JP6896869B2 - 反応性ガス及びバイアス電力によって、pvdカーボンの膜品質を改善するための方法 - Google Patents
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Description
[0002] カーボンハードマスクはよく知られており、半導体製造の記録プロセス(POR)で一般的に使用されている。しかしながら、DRAM及びNANDが10nm未満のレベルまで縮小し続け、深いコンタクト孔やトレンチなど、高アスペクト比エッチングのデバイス特徴が要求されるようになると、従来の方法を用いて堆積されたカーボンハードマスクによって生ずるプロセスの問題は高まると予想されている。目詰まり、孔形状の歪み、及びパターンの変形、最大限界寸法の膨張、ラインの屈曲、形状の反りを含む、高アスペクト比エッチングの問題は、一般的に従来の方法で堆積されたカーボンハードマスクの望ましくない材料特性の結果である。例えば、低密度ハードマスクを用いるエッチング、及び/又は熱伝導率が低いハードマスク材料を用いるエッチングは、高密度ハードマスクを用いるエッチング及び/又は熱伝導率が高いハードマスク材料を用いるエッチングと比較した場合、高アスペクト比の特徴で変形が大きくなることが知られている。同様に、エッチング選択性が低い、及び/又は、膜応力が高いハードマスク材料を用いるエッチングは、エッチング選択性が高い、及び/又は、膜応力が低いハードマスク材料を用いるエッチングと比較した場合、スリットパターンの変形及び/又はラインの屈曲が大きくなることが知られている。したがって、従来のカーボンハードマスク堆積法によって現在提供されているものよりも、より高い密度、より高いエッチング選択性、より低い応力及びより高い熱伝導率を有するエッチングハードマスクを有することが望ましい。
支持体シャフト140はまた、支持体シャフト140、及びその上に配設された基板支持体138を上げ下げするように構成されたアクチュエータ144に連結されており、基板190の処理及び、処理チャンバ100との間での基板190の搬送を容易にする。一般的に、基板支持体138が上の位置すなわち処理位置にあるとき、基板190は、約20mmから約250mmまでの距離、例えば、約40mmから60mmまでの距離だけ、ターゲット120の表面から離間されている。
Claims (15)
- アモルファスカーボン層を堆積する方法であって、該方法は、
処理チャンバ内の処理空間内に配設された基板支持体上に基板を配置することであって、前記処理チャンバは、
金属バッキング板に結合されたカーボンターゲット、
前記金属バッキング板に連結されたマグネトロンハウジングであって、前記金属バッキング板と前記マグネトロンハウジングがハウジング空間を画定する、マグネトロンハウジング、
前記ハウジング空間に配設されたマグネトロンアセンブリ、及び
回転可能なシャフトによって前記マグネトロンアセンブリに連結されたモーター、
を備える、基板を配置することと、
前記処理空間に処理ガスを流し込むことであって、前記処理ガスは、水素、窒素、又はこれらの組合せを含む反応性ガス及び不活性ガスを含む、処理ガスを流し込むことと、
前記処理空間内に配設された前記カーボンターゲットにパルスDC電力を供給することと、
前記処理ガスのプラズマを形成することと、
前記基板支持体に配設されたバイアス電極にバイアス電力を供給することと、
前記基板上に前記アモルファスカーボン層を堆積することと、
を含み、前記バイアス電力は、パルスRFバイアス電力である、方法。 - 前記パルスDC電力は、約1MVから約8MVの間の電圧パルスを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パルスDC電力の平均パルス作動時間は、約10μsから約200μsの間である、請求項2に記載の方法。
- 前記反応性ガスは、H2の水素源ガス、水素化炭素ガス、又はこれらの組み合わせを含み、前記反応性ガスは、N2、NH3の窒素源ガス、又はこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記バイアス電力は、約0.0283W/cm2から約1.45W/cm2の間である、請求項1に記載の方法。
- 前記バイアス電力は、約10μsから約200μsの間の平均パルス持続時間を有するパルスRFバイアス電力である、請求項5に記載の方法。
- パルス作動時間中に前記カーボンターゲットに供給される平均DC電力は、約1W/cm2から約20W/cm2の間である、請求項2に記載の方法。
- 前記基板を約200°C未満の温度に維持することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記回転可能なシャフトを約10rpmから約200rpmの間で回転することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記アモルファスカーボン層の上にパターニング層を堆積することであって、前記パターニング層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、アモルファスシリコン、又はこれらの組み合わせを含む、パターニング層を堆積することと、
前記アモルファスカーボン層を通る複数の開口部を形成することと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - アモルファスカーボン層を堆積する方法であって、
処理チャンバ内の処理空間内に配設された基板支持体上に基板を配置することであって、前記処理チャンバは前記処理空間を画定する一又は複数の側壁、チャンバ底部、及びリッドアセンブリを備え、前記リッドアセンブリは、
金属バッキング板に結合されたカーボンターゲット、
前記金属バッキング板に連結されたマグネトロンハウジングであって、前記金属バッキング板と前記マグネトロンハウジングはハウジング空間を画定する、マグネトロンハウジング、
前記ハウジング空間に配設されたマグネトロンアセンブリ、及び、
回転可能なシャフトによって前記マグネトロンアセンブリに連結されたモーター、
を備える、基板を配置することと、
前記処理空間へ処理ガスを流し込むことであって、前記処理ガスは、Ar、He、Ne、Kr、Xe、又はこれらの組み合わせを含む不活性ガス、並びに、水素源ガス、窒素源ガス、又はこれらの組み合わせを含む反応性ガスを含む、処理ガスを流し込むことと、
約10rpmから約200rpmの間で、前記回転可能なシャフトを通して配設された軸の周りに、前記マグネトロンアセンブリを動かすことと、
前記処理空間に配設されたターゲットにパルスDC電力を供給することであって、前記パルスDC電力は約1MVから約8MVの間の電圧パルスを有し、パルス作動時間中に前記ターゲットに提供される平均DC電力は、約1W/cm2から約20W/cm2の間である、パルスDC電力を供給することと、
前記処理ガスのプラズマを形成することと、
前記基板支持体に配設されたバイアス電極にバイアス電力を供給することであって、前記バイアス電力は約0.0283W/cm2から約1.45W/cm2の間である、バイアス電力を供給することと、
前記基板を約200°C未満の温度に維持することと、
前記基板上に前記アモルファスカーボン層を堆積することと、
を含む、方法。 - 前記反応性ガスは、H2、CH4、C2H2、C3H8、C4H10、C2H4、C3H6、C4H8、及びC5H10、又はこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項11に記載の方法。
- 前記反応性ガスは、N2、NH3、又はこれらの組み合わせである、請求項12に記載の方法。
- 前記アモルファスカーボン層の上にパターニング層を堆積することであって、前記パターニング層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、アモルファスシリコン、又はこれらの組み合わせを含む、パターニング層を堆積することと、
前記アモルファスカーボン層を通る複数の開口部を形成することと、
を更に含む、請求項11に記載の方法。 - アモルファスカーボン層を堆積する方法のための命令を記憶したコンピュータ可読媒体であって、前記方法は、
処理チャンバ内の処理空間内に配設された基板支持体上に基板を配置することであって、前記処理チャンバは前記処理空間を画定する一又は複数の側壁、チャンバ底部、及びリッドアセンブリを備え、前記リッドアセンブリは、
金属バッキング板に結合されたカーボンターゲット、
前記金属バッキング板に連結されたマグネトロンハウジングであって、前記金属バッキング板と前記マグネトロンハウジングはハウジング空間を画定する、マグネトロンハウジング、
前記ハウジング空間に配設されたマグネトロンアセンブリ、及び、
回転可能なシャフトによって前記マグネトロンアセンブリに連結されたモーター、
を備える、基板を配置することと、
前記処理空間へ処理ガスを流し込むことであって、前記処理ガスは、水素源ガス、窒素源ガス、又はこれらの組み合わせを含む反応性ガス及び不活性ガスを含む、処理ガスを流し込むことと、
前記回転可能なシャフトを通して配設された軸の周りに、前記マグネトロンアセンブリを動かすことと、
前記処理空間に配設されたターゲットにパルスDC電力を供給することであって、前記パルスDC電力は約1MVから約8MVの間の電圧パルスを有し、パルス作動時間中に前記ターゲットに供給される平均DC電力は、約1W/cm2から約20W/cm2の間である、パルスDC電力を供給することと、
前記処理ガスのプラズマを形成することと、
前記基板支持体に配設されたバイアス電極にバイアス電力を供給することと、
前記基板上に前記アモルファスカーボン層を堆積することと、
を含み、前記バイアス電力は、パルスRFバイアス電力である、コンピュータ可読媒体。
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