TWI723254B - 立式熱處理裝置 - Google Patents

立式熱處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI723254B
TWI723254B TW107109360A TW107109360A TWI723254B TW I723254 B TWI723254 B TW I723254B TW 107109360 A TW107109360 A TW 107109360A TW 107109360 A TW107109360 A TW 107109360A TW I723254 B TWI723254 B TW I723254B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
particles
heat treatment
reaction vessel
wafer
Prior art date
Application number
TW107109360A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201901807A (zh
Inventor
古澤純和
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201901807A publication Critical patent/TW201901807A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI723254B publication Critical patent/TWI723254B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明之目的係於將呈架狀固持有晶圓之基板固持具搬入至反應容器內、並將基板在真空氣體環境進行熱處理之際，抑制微粒附著至基板。本發明之解決方法係於將複數個晶圓呈架狀固持至基板固持具即晶舟而搬入至反應管（反應容器）內、並在真空氣體環境進行熱處理之際，由在反應容器內設置成沿晶舟的高度方向延伸、且沿著晶舟而形成有複數個氣體噴吐孔之氣體噴嘴噴吐氣體。由氣體噴吐孔所噴吐氣體雖一併噴吐微粒，但在係反應容器的內壁、且係隔著氣體噴嘴而與晶舟相向之區域形成帶狀之突起部，使微粒碰撞突起部而往上下方向或往橫向回彈。藉此，抑制微粒往晶圓側回彈，因此抑制微粒附著至晶圓。

Description

立式熱處理裝置
本發明關於一種將呈架狀固持有複數個基板之基板固持具搬入至立式的反應容器內、並針對基板在真空氣體環境進行熱處理之立式熱處理裝置。
就半導體製造裝置的一例而言，有種針對多數個半導體晶圓(以下稱作「晶圓」)一起進行熱處理之立式熱處理裝置。此熱處理裝置例如在真空氣體環境的反應容器內，由沿晶舟的高度方向延伸、且沿著其長度方向而具備多數的氣體噴吐孔之氣體噴嘴，將氣體供給至將多數片晶圓加以架狀固持之晶舟，而進行預定之熱處理。此熱處理會有微粒突然附著至晶圓之情形，吾人推察其原因係：在氣體噴嘴內產生之微粒與氣體一併噴吐至反應容器內，且微粒在反應容器內移動而落下至晶圓上。
專利文獻1提案有一種技術：在氣體導入噴嘴所形成之複數個噴出口，形成往噴出口的開口緣邊部逐漸變窄或變寬之R倒角部或近似曲面部。此方法藉由抑制氣體的擾動，而抑止於氣相中過度進行分解反應導致之微粒之產生，且一併抑止附著在氣體導入噴嘴之微粒之剝離，而抑制微粒之產生。然而，非抑制反 應容器內由氣體噴嘴噴吐之微粒附著至晶圓，因此無法解決本發明所欲解決之問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利第4861391號公報
本發明係鑒於如此情事情而成，目的係提供一種技術：在將呈架狀固持有複數個基板之基板固持具搬入至立式的反應容器內、並針對基板以真空氣體環境進行熱處理之立式熱處理裝置之中，抑制微粒附著至基板。
因此，本發明之立式熱處理裝置，將呈架狀固持有複數個基板之基板固持具搬入至立式的反應容器內，並將前述基板以真空氣體環境進行熱處理，其特徵為具備：氣體噴嘴，設置成在前述反應容器內沿前述基板固持具的高度方向延伸，且沿著前述基板固持具而形成有複數個氣體噴吐孔；突起部，形成在係前述反應容器的內壁、且係隔著前述基板固持具而與前述氣體噴嘴相向之區域；以及真空排氣部，用以將前述反應容器內進行真空排氣； 且前述突起部係形成為使由前述氣體噴吐孔所噴吐之微粒往上下方向或往橫向回彈。
依據本發明，在立式的反應容器的內壁中之隔著基板固持具而與氣體噴嘴相向之區域形成突起部，且藉由此突起部而使由氣體噴吐孔所噴吐之微粒往上下方向或橫向回彈。因此，抑止碰撞反應容器的內壁之微粒回彈至基板側，並抑制微粒附著至基板。
S:區域
V:排氣閥
W、W1:晶圓
11:熱處理爐
12:加熱機構
2:反應管
21:內管
22:外管
23:歧管
24:排氣道
25:真空泵
26:開口部
3:晶舟
31:舟昇降裝置
32:蓋體
33:筒狀體
4:氣體噴嘴
41:氣體噴吐孔
42:氣體供給路
43:流量調整部
44:氣體供給源
5:突起部
51:傾斜面
52:水平面
6:突起部
61:水平面
62:傾斜面
7:突起部
71:頂部
72、73:傾斜部
8:反應管
81:排氣道
82:真空泵
83:歧管
圖1係將本發明之立式熱處理裝置的一實施形態加以顯示之縱剖側視圖。
圖2係將立式熱處理裝置所設之突起部與氣體噴嘴與晶圓加以顯示之側視圖。
圖3係將立式熱處理裝置所設之反應管與氣體噴嘴與晶圓加以顯示之俯視圖。
圖4係將反應管與氣體噴嘴與晶圓加以顯示之側視圖。
圖5係將立式熱處理裝置的其他例加以顯示之縱剖側視圖。
圖6係將突起部與氣體噴嘴與晶圓加以顯示之側視圖。
圖7係將立式熱處理裝置的額外其他例加以顯示之縱剖側視圖。
圖8係將反應管與氣體噴嘴與晶圓加以顯示之俯視圖。
圖9係將立式熱處理裝置的額外其他例加以顯示之縱剖側視圖。
圖10係將立式熱處理裝置的額外其他例加以顯示之縱剖側視圖。
[實施發明之較佳形態]
參照圖1~圖3說明本發明之立式熱處理裝置的一實施形態。圖1之中，元件11係熱處理爐，且具備由兩端開口之內管21及上端閉塞之外管22所構成之例如透明石英製之雙管構造的反應管2、及設成將此反應管2的周圍加以圍繞之例如由加熱器構成之加熱機構12。內管21及外管22的下部側係由筒狀之歧管23支持。
圖1中元件3係沿著反應管2的長度方向而將複數個晶圓W呈架狀排列而固持之基板固持具即晶舟。將此晶舟3定為藉由舟昇降裝置31而上昇並搬入至熱處理爐11內之構成。將歧管23的下端開口部定為由蓋體32所封堵之構成，且此蓋體32與晶舟3之間設有例如具備未圖示的旋轉軸之筒狀體33。
歧管23經由具備排氣閥V之排氣道24而連接至真空排氣部即真空泵25，且反應管2內構成為從內管21與外管22之間進行真空排氣。此例之中，藉由反應管2與歧管23構成反應容器，且內管21的內壁相當於反應容器的內壁。
歧管23插入有例如前端閉合之細長管狀之石英製的氣體噴嘴4。此氣體噴嘴4在反應管2內設置成沿晶舟3的高度方向垂直延伸，且沿著晶舟3而形成有複數個氣體噴吐孔41。將氣體噴吐孔41形成在與晶舟3所裝載之各晶圓W對應之位置，此例如圖2所示，形成在將氣體噴吐至沿上下方向鄰接之晶圓W彼此之間之位置。
圖2顯示晶舟3的最上層之晶圓W1、及其下方側之複數片晶圓W。氣體噴嘴4的基端側經由歧管23之未圖示的埠而連接至具備流量調整部43之氣體供給路42，此氣體供給路42的另一端側連接至處理氣體例如甲矽烷(SiH4)氣體之氣體供給源44，且前述氣體供給路42包含閥或質流控制器等。
反應管2的內管21之中，在隔著晶舟3而與氣體噴嘴4相向之區域設有突起部5。氣體噴嘴4的內部會有形成在噴嘴內部之反應生成物即膜之脫膜、或構成氣體噴嘴4之石英之龜裂、安裝時之石英粉等作為微粒而存在之情形，此等微粒會由氣體噴吐孔41而與氣體一併突然噴吐。突起部5係用以使由氣體噴吐孔41噴吐之微粒往上方回彈。
由氣體噴吐孔41噴吐之微粒，如同後述朝往與氣體噴吐孔41相向之部位而直線性移動，並碰撞該部位。因此，將突起部5設在內管21中之隔著晶舟3而與氣體噴嘴4相向之區域。此例中之「相向之區域」係指有由氣體噴吐孔41所噴吐之微粒碰撞之虞之區域，並係將微粒的產生狀態加以掌握而決定。具體而言，例如「相向之區域」在圖3之中，係指由晶圓W的中心O觀察而言，自直線L起於周方向離開+θ(θ=45)度、-θ(θ=45度)度之直線L22、直線L32之間的區域S。
突起部5設在相向之區域S中之內管21的內壁，可設在此區域S全體，且亦可設置在區域S的一部分即與氣體噴吐口41相向之部位(相向部位)。此相向部位係指由氣體噴吐孔41噴吐之微粒多量碰撞之區域，且此例係在相向部位設置突起部5。舉例而言，如圖3將內管21平面顯示，例如當將通過氣體噴吐孔41周方向的中心與晶舟3所裝載之晶圓W的中心O之直線定為直線L1時，則由晶圓W的 中心O觀察而言，相向部位係自直線L1起於周方向離開+θ(θ=10度)、-θ(θ=10度)之直線L21、L31之間的部位。
此例具備帶狀之突起部(突條部)5，且將突起部沿上下方向連續形成。突起部5例如圖1及圖3所示，在與晶舟3之最上層的晶圓W對應之高度位置至與最下層的晶圓W對應之高度位置為止的區域之中，沿上下方向設置複數個，且由沿著縱向之剖面觀察複數個突起部5時，則形成為在晶舟3側具備頂部之三角波狀。此例的突起部5之中，構成三角波狀之上側的面係傾斜面51，且下側的面形成為水平面52，例如圖2所示，傾斜面51形成為相對於水平面而言在40~50度的範圍傾斜。又，水平面51係指相對於水平面之斜傾係10度以內之狀態。
將突起部5形成為使由氣體噴吐孔41噴吐之微粒往上方回彈。因此，例如圖2所示，由晶圓W的側方觀察時，依每一氣體噴吐孔41設置傾斜面51，且將各氣體噴吐孔41與傾斜面51排列成相互相向。此例之中，例如將氣體噴吐孔41的高度方向的中心部與傾斜面51的高度方向的中心部之高度位置形成為相互對齊。
內管21之中，微粒所碰撞之區域因氣體的種類或流量、反應容器內的壓力而相異，因此例如後述預先觀察反應容器內之微粒的行為，藉以掌握微粒所碰撞之區域，並將突起部5的形狀或安裝區域設定成囊括此區域。
其次，利用使用SiH4氣體作為處理氣體而將Si膜加以成膜之例說明上述立式熱處理裝置的作用。首先，將預定片數之晶圓W固持至晶舟3，並使舟昇降裝置31上昇，藉以搬入(load)至利用反應管2及歧管23構成之反應容器內。搬入晶舟3並藉由蓋體32封堵歧管23的下端開口部之後，使反應容器內的溫度昇溫至例 如500℃，且一併開啟排氣閥V而藉由真空泵25將反應容器內排氣至預定的真空度例如133Pa。
而且，一邊使晶舟3繞垂直軸旋轉，一邊由氣體供給源44經由氣體噴嘴4而將SiH4氣體以例如1000sccm的流量供給至反應容器內。將氣體由氣體噴嘴4的氣體噴吐孔41對著晶舟3所裝載之晶圓W，而噴吐至高度方向上鄰接之晶圓W彼此之間，並將Si膜形成在晶圓W表面。由沿著晶舟3而形成之複數個氣體噴吐孔41將氣體供給至所對應之晶圓W，因此氣體亦充分遍佈至晶圓W的中心部，遍及於晶圓面內而均勻進行成膜處理。
在此，說明自氣體噴嘴4噴吐成膜氣體並且噴吐微粒。氣體噴嘴4的內部如同已述，有微粒存在之情形，此等微粒有時自氣體噴吐孔41而與成膜氣體一併突然噴吐至反應容器內。本案發明者利用高速相機拍攝自氣體噴吐孔41噴吐至反應容器內之微粒的狀況，確認微粒的行為。
使用氣體噴吐孔41的孔徑係一致之氣體噴嘴4，且將例如1公升的槽所填充之氣體供給至反應容器內之後，反應容器內的壓力在66660Pa左右有以下傾向：微粒容易從氣體噴嘴4的下部側之氣體噴吐孔41排出，且在反應容器的下部側之微粒數變多。另一方面，反應容器內的壓力在133Pa左右之減壓下，則確認在反應容器的上部側之微粒數有變多的傾向。吾人推測，此係因為減壓下氣體分子的量變少，微粒在氣體噴嘴4內被搬運至上部側，並在氣體噴嘴4的前端產生碰撞而損失動能，而由氣體噴嘴4的上部側之氣體噴吐孔41排出。
又，反應容器內係真空氣體環境時，則自氣體噴吐孔41排出之微粒係與氣體之流動有區別地直線性移動。已藉由影片確認：例如圖2利用點線顯示微粒的路徑，一邊重複與晶圓W之碰撞，並一邊朝往與氣體噴吐孔41相向之內管21的內壁(反應容器的內壁)前進。而且，碰撞突起部5的傾斜面51而使去向改變成朝上，往上方回彈，且例如碰撞上方側的突起部5的水平面52，而往下方再次回彈。吾人確認到微粒於每次碰撞時損失能量而失去潛勢，就結果而言，在晶圓W的外方側的突起部5的附近區域下落之狀況。從而，即使自氣體噴吐孔41噴吐微粒，亦抑制微粒附著至晶圓W。
另一方面，如以往之未具備突起部之構成如圖4所示，微粒一邊重複與晶圓W之碰撞、一邊朝往與氣體噴吐孔41相向之內管21的內壁(反應容器的內壁)前進，碰撞內管21內壁，並往晶圓W側回彈而回返。如同上述，微粒碰撞內壁21而回彈，且下落至晶圓W上，因此微粒會附著至晶圓W。
本發明係藉由下者而成：在真空氣體環境的反應容器內，掌握由氣體噴嘴4的氣體噴吐孔41噴吐之微粒的行為；且依據上述實施形態，如同已述，在內管21的內壁，在隔著晶舟3而與氣體噴嘴4相向之區域設置突起部5。因此，即使自氣體噴吐孔41將微粒噴吐至反應容器內，微粒亦碰撞突起部5而往上方回彈。從而，抑止微粒碰撞內管21的內壁而往晶圓W回彈，因此抑制微粒附著至晶圓W。
又，將突起部5以各自往周方向延伸之方式沿上下方向設置複數個，因此即使自沿著氣體噴嘴4的長度方向而形成之複數個氣體噴吐孔41噴吐微粒，亦可將各個微粒往上方回彈。再者，沿著縱向之剖面觀察突起部5，則係形成為三角波狀，因此微粒容易碰撞三角波狀的傾斜面，且容易使微粒往上下方向回彈。
再者，將構成突起部5的三角波狀之上側的面形成為傾斜面51、下側的面形成為水平面52，因此微粒朝上回彈，且回彈之微粒如同已述，碰撞鄰接於上側之突起部5而失去速度，往晶圓W的外方下落。又，在最上層的突起部5回彈之微粒，因為自突起部5至晶舟3的上端為止之距離短，所以即使微粒往上方傾斜回彈，亦不碰撞晶圓W，而係朝晶舟3的上方側前進，因此微粒污染之防止效果大。
其次，說明突起部的其他例。圖5及圖6所示之突起部6與上述突起部5之相異點如下：構成三角波狀之上側的面係水平面61，且下側的面形成為傾斜面62。例如，傾斜面62形成為相對於水平面而言在40~50度的範圍傾斜且，水平面61包含相對於水平面之斜傾係10度以內之狀態。
具備如此突起部6之反應容器之中，微粒一邊重複與晶圓W之碰撞，且一邊朝往與氣體噴吐孔41相向之內管21的內壁(反應容器的內壁)而前進，並碰撞突起部6的傾斜面62，而使去向改變為朝下而往下方回彈，且例如碰撞下方側的突起部6的水平面61。微粒於每次碰撞之際失去能量而失去勁勢，因此就結果而言，在晶圓W的外方側的突起部6附近區域下落。藉此，在使用此突起部6之構成之中，亦抑制微粒附著至晶圓W。又，構成三角波狀之下側的面係傾斜面62，因此自氣體噴吐口41噴吐之氣體碰抵傾斜面62而改變去向，朝往斜下方側，供給至晶圓W。藉此，可增多往晶圓面內之氣體的供給量。
說明突起部的額外其他例。圖7及圖8所示之突起部7係沿著上下方向而設，且以使自氣體噴吐孔41噴吐之微粒往橫向回彈之方式，形成為從頂部71越朝內 管21的內壁側而橫寬越增大。例如將突起部7形成為俯視觀察下三角形，並將頂部71設在前述直線L1上。就三角形而言，係形成為微粒碰撞傾斜部72、73而往橫向回彈之形狀。
具備如此突起部7之反應容器之中，微粒一邊碰撞晶圓W、一邊朝往例如與氣體噴吐孔41相向之內管21的內壁(反應容器的內壁)而前進，且碰撞突起部7的傾斜部72、73，使去向改變為橫向，往橫向回彈(參照圖8)。如上所述，微粒因與突起部7等之碰撞，損失能量而無潛勢，在晶圓W的外方側下落。從而，亦在使用此突起部7之構成之中，抑制微粒附著至晶圓W。
其次，說明反應容器的其他例。圖9所示之立式熱處理裝置的反應管2係內管21與外管22之雙管構造，且在內管21的內部收納有以沿著其長度方向延伸之方式形成之氣體噴嘴4。以與此氣體噴嘴4相向之方式，在內管21的側面沿上下方向而在複數處形成有沿其長度方向延伸之狹縫狀的開口部26。其他構成係與上述立式熱處理裝置同樣，且將相同構成構件標註相同符號，省略說明。此例之中，亦由反應管2與歧管23構成反應容器，且內管21的內壁相當於反應容器的內壁。
在內管21中之與氣體噴嘴4相向之區域形成突起部。突起部的構成係與上述實施形態同樣。圖9顯示形成有使微粒朝上回彈之構成之突起部5，且將此突起部5設成在開口部26以外的區域係與氣體噴吐孔41相向。此例的反應管2在與氣體噴嘴4相向之部位形成有開口部26，因此自氣體噴吐孔41噴吐之微粒朝往開口部26而橫向流動，並通過內管21與外管22之間，排出至反應管2外。又，在未設有開口部26之區域，微粒因碰撞突起部5而往上方回彈，因重複碰撞而導致損失 能量，並在晶圓W的外方下落，如上所述，抑制微粒附著至晶圓W。內管21所設之突起部可係往下回彈之構成之突起部6、亦可係往橫向回彈之構成之突起部7，因應於微粒的產生狀態而進行選擇。
圖10所示之立式熱處理裝置的反應管8係單管構造，且反應管8的上部側係經由具備排氣閥V之排氣道81而連接至真空排氣部即真空泵82。反應管8的下部側係連接至歧管83，且反應管8的內部收納有以沿著其長度方向延伸之方式形成之氣體噴嘴4。其他構成係與上述立式熱處理裝置同樣，且針對相同構成構件標註相同符號，省略說明。此例之中，亦由反應管8與歧管83而構成反應容器，且反應管8的內壁相當於反應容器的內壁。
反應管8中之與氣體噴嘴4相向之區域如圖10所示，形成有突起部。突起部的構成係與上述實施形態同樣。圖10顯示形成有使微粒朝上回彈之構成之突起部5之例。此例的反應管8係由上部側排氣，因此自氣體噴吐孔41噴吐之氣體一邊接觸於晶圓W表面一邊往橫向流動，並更朝往反應管8的上部側，經由排氣道81而排氣。又，自氣體噴吐孔41噴吐之微粒一邊重複與晶圓W之碰撞、且一邊朝往與氣體噴嘴4相向之部位而前進，並碰撞突起部5而失去速度。而且，在晶圓W的外方，係與氣體之流動一併朝往反應管8的上部側，經由排氣道81而排氣。藉此，抑制微粒附著至晶圓W。反應管8所設之突起部可係往下回彈之構成之突起部6、亦可係往橫向回彈之構成之突起部7，因應於微粒之產生狀態而選擇。
以上，亦可將突起部設在自與晶舟3之最上層的晶圓W對應之高度位置至與其最下層的晶圓W對應之高度位置為止之區域的一部分。例如，於掌握微粒之 產生狀況、且如同已述晶舟3的上部側的微粒數多之情形下，在反應容器的內壁，亦可將突起部形成在至少自與晶舟3之最上層的晶圓W對應之高度位置至與從上起算第10層之晶圓W對應之高度位置為止之區域。
再者，突起部不須沿上下方向連續設置，亦可於上下方向相互隔開間隔而設置。例如亦可在隔著晶舟3而與氣體噴吐口41相向之區域之中，於晶舟3所裝載之沿上下方向鄰接之晶圓W彼此之間，以與氣體噴吐口41對應之方式，將突起部於上下方向相互隔開間隔而設置。又，於將三角形狀的凹部連續形成、或空出間隔形成之情形下，凹部以外的部分相當於突起部，此情形亦含於本案申請專利範圍。
又，於設置複數支有噴吐微粒之虞之氣體噴嘴4之情形下，亦可掌握微粒之產生狀況，對應於複數個氣體噴嘴4而設置複數個突起部，亦可在將複數個氣體噴嘴4之相向部位全部包含之區域全體設置突起部。再者，針對立式熱處理裝置而實施之處理不僅上述成膜處理，亦可係退火處理等熱處理。
V‧‧‧排氣閥
W‧‧‧晶圓
11‧‧‧熱處理爐
12‧‧‧加熱機構
2‧‧‧反應管
21‧‧‧內管
22‧‧‧外管
23‧‧‧歧管
24‧‧‧排氣道
25‧‧‧真空泵
3‧‧‧晶舟
31‧‧‧舟昇降裝置
32‧‧‧蓋體
33‧‧‧筒狀體
4‧‧‧氣體噴嘴
41‧‧‧氣體噴吐孔
42‧‧‧氣體供給路
43‧‧‧流量調整部
44‧‧‧氣體供給源
5‧‧‧突起部

Claims (6)

  1. 一種立式熱處理裝置，將呈架狀固持有複數個基板之基板固持具搬入至立式的反應容器內，並將該基板在真空氣體環境進行熱處理，該立式熱處理裝置具備： 氣體噴嘴，設置成在該反應容器內沿該基板固持具的高度方向延伸，且沿著該基板固持具而形成有複數個氣體噴吐孔； 突起部，形成於在該反應容器的內壁、且係隔著該基板固持具而與該氣體噴嘴相向之區域；以及 真空排氣部，用以將該反應容器內進行真空排氣； 且該突起部係形成為使由該氣體噴吐孔所噴吐之微粒往上下方向或往橫向回彈。
  2. 如申請專利範圍第1項之立式熱處理裝置，其中， 該突起部係沿著上下方向設置複數個，且於沿著縱向之剖面觀察該複數個突起部則係形成為三角波狀。
  3. 如申請專利範圍第2項之立式熱處理裝置，其中， 該複數個突起部，構成三角波狀之上側的面及下側的面其中之一面係水平面，且另一面係傾斜面。
  4. 如申請專利範圍第3項之立式熱處理裝置，其中， 該傾斜面相對於水平面傾斜40～50度的範圍。
  5. 如申請專利範圍第1項之立式熱處理裝置，其中， 該突起部係沿著上下方向設置，形成為自頂部越朝該內壁側橫寬越增大，俾令該微粒往橫向回彈。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之立式熱處理裝置，其中， 該突起部至少設置在從與該基板固持具之最上層的基板對應之高度位置到與從上起算第10層的基板對應之高度位置為止之區域。
TW107109360A 2017-03-30 2018-03-20 立式熱處理裝置 TWI723254B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-068466 2017-03-30
JP2017068466A JP2018170468A (ja) 2017-03-30 2017-03-30 縦型熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201901807A TW201901807A (zh) 2019-01-01
TWI723254B true TWI723254B (zh) 2021-04-01

Family

ID=63844615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107109360A TWI723254B (zh) 2017-03-30 2018-03-20 立式熱處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2018170468A (zh)
KR (1) KR102233248B1 (zh)
CN (1) CN108695200B (zh)
TW (1) TWI723254B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112414107B (zh) * 2020-11-04 2023-01-17 北京北方华创微电子装备有限公司 立式热处理设备及其炉体装卸方法和转运装置
CN117652013A (zh) * 2021-08-25 2024-03-05 株式会社国际电气 基板支撑件、基板处理装置以及半导体装置的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200822218A (en) * 2006-07-07 2008-05-16 Tokyo Electron Ltd Vertical heat processing apparatus and method for using the same
US20090105867A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Temperature control method, method of obtaining a temperature correction value, method of manufacturing a semiconductor device and substrate treatment apparatus
TW201600627A (zh) * 2014-03-31 2016-01-01 東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
US20160289833A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Tokyo Electron Limited Vertical Heat Treatment Apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0133677B1 (ko) * 1987-11-20 1998-04-23 후세 노보루 열처리장치
SG71808A1 (en) * 1997-07-04 2000-04-18 Tokyo Electron Ltd Centrifugal coating apparatus with detachable outer cup
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
JP4431847B2 (ja) * 2000-06-27 2010-03-17 ソニー株式会社 プラズマ装置およびその陰電極
TWI229899B (en) * 2003-10-01 2005-03-21 Topco Scient Co Ltd Wafer shielding device
JP5133463B2 (ja) * 2005-03-02 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 排気ポンプ
US7927066B2 (en) * 2005-03-02 2011-04-19 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
JP2007019174A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマエッチング装置
JP5028957B2 (ja) * 2005-12-28 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP5028193B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置における被処理体の搬送方法
JP5262363B2 (ja) * 2008-07-04 2013-08-14 富士通株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP4861391B2 (ja) * 2008-11-25 2012-01-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US8520360B2 (en) * 2011-07-19 2013-08-27 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck
JP5741315B2 (ja) * 2011-08-16 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 膜割れ検出装置及び成膜装置
JP5887962B2 (ja) * 2012-01-31 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2015106619A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 三菱電機株式会社 拡散装置および拡散方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200822218A (en) * 2006-07-07 2008-05-16 Tokyo Electron Ltd Vertical heat processing apparatus and method for using the same
US20090105867A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Temperature control method, method of obtaining a temperature correction value, method of manufacturing a semiconductor device and substrate treatment apparatus
TW201600627A (zh) * 2014-03-31 2016-01-01 東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
US20160289833A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Tokyo Electron Limited Vertical Heat Treatment Apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN108695200B (zh) 2023-06-09
KR20180111565A (ko) 2018-10-11
JP2018170468A (ja) 2018-11-01
KR102233248B1 (ko) 2021-03-26
CN108695200A (zh) 2018-10-23
TW201901807A (zh) 2019-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI723254B (zh) 立式熱處理裝置
TW202133239A (zh) 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
US8555808B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2012533876A (ja) 半導体製造装置
KR101485580B1 (ko) 원자층 증착 장치
WO2012002532A1 (ja) 多室型熱処理装置
KR101177216B1 (ko) 액체 원료 기화기 및 그것을 이용한 성막 장치
JP6505253B2 (ja) 基板洗浄装置
JP2007294545A (ja) エピタキシャル成長装置
JP4600820B2 (ja) エピタキシャル成長装置
US20150086725A1 (en) Thermal spray method integrating selected removal of particulates
JP2008100822A (ja) 搬送装置および被搬送体
JP2003109994A (ja) 基板処理装置
JP2017145484A (ja) 熱処理装置
JP6832786B2 (ja) 掃気ノズル及びこれを用いた基板処理装置、並びにパーティクル除去方法
JP5257424B2 (ja) エピタキシャル成長装置
JP2019152414A (ja) 被処理物投入装置
JP6644070B2 (ja) 粒子の選択的除去を一体化する溶射方法
JP4360545B2 (ja) 連続熱処理炉
JP2009302353A (ja) 半導体製造装置
JP3037287B1 (ja) 半導体製造装置および半導体の製造方法
TWI754371B (zh) 負載鎖定裝置
JP6249618B2 (ja) 基板処理装置
WO2021059808A1 (ja) スナウトシール装置
CN114682548B (zh) 基板处理装置