TWI732722B - 觸控面板用片材 - Google Patents

Abstract

［課題］ 本發明實現一種由相對介電常數高的樹脂組成物所構成之觸控面板用片材。 ［解決手段］ 本發明之觸控面板用片材具有樹脂層，該樹脂層係由含有聚偏二氟乙烯樹脂與烷基四級銨硫酸鹽之聚偏二氟乙烯樹脂組成物所構成。

Description

觸控面板用片材

本發明係關於一種觸控面板(touch panel)用片材。詳細而言，本發明係關於一種具有由聚偏二氟乙烯樹脂組成物所構成之層的觸控面板用片材。

智慧型手機(smartphone)及平板(tablet)等之觸控面板一般而言，呈於靜電感測器之上部層壓有保護蓋的形態。保護蓋需要高透明性以清晰可見液晶之顯示。進而，保護蓋就以手指操作時感度變良好之方面而言，需要高的相對介電常數。

作為保護蓋，已知有玻璃製之蓋玻璃及樹脂製之樹脂片材。蓋玻璃有下述問題：容易破裂，有重量而缺乏柔軟性。樹脂片材具有柔軟性且為輕量，但另一方面有下述問題：與玻璃相比而相對介電常數低，於靜電電容方式觸控面板中檢測感度降低。

例如，專利文獻1中揭示有一種由含有聚偏二氟乙烯（均聚物或共聚物）與甲基丙烯酸系樹脂（聚甲基丙烯酸甲酯）的樹脂組成物所形成之樹脂片材。另外，揭示有樹脂組成物中之聚偏二氟乙烯之含量為10質量%~90質量%。

於專利文獻2中揭示有一種包含偏二氟乙烯(VDF)與六氟丙烯(HFP)之共聚物及甲基丙烯酸樹脂的樹脂組成物、由該樹脂組成物形成之膜以及層壓體。另外，揭示有該層壓體可用於觸控感測器面板。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本專利特開2013-244604號公報 ［專利文獻2］國際公開第2016/199829號

［發明欲解決之課題］ 但是，專利文獻1所揭示之樹脂片材之相對介電常數為2.8~5.0，作為觸控面板用片材而相對介電常數低。另外，由專利文獻2所揭示之樹脂組成物形成的膜之相對介電常數亦低至4.0~4.5。相對介電常數為5.0以下之觸控面板用片材有用戶操作觸控面板時之檢測感度降低的問題。因此，期望開發出由相對介電常數高的樹脂組成物所構成之觸控面板用片材。

本發明係鑒於上述課題而成，其目的在於實現一種由相對介電常數高的樹脂組成物所構成之觸控面板用片材。 ［解決問題之技術手段］

為了解決上述課題，本發明之一態樣之觸控面板用片材具有：樹脂層，由含有聚偏二氟乙烯樹脂與烷基四級銨硫酸鹽之聚偏二氟乙烯樹脂組成物所構成。 ［發明效果］

根據本發明之一態樣，可提供一種由相對介電常數高的樹脂組成物所構成之觸控面板用片材。

本實施方式之觸控面板用片材具有樹脂層。 ［樹脂層］

上述樹脂層係由含有聚偏二氟乙烯樹脂與烷基四級銨硫酸鹽之聚偏二氟乙烯樹脂組成物所構成。藉由含有烷基四級銨硫酸鹽，而樹脂層具有高的相對介電常數。 （聚偏二氟乙烯樹脂）

本實施方式之聚偏二氟乙烯樹脂為以偏二氟乙烯作為主構成成分之聚合物。所謂「以偏二氟乙烯作為主構成成分」，係指聚偏二氟乙烯樹脂含有50mol%以上之源自偏二氟乙烯之結構單元。聚偏二氟乙烯樹脂亦可為實質上含有100mol%之源自偏二氟乙烯之結構單元的偏二氟乙烯之均聚物(homopolymer)，亦可為進而含有源自其他單體之結構單元的偏二氟乙烯之共聚物(copolymer)。就透明性之方面而言，聚偏二氟乙烯樹脂較佳為偏二氟乙烯之均聚物。另外，就柔軟性等方面而言，聚偏二氟乙烯樹脂較佳為偏二氟乙烯之共聚物。

其他單體可為一種亦可為更多種。另外，其他單體可含有氟，亦可不含氟。其他單體之例子中包含：四氟乙烯、三氟乙烯、氯三氟乙烯、六氟丙烯、氟乙烯、2,3,3,3-四氟丙烯、五氟丙烯、全氟甲基乙烯醚、全氟丙基乙烯醚、以及(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸丁酯等(甲基)丙烯酸酯類。 （異質鍵）

本實施方式之聚偏二氟乙烯樹脂所含的異質鍵之比率較佳為4%以上。此處所謂異質鍵，係指頭尾鍵結之高分子中的頭頭鍵結及尾尾鍵結。例如，偏二氟乙烯之聚合物中，通常「CF ₂」與「CH ₂」交替鍵結，但其中存在「CF ₂」彼此或「CH ₂」彼此鍵結之部分。該「CF ₂」彼此或「CH ₂」彼此鍵結之部分為異質鍵。

聚偏二氟乙烯樹脂中之異質鍵之比率相對於總鍵數而更佳為4.3%以上，進而較佳為4.5%以上。上限並無特別限定，但相對於總鍵數而較佳為小於6%，更佳為小於5.5%，進而較佳為小於5%。聚偏二氟乙烯樹脂中之異質鍵之比率可於聚偏二氟乙烯樹脂之製造中藉由聚合溫度而調整。另外，亦可使用異質鍵之比率處於上述範圍的市售之聚偏二氟乙烯樹脂。

異質鍵之比率可根據聚偏二氟乙烯樹脂之 ¹⁹F-NMR（Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振）測定而求出。更詳細而言，將聚偏二氟乙烯樹脂40 mg溶解於氘代二甲基甲醯胺(D7-DMF)0.8 mL，於室溫下測定 ¹⁹F-NMR。所得之 ¹⁹F-NMR之光譜於-91.6 ppm、-92.1 ppm、-94.7 ppm、-113.5 ppm及-115.9 ppm的位置具有主要的5個波峰。該等波峰中，將-113.5 ppm及-115.9 ppm之波峰鑑定為源自異質鍵之波峰。因此，若將5個各波峰之合計面積設為S0，將-113.5 ppm之波峰之面積設為S1，將-115.9 ppm之波峰之面積設為S2，則異質鍵之比率係藉由下述之式(1)而算出。 異質鍵之比率（%）＝[{(S1+S2)/2}/S0]×100  (1)

若異質鍵之比率為上述範圍內，則於使用含有烷基四級銨硫酸鹽的本實施方式之樹脂組成物之情形時，可於所成形之樹脂層中抑制黃變。再者，本說明書中所謂「抑制黃變」，意指YI值（黃度指數）為40以下。再者，關於YI值將於後述。

若推測黃變之機制，則烷基四級銨硫酸鹽受加熱後分解，產生胺。所產生之胺攻擊聚偏二氟乙烯樹脂之變性末端，由此進行脫HF反應。若一旦引起脫HF反應而於主鏈中出現C=C鍵，則與C=C鍵鄰接的CH ₂-CF ₂中更容易引起脫HF反應，脫HF反應逐漸於主鏈骨架中連鎖傳播。其結果，可認為生成長鏈之多烯結構而引起黃變。可認為，藉由異質鍵存在於聚偏二氟乙烯樹脂，而作為連鎖的脫HF反應之終止劑(stopper)發揮作用，不易生成長鏈之多烯，故而可抑制黃變。然而，本實施方式之樹脂組成物中，只要異質鍵之比率為既定以上，且藉此於所得之樹脂層中抑制黃變即可，發明之範圍不受該機制之限定。 （吸光度比）

根據上述黃變機制之推測，於聚偏二氟乙烯樹脂之末端中，較佳為變性末端少。就此種觀點而言，本實施方式之聚偏二氟乙烯樹脂較佳為紅外線吸收光譜中之下述式(2)所表示之吸光度比(A _R)為0.150以下。 A _R＝A _1700-1800/A ₃₀₂₃(2)

式(2)中，A _1700-1800為於1700 cm-1~1800 cm ^-1之範圍檢測到的源自羰基之伸縮振動的吸光度，A ₃₀₂₃為於3023 cm ^-1附近檢測到的源自CH之伸縮振動的吸光度。因此，A _R之值成為表示聚偏二氟乙烯樹脂中之羰基之存在量的尺度。於構成聚偏二氟乙烯樹脂之單體中不含羰基之情形時，成為表示酯末端及碳酸酯末端之存在量的尺度。再者，於使用丙烯酸等含有羰基之單體作為構成聚偏二氟乙烯樹脂之單體之情形時，吸光度比A _R成為亦反映單體中之羰基之伸縮振動的值。然而，若所得之吸光度比A _R為0.150以下，則僅反映酯末端、碳酸酯末端之羰基之伸縮振動的吸光度比A _R必然成為較0.150更小之值。

吸光度比(A _R)之值如上所述，就抑制黃變之觀點而言，較佳為0.150以下，更佳為0.125以下，進而較佳為0.100以下。

若吸光度比(A _R)之值為上述範圍內，則可進一步減少黃變之程度，並且即便於高於190℃之溫度、例如250℃以上之溫度進行樹脂組成物之成形，亦可於所得之成形體中抑制黃變。

吸光度比可使用紅外分光光度計，由紅外線吸收光譜之吸光度而求出。更詳細而言，首先對聚偏二氟乙烯樹脂於230℃進行熱壓，製作厚度為50 µm以上且100 µm以下之壓製片材。繼而，使用紅外分光光度計（例如FT/IR-4100（日本分光公司製造）），於1500 cm ^-1~4000 cm ^-1之範圍測定該壓製片材之紅外吸收光譜。繼而，將以連結1660 cm ^-1之吸光度與1900 cm ^-1之吸光度的線作為基線時的1700 cm ^-1~1800 cm ^-1之吸光度之最大值作為A _1700-1800。另一方面，將以連結2900 cm ^-1之吸光度與3300 cm ^-1之吸光度的線作為基線時的3023 cm ^-1±10 cm ^-1之吸光度之最大值作為A ₃₀₂₃。 （聚偏二氟乙烯樹脂之其他物性）

本實施方式之聚偏二氟乙烯樹脂之分子量可根據片材之所需物性而適當決定。聚偏二氟乙烯樹脂之分子量能以固有黏度(inherent viscosity)表示。就成形加工性之觀點而言，聚偏二氟乙烯樹脂之固有黏度較佳為0.8dL/g~2.0dL/g，更佳為0.8dL/g~1.3dL/g，進而較佳為0.9dL/g~1.2dL/g。固有黏度為使聚偏二氟乙烯樹脂4g溶解於1L之N,N-二甲基甲醯胺而成的溶液於30℃之對數黏度。

另外，關於本實施方式之聚偏二氟乙烯樹脂之熔點，就對觸控面板用片材之樹脂層賦予充分的機械強度、阻氣性及耐溶劑性之觀點而言，較佳為130℃~190℃，更佳為150℃~180℃，進而較佳為160℃~180℃。熔點可使用示差掃描熱量計進行測定。 （聚偏二氟乙烯樹脂之含量）

相對於本實施方式之聚偏二氟乙烯樹脂組成物100質量%，聚偏二氟乙烯樹脂之比率較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，進而較佳為97質量%以上。另外，較佳為99.5質量%以下，更佳為99質量%以下。若為上述範圍內，則可確保觸控面板用片材之樹脂層之充分的透明性、介電性及強度。 （聚偏二氟乙烯樹脂之製造方法）

作為聚偏二氟乙烯樹脂之製造方法，例如可列舉：乳化聚合、無皂乳化聚合、種子乳化聚合、懸浮聚合、細乳液聚合(miniemulsion polymerization)及溶液聚合等。其中，就可減少雜質之觀點而言，較佳為懸浮聚合。 （烷基四級銨硫酸鹽）

本實施方式之烷基四級銨硫酸鹽為下述式(1)所表示之化合物。

［化學式1］

式(1)中，R ¹~R ⁴表示彼此相同或不同的碳數1~10之烷基。作為烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等短鏈烷基。就確保觸控面板用片材之樹脂層之充分的介電性之觀點而言，R ¹~R ⁴之烷基之合計碳數較佳為6~30，更佳為6~24，尤佳為8~20。

式(1)中，R ⁵為烷基、氟烷基或氫原子。R ⁵之烷基為甲基及乙基等碳數1~10之短鏈烷基。R ⁵之氟烷基為CF ₃、C ₂F ₅等碳數1~10之短鏈氟烷基。其中，R ⁵較佳為氫。

作為該等之具體例，例如可列舉：由(C ₂H ₅) ₄N ⁺、(C ₃H ₇) ₄N ⁺、(C ₄H ₉) ₄N ⁺及(C ₅H ₁₁) ₄N ⁺等烷基四級銨陽離子與CF ₃SO ₄ ^-、CH ₃SO ₄ ^-、HSO ₄ ^-等陰離子所構成之鹽。該等化合物可分別單獨使用，或者組合兩種以上使用。

本實施方式之烷基四級銨硫酸鹽就確保觸控面板用片材之樹脂層之充分的介電性之觀點而言，較佳為烷基四級銨硫酸氫鹽。作為烷基四級銨硫酸氫鹽之例，可列舉：四乙基銨硫酸氫鹽、四丙基銨硫酸氫鹽、四丁基銨硫酸氫鹽、四戊基銨硫酸氫鹽、四己基銨硫酸氫鹽等。烷基四級銨硫酸氫鹽中，就確保觸控面板用片材之樹脂層之充分的介電性、透明性及強度之方面而言，較佳為四乙基銨硫酸氫鹽、四丙基銨硫酸氫鹽或四丁基銨硫酸氫鹽。該等化合物可分別單獨使用，或者組合兩種以上使用。 （烷基四級銨硫酸鹽之含量）

相對於本實施方式之聚偏二氟乙烯樹脂組成物100質量%，烷基四級銨硫酸鹽之比率較佳為0.5質量%以上，更佳為0.8質量%以上，進而較佳為1質量%以上。另外，較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，進而較佳為1.3質量%以下。若為上述範圍內，則可確保觸控面板用片材之樹脂層之充分的透明性、介電性及強度。

聚偏二氟乙烯樹脂組成物例如可藉由將聚偏二氟乙烯樹脂與烷基四級銨硫酸鹽混合而獲得。另外，聚偏二氟乙烯樹脂組成物亦可於不損及本發明之效果之範圍，含有通常用於觸控面板用片材之添加劑。作為添加劑之例，可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、潤滑劑、脫模劑、抗靜電劑、阻燃劑、補強劑、成核劑、上藍劑(blueing agent)等著色劑等。 （樹脂層之物性）

本實施方式之觸控面板用片材之樹脂層（以下，有時簡稱為「本實施方式之樹脂層」）之相對介電常數可為6以上，可為8以上，進而亦可為10以上。藉由樹脂層之相對介電常數為上述範圍，而用戶操作觸控面板時之檢測感度提高。相對介電常數例如可藉由公知之LCR（Inductance-Capacitance-Resistance，電感-電容-電阻）計，以測定電壓1V及測定頻率100kHz進行測定。

本實施方式之樹脂層之霧度可為15%以下，可為10%以下，進而可為5%以下。例如，所謂「樹脂層之霧度為10%以下」，意指樹脂層之厚度為500 µm時的霧度之值最高為10%。即，本實施方式之樹脂層藉由使用上述樹脂組成物來形成，而可實現低霧度（高透明性）。樹脂層之霧度例如可藉由市售之霧度計等公知之方法，基於JIS（Japanese Industrial Standards，日本工業標準）K7136進行測定。樹脂層之霧度例如可為於樹脂層之任意部分測定的霧度之實測值，亦可為根據厚度超過500 µm或小於500 µm之部分的霧度之實測值，作為厚度500 µm之部分之霧度而算出的算出值。

本實施方式之樹脂層之全光線透過率可為85%以上，可為87%以上，進而可為90%以上。樹脂層之全光線透過率例如可藉由市售之霧度計等公知之方法基於JIS K7136進行測定。樹脂層之全光線透過率例如可為於樹脂層之任意部分測定的全光線透過率之實測值，亦可為根據厚度超過500 µm或小於500 µm之部分的全光線透過率之實測值，作為厚度500 µm之部分之全光線透過率而算出的算出值。

本實施方式之觸控面板用片材之樹脂層之厚度可根據具備觸控面板的製品之結構及形態等而適當選擇。例如，可將樹脂層之厚度設定為50 µm以上且2000 µm以下。就用作觸控面板用片材時之耐久性之觀點而言，樹脂層之厚度較佳為300 µm以上。

本實施方式之樹脂層例如可藉由利用公知之成形法將上述聚偏二氟乙烯樹脂組成物成形而獲得。作為成形法之例，可列舉射出成形、壓製成形及擠出成形等。

關於供製造本實施方式之樹脂層的樹脂組成物之形態，只要可應用於成形方法即可。此種形態例如為粉末，亦可為顆粒，亦可為鱗片，亦可為粉末之壓縮成形品，亦可為收容於模具內之成形品。樹脂層之製造中，將樹脂組成物加熱至樹脂組成物充分熔融之溫度而熔融，進行成形。 （射出成形）

射出成形例如為藉由下述方式獲得樹脂層之方法：將樹脂組成物供給於射出成形機，藉由加熱使樹脂組成物熔融，流入至模具，進行射出並冷卻。 （壓製成形）

壓製成形一般而言為藉由下述方式獲得樹脂層之方法：將樹脂組成物收容於模具內，使用壓縮成形機進行高溫壓製（例如230℃且3分鐘、5 MPa之壓力）後，進行冷壓（例如30℃且3分鐘）。

壓製成形中所用之模具只要為可用於加熱加壓，且可將熔融之樹脂組成物保持為需成形之形狀的構件即可。此種模具之例中，包含金屬製之模具以及鋁箔等金屬製之片材。

本實施方式之樹脂層之製造中，就實現成形體之均勻厚度及平滑的表面之觀點而言，較佳為對熔融之樹脂組成物進行加壓。即，於壓製成形中，較佳為一邊藉由將壓製構件加熱而使樹脂組成物熔融，一邊利用壓製構件進行壓製而成形為片材狀。壓製構件只要為前述的可實現加熱加壓之公知構件即可。 （擠出成形）

擠出成形例如為藉由混練機將樹脂組成物混練後，進行擠出成形而獲得樹脂層之方法。混練機並無特別限定，例如為如單軸擠出機、雙軸擠出機、加壓捏合機般之公知之混練機。 （硬塗層）

本實施方式之觸控面板用片材亦可於上述樹脂層之至少單面具備硬塗層。藉由具備硬塗層，而可防止樹脂層之損傷，抗反射以及防止用戶操作觸控面板時之指紋附著。

例如，藉由將以丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂及環氧樹脂等光或熱硬化性樹脂作為主成分的材料塗佈於樹脂層之至少單面，並藉由光或熱使其硬化，而於樹脂層形成硬塗層。

硬塗層之厚度可根據具備觸控面板的製品之結構及形態等而適當選擇。例如，可將硬塗層之厚度設定為1 µm以上且100 µm以下。

本實施方式之觸控面板用片材可用作智慧型手機及平板等之觸控面板用透明片材。本實施方式之觸控面板用片材具有高介電常數，故而適於靜電電容方式之觸控面板。 ［總結］

本實施方式之觸控面板用片材具有：樹脂層，由含有聚偏二氟乙烯樹脂與烷基四級銨硫酸鹽之聚偏二氟乙烯樹脂組成物所構成。

於本實施方式之觸控面板用片材中，前述樹脂層之相對介電常數亦可為6以上。

於本實施方式之觸控面板用片材中，前述聚偏二氟乙烯樹脂中之異質鍵之比率亦可為4%以上。

於本實施方式之觸控面板用片材中，前述烷基四級銨硫酸鹽亦可為烷基四級銨硫酸氫鹽。

於本實施方式之觸控面板用片材中，前述聚偏二氟乙烯樹脂組成物中之前述聚偏二氟乙烯樹脂之含量亦可為90質量%以上且99.5質量%以下。

於本實施方式之觸控面板用片材中，前述聚偏二氟乙烯樹脂組成物中之前述烷基四級銨硫酸鹽之含量亦可為0.5質量%以上且10質量%以下。

於本實施方式之觸控面板用片材中，前述聚偏二氟乙烯樹脂亦可為偏二氟乙烯之均聚物。

於本實施方式之觸控面板用片材中，亦可於前述樹脂層之至少一面進而具有硬塗層。

於本實施方式之觸控面板用片材中，前述觸控面板亦可為靜電電容方式之觸控面板。

以下示出實施例對本發明之實施方式進行更詳細說明。當然，不限定於本發明之以下實施例，細部當然可為各種態樣。進而，本發明並不限定於上述實施方式，可於申請專利範圍所示之範圍內進行各種變更，適當組合不同實施方式中分別揭示之技術性手段後獲得之實施方式亦包含於本發明之技術性範圍內。另外，本說明書中記載之文獻全部以參考之形式援用。 ［實施例］ [實施例1]

於聚偏二氟乙烯樹脂99質量%中添加烷基四級銨硫酸鹽1質量%。繼而，藉由同向雙軸擠出機（東芝機械公司製造之TEM-26）以料缸溫度190℃擠出，獲得顆粒狀之聚偏二氟乙烯樹脂組成物。

作為聚偏二氟乙烯樹脂（以下有時簡稱為「原料1」），使用作為粉末狀均聚物之聚偏二氟乙烯（以下簡稱為聚合物A（Polymer A））。聚合物A係以與國際公開WO2006/061988之實施例4相同的條件製造。

另外，作為烷基四級銨硫酸鹽（以下有時簡稱為「原料2」），使用四丁基銨硫酸氫鹽（廣榮化學工業公司製造，以下有時簡稱為「TBAHS」）。

將所得之聚偏二氟乙烯樹脂組成物夾持於鋁箔，進而夾持於不銹鋼（SUS）板，使用壓縮成形機（神藤金屬工業所公司製造，型式AYSR-5）於200℃以5 MPa之壓力壓製5分鐘。繼而，保持將壓製品夾持於SUS板之狀態，立即藉由30℃之冷壓保持3分鐘而進行冷卻（急遽冷卻）。繼而，製作片材1。關於片材1之厚度，使用厚度計「DG-925」（小野測器公司製造）對每一個樣本各測定5次，求出平均值。將該平均值作為片材1之厚度。片材1之厚度為500 µm。 [實施例2]

除了將原料1變更為作為共聚物之吳羽(Kureha)公司製造之KF#2300以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材2。KF#2300為由VDF（偏二氟乙烯）/HFP（六氟丙烯）所構成之共聚物。 [實施例3]

除了將原料1變更為作為共聚物之吳羽公司製造之KF#1500以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材3。KF#1500為由VDF/CTFE（氯三氟乙烯）所構成之共聚物。 [實施例4]

除了將原料1之量變更為97質量%，將原料2之量變更為3質量%以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材4。 [實施例5]

除了將原料1之量變更為95質量%，將原料2之量變更為5質量%以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材5。 [實施例6]

除了將原料1之量變更為90質量%，將原料2之量變更為10質量%以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材6。 [實施例7]

除了將原料2變更為四乙基銨硫酸氫鹽（東京化成工業公司製造，以下有時簡稱為「TEAHS」）以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材7。 [實施例8]

除了將原料2變更為四丙基銨硫酸氫鹽（西格瑪奧德利奇(Sigma Aldrich)公司製造，以下有時簡稱為「TPAHS」）以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材8。 [實施例9]

除了將原料2變更為四己基銨硫酸氫鹽（東京化成工業公司製造，以下有時簡稱為「THAHS」）以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材9。 [實施例10]

除了將原料1變更為作為偏二氟乙烯之均聚物的吳羽公司製造之KF#1000以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材10。 [實施例11]

除了將原料1之量變更為95質量%，將原料2之量變更為5質量%以外，與實施例10同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材11。 [比較例1]

除了將原料1之量設為100質量%，不添加原料2以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C1。 [比較例2]

除了將原料1之量設為90質量%，使用10質量%之聚甲基丙烯酸甲酯（住友化學股份有限公司製造之「Sumipex MG5」，以下有時簡稱為「PMMA」）作為原料2以外，與實施例1同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物。繼而，製作厚度500 µm之片材C2。 [比較例3]

除了將原料2之量變更為25質量%以外，與比較例2同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C3。 [比較例4]

除了將原料2之量變更為50質量%以外，與比較例2同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C4。 [比較例5]

除了將原料2之量變更為75質量%以外，與比較例2同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C5。 [比較例6]

除了將原料2之量設為100質量%，不添加原料1以外，與比較例2同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C6。 [比較例7]

除了不添加原料2以外，與實施例2同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C7。 [比較例8]

除了不添加原料2以外，與實施例3同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C8。 [比較例9]

除了不添加原料2以外，與實施例10同樣地製作聚偏二氟乙烯樹脂組成物，製作厚度500 µm之片材C9。

將實施例1~實施例11及比較例1~比較例9所使用之原料1及原料2之詳細示於表1。

［表1］

［評估］ （原料1之異質鍵之比率）

將聚偏二氟乙烯樹脂40 mg溶解於氘代二甲基甲醯胺（D7-DMF）0.8 ml，於室溫下測定 ¹⁹F-NMR。將所得之 ¹⁹F-NMR之光譜中之-91.6 ppm、-92.1 ppm、-94.7 ppm、-113.5 ppm及-115.9 ppm的位置的主要5個波峰之合計面積設為S0，將-113.5 ppm之波峰之面積設為S1，將-115.9 ppm之波峰之面積設為S2，藉由下式而算出。 異質鍵之比率（%）＝[{(S1+S2)/2}/S0]×100

測定之結果為，聚合物A、KF#1000及KF#2300之異質鍵之比率分別為4.1%、3.8%及3.6%。 （原料1之吸光度比）

將偏二氟乙烯聚合物於230℃進行熱壓，製作厚度為50 µm以上且100 µm以下之壓製片材。使用紅外分光光度計FT/IR-4100（日本分光公司製造），於1500 cm ^-1~4000 cm ^-1範圍測定所製作之壓製片材之IR光譜，藉由下述式而求出吸光度比A _R。 A _R＝A _1700-1800/A ₃₀₂₃

上述式中，A _1700-1800為於1700 cm ^-1~1800 cm ^-1之範圍檢測到的源自羰基之伸縮振動的吸光度，A ₃₀₂₃為於3023 cm ^-1附近檢測到的源自CH之伸縮振動的吸光度。具體而言，將以連結1660 cm ^-1之吸光度與1900 cm ^-1之吸光度的線作為基線時的1700 cm ^-1~1800 cm ^-1之吸光度之最大值作為A _1700-1800。另一方面，將以連結2900 cm ^-1之吸光度與3300 cm ^-1之吸光度的線作為基線時的3023 cm ^-1±10 cm ^-1之吸光度之最大值作為A ₃₀₂₃。

測定之結果為，聚合物A、KF#1000及KF#2300之吸光度比分別為0.100、0.104及0.132。 （全光線透過率及霧度）

針對片材1~片材11及片材C1~片材C9，分別測定全光線透過率（%）及霧度（%）。片材之全光線透過率及霧度係使用霧度計「NDH4000」（日本電色工業股份有限公司製造）基於JIS K7136進行測定。 （相對介電常數）

針對片材1~片材6及片材C1~片材C6，分別使用惠普（Hewlett-Packard）公司製造之MULTI-FREQUENCY LCR METER 4274A測定相對介電常數。以電極面積11.3 cm ²、測定電壓1V及測定頻率100kHz進行測定。 (YI)

片材1、片材5、片材10、片材11、片材C1及片材C9之YI值係使用測色色差計color meter ZE6000（日本電色工業股份有限公司製造），於片材載置白板並利用反射法進行測定，依據ASTM（American Society for Testing and Materials，美國材料與試驗協會）D1925而算出。另外，對成形體之任意部位4點進行測定，將其平均值作為成形體之YI值。

將片材1~片材11及片材C1~片材C9之評估結果示於表2。表2中之「相對於對應的比較例之比率」係關於片材1、片材4~片材9，為相對於片材C1之相對介電常數之比率。關於片材2及片材3，分別為相對於片材C7及C8之相對介電常數之比率。 ［表2］

［結果］

如表2所示，添加有銨四級硫酸氫鹽之實施例1~實施例11之片材1~片材11係相對介電常數高。另外，可知霧度低，適於觸控面板用片材。

由聚偏二氟乙烯樹脂100質量%所構成之比較例1及比較例7~比較例9之片材C1、片材C7及片材C8係霧度高而透明性差。由PMMA 100質量%所構成之比較例6之片材C6係相對介電常數低。添加有PMMA之比較例2~比較例5之片材C2~片材C5係若增加PMMA之添加量則霧度降低，但另一方面，相對介電常數降低。

另外可知，包含異質鍵之比率為4.1%的聚合物A之片材1及片材5與包含異質鍵之比率為3.8%的KF#1000之片材10及片材11相比，YI值較低，黃變得到抑制。因此得知，藉由使用異質鍵之比率為4%以上的聚偏二氟乙烯樹脂及銨四級硫酸氫鹽作為原料，而可獲得高透明性及高介電常數且黃變得到抑制之觸控面板用片材。 ［產業上之可利用性］

本發明可用於智慧型手機及平板等所用之觸控面板用片材。

無

無

Claims (9)

1. 一種觸控面板用片材，具有：樹脂層，由含有聚偏二氟乙烯樹脂與烷基四級銨硫酸鹽之聚偏二氟乙烯樹脂組成物所構成。
2. 如請求項1所記載之觸控面板用片材，其中上述樹脂層之相對介電常數為6以上。
3. 如請求項1或2所記載之觸控面板用片材，其中前述聚偏二氟乙烯樹脂中之異質鍵之比率為4%以上。
4. 如請求項1或2所記載之觸控面板用片材，其中前述烷基四級銨硫酸鹽為烷基四級銨硫酸氫鹽。
5. 如請求項1或2所記載之觸控面板用片材，其中前述聚偏二氟乙烯樹脂組成物中之前述聚偏二氟乙烯樹脂之含量為90質量%以上且99.5質量%以下。
6. 如請求項1或2所記載之觸控面板用片材，其中前述聚偏二氟乙烯樹脂組成物中之前述烷基四級銨硫酸鹽之含量為0.5質量%以上且10質量%以下。
7. 如請求項1或2所記載之觸控面板用片材，其中前述聚偏二氟乙烯樹脂為偏二氟乙烯之均聚物。
8. 如請求項1或2所記載之觸控面板用片材，其中於前述樹脂層之至少一面進而具有硬塗層。
9. 如請求項1或2所記載之觸控面板用片材，其中前述觸控面板為靜電電容方式之觸控面板。