TWI649607B - 畫素結構及曲面顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種畫素結構及曲面顯示裝置，包括基板、兩條資料線、三條掃描線、三個開關元件、三個第一電極及觸控電極線。基板具有第一、第二及第三子畫素區。資料線和掃描線交錯，以定義出第一、第二及第三子畫素區。開關元件分別電性連接至掃描線。開關元件電性連接至該些資料線之一。第一電極分別位於第一、第二及第三子畫素區上。每一第一電極具有多個狹縫，各該狹縫具有一轉折處。觸控電極線穿越第一、第二及第三子畫素區。觸控電極線與該些資料線的延伸方向實質上相同。觸控電極線於基板的垂直方向上和轉折處重疊。

Description

畫素結構及曲面顯示裝置
本發明是有關於一種畫素結構及曲面顯示裝置，且特別是有關於一種具有觸控電極線的畫素結構及曲面顯示裝置。
近年來，隨著顯示技術的不斷進步，觀賞者對於顯示器之顯示品質（如影像解析度、色彩飽和度等）的要求也越來越高。然而，為了製造高效能的顯示器，顯示裝置中的畫素結構需要具備足夠高的開口率。
在觸控顯示裝置中，畫素結構中的觸控電極線覆蓋了顯示區的部分面積，並使得畫素結構的開口率下降。在一些顯示裝置中，為了讓觸控電極線能跨過其他訊號線，須要額外設置多個與觸控電極線相連的導電結構，使觸控電極線可以與其他的導電膜層電性相連。除了觸控電極線本身的面積會降低畫素結構的開口率之外，這些連接到其他導電膜層的導通結構也會降低畫素結構的開口率。另外，由於這種導通結構的製程較為複雜，若這種導通結構的數量過多，會降低觸控顯示裝置的產品良率。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。
本發明提供一種畫素結構，能減少觸控電極線所造成的開口率下降之問題。
本發明提供一種曲面顯示裝置，能減少觸控電極線所造成的開口率下降之問題。
本發明之至少一實施例提供一種畫素結構，包括基板、兩條資料線、三條掃描線、三個開關元件、三個第一電極以及觸控電極線。基板具有第一子畫素區、第二子畫素區以及第三子畫素區。資料線以及掃描線位於基板上。資料線和掃描線交錯，以分別定義出第一子畫素區、第二子畫素區以及第三子畫素區。開關元件分別電性連接至掃描線。開關元件分別電性連接至該些資料線之一。第一電極分別位於第一子畫素區、第二子畫素區以及第三子畫素區上。每一第一電極具有多個狹縫，狹縫具有轉折處。觸控電極線穿越第一子畫素區、第二子畫素區以及第三子畫素區。觸控電極線與資料線的延伸方向實質上相同。觸控電極線於基板的垂直方向上和轉折處重疊。
本發明之至少一實施例提供一種畫素結構，包括基板、多條資料線、掃描線、多個開關元件、多個第一電極以及導通結構。基板包括相同顏色的多個子畫素區。多條資料線以及掃描線位於基板上。資料線和掃描線交錯。子畫素區沿著掃描線的延伸方向排列。多個開關元件分別電性連接至掃描線以及資料線之一。多個第一電極分別位於子畫素區上，且具有多個狹縫。狹縫具有轉折處。至少一觸控電極線於基板的垂直方向上和其中一個第一電極的轉折處重疊。至少一導通結構位於其中一個子畫素區上，且與觸控電極線電性連接。
本發明之至少一實施例提供一種曲面顯示裝置，包括如上述之畫素結構。
本發明之目的之一為減少觸控電極線所造成的開口率下降之問題。
本發明之目的之一為減少與觸控電極線電性連接之導通結構的數量。
本發明之目的之一為避免觸控電極線干擾資料線的訊號。
本發明之目的之一為降低觸控電極線的製程難度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。圖1B是沿著圖1A的線AA’與線BB’的剖面示意圖。圖1C沿著圖1A的線CC’的剖面示意圖。
請參考圖1A與圖1B，畫素結構10包括基板100、兩條資料線DL1/DL2、三條掃描線SL1/SL2/SL3、三個開關元件TFT1/TFT2/TFT3、三個第一電極EA1/EA2/EA3以及觸控電極線CE。
基板100具有第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3。資料線DL1/DL2以及掃描線SL1/SL2/SL3位於基板100上。在一些實施例中，資料線DL1/DL2包括鋸齒形（zigzag）、線形或其他形狀。在一些實施例中，掃描線SL3/SL2/SL1包括鋸齒形（zigzag）、線形或其他形狀。
在本實施例中，資料線DL1/DL2的延伸方向D1與掃描線SL1/SL2/SL3的延伸方向D2交錯。沿著延伸方向D1依序排列的第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3分別對應其中一條資料線DL1/DL2以及其中一條掃描線SL1/SL2/SL3。在本實施例中，第一子畫素區SPX1上具有資料線DL1與掃描線SL1，第二子畫素區SPX2上具有資料線DL2與掃描線SL2，第三子畫素區SPX3上具有資料線DL1與掃描線SL3。資料線DL1/DL2和掃描線SL1/SL2/SL3交錯，以定義出第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3。在本實施例中，第三子畫素區SPX3大致上位於相鄰的掃描線SL2/SL3之間以及相鄰的資料線DL1/DL2之間，第二子畫素區SPX2大致上位於相鄰的掃描線SL2/SL1之間以及相鄰的資料線DL1/DL2之間，第一子畫素區SPX1大致上位於畫素結構10的掃描線SL1與相鄰於掃描線SL1的另一畫素結構的掃描線SL4之間以及相鄰的資料線DL1/DL2之間。
在本實施例中，資料線DL1與資料線DL2相鄰並具有第一間距W1，任兩相鄰之掃描線SL1/SL2/SL3具有第二間距W2。第一間距W1大於第二間距W2。第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3在延伸方向D2上的寬度大約等於第一間距W1。第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3在延伸方向D1上的寬度大約等於第二間距W2。
開關元件TFT1/TFT2/TFT3分別電性連接至掃描線SL1/SL2/SL3。每個開關元件TFT1/TFT2/TFT3分別電性連接至資料線DL1/DL2中的其中一條。第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3分別對應其中一個開關元件TFT1/TFT2/TFT3。在本實施例中，第一子畫素區SPX1上具有開關元件TFT1，第二子畫素區SPX2上具有開關元件TFT2，第三子畫素區SPX3上具有開關元件TFT3。
在本實施例中，資料線DL1與開關元件TFT1/TFT3/TFT5電性連接，其中開關元件TFT5屬於相鄰於畫素結構10的另一個畫素結構。在本實施例中，開關元件TFT1/TFT3位於資料線DL1的其中一側，開關元件TFT5則位於資料線DL1相對於開關元件TFT1/TFT3的另一側。在本實施例中，資料線DL2與開關元件TFT2/TFT4/TFT6電性連接，其中開關元件TFT4/TFT6屬於相鄰於畫素結構10的另一個畫素結構。在本實施例中，開關元件TFT4/TFT6位於資料線DL2的其中一側，開關元件TFT2則位於資料線DL2相對於開關元件TFT4/TFT6的另一側。
每個開關元件TFT1~TFT6都包括閘極、絕緣層、通道層、源極與汲極。請參考圖1A與圖1B，在本實施例中，開關元件TFT1~TFT6具有類似的結構，開關元件TFT1~TFT6分別電性連接到各自所對應的掃描線、資料線以及第一電極。以開關元件TFT3為例，開關元件TFT3包括閘極110、絕緣層120、通道層130、源極142與汲極144。閘極110位於基板100上，且閘極110與掃描線SL3電性連接。在本實施例中，閘極110與掃描線SL3一體成形。通道層130位於閘極110上，且通道層130與閘極110之間夾有絕緣層120。源極142與汲極144電性連接至通道層130，且源極142電性連接至資料線DL1。在本實施例中，源極142與資料線DL1一體成形。平坦層150覆蓋開關元件TFT3。
第一電極EA1/EA2/EA3與第二電極EB1/EB2/EB3位於平坦層150上，且第一電極EA1/EA2/EA3與第二電極EB1/EB2/EB3之間夾有絕緣層160。
第一電極EA1/EA2/EA3分別位於基板100的第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3上。第一電極EA1/EA2/EA3為相互分離的畫素電極，且第一電極EA1/EA2/EA3分別電性連接至開關元件TFT1/TFT2/TFT3的汲極。舉例來說，平坦層150具有多個開口H1，第一電極EA1/EA2/EA3透過位於開口H1中的導電結構CH1電性連接至對應之開關元件TFT1/TFT2/TFT3的汲極144。
第二電極EB1/EB2/EB3分別位於基板100的第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3上。第二電極EB1/EB2/EB3為彼此電性連接的共用電極（或觸控電極）。第二電極EB1/EB2/EB3和第一電極EA1/EA2/EA3電性絕緣。在本實施例中，第二電極EB1/EB2/EB3夾在第一電極EA1/EA2/EA3與開關元件TFT1/TFT2/TFT3之間。每個第二電極EB1/EB2/EB3具有一個開口H2，導電結構CH1穿過開口H2而將第一電極EA1/EA2/EA3與對應的開關元件TFT1/TFT2/TFT3電性連接。舉例來說，導電結構CH1穿過開口H2而將第一電極EA3與開關元件TFT3電性連接。在一實施例中，部分的絕緣層160會填入開口H2中，避免第一電極EA1/EA2/EA3與第二電極EB1/EB2/EB3電性相連。
在一些實施例中，第二電極EB1/EB2/EB3還具有對應於開關元件TFT1/TFT2/TFT3的開口H3，開口H3大致上與開關元件TFT1/TFT2/TFT3的通道層130，並可以降低施加於第二電極EB1/EB2/EB3上的電壓干擾開關元件TFT1/TFT2/TFT3的運作。
在一些實施例中，第二電極EB1/EB2/EB3具有開口L，開口L於基板100的垂直方向D3上重疊於觸控電極線CE。
雖然在本實施例中，第一電極EA1/EA2/EA3為畫素電極且第二電極EB1/EB2/EB3為共用電極（或觸控電極），然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一電極EA1/EA2/EA3為共用電極（或觸控電極）且第二電極EB1/EB2/EB3為畫素電極，容後再述。
請參考圖1A~圖1C，在本實施例中，第二電極EB1/EB2/EB3透過導通結構CH2電性連接至觸控電極線CE。導通結構CH2例如是位於平坦層150的開口O1中。在一實施例中，第一子畫素區SPX1為紅色子畫素區（例如是包括紅色色阻的子畫素區），第二子畫素區SPX2為綠色子畫素區（例如是包括綠色色阻的子畫素區），且第三子畫素區SPX3為藍色子畫素區（例如是包括藍色色阻的子畫素區），導通結構CH2位於第三子畫素區SPX3上。由於人眼對藍光的敏感度相較於紅光或綠光還要低。因此，將導通結構CH2設置於藍色子畫素區，能減低由於導通結構CH2對人眼所接收到之光線的影響。在一實施例中，導通結構CH2和對應第三子畫素區SPX3之掃描線SL3的距離M1小於導通結構CH2和對應第二子畫素區SPX2之掃描線SL2的距離M2。
觸控電極線CE穿越第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3。在一實施例中，觸控電極線CE的延伸方向與資料線DL1/DL2的延伸方向D1實質上相同。在一實施例中，觸控電極線CE與資料線DL1/DL2屬於同一膜層，觸控電極線CE與資料線DL1/DL2例如是同時形成，因此，不需要加額外的製程就可以形成觸控電極線CE，能降低畫素結構10的製程難度。在本實施例中，觸控電極線CE與掃描線SL1/SL2/SL3之間夾有絕緣層120，且觸控電極線CE與掃描線SL1/SL2/SL3電性絕緣。因此，觸控電極線CE不需要轉換膜層就可以直接跨過掃描線SL1/SL2/SL3，能減少導通結構所需要的數量。
每一個第一電極EA1/EA2/EA3具有多個狹縫O2，每個狹縫O2具有一個轉折處T。在一些實施例中，狹縫O2的形狀包括V字形、W字形或其他具有轉折的形狀。觸控電極線CE於基板100的垂直方向D3上和多個狹縫O2的轉折處T重疊。在一些實施例中，第二電極EB1/EB2/EB3的開口L於基板100的垂直方向D3上重疊於大部分的轉折處T。
在本實施例中，第一電極EA1/EA2/EA3的轉折處T會出現光線很難通過的液晶光學暗區，因此，將觸控電極線CE設置於這些轉折處T的位置能減少觸控電極線CE對畫素結構10之開口率的影響，使畫素結構10能維持較高的開口率。
在本實施例中，觸控電極線CE與資料線DL1之間的距離大約等於觸控電極線CE與資料線DL2之間的距離。換句話說，觸控電極線CE不會與其中一條資料線DL/DL2靠的太近，因此，能避免觸控電極線CE干擾資料線的訊號DL/DL2。
圖2是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A～圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖1A～圖1C的畫素結構10包括位於同一行但不同列的多個子畫素區SPX3/SPX2/SPX1，圖2的畫素結構20則是包括位於同一列但不同行的多個子畫素區SPX3/SPX4。
請參考圖2，畫素結構20包括基板100、多條資料線DL3/DL1、掃描線SL3、多個開關元件TFT3/TFT7、多個第一電極EA4/EA3以及導通結構CH2。
基板100包括多個子畫素區SPX3/SPX4。子畫素區SPX3/SPX4沿著掃描線SL3的延伸方向D2排列。在一些實施例中，子畫素區SPX3/SPX4例如為相同顏色的子畫素區。在一些實施例中，子畫素區SPX3/SPX4例如為藍色子畫素區、紅色子畫素區或是綠色子畫素區，其中又以子畫素區SPX3/SPX4為藍色子畫素區較佳。
多條資料線DL2/DL1/DL3以及多條掃描線SL2/SL3位於基板100上。資料線DL1/DL2/DL3的延伸方向D1與掃描線SL2/SL3的延伸方向D2交錯。子畫素區SPX3/SPX4分別對應其中一條資料線DL1/DL3以及掃描線SL3。在本實施例中，子畫素區SPX3上具有資料線DL1與部分的掃描線SL3，子畫素區SPX4上具有資料線DL3與另一部分的掃描線SL3。資料線DL1/DL3和掃描線SL3交錯，以定義出子畫素區SPX3/SPX4。在本實施例中，子畫素區SPX3大致上位於畫素結構20的掃描線SL3與相鄰的掃描線SL2之間，且子畫素區SPX3大致上位於畫素結構20的資料線DL1與相鄰於畫素結構20之另一畫素結構的資料線DL2之間。子畫素區SPX4大致上位於畫素結構20的掃描線SL3與相鄰於掃描線SL3之另一畫素結構的掃描線SL2之間，且子畫素區SPX4大致上位於資料線DL1與資料線DL3之間。
子畫素區SPX3/SPX4分別對應開關元件TFT3/TFT7。開關元件TFT3/TFT7的閘極電性連接至掃描線SL3，且開關元件TFT3/TFT7的汲極分別電性連接至資料線DL1/DL3。在本實施例中，開關元件TFT3位於子畫素區SPX3上，且電性連接至掃描線SL3以及資料線DL1。開關元件TFT7位於子畫素區SPX4上，且電性連接至掃描線SL3以及資料線DL3。
第一電極EA3/EA4分別位於子畫素區SPX3/SPX4上。在本實施例中，第一電極EA3/EA4為相互分離的畫素電極，且第一電極EA3/EA4分別電性連接至開關元件TFT3/TFT7的汲極。
第二電極EB3/EB4分別位於子畫素區SPX3/SPX4上。第二電極EB3/EB4為彼此電性連接的共用電極（或觸控電極）。在本實施例中，第二電極EB3/EB4夾在第一電極EA3/EA4與開關元件TFT3/TFT7之間。
雖然在本實施例中，第一電極EA3/EA4為畫素電極且第二電極EB3/EB4為共用電極（或觸控電極），然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一電極EA3/EA4為共用電極（或觸控電極）且第二電極EB3/EB4為畫素電極，容後再述。
導通結構CH2位於子畫素區EA3上，且與觸控電極線CE電性連接。第二電極EB3/EB4透過導通結構CH2電性連接至觸控電極線CE。在本實施例中，畫素結構20的觸控電極線CE位於子畫素區SPX3上，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素結構20包括兩條以上的觸控電極線CE，子畫素區SPX3與子畫素區SPX4上都具有觸控電極線CE。每個第一電極EA3/EA4具有多個狹縫O2。狹縫O2具有轉折處T。觸控電極線CE於基板的垂直方向D3上和第一電極EA3的多個狹縫O2的轉折處T重疊。
在本實施例中，這些第一電極EA3/EA4的轉折處T會出現光線很難通過的液晶光學暗區，因此，將觸控電極線CE設置於這些轉折處T的位置能減少觸控電極線CE對畫素結構20之開口率的影響，使畫素結構20能維持較高的開口率。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。圖3B是沿著圖3A的線AA’與線BB’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A、圖3B的實施例沿用圖1A～圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3A、圖3B的畫素結構30與圖1A～圖1C的畫素結構10的差異在於：畫素結構10的第一電極EA1/EA2/EA3為畫素電極，畫素結構30的第一電極EA1/EA2/EA3則為共用電極（或觸控電極）。
請參考圖3A與圖3B，在本實施例中，第二電極EB1/EB2/EB3為畫素電極。第二電極EB1/EB2/EB3分別電性連接至開關元件TFT1/TFT2/TFT3。舉例來說，平坦層150具有開口H1，第二電極EB1/EB2/EB3透過位於開口H1中的導電結構CH1電性連接至對應之開關元件TFT1/TFT2/TFT3的汲極144。
在本實施例中，第一電極EA1/EA2/EA3為共用電極（或觸控電極）。第一電極EA1/EA2/EA3彼此電性連接，且透過一導通結構CH2電性連接至觸控電極線CE。
在一實施例中，第二電極EB3具有一個開口H3，導通結構CH2穿過開口H3而將第一電極EA3與觸控電極線CE電性連接。在一實施例中，部分的絕緣層160會填入開口H3中，避免第一電極EA3/EA2/EA1與第二電極EB3電性相連。
在本實施例中，這些第一電極EA1/EA2/EA3的轉折處T會出現光線很難通過的液晶光學暗區，因此，將觸控電極線CE設置於這些轉折處T的位置能減少觸控電極線CE對畫素結構30之開口率的影響，使畫素結構30能維持較高的開口率。
圖4是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖4的畫素結構40與圖2的畫素結構20的差異在於：畫素結構20的第一電極EA3/EA4為畫素電極，畫素結構40的第一電極EA3/EA4則為共用電極（或觸控電極）。
請參考圖4，在本實施例中，第二電極EB3/EB4為畫素電極。第二電極EB3/EB4分別電性連接至開關元件TFT3/TFT7。舉例來說，平坦層150具有開口H1，第二電極EB3透過位於開口H1中的導電結構CH1電性連接至開關元件TFT3的汲極144（請參考圖3B）。
在本實施例中，第一電極EA3/EA4為共用電極（或觸控電極）。第一電極EA3/EA4彼此電性連接，且透過一導通結構CH2電性連接至觸控電極線CE。
在一實施例中，第二電極EB3具有一個開口H3，導通結構CH2穿過開口H3而將第一電極EA3與觸控電極線CE電性連接。在一實施例中，部分的絕緣層160會填入開口H3中，避免第一電極EA3/EA4與第二電極EB3電性相連。
在本實施例中，這些第一電極EA3/EA4的轉折處T會出現光線很難通過的液晶光學暗區，因此，將觸控電極線CE設置於這些轉折處T的位置能減少觸控電極線CE對畫素結構40之開口率的影響，使畫素結構40能維持較高的開口率。。
圖5A是依照本發明的一實施例的一種曲面顯示裝置的斜視示意圖。圖5B是圖5A的局部放大示意圖。圖5C是沿著圖5A的線DD’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5A、圖5B的實施例沿用圖1A~圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請同時參考圖5A~圖5C，曲面顯示裝置1包括前述任一實施例的畫素結構，在此以曲面顯示裝置1包括圖1A~圖1C的畫素結構10為例。圖5B為圖5A之其中三個子畫素區SPX及其周圍元件的示意圖，其中的子畫素區SPX例如為圖1A~圖1C中的第一子畫素區SPX1、第二子畫素區SPX2以及第三子畫素區SPX3的組合。在本實施例中，同一列上（對應於同一條掃描線）的子畫素區SPX例如為相同顏色的子畫素區。
曲面顯示裝置1具有曲率半徑R以及曲率中心軸CR，曲率中心軸CR到曲面顯示裝置1的距離為曲率半徑R。曲率中心軸CR實質上平行於資料線DL1/DL2（或資料線的延伸方向D1）。在一實施例中，曲率中心軸CR實質上平行於觸控電極線CE（或觸控電極線的延伸方向）。
在本實施例中，曲面顯示裝置1包括基板100以及對向基板200。基板100與對向基板200之間夾有顯示介質M。顯示介質M例如包括液晶分子、電泳顯示介質或是其他可適用的介質。
在一些實施例中，對向基板200與顯示介質M之間具有黑矩陣BM。黑矩陣BM例如重疊於掃描線SL1/SL2/SL3/SL4、資料線DL1/DL2、觸控電極線CE、開關元件TFT1~TFT6以及導通結構CH2。
在本實施例中，重疊於這些轉折處T的觸控電極線CE能使曲面顯示裝置1中的畫素結構維持較高的開口率。
在本發明的一實施例的畫素結構以及曲面顯示裝置中，觸控電極線重疊於第一電極的狹縫的轉折處，因此能維持畫素結構較高的開口率。
在本發明的一實施例的畫素結構以及曲面顯示裝置中，能減少與觸控電極線電性連接之導通結構的數量。
在本發明的一實施例的畫素結構以及曲面顯示裝置中，觸控電極線不會與其中一條資料線靠的太近，因此，能避免觸控電極線干擾資料線的訊號。
在本發明的一實施例的畫素結構以及曲面顯示裝置中，觸控電極線與資料線例如是同時形成，因此，不需要額外的製程就可以形成觸控電極線，能降低製程難度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧曲面顯示裝置
10、20、30、40‧‧‧畫素結構
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極
120、160‧‧‧絕緣層
130‧‧‧通道層
142‧‧‧源極
144‧‧‧汲極
150‧‧‧平坦層
200‧‧‧對向基板
BM‧‧‧黑矩陣
CE‧‧‧觸控電極線
CH1‧‧‧導電結構
CH2‧‧‧導通結構
CR‧‧‧曲率中心軸
D1、D2、D3‧‧‧方向
DL1、DL2、DL3‧‧‧資料線
EA1、EA2、EA3、EA4‧‧‧第一電極
EB1、EB2、EB3、EB4‧‧‧第二電極
H1、H2、H3、O1、L‧‧‧開口
M‧‧‧顯示介質
M1、M2‧‧‧距離
O2‧‧‧狹縫
R‧‧‧曲率半徑
SL1、SL2、SL3、SL4‧‧‧掃描線
SPX、SPX1、SPX2、SPX3、SPX4‧‧‧子畫素區
T‧‧‧轉折處
TFT1、TFT2、TFT3、TFT4、TFT5、TFT6、TFT7‧‧‧開關元件
W1、W2‧‧‧間距
圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。 圖1B是沿著圖1A的線AA’與線BB’的剖面示意圖。 圖1C沿著圖1A的線CC’的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。 圖3A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。 圖3B是沿著圖3A的線AA’與線BB’的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種畫素結構及其周圍元件的上視示意圖。 圖5A是依照本發明的一實施例的一種曲面顯示裝置的斜視示意圖。 圖5B是圖5A的局部放大示意圖。 圖5C是沿著圖5A的線DD’的剖面示意圖。

Claims (19)

  1. 一種畫素結構，包括：一基板，具有一第一子畫素區、一第二子畫素區以及一第三子畫素區；兩條資料線以及三條掃描線，位於該基板上，且該些資料線和該些掃描線交錯，以分別定義出該第一子畫素區、該第二子畫素區以及該第三子畫素區；三個開關元件，分別電性連接至該三條掃描線，且該三個開關元件分別電性連接至該些資料線之一；三個第一電極，分別位於該第一子畫素區、該第二子畫素區以及該第三子畫素區上，且每一該第一電極具有多個狹縫，各該狹縫具有一轉折處；一觸控電極線，穿越該第一子畫素區、該第二子畫素區以及該第三子畫素區，具有一延伸方向與該些資料線的延伸方向實質上相同，且於該基板的垂直方向上和該些轉折處重疊；以及三個第二電極，和該三個第一電極電性絕緣，且分別位於該第一子畫素區、該第二子畫素區以及該第三子畫素區上，其中該三個第二電極和該三個第一電極中的一者電性連接至該三個開關元件，且該三個第二電極和該三個第一電極中的另一者電性連接至該觸控電極線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該些資料線相鄰並具有一第一間距，任兩相鄰之該些掃描線具有一第二間距，其中該第一間距大於該第二間距。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該觸控電極線與該資料線屬於同一膜層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該三個第二電極分別電性連接至該三個開關元件，且位於該第一子畫素區、該第二子畫素區以及該第三子畫素區上的該三個第一電極彼此電性連接，且透過一導通結構電性連接至該觸控電極線。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的畫素結構，其中該第一子畫素區為紅色子畫素區，該第二子畫素區為綠色子畫素區，且該第三子畫素區為藍色子畫素區，該導通結構位於該第三子畫素區上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該三個第二電極彼此電性連接，且透過一導通結構電性連接至該觸控電極線，且該三個第一電極分別電性連接至該三個開關元件。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中該第一子畫素區為紅色子畫素區，該第二子畫素區為綠色子畫素區，且該第三子畫素區為藍色子畫素區，該導通結構位於該第三子畫素區上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括：一導通結構，位於該第三子畫素區中，且電性連接至該觸控電極線，其中該導通結構和對應該第三子畫素區之該掃描線的距離小於該導通結構和對應該第二子畫素區之該掃描線的距離。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中每一該第一電極的每一該狹縫為V字形。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中對應該第一子畫素區之該開關元件以及對應該第三子畫素區之該開關元件電性連接該些資料線之一，對應該第二子畫素區之該開關元件電性連接該些資料線之另一者。
  11. 一種畫素結構，包括：一基板，包括多個子畫素區；多條資料線以及一掃描線，位於該基板上，且該些資料線和該掃描線交錯，以定義出該些子畫素區，該些子畫素區沿著該掃描線的延伸方向排列；多個開關元件，分別電性連接至該掃描線以及該些資料線之一；多個第一電極，分別位於該些子畫素區上，且具有多個狹縫，各該狹縫具有一轉折處；至少一觸控電極線，於該基板的垂直方向上和其中一個該些第一電極的該些轉折處重疊；至少一導通結構，位於其中一個子畫素區上，且與該觸控電極線電性連接；以及多個第二電極，和該些第一電極電性絕緣，且分別位於該些子畫素區上，其中該些第二電極和該些第一電極中的一者電性連接至該些開關元件，且該些第二電極和該些第一電極中的另一者電性連接至該觸控電極線。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該觸控電極線與該些資料線屬於同一膜層，且該觸控電極線的延伸方向與該些資料線的延伸方向實質上相同。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該觸控電極線與該掃描線電性絕緣。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該些第二電極分別電性連接至該些開關元件，且位於該些子畫素區上的該些第一電極彼此電性連接，且透過該導通結構電性連接至該觸控電極線。
  15. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該些第二電極彼此電性連接，且透過該導通結構電性連接至該觸控電極線，且該些第一電極分別電性連接至該些開關元件。
  16. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該些子畫素區為藍色子畫素區。
  17. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中每一該第一電極的每一該狹縫為V字形。
  18. 一種曲面顯示裝置，包括如第1項到第17項其中之一之畫素結構。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的畫素結構，其中該曲面顯示裝置具有一曲率中心軸，該曲率中心軸實質上平行於該些資料線的延伸方向。
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