CN108107633B - 像素结构及曲面显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素结构及曲面显示装置，包括基板、两条数据线、三条扫描线、三个开关元件、三个第一电极及触控电极线。基板具有第一、第二及第三子像素区。数据线和扫描线交错，以定义出第一、第二及第三子像素区。开关元件分别电性连接至扫描线。开关元件电性连接至该些数据线之一。第一电极分别位于第一、第二及第三子像素区上。每一第一电极具有多个狭缝，各该狭缝具有一转折处。触控电极线穿越第一、第二及第三子像素区。触控电极线与该些数据线的延伸方向实质上相同。触控电极线于基板的垂直方向上和转折处重叠。

Description

像素结构及曲面显示装置
技术领域
本发明是有关于一种像素结构及曲面显示装置，且特别是有关于一种具有触控电极线的像素结构及曲面显示装置。
背景技术
近年来，随着显示技术的不断进步，观赏者对于显示器的显示品质(如影像解析度、色彩饱和度等)的要求也越来越高。然而，为了制造高效能的显示器，显示装置中的像素结构需要具备足够高的开口率。
在触控显示装置中，像素结构中的触控电极线覆盖了显示区的部分面积，并使得像素结构的开口率下降。在一些显示装置中，为了让触控电极线能跨过其他信号线，须要额外设置多个与触控电极线相连的导电结构，使触控电极线可以与其他的导电膜层电性相连。除了触控电极线本身的面积会降低像素结构的开口率之外，这些连接到其他导电膜层的导通结构也会降低像素结构的开口率。另外，由于这种导通结构的制程较为复杂，若这种导通结构的数量过多，会降低触控显示装置的产品良率。因此，目前亟需一种能解决前述问题的方法。
发明内容
本发明提供一种像素结构，能减少触控电极线所造成的开口率下降的问题。
本发明提供一种曲面显示装置，能减少触控电极线所造成的开口率下降的问题。
本发明的至少一实施例提供一种像素结构，包括基板、两条数据线、三条扫描线、三个开关元件、三个第一电极以及触控电极线。基板具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。数据线以及扫描线位于基板上。数据线和扫描线交错，以分别定义出第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。开关元件分别电性连接至扫描线。开关元件分别电性连接至该些数据线之一。第一电极分别位于第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区上。每一第一电极具有多个狭缝，狭缝具有转折处。触控电极线穿越第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。触控电极线与数据线的延伸方向实质上相同。触控电极线于基板的垂直方向上和转折处重叠。
本发明的至少一实施例提供一种像素结构，包括基板、多条数据线、扫描线、多个开关元件、多个第一电极以及导通结构。基板包括相同颜色的多个子像素区。多条数据线以及扫描线位于基板上。数据线和扫描线交错。子像素区沿着扫描线的延伸方向排列。多个开关元件分别电性连接至扫描线以及数据线之一。多个第一电极分别位于子像素区上，且具有多个狭缝。狭缝具有转折处。至少一触控电极线于基板的垂直方向上和其中一个第一电极的转折处重叠。至少一导通结构位于其中一个子像素区上，且与触控电极线电性连接。
本发明的至少一实施例提供一种曲面显示装置，包括如上述的像素结构。
本发明的目的之一为减少触控电极线所造成的开口率下降的问题。
本发明的目的之一为减少与触控电极线电性连接的导通结构的数量。
本发明的目的之一为避免触控电极线干扰数据线的信号。
本发明的目的之一为降低触控电极线的制程难度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。
图1B是沿着图1A的线AA’与线BB’的剖面示意图。
图1C沿着图1A的线CC’的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。
图3A是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。
图3B是沿着图3A的线AA’与线BB’的剖面示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。
图5A是依照本发明的一实施例的一种曲面显示装置的斜视示意图。
图5B是图5A的局部放大示意图。
图5C是沿着图5A的线DD’的剖面示意图。
其中，附图标记：
1：曲面显示装置
10、20、30、40：像素结构
100：基板
110：栅极
120、160：绝缘层
130：通道层
142：源极
144：漏极
150：平坦层
200：对向基板
BM：黑矩阵
CE：触控电极线
CH1：导电结构
CH2：导通结构
CR：曲率中心轴
D1、D2、D3：方向
DL1、DL2、DL3：数据线
EA1、EA2、EA3、EA4：第一电极
EB1、EB2、EB3、EB4：第二电极
H1、H2、H3、O1、L：开口
M：显示介质
M1、M2：距离
O2：狭缝
R：曲率半径
SL1、SL2、SL3、SL4：扫描线
SPX、SPX1、SPX2、SPX3、SPX4：子像素区
T：转折处
TFT1、TFT2、TFT3、TFT4、TFT5、TFT6、TFT7：开关元件
W1、W2：间距
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1A是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。图1B是沿着图1A的线AA’与线BB’的剖面示意图。图1C沿着图1A的线CC’的剖面示意图。
请参考图1A与图1B，像素结构10包括基板100、两条数据线DL1/DL2、三条扫描线SL1/SL2/SL3、三个开关元件TFT1/TFT2/TFT3、三个第一电极EA1/EA2/EA3以及触控电极线CE。
基板100具有第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3。数据线DL1/DL2以及扫描线SL1/SL2/SL3位于基板100上。在一些实施例中，数据线DL1/DL2包括锯齿形(zigzag)、线形或其他形状。在一些实施例中，扫描线SL3/SL2/SL1包括锯齿形(zigzag)、线形或其他形状。
在本实施例中，数据线DL1/DL2的延伸方向D1与扫描线SL1/SL2/SL3的延伸方向D2交错。沿着延伸方向D1依序排列的第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3分别对应其中一条数据线DL1/DL2以及其中一条扫描线SL1/SL2/SL3。在本实施例中，第一子像素区SPX1上具有数据线DL1与扫描线SL1，第二子像素区SPX2上具有数据线DL2与扫描线SL2，第三子像素区SPX3上具有数据线DL1与扫描线SL3。数据线DL1/DL2和扫描线SL1/SL2/SL3交错，以定义出第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3。在本实施例中，第三子像素区SPX3大致上位于相邻的扫描线SL2/SL3之间以及相邻的数据线DL1/DL2之间，第二子像素区SPX2大致上位于相邻的扫描线SL2/SL1之间以及相邻的数据线DL1/DL2之间，第一子像素区SPX1大致上位于像素结构10的扫描线SL1与相邻于扫描线SL1的另一像素结构的扫描线SL4之间以及相邻的数据线DL1/DL2之间。
在本实施例中，数据线DL1与数据线DL2相邻并具有第一间距W1，任两相邻的扫描线SL1/SL2/SL3具有第二间距W2。第一间距W1大于第二间距W2。第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3在延伸方向D2上的宽度大约等于第一间距W1。第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3在延伸方向D1上的宽度大约等于第二间距W2。
开关元件TFT1/TFT2/TFT3分别电性连接至扫描线SL1/SL2/SL3。每个开关元件TFT1/TFT2/TFT3分别电性连接至数据线DL1/DL2中的其中一条。第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3分别对应其中一个开关元件TFT1/TFT2/TFT3。在本实施例中，第一子像素区SPX1上具有开关元件TFT1，第二子像素区SPX2上具有开关元件TFT2，第三子像素区SPX3上具有开关元件TFT3。
在本实施例中，数据线DL1与开关元件TFT1/TFT3/TFT5电性连接，其中开关元件TFT5属于相邻于像素结构10的另一个像素结构。在本实施例中，开关元件TFT1/TFT3位于数据线DL1的其中一侧，开关元件TFT5则位于数据线DL1相对于开关元件TFT1/TFT3的另一侧。在本实施例中，数据线DL2与开关元件TFT2/TFT4/TFT6电性连接，其中开关元件TFT4/TFT6属于相邻于像素结构10的另一个像素结构。在本实施例中，开关元件TFT4/TFT6位于数据线DL2的其中一侧，开关元件TFT2则位于数据线DL2相对于开关元件TFT4/TFT6的另一侧。
每个开关元件TFT1～TFT6都包括栅极、绝缘层、通道层、源极与漏极。请参考图1A与图1B，在本实施例中，开关元件TFT1～TFT6具有类似的结构，开关元件TFT1～TFT6分别电性连接到各自所对应的扫描线、数据线以及第一电极。以开关元件TFT3为例，开关元件TFT3包括栅极110、绝缘层120、通道层130、源极142与漏极144。栅极110位于基板100上，且栅极110与扫描线SL3电性连接。在本实施例中，栅极110与扫描线SL3一体成形。通道层130位于栅极110上，且通道层130与栅极110之间夹有绝缘层120。源极142与漏极144电性连接至通道层130，且源极142电性连接至数据线DL1。在本实施例中，源极142与数据线DL1一体成形。平坦层150覆盖开关元件TFT3。
第一电极EA1/EA2/EA3与第二电极EB1/EB2/EB3位于平坦层150上，且第一电极EA1/EA2/EA3与第二电极EB1/EB2/EB3之间夹有绝缘层160。
第一电极EA1/EA2/EA3分别位于基板100的第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3上。第一电极EA1/EA2/EA3为相互分离的像素电极，且第一电极EA1/EA2/EA3分别电性连接至开关元件TFT1/TFT2/TFT3的漏极。举例来说，平坦层150具有多个开口H1，第一电极EA1/EA2/EA3通过位于开口H1中的导电结构CH1电性连接至对应的开关元件TFT1/TFT2/TFT3的漏极144。
第二电极EB1/EB2/EB3分别位于基板100的第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3上。第二电极EB1/EB2/EB3为彼此电性连接的共用电极(或触控电极)。第二电极EB1/EB2/EB3和第一电极EA1/EA2/EA3电性绝缘。在本实施例中，第二电极EB1/EB2/EB3夹在第一电极EA1/EA2/EA3与开关元件TFT1/TFT2/TFT3之间。每个第二电极EB1/EB2/EB3具有一个开口H2，导电结构CH1穿过开口H2而将第一电极EA1/EA2/EA3与对应的开关元件TFT1/TFT2/TFT3电性连接。举例来说，导电结构CH1穿过开口H2而将第一电极EA3与开关元件TFT3电性连接。在一实施例中，部分的绝缘层160会填入开口H2中，避免第一电极EA1/EA2/EA3与第二电极EB1/EB2/EB3电性相连。
在一些实施例中，第二电极EB1/EB2/EB3还具有对应于开关元件TFT1/TFT2/TFT3的开口H3，开口H3大致上与开关元件TFT1/TFT2/TFT3的通道层130，并可以降低施加于第二电极EB1/EB2/EB3上的电压干扰开关元件TFT1/TFT2/TFT3的运作。
在一些实施例中，第二电极EB1/EB2/EB3具有开口L，开口L于基板100的垂直方向D3上重叠于触控电极线CE。
虽然在本实施例中，第一电极EA1/EA2/EA3为像素电极且第二电极EB1/EB2/EB3为共用电极(或触控电极)，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一电极EA1/EA2/EA3为共用电极(或触控电极)且第二电极EB1/EB2/EB3为像素电极，容后再述。
请参考图1A～图1C，在本实施例中，第二电极EB1/EB2/EB3通过导通结构CH2电性连接至触控电极线CE。导通结构CH2例如是位于平坦层150的开口O1中。在一实施例中，第一子像素区SPX1为红色子像素区(例如是包括红色色阻的子像素区)，第二子像素区SPX2为绿色子像素区(例如是包括绿色色阻的子像素区)，且第三子像素区SPX3为蓝色子像素区(例如是包括蓝色色阻的子像素区)，导通结构CH2位于第三子像素区SPX3上。由于人眼对蓝光的敏感度相较于红光或绿光还要低。因此，将导通结构CH2设置于蓝色子像素区，能减低由于导通结构CH2对人眼所接收到的光线的影响。在一实施例中，导通结构CH2和对应第三子像素区SPX3的扫描线SL3的距离M1小于导通结构CH2和对应第二子像素区SPX2的扫描线SL2的距离M2。
触控电极线CE穿越第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3。在一实施例中，触控电极线CE的延伸方向与数据线DL1/DL2的延伸方向D1实质上相同。在一实施例中，触控电极线CE与数据线DL1/DL2属于同一膜层，触控电极线CE与数据线DL1/DL2例如是同时形成，因此，不需要加额外的制程就可以形成触控电极线CE，能降低像素结构10的制程难度。在本实施例中，触控电极线CE与扫描线SL1/SL2/SL3之间夹有绝缘层120，且触控电极线CE与扫描线SL1/SL2/SL3电性绝缘。因此，触控电极线CE不需要转换膜层就可以直接跨过扫描线SL1/SL2/SL3，能减少导通结构所需要的数量。
每一个第一电极EA1/EA2/EA3具有多个狭缝O2，每个狭缝O2具有一个转折处T。在一些实施例中，狭缝O2的形状包括V字形、W字形或其他具有转折的形状。触控电极线CE于基板100的垂直方向D3上和多个狭缝O2的转折处T重叠。在一些实施例中，第二电极EB1/EB2/EB3的开口L于基板100的垂直方向D3上重叠于大部分的转折处T。
在本实施例中，第一电极EA1/EA2/EA3的转折处T会出现光线很难通过的液晶光学暗区，因此，将触控电极线CE设置于这些转折处T的位置能减少触控电极线CE对像素结构10的开口率的影响，使像素结构10能维持较高的开口率。
在本实施例中，触控电极线CE与数据线DL1之间的距离大约等于触控电极线CE与数据线DL2之间的距离。换句话说，触控电极线CE不会与其中一条数据线DL1/DL2靠的太近，因此，能避免触控电极线CE干扰数据线的信号DL1/DL2。
图2是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。在此必须说明的是，图2的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图1A～图1C的像素结构10包括位于同一列但不同行的多个子像素区SPX3/SPX2/SPX1，图2的像素结构20则是包括位于同一行但不同列的多个子像素区SPX3/SPX4。
请参考图2，像素结构20包括基板100、多条数据线DL3/DL1、扫描线SL3、多个开关元件TFT3/TFT7、多个第一电极EA4/EA3以及导通结构CH2。
基板100包括多个子像素区SPX3/SPX4。子像素区SPX3/SPX4沿着扫描线SL3的延伸方向D2排列。在一些实施例中，子像素区SPX3/SPX4例如为相同颜色的子像素区。在一些实施例中，子像素区SPX3/SPX4例如为蓝色子像素区、红色子像素区或是绿色子像素区，其中又以子像素区SPX3/SPX4为蓝色子像素区较佳。
多条数据线DL2/DL1/DL3以及多条扫描线SL2/SL3位于基板100上。数据线DL1/DL2/DL3的延伸方向D1与扫描线SL2/SL3的延伸方向D2交错。子像素区SPX3/SPX4分别对应其中一条数据线DL1/DL3以及扫描线SL3。在本实施例中，子像素区SPX3上具有数据线DL1与部分的扫描线SL3，子像素区SPX4上具有数据线DL3与另一部分的扫描线SL3。数据线DL1/DL3和扫描线SL3交错，以定义出子像素区SPX3/SPX4。在本实施例中，子像素区SPX3大致上位于像素结构20的扫描线SL3与相邻的扫描线SL2之间，且子像素区SPX3大致上位于像素结构20的数据线DL1与相邻于像素结构20的另一像素结构的数据线DL2之间。子像素区SPX4大致上位于像素结构20的扫描线SL3与相邻于扫描线SL3的另一像素结构的扫描线SL2之间，且子像素区SPX4大致上位于数据线DL1与数据线DL3之间。
子像素区SPX3/SPX4分别对应开关元件TFT3/TFT7。开关元件TFT3/TFT7的栅极电性连接至扫描线SL3，且开关元件TFT3/TFT7的漏极分别电性连接至数据线DL1/DL3。在本实施例中，开关元件TFT3位于子像素区SPX3上，且电性连接至扫描线SL3以及数据线DL1。开关元件TFT7位于子像素区SPX4上，且电性连接至扫描线SL3以及数据线DL3。
第一电极EA3/EA4分别位于子像素区SPX3/SPX4上。在本实施例中，第一电极EA3/EA4为相互分离的像素电极，且第一电极EA3/EA4分别电性连接至开关元件TFT3/TFT7的漏极。
第二电极EB3/EB4分别位于子像素区SPX3/SPX4上。第二电极EB3/EB4为彼此电性连接的共用电极(或触控电极)。在本实施例中，第二电极EB3/EB4夹在第一电极EA3/EA4与开关元件TFT3/TFT7之间。
虽然在本实施例中，第一电极EA3/EA4为像素电极且第二电极EB3/EB4为共用电极(或触控电极)，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一电极EA3/EA4为共用电极(或触控电极)且第二电极EB3/EB4为像素电极，容后再述。
导通结构CH2位于子像素区EA3上，且与触控电极线CE电性连接。第二电极EB3/EB4通过导通结构CH2电性连接至触控电极线CE。在本实施例中，像素结构20的触控电极线CE位于子像素区SPX3上，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，像素结构20包括两条以上的触控电极线CE，子像素区SPX3与子像素区SPX4上都具有触控电极线CE。每个第一电极EA3/EA4具有多个狭缝O2。狭缝O2具有转折处T。触控电极线CE于基板的垂直方向D3上和第一电极EA3的多个狭缝O2的转折处T重叠。
在本实施例中，这些第一电极EA3/EA4的转折处T会出现光线很难通过的液晶光学暗区，因此，将触控电极线CE设置于这些转折处T的位置能减少触控电极线CE对像素结构20的开口率的影响，使像素结构20能维持较高的开口率。
图3A是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。图3B是沿着图3A的线AA’与线BB’的剖面示意图。在此必须说明的是，图3A、图3B的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图3A、图3B的像素结构30与图1A～图1C的像素结构10的差异在于：像素结构10的第一电极EA1/EA2/EA3为像素电极，像素结构30的第一电极EA1/EA2/EA3则为共用电极(或触控电极)。
请参考图3A与图3B，在本实施例中，第二电极EB1/EB2/EB3为像素电极。第二电极EB1/EB2/EB3分别电性连接至开关元件TFT1/TFT2/TFT3。举例来说，平坦层150具有开口H1，第二电极EB1/EB2/EB3通过位于开口H1中的导电结构CH1电性连接至对应的开关元件TFT1/TFT2/TFT3的漏极144。
在本实施例中，第一电极EA1/EA2/EA3为共用电极(或触控电极)。第一电极EA1/EA2/EA3彼此电性连接，且通过一导通结构CH2电性连接至触控电极线CE。
在一实施例中，第二电极EB3具有一个开口H3，导通结构CH2穿过开口H3而将第一电极EA3与触控电极线CE电性连接。在一实施例中，部分的绝缘层160会填入开口H3中，避免第一电极EA3/EA2/EA1与第二电极EB3电性相连。
在本实施例中，这些第一电极EA1/EA2/EA3的转折处T会出现光线很难通过的液晶光学暗区，因此，将触控电极线CE设置于这些转折处T的位置能减少触控电极线CE对像素结构30的开口率的影响，使像素结构30能维持较高的开口率。
图4是依照本发明的一实施例的一种像素结构及其周围元件的上视示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图4的像素结构40与图2的像素结构20的差异在于：像素结构20的第一电极EA3/EA4为像素电极，像素结构40的第一电极EA3/EA4则为共用电极(或触控电极)。
请参考图4，在本实施例中，第二电极EB3/EB4为像素电极。第二电极EB3/EB4分别电性连接至开关元件TFT3/TFT7。举例来说，平坦层150具有开口H1，第二电极EB3通过位于开口H1中的导电结构CH1电性连接至开关元件TFT3的漏极144(请参考图3B)。
在本实施例中，第一电极EA3/EA4为共用电极(或触控电极)。第一电极EA3/EA4彼此电性连接，且通过一导通结构CH2电性连接至触控电极线CE。
在一实施例中，第二电极EB3具有一个开口H3，导通结构CH2穿过开口H3而将第一电极EA3与触控电极线CE电性连接。在一实施例中，部分的绝缘层160会填入开口H3中，避免第一电极EA3/EA4与第二电极EB3电性相连。
在本实施例中，这些第一电极EA3/EA4的转折处T会出现光线很难通过的液晶光学暗区，因此，将触控电极线CE设置于这些转折处T的位置能减少触控电极线CE对像素结构40的开口率的影响，使像素结构40能维持较高的开口率。
图5A是依照本发明的一实施例的一种曲面显示装置的斜视示意图。图5B是图5A的局部放大示意图。图5C是沿着图5A的线DD’的剖面示意图。在此必须说明的是，图5A、图5B的实施例沿用图1A～图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
请同时参考图5A～图5C，曲面显示装置1包括前述任一实施例的像素结构，在此以曲面显示装置1包括图1A～图1C的像素结构10为例。图5B为图5A的其中三个子像素区SPX及其周围元件的示意图，其中的子像素区SPX例如为图1A～图1C中的第一子像素区SPX1、第二子像素区SPX2以及第三子像素区SPX3的组合。在本实施例中，同一行上(对应于同一条扫描线)的子像素区SPX例如为相同颜色的子像素区。
曲面显示装置1具有曲率半径R以及曲率中心轴CR，曲率中心轴CR到曲面显示装置1的距离为曲率半径R。曲率中心轴CR实质上平行于数据线DL1/DL2(或数据线的延伸方向D1)。在一实施例中，曲率中心轴CR实质上平行于触控电极线CE(或触控电极线的延伸方向)。
在本实施例中，曲面显示装置1包括基板100以及对向基板200。基板100与对向基板200之间夹有显示介质M。显示介质M例如包括液晶分子、电泳显示介质或是其他可适用的介质。
在一些实施例中，对向基板200与显示介质M之间具有黑矩阵BM。黑矩阵BM例如重叠于扫描线SL1/SL2/SL3/SL4、数据线DL1/DL2、触控电极线CE、开关元件TFT1～TFT6以及导通结构CH2。
在本实施例中，重叠于这些转折处T的触控电极线CE能使曲面显示装置1中的像素结构维持较高的开口率。
在本发明的一实施例的像素结构以及曲面显示装置中，触控电极线重叠于第一电极的狭缝的转折处，因此能维持像素结构较高的开口率。
在本发明的一实施例的像素结构以及曲面显示装置中，能减少与触控电极线电性连接的导通结构的数量。
在本发明的一实施例的像素结构以及曲面显示装置中，触控电极线不会与其中一条数据线靠的太近，因此，能避免触控电极线干扰数据线的信号。
在本发明的一实施例的像素结构以及曲面显示装置中，触控电极线与数据线例如是同时形成，因此，不需要额外的制程就可以形成触控电极线，能降低制程难度。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (19)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
一基板，具有一第一子像素区、一第二子像素区以及一第三子像素区；
两条数据线以及三条扫描线，位于该基板上，且该些数据线和该些扫描线交错，以分别定义出该第一子像素区、该第二子像素区以及该第三子像素区；
三个开关元件，分别电性连接至该三条扫描线，且该三个开关元件分别电性连接至该些数据线之一；
三个第一电极，分别位于该第一子像素区、该第二子像素区以及该第三子像素区上，且每一该第一电极具有多个狭缝，各该狭缝具有一转折处；
一触控电极线，穿越该第一子像素区、该第二子像素区以及该第三子像素区，具有一延伸方向与该些数据线的延伸方向实质上相同，且于该基板的垂直方向上和该些转折处重叠；以及
三个第二电极，和该三个第一电极电性绝缘，且分别位于该第一子像素区、该第二子像素区以及该第三子像素区上，其中该三个第二电极和该三个第一电极中的一者电性连接至该三个开关元件，且该三个第二电极和该三个第一电极中的另一者电性连接该触控电极线。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该些数据线相邻并具有一第一间距，任两相邻的该些扫描线具有一第二间距，其中该第一间距大于该第二间距。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该触控电极线与该数据线属于同一膜层。
4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，
该三个第二电极分别电性连接至该三个开关元件，其中
位于该第一子像素区、该第二子像素区以及该第三子像素区上的该些第一电极彼此电性连接，且通过一导通结构电性连接至该触控电极线。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该第一子像素区为红色子像素区，该第二子像素区为绿色子像素区，该导通结构位于该第三子像素区上。
6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括：
该些第二电极彼此电性连接，且通过一导通结构电性连接至该触控电极线，其中
该三个第一电极分别电性连接至该三个开关元件。
7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该第一子像素区为红色子像素区，该第二子像素区为绿色子像素区，且该第三子像素区为蓝色子像素区，该导通结构位于该第三子像素区上。
8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括：
一导通结构，位于该第三子像素区中，且电性连接至该触控电极线，其中该导通结构和对应该第三子像素区的该扫描线的距离小于该导通结构和对应该第二子像素区的该扫描线的距离。
9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一该第一电极的每一该狭缝为V字形。
10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，对应该第一子像素区的该开关元件以及对应该第三子像素区的该开关元件电性连接该些数据线之一，对应该第二子像素区的该开关元件电性连接该些数据线的另一者。
11.一种像素结构，其特征在于，包括：
一基板，包括多个子像素区；
多条数据线以及一扫描线，位于该基板上，且该些数据线和该扫描线交错，以定义出该些子像素区，该些子像素区沿着该扫描线的延伸方向排列；
多个开关元件，分别电性连接至该扫描线以及该些数据线之一；
多个第一电极，分别位于该些子像素区上，且具有多个狭缝，各该狭缝具有一转折处；
至少一触控电极线，于该基板的垂直方向上和其中一个第一电极的该些转折处重叠；
至少一导通结构，位于其中一个子像素区上，且与该触控电极线电性连接；以及
多个第二电极，和该些第一电极电性绝缘，且分别位于该些子像素区上，其中该些第二电极和该些第一电极中的一者电性连接至该些开关元件，且该些第二电极和该些第一电极中的另一者电性连接该触控电极线。
12.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该触控电极线与该些数据线属于同一膜层，且该触控电极线的延伸方向与该些数据线的延伸方向实质上相同。
13.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该触控电极线与该扫描线电性绝缘。
14.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，更包括：
该些第二电极分别电性连接至该些开关元件，其中
位于该些子像素区上的该些第一电极彼此电性连接，且通过该导通结构电性连接至该触控电极线。
15.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，更包括：
该些第二电极彼此电性连接，且通过该导通结构电性连接至该触控电极线，其中
该些第一电极分别电性连接至该些开关元件。
16.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该些子像素区为蓝色子像素区。
17.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该第一电极的每一该狭缝为V字形。
18.一种曲面显示装置，其特征在于，包括如权利要求1到17其中之一的像素结构。
19.如权利要求18所述的曲面显示装置，其特征在于，该曲面显示装置具有一曲率中心轴，该曲率中心轴实质上平行于该些数据线的延伸方向。
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