TWI736408B - 電壓不足偵測電路 - Google Patents

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Abstract

一種電壓不足偵測電路，包括一個分壓器、一個電壓至電流轉換器及一個電流比較器。該分壓器對一個電源電壓進行分壓以產生一個分壓電壓。該電壓至電流轉換器基於一個第一電壓至電流轉換函數將該分壓電壓轉換成一個第一電流，且基於一個第二電壓至電流轉換函數將該分壓電壓轉換成一個第二電流。該第二電壓至電流轉換函數不同於該第一電壓至電流轉換函數。該電流比較器比較該第一電流及該第二電流以產生一個比較信號。該比較信號指示該電源電壓是否足夠大。

Description

電壓不足偵測電路
本發明是有關於電壓偵測，特別是指一種電壓不足偵測電路。
電壓不足偵測電路被應用在晶片中，以偵測晶片的電源電壓是否足夠大。當判定電源電壓不夠大時，晶片的其他電路會被閉鎖，以避免誤動作及短路電流。電壓不足偵測電路與製程和溫度變異的相關性很小是重要的。
習知的電壓不足偵測電路包括一個帶隙電路及一個比較器。帶隙電路產生與製程和溫度變異無關的一個帶隙電壓。比較器比較帶隙電壓及從電源電壓得出的一個電壓，以決定電源電壓是否足夠大。帶隙電路在電源電壓大於一個大的啟動閾值時才會工作，因此習知的電壓不足偵測電路不利地具有一個大的未定義區域(即電壓不足偵測電路無法正常提供輸出的電源電壓範圍)。
因此，本發明的目的即在提供一種電壓不足偵測電路。當該電壓不足偵測電路的電壓至電流轉換函數被適當地設計時，該電壓不足偵測電路與製程和溫度變異的相關性很小。
於是，本發明電壓不足偵測電路包括一個分壓器、一個電壓至電流轉換器及一個電流比較器。該分壓器接收一個電源電壓，且對該電源電壓進行分壓以產生一個分壓電壓。該電壓至電流轉換器電連接到該分壓器以接收該分壓電壓，基於一個第一電壓至電流轉換函數將該分壓電壓轉換成一個第一電流，且基於一個第二電壓至電流轉換函數將該分壓電壓轉換成一個第二電流。該第二電壓至電流轉換函數不同於該第一電壓至電流轉換函數。該電流比較器電連接到該電壓至電流轉換器以接收該第一電流及該第二電流，且比較該第一電流及該第二電流以產生一個比較信號。該比較信號指示該電源電壓是否足夠大。
本發明的功效在於：藉由適當地設計該第一電壓至電流轉換函數及該第二電壓至電流轉換函數，該電壓不足偵測電路與製程和溫度變異的相關性可以很小。
1:分壓器
11~13:電阻
14:開關
2:電壓至電流轉換器
21、22:電阻
23、24:雙極接面電晶體
3:電流比較器
31~33:電流源
311~332:金屬氧化物半導體場效電晶體
4:未定義區域限制器
41、43:金屬氧化物半導體場效電晶體
42:電阻性元件
421:金屬氧化物半導體場效電晶體
5、6:反相器
8:第一電源導軌
9:第二電源導軌
COMP:比較信號
I1:第一電流
I2:第二電流
OUT1:輸出信號
OUT2:輸出信號
VDD:電源電壓
Vdiv:分壓電壓
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一個電路圖，說明本發明電壓不足偵測電路的第一實施例；圖2是一個示意圖，說明第一實施例的一個第一電壓至電流轉換函數及一個第二電壓至電流轉換函數；圖3是一個時序圖，說明第一實施例的一個電源電壓、一個比較信號及一個輸出信號；圖4是一個電路圖，說明第一實施例的變形；圖5是一個電路圖，說明本發明電壓不足偵測電路的第二實施例；圖6是一個電路圖，說明本發明電壓不足偵測電路的第三實施例；及圖7是一個電路圖，說明本發明電壓不足偵測電路的第四實施例。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1，本發明電壓不足偵測電路的第一實施例包括一個分壓器1、一個電壓至電流轉換器2、一個電流比較器3、一個未定義區域限制器4及兩個反相器5、6。
分壓器1接收一個電源電壓VDD，且對電源電壓VDD進行分壓以產生一個分壓電壓Vdiv。
電壓至電流轉換器2電連接到分壓器1以接收分壓電壓Vdiv，基於一個第一電壓至電流轉換函數將分壓電壓Vdiv轉換成一個第一電流I1，且基於一個第二電壓至電流轉換函數將分壓電壓Vdiv轉換成一個第二電流I2。第二電壓至電流轉換函數不同於第一電壓至電流轉換函數。
電流比較器3電連接到電壓至電流轉換器2以接收第一電流I1及第二電流I2，且比較第一電流I1及第二電流I2以產生一個比較信號COMP。比較信號COMP指示電源電壓VDD是否足夠大。
未定義區域限制器4電連接到電流比較器3。當電源電壓VDD低於電流比較器3能正常提供比較信號COMP的範圍時，未定義區域限制器4使比較信號COMP指示電源電壓VDD不夠大。
反相器5具有一個輸入端及一個輸出端。反相器5的輸入端電連接到電流比較器3以接收比較信號COMP。反相器5的輸出端提供與比較信號COMP互補的一個輸出信號OUT1。
反相器6具有一個輸入端及一個輸出端。反相器6的輸入端電連接到反相器5的輸出端以接收輸出信號OUT1。反相器6的輸出端提供與輸出信號OUT1互補的一個輸出信號OUT2。
在本實施例中，分壓電壓對電源電壓的比值(即 Vdiv/VDD)隨著比較信號COMP而改變，且分壓器1包括三個電阻11~13及一個開關14。電阻11~13各自具有一個第一端及一個第二端，且其等的電阻值分別為R3、R4及R5。電阻11的第一端電連接到一個第一電源導軌8以接收電源電壓VDD。電阻12的第一端電連接到電阻11的第二端。電阻13的第一端電連接到電阻12的第二端。電阻13的第二端電連接到一個第二電源導軌9以接收一個地電壓。開關14(例如一個N型金屬氧化物半導體場效電晶體(nMOSFET))與電阻13並聯，且具有一個控制端(例如一個閘極端)。開關14的控制端電連接到反相器5的輸出端以接收輸出信號OUT1。分壓電壓Vdiv在電阻11、12的共同節點處提供。當比較信號COMP在一個邏輯0狀態時，開關14導通，且比值Vdiv/VDD等於R4/(R3+R4)。當比較信號COMP在一個邏輯1狀態時，開關14不導通，且比值Vdiv/VDD等於(R4+R5)/(R3+R4+R5)。
在本實施例中，電壓至電流轉換器2包括兩個電阻21、22及兩個PNP雙極接面電晶體(BJT)23、24。電阻21、22各自具有一個第一端及一個第二端，且其等的電阻值分別為R1及R2。電阻21的第一端電連接到第一電源導軌8以接收電源電壓VDD。電阻22的第一端電連接到電阻21的第二端。PNP雙極接面電晶體23、24各自具有一個射極端、一個集極端及一個基極端。PNP雙極接面電晶體23的射極端電連接到電阻22的第二端。PNP雙極接 面電晶體23的集極端提供第一電流I1。PNP雙極接面電晶體23的基極端電連接到電阻11、12的共同節點以接收分壓電壓Vdiv。PNP雙極接面電晶體24的射極端電連接到電阻21的第二端。PNP雙極接面電晶體24的集極端提供第二電流I2。PNP雙極接面電晶體24的基極端電連接到電阻11、12的共同節點以接收分壓電壓Vdiv。PNP雙極接面電晶體24的飽和電流為Is，且PNP雙極接面電晶體23的飽和電流為k．Is，其中，k>1。換句話說，PNP雙極接面電晶體24的飽和電流小於PNP雙極接面電晶體23的飽和電流。
在本實施例中，電流比較器3包括三個電流鏡31~33。電流鏡31~33各自具有一個輸入端及一個輸出端。電流鏡31的輸入端電連接到PNP雙極接面電晶體23的集極端以接收第一電流I1。電流鏡32的輸入端電連接到PNP雙極接面電晶體24的集極端以接收第二電流I2。電流鏡33的輸入端電連接到電流鏡31的輸出端。電流鏡33的輸出端電連接到電流鏡32的輸出端。比較信號COMP在電流鏡32、33的共同節點處提供。電流鏡31、32各自包括兩個N型金屬氧化物半導體場效電晶體311/321、312/322。電流鏡33包括兩個P型金屬氧化物半導體場效電晶體(pMOSFET)331、332。電流鏡31~33的金屬氧化物半導體場效電晶體311~332的尺寸被設計成使得：(1)當n1．I1>n2．I2時，比較信號COMP在邏輯1狀態(即其電壓等於電源電壓VDD)；及(2)當n1．I1<n2．I2時，比較信號 COMP在邏輯0狀態(即其電壓等於地電壓)，其中，n1及n2是常數，且彼此可以相同或不同。
在本實施例中，未定義區域限制器4包括兩個N型金屬氧化物半導體場效電晶體41、43及一個電阻性元件42。N型金屬氧化物半導體場效電晶體41具有一個汲極端、一個源極端及一個閘極端。N型金屬氧化物半導體場效電晶體41的源極端電連接到第二電源導軌9以接收地電壓。N型金屬氧化物半導體場效電晶體41的閘極端電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體321的閘極端。N型金屬氧化物半導體場效電晶體41產生一個電流，且其產生的電流是第二電流I2的鏡像。電阻性元件42具有一個第一端及一個第二端。電阻性元件42的第一端電連接到第一電源導軌8以接收電源電壓VDD。電阻性元件42的第二端電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體41的汲極端。電阻性元件42包括多個P型金屬氧化物半導體場效電晶體421。電阻性元件42的每一個P型金屬氧化物半導體場效電晶體421是一個低臨界電壓金屬氧化物半導體場效電晶體。電阻性元件42的該等P型金屬氧化物半導體場效電晶體421在電阻性元件42的第一端及第二端之間串聯。電阻性元件42的每一個P型金屬氧化物半導體場效電晶體421具有一個閘極端，且其閘極端電連接到第二電源導軌9以接收地電壓。N型金屬氧化物半導體場效電晶體43是一個低臨界電壓金屬氧化物半導體場效電晶體，且具有 一個汲極端、一個源極端及一個閘極端。N型金屬氧化物半導體場效電晶體43的汲極端電連接到P型金屬氧化物半導體場效電晶體332的閘極端。N型金屬氧化物半導體場效電晶體43的源極端電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體41的源極端。N型金屬氧化物半導體場效電晶體43的閘極端電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體41的汲極端。當N型金屬氧化物半導體場效電晶體43導通時，P型金屬氧化物半導體場效電晶體332也會導通，以使比較信號COMP在邏輯1狀態。
圖2說明第一電壓至電流轉換函數及第二電壓至電流轉換函數。參閱圖1及圖2，當跨越電阻21、22及PNP雙極接面電晶體23的基極射極接面的電壓(或跨越電阻21及PNP雙極接面電晶體24的基極射極接面的電壓)(即VDD-Vdiv)小於一個相應切換閾值Vdif,sw時，n1．I1>n2．I2，且比較信號COMP在邏輯1狀態以指示電源電壓VDD不夠大。當電壓VDD-Vdiv等於切換閾值Vdif,sw時，n1．I1=n2．I2。當電壓VDD-Vdiv大於切換閾值Vdif,sw時n1．I1<n2．I2，且比較信號COMP在邏輯0狀態以指示電源電壓VDD足夠大。因此，在操作中，比較信號COMP在電壓VDD-Vdiv等於切換閾值Vdif,sw時切換。
第一電流I1及第二電流I2可以分別用下列公式來表示：
Figure 109130225-A0305-02-0011-1
Figure 109130225-A0305-02-0011-2
 其中，VBE1表示PNP雙極接面電晶體23的基極射極接面的跨壓，VBE2表示PNP雙極接面電晶體24的基極射極接面的跨壓，及VT表示熱電壓。
此外，第一電流I1可以用下列公式來表示：
Figure 109130225-A0305-02-0011-3
基於公式1~3，切換閾值Vdif,sw可以推導如下。
Figure 109130225-A0305-02-0011-4
電壓VBE2的溫度係數約為-1.5mV/°K。熱電壓VT的溫度係數約為0.087mV/°K。藉由適當地選擇參數k、n1、n2、R1、R2，切換閾值Vdif,sw的溫度係數可以為零。
參閱圖1及圖3，當電源電壓VDD逐漸上升且電流比較器3 正常提供比較信號COMP時，本實施例的電壓不足偵測電路操作如下。一開始，比較信號COMP在邏輯1狀態，開關14不導通，且分壓電壓Vdiv等於
Figure 109130225-A0305-02-0012-5
。之後，當電源電壓VDD等於一個相應切換閾值VDD,sw1(其值為
Figure 109130225-A0305-02-0012-6
)時，比較信號COMP切換到邏輯0狀態。當電源電壓VDD逐漸下降且電流比較器3正常提供比較信號COMP時，本實施例的電壓不足偵測電路操作如下。一開始，比較信號COMP在邏輯0狀態，開關14導通，且分壓電壓Vdiv等於
Figure 109130225-A0305-02-0012-7
。之後，當電源電壓VDD等於一個相應切換閾值VDD,sw2(其值為
Figure 109130225-A0305-02-0012-8
)時，比較信號COMP切換到邏輯1狀態。切換閾值VDD,sw2不同於切換閾值VDD,sw1。因此，本實施例的電壓不足偵測電路具有遲滯現象。
在未定義區域限制器4被省略了的一個例子中，電流比較器3能正常提供比較信號COMP的範圍的下限由P型金屬氧化物半導體場效電晶體331的閘極端和源極端之間的電壓及N型金屬氧化物半導體場效電晶體312的汲極端和源極端之間的電壓決定，且約為0.7V~0.8V。因此，未定義區域(即電壓不足偵測電路無法正常提供輸出信號OUT1、OUT2的電源電壓VDD範圍)的上限約為0.8V。在本實施例中，當電源電壓VDD逐漸上升、電源電壓VDD大 於N型金屬氧化物半導體場效電晶體43的臨界電壓及每一個P型金屬氧化物半導體場效電晶體421的臨異電壓、電源電壓VDD小於切換閾值VDD,sw1時，未定義區域限制器4操作如下。一開始，N型金屬氧化物半導體場效電晶體41不導通，且P型金屬氧化物半導體場效電晶體421和N型金屬氧化物半導體場效電晶體43導通，所以P型金屬氧化物半導體場效電晶體332導通以使比較信號COMP在邏輯1狀態。之後，第二電流I2隨著電源電壓VDD的上升而快速增加，所以N型金屬氧化物半導體場效電晶體41導通，且N型金屬氧化物半導體場效電晶體43不導通。因此，未定義區域的上限等於N型金屬氧化物半導體場效電晶體43的臨界電壓及每一個P型金屬氧化物半導體場效電晶體421的臨界電壓中的最大者(約為0.4V~0.5V)。與前述例子相比，在本實施例中未定義區域被縮小了。
回歸參閱圖1，需注意的是，在其它實施例中，可以對本實施例進行下列修改。
(1)電阻性元件42由P型金屬氧化物半導體場效電晶體之外的主動元件來實現，或由被動元件(例如電阻)來實現。
(2)如圖4所示，反相器5是一個低偏斜(low skew)反相器，且反相器6是一個高偏斜(high skew)反相器，藉此進一步縮小未定義區域。
(3)未定義區域限制器4被省略了，反相器5是一個低偏斜反相器，且反相器6是一個高偏斜反相器。
綜上所述，本實施例的電壓不足偵測電路具有下列優點。
(1)藉由將第一電壓至電流轉換函數及第二電壓至電流轉換函數設計成使得切換閾值Vdif,sw的溫度係數為零，電壓不足偵測電路與製程和溫度變異的相關性可以很小。
(2)藉由未定義區域限制器4在電源電壓VDD低於電流比較器3能正常提供比較信號COMP的範圍時使比較信號COMP指示電源電壓VDD不夠大，可以縮小未定義區域。
參閱圖5，本發明電壓不足偵測電路的第二實施例類似於第一實施例，且與第一實施例不同之處在於：N型金屬氧化物半導體場效電晶體41的閘極端是電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體311的閘極端，而不是電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體321的閘極端。因此，在第二實施例中，N型金屬氧化物半導體場效電晶體41產生的電流是第一電流I1的鏡像。
參閱圖6，本發明電壓不足偵測電路的第三實施例類似於第一實施例，且與第一實施例不同之處在於：(1)未定義區域限制器4(見圖1)被省略了；及(2)電壓不足偵測電路還包括五個電容71~75。
在第三實施例中，電容71~75各自具有一個第一端及一 個第二端。電容71的第一端電連接到第一電源導軌8以接收電源電壓VDD。電容71的第二端電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體312的閘極端。電容72的第一端電連接到N型金屬氧化物半導體場效電晶體322的閘極端。電容72的第二端電連接到第二電源導軌9以接收地電壓。電容73的第一端電連接到P型金屬氧化物半導體場效電晶體332的閘極端。電容73的第二端電連接到第二電源導軌9以接收地電壓。電容74的第一端電連接到第一電源導軌8以接收電源電壓VDD。電容74的第二端電連接到電流鏡32、33的共同節點。電容75的第一端電連接到反相器5的輸出端。電容75的第二端電連接到第二電源導軌9以接收地電壓。當電源電壓VDD低於電流比較器3能正常提供比較信號COMP的範圍時，電容71~75相配合使得比較信號COMP、輸出信號OUT1及輸出信號OUT2分別在邏輯1狀態、邏輯0狀態及邏輯1狀態，藉此縮小未定義區域。需注意的是，在其他實施例中，可以省略電容71~75中的一些。
參閱圖7，本發明電壓不足偵測電路的第四實施例類似於第一實施例，且與第一實施例不同之處在於：(1)第一電源導軌8是傳輸地電壓，而不是傳輸電源電壓VDD；(2)第二電源導軌9是傳輸電源電壓VDD，而不是傳輸地電壓；(3)雙極接面電晶體23、24是NPN雙極接面電晶體，而不是PNP雙極接面電晶體；(4)開關14和金屬氧化物半導體場效電晶體311、312、321、322、41、43是P 型金屬氧化物半導體場效電晶體，而不是N型金屬氧化物半導體場效電晶體；(5)金屬氧化物半導體場效電晶體331、332、421是N型金屬氧化物半導體場效電晶體，而不是P型金屬氧化物半導體場效電晶體。因此，在第四實施例中，當n1．I1>n2．I2時，比較信號COMP在邏輯0狀態以指示電源電壓VDD不夠大，且開關14不導通；而當n1．I1<n2．I2時，比較信號COMP在邏輯1狀態以指示電源電壓VDD足夠大，且開關14導通。
需注意的是，對第一實施例進行以獲得第四實施例的修改也可以對第二實施例及第三實施例中的每一個進行。
還需注意的是，在其它實施例中，可以對第四實施例進行下列修改。
(1)電阻性元件42由N型金屬氧化物半導體場效電晶體之外的主動元件來實現，或由被動元件(例如電阻)來實現。
(2)反相器5是一個高偏斜反相器，且反相器6是一個低偏斜反相器，藉此進一步縮小未定義區域。
(3)未定義區域限制器4被省略了，反相器5是一個高偏斜反相器，且反相器6是一個低偏斜反相器。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍 內。
1:分壓器
2:電壓至電流轉換器
3:電流比較器
COMP:比較信號
I1:第一電流
I2:第二電流
VDD:電源電壓
Vdiv:分壓電壓

Claims (9)

  1. 一種電壓不足偵測電路，包含： 一個分壓器，接收一個電源電壓，且對該電源電壓進行分壓以產生一個分壓電壓； 一個電壓至電流轉換器，電連接到該分壓器以接收該分壓電壓，基於一個第一電壓至電流轉換函數將該分壓電壓轉換成一個第一電流，且基於一個第二電壓至電流轉換函數將該分壓電壓轉換成一個第二電流，該第二電壓至電流轉換函數不同於該第一電壓至電流轉換函數；及 一個電流比較器，電連接到該電壓至電流轉換器以接收該第一電流及該第二電流，且比較該第一電流及該第二電流以產生一個比較信號，該比較信號指示該電源電壓是否足夠大。
  2. 如請求項1所述的電壓不足偵測電路，其中，該電壓至電流轉換器包括： 一個第一電阻，具有一個第一端及一個第二端，該第一電阻的該第一端接收該電源電壓及一個地電壓中的一者； 一第二電阻，具有一個第一端及一個第二端，該第二電阻的該第一端電連接到該第一電阻的該第二端； 一個第一雙極接面電晶體，具有一個射極端、一個集極端及一個基極端，該第一雙極接面電晶體的該射極端電連接到該第二電阻的該第二端，該第一雙極接面電晶體的該集極端電連接到該電流比較器且提供該第一電流，該第一雙極接面電晶體的該基極端電連接到該分壓器以接收該分壓電壓；及 一個第二雙極接面電晶體，具有一個射極端、一個集極端及一個基極端，該第二雙極接面電晶體的該射極端電連接到該第一電阻的該第二端，該第二雙極接面電晶體的該集極端電連接到該電流比較器且提供該第二電流，該第二雙極接面電晶體的該基極端電連接到該分壓器以接收該分壓電壓； 該第二雙極接面電晶體的飽和電流小於該第一雙極接面電晶體的飽和電流。
  3. 如請求項1所述的電壓不足偵測電路，其中，該電流比較器包括： 一個第一電流鏡，具有一個輸入端及一個輸出端，該第一電流鏡的該輸入端電連接到該電壓至電流轉換器以接收該第一電流； 一個第二電流鏡，具有一個輸入端及一個輸出端，該第二電流鏡的該輸入端電連接到該電壓至電流轉換器以接收該第二電流；及 一個第三電流鏡，具有一個輸入端及一個輸出端，該第三電流鏡的該輸入端電連接到該第一電流鏡的該輸出端，該第三電流鏡的該輸出端電連接到該第二電流鏡的該輸出端； 該比較信號在該第二電流鏡及該第三電流鏡的共同節點處提供。
  4. 如請求項1所述的電壓不足偵測電路，其中，該分壓電壓對該電源電壓的比值隨著該比較信號而改變。
  5. 如請求項4所述的電壓不足偵測電路，其中，該分壓器包括： 一個第一電阻，具有一個第一端及一個第二端，該第一電阻的該第一端接收該電源電壓及一個地電壓中的一者，該第一電阻的該第二端電連接到該電壓至電流轉換器； 一個第二電阻，具有一個第一端及一個第二端，該第二電阻的該第一端電連接到該第一電阻的該第二端； 一個第三電阻，具有一個第一端及一個第二端，該第三電阻的該第一端電連接到該第二電阻的該第二端，該第三電阻的該第二端接收該電源電壓及該地電壓中的另一者；及 一個開關，與該第三電阻並聯，且具有一個控制端，該開關在該比較信號指示該電源電壓足夠大時導通，且在該比較信號指示該電源電壓不夠大時不導通； 該分壓電壓在該第一電阻及該第二電阻的共同節點處提供。
  6. 如請求項1所述的電壓不足偵測電路，還包含一個未定義區域限制器，該未定義區域限制器包括： 一個第一金屬氧化物半導體場效電晶體，具有一個汲極端、一個源極端及一個閘極端，該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該源極端接收該電源電壓及一個地電壓中的一者，該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端電連接到該電流比較器，該第一金屬氧化物半導體場效電晶體產生一個電流，且其產生的電流是該第一電流及該第二電流中的一者的鏡像； 一個電阻性元件，具有一個第一端及一個第二端，該電阻性元件的該第一端接收該電源電壓及該地電壓中的另一者，該電阻性元件的該第二端電連接到該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該汲極端；及 一個第二金屬氧化物半導體場效電晶體，是一個低臨界電壓金屬氧化物半導體場效電晶體，且具有一個汲極端、一個源極端及一個閘極端，該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的該汲極端電連接到該電流比較器，該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的該源極端電連接到該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該源極端，該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端電連接到該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該汲極端； 當該第二金屬氧化物半導體場效電晶體導通時，該電流比較器使該比較信號指示該電源電壓不夠大。
  7. 如請求項6所述的電壓不足偵測電路，其中，該電阻性元件包括多個金屬氧化物半導體場效電晶體； 該電阻性元件的每一個金屬氧化物半導體場效電晶體是一個低臨界電壓金屬氧化物半導體場效電晶體； 該電阻性元件的該等金屬氧化物半導體場效電晶體在該電阻性元件的該第一端及該第二端之間串聯； 該電阻性元件的每一個金屬氧化物半導體場效電晶體具有一個閘極端，且其閘極端接收該地電壓。
  8. 如請求項1所述的電壓不足偵測電路，還包含一個電容，該電容具有一個第一端及一個第二端； 該電容的該第一端接收該電源電壓及一個地電壓中對應該電源電壓不夠大的一者； 該電容的該第二端電連接到該電流比較器的一個節點，該比較信號在該節點處提供。
  9. 如請求項1所述的電壓不足偵測電路，還包含： 一個第一反相器，是一個低偏斜反相器及一個高偏斜反相器中的一者，且具有一個輸入端及一個輸出端，該第一反相器的該輸入端電連接到該電流比較器以接收該比較信號；及 一個第二反相器，是該低偏斜反相器及該高偏斜反相器中的另一者，且具有一個輸入端及一個輸出端，該第二反相器的該輸入端電連接到該第一反相器的該輸出端。
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