TWI716282B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置包含：密接強化部，其對基板之一面供給包含有機材料之密接強化劑；照射部，其對已藉由密接強化部供給密接強化劑之基板之一面照射紫外線；及成膜部，其藉由對已利用照射部照射紫外線之基板之一面供給處理液，而於基板之一面形成處理膜。本發明之基板處理方法包含如下步驟：藉由密接強化部對基板之一面供給包含有機材料之密接強化劑；對已藉由上述密接強化部供給上述密接強化劑之基板之上述一面照射紫外線；及藉由對已利用上述照射部照射紫外線之基板之上述一面供給處理液，而於基板之上述一面形成處理膜。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。
於半導體裝置等之製造中之微影步驟中，藉由於基板之被處理面上塗佈光阻液，而於基板之被處理面上形成光阻膜。於該情形時，若於基板之被處理面之親水性較高之狀態下形成光阻膜，則基板之被處理面與光阻膜之密接性變低。因此，存在光阻膜自基板之被處理面剝離之可能性。於是，藉由於形成光阻膜前，對基板之被處理面供給HMDS(六甲基二矽氮烷)等密接強化劑，從而提高基板之被處理面之疏水性(例如參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開2005-93952號公報
[發明所欲解決之問題] 另一方面，若基板之被處理面之疏水性較高，則於塗佈光阻液時，光阻液容易於被處理面上凝聚。因此，視光阻液之種類不同，會出現無法以覆蓋被處理面之所期望之區域之方式塗佈光阻液的情形。其結果為，無法適當地形成光阻膜，從而產生處理不良。
本發明之目的在於提供一種可適當地於基板之一面形成處理膜之基板處理裝置及基板處理方法。
[解決問題之技術手段] (1)基於本發明之一態樣之基板處理裝置包含：密接強化部，其對基板之一面供給包含有機材料之密接強化劑；照射部，其對已藉由密接強化部供給密接強化劑之基板之一面照射紫外線；及成膜部，藉由對已利用照射部照射紫外線之基板之一面供給處理液，於基板之一面形成處理膜。
於該基板處理裝置中，藉由供給密接強化劑而提高基板之一面之疏水性之後，藉由照射紫外線而調整基板之一面之疏水性。藉此，當對基板之一面塗佈處理液時，將基板之一面相對於處理液之接觸角控制於適當之範圍。藉此，可於基板之一面之所期望之區域適當地塗佈處理液，且可確保基板之一面與處理膜之密接性。因此，可於基板之一面適當地形成處理膜。
(2)有機材料亦可包含六甲基二矽氮烷。於該情形時，可抑制成本之增大並提高基板之一面之疏水性。
(3)密接強化部亦可以使基板之一面上之羥基變為三甲基矽烷氧基之方式對基板之一面供給密接強化劑，且照射部以使基板之一面上之三甲基矽烷氧基分離為羥基與六甲基二矽氧烷之方式對基板之一面照射紫外線。於該情形時，可適當地調整基板之一面之疏水性。
(4)處理液亦可包含感光性材料。於該情形時，可於基板之一面適當地形成包含感光性材料之感光性膜。
(5)照射部亦可以使基板之一面相對於處理液之接觸角成為預先規定之值以下之方式調整紫外線之照射量。於該情形時，可將基板之一面之疏水性調整為所期望之程度，使得可於基板之一面上適當地塗佈處理液。
(6)基板處理裝置亦可進而包含冷卻部，該冷卻部對藉由照射部照射紫外線後且藉由成膜部形成處理膜前之基板進行冷卻。於該情形時，可將基板之溫度調整為適合形成處理膜之溫度。藉此，可更加良好地形成處理膜。
(7)密接強化部亦可包含載置基板之載置部，基板處理裝置進而包含搬送部，該搬送部係設置成可一邊保持基板一邊於用以將基板交接至載置部上之交接位置與離開交接位置之外部位置之間移動，密接強化部對載置於載置部之基板供給密接強化劑，且照射部於搬送部保持基板並自交接位置向外部位置移動時對藉由搬送部保持之基板照射紫外線。
於該情形時，對載置於載置部之基板供給密接強化劑，且對自載置部搬送之基板照射紫外線。藉此，可高效率地對基板進行密接強化劑之供給及紫外線之照射，從而可提昇產能。
(8)基於本發明之另一態樣之基板處理方法包含如下步驟：藉由密接強化部，對基板之一面供給包含有機材料之密接強化劑；對已藉由密接強化部供給密接強化劑之基板之一面照射紫外線；及藉由對已利用照射部照射紫外線之基板之一面供給處理液，而於基板之一面形成處理膜。
根據該基板處理方法，藉由供給密接強化劑而調整基板之一面之疏水性後，藉由照射紫外線而調整基板之一面之疏水性。藉此，當對基板之一面塗佈處理液時，將基板之一面相對於處理液之接觸角控制於適當之範圍。藉此，可於基板之一面之所期望之區域適當地塗佈處理液，且可確保基板之一面與處理膜之密接性。因此，可於基板之一面適當地形成處理膜。
(9)有機材料亦可包含六甲基二矽氮烷。於該情形時，可抑制成本之增大並提高基板之一面之疏水性。
(10)供給密接強化劑之步驟亦可包含使基板之一面上之羥基變為三甲基矽烷氧基，且照射紫外線之步驟包含使基板之一面上之三甲基矽烷氧基分離為羥基與六甲基二矽氧烷。於該情形時，可適當地調整基板之一面之疏水性。
(11)處理液亦可包含感光性材料。於該情形時，可於基板之一面適當地形成包含感光性材料之感光性膜。
(12)照射紫外線之步驟亦可包含以使基板之一面相對於處理液之接觸角成為預先規定之值以下之方式調整紫外線之照射量。於該情形時，可將基板之一面之疏水性調整為所期望之程度，從而可於基板之一面上適當地塗佈處理液。
(13)基板處理方法亦可進而包含如下步驟：於照射紫外線之步驟後且形成處理膜之步驟前，對基板進行冷卻。於該情形時，可將基板之溫度調整為適合形成處理膜之溫度。藉此，可更加良好地形成處理膜。
(14)基板搬送方法亦可進而包含如下步驟：一邊藉由搬送部保持基板一邊使搬送部於用以將基板交接至密接強化部之載置部上之交接位置與離開交接位置之外部位置之間移動，供給密接強化劑之步驟包含對載置於載置部之基板供給密接強化劑，照射紫外線之步驟包含當搬送部保持基板並自交接位置向外部位置移動時，對藉由搬送部保持之基板照射紫外線。
[發明效果] 根據本發明，可於基板之一面適當地形成處理膜。
以下，對於本發明之實施形態之基板處理裝置，一邊參照圖式一面進行說明。再者，於以下說明中，基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板或太陽電池用基板等。
[1]基板處理裝置之構成 圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。於圖1及圖2以後之圖式中，為了明確位置關係而標註表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。
如圖1所示，基板處理裝置100包含裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B而構成介面區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。於本例之曝光裝置15中，藉由液浸法而對基板W進行曝光處理。
如圖1所示，裝載區塊11包含複數個載具載置部111及搬送部112。於各載具載置部111，載置呈多段地收納複數個基板W之載具113。於搬送部112設置有主控制部114及搬送機構115。主控制部114控制基板處理裝置100之各種構成要素。
第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係以隔著搬送部122對向之方式設置。第2處理區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133係以隔著搬送部132對向之方式設置。
洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162係以隔著搬送部163對向之方式設置。於搬送部163設置有搬送機構141、142。於搬入搬出區塊14B設置有搬送機構146。於曝光裝置15設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
圖2係主要表示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖2所示，於塗佈處理部121分階段地設置有塗佈處理室21、22、23、24。於塗佈處理室21~24之各者，設置有塗佈處理單元(旋轉塗佈機)129。於顯影處理部131，分階段地設置有顯影處理室31、32、33、34。於顯影處理室31~34之各者，設置有顯影處理單元(旋轉顯影機)139。
各塗佈處理單元129包含保持基板W之旋轉夾頭25及以覆蓋旋轉夾頭25之周圍之方式設置之護罩27。於本實施形態中，於各塗佈處理單元129設置有2組旋轉夾頭25及護罩27。
於塗佈處理單元129中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭25旋轉，並且藉由噴嘴搬送機構29使複數個處理液噴嘴28中任一處理液噴嘴28移動至基板W之上方，自該處理液噴嘴28噴出處理液。於本例中，使用包含感光性材料之光阻液作為處理液。藉由於基板W之被處理面塗佈光阻液，而於基板W上形成光阻膜。
顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣地包含旋轉夾頭35及護罩37。又，如圖1所示，顯影處理單元139包含噴出顯影液之2個顯影噴嘴38及使該顯影噴嘴38於X方向上移動之移動機構39。
於顯影處理單元139中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭35旋轉，並且使一個顯影噴嘴38一邊於X方向上移動一邊對各基板W供給顯影液，其後，使另一個顯影噴嘴38一邊移動一邊對各基板W供給顯影液。於該情形時，藉由對基板W供給顯影液，而進行基板W之顯影處理。
於洗淨乾燥處理部161分階段地設置有洗淨乾燥處理室81、82、83、84。於洗淨乾燥處理室81~84之各者設置有洗淨乾燥處理單元SD1。於洗淨乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之洗淨及乾燥處理。
圖3係主要表示圖1之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖3所示，熱處理部123包含上段熱處理部301及下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302之各者，設置有複數個加熱單元PHP、複數個密接強化處理單元AHP、複數個冷卻單元CP及全面曝光處理單元OWE。
於加熱單元PHP中，進行基板W之加熱處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。於密接強化處理單元AHP中，對基板W進行密接強化處理。於全面曝光處理單元OWE中，對基板W進行全面曝光處理。關於密接強化處理及全面曝光處理之詳細情況將於下文敍述。
熱處理部133包含上段熱處理部303及下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304之各者，設置有冷卻單元CP、複數個加熱單元PHP及邊緣曝光部EEW。
於邊緣曝光部EEW中，對形成於基板W上之光阻膜之周緣部之固定寬度之區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。於上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置之加熱單元PHP係構成為可自洗淨乾燥處理區塊14A搬入基板W。
於洗淨乾燥處理部162分階段地設置有洗淨乾燥處理室91、92、93、94、95。於洗淨乾燥處理室91~95之各者設置有洗淨乾燥處理單元SD2。於洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之洗淨及乾燥處理。
圖4係主要表示圖1之搬送部122、132、163之模式性側視圖。如圖4所示，搬送部122包含上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132包含上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置有搬送機構(搬送機器人)127，於下段搬送室126設置有搬送機構128。於上段搬送室135設置有搬送機構137，於下段搬送室136設置有搬送機構138。搬送機構127、128、137、138之各者包含用以保持基板W之機器手H1、H2。搬送機構115藉由機器手H1、H2而一邊保持基板W一邊搬送該基板W。
於搬送部112與上段搬送室125之間，設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間，設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間，設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間，設置有基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬送室135與搬送部163之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
一邊參照圖1~圖4一邊對基板處理裝置100之動作進行說明。於裝載區塊11之載具載置部111(圖1)載置有收容有未處理之基板W之載具113。搬送機構115自載具113對基板載置部PASS1、PASS3(圖4)搬送未處理之基板W。又，搬送機構115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖4)之處理完成之基板W搬送至載具113。
於第1處理區塊12中，搬送機構127(圖4)將載置於基板載置部PASS1之基板W依序搬送至密接強化處理單元AHP(圖3)、全面曝光處理單元OWE(圖3)及冷卻單元CP(圖3)，進而，將該基板W搬送至塗佈處理室21、22(圖2)之任一者。又，搬送機構127將已藉由塗佈處理室21或塗佈處理室22形成有光阻膜之基板W依序搬送至加熱單元PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖4)。
於該情形時，於密接強化處理單元AHP中對基板W進行密接強化處理後，於全面曝光處理單元OWE中對基板W進行全面曝光處理。繼而，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合形成抗反射膜之溫度後，於塗佈處理室21、22之任一者中，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成光阻膜。其後，於加熱單元PHP中，進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。
又，搬送機構127將載置於基板載置部PASS6(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖4)。
搬送機構128(圖4)將載置於基板載置部PASS3之基板W依序搬送至密接強化處理單元AHP(圖3)、全面曝光處理單元OWE(圖3)及冷卻單元CP(圖3)，進而將該基板W搬送至塗佈處理室23、24(圖2)之任一者。又，搬送機構128將藉由塗佈處理室23或塗佈處理室24而形成有光阻膜之基板W依序搬送至加熱單元PHP(圖3)及基板載置部PASS7(圖4)。
又，搬送機構128(圖4)將載置於基板載置部PASS8(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖4)。塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)中之基板W之處理內容與上述塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)中之基板W之處理內容相同。
於第2處理區塊13中，搬送機構137(圖4)將載置於基板載置部PASS5之光阻膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。於該情形時，於邊緣曝光部EEW中，於對基板W進行邊緣曝光處理後，將該基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1。
又，搬送機構137(圖4)自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之加熱單元PHP(圖3)取出藉由曝光裝置15進行曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構137將該基板W搬送至冷卻單元CP(圖3)後，搬送至顯影處理室31、32(圖2)之任一者，進而將該基板W依序搬送至加熱單元PHP(圖3)及基板載置部PASS6(圖4)。
於該情形時，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合顯影處理之溫度後，於顯影處理室31或顯影處理室32中，藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，於加熱單元PHP中，進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖4)將載置於基板載置部PASS7之光阻膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。又，搬送機構138(圖4)自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之加熱單元PHP(圖3)取出藉由曝光裝置15進行曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構138將該基板W搬送至冷卻單元CP(圖3)後，搬送至顯影處理室33、34(圖2)之任一者，進而將該基板W依序搬送至加熱單元PHP(圖3)及基板載置部PASS8(圖4)。顯影處理室33、34及下段熱處理部304中之基板W之處理內容與上述顯影處理室31、32(圖2)及上段熱處理部303(圖3)中之基板W之處理內容相同。
於洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送機構141(圖1)將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖4)之基板W搬送至洗淨乾燥處理部161之洗淨乾燥處理單元SD1(圖2)。繼而，搬送機構141將基板W自洗淨乾燥處理單元SD1搬送至載置兼冷卻部P-CP(圖4)。於該情形時，於洗淨乾燥處理單元SD1中，進行基板W之洗淨及乾燥處理後，於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖1)中之曝光處理之溫度。
搬送機構142(圖1)將載置於基板載置部PASS9(圖4)之曝光處理後之基板W搬送至洗淨乾燥處理部162之洗淨乾燥處理單元SD2(圖3)。又，搬送機構142將洗淨及乾燥處理後之基板W自洗淨乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部303之加熱單元PHP(圖3)或下段熱處理部304之加熱單元PHP(圖3)。於該情形時，於洗淨乾燥處理單元SD2中，進行基板W之洗淨及乾燥處理後，於加熱單元PHP中，進行曝光後烘烤(PEB)處理。
於搬入搬出區塊14B中，搬送機構146(圖1)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖4)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖1)。又，搬送機構146(圖1)自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖1)取出曝光處理後之基板W，將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖4)。
[2]密接強化處理及全面曝光處理 如上所述，於本實施形態中，於密接強化處理單元AHP中對基板W進行密接強化處理後，於全面曝光處理單元OWE中進行基板W之全面曝光處理。其後，藉由塗佈處理單元129而於基板W之被處理面上形成光阻膜。
於密接強化處理中，對基板W之被處理面供給包含有機材料之密接強化劑。作為有機材料，例如使用HMDS(六甲基二矽氮烷)。於該情形時，藉由使基板W之被處理面之疏水性提高，而使基板W之被處理面與光阻膜之密接性提高。
另一方面，為了適當地形成光阻膜，而必須以覆蓋基板W之被處理面之所期望之區域(例如被處理面之整體)之方式塗佈光阻液。然而，基板W之被處理面之疏水性越高，則被處理面相對於光阻液之接觸角越大。若相對於光阻液之接觸角過大，則有時會產生因光阻液於被處理面上凝聚而未能於應塗佈光阻液之被處理面之部分塗佈光阻液的現象(以下稱為塗佈欠缺)。尤其於使用具有較高之凝聚性之光阻液之情形時容易產生此種塗佈欠缺。於該情形時，無法於被處理面適當地形成光阻膜。
因此，於本實施形態中，於密接強化處理後且塗佈光阻液前進行全面曝光處理。於全面曝光處理中，對基板W之被處理面之整體照射紫外線。藉此，可調整基板W之被處理面之疏水性。
關於基板W之被處理面之疏水性藉由紫外線之照射而降低之理由，有如下考慮。圖5係用以對因密接強化處理及全面曝光處理所引起之基板W之被處理面之疏水性之變化進行說明的圖。
圖5(a)中表示HMDS之化學式。圖5(b)中表示因密接強化處理產生之基板W之被處理面上之化學變化。圖5(c)中表示因全面曝光處理產生之基板W之被處理面上之化學變化。本例中，基板W為半導體基板。
如圖5(b)所示，於密接強化處理前之基板W之被處理面存在大量羥基(-OH)。當藉由密接強化處理對基板W之被處理面供給HMDS時，HMDS與一部分羥基(-OH)發生反應。藉此，羥基(-OH)變為三甲基矽烷氧基(-OSi(CH3 )3 )。其結果為，基板W之被處理面之疏水性提高。
如圖5(c)所示，當藉由全面曝光處理對基板W之被處理面照射紫外線時，環境中之水蒸氣(H2 O)與一部分三甲基矽烷氧基(-OSi(CH3 )3 )發生反應。藉此，三甲基矽烷氧基(-OSi(CH3 )3 )分離為羥基(-OH)與六甲基二矽氧烷(O[Si(CH3 )3 ]2 )。藉此，基板W之被處理面之疏水性降低。
於密接強化處理中，即便密接強化劑之供給量甚微，基板W之被處理面之疏水性亦會急遽變高。因此，極難於密接強化處理時將基板W之被處理面之疏水性調整為所期望之程度。另一方面，於全面曝光處理中，基板W之被處理面之疏水性依存於紫外線向基板W之被處理面之照射量(被處理面之曝光量)而降低。因此，藉由調整紫外線之照射量可將基板W之被處理面之疏水性調整為所期望之程度。於該情形時，較佳為以使基板W之被處理面相對於光阻液之接觸角成為預先規定之範圍之方式調整紫外線之照射量。
發明者分別於僅進行密接強化處理之情形時、及進行密接強化處理及全面曝光處理之兩者之情形時，對基板W之被處理面之疏水性之變化進行了調查。此處，簡易地測量裸晶圓之被處理面相對於純水之接觸角。其結果為，於僅進行密接強化處理之情形時，裸晶圓之被處理面相對於純水之接觸角之平均值約為63度。另一方面，於以密接強化處理後使裸晶圓之被處理面之曝光量成為100 mJ之方式進行全面曝光處理之情形時，相對於純水之接觸角之平均值約為47度。又，於以密接強化處理後使裸晶圓之被處理面之曝光量成為300 mJ之方式進行全面曝光處理之情形時，相對於純水之接觸角之平均值約為31度。
如此，藉由於密接強化處理後進行全面曝光處理，而可使裸晶圓之被處理面相對於純水之接觸角降低。又，藉由調整紫外線之照射量，而可調整裸晶圓之被處理面相對於純水之接觸角。根據該等之結果，可知藉由於密接強化處理後進行全面曝光處理，可抑制基板W之被處理面之疏水化。又，可知藉由調整紫外線之照射量，可調整基板W之被處理面之疏水性。由於裸晶圓與純水之關係和基板W與光阻液之關係相同，因而可知藉由於密接強化處理後進行全面曝光處理，而可控制基板W之被處理面相對於光阻液之接觸角。
[3]密接強化處理單元 圖6係表示密接強化處理單元AHP之具體構成例之模式性剖視圖。圖6之密接強化處理單元AHP包含平板205、外罩207、外罩升降機構209、複數個支持銷243及支持銷升降機構247。
於平板205之上表面，設置有複數個(例如3個)近接球(proximity ball)241。於複數個近接球241上，以水平姿勢載置有基板W。外罩207係以覆蓋平板205上之基板W之上方之方式設置。外罩207連接於外罩升降機構209。外罩升降機構209例如為氣缸，使外罩207於上方位置與下方位置之間升降。於圖6中，外罩207位於下方位置。當外罩207位於下方位置時，於外罩207與平板205之間形成氣密之處理空間PS。
於外罩207設置有氣體流路213。於氣體流路213連接有氣體供給管261之一端。氣體供給管261之另一端連接有可選擇性地供給處理氣體及惰性氣體之氣體供給部(未圖示)。處理氣體包含密接強化劑。惰性氣體例如為氮氣。
以於上下方向上貫通平板205之方式設置有複數個(例如3個)貫通孔245。複數個(例如3個)支持銷243分別插入平板205之貫通孔245。於平板205之下方，各支持銷243之下端部連接於支持銷升降機構247。支持銷升降機構247使複數個支持銷243升降。於各支持銷243之上端部，安裝有圓板上之密封部243a。於平板205之各貫通孔245之上端部，形成有可收容密封部243a之凹部245a。藉由使密封部243a與凹部245a之底面密接，而確保處理空間PS之氣密性。
於平板205之內部，設置有調整基板W之溫度之調溫部249。調溫部249例如為加熱器。調溫部249藉由調整平板205之溫度而對載置於平板205之基板W實施熱處理。
於平板205，以於載置基板W之區域之外方沿周向延伸之方式形成有排氣狹縫251。又，以分別與排氣狹縫251連通之方式形成有複數個排氣埠口253。於複數個排氣埠口253連接有排氣管255。於排氣管255介插有泵256。藉由泵256而將處理空間PS內之氣體通過排氣管255自密接強化處理單元AHP排出。藉此，對處理空間PS進行減壓。
一邊參照圖6一邊對密接強化處理單元AHP中之密接強化處理進行說明。此處，對設置於圖3之上段熱處理部301之密接強化處理單元AHP之動作進行說明。
首先，於外罩207處於上方位置之狀態下，圖4之搬送機構127將基板W搬送至平板5之上方。藉由使複數個支持銷243上升而自搬送機構127將基板交付至複數個支持銷243。當支持銷243下降時，於複數個近接球241上載置基板W。
藉由使外罩207移動至下方位置而形成氣密之處理空間PS後，泵256自處理空間PS將氣體排出。藉此，對處理空間PS進行減壓。又，藉由調溫部249對平板205上之基板W之溫度進行調整。
於該狀態下，通過氣體供給管261及氣體流路213對處理空間PS供給處理氣體。藉此，於基板W之被處理面塗佈密接強化劑。流出至基板W之外方之處理氣體係通過排氣管255而自密接強化處理單元AHP排出。繼而，通過氣體供給管261及氣體流路213對處理空間PS供給惰性氣體。藉此，將處理空間PS內之處理氣體置換為惰性氣體。
其後，停止泵256之動作，使外罩207移動至上方位置。又，藉由使複數個支持銷243上升，而將基板W自複數個近接球241交付至複數個支持銷243。圖4之搬送機構127自複數個支持銷243接收基板W並自密接強化處理單元AHP搬出。
[4]全面曝光處理單元 圖7及圖8係表示全面曝光處理單元OWE之具體構成例之外觀立體圖及模式性側視圖。如圖7所示，全面曝光處理單元OWE包含光出射部300、基板移動部400及搬入搬出部500。基板移動部400包含具有大致長方體形狀之外殼410。於以下之說明中，如圖7中箭頭所示，將平行於水平面且自外殼410之一面朝向另一面之方向稱為前方，將平行於水平面且自外殼410之另一面朝向一面之方向稱為後方。又，將平行於水平面且與前方及後方正交之方向稱為寬度方向。
光出射部300係以沿寬度方向延伸之方式設置，安裝於外殼410之中央上部。於光出射部300之後方設置有搬入搬出部500。搬入搬出部500包含蓋構件510、蓋驅動部590、及支持板591。支持板591係以水平姿勢固定於外殼410。於支持板591之下表面安裝有蓋驅動部590。於蓋驅動部590之下方設置有蓋構件510。於外殼410之後部之上表面形成有開口部412。蓋驅動部590使蓋構件510於上下方向上移動。藉此，使開口部412封閉或敞開。
如圖8所示，光出射部300包含外殼310、紫外線燈320及惰性氣體供給部330。於圖8中，外殼310係以單點鏈線表示。於外殼310內收容有紫外線燈320及惰性氣體供給部330。
紫外線燈320及惰性氣體供給部330係以分別沿寬度方向延伸之方式設置。於本例中，作為紫外線燈320，使用產生波長172 nm之真空紫外線之氙氣準分子燈。再者，紫外線燈320只要為產生波長230 nm以下之真空紫外線之燈即可，亦可使用其他準分子燈或氘燈等來代替氙氣準分子燈。
於紫外線燈320之下表面形成有出射面321。當紫外線燈320點亮時，自出射面321朝向下方出射真空紫外線。自紫外線燈320出射之真空紫外線具有與行進方向(於本例中為上下方向)正交之帶狀之截面。
於惰性氣體供給部330朝向下方而形成有複數個噴射孔(未圖示)。於基板W之曝光處理時，惰性氣體供給部330通過複數個噴射孔而朝向下方噴射惰性氣體。藉此，可降低紫外線燈320之出射面321與基板W之間之空間之氧濃度。因此，可抑制照射至基板W之真空紫外線之衰減。
於基板移動部400之外殼410內，設置有交接機構420、局部搬送機構430、惰性氣體供給部450及照度感測器SE1。交接機構420包含複數個升降銷421、銷支持構件422及銷升降驅動部423。
於銷支持構件422分別安裝有沿上下方向延伸之複數個升降銷421。銷升降驅動部423可沿上下方向移動地支持銷支持構件422。複數個升降銷421係配置於開口部412之下方。藉由銷升降驅動部423使複數個升降銷421之上端部於較開口部412更上方之交接位置與較下述局部搬送機器手434更下方之待機位置之間移動。
局部搬送機構430包含進給軸431、進給軸馬達432、一對導軌433、局部搬送機器手434及一對機器手支持構件435。進給軸馬達432係設置於外殼410之前部。以自進給軸馬達432向後方延伸之方式設置有進給軸431。進給軸431例如為滾珠螺桿，連接於進給軸馬達432之旋轉軸。
一對導軌433係以相互平行地沿前後方向延伸之方式設置於外殼410之內部之下表面。於一對導軌433上分別可沿前後方向移動地設置有一對機器手支持構件435。於圖8中，僅表示有一條導軌433及一個機器手支持構件435。藉由一對機器手支持構件435支持局部搬送機器手434。局部搬送機器手434經由未圖示之連結構件而與進給軸431連結。於局部搬送機器手434設置有可分別供交接機構420插入之複數個升降銷421之複數個孔部(未圖示)。於局部搬送機器手434上載置基板W。
藉由進給軸馬達432使進給軸431旋轉。藉此，局部搬送機器手434於較光出射部300更後方之後方位置與較光出射部300更前方之前方位置之間沿前後方向移動。再者，於圖8中，以實線表示位於後方位置之局部搬送機器手434，以兩點鏈線表示位於前方位置之局部搬送機器手434。
於自紫外線燈320出射帶狀之真空紫外線之狀態下，局部搬送機器手43自前方位置以固定移動速度向後方位置移動，藉此自基板W之一端部朝向另一端部掃描真空紫外線。藉此，對基板W之上表面之整個區域照射真空紫外線。
惰性氣體供給部450係以沿寬度方向延伸之方式設置於外殼410之後部。於惰性氣體供給部450形成有複數個噴射孔，自該複數個噴射孔噴射惰性氣體。
於外殼410內進而設置有照度感測器SE1。照度感測器SE1係設置於與光出射部300之出射面321對向之位置。照度感測器SE1包含光電二極體等受光元件，檢測照射至受光元件之受光面之光之照度。此處，照度係至照射至受光面之每單位面積之光之功率。照度之單位例如以「W/m2 」表示。照度感測器SE1係藉由未圖示之感測器驅動部而於上方位置與下方位置之間升降。照度感測器SE1於上方位置檢測應照射至基板W之真空紫外線之照度。
曝光量係基於基板W之處理內容針對每個基板W或每種基板W之種類預先規定。預先規定之曝光量於基板W之曝光處理前作為設定曝光量而預先記憶於下述全面曝光控制部52中。設定曝光量例如為使基板W之被處理面相對於光阻液之接觸角成為預先規定之範圍之值。
如上所述，自基板W之一端部向另一端部以固定速度掃描帶狀之真空紫外線。於該情形時，可藉由控制基板W之移動速度而調整基板W之被處理面之曝光量。例如，藉由使基板W之移動速度變高而可減少曝光量，藉由使基板W之移動速度變低而可增加曝光量。
於本實施形態中，於基板W之全面曝光處理前預先藉由照度感測器SE1而檢測出真空紫外線之照度，基於該檢測結果而調整基板W之移動速度。藉此，將基板W之被處理面之曝光量調整為設定曝光量。
一邊參照圖8一邊對全面曝光處理單元OWE中之全面曝光處理進行說明。此處，對設置於圖3之上段熱處理部301之全面曝光處理單元OWE之動作進行說明。
首先，於藉由蓋構件510封閉外殼410之開口部412之狀態下，自惰性氣體供給部450對外殼410內供給惰性氣體。藉此，將外殼410內之氧濃度保持為例如低於1%。
其次，藉由使蓋構件510上升而使開口部412敞開，並且使交接機構420之複數個升降銷421上升。藉此，複數個升降銷421之上端部自待機位置移動至交接位置。於該狀態下，藉由圖4之搬送機構127將水平姿勢之基板W沿水平方向插入蓋構件510與開口部412之間，載置於複數個升降銷421上。繼而，使交接機構420之複數個升降銷421下降。藉此，使複數個升降銷421之上端部自交接位置移動至待機位置，將水平姿勢之基板W自複數個升降銷421交付至局部搬送機器手434。繼而，藉由使蓋構件510下降而封閉開口部412。
其次，使局部搬送機器手434自後方位置向前方位置移動。此時，紫外線燈320處於熄滅狀態。因此，基板W未被曝光。其次，將紫外線燈320自熄滅狀態切換為點亮狀態。又，自惰性氣體供給部330對外殼410內供給惰性氣體。
繼而，使局部搬送機器手434自前方位置向後方位置移動。此時之移動速度係基於藉由預先照度感測器SE1所檢測之真空紫外線之照度而調整。藉此，如上所述，以設定曝光量對基板W之被處理面進行曝光。其後，將紫外線燈320自點亮狀態切換為熄滅狀態。又，停止藉由惰性氣體供給部330供給惰性氣體。
其次，藉由使蓋構件510上升而將開口部412敞開，並且使交接機構420之複數個升降銷421上升。藉此，自局部搬送機器手434向複數個升降銷421交付基板W，使基板W移動至開口部412之上方。於該狀態下，藉由圖4之搬送機構127接收基板W，並自全面曝光處理單元OWE搬出。
[5]控制系統 圖9係用以對基板處理裝置100之控制系統之構成例進行說明之圖。如圖9所示，基板處理裝置100除包含主控制部114以外，還包含密接強化控制部51、全面曝光控制部52、成膜控制部53、顯影控制部54、邊緣曝光控制部55、洗淨乾燥控制部56、加熱冷卻控制部57及搬送控制部58。主控制部114藉由控制密接強化控制部51、全面曝光控制部52、成膜控制部53、顯影控制部54、邊緣曝光控制部55、洗淨乾燥控制部56、加熱冷卻控制部57及搬送控制部58而統括控制基板處理裝置100之動作。
密接強化控制部51控制密接強化處理單元組G1之動作。密接強化處理單元組G1包含圖3之複數個密接強化處理單元AHP。全面曝光控制部52控制全面曝光處理單元組G2之動作。全面曝光處理單元組G2包含圖3之複數個全面曝光處理單元OWE。成膜控制部53控制塗佈處理單元組G3之動作。塗佈處理單元組G3包含圖2之複數個塗佈處理單元129。顯影控制部54控制顯影處理單元組G4之動作。顯影處理單元組G4包含圖2之複數個顯影處理單元139。
邊緣曝光控制部55控制邊緣曝光部組G5之動作。邊緣曝光部組G5包含圖3之複數個邊緣曝光部EEW。洗淨乾燥控制部56控制洗淨乾燥處理單元組G6之動作。洗淨乾燥處理單元組G6包含圖2之複數個洗淨乾燥處理單元SD1及圖3之複數個洗淨乾燥處理單元SD2。加熱冷卻控制部57控制熱處理單元組G7之動作。熱處理單元組G7包含圖3之複數個加熱單元PHP及複數個冷卻單元CP以及圖4之複數個載置兼冷卻部P-CP。搬送控制部58控制搬送機構組G8之動作。搬送機構組G8包含圖1之搬送機構115、142、141、146及圖4之搬送機構127、128、137、138。
再者，於圖9之例中，以對應於各種處理內容之方式設置有複數個控制部，亦可將基板處理裝置100劃分為複數個處理區域，對每個處理區域設置控制部。又，亦可僅藉由主控制部114而控制基板處理裝置100整體之動作。
圖10表示圖9之各控制部之動作之流程圖。此處，對於對藉由圖4之搬送機構127、137搬送之1片基板W進行之動作進行說明。對於藉由圖4之搬送機構128、138搬送之基板W亦進行同樣之動作。
首先，搬送控制部58控制圖4之搬送機構115、127，將載具113內之未處理之基板W搬送至圖3之上段熱處理部301之任一個密接強化處理單元AHP。密接強化控制部51控制被搬送基板W之密接強化處理單元AHP，進行對基板W之被處理面供給密接強化劑之密接強化處理(步驟S1)。
其次，搬送控制部58控制圖4之搬送機構127，將密接強化處理後之基板W自密接強化處理單元AHP搬送至圖3之上段熱處理部301之全面曝光處理單元OWE。全面曝光控制部52控制被搬送基板W之全面曝光處理單元OWE，進行對基板W之被處理面照射紫外線之全面曝光處理(步驟S2)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構127，將全面曝光處理後之基板W自全面曝光處理單元OWE搬送至圖3之上段熱處理部301之任一個冷卻單元CP。加熱冷卻控制部57控制被搬送基板W之冷卻單元CP，對基板W進行冷卻(步驟S3)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構127，將冷卻後之基板W自冷卻單元CP搬送至圖2之塗佈處理室21、22之任一個塗佈處理單元129。成膜控制部53控制被搬送基板W之塗佈處理單元129，對基板W之被處理面上塗佈光阻液，藉此形成光阻膜(步驟S4)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構127，將形成有光阻膜之基板W自塗佈處理單元129搬送至圖3之上段熱處理部301之任一個加熱單元PHP。加熱冷卻控制部57控制被搬送基板W之加熱單元PHP，對基板W進行加熱(步驟S5)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構127、137，將加熱後之基板W自加熱單元PHP搬送至圖3之上段熱處理部303之邊緣曝光部EEW。邊緣曝光控制部55控制被搬送基板W之邊緣曝光部EEW，對基板W進行邊緣曝光處理(步驟S6)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構137、141，將邊緣曝光處理後之基板W自邊緣曝光部EEW搬送至圖2之洗淨乾燥處理部161之任一個洗淨乾燥處理單元SD1。洗淨乾燥控制部56控制被搬送基板W之洗淨乾燥處理單元SD1，對基板W進行洗淨及乾燥處理(步驟S7)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構141，將洗淨及乾燥處理後之基板W自洗淨乾燥處理單元SD1搬送至圖4之任一個載置兼冷卻部P-CP。加熱冷卻控制部57控制被搬送基板W之載置兼冷卻部P-CP，對基板W進行冷卻(步驟S8)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構146，將冷卻後之基板W自載置兼冷卻部P-CP搬入圖1之曝光裝置15(步驟S9)。於曝光裝置15中對基板W進行曝光處理後，搬送控制部58控制搬送機構146、142，將曝光處理後之基板W自曝光裝置15搬出(步驟S10)，將該基板W搬送至圖3之洗淨乾燥處理部162之任一個洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥控制部56控制被搬送基板W之洗淨乾燥處理單元SD2，對基板W進行洗淨及乾燥處理(步驟S11)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構142，將洗淨及乾燥處理後之基板W自洗淨乾燥處理單元SD2搬送至圖3之上段熱處理部303之任一個加熱單元PHP。加熱冷卻控制部57控制被搬送基板W之加熱單元PHP，對基板W進行PEB處理(步驟S12)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構137，將PEB處理後之基板W搬送至圖3之上段熱處理部303之任一個冷卻單元CP。加熱冷卻控制部57控制被搬送基板W之冷卻單元CP，對基板W進行冷卻(步驟S13)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構137，將冷卻後之基板W搬送至圖2之顯影處理室31、32之任一個顯影處理單元139。顯影控制部54控制被搬送基板W之顯影處理單元139，對基板W進行顯影處理(步驟S14)。
其次，搬送控制部58控制搬送機構137、127、115，將顯影處理後之基板W自顯影處理單元139返回至圖1之載具113。藉此，基板W之一例之處理結束。
[6]效果 於上述實施形態之基板處理裝置100中，於密接強化處理單元AHP中對基板W之被處理面供給包含有機材料之密接強化劑後，於全面曝光處理單元OWE中對基板W之被處理面照射紫外線。於該情形時，藉由供給密接強化劑而提高基板W之被處理面之疏水性後，藉由照射紫外線調整基板W之被處理面之疏水性。藉此，於之後塗佈光阻液時，將基板W之被處理面相對於光阻液之接觸角控制為適當之範圍。因此，可防止產生塗佈欠缺，從而可對基板W之被處理面之所期望之區域適當地塗佈光阻液。又，可確保基板W之被處理面與光阻膜之密接性。其結果為，可於基板W之被處理面適當地形成光阻膜。
又，於本實施形態中，藉由密接強化處理而使基板W之被處理面上之羥基變為三甲基矽烷氧基，藉由其後之全面曝光處理使基板W之一面上之三甲基矽烷氧基分離為羥基與六甲基二矽氧烷。藉此，可適當地調整基板W之被處理面之疏水性。
[7]密接強化處理單元及全面曝光處理單元之另一例 於上述實施形態中，於彼此分開之密接強化處理單元AHP及全面曝光處理單元OWE中分別進行密接強化處理及全面曝光處理，但亦可於一體之單元中進行密接強化處理及全面曝光處理之兩者。圖11係表示用以進行密接強化處理及全面曝光處理之疏水性調整單元之構成例的模式性側視圖。圖11之疏水性調整單元600例如係設置於圖3之上段熱處理部301及下段熱處理部302之各者。
圖11之疏水性調整單元600包含殼體601、密接強化部610、光出射部620及局部搬送機構630。密接強化部610及光出射部620係分別設置於殼體601內。密接強化部610具有與圖6之密接強化處理單元AHP同樣之構成，包含平板205及外罩207，並且包含未圖示之其他各種構成要素。密接強化部610於氣密之處理空間內對基板W供給密接強化劑。
光出射部620具有與圖8之光出射部300同樣之構成，出射真空紫外線。局部搬送機構630具有與圖8之局部搬送機構430同樣之構成，包含進給軸431、進給軸馬達432、一對導軌433、局部搬送機器手434及一對機器手支持構件435。局部搬送機器手434於用以將基板W交接至密接強化部610之交接位置與密接強化部610之外部的外部位置之間移動。於圖11中，表示位於外部位置之局部搬送機器手434。
對圖11之疏水性調整單元600中之密接強化處理及全面曝光處理進行說明。此處，對設置於圖3之上段熱處理部301之疏水性調整單元600之動作進行說明。首先，圖4之搬送機構127對殼體601內搬入基板W，對位於外部位置之局部搬送機器手434交付基板W。局部搬送機器手434自外部位置移動至交接位置，自局部搬送機器手434對未圖示之支持銷243(參照圖6)交付基板W。繼而，使局部搬送機器手434退避至外部位置，藉由支持銷243而於平板205上載置基板W，並且使外罩207移動至下方位置。其後，於密接強化部610中，與圖6之密接強化處理單元AHP同樣地進行密接強化處理。
當密接強化處理結束時，藉由未圖示之惰性氣體供給部對殼體601內供給惰性氣體。繼而，使局部搬送機器手434移動至交接位置，自未圖示之支持銷243(參照圖6)對局部搬送機器手434交付基板W。繼而，一面使光出射部620朝向下方出射真空紫外線，一面使局部搬送機器手434自交接位置移動至外部位置。藉此，對被供給密接強化劑之基板W之被處理面之整體照射真空紫外線。於該情形時，較佳為藉由未圖示之照度感測器SE1(參照圖8)而檢測預先真空紫外線之照度，並基於該檢測結果調整基板W之移動速度。
如此，於圖11之疏水性調整單元600中，於共通之殼體601內依序進行密接性強化處理及全面曝光處理。藉此，與分別設置密接強化處理單元AHP及全面曝光處理單元OWE之情形相比，可高效率地進行密接強化處理及全面曝光處理，從而可提昇產能。又，可以較小空間之實施密接強化處理及全面曝光處理之兩者，因此可實現基板處理裝置100之小型化。
[8]其他實施形態 於上述實施形態中，使用包含HMDS之密接強化劑作為有機材料，但只要可提高基板W之疏水性，則亦可使用TMSDMA(三甲基矽烷基二甲基胺)等其他包含有機材料之密接強化劑。
於上述實施形態中，於形成光阻膜前對基板W之被處理面進行密接強化處理及全面曝光處理，但亦可於形成其他處理膜前進行同樣之處理。例如，亦可於形成用以減少曝光處理時產生之駐波或暈光之抗反射膜前，對基板W之被處理面進行密接強化處理及全面曝光處理。於該情形時，可確保基板W之被處理面與抗反射膜之密接性，並於基板W之被處理面之所期望之區域適當地塗佈抗反射膜用處理液。或者，亦可於形成用以藉由DSA(Directed Self Assembly；定向自組裝)技術而形成微細圖案之包含定向自組裝材料之處理膜前，對基板W之被處理面進行密接強化處理及全面曝光處理。
[9]申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係 以下，對申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。
於上述實施形態中，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，密接強化處理單元AHP為密接強化部之例，光出射部300、620為照射部之例，塗佈處理單元129為成膜部之例，冷卻單元CP為冷卻部之例。又，殼體601為殼體之例，平板205為載置部之例，局部搬送機器手434為搬送部之例。
作為申請專利範圍之各構成要素，亦可使用具有申請專利範圍所記載之構成或功能之其他各種要素。
11:裝載區塊 12:第1處理區塊 13:第2處理區塊 14:介面區塊 14A:洗淨乾燥處理區塊 14B:搬入搬出區塊 15:曝光裝置 15a:基板搬入部 15b:基板搬出部 21:塗佈處理室 22:塗佈處理室 23:塗佈處理室 24:塗佈處理室 25:旋轉夾頭 27:護罩 28:處理液噴嘴 29:噴嘴搬送機構 31:顯影處理室 32:顯影處理室 33:顯影處理室 34:顯影處理室 35:旋轉夾頭 37:護罩 38:顯影噴嘴 39:移動機構 51:密接強化控制部 52:全面曝光控制部 53:成膜控制部 54:顯影控制部 55:邊緣曝光控制部 56:洗淨乾燥控制部 57:加熱冷卻控制部 58:搬送控制部 81:洗淨乾燥處理室 82:洗淨乾燥處理室 83:洗淨乾燥處理室 84:洗淨乾燥處理室 91:洗淨乾燥處理室 92:洗淨乾燥處理室 93:洗淨乾燥處理室 94:洗淨乾燥處理室 95:洗淨乾燥處理室 100:基板處理裝置 111:載具載置部 112:搬送部 113:載具 114:主控制部 115:搬送機構 121:塗佈處理部 122:搬送部 123:熱處理部 125:上段搬送室 126:下段搬送室 127:搬送機構 128:搬送機構 129:塗佈處理單元 131:顯影處理部 132:搬送部 133:熱處理部 135:上段搬送室 136:下段搬送室 137:搬送機構 138:搬送機構 139:顯影處理單元 141:搬送機構 142:搬送機構 146:搬送機構 161:洗淨乾燥處理部 162:洗淨乾燥處理部 163:搬送部 205:平板 207:外罩 209:外罩升降機構 213:氣體流路 241:近接球 243:支持銷 243a:密封部 245:貫通孔 245a:凹部 247:支持銷升降機構 249:調溫部 251:排氣狹縫 253:排氣埠口 255:排氣管 256:泵 261:氣體供給管 300:光出射部 301:上段熱處理部 302:下段熱處理部 303:上段熱處理部 304:下段熱處理部 310:外殼 320:紫外線燈 321:出射面 330:惰性氣體供給部 400:基板移動部 410:外殼 412:開口部 420:交接機構 421:升降銷 422:銷支持構件 423:銷升降驅動部 430:局部搬送機構 431:進給軸 432:進給軸馬達 433:導軌 434:局部搬送機器手 435:機器手支持構件 450:惰性氣體供給部 500:搬入搬出部 510:蓋構件 590:蓋驅動部 591:支持板 600:疏水性調整單元 601:殼體 610:密接強化部 620:光出射部 630:局部搬送機構 AHP:密接強化處理單元 CP:冷卻單元 EEW:邊緣曝光部 G1:密接強化處理單元組 G2:全面曝光處理單元組 G3:塗佈處理單元組 G4:顯影處理單元組 G5:邊緣曝光部組 G6:洗淨乾燥處理單元組 G7:熱處理單元組 G8:控制搬送機構組 H1:機器手 H2:機器手 OWE:全面曝光處理單元 PASS1:基板載置部 PASS2:基板載置部 PASS3:基板載置部 PASS4:基板載置部 PASS5:基板載置部 PASS6:基板載置部 PASS7:基板載置部 PASS8:基板載置部 PASS9:基板載置部 P-BF1:載置兼緩衝部 P-BF2:載置兼緩衝部 P-CP:載置兼冷卻部 PHP:加熱單元 PS:處理空間 SD1:洗淨乾燥處理單元 SD2:洗淨乾燥處理單元 SE1:照度感測器 W:基板 X:方向 Y:方向 Z:方向
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖2係主要表示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部的基板處理裝置之模式性側視圖。 圖3係主要表示圖1之熱處理部及洗淨乾燥處理部的基板處理裝置之模式性側視圖。 圖4係主要表示圖1之搬送部之模式性側視圖。 圖5(a)~(c)係用以對因密接強化處理及全面曝光處理所產生之基板之被處理面之疏水性之變化進行說明的圖。 圖6係表示密接強化處理單元之具體構成例之模式性剖視圖。 圖7係表示全面曝光處理單元之具體構成例之外觀立體圖。 圖8係表示全面曝光處理單元之具體構成例之模式性側視圖。 圖9係用以對基板處理裝置之控制系統之構成例進行說明之圖。 圖10係表示圖9之各控制部之動作之流程圖。 圖11係表示疏水性調整單元之構成例之模式性側視圖。
205:平板
207:外罩
431:進給軸
432:進給軸馬達
433:導軌
434:局部搬送機器手
435:機器手支持構件
600:疏水性調整單元
601:殼體
610:密接強化部
620:光出射部
630:局部搬送機構
W:基板

Claims (4)

  1. 一種基板處理裝置，其包含： 密接強化部，其對基板之一面供給包含有機材料之密接強化劑； 照射部，其對已藉由上述密接強化部供給上述密接強化劑之基板之上述一面照射紫外線；及 成膜部，其藉由對已利用上述照射部照射紫外線之基板之上述一面供給處理液，而於基板之上述一面形成處理膜， 上述照射部係於利用上述成膜部供給處理液前，預先調整紫外線之照射量，使得於上述成膜部中，基板之上述一面相對於上述處理液之接觸角成為預先規定之值以下。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述有機材料包含六甲基二矽氮烷。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述處理液包含感光性材料。
  4. 如請求項1或2項之基板處理裝置，其進而包含冷卻部，上述冷卻部對藉由上述照射部照射紫外線後且藉由上述成膜部形成上述處理膜前之基板進行冷卻。
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