TWI714979B - 無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統 - Google Patents

無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI714979B
TWI714979B TW108108517A TW108108517A TWI714979B TW I714979 B TWI714979 B TW I714979B TW 108108517 A TW108108517 A TW 108108517A TW 108108517 A TW108108517 A TW 108108517A TW I714979 B TWI714979 B TW I714979B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
oxide
transport layer
inorganic
oxide film
light
Prior art date
Application number
TW108108517A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201940008A (zh
Inventor
植田尚之
中村有希
安部由希子
松本真二
曾根雄司
早乙女遼一
新江定憲
草柳嶺秀
安藤友一
Original Assignee
日商理光股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2019043381A external-priority patent/JP2020140946A/ja
Application filed by 日商理光股份有限公司 filed Critical 日商理光股份有限公司
Publication of TW201940008A publication Critical patent/TW201940008A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI714979B publication Critical patent/TWI714979B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing

Abstract

一種無機電致發光元件，包括：一陽極；一電洞傳輸層；一發光層；一電子傳輸層；以及一陰極，該陽極、該電洞傳輸層、該發光層、該電子傳輸層和該陰極互相堆疊，其中，該電洞傳輸層為一氧化物膜，該發光層為一氧化物膜，以及該電子傳輸層為一氧化物膜。

Description

無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統
本發明涉及直流驅動無機電致發光(EL)元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統。
近年來，各方積極開發有機EL(OLED)元件或化合物半導體LED，以用於照明光源或顯示器。它們是透過直流電流驅動發光的電流注入型發光元件，並且具有在低電壓下仍具有高亮度的發光特性。然而，OLED由有機物形成，因此具有低耐久性的缺點。另外，LED的缺點是不能在顯示器中廣泛使用的主動式矩陣驅動方式(AM-TFT)上形成RGB元件，因為LED透過在單晶基板上磊晶成長的化合物半導體來獲得。同時，由氧化物或氧硫化物之發光材料所形成的無機EL元件具有高耐久性並且具有在AM-TFT上形成RBG元件的可能性。因此，無機EL元件被期望作為下一代顯示器的發光元件。
取決於驅動方法，無機EL元件主要分為交流驅動無機EL元件和直流驅動無機EL元件。交流驅動的無機EL元件藉由在介電材料層之間夾入一層無機發光層的薄膜或者將數百伏特的交流電壓施加到其中具有螢光微粒分散在介電材料黏合劑中的層來發光。經過廣泛的研究和開發，該系統已投入實際應用。
通常，在直流驅動無機EL元件中，使用電致發光的其中一種無機螢光材料作為發光層，此為公眾所知悉之技術。在直流驅動的無機EL元件中，發光層設置在例如一對電極之間。在這對電極之間施加電壓，並且藉由發光層發光照亮其周圍。直流驅動無機EL具有低成本和發光不發熱的優點，並且可以預期未來將具有優勢。關於無機EL元件的螢光物質，藉由在氧化鋅中添加 稀土元素而獲得作為直流驅動無機EL的發光層的技術為公眾所知悉(參照，例如：非專利文獻1)。
另外，提供了一種無機EL元件，其中在發光層與基板之間設置用於防止稀土擴散的薄膜(參照例如：專利文獻1)。
<引用列表>
<專利文獻>
專利文獻1：日本未審查之特許申請公開第2014-35827號；
<非專利文獻>
非專利文獻1：J.C. Ronfard-Haret及J. Kossanyi之「在摻雜Tm3+-和Li+-離子之ZnO陶瓷中的電致發光及光致發光、燒結溫度的影響」，化學物理期刊第241期(Chem. Phys. 241)(1999)第339至349頁。
然而，在傳統技術中，無法實現以低電壓直流驅動獲得高效率發光的無機EL元件。
本發明的目的是提供一種直流驅動無機EL元件，其以低電壓和高效率充足地發光。
解決上述問題的方法如下。亦即，本發明的無機EL元件包括：一陽極；一電洞傳輸層；一發光層；一電子傳輸層；以及一陰極，其中，該陽極、該電洞傳輸層、該發光層、該電子傳輸層和該陰極互相堆疊。該電洞傳輸層為一氧化物膜，該發光層為一氧化物膜，以及該電子傳輸層為一氧化物膜。
根據本發明的無機EL元件，可以提供一種發光元件，具有耐久性以及低電壓、高效率發光。
10‧‧‧場效電晶體
20‧‧‧場效電晶體
21‧‧‧基板
22‧‧‧主動層
23‧‧‧源極電極
24‧‧‧汲極電極
25‧‧‧閘極絕緣層
26‧‧‧閘極電極
30‧‧‧電容器
302‧‧‧顯示元件
310‧‧‧顯示器
312‧‧‧陰極
314‧‧‧陽極
320‧‧‧像素電路
340‧‧‧無機電致發光薄膜層
342‧‧‧電子傳輸層
344‧‧‧發光層
346‧‧‧電洞傳輸層
350‧‧‧無機電致發光元件
360‧‧‧層間絕緣膜
400‧‧‧顯示控制裝置
402‧‧‧影像資料處理電路
404‧‧‧掃描線驅動電路
406‧‧‧資料線驅動電路
D‧‧‧汲極電極
G‧‧‧閘極電極
S‧‧‧源極電極
EIL‧‧‧電子注入層
EML‧‧‧發光層
ETL‧‧‧電子傳輸層
HTL‧‧‧電洞傳輸層
X0、X1、X2、X3~Xn-1‧‧‧掃描線
Y0、Y1、Y2、Y3~Ym-1‧‧‧資料線
Y0i、Y1i、Y2i、Y3i~Ym-1i‧‧‧電流供應線
圖1為顯示本發明之直流驅動無機EL元件的一個示例的結構示意圖。
圖2為顯示影像顯示裝置的視圖。
圖3為顯示本發明之顯示元件的一個示例的視圖。
圖4為顯示在顯示元件中無機EL元件與場效電晶體之間的位置關係的一個示例的結構示意圖。
圖5為顯示在顯示元件中無機EL元件與場效電晶體之間的位置關係的另一個示例的結構示意圖。
圖6為顯示控制裝置的視圖。
圖7為顯示本發明示例1中所製造之無機EL元件的I-V特性圖。
圖8為顯示本發明示例1中所製造之無機EL元件的EL光譜圖。
圖9為顯示本發明示例1和示例4中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
圖10為本發明示例2中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
圖11為本發明示例3中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
圖12為本發明示例5中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
圖13為本發明示例6中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
(無機EL元件)
本發明的無機EL元件至少包括發光層，並且有必要的話可以進一步包括其他組件，例如：陽極、陰極、電洞傳輸層和電子傳輸層。
無機EL元件為直流驅動的無機EL元件。
發光層為氧化物膜，較佳為非晶氧化物膜。
電洞傳輸層為氧化物膜，較佳為非晶氧化物膜。
電子傳輸層為氧化膜，較佳為非晶氧化膜。
氧化膜可以包含微晶。
作為發光層的氧化物膜較佳為由摻雜有發光中心的氧化物形成。
發光中心較佳為過渡金屬離子或稀土離子。
發光中心較佳包含選自由鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎢(W)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)所組成之群組中的至少一種。
在作為發光層的氧化物膜中，具有大於或等於發光中心的激發能 量的帶隙能量的氧化物較佳為該發光中心的主體。
在作為發光層的氧化物膜中，具有大於或等於發光中心的發光能量的帶隙能量的氧化物較佳為該發光中心的主體。
作為電洞傳輸層的氧化物膜較佳為p型氧化物半導體。
作為電子傳輸層的氧化物膜較佳為n型氧化物半導體。
較佳地，作為電洞傳輸層的氧化物膜為摻雜有發光中心的p型氧化物半導體，並且氧化物膜具有作為發光層的功能。
較佳地，作為電子傳輸層的氧化物膜為摻雜有發光中心的n型氧化物半導體，並且氧化物膜具有作為發光層的功能。
該發光中心較佳為過渡金屬離子或稀土離子。
發光中心較佳包含選自由鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎢(W)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)所組成之群組中的至少一種。
圖1為顯示根據本發明之直流驅動無機EL元件的一個示例的結構示意圖。
圖1中的無機EL元件350包括：陰極312、陽極314、以及無機EL薄膜層340。
<陰極>
陰極312的材料沒有特別限制，可以根據預期目的做出適當的選擇。材料的示例包含：鋁(Al)、鎂(Mg)-銀(Ag)合金、鋁-鋰(Li)合金、金(Au)-鍺(Ge)合金、和氧化銦錫(ITO)。應當注意，如果Mg-Ag合金在具有足夠的厚度的情況下，變成高反射電極，並且當Mg-Ag合金在極薄膜(小於約20nm)的情況下，變成半透明電極。在該圖中，光從陽極這一側輸出。然而，當陰極為透明電極或半透明電極時，光可以從陰極這一側輸出。
<陽極>
陽極314的材料沒有特別限制，可以根據預期目的做出適當地選擇。材料的示例包含：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、銀(Ag)-釹(Nd)合金、和鋁(Al)-矽(Si)-銅(Cu)合金。應當注意，在使用銀合金的情況下， 電極會變成高反射電極，其特性適用於光從陰極這一側輸出。
<無機EL薄膜層>
無機EL薄膜層340包含例如：電子傳輸層342、發光層344和電子傳輸層346。電子傳輸層342耦合到陰極312，且電洞傳輸層346耦合到陽極314。當在陽極314與陰極312之間施加預定範圍的電壓時，發光層344發光。
電子傳輸層342和發光層344可以為單層的形式。或者，電洞傳輸層346和發光層344可以為單層的形式。此外，電子注入層可以設置在電子傳輸層342與陰極312之間。此外，電洞注入層可以設置在電洞傳輸層346與陽極314之間。
描述了一種所謂的「底部發射」無機EL元件，其中光從基板的一側(圖1中的底側)輸出。然而，無機EL元件可以是「頂部發射」無機EL元件，其中光從相對於基板的一側(圖1的底側)輸出。
<<發光層>>
在本發明的無機EL元件中作為發光層的氧化物膜較佳為由摻雜有發光中心的氧化物形成。發光中心沒有特別限制，可以根據預期目的從過渡金屬離子和稀土離子中適當地選擇。其示例包含：鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎢(W)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)。
可以根據預期目的適當地選擇主體氧化物，但其較佳為具有大於或等於發光中心的激發能量的帶隙能量。較佳地，主體氧化物還具有大於或等於發光中心的發光能量的帶隙能量。上述主體氧化物的具體示例包含：氧化鋁(Al2O3)、氧化鎵(Ga2O3)、氧化鑭(La2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化釔鋁(YAO)、氧化釔釓(YGO)、和氧化鑭鋁(LAO)。
可以根據預期目的適當地選擇發光中心的濃度。主體的陽離子的濃度較佳為低於10原子百分比(atom%)，更佳為約1至5原子百分比。
作為發光層的氧化物膜較佳為氧化物，其包含選自由鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鎦(Lu)、硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、矽(Si)、鍺(Ge)、銻(Sb)、鉍(Bi)、和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
可以根據預期目的適當地選擇發光層的膜厚。例如：其膜厚較佳為100nm或更小，更佳為約5nm至約30nm。
<<電子傳輸層>>
在本發明的無機EL元件中作為電子傳輸層的氧化物膜較佳為由n型氧化物半導體形成。n型氧化物半導體的材料沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：InGaZnO(氧化銦鎵鋅)、IMO(氧化銦鎂)、ZTO(氧化鋅錫)、IAO(氧化銦鋁)和ILO(氧化銦鑭)。為了控制n型氧化物半導體的電子載子，適當地進行載子摻雜。
作為電子傳輸層的氧化物膜較佳為n型氧化物半導體，其包含選自由鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鉍(Bi)、鈦(Ti)和鎢(W)所組成之群組中的至少一種。
作為電子傳輸層的氧化物膜較佳為n型氧化物半導體，其還包含選自由鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素(Ln)、硼(B)、鋁(Al)、矽(Si)、銻(Sb)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
電子傳輸層的膜厚可以根據預期目的適當地選擇。例如：其膜厚較佳為100nm或更小，更佳為約5nm至約30nm。
<<電洞傳輸層>>
在本發明的無機EL元件中作為電洞傳輸層的氧化物膜較佳為由p型氧化物半導體形成。p型氧化物半導體的材料沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：Cu2O(氧化亞銅)、CuInO2(銅銦氧化物)、CuAlO2(銅鋁氧化物)、MCO(鎂銅氧化物)、CCO(鈣銅氧化物)、SCO(鍶銅氧化物)、ACO(銻銅氧化物)、CTO(銅錫氧化物)、NiO(一氧化鎳)和ZnIr2O4(氧化銥鋅)。為了控制p型氧化物半導體的電洞載子，適當地進行載子摻雜。
作為電洞傳輸層的氧化物膜較佳為p型氧化物半導體，其包含選自由鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉈(Tl)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
可以根據預期目的適當地選擇電洞傳輸層的膜厚。例如：其膜厚較佳為100nm或更小，更佳為約5nm至約30nm。
當發光層和電子傳輸層為單層的形式時，電子傳輸層較佳為摻雜有上述發光層的發光中心。
當發光層和電洞傳輸層為單層的形式時，電洞傳輸層較佳為摻雜有上述發光層的發光中心。
例如，可以適當地選擇發光中心的種類和濃度以及電子傳輸層和電洞傳輸層的材料和膜厚的組合。
<<電子注入層>>
在本發明的無機EL元件中的電子注入層存在於陰極與電子傳輸層之間，並且具有促進陰極注入電子的功能。在如上所述發光層和電子傳輸層為單層的情況下，該電子注入層效果顯著。在本發明的無機EL元件中作為電子注入層的氧化物膜較佳為由n型氧化物半導體形成。n型氧化物半導體的材料沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：InGaZnO(氧化銦鎵鋅)、IMO(氧化銦鎂)、ZTO(氧化鋅錫)、IAO(氧化銦鋁)和ILO(氧化銦鑭)。
作為電子注入層的氧化物膜較佳為n型氧化物半導體，其包含選自由鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鉍(Bi)、鈦(Ti)和鎢(W)所組成之群組中的至少一種。
作為電子注入層的n型氧化物半導體適當地進行載子摻雜，以便降低來自陰極的電子的注入能障。作為載子摻雜劑，較佳為添加具有比n型氧化物半導體的構成元素更高價數的元素。對於IMO(氧化銦鎂)，較佳使用例如：錫(Sn)、鈦(Ti)、鈮(Nb)和鎢(W)。對於ZTO(氧化鋅錫)，較佳使用例如：鈮(Nb)、鉬(Mo)和鎢(W)。
可以根據預期目的適當地選擇電子注入層的厚度。例如，其膜厚較佳為100nm或更小，較佳為約5nm至約30nm。
<<電洞注入層>>
在本發明的無機EL元件中的電洞注入層存在於陽極與電洞傳輸層之間，並且具有促進陽極注入電洞的功能。在如上所述發光層和電洞傳輸層為單層的情況下，該電洞注入層效果顯著。在本發明的無機EL元件中作為電洞注入層的氧化物膜較佳為由p型氧化物半導體形成。p型氧化物半導體的材料沒 有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含Cu2O(氧化亞銅)、CuInO2(銅銦氧化物)、CuAlO2(銅鋁氧化物)、MCO(鎂銅氧化物)、CCO(鈣銅氧化物)、SCO(鍶銅氧化物)，ACO(銻銅氧化物)、CTO(銅錫氧化物)、NiO(一氧化鎳)和ZnIr2O4(氧化銥鋅)。
作為電洞注入層的氧化物膜較佳為p型氧化物半導體，其包含選自由鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉈(Tl)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
作為電洞注入層的p型氧化物半導體適當地進行載子摻雜，以便降低來自陽極的電洞的注入能障。作為載子摻雜劑，較佳為添加具有比p型氧化物半導體的構成元素更低價數的元素。對於CuInO2(銅銦氧化物)，較佳使用例如：鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)。
可以根據預期目的適當地選擇電洞傳輸層的膜厚。例如，其膜厚較佳為100nm或更小，較佳為約5nm至約30nm。
用於形成本發明的無機EL元件的薄膜的方法沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含真空鍍膜的方法(例如：化學氣相沉積(CVD)方法和原子層沉積(ALD)方法)、以及印刷方法諸如旋轉塗佈法和狹縫模具塗佈法。
可以根據預期目的適當地選擇封裝元件或其他組件。
基板沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包括玻璃基板和塑料基板。
電極層(陽極和陰極)的成膜方法沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含真空鍍膜的方法(例如：濺射方法、CVD方法和真空氣相沉積方法)、以及印刷方法諸如旋轉塗佈法和狹縫模具塗佈法。
<無機EL元件的製造方法>
用於無機EL元件的製造方法沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。用於製造無機EL元件的方法包含例如：使用用於形成無機EL薄膜的塗佈液形成無機EL薄膜層的步驟，並且如果需要，進一步包含其它步驟。
注意，用於形成無機EL薄膜的塗佈液為用於形成構成無機EL薄層的電洞傳輸層、發光層和電子傳輸層的至少其中之一的塗佈液。
-用於形成無機EL薄膜的液體-
用於形成無機EL薄膜的塗佈液較佳為藉由在溶劑中溶解構成發光層的金屬元素、p型氧化物半導體和n型氧化物半導體，由以下組成的群組中所選出的至少一種獲得：氧化物、無機鹽、羧酸鹽、有機化合物和有機金屬。氧化物、無機鹽、羧酸鹽、有機化合物或有機金屬可以均勻地溶解在溶劑中並且可以解離形成離子。當氧化物、無機鹽、羧酸鹽、有機化合物或有機金屬溶解在用於形成無機EL薄膜的塗佈液中時，幾乎不會發生用於形成無機EL薄膜的塗佈液中的濃度偏析(segregation)。因此，用於形成無機EL薄膜的塗佈液可以長時間使用。此外，使用該塗佈液製造的薄膜也具有一致的組成。因此，當塗佈液用於無機EL薄膜時，其性質均勻也是較有利的情況。
作為用於形成無機EL薄膜的塗佈液的一個示例之構成用於形成發光層的塗佈液的發光中心的材料較佳的示例包含過渡金屬化合物，其包含例如：鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)和鎢(W)；以及稀土金屬化合物，其包含例如：鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)。
在下文中，將舉例說明上述化合物，它們各自是構成用於形成發光層之塗佈液的發光中心的材料。
<<含錳(Mn)的化合物>>
含錳(Mn)的化合物沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：有機錳化合物和無機錳化合物。
-有機錳化合物-
有機錳化合物沒有特別限制並且可以根據預期目的適當選擇，只要它是包含錳以及有機基團的化合物即可。錳以及有機基團透過諸如離子鍵、共價鍵或配位鍵鍵結。
有機基團沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。有機基團的示例包含可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的醯氧基和可以具有取代基的乙醯丙酮基。烷氧基的示例包含具有1至6個碳原子的烷氧基。醯氧基的示例包含具有1至10個碳原子的醯氧基。
取代基的示例包含：鹵素和四氫呋喃基(tetrahydrofuryl group)。
有機錳化合物的示例包含：乙酸錳(II)四水化合物、苯甲酸錳(II)四水化合物、乙醯丙酮錳(III)和2-乙基己酸錳(II)。
-無機錳化合物-
無機錳化合物沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：含氧酸錳、鹵化錳和氧化錳。
含氧酸錳的示例包含：硝酸錳、硫酸錳和碳酸錳。
鹵化錳的示例包含：氟化錳、氯化錳、溴化錳和碘化錳。
其中，就各種溶劑的高溶解性而言，更佳為硝酸錳(II)四水合物和氯化錳(II)四水合物。
這些含錳化合物，可以使用合成產物或者可以使用市售產品。
<<含銪(Eu)的化合物>>>
含銪(Eu)的化合物沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：有機銪化合物和無機銪化合物。
-有機銪化合物-
有機銪化合物沒有特別限制並且可以根據預期目的適當選擇，只要它是包含銪以及有機基團的化合物即可。銪以及有機基團透過諸如離子鍵、共價鍵或配位鍵鍵結。
有機基團沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。有機基團的示例包含可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的醯氧基和可以具有取代基的乙醯丙酮基。烷氧基的示例包含具有1至6個碳原子的烷氧基。醯氧基的示例包含具有1至10個碳原子的醯氧基。
取代基的示例包含：鹵素和四氫呋喃基(tetrahydrofuryl group)。
有機銪化合物的示例包含：乙酸銪(III)水合物、乙醯丙酮銪(III)水合物和2-乙基己酸銪(III)。
-無機銪化合物-
無機錳化合物沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：含氧酸銪、鹵化銪和氧化銪。
含氧酸銪的示例包含：硝酸銪、硫酸銪和碳酸銪。
鹵化銪的示例包含：氟化銪、氯化銪、溴化銪和碘化銪。
其中，就各種溶劑的高溶解性而言，更加合適的選擇為硝酸銪(III)六水合物、氯化銪(III)六水合物和八水合銪(III)八水合物。
這些含銪化合物，可以使用合成產物或者可以使用市售產品。
如上所述，詳細描述了包含錳(Mn)的化合物和包含銪(Eu)的化合物。
相同的描述也適用於例如：鈦(Ti)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)。
相同的描述也適用於構成發光層的一個例子，例如：鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鎦(Lu)、硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、矽(Si)、鍺(Ge)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)。
相同的描述也適用於構成電洞傳輸層的一個例子，例如：鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉈(Tl)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)。
相同的描述也適用於構成電子傳輸層的一個例子，例如：鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鉍(Bi)、鈦(Ti)和鎢(W)。
(顯示元件)
本發明的顯示元件至少包含光學控制元件和被配置以驅動光學控制元件的驅動電路。如果必要時，顯示元件進一步包含其他組件。
<光學控制元件>
光學控制元件為被配置以根據驅動信號控制光輸出的元件，並且可以包含其他種類的光學控制元件，只要其他類型的光學控制元件包含本發明的無機EL元件即可。其他類型的光學控制元件沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。其示例包含：有機電致發光(EL)元件、電致變色(EC)元件、液晶元件、電泳元件和電潤濕元件。
<驅動電路>
驅動電路沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。驅動電 路較佳為包含場效電晶體，例如：包含a-Si、LTPS或氧化物半導體作為主動層的薄膜電晶體(TFT)。
<其他組件>
其他組件沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。
本發明的顯示元件包含本發明的無機EL元件。因此，顯示元件在低電壓下高效率發光，並且由於其隨時間的變化較小，進而實現較長的生命週期。
(影像顯示裝置)
本發明的影像顯示裝置至少包括複數個顯示元件、複數條電線線路(wired line)和顯示控制裝置。如果必要時，影像顯示裝置進一步包括其他組件。
<顯示元件>
顯示元件沒有特別限制並且可以根據預期目的適當地選擇，只要其是以矩陣形式佈置的本發明的顯示元件即可。
<電線線路>
電線線路沒有特別限制並且可以根據預期目的適當地選擇，只要可以將閘極電壓和影像資料信號分別地施加到複數個顯示元件中的場效電晶體即可。
<顯示控制裝置>
顯示控制裝置沒有特別限制並且可以根據預期目的適當地選擇，只要可以經由對應於影像資料的複數條電線線路單獨地控制場效電晶體的閘極電壓和信號電壓即可。
<其他組件>
其他組件沒有特別限制，可以根據預期目的適當地選擇。
本發明的影像顯示裝置包含本發明的顯示元件。因此，影像顯示裝置具有較長的生命週期並且穩定地驅動。
本發明的影像顯示裝置可以作為移動資訊裝置(例如：手機、可攜式音樂播放器、可攜式影片播放器、電子書和個人數位助理(PDA))以及相機裝置(例如：靜像式相機和攝影機)。影像顯示裝置可以進一步用於運輸 系統(例如：汽車、飛機、火車和船)中之各種資訊的顯示單元。此外，影像顯示裝置可以用於測量裝置、分析裝置、醫療裝置和廣告媒體中之各種資訊的顯示單元。
(系統)
本發明的系統至少包含本發明的影像顯示裝置和影像資料產生裝置。
影像資料產生裝置被配置以基於要顯示的影像資訊產生影像資料，並將該影像資料輸出到該影像顯示裝置。
因為本發明的系統包括本發明的影像顯示裝置，所以可以顯示具有高清晰度的影像資訊。
下文將描述本發明的影像顯示裝置。
本發明的影像顯示裝置可以藉由採用諸如日本未審查專利申請公開第2010-074148號的第0059至0060段以及圖2和圖3中所描述的配置來取得。
接下來將參考附圖描述本發明的示例的一個示例。
圖2為顯示影像顯示裝置的視圖，其中顯示元件以矩陣形式佈置。如圖2所示，顯示器包含：「n」條掃描線(X0,1,X2,X3,...,Xn-2,Xn-1)，沿X軸方向以固定間隔佈置；「m」條資料線(Y0,Y1,Y2,Y3,...,Ym-1)，沿Y軸方向以固定間隔佈置；以及「m」條電流供應線(Y0i,Y1i,Y2i,Y3i,...,Ym-1i)，沿Y軸方向以固定間隔佈置。本文中，元件符號(例如：X1和Y1)在圖3和圖6中具有相同的含義。
因此，可以透過掃描線和資料線識別顯示元件302。
圖3為顯示根據本發明之顯示元件的一個示例的結構示意圖。
如圖3中的一個示例所示，顯示元件包含無機電致發光(EL)元件350和被配置以允許無機EL元件350發光的驅動電路320。也就是說，顯示器310為所謂之主動矩陣系統的無機EL顯示器。此外，顯示器310為具有合適顏色的55英寸顯示器。顯示器310的尺寸不限於55英寸。
下文將描述圖3中的驅動電路320。
驅動電路320包含兩個場效電晶體10、20以及電容器30。
場效電晶體10作為開關元件。場效電晶體10的閘極電極G耦合到預定掃描線，並且場效電晶體10的源極電極S耦合到預定資料線。此外，場效電晶體10的汲極電極D耦合到電容器30的一個端子。
場效電晶體20被配置以向無機EL元件350提供電流。場效電晶體20的閘極電極G耦合到場效電晶體10的汲極電極D。場效電晶體20的汲極電極D耦合到無機EL元件350的陽極，並且場效電晶體20的源極電極S耦合到預定的電流供應線。
電容器30被配置以儲存場效電晶體10的狀態，即資料。電容器30的另一個端子耦合到預定的電流供應線。
當場效電晶體10處於「開啟」狀態時，影像資訊經由信號線Y2儲存在電容器30中。即使在場效電晶體10轉為「關閉」狀態之後，藉由將對應於影像資料的場效電晶體20之「開啟」狀態保持，來驅動無機EL元件350。
圖4為顯示在顯示元件中的無機EL元件350與作為顯示元件中的驅動電路的場效電晶體20之間的位置關係的一個示例。在本示例中，無機EL元件350設置在場效電晶體20的旁邊。注意，場效電晶體和電容器(圖未示出)也形成在同一基板上。
儘管在圖4中未顯示鈍化膜，但鈍化膜適當地設置在主動層22上或其上方。作為鈍化膜的材料，可以適當地使用SiO2、SiNx、Al2O3和含氟聚合物。
如圖5所示，例如：無機EL元件350可以設置在場效電晶體20上。在這種結構的情況下，閘極電極26必須具有透明性。因此，導電透明氧化物(例如：ITO、In2O3、SnO2、ZnO、Ga摻雜的ZnO、Al摻雜的ZnO、和Sb摻雜的SnO2)用於閘極電極26。注意，元件符號360為層間絕緣膜(校平膜)。聚醯亞胺或丙烯酸樹脂可以用於絕緣膜。
在圖4和圖5中，場效電晶體20包含基板21、主動層22、源極電極23、汲極電極24、閘極絕緣層25和閘極電極26。無機EL元件350包含陰極312、陽極314和無機EL薄膜層340。
圖6為顯示根據本發明之影像顯示裝置的另一個示例的結構示意圖。
在圖6中，影像顯示裝置包含顯示元件302、電線線路(包括掃描線、資料線和電流供應線)、以及顯示控制裝置400。
顯示控制裝置400包含影像資料處理電路402、掃描線驅動電路404和資料線驅動電路406。
影像資料處理電路402基於影像輸出電路的輸出信號確定顯示器中之複數個顯示元件302的亮度。
掃描線驅動電路404根據影像資料處理電路402的指令分別向「n」條掃描線施加電壓。
資料線驅動電路406根據影像資料處理電路402的指令分別向「m」條資料線施加電壓。
如上所述，已經描述了本發明的系統作為電視裝置的情況。然而，本發明的系統不限於電視裝置。該系統沒有特別限制，只要該系統包含用於配置為顯示影像和資訊的裝置的影像顯示裝置即可。例如：該系統可以是電腦系統，其中電腦(包含個人電腦)耦合到影像顯示裝置。
本發明的系統包括本發明的顯示元件。因此，該系統具有較長生命週期並且可以穩定地驅動。
示例
接下來將透過示例描述本發明，但本發明不應解釋為限於這些示例。
(製程示例1-1)
<形成發光層的塗佈液的製備>
秤量2-乙基己酸鑭(50mmol)和2-乙基己酸銪(2mmol)。然後，在室溫下將上述化合物與2-乙基己酸(辛酸)(1,000mL)混合溶解，製備用於形成發光層的塗佈液(塗佈液1-1)。
(製程示例2-1)
<形成電子傳輸層的塗佈液的製備>
秤量脫水乙酸鋅(10mmol)、硝酸鎵八水合物(10mmol)和硝酸銦三水合物(10mmol)。然後，在室溫下將上述化合物與乙二醇單甲醚(300mL)、丙二醇(300mL)和乙醇(300mL)混合溶解，以製備用於形成電子輸 層的塗佈液(塗佈液2-1)。
(製程示例3-1)
<形成電洞傳輸層的塗佈液的製備>
秤量三水合硝酸銅(25mmol)和六水合硝酸鎂(25mmol)。然後，在室溫下將上述化合物與乙二醇單甲醚(400mL)、丙二醇(400mL)和乙醇(400mL)混合溶解，以製備用於形成電洞傳輸層的塗佈液(塗佈液3-1)。
(示例1)
<無機EL元件的準備>
在透過UV臭氧清潔的無鹼玻璃基板(具有圖案化加工之ITO電極膜100nm)上，使用旋轉塗佈裝置在基板上印刷塗佈液3-1。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時，以獲得厚度為40nm的電洞傳輸層。
進一步對基板進行UV臭氧清洗。然後，使用旋塗裝置在基板上印刷塗佈液1-1。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時以堆疊厚度為20nm的發光層。
進一步對基板進行UV臭氧清洗。然後，使用旋塗裝置在基板上印刷塗佈液2-1。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時以堆疊厚度為40nm的電子傳輸層。
最後，通過金屬遮罩使用真空氣相沉積法將鋁用來形成薄膜，以堆疊厚度為100nm的Al陰極。
<評測>
量測示例1所製造之無機EL元件的發光特性。
當在電極之間施加直流電壓時，無機EL元件的電壓-電流特性如圖7所示。此外，銪在4V時表現出良好的紅光發光特性。
注意，在圖7中，「e」表示10的指數。具體而言，「e-6」表示「10-6」。
另外，量測示例1所製造之無機EL元件的EL光譜。結果如圖8示。
(製程示例1-2至製程示例1-6)
<形成發光層的塗佈液的製備>
除了將製程示例1-1中的材料改變為表1中的材料之外，所有用於形成發光層的每種塗佈液都是用與製程示例1-1中相同的方式製備(塗佈液1-2至塗佈液1-6)。
Figure 108108517-A0202-12-0018-1
(製程示例2-2至製程示例2-4)
<形成電子傳輸層的塗佈液的製備>
除了將製程示例2-1中的材料改變為表2中所述的材料之外，所有用於形成電子傳輸層的每種塗佈液都是用與製程示例2-1中相同的方式製備(塗佈液2-2至塗佈液2-4)。
Figure 108108517-A0202-12-0020-2
(製程示例3-2至製程示例3-4)
<形成電洞傳輸層的塗佈液的製備>
除了將製程示例3-1中的材料改變為表3中所述的材料外，所有用於形成電洞傳輸層的每種塗佈液都是用與製程示例3-1中相同的方式製備(塗佈液3-2至塗佈液3-4)。
Figure 108108517-A0202-12-0022-3
(製程示例4-1至製程示例4-2)
<形成電洞注入層的塗佈液和形成電子注入層的塗佈液的製備>
除了將製程示例1-1中的材料改變為表4中的材料之外，所有用於形成電洞注入層(塗佈液4-1)和電子注入層(塗佈液4-2)的塗佈液都是用與製程示例1-1中相同的方式製備。
Figure 108108517-A0202-12-0024-4
表1至表4中的材料如下。
<表1‧材料A>
La(C8H15O2)3：2-乙基己酸鑭
Y(NO3)3‧6H2O：硝酸釔六水合物
Al(NO3)3‧9H2O：硝酸鋁九水合物
LaCl3‧7H2O：氯化鑭七水合物
AlCl3‧6H2O：氯化鋁六水合物
La(NO3)3‧6H2O：硝酸鑭六水合物
<表1‧材料B>
Mg(NO3)2‧6H2O：六水合硝酸鎂
CaCl2‧2H2O：脫水氯化鈣
SrCl2‧6H2O：氯化鍶六水合物
<表1‧材料C>
Eu(C8H15O2)3：2-乙基己酸銪
Tb(NO3)3‧6H2O：硝酸鋱六水合物
EuCl3‧6H2O：氯化銪六水合物
W(CO)6：羰基鎢
CrCl3‧6H2O：氯化鉻六水合物
Tm(NO3)3‧6H2O：硝酸銩六水合物
<表2‧材料A>
Zn(CH3COO)2‧2H2O：脫水醋酸鋅
Zn(NO3)2‧6H2O：硝酸鋅六水合物
Mg(NO3)2‧6H2O：六水合硝酸鎂
La(NO3)2‧6H2O：硝酸鑭六水合物
<表2‧材料B>
Ga(NO3)3‧8H2O：硝酸鎵八水合物
In(NO3)3‧3H2O：硝酸銦三水合物
SnCl4‧5H2O：氯化錫五水合物
<表2‧材料C>
Tb(NO3)3‧6H2O：硝酸鋱六水合物
TmCl3‧7H2O：氯化銩七水合物
<表3‧材料A>
Cu(NO3)2‧3H2O：硝酸銅三水合物
Cu(C10H19O2)2：新癸酸銅
Tl(C8H15O2)：2-乙基己酸鉈
CuCl2‧2H2O：脫水氯化銅
<表3‧材料B>
Mg(NO3)2‧6H2O：六水合硝酸鎂
Sn(C8H15O2)2：2-乙基己酸錫
Bi(C8H15O2)3：鉍三(2-乙基己酸)
BaCl2‧2H2O：脫水氯化鋇
<表3‧材料C>
Cr(C8H15O2)3：鉻三(2-乙基己酸)
TbCl3‧6H2O：氯化鋱六水合物
<表4‧材料A>
Cu(C10H19O2)2：新癸酸銅
Cd(NO3)2‧2H2O：脫水硝酸鎘
<表4‧材料B>
Ca(C8H15O2)2：2-乙基己酸鈣
InCl3‧4H2O：氯化銦四水合物
<表4‧材料C>
SnCl4‧5H2O：氯化錫五水合物
<表1至表4‧溶劑D>
辛酸(Octylic acid)
EGME：乙二醇單甲醚
PGME：丙二醇1-單甲醚
DMF：N，N-二甲基甲醯胺
EGIPE：乙二醇單異丙醚
Toluene：甲苯
Xylene：二甲苯
<表1至表4‧溶劑E>
EG：乙二醇
PG：丙二醇
CHB：環己基苯
<表1至表4‧溶劑F>
MeOH：甲醇
EtOH：乙醇
IPA：異丙醇
H2O：水
(示例2)
<無機EL元件的準備>
除了使用表5中所述的塗佈液製備電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)和電子傳輸層(ETL)之外，使用與示例1相同的方式製備無機EL元件。
使用與示例1相同的方式評測製備的無機EL元件。
注意，在示例2的無機EL元件中，作為該電洞傳輸層的氧化物膜為摻雜發光中心的p型氧化物半導體，並且氧化物膜具有作為發光層的功能。
(示例3和示例4)
<無機EL元件的準備>
除了使用表5中所述的陽極和陰極、以及使用表5中所述的塗佈液製備電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)和電子傳輸層(ETL)之外，使用與示例1相同的方式製備無機EL元件。
使用與示例1相同的方式評測製備的無機EL元件。
注意，在示例3的無機EL元件中，作為電子傳輸層的氧化物膜較佳為摻雜有發光中心的n型氧化物半導體，並且氧化物膜具有作為發光層的功能。
Figure 108108517-A0202-12-0028-5
在表5中，「ITO」表示「氧化銦摻雜錫」，「ASC」表示「鋁(Al)-矽(Si)-銅(Cu)合金」。
圖9為顯示本發明示例1和示例4中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
圖10為顯示本發明示例2中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
圖11為顯示本發明示例3中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
(示例5)
<無機EL元件的準備>
在透過UV臭氧清潔的無鹼玻璃基板(具有圖案化加工之ITO電極膜100nm)上，使用旋轉塗佈裝置在基板上印刷塗佈液4-1。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時，以獲得厚度為30nm的電洞注入層。
進一步對基板進行UV臭氧清洗。然後，使用旋塗裝置在基板上印刷塗佈液3-3。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時以堆疊厚度為30nm的發光層，並且具有作為電洞傳輸層的功能(電洞傳輸層具有作為發光層的功能)。
進一步對基板進行UV臭氧清洗。然後，使用旋塗裝置在基板上印刷塗佈液2-2。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時以堆疊厚度為60nm的電子傳輸層。
最後，通過金屬遮罩使用真空氣相沉積方法將鋁用來形成薄膜，以堆疊厚度為100nm的Al陰極。
(示例6)
<無機EL元件的準備>
在透過UV臭氧清潔的無鹼玻璃基板(具有圖案化加工之ITO電極膜100nm)上，使用旋轉塗佈裝置在基板上印刷塗佈液3-2。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時，以獲得厚度為60nm的電洞傳輸層。
進一步對基板進行UV臭氧清洗。然後，使用旋塗裝置在基板上印刷塗佈液2-3。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時以堆疊厚度為30nm的發光層，並且具有作為電子傳輸層的功能(電子傳輸層具有作為發光層的功能)。
進一步對基板進行UV臭氧清洗。然後，使用旋塗裝置在基板上印刷塗佈液4-2。使用加熱板在攝氏120度下乾燥基板3分鐘，並在大氣中在攝氏400度下烘烤1小時以堆疊厚度為30nm的電子注入層(EIL)。
最後，通過金屬遮罩使用真空氣相沉積法將鋁用來形成薄膜，以堆疊厚度為100nm的Al陰極。
示例5和示例6的無機EL元件的分層結構列於表6中。
Figure 108108517-A0202-12-0029-6
圖12為顯示本發明示例5中所製造之無機EL元件的能階示意圖。
圖13為顯示本發明示例6中所製造之無機EL元件的能階示意 圖。
與示例1的無機EL元件類似，示例2至示例6的無機EL元件也顯示出有利的電壓-電流特性和發光光譜。也就是說，上述之示例皆為直流驅動的無機EL元件，可以具有在低電壓時有高效率的發光特性。
如上所述，本發明的無機EL元件可以提供穩定同時在低電壓具有高效率發光的發光元件。另外，本發明的影像顯示裝置適合於在大螢幕上顯示高質量的影像。本發明的系統可以高度精度地顯示影像資訊，並且可以適用於例如：電視裝置、電腦系統和智慧型手機。
例如，本發明的各種態樣如下。
<1>一種無機EL元件，包括：一陽極；一電洞傳輸層；一發光層；一電子傳輸層；以及一陰極，該陽極、該電洞傳輸層、該發光層、該電子傳輸層和該陰極相互堆疊，其中，該電洞傳輸層為一氧化物膜，該發光層為一氧化物膜，以及該電子傳輸層為一氧化物膜。
<2>根據<1>所述的無機EL元件，其中，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一p型氧化物半導體。
<3>根據<1>或<2>所述的無機EL元件，其中，作為該電子傳輸層的該氧化物膜為一n型氧化物半導體。
<4>根據<1>至<3>中任一項所述的無機EL元件，其中，作為該發光層的該氧化物膜由摻雜有一發光中心的一氧化物形成。
<5>根據<1>至<4>中任一項所述的無機EL元件，其中，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為摻雜有一發光中心的一p型氧化物半導體，並且該氧化物膜具有作為該發光層的功能。
<6>根據<1>至<5>中任一項所述的無機EL元件，其中， 作為該電子傳輸層的該氧化物膜為摻雜有一發光中心的一n型氧化物半導體，並且該氧化物膜具有作為該發光層的功能。
<7>根據<4>至<6>中任一項所述的無機EL元件，其中，該發光中心為一過渡金屬離子或一稀土離子。
<8>根據<4>至<7>中任一項所述的無機EL元件，其中，該發光中心包含選自由鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、銅(Cu)、鎢(W)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)所組成之群組中的至少一種。
<9>根據<4>至<6>中任一項所述的無機EL元件，其中，在作為該發光層的該氧化物膜中，具有大於或等於該發光中心的激發能量的帶隙能量的一氧化物為該發光中心的一主體。
<10>根據<4>至<6>中任一項所述的無機EL元件，其中，在作為該發光層的該氧化物膜中，具有大於或等於該發光中心的發光能量的帶隙能量的一氧化物為該發光中心的一主體。
<11>根據<1>至<10>中任一項所述的無機EL元件，其中，作為該發光層的該氧化物膜為一氧化物，該氧化物包含選自由鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鎦(Lu)、硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、矽(Si)、鍺(Ge)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
<12>根據<1>至<11>中任一項所述的無機EL元件，其中，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一p型氧化物半導體，該p型氧化物半導體包含選自由鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉈(Tl)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
<13>根據<1>至<12>中任一項所述的無機EL元件，其中，作為該電子傳輸層的該氧化物膜為一n型氧化物半導體，該n型氧化物半導體包含選自由鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鉍(Bi)、鈦(Ti)和鎢(W)所組成之群組中的至少一 種。
<14>根據<13>所述的無機EL元件，其中，作為該電子傳輸層的該氧化物膜為該n型氧化物半導體，該n型氧化物半導體進一步包含選自由鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素(Ln)、硼(B)、鋁(Al)、矽(Si)、銻(Sb)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
<15>根據<1>所述的無機EL元件，其中，作為該發光層的該氧化物膜為一非晶氧化物膜，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一非晶氧化物膜，以及作為該電子傳輸層的該氧化物膜為一非晶氧化物膜。
<16>根據<1>所述的無機EL元件，其中，該無機EL元件為一直流驅動無機EL元件。
<17>一種顯示元件，包括：一光控制元件，其包含根據<1>至<16>中任一項所述的無機EL元件，並且該光控制元件被配置以根據一驅動信號控制光的輸出；以及一驅動電路，被配置以驅動該光控制元件。
<18>一種影像顯示裝置，被配置以顯示與影像資料對應的影像，該影像顯示裝置包括：複數個顯示元件，以矩陣形式佈置，該複數個顯示元件中的每一個為根據<17>所述的顯示元件，並且該等驅動電路包括複數個場效電晶體；複數條電線線路，被配置以將閘極電壓和信號電壓分別地施加到該複數個顯示元件中的該等場效電晶體；以及一顯示控制裝置，被配置以經由與影像資料對應的該等電線線路單獨地控制該等場效電晶體的閘極電壓和信號電壓。
<19>一種系統，包括：根據<18>所述的影像顯示裝置；以及一影像資料產生裝置，被配置以基於要顯示的影像資訊產生影像資料，並將該影像資料輸出到該影像顯示裝置。
312‧‧‧陰極
314‧‧‧陽極
340‧‧‧無機電致發光薄膜層
342‧‧‧電子傳輸層
344‧‧‧發光層
346‧‧‧電洞傳輸層
350‧‧‧無機電致發光元件

Claims (21)

  1. 一種無機電致發光元件，包括：一陽極；一電洞傳輸層；一發光層；一電子傳輸層；以及一陰極，該陽極、該電洞傳輸層、該發光層、該電子傳輸層和該陰極相互堆疊，其中，該電洞傳輸層為一氧化物膜，該發光層為一氧化物膜，該電子傳輸層為一氧化物膜，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一p型氧化物半導體，以及該p型氧化物半導體的一材料包括Cu2O(氧化亞銅)、CuInO2(銅銦氧化物)、CuAlO2(銅鋁氧化物)、MCO(鎂銅氧化物)、CCO(鈣銅氧化物)、SCO(鍶銅氧化物)、ACO(銻銅氧化物)、CTO(銅錫氧化物)、NiO(一氧化鎳)和ZnIr2O4(氧化銥鋅)的至少其中之一。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電子傳輸層的該氧化物膜為一n型氧化物半導體。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電子傳輸層的該氧化物膜為一n型氧化物半導體，該n型氧化物半導體包含選自由鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鉍(Bi)、鈦(Ti)和鎢(W)所組成之群組中的至少一種。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電子傳輸層的的該氧化物膜為該n型氧化物半導體，該n型氧化物半導體進一步包含選自由鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素(Ln)、硼(B)、鋁(Al)、矽(Si)、銻(Sb)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
  5. 一種無機電致發光元件，包括： 一陽極；一電洞傳輸層；一發光層；一電子傳輸層；以及一陰極，該陽極、該電洞傳輸層、該發光層、該電子傳輸層和該陰極相互堆疊，其中，該電洞傳輸層為一氧化物膜，該發光層為一氧化物膜，該電子傳輸層為一氧化物膜，作為該電子傳輸層的該氧化物膜為一n型氧化物半導體，以及該n型氧化物半導體的一材料包括InGaZnO(氧化銦鎵鋅)、IMO(氧化銦鎂)、ZTO(氧化鋅錫)、IAO(氧化銦鋁)和ILO(氧化銦鑭)的至少其中之一。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一p型氧化物半導體。
  7. 根據申請專利範圍第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一p型氧化物半導體，以及該p型氧化物半導體的一材料包括Cu2O(氧化亞銅)、CuInO2(銅銦氧化物)、CuAlO2(銅鋁氧化物)、MCO(鎂銅氧化物)、CCO(鈣銅氧化物)、SCO(鍶銅氧化物)、ACO(銻銅氧化物)、CTO(銅錫氧化物)、NiO(一氧化鎳)和ZnIr2O4(氧化銥鋅)的至少其中之一。
  8. 根據申請專利範圍第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一p型氧化物半導體，該p型氧化物半導體包含選自由鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉈(Tl)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
  9. 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該發光層的該氧化物膜由摻雜有一發光中心的一氧化物形成。
  10. 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為摻雜有一發光中心的一p型氧化物半導體，並且該氧化物膜具有作為該發光層的功能。
  11. 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該電子傳輸層的該氧化物膜為摻雜有一發光中心的一n型氧化物半導體，並且該氧化物膜具有作為該發光層的功能。
  12. 根據申請專利範圍第9項所述的無機電致發光元件，其中，該發光中心為一過渡金屬離子或一稀土離子。
  13. 根據申請專利範圍第9項所述的無機電致發光元件，其中，該發光中心包含選自由鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、銅(Cu)、鎢(W)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)所組成之群組中的至少一種。
  14. 根據申請專利範圍第9項所述的無機電致發光元件，其中，在作為該發光層的該氧化物膜中，具有大於或等於該發光中心的激發能量的一帶隙能量的一氧化物為該發光中心的一主體。
  15. 根據申請專利範圍第9項所述的無機電致發光元件，其中，在作為該發光層的該氧化物膜中，具有大於或等於該發光中心的發光能量的一帶隙能量的一氧化物為該發光中心的一主體。
  16. 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該發光層的該氧化物膜為一氧化物，該氧化物包含選自由鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鎦(Lu)、硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、矽(Si)、鍺(Ge)、銻(Sb)、鉍(Bi)和碲(Te)所組成之群組中的至少一種。
  17. 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的無機電致發光元件，其中，作為該發光層的該氧化物膜為一非晶氧化物膜， 作為該電洞傳輸層的該氧化物膜為一非晶氧化物膜，以及作為該電子傳輸層的該氧化物膜為一非晶氧化物膜。
  18. 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的無機電致發光元件，其中，該無機電致發光元件為一直流驅動無機電致發光元件。
  19. 一種顯示元件，包括：一光控制元件，其包含根據申請專利範圍第1項或第5項所述的無機電致發光元件，並且該光控制元件被配置以根據一驅動信號控制光的輸出；以及一驅動電路，被配置以驅動該光控制元件。
  20. 一種影像顯示裝置，被配置以顯示與影像資料對應的一影像，該影像顯示裝置包括：複數個顯示元件，以矩陣形式佈置，該等顯示元件中的每一個為根據申請專利範圍第19項所述的顯示元件，並且該等驅動電路包含複數個場效電晶體；複數條電線線路，被配置以將閘極電壓和信號電壓分別地施加到該複數個顯示元件中的該等場效電晶體；以及一顯示控制裝置，被配置以經由與該影像資料對應的該複數條電線線路單獨地控制該等場效電晶體的該閘極電壓和該信號電壓。
  21. 一種包括影像顯示裝置的系統，包括：根據申請專利範圍第20項所述的影像顯示裝置；以及一影像資料產生裝置，被配置以基於要顯示的影像資訊產生影像資料，並將該影像資料輸出到該影像顯示裝置。
TW108108517A 2018-03-19 2019-03-13 無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統 TWI714979B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-050862 2018-03-19
JP2018050862 2018-03-19
JP2019-032268 2019-02-26
JP2019032268 2019-02-26
JP2019043381A JP2020140946A (ja) 2018-03-19 2019-03-11 無機ｅｌ素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2019-043381 2019-03-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201940008A TW201940008A (zh) 2019-10-01
TWI714979B true TWI714979B (zh) 2021-01-01

Family

ID=66041613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108108517A TWI714979B (zh) 2018-03-19 2019-03-13 無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11374054B2 (zh)
EP (1) EP3769588B1 (zh)
CN (1) CN111886932A (zh)
TW (1) TWI714979B (zh)
WO (1) WO2019181686A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019102589A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置と表示装置の製造方法
CN112467002B (zh) * 2020-11-25 2022-05-10 华南理工大学 一种氧化物发光场效应晶体管
CN114464715B (zh) * 2021-07-05 2024-03-29 荣耀终端有限公司 红外发射器及其制备方法、显示面板及其制备方法和终端
CN113867064A (zh) * 2021-10-08 2021-12-31 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种氧化镍电致变色复合薄膜及其制备方法与应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111274A (en) * 1999-05-27 2000-08-29 Tdk Corporation Inorganic light emitting diode
TW200834607A (en) * 2007-02-15 2008-08-16 Univ Nat Taiwan Nano zinc oxide organic and inorganic composite film, fabrication method, and electro-luminescent components using the composite film thereof
JP2008244387A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Shimane Univ 酸化亜鉛系発光素子
US8704267B2 (en) * 2008-10-16 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
CN104124316A (zh) * 2013-04-25 2014-10-29 浙江大学 一种无机电致发光器件及其制备方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5631664A (en) * 1992-09-18 1997-05-20 Olympus Optical Co., Ltd. Display system utilizing electron emission by polarization reversal of ferroelectric material
JP2002015858A (ja) 2000-06-30 2002-01-18 Sony Corp エレクトロルミネッセンス表示装置
US6930971B2 (en) * 2001-06-26 2005-08-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Ultra-high density storage device with electron beam steering
US20030020397A1 (en) * 2001-06-28 2003-01-30 Lite Array Inc. Enhancement of luminance and life in electroluminescent devices
JP4047095B2 (ja) * 2002-08-07 2008-02-13 三洋電機株式会社 無機電界発光素子およびその製造方法
US7824955B2 (en) * 2002-08-28 2010-11-02 Moxtronics, Inc. Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices
JP3859148B2 (ja) * 2002-10-31 2006-12-20 信越半導体株式会社 Ｚｎ系半導体発光素子の製造方法
DE10261676A1 (de) * 2002-12-31 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdioden-Chip mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Stromaufweitungsschicht
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US7045954B2 (en) * 2003-06-17 2006-05-16 City University Of Hong Kong Organic light-emitting device with reduction of ambient-light-reflection by disposing a multilayer structure over a semi-transparent cathode
WO2006090838A1 (ja) * 2005-02-25 2006-08-31 Nissan Motor Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
US20060244373A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing thereof
JP4860343B2 (ja) 2005-05-13 2012-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
CN101707212B (zh) * 2005-11-15 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US8089080B2 (en) * 2005-12-28 2012-01-03 Group Iv Semiconductor, Inc. Engineered structure for high brightness solid-state light emitters
KR101304635B1 (ko) * 2006-01-09 2013-09-05 삼성전자주식회사 무기물 발광 다이오드 및 그의 제조방법
KR20080110747A (ko) 2006-03-21 2008-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 표시장치 및 전자기기
JP2011509530A (ja) * 2008-01-08 2011-03-24 モクストロニクス，インコーポレイテッド 高性能ヘテロ構造発光素子および方法
KR100958006B1 (ko) 2008-06-18 2010-05-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5644071B2 (ja) 2008-08-20 2014-12-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
JP2010050421A (ja) 2008-08-25 2010-03-04 Fujifilm Corp 半導体
JP5640478B2 (ja) 2009-07-09 2014-12-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ
JP5776192B2 (ja) 2010-02-16 2015-09-09 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
JP2016192554A (ja) 2011-03-31 2016-11-10 株式会社リコー ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2012216780A (ja) 2011-03-31 2012-11-08 Ricoh Co Ltd ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP5783094B2 (ja) 2011-11-30 2015-09-24 株式会社リコー ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2014035827A (ja) 2012-08-07 2014-02-24 Tokai Rika Co Ltd 無機ｅｌ素子発光デバイス
US8941111B2 (en) * 2012-12-21 2015-01-27 Invensas Corporation Non-crystalline inorganic light emitting diode
JP6421446B2 (ja) 2013-06-28 2018-11-14 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
US20170005235A1 (en) * 2013-11-27 2017-01-05 Princeton University Light emitting diode, photodiode, displays, and method for forming the same
JP6547273B2 (ja) 2013-12-26 2019-07-24 株式会社リコー ｐ型酸化物半導体、ｐ型酸化物半導体製造用組成物、ｐ型酸化物半導体の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US11208333B2 (en) * 2014-08-26 2021-12-28 King Abdullah University Of Science And Technology Synthesis of vertically aligned metal oxide nanostructures
EP3125296B1 (en) 2015-07-30 2020-06-10 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
US10312373B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor (FET) having oxide insulating layer disposed on gate insulating film and between source and drain electrodes, and display element, display and system including said FET, and method of manufacturing said FET
US10600916B2 (en) 2015-12-08 2020-03-24 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
JP6607013B2 (ja) 2015-12-08 2019-11-20 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US10170635B2 (en) * 2015-12-09 2019-01-01 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device, display device, display apparatus, and system
JP6665536B2 (ja) 2016-01-12 2020-03-13 株式会社リコー 酸化物半導体
CN107331367B (zh) * 2017-08-31 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法和转换显示装置色域标准的方法
CN109755405A (zh) * 2019-02-28 2019-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种电子传输层及其制备方法、发光器件和显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111274A (en) * 1999-05-27 2000-08-29 Tdk Corporation Inorganic light emitting diode
TW200834607A (en) * 2007-02-15 2008-08-16 Univ Nat Taiwan Nano zinc oxide organic and inorganic composite film, fabrication method, and electro-luminescent components using the composite film thereof
JP2008244387A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Shimane Univ 酸化亜鉛系発光素子
US8704267B2 (en) * 2008-10-16 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
CN104124316A (zh) * 2013-04-25 2014-10-29 浙江大学 一种无机电致发光器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111886932A (zh) 2020-11-03
TW201940008A (zh) 2019-10-01
US20210043679A1 (en) 2021-02-11
US11374054B2 (en) 2022-06-28
EP3769588B1 (en) 2023-12-13
WO2019181686A1 (en) 2019-09-26
EP3769588A1 (en) 2021-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI714979B (zh) 無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統
KR102045364B1 (ko) ｐ형 산화물, ｐ형 산화물 제조용 조성물, ｐ형 산화물의 제조 방법, 반도체 소자, 표시 소자, 화상 표시 장치, 및 시스템
TWI496294B (zh) Ｐ型氧化物、製造ｐ型氧化物用組成物、製造ｐ型氧化物的方法、半導體元件、顯示元件、影像顯示裝置、以及系統
TWI677988B (zh) 場效電晶體、顯示元件、影像顯示裝置及系統
TWI732148B (zh) 場效電晶體、顯示元件、影像顯示裝置及系統
TWI672814B (zh) Ｐ型氧化物半導體、製造ｐ型氧化物半導體用的組成物、製造ｐ型氧化物半導體的方法、半導體元件、顯示元件、影像顯示裝置、以及系統
US10141185B2 (en) Oxide semiconductor, coating liquid, method of forming oxide semiconductor film, semiconductor element, display element, image display device and image display system
JP2017163118A (ja) 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR102590717B1 (ko) 무기 el 소자, 표시 소자, 화상 표시 장치 및 시스템
TWI631401B (zh) 場效電晶體、顯示元件、影像顯示裝置及系統