TWI738847B - 光源單元以及使用其的顯示器與照明裝置 - Google Patents

光源單元以及使用其的顯示器與照明裝置 Download PDF

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Abstract

本發明為一種光源單元,其用於顯示器或照明裝置等中,且包括:發光體,包含綠色螢光體;及色轉換膜,包含將自發光體入射的入射光的至少一部分轉換成較該入射光為長波長的光的有機發光材料,以便提供使高亮度與色彩再現性併存的光源單元,而且所述光源單元的特徵在於,有機發光材料於580 nm以上、750 nm以下的區域中具有發光波長波峰。另外,本發明為一種包含該光源單元的顯示器及照明裝置。

Description

光源單元以及使用其的顯示器與照明裝置
本發明是有關於一種光源單元以及使用其的顯示器與照明裝置。
色轉換方式的多色化技術於液晶顯示器或有機電致發光(electroluminescence,EL)顯示器、照明裝置等中的應用正受到積極研究。所謂色轉換,表示將來自發光體的發光轉換成波長更長的光,例如將藍色發光轉換成綠色或紅色發光。
藉由使用具有色轉換功能的組成物(以下,稱為「色轉換組成物」),並與例如藍色光源組合,可自藍色光源輸出藍、綠、紅這3原色,即,輸出白色光。將此種組合藍色光源與具有色轉換功能的組成物而成的白色光源設為背光單元,並與液晶驅動部分及彩色濾光片組合,藉此可製作全色顯示器(full colour display)。另外,若無液晶驅動部分,則可直接用作白色光源,例如,可應用為發光二極體(Light Emitting Diode,LED)照明等的白色光源。
作為利用色轉換方式的液晶顯示器的課題,可列舉色彩再現性的提高。為了提高色彩再現性,有效的是減小背光單元的藍、綠、紅的各發光光譜的半值寬度,並提高藍、綠、紅各色彩的色純度。
作為解決所述課題的手段,提出有如下技術:將於240nm~560nm的波長範圍內具有發光波峰波長的發光體、於510nm~550nm的波長範圍內具有發光波峰波長的綠色螢光體、經四價的錳離子活化的紅色螢光體及具有分光透過曲線中的420nm~460nm的波長範圍的透過率的最大值與最小值的差為4%以下的藍色畫素的彩色濾光片組合使用(例如,參照專利文獻1)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2016-80802號公報
[專利文獻2] 日本專利特開2010-159411號公報
[專利文獻3] 日本專利特開2013-1791號公報
[專利文獻4] 日本專利特表平8-509471號公報
[專利文獻5] 日本專利特開2000-208262號公報
[專利文獻6] 日本專利特開2007-307893號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1] 有機化學期刊 (J. Org. Chem.), vol. 64, No.21, pp. 7813-7819 (1999)
[非專利文獻2] 應用化學英文國際版 (Angew. Chem., Int. Ed. Engl.), vol. 36, pp. 1333-1335 (1997)
[非專利文獻3] 聚合物工程科學 (Poly. Eng. Sci.), vol. 14, No.2, pp 147-154 (1974)
然而,專利文獻1中所記載的方法中,綠色螢光體的發光波長中的半值寬度大。因此,於所獲得的液晶顯示器中,難以使高亮度與色彩再現性的提高併存。
本發明是鑒於所述課題而成,其目的在於提供一種用於顯示器或照明裝置等中的、可使高亮度與色彩再現性的提高併存的光源單元。
為了解決所述課題並達成所述目的,本發明的光源單元包括:發光體;及色轉換膜,包含將自所述發光體入射的入射光的至少一部分轉換成較所述入射光為長波長的光的有機發光材料,且所述光源單元的特徵在於,所述發光體具有光源與形成於所述光源上的包含綠色螢光體的層,所述有機發光材料於580nm以上、750nm以下的波長區域中具有發光波長波峰。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,所述綠色螢光體為Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,所述綠色螢光體的發光波長波峰為525nm以上、545nm以下。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,於所述發光體與所述色轉換膜之間設置有多個不同的熱塑性樹脂交替積層11層以上而成的積層膜。另外,本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於該構成中,所述積層膜中,580nm以上、 750nm以下的波長的光以60°的入射角度入射時的反射率為70%以上。另外,本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於該構成中,所述積層膜中,400nm以上、580nm以下的波長的光以10°的入射角度入射時的反射率為20%以下。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,所述色轉換膜包含聚酯樹脂。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,所述有機發光材料包含吡咯亞甲基衍生物。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,所述有機發光材料含有由通式(1)所表示的化合物。
Figure 106128379-A0305-02-0005-2
(X為C-R7或N;R1~R9分別可相同亦可不同,且選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基及與鄰接取代基之間所形 成的縮合環及脂肪族環中)
另外,本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於該構成中,於所述通式(1)中,X為C-R7,且R7為由通式(2)所表示的基。
Figure 106128379-A0305-02-0006-3
(r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群組中;k為1~3的整數;於k為2以上的情況下,r分別可相同亦可不同)
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,於所述通式(1)中,R1、R3、R4及R6分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的芳基。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,於所述色轉換膜的任一面或兩面積層有光擴散膜。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,於所述色轉換膜的光出射面設置有稜鏡片。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,積層有所述色轉換膜與所述積層膜。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,於所述色轉換膜與所述積層膜之間設置有功能層,且所述功能層的折射率n3為所述積層膜的折射率n1與所述色轉換膜的折射率n2之間。
本發明的一態樣的光源單元的特徵在於,於所述發明中,所述色轉換膜或所述積層膜遠離所述發光體而配置。
本發明的一態樣的顯示器的特徵在於具備所述發明的光源單元。
本發明的一態樣的照明裝置的特徵在於具備所述發明的光源單元。
本發明的光源單元可使高亮度與色彩再現性的提高併存,且可較佳地用於顯示器或照明裝置中。
1:光源單元
2:發光體
3:色轉換膜
4:導光板
5:積層膜
6:反射器
7:基板
8:封裝體框架
9:LED晶片
10:金屬線
11:螢光體層
12、12a、12b:透明密封材
13:LED封裝體
14:透鏡
15:刀具
16:基材
17:螢光體片
18:經單片化的螢光體層
19:筒夾
20:電極
21:金凸塊
22:積層構件
23:功能層
24:色轉換層
25:阻擋層
41:入射面
圖1A是表示本發明的光源單元的一例的示意剖面圖。
圖1B是表示本發明的光源單元的一例的示意剖面圖。
圖1C是表示本發明的光源單元的一例的示意剖面圖。
圖2A是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖2B是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖2C是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖2D是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖3A是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖3B是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖3C是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖3D是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖4A是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖4B是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖4C是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖4D是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖4E是用以說明本發明的光源單元中的發光體的製造方法的一例的剖面圖。
圖5A是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖5B是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖5C是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖5D是表示本發明的光源單元中的發光體的構成的一例的示意剖面圖。
圖6A是表示本發明的光源單元中的色轉換膜的構成的一例的示意剖面圖。
圖6B是表示本發明的光源單元中的色轉換膜的構成的一例的示意剖面圖。
圖6C是表示本發明的光源單元中的色轉換膜的構成的一例的示意剖面圖。
圖6D是表示本發明的光源單元中的色轉換膜的構成的一例的示意剖面圖。
圖7是表示本發明的光源單元中的積層構件的構成的一例的示意剖面圖。
圖8是表示本發明的光源單元中的積層構件的構成的一例的示意剖面圖。
以下,對本發明的實施形態進行詳細敘述,但本發明並不限定於包含以下實施例的實施形態而進行解釋,於可達成發明目的且不脫離發明主旨的範圍內當然可進行各種變更。
<光源單元>
本發明的光源單元包括發光體及色轉換膜。發光體具有光源與形成於該光源上的包含綠色螢光體的螢光體層。色轉換膜包含將自發光體入射的入射光的至少一部分轉換成較該入射光為長波長的光的有機發光材料。有機發光材料是於580nm以上、750nm以下的波長區域中具有發光波長波峰的有機發光材料。
於光源單元中,藉由如以下般的機構而可進行白色發光。例如考慮使用藍色光源作為光源的情況。此時,自光源釋放的藍色光的至少一部分於螢光體層中被綠色螢光體吸收而轉換成綠色光。穿過螢光體層的光的一部分於色轉換膜內被有機發光材料吸收而轉換成於580nm以上、750nm以下的波長區域中具有發光波長波峰的紅色光。根據以上所述,自光源發出的光最終成為藍色光、綠色光及紅色光的混合光而可進行白色發光。
此處,關於發光體及色轉換膜的配置方法,並無特別限定。圖1A是表示所謂的直下型的構成的圖。於圖1A中,發光體2與色轉換膜3以相對向的形式配置。發光體2與色轉換膜3之間 可為空氣層,亦可由透明性高的樹脂填充。
圖1B是表示所謂的邊緣光型的構成的圖。於圖1B中,導光板4與色轉換膜3以相對向的方式配置。導光板4於端面具有入射來自發光體2的光的入射面41。導光板4將自發光體2入射至入射面41的光的行進方向變更為與發光體2正交的方向即色轉換膜3所存在的方向。
另外,圖1C是表示本發明的光源單元1的另一實施形態的構成的圖。如圖1C所示,亦可於發光體2與色轉換膜3之間設置多個不同的熱塑性樹脂交替積層11層以上而成的積層膜5。
本發明的光源單元1除所述構成以外,亦較佳為插入有擴散板、反射膜或偏光反射性膜等光學膜。另外,亦可出於提高色純度的目的而採用進而包含彩色濾光片的構成。
<發光體>
發光體具有光源與形成於該光源上的包含綠色螢光體的層。
(光源)
光源的種類並無特別限制,但較佳為於後述的綠色螢光體可吸收的波長區域中顯示出發光者。例如,可列舉熱陰極管、冷陰極管、無機電致發光等螢光性光源,有機電致發光元件光源,LED光源,白熾光源等,尤其較佳為LED光源。於顯示器或照明裝置的用途中,就提高藍色光的色純度的方面而言,進而較佳為發光波峰波長處於400nm~500nm的範圍內的藍色LED光源。
光源可具有一種發光波峰,亦可具有兩種以上的發光波 峰,為了提高顯示器或照明裝置的色再現範圍,較佳為具有一種發光波峰者。另外,亦可任意地組合使用發光波峰不同的多個光源。
為了提高藍色光的色純度,其發光波峰波長的下限值更佳為430nm以上,進而較佳為440nm以上,特佳為445nm以上。
另外,為了縮小與綠色光的光譜的重疊,較佳為將於500nm以下的區域中觀測到發光波峰波長的發光用作藍色的發光。於進一步增大其效果的基礎上,光源的發光波峰波長的上限值更佳為480nm以下,進而較佳為470nm以下,特佳為465nm以下。
進而,為了提高藍色光的色純度,藍色光的發光波峰波長的半值寬度較佳為30nm以下,更佳為25nm以下。
(螢光體層)
螢光體層為包含綠色螢光體的層。螢光體層較佳為主要包含綠色螢光體及基質樹脂的層。另外,視需要亦可包含其他成分。關於亦可包含於螢光體層的其他成分,與後述的螢光體組成物中的相同。
關於螢光體層的膜厚,並無特別限制,就成形的容易度的觀點而言,較佳為10μm以上、1000μm以下。另一方面,就提高耐熱性的觀點而言,螢光體層的膜厚較佳為500μm以下,更佳為300μm以下,進而較佳為200μm以下。
本發明中的各層或片的膜厚是指基於日本工業標準(Japanese Industrial Standards,JIS)K7130(1999)塑膠膜及片- 厚度測定方法中的藉由機械掃描的厚度測定方法A法而測定的膜厚(平均膜厚)。
關於螢光體層,可將後述的螢光體組成物或螢光體片成形而得。視需要亦可於成形步驟中使基質樹脂硬化。
作為螢光體層的形狀,並無特別限定,但可較佳地使用片形狀者。為了形成為片形狀,可使用後述的螢光體片的製造方法。
螢光體層的配置並無特別限制,可與光源接觸,亦可遠離光源。
(綠色螢光體)
綠色螢光體較佳為被自光源釋放的光激發而呈現出於500nm以上、580nm以下的區域中觀測到波峰波長的發光的螢光體。以後,將於500nm以上、580nm以下的區域中觀測到波峰波長的發光稱為「綠色的發光」。
於將波長為400nm以上、500nm以下的範圍的藍色光用作激發光的情況下,若將於500nm以上的區域中觀測到波峰波長的發光用作綠色的發光,則與藍色光的發光光譜的重疊變小,光源單元的色彩再現性提高,因此較佳。於進一步增大其效果的基礎上,綠色螢光體的發光波峰波長的下限值更佳為515nm以上,進而較佳為525nm以上,特佳為535nm以上。
另外,為了縮小與紅色光的發光光譜的重疊,較佳為將於580nm以下的區域中觀測到波峰波長的發光用作綠色的發光。 於進一步增大其效果的基礎上,綠色螢光體的發光波峰波長的上限值更佳為560nm以下,進而較佳為550nm以下,特佳為545nm以下。尤其於本發明中,較佳為發光波長波峰為535nm以上、545nm以下。若為該範圍的發光波峰,則可獲得高亮度與色彩再現性優異的光源單元。
進而,為了提高綠色光的色純度,綠色螢光體的發光波峰的半值寬度較佳為55nm以下,更佳為50nm以下,特佳為45nm以下。
作為此種綠色螢光體,可列舉:Eu活化氯矽酸鹽螢光體、Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體、Eu活化硫代鎵酸鹽螢光體、稀土類鋁酸鹽螢光體、鑭氮化矽系螢光體、Ce活化鎦鋁碳酸鹽螢光體、奈米晶體(nano-crystal)或量子點等。該些綠色螢光體可使用一種,亦可組合使用兩種以上。該些中,Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體的發光波長波峰的半值寬度窄,就耐久性優異的方面而言,可特佳地使用。
螢光體層中的綠色螢光體的含量並無特別限制,可根據綠色螢光體的種類等來適宜選擇。通常,相對於基質樹脂成分的100重量份,綠色螢光體的含量較佳為3重量份以上,更佳為10重量份以上。另外,較佳為900重量份以下,更佳為800重量份以下。
(基質樹脂)
螢光體層較佳為包含基質樹脂。作為基質樹脂的例子,可列 舉:矽酮樹脂、環氧樹脂、聚芳酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)改質聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環狀烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚丙烯樹脂、改質丙烯酸、聚苯乙烯樹脂及丙烯腈.苯乙烯共聚物樹脂等。就透明性的方面而言,較佳為矽酮樹脂或環氧樹脂。進而,就耐熱性的方面而言,特佳為矽酮樹脂。
作為本發明中所使用的矽酮樹脂,較佳為硬化型矽酮樹脂。亦可使用一液型、二液型(三液型)的任一種液構成。硬化型矽酮樹脂中,作為因空氣中的水分或觸媒而引起縮合反應的類型,有脫醇型、脫肟型、脫乙酸型、脫羥基胺型等。另外,作為因觸媒而引起矽氫化反應(hydrosilylation)的類型,有加成反應型。亦可使用該些中的任一種類型的硬化型矽酮樹脂。尤其,加成反應型的矽酮樹脂就無伴隨硬化反應的副產物、硬化收縮小的方面與容易藉由加熱而加快硬化的方面而言更佳。
關於加成反應型的矽酮樹脂,作為一例,可藉由含有鍵結於矽原子的烯基的化合物與具有鍵結於矽原子的氫原子的化合物的矽氫化反應而形成。作為此種材料,可列舉藉由乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、降冰片烯基三甲氧基矽烷、辛烯基三甲氧基矽烷等含有鍵結於矽原子的烯基的化合物、與甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-CO-甲基氫聚矽氧烷、乙基氫聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷-CO-甲基苯基聚矽氧烷等具有鍵結於矽原子的氫原子的化合 物的矽氫化反應而形成者。另外,除此以外,作為矽酮樹脂,例如可利用專利文獻2(日本專利特開2010-159411號公報)等中記載的公知者。
關於矽酮樹脂,作為市售者,亦可使用通常的LED用途的矽酮密封材。作為具體的一例,有東麗.道康寧(Toray.Dow Corning)公司製造的OE-6630A/B、OE-6336A/B或信越化學工業公司製造的SCR-1012A/B、SCR-1016A/B等。
矽酮樹脂亦可具有熱融合性。其原因在於:於螢光體層具有熱融合性的情況下,於後述的螢光體片法中,可對螢光體層進行加熱而貼附於LED晶片。此處,所謂熱融合性,是指藉由加熱而軟化的性質。於螢光體片具有熱融合性的情況下,於對LED晶片的貼附中無需使用接著劑,因此可簡化製造步驟。所謂具有熱融合性的螢光體層,是指於25℃下的貯存彈性係數為0.1MPa以上,且於100℃下的貯存彈性係數未滿0.1MPa的螢光體片。
作為具有熱融合性的矽酮樹脂的一例,特佳為使專利文獻3(日本專利特開2013-1791號公報)中記載的交聯性矽酮組成物進行矽氫化反應而成的交聯物。該交聯物於60℃~250℃的溫度下貯存彈性系數減少,且可藉由加熱而獲得高接著力,因此可較佳地用作不需要接著劑的螢光體片用的基質樹脂。
基質樹脂於螢光體層中的總固體成分中所佔的比例較佳為10重量%以上、90重量%以下。藉由將基質樹脂的比例設為所述範圍,螢光體層的耐久性提高。
(其他成分)
作為其他成分,於無損本發明的效果的範圍內,相對於螢光體層,視需要亦可調配氣相二氧化矽、玻璃粉末、石英粉末等微粒子,氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、氧化鋅等無機填充劑,或顏料,難燃劑,耐熱劑,抗氧化劑,分散劑,溶劑或者矽烷偶合劑或鈦偶合劑等接著性賦予劑等。
(螢光體組成物)
為了進行螢光體層的成形,可使用螢光體組成物。以既定量混合所述綠色螢光體及基質樹脂以及視需要的其他成分及溶劑等。將所述成分以成為既定的組成的方式混合後,利用均質機、自轉公轉型攪拌機、三輥、球磨機、行星式球磨機或珠磨機等攪拌.混練機均質地進行混合分散,藉此獲得螢光體組成物。亦較佳為於混合分散後或於混合分散的過程中,於真空條件下或減壓條件下進行脫泡。另外,亦可事前混合某特定的成分或進行老化等處理。亦可藉由蒸發器來去除溶劑而形成所期望的固體成分濃度。
(使用螢光體組成物的發光體的製造方法)
圖2A、圖2B、圖2C及圖2D是以發光體為LED封裝體的情況為例,表示使用螢光體組成物的發光體的較佳的製造方法的一例的圖。再者,發光體的製造方法並不限定於以下所說明的方法。
使用螢光體組成物的製造方法特佳為至少包括如下步驟的方法:(A)將螢光體組成物注入至封裝體框架中的步驟;及(B)於注入步驟後,藉由密封材來密封封裝體的步驟。
即,如圖2A所示,首先,準備帶有反射器6的安裝基板7作為封裝體框架8。如圖2B所示,將使用金屬線10的LED晶片9安裝於所準備的安裝基板7上。
繼而,如圖2C所示,將所期望量的螢光體組成物注入至設置有LED晶片9的封裝體框架8中。關於螢光體組成物的注入方法,可列舉射出成形、壓縮成形、澆注成形、轉注成形、塗佈、灌注(分配)、印刷或轉印等方法,但並不限定於該些。特佳為使用灌注(分配)。
於注入螢光體組成物後,對螢光體組成物進行加熱而使其硬化,藉此可將螢光體組成物以整合為封裝體的形狀的形狀設置於LED晶片9上。加熱硬化可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等通常的加熱裝置來進行。加熱硬化的條件通常為:溫度為40℃~250℃,時間為1分鐘~5小時,較佳為:溫度為60℃~200℃,時間為2分鐘~4小時。於該情況下,亦可如分段固化(step cure)等般進行階段性加熱硬化。
其後,如圖2D所示,注入透明密封材12,並進行加熱硬化而將LED晶片9密封。此時的注入方法及加熱條件以所述螢光體組成物的條件為基準。藉由以上所述,可製造LED封裝體13。再者,雖省略圖示,但視需要亦可將由透明樹脂所形成的外塗層或透鏡等設置於透明密封材12上。
圖3A、圖3B、圖3C及圖3D是表示利用使用螢光體組成物的方法所製作的發光體的較佳例的圖。圖3A所示的構成除未 使用透明密封材12以外,與圖2D所示的構成相同,且螢光體層11的樹脂兼作密封材。另外,圖3B所示的構成除於螢光體層11的上部形成有透鏡14以外,與圖3A所示的構成相同。另外,圖3C所示的構成除成為透明密封材12a/螢光體層11/透明密封材12b的構成以外,與圖2D所示的構成相同。進而,圖3D所示的構成是不使用反射器6而將螢光體層11形成為透鏡狀的發光體的例子。
透明密封材若為成形加工性、透明性、耐熱性及接著性等優異的材料,則可使用環氧樹脂、矽酮樹脂(包括矽酮橡膠、矽酮凝膠等有機聚矽氧烷硬化物(交聯物))、脲樹脂、氟樹脂、聚碳酸酯樹脂等公知者。另外,透明接著劑可使用所述透明密封材。
(螢光體片)
為了進行螢光體層的成形,亦可使用螢光體片。螢光體片是將螢光體組成物成形為片狀者。螢光體片包含綠色螢光體,較佳為主要包含綠色螢光體與基質樹脂。關於綠色螢光體及基質樹脂以及其他可包含於螢光體片中的成分,與所述螢光體組成物中者相同。
螢光體片的厚度並無特別限制,較佳為10μm以上、1000μm以下。藉由為10μm以上,片的膜厚均一性提高。另外,藉由為1000μm以下,耐龜裂性提高。螢光體片的厚度更佳為30μm以上、300μm以下。
另一方面,就提高螢光體片的耐熱性的觀點而言,螢光體片的膜厚較佳為200μm以下,更佳為100μm以下,進而較佳為50μm以下。
就保管性、搬運性及加工性的觀點而言,螢光體片較佳為於室溫附近彈性高。另一方面,就以追隨於光源的形狀的方式變形且密接於光源的光輸出面的觀點而言,較佳為於一定的溫度條件下彈性變低且顯現出柔軟性、密接性及流動性。另外,螢光體片亦可為具備其他層的積層體。作為其他層,例如可列舉基材或阻擋層等。
(基材)
作為基材,並無特別限制,可使用公知的金屬、膜、玻璃、陶瓷或紙等。具體而言,可列舉:鋁(亦包括鋁合金)、鋅、銅、鐵等的金屬板或金屬箔,纖維素乙酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯縮醛、聚芳醯胺、矽酮、聚烯烴、作為熱塑性氟樹脂的四氟乙烯與乙烯的共聚物(ethylene tetrafluoroethylene,ETFE)等塑膠的膜,包含α-聚烯烴樹脂、聚己內酯樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂及該些與乙烯的共聚樹脂的塑膠的膜,層壓有所述塑膠的紙或經所述塑膠塗佈的紙,層壓或蒸鍍有所述金屬的紙,層壓或蒸鍍有所述金屬的塑膠膜等。另外,於基材為金屬板的情況下,亦可對金屬板的表面實施鉻系或鎳系等的鍍敷處理或陶瓷處理等。
關於基材的厚度,並無特別限制,作為下限,較佳為25μm以上,更佳為38μm以上。另外,作為基材的厚度的上限,較佳為5000μm以下,更佳為3000μm以下。
(其他層)
阻擋層並無特別限制,可較佳地用於相對於螢光體片提高阻氣性的情況等中,例如可列舉:氧化矽、氧化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化釔、氧化鎂等或該些的混合物、或者於該些中添加有其他元素的金屬氧化物薄膜,或者包含聚偏二氯乙烯、丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂、三聚氰胺系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或氟系樹脂等各種樹脂的膜。另外,作為相對於水分具有阻擋功能的膜,例如可列舉包含聚乙烯、聚丙烯、尼龍、聚偏二氯乙烯、偏二氯乙烯與氯乙烯、偏二氯乙烯與丙烯腈的共聚物或氟系樹脂等各種樹脂的膜。
根據對螢光體片所要求的功能,亦可進而設置具有防反射功能、防眩功能、防反射防眩功能、光擴散功能、硬塗層功能(耐摩擦功能)、防靜電功能、防污功能、電磁波屏蔽功能、紅外線截止功能、紫外線截止功能、偏光功能、調色功能的輔助層。
(螢光體片的製造方法)
螢光體片可自所述螢光體組成物獲得。將利用所述方法所製作的螢光體組成物塗佈於基材上並加以乾燥,從而製作螢光體片積層體。塗佈可藉由逆輥塗佈機(reverse roll coater)、刮板塗佈機(blade coater)、縫模塗佈機(slit die coator)、直接凹版塗佈機 (direct gravure coater)、膠印凹版塗佈機(offset gravure coater)、吻合式塗佈機(kiss coater)、正向輥塗佈機(natural roll coater)、氣刀塗佈機(air knife coater)、輥式刮板塗佈機(roll blade coater)、雙流塗佈機(two-stream coater)、棒塗機(rod coater)、線棒塗佈機(wire bar coater)、敷料器(applicator)、浸漬塗佈機(dip coater)、簾幕塗佈機(curtain coater)、旋塗機(spin coater)或刮刀塗佈機(knife coater)等來進行。此處,為了獲得螢光體片的膜厚均一性,較佳為利用縫模塗佈機進行塗佈。
螢光體片的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等通常的加熱裝置來進行。螢光體片的加熱中可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等通常的加熱裝置。於該情況下,加熱條件通常為:溫度為40℃~250℃下,時間為1分鐘~5小時,較佳為:溫度為60℃~200℃,時間為2分鐘~4小時。另外,亦可如分段固化等般進行階段性加熱硬化。
於製作螢光體積層體後,視需要亦可變更基材。於該情況下,作為簡易的方法,可列舉使用加熱板進行轉貼的方法、或者使用真空層壓機或乾膜層壓機的方法等。
螢光體片亦可不直接貼附於光源而使用透明樹脂等接著劑來貼附。另一方面,利用螢光體片被覆光源的發光面,藉此可使來自光源的光直接入射至螢光體片而不會因反射等發生損耗,因此較佳。藉此,可色偏差少地以高效率獲得均一的白色光。
(使用螢光體片的發光體的製造方法)
圖4A、圖4B、圖4C、圖4D及圖4E是表示使用螢光體片17的發光體的製造方法的一例的圖。再者,以下的說明為一例,製造方法並不限定於該些。
即,使用螢光體片來製造發光體的方法大致劃分而包括3個步驟。第1步驟是將螢光體片加以單片化的步驟。第2步驟是拾取經單片化的螢光體片的步驟。第3步驟是將所拾取的螢光體片貼附於光源的步驟。再者,視需要亦可包括其他步驟。
以下,將螢光體片成形於基材上,將於基材上成形有螢光體片者加以單片化而貼附於作為光源的LED晶片上,以所述情況為例進行說明。
(將螢光體片加以單片化的步驟)
螢光體片的單片化可藉由利用模具的沖孔、利用雷射的加工或者切割(dicing)或切分來進行。此時,螢光體層可為半硬化狀態,亦可預先硬化。利用雷射的加工會賦予高能量,因此非常難以避免樹脂的燒焦或螢光體的劣化,因此理想的是利用刀具的切削。
圖4A及圖4B是表示利用刀具15來切削螢光體層11時的例子的圖。此時,經單片化的螢光體層18貼附於基材16。
於單片化步驟的前後或與單片化步驟同時對螢光體層11實施開孔加工。開孔加工中,可較佳地使用雷射加工或模具沖孔等公知的方法,但雷射加工會引起樹脂的燒焦或螢光體的劣化,因此更理想的是利用模具的沖孔加工。
(拾取經單片化的螢光體片的步驟)
於拾取步驟中,例如使用具備筒夾等吸引裝置的拾取裝置來拾取螢光體層11。圖4C是表示藉由筒夾19來拾取經單片化的螢光體層18的步驟的例子的圖。
(將所拾取的螢光體片貼附於LED晶片的步驟)
圖4D是表示藉由筒夾19來搬送所拾取的經單片化的螢光體層18並貼附於LED晶片9的步驟的例子的圖。
即,搬送拾取有經單片化的螢光體層18的筒夾19並貼附於LED晶片9的光輸出面。此時,亦可於LED晶片的周圍形成反射器。貼附時,較佳為使用接著劑(未圖示),可使用公知的固晶劑或接著劑,例如,丙烯酸樹脂系、環氧樹脂系、胺基甲酸酯樹脂系、矽酮樹脂系、改質矽酮樹脂系、酚樹脂系、聚醯亞胺系、聚乙烯醇系、聚甲基丙烯酸樹脂系、三聚氰胺樹脂系或脲樹脂系的接著劑。於螢光體層具有黏著性的情況下,亦可代替接著劑而利用螢光體層的黏著性。
(其後的步驟)
其後,藉由公知的方法將LED晶片9的電極與電路基板的配線電性連接,藉此可獲得發光體。於LED晶片9在光輸出面側具有電極的情況下,藉由打線接合而將LED晶片9的上表面的電極與電路基板的配線連接。另外,於LED晶片9為在發光面的相反面具有電極墊的倒裝晶片(flip chip)類型的情況下,使LED晶片9的電極面與電路基板的配線相對向,並利用統一接合而連接。 基板與LED晶片9的連接亦可於經單片化的螢光體層18的貼附前進行。
如圖4E所示,亦可於貼附經單片化的螢光體層18後,利用金屬線10將LED晶片9與基板電性連接後,利用透明密封材12來密封LED晶片9。作為透明密封材12,就透明性及耐熱性的觀點而言,可較佳地使用矽酮樹脂。
另外,於應用於面朝上(Face Up)類型的LED晶片9的情況下,與所述同樣地,於將螢光體層加以單片化後,貼附於LED晶片9的光輸出面。其後,將LED晶片9的與光輸出面為相反側的面固定於電路基板,並藉由打線接合等公知的方法來將LED晶片9與電路基板電性連接,藉此可獲得發光體。
另外,作為其他變形例,亦可將經單片化的螢光體層貼附於安裝於基板的狀態的LED晶片。
圖5A、圖5B、圖5C及圖5D是表示利用使用螢光體片的方法所製作的發光體的較佳例的圖。於圖5A所示的構成中,LED晶片9介隔金凸塊21而與電極20連接,於LED晶片9的上表面貼附有螢光體層11。
於圖5B所示的構成中,不僅於LED晶片9的上表面,而且於側面亦貼附有螢光體層11。該態樣中,亦可對來自LED晶片9的側面的發光轉換波長,因此較佳。
於圖5C所示的構成中,於透明密封材12的上表面貼附有螢光體層11。
於圖5D所示的構成中,可不使用反射器及透明密封材12而藉由透鏡14來密封LED晶片9。
再者,可應用螢光體片的LED封裝體13並不限定於所述者。可將圖2A~圖5D的各自中所例示的各構件的結構適宜組合。另外,亦可置換成該些以外的公知的構件,或者與該些以外的公知的構件進行組合。另外,作為透明密封材及透明接著劑,可使用所述者。
<色轉換膜>
色轉換膜含有至少一種有機發光材料,並作為將入射光轉換成較該入射光為長波長的光的色轉換層發揮功能。色轉換膜較佳為連續層。此處,所謂連續層,是指未經切斷的層。例如,於某層在同一平面內經圖案化而存在的情況下,該層為經切斷的層,因此不符合本發明中的連續層。另一方面,即便有局部裂縫或凹陷,但作為整體,只要為一體的構成,則亦符合連續層。
色轉換膜的膜厚並無特別限定,就膜的強韌性或成形的容易度的觀點而言,較佳為10μm以上、1000μm以下。另一方面,就提高耐熱性的觀點而言,色轉換膜的膜厚較佳為200μm以下,更佳為100μm以下,進而較佳為50μm以下。色轉換膜可使用後述的色轉換組成物來製作。
(有機發光材料)
所謂本發明中的發光材料,是指當照射有某種光時,發出波長與該光不同的光的材料。為了達成高效率的色轉換,發光材料 較佳為顯示出發光量子產率高的發光特性的材料。通常而言,作為發光材料,可列舉無機螢光體、螢光顏料、螢光染料、量子點等公知的發光材料,但就分散的均一性、使用量的減少及環境負荷的減少的觀點而言,較佳為有機發光材料。
本發明中所使用的有機發光材料較佳為藉由被來自400nm以上、500nm以下的波長範圍的光源或綠色螢光體的發光中的任一者或兩者激發而呈現出於580nm以上、750nm以下的區域中觀測到波峰波長的發光。於本說明書中,將於580nm以上、750nm以下的區域中觀測到波峰波長的發光稱為「紅色的發光」。
來自光源或綠色螢光體的發光的一部分透過色轉換膜,因此於使用發光波峰尖銳的藍色LED作為光源的情況下,自光源單元釋放的光於藍色.綠色.紅色的各色彩中顯示出尖銳形狀的發光光譜。藉此,可獲得色純度良好的白色光。其結果,尤其於顯示器中,可有效率地形成色彩更加鮮豔且更大的色域。
另外,於照明裝置的用途中,與成為當前主流的將藍色LED與黃色螢光體組合而成的白色LED相比,尤其綠色區域與紅色區域的發光特性得到改善,因此色彩再現性提高而成為較佳的白色光源。
如上所述,為了擴大色域且提高色彩再現性,較佳為藍色.綠色.紅色的各色彩的發光光譜的重疊小。
於將在500nm以上、580nm以下的區域中觀測到波峰波長的發光用作綠色的發光的情況下,若將於580nm以上的區域 中觀測到波峰波長的發光用作紅色的發光,則光譜的重疊變小,色彩再現性提高,因此較佳。於進一步增大其效果的基礎上,有機發光材料的發光波峰波長的下限值更佳為620nm以上,進而較佳為630nm以上,特佳為635nm以上。
紅色光的波峰波長的上限只要為可見光範圍的上界附近即750nm以下即可,於為700nm以下的情況下,可見度變大,因此更佳。於進一步增大其效果的基礎上,有機發光材料的波峰波長的上限值進而較佳為680nm以下,特佳為660nm以下。
進而,為了提高紅色光的色純度,有機發光材料的發光波峰的半值寬度較佳為80nm以下,更佳為70nm以下,進而較佳為60nm以下,特佳為50nm以下。
關於發光光譜的形狀,並無特別限制,就可有效率地利用激發能量且色純度亦變高的方面而言,較佳為單一波峰。此處,所謂單一波峰,表示於某波長區域中不存在相對於強度最強的波峰而具有其強度的5%以上的強度的波峰的狀態。
於有機發光材料是被綠色的發光激發而呈現出紅色的發光者的情況下,有機發光材料的吸收波峰波長較佳為550nm以上。藉由為550nm以上,與綠色螢光體的發光波長波峰的重疊變小,且可抑制亮度降低。有機發光材料的吸收波峰波長的下限值更佳為560nm以上,進而較佳為565nm以上,特佳為570nm以上。
另外,有機發光材料的吸收波峰波長較佳為650nm以 下。原因在於:藉由為650nm以下,可充分吸收綠色螢光體的發光,有機發光材料的發光強度變強。有機發光材料的吸收波峰波長的上限值更佳為630nm以下,進而較佳為620nm以下,特佳為610nm以下。
另外,就不使綠色的發光的強度降低的觀點而言,有機發光材料的吸收波峰的半值寬度較佳為80nm以下,更佳為70nm以下,進而較佳為60nm以下,特佳為50nm以下。原因在於:有機發光材料的吸收波峰的半值寬度越小,綠色螢光體的發光的波峰波長中的吸光度越變得小。
關於吸收光譜的形狀,並無特別限制,就可有效率地利用激發能量的方面而言,較佳為單一波峰。此處,所謂單一波峰,表示於某波長區域中不存在相對於強度最強的波峰而具有其強度的5%以上的強度的波峰的狀態。
若將此種有機發光材料與綠色螢光體組合使用,則於與單獨使用綠色螢光體的情況不同的波長中觀測到綠色螢光體的發光波長波峰。即,綠色的發光的波峰波長短波長化,且半值寬度變小,因此色再現範圍進一步擴大。
關於有機發光材料,作為較佳的有機發光材料,例如可列舉:萘、蒽、菲、芘、
Figure 106128379-A0305-02-0029-70
、稠四苯、聯三伸苯(triphenylene)、苝、螢蒽(fluoranthene)、茀、茚等具有縮合芳基環的化合物或其衍生物; 呋喃、吡咯、噻吩、矽雜環戊二烯(silole)、9-矽茀(9-silafluorene)、9,9'-螺二矽茀(9,9'-spirobisilafluorene)、苯并噻吩、苯并呋喃、吲哚、二苯并噻吩、二苯并呋喃、咪唑并吡啶、啡啉、吡啶、吡嗪、萘啶、喹噁啉、吡咯并吡啶等具有雜芳基環的化合物或其衍生物;硼烷衍生物;1,4-二苯乙烯基苯、4,4'-雙(2-(4-二苯基胺基苯基)乙烯基)聯苯、4,4'-雙(N-(二苯乙烯-4-基)-N-苯基胺基)二苯乙烯等二苯乙烯衍生物;芳香族乙炔衍生物、四苯基丁二烯衍生物、醛連氮衍生物、吡咯亞甲基衍生物、二酮吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物;香豆素6、香豆素7、香豆素153等香豆素衍生物;咪唑、噻唑、噻二唑、咔唑、噁唑、噁二唑、三唑等唑衍生物及其金屬錯合物;吲哚菁綠等花青系化合物;螢光黃.伊紅.若丹明等呫噸系化合物或噻噸系化合物;聚苯(polyphenylene)系化合物、萘二甲醯亞胺衍生物、酞菁衍生物及其金屬錯合物、卟啉衍生物及其金屬錯合物;尼羅紅(Nile red)或尼羅藍(Nile blue)等噁嗪系化合物;螺旋烴(helicene)系化合物;N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺等芳香族胺衍生物;及 銥(Ir)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鋨(Os)及錸(Re)等的有機金屬錯合物化合物等,但並不限定於該些。
有機發光材料於色轉換膜中只要包含至少一種即可,亦可包含兩種以上。有機發光材料可為螢光發光材料,亦可為磷光發光材料,為了達成高色純度,較佳為螢光發光材料。該些中,就熱穩定性及光穩定性高的方面而言,有機發光材料較佳為具有縮合芳基環的化合物或其衍生物。另外,就溶解性或分子結構的多樣性的觀點而言,有機發光材料較佳為具有配位鍵的化合物。就半值寬度小、可進行高效率的發光的方面而言,亦較佳為氟化硼錯合物等含有硼的化合物。其中,就提供高螢光量子產率、耐久性良好的方面而言,較佳為吡咯亞甲基衍生物。更佳為由通式(1)所表示的化合物。
Figure 106128379-A0305-02-0031-4
(X為C-R7或N;R1~R9分別可相同亦可不同,且選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、 烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基及與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中)
於所述所有的基中,氫可為氘。於以下所說明的化合物或其部分結構中亦相同。
另外,於以下說明中,例如所謂碳數6~40的經取代或未經取代的芳基,是指亦包含於芳基中進行了取代的取代基所含的碳數在內而為6~40,對碳數進行了規定的其他取代基亦與此相同。
另外,於所述所有的基中,作為經取代時的取代基,較佳為烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基,進而較佳為於各取代基的說明中視為較佳的具體的取代基。另外,該些取代基可進一步由所述取代基取代。
所謂稱作「經取代或未經取代的」時的「未經取代」,意指氫原子或氘原子進行了取代。於以下所說明的化合物或其部分結構中,關於稱作「經取代或未經取代的」的情況,與所述相同。
所謂烷基,例如表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正 丁基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族烴基,其可具有取代基,亦可不具有取代基。經取代時的追加的取代基並無特別限制,例如可列舉烷基、鹵素、芳基、雜芳基等,關於該方面,於以下的記載中亦為相通的。另外,烷基的碳數並無特別限定,就獲取的容易性或成本的方面而言,較佳為1以上、20以下,更佳為1以上、8以下的範圍。
所謂環烷基,例如表示環丙基、環己基、降冰片基、金剛烷基等飽和脂環式烴基,其可具有取代基,亦可不具有取代基。烷基部分的碳數並無特別限定,較佳為3以上、20以下的範圍。
所謂雜環基,例如表示吡喃環、哌啶環、環狀醯胺等於環內具有碳以外的原子的脂肪族環,其可具有取代基,亦可不具有取代基。雜環基的碳數並無特別限定,較佳為2以上、20以下的範圍。
所謂烯基,例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含雙鍵的不飽和脂肪族烴基,其可具有取代基,亦可不具有取代基。烯基的碳數並無特別限定,較佳為2以上、20以下的範圍。
所謂環烯基,例如表示環戊烯基、環戊二烯基、環己烯基等包含雙鍵的不飽和脂環式烴基,其可具有取代基,亦可不具有取代基。
所謂炔基,例如表示乙炔基等包含三鍵的不飽和脂肪族烴基,其可具有取代基,亦可不具有取代基。炔基的碳數並無特別限定,較佳為2以上、20以下。
所謂烷氧基,例如表示甲氧基、乙氧基、丙氧基等介隔醚鍵而鍵結有脂肪族烴基的官能基,該脂肪族烴基可具有取代基,亦可不具有取代基。烷氧基的碳數並無特別限定,較佳為1以上、20以下。
所謂烷硫基,是指烷氧基的醚鍵的氧原子被取代為硫原子者。烷硫基的烴基可具有取代基,亦可不具有取代基。烷硫基的碳數並無特別限定,較佳為1以上、20以下。
所謂芳基醚基,例如表示苯氧基等鍵結有介隔了醚鍵的芳香族烴基的官能基,芳香族烴基可具有取代基,亦可不具有取代基。芳基醚基的碳數並無特別限定,較佳為6以上、40以下。
所謂芳基硫醚基,是指芳基醚基的醚鍵的氧原子被取代為硫原子者。芳基硫醚基中的芳香族烴基可具有取代基,亦可不具有取代基。芳基硫醚基的碳數並無特別限定,較佳為6以上、40以下。
所謂芳基,例如表示苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、苯并菲基、苯并蒽基、
Figure 106128379-A0305-02-0034-69
基、芘基、丙[二]烯合茀(fluoranthenyl)基、三亞苯基(triphenylenyl group)、苯并丙[二]烯合茀基、二苯并蒽基、苝基、螺旋烴基(helicenyl)等芳香族烴基。其中,較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基、芘基、丙[二]烯合茀基、三亞苯基。芳香可具有取代基,亦可不具有取代基。芳基的碳數並無特別限定,較佳為6以上、40以下,更佳為6以上、30以下。
於R1~R9為經取代或未經取代的芳基的情況下,作為芳基,較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基,更佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基。進而較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基,特佳為苯基。
於各取代基進而經芳基取代的情況下,作為芳基,較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基,更佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基。特佳為苯基。
所謂雜芳基,例如表示吡啶基、呋喃基、噻吩基、喹啉基、異喹啉基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、萘啶基、噌啉基、酞嗪基、喹噁啉基、喹唑啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、咔啉基(carbolinyl group)、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、二氫茚并咔唑基、苯并喹啉基、吖啶基、二苯并吖啶基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、啡啉基等於一個或多個環內具有碳以外的原子的環狀芳香族基。其中,所謂萘啶基,表示1,5-萘啶基、1,6-萘啶基、1,7-萘啶基、1,8-萘啶基、2,6-萘啶基、2,7-萘啶基的任一者。雜芳基可具有取代基,亦可不具有取代基。雜芳基的碳數並無特別限定,較佳為2以上、40以下,更佳為2以上、30以下。
於R1~R9為經取代或未經取代的雜芳基的情況下,作為雜芳基,較佳為吡啶基、呋喃基、噻吩基、喹啉基、嘧啶基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二 苯并噻吩基、咔唑基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、啡啉基,更佳為吡啶基、呋喃基、噻吩基、喹啉基。特佳為吡啶基。
於各取代基進而經雜芳基取代的情況下,作為雜芳基,較佳為吡啶基、呋喃基、噻吩基、喹啉基、嘧啶基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、啡啉基,更佳為吡啶基、呋喃基、噻吩基、喹啉基。特佳為吡啶基。
所謂鹵素,表示選自氟、氯、溴及碘中的原子。
羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基可具有取代基,亦可不具有取代基。此處,作為取代基,例如可列舉烷基、環烷基、芳基、雜芳基等,該些取代基可進一步經取代。
所謂胺基,是指經取代或未經取代的胺基。作為進行取代時的取代基,例如可列舉:芳基、雜芳基、直鏈烷基、分支烷基。作為芳基、雜芳基,較佳為苯基、萘基、吡啶基、喹啉基。該些取代基可進一步經取代。碳數並無特別限定,較佳為2以上、50以下,更佳為6以上、40以下,特佳為6以上、30以下的範圍。
所謂矽烷基,例如表示三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、乙烯基二甲基矽烷基等烷基矽烷基,或苯基二甲基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、三苯基矽烷基、三萘基矽烷基等芳基矽烷基。矽上的取代基可進 一步經取代。矽烷基的碳數並無特別限定,較佳為1以上、30以下的範圍。
所謂矽氧烷基,例如表示三甲基矽氧烷基等介隔有醚鍵的矽化合物基。矽上的取代基可進一步經取代。
所謂氧硼基,是指經取代或未經取代的氧硼基。作為進行取代時的取代基,例如可列舉芳基、雜芳基、直鏈烷基、分支烷基、芳基醚基、烷氧基、羥基,其中,較佳為芳基、芳基醚基。
所謂氧化膦基,是指由-P(=O)R10R11所表示的基。R10R11選自與R1~R9相同的群組中。
所謂與鄰接取代基之間所形成的縮合環,是指任意兩個鄰接的取代基(例如通式(1)的R1與R2)相互鍵結而形成共軛或非共軛的環狀骨架。作為縮合環的構成元素,除碳以外,亦可包含選自氮、氧、硫、磷及矽中的元素。另外,縮合環可進而與其他環縮合。
由通式(1)所表示的化合物顯示出高螢光量子產率,且發光光譜的波峰半值寬度小,因此可達成有效率的色轉換與高色純度。進而,由通式(1)所表示的化合物可藉由將適當的取代基導入至適當的位置來調整發光效率.色純度.熱穩定性.光穩定性.分散性等各種特性.物性。
例如,與R1、R3、R4及R6全部為氫的情況相比,R1、R3、R4及R6的至少一者為經取代或未經取代的烷基或者經取代或未經取代的芳基、經取代或未經取代的雜芳基的情況顯示出更良 好的熱穩定性及光穩定性。
於R1、R3、R4及R6的至少一者為經取代或未經取代的烷基的情況下,作為烷基,較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基等碳數1~6的烷基。進而,就熱穩定性優異的方面而言,較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基。進而,就防止濃度消光並提高螢光量子產率的觀點而言,更佳為立體地體積大的第三丁基。另外,就合成的容易度、原料獲取的容易度的觀點而言,亦可較佳地使用甲基。
於R1、R3、R4及R6的至少一者為經取代或未經取代的芳基的情況下,作為芳基,較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基,進而較佳為苯基、聯苯基,特佳為苯基。
於R1、R3、R4及R6的至少一者為經取代或未經取代的雜芳基的情況下,作為雜芳基,較佳為吡啶基、喹啉基、噻吩基,更佳為吡啶基、喹啉基,特佳為吡啶基。
於R1、R3、R4及R6均分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的烷基的情況下,對黏合劑樹脂或溶媒的溶解性良好,因此較佳。作為烷基,就合成的容易度、原料獲取的容易度的觀點而言,較佳為甲基。
於R1、R3、R4及R6均分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的芳基、或者經取代或未經取代的雜芳基的情況下,顯示出更良好的熱穩定性及光穩定性,因此較佳。更佳為R1、 R3、R4及R6均分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的芳基,特佳為經取代或未經取代的苯基。
雖亦存在使多個性質提高的取代基,但於所有性質中均顯示出充分的性能的取代基有限。尤其難以使高發光效率與高色純度併存。因此,可藉由導入多種取代基而獲得於發光特性或色純度等方面取得了平衡的化合物。
尤其於R1、R3、R4及R6均分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的芳基的情況下,例如較佳為如R1≠R4、R3≠R6、R1≠R3或R4≠R6等般導入多種取代基。此處,「≠」表示為不同結構的基。可同時導入對色純度產生影響的芳基與對發光效率產生影響的芳基,因此可進行細微的調節。其中,就平衡性良好地提高發光效率與色純度的方面而言,較佳為R1≠R3或R4≠R6。可於兩側的吡咯環中分別導入一個以上的對色純度產生影響的芳基,且於除此以外的位置導入對發光效率產生影響的芳基,因此可最大限度地提高兩者的性質。於為R1≠R3或R4≠R6的情況下,就耐熱性與色純度的方面而言,更佳為R1=R4及R3=R6
作為主要對色純度產生影響的芳基,較佳為經供電子基取代的芳基。作為供電子基,可列舉烷基或烷氧基等。尤其較佳為碳數1~8的烷基或碳數1~8的烷氧基,更佳為甲基、乙基、第三丁基、甲氧基。就分散性的觀點而言,特佳為第三丁基、甲氧基,可防止由分子彼此的凝聚所引起的消光。取代基的取代位置並無特別限定,但為了提高光穩定性,需要抑制鍵的扭曲,因 此較佳為相對於與吡咯亞甲基骨架的鍵結位置而鍵結於間位或對位。
作為主要對發光效率產生影響的芳基,較佳為具有第三丁基、金剛烷基、甲氧基等大體積取代基的芳基。
於R1、R3、R4及R6分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的芳基的情況下,較佳為R1、R3、R4及R6分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的苯基。此時,R1、R3、R4及R6更佳為分別選自以下的Ar-1~Ar-6中。於該情況下,作為R1、R3、R4及R6的較佳組合,可列舉如表1-1~表1-11所示的組合,但並不限定於該些。
Figure 106128379-A0305-02-0040-5
[表1-1]
Figure 106128379-A0305-02-0041-6
[表1-2]
Figure 106128379-A0305-02-0042-8
[表1-3]
Figure 106128379-A0305-02-0043-9
[表1-4]
Figure 106128379-A0305-02-0044-10
[表1-5]
Figure 106128379-A0305-02-0045-11
[表1-6]
Figure 106128379-A0305-02-0046-12
[表1-7]
Figure 106128379-A0305-02-0047-13
[表1-8]
Figure 106128379-A0305-02-0048-14
[表1-9]
Figure 106128379-A0305-02-0049-15
[表1-10]
Figure 106128379-A0305-02-0050-16
[表1-11]
Figure 106128379-A0305-02-0051-17
R2及R5較佳為氫、烷基、羰基、氧基羰基、芳基,但就熱穩定性的觀點而言,較佳為氫或烷基,就容易於發光光譜中獲得窄的半值寬度的方面而言,更佳為氫。
R8及R9較佳為烷基、芳基、雜芳基、氟、含氟烷基、含氟雜芳基或含氟芳基,就相對於光源而穩定且可獲得更高的螢 光量子產率的方面而言,更佳為氟或含氟芳基。就合成的容易度而言,進而較佳為氟。
此處,所謂含氟芳基,是指包含氟的芳基,例如可列舉:氟苯基、三氟甲基苯基及五氟苯基等。所謂含氟雜芳基,是指包含氟的雜芳基,例如可列舉:氟吡啶基、三氟甲基吡啶基及三氟吡啶基等。所謂含氟烷基,是指包含氟的烷基,可列舉三氟甲基或五氟乙基等。
就光穩定性的觀點而言,X較佳為C-R7。當X為C-R7時,取代基R7會大幅影響由通式(1)所表示的化合物的耐久性,即,發光強度的經時性降低。即,於R7為氫的情況下,該氫的反應性高,容易與空氣中的水分或氧發生反應而引起分解。另外,於R7為例如如烷基般的分子鏈的運動的自由度大的取代基的情況下,反應性確實降低,但於組成物中化合物彼此經時地凝聚,結果招致由濃度消光所引起的發光強度的降低。因此,R7較佳為剛直且運動的自由度小而難以引起凝聚的基,具體而言,較佳為經取代或未經取代的芳基、或者經取代或未經取代的雜芳基的任一者。
就提供更高的螢光量子產率、更難以發生熱分解的方面而言,另外就光穩定性的觀點而言,較佳為X為C-R7且R7為經取代或未經取代的芳基。作為芳基,就無損發光波長的觀點而言,較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基。
進而,為了提高光穩定性,需要適度地抑制R7與吡咯 亞甲基骨架的碳-碳鍵的扭曲。若扭曲過大,則相對於光源的反應性提高等,光穩定性降低。就此種觀點而言,作為R7,較佳為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的聯苯基、經取代或未經取代的三聯苯基、經取代或未經取代的萘基,更佳為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的聯苯基、經取代或未經取代的三聯苯基。特佳為經取代或未經取代的苯基。
另外,R7較佳為體積適度大的取代基。藉由R7具有某種程度的大體積,可防止分子的凝聚且發光效率或耐久性進一步提高。
作為此種大體積取代基的進而較佳例,可列舉由下述通式(2)所表示的結構。
Figure 106128379-A0305-02-0053-18
r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群 組中。k為1~3的整數。於k為2以上的情況下,r分別可相同亦可不同。
即,於通式(1)中,較佳為X為C-R7且R7是由通式(2)所表示的基。
就可提供更高的螢光量子產率的方面而言,r較佳為經取代或未經取代的芳基。芳基中,尤其可列舉苯基、萘基作為較佳例。於r為芳基的情況下,通式(2)的k較佳為1或2,就進一步防止分子的凝聚的觀點而言,k更佳為2。進而,較佳為r的至少一個經烷基取代。作為該情況下的烷基,就熱穩定性的觀點而言,可列舉甲基、乙基及第三丁基作為特佳例。
另外,就控制螢光波長或吸收波長、或者提高與溶媒的相容性的方面而言,r較佳為經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的烷氧基或鹵素,更佳為甲基、乙基、第三丁基、甲氧基。就分散性的觀點而言,特佳為第三丁基、甲氧基,防止由分子彼此的凝聚所引起的消光。
另外,作為由通式(1)所表示的化合物的另一態樣,較佳為R1~R7中的至少一者為拉電子基。尤其較佳為(1)R1~R6中的至少一者為拉電子基、(2)R7為拉電子基、或者(3)R1~R6中的至少一者為拉電子基且R7為拉電子基。藉由於吡咯亞甲基骨架中導入拉電子基,可大幅降低吡咯亞甲基骨架的電子密度。藉此,相對於氧的穩定性進一步提高,可進一步提高耐久性。
所謂拉電子基,亦稱吸電子性基,於有機電子理論中, 是指藉由感應效應或共振效應而自經取代的原子團吸引電子的原子團。作為拉電子基,可列舉作為哈米特法則的取代基常數(σp(對位))而取正值者。哈米特法則的取代基常數(σp(對位))可引用自化學便覽基礎編修訂5版(II-380頁)。再者,雖亦具有苯基亦取正值的例子,但苯基不包含於本申請案的拉電子基中。
作為拉電子基的例子,例如可列舉:-F(σp:+0.06)、-Cl(σp:+0.23)、-Br(σp:+0.23)、-I(σp:+0.18)、-CO2R12(σp:R12為乙基時為+0.45)、-CONH2(σp:+0.38)、-COR12(σp:R12為甲基時為+0.49)、-CF3(σp:+0.50)、-SO2R12(σp:R12為甲基時為+0.69)、-NO2(σp:+0.81)等。R12分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代的環形成碳數6~30的芳香族烴基、經取代或未經取代的環形成原子數為5~30的雜環基、經取代或未經取代的碳數為1~30的烷基、經取代或未經取代的碳數為1~30的環烷基。作為該些各基的具體例,可列舉與所述例子相同的例子。
作為較佳的拉電子基,可列舉:氟、含氟芳基、含氟雜芳基、含氟烷基、經取代或未經取代的醯基、經取代或未經取代的酯基、經取代或未經取代的醯胺基、經取代或未經取代的磺醯基或氰基。原因在於:該些基難以發生化學性分解。
作為更佳的拉電子基,可列舉:含氟烷基、經取代或未經取代的醯基、經取代或未經取代的酯基或氰基。其原因在於:會帶來防止濃度消光且提高發光量子產率的效果。特佳為經取代或未經取代的酯基。
作為由通式(1)所表示的化合物的一個特佳例,可列舉如下情況:R1、R3、R4及R6均分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的烷基,進而X為C-R7且R7為由通式(2)所表示的基、特佳為由r為經取代或未經取代的苯基的通式(2)所表示的基。
另外,作為由通式(1)所表示的化合物的另一個特佳例,可列舉如下情況:R1、R3、R4及R6均分別可相同亦可不同,且選自所述的Ar-1~Ar-6中,進而X為C-R7且R7為由通式(2)所表示的基、更佳為由r為第三丁基、甲氧基的通式(2)所表示的基、特佳為由r為甲氧基的通式(2)所表示的基。
以下示出由通式(1)所表示的化合物的例子,但未必限定於以下的例子。
[化6]
Figure 106128379-A0305-02-0057-19
[化7]
Figure 106128379-A0305-02-0058-20
[化8]
Figure 106128379-A0305-02-0059-21
[化9]
Figure 106128379-A0305-02-0060-22
[化10]
Figure 106128379-A0305-02-0061-24
[化11]
Figure 106128379-A0305-02-0062-25
[化12]
Figure 106128379-A0305-02-0063-26
[化13]
Figure 106128379-A0305-02-0064-27
[化14]
Figure 106128379-A0305-02-0065-30
[化15]
Figure 106128379-A0305-02-0066-31
[化16]
Figure 106128379-A0305-02-0067-34
[化17]
Figure 106128379-A0305-02-0068-36
[化18]
Figure 106128379-A0305-02-0069-37
[化19]
Figure 106128379-A0305-02-0070-38
[化20]
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[化21]
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[化22]
Figure 106128379-A0305-02-0073-44
[化23]
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[化24]
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[化25]
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[化26]
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[化27]
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[化28]
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[化29]
Figure 106128379-A0305-02-0080-56
[化30]
Figure 106128379-A0305-02-0081-60
由通式(1)所表示的化合物例如可利用專利文獻4(日本專利特表平8-509471號公報)或專利文獻5(日本專利特開2000-208262號公報)中記載的方法來製造。即,藉由使吡咯亞甲基化合物與金屬鹽於鹼共存下進行反應,可獲得作為目標的吡咯亞甲基系金屬錯合物。
另外,關於吡咯亞甲基-氟化硼錯合物的合成,可參考非專利文獻1(有機化學期刊(J.Org.Chem.),vol.64,No.21,pp.7813-7819(1999))、非專利文獻2(應用化學英文國際版(Angew.Chem.,Int.Ed.Engl.),vol.36,pp.1333-1335(1997))等中所記載的方法來製造。例如可列舉如下方法:對由下述通式(3)所表示的化合物與由通式(4)所表示的化合物於氧氯化磷存在下、於1,2-二氯乙烷中進行加熱後,與由下述通式(5)所表示的化合物於三乙基胺存在下、於1,2-二氯乙烷中進行反應,但並不限定於此。此處,R1~R9與所述說明相同。J表示鹵素。
[化31]
Figure 106128379-A0305-02-0082-61
進而,於導入芳基或雜芳基時,可列舉利用鹵化衍生物與硼酸或硼酸酯化衍生物的偶合反應而生成碳-碳鍵的方法,但並不限定於此。同樣地,於導入胺基或咔唑基時,亦可列舉例如利用鈀等金屬觸媒下的鹵化衍生物與胺或咔唑衍生物的偶合反應而生成碳-氮鍵的方法,但並不限定於此。
色轉換膜除由通式(1)所表示的化合物以外,視需要亦可適宜含有其他化合物。例如,為了進一步提高自光源向由通式(1)所表示的化合物的能量遷移效率,亦可含有紅螢烯(rubrene)等輔助摻雜劑。另外,於欲摻加由通式(1)所表示的化合物的發 光色以外的發光色的情況下,可添加所述有機發光材料。此外,除有機發光材料以外,亦可組合添加無機螢光體、螢光顏料、螢光染料、量子點等公知的發光材料。
以下示出由通式(1)所表示的化合物以外的有機發光材料的一例,但並不特別限定於該些。
Figure 106128379-A0305-02-0083-62
色轉換膜中的有機發光材料成分的含量雖亦取決於化合物的莫耳吸光係數、螢光量子產率及激發波長中的吸收強度以及所製作的片的厚度或透過率,但通常相對於黏合劑樹脂成分的100重量份而為1.0×10-4重量份~30重量份,進而較佳為1.0×10-3重量份~10重量份,特佳為1.0×10-2重量份~5重量份。
(黏合劑樹脂)
色轉換膜較佳為包含黏合劑樹脂。黏合劑樹脂為形成連續相者,且只要為成形加工性、透明性、耐熱性等優異的材料即可。作為黏合劑樹脂的例子,例如可列舉丙烯酸系、甲基丙烯酸系、聚桂皮酸乙烯酯系、環橡膠系等具有反應性乙烯基的光硬化型抗蝕劑材料,環氧樹脂、矽酮樹脂(包括矽酮橡膠、矽酮凝膠等有機聚矽氧烷硬化物(交聯物))、脲樹脂、氟樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、酚樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯縮丁醛樹脂、纖維素樹脂、脂肪族酯樹脂、芳香族酯樹脂、脂肪族聚烯烴樹脂、芳香族聚烯烴樹脂、環狀聚烯烴樹脂等公知者。另外,亦可使用該些共聚樹脂。藉由適宜設計該些樹脂,可獲得對於色轉換膜而言有用的樹脂。
該些樹脂中,就膜化的製程容易的方面而言,進而較佳為熱硬化性樹脂。就透明性、耐熱性等觀點而言,可較佳地使用環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂或該些的混合物。
進而,所述熱塑性樹脂中,特佳為聚酯樹脂。藉由使用 聚酯樹脂作為黏合劑樹脂,有機發光材料的吸收光譜長波長化,吸收綠色螢光體的發光的長波長成分的比例增加。藉此,綠色螢光體的發光波長波峰進一步短波長化,且半值寬度縮小,因此色再現範圍進一步擴大。
另外,使用聚酯樹脂作為黏合劑樹脂時,與環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸樹脂相比較,有機發光材料的分散性提高而自身吸收得到抑制,因此可獲得高亮度的色轉換膜。
進而,聚酯樹脂與PET基材的密接性良好。因此,藉由使用聚酯樹脂作為黏合劑樹脂,可抑制在使用環氧樹脂、矽酮樹脂或丙烯酸樹脂時的色轉換膜的切斷加工時所產生的色轉換層自基材的剝離。
另外,亦可添加用以塗佈膜穩定化的分散劑或調平劑、作為膜表面的改質劑的矽烷偶合劑等接著助劑等來作為添加劑。另外,亦可添加作為色轉換材沈降抑制劑的二氧化矽粒子或矽酮微粒子等無機粒子。
(其他成分)
色轉換膜除有機發光材料與黏合劑樹脂以外,亦可含有抗氧化劑、加工及熱穩定化劑、紫外線吸收劑等耐光性穩定化劑、用以塗佈膜穩定化的分散劑或調平劑、塑化劑、環氧化合物等交聯劑、胺.酸酐.咪唑等硬化劑、作為片表面的改質劑的矽烷偶合劑等接著輔助劑、作為色轉換材沈降抑制劑的二氧化矽粒子或矽酮微粒子等無機粒子及矽烷偶合劑等。
色轉換膜藉由所含有的有機發光材料被光源激發而發出波長與光源不同的光來進行光的色轉換。該激發-發光的循環反覆進行,因此藉由所產生的激發物種與組成物中所含的氧的相互作用,單重態氧的生成概率提高。因此,有機發光材料與單重態氧的碰撞概率亦提高,因此有機發光材料容易劣化。
有機發光材料與無機發光材料相比,容易受到單重態氧的影響。尤其由通式(1)所表示的化合物與苝等具有縮合芳基環的化合物或其衍生物相比,與單重態氧的反應性高,從而單重態氧對耐久性的影響大。
因此,藉由利用單重態氧淬滅劑將所產生的單重態氧迅速滅活,可提高發光量子產率及色純度優異的由通式(1)所表示的化合物的耐久性。
關於具有作為單重態氧淬滅劑的作用的化合物,例如可列舉特定的三級胺、鄰苯二酚衍生物及鎳化合物,但並非受特別限定者。另外,該些耐光性穩定化劑可單獨使用,亦可併用多個。
(色轉換膜的構成)
作為色轉換膜的構成,並無特別限制,較佳為如圖6A所示般於基材16上積層有色轉換層24的構成。另外,更佳為如圖6B所示般於色轉換層24的兩表面積層有基材16的構成。進而,亦可如圖6C及圖6D所示般於色轉換層24與各基材16之間或與色轉換層24相對向的面的相反側的面上具有阻擋層25。
(基材)
作為基材,可無特別限制地使用公知的金屬、膜、玻璃、陶瓷、紙等。具體而言,可列舉:鋁(亦包括鋁合金)、鋅、銅、鐵等的金屬板或箔,纖維素乙酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯縮醛、聚芳醯胺、矽酮、聚烯烴、作為熱塑性氟樹脂的四氟乙烯與乙烯的共聚物(ETFE)等塑膠的膜,包含α-聚烯烴樹脂、聚己內酯樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂及該些與乙烯的共聚樹脂的塑膠的膜,層壓有所述塑膠的紙或經所述塑膠塗佈的紙,層壓或蒸鍍有所述金屬的紙,層壓或蒸鍍有所述金屬的塑膠膜等。另外,於基材為金屬板的情況下,亦可對表面進行鉻系或鎳系等的鍍敷處理或陶瓷處理。
該些中,就色轉換膜的製作的容易度或色轉換膜的成形的容易度而言,可較佳地使用玻璃或樹脂膜。另外,較佳為強度高的膜,以便在對膜狀的基材進行處理時無斷裂等的擔憂。就該些要求特性或經濟性的方面而言,較佳為樹脂膜,該些中,就經濟性、處理性的方面而言,較佳為選自由PET、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚丙烯所組成的群組中的塑膠膜。另外,於使色轉換膜乾燥的情況下或藉由擠出機於200℃以上的高溫下壓接成形色轉換膜的情況下,就耐熱性的方面而言,較佳為聚醯亞胺膜。就片的剝離的容易度而言,基材的表面亦可預先經脫模處理。
基材的厚度並無特別限制,作為下限,較佳為25μm以上,更佳為38μm以上。另外,作為基材的厚度的上限,較佳為 5000μm以下,更佳為3000μm以下。
另外,亦較佳為將後述的多個不同的熱塑性樹脂交替積層11層以上而成的積層膜用作基材。
色轉換膜的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等通常的加熱裝置來進行。色轉換膜的加熱中可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等通常的加熱裝置。於該情況下,加熱條件通常為於40℃~250℃下進行1分鐘~5小時,較佳為於60℃~200℃下進行2分鐘~4小時。另外,亦可進行分段固化等階段性加熱硬化。
於製作色轉換膜後,視需要亦可變更基材。於該情況下,作為簡易的方法,可列舉使用加熱板進行轉貼的方法、或者使用真空層壓機或乾膜層壓機的方法等,但並不限定於該些。
(阻擋層)
亦可於色轉換膜的基材上設置阻擋層。作為阻擋層,例如可列舉氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化釔、氧化鎂等無機氧化物,或氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、碳氮化矽等無機氮化物,或該些的混合物,或者於該些中添加了其他元素的金屬氧化物薄膜或金屬氮化物薄膜;或者包含聚氯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂、三聚氰胺系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、氟系樹脂、乙酸乙烯酯的皂化物等聚乙烯醇系樹脂等各種樹脂的膜。
(接著層)
於色轉換膜中,於各層之間視需要亦可設置接著層。作為接 著層,只要為不會對色轉換膜的發光及耐久性產生過度的影響者,則可無特別限制地使用公知的材料。於需要牢固的接著的情況下,可較佳地使用光硬化材料或熱硬化材料、厭氧性硬化材料、熱塑性材料,其中,更佳為熱硬化材料,尤其較佳為可於0℃~150℃下硬化的材料。
接著層的厚度並無特別限制,較佳為0.01μm以上、100μm以下,更佳為0.01μm以上、25μm以下。進而較佳為0.05μm以上、5μm以下,特佳為0.05μm以上、1μm以下。
(色轉換組成物)
為了進行色轉換膜的成形,可使用色轉換組成物。以既定量混合所述有機發光材料、黏合劑樹脂、溶媒等。將所述成分以成為既定的組成的方式混合後,利用均質機、自轉公轉型攪拌機、三輥、球磨機、行星式球磨機、珠磨機等攪拌.混練機均質地進行混合分散,藉此獲得色轉換組成物。亦較佳為於混合分散後或於混合分散的過程中,於真空或減壓條件下進行脫泡。另外,亦可事前混合某特定的成分或進行老化等處理。亦可藉由蒸發器來去除溶媒而形成所期望的固體成分濃度。
色轉換組成物中所使用的溶媒只要為可調整流動狀態的樹脂的黏度且不會對發光物質的發光及耐久性產生過度的影響者,則並無特別限定。例如可列舉水、2-丙醇、乙醇、甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、己烷、丙酮、萜品醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯(Texanol)、甲基溶纖劑、丁基卡必 醇、丁基卡必醇乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等,亦可混合使用兩種以上的該些溶媒。
(使用色轉換組成物的色轉換膜的製作方法)
將利用所述方法製作的色轉換組成物塗佈於基材上並加以乾燥。塗佈可藉由逆輥塗佈機、刮板塗佈機、縫模塗佈機、直接凹版塗佈機、膠印凹版塗佈機、吻合式塗佈機、正向輥塗佈機、氣刀塗佈機、輥式刮板塗佈機、雙流塗佈機、棒塗機、線棒塗佈機、敷料器、浸漬塗佈機、簾幕塗佈機、旋塗機、刮刀塗佈機等來進行。為了獲得色轉換層的膜厚均一性,較佳為利用縫模塗佈機進行塗佈。
<積層膜>
本發明的光源單元中可較佳地包含的積層膜較佳為包含熱塑性樹脂。通常,熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂相比廉價,且可藉由公知的熔融擠出而簡便且連續地進行片化,因此可以低成本獲得積層膜。
積層膜需要多個不同的熱塑性樹脂交替積層11層以上而成。所謂此處所述的多個不同的熱塑性樹脂,是指於在膜的面內任意選擇的正交的兩方向及與該面垂直的方向中的任一方向上折射率相差0.01以上。
另外,所謂交替積層,是指包含不同的熱塑性樹脂的層在厚度方向上以規則的排列積層。例如,於積層膜包含兩種熱塑性樹脂X、熱塑性樹脂Y的情況下,若將各自的層表述為X層、 Y層,則為以X(YX)n(n為自然數)的方式積層而成者。藉由如上所述般交替積層光學性質不同的樹脂,能夠顯現出可使由各層的折射率的差與層厚的關係所設計的波長的光反射的干涉反射。
另外,於積層的層數分別為10層以下的情況下,於所期望的範圍內,無法獲得高反射率。積層的層數較佳為100層以上,更佳為200層以上,進而較佳為600層以上。
另外,關於所述干涉反射,層數越增加,越可進一步擴寬波長範圍,或達成高反射率,且越可獲得對所期望的範圍的光進行反射的積層膜。積層膜的層數雖無特別上限,但就隨著層數增加,伴隨製造裝置的大型化的製造成本增加、或產生由膜厚度變厚所引起的操作性的惡化的方面而言,較佳為10000層以下。
積層膜較佳為自後述的發光體入射至積層膜的光以10°的入射角度入射時的反射率為20%以下。具體而言,於輸出白色光的基礎上,發光體較佳為呈現出於400nm以上、580nm以下的區域中觀測到波峰波長的藍色及綠色的發光。因此,積層膜較佳為400nm以上、580nm以下的波長的光以10°的入射角度入射時的反射率為20%以下。此處,所謂自發光體入射至積層膜的入射光,是指以下所示的自短波長端至長波長端的區域。
短波長端:於自發光體中所含的光源放射的光的波長的強度分佈中,顯示出最大強度的波峰中的、顯示出其波峰強度的一半的強度的波長中小的波長。長波長端:於自發光體中所含的綠色 螢光體放射的綠色的發光的波長的強度分佈中,顯示出最大強度的波峰中的、顯示出其波峰強度的一半的強度的波長中大的波長。
所謂以10°的入射角度入射時的反射率為20%以下的情況,是指自發光體入射至積層膜的入射光的平均反射率。於在所述入射角度為10°下的反射率為20%以下的情況下,自發光體入射的光透過積層膜而到達至色轉換膜的光量增大,並可容易提高色轉換膜內的發光。
作為一例,於將本發明的實施例中所示的藍色發光二極體設為光源的情況下,自發光體入射至積層膜的入射光的波峰波長為400nm~500nm。進而,為了提高藍色發光的純度,波峰波長較佳為430nm~470nm。
另外,並不限定於藍色發光二極體,亦可為發出近紫外線(400nm~420nm)的光的發光二極體、或發出綠色或紅色的光的發光二極體,同樣地,算出自發光體入射至積層膜的入射光的範圍而設為自發光體入射至積層膜的入射光的反射率的算出範圍。
於在所述入射角度為10°下的反射率更佳為15%以下,進而較佳為10%以下。藉由抑制反射率,容易更有效率地提高色轉換膜內的發光。為了獲得此種積層膜,可藉由如下方式來達成:除由控制膜的各層的層厚所帶來的反射範圍的最佳化以外,亦將低折射率的包含樹脂的層設置於表面,藉此可抑制表面反射。
積層膜較佳為自後述的發光體入射至色轉換膜而轉換 成較入射時的波長為長波長的光的光以60°的入射角度入射時的反射率為70%以上。具體而言,於輸出白色光的基礎上,色轉換膜較佳為呈現出於580nm以上、750nm以下的區域中觀測到波峰波長的紅色的發光,因此較佳為580nm以上、750nm以下的波長的光以60°的入射角度入射時的反射率為70%以上。
此處,所謂自發光體入射至色轉換膜而轉換成較入射時的波長為長波長的光的光,具體而言,是將以自光源單元中所含的發光體放射的光為激發波長時的、於有機發光材料的螢光光譜中顯示出最大強度的波峰中的半值寬度設為範圍。另外,所謂以60°的入射角度入射時的反射率為70%以上,是指所述半值寬度的範圍內的平均反射率為70%以上。
於使用包含有機發光材料的色轉換膜的光源單元中,亮度降低的原因之一是由來自色轉換膜的光等向性發光所引起的雜散光的損失。尤其,自色轉換膜於發光體側所發出的光在光源單元內進行雜散光的情況成為損失的主要因素。
於在發光體與色轉換膜之間包含在所述入射角度為60°下的反射率為70%以上的積層膜的情況下,可使來自色轉換膜的光於正下方進行反射,且容易抑制由發光體側的雜散光所引起的亮度降低。所述反射率較佳為90%以上,進而較佳為95%以上。隨著反射率變大,透過積層膜的光量減少,可獲得亮度提高效果。
另外,亦較佳為自後述的發光體入射至色轉換膜而轉換成長波長的光的光以10°的入射角度入射時的反射率為70%以 上。不僅反射以入射角度為60°入射時的光,而且亦反射以入射角度為10°入射時的光,藉此利用積層膜將來自色轉換膜的發光的大致全部自發光體側反射至顯示側,亮度提高的效果極大。
於本發明中,較佳為如圖7所示般積層有色轉換膜3與積層膜5的積層構件22。此處,所謂積層,是指色轉換膜與積層膜直接或介隔接著層等而固定。
於積層有色轉換膜與積層膜的情況下,色轉換膜與積層膜之間的空間消失。藉此,可抑制由雜散光所引起的光的損失,及消除色轉換膜表面與空氣之間的反射,且亮度提高的效果顯著。
另外,如圖8所示,亦可於色轉換膜3與積層膜5之間具有功能層23。此處,於積層膜5的折射率n1、色轉換膜3的折射率n2及功能層23的折射率n3之間,功能層23的折射率n3較佳為積層膜5的折射率n1與色轉換膜3的折射率n2之間。再者,所謂n3為n1與n2之間,不包含n3=n1的情況或n3=n2的情況。
此處,積層膜的折射率及色轉換膜的折射率是指成為膜的最表層的層的面內平均折射率。於該情況下,藉由功能層的折射率的效果,可抑制先前折射率不同的積層膜與色轉換膜之間的反射,有效率地使來自光源的光透過,因此亮度提高變得容易。
構成積層構件及光源單元的積層膜可使用聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基戊烯-1)、聚縮醛等鏈狀聚烯烴;降冰片烯類的開環複分解聚合物、加成聚合物、與其他烯烴類的加成共聚物即脂環族聚烯烴; 聚乳酸、聚琥珀酸丁酯等生物分解性聚合物;尼龍6、尼龍11、尼龍12、尼龍66等聚醯胺;聚芳醯胺,聚甲基丙烯酸甲酯,聚氯乙烯,聚偏二氯乙烯,聚乙烯醇,聚乙烯縮丁醛,乙烯乙酸乙烯酯共聚物,聚縮醛,聚乙醇酸,聚苯乙烯,苯乙烯共聚聚甲基丙烯酸甲酯,聚碳酸酯;聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯等聚酯;聚醚碸,聚醚醚酮,改質聚苯醚,聚苯硫醚,聚醚醯亞胺,聚醯亞胺,聚芳酯,4氟化乙烯樹脂,3氟化乙烯樹脂,3氟化氯乙烯樹脂,4氟化乙烯-6氟化丙烯共聚物,聚偏二氟乙烯等。
該些中,就強度.耐熱性.透明性及通用性的觀點而言,尤其更佳為使用聚酯。該些可為共聚物,亦可為兩種以上的樹脂的混合物。
作為聚酯,較佳為藉由來自以芳香族二羧酸或脂肪族二羧酸與二醇為主要構成成分的單量體的聚合而獲得的聚酯。
此處,作為芳香族二羧酸,例如可列舉:對苯二甲酸、間苯二甲酸、苯二甲酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、4,4'-二苯基二羧酸、4,4'-二苯基醚二羧酸、4,4'-二苯基碸二羧酸等。
作為脂肪族二羧酸,例如可列舉:己二酸、辛二酸、癸二酸、二聚物酸、十二烷二酸、環己烷二羧酸與該些的酯衍生物等。其中,較佳為顯現出高折射率的對苯二甲酸與2,6-萘二羧酸。 該些酸成分可僅使用一種,亦可併用兩種以上,進而,亦可使羥基苯甲酸等含氧酸等一部分共聚。
另外,作為二醇成分,例如可列舉:乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、新戊二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,2-環己烷二甲醇、1,3-環己烷二甲醇、1,4-環己烷二甲醇、二乙二醇、三乙二醇、聚烯烴二醇、2,2-雙(4-羥基乙氧基苯基)丙烷、異山梨糖醇、螺甘油等。其中,可較佳地使用乙二醇。該些二醇成分可僅使用一種,亦可併用兩種以上。
於積層膜中,較佳為熱塑性樹脂例如使用所述聚酯中的聚對苯二甲酸乙二酯及其共聚物、聚萘二甲酸乙二酯及其共聚物、聚對苯二甲酸丁二酯及其共聚物、聚萘二甲酸丁二酯及其共聚物、以及聚對苯二甲酸六亞甲基酯及其共聚物、聚萘二甲酸六亞甲基酯及其共聚物等。
於積層膜中,就可獲得充分的反射率且亮度提高性能進一步提高的觀點而言,包含熱塑性樹脂X的X層與包含熱塑性樹脂Y的Y層的面內平均折射率的差較佳為0.03以上,更佳為0.05以上,進而較佳為0.1以上。
作為該達成方法,可列舉熱塑性樹脂X為結晶性樹脂,且熱塑性樹脂Y為非晶性樹脂。於該情況下,於積層膜的製造中的拉伸、熱處理步驟中,可容易設置折射率差。
作為熱塑性樹脂X與熱塑性樹脂Y的組合,較佳為如各熱塑性樹脂的SP值的差的絕對值為1.0以下般的組合。若SP 值的差的絕對值為1.0以下,則難以產生層間剝離。
此處,溶度參數(溶解度參數(solubility parameter,SP)值)是使用通常所使用的非專利文獻3(聚合物工程科學(Poly.Eng.Sci.),vol.14,No.2,pp147-154(1974))等中記載的費德爾(Fedors)的推算法並根據構成樹脂的單體的種類與比率而算出的值。關於多種樹脂的混合物,亦可藉由相同的方法來算出。例如,聚甲基丙烯酸甲酯的SP值可算出為9.5(cal/cm3)0.5,聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的SP值可算出為10.7(cal/cm3)0.5,雙酚A系環氧樹脂的SP值可算出為10.9(cal/cm3)0.5
熱塑性樹脂X與熱塑性樹脂Y較佳為包含提供相同的基本骨架的組合。此處,所謂基本骨架,是指構成樹脂的重覆單元。例如,於使用聚對苯二甲酸乙二酯作為熱塑性樹脂X的情況下,就容易實現高精度的積層結構的觀點而言,熱塑性樹脂Y較佳為包含與聚對苯二甲酸乙二酯相同的基本骨架即對苯二甲酸乙二酯。若熱塑性樹脂X與熱塑性樹脂Y為包含相同的基本骨架的樹脂,則積層精度高,進而難以產生積層界面的層間剝離。
作為熱塑性樹脂X與熱塑性樹脂Y的組合,就製成積層膜時的厚度均一性良好的觀點而言,較佳為如各熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度差為20℃以下般的組合。
另外,亦較佳為熱塑性樹脂X為結晶性、熱塑性樹脂Y為非晶性,且熱塑性樹脂X的玻璃轉移溫度低於熱塑性樹脂Y的玻璃轉移溫度。於該情況下,於積層膜中,當使結晶性樹脂配向. 結晶化而以適當的拉伸溫度進行拉伸時,與結晶性樹脂相比,可抑制非晶性樹脂的配向,可容易設置折射率差。
此處,所謂結晶性樹脂,具體而言,是指如下樹脂,所述樹脂中,依據JIS K7122(1999)進行示差掃描熱量測定(以下,有時稱為DSC(Differential Scanning Calorimetry)),將升溫速度設為20℃/min而對樹脂進行加熱(1stRUN)自25℃升溫至300℃的溫度為止,於該狀態下保持5分鐘後,繼而以成為25℃以下的溫度的方式進行驟冷,再次以20℃/min的升溫速度自25℃進行升溫至300℃為止,於所獲得的2ndRUN的示差掃描熱量測定圖表中,根據融解波峰的波峰面積所求出的融解焓(△Hm)為15J/g以上。
另外,所謂非晶性樹脂,是指於與所述條件相同的條件下所求出的融解焓(△Hm)為5J/g以下的樹脂。
作為用以滿足所述條件的熱塑性樹脂的組合的一例,較佳為熱塑性樹脂X包含聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯,且熱塑性樹脂Y包含源自螺甘油的聚酯的聚酯。
所謂源自螺甘油的聚酯,為將螺甘油用作二醇成分的聚酯,且是指與其他酯結構單元的共聚物、將螺甘油用作單一的二醇成分的聚酯、或將該些與其他聚酯樹脂進行摻雜並較佳為螺甘油殘基佔聚酯樹脂中的所有二醇殘基的一半以上的聚酯。源自螺甘油的聚酯與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯的玻璃轉移溫度差小,因此於製成膜時,難以過拉伸且亦難以進行層間剝 離,因此較佳。
更佳為以如下聚酯為宜,所述聚酯中,熱塑性樹脂X包含聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯,且熱塑性樹脂Y使用螺甘油與環己烷二羧酸。於使用螺甘油與環己烷二羧酸而得的聚酯中,與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯的面內折射率差變大,因此容易獲得高反射率。另外,與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯的玻璃轉移溫度的差小,接著性亦優異,因此於製膜時難以過拉伸且亦難以進行層間剝離。
另外,亦較佳為熱塑性樹脂X包含聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯,且熱塑性樹脂Y為源自環己烷二甲醇的聚酯。
所謂源自環己烷二甲醇的聚酯,為將環己烷二甲醇用作二醇成分的聚酯,且是指與其他酯結構單元的共聚物、將環己烷二甲醇用作單一的二醇成分的聚酯、或將該些與其他聚酯樹脂進行摻雜並較佳為環己烷二甲醇殘基佔聚酯樹脂中的所有二醇殘基的一半以上的聚酯。源自環己烷二甲醇的聚酯與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯的玻璃轉移溫度的差小,因此於成形時,難以過拉伸且亦難以進行層間剝離,因此較佳。
關於聚酯,更佳為至少一種熱塑性樹脂為環己烷二甲醇的共聚量為15mol%以上、60mol%以下的對苯二甲酸乙二酯縮聚物。藉此,具有高反射性能的同時,尤其由加熱或經時所引起的光學特性的變化小且亦難以產生層間的剝離。環己烷二甲醇的共 聚量為15mol%以上、60mol%以下的對苯二甲酸乙二酯縮聚物與聚對苯二甲酸乙二酯接著得非常強。另外,該環己烷二甲醇基中,作為幾何異構體,有順式體或反式體,作為構形異構體,亦有椅子型或舟型,因此即便與聚對苯二甲酸乙二酯進行共拉伸,亦難以進行配向結晶化,高反射率且由熱歷程所引起的光學特性的變化亦進而少,亦難以產生製膜時的破裂。
於本發明中,較佳為色轉換膜或積層膜遠離發光體而配置。藉由色轉換膜或積層膜遠離發光體,來自發光體的熱難以傳遞至色轉換膜且可抑制有機發光材料的劣化。
(積層膜的製造方法)
繼而,以下採取包含熱塑性樹脂X、熱塑性樹脂Y的積層膜為例而對積層膜的較佳的製造方法進行說明。再者,本發明並不限定於所述製造方法的例子而進行解釋。另外,本發明中所使用的積層膜的積層結構可藉由與專利文獻6(日本專利特開2007-307893號公報)的段落[0053]~段落[0063]中記載的內容相同的方法來實現。
以顆粒(pellet)等形態準備熱塑性樹脂。顆粒可視需要在熱風中或真空下乾燥後,供給至其他擠出機。另外,於在積層膜中包含紫外線吸收劑的情況下,預先準備將紫外線吸收劑混練於熱塑性樹脂而得的顆粒,並於擠出機中將熱塑性樹脂與紫外線吸收劑混練。
於擠出機內,加熱至熔點以上並熔融的樹脂是利用齒輪 泵等使樹脂的擠出量均一化,經由過濾器等而去除異物或經改質的樹脂等。該些樹脂是以模成形為目標形狀後並吐出。然後,自模吐出的積層成多層的片被擠出至流延鼓等冷卻體上,經冷卻固化,可獲得流延膜。
此時,較佳為使用金屬線狀、帶狀、針狀或刀狀等電極,藉由靜電力而使其密接於流延鼓等冷卻體,並加以驟冷固化。另外,亦較佳為自縫狀、點狀、面狀的裝置吹出空氣,使其密接於流延鼓等冷卻體,並加以驟冷固化,或以軋輥使其密接於冷卻體,並加以驟冷固化的方法。
另外,較佳為使用兩台以上的擠出機,將熱塑性樹脂X及熱塑性樹脂Y自不同的流路饋送至多層積層裝置,從而製作積層膜。
作為多層積層裝置,可使用多岐管式模(multimanifold die)或進料套管或靜態混合器等,尤其較佳為使用具有51個以上的微細縫的進料管套。若使用此種進料套管,則裝置不會極端大型化,因此由熱劣化所引起的異物少,即便於積層數極端多的情況下,亦可進行高精度的積層。另外,寬度方向的積層精度與先前技術相比,亦格外地提高。進而,於該裝置中,可以縫形狀(長度、寬度)調整各層的厚度,因此可達成任意的層厚度。
以所述方式將形成為所期望的層構成的熔融多層積層體導向模,可與所述同樣地獲得流延膜。
所獲得的流延膜較佳為進行雙軸拉伸。此處,所謂雙軸 拉伸,是指在長邊方向及寬度方向上拉伸。拉伸可逐次在兩方向上拉伸,亦可同時在兩方向上拉伸。亦可進一步在長邊方向及/或寬度方向上進行再拉伸。
首先,對逐次雙軸拉伸的情況進行說明。此處,所謂朝向長邊方向的拉伸,是指用以對膜提供長邊方向的分子配向的拉伸。通常是藉由輥的周邊速率差來進行延伸。該拉伸可以1階段進行,亦可使用多根輥對而以多階段進行。拉伸的倍率因樹脂的種類而不同,通常較佳為2倍~15倍,於在構成積層膜的樹脂的任一者中使用聚對苯二甲酸乙二酯的情況下,特佳為2倍~7倍。另外,作為拉伸溫度,較佳為構成積層膜的樹脂的玻璃轉移溫度以上、玻璃轉移溫度+100℃以下。
針對以所述方式所獲得的經單軸拉伸的膜,視需要亦可於實施電暈處理、火焰處理、電漿處理等表面處理後,藉由線內塗佈(in-line coating)來賦予易滑性、易接著性、抗靜電性等功能。尤其,於形成包含積層膜與色轉換膜的積層構件時,較佳為將折射率低於成為積層膜的最表層的熱塑性樹脂X的折射率且高於成為色轉換膜的最表層的膜的折射率的樹脂線內塗佈。
所謂寬度方向的拉伸,是指用以對膜提供寬度方向的配向的拉伸。通常使用拉幅機,以夾子把持膜的兩端,同時進行搬送,並在寬度方向上拉伸。作為拉伸的倍率,因樹脂的種類而不同,通常較佳為2倍~15倍,於在構成積層膜的樹脂的任一者中使用聚對苯二甲酸乙二酯的情況下,特佳為2倍~7倍。另外,作 為拉伸溫度,較佳為構成積層膜的樹脂的玻璃轉移溫度以上、玻璃轉移溫度+120℃以下。
為了賦予平面性及尺寸穩定性,以所述方式經雙軸拉伸的膜較佳為於拉幅機內進行拉伸溫度以上、熔點以下的熱處理。藉由對膜進行熱處理,成形用膜的尺寸穩定性提高。以所述方式對膜實施熱處理並加以均一地緩冷後,冷卻至室溫為止並加以捲繞。另外,視需要於自熱處理至緩冷時,亦可併用鬆弛處理等。
繼而,對同時進行雙軸拉伸的情況進行說明。於同時進行雙軸拉伸的情況下,針對所獲得的流延膜,視需要亦可於實施電暈處理、火焰處理、電漿處理等的表面處理後,藉由線內塗佈來賦予易滑性、易接著性、抗靜電性等功能。
繼而,將流延膜同時導向雙軸拉幅機,以夾子把持膜的兩端,同時進行搬送,在長邊方向與寬度方向上進行同時及/或階段性拉伸。作為同時雙軸拉伸機,有縮放(pantograph)方式、螺旋方式、驅動馬達方式、線性馬達方式,但較佳為可任意變更拉伸倍率且可於任意場所進行鬆弛處理的驅動馬達方式或線性馬達方式。拉伸的倍率因樹脂的種類而不同,通常較佳為以面積倍率計而為6倍~50倍,於在構成積層膜的樹脂的任一者中使用聚對苯二甲酸乙二酯的情況下,特佳為以面積倍率計而為8倍~30倍。尤其於同時進行雙軸拉伸的情況下,為了抑制面內的配向差,較佳為將長邊方向與寬度方向的拉伸倍率設為相同,並且使拉伸速度大致相等。另外,作為拉伸溫度,較佳為構成積層膜的樹脂 的玻璃轉移溫度以上、玻璃轉移溫度+120℃以下。
為了賦予平面性、尺寸穩定性,以所述方式經雙軸拉伸的膜較佳為繼續於拉幅機內進行拉伸溫度以上、熔點以下的熱處理。於該熱處理時,為了抑制寬度方向上的主配向軸的分佈,較佳為於剛進入熱處理域之前及/或剛進入熱處理域之後瞬間在長邊方向上進行鬆弛處理。以所述方式經熱處理並加以均一地緩冷後,冷卻至室溫為止並加以捲繞。另外,視需要亦可於自熱處理至緩冷時,在長邊方向及/或寬度方向上進行鬆弛處理。於剛進入熱處理域之前及/或剛進入熱處理域之後瞬間在長邊方向上進行鬆弛處理。
<光擴散膜>
本發明的光源單元較佳為於色轉換膜的任一面或兩面積層有光擴散膜。其原因在於:有減輕來自光源的光的不均並使光均一地擴散的效果,同時顯示出與後述的稜鏡片相同的聚光效果,並有助於正面方向的亮度提高。另外,亦有如下效果:減輕來自光源的發光的指向性,並容易使來自有機發光材料的發光輸出至色轉換膜的外部,而將來自光源的發光與來自有機發光材料的發光的比率調整為最佳的狀態。
光擴散膜被分類為用以防止雲紋或抑制光澤而配置於稜鏡片的上部的上擴散膜與透明度高的配置於稜鏡片的下部的下擴散膜。於顯示器或照明裝置的用途中,通常僅使用下擴散膜,亦可根據目的而採取與上擴散膜組合的構成。
作為光擴散膜,例如可列舉:萊特昂普(Light up)以及化學墊(Chemical mat)(木本(Kimoto)公司製造)、奧帕魯斯(Opalus)(惠和公司製造)、D系列(辻電(Tsujiden)公司製造)、CH/JS(SKC Haas顯示器膜(Display Films)公司製造)等。
<稜鏡片>
本發明的光源單元較佳為於色轉換膜的光出射面設置有稜鏡片。其原因在於:藉由將自光源側照射的光聚光,可使正面方向的亮度提高,並且可使背光的明度均一。此處,所謂光出射面,於顯示器用途中,是指顯示面側,於照明裝置的用途中,是指發光面側。
通常而言,稜鏡片具有於光學用的透明PET膜上形成有頂角90°的二等邊三角形形狀或微透鏡形狀的稜鏡圖案的結構。稜鏡片的使用片數若為一片以上,則並無特別限制,為了進一步提高正面亮度,較佳為使兩片稜鏡片正交而使用。藉由與所述光擴散膜組合使用,正面亮度提高的效果發揮得更強。
作為稜鏡片,例如可列舉:BEF系列(3M公司製造)、迪亞阿特(diaart)(三菱麗陽(Mitsubishi Rayon)公司製造)、GTL5000.GTL6000系列(五洋紙工公司製造)等。
本發明的光源單元可用於顯示器、照明裝置、內裝(interior)、標誌、指示牌等用途中,尤其可較佳地用於顯示器或照明裝置的用途中。
[實施例]
(實施例)
以下,列舉實施例對本發明進行說明,但本發明並不由該些實施例限定。
<綠色螢光體>
綠色螢光體1:電氣化學工業公司製造的「GR-MW540K」(Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體)
綠色螢光體2:電氣化學工業公司製造的「GR-SW532D」(Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體)
綠色螢光體3:電氣化學工業公司製造的「GR-SW531B」(Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體)
綠色螢光體4:電氣化學工業公司製造的「GR-SW529Y」(Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體)
綠色螢光體5:三菱化學公司製造的Ce活化鎦鋁碳酸鹽螢光體
<紅色螢光體>
紅色螢光體1:根本魯米材料(Nemoto Lumi-Materials)公司製造的Mn活化多氟化物螢光體
<綠色螢光體及紅色螢光體的螢光光譜的測定>
綠色螢光體及紅色螢光體的螢光光譜是使用分光配向測定系統GP-500(大塚電子公司製造)來測定被波長450nm激發時的發光光譜。
根據綠色螢光體1~綠色螢光體5及紅色螢光體1的發 光光譜來讀取發光波峰波長及其半值寬度,並將所得值示於表2中。
Figure 106128379-A0305-02-0107-63
<有機發光材料>
於下述實施例及比較例中,化合物R-1、化合物R-2是以下所示的化合物。
Figure 106128379-A0305-02-0107-64
<有機發光材料的吸收光譜的測定>
關於化合物的吸收光譜,使用U-3200形分光光度計(日立製作所公司製造),使化合物以1×10-6mol/L的濃度溶解於甲苯中來進行測定。
<有機發光材料的螢光光譜的測定>
關於化合物的螢光光譜,使用F-2500形分光螢光光度計(日立製作所公司製造),使化合物以1×10-6mol/L的濃度溶解於甲苯中並對被波長460nm激發時的螢光光譜進行測定。
將讀取化合物R-1、化合物R-2的吸收光譜及螢光光譜的波峰波長及其半值寬度而得的值示於表3中。
Figure 106128379-A0305-02-0108-65
<色轉換膜的吸收光譜的測定>
關於色轉換膜的吸收光譜,使用U-3200形分光光度計(日立製作所公司製造),以波長460nm使色轉換膜激發而進行測定。此處,色轉換膜的吸收波峰波長於後述的實施例1中為596nm,於實施例13中為589nm。
<積層膜的反射率的測定>
於分光光度計(U-4100 Spectrophotometer)(日立製作所公司製造)安裝附屬的角度可變透過附屬裝置,測定入射角度Φ=10°及60°下的250nm~800nm的波長的絕對反射率。測定條件:縫設為2nm(可見)/自動控制(紅外),增益設定為2,將掃描速度設為600nm/min。自膜寬度方向中央部以5cm×10cm切出樣品並對其進行測定。
<亮度測定>
使用柯尼卡美能達傳感(Konica Minolta sensing)公司製造的分光放射亮度計來測定設為發光體、擴散板、積層膜、色轉換膜(亦有包含積層膜與色轉換膜的積層構件的情況)、稜鏡片、偏光反射膜時的亮度。表4中記載有將比較例1中的亮度設為100時的相對亮度。
[表4]
Figure 106128379-A0305-02-0110-66
<色域的算出>
根據藉由亮度測定而獲得的發光光譜資料,求出綠色的發光的波峰波長與半值寬度及紅色的發光的發光波峰波長與其半值寬度。另外,根據藉由亮度測定而獲得的發光光譜資料與彩色濾光片的透過率的光譜資料,算出藉由彩色濾光片而提高色純度時的(u',v')色空間中的色域。關於所算出的(u',v')色空間中的色域的面積,藉由將BT.2020規格的色域面積設為100%時的比例來進行評價。該比例越高,色彩再現性越良好。
(實施例1)
<螢光體組成物的製作>
使用容積100ml的聚乙烯製容器,添加16.0g的作為基質樹脂的矽酮樹脂、8.0g的綠色螢光體1並進行混合。其後,使用行星式攪拌.脫泡裝置,以2000rpm攪拌.脫泡5分鐘,從而製作螢光體組成物。
<發光體的製作>
使用分配器(武藏野高科技公司製造的「MPP-1」),使所獲得的螢光體組成物流入至安裝有LED晶片(昭和電工公司製造的「GM2QT450G」,平均波長:454nm)的封裝體框架(楊本(Enomoto)公司製造的框架「頂部LED基座(TOP LED BASE)」)中,並於80℃下固化1小時、於150℃下固化2小時,藉此製作發光體。
<色轉換組成物的製作>
使用聚酯樹脂(SP值=10.7(cal/cm3)0.5)作為黏合劑樹脂,相對於黏合劑樹脂100重量份,混合0.017重量份的作為有機發光材料的化合物R-1、300重量份的作為溶劑的甲苯,然後,使用行星式攪拌.脫泡裝置「馬澤魯斯塔(MAZERUSTAR)KK-400」(倉敷紡織(Kurabo)製造),以300rpm的轉速進行20分鐘攪拌及脫泡而獲得色轉換組成物。
<色轉換膜的製作>
使用縫模塗佈機,將色轉換組成物塗佈於光擴散膜「化學墊(Chemical mat)」125PW(木本(Kimoto)公司製造,厚度138μm)的PET基材側,於100℃下進行20分鐘加熱、乾燥而形成平均膜厚為48μm的色轉換層。繼而,藉由對PET膜「露米勒(Lumirror)」U48(東麗公司製造,厚度50μm)進行加溫層壓而製作「基材/色轉換層/基材/光擴散層」的構成的色轉換膜。
將實施例1的色轉換膜及包含該色轉換膜的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:(u',v')色空間中的色域的面積相對於BT.2020規格的色域面積而為88%,且顯示出優異的特性。
(實施例2)
<積層膜的製作>
使用熔點為258℃的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)作為熱塑性樹脂X。另外,使用不具有熔點的非晶性樹脂即螺甘油25mol%、環己烷二羧酸30mol%進行共聚而得的對苯二甲酸乙二酯 (PE/SPG.T/CHDC)作為熱塑性樹脂Y。
將所準備的結晶性聚酯與熱塑性樹脂Y分別投入至兩台單軸擠出機中,於280℃下使其熔融,並進行混練。繼而,分別經由5片FSS型的葉盤式過濾器後,一面利用齒輪泵進行計量,一面利用縫數為11個的積層裝置使其合流,而形成在厚度方向上交替積層11層的積層體。形成積層體的方法是依照專利文獻6的段落[0053]~段落[0056]的記載來進行。此處,縫長度、間隔均設為一定。所獲得的積層體中,熱塑性樹脂X為6層,熱塑性樹脂Y為5層,且具有在厚度方向上交替積層的積層結構。使噴嘴內部的加寬比即噴嘴模唇的膜寬度方向長度除以噴嘴的流入口部的膜寬度方向的長度而得的值為2.5。
藉由設定為80℃的溫度的輥群組對所獲得的流延膜進行加熱後,於拉伸區間長100mm之間,一面藉由輻射加熱器自膜兩表面迅速加熱,一面在膜的長邊方向上拉伸3.3倍,其後進行暫時冷卻。繼而,對該單軸拉伸膜的兩表面於空氣中實施電暈放電處理,將基材膜的潤濕張力設為55mN/m,對該處理面塗佈包含(玻璃轉移溫度為18℃的聚酯樹脂)/(玻璃轉移溫度為82℃的聚酯樹脂)/(平均粒徑100nm的二氧化矽粒子)的積層形成膜塗液,形成透明.易滑.易接著層。易接著層的折射率為1.57。
將該單軸拉伸膜導入至拉幅機中,藉由100℃的溫度的熱風預熱後,於110℃的溫度下將膜在寬度方向上拉伸3.3倍。此處的拉伸速度與溫度設為一定。經拉伸的膜直接於拉幅機內藉由 240℃的溫度的熱風進行熱處理,繼而於同溫度條件下在寬度方向上實施2%的鬆弛處理,進而驟冷至100℃為止,然後在寬度方向上實施5%的鬆弛處理,其後獲得捲繞積層膜。
除代替PET膜「露米勒(Lumirror)」U48(東麗公司製造,厚度50μm)而使用積層膜以外,以與實施例1相同的方式製作色轉換膜,從而獲得「積層膜/色轉換層/基材/光擴散層」的構成的積層構件。
將實施例2的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與未使用積層膜的實施例1相比,亮度稍微提高。另外,色域面積與實施例1同等。
(實施例3)
將包含熱塑性樹脂X的X層的層數設為101層,將包含熱塑性樹脂Y的Y層的層數設為100層,除此以外,以與實施例2相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例3的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與層數少的實施例2相比,亮度提高。另外,色域面積與實施例1同等。
(實施例4)
將包含熱塑性樹脂X的X層的層數設為301層,將包含熱塑性樹脂Y的Y層的層數設為300層,除此以外,以與實施例2相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例4的積層構件及包含該積層構件的光源單元的 評價結果示於表4中。根據表4得知:與實施例2相比,亮度顯著提高。另外,色域面積與實施例1同等。
(實施例5)
除不藉由線內塗佈來設置易接著層以外,以與實施例4相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例5的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。得知:雖與實施例1相比,顯示出高亮度提高率,但與實施例4相比,反映出發光體的波長的反射率高的情況,而亮度稍微低。另外,色域面積與實施例1同等。
(實施例6)
除不形成包含積層膜與色轉換膜的積層構件以外,與實施例5同樣地獲得積層膜及色轉換膜。
將實施例6的積層膜、色轉換膜以及包含該些積層膜及色轉換膜的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:雖與實施例1相比,顯示出高亮度提高率,但與實施例5相比,反映出未貼合積層膜與色轉換膜便使用的情況,而亮度稍微低。另外,色域面積與實施例1同等。
(實施例7)
除使用綠色螢光體2作為螢光體組成物的綠色螢光體以外,與實施例4相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例7的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與實施例4同樣地觀察到 顯著的亮度的提高,且色澤或亮度的均一性亦優異。另外,(u',v')色空間中的色域的面積相對於BT.2020規格的色域面積而為90%,且顯示出優異的特性。
(實施例8)
除使用綠色螢光體3作為螢光體組成物的綠色螢光體以外,與實施例4相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例8的積層構件以及包含其的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與實施例4同樣地觀察到顯著的亮度的提高,且色澤或亮度的均一性亦優異。另外,(u',v')色空間中的色域的面積相對於BT.2020規格的色域面積而為88%,且顯示出優異的特性。
(實施例9)
除使用綠色螢光體4作為螢光體組成物的綠色螢光體以外,與實施例4相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例9的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與實施例4同樣地觀察到顯著的亮度的提高,且色澤或亮度的均一性亦優異。另外,雖(u',v')色空間中的色域的面積相對於BT.2020規格的色域面積而為84%,且顯示出優異的特性,但與實施例4相比而稍差。
(實施例10)
除使用綠色螢光體5作為螢光體組成物的綠色螢光體以外,與實施例4相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例10的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與實施例4同樣地觀察到顯著的亮度的提高,且色澤或亮度的均一性亦優異。另外,(u',v')色空間中的色域的面積相對於BT.2020規格的色域面積而為73%,與實施例4相比而差。
(實施例11)
除使用化合物R-2作為色轉換膜的有機發光材料以外,以與實施例4相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例11的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與實施例4同樣地觀察到顯著的亮度的提高,且色澤或亮度的均一性亦優異。另外,(u',v')色空間中的色域的面積相對於BT.2020規格的色域面積而為91%,且顯示出優異的特性。
(實施例12)
除代替光擴散膜而使用PET膜「露米勒(Lumirror)」U48(東麗公司製造,厚度50μm)以外,以與實施例4相同的方式製作積層膜、色轉換膜及積層構件。
將不使用稜鏡片地評價實施例12的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。結果為:與未使用積層膜的實施例1相比,成為帶藍綠的白色光,雖亮度同等,但色域面積稍稍低。
(實施例13)
除使用丙烯酸樹脂(SP值=9.5(cal/cm3)0.5)作為色轉換膜的黏合劑樹脂以外,以與實施例4相同的方式獲得積層膜、色轉換膜及積層構件。
將實施例13的積層構件及包含該積層構件的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知:與實施例4同樣地觀察到顯著的亮度的提高,且色澤或亮度的均一性亦優異。另外,雖(u',v')色空間中的色域的面積相對於BT.2020規格的色域面積而為86%,且顯示出優異的特性,但與實施例4相比而稍差。
另外,對實施例1及實施例13中所製作的色轉換膜的吸收光譜進行測定,讀取各自的吸收波峰波長,結果:實施例1的色轉換膜的吸收波峰波長為596nm,實施例13的色轉換膜的吸收波峰波長為589nm。
(比較例1)
<螢光體組成物的製作>
使用容積100ml的聚乙烯製容器,添加16.0g的作為基質樹脂的矽酮樹脂、4.0g的綠色螢光體1、10.0g的紅色螢光體1並進行混合。其後,使用行星式攪拌.脫泡裝置,以2000rpm進行5分鐘攪拌及脫泡,從而製作螢光體組成物。
<發光體的製作>
使用分配器(武藏野高科技公司製造的「MPP-1」),使所獲得的螢光體組成物流入至安裝有LED晶片(昭和電工公司製造的「GM2QT450G」,平均波長:454nm)的封裝體框架(楊本 (Enomoto)公司製造的框架「頂部LED基座(TOP LED BASE)」)中,並於80℃的溫度下固化1小時、於150℃的溫度下固化2小時,藉此製作LED封裝體。除未形成色轉換層以外,以與實施例1相同的構成獲得光源單元。
將比較例的光源單元的評價結果示於表4中。根據表4得知如下結果:與實施例1相比,亮度及色域均差。
[產業上之可利用性]
如以上所述,本發明的光源單元、顯示器及照明裝置適合於使高亮度與色彩再現性的提高併存的光源單元、顯示器及照明裝置。
1‧‧‧光源單元
2‧‧‧發光體
3‧‧‧色轉換膜

Claims (18)

  1. 一種光源單元,其包括:發光體;及色轉換膜,包含將自所述發光體入射的入射光的至少一部分轉換成較所述入射光為長波長的光的有機發光材料,且所述光源單元的特徵在於,所述發光體具有光源與形成於所述光源上的包含綠色螢光體的層,所述有機發光材料於580nm以上、750nm以下的波長區域中具有發光波長波峰,所述有機發光材料的吸收波峰波長為550nm以上且650nm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中所述綠色螢光體為Eu活化β型矽鋁氮氧化物螢光體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中所述綠色螢光體的發光波長波峰為525nm以上、545nm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中於所述發光體與所述色轉換膜之間設置有多個不同的熱塑性樹脂交替積層11層以上而成的積層膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的光源單元,其中所述積層膜中,580nm以上、750nm以下的波長的光以60°的入射角度入射時的反射率為70%以上。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的光源單元,其中所述積層膜中,400nm以上、580nm以下的波長的光以10°的 入射角度入射時的反射率為20%以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中所述色轉換膜包含聚酯樹脂。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中所述有機發光材料包含吡咯亞甲基衍生物。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中所述有機發光材料含有由通式(1)所表示的化合物;
    Figure 106128379-A0305-02-0122-67
    X為C-R7或N;R1~R9分別可相同亦可不同,且選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基及與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的光源單元,其中於所述通式(1)中,X為C-R7,R7為由通式(2)所表示的基;
    Figure 106128379-A0305-02-0123-68
    r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群組中;k為1~3的整數;於k為2以上的情況下,r分別可相同亦可不同。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的光源單元,其中於所述通式(1)中,R1、R3、R4及R6分別可相同亦可不同,且為經取代或未經取代的芳基。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中於所述色轉換膜的任一面或兩面積層有光擴散膜。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的光源單元,其中於所述色轉換膜的光出射面設置有稜鏡片。
  14. 如申請專利範圍第4項所述的光源單元,其積層有所述色轉換膜與所述積層膜。
  15. 如申請專利範圍第4項或第14項所述的光源單元,其中於所述色轉換膜與所述積層膜之間設置有功能層,且所述功 能層的折射率n3為所述積層膜的折射率n1與所述色轉換膜的折射率n2之間。
  16. 如申請專利範圍第4項或第14項所述的光源單元,其中所述色轉換膜或所述積層膜遠離所述發光體而配置。
  17. 一種顯示器,其特徵在於具備光源單元,所述光源單元包括:發光體,具有光源及形成於所述光源上的包含綠色螢光體的層;及色轉換膜,包含將自所述發光體入射的入射光的至少一部分轉換成較所述入射光為長波長的光的有機發光材料,所述有機發光材料於580nm以上、750nm以下的波長區域中具有發光波長波峰,所述有機發光材料的吸收波峰波長為550nm以上且650nm以下。
  18. 一種照明裝置,其特徵在於具備光源單元,所述光源單元包括:發光體,具有光源及形成於所述光源上的包含綠色螢光體的層;及色轉換膜,包含將自所述發光體入射的入射光的至少一部分轉換成較所述入射光為長波長的光的有機發光材料,所述有機發光材料於580nm以上、750nm以下的波長區域中具有發光波長波峰,所述有機發光材料的吸收波峰波長為550nm以上且650nm以下。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7271516B2 (ja) * 2017-09-20 2023-05-11 マテリオン プレシジョン オプティクス (シャンハイ) リミテッド 無機結合剤を伴う蛍光体ホイール
US11335842B2 (en) * 2018-02-14 2022-05-17 Maven Optronics Co., Ltd. Chip-scale packaging light-emitting device with electrode polarity identifier and method of manufacturing the same
CN110504377B (zh) * 2019-08-22 2022-03-29 云谷(固安)科技有限公司 一种有机发光显示器件及其制备方法以及显示面板
WO2022024387A1 (ja) * 2020-07-31 2022-02-03 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、及び画像表示装置
JPWO2022131364A1 (zh) * 2020-12-17 2022-06-23
CN114141934B (zh) * 2021-11-22 2023-12-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010061824A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Toray Ind Inc 色変換組成物
TW201015758A (en) * 2008-07-03 2010-04-16 Samsung Led Co Ltd Wavelength-converted light emitting diode chip and light emitting device having the same
JP2011054659A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Sharp Corp 発光装置及びそれを用いた液晶表示装置
TW201547065A (zh) * 2014-04-08 2015-12-16 Ns材料股份有限公司 波長變換構件、成形體、波長變換裝置、薄片構件、發光裝置、導光裝置及顯示裝置
WO2016023314A1 (zh) * 2014-08-15 2016-02-18 常州市武进区半导体照明应用技术研究院 一种发光二极管器件及光源模组及光源模块

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446157A (en) 1990-04-23 1995-08-29 Morgan; Lee R. Boron difluoride compounds useful in photodynamic therapy and production of laser light
JPH10154830A (ja) * 1996-09-27 1998-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いた表示装置
JP2868085B2 (ja) * 1997-05-20 1999-03-10 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP3159259B2 (ja) 1999-01-13 2001-04-23 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20060268537A1 (en) 2005-05-31 2006-11-30 Makoto Kurihara Phosphor film, lighting device using the same, and display device
JP4469307B2 (ja) * 2005-05-31 2010-05-26 セイコーインスツル株式会社 表示装置
JP2007307893A (ja) 2006-04-20 2007-11-29 Toray Ind Inc マット調フィルムおよび成形品
JP2008252063A (ja) * 2007-03-07 2008-10-16 Toray Ind Inc 発光素子材料および発光素子
US7859175B2 (en) * 2007-05-18 2010-12-28 Seiko Instruments Inc. Illuminating device, display device and optical film
JP4976196B2 (ja) * 2007-05-18 2012-07-18 セイコーインスツル株式会社 表示装置及び照明装置
JP2009010013A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Toppan Printing Co Ltd 白色光源
JP4613947B2 (ja) * 2007-12-07 2011-01-19 ソニー株式会社 照明装置、色変換素子及び表示装置
JP5553763B2 (ja) * 2008-09-24 2014-07-16 出光興産株式会社 複合有機エレクトロルミネッセンス材料
JP2010159411A (ja) 2008-12-12 2010-07-22 Nitto Denko Corp 半硬化状シリコーン樹脂シート
JP2010192366A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Sony Corp 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法
US20120162573A1 (en) 2009-08-31 2012-06-28 Kohsei Takahashi Liquid crystal display
JP5287935B2 (ja) 2011-06-16 2013-09-11 東レ株式会社 蛍光体含有シート、それを用いたled発光装置およびその製造方法
EP2753871B1 (en) * 2011-09-08 2016-11-02 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device and lighting control method
EP2950704B1 (en) * 2013-01-29 2017-10-18 Philips Lighting Holding B.V. A light source, luminaire and surgical illumination unit
JP6428089B2 (ja) * 2014-09-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6441636B2 (ja) * 2014-10-14 2018-12-19 大日本印刷株式会社 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置
CN105738994B (zh) * 2014-12-10 2019-07-02 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及相关照明装置、荧光色轮和投影装置
KR101968901B1 (ko) * 2015-02-06 2019-04-15 주식회사 엘지화학 색변환 필름, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201015758A (en) * 2008-07-03 2010-04-16 Samsung Led Co Ltd Wavelength-converted light emitting diode chip and light emitting device having the same
JP2010061824A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Toray Ind Inc 色変換組成物
JP2011054659A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Sharp Corp 発光装置及びそれを用いた液晶表示装置
TW201547065A (zh) * 2014-04-08 2015-12-16 Ns材料股份有限公司 波長變換構件、成形體、波長變換裝置、薄片構件、發光裝置、導光裝置及顯示裝置
WO2016023314A1 (zh) * 2014-08-15 2016-02-18 常州市武进区半导体照明应用技术研究院 一种发光二极管器件及光源模组及光源模块

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