TWI737750B - 塗布處理裝置、塗布處理方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

將包含光學材料之塗布液相對於基板以任意角度適當地進行塗布。
塗布處理裝置(10)具有：保持玻璃基板(G)的平台(20)；及對保持於平台(20)的玻璃基板(G)吐出塗布液的塗布噴嘴(30)。平台(20)構成為在軌條(21)上沿著X軸方向自由移動，塗布噴嘴(30)構成為透過移動機構(32)沿著Y軸方向自由移動，平台(20)與塗布噴嘴(30)沿著正交方向移動。

Description

塗布處理裝置、塗布處理方法及電腦記憶媒體
本發明關於對基板塗布包含光學材料之塗布液的塗布處理裝置、使用該塗布處理裝置的塗布處理方法、程式及電腦記憶媒體。
例如有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)，為了防止外光之反射而使用圓偏光板。圓偏光板係將直線偏光板與波長板(相位差板)使其偏光軸呈45度交叉的方式積層而製作。又，液晶顯示器(LCD：Liquid Crystal Display)中，為了控制顯示中的旋光性或複折射性，亦使用該等直線偏光板與波長板。
又，例如亦有僅使波長板以其偏光軸傾斜15度或75度而形成之情況。因此，將偏光板或波長板以任意之角度形成是必要的。另外，欲使偏光板或波長板之偏光軸以任意角度交叉時，需要個別形成該等偏光板或波長板。
習知，此種偏光板或波長板例如係使用延伸膜製作。延伸膜係使膜沿著一方向延伸進行貼合，據此而使該材料中之分子沿著一方向配向者。
但是，近年，隨著OLED或LCD之薄型化，亦要求偏光板或波長板之薄膜化。但是，在製作偏光板或波長板時，如習知般使用延伸膜之情況下，在縮小該延伸膜自身的膜厚上存在界限，無法獲得充分的薄膜。
於此，在基板上塗布具有規定材料的塗布液，形成必要的膜厚之偏光板或波長板，而達成薄膜化。具體而言，例如在基板上塗布作為規定材料之具有液晶性的塗布液並進行流延．配向。液晶化合物在塗布液中形成超分子摻合體(Supramolecular rendezvous)，一邊施加剪切應力一邊流動塗布液則超分子摻合體的長軸方向沿著流動方向進行配向。
如上述般為了可以對基板塗布塗布液，習知有各種裝置被提案。
例如專利文獻1記載的偏光膜印刷裝置具有將基板進行保持的平台；對基板吐出墨液的狹縫模具(Slot Die)。平台係在挖空固定盤之部分的框板將固定盤予以嵌入之構成，據此，將固定盤周邊部之高度設為與固定於固定盤的基板之表面相同高度。狹縫模具以至少覆蓋固定盤的方式延伸。接著，將固定盤配置於印刷方向之狀態下將基板固定，接著，旋轉固定盤，使基板相對於印刷方向傾斜規定角度之後，使狹縫模具沿著印刷方向移動而對基板塗布墨液。
又，例如專利文獻2記載的塗布裝置中，對具備朝上方開口而且沿著水平方向延伸的帶狀之縫隙的塗布 頭供給塗布液，由縫隙吐出該塗布液而形成珠子(bead)，使平面形狀為矩形之被塗布基板大致沿著其之1個對角線方向由塗布頭之上方沿著斜上方向相對地移動，由塗布頭與被塗布基板之間所形成的珠子使塗布液附著於被塗布基板之塗布面。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2005-62502號公報
[專利文獻2]特開平10-5677號公報
但是，使用專利文獻1記載的偏光膜印刷裝置時，狹縫模具以至少覆蓋固定盤的方式延伸，因此對基板進行墨液之塗布時，墨液被吐出至固定在固定盤的基板，而且，墨液亦被吐出附著於固定盤周圍之框板。因此，在基板之塗布處理之每一次需要以薄片對框板進行洗淨，花費作業時間。
又，專利文獻1之偏光膜印刷裝置中，使固定基板的固定盤旋轉，該固定盤之旋轉係為了在規定之位置(與印刷方向平行之位置)受取基板，而非控制塗布方向者。換言之，墨液對基板之塗布方向被固定，該塗布方向無法自由控制。
又，使用專利文獻2記載的塗布裝置時，使用表面張力對基板塗布塗布液。該情況下，與塗布液附著於基板之面積相應地，亦即與塗布塗布液的角度相應地，需要調整來自塗布頭的塗布液之吐出壓力等之塗布條件，該控制繁雜。
於此，塗布時的剪切應力(剪切速率(Shear rate))係將塗布速度除以基板與塗布頭之距離(間隙)得到之值。但是，專利文獻2之塗布裝置中，使用表面張力，因此在增大塗布液對基板之塗布速度上受到限制。因此，有可能無法獲得充分的剪切應力。
本發明有鑑於該點，目的在於將包含光學材料之塗布液相對於基板以任意角度適當地進行塗布。
為達成上述目的，本發明之塗布處理裝置，係對基板塗布包含光學材料之塗布液者，其特徵為具有：保持部，將基板予以保持；塗布噴嘴，對上述保持部所保持的基板吐出上述塗布液；及移動機構，使上述保持部與上述塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動。
依據本發明，藉由移動機構使保持部與塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動，因此藉由對該等保持部與塗布噴嘴的相對的移動速度進行控制，可以任意控制塗布於基板的塗布液之塗布方向。如此則藉由簡易的構成及簡易的控制，可以任意角度對基板進行塗布液之塗布。亦即 無需如習知般每次變化塗布方向之角度時，需要調整塗布條件。又，如此般藉由對移動速度進行控制，可以控制塗布液對基板之塗布速度，可以確保充分的剪切應力。而且，可以抑制塗布液附著於保持部，無需如習知般藉由薄片進行保持部之洗淨。因此，可於基板適當且有效地塗布塗布液。
上述塗布處理裝置另具有控制上述移動機構的控制部，上述控制部係藉由控制上述保持部與上述塗布噴嘴的相對的移動速度，而對塗布於基板的上述塗布液之塗布方向進行控制亦可。
上述塗布處理裝置中，上述移動機構使上述保持部沿著一方向移動，並且使上述塗布噴嘴沿著與上述一方向正交之方向移動亦可。
上述塗布處理裝置中，上述塗布噴嘴設置為沿著一方向延伸而被固定，上述移動機構使上述保持部沿著上述一方向移動，並且隔著上述塗布噴嘴使上述保持部沿著與上述一方向正交之方向移動亦可。
上述塗布處理裝置中，俯視狀態下上述保持部小於基板亦可。
上述塗布處理裝置中，上述塗布噴嘴具有吐出上述塗布液的縫隙狀之吐出口亦可。
上述塗布處理裝置中，在上述保持部及上述塗布噴嘴之下方設置有上述塗布液之回收部亦可。
另一觀點之本發明，係對基板塗布包含光學 材料之塗布液的塗布處理方法，其特徵為：一邊使保持基板的保持部與塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動，一邊由上述塗布噴嘴吐出上述塗布液，對基板進行上述塗布液之塗布。
上述塗布處理方法中，藉由控制上述保持部與上述塗布噴嘴的相對的移動速度，而對塗布於基板的上述塗布液之塗布方向進行控制亦可。
上述塗布處理方法中，上述塗布噴嘴係沿著一方向延伸，使上述保持部沿著上述一方向移動，並且使上述塗布噴嘴沿著與上述一方向正交之方向移動，而對基板進行上述塗布液之塗布亦可。
上述塗布處理方法中，上述塗布噴嘴設置為沿著一方向延伸而被固定，使上述保持部沿著上述一方向移動，並且隔著上述塗布噴嘴使上述保持部沿著與上述一方向正交之方向移動，而對基板進行上述塗布液之塗布亦可。
上述塗布處理方法中，由上述塗布噴嘴吐出的上述塗布液之中，未塗布於基板而掉落的上述塗布液，由設於上述保持部及上述塗布噴嘴之下方的回收部回收亦可。
依據另一觀點之本發明提供一種程式，係使上述塗布處理方法經由塗布處理裝置執行的方式，而在對該塗布處理裝置進行控制的控制部之電腦上動作。
又，依據另一觀點之本發明，提供一種儲存 有上述程式的可讀取的電腦記憶媒體。
依據本發明，可以任意角度適當且有效率地對基板塗布包含光學材料之塗布液。
10‧‧‧塗布處理裝置
20‧‧‧平台
21‧‧‧軌條
30‧‧‧塗布噴嘴
31‧‧‧吐出口
32‧‧‧移動機構
40‧‧‧回收部
50‧‧‧控制部
100‧‧‧減壓乾燥裝置
200‧‧‧搬送區域
300‧‧‧加熱處理裝置
400‧‧‧膜定著裝置
500‧‧‧膜除去裝置
G‧‧‧玻璃基板
P1‧‧‧直線偏光膜(塗布液)
P2‧‧‧直線偏光膜
Q1‧‧‧λ/4波長膜(塗布液)
Q2‧‧‧λ/4波長膜
[圖1]表示本實施形態的塗布處理裝置之構成之概略的橫向斷面圖。
[圖2]表示本實施形態的塗布處理裝置之構成之概略的縱向斷面圖。
[圖3]表示塗布噴嘴之構成之概略的斜視圖。
[圖4]表示本實施形態的減壓乾燥裝置之構成之概略的縱向斷面圖。
[圖5]表示本實施形態的塗布處理裝置、乾燥處理裝置及搬送區域之配置的平面圖。
[圖6]表示本實施形態的加熱處理裝置之構成之概略的縱向斷面圖。
[圖7]表示本實施形態的膜固定裝置之構成之概略的縱向斷面圖。
[圖8]表示本實施形態的膜除去裝置之構成之概略的縱向斷面圖。
[圖9]表示本實施形態的光學膜形處理的主要工程之 例的流程圖。
[圖10]工程S1中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
[圖11]表示工程S1中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
[圖12]表示工程S1中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
[圖13]表示工程S4中塗布定著材使直線偏光膜定著(惰性化)的模樣的說明圖。
[圖14]工程S4中使直線偏光膜定著的模樣的說明圖。
[圖15]表示工程S5中除去未定著化的直線偏光膜之模樣的說明圖。
[圖16]表示工程S5中除去未定著化的直線偏光膜之模樣的說明圖。
[圖17]表示工程S6中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
[圖18]表示工程S6中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
[圖19]表示工程S6中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
[圖20]表示工程S9中塗布定著材使λ/4波長膜定著的模樣的說明圖。
[圖21]表示工程S9中使λ/4波長膜定著的模樣的說明 圖。
[圖22]表示工程S10中除去未定著化的λ/4波長膜之模樣的說明圖。
[圖23]表示工程S10中除去未定著化的λ/4波長膜之模樣的說明圖。
[圖24]表示另一實施形態的塗布處理裝置之構成之概略的橫向斷面圖。
[圖25]表示另一實施形態之工程S1中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
[圖26]表示另一實施形態之工程S6中玻璃基板與塗布噴嘴之動作的說明圖。
以下，參照添付圖面說明本發明之實施形態。又，以下所示實施形態並非用來限定本發明。
<1.光學膜形成裝置>
首先，對本實施形態的光學膜形成裝置之構成進行說明。本實施形態中，在製作OLED使用的圓偏光板時，作為光學膜係說明將直線偏光膜(直線偏光板)與λ/4波長膜(λ/4波長板)形成於玻璃基板之情形之例。又，在形成直線偏光膜與λ/4波長膜之前的玻璃基板上，例如將複數層有機膜(未圖示)等積層並形成。
光學膜形成裝置具有塗布處理裝置、減壓乾 燥裝置、加熱處理裝置、膜定著裝置、及膜除去裝置。以下，對該等之裝置之構成進行說明。又，以下所示圖面中，為明確化位置關係，而規定相互正交的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並以Z軸正方向作為鉛直向上方向。
<1-1.塗布處理裝置>
圖1表示塗布處理裝置之構成之概略的橫向斷面圖。圖2表示塗布處理裝置之構成之概略的縱向斷面圖。塗布處理裝置10中，對玻璃基板G之整面進行塗布液之塗布。
塗布處理裝置10具有處理容器11。在處理容器11之側面形成玻璃基板G之搬出入口(未圖示)，於該搬出入口設有開閉柵門(未圖示)。
處理容器11之內部設置平台20作為對玻璃基板G進行保持的保持部。平台20係以對玻璃基板G進行塗布液之塗布的表面朝上方的方式將該玻璃基板G之背面進行吸附保持。又，俯視狀態下平台20具有小於玻璃基板G的形狀。
平台20安裝於一對軌條21、21，該一對軌條21、21設於該平台20之下面側且在X軸方向延伸。平台20構成為沿著軌條21自由移動。又，軌條21係至少玻璃基板G之2片之長度以上且沿著X軸方向延伸。據此，則平台20位於X軸方向負方向之端部之情況下的玻璃基板G(圖中之實線，基板位置A1)，與平台20位於X軸方向正方向之端部之情況下的玻璃基板G(圖中之虛線，基板位置A2)，在 俯視狀態下不重疊。本實施形態中，該等平台20與軌條21構成本發明之移動機構。又，移動機構之構成不限定於本實施形態，例如可以將平台20設為自走式等，移動機構可以採用任意之構成。
在平台20之上方設置用於對保持於該平台20的玻璃基板G進行塗布液之塗布的塗布噴嘴30。塗布噴嘴30係沿著和保持於平台20的玻璃基板G之移動方向(X軸方向)相同之方向延伸的長尺狀之縫隙噴嘴。在圖3所示塗布噴嘴30之下端面形成，對玻璃基板G吐出塗布液的吐出口31。如圖1及圖2所示，吐出口31，係沿著塗布噴嘴30之長邊方向(X軸方向)，在比起玻璃基板G之移動範圍更長的範圍，亦即在比起基板位置A1與基板位置A2之間更長的範圍延伸的縫隙狀之吐出口。
在塗布噴嘴30設置移動機構32。移動機構32係使塗布噴嘴30沿著與保持於平台20的玻璃基板G之移動方向(X軸方向)正交的方向(Y軸方向)移動。塗布噴嘴30係在玻璃基板G之Y軸方向負方向側(圖中之實線，噴嘴位置B1)與玻璃基板G之Y軸方向正方向側(圖中之虛線，噴嘴位置B2)之間移動。又，塗布噴嘴30構成為透過移動機構32在鉛直方向亦可以自由移動。又，移動機構32之構成不限定於本實施形態，移動機構可以採用任意之構成。
如上述說明，平台20與塗布噴嘴30沿著正交方向移動。塗布噴嘴30可以對保持於平台20的玻璃基板G進行塗布液之塗布。又，對平台20之移動速度與塗布噴嘴 30之移動速度進行控制，據此，可以對塗布於玻璃基板G的塗布液之塗布方向任意進行控制。
又，由塗布噴嘴30吐出的塗布液係包含光學材料之塗布液。具體而言，係用於形成直線偏光膜的偏光膜用塗布液，及用於形成λ/4波長膜的波長膜用塗布液，分別包含例如作為光學材料的溶致型液晶(Lyotropic Liquid Crystal)化合物或熱致型液晶(Thermotropic Liquid Crystal)化合物等任意之液晶化合物。
在平台20及塗布噴嘴30之下方設置塗布液之回收部40。回收部40之上面具有開口，可以暫時性貯存塗布液。回收部40之X軸方向之長度比塗布噴嘴30之吐出口31長。又，回收部40之Y軸方向之長度比塗布噴嘴30之移動範圍長，亦即比噴嘴位置B1與噴嘴位置B2之間更長。又，在回收部40之下面設置將回收的塗布液排出的排出管41。由塗布噴嘴30吐出且未塗布於玻璃基板G而掉落至下方的塗布液係被回收部40回收，由排出管41排出。回收的塗布液再度被利用於後續進行處理的玻璃基板G。
在以上之塗布處理裝置10設有控制部50。控制部50例如為電腦，具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部儲存有控制塗布處理裝置10中之塗布處理的程式。該程式例如係記憶於電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取的記憶媒體H者，由該記憶媒體H安裝於控制部50亦可。又，控制部50亦對光學膜形成裝置之其他裝置中規定之處理進行控制。
<1-2.減壓乾燥裝置>
圖4表示減壓乾燥裝置之構成之概略的縱向斷面圖。減壓乾燥裝置100中，在形成於玻璃基板G的光學膜(直線偏光膜與λ/4波長膜)進行減壓乾燥。
減壓乾燥裝置100具有處理容器101。處理容器101具有蓋體102與本體103。蓋體102構成為透過升降機構(未圖示)自由升降。將玻璃基板G搬出或搬入處理容器101時，蓋體102由本體103朝上方分離，在處理容器101之內部進行減壓乾燥處理時，蓋體102與本體103成為一體，形成密閉的空間。
在處理容器101之內部設置載置玻璃基板G的載置台110。載置台110以形成有光學膜的表面朝上方的方式載置玻璃基板G。又，在處理容器101之底部設置氣體供給部120與排氣部121。氣體供給部120與排氣部121隔著載置台110對向配置。由氣體供給部120供給惰性氣體，可以在玻璃基板G上沿著與玻璃基板G平行的氣流通過方向(X軸方向)通過惰性氣體之氣流。又，由排氣部121進行排氣而將處理容器101之內部設為減壓氛圍。
又，減壓乾燥裝置之構成不限定於本實施形態之減壓乾燥裝置100之構成，可以任意採用公知之減壓乾燥裝置之構成。
<1-3.搬送區域>
圖5表示塗布處理裝置、乾燥處理裝置及搬送區域之配置的平面圖。
上述塗布處理裝置10與減壓乾燥裝置100隔著搬送區域200隣接配置。在搬送區域200設有對玻璃基板G進行搬送的搬送裝置201。在搬送區域200之內部無下降流等，在無風狀態下對玻璃基板G進行搬送。
<1-4.加熱處理裝置>
圖6表示加熱處理裝置之構成之概略的縱向斷面圖。加熱處理裝置300中，對形成於玻璃基板G的光學膜(直線偏光膜與λ/4波長膜)進行加熱。
加熱處理裝置300具有處理容器301。處理容器301具有蓋體302與本體303。蓋體302構成為藉由升降機構(未圖示)自由升降。將玻璃基板G搬出或搬入處理容器301時，蓋體302由本體303朝上方分離，在處理容器301之內部進行加熱處理時，蓋體302與本體303成為一體，而形成密閉的空間。在蓋體302的上面中央部設置排氣部304。處理容器301之內部由排氣部304進行排氣。
處理容器301之內部設有載置玻璃基板G並進行加熱的熱板310。熱板310係以形成有光學膜的表面朝上方的方式載置玻璃基板G。熱板310內建有藉由供電而發熱的加熱器311。
本體303具備：收容熱板310並保持熱板310之外周部的保持構件320；及圍繞該保持構件320之外周的支 撐環321。
又，加熱處理裝置之構成不限定於本實施形態之加熱處理裝置300之構成，可以任意採用公知之加熱處理裝置之構成。
<1-5.膜定著裝置>
圖7係膜定著裝置之構成之概略的縱向斷面圖。膜定著裝置400係以噴墨方式將定著材選擇性塗布於規定區域、本實施形態為玻璃基板G之畫素區域。
膜定著裝置400具有處理容器401。於處理容器401之側面形成玻璃基板G之搬出入口(未圖示)，於該搬出入口設有開閉柵門(未圖示)。
於處理容器401之內部設置將玻璃基板G進行保持的平台410。平台410係以在玻璃基板G進行定著材之塗布的表面朝上方的方式對玻璃基板G之背面進行吸附保持。
平台410安裝於設於該平台410之下面側且沿著X軸方向延伸的一對軌條411、411。軌條411設於沿著X軸方向延伸的載物台412。平台410構成為沿著軌條21自由移動。
又，軌條411隔著後述之塗布噴嘴420以至少玻璃基板G之2片之長度以上沿著X軸方向延伸。據此，平台410位於X軸方向負方向之端部時之玻璃基板G(圖中之實線，基板位置C1)，與平台410位於X軸方向正方向之端 部時之玻璃基板G(圖中之虛線，基板位置C2)在俯視狀態下不重疊。
於平台410之上方設置對保持於該平台410的玻璃基板G塗布定著材的塗布噴嘴420。塗布噴嘴420例如為噴墨噴嘴，可以對玻璃基板G之規定區域選擇性塗布定著材。又，塗布噴嘴420構成為藉由移動機構(未圖示)亦在鉛直方向自由移動。
又，由塗布噴嘴420吐出的定著材，只要是可以使光學膜定著於玻璃基板G之規定區域者即可，可以使用任意之材料。例如置換光學膜之末端之官能基，或者起收縮反應而高分子化，使該光學膜惰性化(不溶化)而定著亦可。或者使光學膜固化而定著亦可。
又，膜定著裝置之構成不限定於本實施形態之膜定著裝置400之構成，可以任意採用公知之噴墨方式之裝置之構成。另外，膜定著裝置中選擇性塗布定著材之方法不限定於噴墨方式，亦可以使用其他方法。作為其他方法例如可以是在規定區域以外之區域設置光罩，由其上吐出定著材，據此僅在規定區域選擇性塗布定著材。
<1-6.膜除去裝置>
圖8係膜除去裝置之構成之概略的縱向斷面圖。膜除去裝置500中，對玻璃基板G供給洗淨液，將在膜定著裝置400中未被定著的光學膜(規定區域以外之光學膜)選擇性除去。
膜除去裝置500具有處理容器501。在處理容器501之側面形成玻璃基板G之搬出入口(未圖示)，於該搬出入口設置開閉柵門(未圖示)。
在處理容器501之內部設置將玻璃基板G保持並旋轉的旋轉夾盤510。旋轉夾盤510使玻璃基板G之被供給有洗淨液之表面朝上方的方式對其背面進行吸附保持。又，旋轉夾盤510例如透過馬達等之夾盤驅動部511可以規定之速度旋轉。
在旋轉夾盤510之周圍設置承受、回收由玻璃基板G飛散或掉落的洗淨液之杯520。杯520之下面連接有排出回收的定著材之排出管521及對杯520之內部進行排氣的排氣管522。
於旋轉夾盤510之上方設置對保持於該旋轉夾盤510的玻璃基板G供給洗淨液的洗淨噴嘴530。洗淨噴嘴530構成為藉由移動機構531沿著水平方向及鉛直方向自由移動。
又，由洗淨噴嘴530供給的洗淨液可以使用和膜定著裝置400中進行塗布的定著材之溶媒相應的材料。例如定著材之溶媒為水時，洗淨液可以使用水，或者定著材之溶媒為有機溶劑時，洗淨液可以使用有機溶劑。
又，膜除去裝置之構成不限定於本實施形態之膜除去裝置500之構成，可以任意採用公知之旋轉塗布方式之裝置之構成。另外，膜除去裝置中選擇性除去光學膜的方法不限定於旋轉塗布方式，可以使用其他方法。作 為其他方法，例如將玻璃基板G浸漬於貯存有洗淨液的洗淨槽，選擇性除去光學膜亦可。又，進行雷射燒蝕而選擇性除去光學膜亦可，或者藉由微影成像處理及蝕刻處理選擇性除去光學膜亦可。
<2.光學膜形成方法>
接著，說明使用以上構成的光學膜形成裝置進行的光學膜形成方法。圖9係該光學膜形處理的主要工程之例的流程圖。本實施形態中，將直線偏光膜與λ/4波長膜以其偏光軸交叉成為45度的方式積層形成於玻璃基板G作為上述說明之光學膜。工程S1~S5係形成直線偏光膜的工程，工程S6~S10係形成λ/4波長膜的工程。
<2-1.工程S1>
首先，於塗布處理裝置10中，在玻璃基板G之整面塗布塗布液。此時之塗布液係供作為形成直線偏光膜的偏光膜用塗布液。
塗布處理裝置10中，於基板位置A1玻璃基板G被保持於平台20。接著，如圖10所示使玻璃基板G不由基板位置A1移動，使塗布噴嘴30由噴嘴位置B1移動至噴嘴位置B2。
如圖10(a)所示當塗布噴嘴30配置於噴嘴位置B1時，塗布噴嘴30以和塗布液P1之目標膜厚相應的高度被配置。接著，如圖10(b)及圖11所示一邊由塗布噴嘴30吐 出塗布液P1，一邊使塗布噴嘴30沿著Y軸方向正方向移動，而於玻璃基板G塗布塗布液P1。接著，如圖10(c)及圖12所示使塗布噴嘴30移動至噴嘴位置B2，在玻璃基板G之整面塗布塗布液P1。
此時，塗布液P1一邊被施加剪切應力(圖10中之方塊箭頭)一邊被進行塗布。玻璃基板G不移動，塗布噴嘴30沿著Y軸方向正方向移動，因此剪切應力被施加於Y軸方向負方向。
又，剪切應力(剪切速率)係塗布速度(塗布噴嘴30相對於玻璃基板G之移動速度)除以玻璃基板G與塗布噴嘴30之吐出口31間之距離(間隙)獲得之值。塗布噴嘴30使用縫隙噴嘴，因此塗布噴嘴30可以在不造成玻璃基板G損傷之情況下充分近接該玻璃基板G。因此，可以縮小間隙。因此藉由控制塗布噴嘴30之移動速度，可以對塗布液P1施加充分的剪切應力。基於該結果，可以使塗布液P1中之分子朝一方向(Y軸方向)配向。
又，塗布噴嘴30亦可以使用縫隙噴嘴以外之其他噴嘴，但如上述說明，就可以盡量縮小間隙之觀點而言，以縫隙噴嘴為較佳。又，塗布於玻璃基板G的塗布液P1之膜厚小，基於此一觀點亦以縫隙噴嘴為較佳。
又，由塗布噴嘴30吐出的塗布液P1之中，未被塗布於玻璃基板G的塗布液P1掉落至下方而被回收部40回收。被回收的塗布液P1再度利用於以下接續處理的玻璃基板G。又，平台20小於玻璃基板G，因此塗布液P1不附 著於平台20。因此，無需按每一片玻璃基板G以薄片來洗淨平台20。
如上述說明，塗布處理裝置10中，塗布液P1被塗布於玻璃基板G，形成直線偏光膜。以下之說明中，將直線偏光膜設為P1進行說明。
<2-2.工程S2>
接著，於減壓乾燥裝置100中，對玻璃基板G之直線偏光膜P1實施減壓乾燥。具體而言，將玻璃基板G載置於載置台110，關閉蓋體102，在處理容器101之內部形成密閉的空間。之後，由氣體供給部120供給惰性氣體，並且，由排氣部121對處理容器101之內部實施排氣，將處理容器101之內部設為減壓氛圍。接著，使直線偏光膜P1乾燥。
直線偏光膜P1被實施乾燥後，膜中之溶媒被除去。於上述工程S1中藉由施加剪切應力使分子沿著一方向配向，但以此狀態放置時分子之配向有可能復原而致紊亂。因此，於工程S2藉由除去膜中之溶媒來適當地維持分子之配向狀態。
又，基於適當地維持分子之配向狀態之觀點，而將塗布處理裝置10與減壓乾燥裝置100之間之搬送區域200設為無風狀態，進行玻璃基板G之搬送。例如若於搬送區域200產生下降流等，則與玻璃基板G衝突之風成為不均勻，分子之配向狀態有可能成為不均勻。因此，本實施形態中，將搬送區域200設為無風狀態，直至進行減壓 乾燥處理可以抑制直線偏光膜P1紊亂造成的分子之配向狀態紊亂。
<2-3.工程S3>
接著，於加熱處理裝置300中，對玻璃基板G之直線偏光膜P1進行加熱。具體而言，將玻璃基板G載置於熱板310，關閉蓋體302，於處理容器101之內部形成密閉的空間。接著，藉由熱板310之加熱器311以規定之溫度例如50℃對直線偏光膜P1進行加熱。
例如於工程S2對直線偏光膜P1實施減壓乾燥，膜中之溶媒無法完全被除去之情況存在。工程S3中對直線偏光膜P1之加熱可以確實除去膜中殘存的溶媒。又，工程S2中可以完全除去膜中的溶媒之情況下，工程S3可以省略。
<2-4.工程S4>
接著，於膜定著裝置400中，在玻璃基板G之規定區域、本實施形態中為畫素區域塗布定著材。
於膜定著裝置400中，在基板位置C1玻璃基板G被保持於平台410。接著，將玻璃基板G由基板位置C1移動至基板位置C2。
在玻璃基板G之移動中，如圖13所示，由塗布噴嘴420將定著材F塗布於玻璃基板G之畫素區域上形成的直線偏光膜P1。此時，膜定著裝置400採用噴墨方式，因 此可以將定著材F正確塗布於畫素區域之直線偏光膜P1。
定著材F使直線偏光膜P1惰性化(不溶化)。具體而言，將直線偏光膜P1中的OH基等之水溶性之末端置換為其他官能基。接著，惰性化的直線偏光膜P1被定著於玻璃基板G。以下將被塗布定著材F並定著的直線偏光膜標記為P2進行說明。亦即在玻璃基板G之畫素區域以外，直線偏光膜P1未被實施惰性化而未定著。反之，在畫素區域，直線偏光膜P2被實施惰性化而被定著。
接著，如圖14所示可以在玻璃基板G之畫素區域全部形成惰性化的直線偏光膜P2。又，為圖示之方便，示出玻璃基板之畫素區域，亦即直線偏光膜P2為20部位之情況，但畫素區域之數目不限定於此。實際上1片玻璃基板G約有100部位之畫素區域。
<2-5.工程S5>
接著，於膜除去裝置500中，對玻璃基板G供給洗淨液，選擇性除去工程S4中未定著的直線偏光膜P1。
膜除去裝置500中，玻璃基板G被旋轉夾盤510吸附保持。之後，一邊使保持於旋轉夾盤510的玻璃基板G旋轉，一邊由洗淨噴嘴530對玻璃基板G之中心部供給洗淨液。供給的洗淨液透過離心力而在玻璃基板G上擴散。此時，塗布有定著材F的直線偏光膜P2被定著而未被洗淨液除去。反之，未塗布有定著材F的直線偏光膜P1未被定著，因此被洗淨液除去。如此則，如圖15及圖16所示僅選 擇性除去直線偏光膜P1，而於玻璃基板G上僅在畫素區域形成直線偏光膜P2。
<2-6.工程S6>
如以上在玻璃基板G形成直線偏光膜P2，接著，在玻璃基板G進一步形成λ/4波長膜。首先，於塗布處理裝置10中，在玻璃基板G之整面塗布塗布液。此時之塗布液為用於形成λ/4波長膜的波長膜用塗布液。
於塗布處理裝置10中，在基板位置A1中玻璃基板G被保持於平台20。接著，如圖17所示使玻璃基板G由基板位置A1移動至基板位置A2，而且使塗布噴嘴30由噴嘴位置B1移動至噴嘴位置B2。此時，玻璃基板G之移動速度與塗布噴嘴30之移動速度相同。
如圖17(a)所示將塗布噴嘴30配置於噴嘴位置B1時，塗布噴嘴30配置於和塗布液Q1之目標膜厚相應的高度。接著，如圖17(b)及圖18所示使玻璃基板G沿著X軸方向正方向移動，並且一邊由塗布噴嘴30吐出塗布液Q1，一邊使塗布噴嘴30沿著Y軸方向正方向移動，於玻璃基板G塗布塗布液Q1。接著，如圖17(c)及圖19所示玻璃基板G移動至基板位置A2，而且塗布噴嘴30移動至噴嘴位置B2，在玻璃基板G之整面塗布塗布液Q1。
此時，塗布液Q1被施加剪切應力(圖17中之方塊箭頭)之同時被塗布。亦即基於玻璃基板G之移動速度與塗布噴嘴30之移動速度相同，因此剪切應力以和Y軸方向 負方向及X軸方向負方向呈傾斜45度的方向被施加。
又，藉由控制玻璃基板G之移動速度與塗布噴嘴30之移動速度，可以對塗布液Q1施加充分的剪切應力。結果，可以使塗布液Q1中之分子沿著一方向(傾斜45度方向)配向。
如上述說明，於塗布處理裝置10中，塗布液Q1被塗布於玻璃基板G，形成λ/4波長膜。以下之說明中，將λ/4波長膜標記為Q1進行說明。
<2-7.工程S7>
接著，於減壓乾燥裝置100中，對玻璃基板G之λ/4波長膜Q1進行減壓乾燥。具體的減壓乾燥處理係和工程S2同樣，因此省略說明。接著，除去λ/4波長膜Q1之溶媒，使膜中之分子之配向狀態被適當地維持。
<2-8.工程S8>
接著，於加熱處理裝置300中，對玻璃基板G之λ/4波長膜Q1進行加熱。具體的加熱處理係和工程S3同樣，因此省略說明。接著，完全除去λ/4波長膜Q1之溶媒。又，工程S7中可以完全除去膜中之溶媒之情況下，可以省略工程S8。
<2-9.工程S9>
接著，於膜定著裝置400中，如圖20所示，由塗布噴 嘴420將定著材F選擇性塗布在玻璃基板G之畫素區域上所形成的λ/4波長膜Q1。具體的定著材F之選擇性塗布處理係和工程S4同樣，因此省略說明。
定著材F使λ/4波長膜Q1惰性化(不溶化)，該惰性化的λ/4波長膜Q1被定著於玻璃基板G。以下，將塗布有定著材F而被定著的λ/4波長膜標記為Q2進行說明。亦即在玻璃基板G之畫素區域以外之區域，λ/4波長膜Q1未被實施惰性化、未被定著。反之，在畫素區域(直線偏光膜P2)中λ/4波長膜Q2被實施惰性化而被定著。
<2-10.工程S10>
接著，於膜除去裝置500中，對玻璃基板G供給洗淨液，選擇性除去工程S9中未被定著的λ/4波長膜Q1。具體的λ/4波長膜Q1之選擇性除去處理係和工程S5同樣，因此省略說明。接著，如圖22及圖23所示於玻璃基板G上僅在畫素區域形成λ/4波長膜Q2。
依據以上之實施形態，於塗布處理裝置10中，保持於平台20的玻璃基板G與塗布噴嘴30分別沿著正交方向移動，因此藉由對該等玻璃基板G之移動速度與塗布噴嘴30之移動速度進行控制，可以對塗布於玻璃基板G的塗布液之塗布方向進行控制。藉由如此般簡易的構成及簡易的控制，可以對玻璃基板G以任意角度進行塗布液之塗布。又，使工程S1中的塗布液P1之塗布方向與工程S6中的塗布液Q1之塗布方向交叉成為45度，可以使直線偏光膜 P1與λ/4波長膜Q1以其偏光軸交叉成為45度的方式形成。
又，於工程S2中對直線偏光膜P1進行減壓乾燥，因此可以適當地維持直線偏光膜P1中的分子之配向狀態。同樣地，於工程S6中對λ/4波長膜Q1進行減壓乾燥，因此可以適當地維持λ/4波長膜Q1中的分子之配向狀態。
又，工程S2與工程S6只要是對直線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1進行乾燥者即可，不限定於減壓乾燥。例如使直線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1分別自然乾燥亦可，進行加熱處理使乾燥亦可，或者藉由吹風使乾燥亦可。
但是，本實施形態之減壓乾燥比起自然乾燥可於更短時間進行，因此更好。又，例如進行加熱處理或吹風之情況下，膜中之溶媒產生對流，該對流有可能紊亂膜中之分子之配向狀態，本實施形態之減壓乾燥可以抑制膜中之溶媒之對流，因此更好。
又，於工程S4中將定著材F選擇性塗布於畫素區域之直線偏光膜P1，於工程S5中選擇性除去未塗布有定著材F未被定著的直線偏光膜P1，因此僅於畫素區域形成直線偏光膜P2。同樣地，藉由進行工程S9與工程S10，僅於畫素區域形成λ/4波長膜Q2。
於此，例如製作圓偏光板之情況下，直線偏光膜與λ/4波長膜僅形成於畫素區域即可。若於畫素區域以外形成膜，則設於畫素區域周圍的端子有可能無法適當地發揮機能。本實施形態中，於畫素區域以外未形成有膜，因此可以發揮畫素區域之直線偏光膜P2與λ/4波長膜 Q2之機能，同時亦能發揮位於畫素區域周圍的元件之機能。
又，於工程S1及S6中，分別施加剪切應力並同時進行塗布液P1、Q1之塗布，此時，僅於畫素區域塗布塗布液P1、Q1為困難者。因此，進行工程S4、S5、S9、S10，於畫素區域選擇性形成直線偏光膜P2與λ/4波長膜Q2為有用者。
另外，假設於工程S1中在玻璃基板G進行塗布液P1之塗布而形成直線偏光膜P1之後，省略工程S4中的定著材F之選擇性塗布時，之後，於工程S6中在玻璃基板G進行塗布液Q1之塗布時，塗布液Q1有可能混入直線偏光膜P1中。針對此點，本實施形態中藉由進行工程S4來形成不溶化的直線偏光膜P2，據此可以抑制該直線偏光膜P2與塗布液Q1之混合。結果，可以適當地形成直線偏光膜P2與λ/4波長膜Q2。
又，未必一定要進行該等工程S4、S5、S9、S10。如本實施形態般在玻璃基板G存在複數個畫素區域之情況下，進行工程S4、S5、S9、S10為有用者，但是例如在玻璃基板G之整面形成直線偏光膜與λ/4波長膜時，可以省略工程S4、S5、S9、S10。
又，於工程S4與工程S9中，在膜定著裝置400中，藉由塗布定著材使直線偏光膜與λ/4波長膜定著，但亦可以使用其他方法。作為其他方法，例如可以事先於直線偏光膜與λ/4波長膜添加與光起反應的材料，藉由光照 射使直線偏光膜與λ/4波長膜之結晶聚合，使該直線偏光膜與λ/4波長膜成為不溶化而定著。
<3.其他實施形態>
以上之實施形態中，於塗布處理裝置10中，使保持於平台20的玻璃基板G沿著X軸方向移動，使塗布噴嘴30沿著Y軸方向移動，但只要使玻璃基板G與平台20相對地沿著正交方向移動即可。
例如圖24所示，使保持於平台20的玻璃基板G沿著水平方向(X軸方向及Y軸方向)移動，使塗布噴嘴30不移動而固定亦可。
塗布噴嘴30係在X軸方向延伸固定而被設置。平台20透過移動機構(未圖示)沿著與塗布噴嘴30之延伸方向相同的方向(X軸方向)移動，而且，隔著塗布噴嘴30沿著Y軸方向移動。又，在平台20與塗布噴嘴30之下方設置塗布液之回收部40。
又，平台20、塗布噴嘴30及回收部40之構成，分別合上述實施形態之平台20、塗布噴嘴30及回收部40之構成同樣。本實施形態與上述實施形態不同點在於平台20與塗布噴嘴30之移動。
於該情況下，工程S1中，如圖25(a)所示保持於平台20的玻璃基板G係配置於塗布噴嘴30之Y軸方向負方向側。接著，如圖25(b)所示由塗布噴嘴30吐出塗布液P1之同時，使玻璃基板G沿著Y軸方向正方向移動，而於 玻璃基板G塗布塗布液P1。接著，如圖25(c)所示玻璃基板G移動至塗布噴嘴30之Y軸方向正方向側，於玻璃基板G之整面塗布塗布液P1。
此時，塗布液P1被施加剪切應力(圖25中之方塊箭頭)之同時被進行塗布。塗布噴嘴30不移動，玻璃基板G沿著Y軸方向正方向移動，因此剪切應力被施加於Y軸方向負方向。
又，於工程6中，如圖26(a)所示，保持於平台20的玻璃基板G係被配置於塗布噴嘴30之Y軸方向負方向側且在X軸方向負方向側。接著，如圖26(b)所示由塗布噴嘴30將塗布液Q1吐出，並且使玻璃基板G沿著與Y軸方向正方向及X軸方向正方向傾斜45度的方向移動，於玻璃基板G進行塗布液Q1之塗布。接著，如圖26(c)所示玻璃基板G移動至塗布噴嘴30之Y軸方向正方向側且X軸方向正方向側，塗布液Q1被塗布於玻璃基板G之整面。
此時，塗布液Q1被施加剪切應力(圖26中之方塊箭頭)之同時被進行塗布。亦即剪切應力被施加於與Y軸方向負方向及X軸負方向傾斜45度之方向。
本實施形態中亦可以享受和上述實施形態同樣之效果。亦即，使工程S1中塗布液P1之塗布方向與工程S6中塗布液Q1之塗布方向交叉成為45度，可以使直線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1形成為其偏光軸交叉成為45度。
又，雖未圖示，將平台20(玻璃基板G)固定，使塗布噴嘴30沿著水平方向(X軸方向及Y軸方向)移動亦 可。該情況下，亦可以享受和上述實施形態同樣之效果。但是，基於縮小裝置之專有面積並節省空間之觀點，如圖1所示，使保持於平台20的玻璃基板G沿著X軸方向移動，使塗布噴嘴30沿著Y軸方向移動的塗布處理裝置10為較佳。
以上之實施形態中說明，在製作OLED使用的圓偏光板之情況下，在玻璃基板形成作為光學膜的直線偏光膜(直線偏光板)與λ/4波長膜(λ/4波長板)之情況之例，但本發明亦適用於其他。例如本發明亦適用於LCD使用的偏光板或波長板。又，波長板亦不限定於λ/4波長膜，例如本發明亦可以適用λ/2波長膜等之其他波長板。
以上，參照添付圖面說明本發明之較佳實施形態，但本發明不限定於該例。業者在申請專利範圍記載的思想範疇內可以進行各種之變更例或修正例，該等變更例或修正例當然亦屬於本發明之技術範圍。
10‧‧‧塗布處理裝置
11‧‧‧處理容器
20‧‧‧平台
21‧‧‧軌條
30‧‧‧塗布噴嘴
31‧‧‧吐出口
32‧‧‧移動機構
40‧‧‧回收部
50‧‧‧控制部
G‧‧‧玻璃基板
A1、A2‧‧‧基板位置
B1、B2‧‧‧噴嘴位置

Claims (13)

  1. 一種塗布處理裝置，係對基板塗布包含光學材料之塗布液者，其特徵為具有：保持部，將基板予以保持；塗布噴嘴，對上述保持部所保持的基板吐出上述塗布液；移動機構，使上述保持部與上述塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動；及控制部，控制上述移動機構；上述控制部構成為，藉由控制上述保持部與上述塗布噴嘴的相對的移動速度，而對塗布於基板的上述塗布液之塗布方向進行控制；上述控制部係對上述移動機構進行控制，以使上述保持部沿著一方向移動，並且一邊從上述塗布噴嘴吐出上述塗布液，一邊使上述塗布噴嘴沿著與上述一方向正交之方向移動，以便對上述保持部所保持的基板從傾斜方向塗布上述塗布液。
  2. 如申請專利範圍第1項之塗布處理裝置，其中上述保持部所保持的基板與上述塗布噴嘴的移動速度相同。
  3. 一種塗布處理裝置，係對基板塗布包含光學材料之塗 布液者，其特徵為具有：保持部，將基板予以保持；塗布噴嘴，對上述保持部所保持的基板吐出上述塗布液；移動機構，使上述保持部與上述塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動；及控制部，控制上述移動機構；上述控制部構成為，藉由控制上述保持部與上述塗布噴嘴的相對的移動速度，而對塗布於基板的上述塗布液之塗布方向進行控制；上述塗布噴嘴設置為沿著一方向延伸被固定，一邊從上述塗布噴嘴吐出上述塗布液，一邊藉由上述控制部對上述移動機構進行控制，以使上述保持部沿著一方向移動，並且隔著上述塗布噴嘴使上述保持部沿著與上述一方向正交之方向移動，使上述基板相對於上述一方向及其之正交方向沿著傾斜方向移動，以便對上述保持部所保持的基板從傾斜方向塗布上述塗布液。
  4. 如申請專利範圍第3項之塗布處理裝置，其中上述傾斜方向為相對於上述一方向及其之正交方向傾斜45度的方向。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之塗布處理裝置，其中 俯視狀態下上述保持部小於基板。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之塗布處理裝置，其中上述塗布噴嘴具有吐出上述塗布液的縫隙狀之吐出口。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之塗布處理裝置，其中在上述保持部及上述塗布噴嘴之下方設置有上述塗布液之回收部。
  8. 一種塗布處理方法，係對基板塗布包含光學材料之塗布液者，其特徵為：一邊使保持基板的保持部與塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動，一邊由上述塗布噴嘴吐出上述塗布液，對上述基板進行上述塗布液之塗布，並且藉由控制上述保持部與上述塗布噴嘴的相對的移動速度，以便將塗布於上述保持部所保持的基板上的上述塗布液的塗布方向控制成為傾斜方向。
  9. 一種塗布處理方法，係對基板塗布包含光學材料之塗布液者，其特徵為：一邊使保持基板的保持部與塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動，一邊從上述塗布噴嘴吐出上述塗布液，對上述基板進行上述塗布液之塗布，並且藉由控 制上述保持部與上述塗布噴嘴的相對的移動速度，來控制塗布於基板上的上述塗布液的塗布方向，上述塗布噴嘴係沿著一方向延伸，使上述保持部沿著上述一方向移動，並且使上述塗布噴嘴沿著與上述一方向正交之方向移動，而對上述保持部所保持的基板從傾斜方向塗布上述塗布液。
  10. 一種塗布處理方法，係對基板塗布包含光學材料之塗布液者，其特徵為：一邊使保持基板的保持部與塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動，一邊從上述塗布噴嘴吐出上述塗布液，對上述基板進行上述塗布液之塗布，並且藉由控制上述保持部與上述塗布噴嘴的相對的移動速度，來控制塗布於基板上的上述塗布液的塗布方向，上述塗布噴嘴設置為沿著一方向延伸而被固定，使上述保持部沿著上述一方向移動，並且隔著上述塗布噴嘴使上述保持部沿著與上述一方向正交之方向移動，而對上述保持部所保持的基板從傾斜方向塗布上述塗布液。
  11. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之塗布處理方法，其中上述上述傾斜方向為傾斜45度的方向。
  12. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之塗布處理方 法，其中由上述塗布噴嘴吐出的上述塗布液之中，未塗布於基板而掉落的上述塗布液，係由設於上述保持部及上述塗布噴嘴之下方的回收部回收。
  13. 一種儲存有程式的可讀取的電腦記憶媒體，該程式以藉由塗布處理裝置執行對基板塗布包含光學材料之塗布液的塗布處理方法的方式，在控制該塗布處理裝置的控制部之電腦上動作，上述塗布處理方法，係一邊使保持基板的保持部與塗布噴嘴沿著正交方向相對地移動，一邊從上述塗布噴嘴吐出上述塗布液，對上述保持部所保持的基板上從傾斜方向塗布上述塗布液。
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