TWI719865B - 畫素結構 - Google Patents

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Abstract

一種畫素結構，包括基板、第一主動元件、觸控訊號線、透明導電層以及透明電極層。第一主動元件與觸控訊號線位於基板上。透明導電層包括第一電極以及橋接電極。第一電極電性連接至第一主動元件。第一電極具有多個狹縫。橋接電極重疊於觸控訊號線。透明電極層至少部分重疊於第一電極。觸控訊號線透過橋接電極而電性連接透明電極層。

Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種包括透明導電層的畫素結構。
隨著科技的進展，觸控裝置在市面上的出現率逐漸增加，且各種有關的技術也層出不窮。在一些電子裝置中，如：手機、平板電腦、智慧型手錶等，時常會將觸控裝置與顯示面板結合在一起，以提高電子裝置於使用上的便利性。
在傳統的顯示裝置中，會於顯示面板的表面額外貼上一層具有觸控功能的觸控基板，使顯示裝置同時具有觸控及顯示的功能。舉例來說，顯示面板與觸控基板之間會利用黏著層來貼合。然而，用這種方式製造之顯示裝置具有較厚的模組，且整體模組機構強度較差。
為了降低顯示裝置的厚度，一些顯示裝置的觸控電極會設置於顯示面板內部。然而，這種顯示面板的製造流程包括了多道光罩製程，使製造難度跟製造成本都明顯提升。
本發明提供一種畫素結構，能減少製程中的所需的光罩數目。
本發明提供一種畫素結構的製造方法，能減少製程中的所需的光罩數目。
本發明的至少一實施例提供一種畫素結構。畫素結構包括基板、第一主動元件、觸控訊號線、透明導電層以及透明電極層。第一主動元件與觸控訊號線位於基板上。透明導電層包括第一電極以及橋接電極。第一電極電性連接至第一主動元件。第一電極具有多個狹縫。橋接電極重疊於觸控訊號線。透明電極層至少部分重疊於第一電極。觸控訊號線透過橋接電極而電性連接透明電極層。
本發明的至少一實施例提供一種畫素結構。畫素結構包括基板、第一主動元件、第二主動元件、第三主動元件、觸控訊號線、透明導電層以及透明電極層。第一主動元件、第二主動元件、第三主動元件以及觸控訊號線位於基板上。透明導電層包括第一電極以及三個橋接電極。第一電極具有多個狹縫。第一電極電性連接觸控訊號線。橋接電極重疊於觸控訊號線。透明電極層包括三個第二電極。第二電極至少部分重疊於第一電極。三個第二電極分別電性連接至第一主動元件、第二主動元件以及第三主動元件。各第二電極包括第一部分以及透過對應之橋接電極所連接之第二部分。觸控訊號線位於第一部分以及第二部分之間。
本發明的至少一實施例提供一種畫素結構的製造方法，包括：形成第一主動元件以及觸控訊號線於基板上；形成第一介電層於第一主動元件以及觸控訊號線上；形成透明電極層於第一介電層上；形成第二介電層於透明電極層上；進行圖案化製程以形成貫穿第一介電層與第二介電層的第一開口、貫穿第二介電層的第二開口以及貫穿第一介電層與第二介電層的第三開口；形成透明導電層於第二介電層上。透明導電層包括橋接電極以及具有多個狹縫第一電極。橋接電極透過第一開口以及第二開口而分別電性連接至觸控訊號線以及透明電極層。第一電極透過第三開口而電性連接至第一主動元件的汲極。
本發明的至少一實施例提供一種畫素結構的製造方法，包括：形成第一主動元件、第二主動元件、第三主動元件以及觸控訊號線於基板上；形成透明電極層於基板上；形成介電層於第一主動元件、第二主動元件、第三主動元件、觸控訊號線以及透明電極層上；進行圖案化製程以形成貫穿介電層的三個第一開口、三個第二開口以及第三開口；形成透明導電層於該介電層上。透明電極層包括三個第二電極。第二電極分別電性連接至第一主動元件、第二主動元件以及第三主動元件。各第二電極包括第一部分以及第二部分。觸控訊號線位於第一部分以及第二部分之間。透明導電層包括重疊於觸控訊號線的三個橋接電極以及具有多個狹縫第一電極。橋接電極透過第一開口而分別電性連接至第一部分。橋接電極透過第二開口而分別電性連接至第二部分。第一電極透過第三開口而電性連接至觸控訊號線。
應當理解，儘管術語「第一」與「第二」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。
請參考圖1A，畫素結構10包括基板100、第一主動元件T1、觸控訊號線TP、透明導電層110以及透明電極層120。在本實施例中，畫素結構10還包括第二主動元件T2、第三主動元件T3、三條掃描線SL以及二條資料線DL。掃描線SL沿著方向E1延伸，資料線DL以及觸控訊號線TP沿著方向E2延伸。
第一主動元件T1、第二主動元件T2、第三主動元件T3、掃描線SL、資料線DL與觸控訊號線TP位於基板100上。觸控訊號線TP位於兩條資料線DL之間。在一些實施例中，觸控訊號線TP與相鄰兩條資料線DL之間的距離大約相等。換句話說，觸控訊號線TP不會與其中一條資料線DL靠的太近，因此，能避免觸控訊號線TP干擾資料線DL的訊號。
第一主動元件T1包括第一閘極G1、第一半導體層CH1、第一源極S1以及第一汲極D1。第二主動元件T2包括第二閘極G2、第二半導體層CH2、第二源極S2以及第二汲極D2。第三主動元件T3包括第三閘極G3、第三半導體層CH3、第三源極S3以及第三汲極D3。在本實施例中，第一主動元件T1、第二主動元件T2以及第三主動元件T3是以底部閘極型薄膜電晶體為例，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一主動元件T1、第二主動元件T2以及第三主動元件T3是頂部閘極型薄膜電晶體。
第一閘極G1、第二閘極G2以及第三閘極G3分別電性連接至三條掃描線SL。第一半導體層CH1、第二半導體層CH2以及第三半導體層CH3在垂直基板100的方向上分別重疊於第一閘極G1、第二閘極G2以及第三閘極G3。
第一源極S1、第二源極S2以及第三源極S3分別電性連接至第一半導體層CH1、第二半導體層CH2以及第三半導體層CH3。第一源極S1、第二源極S2以及第三源極S3中的兩者電性連接至兩條資料線DL中的一者，且第一源極S1、第二源極S2以及第三源極S3中的另一者電性連接至兩條資料線DL中的另一者。在本實施例中，第一源極S1與第三源極S3電性連接至相同條資料線DL，而第二源極S2電性連接至另一條資料線DL。
第一汲極D1、第二汲極D2以及第三汲極D3分別電性連接至第一半導體層CH1、第二半導體層CH2以及第三半導體層CH3。
透明導電層110包括第一電極112a、112b、112c以及橋接電極114。第一電極112a、112b、112c分別電性連接至第一汲極D1、第二汲極D2以及第三汲極D3。在本實施例中，第一電極112a、112b、112c為畫素電極，且第一電極112a、112b、112c各自具有多個狹縫st。狹縫st的延伸方向實質上等於掃描線SL的延伸方向E1。各狹縫st具有轉折處FP，且狹縫st的轉折處FP在垂直基板100的方向上重疊於觸控訊號線TP。在一些實施例中，狹縫st的形狀包括V字形、W字形或其他具有轉折的形狀。
橋接電極114位於第一電極112a、112b、112c中相鄰的其中兩者之間。橋接電極114在垂直基板100的方向上重疊於觸控訊號線TP。
透明電極層120在垂直基板100的方向上至少部分重疊於第一電極112a、112b、112c。觸控訊號線TP透過橋接電極114而電性連接透明電極層120，且透明電極層120為觸控電極（或共用電極）。在本實施例中，橋接電極114在垂直基板100的方向上重疊於掃描線SL，藉此降低橋接電極114對畫素結構之開口率所造成的影響。在一些實施例中，畫素結構適用於自容式觸控感測裝置，且自容式觸控感測裝置中包含多個結構上互相分離的透明電極層120，但本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素結構適用於互容式觸控感測裝置。
在本實施例中，透明電極層120包括第一部分122、第二部分124以及連接部126，其中第一部分122與第二部分124之間具有間隙GP，且連接部126連接第一部分122與第二部分124。觸控訊號線TP在垂直基板100的方向上重疊於第一部分122與第二部分124之間的間隙GP，藉此降低觸控訊號線TP與透明電極層120之間的寄生電容。
藉由第一電極112a、112b、112c與透明電極層120之間的電場，可以控制第一電極112a、112b、112c上方之液晶分子（未繪出）的轉動方向。在本實施例中，狹縫st的轉折處FP會出現光線很難通過的液晶光學暗區，因此，將觸控訊號線TP設置於重疊這些轉折處FP的位置能減少觸控訊號線TP對畫素結構10之開口率的影響，使畫素結構10能維持較高的開口率。
圖1B是依照本發明的一實施例的一種彩色濾光元件的上視示意圖。
在本實施例中，畫素結構10更包括了基板200、紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、藍色濾光元件B以及黑矩陣BM。紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、藍色濾光元件B以及黑矩陣BM位於基板200上。黑矩陣BM位於紅色濾光元件R、綠色濾光元件G以及藍色濾光元件B之間。
紅色濾光元件R、綠色濾光元件G以及藍色濾光元件B在垂直基板100的方向上分別重疊於第一電極112a、112b、112c（繪於圖1A）。黑矩陣BM在垂直基板100的方向上重疊於掃描線SL、資料線DL、第一主動元件T1、第二主動元件T2以及第三主動元件T3。在本實施例中，觸控訊號線TP在垂直基板100的方向上重疊於紅色濾光元件R、綠色濾光元件G以及藍色濾光元件B。
圖2A至圖2F是依照本發明的一實施例的一種觸控裝置的製造方法的剖面示意圖，其中圖2A至圖2F對應了主動元件基板之用於外接其他裝置之接合區BA以及圖1A之線A-A’與線B-B’的位置。
請參考圖2A，形成第一主動元件T1以及觸控訊號線TP於基板100上。在本實施例中，製造方法更包括形成三條掃描線（圖2A省略繪出）、兩條資料線（圖2A省略繪出）、第二主動元件（圖2A省略繪出）以及第三主動元件（圖2A省略繪出）於基板100上。第一主動元件T1、第二主動元件、第三主動元件例如位於觸控裝置1的顯示區。
形成第一金屬層M1於基板100上，第一金屬層M1包括第一閘極G1、第二閘極、第三閘極、掃描線SL以及第一接墊P1。
形成絕緣層GI於第一金屬層M1以及基板100上。在本實施例中，絕緣層GI覆蓋第一閘極G1、第二閘極、第三閘極、掃描線SL以及第一接墊P1。
形成第一半導體層CH1、第二半導體層以及第三半導體層於絕緣層GI上。
形成第二金屬層M2於絕緣層GI上。第二金屬層M2包括第一源極S1、第一汲極D1、第二源極、第二汲極、第三源極、第三汲極、資料線、觸控訊號線TP以及第二接墊P2。第二接墊P2在垂直基板100的方向E3上部分重疊於第一接墊P1。
請參考圖2B，形成第一介電層I1於第二金屬層M2以及絕緣層GI上。在本實施例中，形成第一介電層I1於第一主動元件T1、第二主動元件、第三主動元件、觸控訊號線TP以及第二接墊P2上。在本實施例中，第一介電層I1的材料包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類（PET）、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料或上述之組合）或其它合適的材料或上述之組合。
請參考圖2C，形成透明電極層120於第一介電層I1上。在一些實施例中，形成透明電極層120的方法包括先形成透明導電材料（例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其它合適的導電材料）於第一介電層I1，接著再圖案化前述透明導電材料，以形成透明電極層120。
請參考圖2D，形成第二介電層I2於透明電極層120上。在本實施例中，第二介電層I2的材料包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類（PET）、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料或上述之組合）或其它合適的材料或上述之組合。
請參考圖2E，進行圖案化製程以形成貫穿第一介電層I1與第二介電層I2的第一開口O1、貫穿第二介電層I2的第二開口O2以及貫穿第一介電層I1與第二介電層I2的第三開口O3。在本實施例中，前述圖案化製程還形成貫穿第一介電層I1與第二介電層I2的第四開口O4以及貫穿絕緣層GI、第一介電層I1與第二介電層I2的第五開口O5。
第三開口O3在垂直基板100的方向E3上重疊於第一汲極D1，第一開口O1的位置對應於透明電極層120之第一部分122與透明電極層120之第二部分124之間的間隙GP，第二開口O2鄰近於第一開口O1，且第二開口O2在垂直基板100的方向E3上重疊於透明電極層120之第一部分122或第二部分124。第四開口O4在垂直基板100的方向E3上重疊於第二接墊P2，且第五開口O5在垂直基板100的方向E3上重疊於第一接墊P1。
在本實施例中，進行圖案化製程的方法例如包括微影蝕刻製程。在本實施例中，第一金屬層M1（包括第一接墊P1）、第二金屬層M2（包括第一汲極D1、第二汲極、第三汲極以及觸控訊號線TP）以及透明電極層120皆可作為蝕刻停止層，因此，能於同一道蝕刻製程中形成不同深度的開口。換句話說，不需要利用不同的光罩來形成不同深度的開口，藉此可以減少光罩的數目。
請參考圖1A、1B與圖2F，形成透明導電層110於第二介電層I2上。透明導電層110包括第一電極112a、112b、112c以及橋接電極114。
第一電極112a、112b、112c透過三個第三開口O3而分別電性連接至第一汲極D1、第二汲極D2以及第三汲極D3。橋接電極114透過第一開口O1以及第二開口O2而分別電性連接至觸控訊號線TP以及透明電極層120。
在本實施例中，透明導電層110還包括連接結構116。連接結構116透過第四開口O4以及第五開口O5而分別電性連接第二接墊P2以及第一接墊P1，以構成接合墊PA。接合墊PA位於觸控裝置1的周邊區。
紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、藍色濾光元件B以及黑矩陣BM形成於基板200上。將基板200與基板100對組，且液晶分子LC位於基板200與基板100之間。至此，畫素結構10大致完成，畫素結構10位於觸控裝置1的顯示區。
基於上述，僅需一次圖案化製程就可以形成用於使觸控訊號線電性連接透明電極層的第一開口與第二開口以及用於使透明導電層電性連接汲極的第三開口，藉此可以減少光罩的數目。
圖3是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖3，畫素結構20包括基板100、第一主動元件T1、第二主動元件T2、第三主動元件T3、三條掃描線SL、二條資料線DL、觸控訊號線TP、透明導電層110以及透明電極層120。
透明導電層110包括第一電極112以及橋接電極114a、114b、114c。在本實施例中，第一電極112電性連接觸控訊號線TP，且第一電極112為觸控電極（或共用電極），且第一電極112具有多個狹縫st。狹縫st的延伸方向實質上等於掃描線SL的延伸方向E1。各狹縫st具有轉折處FP。在一些實施例中，狹縫st的形狀包括V字形、W字形或其他具有轉折的形狀。
在一些實施例中，畫素結構適用於自容式觸控感測裝置，且自容式觸控感測裝置中包含多個結構上互相分離的透明導電層110，但本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素結構適用於互容式觸控感測裝置。
在本實施例中，第一電極112包括在垂直基板100的方向上重疊於掃描線SL的第一延伸部1121以及在垂直基板100的方向上重疊於資料線DL的第二延伸部1122。第二延伸部1122具有在垂直基板100的方向上重疊於第一主動元件T1、第二主動元件T2以及第三主動元件T3的開口，藉此降低第一電極112與主動元件之間的寄生電容。
橋接電極114a、114b、114c在垂直基板100的方向上重疊於觸控訊號線TP。在本實施例中，第一延伸部1121在重疊於觸控訊號線TP的位置設置有凹槽N，而橋接電極114a、114b、114c位於凹槽N中。在本實施例中，橋接電極114a、114b、114c在垂直基板100的方向上重疊於掃描線SL，藉此降低橋接電極114a、114b、114c對畫素結構之開口率所造成的影響。
透明電極層120包括第二電極122a、122b、122c。第二電極122a、122b、122c在垂直基板100的方向上至少部分重疊於第一電極112。第二電極122a、122b、122c分別電性連接至第一主動元件T1的第一汲極D1、第二主動元件T2的第二汲極D2以及第三主動元件T3的第三汲極D3，且第二電極122a、122b、122c為畫素電極。第二電極122a、122b、122c各自包括第一部分1221以及第二部分1222，其中第一部分1221透過對應之橋接電極114而連接第二部分1222。觸控訊號線TP位於第一部分1221以及第二部分1222之間。舉例來說，第一部分1221與第二部分1222之間具有間隙GP，而觸控訊號線TP在垂直基板100的方向上重疊於間隙GP。第一部分1221以及第二部分1222之間的間隙GP以及觸控訊號線TP在垂直基板100的方向上重疊於轉折處FP。
在本實施例中，狹縫st的轉折處FP會出現光線很難通過的液晶光學暗區，因此，將觸控訊號線TP設置於重疊這些轉折處FP的位置能減少觸控訊號線TP對畫素結構20之開口率的影響，使畫素結構20能維持較高的開口率。
在本實施例中，紅色濾光元件（請參考圖1B）、綠色濾光元件（請參考圖1B）以及藍色濾光元件（請參考圖1B）分別重疊於第二電極122a、122b、122c，且觸控訊號線TP在垂直基板100的方向上重疊於紅色濾光元件、綠色濾光元件以及藍色濾光元件。
圖4A至圖4E是依照本發明的一實施例的一種觸控裝置的製造方法的剖面示意圖，其中圖4A至圖4E對應了主動元件基板之用於外接其他裝置之接合區BA以及圖3之線A-A’、線B-B’與線C-C’的位置。在此必須說明的是，圖4A至圖4E的實施例沿用圖2A至圖2F的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖4A，形成第一主動元件T1以及觸控訊號線TP於基板100上。在本實施例中，製造方法更包括形成三條掃描線SL（圖2A僅顯示一條）、兩條資料線（圖2A省略繪出）、第二主動元件（圖2A省略繪出）以及第三主動元件（圖2A省略繪出）於基板100上。第一主動元件T1、第二主動元件、第三主動元件例如位於觸控裝置的顯示區。
第一接墊P1與第二接墊P2形成於觸控裝置的周邊區。
請參考圖4B，形成透明電極層120於基板100上。在本實施例中，第一半導體層CH1、第二半導體層、第三半導體、第二金屬層M2（包括第一汲極D1、第一源極S1、第二汲極、第二源極、第三汲極、第三源極、資料線、觸控訊號線TP以及第二接墊P2）以及透明電極層120皆形成於絕緣層GI上。透明電極層120在垂直基板100的方向E3上不重疊於觸控訊號線TP，藉此避免透明電極層120與觸控訊號線TP短路。
請參考圖4C，形成介電層I於透明電極層120、第二金屬層M2以及絕緣層GI上。在本實施例中，形成介電層I於第一主動元件T1、第二主動元件以及第三主動元件、觸控訊號線TP以及透明電極層120以及絕緣層GI上。在本實施例中，介電層I的材料包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類（PET）、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料或上述之組合）或其它合適的材料或上述之組合。在一些實施例中，介電層I為單層或多層結構。
請參考圖4D，進行圖案化製程以形成貫穿介電層I的第一開口O1、第二開口O2以及第三開口O3。在本實施例中，前述圖案化製程還形成貫穿介電層I的第四開口O4以及貫穿絕緣層GI與介電層I的第五開口O5。
第一開口O1在垂直基板100的方向E3上重疊於第一部分1221。第二開口O2在垂直基板100的方向E3上重疊於第二部分1222。第三開口O3在垂直基板100的方向E3上重疊於觸控訊號線TP。第四開口O4在垂直基板100的方向E3上重疊於第二接墊P2，且第五開口O5在垂直基板100的方向E3上重疊於第一接墊P1。
在本實施例中，進行圖案化製程的方法例如包括微影蝕刻製程。在本實施例中，第一金屬層M1（包括第一接墊P1）、第二金屬層M2（包括觸控訊號線TP）以及透明電極層120皆可作為蝕刻停止層，因此，能於同一道蝕刻製程中形成不同深度的開口。換句話說，不需要利用不同的光罩來形成不同深度的開口，藉此可以減少光罩的數目。
請參考圖3與圖4E，形成透明導電層110於介電層I上。透明導電層110包括於垂直基板100的方向E3上重疊於觸控訊號線TP的橋接電極114a、114b、114c以及具有多個狹縫st第一電極112。
第一電極112透過第三開口O3而電性連接至觸控訊號線TP。
橋接電極114a、114b、114c透過第一開口O1而分別電性連接至第一部分1221，且橋接電極114a、114b、114c透過第二開口O2而分別電性連接至第二部分1222。
在本實施例中，透明導電層110還包括連接結構116。連接結構116透過第四開口O4以及第五開口O5而分別電性連接第二接墊P2以及第一接墊P1，以構成接合墊PA。接合墊PA位於觸控裝置2的周邊區。
紅色濾光元件R（請參考圖1B）、綠色濾光元件G（請參考圖1B）、藍色濾光元件B（請參考圖1B）以及黑矩陣BM形成於基板200上。將基板200與基板100對組，且液晶分子LC位於基板200與基板100之間。至此，畫素結構20大致完成，畫素結構20位於觸控裝置2的顯示區。
基於上述，僅需一次圖案化製程就可以形成用於使觸第二電極之第一部分電性連接第二電極之第二部分的第一開口與第二開口以及用於使透明導電層電性連接觸控訊號線的第三開口，藉此可以減少光罩的數目。
1、2:觸控裝置 10、20:畫素結構 100、200:基板 110:透明導電層 112a、112b、112c:第一電極 114、114a、114b、114c:橋接電極 116:連接結構 120:透明電極層 122、1221:第一部分 124、1222:第二部分 B:藍色濾光元件 126:連接部 BM:黑矩陣 CH1:第一半導體層 CH2:第二半導體層 CH3:第三半導體層 D1:第一汲極 D2:第二汲極 D3:第三汲極 DL:資料線 E1、E2、E3:方向 FP:轉折處 G:綠色濾光元件 G1:第一閘極 G2:第二閘極 G3:第三閘極 GI:絕緣層 GP:間隙 I:介電層 I1:第一介電層 I2:第二介電層 N:凹槽 M1:第一金屬層 M2:第二金屬層 O1:第一開口 O2:第二開口 O3:第三開口 O4:第四開口 O5:第五開口 P1:第一接墊 P2:第二接墊 PA:接合墊 R:紅色濾光元件 SL:掃描線 S1:第一源極 S2:第二源極 S3:第三源極 st:狹縫 T1:第一主動元件 T2:第二主動元件 T3:第三主動元件 TP:觸控訊號線
圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖1B是依照本發明的一實施例的一種彩色濾光元件的上視示意圖。 圖2A至圖2F是依照本發明的一實施例的一種觸控裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖3是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖4A至圖4E是依照本發明的一實施例的一種觸控裝置的製造方法的剖面示意圖。
10:畫素結構
100:基板
110:透明導電層
112a、112b、112c:第一電極
114:橋接電極
120:透明電極層
122:第一部分
124:第二部分
126:連接部
CH1:第一半導體層
CH2:第二半導體層
CH3:第三半導體層
D1:第一汲極
D2:第二汲極
D3:第三汲極
DL:資料線
E1、E2:方向
FP:轉折處
G1:第一閘極
G2:第二閘極
G3:第三閘極
GP:間隙
O1:第一開口
O2:第二開口
O3:第三開口
SL:掃描線
S1:第一源極
S2:第二源極
S3:第三源極
st:狹縫
T1:第一主動元件
T2:第二主動元件
T3:第三主動元件
TP:觸控訊號線

Claims (14)

  1. 一種畫素結構，包括：一基板；一第一主動元件，位於該基板上；一觸控訊號線，位於該基板上；至少一掃描線，電性連接該第一主動元件；一透明導電層，包括：一第一電極，電性連接至該第一主動元件，且該第一電極具有多個狹縫；以及一橋接電極，重疊於該觸控訊號線；一透明電極層，至少部分重疊於該第一電極，其中該觸控訊號線透過該橋接電極而電性連接該透明電極層，其中該橋接電極重疊於該至少一掃描線。
  2. 如請求項1所述的畫素結構，包括：三條掃描線、二條資料線，其中該觸控訊號線位於該兩條資料線之間；以及一第二主動元件以及一第三主動元件，其中該第一主動元件的閘極、該第二主動元件的閘極以及該第三主動元件的閘極分別電性連接至該三條掃描線，該第一主動元件的源極、該第二主動元件的源極以及該第三主動元件的源極中的兩者電性連接至該兩條資料線中的一者，且該第一主動元件的源極、該第二主動元件的源極以及該第三主動 元件的源極中的另一者電性連接至該兩條資料線中的另一者，其中該透明導電層包括三個第一電極，該三個第一電極分別電性連接至該第一主動元件的汲極、該第二主動元件的汲極以及該第三主動元件的汲極，其中該透明電極層至少部分重疊於該三個第一電極；一第一介電層，形成於該觸控訊號線上，且該透明電極層形成於該第一介電層上；一第二介電層，形成於該透明電極層上，且該透明導電層形成於該第二介電層上，該橋接電極透過貫穿該第一介電層以及該第二介電層的一第一開口而連接該觸控訊號線；以及一紅色濾光元件、一綠色濾光元件以及一藍色濾光元件，分別重疊於該三個第一電極，且該觸控訊號線重疊於該紅色濾光元件、該綠色濾光元件以及該藍色濾光元件。
  3. 如請求項2所述的畫素結構，其中該橋接電極重疊於該三條掃描線中的其中一條，且該橋接電極位於該三個第一電極中相鄰的其中兩者之間。
  4. 如請求項2所述的畫素結構，其中各該狹縫具有一轉折處，該些狹縫的延伸方向實質上等於該三條掃描線的延伸方向，且該些狹縫的該些轉折處重疊於該觸控訊號線。
  5. 如請求項2所述的畫素結構，其中該橋接電極透過貫穿該第二介電層的一第二開口而連接該透明電極層。
  6. 如請求項1所述的畫素結構，其中該透明電極層包括一第一部分、一第二部分以及一連接部，其中該觸控訊號線重疊於該第一部分與該第二部分之間的間隙，且該連接部連接該第一部分與該第二部分。
  7. 一種畫素結構，包括：一基板；一第一主動元件、一第二主動元件以及一第三主動元件，位於該基板上；一觸控訊號線，位於該基板上；一透明導電層，包括：一第一電極，具有多個狹縫，其中該第一電極電性連接該觸控訊號線；以及三個橋接電極，重疊於該觸控訊號線；以及一透明電極層，包括：三個第二電極，至少部分重疊於該第一電極，且分別電性連接至該第一主動元件、該第二主動元件以及該第三主動元件，其中各該第二電極包括一第一部分以及透過對應之該橋接電極所連接之一第二部分，該觸控訊號線位於該些第一部分以及該些第二部分之間。
  8. 如請求項7所述的畫素結構，更包括：三條掃描線、二條資料線，其中該觸控訊號線位於該兩條資料線之間，其中該第一主動元件的閘極、該第二主動元件的閘極 以及該第三主動元件的閘極分別電性連接至該三條掃描線，該第一主動元件的源極、該第二主動元件的源極以及該第三主動元件的源極中的兩者電性連接至該兩條資料線中的一者，且該第一主動元件的源極、該第二主動元件的源極以及該第三主動元件的源極中的另一者電性連接至該兩條資料線中的另一者；一絕緣層，覆蓋該三條掃描線、該第一主動元件的閘極、該第二主動元件的閘極以及該第三主動元件的閘極，且該透明電極層以及該觸控訊號線形成於該絕緣層上；一第一介電層，形成於該觸控訊號線以及該透明電極層上，其中該透明導電層形成於該第一介電層上，且各該橋接電極分別透過貫穿該第一介電層的一第一開口而連接該第一部分，各該橋接電極分別透過貫穿該第一介電層的一第二開口而連接該第二部分；以及一紅色濾光元件、一綠色濾光元件以及一藍色濾光元件，分別重疊於該三個第二電極，且該觸控訊號線重疊於該紅色濾光元件、該綠色濾光元件以及該藍色濾光元件。
  9. 如請求項8所述的畫素結構，其中該第一電極透過貫穿該第一介電層的一第三開口而電性連接該觸控訊號線。
  10. 如請求項8所述的畫素結構，其中各該狹縫具有一轉折處，該些狹縫的延伸方向實質上等於該三條掃描線的延伸方向，且各該第二電極的該第一部分以及該第二部分之間的間隙以及該觸控訊號線重疊於該些轉折處。
  11. 一種畫素結構的製造方法，包括：形成至少一掃描線、一第一主動元件以及一觸控訊號線於一基板上；形成一第一介電層於該至少一掃描線、該第一主動元件以及該觸控訊號線上；形成一透明電極層於該第一介電層上；形成一第二介電層於該透明電極層上；進行一圖案化製程以形成貫穿該第一介電層與該第二介電層的一第一開口、貫穿該第二介電層的一第二開口以及貫穿該第一介電層與該第二介電層的一第三開口；形成一透明導電層於該第二介電層上，該透明導電層包括一橋接電極以及具有多個狹縫一第一電極，其中該橋接電極重疊於該至少一掃描線，該橋接電極透過該第一開口以及該第二開口而分別電性連接至該觸控訊號線以及該透明電極層，且該第一電極透過該第三開口而電性連接至該第一主動元件的汲極。
  12. 如請求項11所述的畫素結構的製造方法，包括：形成三條掃描線、兩條資料線、一第二主動元件以及一第三主動元件於該基板上，其中該觸控訊號線位於該兩條資料線之間，其中該第一主動元件的閘極、該第二主動元件的閘極以及該第三主動元件的閘極分別電性連接至該三條掃描線，該第一主動元件的源極、該第二主動元件的源極以及該第三主動元件的源極中的兩者電性連接至該兩條資料線中的一者，且該第一主動元件 的源極、該第二主動元件的源極以及該第三主動元件的源極中的另一者電性連接至該兩條資料線中的另一者；其中進行該圖案化製程以形成貫穿該第一介電層與該第二介電層的三個第三開口；且該透明導電層包括三個第一電極，該三個第一電極分別透過該三個第三開口而電性連接至第一主動元件的汲極、該第二主動元件的汲極以及該第三主動元件的汲極，且該透明電極層至少部分重疊於該三個第一電極。
  13. 一種畫素結構的製造方法，包括：形成一第一主動元件、一第二主動元件、一第三主動元件以及一觸控訊號線於一基板上；形成一透明電極層於該基板上，其中該透明電極層包括三個第二電極，分別電性連接至該第一主動元件、該第二主動元件、該第三主動元件，其中各該第二電極包括一第一部分以及一第二部分，該觸控訊號線位於該些第一部分以及該些第二部分之間；形成一介電層於該第一主動元件、該第二主動元件以及該第三主動元件、該觸控訊號線以及該透明電極層上；進行一圖案化製程以形成貫穿該介電層的三個第一開口、三個第二開口以及一第三開口；形成一透明導電層於該介電層上，該透明導電層包括重疊於該觸控訊號線的三個橋接電極以及具有多個狹縫一第一電極，其中該三個橋接電極透過該三個第一開口而分別電性連接至該些第 一部分，該三個橋接電極透過該三個第二開口而分別電性連接至該些第二部分，且該第一電極透過該第三開口而電性連接至該觸控訊號線。
  14. 如請求項13所述的畫素結構的製造方法，其中各該狹縫具有一轉折處，該些狹縫的延伸方向實質上等於三條掃描線的延伸方向，且該些狹縫的該些轉折處重疊於該觸控訊號線以及各該第二電極的該第一部分與該第二部分之間的間隙。
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