被加工物W進行蝕刻。更具體而言，蝕刻步驟ST1係對圖2所示之多層膜ML1、多層膜ML2進行蝕刻。藉由執行蝕刻步驟ST2，從而圖2所示之狀態之被加工物W被整形為例如圖3所示之狀態之被加工物W。
對蝕刻步驟ST1具體地進行說明。於蝕刻步驟ST1中，針對多層膜ML1之蝕刻可使用Kr氣體等稀有氣體之電漿。於蝕刻步驟ST1中，針對多層膜ML2之蝕刻例如可使用包含碳化氫氣體及稀有氣體之第1混合氣體之電漿。第1混合氣體所包含之碳化氫氣體例如為CH4 氣體。第2混合氣體所包含之稀有氣體例如為Kr氣體。又，存在因使用第1混合氣體而於被加工物W形成包含碳之堆積物之情形。為了去除該堆積物，可使用第2混合氣體之電漿。第2混合氣體為如下氣體：包含含有碳及氧之氣體、含有O2 之氣體、及稀有氣體，且不含氫。包含於第2混合氣體且含有碳及氧之氣體例如為一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體。第2混合氣體所包含之稀有氣體例如為Ne氣體。
繼蝕刻步驟ST1後進行之加熱步驟ST2係對圖3所示之狀態之被加工物W進行加熱。更具體而言，加熱步驟ST2係一面調節圖3所示之狀態之被加工物W周圍之狀態一面對被加工物W進行加熱。被加工物W之加熱係藉由自加熱器電源HP被供給電力之溫度調節部HT進行。繼加熱步驟ST2後進行之成膜步驟ST3係於藉由加熱步驟ST2進行加熱後之被加工物W之表面形成例如包含SiN之膜。
對加熱步驟ST2詳細地進行說明。於加熱步驟ST2中，載置於靜電吸盤20上之被加工物W之溫度係以使用對流路18f供給冷媒之冷卻器單元、及對溫度調節部HT供給電力之加熱器電源HP而成為預先設定之溫度範圍TR的方式被控制。溫度範圍TR例如可為攝氏160度以上且攝氏200度以下之範圍、攝氏160度以上且攝氏180度以下之範圍中之任一範圍。即，加熱步驟ST2係藉由以使被加工物W之溫度成為上述溫度範圍TR之方式對被加工物W進行加熱等而控制被加工物W之溫度。
加熱步驟ST2對被加工物W進行加熱，並且調整被加工物W周圍之狀態。具體而言，加熱步驟ST2例如對被加工物W進行真空加熱。所謂真空加熱，意指於藉由排氣裝置50將被加工物W周圍之氣壓充分減壓之狀態下對被加工物W進行加熱。再者，加熱步驟ST2亦能夠於蝕刻步驟ST1之執行中例如對被加工物W進行真空加熱。又，加熱步驟ST2亦能夠於蝕刻步驟ST1之執行後，不進行真空加熱而對被加工物W周圍供給氣體，藉此一面調整被加工物W周圍之狀態一面對被加工物W進行加熱。對被加工物W周圍供給之氣體可為含有各種元素之氣體。對被加工物W周圍供給之氣體例如可包含氫氣及稀有氣體中之任一者。
圖5係表示圖1所示之方法MT之加熱步驟ST2中之被加工物W周圍之狀態、與加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]之關聯的圖。圖5所示之橫軸表示被加工物W周圍之狀態，圖5所示之縱軸表示加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。於本說明書中，變化量ΔHc[Oe]係自加熱步驟ST2執行後之保磁力Hc[Oe]減去加熱步驟ST2執行前之保磁力Hc[Oe]所得的值。
圖5所示之長方形GRA1表示於加熱步驟ST2中之被加工物W周圍之狀態處於真空狀態之情形、即藉由排氣裝置50將被加工物W周圍之氣壓充分減壓之狀態之情形時加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。圖5所示之長方形GRA2表示於加熱步驟ST2中之被加工物W周圍處於被O2 氣體氛圍覆蓋之狀態之情形時加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。圖5所示之長方形GRA3表示於加熱步驟ST2中之被加工物W周圍處於被H2 氣體氛圍覆蓋之狀態之情形時加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。
圖5所示之長方形GRA4表示於加熱步驟ST2中之被加工物W周圍處於被Ar氣體氛圍覆蓋之狀態之情形時加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。圖5所示之長方形GRA5表示於加熱步驟ST2中之被加工物W周圍處於被He氣體氛圍覆蓋之狀態之情形時加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。圖5所示之長方形GRA6表示於加熱步驟ST2中之被加工物W周圍處於被包含CF4 氣體及Ar氣體之混合氣體(CF4 /Ar氣體)氛圍覆蓋之狀態之情形時加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。圖5所示之長方形GRA7表示於加熱步驟ST2中之被加工物W周圍處於被包含CH4 氣體及Ar氣體之混合氣體(CH4 /Ar氣體)氛圍覆蓋之狀態之情形時加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。
圖5表示藉由在下述條件下執行加熱步驟ST2而獲得之結果。再者，下述條件為一例，藉由在包含下述條件之相對較寬鬆之條件下執行加熱步驟ST2，亦能夠獲得與圖5所示之結果同樣之結果。
＜加熱步驟ST2之條件＞
·被加工物W之溫度：攝氏200度
·執行時間：600秒
如圖5所示，可知：於加熱步驟ST2中，無論為對被加工物W進行真空加熱之情形、抑或於被加工物W周圍被O2 氣體、H2 氣體、Ar氣體、He氣體、CF4 /Ar氣體、CH4 /Ar氣體中之任一氛圍覆蓋之狀態下對被加工物W進行過熱之情形中之何種情形，加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]均大致成為100[Oe]以上，因此，藉由執行加熱步驟ST2而使被加工物W之保磁力Hc[Oe]充分恢復。
圖6係表示圖1所示之方法MT之加熱步驟ST2中之被加工物W之溫度[℃]與加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之關聯的圖。圖6所示之橫軸表示被加工物W之溫度[℃]，圖6所示之縱軸表示加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]。圖6表示藉由在被加工物W周圍被Ar氣體氛圍覆蓋之狀態下執行加熱步驟ST2而獲得的結果。
如圖6所示，可知：於在被加工物W周圍被Ar氣體氛圍覆蓋之狀態下執行加熱步驟ST2之情形時，於加熱步驟ST2中之被加工物W之溫度處於例如攝氏160度以上且攝氏200度以下之範圍之情形時，加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]大致成為1300[Oe]以上，於加熱步驟ST2中之被加工物W之溫度處於例如攝氏160度以上且攝氏180度以下範圍之情形時，加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]大致成為1400[Oe]以上。因此，可知：於在被加工物W周圍被Ar氣體氛圍覆蓋之狀態下執行加熱步驟ST2之情形時，藉由執行加熱步驟ST2，被加工物W獲得充分之保磁力Hc[Oe]。
再者，於圖6中示出使用Ar氣體之情形時之結果，但並不限定於Ar氣體，於被加工物W周圍處於例如圖5之橫軸所示般之各種狀態之情形時，藉由執行加熱步驟ST2，亦能夠獲得與圖6所示之結果同樣之結果。
於加熱步驟ST2中，亦能夠將電漿用於調整被加工物W周圍之狀態。即，加熱步驟ST2亦能夠藉由產生供給至被加工物W周圍之氣體之電漿而調整被加工物W周圍之狀態。圖7係表示於在圖1所示之方法MT之加熱步驟ST2中使用電漿之情形時加熱步驟ST2中之被加工物W之溫度與加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]之關聯的圖。圖7所示之橫軸表示被加工物W之溫度[℃]，圖7所示之縱軸表示加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之變化量ΔHc[Oe]。圖7表示藉由在被加工物W周圍被O2 氣體氛圍覆蓋之狀態下執行加熱步驟ST2而獲得的結果。圖7所示之摺線GRB1表示將電漿用於調整被加工物W周圍之狀態之情形。圖7所示之摺線GRB2表示未將電漿用於調整被加工物W周圍之狀態之情形。
如圖7所示，可知：無論為被加工物W周圍之狀態之調整使用O2 氣體之電漿之情形、抑或被加工物W周圍之狀態之調整使用O2 氣體但未使用O2 氣體之電漿之情形中之何種情形，於加熱步驟ST2中之被加工物W之溫度為例如攝氏160度以上且攝氏200度以下之範圍中，加熱步驟ST2前後之被加工物W之保磁力Hc[Oe]之差量均大致為70[Oe]以下，因電漿之有無引起之差異相對較小。因此，可知：於加熱步驟ST2中，即便將電漿用於調整被加工物W周圍之狀態，藉由執行加熱步驟ST2，被加工物W之保磁力Hc[Oe]亦能夠充分恢復。再者，於圖7中示出使用O2 氣體之情形時之結果，但關於電漿之有無，並不限定於O2 氣體，例如於使用如圖5之橫軸所示般之各種氣體之情形時，亦可獲得與圖7所示之結果同樣之結果。
圖5、圖6、圖7所示之保磁力Hc[Oe]係以如下方式獲得之值。即，針對每個被加工物W，使用試樣振動型磁力計製成如圖8中模式性地例示之磁化曲線，基於磁化曲線測定磁場之強度Hc1及Hc2，算出該測定出之Hc1及Hc2之平均值作為保磁力Hc[Oe]。圖8係對本說明書中所使用之保磁力Hc[Oe]進行說明之圖。
再者，加熱步驟ST2不僅可如上所述般於蝕刻步驟ST1之執行後進行，而且亦可於蝕刻步驟ST1之執行中進行。即，加熱步驟ST2可於對多層膜ML1及多層膜ML2執行蝕刻(蝕刻步驟ST1)後、或於該蝕刻(蝕刻步驟ST1)之執行中對被加工物W進行加熱。於加熱步驟ST2係於蝕刻步驟ST1之執行中進行之情形時，亦可產生與加熱步驟ST2於蝕刻步驟ST1之執行後進行之情形時同樣之效果。
於磁阻效應元件之製造中對被加工物W之多層膜ML1及多層膜ML2進行蝕刻會導致被加工物W之磁特性等物性產生變化，其結果為保磁力Hc[Oe]可能產生下降，但發明者經過銳意研究，結果發現：藉由在對被加工物W之多層膜ML1及多層膜ML2執行蝕刻步驟ST1後、或於蝕刻步驟ST1之執行中對被加工物W執行一面調整被加工物W周圍之狀態一面對被加工物W進行加熱的加熱步驟ST2，可使因蝕刻而可能產生之保磁力Hc[Oe]之下降充分恢復。
又，加熱步驟ST2係於蝕刻步驟ST1之執行後或蝕刻步驟ST1之執行中均能夠對被加工物W進行真空加熱。或者，加熱步驟ST2能夠藉由在蝕刻步驟ST1之執行後對被加工物W周圍供給氣體而一面調整被加工物W周圍之狀態一面對被加工物W進行加熱。如此，發明者經過銳意研究，結果發現：於加熱步驟ST2中，無論使用在蝕刻步驟ST1之執行後或蝕刻步驟ST1之執行中對被加工物W進行真空加熱之情形、抑或藉由在蝕刻步驟ST1之執行後對被加工物W周圍供給氣體而一面調整被加工物W周圍之狀態一面對被加工物W進行加熱之情形中之何種情形，均可使因蝕刻而可能產生之保磁力Hc[Oe]之下降充分恢復。
於蝕刻步驟ST1之執行後對被加工物W周圍供給之氣體可包含氫氣及稀有氣體中之任一者。如此，發明者發現：即便於在加熱步驟ST2中對被加工物W周圍供給之氣體包含例如氫氣及稀有氣體中之任一者之情形時，均可使因蝕刻而可能產生之保磁力Hc[Oe]之下降充分恢復。
加熱步驟ST2可藉由在蝕刻步驟ST1之執行後產生供給至被加工物W周圍之氣體之電漿而調整被加工物W周圍之狀態。如此，發明者發現：將電漿用於調整被加工物W周圍之狀態亦可使因蝕刻而可能產生之保磁力Hc[Oe]之下降充分恢復。
加熱步驟ST2可以使被加工物W之溫度成為攝氏160度以上且攝氏200度以下之方式對被加工物W進行加熱。或者，加熱步驟ST2可以使被加工物W之溫度成為攝氏160度以上且攝氏180度以下之方式對被加工物W進行加熱。如此，發明者發現：於加熱步驟ST2中，無論於將被加工物W之溫度加熱至攝氏160度以上且攝氏200度以下之情形、或將被加工物W之溫度加熱至攝氏160度以上且攝氏180度以下之情形中之何種情形時，均可使因蝕刻而可能產生之保磁力Hc[Oe]之下降充分恢復。
以上，於較佳之實施形態中圖示並說明了本發明之原理，但業者可認識到本發明可於不脫離此種原理之情況下對配置及細節進行變更。本發明並不限定於本實施形態所揭示之特定構成。因此，對基於申請專利範圍及其精神之範圍之所有修正及變更均請求權利。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧腔室本體
12c‧‧‧腔室
12g‧‧‧開口
12s‧‧‧側壁
14‧‧‧閘閥
15‧‧‧支持部
16‧‧‧平台
18‧‧‧下部電極
18a‧‧‧第1極板
18b‧‧‧第2極板
18f‧‧‧流路
20‧‧‧靜電吸盤
22‧‧‧直流電源
23‧‧‧開關
24‧‧‧聚焦環
26a‧‧‧配管
26b‧‧‧配管
28‧‧‧供氣管線
30‧‧‧上部電極
32‧‧‧構件
34‧‧‧頂板
34a‧‧‧噴氣孔
36‧‧‧支持體
36a‧‧‧氣體擴散室
36b‧‧‧氣孔
36c‧‧‧氣體導入口
38‧‧‧供氣管
40‧‧‧氣體源組
42‧‧‧閥組
44‧‧‧流量控制器組
48‧‧‧擋板
50‧‧‧排氣裝置
52‧‧‧排氣管
62‧‧‧第1高頻電源
63‧‧‧匹配器
64‧‧‧第2高頻電源
65‧‧‧匹配器
BL‧‧‧下部電極層
Cnt‧‧‧控制部
HP‧‧‧加熱器電源
HT‧‧‧溫度調節部
L11‧‧‧第1磁性層
L12‧‧‧隧道勢壘層
L13‧‧‧第2磁性層
L14‧‧‧上覆層
L15‧‧‧上層
L16‧‧‧下層
L21‧‧‧鈷層
L22‧‧‧鉑層
L23‧‧‧釕層
L31‧‧‧第1層
L32‧‧‧第2層
L33‧‧‧第3層
L41‧‧‧層
L42‧‧‧層
L43‧‧‧層
L44‧‧‧層
MK‧‧‧遮罩
ML1‧‧‧多層膜
ML2‧‧‧多層膜
MT‧‧‧方法
ST1‧‧‧蝕刻步驟
ST2‧‧‧加熱步驟
ST3‧‧‧成膜步驟
UL‧‧‧基底層
W‧‧‧被加工物
圖1係例示一實施形態之被加工物之處理方法之一個部分的流程圖。
圖2係例示應用圖1所示之方法之蝕刻步驟的被加工物之一部分之剖視圖。
圖3係例示應用圖1所示之方法之加熱步驟的被加工物之一部分之剖視圖。
圖4係概略性地表示可用於執行圖1所示之加熱步驟的電漿處理裝置之一例之圖。
圖5係表示圖1所示之方法之加熱步驟中之被加工物周圍之狀態、與該加熱步驟前後之被加工物之保磁力之變化量之關聯的圖。
圖6係表示圖1所示之方法之加熱步驟中之被加工物之溫度、與該加熱步驟前後之被加工物之保磁力之關聯的圖。
圖7係表示於在圖1所示之方法之加熱步驟中使用電漿之情形時該加熱步驟中之被加工物之溫度與該加熱步驟前後之被加工物之保磁力之變化量之關聯的圖。
圖8係對保磁力進行說明之圖。

Claims (8)

  1. 一種被加工物之處理方法，其係於磁阻效應元件之製造中執行之被加工物之處理方法，且該被加工物具有第1多層膜及第2多層膜，該第1多層膜包含第1磁性層、第2磁性層、及隧道勢壘層，該隧道勢壘層設置於該第1磁性層與該第2磁性層之間，該第2多層膜係於該磁阻效應元件中構成釘扎層之多層膜，且 該方法 於對上述第1多層膜及上述第2多層膜執行蝕刻後、或 於該蝕刻之執行中，具備對上述被加工物進行加熱之步驟，且 上述步驟係一面調整上述被加工物周圍之狀態一面對該被加工物進行加熱。
  2. 如請求項1之方法，其中 上述步驟係對上述被加工物進行真空加熱。
  3. 如請求項1之方法，其中 上述步驟係藉由在上述蝕刻執行後對上述被加工物周圍供給氣體而調整該被加工物周圍之狀態。
  4. 如請求項3之方法，其中 上述氣體包含氫氣及稀有氣體中之任一者。
  5. 如請求項3之方法，其中 上述步驟係藉由產生供給至上述被加工物周圍之上述氣體之電漿而調整該被加工物周圍之狀態。
  6. 如請求項4之方法，其中 上述步驟係藉由產生供給至上述被加工物周圍之上述氣體之電漿而調整該被加工物周圍之狀態。
  7. 如請求項1至6中任一項之方法，其中 上述步驟係以使上述被加工物之溫度成為攝氏160度以上且攝氏200度以下之方式對該被加工物進行加熱。
  8. 如請求項1至6中任一項之方法，其中 上述步驟係以使上述被加工物之溫度成為攝氏160度以上且攝氏180度以下之方式對該被加工物進行加熱。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11688650B2 (en) * 2019-07-05 2023-06-27 Tokyo Electron Limited Etching method and substrate processing apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI293213B (en) * 2004-10-05 2008-02-01 Taiwan Semiconductor Mfg Magnetoresistive structures, magnetoresistive devices, and memory cells
JP4630856B2 (ja) * 2006-09-29 2011-02-09 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP2013021129A (ja) * 2011-07-11 2013-01-31 Toshiba Corp エッチング装置及び半導体装置の製造方法
WO2015068509A1 (ja) * 2013-11-06 2015-05-14 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気記憶方法
US9529060B2 (en) * 2014-01-09 2016-12-27 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
JP6333126B2 (ja) * 2014-08-29 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 磁気アニール装置及び磁気アニール方法
JP2016164955A (ja) 2015-03-06 2016-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2017079089A (ja) * 2015-10-22 2017-04-27 東京エレクトロン株式会社 磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造システム
US20170186944A1 (en) * 2015-12-29 2017-06-29 International Business Machines Corporation Enhancement of spin transfer torque magnetoresistive random access memory device using hydrogen plasma

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