TWI730391B - 晶圓清潔系統及方法 - Google Patents
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Abstract
在一實施例中,一種晶圓清潔系統包括:晶圓支撐件、噴嘴、擋板以及擋板致動器。前述晶圓支撐件係配置以固定晶圓。前述噴嘴係配置以在前述噴嘴處於配送的啟動狀態時,配送液體或氣體於前述晶圓上。前述擋板係配置以在前述擋板位於前述噴嘴下方的第一位置時,接住來自前述噴嘴的前述液體。前述擋板致動器係配置以:因應前述噴嘴處於非啟動狀態,移動前述擋板至前述第一位置;因應前述噴嘴處於前述啟動狀態,移動前述擋板至遠離前述第一位置的第二位置。
Description
本揭露實施例係有關於一種晶圓清潔系統及方法,特別是有關於一種具有擋板的晶圓清潔系統及方法。
積體電路係形成在晶圓或半導體基板上。積體電路的形成可包括大量的製程步驟,例如:各種層的沉積、蝕刻及烘烤。積體電路可分散成各自獨立的晶粒,其係封裝且附接至電路板。
在產生積體電路的各種製程步驟期間,在晶圓表面上形成有各種表面。此外,可在製程期間沿晶圓表面沉積人工產物(artifact)。如此一來,為了增加晶圓的生產良率,需要清潔晶圓上的這些人工產物。
本揭露實施例提供一種晶圓清潔系統,包括:晶圓支撐件、噴嘴、擋板以及擋板致動器。前述晶圓支撐件係配置以固定晶圓。前述噴嘴係配置以在前述噴嘴處於配送的啟動狀態時,配送液體或氣體於前述晶圓上。前述擋板係配置以在前述擋板位於前述噴嘴下方的第一位置時,接住來自前述噴嘴的前述液體。前述擋板致動器係配置以:因應前述噴嘴處於非啟動狀態,移動前述擋板至前述第一位置;因應前述噴嘴處於前述啟動狀態,移動前述擋板至遠離前述第一位置的第二位置。
本揭露實施例提供一種晶圓清潔方法,包括:透過晶圓支撐件以固定晶圓;因應噴嘴處於非啟動狀態,移動擋板至前述噴嘴下方的第一位置,其中當前述噴嘴處於配送的啟動狀態時,前述噴嘴係配置以配送液體或氣體至前述晶圓上,且當前述擋板位於前述第一位置時,前述擋板係配置以接住來自前述噴嘴的前述液體;因應前述噴嘴處於前述啟動狀態,移動前述擋板至遠離前述第一位置的第二位置;以及圍繞中心軸旋轉抵接前述噴嘴的旋轉環。
本揭露實施例提供一種晶圓清潔方法,包括:對固定於晶圓支撐件中的晶圓執行液體清潔,其中前述液體清潔包括從噴嘴配送液體;在執行前述液體清潔之後,將擋板設定至覆蓋位置,其中前述擋板係配置以位於前述噴嘴下方的前述覆蓋位置或遠離前述覆蓋位置的非覆蓋位置;以及當前述擋板係位於前述覆蓋位置時,從前述晶圓支撐件移除前述晶圓。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本揭露實施例的不同部件。以下敘述構件及配置的特定範例,以簡化本揭露實施例的說明。當然,這些特定的範例僅為示範並非用以限定本揭露實施例。例如,應了解的是,在以下的敘述中提及一元件係「連接至」或「耦接至」另一元件,即表示前述元件可直接連接或耦接至另一元件,或者前述兩者之間可具有一或多個中間元件。
另外,本揭露在各種範例中可能重複使用相同的參考標號及/或符號。這些重複本身非用以指定所討論的不同實施例及/或結構之間的關係。
此外,在此可使用與空間相關用詞。例如「底下」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞,以便於描述圖式中繪示的一個元件或部件與另一個(些)元件或部件之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外,這些空間相關用詞意欲包括使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位),且在此使用的空間相關詞也可依此做同樣的解釋。
如上所述,可透過對晶圓施加液體清潔溶液來從晶圓清除非預期的人工產物。可透過將晶圓浸入液體清潔溶液內及/或對晶圓施加液體清潔溶液來將液體清潔溶液施加至晶圓。在一些實施例中,當將液體清潔溶液施加至晶圓時,亦可旋轉晶圓以將液體清潔溶液沿晶圓分布(例如旋轉清潔)。然而,在以液體清潔溶液清理晶圓的過程中,在預期地施加液體清潔溶液之後,在配送儀器內的液體清潔溶液可能會滴落至下方的晶圓上。此殘餘的液體清潔溶液可能是在液體源從清潔噴嘴斷連之後餘留在導管內或清潔噴嘴本身內的液體清潔溶液。在清潔腔室內運送的晶圓上所沉積的殘餘液體清潔溶液可能會導致所運送的晶圓非預期的受損或暴露(例如由於液體清潔溶液在其欲使用的環境之外暴露)。此外,來自配送儀器的配送液體及/或氣體可能會因配送液體及/或氣體的力而隨時間使晶圓受損。
因此,本揭露提供具有擋板的晶圓清潔系統的各種實施例。具有擋板的晶圓清潔系統可包括擋板,其可設置於清潔噴嘴下方,以攔截剩餘的液滴,防止其落至晶圓或其他下方的物件上。在一些實施例中,擋板可以是液體無法滲透的,但可允許氣體在擋板周圍流動以清潔及/或乾燥晶圓。此外,擋板可配置於至少一覆蓋位置及至少一非覆蓋位置之間。在覆蓋位置處,當清潔噴嘴未開啟以配送液體至晶圓上時,擋板可攔截可能從清潔噴嘴滴下的剩餘液體。一般而言,覆蓋位置是位於清潔噴嘴的正下方,以攔截從清潔噴嘴落下的液滴。在非覆蓋位置處,擋板可遠離清潔噴嘴以不干擾從清潔噴嘴配送的液體或氣體。一般而言,非覆蓋位置不會位於清潔噴嘴的正下方。
清潔噴嘴可配置以朝向晶圓配送清潔液體及/或氣體。在各種實施例中,清潔噴嘴可與形成導管的各種線路、連接清潔噴嘴和至少一液體源及/或氣體源的閥流體連通。可調整閥(例如開啟或關閉)以連接清潔噴嘴和至少一液體源及/或氣體源。因此,可透過閥的操作,在清潔噴嘴連接至少一液體源及/或氣體源時啟動清潔噴嘴,在清潔噴嘴未連接至少一液體源及/或氣體源時使清潔噴嘴停止作動。
在一些實施例中,在清潔晶圓的過程中(例如在旋轉清潔的過程中),可在將液體及/或氣體配送至晶圓上時旋轉晶圓。更具體而言,晶圓支撐件可固定晶圓並圍繞旋轉軸旋轉,因而同時旋轉晶圓。為了更佳地均衡並穩定旋轉晶圓上方的氣壓,旋轉環可側向地環繞噴嘴以與旋轉晶圓相同的轉速來旋轉。旋轉環可具有與固定至晶圓支撐件且由晶圓支撐件旋轉的晶圓大致相同的外周緣和直徑。換言之,旋轉環可具有外周緣和直徑,其與配置以固定至晶圓支撐件且由晶圓支撐件旋轉的前述晶圓大致相同。
擋板可由擋板致動器在覆蓋位置和非覆蓋位置之間移動。舉例而言,擋板致動器可包括馬達,以角運動或水平運動來在覆蓋位置和非覆蓋位置之間移動擋板。在一些實施例中,擋板和擋板致動器可耦接至旋轉環,並與旋轉環一起旋轉。在其他實施例中,擋板和擋板致動器可位於旋轉環之外且不與旋轉環一起旋轉或移動。在一些實施例中,因應清潔噴嘴非啟動或處於非啟動的狀態下(例如在清潔噴嘴非啟動以配送氣體或液體以進行晶圓清潔時),擋板致動器可移動擋板至覆蓋位置。此外,因應清潔噴嘴啟動或處於啟動的狀態下(例如在清潔噴嘴啟動以配送氣體或液體以進行晶圓清潔時),擋板致動器可移動擋板至非覆蓋位置。處理器可協調閥與致動器之間的通訊和控制,其中閥係控制噴嘴位於啟動或非啟動狀態,而擋板致動器係移動擋板於覆蓋位置及非覆蓋位置,以下將進行更進一步的說明。
如上所述,擋板可以是液體無法滲透的,但允許氣體在擋板周圍流動以在覆蓋位置清潔及/或乾燥晶圓。因此,擋板可在清潔噴嘴下方具有一定的垂直間隙,使得可能從清潔噴嘴滴下的殘餘液體可被擋板擷取或攔截,但從清潔噴嘴配送的氣體可到達下方的晶圓。然而,在特定實施例中,當擋板位於覆蓋位置時,擋板可抵接且覆蓋清潔噴嘴以密封清潔噴嘴,藉以防止任何液體或氣體離開清潔噴嘴。
在特定實施例中,擋板可具有擋板支撐件,以在擋板位於覆蓋位置及/或非覆蓋位置時協助支撐擋板。特別的是,擋板可由擋板致動器從擋板的一端在覆蓋位置和非覆蓋位置之間移動。擋板支撐件可配置以在擋板位於覆蓋位置及/或非覆蓋位置時,在擋板的另一端(例如非擋板連接至擋板致動器的一端)支撐擋板。
在各種實施例中,具有擋板的晶圓清潔系統可配置以清除累積在擋板上的液體。可透過從噴嘴以預定的清除力(例如每單位面積的壓力)配送氣體來清除液體,其中前述清除力係等於或大於用以清潔晶圓的氣體的力。此外,具有擋板的晶圓清潔系統可配置以在移除下方的晶圓時(例如從在擋板覆蓋位置正下方的晶圓支撐件移除晶圓)清除累積在擋板上的液體。
第1圖繪示根據一些實施例之具有擋板的晶圓清潔系統102的側視圖。具有擋板的晶圓清潔系統102可包括配送儀器104,其配置以從清潔噴嘴106配送液體(例如液體清潔溶液)及氣體。前述液體及氣體可來自透過導管110與清潔噴嘴106流體連通的液體及氣體源108(例如一或多個氣體及/或液體槽)。導管110可代表具有用於每種相應液體和氣體的清潔噴嘴106的獨立線的主體及/或可具有將數種液體及/或氣體合併在一起以在清潔噴嘴106處配送的合併線。導管110的獨立線可以由閥112所控制,閥112係配置以開啟或關閉導管的獨立線。更具體而言,閥112可配置以打開一獨立線以使清潔噴嘴106與液體和氣體源108流體連通,或者可配置以關閉一獨立線以使清潔噴嘴106不與液體和氣體源之特定槽流體連通。因此,當特定出口106A、106B、106C與相應的液體和氣體源108流體連通時,清潔噴嘴(例如清潔噴嘴的特定出口106A、106B、106C)可視為處於(特定出口106A、106B、106C的)啟動狀態;當特定出口106A、106B、106C因閥112而未與液體和氣體源108流體連通時,清潔噴嘴可視為處於非啟動狀態。在一些實施例中,閥112可代表壓力控制設備,配置以控制由清潔噴嘴106所配送的液體及/或氣體的量與壓力(例如壓力水平)。此外,閥112亦可代表控制哪一條線連接至液體或氣體槽或來源的開關。
導管110可終止於清潔噴嘴106。更具體而言,導管110可包括終止於清潔噴嘴內的不同出口106A、106B、106C的不同線。舉例而言,清潔噴嘴106的第一出口106A可配置以配送氣體,故當清潔噴嘴106的第一出口106A處於啟動狀態時,會與液體和氣體源108的氣體槽流體連通。此外,清潔噴嘴106的第二出口106B可配置以配送另一種氣體,故當清潔噴嘴106的第二出口106B處於啟動狀態時,會與液體和氣體源108的另一氣體槽流體連通。另外,清潔噴嘴106的第三出口106C可配置以配送液體,故當清潔噴嘴106的第三出口106C處於啟動狀態時,會與液體和氣體源108的液體槽流體連通。在一些實施例中,第一出口106A可圍繞第二出口106B和第三出口106C,以下將進一步討論和說明。同樣地,提及與噴嘴106相關的啟動狀態可更具體地指稱特定出口106A、106B、106C是否經由閥112與來自液體和氣體源108之相應的液體或氣體槽流體連通。在一些實施例中,閥112可以表示與不同出口106A、106B、106C連接的不同線相關的並置或不同獨立閥的組合。
晶圓120可存放於晶圓支撐件122上。可透過將晶圓移動至晶圓支撐件上方且將晶圓存放至晶圓支撐件上的機械手臂(未圖示)來存放晶圓。舉例而言,機械手臂可將晶圓移動至晶圓支撐件上方並使晶圓下降,使得晶圓承靠在晶圓支撐件上而非機械手臂上。此可由移動(例如降低)機械手臂使其位於晶圓120下方的間隙124內來達成。接著,機械手臂可從間隙中縮回。一旦晶圓120存放在晶圓支撐件122上,晶圓支撐件122可將晶圓120固定在晶圓支撐件122上。晶圓120可用各種方式中的任一種固定,例如透過夾緊至晶圓120的末端(例如鄰接至晶圓末端126C的晶圓上表面126A及/或晶圓120的下表面126B、以及晶圓的末端126C)。在一些實施例中可透過夾緊至晶圓末端126C和晶圓120的下表面126B來固定晶圓120。在各種實施例(未圖示)中,晶圓支撐件122可透過在晶圓120末端周圍夾緊晶圓120的上表面126A和下表面126B,來將晶圓120固定在晶圓支撐件122上。在一些實施例中,晶圓支撐件122可包括柱上的彈性墊,以透過重力將晶圓120保持在適當位置。
晶圓支撐件122可由基座128所支撐(例如結合或連接),基座128可旋轉並使得晶圓支撐件122一併旋轉。晶圓支撐件122可以是非連續性的,且可能不會完整地環繞晶圓120的末端(例如不會完全環繞晶圓120的末端126C)。此外,由晶圓支撐件122所保持的晶圓120可平行於基座的上表面且與基座的上表面分離。晶圓支撐件122可水平地圍繞其中心軸旋轉晶圓120。另外,晶圓120可放置朝上,其中晶圓具有圖案或特徵(例如電晶體)的一側會朝向清潔噴嘴106以配送液體(例如清潔化學品及洗滌水)及/或氣體於其上。此外,晶圓120的背側可面朝基座128。在各種實施例中,基座128可由基座支撐件129所支撐,其可以是支撐或環繞基座的結構。舉例而言,基座支撐件129可代表基座128的殼體或支撐結構。
在清潔期間,液體(例如清潔化學品和洗滌水)可流入清潔噴嘴106以產生噴霧或液滴流,其在晶圓120旋轉時在晶圓120的上表面126A上形成液體塗層。如上所述,作為配送儀器104的液體和氣體源108的一部分的槽可連接至導管110,導管110供給清潔噴嘴106。槽內的液體可用於產生從清潔噴嘴106噴出之用以清潔晶圓的液體。用以清潔晶圓120的液體可包括例如:硫酸(H2
SO4
)和過氧化氫(H2
O2
)的食人魚溶液、包括氫氧化銨(NH4
OH)和水(H2
O)的氨-過氧化物混合物(ammonia-peroxide mixture;APM)、包括鹽酸(HCL)和過氧化氫(H2
O2
)的鹽酸過氧化物混合物(hydrochloric peroxide mixture;HPM)、氟化氫(HF)、 ST-250清潔溶液、臭氧(O3
)和水(H2
O)、磷酸(H3
PO4
)、四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide;TMAH)、二氧化碳和水(H2
O)、水(H2
O)、異丙醇(isopropyl alcohol;IPA)、檸檬酸(C6
H8
O7
)、硝酸(HNO3
)、醋酸(CH3
COOH)、磷酸(H3
PO4
)-硝酸(HNO3
)-氟化氫(HF)混合物、以及硝酸(HNO3
)-乙酸(CH3
COOH)-磷酸(H3
PO4
)混合物。
另外,在清潔期間,在晶圓120旋轉時,氣體可通過清潔噴嘴106流向晶圓120的上表面。氣體可在晶圓清潔的洗滌步驟期間從清潔噴嘴106配送。用以清潔晶圓120的氣體可包括例如氮氣(N2
)、環境空氣及/或異丙醇(IPA)蒸氣。
在施加液體清潔溶液或清潔化學品之後,可使用水(例如去離子水)沖洗晶圓120。在一些實施例中,晶圓120係在原位暴露於液體清潔溶液以及洗滌水(例如由清潔噴嘴106噴射的所有液體)。
在特定實施例中,配送儀器104可垂直移動(例如下降),使得清潔噴嘴106更靠近晶圓。此外,可增加由晶圓支撐件122所保持的晶圓120與基座128之間的間隙124(例如透過移動晶圓支撐件122或基座128)。
在一些實施例中,晶圓120可配置以在清潔晶圓的過程中(例如在旋轉清潔的過程中)將液體及/或氣體配送至晶圓上時旋轉。更具體而言,晶圓支撐件122可固定晶圓120並圍繞旋轉軸旋轉,進而也旋轉晶圓120。為了更好地均衡旋轉晶圓120上方和清潔噴嘴106下方的氣壓,配送儀器104可包括具有旋轉環132的噴嘴護罩。旋轉環132可側向地圍繞清潔噴嘴106,以與旋轉晶圓120相同的旋轉速度和方向旋轉。旋轉環132可具有與晶圓120大致相同的外圓周和直徑,晶圓120係配置以固定至晶圓支撐件122,並由晶圓支撐件122旋轉。換言之,旋轉環132可具有與配置以固定至晶圓支撐件122並由晶圓支撐件122旋轉的晶圓120所指定的外圓周和直徑大致相同的外圓周和直徑。此外,噴嘴護罩130可減少從清潔噴嘴106噴射並噴濺到晶圓120上的液體量。
擋板140可設置於清潔噴嘴106下方,以攔截剩餘的液滴,防止其落入清潔噴嘴106下方的晶圓120或其他物件上。如上所述,在晶圓120上所沉積的殘餘液體可能會導致晶圓120非預期的受損或暴露(例如由於液體清潔溶液在其欲使用的環境之外暴露)。在一些實施例中,擋板140可以是液體無法滲透的,但允許氣體在擋板140周圍流動以清潔及/或乾燥晶圓120。另外,擋板可降低當氣體由清潔噴嘴106配送時晶圓120所受的力(例如每單位面積的壓力)。
在各種實施例中,擋板140可由抗水或防水材料製成(例如是液體不可滲透的)。舉例而言,擋板可由例如金屬或陶瓷的固體材料製成。此外,擋板140可在清潔噴嘴106之間具有足夠的間隙,使得由於擋板本身或者更普遍的液體和氣體源108的移動所造成之擋板的任何擾動不會導致擋板140因與另一結構的物理接觸而受損。舉例而言,在一些實施例中,擋板可具有介於約1毫米至約10厘米的間隙。在另一些實施例中,擋板可具有足夠的厚度以在操作期間普遍呈剛性(例如在移動期間不彎曲或變形)。舉例而言,擋板的截面厚度可介於約0.1毫米至約10毫米。
擋板140可在覆蓋位置140A和非覆蓋位置140B之間配置。為了便於說明,處於覆蓋位置140A的擋板140用實線表示,而處於非覆蓋位置140B的擋板140則用虛線表示。在覆蓋位置處,當清潔噴嘴未配置以啟動將液體配送至晶圓上時(例如當噴嘴的特定出口不透過導管110和閥112與液體和氣體源108流體連通時),擋板可攔截可能從清潔噴嘴滴下的殘留液體。覆蓋位置140A係位於清潔噴嘴106正下方,以攔截從清潔噴嘴106落下的液滴。在非覆蓋位置140B處,擋板140可遠離清潔噴嘴106以不干擾從清潔噴嘴106配送的液體或氣體。處於非覆蓋位置140B的擋板140並非位於清潔噴嘴106的正下方。
在一些實施例中,當清潔噴嘴106未配置成啟動配送液體且未配置以啟動從清潔噴嘴106配送氣體時,擋板140位於覆蓋位置140A。換言之,在一些實施例中,當清潔噴嘴106係配置以啟動配送液體且未配置以啟動從清潔噴嘴106配送氣體時,擋板140位於非覆蓋位置140B。
在其他實施例中,當清潔噴嘴106未配置以啟動配送液體但配置以啟動從清潔噴嘴106配送氣體時,擋板140位於覆蓋位置140A。此外,當清潔噴嘴106係配置以不啟動配送液體但配置以啟動從清潔噴嘴106配送氣體時,擋板140可位於非覆蓋位置140B。如上所述,啟動配送係指稱經由未關閉的閥於清潔噴嘴106的出口配送液體或氣體。
擋板140可由擋板致動器144在覆蓋位置140A和非覆蓋位置140B之間移動。舉例而言,擋板致動器144可包括馬達,以角運動或水平運動來在覆蓋位置和非覆蓋位置之間移動擋板140。在一些實施例中,擋板140和擋板致動器144可耦接至旋轉環132,並與旋轉環132一起旋轉,如第1圖所示。舉例而言,擋板致動器可位於配送儀器104的本體內,例如埋設於旋轉環132內及/或噴嘴護罩130內。在其他以下將繪示的實施例中,擋板和擋板致動器可位於旋轉環132之外且不與旋轉環132一起旋轉或移動。在一些實施例中,擋板致動器可透過擋板致動器支撐件145連接至擋板140。在其他實施例中,擋板致動器144可位於噴嘴護罩130之外,例如透過擋板致動器支撐件145連接至噴嘴護罩130。
如上所述,擋板140可以是液體無法滲透的,且在覆蓋位置140A可允許氣體圍繞擋板140流動以清潔及/或乾燥晶圓120。因此,擋板140(例如位於覆蓋位置140A的擋板)可與下方的清潔噴嘴106具有一定的垂直間隙141 ,使得可能從清潔噴嘴106滴下的殘餘液體可被擋板140擷取或攔截,而從清潔噴嘴106配送的氣體可到達下方的晶圓120。
第2A圖繪示根據一些實施例之擋板支撐件202A、202B的側視圖。擋板支撐件202A、202B可在擋板位於覆蓋位置140A或非覆蓋位置140B時協助支撐擋板。擋板140可由擋板致動器144從擋板的一端在覆蓋位置140A和非覆蓋位置140B之間移動。擋板支撐件202A、202B可配置以在擋板140位於覆蓋位置140A或非覆蓋位置140B時,在擋板的另一端(例如不是擋板連接至擋板致動器144的一端)支撐擋板140。特別的是,覆蓋位置擋板支撐件202A可在覆蓋位置140A支撐擋板140。此外,非覆蓋位置擋板支撐件202B可在非覆蓋位置140B支撐擋板140。
在各種實施例中,擋板支撐件202A、202B可包括擋板140可在位於覆蓋位置140A或非覆蓋位置140B時所承靠的底支撐表面204。透過承靠於底支撐表面204上,擋板致動器不需要承受所有支撐擋板140的重量及負責支撐擋板140。此外,擋板支撐件202A、202B可包括側支撐表面206及頂支撐表面208以更佳地定向且將擋板140固定於擋板支撐件202A、202B內。
第2B圖繪示根據一些實施例之凹型擋板220的側視圖。凹型擋板220可與第1圖的擋板140相似,不同之處在於凹型擋板220具有一凹面(concavity)作為凹型擋板220之形狀的一部分。此凹面可以從清潔噴嘴106的角度觀察(例如凹面係面朝清潔噴嘴106)。舉例而言,凹型擋板220可包括高峰邊緣224所環繞的低谷222,高峰邊緣224接近凹型擋板220的周緣或端部。此外,凹型擋板220的直徑可等於或大於清潔噴嘴106的直徑。
如此一來,凹型擋板220可設置於清潔噴嘴106下方以攔截殘餘液體,防止其落至清潔噴嘴106下方的晶圓或其他物件上。由於凹型擋板220的凹陷形狀,相較於不具有凹面的情況(即凹型擋板220是平坦的且不具有凹面),液滴會聚集在低谷222處且較不易灑出高峰邊緣224。
第2C圖繪示根據一些實施例之固定式擋板致動器支撐件230的側視圖。固定式擋板致動器支撐件230可指稱未與旋轉環132連接的擋板致動器支撐件,且因此不會與旋轉環132一併旋轉。反之,固定式擋板致動器支撐件230係連接至噴嘴護罩130的一部分,其不會與旋轉環132一起移動。此外,擋板延伸232可連接擋板(例如凹型擋板220)和擋板致動器144。在一些實施例中,擋板延伸232的寬度可小於其所連接的擋板(例如凹型擋板220)之對應的寬度或直徑。
第2D圖繪示根據一些實施例之埋設於噴嘴護罩130內的擋板致動器144的側視圖。如此一來,擋板致動器144並非透過擋板致動器支撐件(例如固定式擋板致動器支撐件230)連接至噴嘴護罩130,而是直接連接至噴嘴護罩130。與上述擋板致動器相似的是,擋板致動器144可配置以在覆蓋位置和非覆蓋位置之間移動擋板。然而,當擋板致動器144埋設於噴嘴護罩130內時,擋板致動器144可移動擋板致動器支撐件(例如固定式擋板致動器支撐件230),以在前述兩位置之間移動擋板。
第2E圖繪示根據一些實施例之抵接式擋板240的側視圖。抵接式擋板240可與上述第1和2A圖所述的擋板140相似,不同之處在於第2E圖的抵接式擋板240會接觸清潔噴嘴106(例如在接觸點244處)。如此一來,抵接式擋板240可抵接且覆蓋清潔噴嘴106,藉以在擋板位於覆蓋位置240A時,密封清潔噴嘴106以防止液體或氣體從清潔噴嘴106配送。如上所述,抵接式擋板240亦可位於遠離覆蓋位置240A的非覆蓋位置240B。在一些實施例中,位於覆蓋位置240A的抵接式擋板240可接觸且旋轉清潔噴嘴106的外環246A,並與清潔噴嘴106的內部246B具有間隙(例如非接觸)。
第2F圖繪示根據一些實施例之從天花板249延伸的配送儀器104的側視圖。具有擋板的晶圓清潔系統102可被包覆在殼體250內。殼體250可包括可開啟的門252,以接通殼體250的內部及外部。此外,殼體可具有天花板249,且配送儀器104與天花板249相接。
第2G圖繪示根據一些實施例之從地板260延伸的配送儀器104的側視圖。有擋板的晶圓清潔系統102可被包覆在殼體250內。殼體250可包括地板260。配送儀器104可與地板260相接(例如從地板260延伸),例如透過底座261來將配送儀器104固定至地板260。在一些實施例中,鄰接地板260之配送儀器104的底座261是可移動的,使得配送儀器104可在殼體250的地板260周圍移動。
第3A圖繪示根據一些實施例之擋板302接住滴下的液體304的示意圖。擋板302可以與擋板致動器、擋板致動器支撐件及/或擋板延伸件相接(為了簡潔起見,在第3A和3B圖中未進一步繪示或說明上述元件)。回到第3A圖,擋板302可設置在配送儀器308的噴嘴護罩306上的噴嘴和晶圓310之間。更具體而言,當液滴304從噴嘴護罩306處的噴嘴落下時,擋板302可以位在噴嘴正下方以接住或攔截液滴。如上所述,擋板302可具有凹形以將液滴304保持在擋板處。此外,來自噴嘴的液體(例如液滴304)可由液體和氣體源(此處未繪示,但以上已說明)供給。更具體而言,液體(例如液滴304)可經由連接噴嘴與液體和氣體源的導管的液體線312從液體和氣體源得來。此外,氣體可透過連接噴嘴與液體和氣體源的導管的氣體線316從液體和氣體源得來。噴嘴與液體和氣體源之間的流體連通狀態可由閥318控制,可關閉閥318以切斷流體連通,並可開啟閥318以允許噴嘴與液體和氣體源之間的流體連通。
第3B圖繪示根據一些實施例之擋板重新引導氣體330的示意圖。噴嘴和晶圓之間的擋板302可配置以阻擋從噴嘴配送的氣體330的垂直路徑,使得氣體不會直接衝擊晶圓310,而會先被擋板302重新引導(例如透過擋板302偏向)。舉例而言,擋板可在大致正交於氣體330的垂直路徑的方向上延伸。因此,配送的氣體330仍然可以到達晶圓310,不過是透過間接的路徑。有利的是,相較於沒有擋板302位於覆蓋位置來阻擋配送的氣體直接流到晶圓上的操作,可減少來自配送氣體330的力對晶圓310造成的損壞。
第4A圖繪示根據一些實施例之清潔噴嘴400的示意圖。將清潔噴嘴400連接至液體和氣體源的導管可包括終止於清潔噴嘴400內的不同出口402、404、406的不同管線。具體而言,清潔噴嘴400的第一出口402可配置以配送氣體(例如氮氣),且當清潔噴嘴400處於啟動狀態時,第一出口402會與液體和氣體源的氣體槽流體連通。如上所述,處於啟動狀態時,可開啟連接第一出口402和液體和氣體槽之間的線的閥。此外,處於非啟動狀態時,可關閉連接至第一出口402和液體和氣體槽之間的線的閥。
此外,清潔噴嘴400的第二出口404可配置以配送另一氣體(例如氮氣),且當清潔噴嘴400處於啟動狀態時,第二出口404會與第一出口402不同的液體和氣體源的氣體槽流體連通。如此一來,由第二出口404所配送的氣體可以是相同類型的氣體,但是從液體和氣體源的不同氣體槽配送。如上所述,處於啟動狀態時,可開啟連接第二出口404和液體和氣體槽之間的線的閥。此外,處於非啟動狀態時,可關閉連接至第二出口404和液體和氣體槽之間的線的閥。
此外,清潔噴嘴400的第三出口406可配置以配送液體(例如去離子水(deionized water;DIW)),且當噴嘴400處於啟動狀態時,第三出口406會與液體和氣體源的液體槽流體連通。如上所述,處於啟動狀態時,可開啟連接第三出口406和液體和氣體槽之間的線的閥。此外,處於非啟動狀態時,可關閉連接至第三出口406和液體和氣體槽之間的線的閥。
在某些實施例中,第一出口402可以圍繞第二出口404和第三出口406。舉例而言,第一出口可由清潔噴嘴400的外環408(例如外壁)和內環410(例如內壁)所包圍。另外,第二出口404和第三出口406可結合在內環410內。在各種實施例中,外環408可與噴嘴護罩的旋轉環一起旋轉,而內環則不隨噴嘴護罩的旋轉環旋轉。
第4B圖繪示根據一些實施例之噴嘴護罩430的示意圖。噴嘴護罩430可圍繞設置在噴嘴護罩的中心的清潔噴嘴400。如上所述,晶圓可被配置以在清潔晶圓的過程中(例如在旋轉清潔過程中)將液體及/或氣體配送至晶圓上時旋轉。為了更好地均衡旋轉晶圓上方和清潔噴嘴400下方的氣壓,配送儀器可包括具有旋轉環434的噴嘴護罩430。如此一來,噴嘴護罩通常可描述用於旋轉環434的殼體。旋轉環434可側向地環繞清潔噴嘴400,以與旋轉晶圓相同的旋轉速度和方向旋轉。旋轉環可以具有與晶圓大致相同的外周長和直徑,且晶圓係配置以固定至晶圓支撐件並由晶圓支撐件旋轉。換言之,旋轉環434的外圓周和直徑可與被配置以固定至晶圓支撐件並由晶圓支撐件旋轉的晶圓所規定的外圓周和直徑大致相同。此外,噴嘴護罩130可縮小從晶圓反彈之飛濺或改變方向的液體的範圍。
第4C圖繪示根據一些實施例之晶圓支撐件460的示意圖。晶圓462可固定於晶圓支撐件460上。配送儀器464可包括噴嘴護罩466,其具有面朝晶圓462的表面。晶圓支撐件460可由基座468所支撐(例如結合或連接),基座468可旋轉並使得晶圓支撐件460一併旋轉。晶圓支撐件460可以是非連續性的,故可能不會完整地環繞晶圓462的末端(例如不會完全環繞晶圓462的末端)。此外,由晶圓支撐件460所保持的晶圓462可平行於基座468的上表面且與基座468的上表面分離。
第5圖繪示根據一些實施例之具有擋板的晶圓清潔系統502的各種功能模組之方塊圖。除了上述具有擋板的晶圓清潔系統的各種特徵之外,亦可存在這些功能模組。具有擋板的晶圓清潔系統502可包括處理器504。在一些實施例中,處理器504可用一或多個處理器來實施。
處理器504係可操作地連接至電腦可讀取的儲存器506(例如記憶體及/或數據儲存)、網絡連接508、使用者介面510和控制器512。在一些實施例中,電腦可讀取的儲存器506可包括能夠將處理器504配置以執行本揭露所述各種製程的處理邏輯。電腦可讀取的儲存器亦可儲存數據,例如用於濕式擋板清潔製程的操作指令、用於乾式擋板清潔過程的操作指令、用於晶圓的標識碼、用於機械手臂的標識碼、用於噴嘴的標識碼、用於出口的標識碼以及可用於執行本揭露所述各種製程的任何其他參數或資訊。
網絡連接508可促使具有擋板的晶圓清潔系統502與具有擋板的晶圓清潔系統502的各種裝置及/或元件的網絡連接,其可以在具有擋板的晶圓清潔系統502內部或外部通訊。在一些實施例中,網絡連接508可促使物理性的連接(例如線路或匯流排)。在其他實施例中,網絡連接508可透過使用發射器、接收器及/或收發器來促使無線連接,例如透過無線局域網路(wireless local area network;WLAN)。舉例而言,網絡連接508可促使處理器504和控制器512的無線或有線連接。此外,在由處理器504調控的情況下,網絡連接508可實現閥和擋板致動器之間或晶圓支撐件和旋轉環之間的通訊。
具有擋板的晶圓清潔系統502亦可包括使用者介面510。使用者介面可包括用於輸入及/或輸出至具有擋板的晶圓清潔系統502的操作者的任何類型的界面,包括但不限於:顯示器、筆記型電腦、平板電腦或行動設備等。
具有擋板的晶圓清潔系統502可包括控制器512。控制器512可配置以控制用以控制具有擋板的晶圓清潔系統502的移動或功能的各種物理設備,例如用於機械手臂、門、旋轉環、閥、擋板致動器、清潔噴嘴及/或晶圓支撐件。舉例而言,控制器512可控制能夠移動旋轉環、閥、擋板致動器及/或晶圓支撐件的馬達。控制器可以由處理器控制,且可執行本揭露所述的各種製程的各個方面。
第6A圖繪示根據一些實施例之濕式擋板清潔製程600的流程圖。可透過如上述所介紹之具有擋板的晶圓清潔系統來執行濕式擋板清潔製程600。應注意的是,濕式擋板清潔製程600僅作為範例,而非意圖限制本揭露。因此,應了解的是,可在第6A圖的濕式擋板清潔製程600之前、期間及之後提供額外的操作,可省略一些操作,一些操作可與其他操作同時進行,且其他一些操作僅在本揭露中概略地說明。
在操作602中,具有擋板的晶圓清潔系統可將擋板設定至非覆蓋位置。如上所述,擋板可配置於至少一覆蓋位置及至少一非覆蓋位置之間。在覆蓋位置處,當清潔噴嘴未配置以啟動配送液體至晶圓上時(例如當控制液體源流通的閥是關閉的),擋板可攔截可能從清潔噴嘴滴下的剩餘液體。一般而言,覆蓋位置是位於清潔噴嘴的正下方,以攔截從清潔噴嘴落下的液滴。在非覆蓋位置處,擋板可遠離清潔噴嘴以不干擾從清潔噴嘴配送的液體或氣體。非覆蓋位置不會位於清潔噴嘴的正下方。此外,當清潔噴嘴係配置以啟動配送液體至晶圓上時(例如當控制液體源流通的閥是開啟的),擋板可位於非覆蓋位置。另外,可利用配置以在位置之間移動擋板的擋板致動器來使擋板在覆蓋位置和非覆蓋位置之間移動。
在操作604中,具有擋板的晶圓清潔系統可執行液體清潔。液體清潔可指稱當清潔噴嘴處於啟動狀態時(例如當控制液體源流通的閥是開啟的),從清潔噴嘴配送液體至晶圓。在液體清潔期間,液體(例如清潔化學品和洗滌水)可流入清潔噴嘴以產生噴霧或液滴流,其在晶圓旋轉時在晶圓的上表面上形成液體塗層。用以清潔晶圓的液體可包括例如:硫酸(H2
SO4
)和過氧化氫(H2
O2
)的食人魚溶液、包括氫氧化銨(NH4
OH)和水(H2
O)的氨-過氧化物混合物(APM)、包括鹽酸(HCL)和過氧化氫(H2
O2
)的鹽酸過氧化物混合物(HPM)、氟化氫(HF)、 ST-250清潔溶液、臭氧(O3
)和水(H2
O)、磷酸(H3
PO4
)、四甲基氫氧化銨(TMAH)、二氧化碳和水(H2
O)、水(H2
O)、異丙醇(IPA)、檸檬酸(C6
H8
O7
)、硝酸(HNO3
)、醋酸(CH3
COOH)、磷酸(H3
PO4
)-硝酸(HNO3
)-氟化氫(HF)混合物、以及硝酸(HNO3
)-乙酸(CH3
COOH)-磷酸(H3
PO4
)混合物。
另外,作為液體清潔的一部分,在施加液體清潔溶液或清潔化學品之後可利用洗滌水(例如去離子水)清洗晶圓。在一些實施例中,晶圓係在原位暴露於液體清潔溶液以及洗滌水。
在操作606中,具有擋板的晶圓清潔系統可將擋板設定至覆蓋位置。如上所述,在覆蓋位置處,當清潔噴嘴未配置以啟動配送液體至晶圓上時(例如當控制液體源流通的閥是關閉的),擋板可攔截可能從清潔噴嘴滴下的剩餘液體。如上所述,覆蓋位置是位於清潔噴嘴的正下方,以攔截從清潔噴嘴落下的液滴。
在操作608中,具有擋板的晶圓清潔系統可執行氣體清潔。氣體清潔可指稱當清潔噴嘴處於啟動狀態時(例如當控制氣體源流通的閥是開啟的),從清潔噴嘴配送氣體至晶圓。在氣體清潔期間,在晶圓旋轉時,所配送的氣體可通過清潔噴嘴流向晶圓的上表面。在一些實施例中,氣體可在晶圓清潔的洗滌步驟期間從清潔噴嘴配送。用以清潔晶圓的氣體可包括例如氮氣(N2
)、環境空氣、經過濾的環境空氣及/或異丙醇(IPA)蒸氣。
在操作610中,具有擋板的晶圓清潔系統可從晶圓支撐件移除晶圓。在一些實施例中,機械手臂可將其抓取手移動至晶圓下方之晶圓和下方的基座之間的間隙內,並將晶圓抬升至基座上方且透過出入口收回至具有擋板的晶圓清潔系統殼體之外。在一些實施例中,在機械手臂移除晶圓之前,將晶圓解鎖(例如解除固定)以免於被晶圓支撐件主動地抓取或固定。
在操作612中,具有擋板的晶圓清潔系統可從擋板清除液體。從擋板清除液體是指利用加壓氣體或空氣推動或移除在擋板上任何累積的液體。可透過從噴嘴以清除力(例如每單位面積的壓力)配送氣體來清除液體,其中前述清除力係等於或大於清潔噴嘴所使用以清潔晶圓的氣體的力。此外,具有擋板的晶圓清潔系統可配置以在移除下方的晶圓時(例如從在擋板覆蓋位置正下方的晶圓支撐件移除晶圓)清除累積在擋板上的液體。如上所述,在一些實施例中,清潔噴嘴的不同出口可配送不同的液體及/或氣體。因此,即使氣體清潔可在液體清潔之後執行,在氣體清潔之後清潔噴嘴中(例如在液體對應的出口及/或線內)的剩餘液體仍可能會從清潔噴嘴滴落。
另外,清除製程可涵蓋維持清潔噴嘴在覆蓋位置,並將氣體配送的出口設定為啟動狀態(例如調整相關的閥),以用清除力配送氣體。用清除力配送氣體的時間可小於清潔晶圓時配送氣體的時間。
第6B圖繪示根據一些實施例之乾式擋板清潔製程650的流程圖。如上所述,可透過具有擋板的晶圓清潔系統來執行乾式擋板清潔製程650。應注意的是,乾式擋板清潔製程650僅作為範例,而非意圖限制本揭露。因此,應了解的是,可在第6B圖的乾式擋板清潔製程650之前、期間及之後提供額外的操作,可省略一些操作,一些操作可與其他操作同時進行,且其他一些操作僅在本揭露中概略地說明。
藉由乾式擋板清潔製程650,可在執行氣體清潔之後(例如完成氣體清潔之後)而非執行氣體清潔之前將擋板設定在覆蓋位置。換言之,在第6A圖中操作606是緊接在操作608之前,但在第6B圖中操作606是緊接在操作608之後。反之,乾式擋板清潔製程650的其他各個操作可與第6A圖的濕式擋板清潔製程600的操作相同。在一些實施例中,在氣體清潔期間所配送的氣壓可夠低,以在操作606期間不使已累積在擋板上的液滴被拋出。為了簡潔起見,以下將不再重複說明各個操作。
在一些實施例中,一種晶圓清潔系統包括:晶圓支撐件、噴嘴、擋板以及擋板致動器。前述晶圓支撐件係配置以固定晶圓。前述噴嘴係配置以在前述噴嘴處於配送的啟動狀態時,配送液體或氣體於前述晶圓上。前述擋板係配置以在前述擋板位於前述噴嘴下方的第一位置時,接住來自前述噴嘴的前述液體。前述擋板致動器係配置以:因應前述噴嘴處於非啟動狀態,移動前述擋板至前述第一位置;因應前述噴嘴處於前述啟動狀態,移動前述擋板至遠離前述第一位置的第二位置。
在一些實施例中,位於前述第一位置的前述擋板接觸且覆蓋前述噴嘴。
在一些實施例中,在前述第一位置時,前述擋板與前述噴嘴分離。
在一些實施例中,在前述第一位置時,前述擋板係位於前述噴嘴的正下方。
在一些實施例中,在前述第二位置時,前述擋板係從前述噴嘴側向地移位。
在一些實施例中,在前述啟動狀態時,前述噴嘴係配置以配送前述液體而非前述氣體。
在一些實施例中,前述擋板具有一凹面。
在一些實施例中,前述噴嘴係配置以配送前述氣體至位於前述第一位置的前述擋板。
在一些實施例中,一種晶圓清潔方法包括:透過晶圓支撐件以固定晶圓;因應噴嘴處於非啟動狀態,移動擋板至前述噴嘴下方的第一位置,其中當前述噴嘴處於配送的啟動狀態時,前述噴嘴係配置以配送液體或氣體至前述晶圓上,且當前述擋板位於前述第一位置時,前述擋板係配置以接住來自前述噴嘴的前述液體;因應前述噴嘴處於前述啟動狀態,移動前述擋板至遠離前述第一位置的第二位置;以及圍繞中心軸旋轉抵接前述噴嘴的旋轉環。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括朝向前述噴嘴垂直地移動前述晶圓支撐件。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括朝向前述晶圓支撐件垂直地移動前述噴嘴。
在一些實施例中,前述噴嘴包括出口,配置以配送前述氣體。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括以前述旋轉環旋轉前述出口的外壁,其中前述出口的內壁並非配置以與前述旋轉環旋轉。
在一些實施例中,前述液體包括下列之其中至少一者:硫酸和過氧化氫的食人魚洗液、包括氫氧化銨和水的氨-過氧化物混合物、包括鹽酸和過氧化氫的過氧化物混合物、氟化氫、ST-250清潔溶液、臭氧和水、磷酸、氫氧化四甲基銨、二氧化碳和水、水、異丙醇、檸檬酸、硝酸、醋酸、磷酸-硝酸-氟化氫的混合物以及硝酸-醋酸-磷酸的混合物。
在一些實施例中,一種晶圓清潔方法包括:對固定於晶圓支撐件中的晶圓執行液體清潔,其中前述液體清潔包括從噴嘴配送液體;在執行前述液體清潔之後,將擋板設定至覆蓋位置,其中前述擋板係配置以位於前述噴嘴下方的前述覆蓋位置或遠離前述覆蓋位置的非覆蓋位置;以及當前述擋板係位於前述覆蓋位置時,從前述晶圓支撐件移除前述晶圓。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括對固定於前述晶圓支撐件中的前述晶圓執行氣體清潔,其中前述氣體清潔包括從前述噴嘴配送氣體。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括因應完成前述氣體清潔,將前述擋板設定至前述覆蓋位置。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括因應完成前述液體清潔和前述氣體清潔,將前述擋板設定至前述覆蓋位置。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括透過以預定壓力水平配送氣體,來從前述擋板清除前述液體,其中前述預定壓力水平大於與前述晶圓上之氣體清潔相關的壓力水平。
在一些實施例中,前述晶圓清潔方法更包括從前述晶圓支撐件移除前述晶圓,以及因應從前述晶圓支撐件移除前述晶圓,從前述擋板清除前述液體。
以上概述了許多實施例的部件,使本揭露所屬技術領域中具有通常知識者可以更加理解本揭露的各實施例。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,可以本揭露實施例為基礎輕易地設計或改變其他製程及結構,以實現與在此介紹的實施例相同的目的及/或達到與在此介紹的實施例相同的優點。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者也應了解,這些相等的結構並未背離本揭露的精神與範圍。在不背離後附申請專利範圍的精神與範圍之前提下,可對本揭露實施例進行各種改變、置換及變動。
在本文件中,如本揭露所使用的用語「模組」指稱用於執行本揭露所述的相關功能的軟體、韌體、硬體和這些元件的任意組合。另外,為了說明的目的,將各種模組描述為離散地模組。然而,對於本揭露所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是,可組合兩個或更多個模組以形成單一個模組,此單一個模組係根據本揭露實施例來執行相關的功能。
本揭露所屬技術領域中具有通常知識者將可更進一步理解的是,結合本揭露各方面所描述的各種示意性邏輯方塊、模組、處理器、裝置、電路、方法和功能中的任一者可透過電子硬體(例如數位實施、類比實施或兩者的組合)、韌體、各種形式之結合指令的程式或設計代碼(為方便起見,這裡可稱為「軟體」或「軟體模組」)或這些技術的任意組合來實施。為了清楚地說明硬體、韌體和軟體的這種可互換性,以上已經在其功能方面總體地描述各種示意性的元件、方塊、模組、電路和步驟。此功能是否實施為硬體、韌體或軟體或這些技術的組合係取決於特定的應用以及強加於整體系統的設計約束。技術人員可針對每個特定應用以各種方式實施所描述的功能,但是這樣的實施決定不會導致脫離本揭露的範圍。
另外,本揭露所屬技術領域中具有通常知識者將可理解,本揭露所描述的各種說明性邏輯方塊、模組、裝置、元件和電路可以在積體電路(integrated circuit;IC)內實施或由其執行。積體電路可包括通用處理器、數位訊號處理器(digital signal processor;DSP)、特定應用積體電路(application specific integrated circuit;ASIC)、現場可程式閘陣列(field programmable gate array;FPGA)或其他可程式邏輯裝置或前述的任意組合。邏輯方塊、模組和電路可更包括天線及/或收發器,以與網路內或設備內的各種元件通訊。通用處理器可以是微處理器,不過替代地,處理器可以是任何傳統的處理器、控制器或狀態機(state machine)。處理器亦可實施為計算裝置的組合,例如數位訊號處理器(DSP)和微處理器的組合、複數個微處理器、一或多個微處理器結合數位訊號處理器的內核或者執行本揭露所述功能的任何其他合適的配置。
除非另外特別說明,否則例如「可」、「可以」、「可能」或「可能會」等條件語言在上下文中被理解為通常用於表達某些實施例所包括,而其他實施例不包括的一些特徵、元件及/或步驟。因此,這種條件語言通常不意在暗示一或多個實施例以任何方式需要特徵、元件及/或步驟,或者一或多個實施例必須包括在有或無使用者輸入或提示的情況下來決定是否在任何特定實施例中包括或將要執行這些特徵、元件及/或步驟的邏輯。
另外,本揭露所屬技術領域中具有通常知識者在閱讀本揭露之後,即能夠配置功能實體以執行本揭露所述的操作。本揭露所使用之關於指定操作或功能的用語「配置」指的是物理地或虛擬地建造、程式化及/或排列成執行指定操作或功能的系統、裝置、元件、電路、結構、機器等。
除非另外明確地說明,例如片語「X、Y或Z中的至少其中之一」的析取語言在上下文中被理解為通常用於表示項目、用語等可以是X、Y或Z或前述之任意組合(例如X、Y及/或Z)。因此,這種析取語言通常不意在且不應暗示一些實施例需要存在X中的至少一個、Y中的至少一個或Z中的至少一個。
應強調的是,可以對上述實施例進行許多變化和修改,其中的元件應被理解為其他可接受的範例。所有這些修改和變化意於包括在本揭露的範圍內且由所附申請專利範圍來保護。
102、502:晶圓清潔系統
104 、308、464:配送儀器
106、400:清潔噴嘴
106A、402:第一出口(出口)
106B、404:第二出口(出口)
106C、406:第三出口(出口)
108:液體和氣體源
110:導管
112、318:閥
120、310、462:晶圓
122、460:晶圓支撐件
124:間隙
126A:上表面
126B:下表面
126C:末端
128、468:基座
129:基座支撐件
130、306、430、466:噴嘴護罩
132、434:旋轉環
140、302:擋板
140A、240A:覆蓋位置
140B、240B:非覆蓋位置
141:垂直間隙
144:擋板致動器
145:擋板致動器支撐件
202A、202B:擋板支撐件
204:底支撐表面
206:側支撐表面
208:頂支撐表面
220:凹型擋板
222:低谷
224:高峰邊緣
230:固定式擋板致動器支撐件
232:擋板延伸
246A、408:外環
246B:內部
249:天花板
250:殼體
252:門
260:地板
261:底座
304:液體
312:液體線
316:氣體線
330:氣體
410:內環
504:處理器
506:電腦可讀取的儲存器
508:網路連接
510:使用者介面
512:控制器
600:濕式擋板清潔製程
650:乾式擋板清潔製程
602、604、606、608、610、612:操作
N2:氮氣
DIW:去離子水
根據以下的詳細說明並配合所附圖式以更加了解本揭露實施例的概念。應注意的是,根據本產業的標準慣例,圖式中的各種部件未必按照比例繪製。事實上,可能任意地放大或縮小各種部件的尺寸,以做清楚的說明。
第1圖繪示根據一些實施例之具有擋板的晶圓清潔系統的側視圖。
第2A圖繪示根據一些實施例之擋板支撐件的側視圖。
第2B圖繪示根據一些實施例之凹型擋板的側視圖。
第2C圖繪示根據一些實施例之固定式擋板基座的側視圖。
第2D圖繪示根據一些實施例之埋設於噴嘴護罩內的擋板致動器的側視圖。
第2E圖繪示根據一些實施例之抵接式擋板的側視圖。
第2F圖繪示根據一些實施例之從天花板延伸的配送儀器的側視圖。
第2G圖繪示根據一些實施例之從地板延伸的配送儀器的側視圖。
第3A圖繪示根據一些實施例之擋板接住滴下的液體的示意圖。
第3B圖繪示根據一些實施例之擋板重新引導氣體的示意圖。
第4A圖繪示根據一些實施例之噴嘴的示意圖。
第4B圖繪示根據一些實施例之噴嘴護罩的示意圖。
第4C圖繪示根據一些實施例之晶圓支撐件的示意圖。
第5圖繪示根據一些實施例之具有擋板的晶圓清潔系統的各種功能模組之方塊圖。
第6A圖繪示根據一些實施例之濕式擋板清潔製程的流程圖。
第6B圖繪示根據一些實施例之乾式擋板清潔製程的流程圖。
102:晶圓清潔系統
104:配送儀器
106:清潔噴嘴
106A:第一出口(出口)
106B:第二出口(出口)
106C:第三出口(出口)
108:液體和氣體源
110:導管
112:閥
120:晶圓
122:晶圓支撐件
124:間隙
126A:上表面
126B:下表面
126C:末端
128:基座
129:基座支撐件
130:噴嘴護罩
132:旋轉環
140:擋板
140A:覆蓋位置
140B:非覆蓋位置
141:垂直間隙
144:擋板致動器
145:擋板致動器支撐件
Claims (9)
- 一種晶圓清潔系統,包括:一晶圓支撐件,配置以固定一晶圓;一噴嘴,配置以在該噴嘴處於配送的一啟動狀態時,配送一液體或一氣體於該晶圓上;一擋板,配置以在該擋板位於該噴嘴下方的一第一位置時,接住來自該噴嘴的該液體;以及一擋板致動器,配置以:因應該噴嘴處於一非啟動狀態,移動該擋板至該第一位置,其中在該第一位置時,該擋板與該噴嘴分離;因應該噴嘴處於該啟動狀態,移動該擋板至遠離該第一位置的一第二位置。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清潔系統,其中位於該第一位置的該擋板接觸且覆蓋該噴嘴。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清潔系統,其中在該第一位置時,該擋板係位於該噴嘴的正下方。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清潔系統,其中在該第二位置時,該擋板係從該噴嘴側向地移位。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清潔系統,其中在該啟動狀態時,該噴嘴係配置以配送該液體而非該氣體。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清潔系統,其中該擋板具有一凹面。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清潔系統,其中該噴嘴係配置以配送該氣體至位於該第一位置的該擋板。
- 一種晶圓清潔方法,包括:透過一晶圓支撐件以固定一晶圓;因應一噴嘴處於一非啟動狀態,移動一擋板至該噴嘴下方的一第一位置,其中當該噴嘴處於配送的一啟動狀態時,該噴嘴係配置以配送一液體或一氣體至該晶圓上,且當該擋板位於該第一位置時,該擋板係配置以接住來自該噴嘴的該液體;因應該噴嘴處於該啟動狀態,移動該擋板至遠離該第一位置的一第二位置;以及圍繞一中心軸旋轉抵接該噴嘴的一旋轉環。
- 一種晶圓清潔方法,包括:對固定於一晶圓支撐件中的一晶圓執行一液體清潔,其中該液體清潔包括從一噴嘴配送一液體;在執行該液體清潔之後,將一擋板設定至一覆蓋位置,其中該擋板係配置以位於該噴嘴下方的該覆蓋位置或遠離該覆蓋位置的一非覆蓋位置;以及當該擋板係位於該覆蓋位置時,從該晶圓支撐件移除該晶圓。
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---|---|---|---|---|
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CN111451938B (zh) * | 2020-04-08 | 2021-11-12 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 研磨载具清洗装置及研磨载具清洗方法 |
TWI762072B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-04-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 晶圓清洗機台 |
CN114348286B (zh) * | 2022-03-18 | 2022-05-27 | 西安杰出科技有限公司 | 一种消防用全景影像实时监控结构及搭载的无人机 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1959966A (zh) * | 2005-09-27 | 2007-05-09 | 艾格瑞系统有限公司 | 包括冶金接合的集成电路装置以增强到散热片的热传导 |
TW201642412A (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 封裝結構及其形成方法 |
TW201734321A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-10-01 | 住友重機械工業股份有限公司 | 致動器 |
TW201741032A (zh) * | 2016-05-18 | 2017-12-01 | 斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5261566A (en) * | 1981-02-16 | 1993-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solution-dropping nozzle device |
JP3415670B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2003-06-09 | 三菱電機株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
US5928425A (en) * | 1996-07-01 | 1999-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical catcher |
JPH1092784A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Toshiba Microelectron Corp | ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法 |
KR19980022571A (ko) * | 1996-09-23 | 1998-07-06 | 김광호 | 반도체 스크러버(Scrubber)장비 |
JPH10340876A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 |
IT1298677B1 (it) * | 1997-10-27 | 2000-01-12 | Gd Spa | Unita' di gommatura a spruzzo. |
JP2000070884A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-07 | Ultla Clean Technology Kaihatsu Kenkyusho:Kk | 基板洗浄装置 |
KR20020093577A (ko) * | 2001-06-08 | 2002-12-16 | 수미도모 프리시젼 프로덕츠 캄파니 리미티드 | 기판 처리 장치 |
JP3892792B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
JP3905462B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2007-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
CN100359393C (zh) * | 2003-12-17 | 2008-01-02 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶分配装置 |
US8277569B2 (en) * | 2004-07-01 | 2012-10-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
US7637029B2 (en) * | 2005-07-08 | 2009-12-29 | Tokyo Electron Limited | Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method |
JP2007088381A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5045218B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
KR101258002B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2013-04-24 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP5538102B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2014-07-02 | 株式会社Sokudo | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
EP2714406B1 (en) * | 2011-05-25 | 2016-12-14 | Eastman Kodak Company | Liquid ejection system including drop velocity modulation |
JP5732376B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2015-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 |
JP6093569B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
CN203631506U (zh) * | 2013-12-09 | 2014-06-04 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 清洗装置 |
CN104064500B (zh) * | 2014-06-24 | 2017-06-13 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 用于薄片盘状物的清洗装置及方法 |
JP2016127080A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10553421B2 (en) * | 2015-05-15 | 2020-02-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
JP6418554B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2018-11-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2019046986A (ja) | 2017-09-04 | 2019-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US11355366B2 (en) * | 2018-08-30 | 2022-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for shuttered wafer cleaning |
-
2019
- 2019-08-26 US US16/551,352 patent/US11355366B2/en active Active
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-
2022
- 2022-05-05 US US17/737,765 patent/US20220262651A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1959966A (zh) * | 2005-09-27 | 2007-05-09 | 艾格瑞系统有限公司 | 包括冶金接合的集成电路装置以增强到散热片的热传导 |
TW201642412A (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 封裝結構及其形成方法 |
TW201734321A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-10-01 | 住友重機械工業股份有限公司 | 致動器 |
TW201741032A (zh) * | 2016-05-18 | 2017-12-01 | 斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200075352A1 (en) | 2020-03-05 |
TW202013574A (zh) | 2020-04-01 |
CN110871187A (zh) | 2020-03-10 |
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