CN117652013A - 基板支撑件、基板处理装置以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板支撑件，其具有金属制的顶板、金属制的底板以及介于上述顶板与上述底板之间的多个金属制的柱，并且利用上述柱的至少一部分多层地支撑多个基板，其中，上述顶板和上述柱之间以及上述底板和上述柱之间通过嵌套构造定位，并且通过固定件能够装卸地固定。

Description

基板支撑件、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
技术领域
本公开涉及一种基板支撑件、基板处理装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
作为半导体装置(器件)的制造工序的一个工序，有时进行如下成膜处理：将多个基板以由基板支撑件支撑多层的状态收纳于处理室内，在所收纳的多个基板上形成膜(例如，日本特开2018-170502号公报)。
另外，有时利用基板支撑件支撑基板，该基板支撑件具有：支柱，其由金属构成；以及多个支撑部，其设置于上述支柱，并构成为多层地支撑多个基板(例如，日本特开2021-27342号公报)。
发明内容
发明所要解决的课题
在现有的基板支撑件中，由于柱的宽度较大，在基板的柱附近产生局部的膜厚降低，对面内均匀性造成不良影响。本公开的目的在于提供一种技术，能够通过使支撑件的柱宽度变细而改善柱周边的膜厚降低，提高膜厚均匀性。
用于解决课题的方案
根据本公开的一方案，提供一种技术，其为一种基板支撑件，该基板支撑件具有金属制的顶板、金属制的底板、以及介于上述顶板与上述底板之间的多个金属制的柱，并且利用上述柱的至少一部分多层地支撑多个基板，其中，上述顶板与上述柱之间以及上述底板与上述柱之间利用嵌套构造定位，并且利用固定件可装卸地固定。
发明效果
根据本公开的技术，能够提供一种技术，能够通过使支撑件的柱宽度变细而改善柱周边的膜厚降低，提高膜厚均匀性。
附图说明
图1是表示本公开的基板处理装置的立式处理炉的概略的纵剖视图。
图2是图1中的A-A线概略横剖视图。
图3是图1的基板处理装置的气体供给系统的概略图。
图4是收纳在图1的基板处理装置中的基板支撑件的立体图。
图5是作为图4的基板支撑件的一部分的晶圆盒的立体图。
图6中的(A)是表示支柱的内侧的一部分的立体图，(B)是表示辅助支柱的内侧的一部分的立体图。
图7中的(A)是表示支柱的支撑部的形状的图6(A)的VII-VII剖视图，(B)是表示其变形例的剖视图。
图8是图4的基板支撑件的一部分即隔热板保持器的立体图。
图9是以图4的IX-IX截面示出基板支撑件的俯视图。
图10是表示晶圆盒与隔热板保持器的固定部分的概略的纵剖视图(图4的X-X剖视图)。
图11是表示顶板与柱的固定部分的概略的纵剖视图(图4的XI-XI剖视图)。
图12是表示底板与柱的固定部分的概略的纵剖视图(图4的XII-XII剖视图)。
图13是表示底板与柱的固定部分的变形例的概略的纵剖视图。
图14是图1的基板处理装置的控制器的概略结构图，是表示控制器的控制系统的概略框图。
图15是表示图1的基板处理装置的动作的流程图。
具体实施方式
以下，参照图1～图15对本公开的实施方式进行说明。基板处理装置10构成为在半导体装置的制造工序中使用的装置的一例。此外，在各图中共通使用的符号即使在各图的说明中没有特别提及的情况下也指示共通的结构。
(1)基板处理装置的结构
基板处理装置10具备处理炉202，该处理炉202设置有作为加热部(加热机构、加热系统)的加热器207。在处理炉202还设置有收纳支撑有多个基板(晶圆)200的状态的基板支撑件215的处理室201。加热器207为圆筒形，通过支撑于作为保持板的加热器基座(未图示)而垂直地安装。作为加热部的加热器207对收纳于处理室201的多个基板(晶圆)200进行加热。
[外管(外筒、外管)203]
在加热器207的内侧，与加热器207同心圆状地配置有构成反应容器(处理容器)的外管(也称为外筒、外管)203。外管203由例如石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。在外管203的下方，与外管203同心圆状地配置有歧管(入口凸缘)209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。在歧管209的上端部与外管203之间设置有作为密封部件的O型环220a。通过将歧管209支撑于加热器基座，外管203成为垂直地安装的状态。
[内管(内筒、内管)204]
在外管203的内侧配设有构成反应容器的内管(也称为内筒、内管)204。内管204由例如石英、SiC等耐热性材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。主要由外管203、内管204以及歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部(内管204的内侧)形成有处理室201。
处理室201构成为能够将作为基板200的晶圆200在由后述的晶圆盒217以水平姿势沿铅垂方向排列多层的状态下收纳。在处理室201内，以贯通歧管209的侧壁和内管204的方式设置有喷嘴410(第一喷嘴)、420(第二喷嘴)。在喷嘴410、420分别连接有作为气体供给管线的气体供给管310、320。这样，在基板处理装置10设置有两个喷嘴410、420和两个气体供给管310、320，构成为能够向处理室201内供给多种气体。但是，本实施方式的处理炉202不限于上述的方式。
[气体供给部]
如图3所示，在气体供给管310、320上，从上游侧起依次分别设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)312、322。另外，在气体供给管310、320分别设置有作为开关阀的阀门314、324。在气体供给管310、320的阀门314、324的下游侧分别连接有供给非活性气体的气体供给管510、520。在气体供给管510、520上，从上游侧起依次分别设置有作为流量控制器(流量控制部)的MFC512、522以及作为开关阀的阀门514、524。
在气体供给管310、320的前端部分别连结有喷嘴410、420。喷嘴410、420构成为L字型的喷嘴，且其水平部设置成贯通歧管209的侧壁和内管204。喷嘴410、420的垂直部设置于形成为向内管204的径向外侧突出且沿铅垂方向延伸的沟道形状(槽形状)的预备室201a的内部，且在预备室201a内沿着内管204的内壁朝向上方(晶圆200的排列方向上方)设置。另外，喷嘴410、420配置于比预备室201a的开口201b靠外侧。此外，也可以如图3的虚线所示，设置与能够供给清洁气体或非活性气体的气体供给管330、340连接的第三喷嘴(未图示)、第四喷嘴(未图示)。
喷嘴410、420设置成从处理室201的下部区域延伸到处理室201的上部区域，且在与晶圆200相对的位置分别设置有多个气体供给孔410a、420a。由此，从喷嘴410、420的气体供给孔(开口部)410a、420a分别向晶圆200供给处理气体。
气体供给孔410a从内管204的下部到上部设置有多个，分别具有相同的开口面积，并且以相同的开口间距设置。但是，气体供给孔410a并不限定于上述的方式。例如，也可以从内管204的下部朝向上部，使开口面积逐渐增大。由此，能够使从气体供给孔410a供给的气体的流量更均匀化。
气体供给孔420a从内管204的下部到上部设置有多个，分别具有相同的开口面积，并且以相同的开口间距设置。但是，气体供给孔420a并不限定于上述的方式。例如，也可以从内管204的下部朝向上部，使开口面积逐渐增大。由此，能够使从气体供给孔420a供给的气体的流量更均匀化。
在后述的晶圆盒217的从下部到上部的高度的位置设置有多个喷嘴410、420的气体供给孔410a、420a。因此，从喷嘴410、420的气体供给孔410a、420a供给到处理室201内的处理气体供给到收纳于晶圆盒217的从下部到上部的晶圆200、即收纳于晶圆盒217的晶圆200的整个区域。喷嘴410、420只要设置成从处理室201的下部区域延伸到上部区域即可，但优选设置成延伸至晶圆盒217的顶部附近。
从气体供给管310经由MFC312、阀门314、喷嘴410向处理室201内供给包含第一金属元素的原料气体(含第一金属气体、第一原料气体)作为处理气体。作为原料，例如，使用包含作为金属元素的铝(Al)的含金属原料气体(含金属气体)即含铝原料(含Al原料气体、含Al气体)的三甲基铝(Al(CH3)3，简称：TMA)。TMA是有机系原料，是在铝上结合有烷基的烷基铝。另外，作为原料，为含金属气体，能够使用一种有机系原料，例如，含有锆(Zr)的四(乙基甲基氨基)锆(TEMAZ、Zr[N(CH3)C2H5]4)。TEMAZ在常温常压下为液体，通过未图示的气化器气化，形成气化气体即TEMAZ气体使用。
从气体供给管320经由MFC322、阀门324、喷嘴420向处理室201内供给反应气体作为处理气体。作为反应气体，能够使用作为含有氧(O)且与Al反应的反应气体(反应物)的含氧气体(氧化气体、氧化剂)。作为含氧气体，例如能够使用臭氧(O3)气体。此外，也可以在气体供给管320设置图3的虚线所示的闪蒸罐321。通过设置闪蒸罐321，能够对晶圆200大量供给O3气体。
在本实施方式中，将作为含金属气体的原料气体从喷嘴410的气体供给孔410a供给到处理室201内，将作为含氧气体的反应气体从喷嘴420的气体供给孔420a供给到处理室201内，从而向晶圆200的表面供给原料气体(含金属气体)以及反应气体(含氧气体)，在晶圆200的表面上形成金属氧化膜。
从气体供给管510、520分别经由MFC512、522、阀门514、524、喷嘴410、420向处理室201内供给例如氮(N2)气作为非活性气体。此外，以下，对使用N2气体作为非活性气体的例子进行说明，但作为非活性气体，除了N2气体，例如也可以使用氩(Ar)气、氦(He)气、氖(Ne)气、氙(Xe)气等稀有气体。
主要由喷嘴410、420构成气体供给系统(气体供给部)。此外，也可以由气体供给管310、320、MFC312、322、阀门314、324、喷嘴410、420构成处理气体供给系统(气体供给部)。另外，也可以考虑将气体供给管310和气体供给管320中的至少任一个作为气体供给部。也能够将处理气体供给系统简称为气体供给系统。在从气体供给管310流动原料气体的情况下，主要由气体供给管310、MFC312、阀门314构成原料气体供给系统，但也可以考虑将喷嘴410包含在原料气体供给系统中。另外，也能够将原料气体供给系统称为原料供给系统。在使用含金属原料气体作为原料气体的情况下，也可以将原料气体供给系统称为含金属原料气体供给系统。在从气体供给管320流动反应气体的情况下，主要由气体供给管320、MFC322、阀门324构成反应气体供给系统，但也可以考虑将喷嘴420包含在反应气体供给系统中。在从气体供给管320供给含氧气体作为反应气体的情况下，也可以将反应气体供给系统称为含氧气体供给系统。另外，主要由气体供给管510、520、MFC512、522、阀门514、524构成非活性气体供给系统。也可以将非活性气体供给系统称为吹扫气体供给系统、稀释气体供给系统或载气供给系统。
本实施方式中的气体供给的方法是经由配置于由内管204的内壁以及多张晶圆200的端部定义的圆环状的纵长的空间内、即圆筒状的空间内的预备室201a内的喷嘴410、420输送气体。然后，从喷嘴410、420的设于与晶圆相对的位置的多个气体供给孔410a、420a向内管204内喷出气体。更详细而言，通过喷嘴410的气体供给孔410a、喷嘴420的气体供给孔420a，朝向与晶圆200的表面平行的方向、即水平方向喷出原料气体等。
[排气部]
排气孔(排气口)204a是形成于内管204的侧壁的与喷嘴410、420对置的位置、即与预备室201a成180度相反侧的位置的贯通孔，例如，是在铅垂方向上细长地开设的狭缝状的贯通孔。因此，从喷嘴410、420的气体供给孔410a、420a供给到处理室201内并在晶圆200的表面上流动的气体、即残留的气体经由排气孔204a流向由形成于内管204与外管203之间的间隙构成的排气路206内。然后，流动到排气路206内的气体流向排气管231内，向处理炉202外排出。此外，排气部至少由排气管231构成。
排气孔204a设置于与多个晶圆200对置的位置(优选与晶圆盒217的从上部到下部对置的位置)，从气体供给孔410a、420a供给到处理室201内的晶圆200的附近的气体朝向水平方向、即与晶圆200的表面平行的方向流动后，经由排气孔204a流到排气路206内。即，残留于处理室201的气体经由排气孔204a与晶圆200的主面平行地排出。此外，排气孔204a不限于构成为狭缝状的贯通孔的情况，也可以由多个孔构成。
在歧管209设有对处理室201内的气氛进行排气的排气管231。在排气管231上，从上游侧起依次连接有作为检测处理室201内的压力的压力检测器(压力检测部)的压力传感器245、APC(Auto Pressure Controller)阀门243、作为真空排气装置的真空泵246。APC阀门243通过在使真空泵246工作的状态下开关阀，能够进行处理室201内的真空排气以及真空排气停止，而且，通过在使真空泵246工作的状态下调节阀开度，能够调整处理室201内的压力。主要由排气孔204a、排气路206、排气管231、APC阀门243以及压力传感器245构成排气系统即排气管线。此外，也可以考虑将真空泵246包含在排气系统中。
如图1所示，也可以在歧管209的下方设置作为能够气密地封闭歧管209的下端开口的炉口盖体的密封帽219。密封帽219构成为从铅垂方向下侧与歧管209的下端抵接。密封帽219由例如SUS等金属构成，形成为圆盘状。在密封帽219的上表面设置有作为与歧管209的下端抵接的密封部件的O型环220b。在密封帽219中的处理室201的相反侧设置有使收纳晶圆200的晶圆盒217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封帽219并与晶圆盒217连接。旋转机构267构成为通过使晶圆盒217旋转来使晶圆200旋转。密封帽219构成为通过垂直地设置于外管203的外部的作为升降机构的晶圆盒升降机115而在铅垂方向上升降。晶圆盒升降机115构成为，通过使密封帽219升降，能够将晶圆盒217在处理室201内外搬入及搬出。晶圆盒升降机115构成为将晶圆盒217以及收纳于晶圆盒217的晶圆200在处理室201内外搬送的搬送装置(搬送机构)。
作为基板支撑件的晶圆盒217构成为，将多张、例如25～200张晶圆200以水平姿势且以彼此中心对齐的状态沿铅垂方向排列而多层地支撑，即，隔开间隔地排列。在晶圆盒217的下部设置有在内部收纳例如石英、SiC等耐热性材料的隔热板保持器218。通过该结构，来自加热器207的热难以向密封帽219侧传递。在隔热板保持器218上载置有晶圆盒217的构造是基板支撑件215(参照图4)，其详细情况在后面叙述。
如图2所示，在内管204内设置有作为温度检测器的温度传感器263，且构成为，基于由温度传感器263检测出的温度信息来调整向加热器207的通电量，从而处理室201内的温度成为所希望的温度分布。温度传感器263与喷嘴410以及420同样地构成为L字型，且沿着内管204的内壁设置。
通过这样构成，构成为晶圆盒217的至少支撑晶圆200的区域的温度保持均匀。该均热的温度区域(均热区域T1)的温度和比T1靠下侧的区域的温度存在差。此外，T1也称为基板处理区域。基板处理区域的纵向的长度构成为均热区域的纵向的长度以下。此外，基板处理区域是指晶圆盒217的纵向的位置中的支撑(载置)晶圆200的位置。在此，晶圆200是指产品晶圆、假片、填补假片中的至少任一个。另外，基板处理区域是指晶圆盒217中保持晶圆200的区域。即，基板处理区域也称为基板保持区域。
[基板支撑件215]
如图4所示，基板支撑件215具有在隔热板保持器218上可分离地载置晶圆盒217的构造。
[晶圆盒217]
如图5所示，构成基板支撑件215的一部分的晶圆盒217具有金属制的顶板11、与顶板11平行的金属制的底板12、以及介于顶板11与底板12之间的多个金属制的柱50。通过该柱50的至少一部分、例如，三根支柱15，多层地支撑多个基板200(参照图1)。顶板11以及底板12均以甜甜圈状呈在中心具有孔的环状。关于环状的实体部分的径向的宽度，底板12更大。并且，如后所述，顶板11与柱50之间以及底板12与柱50之间通过嵌套构造定位，并且通过作为固定件的螺钉70可装卸地固定。
另一方面，在支柱15与支柱15的中间设置有作为柱50的辅助柱18。如图6B所示，辅助柱18具备与支柱15同样的柱主部51以及安装部52，但在柱主部51的内表面不具备支柱15那样的支撑部16。由此，辅助柱18不参与基板200的支撑。
如作为图4的IX-IX剖视图的图9所示，支柱15和辅助柱18配置于相对于与通过底板12的中心的轴心C垂直的假想的基准线D在俯视下成为线对称的位置。此外，在本实施方式中，辅助柱18设置有两根，但例如在支柱15的数量为偶数根且辅助柱18仅设置有一根的情况下，辅助柱18只要设置在基准线D上即可。
如图6(A)以及图7(A)所示，作为柱50的支柱15具备截面为梯形(参照图7(A))且从顶板11连结到底板12的柱主部51。另外，在该柱主部51的内表面侧具备等间隔地向中心方向突出设置的多个三角形状的舌片即支撑部16。该支撑部16支撑基板200。而且，在柱主部51的上端以及下端设置有以与支撑部16相同的平面形状增加了厚度的安装部52。
如图7(A)所示，该支撑部16的俯视下的宽度随着接近轴心而逐渐减小。由此，支撑部16不易妨碍向基板200供给的成膜气体的流动。此外，支撑部16可以如图7(B)所示那样形成为俯视下比柱主部51宽度窄的长方形状，但从使向轴心方向的成膜气体的流动更顺畅的观点出发，更优选形成为图7(A)所示那样俯视下为三角形状。
柱50(支柱15以及辅助柱18)如上所述地为金属制，例如，优选由在作为金属部件的不锈钢涂覆(包覆)作为金属氧化物的膜(金属氧化膜)的铬氧化膜(CrO膜)的材料构成。作为不锈钢，例如，优选SUS316L、SUS836L、SUS310S。这样的材质比以往的石英或SiC韧性高且不易破损，因此能够更窄地形成柱主部51的宽度。例如，若以往的晶圆盒的支柱的宽度为19mm，则图5所示的本实施方式的晶圆盒217的支柱15的宽度能够为5～10mm。
支柱15的宽度预先设定为具有能够在支撑部16支撑基板(晶圆)200的强度。因此，本实施方式中的支柱15的宽度(5～10mm)是一例，根据支柱15的根数而使具有能够支撑基板(晶圆)200的强度的直径小于5mm的情况也包含于本实施方式。即，若支柱15的宽度变小，则不易妨碍成膜气体的流动，因此不易引起滞留。而且，由于支柱15的表面积变小，因此成膜气体的消耗减少。因此，能够减轻由各支柱15附近的膜厚的降低而引起的膜厚均匀性的降低。
此外，在晶圆盒217支撑基板200的状态下进行成膜处理时，晶圆盒217产生振动，存在尤其是在上方所支撑的基板200脱落的情况。如上所述，在由比石英刚性低的金属形成晶圆盒217的情况下，该情况显著。因此，在本实施方式中，柱50的截面形状以及截面积设计成使晶圆盒217的基板200的装卸方向上的机械振动的固有频率超过规定的频率，优选超过4Hz。即，通过使晶圆盒217的固有频率优选超过4Hz，能够使振动的周期优选为0.25秒以下，因此能够抑制晶圆盒217的大幅的摆动。为了成为这样的固有频率，柱50的原材料能够使用通过热处理使洛氏硬度(HRC)成为30以上的合金(例如，析出硬化系不锈钢)。在该情况下，优选用合金形成柱50后进行淬火，再进行上述的涂覆。
在图5所示的晶圆盒217的顶板11设有与柱50的数量以及位置对应的后述的通孔62(参照图12)。通过该通孔62，利用作为固定件的螺钉70将柱50固定于顶板11。
设置于晶圆盒217的底板12的中心的孔成为后述的隔热板保持器218的一部分嵌合的嵌套孔12a，对此在后面叙述。另外，在底板12，在与上述的顶板11的通孔62相同的位置设置有后述的通孔62(参照图11)。通过该通孔62，利用作为固定件的螺钉70将柱50固定于底板12。并且，在顶板11的多处(在本实施方式中为三处)设置有定位孔12b。这些定位孔12b中的至少一个与其他大小不同，关于该设定的意义也在后面叙述。
此外，关于顶板11以及底板12的材质，只要是金属制就没有特别限定，但从组装成晶圆盒217时的一体性的观点出发，优选由与柱50相同的材质形成。在此，优选的是，顶板11、底板12以及柱50(特别是支柱15)由上述的材质成形为单独的部件，然后分别利用上述的氧化物进行涂覆，然后通过作为固定件的螺钉70组装成晶圆盒217。
[隔热板保持器218]
如图8所示，构成基板支撑件215的一部分并载置晶圆盒217的隔热板保持器218具有：金属制的保持器顶板21；与保持器顶板21平行的金属制的保持器底板2；以及介于保持器顶板21与保持器底板22之间的多个(在本实施方式中为四根)金属制的保持器柱25。关于构成隔热板保持器218的保持器顶板21、保持器底板22以及保持器柱25的材质，只要是金属制即可，没有特别限定。但是，从载置晶圆盒217并组装成基板支撑件215时的一体性的观点出发，隔热板保持器218的材质优选以晶圆盒217的材质为标准。
保持器顶板21呈圆盘状，形成有从中心部向上方稍微以圆柱状突出的嵌套凸部21a。该嵌套凸部21a具有能够嵌合于上述的嵌套孔12a的内径的外径。在保持器顶板21设置有与保持器柱25的数量以及位置对应的未图示的通孔。通过此通孔，利用作为固定件的螺钉70将保持器柱25固定于保持器顶板21。
在保持器顶板21上，还在与上述的晶圆盒217的底板12的定位孔12b对应的位置设置有销孔21c(参照图10)，在此装配有定位销21b，定位销21b的头部向上方突出。定位销21b的头部的外径分别形成为能够与上述的定位孔12b的内径分别嵌合的大小。
保持器底板22呈环状，且设有与保持器柱25的数量以及位置对应的未图示的通孔。通过此通孔，利用作为固定件的未图示的螺钉将保持器柱25固定于保持器底板22。
[晶圆盒217与隔热板保持器218的定位]
在将晶圆盒217载置于隔热板保持器218时，在使设置于保持器顶板21的定位销21b的位置对准与设置于晶圆盒的底板12的定位孔12b大小正好地合适的位置的状态下，使保持器顶板21的嵌套凸部21a嵌合于底板12的嵌套孔12a。图9的俯视图(图4的IX-IX剖视图)以及图10的纵剖视图(图4的X-X剖视图)是表示该状态的图。即，底板12和保持器顶板21通过嵌套孔12a与嵌套凸部21a的嵌套构造进行相对于轴心的定位，并且通过底板12的定位孔12b与保持器顶板21的定位销21b的嵌套构造进行周向的定位。
此外，在本实施方式中，在分别具有多个的定位孔12b和定位销21b中，分别形成为至少一个与其它大小不同，从而在大小正好合适的方向上定位。取而代之，例如，将具有多个的定位孔12b和定位销21b分别一边形成为相同的大小，一边设置于俯视下非对称的位置，从而也能够进行定位。
此外，晶圆盒217以及隔热板保持器218也可以分别通过上述的氧化物涂覆后组装成基板支撑件215，另外，也可以在将晶圆盒217载置于隔热板保持器218的状态下，通过氧化物对晶圆盒217以及隔热板保持器218整体进行涂覆。
[顶板11以及底板12与柱50的嵌合构造]
如上所述，顶板11与柱50之间通过嵌套构造定位。具体而言，如作为图4的XI-XI剖视图的图11所示，在顶板11的下表面的边缘设置有与柱50的端部的截面对应的形状的凹陷部60作为台阶。另外，在顶板11的上表面的边缘，在与凹陷部60对应的位置设置沉孔部61作为台阶。沉孔部61的深度比作为固定件的螺钉70的螺钉头71的高度大。而且，游隙嵌合螺钉70的内径的通孔62在沉孔部61与凹陷部60之间贯通。另一方面，在位于柱50的上端的安装部52的端部，沿着柱的长边方向穿通设置有螺纹孔53。
首先，位于柱50的上端的安装部52从下方嵌合于凹陷部60，从而顶板11和柱50被定位。此时，定位成顶板11的通孔62和安装部52的螺纹孔53在俯视下一致。然后，穿过通孔62向螺纹孔53插入螺钉70，向设置于螺钉头71的中心的六角孔72插入六角扳手将螺钉70螺纹结合。由此，通过螺钉70将柱50紧固于顶板11。此时，螺钉头71收纳于沉孔部61中且从顶板11的上表面不突出，因此从外部与螺钉70直接接触的可能性变低，因此螺钉意外松动的情况被防止。
另外，底板12与柱50之间也如上述那样通过嵌套构造定位。具体而言，如作为图4的XII-XII剖视图的图12所示，在底板12的上表面的边缘设置有与柱50的端部的截面对应的形状的凹陷部60作为台阶。另外，在底板12的下表面的边缘，在与凹陷部60对应的位置设置沉孔部61作为台阶。沉孔部61的高度比作为固定件的螺钉70的螺钉头71的高度大。而且，游隙嵌合螺钉70的内径的通孔62在沉孔部61与凹陷部60之间贯通。另一方面，在位于柱50的下端的安装部52的端部，沿着柱的长边方向贯穿设置有螺纹孔53。
首先，位于柱50的上端的安装部52从上方嵌合于凹陷部60，从而底板12和柱50被定位。此时，定位成底板12的通孔62和安装部52的螺纹孔53、在俯视下一致。然后，通过通孔62向螺纹孔53插入螺钉70，向设置于螺钉头71的中心的六角孔72插入六角扳手，将螺钉70螺纹结合。由此，通过螺钉70将柱50紧固于底板12。此时，螺钉头71收纳在沉孔部61中且从底板12的下表面不突出，因此从外部与螺钉70直接接触的可能性变低，因此螺钉意外地松动的情况被防止，并且在使晶圆盒217以单体自立时，螺钉头71也不会与载置的面干涉。而且，当如图4所示地将晶圆盒217载置于隔热板保持器218时，底板12的沉孔部61的下方被保持器顶板21封闭，因此，即使螺钉70因某种原因松动，也能够防止螺钉在处理室201内落下。
此外，也可以如图13所示的变形例那样，从内侧朝向外侧倾斜地形成螺纹孔53，且与之配合地使沉孔部61也为倾斜面。由此，当螺纹结合螺钉70时，柱50向内周侧被压接，由此也能够进行定位。
综上，顶板11以及底板12和柱50通过嵌套构造定位，因此能够维持组装时的尺寸精度。另外，与以往的柱的材质即石英或SiC相比，金属的对脆性破坏的耐力增加，因此能够将金属制的柱50形成为更细的宽度，能够防止因柱妨碍成膜气体的流动而引起的柱周边的基板(晶圆)200的膜压降低。而且，通过作为固定件的螺钉70将柱50固定于顶板11以及底板12，因此也能够根据需要解除该固定而仅更换柱50，也能够应对支撑部16的间距变化。
另外，由于晶圆盒217和隔热板保持器218形成为分体并相互通过嵌套构造定位，因此与形成为一体的情况相比，能够减小因各部位的尺寸公差蓄积而产生的整体的误差，能够提高整体的尺寸精度。
[控制部]
接着，使用图14对控制上述的基板处理装置10的动作的控制部(控制单元)即控制器121的结构进行说明。
如图14所示，控制部(控制单元)即控制器121构成为具备CPU(CentralProcessing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d构成为能够经由内部总线与CPU121a进行数据交换。在控制器121连接有，构成为例如触摸面板等的输入输出装置122。
存储装置121c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)等构成。在存储装置121c内能够读取地存储有控制基板处理装置的动作的控制程序、记载有后述的半导体装置的制造方法的步骤、条件等的制程配方。制程配方是将后述的半导体装置的制造方法中的各工序(各步骤、各步骤、各处理)以使控制器121执行并能够得到预定的结果的方式组合，作为程序发挥功能。以下，将该制程配方、控制程序等简称为程序。在本公开中使用程序这一术语的情况下，有时仅包含制程配方单体，有时仅包含控制程序单体，或者有时包含制程配方与控制程序的组合。RAM121b构成为暂时保持由CPU121a读出的程序、数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口121d与上述的MFC312、322、332、342、352、512、522、阀门314、324、334、344、354、514、524、压力传感器245、APC阀门243、真空泵246、加热器207、温度传感器263、旋转机构267、晶圆盒升降机115等连接。
CPU121a构成为从存储装置121c读出并执行控制程序，并且根据来自输入输出装置122的操作指令的输入等从存储装置121c读出制程配方等。CPU121a构成为，按照所读出的制程配方的内容，控制MFC312、322、332、342、352、512、522对各种气体的流量调整动作、阀门314、324、334、344、354、514、524的开关动作、APC阀门243的开关动作以及APC阀门243基于压力传感器245进行的压力调整动作、基于温度传感器263进行的加热器207的温度调整动作、真空泵246的启动及停止、旋转机构267对晶圆盒217的旋转及旋转速度调节动作、晶圆盒升降机115对晶圆盒217的升降动作、晶圆200向晶圆盒217的收纳动作等。
控制器121能够通过将储存于外部存储装置(例如，磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器)123的上述的程序安装于计算机而构成。存储装置121c、外部存储装置123构成为计算机可读的存储介质。以下，也将它们总称地简称为存储介质。在本公开中，存储介质有时仅包含存储装置121c单体，有时仅包含外部存储装置123单体，或者有时包含这两者。此外，向计算机的程序的提供也可以不使用外部存储装置123，而使用因特网、专用线路等通信单元。
(2)基板处理工序(半导体器件的制造工序)
作为半导体装置(器件)的制造工序的一个工序，参照图15的流程图对在晶圆200上形成膜的工序的一例进行说明。在以下的说明中，构成基板处理装置10的各部的动作由控制器121控制。
在以下的例子的半导体装置的制造方法中，具备：将上述的基板支撑件在支撑有多个基板的状态下搬入基板处理装置的处理室内的工序；对搬入到处理室内的多个基板进行加热的工序；以及将处理室内的处理后的多个基板从处理室内搬出的工序。更具体而言，在以下的例子中，将一边以预定温度加热以积载的状态收纳有作为基板的晶圆200的处理室201一边从在喷嘴410开口的多个气体供给孔410a向处理室201供给TMA气体作为原料气体的工序、以及从在喷嘴420开口的多个气体供给孔420a供给O3气体作为反应气体的工序分别进行预定次数，在晶圆200上形成作为金属氧化膜的AlO膜。
在本公开中使用“晶圆”这一用语的情况有时是指晶圆本身，有时是指晶圆与形成于其表面的预定的层、膜的层叠体。在本公开中使用“晶圆的表面”这一用语的情况有时是指晶圆本身的表面，有时是指形成于晶圆上的预定的层等的表面。在本公开中记载为“在晶圆上形成预定的层”的情况有时是指在晶圆本身的表面上直接形成预定的层，有时是指在形成于晶圆上的层等上形成预定的层。在本公开中使用“基板”这一用语的情况也与使用“晶圆”这一用语的情况同义。
以下，使用图1和图15对包括成膜工序S300的基板处理工序进行说明。
(基板搬入工序S301)
当将多张晶圆200分别装填(晶圆装载)到晶圆盒217的支撑部16上时，如图1所示，收纳有多张晶圆200的晶圆盒217被晶圆盒升降机115抬起而搬入(晶圆盒搭载)到处理室201内。在该状态下，密封帽219成为经由O型环220b将歧管209的下端密封的状态。
(气氛调整工序S302)
接着，通过真空泵246进行真空排气，以使处理室201内、即晶圆200所存在的空间成为期望的压力(真空度)。此时，处理室201内的压力由压力传感器245测定，且基于该测定出的压力信息，对APC阀门243进行反馈控制(压力调整)。真空泵246至少在直至对晶圆200的处理完成的期间始终维持工作的状态。另外，通过加热器207进行加热，以使处理室201内成为所期望的温度。此时，基于温度传感器263检测出的温度信息反馈控制对加热器207的通电量(温度调整)，以使处理室201内成为期望的温度分布。加热器207对处理室201内的加热至少在直至对晶圆200的处理完成的期间持续进行。此外，在使晶圆盒217旋转的情况下，通过旋转机构267开始晶圆盒217以及晶圆200的旋转。基于旋转机构267进行的晶圆盒217以及晶圆200旋转至少在直至对晶圆200的处理完成的期间持续进行。另外，也可以开始从气体供给管350向隔热板保持器218的下部供给N2气体作为非活性气体。具体而言，打开阀门354，通过MFC352将N2气体流量调整为0.1～2slm的范围的流量。MFC352的流量优选为0.3slm～0.5slm。
[成膜工序S300]
接着，将第一工序(原料气体供给工序)、吹扫工序(残留气体除去工序)、第二工序(反应气体供给工序)、吹扫工序(残留气体除去工序)依次进行预定次数N(N≥1)，形成AlO膜。
(第一工序S303(第一气体供给))
打开阀门314，向气体供给管310内流入第一气体(原料气体)即TMA气体。TMA气体由MFC312进行流量调节，从喷嘴410的气体供给孔410a供给到处理室201内，且从排气管231排出。此时，对晶圆200供给TMA气体。此时，也可以同时打开阀门514，向气体供给管510内流入N2气体等非活性气体。在气体供给管510内流通的N2气体由MFC512进行流量调节，与TMA气体一起供给到处理室201内，且从排气管231排出。N2气体经由气体供给管320、喷嘴420供给到处理室201内，且从排气管231排出。
此时，调整APC阀门243，使处理室201内的压力为例如1～1000Pa、优选为1～100Pa、更优选为10～50Pa的范围内的压力。通过使处理室201内的压力为1000Pa以下，能够适当地进行后述的残留气体除去，并且能够抑制TMA气体在喷嘴410内自分解而堆积于喷嘴410的内壁。通过使处理室201内的压力为1Pa以上，能够提高晶圆200表面的TMA气体的反应速度，能够得到实用的成膜速度。此外，在本公开中，作为数值的范围，记载为例如1～1000Pa的情况是指1Pa以上且1000Pa以下。即，在数值的范围内包含1Pa以及1000Pa。不仅压力，流量、时间、温度等本公开所记载的全部的数值同样。
由MFC312控制的TMA气体的供给流量，例如成为10～2000sccm、优选为50～1000sccm、更优选为100～500sccm的范围内的流量。通过将流量设为2000sccm以下，能够适当地进行后述的残留气体除去，并且能够抑制TMA气体在喷嘴410内自分解而堆积于喷嘴410的内壁。通过将流量设为10sccm以上，能够提高晶圆200表面的TMA气体的反应速度，能够得到实用的成膜速度。
由MFC512控制的N2气体的供给流量，例如成为1～30slm、优选为1～20slm、更优选为1～10slm的范围内的流量。
对晶圆200供给TMA气体的时间，例如成为1～60秒，优选为1～20秒，更优选为2～15秒的范围内。
加热器207以使晶圆200的温度成为，例如室温～400℃、优选为90～400℃、更优选为150～400℃的范围内的方式进行加热。将温度设为400℃以下。温度的下限可以根据用作反应气体的氧化剂的特性而变化。另外，通过将温度的上限设为400℃，在使用上述的实施方式、其变形例所公开的晶圆盒217进行该基板处理工序时，能够更可靠地防止对晶圆200的金属污染的产生。
通过在上述条件下向处理室201内供给TMA气体，在晶圆200的最表面形成含Al层。关于含Al层，除了Al层可以包含C以及H。含Al层通过在晶圆200的最表面物理吸附TMA、或者化学吸附TMA的一部分分解而产生的物质、或者通过TMA热分解而堆积Al等而形成。即，含Al层可以是TMA、TMA的一部分分解而产生的物质的吸附层(物理吸附层、化学吸附层)，也可以是Al的堆积层(Al层)。
(吹扫工序S304(残留气体除去工序))
形成含Al层后，关闭阀门314，停止TMA气体的供给。此时，APC阀门243保持打开，利用真空泵246对处理室201内进行真空排气，将残留于处理室201内的未反应或参与含Al层形成后的TMA气体从处理室201内排除。在阀门514、524打开的状态下，维持N2气体向处理室201内的供给。N2气体作为吹扫气体发挥作用，能够提高将残留在处理室201内的未反应或参与含Al层形成后的TMA气体从处理室201内排除的效果。
接着，进行第二工序(供给反应气体的工序)。
(第二工序S305(反应气体供给工序))
在除去处理室201内的残留气体后，打开阀门324，向气体供给管320内流入反应气体即O3气体。O3气体由MFC322进行流量调节，从喷嘴420的气体供给孔420a供给到处理室201内的晶圆200，且从排气管231排出。即，晶圆200暴露于O3气体。此时，也可以打开阀门524，向气体供给管520内流入N2气体。N2气体由MFC522进行流量调整，与O3气体一起供给到处理室201内，且从排气管231排出。N2气体经由气体供给管510、喷嘴410供给到处理室201，且从排气管231排出。此外，在气体供给管320的阀门324的上游侧设置有闪蒸罐321的情况下，在打开阀门324时，贮存于闪蒸罐321内的O3气体供给至处理室201内。
O3气体与在第一工序S303中形成于晶圆200上的含Al层的至少一部分反应。含Al层被氧化，形成包含Al和O的氧化铝层(AlO层)作为金属氧化层。即，含Al层被改性为AlO层。
(吹扫工序S306(残留气体除去工序))
在形成AlO层后，关闭阀门324，停止O3气体的供给。然后，通过与原料气体供给步骤后的残留气体除去步骤同样的处理步骤，将残留在处理室201内的未反应或参与AlO的形成后的O3气体、反应副产物从处理室201内排除。
〔实施预定次数〕
将依次进行上述的第一工序S303、吹扫工序S304、第二工序S305以及吹扫工序S306的循环进行预定次数N，由此在晶圆200上形成AlO膜。该循环的次数根据最终形成的AlO膜所需的膜厚而适当选择。在判定工序S307中，判定是否执行了该预定次数。如果进行了预定次数，则判定为是(Y)，结束成膜工序S300。如果未进行预定次数，则判定为否(N)，重复成膜工序S300。此外，该循环优选重复多次。AlO膜的厚度(膜厚)，例如为10～150nm，优选为40～100nm，更优选为60～80nm。通过设为150nm以下，能够减小表面粗糙度，通过设为10nm以上，能够抑制由与基底膜的应力差引起的膜剥离的发生。
(气氛调整工序S308(后吹扫、大气压复原))
成膜工序S300结束后，打开阀门514、524，分别从气体供给管310、320向处理室201内供给N2气体，且从排气管231排出。N2气体作为吹扫气体发挥作用，将残留在处理室201内的气体、副产物从处理室201内除去(后吹扫)。之后，处理室201内的气氛被置换成N2气体(N2气体置换)，处理室201内的压力恢复为常压(大气压复原)。
(基板搬出工序S309(晶圆盒卸载、晶圆释放))
之后，通过晶圆盒升降机115使密封帽219下降，歧管209的下端开口，并且处理完毕的晶圆200在支撑于晶圆盒217的状态下从歧管209的下端被搬出到外管203的外部(晶圆盒卸载)。处理完毕的晶圆200被搬出到外管203的外部后，从晶圆盒217取出(晶圆释放)。
通过进行这样的基板处理工序，在晶圆200上堆积期望的膜。即，能够提高支撑于晶圆盒217的每个晶圆200的处理均匀性、晶圆200的面内的处理均匀性。
以上对本公开的典型的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于该实施方式。
例如，在上述的实施方式中示出了由外管(外筒、外管)203和内管(内筒、内管)204构成反应容器(处理容器)的例子，但也可以仅由外管203构成反应容器。
另外，在上述的实施方式的第一例中，对使用TMA气体作为含Al气体的例子进行了说明，但不限于此，例如也可以使用氯化铝(AlCl3)等。作为含O气体，对使用O3气体的例子进行了说明，但不限于此，例如也能够应用氧(O2)、水(H2O)、过氧化氢(H2O2)、O2等离子体与氢(H2)等离子体的组合等。作为非活性气体，对使用N2气体的例子进行了说明，但不限于此，例如也可以使用Ar气体、He气体、Ne气体、Xe气体等稀有气体。
另外，作为第一气体，示出了使用含Al气体的例子，但不限于此，能够使用以下的气体。例如，含有硅(Si)元素的气体、含有钛(Ti)元素的气体、含有钽(Ta)元素的气体、含有锆(Zr)元素的气体、含有铪(Hf)元素的气体、含有钨(W)元素的气体、含有铌(Nb)元素的气体、含有钼(Mo)元素的气体、含有钨(W)元素的气体、含有钇(Y)元素的气体、含有La(镧)元素的气体、含有锶(Sr)元素的气体等。另外，也可以使用含有本公开所记载的多种元素的气体。另外，也可以使用多种包含本公开所记载的元素中的任一种的气体。
另外，作为第二气体，示出了使用含氧气体的例子，但不限于此，能够使用以下的气体。例如，含有氮(N)元素的气体、含有氢(H)元素的气体、含有碳(C)元素的气体、含有硼B元素的气体、含有磷(P)元素的气体等。另外，也可以使用含有本公开所记载的多种元素的气体。另外，也可以使用多种包含本公开所记载的元素中的任一种的气体。
此外，在上述中，示出了依次供给第一气体和第二气体的例子，但本公开的基板处理装置10也可以构成为具有并行地供给第一气体和第二气体的定时。在并行供给第一气体和第二气体的处理中，能够使成膜速率大幅上升，因此能够缩短成膜工序S300的时间，能够提高基板处理装置10的制造生产率。
另外，在上述中，对在基板上形成AlO膜的例子进行了说明。但是，本公开并不限定于此方式。也可以用于其他膜种类。通过适当组合上述的气体，例如，也能够应用于包含钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铌(Nb)、钼(Mo)、钨(W)、钇(Y)、La(镧)、锶(Sr)、硅(Si)的膜，即包含这些元素中的至少一种的氮化膜、碳氮化膜、氧化膜、氧碳化膜、氧氮化膜、氧碳氮化膜、硼氮化膜、硼碳氮化膜、金属元素单质膜等。
另外，在上述中说明了在基板上沉积膜的处理。但是，本公开并不限定于此方式。也能够应用于其他处理。例如，也可以构成为仅将第二气体(反应气体)供给至晶圆200进行处理。通过向晶圆200仅供给第二气体，能够对晶圆200表面进行氧化等的处理。在此情况下，能够抑制配置于低温区域的部件的劣化(氧化)。
另外，在上述中，对一次处理多张基板的立式的基板处理装置进行了说明，但在一次处理一张基板的单片装置中，也能够应用本公开的技术。
另外，在上述中，作为通过基板处理装置10执行的基板处理，示出了进行成膜处理作为半导体装置的制造工序的一个工序的例子，但不限于此。也能够执行其他基板处理。另外，除了半导体装置的制造工序，还能够执行在显示器装置(显示装置)的制造工序的一个工序、陶瓷基板制造工序的一个工序等中进行的基板处理。
实施例
对基于支柱的形状得到的防止晶圆从晶圆盒脱落的效果进行了验证。
(1)实施例及比较例
在实施例1以及实施例2中，将支柱的支撑部的形状设为图6(A)所示的平面三角形。另一方面，在比较例中，支撑部的形状为平面矩形，支柱的截面也为长方形。各实施例以及比较例中，顶板以及底板的外径均设为312mm，晶圆盒的高度均设为约990mm。另外，支柱、顶板以及底板均由SUS316L不锈钢制作。
(2)固有频率测定
通过计算机模拟，算出晶圆的装卸方向(图9中的沿着基准线D的方向)的振动的固有频率f。该频率相当于底板被固定、顶板在基准线D方向上摆动的0阶振动模型，在固有频率中最低。若设定全振幅λ(mm)以及加速度α(G)，则通常下述式(1)成立，因此频率越低，振幅越容易变大。
f＝1/2π·(19.6α/λ·103)0.5…式(1)
(3)晶圆脱落试验
在这些晶圆盒中收纳有相当于收纳最大数的晶圆的状态下，进行与图15相当的实际的成膜工序，然后观察晶圆有无脱落。此时，晶圆在基板搬入工序等中暴露于晶圆盒升降机115的振动，在成膜工序等中暴露于晶圆盒的旋转、气体的流动所引起的振动。
(4)结果
关于比较例以及实施例1及实施例2，分别在下记表1中表示柱的宽度(mm)、支撑部的面积(mm2)、固有频率(Hz)以及有无晶圆脱落的各评价项目的结果。此外，支撑部的面积是指气体接触面积，包括一层支撑部的高度的支柱的内周面的面积，去除了支撑部中的被晶圆覆盖的部分的面积。
[表1]
评价项目 比较例 实施例1 实施例2
柱的宽度(mm) 8 11 15
支撑部的面积(mm2) 34 35 45
固有频率(Hz) 4.0 6.9 9.1
有无晶圆脱落 有 无 无
上述的结果表明，与支撑部的形状为矩形的比较例相比，均为三角形的实施例1以及实施例2均固有频率高，且抑制晶圆盒的大幅的摆动的效果提高，与此相伴，防止晶圆脱落的效果也提高。
生产上的可利用性
本公开能够利用于基板处理装置中的半导体装置的制造。

Claims (17)

1.一种基板支撑件，其具有金属制的顶板、金属制的底板以及介于所述顶板与所述底板之间的多个金属制的柱，并且利用所述柱的至少一部分多层地支撑多个基板，
所述基板支撑件的特征在于，
所述顶板和所述柱之间以及所述底板和所述柱之间通过嵌套构造定位，并且通过固定件能够装卸地固定。
2.根据权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，
具备：
晶圆盒，其具有所述顶板、所述底板以及所述柱；以及
隔热板保持器，其能够分离地载置所述晶圆盒。
3.根据权利要求2所述的基板支撑件，其特征在于，
所述隔热板保持器具有金属制的保持器顶板、金属制的保持器底板以及介于所述保持器顶板与所述保持器底板之间的金属制的保持器柱。
4.根据权利要求3所述的基板支撑件，其特征在于，
所述底板和所述保持器顶板通过嵌套构造定位，由此所述晶圆盒载置于所述隔热板保持器上。
5.根据权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，
作为所述柱，具备分别多层地支撑所述多个基板的多个支柱和不参与所述基板的支撑的辅助柱，
所述支柱以及所述辅助柱配置于相对于与通过所述底板的中心的轴心垂直的假想的基准线在俯视下线对称的位置。
6.根据权利要求5所述的基板支撑件，其特征在于，
就所述支柱中支撑所述基板的支撑部的俯视下的宽度而言，随着接近所述轴心而宽度逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，
所述顶板与所述柱之间以及所述底板与所述柱之间的嵌套构造是所述柱嵌合于在所述顶板及所述底板的边缘所设置的与所述柱的端部的截面对应的形状的凹陷部的构造。
8.根据权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，
所述固定件为螺钉，并且，
所述螺钉穿过设于所述顶板或所述底板的通孔与沿着所述柱的长边方向设于所述柱的端部的螺纹孔螺纹结合，从而将所述柱与所述顶板或所述底板紧固。
9.根据权利要求2所述的基板支撑件，其特征在于，
所述固定件为螺钉，并且，
在所述底板的上表面，在设置所述螺钉的部位具有比所述螺钉的螺钉头的高度大的高度的沉孔部，所述螺钉头收纳在所述沉孔部中。
10.根据权利要求3所述的基板支撑件，其特征在于，
所述固定件为螺钉，并且，
在所述底板的上表面，在设置所述螺钉的部位具有比所述螺钉的螺钉头的高度大的高度的沉孔部，所述螺钉头收纳在所述沉孔部中，所述沉孔部的下方被所述保持器顶板封闭。
11.根据权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，
所述固定件为螺钉，
所述顶板、所述底板以及所述柱分别是通过氧化物进行了涂覆的独立的部件。
12.根据权利要求2所述的基板支撑件，其特征在于，
所述固定件为螺钉，
所述顶板、所述底板以及所述柱分别是通过氧化物进行了涂覆的单独的部件。
13.根据权利要求2所述的基板支撑件，其特征在于，
在所述晶圆盒载置于所述隔热板保持器的状态下，通过氧化物对所述晶圆盒及所述隔热板保持器整体进行涂覆。
14.根据权利要求2所述的基板支撑件，其特征在于，
所述晶圆盒的所述基板的装卸方向上的机械振动的固有频率超过4Hz。
15.根据权利要求2所述的基板支撑件，其特征在于，
所述柱为通过热处理使洛氏硬度(HRC)成为30以上的合金制。
16.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
权利要求1所述的基板支撑件；
处理室，其收纳支撑着多个基板的状态的所述基板支撑件；以及
加热部，其对收纳于所述处理室的所述多个基板进行加热。
17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
将权利要求1所述的基板支撑件在支撑着多个基板的状态下搬入基板处理装置的处理室内的工序；
对搬入到所述处理室内的所述多个基板进行加热的工序；以及
将所述处理室内的处理后的所述多个基板从所述处理室内搬出的工序。
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