TWI721983B - 層合體之捲體、光學單元、有機ｅｌ顯示裝置、透明導電性膜及光學單元之製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種捲體，其係將層合體之長條體捲成捲體狀之層合體之捲體，前述層合體包含含聚環烯烴膜與透明導電層之透明導電性膜，前述層合體之對於長條體之全寬度為5%寬度兩側之各端部除外之全體中，前述環烯烴膜之慢軸方向相對於前述層合體之長條體長度方向在±2°之範圍內。

Description

層合體之捲體、光學單元、有機EL顯示裝置、透明導電性膜及光學單元之製造方法
本發明有關包含聚環烯烴膜與透明導電層之透明導電性膜及其製造方法、包含此透明導電性膜之層合體之捲體、包含此透明導電性膜之光學單元及其製造方法、包含此光學單元之有機EL顯示裝置。
以聚環烯烴膜為基材之透明導電性膜自過去以來即為已知(專利文獻1)。聚環烯烴膜由於具有光學等向性，故與偏光膜或相位差膜之控制光相位之膜組合使用較佳。
另一方面，使用透明導電性膜之觸控感測器一體型之有機EL顯示裝置如例如專利文獻2所示般為已知。該習知之有機EL顯示裝置中，如圖1所示，於有機EL顯示面板901之視認側設有觸控面板層合體916，於觸控面板層合體916之視認側設有具有圓偏光功能之偏光功能層合體920。偏光功能層合體920包含偏光膜921與相位差膜923，於相位差膜923之視認側設置偏光膜921。 又，觸控面板層合體916具有層合介電體層915及設於介電體層915之兩面之圖型電極912-1、912-2之構造。又，對於偏光功能層合體920於視認側配置視窗902。
於該有機EL顯示裝置中，相位差膜923之典型例為1/4波長相位差膜，但該情況，自視認側入射之光藉由偏光膜921轉為直線偏光，該直線偏光藉由1/4波長相位差膜轉為圓偏光，入射至內部之光於內部反射將原偏光轉成逆相位，成為逆相位之圓偏光藉由1/4波長相位差膜轉換為與入射直線偏光之偏光方向正交之直線偏光，而防止由偏光膜921射出至視認側。因此，作為介電體層915，藉由使用具有光學等向性之介電體層，而防止光通過介電體層915時之光相位變化，認為可防止內部反射防止功能惡化，防止產生色相偏差。因此，作為介電體層915，考慮使用例如聚環烯烴膜等之具有光學等向性者。
〔先前技術文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2014-229279號公報
〔專利文獻2〕日本特開2012-133312號公報
然而，聚環烯烴膜並非完全具有光學等向性，有些具有光學異向性。該聚環烯烴膜之異向性為稍許，迄今未被認為是問題。然而，對於近來對於顯示裝置 之視認性之嚴格要求，因該稍微之異向性所致之視認性惡化將成為問題。
本發明人等發現聚環烯烴膜坯膜之寬度方向中於中央部慢軸方向與MD方向平行，但於寬度方向隨著自中央部朝向端部，慢軸向相對於MD方向之偏差變大，面內相位差亦變大之迄今未被知悉之現象。亦即，自聚環烯烴膜坯膜於寬度方向切出數片膜時，發生所切出之各膜之光學特性發生偏差之問題，且即使切出較大1片膜時，所切出之膜端部之光學特性亦惡化。且，例如於如上述之習知觸控感測器一體型有機EL顯示裝置中，產生色相差等之視認性惡化。此等迄今未被知悉之問題由本發明人等所發現。
因此，本發明目的之一係抑制透明導電性膜之慢軸方向或面內相位差之偏差，且於有機EL顯示裝置中，抑制色相差等之光學特性惡化。
本發明之一樣態係提供一種捲體，其係將層合體之長條體捲成捲體狀之層合體之捲體，前述層合體包含含聚環烯烴膜與透明導電層之透明導電性膜，前述層合體之對於長條體之全寬度為5%寬度兩側之各端部除外之全體中，前述環烯烴膜之慢軸方向相對於前述層合體之長條體長度方向在±2°之範圍內。
本發明另一樣態係提供一種光學單元，其含 有：含聚環烯烴膜與透明導電層之透明導電性膜、與相位差膜，前述聚環烯烴膜之慢軸角度之偏差在4°之角度範圍內，於23℃下以波長550nm之光測定之前述聚環烯烴膜之面內相位差為3~8nm之範圍內，其偏差在1.5nm之範圍內，前述相位差膜之面內相位差抵消前述聚環烯烴膜之面內相位差，而使前述相位差膜與前述導電性膜之全體面內相位差成為期望值。
本樣態之一實施形態中，前述相位差膜包含1/4波長相位差膜，前述期望值可為約1/4波長。
本樣態之一實施形態中，前述相位差膜自前述透明導電性膜側起依序包含視角補償用相位差膜與1/4波長相位差膜，前述期望值可為約1/4波長。
該等情況中，前述1/4波長相位差膜之慢軸方向相對於前述聚環烯烴膜之慢軸方向可在0°±3°之範圍內。
該等情況中，前述1/4波長相位差膜之慢軸方向相對於前述聚環烯烴膜之慢軸方向可在90°±3°之範圍內。
本樣態之一實施形態中，前述透明導電層可為由銦錫氧化物(ITO)形成者。
本樣態之一實施形態中，前述光學單元進而包含偏光功能層合體，前述偏光功能層合體包含偏光膜與前述相位差膜，前述相位差膜配置於前述透明導電性膜之前述透明導電層側，前述偏光膜對於前述相位差膜配置於 與前述透明導電性膜相反側上。
該等情況中，前述偏光功能層合體具有生成圓偏光之功能。
本發明另一樣態係提供一種有機EL顯示裝置，其含有上述之光學單元與有機EL顯示面板，前述光學單元對於前述有機EL顯示面板配置於視認側，前述光學單元係配置為前述透明導電性膜位於前述偏光膜與前述有機EL顯示面板之間。
本發明又另一樣態係提供一種透明導電性膜之製造方法，其包含下述步驟：自使聚環烯烴膜之長條體捲成捲體狀之聚環烯烴膜的捲體抽出前述聚環烯烴膜之步驟；將抽出之前述聚環烯烴膜以捲取捲體進行捲取並同時以加熱溫度140~160℃進行加熱捲收處理之步驟；於經加熱捲收處理之前述聚環烯烴膜上成膜透明導電層，生成透明導電性膜之步驟。
本發明之一實施形態中，前述加熱溫度為145~155℃。
該情況中，前述加熱溫度為148~153℃。
本發明又另一樣態係提供一種光學單元之製造方法，其係製造上述光學單元之方法，且係將前述偏光功能層合體與藉由上述製造方法製造之透明導電性膜貼合，而生成前述光學單元。
依據本發明，可抑制透明導電膜之慢軸方向或面內相位差之偏差，且於有機EL顯示裝置中，可抑制色相差等之光學特性惡化。
以下，參考圖式詳細說明本發明之包含聚環烯烴膜與透明導電層之透明導電性膜及其製造方法、包含此透明導電性膜之層合體之捲體、包含此透明導電性膜之光學單元及其製造方法、包含此光學單元之有機EL顯示裝置之實施形態。
1‧‧‧基材層合體
10‧‧‧聚環烯烴膜
11‧‧‧第1硬化樹脂層
12‧‧‧第2硬化樹脂層
12a‧‧‧(第2硬化樹脂層表面之)凸部
13‧‧‧透明導電層
14‧‧‧球狀粒子
16‧‧‧光學調整層
S1‧‧‧(聚環烯烴膜之)第1主面
S2‧‧‧(聚環烯烴膜之)第2主面
w‧‧‧球狀粒子之最頻粒徑
d‧‧‧黏合劑樹脂層厚度
100‧‧‧有機EL顯示裝置
101‧‧‧有機EL顯示面板
102‧‧‧視窗
110‧‧‧光學單元
112‧‧‧透明導電層
115‧‧‧聚環烯烴膜
116‧‧‧透明導電性膜
120‧‧‧偏光功能層合體
121‧‧‧偏光膜
123‧‧‧相位差膜
900‧‧‧有機EL顯示裝置
901‧‧‧有機EL顯示面板
912-1、912-2‧‧‧圖型電極
915‧‧‧介電體層
920‧‧‧偏光功能層合體
921‧‧‧偏光膜
923‧‧‧相位差層
圖1係顯示以往有機EL顯示裝置之剖面圖。
圖2係本發明一實施形態之透明導電性膜之剖面圖。
圖3為顯示圖2之第2硬化樹脂層之構成的部分放大圖。
圖4為顯示本發明一實施形態之有機EL顯示裝置之剖面圖。
圖5為顯示聚環烯烴膜之寬度方向之加熱捲收處理前後之正面相位差變化之一例的圖。
圖6為顯示聚環烯烴膜之寬度方向之加熱捲收處理前後之慢軸方向變化之一例的圖。
圖7為顯示實施例及比較例之光學單元之反射色相之圖。
圖8係顯示實施例A10及A11、比較例A5及A6之 反射率測定結果之圖。
〔層合體之捲體〕
本發明之層合體之捲體係將層合體之長條體捲成捲體狀之層合體之捲體。
本發明之層合體之捲體中所用之層合體包含透明導電性膜。
本發明之層合體之捲體中所用之透明導電性膜包含聚環烯烴膜與透明導電層。
本發明之層合體之捲體中所用之聚環烯烴膜之慢軸方向，於對於層合體之長條體之全寬度為5%寬度兩側之各端部除外之全體中，相對於前述層合體之長條體長度方向在±2°之範圍內，較好在±1.5°之範圍內。
〔光學單元〕
本發明之光學單元含有含聚環烯烴膜與透明導電層之透明導電性膜、與相位差膜。相位差膜配置於透明導電性膜之透明導電層側。
本發明之光學單元所用之聚環烯烴膜之慢軸之偏差在4°之角度範圍內。於23℃下以波長550nm之光測定之聚環烯烴膜之面內相位差為3~8nm之範圍內，其偏差在1.5nm之範圍內。
本說明書中，所謂Re[550]意指於23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差值。Re[550]於將於波長550nm下之膜之慢軸方向、快軸方向之折射率分別設為nx、ny，d(nm)設為薄膜厚度時，可藉由式：Re[550]=(nx-ny)×d求得。又，所謂慢軸意指面內之折射率成為最大之方向。
本發明之光學單元所用之相位差膜之面內相位差抵消聚環烯烴膜之幾乎無偏差而大致一定之面內相位差，使相位差膜與前述導電性膜之全體面內相位差成為期望值。
本發明之光學單元所用之相位差膜包含1/4波長相位差膜，上述期望值可為約1/4波長。又，本發明之光學單元所用之相位差膜自透明導電性膜側起依序包含視角補償用相位差膜與1/4波長相位差膜，上述期望值可為約1/4波長。此處，所謂上述期望值為約1/4波長意指理想上於可見光區域之全部波長中上述期望值為約1/4波長。較好於波長550nm下之面內相位差為130~150nm，更好為140~146nm。
1/4波長相位差膜之慢軸方向相對於聚環烯烴膜之慢軸方向大致平行，亦即相對於聚環烯烴膜之慢軸方向可在±2°之範圍內。藉由此構成，可容易進行聚環烯烴膜之面內相位差之利用相位差膜之抵消。
光學單元進而包含偏光功能層合體，偏光功能層合體包含偏光膜與前述相位差膜，相位差膜配置於透 明導電性膜之透明導電層側，偏光膜對於相位差膜配置於與透明導電性膜相反側上。
偏光功能層合體具有生成圓偏光之功能。
〔透明導電性膜之製造方法〕
本發明之透明導電性膜之製造方法包含下述步驟：自使包含聚環烯烴膜之長條體捲成捲體狀之聚環烯烴膜的捲體抽出前述聚環烯烴膜之步驟，將抽出之前述聚環烯烴膜以捲取捲體進行捲取並同時以加熱溫度140~160℃進行加熱捲收處理之步驟，於經加熱捲收處理之前述聚環烯烴膜上成膜透明導電層，生成透明導電性膜之步驟。
如此，以捲取捲體捲取包含聚環烯烴膜之層合體之長條體，亦即對聚環烯烴膜賦予一定張力，並同時以接近聚環烯烴膜之玻璃轉移溫度(Tg)的165℃之溫度進行加熱捲收處理，可使慢軸方向於MD方向一致。
上述加熱溫度更好為145~155℃，又更好為148~153℃。
〔光學單元之製造方法〕
本發明之光學單元之製造方法係將包含相位差膜與偏光膜之偏光功能層合體與藉由上述製造方法製造之透明導電性膜貼合，而生成光學單元。
<偏光膜>
本發明之光學單元所用之偏光膜可使用藉由空中延伸(乾式延伸)或硼酸水中延伸步驟等之延伸步驟延伸且以碘配向之聚乙烯醇系樹脂。
作為偏光膜之製造方法，代表性有如日本特開2004-341515號公報中記載之包含使PVA系樹脂之單層體染色之步驟與延伸步驟之製法(單層延伸法)。且，舉例為如日本特開昭51-069644號公報、日本特開2000-338329號公報、日本特開2001-343521號公報、國際公開第2010/100917號公報、日本特開2012-073563號公報、日本特開2011-2816號公報中記載之包含使PVA系樹脂層與延伸用樹脂基材以層合體之狀態延伸之步驟及染色之步驟之製法。依據該製法，即使PVA系樹脂層較薄，一可藉由以延伸用樹脂基材支持而無因延伸導致之破裂等缺陷地進行延伸。
包含以層合體之狀態延伸之步驟與染色之步驟之製法，有如上述日本特開昭51-069644號公報、日本特開2000-338329號公報、日本特開2001-343521號公報中記載之空中延伸(乾式延伸)法。而且，就可以高倍率延伸且可提高偏光性能之方面，較好為如國際公開第2010/100917號公報、日本特開2012-073563號公報中記載之包含於硼酸水溶液中延伸之步驟之製法，尤佳為如日本特開2012-073563號公報般之包含於硼酸水溶液中延伸之前進行空中輔助延伸之步驟之製法(2段延伸法)。且，亦較好為如日本特開2011-2816號公報中記載之使 PVA系樹脂層與延伸用樹脂基材以層合體之狀態延伸後，使PVA系樹脂層過度染色，隨後脫色之製法(過度染色脫色法)。本發明之光學層合體所用之偏光膜可為由如上述之以碘配向之聚乙烯醇系樹脂所成、且藉由由空中輔助延伸與硼酸水中延伸所成之2段延伸步驟延伸之偏光膜。又，本發明之光學層合體所用之偏光膜可為由如上述之以碘配向之聚乙烯醇系樹脂所成且延伸之PVA系樹脂層與延伸用樹脂基材之層合體過度染色隨後脫色而製作之偏光膜。
<相位差膜>
本發明之光學單元所用之相位差膜包含單層或多層之相位差膜。
<相位差膜>
本發明之光學單元所用之相位差膜可使用使高分子膜延伸而得者或使液晶材料配向、固定化者。本說明書中，相位差膜意指於面內及/或厚度方向具有雙折射，藉此實現特定功能者。
作為相位差膜，舉例為抗反射用相位差膜(參考日本特開2012-133303號公報[0221]、[0222]、[0228])、視角補償用相位差膜(參考日本特開2012-133303號公報[0225]、[0226])、視角補償用之梯度配向相位差膜(參考日本特開2012-133303號公報[0227]) 等。
作為相位差膜，只要為實質上具有上述功能者，則可無特別限定地使用例如相位差值、配置角度、3次元雙折射率、單層或多層等之習知相位差膜。
本發明之相位差膜之nx-ny之面內雙折射△n為0.001~0.2，較好為0.002~0.15。
上述相位差膜較好於23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差值(Re[550])大於以波長450nm之光測定之面內相位差值(Re[450])。具有此波長分散特性之相位差膜若前述比率為該範圍，則越為長波長越能展現相位差，可獲得於可見光區域之各波長之理想相位差特性。例如使用於有機EL顯示器時，製作具有此波長依存性之相位差膜作為1/4波長板，藉由與偏光板貼合，可製作圓偏光板等，可實現色相之波長依存性少、天然偏光板及顯示裝置。另一方面，前述比率在該範圍外時，反射色相之波長依存性變大，於偏光板或顯示裝置產生著色問題。
上述相位差膜之Re[550]與Re[450]之比(Re[450]/Re[550])為0.8以上且未達1.0，更好為0.8~0.98。
上述相位差膜較好於23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差值(Re[550])小於以波長650nm之光測定之面內相位差值(Re[650])。具有此波長分散特性之相位差膜於紅色區域相位差值為一定，例如使用於液 晶顯示裝置時，可改善因觀看角度產生光漏之現象、或顯示畫像帶紅色色調之現象(亦稱為發紅現象)。
上述相位差膜之Re[650]與Re[550]之比(Re[550]/Re[650])為0.8以上且未達1.0，更好為0.8~0.97。藉由使Re[550]/Re[650]為上述範圍，於例如上述相位差膜使用於有機EL顯示器時，可獲得更優異之顯示特性。
Re[450]、Re[550]、Re[650]可使用Axometrics公司製之製品名「AxoScan」測定。
本說明書中，NZ意指厚度方向雙折射的nx-nz與面內雙折射的nx-ny之比(亦稱為Nz係數)。
本發明之相位差膜之NZ為-10~1.5，較好-8~1.4，更好-6~1.3。
例如進行通常之縱延伸時，由於相對於膜長度方向之延伸，於寬度方向未固定，故引起寬度收縮。因此，成為分子更朝一軸方向配向之狀態，作為折射率之關係，成為例如nx>ny=nz。該情況下，延伸方向的膜長度方向之耐彎折強度變強，但寬度方向之耐彎折強度非常弱。為了解決此，以於對於延伸方向交叉之角度方向產生限制寬度之力之狀態(例如橫向單軸延伸時，產生使於對於延伸方向的薄膜寬度方向直角之方向的膜長度方向之長度固定之力)，施以延伸，不僅可於延伸方向，亦可於與延伸方向交叉之角度方向使分子配向，作為折射率之關係，成為nx>ny>nz。藉此，可高程度地兼具延伸方向之 耐彎折強度與寬度方向之耐彎折強度。
上述相位差膜之於23℃下之光彈性係數之絕對值；C(m2/N)為0.5×10-12~100×10-12(m2/N)，較好為1×10-12~80×10-12(m2/N)。可防止因偏光膜之收縮應力或顯示面板之熱、或周遭環境(耐濕/耐熱)，而對相位差膜施加力，藉此發生之相位差值之變化，其結果，獲得具有良好顯示均一性之顯示面板裝置。較好上述相位差膜之C為3×10-12~45×10-12，特佳為5×10-12~40×10-12以下。藉由使C為上述範圍，可減低於上述相位差膜施加力時發生之相位差值之變化或不均。且，光彈性係數與△n易處於折衝關係，若為該光彈性係數範圍，則不會減低相位差展現性，可保持顯示品質。
作為本發明之相位差膜，可藉由一片膜較好地使用於顯示逆分散波長依存性(逆分散波長特性)之相位差膜。作為顯示該逆分散性之相位差膜可使用帝人公司製之商品名「PUREACE WR」或日本專利第4938151號記載之聚碳酸酯樹脂或日本特願2013-214986號記載之含有寡烯烴之樹脂。
1個實施形態中，本發明之相位差膜可藉由使高分子膜延伸並配向而製作。
作為使上述高分子膜延伸之方法，可根據目的採用任意適當之延伸方法。作為適於本發明之上述延伸方法舉例為例如橫向單軸延伸方法、縱橫同時雙軸延伸方法、縱橫逐次雙軸延伸方法等。作為延伸之手段，可使用 拉幅延伸機、雙軸延伸機等之任意適當之延伸機。較好，上述延伸機具備溫度控制手段。進行加熱延伸時，延伸機內部溫度可連續變化，亦可連續變化。步驟可為1次亦可分為2次以上。延伸方向宜於薄膜寬度方向(TD方向)或斜向方向延伸。
斜向延伸係連續進行將未延伸樹脂膜邊於長度方向送出，邊以對於寬度方向呈前述特定範圍之角度之方向延伸之斜向延伸處理。藉此，可獲得膜之寬度方向與慢軸所成之角度(配向角θ)成為前述特定範圍之長條相位差膜。
作為斜向延伸之方法，係於未延伸樹脂膜之對於寬度方向呈前述特定範圍之角度之方向連續延伸，若為可於對於膜寬度方向呈前述特定範圍之角度之方向形成慢軸則無特別限制。可採用自日本特開2005-319660、日本特開2007-30466、日本特開2014-194482、日本特開2014-199483、日本特開2014-199483等之以往習知之延伸方法中任意適當之方法。
使未延伸樹脂膜延伸之溫度(延伸溫度)可根據目的選擇適宜、適當之值。較好延伸係對於高分子膜之玻璃轉移溫度(Tg)以Tg-20℃~Tg+30℃之範圍進行。藉由選擇此條件，相位差值易變均一，且膜不易結晶化(白濁)。具體而言，上述延伸溫度為90℃~210℃，進而較佳為100℃~200℃，特佳為為100℃~180℃。又，玻璃轉移溫度可根據JIS K 7121(1987)依據DSC法求 得。
作為控制上述延伸溫度之手段，可採用任意適當手段。作為上述溫度控制手段舉例為例如循環熱風或冷風之空氣循環式恆溫烘箱、利用微波或遠紅外線之加熱器、溫度調節用之經加熱輥、加熱管輥、金屬帶等。
使上述未延伸樹脂膜延伸之倍率(延伸倍率)可根據目的適當選擇。上述延伸倍率較好超過1倍且6倍以下，進而較佳超過1.5倍且4倍以下。
且，延伸時之送入速度並未特別限制，基於機械精度、安定性等，較好為0.5m/分鐘~30m/分鐘，更好微1m/分鐘~20m/分鐘。若為上述延伸條件，則不僅可獲得目的之光學特性，亦可獲得光學均一性優異之相位差膜。
且，作為另一實施形態，亦可使用利用聚環烯烴膜或聚碳酸酯膜等，以使偏光板之吸收軸與1/2波長板之慢軸所成之角為15°，偏光板之吸收軸與1/4波長板之慢軸所成之角為75°之方式，使用丙烯酸系黏著劑單片貼合而成之相位差膜。
其他實施形態中，本發明之相位差膜可使用藉由使液晶材料配向、固定化而製作之相位差層層合而成者。各相位差層可為液晶化合物之配向固化層。藉由使用液晶化合物，由於所得相位差層之nx與ny之差與非液晶材料相比可格外增大，故可將用以獲得期望面內相位差之相位差層厚度格外減小。其結果，可實現圓偏光板(最終 為有機EL顯示裝置)之進一步薄型化。本說明書中所謂「配向固化層」意指液晶化合物於層內於特定方向配向，該配向狀態經固定之層。本實施形態中。代表性有棒狀之液晶化合物以排列於相位差層之慢軸方向之狀態配向(水平配向)或慢軸對於面內方向於法線方向排列之狀態配向(垂直配向)等。作為液晶化合物舉例為例如結晶相為向列相之液晶化合物(向列液晶)。作為此種液晶化合物可使用例如液晶聚合物或液晶單體。液晶化合物之展現液晶性之機制可為溶致性亦可為熱致性之任一者。液晶聚合物及液晶單體各可單獨使用亦可組合使用。
液晶化合物為液晶單體時，該液晶單體較好為聚合性單體及交聯性單體。係因為藉由使液晶單體聚合或交聯，可使液晶單體之配向狀態固定之故。液晶單體配向後，例如若使液晶單體彼此聚合或交聯，則可藉此使上述配向狀態固定。此處，藉由聚合形成聚合物，藉由交聯形成3次元網眼構造，但該等為非液晶性。因此，所形成之相位差層不會引起因例如液晶性化合物特有之溫度變化而朝液晶相、玻璃相、結晶相轉移。其結果，相位差層受溫度變化之影響小而成為安定性極優異之相位差層。
液晶單體顯示液晶相之溫度範圍根據其種類而異。具體而言，該溫度範圍較好為40℃~120℃，更好為50℃~100℃，最好為60℃~90℃。
作為上述液晶單體可採用任意適當之液晶單體。可使用例如日本特表2002-533742(WO00-37585)、 EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171及GB2280445等中記載之聚合性介晶原(mesogen)化合物等。此種聚合性介晶原化合物之具體例舉例為例如BASF公司之商品名LC242、Merck公司之商品名E7、Wacker-Chem公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。作為液晶單體較好為例如向列性液晶單體。
液晶化合物之配向固化層可藉由對特定基材表面施以配向處理，於該表面塗佈含液晶化合物之塗佈液，並使該液晶化合物於對應於上述配向處理之方向配向，使該配向狀態固定而形成。於1個實施形態中，基材為任意適當之樹脂膜，形成於該基材上之配向固化層可轉印於偏光膜表面。以此時偏光膜之吸收軸與液晶配向固化層之慢軸所成之角成為15°之方式配置。且，液晶配向固化層之相位差對於550nm之波長為λ/2(約270nm)。再者，與前述同樣於可轉印基材上形成對於550nm之波長為λ/4(約140nm)之液晶配向固化層，於偏光膜與1/2波長板之層合體之1/2波長板側，以使偏光膜之吸收軸與1/4波長板之慢軸所成之角為75°之方式層合。
作為上述配向處理，可採用任意之適當配向處理。具體而言，舉例為機械配向處理、物理配向處理、化學配向處理。機械配向處理之具體例舉例為摩擦處理、延伸處理。物理配向處理之具體例舉例為磁場配向處理、電場配向處理。化學配向處理之具體例舉例為斜向蒸鍍 法、光配向處理。各種配向處理之處理條件可根據目的採用任意之適當條件。
液晶化合物之配向係根據液晶化合物種類以顯示液晶相之溫度處理而進行。藉由進行此溫度處理，以液晶化合物成為液晶狀態，使該液晶化合物對應於基材表面之配向處理方向配向。
配向狀態之固定，於1實施形態中，係藉由使如上述配向之液晶化合物冷卻而進行。液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體時，配向狀態之固定係藉由對如上述配向之液晶化合物施以聚合處理或交聯處理而進行。
液晶化合物之具體例及配向固化層之形成方法之細節記載於日本特開2006-163343號公報中。該公報之記載於本說明書中作為參考加以引用。
〔保護膜〕
本發明之光學單元所用之透明樹脂材料之保護膜可使用降冰片烯系樹脂等之環烯烴系樹脂、聚乙烯、聚丙烯等之烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂等。
本發明之光學層合體所用之保護膜厚度較好為10~50μm，較好為15~45μm，可設置適當之防眩層或抗反射層等之表面處理層。
本發明之光學層合體所用之保護膜之透濕度為200g/m2以下，較好為170g/m2以下，更好為130g/m2以下，特佳為90g/m2以下。
〔透明導電性膜〕
圖2為本發明一實施形態之透明導電性膜之示意剖面圖。圖2之透明導電性膜包含基材層合體1與透明導電層13。前述基材層合體1包含聚環烯烴膜10、形成於聚環烯烴膜10之第1主面S1上之第1硬化樹脂層11、與形成於聚環烯烴膜10之與第1主面S1相反側之第2主面S2側之第2硬化樹脂層12。且，於前述第1硬化樹脂層11與前述透明導電層13之間設有光學調整層16。第2硬化樹脂層12係如圖3所示，具有複數球狀粒子14與將前述球狀粒子固定於聚環烯烴膜10表面之黏合劑樹脂層15。第2硬化樹脂層12由於表面具有凸部12a，故將透明導電性膜以輥對輥製法捲取時，可抑制透明導電性膜彼此黏連。且基材層合體1可僅以聚環烯烴膜10或以聚環烯烴膜10與第1硬化樹脂層或第2硬化樹脂層構成，但較好依序含有形成前述透明導電層13之側之第1硬化樹脂層11、聚環烯烴膜10與第2硬化樹脂層12。
〔透明導電層〕
透明導電層較好為藉由金屬氧化物形成之層。作為金屬氧化物可較好地使用由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢所成之群選擇之至少一種金屬之金屬氧化物。該金屬氧化物中亦可根據需要進而含有上述群所示之金屬原子。其中，較好為銦錫複合氧化 物(ITO)或銦鋅複合氧化物。此外，亦可使用摻雜4價金屬離子或2價金屬離子之氧化銦(In2O3)。此種銦系複合氧化物層具有於可見光區域(380nm~780nm)之透過率為80%以上較高，且每單位面積之表面電阻值低(300Ω/□以下：每平方歐姆)之特徵。
上述銦系複合氧化物層之表面電阻值較好為300Ω/□以下，更好為270Ω/□以下。此種表面電阻值小之透明導電性膜係藉由例如以濺鍍法或真空蒸鍍法，於硬化樹脂層上形成銦系複合氧化物之非晶質層厚，於120℃~200℃加熱處理30~90分鐘，使非晶質層變化為結晶質層而獲得。該轉化手段並未特別限定，但可使用空氣循環式烘箱或IR加熱器等。
(結晶質之定義)
將於基材層合體上形成透明導電層之透明導電性膜於20℃、濃度5重量%鹽酸中浸漬15分鐘後，經水洗、乾燥，以TESTA進行15mm間之端子間電阻之測定，於端子間電阻不超過10kΩ時，設為ITO膜朝結晶質之轉化完成。
透明導電層厚度較好為15nm~50nm，更好為20~40nm，又更好為25~35nm之範圍內。透明導電層厚度未達15nm時，膜表面之電阻變高，且難以成為連續被膜。且透明導電層厚度超過50nm時，有引起透明性降低等之情況。作為透明導電層，亦可為使不同組成之透明導 電層複數層層合之構造。
前述透明導電層之表面之452μm×595μm視野中之算術平均表面粗糙度Ra，基於提高透明性之觀點，較好大於0nm且10nm以下，更好大於0nm且9nm以下，又更好大於0nm且7nm以下。第2硬化樹脂層表面之452μm×595μm視野中之算術平均表面粗糙度Ra與前述透明導電層之表面之452μm×595μm視野中之算術平均表面粗糙度Ra之差較好為5nm以上，更好為10nm以上，又更好為15nm以上。
前述透明導電層可包含金屬奈米線或金屬網。
(金屬奈米線)
金屬奈米線意指材質為金屬，形狀為針狀或絲狀，直徑為奈米等級之導電性物質。金屬奈米線可為直線狀，亦可為曲線狀。若使用以金屬奈米線構成之透明導電層，則藉由使金屬奈米線成為網眼狀，則即使為少量金屬奈米線亦可形成良好電傳導路徑，可獲得電阻較小之透明導電膜。再者，藉由使金屬奈米線成為網眼狀，可於網眼間隙形成開口部，可獲得光透過率高之透明導電性膜。
作為構成前述金屬奈米線之金屬只要為導電性高的金屬，則可使用任意適當之金屬。作為構成前述金屬奈米線之金屬舉例為例如銀、金、銅、鎳等。且，亦可使用對該等金屬進行鍍敷處理(例如鍍金處理)之材料。 其中基於導電性之觀點，較好為銀、銅或金，更好為銀。
(金屬網)
包含金屬網之透明導電層係於前述基材層合體上以格子狀圖型形成金屬細線。可使用與前述構成金屬奈米線之金屬同樣之金屬。包含金屬網之透明導電層可藉由任意適當方法形成。透明導電層可藉由例如將含銀鹽之感光性組成物(透明導電層形成用組成物)塗佈於基材層合體上，隨後，進行曝光處理及顯像處理，將金屬細線形成為特定圖型而獲得。
〔硬化樹脂層〕
聚環烯烴系樹脂本身有非常易於損傷之傾向。由於於透明導電層之形成或透明導電層之圖型化或搭載於電子機器等之各步驟中易於對聚環烯烴膜10造成損傷，故較好於聚環烯烴膜10之兩面形成第1硬化樹脂層及第2硬化樹脂層作為硬化樹脂層。
硬化樹脂層為藉由使各硬化型樹脂硬化而得之層。硬化型樹脂作為硬化機制，可採用熱硬化、活性能量線硬化、或併用其兩者之樹脂之任一種。根據需要亦可與硬化型樹脂一起使用交聯劑、起始劑、增感劑等。第1硬化樹脂層及第2硬化樹脂層之厚度均獨立較好為0.5μm~5μm，更好為0.7μm~3μm，最好為0.8μm~2μm。第1硬化樹脂層及第2硬化樹脂層可藉由使含各硬化型樹脂 與根據需要添加之交聯劑、起始劑、增感劑等之樹脂組成物塗佈於透明樹脂膜上，於樹脂組成物含溶劑時，進行溶劑之乾燥，藉由應用熱、活性能量線或兩者之任一種而硬化獲得。熱可使用空氣循環式烘箱或IR加熱器等之習知手段，但不限定於該等方法。作為活性能量線之例為紫外線、電子束、γ線等，但未特別限制。作為硬化型樹脂，較好為丙烯酸系樹脂或環氧系樹脂，更好為丙烯酸系樹脂。
第1硬化樹脂層11或第2硬化樹脂層12較好包含複數之球狀粒子14與將前述球狀粒子固定於聚環烯烴膜10表面之黏合劑樹脂層15。尤其，第2硬化樹脂層12更好包含前述複數之球狀粒子14與前述黏合劑樹脂層15。圖3係顯示圖2中第2硬化樹脂層12之構成之部分放大圖。第2硬化樹脂層12具有複數之球狀粒子14與將前述球狀粒子14固定於聚環烯烴膜10表面之黏合劑樹脂層15。球狀粒子14之最頻粒徑記載為w且黏合劑樹脂層15之厚度記載為d。第2硬化樹脂層12之外側表面，亦即未與聚環烯烴膜10接觸之側之表面，存在有球狀粒子14之部分具有以約差w-d之量突出之凸形狀，無不存在球狀粒子14之部分具有略平面形狀。且各球狀粒子14上面薄薄地形成黏合劑樹脂層15之一部分。此處所謂「最頻粒徑」意指顯示粒子分佈極大值之粒徑。所謂「黏合劑樹脂層厚度」意指不存在球狀粒子之平坦部分厚度。第2硬化樹脂層12中，球狀粒子14之最頻粒徑w與黏合 劑樹脂層15厚度d之關係，較好w-d係大於0且1.2μm以下，更好為0.1μm~1.0μm，又更好為0.3μm~0.9μm。藉此，可更確實實現對濁度之影響受抑制且耐受輥對輥製法之抗黏連性。
第1硬化樹脂層之表面算術平均粗糙度Ra，基於提高透明性之觀點，較好大於0nm且10nm以下，更好大於0nm且9nm以下，又更好大於0nm且7nm以下。
第2硬化樹脂層之表面算術平均粗糙度Ra，較好大於5nm且100nm以下，更好大於7nm且70nm以下，又更好大於10nm且60nm以下。藉由使算術平均粗糙度Ra在上述範圍內，可提高耐受輥對輥製法之抗黏連性。
第2硬化樹脂層側之表面算術平均粗糙度Ra較好比第1硬化樹脂層側之表面算術平均粗糙度Ra粗。藉此，具有耐受輥對輥製法之抗黏連性同時可減低透明導電層側之白霧感(濁度)。且，第2硬化樹脂層之表面之452μm×595μm視野中之算術平均表面粗糙度Ra與第1硬化樹脂層之表面之452μm×595μm視野中之算術平均表面粗糙度Ra之差較好為5nm以上，更好為10nm以上，又更好為15nm以上。
作為球狀粒子可無特別限制地使用各種金屬氧化物、玻璃、塑膠等之具有透明性者。可舉例為例如氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣等之無機系粒子、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯 酸系樹脂、丙烯酸-苯乙烯共聚物、苯胍、三聚氰胺、聚碳酸酯等之各種聚合物所成之交聯或未交聯有機系粒子或聚矽氧粒子等。前述粒子可適當選擇1種或2種以上，但較好為有機系粒子。作為有機系粒子，基於真球性與耐熱性之觀點，較好為丙烯酸系樹脂。
前述第1硬化樹脂層中之球狀粒子含量，對於樹脂組成物之固體成分100重量份，較好為0.0000~0.0020重量份，更好為0.0000~0.0015重量份，又更好為0.0000~0.0010重量份。且前述第2硬化樹脂層中之球狀粒子含量，對於樹脂組成物之固體成分100重量份，較好為0.0010~0.0300重量份，更好為0.0015~0.0200重量份，又更好為0.0020~0.0150重量份。前述第1硬化樹脂層或前述第2硬化樹脂層中之球狀粒子含量若為前述範圍，則由於可分別調整兩面之算術平均表面粗糙度Ra，故變得易於形成賦予抗黏連性或易滑性之充分的基底隆起部，並且可減小於因球狀粒子所致之光散射的引起之透明導電性膜之濁度，有提高視認性之傾向。
前述黏合劑樹脂層所用之黏合劑樹脂之材料若為可固定球狀粒子者，則可選擇任意材料。該黏合劑樹脂為例如使硬化性樹脂組成物藉由紫外線或電子束硬化者。硬化性樹脂組成物較好包含季戊四醇或二季戊四醇等之多官能丙烯酸酯聚合物、對丙烯酸縮水甘油酯系聚合物加成反應丙烯酸之聚合物及聚合起始劑。
〔光學調整層〕
如圖2所示，透明導電性膜於第1硬化樹脂層11與透明導電層13之間可進而含有1層以上之光學調整層16。光學調整層係用以使透明導電性膜之透過率上升，或於透明導電層13經圖型化時，用於減低留有圖型之圖型部與未留有圖型之開口部之間之透過率差或反射率差，用以獲得視認性優異之透明導電性膜。
光學調整層係藉由無機物、有機物或無機物與有機物之混合物所形成。形成光學調整層之材料舉例為NaF、Na3AlF6、LiF、MgF2、CaF2、SiO2、LaF3、CeF3、Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、ZnS、SiOx(x為1.5以上且未達2)等之無機物，或丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物等之有機物。尤其，作為有機物，較好使用三聚氰胺樹脂與醇酸樹脂與有機矽烷縮合物之混合物所成之熱硬化型樹脂。光學調整層可使用上述材料，藉由凹版塗佈法或棒塗佈法等之塗佈法、真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法等形成。
光學調整層之厚度較好為10nm~200nm，更好為20nm~150nm，又更好為20nm~130nm。光學調整層厚度過小時，難以成為連續被膜。且，光學調整層厚度過大時，有透明導電性膜之透明性降低，光學調整層易產生龜裂之傾向。
光學調整層亦可含有平均粒徑為1nm~500nm之奈米微粒子。光學調整層中之奈米微粒子含量較好為 0.1重量%~90重量%。光學調整層中所用之奈米微粒子之平均粒徑較好為如上述之1nm~500nm之範圍，更好為5nm~300nm。且光學調整層中之奈米微粒子之含量更好為10重量%~80重量%，又更好為20重量%~70重量%。藉由於光學調整層中含有奈米微粒子，可容易進行光學調整層本身之折射率調整。
作為形成奈米微粒子之無機氧化物舉例為例如氧化矽(silica)、中空奈米氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮等之微粒子。該等中，較好為氧化矽(silica)、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮等之微粒子。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
〔聚環烯烴膜〕
支持金屬配線層之膜基材的聚環烯烴膜可為單層亦可為多層。聚環烯烴膜厚度，基於透明性或處理性之觀點，較好為20μm~200μm。
聚環烯烴膜於形成金屬配線層之兩面上具有複數突起。藉由於聚環烯烴表面設有複數突起，可對聚環烯烴膜賦予平滑性或耐磨耗性，於連續成膜金屬配線層時，可維持高的品質同時提高其成膜速度且提高生產性。
突起於聚環烯烴膜之形成金屬配線層之側的表面的俯視中，其外徑D較好超過0且3μm以下，較好為0.1μm~2μm。突起外徑可藉由例如以特地倍率圖像觀察 聚環烯烴膜之形成金屬配線層之側的表面而測定。外徑D為3μm以下時，可確實防止聚環烯烴膜之表面與突起表面之交界部附近之金屬配線斷線。
突起高度以聚環烯烴膜之平坦面為基準，較好為超過0且3μm以下，更好為0.1μm~2μm。
突起形狀於本實施形態中略為蛋型，聚環烯烴膜之面方向剖面為略圓形，厚度方向剖面為略半圓形。惟，本發明中之突起若為可對聚環烯烴膜賦予平滑性或耐磨耗性且可連續且以快速速度成膜高品質之金屬配線層者，則亦可為蛋型以外之其他形狀。
於聚環烯烴膜上設置突起之手段，舉例為於該聚環烯烴膜之內部分散滑劑之方法，於膜表面塗佈分散有複數粒子之黏合劑(binder)之方法等。
聚環烯烴膜可由例如日本ZEON股份有限公司等獲得。
(金屬配線層)
金屬配線層係為了賦予透光性而形成為例如網眼狀之圖型者。上述金屬配線層之網眼狀圖型並未特別限制，可為例如正方形格子、梳形格子、或多邊形格子。
形成上述金屬配線層之材料若為具有導電性者則未限制，較好為銀、銅或該等之合金，更好為銅。
上述金屬配線層之線寬為超過5μm且未達8μm，較好為超過5.5μm且7μm以下。若為此線寬範圍， 則可防止起因於膜基材之突起之斷線。線寬為5μm以下時，雖金屬配線層之網眼狀圖型難以視認，但因膜基材之突起，金屬配線之斷線頻度高，若大量生產時品質及信賴性降低。另一方面，線寬為8μm以上時，金屬配線層之網眼狀圖型顯著被視認。
金屬配線層厚度為0.1μm以上且未達0.5μm，較好超過0.1μm且0.4μm以下，進而較好為0.15μm~0.35μm。金屬配線層藉由使其厚度薄於例如2μm，可更進一步防止網眼狀圖型被視認。如此構成對於觸控感測器，於自斜方向入射外光時，金屬配線層之側面不發出光輝而難以視認。
金屬配線層具有扁平形狀之特徵，線寬對於厚度之比率(線寬/厚度)較好為10以上且未達80，進而較佳為15~50。滿足此等關係之處控感測器生產性優異，不產生金屬配線之斷線，且金屬配線層之網眼狀圖型難以被視認。
金屬配線層之剖面積，為了獲得觸控面板感測器必要之導電性，較好為0.5μm2~4μm2，更好為0.5μm2~3.2μm2，特佳為0.5μm2~2.5μm2。
金屬配線層之間距間隔，為了獲得充分之透光性，較好為200μm~800μm，更好為350μm~650μm。金屬配線層之開口率較好為95%~99%，更好為96%~99%。
作為形成上述金屬配線層之方法係使用例如於膜基材表面全體上成膜金屬層後，於金屬層上層合特定 之抗蝕劑圖型(resist pattern)，藉由蝕刻，以形成網眼狀之金屬配線層之方式，去除不需要區域之金屬層後，剝離抗蝕劑之方法。上述金屬層可藉由例如濺鍍(spattering)法、鍍敷(plating)法或該等之組合而成膜。
〔有機EL顯示裝置〕
本發明之有機EL顯示裝置包含上述光學單元與有機EL顯示面板，光學單元對於有機EL顯示面板配置於視認側，光學單元係配置為透明導電性膜位於偏光膜與有機EL顯示面板之間。
雖為任意，但可對於有機EL顯示裝置用層合體於視認側配置視窗。
圖4係顯示本發明之有機EL顯示裝置之一實施形態之剖面圖。該有機EL顯示裝置100包含光學單元110與有機EL顯示面板101。且光學單元110對於有機EL顯示面板101配置於視認側。
雖為任意，但可對於光學單元110於視認側配置透明視窗102。
光學單元110包含透明導電性膜116、偏光膜121及相位差膜123。
偏光膜121對於相位差膜123配置於與透明導電性膜116相反側。且該情況，偏光膜121與相位差膜123構成偏光功能層合體120。偏光功能層合體120係用 以防止自偏光膜121之視認側入射至內部之光於內部反射並射出於視認側，而生成圓偏光，且用以補償視角者。
雖為任意，但於偏光膜121之單面或兩面可接著保護膜。
光學單元110係配置為透明導電性膜116位於偏光膜121與有機EL顯示面板101之間。
透明導電性膜116包含聚環烯烴膜115與透明導電層112。
聚環烯烴膜115之慢軸角度偏差在4°之角度範圍內，於23℃下以波長550nm之光測定之前述聚環烯烴膜115之面內相位差為3~8nm之範圍內，其偏差在1.5nm之範圍內。相位差膜123之面內相位差抵消聚環烯烴膜115之面內相位差，而使相位差膜123與導電性膜116之全體面內相位差成為期望值。
本實施形態中，相位差膜123之面內相位差抵消聚環烯烴膜115之幾乎無偏差而大致一定之3~8nm之範圍內之面內相位差，使相位差膜123與透明導電性膜116之全體面內相位差成為約1/4波長，故成為反射色相良好者。
雖為任意，但相位差膜123包含1/4波長相位差膜，上述期望值為約1/4波長。
雖為任意，但相位差膜123自透明導電性膜116側起包含視角補償用相位差膜與1/4波長相位差膜，上述期望值為約1/4波長。
雖為任意，但上述1/4波長相位差膜之慢軸方向相對於聚環烯烴膜115之慢軸方向在±3°之範圍內。藉由此構成，可容易進行聚環烯烴膜115之面內相位差之藉由相位差膜123抵消，並且可減低自光學單元之偏光膜側之表面入射之光之反射率。
雖為任意，但上述1/4波長相位差膜之慢軸方向相對於聚環烯烴膜115之慢軸方向在90°±3°之範圍內。因此，可容易進行聚環烯烴膜115之面內相位差之藉由相位差膜123抵消，並且可減低自光學單元之偏光膜側之表面入射之光之反射率。
〔實施例〕
使用以下實施例進而說明本發明之包含聚環烯烴與透明導電層之透明導電性膜及其製造方法、含此透明導電性膜之層合體之捲體、含此透明導電性膜之光學單元及其製造方法、含此光學單元之有機EL顯示裝置。又，本發明之包含聚環烯烴與透明導電層之透明導電性膜及其製造方法、含此透明導電性膜之層合體之捲體、含此透明導電性膜之光學單元及其製造方法、含此光學單元之有機EL顯示裝置並不限定於該等實施例。
〔實施例A1〕 〔透明導電性膜〕 (硬化樹脂層之形成)
準備包含紫外線硬化性樹脂組成物(DIC公司製，商品名「UNIDIC(註冊商標)RS29-120」)100重量份、最頻粒徑為1.9μm之丙烯酸系球狀粒子(綜研化學公司製，商品名「MX-180TA」)0.002重量份之內含球狀粒子之硬化性樹脂組成物。所準備之內含球狀粒子之硬化性樹脂組成物塗佈厚為50μm、寬1550mm之長條狀聚環烯烴膜(日本ZEON製，商品名「ZEONOR(註冊商標)」)之一面上，形成塗佈層。
其次，自形成塗佈層之側對塗佈層照射紫外線，形成厚度如1.0μm之第2硬化樹脂層。於聚環烯烴膜之另一面上，除不含球狀粒子以外以與上述同樣之方法，形成厚度如1.0μm之第1硬化樹脂層。
進而，於第1硬化樹脂層上，形成作為光學調整層之由平均粒徑為30nm之氧化鋯粒子與丙烯酸系樹脂之黏合劑構成之有機無機混成樹脂(JSR公司製，商品名：OPSTAR Z7412(註冊商標)，固體成分：20%，溶劑：80%)，作成基材層合體，捲成捲體狀製作基材層合體之捲體。
(加熱捲收處理)
其次，以輥對輥方式，將自所得基材層合體之捲體抽出之基材層合體投入空氣循環式烘箱，以捲取捲體進行捲取並同時以150℃實施3分鐘之加熱捲收處理，捲成捲體狀，製作經加熱捲收處理之基材層合體之捲體。
(透明導電層之形成)
其次，將自所得之經加熱捲收處理之基材層合體之捲體抽出之基材層合體投入捲取式濺鍍裝置，於第1硬化樹脂層表面形成厚度為27nm之非晶質銦錫氧化物層。隨後，將形成該銦錫氧化物之非晶質層之聚環烯烴膜以輥對輥方式投入空氣循環式烘箱中，於130℃進行90分鐘之加熱處理，將透明導電層自非晶質轉化成結晶質，形成透明導電層之表面電阻值為100Ω/□之透明導電性膜，製作捲成捲體狀之透明導電性膜之捲體。
〔相位差膜〕
使用具備攪拌翼及控制於100℃之回流冷卻器之縱型反應器2台所成之批式聚合裝置進行聚合。饋入9,9-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀(BHEPF)、異山梨糖酐(Isosorbide)(ISB)、二乙二醇(DEG)、碳酸二苯酯(DPC)及乙酸鎂4水合物以莫耳比率為BHEPF/ISB/DEG/DPC/乙酸鎂=0.438/0.537/0.025/1.005/1.00×10-5饋入。將反應器內充分進行氮氣置換後(氧濃度0.0005~0.001vol%)，以熱媒進行加溫，於內溫成為100℃之時點開始攪拌。升溫開始40分鐘後，內溫到達220℃，控制為保持該溫度並同時開始減壓，到達220℃後以90分鐘成為13.3kPa。聚合反應同時副生之酚蒸氣導入100℃之回流冷卻器，使酚蒸氣中含若干量之單體成分返 回至反應器，將未凝縮之酚蒸氣導入45℃之凝縮器而回收。
於第1反應器中導入氮氣，暫時復壓至大氣壓後，將第1反應器內之寡聚化之反應液移至第2反應器。其次，開始第2反應器內之升溫及減壓，以50分鐘設為內溫240℃、壓力0.2kPa。隨後，進行聚合直至成為特定攪拌動力。於到達特定動力之時點於反應器內導入氮氣而復壓，以線股形態抽出反應液，以旋轉式切割器進行顆粒化，獲得BHEPF/ISB/DEG=43.8/53.7/2.5[mol%]之共聚合組成之聚碳酸酯樹脂A。該聚碳酸酯樹脂之對比黏度(reduced viscosity)為0.430dL/g、玻璃轉移溫度為145℃。
所得聚碳酸酯樹脂在80℃真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠出機(ISUZU化工機公司製，螺桿徑25mm，螺桿設定溫度：240℃)、T模嘴(寬900mm，設定溫度：240℃)、冷卻輥(設定溫度：120~130℃)及捲取機之膜製膜裝置，製作厚150μm之聚碳酸酯樹脂膜。
自如上述所得之聚碳酸酯樹脂膜切出寬250mm、長250mm之試料。接著將該試料以批式雙軸延伸裝置(BRUCKNER公司製，商品名「KARO-IV」)，以延伸溫度145.6℃、延伸倍率2.4倍進行固定端單軸延伸，製作厚70μm之相位差膜。
〔偏光膜〕
將長條狀聚乙烯醇膜於下述[1]~[5]之5浴中通過周速不同之複數組輥間，依序對薄膜長度方向賦予張力並且浸漬，以最終延伸倍率對於膜原長為6.0倍之方式進行延伸。該膜以50℃烘箱乾燥4分鐘，獲得厚12μm之偏光膜。
〔1〕膨潤浴：30℃純水
〔2〕染色浴：對於水100重量份，碘濃度設為0.02~0.2重量%之範圍內，碘化鉀濃度設為0.14~1.4重量%之範圍內。碘與碘化鉀之濃度比為1比7。於含該等之30℃水溶液中浸漬任意時間以使最終偏光膜之單體透過率為41~47%。
〔3〕第1交聯浴：含3重量%之碘化鉀與3重量%硼酸之40℃水溶液。
〔4〕第2交聯浴：含5重量%之碘化鉀與4重量%硼酸之60℃水溶液。
〔5〕洗淨浴：含3重量%碘化鉀之25℃水溶液。
〔偏光功能層合體〕
準備對經硬塗層處理之三乙醯纖維素製之保護膜(KONICA MINOLTA公司製，商品名「KC2UA」，厚25μm)進行硬塗層處理之膜、未經表面處理之三乙醯纖維素製之保護膜(KONICA MINOLTA公司製，商品名「KC2UA」，厚25μm)。將如上述所得之偏光膜、相位差膜分別切出150mm×300mm。相位差膜切出為慢軸對於 短邊或長邊呈45°之角度。接著於偏光膜之兩面上分別透過聚乙烯醇系接著劑貼合上述2片保護膜。進而於偏光膜兩面上貼附保護膜之層合體之未進行表面處理之保護膜側，以使相位差膜之慢軸與偏光膜之吸收軸呈45°之角度之方式，透過丙烯酸系黏著劑層貼合相位差膜。其次，將製作之偏光功能層合體修整為70mm×120mm大小，製作作為圓偏光板發揮功能之偏光功能層合體。
〔光學單元〕
自如上述所得之長條狀透明導電性膜切出70mm×120mm大小之透明導電性膜。此時，以使透明導電性膜之中心點與長條狀透明導電性膜之寬度方向中央大致一致且長度方向平行於MD方向之方式，切出透明導電性膜。切出之透明導電性膜之透明導電層側之面與如上述所得之偏光功能層合體之相位差膜側之面，以使相位差膜之慢軸方向與透明導電性膜之MD方向平行之方式，透過丙烯酸系黏著劑層貼合，製作光學單元。
對所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元進行如以下之各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A2〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電 性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A3〕
除了將加熱捲收處理之溫度設為140℃之方面，及為了獲得面內相位差不同之相位差膜而將相位差膜之延伸溫度設為145.4℃以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A4〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與實施例A3同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A5〕
除了將加熱捲收處理之溫度設為145℃之方面，及為 了獲得面內相位差不同之相位差膜而將相位差膜之延伸溫度設為145.4℃以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A6〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與實施例A5同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A7〕
除了將加熱捲收處理之溫度設為155℃之方面以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A8〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電 性膜之方面以外，與實施例A7同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A9〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約100mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A10〕
除了於光學單元之製作中，將相位差膜之慢軸方向與透明導電性膜之MD方向成為3°之角度，貼合透明導電性膜與偏光功能層合體之方面以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A11〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電 性膜之方面以外，與實施例A10同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A12〕
除了於光學單元之製作中，將相位差膜之慢軸方向與透明導電性膜之MD方向成為90°之角度，貼合透明導電性膜與偏光功能層合體之方面，及為了獲得面內相位差不同之相位差膜而將相位差膜之延伸溫度設為146.1℃以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例A13〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與實施例A12同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例B1〕
除了透明導電性膜之製造所用之長條狀聚環烯烴膜係使用與實施例A1之批次不同者之方面，及為了獲得面內相位差不同之相位差膜而將相位差膜之延伸溫度設為146.1℃以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例B2〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與實施例B1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例B3〕
除了加熱捲收處理之溫度設為140℃以外，與實施例B1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例B4〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電 性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與實施例B3同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔實施例C〕
除了基材層合體之製造所用之長條狀聚環烯烴膜係使用與實施例A1及B1之批次不同者之方面以外，與實施例A1同樣之條件製造基材層合體及進行加熱捲收處理，如以下進行加熱捲收處理前後之各種評價。經加熱捲收處理前後之基材層合體之特性示於圖5、6。
〔比較例A1〕
除了未進行加熱捲收處理之方面，及將相位差膜之延伸溫度設為145.0℃之方面以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作透明導電性膜、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例A2〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與比較例A1同樣之條件製造及製作基 材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例A3〕
除了加熱捲收處理之溫度設為130℃以外，與比較例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例A4〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與比較例A3同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例A5〕
除了於光學單元之製作中，將相位差膜之慢軸方向與透明導電性膜之MD方向成為5°之角度，貼合透明導電性膜與偏光功能層合體之方面以外，與實施例A1同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、 相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例A6〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與比較例A5同樣之條件製造及製作基材層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例B1〕
除了未進行加熱捲收處理之方面，及將相位差膜之延伸溫度設為145.0℃之方面以外，與實施例B1同樣之條件製造及製作透明導電性膜、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例B2〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與比較例B1同樣之條件製造及製作功能層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例B3〕
除了加熱捲收處理以與實施例B1、B2同樣於150℃進行之方面以外，與比較例B1同樣之條件製造及製作功能層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例B4〕
除了加熱捲收處理溫度設為130℃之方面以外，與比較例B1~B4同樣之條件製造及製作功能層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例B5〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與比較例B4同樣之條件製造及製作功能層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例B6〕
除了加熱捲收處理溫度設為165℃之方面，且為了獲得面內相位差不同之相位差膜而將相位差膜之延伸溫度設為146.4℃以外，與比較例B1同樣之條件製造及製作功能層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之經加熱捲收處理後之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
〔比較例B7〕
除了將透明導電性膜之中心點成為距長條狀透明導電性膜之寬度方向端為約50mm之位置之方式切出透明導電性膜之方面以外，與比較例B6同樣之條件製造及製作功能層合體、相位差膜、光學單元，如以下進行各種評價。所得之基材層合體、相位差膜、光學單元之特性示於表1。
Figure 105115174-A0202-12-0049-1
Figure 105115174-A0202-12-0050-2
〔評價〕 (厚度測定)
使用針盤量規(MITUTOYO製)測定偏光膜、相位差膜、保護膜之厚度。
(面內相位差及慢軸之方向測定)
使用[Axometrics公司製，製品名「AxoScan」]於23℃之室內測定基材層合體之面內相位差及慢軸方向、以及相位差膜之面內相位差。此處，所得基材層合體之面內相位差及慢軸方向之測定中，由於基材層合體中之第1及第2硬化樹脂層及光學調整層之影響可忽視，故所測定之基材層合體之面內相位差及慢軸方向可視為聚環烯烴膜之面內相位差及慢軸方向。針對實施例A1~A4、B1~B2、比較例A1~A4、B1~B3之基材層合體，自所得之長條狀基材層合體切出70mm×120mm之大小，此時，以使切出之基材層合體之中心點成為距長條狀基材層合體之寬度方向之中央或端為約50mm之位置且長度方向平行於MD方向之方式切出而製作樣品。接著，測定基材層合體之慢軸方向對於樣品之長度方向亦即MD方向之角度。且，針對實施例C之基材層合體，係針對所得之加熱捲收處理前之基材層合體之捲體之基材層合體與所得之經加熱捲收處理之基材層合體之捲體之基材層合體，並未切出而直接以距寬度方向之端為50mm間隔測定面內相位差及慢軸方向。
(光學單元之反射率及色相之測定)
使用丙烯酸系黏著劑(厚度23μm)於所得光學單元之透明導電性膜側貼合於PET上蒸鍍鋁之反射板(TORAY FILM加工製，製品名「CERAPEEL DMS-X42」)作成測定樣品。光學單元之偏光膜側之表面中心點附近之反射率及反射色相(a*,b*)係使用分光測色計[KONICA MINOLTA SENSENING(股)製，製品名「CM-2600d」]於23℃室內測定反射分光光譜。光源係使用D65時之值，以SCI(Specular Component Included)方式(包含正反射光)測定。
測定結果示於表1。且，遍及實施例C之聚環烯烴膜之寬度方向之加熱捲收處理前後之慢軸方向之變化及相位差變化示於圖5、6。此處，如上述，所得基材層合體之面內相位差及慢軸方向之測定中，由於基材層合體中之第1及第2硬化樹脂層及光學調整層之影響可忽視，故所測定之基材層合體之面內相位差及慢軸方向可視為聚環烯烴膜之面內相位差及慢軸方向。又實施例A1~A13及比較例A1~A6、實施例B1~B4及比較例B1~B7之反射色相之測定結果示於圖7(a)、(b)。圖7(a)、(b)中，將比較例所用之相位差膜單體之反射色相(a*,b*)=(-0.59,-2.15)顯示為目標值。且實施例A10及A11、比較例A5及A6之反射率測定結果示於圖8。
(評價)
由圖5可了解如下。加熱捲收處理前之聚環烯烴膜之寬度方向中隨著自中央部朝向端部，面內相位差變大。面內相位差之最小值為1.30nm，最大值為2.86nm。相對於此，加熱捲收處理後之聚環烯烴膜，面內相位差之最小值為3.99nm，最大值為5.11nm，隨著朝寬度方向，面內相位差之值變大，但面內相位差之偏差自加熱捲收處理前之1.55nm抑制至1.12nm。
且，加熱捲收處理前之聚環烯烴膜之寬度方向中於中央部慢軸方向係與MD方向平行，但隨著於寬度方向中自中央部朝向端部，慢軸方向對於MD方向之偏差變大。慢軸方向對於MD方向，為-7.27~+7.08°之角度範圍，大幅超過±2°之角度範圍。相對於此，加熱捲收處理後之聚環烯烴膜，慢軸方向對於MD方向，為-1.26~+0.67°之角度範圍，且對於MD方向於±1.5°之角度範圍內。亦即，藉由加熱捲收處理，聚環烯烴膜之慢軸方向於MD方向一致，可抑制慢軸方向之偏差。
由表1可了解如下。實施例A1~A9及B1~B4中，聚環烯烴膜之慢軸方向對於透明導電性膜之MD方向於±2°之範圍內，大致與MD方向一致，但切取端部之比較例A2、A4、B2、B5中，聚環烯烴膜之慢軸方向相對於透明導電性膜之MD方向為2.7°以上，超過±2°。亦即各實施例之聚環烯烴膜中，慢軸方向於MD方向一致，可抑制 慢軸方向之偏差。
且，實施例A2、A4、A6、A8及比較例A4、實施例B2、B4及比較例B5中，加熱捲收處理溫度隨著接近聚環烯烴膜之玻璃轉移溫度(Tg)之165℃，慢軸方向更接近MD方向，可知慢軸方向之偏差受抑制。
又，比較例B6、B7中，聚環烯烴膜之面內相位差為9.5nm以上。亦即，加熱捲收處理溫度若為聚環烯烴膜之Tg之165℃，則聚環烯烴膜之面內相位差超過8nm。
因此，加熱捲收處理溫度於實施例A1~A9及B1~B4中為140~155℃，比較例A4、B5中為130℃，比較例B6、B7為165℃，故加熱捲收處理溫度較好為140~160℃，更好為145~155℃，又更好為148~153℃。
又，實施例A1~A9、B1~B4之聚環烯烴膜之面內相位差與未經熱捲收處理之長條狀聚環烯烴膜之比較例A1~A4、B1~B2之面內相位差相比變大，但實施例A1、A2及A9、實施例A3及A4、實施例A5及A6、實施例A7及A8、實施例B1及B2、實施例B3及B4各者中，長條狀聚環烯烴膜之面內相位差偏差在1nm之範圍內，且不隨聚環烯烴膜內之位置而異，而面內相位差大致為一定。
且如圖7(a)、(b)所了解，實施例A1~A9、A12~A13、B1~B4之反射色相接近目標值之反射色相，實施例A2、A4及A9、實施例B2之反射色相與比 較例A2及A4、比較例B2、B5及B7之反射色相相比，接近目標值之反射色相。且，實施例B1~B4之反射色相與比較例B3之反射色相相比，更接近目標值之反射色相。
亦即，各實施例之光學單元中，藉由加熱捲收處理使聚環烯烴膜之面內相位差變大，但聚環烯烴膜之慢軸方向於MD方向一致，且面內相位差不隨聚環烯烴膜內之位置而異，而大致一定。且，相位差膜之面內相位差抵消聚環烯烴膜之幾乎無偏差且大致一定之面內相位差，使相位差膜與透明導電性膜之全體之面內相位差成為約1/4波長，故成為光學單元之反射色相良好者。
且若考慮光自空氣入射至偏光膜而本身於偏光膜表面產生反射率約5%之反射時，如圖8所了解，相位差膜之慢軸方向相對於透明導電性膜之MD方向為3°(相位差膜之慢軸方向相對於聚環烯烴膜之慢軸為3°、3.5°)之實施例A10、A11之光學單元之反射率，與相位差膜之慢軸方向相對於透明導電性膜之MD方向為5°(相位差膜之慢軸方向相對於聚環烯烴膜之慢軸為5°、5.5°)之比較例A5、A6之反射率，可知大幅減小。相位差膜之慢軸方向相對於透明導電性膜之MD方向為0°或90°之實施例A1~A9、A12~A13、B1~B4之反射率比實施例A10、A11小，故各實施例之光學單元中，可抑制反射率。
以上，針對特定實施形態並參考圖式對本發明加以說明，但本發明除了圖式說明之構成以外，可有多 種變化。因此，本發明不限定於圖式說明之構成，其範圍應僅由隨附之申請專利範圍及其均等範圍決定。

Claims (13)

  1. 一種光學單元，其含有含聚環烯烴膜與透明導電層之透明導電性膜，相位差膜，前述聚環烯烴膜之慢軸方向之偏差在4°之角度範圍內，於23℃下以波長550nm之光測定之前述聚環烯烴膜之面內相位差為3~8nm之範圍內，其偏差為1.5nm之範圍內，前述相位差膜之面內相位差抵消前述聚環烯烴膜之面內相位差，而使前述相位差膜與前述導電性膜之全體的面內相位差成為期望值。
  2. 如請求項1之光學單元，其中前述相位差膜包含1/4波長相位差膜，前述期望值為約1/4波長。
  3. 如請求項1之光學單元，其中前述相位差膜自前述透明導電性膜側起依序包含視角補償用相位差膜與1/4波長相位差膜，前述期望值為約1/4波長。
  4. 如請求項2或3之光學單元，其中前述1/4波長相位差膜之慢軸方向相對於前述聚環烯烴膜之慢軸方向在0°±3°之範圍內。
  5. 如請求項2或3之光學單元，其中前述1/4波長相位差膜之慢軸方向相對於前述聚環烯烴膜之慢軸方向在90°±3°之範圍內。
  6. 如請求項1之光學單元，其中前述透明導電膜係 由銦錫氧化物(ITO)形成。
  7. 如請求項1之光學單元，其中前述光學單元進而包含偏光功能層合體，前述偏光功能層合體包含偏光膜與前述相位差膜，前述相位差膜配置於前述透明導電性膜之前述透明導電層側，前述偏光膜對於前述相位差膜配置於與前述透明導電性膜相反側。
  8. 如請求項7之光學單元，其中前述偏光功能層合體具有生成圓偏光之功能。
  9. 一種有機EL顯示裝置，其含有如請求項8之光學單元，與有機EL顯示面板，前述光學單元對於前述有機EL顯示面板配置於視認側，前述光學單元係配置為前述透明導電性膜位於前述偏光膜與前述有機EL顯示面板之間。
  10. 一種透明導電性膜之製造方法，其包含下述步驟：自使聚環烯烴膜之長條體捲成捲體狀之聚環烯烴膜的捲體抽出前述聚環烯烴膜之步驟，將抽出之前述環烯烴膜以捲取捲體進行捲取並同時以加熱溫度140~160℃進行加熱捲收處理之步驟，於經加熱捲收處理之前述聚環烯烴膜上成膜透明導電 層，生成透明導電性膜之步驟。
  11. 如請求項10之透明導電性膜之製造方法，其中前述加熱溫度為145~155℃。
  12. 如請求項10之透明導電性膜之製造方法，其中前述加熱溫度為148~153℃。
  13. 一種光學單元之製造方法，其係製造如請求項7之光學單元之方法，且係將前述偏光功能層合體與藉由如請求項10~12中任一項之製造方法製造之透明導電性膜貼合，而生成前述光學單元。
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