TWI719448B

TWI719448B - 基板處理裝置及基板處理方法

Info

Publication number: TWI719448B
Application number: TW108113420A
Authority: TW
Inventors: 水上大乘; 鄉原隆行; 石井弘晃
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2018-04-27
Filing date: 2019-04-17
Publication date: 2021-02-21
Also published as: WO2019208197A1; TW201946138A; JP2019192863A

Abstract

於基板處理裝置中，減低在濃度控制中所使用之處理液之量。本基板處理裝置係藉由將包含有藥液與純水的處理液吐出至基板而對該基板進行既定之處理的基板處理裝置。本基板處理裝置具備有：藥液供給部，其供給包含有既定成分的藥液；純水供給部，其供給純水；貯存槽，其貯存藉由包含有自藥液供給部所供給的藥液與自純水供給部所供給的純水而既定成分之濃度較上述藥液低的處理液；基板處理部，其藉由對基板吐出處理液而對基板執行既定處理；供給配管，其成為處理液自貯存槽朝基板處理部之流路；及回收配管，其將在基板處理部中對基板所吐出的處理液送回至貯存槽；藥液供給部係依據既定之處理之進行而將藥液供給至貯存槽，藉此抑制上述處理液之濃度降低。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於對半導體晶圓等之基板吐出處理液而進行蝕刻處理、洗淨處理的基板處理裝置及基板處理方法。

在基板處理裝置中，作為基板之處理準備，對基板處理裝置之槽供給既定濃度之處理液，被供給的處理液係貯存於槽。於半導體裝置之製造步驟中包含有如下步驟，即藉由對基板吐出被貯存於基板處理裝置之槽的處理液，而對該基板施以蝕刻處理、洗淨處理等之處理。所吐出之處理液係被回收至槽而再利用於對基板的處理。藉由將處理液再利用，而減低處理液之消耗量。

當持續處理液之再利用，隨著時間之經過，存在有因處理液構成成分之蒸發、分解等而處理液之濃度降低的情形。因此，進行用以將處理液之濃度維持在適於上述蝕刻處理、洗淨處理之範圍內的濃度控制。濃度控制例如藉由將既定濃度之處理液補充至槽而進行。當即便藉由濃度控制仍無法將處理液之濃度維持在適於上述蝕刻處理、洗淨處理之範圍內時，則實施處理液之全液交換。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2015-177139號公報

習知，於濃度控制中補充至槽的處理液之濃度係與於處理準備中被貯存於槽的處理液之濃度相同，因而為了將槽內之處理液之濃度維持在適於上述各處理的範圍內，於濃度控制中需要大量地補充處理液。

於此，揭示之技術之一方面之課題在於，於基板處理裝置中，減低在處理液之濃度控制中所使用的處理液之量。

揭示技術之一方面係藉由如下之基板處理裝置所例示。本基板處理裝置係藉由將包含有藥液與純水的處理液吐出至基板而對該基板進行既定之處理的基板處理裝置。本基板處理裝置具備有：藥液供給部，其供給包含有既定成分的藥液；純水供給部，其供給純水；貯存槽，其貯存藉由包含有自藥液供給部所供給的藥液與自純水供給部所供給的純水而既定成分之濃度較藥液低的處理液；基板處理部，其藉由對基板吐出處理液而對基板執行既定處理；供給配管，其成為處理液自貯存槽朝基板處理部的流路；及回收配管，其將在基板處理部中對基板所吐出的處理液送回至貯存槽；藥液供給部係依據既定之處理之進行而將藥液供給至貯存槽，藉此抑制處理液之濃度降低。

於揭示技術中，藉由包含含有既定成分的藥液與純水，而將既定成分之濃度較藥液低的處理液貯存於貯存槽。基板處理部係藉由對基板吐出處理液而執行對基板的既定之處理。於基板處理部中對基板所吐出的處理液係經由回收配管而被送回至貯存槽，藉此再利用於既定之處理。雖然存在有當持續處理液之再利用則處理液之濃度降低的情形，但因處理液之既定成分之濃度為較藥液低，故相較於將藥液直接作為處理液而使用之情況，伴隨處理液之再利用的濃度之降低為平緩。此外，由於在處理液中之既定成分之濃度低，因而可藉由少量之藥液的供給而提高貯存於貯存槽的處理液之濃度。因此，根據揭示技術，可減低於濃度控制中所使用的處理液之量。藥液之供給例如可每當基板處理部對既定之片數的基板進行既定之處理時執行，亦可於藉由基板處理部所進行之既定之處理的累積執行時間達到至既定時間時執行。

於揭示技術中，亦可為，進而具備有成為自供給配管之管路中途朝貯存槽之流路的循環配管，於循環配管設置有測量流動於循環配管內之處理液中之藥液濃度的濃度計。當在成為濃度測量對象的處理液中產生泡沫時，濃度計之測量精度降低。泡沫容易於無處理液之流動的場所、處理液與氣體所接觸的場所產生。由於循環配管內有處理液之流動，且亦無處理液與氣體產生接觸之情形，因而適於濃度計之設置，而抑制濃度計之測量精度之降低。

於揭示技術中，亦可為，於循環配管進而設置有將流動於循環配管內之處理液排出的廢液配管，於濃度計所示之濃度低於適於既定之處理的濃度範圍之情況下，自廢液配管排出既定量之處理液，且藥液供給部將既定量之藥液供給至貯存槽。根據如此之技術，除了排出濃度降低的處理液以外，還補充藥液，藉此可容易地恢復處理液之濃度。

於揭示技術中，亦可為，於濃度計所示之濃度高於適於既定之處理的濃度範圍之情況下，純水供給部進而執行將純水供給至貯存槽的處理。根據如此之技術，可使既定成分之濃度變得過高的處理液之濃度下降。

於揭示技術中，亦可為，進而具備有連接於供給配管之較管路中途更靠基板處理部側且將處理液朝貯存槽送回的送回配管，循環配管之內徑係形成為較送回配管之內徑更細。藉由循環配管之內徑較送回配管之內徑更細，流動於循環配管內的處理液之流量係變得較流動於送回配管內的處理液之流量更少。因此，可減低為了濃度測量而流動於循環配管內的處理液之量。

於揭示技術中，亦可為，於供給配管中較管路中途更靠貯存槽側，設置有對流動於供給配管內之處理液加熱的加熱手段，加熱手段係將處理液加熱至較將藥液使用於既定之處理之情況更高的溫度。對於基板的處理效率係依存於處理液中之既定成分之濃度與處理液之溫度。藉由處理液之既定成分之濃度較藥液更低，而存在有對基板的處理效率降低的可能性。根據揭示技術，藉由將處理液之溫度加熱至較將藥液用於處理之情況更高的溫度，而抑制處理效率之降低。

於揭示技術中，亦可為，貯存槽包含有第1貯存槽與第2貯存槽，供給配管包含有成為第1貯存槽與基板處理部之間之處理液之流路的第1供給配管、及成為第2貯存槽與第1貯存槽之間之處理液之流路的第2供給配管，循環配管包含有成為自第1供給配管之第1管路中途朝第1貯存槽之流路的第1循環配管、及成為自第2供給配管之第2管路中途朝第2貯存槽之流路的第2循環配管，加熱手段包含有於第1供給配管中設置於較第1管路中途更靠第1貯存槽側而對流動於第1供給配管內之處理液加熱的第1加熱手段、及於第2供給配管中設置於較第2管路中途更靠第2貯存槽側而對流動於第2供給配管內之處理液加熱的第2加熱手段，第2加熱手段係以較第1加熱手段更高之溫度加熱處理液。由於第2加熱手段係以較第1加熱手段更高之溫度加熱處理液，因而在第2貯存槽之溫度調整中，以更短時間調整為適於基板之處理的溫度。由於將調整為適於處理之溫度的處理液自第2貯存槽供給至第1貯存槽，因而在自第1貯存槽供給至基板處理部的處理液之溫度調整中，只要藉由被設定為較第2加熱手段更低之溫度的第1加熱手段而微調整處理液之溫度即相當足夠。根據如此之技術，可以更短之時間將處理液調整為適於處理的溫度，且可高精度地控制被供給至基板處理部的處理液之溫度。

於揭示技術中，亦可為，第2加熱手段包含有沿著第2供給配管而配置的複數個加熱部，其進而具備有介設於複數個加熱部中之任一加熱部與配置在該一加熱部之旁邊之加熱部之間而測量流動於第2供給配管內之處理液之溫度的溫度計，基於溫度計之測量結果配置於較溫度計更靠第1貯存槽側的加熱部之溫度被控制。藉由介設於複數個加熱部中之任一加熱部與配置在該一加熱部之旁邊之加熱部之間的溫度計，而測量藉由配置在較溫度計更靠第2貯存槽側的加熱部所加熱的處理液之溫度。基於測量結果而控制配置在較溫度計更靠第1貯存槽側的加熱部，藉此可細微地控制處理液之溫度。

於揭示技術中，亦可為，藥液供給部對第2貯存槽供給藥液，純水供給部對第2貯存槽供給純水。藉由將藥液供給部及純水供給部之供給目的地設為第2貯存槽，而抑制被貯存於第1貯存槽的處理液之濃度、溫度之變化。

於揭示技術中，亦可為，於藥液所包含有的既定成分係包含有氟化氫酸。氟化氫酸適於基板之蝕刻處理。此外，揭示技術亦可自於上述基板處理裝置中所執行之基板處理方法之方面而加以掌握。

根據揭示技術，可於基板處理裝置中，減低在處理液之濃度控制中所使用的處理液之量。

1、1a‧‧‧基板處理裝置

11‧‧‧處理腔室

12‧‧‧槽

12a‧‧‧第1槽

12b‧‧‧第2槽

13、13a、13b、13c、13d、13e‧‧‧加熱器

14、14a、14b、14d‧‧‧泵

15、15a、15b‧‧‧溫度計

16‧‧‧濃度計

17、17a‧‧‧純水供給源

17b‧‧‧純水加強槽

18‧‧‧藥液供給源

21、21a、21b‧‧‧供給管

21b1‧‧‧送回管

21p、21p1、21p2、21p3‧‧‧管路中途

22、22a、22b‧‧‧循環配管

23‧‧‧回收管

23a‧‧‧積算流量計

24‧‧‧槽廢液管

25、25a、25b‧‧‧純水供給管

26、26a、26b‧‧‧藥液供給管

26p‧‧‧管路中途

27‧‧‧配管廢液管

31a、31b、31b1、31b2、31c、31c1、31c2、31d、31e、31e1、31f、31g‧‧‧開閉閥

32a、32b、32b1、32b2、32c‧‧‧調整閥

33a、33b、33b1、33b2‧‧‧瞬時流量計

33c‧‧‧積算流量計

55‧‧‧控制部

57‧‧‧儲存部

111‧‧‧平台

112‧‧‧吐出口

112a‧‧‧積算流量計

113‧‧‧壁

113a‧‧‧區域

121‧‧‧液面感測器

551‧‧‧CPU

552‧‧‧ROM

553‧‧‧RAM

P‧‧‧程式

W‧‧‧基板

圖1係顯示實施形態之基板處理裝置之構成之一例之圖。

圖2係基板處理裝置之功能方塊圖之一例。

圖3係顯示於回收管及處理腔室設置有積算流量計之構成之一例之圖。

圖4係顯示具備有複數個處理腔室之基板處理裝置之構成之一例之圖。

圖5係顯示不進行基板之處理而進行溫度調整之情況下之處理液中之既定成分之濃度變化之一例之圖。

圖6係顯示一面進行處理液之再利用一面進行基板之處理的情況下之處理液中之既定成分之濃度變化之一例之圖。

圖7係顯示實施例之基板處理裝置之構成之一例之圖。

圖8係顯示處理液之製作時之基板處理裝置之配管動作之一例之第1圖。

圖9係顯示處理液之製作時之基板處理裝置之配管動作之一例之第2圖。

圖10係顯示處理液之製作時之基板處理裝置之配管動作之一例之第3圖。

圖11係顯示處理液之製作時之基板處理裝置之配管動作之一例之第4圖。

圖12係顯示處理液之製作時之基板處理裝置之配管動作之一例之第5圖。

圖13係顯示處理液之製作時之基板處理裝置之配管動作之一例之第6圖。

圖14係顯示進行對基板之處理之基板處理裝置之配管動作之一例之第1圖。

圖15係顯示進行對基板之處理之基板處理裝置之配管動作之一例之第2圖。

圖16係顯示進行對基板之處理之基板處理裝置之配管動作之一例之第3圖。

圖17係顯示進行對基板之處理之基板處理裝置之配管動作之一例之第4圖。

圖18係顯示進行對基板之處理之基板處理裝置之配管動作之一例之第5圖。

圖19係顯示進行對基板之處理之基板處理裝置之配管動作之一例之第6圖。

以下，參照圖式，對於一實施形態之基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法進行說明。以下所示之實施形態之構成僅為例示，所揭示之技術並不限定於實施形態之構成。

<實施形態>

圖1係顯示實施形態之基板處理裝置1之構成之一例之圖。該基板處理裝置1係主要對半導體晶圓等之基板W施以蝕刻處理、洗淨處理(以下亦簡稱為「處理」)者。基板處理裝置1係一片片地處理基板W之方式之裝置，即所謂之單片式之基板處理裝置。以下，參照圖1，對於基板處理裝置1之構成進行說明。對基板W的蝕刻處理、洗淨處理等之處理係「既定處理」之一例。

處理腔室11係藉由對基板W吐出處理液而進行處理。處理腔室11具有載置基板W的平台111、吐出口112、壁113。平台111形成為大致圓柱形狀，且載置有作為處理對象的基板W而可進行旋轉。吐出口112對被載置於平台之基板W吐出處理液。平台111之周圍係藉由壁113所包圍，而抑制對基板W所吐出之處理液之飛散。處理腔室11係「基板處理部」之一例。

於純水供給源17貯存有純水。於純水供給源17連接有作為純水之朝槽12之流路的純水供給管25。於純水供給管25依序地設置有開閉閥31a(例如閘閥)、調整閥32a(例如針閥)及瞬時流量計33a(例如超音波流量計)，藉由開啟開閉閥31a而開始純水之朝槽12的供給，藉由關閉開閉閥31a而停止純水之朝槽12的供給。自純水供給源17被供給至槽12的純水之流量係藉由調整閥32a所控制。瞬時流量計33a測量流動於純水供給管25的純水之每單位時間之流量。純水供給源17係「純水供給部」之一例。

於藥液供給源18貯存有包含有在既定之補充濃度(例如49%)之既定成分的藥液。於藥液供給源18連接有作為藥液之朝槽12之流路的藥液供給管26。於藥液供給管26，自槽12側起設置有開閉閥31b、調整閥32b及瞬時流量計33b，藉由開啟開閉閥31b而開始藥液朝槽12之供給，藉由關閉開閉閥31b而停止藥液朝槽12之供給。自藥液供給源18被供給至槽12的藥液之流量係藉由調整閥32b所控制。瞬時流量計33b測量流動於藥液供給管26的藥液之每單位時間之流量。藥液供給源18供給至槽12的藥液例如為包含有氟化氫酸(氫氟酸)作為既定成分的氫氟酸水溶液。藥液供給源18係「藥液供給部」之一例。

於槽12貯存有用於處理的處理液。於槽12貯存有處理液，該處理液係利用自純水供給源17所供給的純水而稀釋自藥液供給源18所供給的藥液，藉此而包含有較上述補充濃度低的初期濃度(例如40%)之既定成分。對基板W之處理效率(例如當處理為蝕刻之情況下則為蝕刻率)係依存於處理液中之既定成分之濃度與處理液之溫度。即，若考慮到對基板W之處理效率，則較佳為處理液中之既定成分之濃度較高者。然而，在本實施形態中，用於減低在後述之濃度控制中所使用之處理液之量，以純水稀釋藥液而藉此以成為較藥液低的初期濃度之方式控制貯存於槽12的處理液之濃度。因使濃度降低而所導致之處理效率降低係在後述之溫度調整中將處理液之溫度調整為較直接將藥液用於處理之情況(即，將上述補充濃度之藥液使用於處理的情況)更高之溫度而藉此被抑制。於槽12設置有檢測槽12內之處理液之液面高度的液面感測器121。藉由液面感測器121檢測液面高度，而可判定貯存於槽12的處理液之量。即，藉由液面感測器121檢測液面高度，而藉此可判定液面高度為通常貯存於槽12的量即「定量」位置、應開始補充的量即「補充開始」位置、表示若再將處理液供給至槽則處理液將會自槽溢出的「溢流」位置、或是表示貯存於槽內之處理液之下限的「下限」位置。槽12係「貯存槽」之一例。

供給管21係連接處理液之供給來源與處理液之供給目的地的內徑25mm左右之配管。在圖1中，處理液之供給來源即槽12與處理液之供給目的地即處理腔室11係藉由供給管21而連接。於供給管21設置有加熱流動於供給管21內之處理液的加熱器13及泵14。藉由加熱器13而調整為適於處理之溫度的處理液係藉由泵14而經由供給管21被壓送至處理腔室11。於槽12之底部設置有具備開閉閥31f的槽廢液管24，於實施貯存在槽12的處理液之全液交換時，開閉閥31f被開啟而經由槽廢液管24排放(排出)槽12內之處理液。供給管21係「供給配管」之一例。

循環配管22係將一端與供給管21之管路中途21p連接，將另一端與槽12連接的配管。循環配管22係較供給管21更細的配管，例如，循環配管22之內徑為6mm左右。於供給管21中，加熱器13係設置於較連接有循環配管22之管路中途21p更靠槽12側，因此，於循環配管22流入有藉由加熱器13所加熱的處理液。加熱器13係「加熱手段」之一例。

回收管23係將一端與處理腔室11連接，將另一端與槽12連接的配管。回收管23成為將於處理腔室11中被使用於處理的處理液朝槽12送回的流路。即，在處理腔室11中被使用於處理的處理液係經由回收管23而被回收至槽12。回收管23係「回收配管」之一例。

溫度計15係設置於循環配管22。如上述般，藉由加熱器13所加熱的處理液係流入至循環配管22，因此，溫度計15可測量藉由加熱器13所加熱的處理液之溫度。

濃度計16係設置於循環配管22，且測量處理液中之既定成分之濃度。當成為濃度之測量對象的處理液中混入有泡沫時，濃度計16之測量精度降低。處理液中之泡沫係容易產生於處理液不流動的部位、處理液與氣體所接觸的部位。於此，在本實施形態中，於在處理液中有流動且處理液與氣體不接觸的循環配管22設置濃度計16。濃度計16例如為基於導電率而測量處理液中之氫氟酸之濃度者，例如可採用堀場製作所股份有限公司之氫氟酸濃度監視器HF-960EM。

開閉閥31e係於供給管21中設置於較管路中途21p更靠處理腔室11側的閥，例如為閘閥。藉由關閉開閉閥31e，處理液自槽12之朝處理腔室11之流路被封閉，藉由開啟開閉閥31e，處理液自槽12之朝處理腔室11之流路被開放。

於循環配管22設置有使用於排放流動於循環配管22內之處理液的配管廢液管27。配管廢液管27係連接於循環配管22中較溫度計15及濃度計16更靠槽12側。此外，於循環配管22，在循環配管22中較連接有配管廢液管27之位置更靠槽12側，設置有開閉閥31c。於配管廢液管27設置有開閉閥31d，並藉由開啟開閉閥31d，流動於循環配管22的處理液係經由配管廢液管27而被排放。於經由配管廢液管27而進行排放時，關閉開閉閥31c而封閉朝槽12之流路，並且關閉開閉閥31e而封閉朝處理腔室11之流路。再者，如上述般，循環配管22之內徑係較供給管21細，因而流動於循環配管22內的處理液之流量係較流動於供給管21內的處理液之流量少。因此，藉由將配管廢液管27設置於循環配管22，相較於在供給管21設置有配管廢液管27之情況，所排放之處理液之量的控制變得容易。配管廢液管27係「廢液配管」之一例。

<功能方塊>

圖2係基板處理裝置1之功能方塊圖之一例。上述之處理腔室11、槽12、加熱器13、純水供給源17、藥液供給源18係藉由控制部55統合地被控制。此外，控制部55取得藉由溫度計15及濃度計16所進行的測量結果。作為控制部55之硬體的構成係與一般之電腦相同。即，控制部55具備有進行各種運算處理的CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)551、儲存基本程式的讀取專用之記憶體即ROM(Read-Only Memory，唯讀記憶體)552、儲存各種資訊的讀寫自如之記憶體即RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)553及儲存有控制用應用程式、資料等的磁碟等。於本實施形態中，藉由控制部55之CPU 551執行既定之程式P，而進行處理液之溫度調整、執行藉由處理腔室11所進行之對基板W之處理、執行處理液之濃度控制及液位補充。上述程式P係儲存於儲存部57。

<溫度調整>

溫度調整係將貯存於槽12的處理液之溫度調整為適於處理之溫度的處理。在溫度調整中，藉由泵14而自槽12被壓送至供給管 21的處理液係藉由設置於供給管21之加熱器13而被加熱。被加熱之處理液係經由循環配管22而送回至槽12。藉由重複進行如此般之循環，貯存於槽12的處理液之溫度係被調整為適於處理的溫度。如上述般，基板W之處理效率係關聯於處理液之溫度與濃度而變化，因而在本實施形態之溫度調整中，將貯存於槽12的處理液之溫度調整為較適於將補充濃度之藥液用於處理之情況之溫度更高的溫度。藉由將處理液調整為較高之溫度，即便使用較補充濃度低之初期濃度之處理液，仍可避免處理效率之降低。

在溫度調整中，藉由關閉開閉閥31e，處理液之朝處理腔室11之流路被封閉。自槽12壓送至供給管21的處理液係藉由設置於供給管21的加熱器13而被加熱，被加熱之處理液係流入至循環配管22。流動於循環配管22的處理液係藉由溫度計15而測量溫度之後，被送回至槽12。於藉由溫度計15所測量的溫度成為適於基板W之處理的溫度範圍內為止之期間，重複進行如此般之循環。再者，於循環配管22已如上述般亦設置濃度計16，濃度計16係測量流動於循環配管22的處理液之既定成分之濃度。於溫度調整中，當藉由溫度計15所測量的溫度成為適於基板W之處理的溫度範圍內時，開啟開閉閥31e，開始貯存於槽12的處理液之朝處理腔室11之供給。

<基板W之處理>

處理腔室11係如上述般，藉由自吐出口112將自槽12所供給之處理液吐出至基板W而進行處理。於此，在半導體晶圓等之基板W之製造步驟中，例如對於將矽等之單晶錠沿其之棒軸方向切片而獲得者依序地施以倒角、研磨、蝕刻處理、拋光等之處理。其結果，於基板W之表面上形成有藉由不同之材料所構成之複數個層、構造、電路。於處理腔室11中所進行之基板W之處理係例如以除去殘留於基板W之鎢等之金屬之目的而進行，其藉由對基板W吐出處理液而進行。在處理腔室11中，成為處理對象的基板W被載置於平台111，藉由平台111旋轉，而被載置於平台111的基板W旋轉。處理腔室11係藉由將處理液自吐出口112對旋轉之基板W吐出，而執行對基板W的處理。藉由包圍平台111之周圍的壁113而抑制被使用於處理的處理液之飛散，而且被使用於處理的處理液係被貯存在被壁113所包圍的區域113a內。被貯存於區域113a內的處理液係經由連接處理腔室11與槽12的回收管23而被回收至槽12。即，被使用於處理的處理液係經由回收管23而被回收至槽12，藉此作為供給至處理腔室11的處理液而再利用。於將處理液供給至處理腔室11之期間，處理液之一部分仍經由管路中途21p而流入至循環配管22，並持續進行藉由溫度計15所進行之溫度測量與藉由濃度計16所進行之濃度測量。

在基板處理裝置1中，藉由對使用於基板W之處理的處理液進行再利用，而削減處理液之消耗量。然而，當重複進行如此般之處理液的再利用，則存在有處理液中之既定成分之濃度係因處理液構成成分之蒸發、分解等而變化之情形。例如，於上述之溫度調整中，存在有因處理液中之水分蒸發而如圖5所例示般使處理液中之既定成分的濃度上升之情形。此外，例如，當於基板W之處理中持續進行處理液之再利用時，存在有因處理液中之既定成分之蒸發、分解等而如圖6所例示般使處理液中之既定成分之濃度降低之情形。存在有因處理液中之既定成分之濃度變化，而使貯存於槽12的處理液中之既定成分之濃度自適於基板W之處理的濃度範圍脫離之情形。於此，在藉由濃度計16所測量之處理液中之既定成分之濃度為脫離適於基板W之處理的濃度範圍之情況下，執行濃度控制。

<濃度控制>

在基板處理裝置1中，依據處理之進行而自藥液供給源18朝槽12供給藥液。藥液供給源18供給藥液之時期及量係只要預先基於實驗等而以可抑制處理液之濃度變化之方式決定即可。藥液供給源18例如於已進行既定片數之基板之處理之情況、處理之累積執行時間達到至既定時間時，將藥液供給至槽12。

於藉由濃度計16所測量之處理液中之既定成分之濃度脫離適於基板W之處理的濃度範圍之情況下，執行濃度控制，該濃度控制係自純水供給源17將純水供給至槽12，或自藥液供給源18將藥液供給至槽12。於濃度控制中，例如於處理液中之既定成分之濃度上升之情況下，藉由自純水供給源17供給純水而使處理液中之既定成分之濃度降低。此外，例如上述圖6所例示般，由於當持續進行處理液之再利用時，處理液中之既定成分之濃度降低，因而藉由自藥液供給源18供給藥液而抑制處理液中之既定成分之濃度之降低。於濃度計16所示之處理液中之既定成分之濃度低於適於基板W之處理的濃度範圍之下限之情況下，開啟開閉閥31d且關閉開閉閥31c，經由配管廢液管27而排放既定量(例如3L)之既定成分之濃度所降低的處理液。藉由自藥液供給源18將與所排放之處理液同量的藥液供給至槽12，而使貯存於槽12之處理液中之既定成分之濃度上升。

如上述般，在本實施形態中，貯存於槽12的處理液之初期濃度係被設定為較藥液供給源18所供給的濃度低。因此，相較於貯存在槽12的處理液之濃度與自藥液供給源18供給藥液的藥液之濃度為相等之情況，可藉由較少量之藥液之供給而使貯存在槽12的處理液之濃度上升。即，根據本實施形態，可減低使用於濃度控制的藥液之量。

<液位補充>

於上述之濃度控制中，依據處理之進行而朝槽12供給藥液，即便如此，仍存在有貯存於槽12的處理液減少之情形。於貯存於槽12的處理液之量減少至表示補充開始的量之情況下，進行液位補充。在液位補充中，自藥液供給源18將藥液供給至槽12，且自純水供給源17將純水供給至槽12。藥液供給源18所供給之藥液流量與純水供給源17所供給之純水流量係以藉由各個調整閥32b、32a而使藥液濃度成為初期濃度之方式加以控制。在液位補充中持續進行顯示貯存於槽12的處理液之量為通常貯存於槽12的量即定量為止。

<補充量>

然而，如上述般，在處理腔室11中使用於處理的處理液係經由回收管23而被回收至槽12。處理腔室11與槽12之間之距離係因基板處理裝置1之設置場所而有所不同，因而無法預先決定處理液在處理腔室11被使用之後至被回收至槽12為止的時間。此外，基板處理裝置1係可如圖4般具備有複數個處理腔室11，若處理腔室11之數量增加，則被回收至槽12的處理液之量亦增加。槽12係以如下方式而設計為於容量上具有餘裕，即在上述之濃度控制、液位補充中，即便於補充處理液至處理液、藥液成為槽12之定量為止之後自處理腔室11將處理液回收至槽12之情況下，處理液仍不會自槽12溢出。當設計為於槽12之容量上具有餘裕時，槽12之製造成本增大，或於基板處理裝置1之設置上變得需要更寬廣之設置空間。

於此，亦可為，考慮到自處理腔室11所回收之處理液之量，而決定於濃度控制、液位補充中所補充之藥液、純水之量。即，只要以藉由於濃度控制、液位補充中所補充至槽12的藥液、純水之量與自處理腔室11所回收之處理液之量而使槽12之處理液之量成為定量之方式，控制所補充之藥液及純水之量即可。

所回收之處理液之量例如可基於在處理腔室11之處理中所吐出之處理液之量與回收率而決定。回收率係表示在處理腔室11之處理中所吐出之處理液之量中，被回收至槽12的處理液之量的比例，例如可由下述數式(1)決定。

[數式1]回收率=被回收至槽12的處理液之量/處理腔室11所吐出之處理液之量…數式(1)

於數式(1)中，於被連接至槽12的處理腔室11存在有複數個之情況下，「處理腔室11所吐出之處理液之量」為該等複數個處理腔室11所吐出之處理液之合計量。於數式(1)中，回收率之值域為0至1之範圍，例如，處理腔室11所吐出之處理液為全部被回收至槽12之情況下之回收率成為1。

在處理腔室11所吐出之處理液之量例如可自決定基板W之處理內容的配方而取得。配方係例如儲存於儲存部57，只要控制部55自儲存部57讀取配方，而取得所吐出之處理液之量即可。此外，例如圖3所例示般，於處理腔室11之吐出口112設置有可測量所吐出之處理液之流量之積算的積算流量計112a，亦可藉由積算流量計112a測量吐出口112所吐出之處理液之量而取得。於基板處理裝置1具備有複數個處理腔室11之情況下，只要將處理腔室11各者所具有之藉由積算流量計112a所進行之測量結果的合計值作為所吐出之處理液之量即可。被回收至槽12的處理液之量係可自槽12所具有之液面感測器121而取得。此外，被回收至槽12的處理液之量亦可如圖3所例示般，藉由設置於回收管23的積算流量計23a進行測量而取得。藉由預先試驗等而確認回收率，並將所確認之回收率儲存於儲存部57，藉此可自作為製品而被販賣的基板處理裝置1而省略積算流量計23a。補充至槽12的藥液及純水之供給量，例如可藉由下述數式(2)而決定。

[數式2」對槽的補充量=(定量-現在之液量)-(吐出量)×(回收率)…數式(2)

於數式(2)中，「現在之液量」為貯存於槽12的處理液之量，例如可藉由設置於槽12的液面感測器121而檢測。「吐出量」為處理腔室11所吐出之處理液之量，於處理腔室11存在有複數個之情況下為複數個處理腔室11所吐出之處理液之合計。即，藉由「(吐出量)×(回收率)」而決定被回收至槽12的處理液之量。例如，於槽12之定量為30L、槽12之現在之液量為20L、處理腔室11之所吐出之處理液之量為10L、回收率為0.9之情況下，供給至槽12的藥液及純水之合計量係藉由數式(2)而決定為1L。關於藥液及純水各者之供給量，例如於在濃度控制中供給藥液之情況下，藥液之供給量為1L，而不供給純水。此外，例如於在濃度控制中供給純水之情況下，純水之供給量為1L，而不供給藥液。此外，於液位補充中，只要基於處理液中之既定成分之濃度與藉由數式(2)所決定之合計量而決定藥液與純水各者之供給量即可。再者，補充至槽12的藥液及純水之供給量亦可藉由數式(2)以外而決定。此外，補充至槽12的藥液及純水之供給量之合計亦可進而考慮自槽12所蒸發之處理液之量。

再者，於實施形態中，在處理腔室11中使用於處理的處理液係藉由回收管23而被回收至槽12，但亦可考慮不將處理腔室11所吐出之處理液回收至槽12的基板處理裝置。不回收所吐出之處理液之情況下之對槽的補充量係亦可決定為於數式(2)中將回收率設為0，亦可設為與處理腔室11所吐出之吐出量同量。

在濃度控制中，可如上述般，於貯存在槽12的處理液之量低於定量時進行實施，但可每當處理腔室11吐出處理液時進行實施，或可於每既定期間進行實施，亦可於處理腔室11所吐出之處理液之量達到至既定量時進行實施。例如，於在每既定期間進行實施之情況下，只要基於既定期間之吐出量之合計而決定補充量即可。此外，例如於在處理腔室11所吐出之處理液之量達到至既定量時進行實施之情況下，只要將該既定量作為補充量即可。

<實施形態之作用功效>

在實施形態中，於槽12貯存有處理液，該處理液係藉由自純水供給源17所供給之純水稀釋自藥液供給源18所供給之藥液而成者。藉由使用經稀釋的處理液，相較於將藥液直接作為處理液而使用之情形，伴隨處理液之再利用的濃度之降低成為平緩。此外，由於處理液中之既定成分之濃度低，因而可藉由少量之藥液之供給而提高被貯存於槽12的處理液之濃度。由於濃度之降低為平緩，且以少量之藥液之供給而可提高濃度，因而根據實施形態，可減低於濃度控制中所使用之處理液之量。

在實施形態中，於循環配管22設置有濃度計16。如上所述，當成為濃度測量之對象的處理液中產生有泡沫時，濃度計16之測量精度降低。泡沫容易產生於無處理液之流動的場所、處理液與氣體所接觸的場所。循環配管22內係流動有藉由泵14所壓送的處理液，且無處理液與氣體產生接觸，因此適於濃度計之設置，而抑制濃度計之測量精度之降低。

在實施形態中，於循環配管22連接有排出流動於循環配管22內之處理液的配管廢液管27，於濃度計16所示之濃度低於適於處理之濃度範圍之情況下，自配管廢液管27排出既定量之處理液，且藥液供給源18將既定量之藥液供給至槽12。由於排出濃度降低的處理液以外還補充藥液，因而可容易地回復處理液之濃度。

在實施形態中，於濃度計16所示之濃度高於適於處理之濃度範圍之情況下，純水供給源17係將純水供給至槽12。藉由供給純水，可降低既定成分之濃度變得過高的處理液之濃度。

在實施形態中，循環配管22之內徑係形成為較供給管21之內徑更細。藉由使循環配管22之內徑較供給管21之內徑更細，而使流動於循環配管22內的處理液之流量變得較流動於供給管21內的處理液之流量少。因此，可減低為了進行濃度測量而流動於循環配管22內的處理液之量。此外，藉由於處理液之流量少的循環配管22設置配管廢液管27，而使所排放之處理液之量的控制變得容易。

於實施形態中，處理液之溫度被調整為較適於將自藥液供給源18所供給之藥液直接使用於處理之情況的溫度更高的溫度。對於基板W的處理效率係依存於處理液中之既定成分之濃度與處理液之溫度。藉由將處理液之溫度調整為較將藥液直接使用於處理之情況更高的溫度，而可抑制因將既定成分之濃度較藥液更低的處理液使用於處理而導致處理效率之降低的情形。

在實施形態中，藥液供給源18、純水供給源17所補充至槽12的藥液、純水之量係考慮到自處理腔室11所回收之處理液之量而決定。因此，即便於藥液供給源18、純水供給源17將藥液、純水供給至槽12之後，將在處理腔室11中使用於處理的處理液回收至槽12，仍可使貯存於槽12的處理液之量成為定量。因此，在將處理液回收至槽12之狀態下，貯存於槽12的處理液之量成為定量，故亦可不用將槽12製造為較大，而可實現槽12之小型化。

<實施例>

對於在實施形態中所說明之基板處理裝置1，對更具體之構成進行說明。圖7係顯示實施例之基板處理裝置1a之構成之一例之圖，其為更具體地顯示圖1所例示之構成者。於基板處理裝置1a中，對於與基板處理裝置1相同之構成附加相同符號，而省略其說明。以下，參照圖式而對實施例之基板處理裝置1a進行說明。

基板處理裝置1a具備有2個槽12(第1槽12a、第2槽12b)。第1槽12a係使用於處理液之朝處理腔室11的供給，第2槽12b係使用於處理液之製作與將所製作之處理液之朝第1槽12a的供給。在第2槽12b中，基於自藥液供給源18所供給的藥液與自純水供給源17a所供給的純水而製作初期濃度之處理液。供給管21a係成為處理液之自第2槽12b朝第1槽12a之流路的配管，於供給管21a上，複數個加熱器13a、13b、13c、13d係沿著供給管21a而進行配置。加熱器13a、13b所加熱處理液的溫度例如設定為較加熱器13c、13d更高。於供給管21a中，在加熱器13b與配置於加熱器13b之旁邊的加熱器13c之間介設有溫度計15a，於較加熱器13d更靠第2槽12b側設置有溫度計15b，流動於供給管21a內的處理液之溫度係藉由溫度計15a、15b而進行測量。藉由加熱器13a、13b而所加熱之處理液之溫度係藉由溫度計15a而進行測量。於供給管21a進而設置有泵14a，貯存於第2槽12b的處理液係藉由泵14a而被壓送至供給管21a。此外，於供給管21a上，在較加熱器13a、13b、13c、13d及泵14a而更靠第1槽12a側，設置有開閉閥31e1。控制部55係基於溫度計15a之測量結果而控制加熱器13c、13d之溫度。於供給管21a中，在較開閉閥31e1而更靠第2槽12b側，且在較泵14a而更靠第1槽12a側的管路中途21p1，連接有自管路中途21p1延伸至第2槽12b的循環配管22a。於循環配管22a設置有開閉閥31c1。於第2槽12b中進行處理液之溫度調整時，藉由關閉開閉閥31e1而封閉朝第1槽12a的流路，且藉由開啟開閉閥31c1而開放朝第2槽12b的流路。貯存於第2槽12b的處理液係藉由泵14a而被壓送至供給管21a，被壓送的處理液係藉由加熱器13a、13b、13c、13d而被加熱，並經由循環配管22a而送回至第2槽12b。加熱器13a、13b、13c、13d係「第2加熱手段」之一例。加熱器13a、13b、13c、13d之各者係「加熱部」之一例。第1槽12a係「第1貯存槽」之一例。第2槽12b係「第2貯存槽」之一例。供給管21a係「第2供給配管」之一例。循環配管22a係「第2循環配管」之一例。管路中途21p1係「第2管路中途」之一例。加熱器13b係「一加熱部」之一例。

於第2槽12b中所製作且經溫度調整的處理液係經由供給管21a而被供給至第1槽12a。供給管21b、21b之各者係作為處理液之自第1槽12a朝處理腔室11、11各者之流路的配管，於供給管21b、21b各者設置有加熱器13e、13e及泵14b。於供給管21b、21b之管路中途21p2、21p2連接有自管路中途21p2、21p2延伸至第1槽12a的循環配管22b。於循環配管22b，以自管路中途21p2起朝向第1槽12a而順序地設置有開閉閥31g、積算流量計33c、調整閥32c、濃度計16及開閉閥31c2。濃度計16亦可設置於循環配管22a，但藉由將濃度計16設置於循環配管22b，可測量更靠近處理腔室11之位置的處理液之濃度。於供給管21b、21b，進而在設置於較管路中途21p2更靠處理腔室11側的管路中途21p3、21p3，連接有自管路中途21p3、21p3延伸至第1槽12a的送回管21b1、21b1。送回管21b1、21b1係內徑為較循環配管22b大(即流路截面積大)的配管，例如，送回管21b1、21b1之內徑為 25mm，循環配管22b之內徑為6mm。送回管21b1係「送回配管」之一例。加熱器13e係「第1加熱手段」之一例。供給管21b係「第1供給配管」之一例。循環配管22b係「第1循環配管」之一例。管路中途21p2係「第1管路中途」之一例。

於第1槽12a及第2槽12b之各者設置有上述之液面感測器121。再者，由於第2槽12b成為朝第1槽12a之處理液之供給來源，因而第2槽12b係使用容量較第1槽12a大的槽。因此，於第2槽12b中液面高度成為「定量」的處理液之量係設定為較第1槽12a中液面高度成為「定量」的處理液之量更多。例如，於第2槽12b中液面高度成為「定量」的處理液之量為「60L」，於第1槽12a中液面高度成為「定量」的處理液之量為「30L」。

於藥液供給源18連接有成為藥液之朝第2槽12b之流路的藥液供給管26a、26b。於藥液供給管26a設置有開閉閥31b1、調整閥32b1及瞬時流量計33b1。當開閉閥31b1開啟時，確保有經由自藥液供給源18朝第2槽12b之藥液供給管26a的流路，當關閉開閉閥31b1時，封閉經由自藥液供給源18朝第2槽12b之藥液供給管26a的流路。流動於藥液供給管26a內的藥液之流量係藉由調整閥32b1而進行控制。瞬時流量計33b1測量流動於藥液供給管26a的藥液每單位時間之流量。於藥液供給管26b設置有開閉閥31b2、調整閥32b2及瞬時流量計33b2。於藥液供給管26b之管路中途26p連接有純水供給管25a。當開閉閥31b2開啟時，確保有經由自藥液供給源18朝第2槽12b之藥液供給管26b的流路，當關閉開閉閥31b2時，封閉經由自藥液供給源18朝第2槽12b之藥液供給管26b的流路。流動於藥液供給管26b內的藥液之流量係藉由調整閥32b2而進行控制。瞬時流量計33b2測量流動於藥液供給管26b的藥液每單位時間之流量。

在基板處理裝置1a中，具有純水供給源17a與純水加強槽(spike tank)17b(在圖中，記載為DIW SPK Tank)而作為純水供給源。於純水供給源17a連接有成為純水之朝第2槽12b之流路的純水供給管25a。於純水供給管25a設置有開閉閥31a、調整閥32a及瞬時流量計33a。純水供給源17a除了純水供給目的地成為第2槽12b以外，與實施形態之純水供給源17相同。

於純水加強槽17b連接有成為純水之朝第2槽12b之流路的純水供給管25b。於純水供給管25b設置有泵14d。藉由泵14d進行壓送，藉此供給有自純水加強槽17b朝第2槽12b的既定量(例如100ml)之純水。

此外，被使用於基板W之處理而藉由回收管23所回收的處理液之溫度係變得較適於基板W之處理的溫度低。當將如此般之處理液送回至第1槽12a時，使貯存於第1槽12a的處理液之溫度降低。於此，在基板處理裝置1a中，將使用於基板W之處理的處理液送回至槽12的回收管23係設置為自處理腔室11朝第2槽12b延伸。即，在處理腔室11中被使用於基板W之處理的處理液係經由回收管23而朝第2槽12b送回。自第2槽12b朝第1槽12a壓送有處理液的處理液係藉由加熱器13a、13b、13c、13d而進行加熱。因此，可抑制貯存於第1槽12a的處理液之溫度之降低。

對於具有上述構成之基板處理裝置1a中之基板W之處理流程，以下參照圖8至圖19而進行說明。於圖8至圖19中，流動有處理液的配管係以粗線表示。

<處理液之製作>

圖8至圖13係顯示處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例之圖。以下，參照圖8至圖13，對於處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例進行說明。

圖8係顯示處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第1圖。由於為處理液之製作開始時間點，因而第1槽12a及第2槽12b之任一槽內均成為淨空。當開始處理液之製作時，藥液供給源18係在開閉閥31b2被開啟且開閉閥31b1被關閉之狀態下朝藥液供給管26b送出藥液。流動於藥液供給管26b的藥液之流量係藉由調整閥32b2而進行控制。純水供給源17a係在開閉閥31a被開啟之狀態下朝純水供給管25a送出純水。流動於純水供給管25a的純水之流量係藉由調整閥32a而進行控制。藥液供給管26b與純水供給管25a係於管路中途26p被連接，自藥液供給源18所供給之藥液之流量與自純水供給源17a所供給之純水之流量係分別藉由調整閥32b2及調整閥32a而進行控制，藉此將被調整為初期濃度的處理液供給至第2槽12b。

圖9係顯示處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第2圖。當貯存於第2槽12b的處理液之液面高度超過下限時，開始處理液之溫度調整。在溫度調整中，開閉閥31c1被開啟，開閉閥31e1被關閉。接著，第2槽12b內之處理液係藉由泵14a而被壓送至供給管21a，被壓送至供給管21a的處理液係藉由加熱器13a、13b而加熱。藉由加熱器13a、13b所加熱的處理液之溫度係藉由溫度計15a進行測量。控制部55係自溫度計15a 取得溫度計15a所測量的溫度，基於所取得的溫度而控制加熱器13c、13d之溫度。藉由加熱器13c、13d所加熱的處理液係藉由溫度計15b被測量該溫度之後，並經由循環配管22a而送回至第2槽12b。至藉由溫度計15b所測量的處理液之溫度為顯示適於基板W之處理的溫度範圍內為止的期間，重複進行如此般之循環而執行處理液之溫度調整。進而，於執行溫度調整之期間亦持續進行參照圖8而所說明的處理液之製作。

圖10係顯示處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第3圖。當貯存於第2槽12b的處理液之溫度被調整為適於基板W之處理的溫度範圍，且貯存於第2槽12b的處理液之液面高度達到「定量」時，開始處理液之自第2槽12b朝第1槽12a之供給。首先，藉由開閉閥31c1被關閉且開閉閥31e1被開啟，確保有處理液之自第2槽12b朝第1槽12a的流路。其後，貯存於第2槽12b的處理液係藉由泵14a而經由供給管21a朝第1槽12a被壓送。再者，設置於供給管21a的加熱器13a、13b、13c、13d係以使朝第1槽12a所被壓送的處理液為不自適於基板W之處理的溫度範圍脫離之方式進行控制。

圖11係顯示處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第4圖。於在第1槽12a中處理液之液面高度到達至定量為止的期間，存在有貯存於第1槽12a的處理液之溫度降低的情形。於此，在基板處理裝置1a中，當貯存於第1槽12a的處理液之液面高度超過「下限」時，於第1槽12a中進行處理液之溫度調整。在該溫度調整中，貯存於第1槽12a的處理液係藉由泵14b而被壓送至供給管21b。被壓送至供給管21b的處理液係藉由加熱器13e而被加熱。藉由加熱器13e而被加熱的處理液係於管路中途21p2中分為直接朝向管路中途21p3而流動於供給管21b內的流動、及流入至循環配管22b的流動。朝向管路中途21p3而流動的處理液係在管路中途21p3流入至送回管21b1，而送回至第1槽12a。此外，流入至循環配管22b的處理液係藉由濃度計16而測量在處理液中之既定成分之濃度之後，送回至第1槽12a。

圖12係顯示處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第5圖。當藉由來自第2槽12b的處理液之供給，而使貯存於第1槽12a的處理液之液面高度達到至定量時，停止處理液之自第2槽12b朝第1槽12a之供給。具體而言，開閉閥31e1被關閉而封閉處理液之自第2槽12b朝第1槽12a之流路，且開閉閥31c1被開啟而確保有自循環配管22a朝第2槽12b的流路。於第2槽12b中，執行參照圖9而所說明的處理液之溫度調整與處理液之製作。此外，於第1槽12a中，執行參照圖11而所說明的處理液之溫度調整。

圖13係顯示處理液之製作時之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第6圖。在圖13中例示如下狀態，即藉由圖12中所說明的在第1槽12a中之溫度調整與在第2槽12b中之溫度調整及處理液之製作，而使第1槽12a及第2槽12b之任一者均完成處理液之溫度調整，且被貯存的處理液之液面高度達到至定量。被貯存於第1槽12a及第2槽12b的處理液之濃度係被調整為初期濃度，初期濃度例如為43%。於圖13所例示之狀態下，被貯存於第1槽12a及第2槽12b的處理液之量均達到至定量，處理液之溫度及濃度均成為適於處理之範圍內。因此，圖13所例示之狀態可說是準備好開始基板W之處理的狀態。

<處理執行時>

圖14至圖19係顯示進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例之圖。以下，參照圖14至圖19，對於進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例進行說明。

圖14係顯示進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第1圖。於圖14中，貯存於第1槽12a的處理液係經由供給管21b而被供給至處理腔室11。處理腔室11係自吐出口112對基板W吐出自第1槽12a所供給的處理液而執行處理。藉由處理腔室11所進行之使用於處理的處理液係經由回收管23而送回第2槽12b。因此，當持續進行在處理腔室11中之處理時，貯存於第1槽12a的處理液之液面降低。於此，當貯存於第1槽12a的處理液之液面高度低於定量時，開始處理液之自第2槽12b朝第1槽12a之供給。具體而言，開閉閥31e1被開啟而確保有處理液之自第2槽12b朝第1槽12a的流路。泵14a係將貯存於第2槽12b的處理液經由供給管21a而朝第1槽12a壓送。再者，於貯存在第2槽12b的處理液之液面高度低於下限之情況下，不執行處理液之自第2槽12b朝第1槽12a之供給。如此情況下之處理係於後詳述。

圖15係顯示進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第2圖。在圖15中，顯示上述濃度控制之一例。如上所述，當持續進行基板W之處理時，處理液中之既定成分之濃度產生變化。於此，既定量之藥液係依據基板W之處理片數而自藥液供給源18供給至第2槽12b，並自第2槽12b將該處理液供給至第1槽12a，藉此而抑制使用於處理的處理液之濃度之變化。例如，於每處理25片基板W時，將1L之藥液自藥液供給源18供給至第2槽12b。再者，藥液供給源18所供給之藥液之量例如亦可考慮到自處理腔室11所回收之處理液之量而決定。具體而言，藥液供給源18所供給之藥液之量亦可基於上述數式(1)及數式(2)而決定。

圖16係顯示進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第3圖。在圖16中，顯示上述液位補充之一例。於即便進行自藥液供給源18朝第2槽12b供給藥液而貯存於第2槽12b的處理液之液面高度低於補充開始之情況下，關閉開閉閥31b1且開啟開閉閥31b2而將使用於藥液之供給的配管自藥液供給管26a切換為藥液供給管26b。此外，藉由開啟開閉閥31a，使純水自純水供給源17a朝第2槽12b供給。即，如上述般，對第2槽12b供給被調整為初期濃度的處理液。被調整為初期濃度的處理液之供給係持續至貯存於第1槽12a及第2槽12b的處理液之液面高度顯示定量為止。再者，藥液供給源18所供給之藥液之量與純水供給源17所供給之純水之量的合計量例如亦可考慮到自處理腔室11所回收之處理液之量而決定。具體而言，藥液供給源18所供給之藥液之量與純水供給源17所供給之純水之量的合計量係亦可基於上述數式(1)及數式(2)而決定。

圖17係顯示進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第4圖。在圖17中，顯示上述濃度控制之一例。當持續進行基板W之處理時，存在有隨著時間經過，處理液之濃度因處理液構成成分之蒸發、分解等而降低之情況。於即便進行如圖15所例示之藥液供給，被貯存於第1槽12a的處理液之濃度仍降低之情況下，開啟開閉閥31d，排放既定量(例如3L)之處理液。所排放之處理液之量例如藉由積算流量計33c而進行管理。於進行排放之期間，停止處理液之朝處理腔室11之供給，藉由處理腔室11所進行之朝基板W的處理亦被停止。進而，處理液之自第2槽12b朝第1槽12a之供給被停止，於第2槽12b中，執行處理液之溫度調整。

圖18係顯示進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第5圖。在圖18中，顯示上述濃度控制之一例。如圖17所例示般，當執行處理液之排放時，貯存於第1槽12a的處理液之量減少。處理液之量減少的結果，當貯存於第1槽12a的處理液之液面高度低於定量時，自第2槽12b將處理液供給至第1槽12a。進而，與所排放之量同量(例如3L)的藥液自藥液供給源18被供給至第2槽12b。

圖19係顯示進行對基板W之處理之基板處理裝置1a之配管動作之一例之第6圖。在圖19中，顯示上述濃度控制之一例。當持續進行基板W之處理時，存在有處理液中之水分隨著時間蒸發而處理液中之既定成分之濃度上升之情形。於既定成分之濃度上升之情況下，自純水加強槽17b將適量(例如100ml)之純水供給至第2槽12b，使既定成分之濃度降低。藉由此控制，抑制處理液中之既定成分之濃度之變化。此外，由於對一次供給之純水量加以既定，故亦不會有處理液中之既定成分之濃度變得較容許範圍低的情形。

<實施例之作用功效>

在實施例中，於第2槽12b貯存有藉由自純水供給源17a所供給之純水稀釋自藥液供給源18所供給之藥液而成的處理液。藉由使用所被稀釋的處理液，相較於將藥液直接作為處理液而使用之情況，伴隨處理液之再利用的濃度之降低成為平緩。此外，由於在處理液中之既定成分之濃度較低，因而可藉由少量之藥液之供給提高貯存於第2槽12b的處理液之濃度。由於濃度之降低平緩，且可以少量之藥液之供給提高濃度，故根據實施例，可減低在濃度控制中所使用之處理液之量。

在實施例中，在連接於第1槽12a的循環配管22b上設置有濃度計16。由於第1槽12a貯存有供給至處理腔室11的處理液，因而藉由於循環配管22b設置有濃度計16，可高精度地測量供給至處理腔室11的處理液之濃度。

在實施例中，配管廢液管27連接於循環配管22b。於濃度計16所示之濃度低於適於處理的濃度範圍之情況下，自配管廢液管27排出既定量之處理液，且藥液供給源18將既定量之藥液供給至第2槽12b。由於供給藥液的供給目的地為第2槽12b而非第1槽12a，故抑制在第1槽12a中之處理液之濃度、溫度的劇烈之變化。

在實施例中，於濃度計16所示之濃度高於適於處理的濃度範圍之情況下，純水供給源17a係將純水供給至第2槽12b。由於供給純水的供給目的地為第2槽12b而非第1槽12a，故抑制在第1槽12a中之處理液之濃度、溫度的劇烈之變化。

在實施例中，於連接第2槽12b與第1槽12a的供給管21a設置有加熱器13a、13b、13c、13d，於連接第1槽12a與處理腔室11的供給管21b設置有加熱器13e。加熱器13a、13b、13c、13d所對處理液施予的熱量係較加熱器13e所對處理液施予的熱量大。因此，可於第2槽12b之溫度調整中以更短時間將處理液之溫度調整為適於處理的溫度，且於將處理液自第1槽12a供給至處理腔室11時，藉由加熱器13e微調整處理液之溫度。因此，可以更短時間將處理液調整為適於處理的溫度，且可高精度地控制供給至處理腔室11的處理液之溫度。

在實施例中，於設置在供給管21a的複數個加熱器13a、13b、13c、13d中，加熱器13a、13b所加熱處理液的溫度係設定為較加熱器13c、13d高。於加熱器13b與加熱器13c之間及較加熱器13d更靠第2槽12b側，分別設置有溫度計15a、15b，而測量流動於供給管21a內的處理液之溫度。控制部55係基於溫度計15a之測量結果而控制加熱器13c、13d之溫度。即，於藉由加熱器13a、13b而粗略地調整處理液之溫度之後，藉由加熱器13c、13d微調整處理液之溫度，藉此可提高處理液之溫度控制之精度。

在實施例中，藥液供給源18、純水供給源17a及純水加強槽17b之供給目的地為第2槽12b。貯存於第2槽12b的處理液係於調整濃度及溫度之後供給至第1槽12a。因此，抑制於第1槽12a中因來自藥液供給源18、純水供給源17a或純水加強槽17b之供給而導致之處理液濃度、溫度之變化。

以上揭示之實施形態、實施例可各自組合。

<<電腦可讀取之記錄媒體>>

可將使電腦及其他機械、裝置(以下稱為電腦等)實現上述任一功能之資訊處理程式記錄於電腦等可讀取之記錄媒體。而且，藉由使電腦等讀取並執行該記錄媒體之程式，而可提供該功能。

於此，所謂電腦等可讀取之記錄媒體係指，藉由電性、磁性、光學性、機械性、或化學性之作用而儲存資料、程式等之資訊，而可自電腦等讀取的記錄媒體。作為如此般之記錄媒體中之可自電腦等卸除者，例如有軟碟(flexible disk)、磁光碟、Compact Disc Read Only Memory(CD-ROM，唯讀記憶光碟)、Compact Disc-Recordable(CD-R，可錄光碟)、Compact Disc-ReWriterable(CD-RW，可重複錄寫光碟)、Digital Versatile Disc(DVD，數位多功能影音光碟)、藍光光碟(BD，Blu-ray Disc)、Digital Audio Tape(DAT，數位錄音帶)、8mm磁帶、快閃記憶體(Flash memory)等之記憶卡(Memory card)等。此外，作為固定於電腦等之記錄媒體，有硬碟(Hard Disk)、ROM(Read-Only Memory，唯讀記憶體)等。

1‧‧‧基板處理裝置

11‧‧‧處理腔室

12‧‧‧槽

13‧‧‧加熱器

14‧‧‧泵

15‧‧‧溫度計

16‧‧‧濃度計

17‧‧‧純水供給源

18‧‧‧藥液供給源

21‧‧‧供給管

21p‧‧‧管路中途

22‧‧‧循環配管

23‧‧‧回收管

24‧‧‧槽廢液管

25‧‧‧純水供給管

26‧‧‧藥液供給管

27‧‧‧配管廢液管

31a、31b、31c、31d、31e、31f‧‧‧開閉閥

32a、32b‧‧‧調整閥

33a、33b‧‧‧瞬時流量計